KR100413741B1 - 차폐판, 차폐기, 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법 - Google Patents

차폐판, 차폐기, 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 차폐판에 형성된 개구의 직경을, 캐소드에 가까울수록 크게 한다. 이에 따라, 스퍼터 입자의 지향성이 저하되는 일 없이 차폐판에 부착되는 스퍼터막의 막 두께가 균등하게 얇아진다. 또한, 차폐판의 개구 주변부를 캐소드측으로 굽힌다. 차폐판 상의 막이 부착되는 면적이 증가하여 퇴적되는 막 두께가 얇아진다. 또한, 박리된 막은 구부린 주변부를 넘을 수 없다. 이로써, 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않으며 가령 이 막이 박리되더라도 기판 상에 떨어지지 않는다.

Description

차폐판, 차폐기, 반도체 장치의 제조 장치 및 제조 방법{SHIELDING PLATE, SHIELD, AND APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 스퍼터링 장치나 진공 증착 장치 등의 PVD법에 의한 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 차폐판의 세정 빈도를 낮게 할 수 있는 멀티 캐소드 스퍼터링 장치와 그 차폐판, 차폐기와 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 장치에 있어서는 그랜드 룰의 축소화와 배선의 다층화에 따라서, 층간 접속 구멍의 애스펙트비(접속구멍 깊이/ 구멍 직경)가 점점 더 커져, 통상의 스퍼터링법에 의한 매립이 곤란해지고 있다. 종래는 통상의 스퍼터링법과 비교하여 타겟과 기판과의 거리를 연장시킨 롱슬로우 스퍼터링법을 이용하고 있었다. 스퍼터링된 입자의 기판에 직진한 성분만으로 성막하기 때문에, 층간 접속 구멍내에서도 성막이 가능하게 되어, 막의 커버리지도 신뢰성을 확보할 수 있는 소정 수준에 달했었다. 그러나, 롱슬로우 스퍼터링법은 원리적으로 기판의 주변부에 위치하는 층간 접속 구멍내의 막의 커버리지에 비대칭성이 생긴다고 하는 문제점이 있었다. 또한 기판 전면의 막 두께의 균일성을 높게 유지하는 것이 어렵다는 문제가 있었다. 향후, 기판인 실리콘웨이퍼가 대구경화됨에 따라, 성막 시의 균일성 및 커버리지의 비대칭성은 점점 더 문제가 될 것으로 생각된다.
따라서, 이들 문제를 해결하는 방법으로서, 챔버 내에 각각 타겟을 갖는 복수의 캐소드를 구비한 멀티캐소드 스퍼터링 장치가 특개평10-121235호와 특개평11-29859호 공보에 제안되어 있다. 멀티캐소드 스퍼터링 장치로는 각캐소드로부터 스퍼터링된 입자에 의해서 캐소드 바로 아래의 영역에만 성막되도록 차폐판이 설치되어 있어 막의 커버리지의 비대칭성이 발생하지 않도록 되어 있다.
도1은 종래의 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 성막시의 상태도이다. 챔버(5)에는 3개의 캐소드에 부착된 3개의 타겟(41), (42), (43)이 설치되어 있다. 타겟(41), (42), (43)에 대향하여 기판(8)이 장착된다. 타겟(41), (42), (43)과 기판(8) 사이에는 각각 타겟(41), (42), (43)에 대응한 개구를 갖는 차폐판(71), (72), (73)이 설치되어 있다. 개구의 직경은 타겟(41), (42), (43)의 직경보다 크다. 진공 배기구(6)에는 미도시된 진공 펌프가 연결되어 있다.
성막시에는 챔버(5)내를 소정 압력까지 탈기하고, 가스 도입구(7)로부터 Ar가스를 스퍼터압력까지 도입한다. 그 후, 전원(61), (62), (63)으로 각 캐소드에 소정 전력을 투입함으로써, 타겟(41), (42), (43) 상에서 플라즈마를 생성시켜, 타겟(41), (42), (43)으로부터 입자를 스퍼터링시킨다. 스퍼터링된 입자는 차폐판(71), (72), (73)에 개방된 개구를 통과하여, 대향한 기판(8)에 막을 퇴적한다.
이에 따르면, 각 타겟(41), (42), (43)에서 스퍼터링된 입자는 코사인법칙으로 타겟의 법선 방향으로부터 소정 각도를 가지고 직진한다. 큰 각도를 갖는 입자는 차폐판(71), (72), (73)에 충돌하여 부착되어 버려 기판(8)까지 도달할 수 없다. 기판(8)으로는 기하학적으로 도달 가능한 법선 방향에서의 입자만이 도달하게 되어 단차부나 접속 구멍의 상부에서의 오버행이 억제되어, 커버리지가 좋은 이방성 성막을 할 수 있고, 또한 커버리지의 비대칭성을 해소할 수 있다. 또한 개개의 캐소드 사이의 전력을 변화시켜 줌으로써 커버리지 및 막 두께의 웨이퍼의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
그러나 이 장치에서 가장 캐소드에 가까운 차폐판(71)의 개구 주변부에만 입자가 부착하기 때문에 그 부분의 막이 두껍게 되기 쉽고, 막 두께가 소정의 막 두께보다 두껍게 되면 그 막이 박리되어 기판(8) 상에 떨어져 파티클의 발생 원인이 된다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 차폐판(71) 상의 막을 제거하기 위한 차폐판(71)의 세정 빈도가 현저히 높아져 장치로서의 이용 효율을 떨어뜨린다고 하는 문제점도 발생하였다. 이러한 막 박리는 질화 티탄(TiN)이나 질화 탄탈(TaN)과 같은 응력이 큰 막에서 더욱 현저하여 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 생산성을 현저히 저하시켰었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 차폐판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 목적은 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판상에 떨어지지 않는 차폐판을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적은 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 차폐기를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적은 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판상에 떨어지지 않는 차폐기를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적은 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 반도체 제조 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적은 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판상에 떨어지지 않는 반도체 제조 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 목적은 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1 특징은 복수의 원형 개구가 설치된 평판과, 그 평판상에 설치되고 개구와 동일한 형상의 하부 개구면이 개구에 중첩되고, 상부 개구면이 원형이며 하부 개구면보다 작고, 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하여 평판의 법선에 평행하고, 개구와 동수인 원통을 갖는 차폐판으로 구성된다. 이로 인해, 차폐판의 원통 측면에 스퍼터막이 부착되므로, 부착되는 표면적이 증가하고 퇴적되는 막이 분산부착되어 퇴적되는 막 두께가 얇아진다. 막 박리가 발생되기까지의 기간이 길어져 파티클의 발생이 억제되므로 차폐판의 수명이 더욱 길어진다. 또한, 차폐판 표면에서 막 박리가 발생한 경우에도, 박리된 막은 통의 측면을 넘지 못하고 차폐판에 의해 받아지는 구조이므로, 기판에 파티클이 떨어지는 일이 없다. 차폐판에 개방된 개구의 바로 윗쪽 타겟에 인접하는 타겟으로부터의 스퍼터 입자를 차단하는 효과가 커져 지향성, 면내균일성이 향상된다. 또한 인접된 타겟으로부터 방출되는 입자는 차폐판에 대하여 직각 근방쪽으로부터 부착되기 때문에 부착 강도가 강하고, 막 박리가 발생하기 어렵게 된다.
