JP3530064B2

JP3530064B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法

Info

Publication number: JP3530064B2
Application number: JP08720599A
Authority: JP
Inventors: 芳高佐々木
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2004-05-24
Anticipated expiration: 2019-03-29
Also published as: JP2000285421A; US6738232B1

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、再生ヘッドと記録
ヘッドとを備えた複合型の薄膜磁気ヘッドおよびその製
造方法、ならびに上記薄膜磁気ヘッドの製造に用いられ
る薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められ
ている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型
磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵
抗（以下、ＭＲ（Magneto-resistive ）とも記す。）素
子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁
気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異
方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto-re
sistive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大
磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto-resistive ）
と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素
子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲ
ヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭ
Ｒヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１
ギガビット／（インチ）² を超える再生ヘッドとして利
用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／
（インチ）² を超える再生ヘッドとして利用されてい
る。

【０００３】再生ヘッドの性能を向上させる方法として
は、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の
優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、特
に、ＭＲハイトを適切化する方法等がある。このＭＲハ
イトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反
対側の端部までの長さ（高さ）をいい、エアベアリング
面の加工の際の研磨量によって制御されるものである。
なお、ここにいうエアベアリング面は、薄膜磁気ヘッド
の、磁気記録媒体と対向する面であり、トラック面とも
呼ばれる。

【０００４】一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記
録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性
能を決定する要因としては、パターン幅、特に、スロー
トハイト（Throat Height ：TH）がある。スロートハイ
トは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する
部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部ま
での長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のため
には、スロートハイトの縮小化が望まれている。このス
ロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量
によって制御される。

【０００５】記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高め
るには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必
要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその
上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリ
ング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭
くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があ
り、これを達成するために半導体加工技術が利用されて
いる。

【０００６】このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上
のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形
成することが重要である。

【０００７】ここで、図３８ないし図４９を参照して、
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。な
お、図３８ないし図４６において、（ａ）はエアベアリ
ング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベ
アリング面に平行な断面を示している。

【０００８】この製造方法では、まず、図３８に示した
ように、例えばアルティック（Ａｌ ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）より
なる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よ
りなる絶縁層１０２を、約５μｍ程度の厚みで堆積す
る。

【０００９】次に、図３９に示したように、絶縁層１０
２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シール
ド層１０３を形成する。

【００１０】次に、図４０に示したように、下部シール
ド層１０３の上に、例えばアルミナを４０〜７０ｎｍの
厚みにスパッタ堆積し、絶縁膜としての下部シールドギ
ャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャッ
プ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成する
ためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、フ
ォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミ
リングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０
５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子で
もよいし、ＡＭＲ素子でもよい。

【００１１】次に、図４１に示したように、下部シール
ドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁
膜としての上部シールドギャップ膜１０６を形成し、Ｍ
Ｒ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に
埋設する。

【００１２】次に、図４２に示したように、上部シール
ドギャップ膜１０６の上に、磁性材料からなり、再生ヘ
ッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼
下部磁極層（以下、上部シールド層と記す。）１０７を
形成する。

【００１３】次に、上部シールド層１０７の上に、絶縁
膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０８を
形成する。次に、後方（図４２（ａ）における右側）の
位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１０
８を部分的にエッチングして、コンタクトホールを形成
する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０８の
上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度
材のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮ_Xよりなる上
部磁極チップ１０９を形成する。上部磁極チップ１０９
は、上部磁極層の一部をなす。このとき、同時に、磁路
形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成のため
の磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。

【００１４】次に、上部磁極チップ１０９をマスクとし
て、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０８と
上部シールド層（下部磁極層）１０７をエッチングす
る。図４２図（ｂ）に示したように、上部磁極層（上部
磁極チップ１０９）、記録ギャップ層１０８および上部
シールド層（下部磁極層）１０７の一部の各側壁が垂直
に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造
と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書
き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅
の増加を防止することができる。

【００１５】次に、図４３に示したように、全面に、例
えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１０を、約３μｍの厚
みに形成する。次に、この絶縁層１１０を、上部磁極チ
ップ１０９および磁性層１１９の表面に至るまで研磨し
て平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研
磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平
坦化により、上部磁極チップ１０９および磁性層１１９
の表面が露出する。

【００１６】次に、平坦化された絶縁層１１０の上に、
フォトレジスト層１１１を、高精度のフォトリソグラフ
ィにより、所定のパターンに形成する。次に、フォトレ
ジスト層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導
型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成
する。

【００１７】次に、図４４に示したように、フォトレジ
スト層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジス
ト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォ
トレジスト層１１３の表面を平坦にするために、例えば
２５０〜３００°Ｃの温度で熱処理する。

【００１８】次に、図４５に示したように、フォトレジ
スト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形
成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１
１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターン
に形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平
坦にするために、例えば２５０〜３００°Ｃの温度で熱
処理する。

【００１９】次に、図４６に示したように、上部磁極チ
ップ１０９、フォトレジスト層１１１，１１３，１１５
および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、
例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成す
る。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよ
りなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、ス
ライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッ
ドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完
成する。

【００２０】完成した状態の薄膜磁気ヘッドを、図４７
ないし図４９に示す。図４７は、エアベアリング面１２
０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を示し、図４８は、磁
極部分のエアベアリング面１２０に平行な断面を拡大し
て示している。また、図４９は、薄膜磁気ヘッドの平面
図である。なお、図４９では、オーバーコート層１１７
を省略している。図４７において、ＴＨは、スロートハ
イトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。な
お、図４８および図４９に示したように、ＭＲ素子１０
５の側方には、電極層１２１が設けられている。

【００２１】薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因とし
て、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図４７にお
いてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Ang
le）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジ
スト層１１１，１１３，１１５で覆われて山状に盛り上
がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）に
おける磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１０の
上面とのなす角度をいう。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、薄膜磁気ヘ
ッドの特性や性能は、主に、再生ヘッドにおけるＭＲ素
子と、記録ヘッドにおける磁極部分によって決定され
る。より具体的に説明すると、薄膜磁気ヘッドにおける
再生ヘッドの特性や性能は、主に、ＭＲ素子の幅に対応
した再生ヘッドにおけるトラック幅によって決定され、
記録ヘッドの特性や性能は、主に、記録ヘッドにおける
スロートハイトやトラック幅等、磁極部分の形状によっ
て決定される。そのため、薄膜磁気ヘッドの顧客の要求
は、再生ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにお
けるスロートハイトやトラック幅等、再生ヘッドにおけ
るＭＲ素子や記録ヘッドにおける磁極部分の形成のプロ
セスに関わる事項に集中する。

【００２３】従って、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁
気ヘッドを量産する場合には、再生ヘッドにおけるＭＲ
素子を形成する工程から先の工程を、顧客の要求に対応
した工程にして、製品を作る必要がある。

【００２４】しかしながら、図３８ないし図４６を参照
して説明したように、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、ＭＲ素子を形成する工程は、薄膜磁気ヘッドを量
産するための全工程のうちの初期の工程である。従っ
て、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲ素子を
形成する工程以降の工程に要する時間が、全工程に要す
る時間に対して大きな割合を占めていた。そのため、従
来は、顧客の注文を受けてから顧客の要求に合った仕様
の薄膜磁気ヘッドを完成させ、出荷するまでの時間、い
わゆるサイクルタイムが長く、これは、例えば２０日か
ら２５日程度であり、場合によっては３０日から４０日
に及ぶ場合があった。その結果、顧客との間で、早い時
期に、薄膜磁気ヘッドの特性等の仕様を取り決めても、
実際の製品を出荷するまでに、上記のような多くの日数
がかかっていた。

【００２５】また、昨今の技術進歩の速度と、顧客の要
求する記録面密度や再生速度の向上は、目を見張るもの
がある。それに伴い、数カ月単位で、コンピュータのハ
ードディスクドライブの仕様の変更や改善がなされてい
る。そのため、薄膜磁気ヘッドの顧客は、注文後、短期
間で、要求に合った薄膜磁気ヘッドが納入されることを
望む。従って、薄膜磁気ヘッドの製造業者は、顧客の要
求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを設計し、短期間で、
その薄膜磁気ヘッドを量産し、市場に出荷する必要があ
る。

【００２６】このような状況にもかかわらず、従来は、
上述のようにサイクルタイムが長すぎるため、顧客のニ
ーズに十分応えることが難しいという問題点があった。

【００２７】また、従来は、薄膜磁気ヘッドの製造の全
工程が終了した後に、完成品の薄膜磁気ヘッドに対して
良・不良の検査を行っていた。そのため、製造途中で不
良品が発生しても、それを取り除くことができず、完成
品の歩留りを向上させることが難しいという問題点があ
った。

【００２８】ところで、近年は、高面密度記録を可能と
するため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形
成するために、半導体加工技術を利用して上部磁極層を
サブミクロン寸法に加工する技術が必要となる。また、
狭トラック構造となるに伴って、磁極にはより高い飽和
磁束密度を持った磁性材料の使用が望まれている。

【００２９】しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドで
は、山状に盛り上がったコイル部分であるエイペックス
部の上に上部磁極層を形成していたため、上部磁極層を
微細に形成することが困難であるという問題点があっ
た。以下、これについて説明する。上部磁極層を形成す
る方法としては、例えば、特開平７−２６２５１９号公
報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。
フレームめっき法を用いて上部磁極層を形成する場合
は、まず、エイペックス部の上に全体的に、例えばパー
マロイよりなる薄い電極膜を、例えばスパッタリングに
よって形成する。次に、その上にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ工程によりパターニングして、
めっきのためのフレーム（外枠）を形成する。そして、
先に形成した電極膜をシード層として、めっき法によっ
て上部磁極層を形成する。

【００３０】ところが、エイペックス部と他の部分とで
は、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイ
ペックス部上に、フォトレジストを３〜４μｍの厚みで
塗布する。エイペックス部上のフォトレジストの膜厚が
最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォ
トレジストは低い方に集まることから、エイペックス部
の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレ
ジスト膜が形成される。

【００３１】上述のようにサブミクロン寸法の記録トラ
ック幅を実現するには、フォトレジスト膜によってサブ
ミクロン寸法の幅のフレームパターンを形成する必要が
ある。従って、エイペックス部上で、８〜１０μｍ以上
の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン
寸法の微細なパターンを形成しなければならない。とこ
ろが、このような厚い膜厚のフォトレジストパターンを
狭パターン幅で形成することは製造工程上極めて困難で
あった。

