JP3524421B2 - 磁気ヘッド - Google Patents
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- JP3524421B2 JP3524421B2 JP06758499A JP6758499A JP3524421B2 JP 3524421 B2 JP3524421 B2 JP 3524421B2 JP 06758499 A JP06758499 A JP 06758499A JP 6758499 A JP6758499 A JP 6758499A JP 3524421 B2 JP3524421 B2 JP 3524421B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1274—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with "composite" cores, i.e. cores composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1276—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with "composite" cores, i.e. cores composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
- G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
- G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属磁性薄膜を備
えた磁気ヘッドに関するものである。
えた磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、従来からの
アナログ方式に代わって、ディジタル方式による磁気記
録が主流になりつつある。特に、ディジタル方式のＶＴ
Ｒが急速に普及しつつあり、ＶＴＲ用の磁気ヘッドの高
性能化が求められている。従来、ディジタル方式のＶＴ
Ｒの再生用磁気ヘッドには、磁気ギャップに軟磁性合金
膜を配置したいわゆるＭＩＧ型磁気ヘッドが採用されて
きた。しかしながらＭＩＧ型磁気ヘッドでディジタル信
号を再生すると、再生信号に種々のノイズが発生し、エ
ラーレートが高くなるという問題があった。
アナログ方式に代わって、ディジタル方式による磁気記
録が主流になりつつある。特に、ディジタル方式のＶＴ
Ｒが急速に普及しつつあり、ＶＴＲ用の磁気ヘッドの高
性能化が求められている。従来、ディジタル方式のＶＴ
Ｒの再生用磁気ヘッドには、磁気ギャップに軟磁性合金
膜を配置したいわゆるＭＩＧ型磁気ヘッドが採用されて
きた。しかしながらＭＩＧ型磁気ヘッドでディジタル信
号を再生すると、再生信号に種々のノイズが発生し、エ
ラーレートが高くなるという問題があった。
【０００３】そこで最近では、軟磁性膜を非磁性体で挟
んだ構造の磁気コアからなる積層型の磁気ヘッドが採用
されつつある。この積層型の磁気ヘッドは、磁路が軟磁
性膜で構成されるために磁歪が小さくなって比較的低ノ
イズであり、また軟磁性膜を絶縁層を介して積層した場
合には、高周波帯域における渦電流損が抑制されて高周
波帯域での特性が良好になるという利点がある。また、
磁路が軟磁性膜で構成されるために、軟磁性膜の厚さが
そのままトラック幅となり、狭トラック化が容易となっ
て、記録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を防止
することが可能となる。更に、軟磁性膜としてＦｅに添
加元素を加えた合金系の金属磁性薄膜を採用した場合に
は、高周波域における透磁率の低下を抑制することが可
能となっている。
んだ構造の磁気コアからなる積層型の磁気ヘッドが採用
されつつある。この積層型の磁気ヘッドは、磁路が軟磁
性膜で構成されるために磁歪が小さくなって比較的低ノ
イズであり、また軟磁性膜を絶縁層を介して積層した場
合には、高周波帯域における渦電流損が抑制されて高周
波帯域での特性が良好になるという利点がある。また、
磁路が軟磁性膜で構成されるために、軟磁性膜の厚さが
そのままトラック幅となり、狭トラック化が容易となっ
て、記録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を防止
することが可能となる。更に、軟磁性膜としてＦｅに添
加元素を加えた合金系の金属磁性薄膜を採用した場合に
は、高周波域における透磁率の低下を抑制することが可
能となっている。
【０００４】この積層型の磁気ヘッドは、複数の金属磁
性薄膜が層間絶縁層を介し積層されてなるメタル磁性膜
を非磁性の基板で挟むことにより一対の磁気コア半体を
形成し、この一対の磁気コア半体が、それぞれのメタル
磁性膜を直線状に配し、ギャップ層を介して突き合わさ
れると共に、これら磁気コア半体が接合ガラスを介して
接合されて構成されるものである。
性薄膜が層間絶縁層を介し積層されてなるメタル磁性膜
を非磁性の基板で挟むことにより一対の磁気コア半体を
形成し、この一対の磁気コア半体が、それぞれのメタル
磁性膜を直線状に配し、ギャップ層を介して突き合わさ
れると共に、これら磁気コア半体が接合ガラスを介して
接合されて構成されるものである。
【０００５】ところで、このメタル磁性膜はその厚さが
１０〜２０μｍとされ、一方、メタル磁性膜を挟む基板
はその厚さが数ｍｍとされているので、磁気コア半体の
厚さは基板の厚さによりほぼ決定される。即ち磁気コア
半体の突き合わせ面には、主として基板が露出すること
になる。従って接合ガラスによって一対の磁気コア半体
を接合させる際には、接合ガラスが基板に溶着すること
により、一対の磁気コア半体が接合ガラスを介して接合
されることになる。
１０〜２０μｍとされ、一方、メタル磁性膜を挟む基板
はその厚さが数ｍｍとされているので、磁気コア半体の
厚さは基板の厚さによりほぼ決定される。即ち磁気コア
半体の突き合わせ面には、主として基板が露出すること
になる。従って接合ガラスによって一対の磁気コア半体
を接合させる際には、接合ガラスが基板に溶着すること
により、一対の磁気コア半体が接合ガラスを介して接合
されることになる。
【０００６】通常この磁気コア半体の接合は、接合ガラ
スの軟化温度以上の温度で行われるが、接合が完了して
基板及び接合ガラスが冷却されると、接合ガラスの割れ
や接合ガラスと磁気コア半体とのはがれが生じやすいと
いう問題があった。この問題は、接合ガラス及び基板の
それぞれの熱膨張係数の差が大きい場合に顕著に起きる
ものと考えられていたため、この接合ガラスの不具合の
問題を解消するために、従来は、基板の熱膨張係数とほ
ぼ同等な熱膨張係数を有する接合ガラスが選択されてき
た。
スの軟化温度以上の温度で行われるが、接合が完了して
基板及び接合ガラスが冷却されると、接合ガラスの割れ
や接合ガラスと磁気コア半体とのはがれが生じやすいと
いう問題があった。この問題は、接合ガラス及び基板の
それぞれの熱膨張係数の差が大きい場合に顕著に起きる
ものと考えられていたため、この接合ガラスの不具合の
問題を解消するために、従来は、基板の熱膨張係数とほ
ぼ同等な熱膨張係数を有する接合ガラスが選択されてき
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、積層型の磁気
ヘッドを構成する磁気コア半体は、多層構造のメタル磁
性膜を基板で挟んでなる構造であるために、ＭＩＧ型磁
気ヘッドに比べて、構成部材同士の接合箇所が多くなり
また接合強度も低くなっていて、特に磁気記録媒体の摺
動面に近接するフロントギャップ付近は、外部からの応
力に対して弱い構造となっている。従って、このような
磁気コア半体同士を接合ガラスを介して接合した後に機
械加工を施した場合には、たとえ基板と同等な熱膨張係
数を有する接合ガラスを用いたとしても、フロントギャ
ップの接合強度を高くすることができず、例えば機械加
工時に印加される応力によってフロントギャップ付近に
ある接合ガラスの割れや接合ガラスと磁気コア半体との
はがれが生じやすくなるおそれがあった。
ヘッドを構成する磁気コア半体は、多層構造のメタル磁
性膜を基板で挟んでなる構造であるために、ＭＩＧ型磁
気ヘッドに比べて、構成部材同士の接合箇所が多くなり
また接合強度も低くなっていて、特に磁気記録媒体の摺
動面に近接するフロントギャップ付近は、外部からの応
力に対して弱い構造となっている。従って、このような
磁気コア半体同士を接合ガラスを介して接合した後に機
械加工を施した場合には、たとえ基板と同等な熱膨張係
数を有する接合ガラスを用いたとしても、フロントギャ
ップの接合強度を高くすることができず、例えば機械加
工時に印加される応力によってフロントギャップ付近に
ある接合ガラスの割れや接合ガラスと磁気コア半体との
はがれが生じやすくなるおそれがあった。
【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、フロントギャップ付近の接合強度
