JP3522165B2

JP3522165B2 - 配線基板とその製造方法

Info

Publication number: JP3522165B2
Application number: JP24449999A
Authority: JP
Inventors: 桂林
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-08-31
Filing date: 1999-08-31
Publication date: 2004-04-26
Anticipated expiration: 2019-08-31
Also published as: JP2001068818A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、多層配線
基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した配線
基板とその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、電子機器は小型化が進んでいるが、
近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち運ん
で操作するいわゆるモバイルコンピューティングの普及
によってさらに小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が
求められる傾向にある。通信機器に代表されるように、
高速動作が求められる電子機器では、配線の長さを短く
し、電気信号の伝播に要する時間を短縮することが必要
である。配線の長さを短縮するために、配線の幅を細く
し、小型、薄型且つ高精細の多層配線基板が求められる
傾向にある。

【０００３】また、半導体素子は処理する情報量の増大
につれ、情報（信号）の出し入れを行う端子数が飛躍的
に増大している。このため、シリコンチップに形成され
るパッド数（Ｉ／Ｏパッド）は増大し、シリコンチップ
下面に多数のパッドを形成する必要が生じている。この
ため、シリコンチップのＩ／Ｏパッドの密度は増加し、
パッド間の距離が２００μｍ以下になったあたりから、
必要な配線が描けなくなることが予測されている。

【０００４】そのような高密度配線の要求に対応するた
め、多層プリント配線基板の製造にあたって、ビルドア
ツプ法と呼ばれる製造方法が用いられている。このビル
ドアップ法は、ＪＰＣＡ規格では（１）ベース＋ビルド
アップ法、（２）全層ビルドアップ法の２種類に分類さ
れている。

【０００５】（１）ベース＋ビルドアップの製造方法
は、ベース基板の表面に、絶縁層を積層後、フォトレジ
スト法等によってビア加工を施し、メッキ法によって配
線回路層やビアホール導体を形成し、これを繰り返すこ
とにより多層化する方法であって微細配線の形成に適し
ている。

【０００６】（２）全層ビルドアップの製造方法は、例
えば特許２５８７５９３号公報のように、所定の絶縁シ
ートにレーザーなどでビアホールを形成し、そのビアホ
ール内に金属粉末を含む導電性ペーストを充填すること
によりビアホール導体を形成し、配線回路層間を電気的
に接続しこのように作製した配線層を繰り返して形成し
て多層化するものである。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、ビルド
アップ法の普及に伴いその問題も明らかになってきた。
第１の問題は、絶縁層を構成する樹脂の材料特性が劣る
ことである。（１）ベース＋ビルドアップ法では、絶縁
層として感光性エポキシ樹脂などが多用されるが、エポ
キシ樹脂はもともとガラス転移点が低い上に感光性とし
たことで吸水率が増加し、高温高湿放置で絶縁性が低下
するなど信頼性が低下するという問題がある。

【０００８】第２の問題は、一般に、ビアホール導体の
形成はマイクロドリルに貫通孔を形成し銅メッキ等を施
すことによって行われているが、このようなマイクロド
リルではのホール径がせいぜい０．２ｍｍ程度で、それ
より小さい貫通孔の形成ができず、ビアホール導体の設
置密度を高めることができない。

【０００９】さらに、第３の問題は、マイクロドリル加
工時に基板に対して高い応力と発熱が生じるため、ガラ
ス繊維による織布または不織布を含有する絶縁基板に貫
通孔を加工すると、加工後の貫通孔内壁には加工変質層
と呼ばれるガラス繊維と樹脂とが剥離し、隙間が生じて
いた。そのため、貫通孔内に銅メッキを施す際に、この
隙間に活性なメッキ液が侵入し、基板完成後の信頼性試
験では、この隙間を伝って金属が拡散し、ＣＡＦ（cond
uctive Anodic Filament) と呼ばれる現象により絶縁不
良を生じるという問題があった。その結果、従来の方法
では貫通孔間の間隔を狭くしてビアホール密度を上げる
ことはできなかった。

【００１０】また、貫通孔の形成にあたり、マイクロド
リルの代わりにレーザー光によって貫通孔を加工し内部
に銅メッキを行ったり、あるいは導電性ペーストを充填
して電気的接続を行うことも試みられている。

【００１１】しかし、レーザー光でも熱による加工変質
層が生じており、メッキ処理を施す場合には、マイクロ
ドリルの場合と同様にこの前記隙間部分にメッキ液が侵
入し絶縁信頼性を低下させる。また、導電性ペーストを
充填した場合には、メッキ液は侵入しないものの、加工
変質層に沿って導電性金属の粉末が隙間に侵入し、満足
な絶縁信頼性は得られなかった。

