JP3519293B2 - 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 - Google Patents
光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径および記録ビット間
隔が小さくなるにつれて、再生特性が劣化するという欠
点がある。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径および記録ビット間
隔が小さくなるにつれて、再生特性が劣化するという欠
点がある。
【０００３】これは、目的とする記録ビット上に集光さ
れた光ビームのビーム径内に、隣接する記録ビットが入
るため、個々の記録ビットを分離して再生することがで
きなくなることが原因である。
れた光ビームのビーム径内に、隣接する記録ビットが入
るため、個々の記録ビットを分離して再生することがで
きなくなることが原因である。
【０００４】この問題を解決する手段として、磁性多層
膜を用いたさまざまな磁気的超解像再生技術が開発され
ている。これらの磁気的超解像再生技術は、磁気的なマ
スク領域を形成することにより、ビームスポットよりも
小さい磁気的なアパーチャを形成し、再生時の符号間干
渉を減少させて、光の回折限界以下の周期の信号を再生
可能とするものである。
膜を用いたさまざまな磁気的超解像再生技術が開発され
ている。これらの磁気的超解像再生技術は、磁気的なマ
スク領域を形成することにより、ビームスポットよりも
小さい磁気的なアパーチャを形成し、再生時の符号間干
渉を減少させて、光の回折限界以下の周期の信号を再生
可能とするものである。
【０００５】しかし、これらの磁気的超解像再生技術に
は、記録磁区の記録周期を小さくするにつれて、アパー
チャも小さくする必要があるため、再生信号強度が小さ
くなるという問題が存在する。
は、記録磁区の記録周期を小さくするにつれて、アパー
チャも小さくする必要があるため、再生信号強度が小さ
くなるという問題が存在する。
【０００６】この問題を解消するために、交流外部磁界
を印加することなしに磁区拡大再生を可能にする方法が
提案されている（『ＤＣ光、ＤＣ磁界による磁区拡大再
生（ＭＡＭＭＯＳ）』（１９９７年春季第４４回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集、３０ａ−ＮＦ−３、１
０６８頁））。
を印加することなしに磁区拡大再生を可能にする方法が
提案されている（『ＤＣ光、ＤＣ磁界による磁区拡大再
生（ＭＡＭＭＯＳ）』（１９９７年春季第４４回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集、３０ａ−ＮＦ−３、１
０６８頁））。
【０００７】ここで、図２８から図３０を用いて、上記
の方法に係る光磁気記録媒体について説明する。図２８
および図２９は上記光磁気記録媒体の再生時の磁化状態
を説明する平面模式図および断面模式図である。また、
図３０は上記光磁気記録媒体を適用した光磁気ディスク
の媒体構成を示す断面図である。
の方法に係る光磁気記録媒体について説明する。図２８
および図２９は上記光磁気記録媒体の再生時の磁化状態
を説明する平面模式図および断面模式図である。また、
図３０は上記光磁気記録媒体を適用した光磁気ディスク
の媒体構成を示す断面図である。
【０００８】図２９に示すように、上記光磁気記録媒体
は、再生層２０１と、再生補助層２０２と、記録層２０
４とが積層されて構成されている。再生層２０１および
再生補助層２０２は、室温において面内磁化状態であ
り、光ビーム２０５（図２８中では光ビームスポット２
０５′）の集光照射による温度上昇とともに垂直磁化状
態となる。また、記録層２０４は垂直磁化膜からなり、
磁化情報が磁区２０６・２０７の磁化方向として記録さ
れている。
は、再生層２０１と、再生補助層２０２と、記録層２０
４とが積層されて構成されている。再生層２０１および
再生補助層２０２は、室温において面内磁化状態であ
り、光ビーム２０５（図２８中では光ビームスポット２
０５′）の集光照射による温度上昇とともに垂直磁化状
態となる。また、記録層２０４は垂直磁化膜からなり、
磁化情報が磁区２０６・２０７の磁化方向として記録さ
れている。
【０００９】再生層２０１が垂直磁化状態となる温度
は、再生補助層２０２が垂直磁化状態となる温度よりも
低く設定されている。よって、光ビーム２０５により加
熱された際、再生層２０１において垂直磁化状態となる
領域である磁区２０９は、再生補助層２０２が垂直磁化
状態となる領域である磁区２０８よりも広くなる。
は、再生補助層２０２が垂直磁化状態となる温度よりも
低く設定されている。よって、光ビーム２０５により加
熱された際、再生層２０１において垂直磁化状態となる
領域である磁区２０９は、再生補助層２０２が垂直磁化
状態となる領域である磁区２０８よりも広くなる。
【００１０】光ビーム２０５の加熱によって再生補助層
２０２の垂直磁化状態となった磁区２０８の磁化方向
は、記録層２０４との交換結合により決定される。これ
により、記録層２０４および再生補助層２０２の副格子
モーメントの向きをそろえるように、記録層２０４の磁
区２０６の磁化情報が再生補助層２０２へと転写され
る。
２０２の垂直磁化状態となった磁区２０８の磁化方向
は、記録層２０４との交換結合により決定される。これ
により、記録層２０４および再生補助層２０２の副格子
モーメントの向きをそろえるように、記録層２０４の磁
区２０６の磁化情報が再生補助層２０２へと転写され
る。
【００１１】つぎに、再生補助層２０２の垂直磁化状態
となった磁区２０８の磁化情報は、再生層２０１および
再生補助層２０２の遷移（ＴＭ）モーメントの向きをそ
ろえるように、再生層２０１へと転写される。ここで、
再生層２０１において垂直磁化状態となる磁区２０９
は、再生補助層２０２が垂直磁化状態となる磁区２０８
よりも広くなっているため、再生補助層２０２の磁化状
態、すなわち、記録層２０４の磁化状態は、再生層２０
１へと拡大転写されることになる。
となった磁区２０８の磁化情報は、再生層２０１および
再生補助層２０２の遷移（ＴＭ）モーメントの向きをそ
ろえるように、再生層２０１へと転写される。ここで、
再生層２０１において垂直磁化状態となる磁区２０９
は、再生補助層２０２が垂直磁化状態となる磁区２０８
よりも広くなっているため、再生補助層２０２の磁化状
態、すなわち、記録層２０４の磁化状態は、再生層２０
１へと拡大転写されることになる。
【００１２】以上のように、上記の方法に係る光磁気記
録媒体では、記録層２０４の磁化情報が再生層２０１へ
と拡大転写されることにより、記録磁区の記録周期が小
さくなっても、大きな再生信号強度が得られることにな
る。
録媒体では、記録層２０４の磁化情報が再生層２０１へ
と拡大転写されることにより、記録磁区の記録周期が小
さくなっても、大きな再生信号強度が得られることにな
る。
【００１３】なお、図３０に示すように、上記光磁気記
録媒体は、図２９の構成に加えて、基板２１０および透