を高くできる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
されたものであって、フロントギャップ付近の接合強度
を高くできる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気ヘ
ッドは、一対の磁気コア半体が突き合わされるようにし
て一体化されてなり、前記一対の磁気コア半体は、複数
の金属磁性薄膜が層間絶縁層を介して積層されてなるメ
タル磁性膜を有し、該メタル磁性膜が一対の基板により
挟まれて該基板の側部側に前記メタル磁性膜の端部を位
置させて構成され、この一対の磁気コア半体が、互いの
メタル磁性膜を直線状に配して突き合わされ、前記一対
の磁気コア半体の突き合わせ部分に巻線穴と補強溝とが
設けられて、該巻線穴の両側にフロントギャップとバッ
クギャップが形成され、前記バックギャップが前記巻線
穴と前記補強溝との間に位置されてなり、更に前記フロ
ントギャップにはギャップ層が介在され、前記一対の磁
気コア半体が、前記補強溝に配置されて前記バックギャ
ップに隣接する第１接合ガラスと、前記巻線穴に配置さ
れて前記フロントギャップに隣接する前記第１接合ガラ
スよりも高い熱膨張係数を有する第２接合ガラスとを介
して接合され、前記第１接合ガラスの熱膨張係数をα １
とし、前記第２接合ガラスの熱膨張係数をα ２としたと
き、熱膨張係数比（α ２／α １）が１．０以上１．２以
下であり、かつ、前記第１接合ガラスの熱膨張係数と前
記基板の熱膨張係数との比が、１０６：１２３〜１１
２：１１５の範囲であることを特徴とする。かかる磁気
ヘッドにおいては、第２接合ガラスの熱膨張係数が第１
接合ガラスの熱膨張係数より高いので、第２接合ガラス
が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接合
ガラスの体積収縮率より大きくなるため、第２接合ガラ
スが固化すると、一対の磁気コア半体と溶着したまま体
積収縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラス
により相互に引きつけられて、フロントギャップを強固
に接合することが可能になる。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の磁気ヘ
ッドは、一対の磁気コア半体が突き合わされるようにし
て一体化されてなり、前記一対の磁気コア半体は、複数
の金属磁性薄膜が層間絶縁層を介して積層されてなるメ
タル磁性膜を有し、該メタル磁性膜が一対の基板により
挟まれて該基板の側部側に前記メタル磁性膜の端部を位
置させて構成され、この一対の磁気コア半体が、互いの
メタル磁性膜を直線状に配して突き合わされ、前記一対
の磁気コア半体の突き合わせ部分に巻線穴と補強溝とが
設けられて、該巻線穴の両側にフロントギャップとバッ
クギャップが形成され、前記バックギャップが前記巻線
穴と前記補強溝との間に位置されてなり、更に前記フロ
ントギャップにはギャップ層が介在され、前記一対の磁
気コア半体が、前記補強溝に配置されて前記バックギャ
ップに隣接する第１接合ガラスと、前記巻線穴に配置さ
れて前記フロントギャップに隣接する前記第１接合ガラ
スよりも高い熱膨張係数を有する第２接合ガラスとを介
して接合され、前記第１接合ガラスの熱膨張係数をα １
とし、前記第２接合ガラスの熱膨張係数をα ２としたと
き、熱膨張係数比（α ２／α １）が１．０以上１．２以
下であり、かつ、前記第１接合ガラスの熱膨張係数と前
記基板の熱膨張係数との比が、１０６：１２３〜１１
２：１１５の範囲であることを特徴とする。かかる磁気
ヘッドにおいては、第２接合ガラスの熱膨張係数が第１
接合ガラスの熱膨張係数より高いので、第２接合ガラス
が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接合
ガラスの体積収縮率より大きくなるため、第２接合ガラ
スが固化すると、一対の磁気コア半体と溶着したまま体
積収縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラス
により相互に引きつけられて、フロントギャップを強固
に接合することが可能になる。
【００１０】また、かかる磁気ヘッドにおいては、磁路
がメタル磁性膜で構成されるために、メタル磁性膜の厚
さがそのままトラック幅となり、狭トラック化が容易と
なって、記録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を
防止することが可能になると共に、構成部材同士の接合
箇所が多く、外部からの応力に対して弱い構造のフロン
トギャップを強固に接合することが可能となる。
がメタル磁性膜で構成されるために、メタル磁性膜の厚
さがそのままトラック幅となり、狭トラック化が容易と
なって、記録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を
防止することが可能になると共に、構成部材同士の接合
箇所が多く、外部からの応力に対して弱い構造のフロン
トギャップを強固に接合することが可能となる。
【００１１】
【００１２】また、かかる磁気ヘッドは、一対の磁気コ
ア半体が一体化されてなるもので、この磁気コア半体同
士の突き合わせ部分には、磁気記録媒体の摺動面である
一端から他端に向けて、フロントギャップ、巻線穴、バ
ックギャップ、補強溝が順に配列している。そして、巻
線穴に配置された第２接合ガラスは、フロントギャップ
に隣接すると共に磁気コア半体に挟まれており、また補
強溝に配置された第１接合ガラスは、バックギャップに
隣接すると共に磁気コア半体に挟まれている。そして、
第２接合ガラスの熱膨張係数が第１接合ガラスの熱膨張
係数より高いので、第２接合ガラスが軟化状態から固化
したときの体積収縮率が、第１接合ガラスの体積収縮率
より大きくなる。従って、第２接合ガラスが固化する
と、一対の磁気コア半体と溶着したまま体積収縮するた
め、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスにより相互に
引きつけられて、フロントギャップが強固に接合するこ
とになる。このように、本発明の磁気ヘッドにおいて
は、構造が複雑で外部からの応力に対して弱いフロント
ギャップが第２接合ガラスと第１接合ガラスの熱膨張係
数の差によって強固に接合されるので、フロントギャッ
プの接合強度を高くすることが可能になる。
ア半体が一体化されてなるもので、この磁気コア半体同
士の突き合わせ部分には、磁気記録媒体の摺動面である
一端から他端に向けて、フロントギャップ、巻線穴、バ
ックギャップ、補強溝が順に配列している。そして、巻
線穴に配置された第２接合ガラスは、フロントギャップ
に隣接すると共に磁気コア半体に挟まれており、また補
強溝に配置された第１接合ガラスは、バックギャップに
隣接すると共に磁気コア半体に挟まれている。そして、
第２接合ガラスの熱膨張係数が第１接合ガラスの熱膨張
係数より高いので、第２接合ガラスが軟化状態から固化
したときの体積収縮率が、第１接合ガラスの体積収縮率
より大きくなる。従って、第２接合ガラスが固化する
と、一対の磁気コア半体と溶着したまま体積収縮するた
め、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスにより相互に
引きつけられて、フロントギャップが強固に接合するこ
とになる。このように、本発明の磁気ヘッドにおいて
は、構造が複雑で外部からの応力に対して弱いフロント
ギャップが第２接合ガラスと第１接合ガラスの熱膨張係
数の差によって強固に接合されるので、フロントギャッ
プの接合強度を高くすることが可能になる。
【００１３】尚、第１接合ガラスの熱膨張係数（α１）
は、１０６×１０−７〜１１２×１０−７の範囲である
ことが好ましく、第２接合ガラスの熱膨張係数（α２）
は、１０６×１０−７〜１３０×１０−７の範囲である
ことが好ましいが、上述の条件を満たすものであれば、
この数値範囲に限定されるものではない。尚、上記の第
１接合ガラス、第２接合ガラス及び基板の熱膨張係数
は、２００〜３００℃の範囲内におけるものである。
は、１０６×１０−７〜１１２×１０−７の範囲である
ことが好ましく、第２接合ガラスの熱膨張係数（α２）
は、１０６×１０−７〜１３０×１０−７の範囲である
ことが好ましいが、上述の条件を満たすものであれば、
この数値範囲に限定されるものではない。尚、上記の第
１接合ガラス、第２接合ガラス及び基板の熱膨張係数
は、２００〜３００℃の範囲内におけるものである。
【００１４】α2／α1が１．０以上１．２以下の範囲で
あると、フロントギャップの接合強度を高くすることが
可能になり、α2／α1が１．０以上１．１以下の範囲で
あると、フロントギャップの接合強度をより高くするこ
とが可能になる。また、第１接合ガラス２１の熱膨張係
数（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が上記の範囲であれば、第１接合ガラスの冷却時