【００３２】しかも、フォトリソグラフィの露光時に、
露光用の光が、シード層としての下地電極膜で反射し、
この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォ
トレジストパターンのくずれ等が生じ、シャープかつ正
確なフォトレジストパターンが得られなくなる。

【００３３】このように、従来は、磁極幅がサブミクロ
ン寸法になると、上部磁性層を精度よく形成することが
困難になるという問題点があった。

【００３４】このようなことから、上述の従来例の図４
２ないし図４６の工程でも示したように、記録ヘッドの
狭トラックの形成に有効な上部磁極チップ１０９によっ
て、１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この上
部磁極チップ１０９と接続されるヨーク部分となる上部
磁極層１１６を形成する方法も採用されている（特開昭
６２−２４５５０９号公報、特開昭６０−１０４０９号
公報参照）。このように、通常の上部磁極層を、上部磁
極チップ１０９とヨーク部分となる上部磁極層１１６と
に分割することにより、トラック幅を決定する上部磁極
チップ１０９を、記録ギャップ層１０８の上の平坦な面
の上に、サブミクロン幅で微細に形成することが可能に
なる。

【００３５】しかしながら、このようにトラック幅を決
定する上部磁極層を２層構造とした薄膜磁気ヘッドにお
いても、依然として、以下のような問題点があった。

【００３６】まず、上部磁極層１１６は、上部磁極チッ
プ１０９の上部にフォトリソグラフィの位置合わせによ
り位置が決定されるため、エアベアリング面１２０側か
ら見て、上部磁極チップ１０９と上部磁極層１１６との
位置が片側に大きくずれると、上部磁極層１１６側で書
き込みが行われ、実効トラック幅が広くなる場合があ
る。その結果、上部磁極層を２層構造とした薄膜磁気ヘ
ッドでは、記録媒体に対して、本来、データを記録すべ
き領域以外の領域にもデータを書き込んでしまう、いわ
ゆるサイドライトが発生するという問題点があった。

【００３７】更に、この薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極
チップ１０９と上部磁極層１１６の接触部分において、
両者の幅が異なることから、この接触部分で磁束が飽和
する場合がある。そのため、磁束立ち上がり時間（Flux
Rise Time）等の書き込み特性を改善することができな
いという問題点があった。

【００３８】また、この薄膜磁気ヘッドでは、上部磁極
チップ１０９のエアベアリング面１２０から遠い側の端
部においてスロートハイトを決定している。しかし、こ
の上部磁極チップ１０９の幅が狭くなると、フォトリソ
グラフィーにおいて、パターンエッジが丸みを帯びて形
成される。そのため、高精度な寸法を要求されるスロー
トハイトが不均一となり、エアベアリング面１２０の加
工、研磨工程において、歩留りが大きく低下するという
問題点があった。

【００３９】また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素
子１０５を形成した後にコイル１１２、１１４を形成す
るので、特にＭＲ素子１０５として感度の高いＧＭＲ素
子を用いた場合に、コイル１１２、１１４の形成の際に
おけるフォトレジストに対する熱処理やその際に発生す
る水分等の影響によってＭＲ素子１０５の読み取り感度
が劣化する場合があるという問題点があった。

【００４０】更に、従来の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素
子１０５を形成した後、薄膜磁気ヘッドが完成するまで
に、多くの工程が存在するので、特にＭＲ素子１０５と
して複数の極めて薄い（１〜５ｎｍ程度）の層からなる
ＧＭＲ素子を用いた場合に、ハンドリング等によってＭ
Ｒ素子１０５の静電気破壊等の破損が生じやすいという
問題点があった。

【００４１】また、従来は、薄膜磁気ヘッドの量産プロ
セスの終了間際の工程で、再生ヘッドや記録ヘッドを保
護したり、製品の高品質を維持するために、例えばアル
ミナによって３０〜４０μｍ程度のオーバーコート層を
形成していた。そのため、厚いオーバーコート層による
基板の反りが発生したり、厚い膜をスパッタで形成する
際に多くのパーティクルが発生したりして、薄膜磁気ヘ
ッドの特性や歩留りが劣化するという問題点があった。
また、従来は、４０μｍ程度のアルミナ膜をスパッタで
形成するために、例えば１５時間以上もの多くの時間を
必要とし、薄膜磁気ヘッドの量産のサイクルタイムやス
パッタの処理能力が大幅に制限されるという問題点もあ
った。

【００４２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、顧客の要求に合った仕様の薄
膜磁気ヘッドを短期間で提供することを可能とすると共
に、薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることを可能と
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁
気ヘッド用素材およびその製造方法を提供することにあ
る。

【００４３】本発明の第２の目的は、上記第１の目的に
加え、特性の劣化や歩留りの低下を生じることなく、記
録ヘッドのトラック幅の縮小を可能にした薄膜磁気ヘッ
ドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材お
よびその製造方法を提供することにある。

【００４４】本発明の第３の目的は、上記第１の目的に
加え、再生ヘッドの特性の劣化や破損を防止することが
できるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法な
らびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法を提供
することにある。

【００４５】本発明の第４の目的は、上記第１の目的に
加え、オーバーコート層を薄くすることができるように
した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁
気ヘッド用素材およびその製造方法を提供することにあ
る。

【００４６】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁
気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗
素子をシールドするための第１および第２のシールド層
とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録
媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互い
に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および
第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、第２の
シールド層は、薄膜コイルに対向する領域を含む領域に
配置された第１の部分と、第１のシールド層の側方に配
置され、第１の部分における薄膜コイル側の面に接続さ
れた第２の部分と、磁気抵抗素子を挟んで第１のシール
ド層と対向すると共に第２の部分に接続された第３の部
分とを有し、且つ、第１の磁性層を兼ねており、薄膜コ
イルの少なくとも一部は、第２のシールド層の第２の部
分における側方に配置されているものである。

【００４７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁
気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗
素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子を
シールドするための第１および第２のシールド層とを有
する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に
対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向
する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層から
なる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の
磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶
縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘ
ッドとを備え、第２のシールド層が、薄膜コイルに対向
する領域を含む領域に配置された第１の部分と、第１の
シールド層の側方に配置され、第１の部分における薄膜
コイル側の面に接続された第２の部分と、磁気抵抗素子
を挟んで第１のシールド層と対向すると共に第２の部分
に接続された第３の部分とを有し、且つ、第１の磁性層
を兼ねており、薄膜コイルの少なくとも一部は、第２の
シールド層の第２の部分における側方に配置されている
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、第２のシールド層
の第１の部分を形成する工程と、薄膜コイルの少なくと
も一部が、第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁さ
れた状態で配置されるように、薄膜コイルの少なくとも
一部を形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部の
側方に配置され、且つ第１の部分における薄膜コイル側
の面に接続されるように、第２のシールド層の第２の部
分を形成する工程と、第２の部分の側方に配置されるよ
うに、第１のシールド層を形成する工程と、第１のシー
ルド層の上に、絶縁膜を介して、磁気抵抗素子を形成す
る工程と、磁気抵抗素子の上に、絶縁膜を介して、第２
のシールド層の第３の部分を形成する工程と、第２のシ
ールド層の第３の部分の上に、記録ギャップ層を形成す
る工程と、記録ギャップ層の上に、第２の磁性層を形成
する工程とを含むものである。

【００４８】本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその製造方
法では、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１
の部分および第２の部分と、薄膜コイルの少なくとも一
部とを備えた薄膜磁気ヘッド用素材を製造しておき、こ
の素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド
層の第３の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを
形成することが可能となる。

【００４９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、例えば、第２の磁性層は、１つの層から
なる。

【００５０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第３の部分に
おける記録ギャップ層側の面に接続されるように、スロ
ートハイトを規定する第２のシールド層の第４の部分を
設けてもよい。この場合、第２の磁性層は、例えば、平
坦な１つの層からなる。

【００５１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第３の部分の
側方に配置された薄膜コイルの第２層目部分を設けても
よい。

【００５２】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、第１のシールド層、第２のシールド層の
第２の部分、および薄膜コイルの少なくとも一部におけ
る磁気抵抗素子側の各面を平坦化してもよい。

【００５３】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第４の部分の
側方に配置された薄膜コイルの第２層目部分を設けても
よい。この場合、更に、第２のシールド層の第３の部分
の側方に配置されるように絶縁層を設け、第３の部分お
よび絶縁層における薄膜コイルの第２層目部分側の各面
を平坦化してもよい。

【００５４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、記録ギャップ層と第２の磁性層と
の間に、スロートハイトを規定する絶縁層を設けてもよ
い。

【００５５】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、薄膜コイルの表面に沿って第１の
絶縁層を設け、第１の絶縁層を覆うように第２の絶縁層
を設けてもよい。

【００５６】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の部分お
よび第２の部分の表面に沿って絶縁層を設け、第１のシ
ールド層が、絶縁層を介して第２の部分と分離されるよ
うにしてもよい。

【００５７】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、薄膜コイルを覆うように無機材料
よりなる絶縁層を設けてもよい。

【００５８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の部分を
覆うように絶縁層を設け、この絶縁層の薄膜コイル側の
面を平坦化してもよい。

【００５９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドまたはその
製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の部分に
対応する領域に凹部が形成された絶縁層を設け、この絶
縁層の凹部内に第２のシールド層の第１の部分を形成し
てもよい。

【００６０】本発明の薄膜磁気ヘッド用素材は、磁気抵
抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子
を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシー
ルドするための第１および第２のシールド層とを有する
再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向
する側の一部が記録ギャップ層を介して互いに対向する
磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる
第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性
層の間に、この第１および第２の磁性層に対して絶縁さ
れた状態で配設された薄膜コイルとを有する記録ヘッド
とを備え、第２のシールド層が、薄膜コイルに対向する
領域を含む領域に配置された第１の部分と、第１のシー
ルド層の側方に配置され、第１の部分における薄膜コイ
ル側の面に接続された第２の部分と、磁気抵抗素子を挟
んで第１のシールド層と対向すると共に第２の部分に接
続された第３の部分とを有し、且つ、第１の磁性層を兼
ねており、薄膜コイルの少なくとも一部は、第２のシー
ルド層の第２の部分における側方に配置されている薄膜
磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材で
あって、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１
の部分と、第２のシールド層の第２の部分と、第２のシ
ールド層の第２の部分における側方に配置された薄膜コ
イルの少なくとも一部とを備えたものである。