본 발명의 제1 특징은 원통이 상호간의 하부 개구면과 측벽의 일부가 중첩되어 있고, 타측 원통의 내측에 위치하는 측벽이 제거되어 있으므로 효과적이다.
이에 따라, 타겟과 타겟의 간격을 원통 형상에 따르지 않고 임의로 설정할 수가 있다.
본 발명의 제1 특징은 평판이 원판이므로 효과적이다. 이에 따라, 스퍼터링 장치내에서 용이하게 차폐판을 회전시킬 수 있어 기판면내의 스퍼터막의 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 복수의 원형 개구를 갖는 평판인 제1 차폐판과, 제1 차폐판의 평판과 평행한 평판이고, 제1 차폐판의 개구와 동수이며 제1 차폐판의 개구보다 작은 원형의 개구를 지니고, 이 개구의 원의 중심을 지나는 법선과 제1 차폐판이 갖는 개구의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하는 제2 차폐판을 갖는 차폐기로 구성된다. 이에 따라, 차폐판에 개구되어 있는 구멍을 캐소드에 가까운 구멍에서부터 순서대로 작아지도록 차폐기를 스퍼터링 장치에 배치하면, 차폐판에 포획된 입자의 량은 차폐판 사이에서 평균화되어, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수가, 종래의 동일 개구경을 갖는 3장의 차폐판에 비교하여 개선될 수 있다. 또한, 차폐판의 세정 사이클을 연장할 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 제1 차폐판의 평판이 원판이고, 제2 차폐판의 평판이 제1 차폐판의 원판 직경과 직경이 동일한 원판이며 이 원판의 중심을 지나는 법선과 제1 차폐판의 원판의 중심을 지나는 법선이 일치하므로 효과적이다. 이에 따라, 스퍼터링 장치내에서 용이하게 차폐기를 회전시킬 수 있어 기판면내의 스퍼터막의 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 제2 차폐판의 평판과 평행하고 제2 차폐판을 사이에 두고 제1 차폐판의 반대측에 위치하는 평판이며, 제2 차폐판의 개구와 동수이고 제2 차폐판의 개구보다 작은 원형의 개구를 지니며, 이 개구의 원의 중심을 지나는 법선과 제2 차폐판의 개구의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하는 제3 차폐판을 가짐으로써 한층 효과적이다. 이에 따라, 차폐판에 포획된 입자의 량은 차폐판 사이에서 한층 분산되어, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수를 증가시킬 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 복수의 원형 개구가 설치된 평판과, 그 평판상에 설치되고 개구와 동일한 형상의 하부 개구면이 개구에 중첩되며 상부 개구면이 원형이고 하부 개구면보다 작으며 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하여 평판의 법선에 평행하며 개구와 동수인 원통을 갖는 제1 차폐판과, 상기 제1 차폐판의 평판과 평행하고 제1 차폐판의 평판의 하방에 위치하며 복수의 원형 개구가 설치된 평판과 그 평판상에 설치되고 상기 개구와 동일한 형상의 하부 개구면이 상기 개구에 중첩되며 상부 개구면이 원형이고 하부 개구면과 제1 차폐판의 상부 개구면보다 작으며 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 제1 차폐판의 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하여 평판의 법선에 평행하고 개구와 동수인 원통을 갖는 제2 차폐판을 구비하는 것이더라도 좋다. 이에 따라, 제1 , 제2 차폐판의 원통 측면에 스퍼터막이 부착되므로 표면적이 증가하고, 퇴적되는 막이 분산부착되어 퇴적되는 막 두께가 얇아진다. 또한, 막 박리가 발생하기까지의 기간이 길어진다. 이에 따라, 파티클의 발생이 억제되어 차폐판의 수명이 더욱 길어진다. 또한 차폐판 표면에서 막 박리가 발생한 경우에도 박리된 막이 통의 측면을 넘지 못하고 차폐판에 의하여 받아지는 구조이므로, 기판에 파티클이 낙하하지 않는다. 차폐판에 개방된 개구의 바로 윗쪽 타겟에 인접하는 타겟으로부터의 스퍼터 입자를 차단하는 효과가 커져, 지향성, 면내균일성이 향상된다. 또한 인접된 타겟으로부터 방출되는 입자는 차폐판에 대하여 직각 근방쪽으로부터 부착되기 때문에 부착 강도가 강하고, 막 박리가 발생하기 어려워진다. 차폐판에 개구되어 있는 구멍은 캐소드에 가까운 구멍으로부터 순서대로 작게 되어 있으므로 차폐판에 포획된 입자의량은 차폐판 사이에서 분산되어, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수를 늘릴 수 있다.
본 발명의 제2 특징은 제1 차폐판의 원통이 상호간의 하부 개구면과 측벽의 일부가 중첩되어 있고, 타측 원통의 내측에 위치하는 측벽이 제거되어 있으므로 효과적이다.
본 발명의 제3 특징은 진공 챔버와, 그 진공 챔버 내에 설치된 복수의 캐소드와, 그 캐소드의 각각의 하면에 설치되고 각각의 저면이 동일 평면상에 오도록 배치되는 원판형 타겟과, 그 타겟의 바로 아래에 이 타겟과 동수의 개구를 가지고, 그 각각의 개구가 캐소드의 저면에 의한 동일 평면과 평행한 동일 평면 상에 있으며, 타겟으로부터 먼 차폐판일수록 개구의 개구경이 작은 2장 이상의 차폐판을 갖는 반도체 제조장치로 구성된다. 이에 따라, 차폐판에 개구되어 있는 구멍은 캐소드에 가까운 구멍으로부터 순서대로 작게 되어 있기 때문에, 차폐판에 포획된 입자의 량은 차폐판 사이에서 분산되어, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수를 종래의 동일 개구경을 갖는 차폐판에 비교하여 늘릴 수 있다. 그리고, 차폐판의 세정 사이클을 연장시킬 수 있다.
본 발명의 제3 특징은 진공 챔버와, 그 진공 챔버 내에 설치된 복수의 캐소드와, 그 캐소드의 각각의 하면에 설치되고 각각의 저면이 동일 평면상에 오도록 배치되는 원판형 타겟과, 제1 차폐판의 개구의 원의 중심을 지나는 법선과 타겟의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치되는 본 발명의 제2 특징인 차폐기를 갖는 것이더라도 좋다. 본 발명의 제3 특징은 차폐판의 원통 측벽의 내측면을 연장한 면이 각각의 차폐판과 타겟 사이의 1점을 지나 확대되고, 또한 연장된 면이 바로 윗쪽의 타겟과 교차하지 않으므로 효과적이다. 여기서, 「1점을 지나 확대된다」란, 원추의 정점 상에 다른 또 하나의 원추를 정점을 밑으로 하여 배치한 형상을 말한다. 이에 따라, 스퍼터막은 차폐판의 타겟측에만 부착되는 각도로 되어 있기 때문에, 차폐판의 이면에 스퍼터 입자가 실질적으로 부착되지 않아 차폐판의 이면에서의 막 박리가 발생하지 않는다.