【００１２】一方、（２）全層ビルドアップ法の１つで
ある導電性ペーストで円錐形の柱を形成し、絶縁層を貫
通させる方法（特開平８−７８７９９号）ではビアピッ
チを狭くし、ビアを密集させると、円錐形の柱の貫通が
難しく、ビアホール導体間の絶縁信頼性が低下するため
高密度形成できないという問題があった。

【００１３】また、アラミド不織布−エポキシ樹脂系の
絶縁基板を用いると絶縁基板が全て樹脂で形成されるた
めにレーザーによるビア加工は容易であるが、アラミド
樹脂自体の吸湿性が高いためにエポキシ樹脂も吸湿が進
行し、ビアホール導体間の絶縁信頼性が低下するという
問題があった。

【００１４】従って、本発明は、隣接するビアホール導
体間の絶縁信頼性を高め、ビアホール導体の高密度形成
が可能な配線基板とそれを容易に作製するための製造方
法を提供することを特徴とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス繊維に
よって形成された織布または不織布に熱硬化性樹脂が含
浸されてなる絶縁基板に、貫通孔が形成されており、該
貫通孔内に金属粉末を含む導電性ペーストを充填したビ
アホール導体を具備する配線基板であって、前記ビアホ
ール導体壁面に露出している前記ガラス繊維の端部にガ
ラス繊維の平均径よりも大きい塊部を形成し、前記ビア
ホール導体壁面における前記ガラス繊維と前記熱硬化性
樹脂との界面部分が前記塊部によって封止することによ
って、ガラス繊維と樹脂との界面部分に発生している隙
間を封止していることから、この隙間にペーストが拡散
するのを防止することができる結果、ビアホール導体間
の絶縁信頼性を高めることができる。

【００１６】特に、前記各ガラス繊維端部の前記塊部は
互いに融着していることが望ましく、また、前記塊部の
最小径が前記ガラス繊維の平均径の１．２倍以上である
ことが、前記界面部分を効果的に封止する上で望まし
い。

【００１７】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、（ａ）ガラス繊維によって形成された織布または不
織布に熱硬化性樹脂が含浸されてなるプリプレグにレー
ザー光を用いて貫通孔を形成するとともに、前記貫通孔
の内壁面に露出しているガラス繊維の先端を溶融して前
記ガラス繊維の平均径よりも大きい塊部を形成する工程
と、（ｂ）前記貫通孔内に金属粉末を含有する導電性ペ
ーストを充填してビアホール導体を形成する工程と、
（ｃ）前記ビアホール導体を形成したプリプレグを加熱
しながら圧力を印加することにより、前記プリプレグ内
の熱硬化性樹脂を流動させて、前記ビアホール導体壁面
における前記ガラス繊維と前記熱硬化性樹脂との界面部
分を前記ガラス繊維端部の塊部によって封止する工程
と、（ｄ）（ｃ）工程後のプリプレグ中の前記熱硬化性
樹脂を硬化する工程と、を具備することを特徴とするも
のである。

【００１８】なお、前記塊部の径が前記ガラス繊維の平
均径の１．２倍以上であることが望ましい。また、前記
レーザー光は１ショットあたり２〜２０ｍｊのエネルギ
ーで照射して貫通孔を形成することによって前記塊部を
効果的に形成できる。また前記加熱加圧処理が、８０〜
１５０℃、１０〜５０ｋｇ／ｃｍ²の条件で行われるこ
とが望ましい。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の配線基板１は、基本構造
として、図１に示すように、ガラス繊維によって形成さ
れた織布または不織布２に熱硬化性樹脂３が含浸されて
なる絶縁基板４に、貫通孔５が形成されているものであ
って、この貫通孔５の内部には金属粉末を含む導電性ペ
ーストが充填されたビアホール導体６を有するものであ
る。そして、このビアホール導体６は絶縁基板４の表面
および裏面に形成された配線回路層７、７間を電気的に
接続するものである。

【００２０】かかる配線基板構造によれば、図２のビア
ホール導体６形成部の拡大断面図に示すように、絶縁基
板４内のガラス繊維８がビアホール導体６内に対して必
然的に露出しているが、本発明によれば、ビアホール導
体６壁面に露出しているガラス繊維８の端部がガラス繊
維の直径（平均）よりも大きい塊部９によって形成され
ているとともに、そのビアホール導体６壁面におけるガ
ラス繊維８と熱硬化性樹脂１０との界面部分１１が塊部
９によって封止されていることが重要である。