【００６１】本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法
は、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁
気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗
素子をシールドするための第１および第２のシールド層
とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録
媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層を介して互い
に対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの
層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および
第２の磁性層の間に、この第１および第２の磁性層に対
して絶縁された状態で配設された薄膜コイルとを有する
記録ヘッドとを備え、第２のシールド層が、薄膜コイル
に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分と、
第１のシールド層の側方に配置され、第１の部分におけ
る薄膜コイル側の面に接続された第２の部分と、磁気抵
抗素子を挟んで第１のシールド層と対向すると共に第２
の部分に接続された第３の部分とを有し、且つ、第１の
磁性層を兼ねており、薄膜コイルの少なくとも一部は、
第２のシールド層の第２の部分における側方に配置され
ている薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッ
ド用素材の製造方法であって、第２のシールド層の第１
の部分を形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部
が、第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状
態で配置されるように、薄膜コイルの少なくとも一部を
形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部の側方に
配置され、且つ第１の部分における薄膜コイル側の面に
接続されるように、第２のシールド層の第２の部分を形
成する工程と、第２の部分の側方に配置されるように、
第１のシールド層を形成する工程とを含むものである。

【００６２】本発明の薄膜磁気ヘッド用素材またはその
製造方法では、第１のシールド層と、第２のシールド層
の第１の部分および第２の部分と、薄膜コイルの少なく
とも一部とを備えた薄膜磁気ヘッド用素材を製造してお
き、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシ
ールド層の第３の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性
層とを形成することが可能となる。

【００６３】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、第１のシールド層、第２のシール
ド層の第２の部分、および薄膜コイルの少なくとも一部
における磁気抵抗素子側の各面を平坦化してもよい。

【００６４】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、更に、薄膜コイルの表面に沿って
第１の絶縁層を設け、第１の絶縁層を覆うように第２の
絶縁層を設けてもよい。

【００６５】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の
部分および第２の部分の表面に沿って絶縁層を設け、第
１のシールド層が、絶縁層を介して第２の部分と分離さ
れるようにしてもよい。

【００６６】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、更に、薄膜コイルを覆うように無
機材料よりなる絶縁層を設けてもよい。

【００６７】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の
部分を覆うように絶縁層を設け、この絶縁層の薄膜コイ
ル側の面を平坦化してもよい。

【００６８】また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材また
はその製造方法では、更に、第２のシールド層の第１の
部分に対応する領域に凹部が形成された絶縁層を設け、
この絶縁層の凹部内に第２のシールド層の第１の部分を
形成してもよい。

【００６９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。［第１の実施の形態］まず、図１ないし図１７を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法について説明する。図１ないし図１１
は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説
明するための断面図である。なお、図１ないし図１１に
おいて、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。図１２ないし図１７は、本実施の形態に
係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するための平面図
である。また、以下の説明は、本実施の形態に係る磁気
ヘッド用素材およびその製造方法の説明を兼ねている。

【００７０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例え
ばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μｍ
の厚みで堆積する。

【００７１】次に、絶縁層２の上に、例えばめっき法に
よって、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約
３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッドと記録ヘ
ッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層
（以下、上部シールド層と記す。）の第１の部分３ａを
形成する。この第１の部分３ａは、後述する薄膜コイル
に対向する領域を含む領域に配置される。次に、全体
に、無機材料、例えばアルミナよりなる絶縁層４を、約
４〜５μｍの厚みに形成する。

【００７２】次に、図２に示したように、第１の部分３
ａの上における絶縁層４の厚みが約０．３〜０．４μｍ
になるように、絶縁層４を例えばＣＭＰまたは機械的な
研磨によって研磨して平坦化する。

【００７３】次に、図３に示したように、第１の部分３
ａの上における絶縁層４の上に、例えば銅（Ｃｕ）より
なる、記録ヘッド用の薄膜コイル５を、例えばめっき法
により、約１〜２μｍの厚みに形成する。図中、符号５
ａは、薄膜コイル５の端子部を示している。なお、図示
しないが、めっき法によって薄膜コイル５を形成する場
合には、絶縁層４の上に、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，ＴｉＷ，Ｔ
ｉＮまたはＭｏ等よりなるシード層を、例えば数十ｎｍ
の厚みに形成する。

【００７４】次に、図４に示したように、第１の部分３
ａのエアベアリング面側（図における左側）の端部近傍
および反対側の端部近傍において、それぞれ、絶縁層４
を選択的にエッチングして、コンタクトホール４ａ，４
ｂを形成する。なお、コンタクトホール４ａ，４ｂを形
成した後に、上述のシード層を形成し、更に薄膜コイル
５を形成してもよい。

【００７５】次に、第１の部分３ａよりもエアベアリン
グ面側における絶縁層４の上に、磁性材料、例えばパー
マロイ（ＮｉＦｅ）よりなる再生ヘッド用の下部シール
ド層６を形成する。同時に、同じ磁性材料を用いて、コ
ンタクトホール４ａにおいて、第１の部分３ａの上に上
部シールド層の第２の部分３ｂを形成し、コンタクトホ
ール４ｂにおいて、第１の部分３ａの上に磁路形成用の
磁性層３ｅを形成する。下部シールド層６、第２の部分
３ｂおよび磁性層３ｅは、例えばめっき法によって、約
３〜３．５μｍの厚みに形成する。

【００７６】次に、図５に示したように、全体に、無機
材料、例えばアルミナよりなる絶縁層７を、約４〜５μ
ｍの厚みに形成する。

【００７７】次に、図６に示したように、絶縁層７を、
下部シールド層６、第２の部分３ｂおよび磁性層３ｅの
表面に至るまで、例えばＣＭＰまたは機械的な研磨によ
って研磨して平坦化する。図１２は、図６に示した状態
を示す平面図である。

【００７８】次に、後の説明で参照する図１３に示した
ように、例えば銅（Ｃｕ）によって、後述するＭＲ素子
に接続される電極（リード）となる一対の導電層１０ａ
を、下部シールド層６および上部シールド層の第２の部
分３ｂに対して絶縁された状態に形成する。

【００７９】次に、図７に示したように、全面に、例え
ばスパッタにより、チッ化アルミニウムやアルミナ等の
絶縁材を、例えば５０ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜と
しての下部シールドギャップ膜８を形成する。

【００８０】図６に示した状態の半製品、または図６に
示した状態に下部シールドギャップ膜８を形成した状態
の半製品が、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用素材
となる。

【００８１】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
再生用のＭＲ素子９を、数十ｎｍの厚みに形成する。Ｍ
Ｒ素子９は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜
を選択的にエッチングすることによって形成する。な
お、ＭＲ素子９には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるい
はＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効
果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。

【００８２】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
ＭＲ素子９および導電層１０ａに電気的に接続される一
対の電極層１０ｂを、例えばスパッタにより、数十〜数
百ｎｍの厚みに形成する。図１３は、この状態を示す平
面図である。

【００８３】次に、全面に、例えばスパッタにより、ア
ルミナやダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の絶
縁材を、数十ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜としての上
部シールドギャップ膜１１を形成して、ＭＲ素子９をシ
ールドギャップ膜８，１１内に埋設する。

【００８４】次に、図８に示したように、フォトレジス
トパターンをマスクとして、ドライエッチングによっ
て、シールドギャップ膜８，１１を選択的に除去して、
上部シールド層の第２の部分３ｂの上、磁性層３ｅの
上、および薄膜コイル５の端子部５ａの上に、それぞれ
コンタクトホールを形成する。なお、端子部５ａの上に
コンタクトホールを形成する際には、端子部５ａの上の
絶縁層７も除去する。ドライエッチングとしては、例え
ば、ＢＣｌ₃系またはＣＦ₄系のガスを用いた反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。なお、上記各コ
ンタクトホールは、リフトオフ法によって形成してもよ
い。

【００８５】次に、例えばめっき法により、第２の部分
３ｂの上の部分からエアベアリング面側の端部にかけ
て、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる
上部シールド層の第３の部分３ｃを形成する。この第３
の部分３ｃは、コンタクトホールを介して第２の部分３
ｂに接続される。また、第３の部分３ｃの形成と同時
に、第３の部分３ｃと同じ材料を用いて、磁性層３ｅの
上および端子部５ａの上に、それぞれ、磁性層３ｆ、端
子部１２ａを形成する。これら第３の部分３ｃ、磁性層
３ｆおよび端子部１２ａは、約１〜２μｍの厚みに形成
される。図１４は、図８に示した状態を示す平面図であ
る。

【００８６】次に、図９に示したように、例えばめっき
法により、第３の部分３ｃの上に、磁性材料よりなる上
部シールド層の第４の部分３ｄを形成する。この第４の
部分３ｄは、スロートハイトを決めるために、エアベア
リング面側の端部から所定の位置まで形成される。この
第４の部分３ｄに用いる磁性材料としては、ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）等の高飽和磁
束密度材を用いるのが好ましい。また、第４の部分３ｄ
の形成と同時に、第４の部分３ｄと同じ材料を用いて、
磁性層３ｆの上および端子部１２ａの上に、それぞれ、
磁性層３ｇ、端子部１２ｂを形成する。これら第４の部
分３ｄ、磁性層３ｇおよび端子部１２ｂは、約１．５〜
２．５μｍの厚みに形成される。

【００８７】次に、全体に、無機材料、例えばアルミナ
膜またはシリコン酸化膜よりなる絶縁層１３を、４〜５
μｍの厚みに形成する。そして、上部シールド層の第４
の部分３ｄ、磁性層３ｇおよび端子部１２ｂの表面が露
出するように、全体を例えばＣＭＰまたは機械的な研磨
によって平坦化する。

【００８８】次に、図１０に示したように、全体に、ア
ルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ層１４を、例
えば１５０〜２５０ｎｍ程度の厚みに形成する。次に、
磁性層３ｇの上側の部分において、記録ギャップ層１４
を選択的に除去して、磁路形成のためのコンタクトホー
ルを形成する。図１５は、図１０に示した状態を示す平
面図である。

【００８９】次に、記録ギャップ層１４の上に、誘導型
の記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層１５
を、例えばめっき法により、約３μｍの厚みに形成す
る。この上部磁極層１５は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を用いて形成してもよ
いし、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量
％）等の高飽和磁束密度材を用いて形成してもよい。上
部磁極層１５は、記録ギャップ層１４に形成されたコン
タクトホールを通して、磁性層３ｇに接続されている。