に熱応力がかかることがなく、フロントギャップの接合
強度を高くすることが可能になる。
あると、フロントギャップの接合強度を高くすることが
可能になり、α2／α1が１．０以上１．１以下の範囲で
あると、フロントギャップの接合強度をより高くするこ
とが可能になる。また、第１接合ガラス２１の熱膨張係
数（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が上記の範囲であれば、第１接合ガラスの冷却時
に熱応力がかかることがなく、フロントギャップの接合
強度を高くすることが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施形態を
図面を参照して説明する。図１に本発明の第１の実施形
態である積層型の磁気ヘッドを示す。この磁気ヘッド１
は、積層構造のメタル磁性膜２を基板３、３で挟むこと
により形成された一対の磁気コア半体４、４が突き合わ
せてなるものである。図１に示すように、各磁気コア半
体４の一端５ａ側の突き合わせ面５には巻線溝部６が設
けられている。また、各磁気コア半体４の他端５ｂ側の
突き合わせ面５には補強切欠部７が設けられている。そ
して、巻線溝部６と補強切欠部７との間の突き合わせ面
５はバックギャップ面８とされ、突き合わせ面の一端５
ａはフロントギャップ面９とされている。基板３は、フ
ェライト、セラミックス、結晶化ガラス、アルミナなど
から形成されるものであり、特に、カルシウムフェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、ＭｎＯ−ＮｉＯ系セラミッ
クス、ＣａＴｉＯ3系セラミックス等が好ましい。
図面を参照して説明する。図１に本発明の第１の実施形
態である積層型の磁気ヘッドを示す。この磁気ヘッド１
は、積層構造のメタル磁性膜２を基板３、３で挟むこと
により形成された一対の磁気コア半体４、４が突き合わ
せてなるものである。図１に示すように、各磁気コア半
体４の一端５ａ側の突き合わせ面５には巻線溝部６が設
けられている。また、各磁気コア半体４の他端５ｂ側の
突き合わせ面５には補強切欠部７が設けられている。そ
して、巻線溝部６と補強切欠部７との間の突き合わせ面
５はバックギャップ面８とされ、突き合わせ面の一端５
ａはフロントギャップ面９とされている。基板３は、フ
ェライト、セラミックス、結晶化ガラス、アルミナなど
から形成されるものであり、特に、カルシウムフェライ
ト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、ＭｎＯ−ＮｉＯ系セラミッ
クス、ＣａＴｉＯ3系セラミックス等が好ましい。
【００１６】また図２に拡大して示すように、メタル磁
性膜２は、複数の金属磁性薄膜１０…を層間絶縁層１１
…を介して積層して構成されたものであり、メタル磁性
膜２の厚さ方向両側を基板３、３が挟み、メタル磁性膜
２の端部２ａは基板３の側面部３ａに達している。尚、
層間絶縁層１１としては、ＳｉＯ2を用いることが好ま
しい。そして図１及び図２に示すように、一対の磁気コ
ア半体４、４は、互いのメタル磁性膜２、２を直線状に
配し、かつフロントギャップ面９、９にギャップ層１９
を介在させて突き合わされる。そして、巻線溝部６、６
により巻線穴１６が、補強切欠部７、７により補強溝１
７がそれぞれ形成される。また、この巻線穴１６の両側
には、磁気コア半体４の側部を切り欠いて凹溝２３、２
３が形成され、各磁気コア半体４に通電用のコイルを巻
回できるようになっている。尚、ギャップ層１９として
は、ＳｉＯ2を用いることが好ましい。また、ギャップ
層１９と一対の磁気コア半体４、４との間は、Ｐｂ系ガ
ラス等からなるのりガラスにより接合されている。
性膜２は、複数の金属磁性薄膜１０…を層間絶縁層１１
…を介して積層して構成されたものであり、メタル磁性
膜２の厚さ方向両側を基板３、３が挟み、メタル磁性膜
２の端部２ａは基板３の側面部３ａに達している。尚、
層間絶縁層１１としては、ＳｉＯ2を用いることが好ま
しい。そして図１及び図２に示すように、一対の磁気コ
ア半体４、４は、互いのメタル磁性膜２、２を直線状に
配し、かつフロントギャップ面９、９にギャップ層１９
を介在させて突き合わされる。そして、巻線溝部６、６
により巻線穴１６が、補強切欠部７、７により補強溝１
７がそれぞれ形成される。また、この巻線穴１６の両側
には、磁気コア半体４の側部を切り欠いて凹溝２３、２
３が形成され、各磁気コア半体４に通電用のコイルを巻
回できるようになっている。尚、ギャップ層１９として
は、ＳｉＯ2を用いることが好ましい。また、ギャップ
層１９と一対の磁気コア半体４、４との間は、Ｐｂ系ガ
ラス等からなるのりガラスにより接合されている。
【００１７】このように一対の磁気コア４、４が一体化
されて積層型の磁気ヘッド１が構成される。そして磁気
ヘッド１の各磁気コア半体４、４の突き合わせ部分に
は、磁気記録媒体との摺動面２０に近接する一端５ａか
ら他端５ｂに向けて、フロントギャップＧ1、巻線穴１
６、バックギャップＧ2、補強溝１７が順に配列するこ
とになる。また、補強溝１７には第１接合ガラス２１が
配置され、巻線穴１６には第２接合ガラス２２が配置さ
れる。第１接合ガラス２１は、バックギャップＧ2に隣
接して磁気コア半体４、４の他端５ｂに挟まれて各磁気
コア半体４、４と溶着し、第２接合ガラス２２は、フロ
ントギャップＧ1に隣接して磁気コア半体４、４の一端
５ｂに挟まれて各磁気コア半体４、４と溶着している。
されて積層型の磁気ヘッド１が構成される。そして磁気
ヘッド１の各磁気コア半体４、４の突き合わせ部分に
は、磁気記録媒体との摺動面２０に近接する一端５ａか
ら他端５ｂに向けて、フロントギャップＧ1、巻線穴１
６、バックギャップＧ2、補強溝１７が順に配列するこ
とになる。また、補強溝１７には第１接合ガラス２１が
配置され、巻線穴１６には第２接合ガラス２２が配置さ
れる。第１接合ガラス２１は、バックギャップＧ2に隣
接して磁気コア半体４、４の他端５ｂに挟まれて各磁気
コア半体４、４と溶着し、第２接合ガラス２２は、フロ
ントギャップＧ1に隣接して磁気コア半体４、４の一端
５ｂに挟まれて各磁気コア半体４、４と溶着している。
【００１８】そして、第２接合ガラス２２は、その熱膨
張係数（α2）が第１接合ガラス２１の熱膨張係数
（α1）よりも高いものであることが好ましい。第２接
合ガラス２２の熱膨張係数（α2）が第１接合ガラス２
１の熱膨張係数（α1）より高いと、第２接合ガラス２
２が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接
合ガラス２１の体積収縮率より大きくなる。従って、磁
気ヘッド１を製造する際の磁気コア半体４、４の接合時
において、第２接合ガラス２２が軟化状態から固化する
と、第２接合ガラス２２が一対の磁気コア半体４、４と
溶着したまま体積収縮するため、一対の磁気コア半体
４、４が第２接合ガラス２２によって相互に引きつけら
れることになり、フロントギャップＧ1が強固に接合す
ることになる。また、第１接合ガラス２１が軟化状態か
ら固化すると、一対の磁気コア半体４、４の他端５ｂと
溶着したまま体積収縮するため、一対の磁気コア半体
４、４の他端５ｂが第１接合ガラス２１によって相互に
引きつけられることになるが、第１接合ガラス２１の体
積収縮率が第２接合ガラス２２より小さいために、バッ
クギャップＧ2はフロントギャップＧ1よりも弱く接合さ
れる。
張係数（α2）が第１接合ガラス２１の熱膨張係数
（α1）よりも高いものであることが好ましい。第２接
合ガラス２２の熱膨張係数（α2）が第１接合ガラス２
１の熱膨張係数（α1）より高いと、第２接合ガラス２
２が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接
合ガラス２１の体積収縮率より大きくなる。従って、磁
気ヘッド１を製造する際の磁気コア半体４、４の接合時
において、第２接合ガラス２２が軟化状態から固化する
と、第２接合ガラス２２が一対の磁気コア半体４、４と
溶着したまま体積収縮するため、一対の磁気コア半体
４、４が第２接合ガラス２２によって相互に引きつけら
れることになり、フロントギャップＧ1が強固に接合す
ることになる。また、第１接合ガラス２１が軟化状態か
ら固化すると、一対の磁気コア半体４、４の他端５ｂと
溶着したまま体積収縮するため、一対の磁気コア半体
４、４の他端５ｂが第１接合ガラス２１によって相互に
引きつけられることになるが、第１接合ガラス２１の体
積収縮率が第２接合ガラス２２より小さいために、バッ
クギャップＧ2はフロントギャップＧ1よりも弱く接合さ
れる。
【００１９】このように、この磁気ヘッド１において
は、構造が複雑で外部からの応力に対して弱いフロント
ギャップＧ1が第２接合ガラス２２と第１接合ガラス２
１の熱膨張係数の差によって強固に接合されるので、フ
ロントギャップＧ1の接合強度を高くでき、例えば磁気
コア半体４、４を接合した後の機械加工により応力が印
加されても、第２接合ガラス２２の割れや第２接合ガラ