【００２１】ビアホール導体６間の絶縁不良は、前述し
たようにガラス繊維８と樹脂１０との接触界面にビアホ
ール導体６のペースト成分が侵入または拡散することに
よって生じるが、本発明によれば、ビアホール導体６壁
面におけるガラス繊維８と熱硬化性樹脂１０との界面部
分１１を塊部９によって封止することによって、この界
面部分１１を起点としてペーストが侵入するのを防止す
ることができる。

【００２２】また、この塊部９は、図２に示すように、
１本のガラス繊維の端部に独立して存在するよりも、数
本のガラス繊維の端部の塊部９が互いに融着して直径の
大きい塊部を形成していることが前記界面部分１１の封
止性を高める上で望ましい。特に、この塊部９の直径の
最小径がガラス繊維の直径の１．２倍から効果が認めら
れ１．４倍以上でさらに十分な効果が発揮される。

【００２３】本発明の配線基板における絶縁基板４を構
成する熱硬化性樹脂としては、熱硬化型ＰＰＥ（ポリフ
ェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリ
アジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド
ビスマレイミド等の樹脂が望ましい。また、この熱硬化
性樹脂中には、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等の無機質フィラ
ー粉末を配合して特性の改善を図ってもよい。

【００２４】また、ガラス繊維からなる織布または不織
布は、繊維の直径が５〜２０μｍ程度からなるものが好
適であり、このガラス繊維は絶縁基板内に３０〜６０体
積％の割合で複合化することが適当である。

【００２５】このような構造のビアホール導体を形成す
るには、図３の製造工程図を示すように、まず、ガラス
繊維１２を含有する未硬化のプリプレグ１３を準備する
（ａ）。そして、このプリプレグ１３にレーザーで貫通
孔１４を形成して、貫通孔１４の内壁面に露出している
ガラス繊維１２の先端を溶融してガラス繊維１２の平均
径よりも大きい塊部１５を形成する（ｂ）。

【００２６】また、プリプレグは、未硬化の状態で貫通
孔を形成することが必要であり、後述する加熱加圧処理
で樹脂を軟化させガラス繊維と熱硬化性樹脂との界面部
分の封止性を高めることができる。

【００２７】この時の塊部１５は、ガラス繊維１２の平
均径の１．２倍、特に１．４倍以上であることが望まし
く、さらに、上記塊部１５は、数本のガラス繊維の各端
部の塊部同士が互いに融着していることが望ましい。

【００２８】この塊部１５の大きさは、レーザーのエネ
ルギーによって変えることができ、この１ショットあた
り２〜２０ｍｊ、特に５〜１０ｍｊが望ましい。これ
は、２ｍｊよりも小さいと塊部の形成が不十分であり、
２０ｍｊを超えると、熱硬化性樹脂が焼けてしまう恐れ
がある。

【００２９】この時、レーザー光によって形成された塊
部１５は、貫通孔１４内に突出しており、その貫通孔１
４壁面におけるガラス繊維１２と熱硬化性樹脂１６との
界面部分には、隙間１７が存在したままである。

【００３０】次に、形成した貫通孔１４内に導電性ペー
ストを充填してビアホール導体１８を形成する（ｃ）。
この導電性ペーストは、銅、アルミニウム、金、銀の群
から選ばれる少なくとも１種、または２種以上の合金を
主体とする金属粉末、溶剤、熱硬化性樹脂及び硬化剤を
混練して調製される。なお、溶剤はα−テルピネオー
ル、２−オクタノールや室温で液状の熱硬化性樹脂など
が用いられる。熱硬化性樹脂及び硬化剤は絶縁シートの
硬化を妨げない同組成の樹脂もしくは同じ温度で硬化す
る樹脂が選択される。これは導電性組成物同士の硬化後
の保形性を保つために用いられる。

【００３１】次に、（ｃ）を経て作製されたビアホール
導体１８が形成されたプリプレグ１３に対して加熱加圧
処理を施す。この加熱加圧処理は、１０〜５０ｋｇ／ｃ
ｍ²の圧力を印加しながら、プリプレグ１３中の熱硬化
性樹脂が軟化するが硬化しない温度、具体的には８０〜
１５０℃で処理される。かかる加熱加圧処理によって、
図３（ｃ）に示すように、ビアホール導体１８壁面にお
ける熱硬化性樹脂１６がビアホール導体１８側に押し出
される結果、ガラス繊維１２と熱硬化性樹脂１６との界
面部分を塊部１５が封止する状態となる。