明誘電体保護層２１１と、保護層２１２とを積層するこ
とにより、光磁気ディスクを構成することが可能であ
る。
録媒体は、図２９の構成に加えて、基板２１０および透
明誘電体保護層２１１と、保護層２１２とを積層するこ
とにより、光磁気ディスクを構成することが可能であ
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法に係る磁区拡大再生可能な光磁気記録媒体では、記
録層２０４と、再生補助層２０２および再生層２０１と
が交換結合しているため、再生補助層２０２および再生
層２０１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷
移が温度上昇とともに徐々に進行し、再生分解能を向上
させることが困難となるという問題が生ずる。さらに、
温度上昇にともなう再生補助層２０２および再生層２０
１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移を安
定して行うためには、再生補助層２０２および再生層２
０１の膜厚を厚くする必要があり、膜厚増加にともない
記録再生感度が悪くなるという問題が生ずる。
方法に係る磁区拡大再生可能な光磁気記録媒体では、記
録層２０４と、再生補助層２０２および再生層２０１と
が交換結合しているため、再生補助層２０２および再生
層２０１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷
移が温度上昇とともに徐々に進行し、再生分解能を向上
させることが困難となるという問題が生ずる。さらに、
温度上昇にともなう再生補助層２０２および再生層２０
１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移を安
定して行うためには、再生補助層２０２および再生層２
０１の膜厚を厚くする必要があり、膜厚増加にともない
記録再生感度が悪くなるという問題が生ずる。
【００１５】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、再生信号振幅を低下させ
ることなく、光の回折限界以下の周期の信号を再生する
ことが可能であり、かつ、良好な記録再生感度を有する
光磁気記録媒体を提供することにある。
なされたもので、その目的は、再生信号振幅を低下させ
ることなく、光の回折限界以下の周期の信号を再生する
ことが可能であり、かつ、良好な記録再生感度を有する
光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温において面内磁
化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態とな
る再生層と、室温において面内磁化状態であり遷移温度
Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補助層と、記録
層と該再生補助層との交換結合を遮断する膜厚が０．５
ｎｍ以上４０ｎｍ以下の非磁性中間層と、該遷移温度Ｔ
ｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜からなる
該記録層とが、この順番で積層されるとともに、下記の
不等式（１） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） を満たすように設定されていることを特徴としている。
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温において面内磁
化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態とな
る再生層と、室温において面内磁化状態であり遷移温度
Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補助層と、記録
層と該再生補助層との交換結合を遮断する膜厚が０．５
ｎｍ以上４０ｎｍ以下の非磁性中間層と、該遷移温度Ｔ
ｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜からなる
該記録層とが、この順番で積層されるとともに、下記の
不等式（１） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） を満たすように設定されていることを特徴としている。
【００１７】上記の構成により、再生層および再生補助
層は、室温において面内磁化状態であり温度上昇ととも
に垂直磁化状態となるように磁気特性が設定されてい
る。また、記録層は、再生補助層が垂直磁化状態となる
ように加熱される温度の近傍において、大きな漏洩磁束
を発生するように組成調整されている。
層は、室温において面内磁化状態であり温度上昇ととも
に垂直磁化状態となるように磁気特性が設定されてい
る。また、記録層は、再生補助層が垂直磁化状態となる
ように加熱される温度の近傍において、大きな漏洩磁束
を発生するように組成調整されている。
【００１８】よって、上記光磁気記録媒体は、再生する
情報の記録されている記録層の記録磁区を中心に加熱さ
れると、加熱された記録磁区から漏洩磁束が発生する。
記録層の記録磁区から発生した漏洩磁束は、再生補助層
のトータル磁化と静磁結合することにより、記録層の記
録磁区の磁化情報が再生補助層の加熱されて垂直磁化状
態となっている領域へ転写される。ここで、記録層と再
生補助層との間に非磁性中間層を形成することによっ
て、記録層と再生補助層との交換結合を完全に遮断する
ことができるため、記録層と再生補助層との間で安定し
た静磁結合を維持することが可能となる。
情報の記録されている記録層の記録磁区を中心に加熱さ
れると、加熱された記録磁区から漏洩磁束が発生する。
記録層の記録磁区から発生した漏洩磁束は、再生補助層
のトータル磁化と静磁結合することにより、記録層の記
録磁区の磁化情報が再生補助層の加熱されて垂直磁化状
態となっている領域へ転写される。ここで、記録層と再
生補助層との間に非磁性中間層を形成することによっ
て、記録層と再生補助層との交換結合を完全に遮断する
ことができるため、記録層と再生補助層との間で安定し
た静磁結合を維持することが可能となる。
【００１９】そして、再生層が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ１が、再生補助層が垂直磁化状態となる遷移温
度Ｔｐ２よりも低く設定されているため、再生補助層に
転写された磁区は、再生層の加熱されて垂直磁化状態と
なっている領域へ交換結合により拡大転写されることに
なる。
温度Ｔｐ１が、再生補助層が垂直磁化状態となる遷移温
度Ｔｐ２よりも低く設定されているため、再生補助層に
転写された磁区は、再生層の加熱されて垂直磁化状態と
なっている領域へ交換結合により拡大転写されることに
なる。
【００２０】このように、再生層が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ１を、再生補助層が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ２よりも低く設定することによって、記録層