ス２２と磁気コア半体４、４とのはがれが発生すること
がない。
は、構造が複雑で外部からの応力に対して弱いフロント
ギャップＧ1が第２接合ガラス２２と第１接合ガラス２
１の熱膨張係数の差によって強固に接合されるので、フ
ロントギャップＧ1の接合強度を高くでき、例えば磁気
コア半体４、４を接合した後の機械加工により応力が印
加されても、第２接合ガラス２２の割れや第２接合ガラ
ス２２と磁気コア半体４、４とのはがれが発生すること
がない。
【００２０】第１、第２接合ガラス２１、２２の熱膨張
係数については、第１接合ガラス２１の熱膨張係数（α
1）と第２接合ガラス２２の熱膨張係数（α2）との比で
ある熱膨張係数比（α2／α1）が１．０以上１．２以下
であることが好ましく、１．０以上１．１以下であるこ
とがより好ましい。α2／α1が１．０以上１．２以下の
範囲であると、フロントギャップＧ1の接合強度を高く
でき、α2／α1が１．０以上１．１以下の範囲である
と、フロントギャップＧ1の接合強度をより高くでき
る。α2／α1が１．０未満では、第２接合ガラス２２の
熱膨張係数α2が第１接合ガラス２１の熱膨張係数α1よ
りも小さくなり、磁気ヘッド１のバックギャップＧ2が
強固に接合され、フロントギャップＧ1を強固に接合す
ることができなくなるので好ましくなく、α2／α1が
１．２を越えると、第２接合ガラス２２の熱膨張係数α
2が第１接合ガラス２１の熱膨張係数α1よりもより大き
くなって第１、２接合ガラス２１、２２の体積収縮率の
差が拡大し、第１、２接合ガラス２１、２２が固化する
際に磁気コア半体４、４に応力が印加され、メタル磁性
膜２の軟磁気特性が低下してしまうので好ましくない。
尚、第１接合ガラス２１の熱膨張係数（α1）は、１０
６×１０-7〜１１２×１０-7の範囲であることが好まし
く、第２接合ガラス２２の熱膨張係数（α2）は、１０
６×１０-7〜１３０×１０-7の範囲であることが好まし
いが、上述の条件を満たすものであれば、この数値範囲
に限定されるものではない。
係数については、第１接合ガラス２１の熱膨張係数（α
1）と第２接合ガラス２２の熱膨張係数（α2）との比で
ある熱膨張係数比（α2／α1）が１．０以上１．２以下
であることが好ましく、１．０以上１．１以下であるこ
とがより好ましい。α2／α1が１．０以上１．２以下の
範囲であると、フロントギャップＧ1の接合強度を高く
でき、α2／α1が１．０以上１．１以下の範囲である
と、フロントギャップＧ1の接合強度をより高くでき
る。α2／α1が１．０未満では、第２接合ガラス２２の
熱膨張係数α2が第１接合ガラス２１の熱膨張係数α1よ
りも小さくなり、磁気ヘッド１のバックギャップＧ2が
強固に接合され、フロントギャップＧ1を強固に接合す
ることができなくなるので好ましくなく、α2／α1が
１．２を越えると、第２接合ガラス２２の熱膨張係数α
2が第１接合ガラス２１の熱膨張係数α1よりもより大き
くなって第１、２接合ガラス２１、２２の体積収縮率の
差が拡大し、第１、２接合ガラス２１、２２が固化する
際に磁気コア半体４、４に応力が印加され、メタル磁性
膜２の軟磁気特性が低下してしまうので好ましくない。
尚、第１接合ガラス２１の熱膨張係数（α1）は、１０
６×１０-7〜１１２×１０-7の範囲であることが好まし
く、第２接合ガラス２２の熱膨張係数（α2）は、１０
６×１０-7〜１３０×１０-7の範囲であることが好まし
いが、上述の条件を満たすものであれば、この数値範囲
に限定されるものではない。
【００２１】また、第１接合ガラス２１の熱膨張係数
（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であ
ることが好ましい。第１接合ガラス２１と基板３との熱
膨張係数の比が上記の範囲であれば、磁気コア半体４、
４の接合時に、第１接合ガラス２１が割れたり、第１接
合ガラス２１と磁気コア半体４、４とがはがれることが
ない。（α1／αS）が１０６／１２３未満あるいは１１
２／１１５を越えると、第１接合ガラス２１の熱膨張係
数（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との差が大きく
なり、第１接合ガラス２１を軟化状態から冷却して固化
させる際に、第１接合ガラス２１と基板３との体積収縮
率の差が大きくなって、第１接合ガラス２１に熱応力が
生じて第１接合ガラス２１の割れや第１接合ガラスと磁
気コア半体４、４とのはがれが生じてしまうので好まし
くない。尚、上記の第１接合ガラス２１、第２接合ガラ
ス２２及び基板３のそれぞれの熱膨張係数は、２００〜
３００℃の範囲内におけるものである。
（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であ
ることが好ましい。第１接合ガラス２１と基板３との熱
膨張係数の比が上記の範囲であれば、磁気コア半体４、
４の接合時に、第１接合ガラス２１が割れたり、第１接
合ガラス２１と磁気コア半体４、４とがはがれることが
ない。（α1／αS）が１０６／１２３未満あるいは１１
２／１１５を越えると、第１接合ガラス２１の熱膨張係
数（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との差が大きく
なり、第１接合ガラス２１を軟化状態から冷却して固化
させる際に、第１接合ガラス２１と基板３との体積収縮
率の差が大きくなって、第１接合ガラス２１に熱応力が
生じて第１接合ガラス２１の割れや第１接合ガラスと磁
気コア半体４、４とのはがれが生じてしまうので好まし
くない。尚、上記の第１接合ガラス２１、第２接合ガラ
ス２２及び基板３のそれぞれの熱膨張係数は、２００〜
３００℃の範囲内におけるものである。
【００２２】金属磁性薄膜１０を形成する軟磁性材料に
は、Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟磁性薄膜あるいはセンダスト
薄膜などを用いることができる。Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟
磁性薄膜は、本発明の出願人が先に特願平６３−２９１
９９２号明細書などにおいて特許出願しているものであ
る。このＣｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟磁性薄膜として具体的に
は、Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆなる基本組成に、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕなどの元素を１種以上添加してな
るものなど、あるいはこの系に比抵抗を向上させるため
の元素Ｘ（Ｙ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂなど）を添加した系など
を用いることができる。組成範囲として好ましくは、Ｃ
ｏ68-90Ｔａ1 -14Ｈｆ1-18、Ｃｏ68-90Ｔａ1-14Ｈｆ1-18
Ｘなどであるが、これら以外の組成でも良いのは勿論で
ある。ここで、例えばＣｏ68-90とは、Ｃｏの組成比が
６８原子％以上９０原子％以下であることを示してい
る。
は、Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟磁性薄膜あるいはセンダスト
薄膜などを用いることができる。Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟
磁性薄膜は、本発明の出願人が先に特願平６３−２９１
９９２号明細書などにおいて特許出願しているものであ
る。このＣｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟磁性薄膜として具体的に
は、Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆなる基本組成に、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｏ
ｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕなどの元素を１種以上添加してな
るものなど、あるいはこの系に比抵抗を向上させるため
の元素Ｘ（Ｙ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｂなど）を添加した系など
を用いることができる。組成範囲として好ましくは、Ｃ
ｏ68-90Ｔａ1 -14Ｈｆ1-18、Ｃｏ68-90Ｔａ1-14Ｈｆ1-18
Ｘなどであるが、これら以外の組成でも良いのは勿論で
ある。ここで、例えばＣｏ68-90とは、Ｃｏの組成比が
６８原子％以上９０原子％以下であることを示してい
る。
【００２３】なお、Ｃｏ-Ｔａ-Ｈｆ系の軟磁性薄膜を用
いると、飽和磁束密度：０.８Ｔ前後、透磁率：４００
０（１ＭＨｚ）程度、比抵抗（ρ）：１５０程度の特性
を容易に得ることができる。また、センダストであれ
ば、飽和磁束密度：１.１Ｔ、透磁率：２０００程度の