【００９０】次に、図１１に示したように、上部磁極層
１５の両側における記録ギャップ層１４をドライエッチ
ングにより除去した後、露出した上部シールド層の第４
の部分３ｄを、上部磁極層１５をマスクとして、イオン
ミリング等によって、例えば約０．３〜０．５μｍエッ
チングして、トリム構造とする。

【００９１】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１６を、約２０〜３０μｍの厚みに形成
する。次に、オーバーコート層１６の表面を平坦化し
て、その上に、再生ヘッド、記録ヘッドに接続された図
示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエア
ベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
図１１は、完成された薄膜磁気ヘッドを示している。

【００９２】本実施の形態では、下部シールド層６が、
本発明における第１のシールド層に対応し、第１の部分
３ａないし第４の部分３ｄを含む上部シールド層が、本
発明における第２のシールド層に対応する。上部シール
ド層は、下部磁極層を兼ねているので、本発明における
第１の磁性層にも対応する。また、上部磁極層１５は、
本発明における第２の磁性層に対応する。

【００９３】なお、本実施の形態において、下部シール
ド層６や上部シールド層は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量
％，Ｆｅ：２０重量％）を用いて形成してもよいし、Ｎ
ｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）、セン
ダスト、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用いて形
成してもよい。

【００９４】図１６および図１７は、本実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの製造方法の変形例を説明するための
平面図である。この変形例では、図１６に示したよう
に、下部シールド層６を形成する際に、導電層１０ａが
配置される部分に溝６ａを形成する。そして、図１７に
示したように、薄膜コイル５を形成する際に、導電層１
０ａを同時に形成する。この導電層１０ａの一部は、下
部シールド層６に対して絶縁された状態で、溝６ａ内に
配置される。

【００９５】以上説明したように、本実施の形態に係る
薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えて
いる。再生ヘッドは、ＭＲ素子９と、記録媒体に対向す
る側の一部がＭＲ素子９を挟んで対向するように配置さ
れ、ＭＲ素子９をシールドするための下部シールド層６
および上部シールド層とを有している。記録ヘッドは、
磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が
記録ギャップ層１４を介して互いに対向する磁極部分を
含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる下部磁極層
（上部シールド層）および上部磁極層１５と、この下部
磁極層（上部シールド層）および上部磁極層１５の間
に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コ
イル５とを有している。

【００９６】本実施の形態では、上部シールド層は、薄
膜コイル５に対向する領域を含む領域に配置された第１
の部分３ａと、下部シールド層６の側方に配置され、第
１の部分３ａにおける薄膜コイル５側の面に接続された
第２の部分３ｂと、ＭＲ素子９を挟んで下部シールド層
６と対向すると共に第２の部分３ｂに接続された第３の
部分３ｃと、第３の部分３ｃにおける記録ギャップ層１
４側の面に接続された、スロートハイトを規定する第４
の部分３ｄとを有している。また、薄膜コイル５は、上
部シールド層の第２の部分３ｂにおける側方の位置にお
いて、上部シールド層の第１の部分３ａの上に絶縁層４
を介して形成されている。

【００９７】また、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
用素材は、下部シールド層６と、上部シールド層の第１
の部分３ａおよび第２の部分３ｂと、薄膜コイル５とを
備えている。

【００９８】以下、本実施の形態の効果について説明す
る。薄膜磁気ヘッドの多くの顧客は、再生ヘッドにおけ
るトラック幅や、記録ヘッドにおけるスロートハイトや
トラック幅を、自社製品に合わせて注文してくる。しか
し、注文の後に、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘ
ッドを生産していたのでは、注文から短期間で製品を提
供することは困難であった。

【００９９】本実施の形態によれば、図６に示したよう
に、薄膜コイル５を含む薄膜磁気ヘッド用素材が、共通
の工程で形成される。この薄膜磁気ヘッド用素材に続く
工程に要する時間は、比較的短い。また、この薄膜磁気
ヘッド用素材の段階で、良・不良の検査を行って、不良
品を取り除くことができる。

【０１００】そこで、本実施の形態によれば、薄膜コイ
ル５の形成工程まで経た半製品、すなわち薄膜磁気ヘッ
ド用素材を、多くの在庫が得られるように量産し、顧客
に対応が可能なところまで在庫数を増加させた後、それ
ぞれ異なる顧客毎の要求を受け入れて、薄膜磁気ヘッド
の仕様を取り決めることができる。従って、本実施の形
態によれば、薄膜磁気ヘッドの全製造工程の６０％以上
の工程を既に終了し、しかも、その多くが良・不良の検
査により良品とされた半製品を適正の在庫だけ持ち、顧
客の期待する仕様の薄膜磁気ヘッドを、注文から短時間
で提供することが可能となる。その結果、顧客の注文を
受けてから薄膜磁気ヘッドを完成させ、出荷するまでの
時間としてのサイクルタイムを、従来では例えば２０日
〜４０日程度要していたのに対し、本実施の形態によれ
ば、例えば２週間以内に短縮することが可能となる。

【０１０１】また、本実施の形態によれば、半製品の段
階で不良品は既に取り除かれているので、良品の半製品
を、顧客の要求に応じて、限りなく早く、製品にするこ
とができ、従来にはない高い品質保証が可能となり、最
終製品の歩留りも向上する。

【０１０２】また、本実施の形態によれば、顧客の要求
が短期間で変化しても、速やかに対応することができ、
製品の無駄を防止することが可能となる。

【０１０３】また、本実施の形態によれば、半製品の段
階で良・不良の検査を行うことができるので、不良が発
生している半製品については、その後の工程を省くこと
ができるので、従来に比べて、薄膜磁気ヘッドの製造コ
ストを低減することができる。

【０１０４】また、本実施の形態によれば、半製品の段
階と、薄膜磁気ヘッドの完成後の段階の双方で、良・不
良の検査を行うことにより、製品について極めて高い品
質保証が可能となる。

【０１０５】また、本実施の形態によれば、半製品の段
階と、薄膜磁気ヘッドの完成後の段階の双方で、良・不
良の検査を行うことにより、問題のある工程を発見しや
すく、また、その問題のある工程を改善を速やかに行う
ことが可能となり、大きな問題の発生を防止することが
可能となる。

【０１０６】また、本実施の形態では、薄膜コイル５
は、上部シールド層の第２の部分３ｂにおける側方の位
置において、上部シールド層の第１の部分３ａの上に絶
縁層４を介して形成されている。また、スロートハイト
を、上部シールド層（下部磁極層）の第４の部分３ｄに
よって規定している。従って、エイペックス部が存在し
ない。そのため、本実施の形態では、記録ヘッドのトラ
ック幅を決定する上部磁極層１５を、平坦な面の上に形
成することができる。その結果、本実施の形態によれ
ば、サブミクロン寸法まで狭くした狭トラックを実現す
ることが可能となる。これにより、記録密度を高め、記
録ヘッドの性能を向上させることが可能となる。

【０１０７】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
１５は、平坦な１つの層で形成され、上部磁極チップと
ヨーク部分との２層構造になっていない。従って、上部
磁極チップよりも幅の大きいヨーク部分がエアベアリン
グ面において露出することがない。そのため、本実施の
形態によれば、実効トラック幅が大きくなったり、記録
媒体上において本来データを記録すべき領域以外の領域
にデータを書き込んでしまうような不具合を防止するこ
とができる。

【０１０８】また、本実施の形態によれば、上部磁極層
が２層構造の場合に２つの層の接触部で生じる磁束の飽
和がなくなり、磁束立ち上がり時間（Flux Rise Time）
等の書き込み特性を向上させることが可能となる。

【０１０９】また、本実施の形態では、記録ヘッドのト
ラック幅を決定する上部磁極層１５とは別に、スロート
ハイトを決定する上部シールド層（下部磁極層）の第４
の部分３ｄを設けている。従って、記録ヘッドのトラッ
ク幅を狭くなっても、第４の部分３ｄを精度よく形成す
ることができ、スロートハイトを正確に決めることがで
きる。

【０１１０】また、本実施の形態によれば、薄膜コイル
５を形成した後に、ＭＲ素子９を形成するので、薄膜コ
イルの形成の際におけるフォトレジストに対する熱処理
やその際に発生する水分等の影響によるＭＲ素子９の特
性劣化を防止することが可能となる。この効果は、特
に、ＭＲ素子９として、感度の高いＧＭＲ素子やＴＭＲ
素子を用いる場合に顕著である。

【０１１１】また、本実施の形態によれば、ＭＲ素子９
を形成した後の工程が、従来に比べて短くなるため、ハ
ンドリング等によるＭＲ素子９の静電気破壊等の破損
を、極めて少なくすることが可能となる。この効果は、
特に、ＭＲ素子９として、複数の極めて薄い（１〜５ｎ
ｍ程度）の層からなるＧＭＲ素子やＴＭＲ素子を用いる
場合に顕著である。

【０１１２】また、本実施の形態では、オーバーコート
層１６の下側となる上部磁極層１５の表面が平坦にな
る。そのため、オーバーコート層１６を薄く形成するこ
とができる。そして、本実施の形態では、このようにオ
ーバーコート層１６が薄いため、イオンミリングや反応
性イオンエッチング等のドライエッチングにより、オー
バーコート層１６をエッチングすることによって、オー
バーコート層１６内に埋め込まれた電極を、オーバーコ
ート層１６の表面に露出させて、パッドを形成すること
ができる。従って、本実施の形態によれば、オーバーコ
ート層１６を形成するためのプロセス時間およびパッド
を形成するためのプロセス時間を、従来に比べて、大幅
に（例えば１／１０程度に）短縮することができ、薄膜
磁気ヘッドの量産のサイクルタイムも短縮することがで
きる。

【０１１３】また、本実施の形態によれば、厚いオーバ
ーコート層による基板の反りが発生したり、厚い膜をス
パッタで形成する際に多くのパーティクルが発生したり
することがなくなり、薄膜磁気ヘッドの特性や歩留りの
劣化を防止することができる。

【０１１４】また、本実施の形態では、薄膜コイル５
は、平坦な面の上に形成される。そのため、薄膜コイル
５を微細に形成することが可能となる。従って、本実施
の形態によれば、磁路長の縮小が可能となり、これによ
り、磁気ヘッドの特性を左右する非線形トランジション
シフト（Non-linear Transition Shift；ＮＬＴＳ）や
オーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現する
ことができる。

【０１１５】また、本実施の形態では、薄膜コイル５
を、無機材料よりなる絶縁層７で覆うようにしたので、
薄膜磁気ヘッドの使用中に絶縁層７が膨張してヘッドが
記録媒体に近づくことを抑えることができ、薄膜磁気ヘ
ッドの浮上量を小さくすることが可能となる。