に記録された磁化情報を、再生補助層から再生層へ拡大
転写することができる。
遷移温度Ｔｐ１を、再生補助層が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ２よりも低く設定することによって、記録層
に記録された磁化情報を、再生補助層から再生層へ拡大
転写することができる。
【００２１】すなわち、加熱によって、再生の対象であ
る記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写され、さら
に、再生層に拡大転写された磁区のみが再生されること
になる。それゆえ、記録層に存在する記録磁区の磁化情
報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の影響を
受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再生する
ことが可能となる。
る記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写され、さら
に、再生層に拡大転写された磁区のみが再生されること
になる。それゆえ、記録層に存在する記録磁区の磁化情
報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の影響を
受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再生する
ことが可能となる。
【００２２】加えて、上記光磁気記録媒体では、再生補
助層と記録層とが強く静磁結合することにより、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。すなわ
ち、再生層および再生補助層と記録層との結合が静磁結
合であるため、再生層および再生補助層における面内磁
化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に起こり、高い
再生分解能を実現することができる。
助層と記録層とが強く静磁結合することにより、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。すなわ
ち、再生層および再生補助層と記録層との結合が静磁結
合であるため、再生層および再生補助層における面内磁
化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に起こり、高い
再生分解能を実現することができる。
【００２３】以上より、上記光磁気記録媒体では、光の
回折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合にお
いても、再生信号振幅を低下させることなく再生するこ
とが可能となる。
回折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合にお
いても、再生信号振幅を低下させることなく再生するこ
とが可能となる。
【００２４】また、本発明の光磁気記録媒体は、室温に
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直
磁化状態となる再生層と、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補
助層と、キュリー温度がＴｃであり膜厚が２０ｎｍ以上
４０ｎｍ以下の面内磁化膜からなる面内磁化層と、該遷
移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜
からなる記録層とが、この順番で積層されるとともに、
下記の不等式（１）および（２） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） Ｔｃ≦Ｔｐ２ ・・・・・ （２） を満たすように設定されていることを特徴としている。
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直
磁化状態となる再生層と、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補
助層と、キュリー温度がＴｃであり膜厚が２０ｎｍ以上
４０ｎｍ以下の面内磁化膜からなる面内磁化層と、該遷
移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜
からなる記録層とが、この順番で積層されるとともに、
下記の不等式（１）および（２） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） Ｔｃ≦Ｔｐ２ ・・・・・ （２） を満たすように設定されていることを特徴としている。
【００２５】上記の構成により、再生層および再生補助
層は、室温において面内磁化状態であり温度上昇ととも
に垂直磁化状態となるように磁気特性が設定されてい
る。また、記録層は、再生補助層が垂直磁化状態となる
ように加熱される温度の近傍において、大きな漏洩磁束
を発生するように組成調整されている。さらに、面内磁
化層は、キュリー温度が低く設定されている。
層は、室温において面内磁化状態であり温度上昇ととも
に垂直磁化状態となるように磁気特性が設定されてい
る。また、記録層は、再生補助層が垂直磁化状態となる
ように加熱される温度の近傍において、大きな漏洩磁束
を発生するように組成調整されている。さらに、面内磁
化層は、キュリー温度が低く設定されている。
【００２６】よって、上記光磁気記録媒体は、再生する
情報の記録されている記録層の記録磁区を中心に加熱さ
れると、加熱された記録磁区から漏洩磁束が発生する。
記録層の記録磁区から発生した漏洩磁束は、面内磁化層
のキュリー温度以上に加熱されて磁化が消失している領
域を介して、再生補助層のトータル磁化と静磁結合する
ことにより、記録層の記録磁区の磁化情報が再生補助層
の加熱されて垂直磁化状態となっている領域へ転写され
る。
情報の記録されている記録層の記録磁区を中心に加熱さ
れると、加熱された記録磁区から漏洩磁束が発生する。
記録層の記録磁区から発生した漏洩磁束は、面内磁化層
のキュリー温度以上に加熱されて磁化が消失している領
域を介して、再生補助層のトータル磁化と静磁結合する
ことにより、記録層の記録磁区の磁化情報が再生補助層
の加熱されて垂直磁化状態となっている領域へ転写され
る。
【００２７】ここで、記録層と再生補助層との間に、そ
のキュリー温度Ｔｃが再生補助層が面内磁化状態から垂
直磁化状態へ遷移する遷移温度Ｔｐ２近傍（Ｔｃ≦Ｔｐ
２）に設定されている面内磁化層を形成することによ
り、キュリー温度Ｔｃ以下の温度において、記録層から
発生する漏洩磁束を抑制することができる。よって、再
生補助層の遷移温度Ｔｐ２未満の温度領域の面内磁化状
態を安定化させるとともに、遷移温度Ｔｐ２以上に加熱
された領域においてのみ、記録層と再生補助層とを強く