特性を得ることができる。
いると、飽和磁束密度：０.８Ｔ前後、透磁率：４００
０（１ＭＨｚ）程度、比抵抗（ρ）：１５０程度の特性
を容易に得ることができる。また、センダストであれ
ば、飽和磁束密度：１.１Ｔ、透磁率：２０００程度の
特性を得ることができる。
【００２４】また、金属磁性薄膜１０を形成する軟磁性
材料として、Ｆｅ100-a-b-d-e-fＳｉaＡｌbＭdＺeＴfな
る組成式で表されるものを用いても良い。ただし、組成
式におけるＭは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｍｏ、Ｗのうち１種または２種以上の元素を示し、Ｚ
は、Ｃ、Ｎから選択された１種または２種の元素を示
し、Ｔは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕの１種または２種以
上を示し、組成比ａ、ｂ、ｄ、ｅ、ｆは、８≦ａ≦１
５、０.５≦ｂ≦１０、１≦ｄ≦１０、０.５≦ｅ≦１
５、０≦ｆ≦１０である。この組成系の軟磁性材料にお
いて、スパッタなどの成膜法により形成し、更に熱処理
を施して数ｎｍ〜数１０ｎｍオーダーのＦｅの微細結晶
粒を析出させたものは、高い飽和磁束密度と優れた透磁
率を示し、保磁力も低いので、優れた軟磁気特性を有
し、積層型の磁気ヘッドに用いた場合に極めて優れてい
る。
材料として、Ｆｅ100-a-b-d-e-fＳｉaＡｌbＭdＺeＴfな
る組成式で表されるものを用いても良い。ただし、組成
式におけるＭは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｍｏ、Ｗのうち１種または２種以上の元素を示し、Ｚ
は、Ｃ、Ｎから選択された１種または２種の元素を示
し、Ｔは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕの１種または２種以
上を示し、組成比ａ、ｂ、ｄ、ｅ、ｆは、８≦ａ≦１
５、０.５≦ｂ≦１０、１≦ｄ≦１０、０.５≦ｅ≦１
５、０≦ｆ≦１０である。この組成系の軟磁性材料にお
いて、スパッタなどの成膜法により形成し、更に熱処理
を施して数ｎｍ〜数１０ｎｍオーダーのＦｅの微細結晶
粒を析出させたものは、高い飽和磁束密度と優れた透磁
率を示し、保磁力も低いので、優れた軟磁気特性を有
し、積層型の磁気ヘッドに用いた場合に極めて優れてい
る。
【００２５】更に、金属磁性薄膜１０を形成する軟磁性
材料として、Ｆｅを主成分とする体心立方構造であっ
て、平均結晶粒径が４０ｎｍ以下の微細結晶と、前記微
細結晶の粒界に析出されたＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち１種または２種以上の元素の
炭化物または窒化物とを具備してなり、前記微細結晶
に、少なくともＳｉとＡｌのうち１種または２種と、Ｒ
ｕを固溶してなるものを用いても良い。具体的には下記
の組成式からなるものを用いることが好ましい。 Ｆｅ100-a-b-c-d-eＳｉaＡｌbＲｕcＭdＺe 但し、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗから選択された少なくとも１種以上の元素、ＺはＣ、
Ｎから選択された少なくとも１種以上の元素を表し、組
成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは原子％で、８≦ａ≦１５、０
≦ｂ≦１０、０.５≦ｃ≦１５、１≦ｄ≦１０、１≦ｅ
≦１０なる関係を満足する。
材料として、Ｆｅを主成分とする体心立方構造であっ
て、平均結晶粒径が４０ｎｍ以下の微細結晶と、前記微
細結晶の粒界に析出されたＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち１種または２種以上の元素の
炭化物または窒化物とを具備してなり、前記微細結晶
に、少なくともＳｉとＡｌのうち１種または２種と、Ｒ
ｕを固溶してなるものを用いても良い。具体的には下記
の組成式からなるものを用いることが好ましい。 Ｆｅ100-a-b-c-d-eＳｉaＡｌbＲｕcＭdＺe 但し、ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗから選択された少なくとも１種以上の元素、ＺはＣ、
Ｎから選択された少なくとも１種以上の元素を表し、組
成比ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは原子％で、８≦ａ≦１５、０
≦ｂ≦１０、０.５≦ｃ≦１５、１≦ｄ≦１０、１≦ｅ
≦１０なる関係を満足する。
【００２６】上述の磁気ヘッド１は、一対の磁気コア半
体４、４が、補強溝１７に配置された第１接合ガラス２
１と、巻線穴１６に配置されて第１接合ガラス２１より
も高い熱膨張係数を有する第２接合ガラス２２とを介し
て接合されており、第２接合ガラス２２が軟化状態から
固化したときの体積収縮率が、第１接合ガラス２１の体
積収縮率より大きくなるので、第２接合ガラス２２が固
化すると、一対の磁気コア半体４、４と溶着したまま体
積収縮し、一対の磁気コア半体４、４が第２接合ガラス
２２により相互に引きつけられるので、フロントギャッ
プＧ1を強固に接合することができる。従って、上述の
磁気ヘッド１においては、構造が複雑で外部からの応力
に対して弱いフロントギャップＧ1が第２接合ガラス２
２と第１接合ガラス２１の熱膨張係数の差によって強固
に接合されるので、フロントギャップＧ1の接合強度を
高くでき、例えば機械加工時に応力が加えられても、フ
ロントギャップＧ1に隣接する第２接合ガラス２２の割
れや、第２接合ガラス２２と磁気コア半体４、４とのは
がれを防止できる。
体４、４が、補強溝１７に配置された第１接合ガラス２
１と、巻線穴１６に配置されて第１接合ガラス２１より
も高い熱膨張係数を有する第２接合ガラス２２とを介し
て接合されており、第２接合ガラス２２が軟化状態から
固化したときの体積収縮率が、第１接合ガラス２１の体
積収縮率より大きくなるので、第２接合ガラス２２が固
化すると、一対の磁気コア半体４、４と溶着したまま体
積収縮し、一対の磁気コア半体４、４が第２接合ガラス
２２により相互に引きつけられるので、フロントギャッ
プＧ1を強固に接合することができる。従って、上述の
磁気ヘッド１においては、構造が複雑で外部からの応力
に対して弱いフロントギャップＧ1が第２接合ガラス２
２と第１接合ガラス２１の熱膨張係数の差によって強固
に接合されるので、フロントギャップＧ1の接合強度を
高くでき、例えば機械加工時に応力が加えられても、フ
ロントギャップＧ1に隣接する第２接合ガラス２２の割
れや、第２接合ガラス２２と磁気コア半体４、４とのは
がれを防止できる。
【００２７】特に、熱膨張係数比（α2／α1）が１．０
以上１．２以下の範囲であると、フロントギャップＧ1
の接合強度を高くでき、α2／α1が１．０以上１．１以
下の範囲であると、フロントギャップＧ1の接合強度を
より高くできる。
以上１．２以下の範囲であると、フロントギャップＧ1
の接合強度を高くでき、α2／α1が１．０以上１．１以
下の範囲であると、フロントギャップＧ1の接合強度を
より高くできる。
【００２８】また、第１接合ガラス２１の熱膨張係数
（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であ
れば、磁気コア半体４、４の接合時に、第１接合ガラス
２１が割れたり、第１接合ガラス２１と磁気コア半体
４、４とがはがれることがない。
（α1）と基板３の熱膨張係数（αS）との比（α1／
αS）が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であ
れば、磁気コア半体４、４の接合時に、第１接合ガラス
２１が割れたり、第１接合ガラス２１と磁気コア半体
４、４とがはがれることがない。
【００２９】次に、本発明の第２の実施形態を図面を参
照して説明する。図４に本発明の第２の実施形態である
ＭＩＧ型の磁気ヘッドを示す。尚、図４に示す構成要素
のうち、前述した図１に示す構成要素と同一の構成要素
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。この
磁気ヘッド１１１には、強磁性体である一対の磁気コア
半体１１２、１１２と、一対の磁気コア半体１１２、１
１２に挟まれるように磁気コア半体１１２、１１２の下
部１１２ａ、１１２ａと接合する第２接合ガラス２１
と、摺動面１１５に露出するフロントギャップＧ1のト
ラック幅を規制する規制溝１１７に充填されてフロント
ギャップＧ1に隣接する第１接合ガラス２２とが備えら
れている。一対の磁気コア半体の側面には金属磁性薄膜
１２３、１２３が形成されて、この金属磁性薄膜１２
３、１２３がフロントギャップＧ1において対向してい
る。一対の磁気コア半体１１２、１１２の上部１１２ｂ
の上面に摺動面１１５が形成され、この摺動面１１５の
中央部にフロントギャップＧ1が位置している。
照して説明する。図４に本発明の第２の実施形態である
ＭＩＧ型の磁気ヘッドを示す。尚、図４に示す構成要素