【０１１６】また、本実施の形態では、下部シールド層
６や上部シールド層の材料として、高飽和磁束密度材を
用いることにより、ＭＲ素子９に対する、誘導型の記録
ヘッドにおけるコイルから発生する磁気等の内部要因や
ハードディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズ
の影響を低減することが可能となり、正確で高感度な再
生ヘッドを形成することが可能となる。

【０１１７】［第２の実施の形態］次に、図１８および
図１９を参照して、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図１８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
を示し、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示
し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面
を示している。図１９は、本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの平面図である。なお、図１９では、オーバーコ
ート層を省略している。

【０１１８】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第
１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける絶縁層１
３内に、第２層目の薄膜コイル１７を形成したものであ
る。第２層目の薄膜コイル１７は、上部シールド層の第
３の部分３ｃの側方であって、上部シールドギャップ膜
１１の上に形成される。また、第２層目の薄膜コイル１
７は、例えばめっき法により、約１〜２μｍの厚みに形
成される。また、第１層目の薄膜コイル５と第２層目の
薄膜コイル１７は、接続部５ｂと接続部１７ａによって
接続される。

【０１１９】薄膜コイル１７は、上部シールド層の第３
の部分３ｃを形成する前に形成してもよいし、第３の部
分３ｃを形成した後、上部シールド層の第４の部分３ｄ
を形成する前に形成してもよい。

【０１２０】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１２１】［第３の実施の形態］次に、図２０ないし
図２６を参照して、本発明の第３の実施の形態について
説明する。図２０ないし図２６において、（ａ）はエア
ベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分の
エアベアリング面に平行な断面を示している。

【０１２２】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図２０に示したように、例えばアルテ
ィック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例
えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μ
ｍの厚みで堆積する。

【０１２３】次に、絶縁層２の上に、例えばめっき法に
よって、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約
３μｍの厚みで選択的に形成して、上部シールド層の第
１の部分３ａを形成する。この第１の部分３ａは、後述
する薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置され
る。次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層４
を、約４〜５μｍの厚みに形成する。

【０１２４】次に、図２１に示したように、第１の部分
３ａの表面が露出するように、絶縁層４を例えばＣＭＰ
または機械的な研磨によって研磨して平坦化する。次
に、全面に、無機材料、例えばアルミナよりなる絶縁層
２０を、約０．３〜０．５μｍの厚みに形成する。

【０１２５】次に、図２２に示したように、第１の部分
３ａの上における絶縁層２０の上に、例えば銅（Ｃｕ）
よりなる、第１層目の薄膜コイル５を、例えばめっき法
により、約１〜２μｍの厚みに形成する。図中、符号５
ｂは、薄膜コイル５を後述する第２層目の薄膜コイルと
接続するための接続部を示している。なお、図示しない
が、めっき法によって薄膜コイル５を形成する場合に
は、絶縁層２０の上に、Ｃｕ，ＮｉＦｅ，ＴｉＷ，Ｔｉ
ＮまたはＭｏ等よりなるシード層を、例えば数十ｎｍの
厚みに形成する。

【０１２６】次に、第１の部分３ａのエアベアリング面
側（図における左側）の端部近傍および反対側の端部近
傍において、それぞれ、絶縁層２０を選択的にエッチン
グして、コンタクトホール２０ａ，２０ｂを形成する。
なお、コンタクトホール２０ａ，２０ｂを形成した後
に、上述のシード層を形成し、更に薄膜コイル５を形成
してもよい。

【０１２７】次に、第１の部分３ａよりもエアベアリン
グ面側における絶縁層２０の上に、磁性材料、例えばパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる下部シールド層６を形成
する。同時に、同じ磁性材料を用いて、コンタクトホー
ル２０ａにおいて、第１の部分３ａの上に上部シールド
層の第２の部分３ｂを形成し、コンタクトホール２０ｂ
において、第１の部分３ａの上に磁路形成用の磁性層３
ｅを形成する。下部シールド層６、第２の部分３ｂおよ
び磁性層３ｅは、例えばめっき法によって、約３〜３．
５μｍの厚みに形成する。

【０１２８】次に、全体に、例えばアルミナよりなる絶
縁層７を、約４〜５μｍの厚みに形成する。次に、下部
シールド層６、第２の部分３ｂ、磁性層３ｅおよび薄膜
コイル５の表面が露出するように、絶縁層７を、例えば
ＣＭＰまたは機械的な研磨によって研磨して平坦化す
る。このときの絶縁層７の研磨量によって、薄膜コイル
５の厚みが決定される。

【０１２９】次に、図示しないが、例えば銅（Ｃｕ）に
よって、後述するＭＲ素子に接続される電極（リード）
となる一対の導電層を、下部シールド層６および上部シ
ールド層の第２の部分３ｂに対して絶縁された状態に形
成する。

【０１３０】次に、図２３に示したように、全面に、例
えばスパッタにより、チッ化アルミニウムやアルミナ等
の絶縁材を、例えば５０ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜
としての下部シールドギャップ膜８を形成する。

【０１３１】図２２に示した状態の半製品、または図２
２に示した状態に下部シールドギャップ膜８を形成した
状態の半製品が、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用
素材となる。

【０１３２】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
再生用のＭＲ素子９を、数十ｎｍの厚みに形成する。Ｍ
Ｒ素子９は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜
を選択的にエッチングすることによって形成する。な
お、ＭＲ素子９には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるい
はＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素
子を用いることができる。

【０１３３】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
ＭＲ素子９および導電層１０ａに電気的に接続される一
対の電極層１０ｂを、例えばスパッタにより、数十〜数
百ｎｍの厚みに形成する。

【０１３４】次に、全面に、例えばスパッタにより、ア
ルミナやダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の絶
縁材を、数十ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜としての上
部シールドギャップ膜１１を形成して、ＭＲ素子９をシ
ールドギャップ膜８，１１内に埋設する。

【０１３５】次に、フォトレジストパターンをマスクと
して、ドライエッチングによって、シールドギャップ膜
８，１１を選択的に除去して、上部シールド層の第２の
部分３ｂの上、磁性層３ｅの上、および薄膜コイル５の
接続部５ｂの上に、それぞれコンタクトホールを形成す
る。ドライエッチングとしては、例えば、ＢＣｌ₃系ま
たはＣＦ₄系のガスを用いた反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）が用いられる。なお、上記各コンタクトホー
ルは、リフトオフ法によって形成してもよい。

【０１３６】次に、例えばめっき法により、第２の部分
３ｂの上の部分からエアベアリング面側の端部にかけ
て、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる
上部シールド層の第３の部分３ｃを形成する。この第３
の部分３ｃは、コンタクトホールを介して第２の部分３
ｂに接続される。また、第３の部分３ｃの形成と同時
に、第３の部分３ｃと同じ材料を用いて、磁性層３ｅの
上および接続部５ｂの上に、それぞれ、磁性層３ｆ、接
続部２６を形成する。これら第３の部分３ｃ、磁性層３
ｆおよび接続部２６は、約１〜２μｍの厚みに形成され
る。

【０１３７】次に、全体に、無機材料、例えばアルミナ
膜よりなる絶縁層２１を、３〜４μｍの厚みに形成す
る。そして、上部シールド層の第３の部分３ｃ、磁性層
３ｆおよび接続部２６の表面が露出するように、全体を
例えばＣＭＰまたは機械的な研磨によって平坦化する。

【０１３８】次に、図２４に示したように、第３の部分
３ｃおよび絶縁層２１の上に、例えばアルミナ膜よりな
る絶縁層２２を、０．３〜０．５μｍの厚みに形成す
る。この絶縁層２２のエアベアリング面側の端部の位置
は、ＭＲ素子９におけるエアベアリング面とは反対側の
端部の位置の近傍とする。

【０１３９】次に、絶縁層２２の上に、第２層目の薄膜
コイル２３を、例えばめっき法により、約１〜２μｍの
厚みに形成する。薄膜コイル２３のエアベアリング面側
の端部の位置は、ＭＲ素子９におけるエアベアリング面
とは反対側の端部の位置の近傍とする。また、図中、符
号２３ａは、薄膜コイル２３を第１層目の薄膜コイル５
と接続するための接続部を示しており、この接続部２３
ａは、接続部２６を介して、接続部５ｂに接続される。

【０１４０】次に、図２５に示したように、例えばめっ
き法により、第３の部分３ｃの上に、磁性材料よりなる
上部シールド層の第４の部分３ｄを形成する。この第４
の部分３ｄは、スロートハイトを決めるために、エアベ
アリング面側の端部から所定の位置まで形成される。こ
の第４の部分３ｄに用いる磁性材料としては、ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）等の高飽和磁
束密度材を用いるのが好ましい。また、第４の部分３ｄ
の形成と同時に、第４の部分３ｄと同じ材料を用いて、
磁性層３ｆの上に磁性層３ｇを形成する。これら第４の
部分３ｄおよび磁性層３ｇは、約１．５〜２．５μｍの
厚みに形成される。

【０１４１】次に、全体に、無機材料、例えばアルミナ
膜またはシリコン酸化膜よりなる絶縁層２４を、４〜５
μｍの厚みに形成する。そして、上部シールド層の第４
の部分３ｄ、磁性層３ｇおよび薄膜コイル２３の一部
（図示せず）の表面が露出するように、全体を例えばＣ
ＭＰまたは機械的な研磨によって平坦化する。

【０１４２】次に、全体に、アルミナ膜等の絶縁膜より
なる記録ギャップ層１４を、例えば１５０〜２５０ｎｍ
程度の厚みに形成する。次に、磁性層３ｇの上側の部分
において、記録ギャップ層１４を選択的に除去して、磁
路形成のためのコンタクトホールを形成する。

【０１４３】次に、図２６に示したように、記録ギャッ
プ層１４の上に、誘導型の記録ヘッドのトラック幅を決
定する上部磁極層１５を、例えばめっき法により、約３
μｍの厚みに形成する。この上部磁極層１５は、例え
ば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）
を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量
％，Ｆｅ：５５重量％）等の高飽和磁束密度材を用いて
形成してもよい。上部磁極層１５は、記録ギャップ層１
４に形成されたコンタクトホールを通して、磁性層３ｇ
に接続されている。