본 발명의 제3 특징은 개구의 직경이 타겟의 직경보다도 크기 때문에 효과적이다. 이에 따라, 차폐판에 포획되는 입자의 량을 줄일 수 있기 때문에, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수를 늘릴 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 특징은 캐소드가 이면에 고정된 회전 가능한 헤드를 가지므로 효과적이다. 또한, 헤드에 차폐판이 고정되므로 한층 효과적이다. 이에 따라, 스퍼터막의 성막중에 타겟과 차폐판을 회전시킬 수 있어, 기판면내의 스퍼터막의 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제4 특징은 챔버 내를 감압으로 하는 공정과, 상기 챔버 내에 아르곤 가스를 도입하는 공정과, 캐소드에 전력을 투입하여 타겟 하방으로 아르곤 또는 메탈 이온 플라즈마를 생성시키는 공정과, 상기 아르곤 또는 메탈 이온 플라즈마에 의해서 스퍼터링되어 타겟으로부터 발생하는 입자의 원류를 형성하는 공정과, 상기 원류 속에 제1 차폐판을 설치하여 원류로부터 지류를 분기시켜 제1 차폐판 상에 제1 스퍼터막을 퇴적시키는 공정과, 상기 분기후의 원류 속에 제2 차폐판을 설치하여 다시 지류를 분기시켜 제2 차폐판 상에 막 두께가 제1 스퍼터막의 막두께와 거의 같은 제2 스퍼터막을 퇴적시키는 공정과, 상기 제2 차폐판의 개구를 통과한 원류의 나머지를 반도체 기판 상에서 정지시켜, 상기 반도체 기판 상에 제3 스퍼터막을 퇴적시키는 공정을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법이다. 이에 따라, 차폐판에 포획된 입자의 량이 차폐판 사이에서 분산되어, 차폐판으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판의 매수를 종래의 동일 개구경을 갖는 차폐판에 비교하여 늘릴 수 있다. 그리고, 차폐판의 세정 사이클을 연장시킬 수 있다.
본 발명의 제4 특징은 제3 스퍼터막을 퇴적시키는 공정에서, 타겟과 제1 차폐판과 제2 차폐판을 고정하는 헤드가 회전하므로 효과적이다. 이에 따라, 기판면내의 스퍼터막의 막 두께의 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래의 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 성막 시의 상태도.
도 2a 및 2b는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 구조도.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 구조도.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치를 이용한 성막 방법을 설명하는 도면.
도 5a 내지 5c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제3 차폐판의 조감도, 상면도, 단면도.
도6a 내지 6c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제1 차폐판의 조감도, 상면도, 단면도.
도7a 내지 7c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제1 차폐기의 조감도, 상면도, 단면도.
도8a 및 8b는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 차폐기의 상면도 및 단면도.
도9는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 구조도.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치를 이용한성막 방법을 설명하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 제1 차폐판
2 : 제2 차폐판
3 : 제3 차폐판
4 : 스페이서
5 : 챔버
6 : 진공 배기구
7 : 가스 도입구
8 : 기판
9 : 차폐통
10 : 헤드
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태로서 차폐판, 차폐기, 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사 부분에는 동일 또는 유사 부호를 부여하였다. 또한, 도면은 모식적인 것으로, 두께와 평면 치수와의 관계, 각층의 두께의 비율 등은 실제와는 다르다는 것에 유의하여야 한다.
(제1 실시 형태)
도 2a와 2b는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 차폐기의 구조도이다. 도 2a는 상면도이고, 2b는 2a의 I-I 방향에 따른 단면도이다. 제1 실시 형태에 따른 차폐기는 제1 차폐판(1)과, 제2 차폐판(2)과, 제3 차폐판(3)으로 구성되고, 차폐판(1), (2), (3)은 스페이서(4)로 유지되어 있다.
제1 차폐판(1)은 원판으로, 7개의 원형 개구(11), (12), (13), (14), (15), (16), (17)를 갖는다. 개구(11), (12), (13), (14), (15), (16), (17)는 이들의 원의 중심 (C11), (C12), (C13), (C14), (C15), (C16), (C17)과 제1 차폐판(1)의 원판의 중심과의 거리가 적당하게 분산되도록 배치된다. 개구(11), (12), (13), (14), (15), (16), (17)의 직경은 동일하게 80 mm 이다.
제2 차폐판(2)도, 직경이 제1 차폐판(1)의 원판과 같은 원판으로, 7개의 원형 개구(21), (22), (23), (24), (25), (26), (27)를 갖는다. 제2 차폐판(2)은 제2 차폐판(2)의 원판의 중심을 지나는 법선과 제1 차폐판(1)의 원판의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(21)는 개구(21)의 원의 중심(C21)을 지나는 법선과 개구(11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(22)는 개구(22)의 원의 중심(C22)을 지나는 법선과 개구(12)의 원의 중심 (C12)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(23)는 개구(23)의 원의 중심 (C23)을 지나는 법선과 개구(13)의 원의 중심(C13)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(24)는 개구(24)의 원의 중심(C24)을 지나는 법선과 개구(14)의 원의 중심(C14)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(25)는 개구(25)의 원의 중심(C25)을 지나는 법선과 개구(15)의 원의 중심(C15)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(26)는 개구(26)의 원의 중심(C26)을 지나는 법선과 개구(16)의 원의 중심(C16)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(27)는 개구(27)의 원의 중심(C27)을 지나는 법선과 개구(17)의 원의 중심(C17)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(21), (22), (23), (24), (25), (26), (27)의 원의 직경은 모두75 mm로, 개구(11), (12), (13), (14), (15), (16), (17)의 직경보다 작다.