静磁結合させることができる。したがって、再生補助層
における再生分解能を向上させることが可能となる。
のキュリー温度Ｔｃが再生補助層が面内磁化状態から垂
直磁化状態へ遷移する遷移温度Ｔｐ２近傍（Ｔｃ≦Ｔｐ
２）に設定されている面内磁化層を形成することによ
り、キュリー温度Ｔｃ以下の温度において、記録層から
発生する漏洩磁束を抑制することができる。よって、再
生補助層の遷移温度Ｔｐ２未満の温度領域の面内磁化状
態を安定化させるとともに、遷移温度Ｔｐ２以上に加熱
された領域においてのみ、記録層と再生補助層とを強く
静磁結合させることができる。したがって、再生補助層
における再生分解能を向上させることが可能となる。
【００２８】つづいて、再生層が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ１が、再生補助層が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ２よりも低く設定されているため、再生補助層
に転写された磁区は、再生層の加熱されて垂直磁化状態
となっている領域へ交換結合により拡大転写されること
になる。
移温度Ｔｐ１が、再生補助層が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ２よりも低く設定されているため、再生補助層
に転写された磁区は、再生層の加熱されて垂直磁化状態
となっている領域へ交換結合により拡大転写されること
になる。
【００２９】このように、再生層が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ１を、再生補助層が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ２よりも低く設定することによって、記録層
に記録された磁化情報を、再生補助層から再生層へ拡大
転写することができる。
遷移温度Ｔｐ１を、再生補助層が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ２よりも低く設定することによって、記録層
に記録された磁化情報を、再生補助層から再生層へ拡大
転写することができる。
【００３０】すなわち、加熱によって、再生の対象であ
る記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写され、さら
に、再生層に拡大転写された磁区のみが再生されること
になる。それゆえ、記録層に存在する記録磁区の磁化情
報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の影響を
受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再生する
ことが可能となる。
る記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写され、さら
に、再生層に拡大転写された磁区のみが再生されること
になる。それゆえ、記録層に存在する記録磁区の磁化情
報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の影響を
受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再生する
ことが可能となる。
【００３１】加えて、上記光磁気記録媒体では、再生補
助層と記録層とが強く静磁結合することにより、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。すなわ
ち、再生層および再生補助層と記録層との結合が静磁結
合であるため、再生層および再生補助層における面内磁
化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に起こり、高い
再生分解能を実現することができる。
助層と記録層とが強く静磁結合することにより、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。すなわ
ち、再生層および再生補助層と記録層との結合が静磁結
合であるため、再生層および再生補助層における面内磁
化状態から垂直磁化状態への遷移が急激に起こり、高い
再生分解能を実現することができる。
【００３２】以上より、上記光磁気記録媒体では、面内
磁化層により高い再生分解能でもって記録層から再生補
助層へ転写された磁区を再生層へ拡大転写させることに
より、高い再生分解能と良好な再生信号品質を得ること
ができる。よって、上記光磁気記録媒体では、光の回折
限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合において
も、再生信号振幅を低下させることなく再生することが
可能となる。
磁化層により高い再生分解能でもって記録層から再生補
助層へ転写された磁区を再生層へ拡大転写させることに
より、高い再生分解能と良好な再生信号品質を得ること
ができる。よって、上記光磁気記録媒体では、光の回折
限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合において
も、再生信号振幅を低下させることなく再生することが
可能となる。
【００３３】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
の面内磁化層と記録層との間に、該記録層と上記再生補
助層との交換結合を遮断する非磁性中間層が積層されて
いることを特徴としている。
の面内磁化層と記録層との間に、該記録層と上記再生補
助層との交換結合を遮断する非磁性中間層が積層されて
いることを特徴としている。
【００３４】上記の構成により、さらに、面内磁化層と
記録層との間に非磁性中間層が形成されているため、面
内磁化層と記録層との交換結合を遮断することができ
る。
記録層との間に非磁性中間層が形成されているため、面
内磁化層と記録層との交換結合を遮断することができ
る。
【００３５】これにより、上記光磁気記録媒体では、面
内磁化層の膜厚を薄くすることができる。すなわち、上
記光磁気記録媒体では、非磁性中間層を設けて面内磁化
層と記録層との交換結合を遮断することによって、面内
磁化層の膜厚がより薄い場合でも、再生補助層の面内磁
化状態を安定化させることができる。ゆえに、加熱した
領域においてのみ、記録層と再生補助層とが強く静磁結
合することになり、再生補助層における再生分解能を向
上させることが可能となる。
内磁化層の膜厚を薄くすることができる。すなわち、上
記光磁気記録媒体では、非磁性中間層を設けて面内磁化
層と記録層との交換結合を遮断することによって、面内
磁化層の膜厚がより薄い場合でも、再生補助層の面内磁
化状態を安定化させることができる。ゆえに、加熱した
領域においてのみ、記録層と再生補助層とが強く静磁結
合することになり、再生補助層における再生分解能を向
上させることが可能となる。
【００３６】ここで、記録層と再生補助層との間隔が大
きいと、記録層と再生補助層との間の静磁結合力が弱く