【０１４４】次に、上部磁極層１５の両側における記録
ギャップ層１４をドライエッチングにより除去した後、
露出した上部シールド層の第４の部分３ｄを、上部磁極
層１５をマスクとして、イオンミリング等によって、例
えば約０．３〜０．５μｍエッチングして、トリム構造
とする。

【０１４５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１６を、約２０〜３０μｍの厚みに形成
する。次に、オーバーコート層１６の表面を平坦化し
て、その上に、再生ヘッド、記録ヘッドに接続された図
示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエア
ベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
図２６は、完成された薄膜磁気ヘッドを示している。

【０１４６】本実施の形態では、図２２に示したよう
に、絶縁層７を平坦化する工程において、薄膜コイル５
の表面が露出するようにしている。これにより、図６に
示したように、薄膜コイル５の表面が露出しないように
絶縁層７を平坦化する場合に比べて、工程の管理が容易
になり、製造が容易になる。

【０１４７】また、本実施の形態では、第２の実施の形
態に比べて、２層目の薄膜コイル２３のエアベアリング
面側の端部の位置が、２つの磁極層が記録ギャップ層１
４を介して対向する部分の、エアベアリング面とは反対
側の端部の位置（以下、スロートハイトゼロ位置とい
う。）に近い。従って、本実施の形態によれば、スロー
トハイトゼロ位置から接続部３ｅ〜３ｇまでの磁路長の
縮小が可能となり、非線形トランジションシフトやオー
バーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現すること
が可能となる。

【０１４８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１４９】［第４の実施の形態］次に、図２７を参照
して、本発明の第４の実施の形態について説明する。図
２７は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示し、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。

【０１５０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおい
て、基板１から、上部シールド層の第３の部分３ｃ、磁
性層３ｆおよび端子部１２ａまでの構成、すなわち図８
に示した構成、およびその製造方法は、第１の実施の形
態と同様である。

【０１５１】以下、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構成および製造方法について、第１の実施の形態と異
なる部分のみを説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、図８に示した状態から、全体
に、無機材料、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層３３
を、３〜４μｍの厚みに形成する。そして、上部シール
ド層の第３の部分３ｃ、磁性層３ｆおよび端子部１２ａ
の表面が露出するように、全体を例えばＣＭＰまたは機
械的な研磨によって平坦化する。

【０１５２】次に、全体に、アルミナ膜等の絶縁膜より
なる記録ギャップ層１４を、例えば１５０〜２５０ｎｍ
程度の厚みに形成する。次に、磁性層３ｆの上側の部分
において、記録ギャップ層１４を選択的に除去して、磁
路形成のためのコンタクトホールを形成する。

【０１５３】次に、記録ギャップ層１４の上に、例えば
フォトレジストを所定のパターンに形成して、スロート
ハイトを決定する絶縁層３４を形成する。この絶縁層３
４の厚みは、１〜２μｍ程度あれば十分である。次に、
記録ギャップ層１４および絶縁層３４の上に、記録ヘッ
ドのトラック幅を決定する上部磁極層３５を、例えばめ
っき法により、約３μｍの厚みに形成する。上部磁極層
３５は、記録ギャップ層１４に形成されたコンタクトホ
ールを通して、磁性層３ｆに接続されている。

【０１５４】次に、上部磁極層３５の両側における記録
ギャップ層１４をドライエッチングにより除去した後、
露出した上部シールド層の第３の部分３ｃを、上部磁極
層３５をマスクとして、イオンミリング等によって、例
えば約０．３〜０．５μｍエッチングして、トリム構造
とする。

【０１５５】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層３６を、約２０〜３０μｍの厚みに形成
する。次に、オーバーコート層３６の表面を平坦化し
て、その上に、再生ヘッド、記録ヘッドに接続された図
示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエア
ベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。

【０１５６】本実施の形態によれば、第１の実施の形態
においてスロートハイトを規定している上部シールド層
の第４の部分３ｄがなくなるので、製造工程が少なくな
り、薄膜磁気ヘッドの製造が容易になる。

【０１５７】なお、本実施の形態では、トラック幅を決
定する上部磁極層３５が、段差を有する面の上に形成さ
れるが、段差は１〜２μｍ程度と小さいので、狭トラッ
クを実現することは可能である。

【０１５８】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１５９】［第５の実施の形態］次に、図２８を参照
して、本発明の第５の実施の形態について説明する。図
２８は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを示し、
（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）
は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示してい
る。

【０１６０】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成
は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとほぼ同様
であるが、以下の点で異なっている。すなわち、本実施
の形態では、絶縁層７の代りに、５０〜１００ｎｍ程度
の薄い絶縁層４１と、絶縁層４２とが設けられている。
絶縁層４１は、例えばアルミナ膜よりなり、例えばスパ
ッタにより、薄膜コイル５の表面に沿って、薄膜コイル
５を薄く覆うように形成されている。絶縁層４２は、例
えばＳＯＧ（Spin on Glass）膜あるいはフォトレジス
ト膜よりなり、絶縁層４１を覆い、コイル間の凹部を埋
めるように形成されている。

【０１６１】また、本実施の形態では、絶縁層１３の代
りに、５０〜１００ｎｍ程度の薄い絶縁層４３と、絶縁
層４４とが設けられている。絶縁層４３は、例えばアル
ミナ膜よりなり、例えばスパッタにより、薄膜コイル１
７の表面に沿って、薄膜コイル１７を薄く覆うように形
成されている。絶縁層４４は、例えばＳＯＧ（Spin on
Glass）膜あるいはフォトレジスト膜によりなり、絶縁
層４３を覆い、コイル間の凹部を埋めるように形成され
ている。

【０１６２】コイル間にアルミナ等の絶縁材を充填して
絶縁層７，１３を形成する場合には、コイルのピッチが
小さくなると、コイル５，１７と絶縁層７，１３との間
に空洞が発生する場合がある。本実施の形態によれば、
この空洞の発生を防止することができる。

【０１６３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第２の実施の形態と同様である。

【０１６４】［第６の実施の形態］次に、図２９ないし
図３７を参照して、本発明の第６の実施の形態について
説明する。図２９ないし図３７において、（ａ）はエア
ベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分の
エアベアリング面に平行な断面を示している。

【０１６５】本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、まず、図２９に示したように、例えばアルテ
ィック（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例
えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりなる絶縁層２を、約５μ
ｍの厚みで堆積する。

【０１６６】次に、フォトレジストをマスクにして、絶
縁層２において上部シールド層の第１の部分を形成する
領域を選択的にエッチングして、深さが約２〜３μｍの
凹部２ａを形成する。このときのエッチングとしては、
例えば、Ｃｌ₂またはＢＣｌ₂のエッチングガスを用いた
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。

【０１６７】次に、絶縁層２の上に、例えばめっき法に
よって、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約
３μｍの厚みで選択的に形成して、磁性層４３を形成す
る。

【０１６８】次に、図３０に示したように、絶縁層２の
表面が露出するように、絶縁層２を例えばＣＭＰまたは
機械的な研磨によって研磨して平坦化する。これによ
り、磁性層４３の残部によって、上部シールド層の第１
の部分３ａが形成される。この第１の部分３ａは、後述
する薄膜コイルに対向する領域を含む領域に配置され
る。

【０１６９】次に、図３１に示したように、第１の部分
３ａの上のエアベアリング面側の端部近傍の位置に、上
部シールド層の第２の部分３ｂを形成し、第１の部分３
ａの上のエアベアリング面とは反対側の端部近傍の位置
に、磁路形成用の磁性層３ｅを形成する。第２の部分３
ｂおよび磁性層３ｅは、例えばめっき法によって、約２
〜３μｍの厚みに形成する。

【０１７０】次に、全体に、無機材料、例えばアルミナ
よりなる絶縁層４４を、約０．３〜０．５μｍの厚みに
形成する。

【０１７１】次に、第２の部分３ｂよりもエアベアリン
グ面側における絶縁層４４の上に、磁性材料、例えばパ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる下部シールド層６を形成
する。下部シールド層６は、例えばめっき法によって、
約３μｍの厚みに形成する。

【０１７２】次に、図３２に示したように、第２の部分
３ｂの側方であって、第１の部分３ａの上における絶縁
層４４の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる、第１層目の
薄膜コイル５を、例えばめっき法により、約１〜２μｍ
の厚みに形成する。図中、符号５ｂは、薄膜コイル５を
後述する第２層目の薄膜コイルと接続するための接続部
を示している。なお、図示しないが、めっき法によって
薄膜コイル５を形成する場合には、絶縁層４４の上に、
Ｃｕ，ＮｉＦｅ，ＴｉＷ，ＴｉＮまたはＭｏ等よりなる
シード層を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。

【０１７３】次に、図３３に示したように、全体に、例
えばアルミナよりなる絶縁層７を、約４〜５μｍの厚み
に形成する。次に、下部シールド層６、第２の部分３
ｂ、磁性層３ｅおよび薄膜コイル５の表面が露出するよ
うに、絶縁層７を、例えばＣＭＰまたは機械的な研磨に
よって研磨して平坦化する。このときの絶縁層７の研磨
量によって薄膜コイル５の厚みが決定される。

【０１７４】次に、図示しないが、例えば銅（Ｃｕ）に
よって、後述するＭＲ素子に接続される電極（リード）
となる一対の導電層を、下部シールド層６および上部シ
ールド層の第２の部分３ｂに対して絶縁された状態に形
成する。

【０１７５】次に、全面に、例えばスパッタにより、チ
ッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、例えば５０
ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜としての下部シールドギ
ャップ膜８を形成する。

【０１７６】下部シールドギャップ膜８を形成する直前
の状態の半製品、または下部シールドギャップ膜８を形
成した状態の半製品が、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッド用素材となる。

【０１７７】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
再生用のＭＲ素子９を、数十ｎｍの厚みに形成する。Ｍ
Ｒ素子９は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜
を選択的にエッチングすることによって形成する。な
お、ＭＲ素子９には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるい
はＴＭＲ素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素
子を用いることができる。

【０１７８】次に、下部シールドギャップ膜８の上に、
ＭＲ素子９および導電層１０ａに電気的に接続される一
対の電極層１０ｂを、例えばスパッタにより、数十〜数
百ｎｍの厚みに形成する。

【０１７９】次に、全面に、例えばスパッタにより、ア
ルミナやダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等の絶
縁材を、数十ｎｍの厚みに形成して、絶縁膜としての上
部シールドギャップ膜１１を形成して、ＭＲ素子９をシ
ールドギャップ膜８，１１内に埋設する。