제3 차폐판(3)도, 직경이 제1 차폐판(1)의 원판과 같은 원판으로, 7개의 원형 개구(31), (32), (33), (34), (35), (36), (37)를 갖는다. 제3 차폐판(3)은 제3 차폐판(3)의 원판의 중심을 지나는 법선과 제1 차폐판(1)의 원판의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(31)는 개구(31)의 원의 중심 (C31)을 지나는 법선과 개구(11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(32)는 개구(32)의 원의 중심(C32)을 지나는 법선과 개구(12)의 원의 중심(C12)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(33)는 개구(33)의 원의 중심(C33)을 지나는 법선과 개구(13)의 원의 중심(C13)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(34)는 개구(34)의 원의 중심(C34)을 지나는 법선과 개구(14)의 원의 중심(C14)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(35)는 개구(35)의 원의 중심(C35)을 지나는 법선과 개구(15)의 원의 중심(C15)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(36)는 개구(36)의 원의 중심(C36)을 지나는 법선과 개구(16)의 원의 중심(C16)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(37)는 개구(37)의 원의 중심(C37)을 지나는 법선과 개구(17)의 원의 중심(C17)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(31), (32), (33), (34), (35), (36), (37)의 원의 직경은 모두 70 mm로서, 개구(21), (22), (23), (24), (25), (26), (27)의 직경보다 작다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 구조도이다. 이 멀티캐소드 스퍼터링 장치는 반도체 장치의 다층 배선 형성에 사용되는 반도체 제조장치이다. 제1 실시 형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치는 챔버(5)에 3개의 원판형 캐소드(51), (52), (53)와 지면 전후로 2개씩 계 7개의 캐소드가 설치되어 있다. 캐소드에는 직경60 mm의 원판형 타겟(41), (42), (43) (다른 4개는 도시 생략)이 각각 부착되어 있다. 타겟(41), (42), (43)은 이들의 저면이 동일 평면 상에 오도록 배치된다. 타겟(41), (42), (43)의 저면에 평행하게 대향하여 기판(8)이 장착된다. 타겟(41), (42), (43)과 기판(8) 사이에는 타겟(41), (42), (43) 쪽으로부터 제1 차폐판(1), 제2 차폐판(2), 제3 차폐판(3)이 설치되어 있다. 이 차폐판(1), (2), (3)으로, 도 2a와 2b에서 설명한 제1 실시 형태에 따른 차폐기를 구성하고 있다. 제1 차폐판(1)의 개구(11)는 개구(11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선과 타겟(41)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(12)는 개구(12)의 원의 중심(C12)을 지나는 법선과 타겟(42)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 개구(13)는 개구(13)의 원의 중심(C13)을 지나는 법선과 타겟(43)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 도1의 개구(l4), (15), (16), (17)에 대하여도 도시를 생략한 다른 4개의 타겟과 마찬가지 위치 관계가 되도록 배치된다.
챔버(5)에는 진공 배기구(6)가 설치되고, 진공 배기구(6)에 는 미도시된 진공 펌프가 연결된다. 챔버(5)에는 가스 도입구(7)가 설치되고, 가스 도입구(7)에는 아르곤(Ar) 가스의 공급 시스템이 접속된다. 캐소드(51), (52), (53)에는 전원(61), (62), (63)이 접속되어 있다. 캐소드(51), (52), (53)는 헤드(10)에 고정되고, 차폐판(1), (2), (3)도 스페이서(4)를 개재하여 헤드(10)에 고정된다. 헤드(10)에는 미도시된 회전장치가 연결된다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 멀티캐소드에 의한 스퍼터링을 이용한 성막 방법을 설명하는 도면이다. 이 성막 방법은 반도체 장치의 다층 배선 등에 사용되는 도전막의 성막 공정에 이용되는 반도체 장치의 제조 방법이다. 제1 실시 형태에 따른 멀티캐소드에 의한 스퍼터링을 이용한 성막 방법을 이하에 설명한다.
(가) 챔버(5)내를 진공 배기구(6)에 연결된 진공 펌프로, 5 E-6 Pa의 압력까지 감압한다.
(나) 헤드(10)가 기판(8)에 대하여 상대적으로 60 rpm으로 회전한다. 이에 따라, 타겟(41), (42), (43)과 개구(31), (32), (33)가, 기판(8) 윗쪽을 평행 이동한다.
(다) 챔버(5)내에 가스 도입구(7)로부터 아르곤 가스를 0.05 Pa의 스퍼터압력까지 도입한다.
(라) 이어, 캐소드(51), (52), (53)에 전원(61), (62), (63)으로부터 150W∼350W의 전력을 투입하여, 타겟(41), (42), (43)의 하방으로 아르곤 플라즈마를 생성시킨다. 캐소드(51), (52), (53)에 투입되는 전력은 기판(8) 상에 성막된 막(104)이 균일하게 되도록 조정한다.
(마) 아르곤 플라즈마에 의해서 타겟(41), (42), (43)으로부터 스퍼터링된 입자가 돌출하여, 이 입자가 타겟(41), (42), (43)으로부터 멀어지는 방향으로 흐르는 스퍼터 입자 흐름의 원류(F0)를 형성한다.
(바) 스퍼터 입자 흐름의 원류(F0)로부터 스퍼터 입자의 흐름 지류(F1)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0) 속에 제1 차폐판(1)을 설치한다. 그리고,차폐판(1) 상에 스퍼터막(101)을 퇴적시킨다.
(사) 이어, 차폐판(1)의 개구(11), (12), (13)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지로부터 스퍼터 입자의 흐름 지류(F2)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0)의 나머지 흐름 중에 제2 차폐판(2)을 설치한다. 그리고, 차폐판(2) 상에 스퍼터막(102)을 퇴적시킨다. 스퍼터막(102)의 막 두께가 스퍼터막(101)의 막 두께와 동일해지도록, 차폐판(2)을 설치한다.
(아) 이어, 차폐판(2)의 개구(21), (22), (23)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지로부터 스퍼터 입자의 흐름 지류(F3)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0)의 나머지 흐름 중에 제3 차폐판(3)을 설치한다. 그리고, 차폐판(3) 상에 스퍼터막(103)을 퇴적시킨다. 스퍼터막(103)의 막 두께가 스퍼터막(101)의 막 두께와 동일해 지도록, 차폐판(3)을 설치한다.
(자) 마지막으로 차폐판(3)의 개구(31), (32), (33)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지인 스퍼터 입자의 흐름본류(F4)를 기판(8) 상에서 정지시킨다. 그리고, 기판(8) 상에 스퍼터막(104)을 퇴적시킨다.
기판(8)에는 차폐판(1), (2), (3)의 개구(11), (12), (13), (21), (22), (23), (31), (32), (33)를 통과할 수 있는 수직 성분 입자만이 도달할 수 있어, 막(104)이 퇴적된다. 따라서, 커버리지의 비대칭성은 발생하지 않는다. 이 때, 경사 성분 입자는 차폐판(1), (2), (3)에 포획되기 때문에 기판(8)까지 도달할 수 없다. 차폐판(1), (2), (3)에 개구되어 있는 구멍은 캐소드(51), (52), (53)에 가까운 구멍에서부터 순서대로 작게 되어 있기 때문에, 차폐판(1), (2), (3)에 포획된입자의 량은 3장의 차폐판(1), (2), (3)에서 평균화되어, 차폐판(1), (2), (3)으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판(8)의 매수가 종래의 동일 개구경을 갖는 3장의 차폐판에 비교하여 2.5배로 대폭적으로 개선되었다. 그리고, 차폐판(1), (2), (3)의 세정 사이클이 크게 연장되었다. 성막된 막균일성은 ±3%로 양호하다.