なり、安定した磁区の転写が困難となるため、再生信号
の品質が劣化する。そこで、非磁性中間層を設けて面内
磁化層を薄くすることで、再生信号の品質劣化を防止す
ることができる。
きいと、記録層と再生補助層との間の静磁結合力が弱く
なり、安定した磁区の転写が困難となるため、再生信号
の品質が劣化する。そこで、非磁性中間層を設けて面内
磁化層を薄くすることで、再生信号の品質劣化を防止す
ることができる。
【００３７】以上より、上記光磁気記録媒体では、非磁
性中間層を形成することによって、より高い再生分解能
を実現するために設ける面内磁化層を薄膜化することが
可能となる。したがって、上記光磁気記録媒体では、膜
厚増加の影響を抑制しながら、面内磁化層を設けて、高
い再生分解能と良好な再生信号品質を得るとともに、記
録パワーおよび再生パワーを低減することができる。
性中間層を形成することによって、より高い再生分解能
を実現するために設ける面内磁化層を薄膜化することが
可能となる。したがって、上記光磁気記録媒体では、膜
厚増加の影響を抑制しながら、面内磁化層を設けて、高
い再生分解能と良好な再生信号品質を得るとともに、記
録パワーおよび再生パワーを低減することができる。
【００３８】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
記録層とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層のキュ
リー温度よりも低いキュリー温度を有する垂直磁化膜か
らなる磁束調整層が、該記録層に隣接して積層されてい
ることを特徴としている。
記録層とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層のキュ
リー温度よりも低いキュリー温度を有する垂直磁化膜か
らなる磁束調整層が、該記録層に隣接して積層されてい
ることを特徴としている。
【００３９】上記の構成により、さらに、互いに磁気的
極性が異なる記録層と磁束調整層とを隣接して積層する
と、両層間に交換結合力が働き、両層のトータル磁化が
打ち消し合うため、両層のトータル磁化の総和である漏
洩磁束がほとんど発生しない状態を実現することができ
る。そして、磁束調整層のキュリー温度以上かつ記録層
のキュリー温度以下に加熱された領域においては、磁束
調整層のトータル磁化が存在しなくなるため、記録層の
みがトータル磁化を有することになり、記録層から漏洩
磁束が発生することになる。したがって、記録層の磁化
情報が再生補助層へ転写される温度においてのみ、記録
層から大きな漏洩磁束を発生させることが可能となる。
極性が異なる記録層と磁束調整層とを隣接して積層する
と、両層間に交換結合力が働き、両層のトータル磁化が
打ち消し合うため、両層のトータル磁化の総和である漏
洩磁束がほとんど発生しない状態を実現することができ
る。そして、磁束調整層のキュリー温度以上かつ記録層
のキュリー温度以下に加熱された領域においては、磁束
調整層のトータル磁化が存在しなくなるため、記録層の
みがトータル磁化を有することになり、記録層から漏洩
磁束が発生することになる。したがって、記録層の磁化
情報が再生補助層へ転写される温度においてのみ、記録
層から大きな漏洩磁束を発生させることが可能となる。
【００４０】特に、磁束調整層のキュリー温度と再生補
助層が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移
温度Ｔｐ２とをほぼ同じ温度に設定することができる。
これにより、再生補助層が垂直磁化状態になった領域と
記録層から漏洩磁束が発生する領域とをほぼ一致させる
ことができる。
助層が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移
温度Ｔｐ２とをほぼ同じ温度に設定することができる。
これにより、再生補助層が垂直磁化状態になった領域と
記録層から漏洩磁束が発生する領域とをほぼ一致させる
ことができる。
【００４１】以上より、上記光磁気記録媒体では、磁気
的極性が互いに異なる記録層と磁束調整層とを積層する
ことによって、漏洩磁束の最適化が可能となるため、よ
り高い再生分解能でより安定した磁区拡大再生を実現す
ることができる。
的極性が互いに異なる記録層と磁束調整層とを積層する
ことによって、漏洩磁束の最適化が可能となるため、よ
り高い再生分解能でより安定した磁区拡大再生を実現す
ることができる。
【００４２】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
遷移温度Ｔｐ１における上記記録層と上記再生層との静
磁結合力よりも、上記遷移温度Ｔｐ２における該記録層
と上記再生補助層との静磁結合力が強くなるように、該
再生層、該再生補助層、および該記録層の磁気特性が調
整されていることを特徴としている。
遷移温度Ｔｐ１における上記記録層と上記再生層との静
磁結合力よりも、上記遷移温度Ｔｐ２における該記録層
と上記再生補助層との静磁結合力が強くなるように、該
再生層、該再生補助層、および該記録層の磁気特性が調
整されていることを特徴としている。
【００４３】上記の構成により、さらに、遷移温度Ｔｐ
１において記録層から発生する漏洩磁束を遷移温度Ｔｐ
２において発生するものより弱く設定するとともに、再
生層のキュリー温度を再生補助層のキュリー温度より低
く設定する。これにより、再生層のトータル磁化を再生
補助層のトータル磁化よりも小さくして、遷移温度Ｔｐ
１での記録層と再生層との静磁結合力を遷移温度Ｔｐ２
での記録層と再生補助層との静磁結合力よりも弱くする
ことができる。
１において記録層から発生する漏洩磁束を遷移温度Ｔｐ
２において発生するものより弱く設定するとともに、再
生層のキュリー温度を再生補助層のキュリー温度より低
く設定する。これにより、再生層のトータル磁化を再生
補助層のトータル磁化よりも小さくして、遷移温度Ｔｐ
１での記録層と再生層との静磁結合力を遷移温度Ｔｐ２
での記録層と再生補助層との静磁結合力よりも弱くする
ことができる。
【００４４】よって、再生層と記録層との静磁結合力よ
りも再生補助層と記録層との静磁結合力が強くなるた
め、再生補助層と記録層とが強く静磁結合して、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。
りも再生補助層と記録層との静磁結合力が強くなるた
め、再生補助層と記録層とが強く静磁結合して、記録層
の磁化情報が再生補助層へと正確に転写される。
【００４５】このように、上記光磁気記録媒体では、記
録層と再生層との静磁結合状態および記録層と再生補助
層との静磁結合状態を最適化することが可能となるた
め、安定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが
できる。
録層と再生層との静磁結合状態および記録層と再生補助
層との静磁結合状態を最適化することが可能となるた
め、安定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが
できる。