【０１８０】次に、図３４に示したように、フォトレジ
ストパターンをマスクとして、ドライエッチングによっ
て、シールドギャップ膜８，１１を選択的に除去して、
上部シールド層の第２の部分３ｂの上、磁性層３ｅの
上、および薄膜コイル５の接続部５ｂの上に、それぞれ
コンタクトホールを形成する。ドライエッチングとして
は、例えば、ＢＣｌ₃系またはＣＦ₄系のガスを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。なお、
上記各コンタクトホールは、リフトオフ法によって形成
してもよい。

【０１８１】次に、例えばめっき法により、第２の部分
３ｂの上の部分からエアベアリング面側の端部にかけ
て、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる
上部シールド層の第３の部分３ｃを形成する。この第３
の部分３ｃは、コンタクトホールを介して第２の部分３
ｂに接続される。また、第３の部分３ｃの形成と同時
に、第３の部分３ｃと同じ材料を用いて、磁性層３ｅの
上および接続部５ｂの上に、それぞれ、磁性層３ｆ、接
続部２６を形成する。これら第３の部分３ｃ、磁性層３
ｆおよび接続部２６は、約１〜２μｍの厚みに形成され
る。

【０１８２】次に、全体に、例えばアルミナ膜よりなる
絶縁層２１を、３〜４μｍの厚みに形成する。そして、
上部シールド層の第３の部分３ｃ、磁性層３ｆおよび接
続部２６の表面が露出するように、全体を例えばＣＭＰ
または機械的な研磨によって平坦化する。

【０１８３】次に、図３５に示したように、第３の部分
３ｃおよび絶縁層２１の上に、例えばアルミナ膜よりな
る絶縁層２２を、０．３〜０．５μｍの厚みに形成す
る。この絶縁層２２のエアベアリング面側の端部の位置
は、ＭＲ素子９におけるエアベアリング面とは反対側の
端部の位置の近傍とする。

【０１８４】次に、絶縁層２２の上に、第２層目の薄膜
コイル２３を、例えばめっき法により、約１〜２μｍの
厚みに形成する。薄膜コイル２３のエアベアリング面側
の端部の位置は、ＭＲ素子９におけるエアベアリング面
とは反対側の端部の位置の近傍とする。また、図中、符
号２３ａは、薄膜コイル２３を第１層目の薄膜コイル５
と接続するための接続部を示しており、この接続部２３
ａは、接続部２６を介して、接続部５ｂに接続される。

【０１８５】次に、図３６に示したように、例えばめっ
き法により、第３の部分３ｃの上に、磁性材料よりなる
上部シールド層の第４の部分３ｄを形成する。この第４
の部分３ｄは、スロートハイトを決めるために、エアベ
アリング面側の端部から所定の位置まで形成される。こ
の第４の部分３ｄに用いる磁性材料としては、ＮｉＦｅ
（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）等の高飽和磁
束密度材を用いるのが好ましい。また、第４の部分３ｄ
の形成と同時に、第４の部分３ｄと同じ材料を用いて、
磁性層３ｆの上に磁性層３ｇを形成する。これら第４の
部分３ｄおよび磁性層３ｇは、約１．５〜２．５μｍの
厚みに形成される。

【０１８６】次に、全体に、例えばアルミナ膜またはシ
リコン酸化膜よりなる絶縁層２４を、４〜５μｍの厚み
に形成する。そして、上部シールド層の第４の部分３
ｄ、磁性層３ｇおよび薄膜コイル２３の一部（図示せ
ず）の表面が露出するように、全体を例えばＣＭＰまた
は機械的な研磨によって平坦化する。

【０１８７】次に、図３７に示したように、全体に、ア
ルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ層１４を、例
えば１５０〜２５０ｎｍ程度の厚みに形成する。次に、
磁性層３ｇの上側の部分において、記録ギャップ層１４
を選択的に除去して、磁路形成のためのコンタクトホー
ルを形成する。

【０１８８】次に、記録ギャップ層１４の上に、誘導型
の記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層１５
を、例えばめっき法により、約３μｍの厚みに形成す
る。この上部磁極層１５は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：
８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を用いて形成してもよ
いし、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量
％）等の高飽和磁束密度材を用いて形成してもよい。上
部磁極層１５は、記録ギャップ層１４に形成されたコン
タクトホールを通して、磁性層３ｇに接続されている。

【０１８９】次に、上部磁極層１５の両側における記録
ギャップ層１４をドライエッチングにより除去した後、
露出した上部シールド層の第４の部分３ｄを、上部磁極
層１５をマスクとして、イオンミリング等によって、例
えば約０．３〜０．５μｍエッチングして、トリム構造
とする。

【０１９０】次に、全体に、例えばアルミナよりなるオ
ーバーコート層１６を、約２０〜３０μｍの厚みに形成
する。次に、オーバーコート層１６の表面を平坦化し
て、その上に、再生ヘッド、記録ヘッドに接続された図
示しない電極用パッドを形成する。最後に、スライダの
機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエア
ベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
図３７は、完成された薄膜磁気ヘッドを示している。

【０１９１】本実施の形態によれば、下部シールド層６
と上部シールド層の第２の部分３ｂとを、薄い絶縁層４
４によって絶縁して、近づけることができるので、スロ
ートハイトゼロ位置から接続部３ｅ〜３ｇまでの磁路長
の縮小が可能となり、非線形トランジションシフトやオ
ーバーライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現するこ
とが可能となる。

【０１９２】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１９３】なお、本発明は、上記各実施の形態に限定
されず、種々変更が可能である。例えば、上記各実施の
形態では、記録ヘッドにおける上部磁極層を１層で形成
するようにしたが、本発明は、上部磁極層を複数の層で
形成する場合にも適用することができる。

【０１９４】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし１４
のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド、請求項１５ないし
２８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、請
求項２９ないし３５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド
用素材、もしくは請求項３６ないし４２のいずれかに記
載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、第１の
シールド層と、第２のシールド層の第１の部分および第
２の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備えた薄
膜磁気ヘッド用素材を製造しておき、この素材に対し
て、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第３の部
分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成すること
で、薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。従っ
て、本発明によれば、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁
気ヘッドを短期間で提供することが可能となると共に、
素材の段階で良・不良の検査を行って、良品の素材のみ
を用いて薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となるの
で、薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることを可能と
なるという効果を奏する。

【０１９５】また、本発明によれば、薄膜コイルの少な
くとも一部が、第２のシールド層の第２の部分における
側方に配置されているので、トラック幅を決定する第２
の磁性層を平坦な面またはほぼ平坦な面の上に形成する
ことが可能となるので、更に、特性の劣化や歩留りの低
下を生じることなく、記録ヘッドのトラック幅の縮小が
可能になるという効果を奏する。

【０１９６】また、本発明によれば、薄膜コイルの少な
くとも一部が形成された後に、磁気抵抗素子が形成され
ると共に、磁気抵抗素子が形成された後の工程が短くな
るので、更に、再生ヘッドの特性の劣化や破損を防止す
ることができるという効果を奏する。

【０１９７】また、本発明によれば、第２の磁性層を平
坦な面またはほぼ平坦な面の上に形成することが可能と
なるので、更に、オーバーコート層を薄くすることがで
きるという効果を奏する。

【０１９８】また、本発明によれば、薄膜コイルの少な
くとも一部を、第２のシールド層の第１の部分の平坦な
面の上に形成することができるので、更に、薄膜コイル
の少なくとも一部を微細に形成することが可能となり、
これにより、磁路長の縮小が可能となり、特性の優れた
薄膜磁気ヘッドを実現することが可能となるという効果
を奏する。

【０１９９】また、請求項２記載の薄膜磁気ヘッドまた
は請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれ
ば、第２の磁性層が１つの層からなるので、特に、特性
の劣化や歩留りの低下を生じることなく、記録ヘッドの
トラック幅の縮小が可能になるという効果を奏する。

【０２００】また、請求項３、４、７または８に記載の
薄膜磁気ヘッドもしくは請求項１７、１８、２１または
２２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、スロ
ートハイトを規定する第２のシールド層の第４の部分を
設けたので、第２の磁性層を平坦な面またはほぼ平坦な
面の上に形成することが可能となり、特に、特性の劣化
や歩留りの低下を生じることなく、記録ヘッドのトラッ
ク幅の縮小が可能になるという効果を奏する。

【０２０１】また、請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド、
請求項２４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、請求項３
１記載の薄膜磁気ヘッド用素材、または請求項３８記載
の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、薄膜コイ
ルの表面に沿って形成された第１の絶縁層と、第１の絶
縁層を覆う第２の絶縁層とを設けたので、更に、薄膜コ
イルと絶縁層との間に空洞が発生することを防止するこ
とができるという効果を奏する。

【０２０２】また、請求項１１記載の薄膜磁気ヘッド、
請求項２５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、請求項３
２記載の薄膜磁気ヘッド用素材、または請求項３９記載
の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、第２のシ
ールド層の第１の部分および第２の部分の表面に沿って
形成された絶縁層を介して、第２の部分と第１のシール
ド層とを分離するようにしたので、更に、磁路長の縮小
が可能となり、特性の優れた薄膜磁気ヘッドを実現する
ことが可能となるという効果を奏する。

【０２０３】また、請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド、
請求項２６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法、請求項３
３記載の薄膜磁気ヘッド用素材、または請求項４０記載
の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、薄膜コイ
ルを覆う無機材料よりなる絶縁層を設けたので、更に、
薄膜磁気ヘッドの使用中に絶縁層が膨張してヘッドが記
録媒体に近づくことを抑えることができ、薄膜磁気ヘッ
ドの浮上量を小さくすることが可能となるという効果を
奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における一工程を説明するための断面図で
ある。

【図２】図１に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図３】図２に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図４】図３に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図５】図４に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図６】図５に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図７】図６に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図８】図７に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図９】図８に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図であ
る。

【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図であ
る。

【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の変形例を説明するための平面図であ
る。

【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法の変形例を説明するための平面図であ
る。

【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの平面図である。

【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図２６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図２７】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図２８】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図２９】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法における一工程を説明するための断面図
である。

【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３１】図３０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３２】図３１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３３】図３２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３４】図３３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３５】図３４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３６】図３５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図３７】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの断面図である。

【図３８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一
工程を説明するための断面図である。

【図３９】図３８に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４０】図３９に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４１】図４０に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４２】図４１に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４３】図４２に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４４】図４３に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４５】図４４に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４６】図４５に続く工程を説明するための断面図で
ある。