【００３２】なお、この時の加熱加圧処理は、単独で行
ってもよいが、ビアホール導体１８の少なくとも一方の
端部に配線回路層を形成するのと同時に行ってもよい。

【００３３】その場合には、プリプレグの表面および／
または裏面全面に銅箔などの金属箔１９を貼り（ｄ）、
上記の条件で加熱加圧処理を施した後、表面の銅箔をフ
ォトレジスト法によって配線回路層２０を形成する
（ｅ）。

【００３４】また、他の方法としては、あらかじめ樹脂
フィルム表面に金属箔を接着しフォトレジスト法などに
よって回路パターンを形成した後、その配線回路層を前
記プリプレグの表面に積層し、上記の条件で加熱加圧を
施した後、樹脂フィルムのみを剥離することにより配線
回路層を形成することができる。

【００３５】そして、最終的に、プリプレグ中の熱硬化
性樹脂が完全に硬化するに十分な温度に加熱することに
より、表面および裏面に配線回路層が形成され、それら
配線回路層がビアホール導体によって接続された基本的
な配線基板が作製できる。

【００３６】なお、上記の熱硬化処理は、前記加熱加圧
処理から連続して処理することによって工程の簡略化を
図ることもできる。

【００３７】さらに、前記ビアホール導体の形成前に、
貫通孔形成後のプリプレグに対して上記条件で加熱加圧
処理を施せば、ビアホール導体の充填前にガラス繊維１
２と熱硬化性樹脂１６との界面部分を塊部１５が封止す
ることができる結果、ガラス繊維１２と熱硬化性樹脂１
６との界面部分にペースト成分が侵入するのを防止する
ことができる。

【００３８】また、多層配線基板を作製するには、上記
（ａ）〜（ｅ）の工程を経て作製された完全硬化前の複
数のプリプレグを積層圧着した後、完全熱硬化すること
により多層配線基板を得ることができる。

【００３９】以上のように、本発明の配線基板によれ
ば、ビアホール導体内壁に露出しているガラス繊維の端
部に繊維径よりも大きい塊部を形成し、その塊部によっ
て前記ビアホール導体壁面における前記ガラス繊維と前
記熱硬化性樹脂との界面部分を封止しているので、マイ
グレーションの発生を抑制することができる。

【００４０】これによりビアホール導体を近接して形成
した場合においてもビアホール導体間で絶縁不良を起こ
すことがなく絶縁信頼性を向上でき、ビアホール導体の
高密度形成に対応できる。しかも、複数のガラス繊維の
塊部が融着することにより、ＣＡＦの発生はさらに少な
くなり、さらにマイグレーションが減少する。

【００４１】なお、配線基板の製造方法において、未硬
化のプリプレグに対してレーザー加工し、その後、加熱
加圧処理することにより、熱硬化性樹脂の流動性を促
し、塊部による前記ガラス繊維と前記熱硬化性樹脂との
界面部分の封止性を高めることができる。

【００４２】また、本発明の製造方法によれば、ビアホ
ール導体の形成をメッキでなく導電性ペーストの充填に
よって行うために、メッキ液中に含まれるシアンやホル
マリンなどの有害な薬物の使用量が削減でき、環境面で
もメリットがある。

【００４３】

【実施例】実施例１〜４、比較例１コア基板として熱硬化性ポリフェニレンエーテル（ＰＰ
Ｅ）に対して繊維の平均径が１０μｍのガラス織布を５
８体積％含むプリプレグにＣＯ₂レーザーでビア径１０
０μｍ、ビアピッチ２５０μｍの貫通孔を表１に示すレ
ーザー出力をもって加工し、次いで貫通孔内に平均粒径
が４μｍの表面に銀を被覆した銅粉１００重量部、セル
ロース０．２重量部、２−オクタノール１０重量部とを
混合した金属ペーストを充填してビアホール導体を形成
し、５０℃で６０分加熱して乾燥させた。

【００４４】一方、１２μｍの厚さの銅箔を接着したＰ
ＥＴからなる樹脂フィルムの銅箔に対してフォトレジス
ト法によって配線回路層を形成した。次いで、上記プリ
プレグに上記の樹脂フィルムを位置あわせして積層し、
表１に示す条件で加熱加圧し、樹脂フィルムを剥がすこ
とで、配線回路層を転写させた。