【００４６】また、本発明の光磁気記録媒体の再生方法
は、上記の光磁気記録媒体から記録情報を再生する光磁
気記録媒体の再生方法であって、光ビームを集光照射
し、記録層の磁化情報を再生補助層ヘと転写し、再生補
助層の磁化情報を再生層へと拡大転写することを特徴と
している。
は、上記の光磁気記録媒体から記録情報を再生する光磁
気記録媒体の再生方法であって、光ビームを集光照射
し、記録層の磁化情報を再生補助層ヘと転写し、再生補
助層の磁化情報を再生層へと拡大転写することを特徴と
している。
【００４７】また、本発明の光磁気記録再生装置は、上
記の光磁気記録媒体から記録情報を再生することを特徴
としている。
記の光磁気記録媒体から記録情報を再生することを特徴
としている。
【００４８】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕
本発明の一実施の形態について図１から図５に基づいて
説明すれば、以下のとおりである。
説明すれば、以下のとおりである。
【００４９】まず、図１および図２を用いて、本実施の
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１および図２は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１および図２は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
【００５０】図２に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、非磁性
中間層３と、記録層４とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図２中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（Ｔ
Ｍ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束
の向きをそれぞれ表している。
磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、非磁性
中間層３と、記録層４とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図２中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（Ｔ
Ｍ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束
の向きをそれぞれ表している。
【００５１】上記再生層１は、室温において面内磁化状
態であり温度上昇とともに垂直磁化状態となる希土類遷
移金属合金からなる。上記再生補助層２は、室温におい
て面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態と
なる希土類遷移金属合金からなる。上記非磁性中間層３
は、非磁性膜からなる。上記記録層４は、垂直磁化膜で
ある希土類遷移金属合金からなる。
態であり温度上昇とともに垂直磁化状態となる希土類遷
移金属合金からなる。上記再生補助層２は、室温におい
て面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態と
なる希土類遷移金属合金からなる。上記非磁性中間層３
は、非磁性膜からなる。上記記録層４は、垂直磁化膜で
ある希土類遷移金属合金からなる。
【００５２】そして、再生時には、上記光磁気記録媒体
は、再生する対象である記録層４の記録磁区６を中心に
再生層１側から光ビーム５（図１中では、光ビームスポ
ット５′）が集光照射される。光ビーム５の集光照射に
よって光磁気記録媒体に形成される温度分布に応じて、
記録層４の記録磁区６から発生する漏洩磁束と再生補助
層２のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録
層４の記録磁区６の磁化情報が再生補助層２の垂直磁化
状態となった領域へと転写され、磁区８が形成される。
さらに、再生補助層２に転写された磁区８が、交換結合
力により再生層１へと拡大転写され、再生層１に磁区９
が形成される。結局、磁区９を再生することにより、記
録層４の記録磁区６の記録された情報の再生が行われ
る。
は、再生する対象である記録層４の記録磁区６を中心に
再生層１側から光ビーム５（図１中では、光ビームスポ
ット５′）が集光照射される。光ビーム５の集光照射に
よって光磁気記録媒体に形成される温度分布に応じて、
記録層４の記録磁区６から発生する漏洩磁束と再生補助
層２のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録
層４の記録磁区６の磁化情報が再生補助層２の垂直磁化
状態となった領域へと転写され、磁区８が形成される。
さらに、再生補助層２に転写された磁区８が、交換結合
力により再生層１へと拡大転写され、再生層１に磁区９
が形成される。結局、磁区９を再生することにより、記
録層４の記録磁区６の記録された情報の再生が行われ
る。
【００５３】ここで、再生層１および再生補助層２は、
室温において面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直
磁化状態となる磁気特性を実現するため、希土類（Ｒ
Ｅ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モーメントの大
きさとが釣り合う補償組成よりも、ＲＥモーメントを多
く含むＲＥｒｉｃｈ組成となっている。したがって、再
生層１および再生補助層２において、ＴＭモーメントの
向きとトータル磁化の向きとは反平行となる。
室温において面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直
磁化状態となる磁気特性を実現するため、希土類（Ｒ
Ｅ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モーメントの大
きさとが釣り合う補償組成よりも、ＲＥモーメントを多
く含むＲＥｒｉｃｈ組成となっている。したがって、再
生層１および再生補助層２において、ＴＭモーメントの
向きとトータル磁化の向きとは反平行となる。
【００５４】一方、記録層４は、温度上昇した領域にお
いて、大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されて
いることが望ましい。したがって、記録層４には、室温
近傍において補償温度を示し、室温以上の温度において
希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モー
メントの大きさとが釣り合う補償組成よりも、ＴＭモー
メントを多く含むＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜が用い
られる。この場合、記録層４のＴＭモーメントの向きと
トータル磁化の向きとは平行となる。なお、記録層４と