【図４７】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に垂直な断面を示す断面図である。

【図４８】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリン
グ面に平行な断面を示す断面図である。

【図４９】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…絶縁層、３ａ…上部シールド層の第１の
部分、３ｂ…上部シールド層の第２の部分、３ｃ…上部
シールド層の第３の部分、３ｄ…上部シールド層の第４
の部分、５…薄膜コイル、６…下部シールド層、９…Ｍ
Ｒ素子、１４…記録ギャップ層、１５…上部磁極層、１
６…オーバーコート層。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側
の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置
され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１およ
び第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が
記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第
２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、こ
の第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備えた薄
膜磁気ヘッドであって、前記第２のシールド層は、前記薄膜コイルに対向する領
域を含む領域に配置された第１の部分と、前記第１のシ
ールド層の側方に配置され、前記第１の部分における前
記薄膜コイル側の面に接続された第２の部分と、前記磁
気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると
共に前記第２の部分に接続された第３の部分とを有し、
且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシール
ド層の第２の部分における側方に配置されていることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記第２の磁性層は、１つの層からなる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記第２のシールド層は、更に、前記第
３の部分における前記記録ギャップ層側の面に接続され
た、スロートハイトを規定する第４の部分を有すること
を特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記第２の磁性層は、平坦な１つの層か
らなることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項５】前記薄膜コイルは、前記第２のシールド
層の第３の部分の側方に配置された第２層目部分を有す
ることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記第１のシールド層、前記第２のシー
ルド層の第２の部分、および前記薄膜コイルの少なくと
も一部における前記磁気抵抗素子側の各面は、平坦化さ
れていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項７】前記薄膜コイルは、前記第２のシールド
層の第４の部分の側方に配置された第２層目部分を有す
ることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】更に、前記第２のシールド層の第３の部
分の側方に配置された絶縁層を備え、前記第３の部分お
よび前記絶縁層における前記薄膜コイルの第２層目部分
側の各面は平坦化されていることを特徴する請求項７記
載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】更に、前記記録ギャップ層と前記第２の
磁性層との間に配置された、スロートハイトを規定する
絶縁層を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項１０】更に、前記薄膜コイルの表面に沿って
形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層を覆う第
２の絶縁層とを備えたことを特徴とする請求項１記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分および第２の部分の表面に沿って形成された絶縁層
を備え、この絶縁層を介して、前記第２の部分と前記第
１のシールド層とが分離されていることを特徴とする請
求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】更に、前記薄膜コイルを覆う無機材料
よりなる絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１記載
の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分を覆い、前記薄膜コイル側の面が平坦化された絶縁
層を備えたことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
【請求項１４】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分に対応する領域に凹部が形成された絶縁層を備え、
前記第２のシールド層の第１の部分は、前記絶縁層の凹
部内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１お
よび第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が
記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第
２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、こ
の第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、前記第２のシールド層が、前記薄膜コイルに対向する領
域を含む領域に配置された第１の部分と、前記第１のシ
ールド層の側方に配置され、前記第１の部分における前
記薄膜コイル側の面に接続された第２の部分と、前記磁
気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると
共に前記第２の部分に接続された第３の部分とを有し、
且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシール
ド層の第２の部分における側方に配置されている薄膜磁
気ヘッドの製造方法であって、第２のシールド層の第１の部分を形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部が、前記第２のシールド層
の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるよう
に、薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程と、前記薄膜コイルの少なくとも一部の側方に配置され、且
つ前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続
されるように、第２のシールド層の第２の部分を形成す
る工程と、前記第２の部分の側方に配置されるように、第１のシー
ルド層を形成する工程と、前記第１のシールド層の上に、絶縁膜を介して、磁気抵
抗素子を形成する工程と、前記磁気抵抗素子の上に、絶縁膜を介して、第２のシー
ルド層の第３の部分を形成する工程と、前記第２のシールド層の第３の部分の上に、記録ギャッ
プ層を形成する工程と、前記記録ギャップ層の上に、第２の磁性層を形成する工
程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１６】前記第２の磁性層は、１つの層からな
ることを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
【請求項１７】更に、前記第２のシールド層の第３の
部分における前記記録ギャップ層側の面に接続されるよ
うに、スロートハイトを規定する第２のシールド層の第
４の部分を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記第２の磁性層は、平坦な１つの層
からなることを特徴とする請求項１７記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項１９】更に、前記第２のシールド層の第３の
部分の側方に配置された薄膜コイルの第２層目部分を形
成する工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】更に、前記第１のシールド層、前記第
２のシールド層の第２の部分、および前記薄膜コイルの
少なくとも一部における前記磁気抵抗素子側の各面を平
坦化する工程を含むことを特徴とする請求項１５記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２１】更に、前記第２のシールド層の第４の
部分の側方に配置された薄膜コイルの第２層目部分を形
成する工程を含むことを特徴とする請求項１７記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】更に、前記第２のシールド層の第３の
部分の側方に配置されるように絶縁層を形成する工程
と、前記第３の部分および前記絶縁層における前記薄膜
コイルの第２層目部分側の各面を平坦化する工程とを含
むことを特徴する請求項２１記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項２３】更に、前記記録ギャップ層の上に、ス
ロートハイトを規定する絶縁層を形成する工程を含み、
前記第２の磁性層は、前記記録ギャップ層および前記絶
縁層の上に形成されることを特徴とする請求項１５記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２４】更に、前記薄膜コイルの表面に沿って
第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層を覆
うように第２の絶縁層を形成する工程とを含むことを特
徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２５】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分および第２の部分の表面に沿って絶縁層を形成する
工程を含み、前記第１のシールド層は、前記絶縁層を介
して前記第２の部分と分離されるように形成されること
を特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項２６】更に、前記薄膜コイルを覆うように無
機材料よりなる絶縁層を形成する工程を含むことを特徴
とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層
の薄膜コイル側の面を平坦化する工程とを含むことを特
徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分に対応する領域に凹部が形成された絶縁層を形成す
る工程と、前記絶縁層の上にシールド材料の層を形成す
る工程とを含み、前記第２のシールド層の第１の部分
は、前記シールド材料の層を平坦化することによって、
前記絶縁層の凹部内に形成されることを特徴とする請求
項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１お
よび第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が
記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第
２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、こ
の第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、前記第２のシールド層が、前記薄膜コイルに対向する領
域を含む領域に配置された第１の部分と、前記第１のシ
ールド層の側方に配置され、前記第１の部分における前
記薄膜コイル側の面に接続された第２の部分と、前記磁
気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると
共に前記第２の部分に接続された第３の部分とを有し、
且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシール
ド層の第２の部分における側方に配置されている薄膜磁
気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材であ
って、前記第１のシールド層と、前記第２のシールド層の第１の部分と、前記第２のシールド層の第２の部分と、前記第２のシールド層の第２の部分における側方に配置
された前記薄膜コイルの少なくとも一部とを備えたこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項３０】前記第１のシールド層、前記第２のシ
ールド層の第２の部分、および前記薄膜コイルの少なく
とも一部における前記磁気抵抗素子側の各面は、平坦化
されていることを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気
ヘッド用素材。
【請求項３１】更に、前記薄膜コイルの表面に沿って
形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層を覆う第
２の絶縁層とを備えたことを特徴とする請求項２９記載
の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項３２】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分および第２の部分の表面に沿って形成された絶縁層
を備え、この絶縁層を介して、前記第２の部分と前記第
１のシールド層とが分離されていることを特徴とする請
求項２９記載の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項３３】更に、前記薄膜コイルを覆う無機材料
よりなる絶縁層を備えたことを特徴とする請求項２９記
載の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項３４】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分を覆い、前記薄膜コイル側の面が平坦化された絶縁
層を備えたことを特徴とする請求項２９記載の薄膜磁気
ヘッド用素材。
【請求項３５】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分に対応する領域に凹部が形成された絶縁層を備え、
前記第２のシールド層の第１の部分は、前記絶縁層の凹
部内に形成されていることを特徴とする請求項２９記載
の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項３６】磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する
側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配
置され、前記磁気抵抗素子をシールドするための第１お
よび第２のシールド層とを有する再生ヘッドと、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が
記録ギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含
み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第
２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に、こ
の第１および第２の磁性層に対して絶縁された状態で配
設された薄膜コイルとを有する記録ヘッドとを備え、前記第２のシールド層が、前記薄膜コイルに対向する領
域を含む領域に配置された第１の部分と、前記第１のシ
ールド層の側方に配置され、前記第１の部分における前
記薄膜コイル側の面に接続された第２の部分と、前記磁
気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると
共に前記第２の部分に接続された第３の部分とを有し、
且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシール
ド層の第２の部分における側方に配置されている薄膜磁
気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材の製
造方法であって、第２のシールド層の第１の部分を形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部が、前記第２のシールド層
の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるよう
に、薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程と、前記薄膜コイルの少なくとも一部の側方に配置され、且
つ前記第１の部分における前記薄膜コイル側の面に接続
されるように、第２のシールド層の第２の部分を形成す
る工程と、前記第２の部分の側方に配置されるように、第１のシー
ルド層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項３７】更に、前記第１のシールド層、前記第
２のシールド層の第２の部分、および前記薄膜コイルの
少なくとも一部における前記磁気抵抗素子側の各面を平
坦化する工程を含むことを特徴とする請求項３６記載の
薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項３８】更に、前記薄膜コイルの表面に沿って
第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層を覆
うように第２の絶縁層を形成する工程とを含むことを特
徴とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造
方法。
【請求項３９】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分および第２の部分の表面に沿って絶縁層を形成する
工程を含み、前記第１のシールド層は、前記絶縁層を介
して前記第２の部分と分離されるように形成されること
を特徴とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の
製造方法。
【請求項４０】更に、前記薄膜コイルを覆うように無
機材料よりなる絶縁層を形成する工程を含むことを特徴
とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方
法。
【請求項４１】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層
の薄膜コイル側の面を平坦化する工程とを含むことを特
徴とする請求項３６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造
方法。
【請求項４２】更に、前記第２のシールド層の第１の
部分に対応する領域に凹部が形成された絶縁層を形成す
る工程と、前記絶縁層の上にシールド材料の層を形成す
る工程とを含み、前記第２のシールド層の第１の部分
は、前記シールド材料の層を平坦化することによって、
前記絶縁層の凹部内に形成されることを特徴とする請求
項３６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。