(제2 실시형태)
도 5a 내지 5c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제3 차폐판(3)의 구조도이다. 도 5a는 조감도, 5b는 상면도, 5c는 5b의 I-I 방향에 따른 단면도이다. 제3 차폐판(3)은 원판(83)과, 원판 상에 설치되는 7개의 원통(131), (132), (133), (134), (135), (136), (137)으로 구성된다. 원통(131)은 원형의 상부 개구면(U31)과 하부 개구면(D31)를 갖는다. 즉, 원판(83)에도 하부 개구면(D31)의 위치에 동일한 형상의 개구를 갖는다. 상부 개구면(U31)의 원의 직경은 70mm로서 하부 개구면(D31)의 원의 직경보다 작게 되어 있다. 상부 개구면(U31)의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면(D31)의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하고 있다. 다른 원통(132), (133), (134), (135), (136), (137)도 상부 개구면(U32), (U33), (U34), (U35), (U36), (U37)과 하부 개구면 (D32, (D33), (D34), (D35), (D36), (D37)를 가지고, 원통(131)과 마찬가지 구조를 하고 있다. 그리고, 상부 개구면(U31), (U32), (U33), (U34), (U35), (U36), (U37) 각각의 원의 중심을 지나는 법선은 상호 평행하다.
도 6a 내지 6c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제2 차폐판(2)의 구조도이다. 도 6a는 조감도이고, 6b는 상면도이며, 6c는 6b의 I-I 방향에 따른 단면도이다. 제2 차폐판(2)은 원판(82)과, 원판 상에 설치되는 7개의 원통(121), (122), (123), (124), (125), (126), (127)으로 구성된다. 원통(121)은 원형의 상부 개구면(U21)과 하부 개구면(D21)을 갖는다. 즉, 원판(82)에도 하부 개구면(D21)의 위치에 동일한 형상의 개구를 갖는다. 원통(121)은 원통(122), (124), (126)과 중첩되어 있고, 측벽의 접촉부에서 접속되어 있다. 상부 개구면(U21)의 원의 직경은 75mm로서, 하부 개구면(D21)의 원의 직경보다는 작게 되어 있고, 또한, 제3 차폐판의 상부 개구면(U31)의 직경보다는 크게 되어 있다. 상부 개구면(U21)의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면(D21)의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하고 있다. 다른 원통(122), (123), (124), (125), (126), (127)도 상부 개구면(U22), (U23), (U24), (U25), (U26), (U27)과 하부 개구면(D22), (D23), (D24), (D25), (D26), (D27)을 가지고, 원통(121)과 마찬가지 구조를 하고 있다. 그리고, 상부 개구면(U21), (U22), (U23), (U24), (U25), (U26), (U27) 각각의 원의 중심을 지나는 법선은 상호 평행하다.
도 7a 내지 7c는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 제1 차폐판(1)의 구조도이다. 도 7a는 조감도이고, 7b는 상면도이며, 7c는 7b의 I-I 방향에 따른 단면도이다. 제1 차폐판(1)은 원판(81)과, 원판 상에 설치되는 7개의 원통(111), (112), (113), (114), (115), (116), (117)으로 구성된다. 원통(111)은 원형의 상부 개구면(U11)과 하부 개구면(Dl1)을 갖는다. 즉, 원판(81)에도 하부 개구면(D11)의 위치에 동일한 형상의 개구를 갖는다. 원통(111)은 원통(112), (114), (116)과 중첩되어 있고, 측벽의 접촉부에서 접속되어 있다. 원통(112), (114), (116)의 내측에 위치하는 원통(111)의 측벽은 제거되어 있고, 마찬가지로, 원통(111)의 내측에 위치하는 원통(112), (114), (116)의 측벽은 제거되어 있다. 따라서, 하부 개구면(Dl1)도, 하부 개구면(D12), (D14), (D16)과 중첩되어, 전체적으로 1개의 하부 개구면(D1)으로 되어 있다. 상부 개구면(U1l)의 원의 직경은 80mm로서, 하부 개구면(Dl1)의 원의 직경보다는 작게 되어 있고, 또한, 제2 차폐판의 상부 개구면(U21)의 직경보다는 크게 되어 있다. 상부 개구면(U11)의 원의 중심을 지나는 법선과 하부 개구면(Dl1)의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하고 있다. 다른 원통(112), (113), (114), (115), (116), (117)도 상부 개구면(U12), (U13), (U14), (U15), (U16), (U17)과 하부 개구면(D12), (D13), (D14), (D15), (D16), (D17)를 가지고, 원통(111)과 마찬가지 구조를 하고 있다. 그리고, 상부 개구면(U11), (U12), (U13), (U14), (U15), (U16), (U17) 각각의 원의 중심을 지나는 법선은 상호 평행하다.
도 8은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 차폐기의 구조도이다. 도 8a는 상면도이고, 8b는 8a의 I-I 방향에 따른 단면도이다. 제2 실시형태에 따른 차폐기는 도 7a 내지 7c의 제2 실시형태에 따른 제1 차폐판(1)과, 도 6a 내지 6c의 제2 실시형태에 따른 제2 차폐판(2)과 도 5a 내지 5c는 제2 실시형태에 따른 제3 차폐판(3)으로 구성되고, 차폐판(1), (2), (3)은 스페이서(4)로 유지되어 있다. 차폐판(1), (2), (3)은 각각의 원판(81), (82), (83)의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 제1 차폐판(1)의 원통(111), (112), (113), (114), (115), (116), (117) (즉개구(11), (12), (13), (14), (15), (16), (17))은 이들의 상부 개구면 (U11), (U12), (U13), (U14), (U15), (U16), (U17)의 원의 중심(C11), (C12), (C13), (C14), (C15), (C16), (C17)과 제1 차폐판(1)의 원판의 중심과의 거리가 적당하게 분산되도록 배치된다.
제2 차폐판(2)의 원통(121)(개구(21))은 상부 개구면(U21)의 원의 중심(C21)을 지나는 법선과 제1 차폐판(1)의 상부 개구면(U11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 다른 원통(122), (123), (124), (125), (126), (127)(즉 개구(22), (23), (24), (25), (26), (27))도 제1 차폐판(1)의 상부 개구면(U12, 13, 14, 15, 16, 17)과 마찬가지 위치 관계가 되도록 배치된다. 제3 차폐판(3)의 원통(131)(개구31)은 상부 개구면(U31)의 원의 중심(C31)을 지나는 법선과 제1 차폐판(1)의 상부 개구면(U11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 다른 원통(132), (133), (134), (135), (136), (137)(즉 개구(32), (33), (34), (35), (36), (37))도, 제1 차폐판(1)의 상부 개구면(U12, 13, 14, 15, 16, 17)과 마찬가지 위치 관계가 되도록 배치된다.
도 9는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치의 구조도이다. 이 멀티캐소드 스퍼터링 장치는 반도체 장치의 다층 배선 형성에 사용되는 반도체 제조장치이다. 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치는 제1 실시형태에 따른 멀티캐소드 스퍼터링 장치와 비교하여 제1 차폐판(1), 제2 차폐판(2), 제3 차폐판(3)의 구조만이 다르다. 이 차폐판(1), (2), (3)으로 도7에서 설명한 제2 실시형태에 따른 차폐기를 구성하고 있다.