【００４５】そして、このプリプレグを３層積層、最表
面の絶縁層の表面にフッ素樹脂系の透明な離型フィルム
を貼り付けた後、真空プレス装置用いて２０ｋｇｆ／ｃ
ｍ²の圧力を加えながら２００℃で１時間加熱して熱硬
化性樹脂を完全に硬化させた。

【００４６】実施例５、６実施例１〜４と同じプリプレグに同様にしてＣＯ₂レー
ザーでビア径１００μｍ、ビアピッチ２５０μｍの貫通
孔を形成し、次いでその貫通孔に実施例１〜４で用いた
ものを同一の導電性ペーストを充填した。その後、１２
μｍの厚さの銅箔を１２０℃、３０ｋｇ／ｃｍ²で１分
間加熱加圧し、基板全面に接着し、真空プレス装置用い
て２０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を加えながら２００℃で１
時間加熱して基板を完全硬化させた。次いで、表面の銅
箔に対してフォトレジスト法によって配線回路層を形成
した。

【００４７】その後、上記の配線基板の表面に、上記と
同様にして作製したビアホール導体を有するプリプレグ
を位置あわせして積層し、１２０℃、３５ｋｇ／ｃｍ²
で加熱加圧し、２０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を加えながら
２００℃で１時間加熱して基板を完全硬化させた。

【００４８】比較例２コア基板として、実施例１と同じプリプレグを用意し
た。その後、その表裏面に１２μｍの厚さの銅箔を１２
０℃、２０ｋｇ／ｃｍ²で加熱加圧し、基板全面に接着
し、真空プレス装置用いて２０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を
加えながら２００℃で１時間加熱して基板を完全硬化さ
せた。得られた基板にマイクロドリルでビア径２００μ
ｍ、ビアピッチ３５０μｍの貫通孔加工を行い、貫通孔
内壁に銅メッキを施しビアホール導体を形成した。次い
で、表面の銅箔に対してフォトレジスト法によって配線
回路層を形成し、配線基板を作製した。

【００４９】比較例３コア基板として、実施例１と同じプリプレグを用意し
た。その後、その表裏面に１２μｍの厚さの銅箔を１２
０℃、３０ｋｇ／ｃｍ²で加熱加圧し、基板全面に接着
し、真空プレス装置用いて２０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を
加えながら２００℃で１時間加熱して基板を完全硬化さ
せた。その後、ＣＯ₂レーザーでビア径１００μｍ、ビ
アピッチ２５０μｍの貫通孔を加工し、次いで貫通孔内
に実施例１と同様の導電性ペーストを充填した。次い
で、表面の銅箔に対してフォトレジスト法によって配線
回路層を形成した。

【００５０】比較例４アラミド不織布に対してエポキシ樹脂を含浸したプリプ
レグにＣＯ₂レーザーでビア径１００μｍ、ビアピッチ
２５０μｍの貫通孔を加工し、次いで貫通孔内に実施例
１と同様の導電性ペーストを充填した。その後、１２μ
ｍの厚さの銅箔を１２０℃、３０ｋｇ／ｃｍ²で加熱加
圧し、基板全面に接着し、真空プレス装置用いて２０ｋ
ｇｆ／ｃｍ²の圧力を加えながら１７０℃で１時間加熱
して基板を完全硬化させた。次いで、表面の銅箔に対し
てフォトレジスト法によって配線回路層を形成した。そ
の後、上記の配線基板の表面に、上記と同様にして作製
したビアホール導体を有するプリプレグを位置あわせし
て積層し、４０ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を加えながら１８
０℃で１時間加熱して基板を完全硬化させた。

【００５１】（評価）得られた各配線基板のビアホール
導体またはビアホール導体を切断し断面の形状を観察
し、塊部による封止の有無、ビアホール導体内壁の露出
している繊維体の端部の塊部の径を測定し、繊維の平均
径との比率を表１に示した。

【００５２】また、各実施例、比較例についてそれぞれ
２０個の配線基板を作製し、それらを下記ａ、ｂの条件
で試験を行い、（ａ）１２０℃、２．１気圧、湿度１００％の雰囲気に
３００時間保持。

【００５３】（ｂ）１３０℃、湿度８５％、ビアホール
導体またはビアホール導体に５．５Ｖの電圧を印加し３
００時間保持。

【００５４】試験後の隣接するビアホール導体間で絶縁
不良が発生した配線基板の数を表１に示した。

【００５５】

【表１】

【００５６】表１に示すように、比較例２のように、従
来法によってマイクロドリルによって貫通孔を形成した
場合、図４に示すように、ガラス繊維２１の端部には塊
部は全く形成されておらず、その結果、ガラス繊維２１
と樹脂２２との界面の隙間２３を通じてメッキ液の侵入
が認められた。