のうち、前述した図１に示す構成要素と同一の構成要素
には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。この
磁気ヘッド１１１には、強磁性体である一対の磁気コア
半体１１２、１１２と、一対の磁気コア半体１１２、１
１２に挟まれるように磁気コア半体１１２、１１２の下
部１１２ａ、１１２ａと接合する第２接合ガラス２１
と、摺動面１１５に露出するフロントギャップＧ1のト
ラック幅を規制する規制溝１１７に充填されてフロント
ギャップＧ1に隣接する第１接合ガラス２２とが備えら
れている。一対の磁気コア半体の側面には金属磁性薄膜
１２３、１２３が形成されて、この金属磁性薄膜１２
３、１２３がフロントギャップＧ1において対向してい
る。一対の磁気コア半体１１２、１１２の上部１１２ｂ
の上面に摺動面１１５が形成され、この摺動面１１５の
中央部にフロントギャップＧ1が位置している。
【００３０】また、フロントギャップＧ1には、金属磁
性薄膜１２３、１２３の間に挟まれた図示しないギャッ
プ層が設けられており、ＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ Ｇ
ａｐ）型の磁気ヘッドとして構成されている。金属磁性
薄膜１２３としては、フェライトよりも高透磁率を有す
る軟磁性合金が用いられ、特に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、アモルファス合金等が好ましい。
ギャップ層としては、非磁性体であるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ
3，ＣｒＳｉＯ2等が用いられる。
性薄膜１２３、１２３の間に挟まれた図示しないギャッ
プ層が設けられており、ＭＩＧ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎ Ｇ
ａｐ）型の磁気ヘッドとして構成されている。金属磁性
薄膜１２３としては、フェライトよりも高透磁率を有す
る軟磁性合金が用いられ、特に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、アモルファス合金等が好ましい。
ギャップ層としては、非磁性体であるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ
3，ＣｒＳｉＯ2等が用いられる。
【００３１】一対の磁気コア半体１１２、１１２は、例
えば酸化物強磁性体であるフェライトからなるものが好
ましい。フェライトとしては、ＭｎＺｎ系多結晶フェラ
イト、ＭｎＺｎ系単多結晶フェライト、ＭｎＺｎＳｎ系
多結晶フェライト等のようなものが、高飽和磁束密度、
高透磁率、電気抵抗が大きく渦電流損失が少ない、硬度
が高く対摩耗性に優れる等の特性を有し、磁気ヘッドの
コアとして最適である。また、一対の磁気コア半体１１
２、１１２の上部外側には、巻線溝１１８が形成され、
この巻線溝１１８に記録用の巻線１１９が巻回されてい
る。更に、一対の磁気コア半体１１２、１１２の上部外
側には、巻線溝１２０が形成され、この巻線溝１２０に
バイアス用の巻線１２１が巻回されている。
えば酸化物強磁性体であるフェライトからなるものが好
ましい。フェライトとしては、ＭｎＺｎ系多結晶フェラ
イト、ＭｎＺｎ系単多結晶フェライト、ＭｎＺｎＳｎ系
多結晶フェライト等のようなものが、高飽和磁束密度、
高透磁率、電気抵抗が大きく渦電流損失が少ない、硬度
が高く対摩耗性に優れる等の特性を有し、磁気ヘッドの
コアとして最適である。また、一対の磁気コア半体１１
２、１１２の上部外側には、巻線溝１１８が形成され、
この巻線溝１１８に記録用の巻線１１９が巻回されてい
る。更に、一対の磁気コア半体１１２、１１２の上部外
側には、巻線溝１２０が形成され、この巻線溝１２０に
バイアス用の巻線１２１が巻回されている。
【００３２】第１接合ガラス２１は、磁気コア半体１１
２、１１２の下部１１２ａ、１１２ａに設けられた補強
溝１１２ｃに充填されて、一対の磁気コア半体１１２、
１１２の下部１１２ａ、１１２ａを離間させて接合して
いる。また、磁気コア半体１１２、１１２の相対向する
側部側の上部には各々凹部が形成され、これらの凹部に
区画されて巻線穴１１６が形成されている。また、巻線
穴１１６と補強溝１１２ｃの間は、一対の磁気コア半体
１１２、１１２が金属磁性薄膜１２３、１２３を介して
突き合わされて、バックギャップＧ 2を形成している。
そして第１接合ガラス２１は、このバックギャップＧ2
に隣接している。
２、１１２の下部１１２ａ、１１２ａに設けられた補強
溝１１２ｃに充填されて、一対の磁気コア半体１１２、
１１２の下部１１２ａ、１１２ａを離間させて接合して
いる。また、磁気コア半体１１２、１１２の相対向する
側部側の上部には各々凹部が形成され、これらの凹部に
区画されて巻線穴１１６が形成されている。また、巻線
穴１１６と補強溝１１２ｃの間は、一対の磁気コア半体
１１２、１１２が金属磁性薄膜１２３、１２３を介して
突き合わされて、バックギャップＧ 2を形成している。
そして第１接合ガラス２１は、このバックギャップＧ2
に隣接している。
【００３３】上述の磁気ヘッド１１１は、一対の磁気コ
ア半体１１２、１１２が、補強溝１１２ｃに配置された
第１接合ガラス２１と、規制溝１１７に配置されて第１
接合ガラス２１よりも高い熱膨張係数を有する第２接合
ガラス２２とを介して接合されており、第２接合ガラス
２２が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１
接合ガラス２１の体積収縮率より大きくなるので、第２
接合ガラス２２が固化すると、一対の磁気コア半体１１
２、１１２と溶着したまま体積収縮し、一対の磁気コア
半体１１２、１１２が第２接合ガラス２２により相互に
引きつけられるので、フロントギャップＧ1を強固に接
合することができる。従って、上述の磁気ヘッド１１１
においては、構造が複雑で外部からの応力に対して弱い
フロントギャップＧ1が第２接合ガラス２２と第１接合
ガラス２１の熱膨張係数の差によって強固に接合される
ので、フロントギャップＧ1の接合強度を高くできる。
ア半体１１２、１１２が、補強溝１１２ｃに配置された
第１接合ガラス２１と、規制溝１１７に配置されて第１
接合ガラス２１よりも高い熱膨張係数を有する第２接合
ガラス２２とを介して接合されており、第２接合ガラス
２２が軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１
接合ガラス２１の体積収縮率より大きくなるので、第２
接合ガラス２２が固化すると、一対の磁気コア半体１１
２、１１２と溶着したまま体積収縮し、一対の磁気コア
半体１１２、１１２が第２接合ガラス２２により相互に
引きつけられるので、フロントギャップＧ1を強固に接
合することができる。従って、上述の磁気ヘッド１１１
においては、構造が複雑で外部からの応力に対して弱い
フロントギャップＧ1が第２接合ガラス２２と第１接合
ガラス２１の熱膨張係数の差によって強固に接合される
ので、フロントギャップＧ1の接合強度を高くできる。
【００３４】
【実施例】第１接合ガラス及び第２接合ガラスのそれぞ
れの熱膨張係数と、フロントギャップ付近での第２接合
ガラスの割れ、はがれ等の発生率との関係を調査した。
まず、カルシウムフェライトからなる基板に、金属磁性
膜、層間絶縁層を交互に積層してメタル磁性膜を形成し
た。そして、カルシウムフェライトからなる別の基板を
メタル磁性膜上に張り合わせて一対の積層体を形成し
た。そして、この積層体の端面に巻線溝部と補強切欠部
とを形成して一対の磁気コア半体を形成した。次に、こ
の一対の磁気コア半体をギャップ層を挟んで突き合わせ
ると共に、巻線溝部により形成された巻線穴に棒状の第
２接合ガラスを、補強切欠部により形成された補強溝に
棒状の第１接合ガラスをそれぞれ挿入し、３５〜７５０
℃の範囲まで加熱した後に室温まで冷却して第１、第２
接合ガラスを磁気コア半体に溶着させることにより一対
の磁気コア半体を接合して、図１及び図２に示すような
試料〜の磁気ヘッドを製造した。ここで、第１接合
ガラスは、熱膨張係数（α1）が１０６×１０-7〜１１
２×１０-7の範囲のものを用い、第２接合ガラスは、熱
膨張係数（α2）が１０６×１０-7〜１３０×１０-7の
範囲のものを用いた。また、カルシウムフェライトから
なる基板の熱膨張係数は、１２３×１０-7であった。得
られた試料〜の磁気ヘッドについて、第２接合ガラ
スの割れの発生及び第２接合ガラスと磁気コア半体のは
がれの発生率を不良発生率として調査した。結果を表１
及び図３に示す。
れの熱膨張係数と、フロントギャップ付近での第２接合
ガラスの割れ、はがれ等の発生率との関係を調査した。
まず、カルシウムフェライトからなる基板に、金属磁性
膜、層間絶縁層を交互に積層してメタル磁性膜を形成し
た。そして、カルシウムフェライトからなる別の基板を
メタル磁性膜上に張り合わせて一対の積層体を形成し
た。そして、この積層体の端面に巻線溝部と補強切欠部