제1 차폐판(1)의 상부 개구면(U11)은 상부 개구면(U11)의 원의 중심(C11)을 지나는 법선과 타겟(41)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 상부 개구면(U12)은 상부 개구면(U12)의 원의 중심(C12)을 지나는 법선과 타겟(42)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 상부 개구면(U13)은 상부 개구면(U13)의 원의 중심(C13)을 지나는 법선과 타겟(43)의 저면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하도록 배치된다. 도7의 상부 개구면(U14), (U15), (U16), (U17)에 대하여도 도시를 생략한 다른 4개의 타겟과 마찬가지 위치 관계가 되도록 배치된다. 또한, 차폐판(1), (2), (3)의 원통(111), (112), (113), (121), (122), (123), (131), (132), (133)의 측벽의 내측 면을 연장한 면이 각각의 차폐판(1), (2), (3)과 타겟(41), (42), (43) 사이의 1점을 지나 확대되어, 이 확대된 면이 바로 윗쪽의 타겟(41), (42), (43)과 교차하지 않도록, 차폐판(1), (2), (3)이 배치된다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드에 의한 스퍼터링을 이용한 성막 방법을 설명하는 도면이다. 이 성막 방법은 반도체 장치의 다층 배선 등에 사용되는 도전막의 성막 공정에 이용되는 반도체 장치의 제조 방법이다. 제2 실시형태에 따른 멀티캐소드에 의한 스퍼터링을 이용한 성막 방법을 이하에 설명한다. 챔버(5)내의 감압, 헤드(10)의 회전, 아르곤 가스의 도입, 캐소드(51), (52), (53)로의 전력 투입, 아르곤 플라즈마의 생성과 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 형성은 제1 실시형태와 마찬가지이다.
(가) 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)로부터 스퍼터 입자의 흐름 지류(F1)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0) 속에 제1 차폐판(1)을 설치한다. 그리고, 차폐판(1) 상에 스퍼터막(101)을 퇴적시킨다.
차폐판(1)의 원통 측면에 스퍼터막(101)이 부착되기 때문에, 제1 실시형태에 비교하여 부착되는 표면적이 증가하여 퇴적되는 막(101)이 분산부착되어, 퇴적되는 막 두께가 얇아진다. 막 박리가 발생하기까지의 기간이 길어진다. 이에 따라, 파티클의 발생이 억제되어 차폐판(1)의 수명이 더욱 길어진다.
또한 막(101)은 차폐판(1)의 타겟측에만 부착하는 각도로 되어 있기 때문에, 차폐판(1)의 이면에 스퍼터 입자가 실질적으로 부착되지 않아 차폐판(1)의 이면에서의 막 박리가 발생하지 않는다. 차폐판(1) 표면에서 막 박리가 발생한 경우에도, 박리된 막은 통의 측면을 넘지 못하고 차폐판(1)에서 수납되는 구조이기 때문에 기판(8)에 파티클이 낙하하는 일이 없다.
차폐판(l)에 개방된 개구의 바로 윗쪽 타겟에 인접하는 타겟으로부터의 스퍼터 입자를 차단하는 효과가 커져, 지향성, 면내 균일성이 향상된다. 또한 인접된 타겟으로부터, 방출되는 입자는 차폐판에 대하여 직각 근방의 방향으로부터 부착되기 때문에 부착 강도가 강하여 막 박리가 잘 발생하지 않게 된다.
(나) 다음으로, 차폐판(1)의 개구(11), (12), (13)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지로부터 스퍼터 입자의 흐름 지류(F2)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0)의 나머지 흐름 중에 제2 차폐판(2)을 설치한다. 그리고, 차폐판(2) 상에 스퍼터막(102)을 퇴적시킨다. 스퍼터막(102)의 막 두께가 스퍼터막(101)의 막 두께와 거의 동일해지도록 차폐판(2)을 설치한다. 차폐판(2)에서도 차폐판(1)과 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
(다) 또한, 차폐판(2)의 개구(21), (22), (23)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지로부터 스퍼터 입자의 흐름지류(F3)를 분기시킨다. 구체적으로는 원류(F0)의 나머지 흐름 중에 제3 차폐판(3)을 설치한다. 그리고, 차폐판(3) 상에 스퍼터막(103)을 퇴적시킨다. 스퍼터막(103)의 막 두께가 스퍼터막(101)의 막 두께와 동일해지도록 차폐판(3)을 설치한다. 차폐판(3)에서도 차폐판(1)과 마찬가지 효과를 얻을 수 있다.
(라) 마지막으로, 차폐판(3)의 개구(31), (32), (33)를 통과한 스퍼터 입자의 흐름 원류(F0)의 나머지인 스퍼터 입자의 흐름 본류(F4)를 기판(8) 상에서 정지시킨다. 그리고, 기판(8) 상에 스퍼터막(104)을 퇴적시킨다.
기판(8)에는 차폐판(1), (2), (3)의 개구(11), (12), (13), (21), (22), (23), (31), (32), (33)를 통과할 수 있는 수직 성분의 입자만이 도달할 수 있어 막(104)이 퇴적된다. 따라서, 커버리지의 비대칭성은 발생하지 않는다. 차폐판(1), (2), (3)의 상부 개구면의 크기는 캐소드(51), (52), (53)에 가까운 쪽에서부터 순서대로 작게 되어 있기 때문에, 차폐판(1), (2), (3)에 포획된 입자의 량은 3장의 차폐판(1), (2), (3)에서 평균화되어, 차폐판(1), (2), (3)으로부터 막 박리가 발생할 때까지 처리할 수 있는 기판(8)의 매수가, 종래의 동일 개구경을 갖는 3장의 차폐판과 비교하여 2.5배로 대폭적으로 개선되었다. 그리고, 차폐판(1), (2), (3)의 세정 사이클이 크게 연장되었다. 성막된 막균일성은 ±3%로 양호하다.
본 발명의 실시예에서는 개구 형상을 원으로 하였으나, 이에 한정되는 것은아니고, 타겟의 저면 형상에 맞추면 된다. 또한, 개구 수나 차폐판의 매수는 7개와 3매에 한정되는 것이 아니라, 2개 이상, 2매 이상이라면 좋다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 차폐판을 제공할 수 있다. 또한, 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판 상에 떨어지지 않는 차폐판을 제공할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따르면, 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 차폐기를 제공할 수 있다. 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판 상에 떨어지지 않는 차폐기를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 반도체 제조 장치를 제공할 수 있다.
차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 박리되더라도 기판 상에 떨어지지 않는 반도체 제조 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 차폐판에 부착되는 스퍼터링막이 잘 두꺼워지지 않는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상기와 같은 효과에 의해 차폐판 상의 막을 제거하기 위한 차폐판의 세정 빈도를 낮게 할 수가 있어, 반도체 제조 장치의 생산성을 높일 수 있다.