【００５７】また、比較例３では、図５に示すようにガ
ラス繊維２４の端部に塊部２５の形成が認められるもの
のガラス繊維２４と樹脂２６との界面が封止されておら
ず、その結果、ガラス繊維２４と樹脂２６との隙間２７
に銅粉が侵入し絶縁不良を生じさせていた。

【００５８】さらに、比較例４では、図６に示すよう
に、ガラス繊維２８の端部には塊部は全く形成されてお
らず、その結果、ガラス繊維２８と樹脂２９との界面の
隙間３０を通じて水分が侵入しビアホール導体を酸化さ
せることで絶縁不良が生じていた。

【００５９】また、加熱加圧条件において、比較例１で
は圧力が弱いために、図５のようにガラス繊維２４と樹
脂２６との界面が封止されておらず、その結果、隙間に
銅粉が侵入し絶縁不良を生じさせていた。

【００６０】これらの比較例に対して、本発明に基づき
作製した配線基板は、いずれも塊部が形成され、その塊
部によってガラス繊維と樹脂との界面が封止されており
その結果、マイグレーションの発生や水分の侵入の発生
がなく、優れた接続信頼性を示した。

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
隣接するビアホール導体間のマイグレションの発生を抑
制し、導体間の絶縁信頼性を高めることができ、配線基
板に対してビアホール導体を高密度に形成することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の基本構造を説明するための
図である。

【図２】本発明の配線基板におけるビアホール導体の拡
大断面図である。

【図３】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
工程図である。

【図４】従来のビアホール導体の一例を説明するための
拡大断面図である。

【図５】従来のビアホール導体の他の例を説明するため
の拡大断面図である。

【図６】従来のビアホール導体のさらに他の例を説明す
るための拡大断面図である。

【符号の説明】

１配線基板２織布３熱硬化性樹脂４絶縁基板５貫通孔６ビアホール導体７配線回路層８ガラス繊維９塊部

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス繊維によって形成された織布または
不織布に熱硬化性樹脂が含浸されてなる絶縁基板に、貫
通孔が形成されており、該貫通孔内に金属粉末を含む導
電性ペーストを充填したビアホール導体を具備する配線
基板において、前記ビアホール導体壁面に露出している
前記ガラス繊維の端部がガラス繊維径よりも大きい塊部
によって形成されており、前記ビアホール導体壁面にお
ける前記ガラス繊維と前記熱硬化性樹脂との界面部分が
前記塊部によって封止されていることを特徴とする配線
基板。
【請求項２】前記複数のガラス繊維の前記塊部が互いに
融着していることを特徴とする請求項１記載の配線基
板。
【請求項３】前記塊部の最小径が前記ガラス繊維の平均
径の１．２倍以上であることを特徴とする請求項１記載
の配線基板。
【請求項４】（ａ）ガラス繊維によって形成された織布
または不織布に熱硬化性樹脂が含浸されてなるプリプレ
グにレーザー光を用いて貫通孔を形成するとともに、前
記貫通孔の内壁面に露出しているガラス繊維の先端を溶
融して前記ガラス繊維の平均径よりも大きい塊部を形成
する工程と、（ｂ）前記貫通孔内に金属粉末を含有する
導電性ペーストを充填してビアホール導体を形成する工
程と、（ｃ）前記ビアホール導体を形成したプリプレグ
を加熱加圧処理を施し、前記プリプレグ内の熱硬化性樹
脂を流動させて、前記ビアホール導体壁面における前記
ガラス繊維と前記熱硬化性樹脂との界面部分を前記ガラ
ス繊維端部の塊部によって封止する工程と、（ｄ）
（ｃ）工程後のプリプレグ中の前記熱硬化性樹脂を硬化
する工程と、を具備する配線基板の製造方法。
【請求項５】前記塊部の最小径が前記ガラス繊維の平均
径の１．２倍以上であることを特徴とする請求項４記載
の配線基板の製造方法。
【請求項６】前記レーザー光を１ショットあたり２〜２
０ｍｊのエネルギーで照射して貫通孔を形成することを
特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】前記加熱加圧処理が、８０〜１５０℃、１
０〜５０ｋｇ／ｃｍ²の条件で行われる請求項４記載の
配線基板の製造方法。