再生補助層２とが静磁結合する場合、両層のトータル磁
化が平行となるべく転写されるため、記録層４のＴＭモ
ーメントの向きと再生補助層２のＴＭモーメントの向き
とは反平行となる。
いて、大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されて
いることが望ましい。したがって、記録層４には、室温
近傍において補償温度を示し、室温以上の温度において
希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モー
メントの大きさとが釣り合う補償組成よりも、ＴＭモー
メントを多く含むＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜が用い
られる。この場合、記録層４のＴＭモーメントの向きと
トータル磁化の向きとは平行となる。なお、記録層４と
再生補助層２とが静磁結合する場合、両層のトータル磁
化が平行となるべく転写されるため、記録層４のＴＭモ
ーメントの向きと再生補助層２のＴＭモーメントの向き
とは反平行となる。
【００５５】さらに、再生層１は、再生補助層２に転写
された磁区８が磁区９に拡大転写される。したがって、
再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１は、再生
補助層２が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ２より、低
い温度に設定されている。
された磁区８が磁区９に拡大転写される。したがって、
再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１は、再生
補助層２が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ２より、低
い温度に設定されている。
【００５６】加えて、再生補助層２と記録層４とは強く
静磁結合して、記録層４の磁化情報が再生補助層２へと
正確に転写される。したがって、再生層１と記録層４と
の静磁結合が、再生補助層２と記録層４との静磁結合よ
り、弱くなるよう設定されている。
静磁結合して、記録層４の磁化情報が再生補助層２へと
正確に転写される。したがって、再生層１と記録層４と
の静磁結合が、再生補助層２と記録層４との静磁結合よ
り、弱くなるよう設定されている。
【００５７】すなわち、上記光磁気記録媒体では、遷移
温度Ｔｐ１近傍で記録層４から発生する漏洩磁束を遷移
温度Ｔｐ２近傍で記録層４から発生する漏洩磁束より弱
く設定するとともに、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１を
再生補助層２のキュリー温度Ｔｃ２より低く設定する。
これにより、再生層１のトータル磁化を再生補助層２の
トータル磁化よりも小さくして、遷移温度Ｔｐ１近傍で
の記録層４と再生層１との静磁結合力を、遷移温度Ｔｐ
２近傍での記録層４と再生補助層２との静磁結合力より
も弱くすることができる。したがって、再生補助層２へ
の静磁結合による転写、および再生層１への交換結合に
よる拡大転写がスムーズに行われることとなる。
温度Ｔｐ１近傍で記録層４から発生する漏洩磁束を遷移
温度Ｔｐ２近傍で記録層４から発生する漏洩磁束より弱
く設定するとともに、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１を
再生補助層２のキュリー温度Ｔｃ２より低く設定する。
これにより、再生層１のトータル磁化を再生補助層２の
トータル磁化よりも小さくして、遷移温度Ｔｐ１近傍で
の記録層４と再生層１との静磁結合力を、遷移温度Ｔｐ
２近傍での記録層４と再生補助層２との静磁結合力より
も弱くすることができる。したがって、再生補助層２へ
の静磁結合による転写、および再生層１への交換結合に
よる拡大転写がスムーズに行われることとなる。
【００５８】また、図１に示すように、光ビーム５（光
ビームスポット５′）の加熱によって、再生の対象であ
る記録磁区６の磁化状態が再生補助層２（磁区８）へと
転写され、さらに、再生層１に拡大転写された磁区９の
みが光ビーム５により再生されることになる。すなわ
ち、記録層４に存在する記録磁区６および記録磁区６以
外の記録磁区７の磁化情報は、光ビーム５により直接再
生されることはない。これにより、記録磁区６に隣接す
る記録磁区７の影響を受けずに、記録磁区６だけを再生
することができる。
ビームスポット５′）の加熱によって、再生の対象であ
る記録磁区６の磁化状態が再生補助層２（磁区８）へと
転写され、さらに、再生層１に拡大転写された磁区９の
みが光ビーム５により再生されることになる。すなわ
ち、記録層４に存在する記録磁区６および記録磁区６以
外の記録磁区７の磁化情報は、光ビーム５により直接再
生されることはない。これにより、記録磁区６に隣接す
る記録磁区７の影響を受けずに、記録磁区６だけを再生
することができる。
【００５９】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【００６０】図３に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、非磁性中間層３と、記録層４と、
保護層１２とが順次積層されて構成されている。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、非磁性中間層３と、記録層４と、
保護層１２とが順次積層されて構成されている。
【００６１】上記光磁気ディスクは、その記録方式とし
てキュリー温度記録方式が用いられる。すなわち、光源
である半導体レーザより出射した光ビーム５を、基板１
０および透明誘電体保護層１１を通して再生層１へ絞り
こみ、記録層４をキュリー温度Ｔｃ４以上に昇温する。
そして、これと同時に外部磁界を加えて記録層４の磁化
方向を制御することによって、上記光磁気ディスクへの
記録を行う。
てキュリー温度記録方式が用いられる。すなわち、光源
である半導体レーザより出射した光ビーム５を、基板１
０および透明誘電体保護層１１を通して再生層１へ絞り
こみ、記録層４をキュリー温度Ｔｃ４以上に昇温する。
そして、これと同時に外部磁界を加えて記録層４の磁化
方向を制御することによって、上記光磁気ディスクへの
記録を行う。
【００６２】また、上記光磁気ディスクの再生は、記録
時よりも弱いパワーに設定された光ビーム５を集光照射
することにより、極カー効果として知られる光磁気効果
によって行う。なお、上記の極カー効果とは、光入射表
面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の
向きが逆方向になる現象である。
時よりも弱いパワーに設定された光ビーム５を集光照射
することにより、極カー効果として知られる光磁気効果
によって行う。なお、上記の極カー効果とは、光入射表
面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の
向きが逆方向になる現象である。