Claims (23)

  1. 기판에 대한 타겟 입자의 작용을 위한 차폐판에 있어서,
    원형 개구를 갖는 평판과,
    상기 개구에 설치된 깔대기형 원통으로서, 상기 개구와 매칭되는 하부 개구 및 상기 하부 개구보다 작은 상부 개구를 갖고, 상기 상부 개구의 중심을 지나는 법선은 상기 하부 개구의 중심을 지나는 법선과 일치하며 상기 평판을 지나는 법선에 평행하고, 한 점에 수렴하되 연장시에 상기 타겟과 교차하지 않고 상기 한 점으로부터 발산할 수 있는 표면을 갖는 깔대기형 원통
    을 포함하는 차폐판.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 평판은 원판인 차폐판.
  4. 기판에 대한 타겟 입자의 작용을 위한 차폐기에 있어서,
    상기 타겟과 상기 기판 사이에 배치될 수 있고, 제1 원형 개구를 갖는 제1 판과,
    상기 제1 판과 상기 기판 사이에 배치될 수 있고, 상기 제1 원형 개구보다 작은 제2 원형 개구를 갖고, 상기 한 쌍의 제1 및 제2 개구의 중심을 지나는 법선들이 서로 일치하는 제2 판
    을 포함하고,
    상기 제1 원형 개구의 개수는 상기 타겟의 배치된 개수와 동일하고, 상기 제1 개구의 중심을 지나는 법선은 상기 타겟의 하부 중심을 지나는 법선과 일치하는 차폐기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 판이 제1 원판이고,
    상기 제2 판이 상기 제1 원판의 직경과 직경이 동등한 제2 원판이며, 상기 제2 원판의 중심을 지나는 법선과 상기 제1 원판의 중심을 지나는 법선이 일치하는 차폐기.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 판을 사이에 두고 상기 제1 판의 반대측에 위치하는 판으로서, 상기 제2 개구보다 작은 제3 원형 개구를 갖는 제3판을 더 포함하고, 상기 한쌍의 제2 및 제3 개구의 중심을 지나는 법선은 서로 일치하는 차폐기.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1개구용으로 상기 제1판 상에 설치된 깔대기형 제1 원통으로서, 상기 제1 개구와 매칭되는 제1하부 개구 및 상기 제1 하부 개구보다 작은 제1 상부 개구를 갖고, 상기 제1 상부 개구의 중심을 지나는 법선은 상기 제1 하부 개구의 중심을 지나는 법선과 일치하는 깔대기형 제1 원통과,
    상기 제2 개구용으로 상기 제2 판 상에 설치된 깔대기형 제2 원통으로서, 상기 제2 개구와 매칭되는 제2 하부 개구 및 상기 제2 하부 개구 및 상기 제1 상부 개구보다 작은 제2 상부 개구를 갖고, 상기 제2 상부 개구의 중심을 지나는 법선과상기 제2 하부 개구의 중심을 지나는 법선과 상응하는 제1 상부 개구의 중심을 지나는 법선은 서로 일치하는 깔대기형 제2 원통
    을 더 포함하는 차폐기.
  8. 삭제
  9. 진공 챔버와,
    상기 진공 챔버 내에 설치된 복수의 캐소드와,
    상기 캐소드의 각각의 하면에 설치되는 원판형의 타겟과,
    상기 타겟의 바로 아래에 상기 타겟과 동수의 원형의 개구를 갖고, 상기 타겟으로부터 멀리 있을수록 상기 개구의 직경이 작은 2장 이상의 판
    을 포함하는 반도체 제조 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 판은
    상기 각 타겟의 저면의 원의 중심을 지나는 법선과, 상기 개구의 중심까지 배치되는 제 1개구의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하는 제1 판과,
    상기 개구의 중심까지 상기 제1 개구보다 작은 제2 개구가 설치되고, 상기 타겟의 저면의 원의 중심을 통과하는 법선과, 상기 제2 개구의 원의 중심을 통과하는 법선이 일치하는 제2판
    을 포함하는 반도체 제조 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 판 상에 설치되고, 상기 제1 개구와 동일한 형태의 제1 하부개구면이 상기 제1 개구에 중첩되고, 제1 상부 개구면이 원형이고 상기 제1 하부 개구면보다 작고, 상기 제1 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 상기 제1 하부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하는 깔대기 형상의 제1 원통과,
    상기 제2 평판 상에 설치되고, 상기 제2 개구와 동일한 형태의 제2 하부 개구면이 상기 제2 개구에 중첩하고, 제2 상부 개구면이 원형이고 상기 제2 하부 개구면과 상기 제1 상부 개구면보다 작고, 상기 제2 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 상기 제2 하부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선과 상기 제1 상부 개구면의 원의 중심을 지나는 법선이 일치하는 깔대기 형상의 제2 원통
    을 더 포함하는 반도체 제조 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 원통의 측벽 내측 면을 연장한 면이, 각각의 상기 차폐판과 상기 타겟 사이의 1점을 지나 확대되고, 상기 면이 바로 윗쪽의 상기 타겟과 교차하지 않는 반도체 제조 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 개구의 직경이 상기 타겟의 직경보다도 더 큰 반도체 제조 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 캐소드가 이면에 고정된 회전 가능한 헤드를 갖는 반도체 제조 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 헤드에 상기 판이 고정된 반도체 제조 장치.
  16. 챔버 내를 감압으로 하는 공정과,
    상기 챔버 내에 아르곤 가스를 도입하는 공정과,
    캐소드에 전력을 투입하여 타겟 하방으로 아르곤 또는 메탈 이온 플라즈마를 생성시키는 공정과,
    상기 아르곤 또는 메탈 이온 플라즈마에 의해서 스퍼터링되어 타겟으로부터 발생하는 입자의 원류를 형성하는 공정과,
    상기 원류 내에 제1 차폐판을 설치하고, 상기 원류로부터 지류를 분기시켜 상기 제1 차폐판 상에 제1 스퍼터막을 퇴적시키는 공정과,
    상기 분기 후의 상기 원류 내에 제2 차폐판을 설치하고, 또한 지류를 분기시켜, 상기 제2 차폐판 상에 막 두께가 상기 제1 스퍼터막의 막 두께와 거의 동일한 제2 스퍼터막을 퇴적시키는 공정과,
    상기 제2 차폐판의 개구를 통과한 상기 원류의 나머지를 반도체 기판 상에서 멈추게 하여 상기 반도체 기판 상에 제3 스퍼터막을 퇴적시키는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제3 스퍼터막을 퇴적시키는 공정에서, 상기 타겟과 상기 제1 차폐판과 상기 제2 차폐판을 고정하는 헤드가 회전하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제4항에 있어서, 상기 타겟 입자는 타겟으로부터 스퍼터되어 상기 기판상에 피착되는 차폐기.
  19. 제4항에 있어서, 상기 제1 원형 개구의 지름은 상기 타겟의 지름보다 작은 차폐기.