とを形成して一対の磁気コア半体を形成した。次に、こ
の一対の磁気コア半体をギャップ層を挟んで突き合わせ
ると共に、巻線溝部により形成された巻線穴に棒状の第
２接合ガラスを、補強切欠部により形成された補強溝に
棒状の第１接合ガラスをそれぞれ挿入し、３５〜７５０
℃の範囲まで加熱した後に室温まで冷却して第１、第２
接合ガラスを磁気コア半体に溶着させることにより一対
の磁気コア半体を接合して、図１及び図２に示すような
試料〜の磁気ヘッドを製造した。ここで、第１接合
ガラスは、熱膨張係数（α1）が１０６×１０-7〜１１
２×１０-7の範囲のものを用い、第２接合ガラスは、熱
膨張係数（α2）が１０６×１０-7〜１３０×１０-7の
範囲のものを用いた。また、カルシウムフェライトから
なる基板の熱膨張係数は、１２３×１０-7であった。得
られた試料〜の磁気ヘッドについて、第２接合ガラ
スの割れの発生及び第２接合ガラスと磁気コア半体のは
がれの発生率を不良発生率として調査した。結果を表１
及び図３に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】表１及び図３から明らかなように、熱膨張
係数比（α2／α1）が０．９〜１．２の範囲であると不
良発生率が５０％以下となり、図３より、熱膨張係数比
（α 2／α1）が１．０〜１．１の範囲であると不良発生
率が３０％以下となり、熱膨張係数比（α2／α1）が
１．０６であると（試料）不良発生率が２２％となる
ことが判明した。
係数比（α2／α1）が０．９〜１．２の範囲であると不
良発生率が５０％以下となり、図３より、熱膨張係数比
（α 2／α1）が１．０〜１．１の範囲であると不良発生
率が３０％以下となり、熱膨張係数比（α2／α1）が
１．０６であると（試料）不良発生率が２２％となる
ことが判明した。
【００３７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
磁気ヘッドは、金属磁性薄膜を少なくとも具備してなる
一対の磁気コア半体が一体化されてなり、この一対の磁
気コア半体が、バックギャップに隣接する第１接合ガラ
スと、フロントギャップに隣接して該第１接合ガラスよ
りも高い熱膨張係数を有する第２接合ガラスとを介して
接合されてなり、第２接合ガラスの熱膨張係数が第１接
合ガラスの熱膨張係数より高いので、第２接合ガラスが
軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接合ガ
ラスの体積収縮率より大きくなるため、第２接合ガラス
が固化すると、一対の磁気コア半体と溶着したまま体積
収縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスに
より相互に引きつけられて、フロントギャップを強固に
接合し、フロントギャップの接合強度を高くすることが
できる。
磁気ヘッドは、金属磁性薄膜を少なくとも具備してなる
一対の磁気コア半体が一体化されてなり、この一対の磁
気コア半体が、バックギャップに隣接する第１接合ガラ
スと、フロントギャップに隣接して該第１接合ガラスよ
りも高い熱膨張係数を有する第２接合ガラスとを介して
接合されてなり、第２接合ガラスの熱膨張係数が第１接
合ガラスの熱膨張係数より高いので、第２接合ガラスが
軟化状態から固化したときの体積収縮率が、第１接合ガ
ラスの体積収縮率より大きくなるため、第２接合ガラス
が固化すると、一対の磁気コア半体と溶着したまま体積
収縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスに
より相互に引きつけられて、フロントギャップを強固に
接合し、フロントギャップの接合強度を高くすることが
できる。
【００３８】また、本発明の磁気ヘッドは、前記一対の
磁気コア半体が、複数の前記金属磁性薄膜を層間絶縁層
を介し積層されてなるメタル磁性膜が、基板で挟まれて
構成され、この一対の磁気コア半体が、互いのメタル磁
性膜を直線状に配し、かつ前記フロントギャップにギャ
ップ層を介在させて突き合わされているので、磁路がメ
タル磁性膜で構成されて、メタル磁性膜の厚さがそのま
まトラック幅となり、狭トラック化が容易となって、記
録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を防止するこ
とが可能になると共に、構成部材同士の接合箇所が多
く、外部からの応力に対して弱い構造のフロントギャッ
プの接合強度を高くすることができる。
磁気コア半体が、複数の前記金属磁性薄膜を層間絶縁層
を介し積層されてなるメタル磁性膜が、基板で挟まれて
構成され、この一対の磁気コア半体が、互いのメタル磁
性膜を直線状に配し、かつ前記フロントギャップにギャ
ップ層を介在させて突き合わされているので、磁路がメ
タル磁性膜で構成されて、メタル磁性膜の厚さがそのま
まトラック幅となり、狭トラック化が容易となって、記
録密度の向上と隣接するトラックとの干渉を防止するこ
とが可能になると共に、構成部材同士の接合箇所が多
く、外部からの応力に対して弱い構造のフロントギャッ
プの接合強度を高くすることができる。
【００３９】更に、本発明の磁気ヘッドは、前記一対の
磁気コア半体が、前記補強溝に配置されて前記バックギ
ャップに隣接する前記第１接合ガラスと、前記巻線穴に
配置されて前記フロントギャップに隣接する前記第２接
合ガラスとを介して接合されているので、第２接合ガラ
スが固化して一対の磁気コア半体と溶着したまま体積収
縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスによ
り相互に引きつけられて、フロントギャップを強固に接
合させることができる。このように、本発明の磁気ヘッ
ドにおいては、構造が複雑で外部からの応力に対して弱
いフロントギャップが第２接合ガラスと第１接合ガラス
の熱膨張係数の差によって強固に接合されるので、フロ
ントギャップＧ1の接合強度を高くできる。
磁気コア半体が、前記補強溝に配置されて前記バックギ
ャップに隣接する前記第１接合ガラスと、前記巻線穴に
配置されて前記フロントギャップに隣接する前記第２接
合ガラスとを介して接合されているので、第２接合ガラ
スが固化して一対の磁気コア半体と溶着したまま体積収
縮するため、一対の磁気コア半体が第２接合ガラスによ
り相互に引きつけられて、フロントギャップを強固に接
合させることができる。このように、本発明の磁気ヘッ
ドにおいては、構造が複雑で外部からの応力に対して弱
いフロントギャップが第２接合ガラスと第１接合ガラス
の熱膨張係数の差によって強固に接合されるので、フロ
ントギャップＧ1の接合強度を高くできる。
【００４０】また、α2／α1が１．０以上１．２以下の
範囲であれば、フロントギャップの接合強度をより高く
することができる。更に、第１接合ガラスの熱膨張係数
（α1）と基板の熱膨張係数（αS）との比（α1／αS）
が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であれば、
磁気コア半体の接合時に、第１接合ガラスが割れたり、
第１接合ガラスと磁気コア半体とがはがれることがな
い。
範囲であれば、フロントギャップの接合強度をより高く
することができる。更に、第１接合ガラスの熱膨張係数
（α1）と基板の熱膨張係数（αS）との比（α1／αS）
が、１０６／１２３〜１１２／１１５の範囲であれば、
磁気コア半体の接合時に、第１接合ガラスが割れたり、
第１接合ガラスと磁気コア半体とがはがれることがな
い。
【図１】 本発明の第１の実施形態である磁気ヘッドを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】 図１に示す磁気ヘッドのフロントギャップ付
近の拡大図である。
近の拡大図である。
【図３】 熱膨張係数比（α2／α1）と不良発生率との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図４】 本発明の第２の実施形態である磁気ヘッドを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
１、１１１ 磁気ヘッド
２ メタル磁性膜
２ａ 端部
３ 基板
３ａ 側部
４、１１２ 磁気コア半体
５ 突き合わせ面（突き合わせ部分）
５ａ 一端
５ｂ 他端
６ 巻線溝部
７ 補強切欠部
８ バックギャップ面
９ フロントギャップ面
１０、１２３ 金属磁性薄膜
１１ 層間絶縁層
１６、１１６ 巻線穴
１７、１１２ｃ 補強溝
２１ 第１接合ガラス
２２ 第２接合ガラス
Ｇ1 フロントギャップ
Ｇ2 バックギャップ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 新島 淳一
東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル
プス電気株式会社内
(72)発明者 鈴木 浩二
東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル
プス電気株式会社内