  20. 제4항에 있어서, 상기 제1 원형 개구의 개수는 복수개인 차폐기.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 개구용으로 상기 제1 판 상에 설치된 깔대기 형상의 제1 원통으로서, 상기 제1 개구와 부합하는 제1 하부 개구와 상기 제1 하부 개구보다 작은 제1 상부 개구를 가지며, 상기 제1 상부 개구의 중심을 지나는 법선과 상기 제1 하부 개구의 중심을 지나는 법선이 일치하는 깔대기 형상의 제1 원통 -상기 제1 원통들 중 인접하는 것들의 제1 하부 개구와 벽은 서로 부분적으로 중첩하고, 상기 제1 원통들의 벽의 상기 중첩 부분은 제거됨- 과,
    상기 제2 개구용으로 상기 제2 평판 상에 설치된 깔대기 형상의 제2 원통으로서, 상기 제2 개구와 부합하는 제2 하부 개구와, 상기 제2 하부 개구 및 상기 제1 상부 개구보다 작은 제2 상부 개구를 갖고, 상기 제2 상부 개구의 중심을 지나는 법선과 상기 제2 하부 개구의 중심을 지나는 법선과 대응하는 상기 제1 상부 개구의 중심을 지나는 법선이 일치하는 깔대기 형상의 제2 원통
    을 포함하는 차폐기.
  22. 제1항에 있어서, 상기 평판 개구의 개수는 복수개인 차폐판.
  23. 제22항에 있어서, 상기 깔대기 형상의 원통들 중 인접하는 것들의 하부 개구와 벽은 서로 그 일부분이 중첩하고, 상기 깔대기 형상의 원통들의 벽의 상기 중첩 부분은 제거된 차폐판.
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040086639A1 (en) * 2002-09-24 2004-05-06 Grantham Daniel Harrison Patterned thin-film deposition using collimating heated mask asembly
US7897008B2 (en) * 2006-10-27 2011-03-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for regional plasma control
US7909961B2 (en) 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7943005B2 (en) * 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
KR20090131453A (ko) * 2008-06-18 2009-12-29 주식회사 엔씰텍 스퍼터링 장치 및 이를 구비하는 멀티 챔버
JP5415979B2 (ja) * 2009-02-16 2014-02-12 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法
US8202339B2 (en) * 2009-07-29 2012-06-19 Cummins Filtration Ip Inc. Inertial impactor with enhanced separation
US8178280B2 (en) * 2010-02-05 2012-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Self-contained proximity effect correction inspiration for advanced lithography (special)
JP5319021B2 (ja) * 2010-12-06 2013-10-16 シャープ株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
DE112014001711T5 (de) * 2013-03-28 2015-12-10 Cummins Filtration Ip, Inc. Luft-Ölabscheider mit strahlverstärkter Impaktion und zugehöriges Verfahren
US20150107199A1 (en) * 2013-10-21 2015-04-23 Bha Altair, Llc Cylindrical Filtration Apparatus Assembly
JP5985581B2 (ja) * 2014-11-05 2016-09-06 株式会社東芝 処理装置及びコリメータ
JP6039117B1 (ja) * 2016-01-25 2016-12-07 株式会社東芝 処理装置及びコリメータ
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
JP6970624B2 (ja) * 2018-02-13 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法
TW202026770A (zh) 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
CN109355631B (zh) * 2018-11-29 2020-12-22 宁波江丰电子材料股份有限公司 用于溅射***上提高薄膜均匀性的装置及其加工方法
CN111261482B (zh) * 2018-11-30 2023-02-28 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 离子布植装置及离子布植时捕集污染物粒子的方法
CN113167149B (zh) * 2018-12-06 2023-06-13 康明斯过滤Ip公司 用于冲击管喷嘴和集成组件的遮挡件
US11194244B2 (en) 2018-12-21 2021-12-07 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber and processes for manufacture
US11249390B2 (en) 2019-01-31 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TWI828843B (zh) 2019-01-31 2024-01-11 美商應用材料股份有限公司 極紫外線（ｅｕｖ）遮罩素材及其製造方法
TW202035792A (zh) 2019-01-31 2020-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收體材料
TW202043905A (zh) 2019-03-01 2020-12-01 美商應用材料股份有限公司 物理氣相沉積系統與處理
US11639544B2 (en) * 2019-03-01 2023-05-02 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition system and processes
TW202104667A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202104666A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI836072B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 具有嵌入吸收層之極紫外光遮罩
US11275304B2 (en) 2019-05-22 2022-03-15 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask absorber matertals
TWI836073B (zh) 2019-05-22 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體及其製造方法
CN110306161B (zh) * 2019-07-01 2021-11-12 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工腔室及半导体加工设备
US11385536B2 (en) 2019-08-08 2022-07-12 Applied Materials, Inc. EUV mask blanks and methods of manufacture
KR102209205B1 (ko) * 2019-08-21 2021-02-01 주식회사 미래보 반도체 공정용 유로방향 전환식 반응부산물 포집장치
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202129401A (zh) 2020-01-27 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩坯體硬遮罩材料
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TWI817073B (zh) 2020-01-27 2023-10-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩坯體硬遮罩材料
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
US11300871B2 (en) 2020-04-29 2022-04-12 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11762278B2 (en) 2021-06-16 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors
US11815803B2 (en) 2021-08-30 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflector materials
US11782337B2 (en) 2021-09-09 2023-10-10 Applied Materials, Inc. Multilayer extreme ultraviolet reflectors

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1970488A (en) * 1933-06-16 1934-08-14 Joseph F Butts Device for arresting cinders, flyash, etc.
US3957465A (en) * 1972-05-12 1976-05-18 Pircon Ladislav J Pollution control apparatus and method
DE2801923C2 (de) * 1978-01-17 1980-01-31 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von gas- oder dampfförmigen Stoffen, insbesondere Isotopen, nach dem Trenndüsenprinzip
KR900701370A (ko) * 1988-08-04 1990-12-01 쉼머라인-에를바흐어 에발트-빌헬름 여과기 장치
JPH046271A (ja) 1990-04-24 1992-01-10 Anelva Corp マルチカソードスパッタリング装置
US5223108A (en) * 1991-12-30 1993-06-29 Materials Research Corporation Extended lifetime collimator
JPH0634805A (ja) * 1992-07-21 1994-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回折格子のプレス成形用型及びその作製方法ならびに回折格子の作製方法
EP0600303B1 (en) * 1992-12-01 2002-02-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabrication of dielectric thin film
EP0682125A1 (en) * 1994-05-11 1995-11-15 Applied Materials, Inc. Controlling material sputtered from a target
JP3808148B2 (ja) 1996-10-21 2006-08-09 株式会社アルバック 複合スパッタリングカソード、そのカソードを用いたスパッタリング装置
GB9701114D0 (en) * 1997-01-20 1997-03-12 Coherent Optics Europ Ltd Three-dimensional masking method for control of optical coating thickness
US6010554A (en) * 1997-06-23 2000-01-04 Battelle Memorial Institute Micro-machined virtual impactor and method of operation
JPH11131228A (ja) * 1997-10-28 1999-05-18 Canon Inc スパッタ装置
US6135367A (en) * 1998-09-03 2000-10-24 Hsu; Tsung-Ming Atomizing boards with asymmetrically distributed atomizing holes
JP4137277B2 (ja) * 1999-04-15 2008-08-20 株式会社アルバック スパッタリング装置

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