(72)発明者 青木 政男
東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アル
プス電気株式会社内
(56)参考文献 特開 平７−161011（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−305805（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−329409（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−180310（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−349017（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/127 - 5/255
Claims (2)
- 【請求項１】 一対の磁気コア半体が突き合わされるよ
うにして一体化されてなり、前記一対の磁気コア半体は、複数の金属磁性薄膜が層間
絶縁層を介して積層されてなるメタル磁性膜を有し、該
メタル磁性膜が一対の基板により挟まれて該基板の側部
側に前記メタル磁性膜の端部を位置させて構成され、こ
の一対の磁気コア半体が、互いのメタル磁性膜を直線状
に配して突き合わされ、 前記一対の磁気コア半体の突き合わせ部分に巻線穴と補
強溝とが設けられて、該巻線穴の両側にフロントギャッ
プとバックギャップが形成され、前記バックギャップが
前記巻線穴と前記補強溝との間に位置されてなり、更に
前記フロントギャップにはギャップ層が介在され、 前記一対の磁気コア半体が、前記補強溝に配置されて前
記バックギャップに隣接する第１接合ガラスと、前記巻
線穴に配置されて前記フロントギャップに隣接する前記
第１接合ガラスよりも高い熱膨張係数を有する第２接合
ガラスとを介して接合され、前記第１接合ガラスの熱膨張係数をα １とし、前記第２
接合ガラスの熱膨張係数をα ２としたとき、熱膨張係数
比（α ２／α １）が１．０以上１．２以下であり、か
つ、前記第１接合ガラスの熱膨張係数と前記基板の熱膨
張係数との比が、１０６：１２３〜１１２：１１５の範
囲である ことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 ２００〜３００℃における前記第１接合
ガラスの熱膨張係数（α １）が、１０６×１０ −７ 〜１
１２×１０ −７ の範囲であり、２００〜３００℃におけ
る前記第２接合ガラスの熱膨張係数（α ２）が、１０６
×１０ −７ 〜１３０×１０ −７ の範囲であることを特徴
とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06758499A JP3524421B2 (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 磁気ヘッド |
| US09/521,716 US6549369B1 (en) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | Multilayer film core magnetic head with bonding glasses of differing thermal expansion coefficients |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06758499A JP3524421B2 (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268311A JP2000268311A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3524421B2 true JP3524421B2 (ja) | 2004-05-10 |
Family
ID=13349124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06758499A Expired - Fee Related JP3524421B2 (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3524421B2 (ja) |
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| JP2002279608A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Mitsumi Electric Co Ltd | 薄膜型磁気ヘッド及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| DE3634305A1 (de) * | 1985-10-09 | 1987-04-16 | Canon Kk | Magnetkopf |
| US5231555A (en) * | 1988-02-25 | 1993-07-27 | Nippon Mining Co., Ltd. | Magnetic head comprising a laminated magnetic layer structure between non magnetic rock salt structure oxide substrates |
| JPH0686309B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド並びにその製造方法及び磁気記録再生装置 |
| US5222006A (en) * | 1989-06-16 | 1993-06-22 | Canon Denshi Kabushiki Kaisha | Magnetic head and core chip having a magnetic thin film |
| US5113299A (en) * | 1989-07-24 | 1992-05-12 | Pioneer Electronic Corporation | Magnetic head with improved bonding between magnetic core halves |
| US5289329A (en) * | 1989-09-27 | 1994-02-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Composite type magnetic head and magnetic recording/playback apparatus adopting the same |
| JPH0684129A (ja) | 1992-02-19 | 1994-03-25 | Sony Corp | 磁気ヘッドの製造方法 |
| JP3083224B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2000-09-04 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッド |
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| KR100385126B1 (ko) | 1994-10-31 | 2003-08-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 자기헤드 |
| EP0743635B1 (en) * | 1995-05-18 | 2001-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A magnetic head, a production method thereof, and a magnetic recording/reproduction apparatus using the same |
| JPH08329409A (ja) | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| JPH09204605A (ja) | 1996-01-29 | 1997-08-05 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
-
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- 1999-03-12 JP JP06758499A patent/JP3524421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-09 US US09/521,716 patent/US6549369B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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