【００６３】上記基板１０は、例えば、ポリカーボネー
ト等の透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜
形成表面に光ビーム５を導く案内溝等が形成されてい
る。なお、本実施の形態では、上記案内溝はランド部分
のみまたは案内溝部分のみに記録を行うための案内溝で
あってもよく、また、ランド部分および案内溝部分の両
方に記録を行うための案内溝であってもよい。
ト等の透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜
形成表面に光ビーム５を導く案内溝等が形成されてい
る。なお、本実施の形態では、上記案内溝はランド部分
のみまたは案内溝部分のみに記録を行うための案内溝で
あってもよく、また、ランド部分および案内溝部分の両
方に記録を行うための案内溝であってもよい。
【００６４】上記透明誘電体保護層１１には、ＡｌＮ，
ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3などの透明誘電体を用い
ることが望ましい。また、透明誘電体保護層１１の膜厚
は、入射する光ビーム５に対して、良好な干渉効果を実
現して、媒体の極カー回転角を増大するように設定され
る。すなわち、透明誘電体保護層１１は、光ビーム５の
波長λと、透明誘電体保護層１１の屈折率ｎとに基づい
て、膜厚が（λ／（４ｎ））程度に設定される。例え
ば、光ビーム５の波長λが６８０ｎｍである場合、透明
誘電体保護層１１の屈折率ｎが１．７〜２．５程度であ
るため、膜厚は４０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば
よい。
ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3などの透明誘電体を用い
ることが望ましい。また、透明誘電体保護層１１の膜厚
は、入射する光ビーム５に対して、良好な干渉効果を実
現して、媒体の極カー回転角を増大するように設定され
る。すなわち、透明誘電体保護層１１は、光ビーム５の
波長λと、透明誘電体保護層１１の屈折率ｎとに基づい
て、膜厚が（λ／（４ｎ））程度に設定される。例え
ば、光ビーム５の波長λが６８０ｎｍである場合、透明
誘電体保護層１１の屈折率ｎが１．７〜２．５程度であ
るため、膜厚は４０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すれば
よい。
【００６５】上記再生層１は、室温において面内磁化状
態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ１で垂直磁化
状態となり、キュリー温度Ｔｃ１まで垂直磁化状態であ
る希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ１で垂直磁化
状態となり、キュリー温度Ｔｃ１まで垂直磁化状態であ
る希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
【００６６】上記再生補助層２は、室温において面内磁
化状態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ２で垂直
磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ２まで垂直磁化状態
である希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
化状態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ２で垂直
磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ２まで垂直磁化状態
である希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
【００６７】本実施の形態では、再生層１のキュリー温
度Ｔｃ１を再生補助層２のキュリー温度Ｔｃ２よりも低
く設定して、再生層１のトータル磁化を再生補助層２の
トータル磁化よりも小さくする。これによって、再生層
１と記録層４との静磁結合よりも再生補助層２と記録層
４との静磁結合が強くなるため、記録層４の記録磁区６
の磁化情報を静磁結合により再生補助層２の磁区８へと
転写することができる。
度Ｔｃ１を再生補助層２のキュリー温度Ｔｃ２よりも低
く設定して、再生層１のトータル磁化を再生補助層２の
トータル磁化よりも小さくする。これによって、再生層
１と記録層４との静磁結合よりも再生補助層２と記録層
４との静磁結合が強くなるため、記録層４の記録磁区６
の磁化情報を静磁結合により再生補助層２の磁区８へと
転写することができる。
【００６８】また、上記再生層１が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ１は、再生補助層２が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ２よりも低く設定される。これによって、
再生補助層２の磁区８から再生層１の磁区９への磁区の
拡大転写を実現することができる。
遷移温度Ｔｐ１は、再生補助層２が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ２よりも低く設定される。これによって、
再生補助層２の磁区８から再生層１の磁区９への磁区の
拡大転写を実現することができる。
【００６９】上記再生層１のキュリー温度Ｔｃ１は、１
６０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔｃ１
＜１６０℃とした場合、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１
の低下にともなうカー回転角の低下が顕著となるため、
再生信号強度が低下し、良好な再生特性が得られなくな
る。また、Ｔｃ１＞３００℃とした場合、再生層１のキ
ュリー温度Ｔｃ１が上昇することにより、再生層１の遷
移温度Ｔｐ１近傍での再生層１の磁化が大きくなるた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍での再生層１と記録層４との静
磁結合が強くなる。これによって、再生補助層２から再
生層１への磁区の拡大転写が阻害されるため、再生ノイ
ズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
６０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔｃ１
＜１６０℃とした場合、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１
の低下にともなうカー回転角の低下が顕著となるため、
再生信号強度が低下し、良好な再生特性が得られなくな
る。また、Ｔｃ１＞３００℃とした場合、再生層１のキ
ュリー温度Ｔｃ１が上昇することにより、再生層１の遷
移温度Ｔｐ１近傍での再生層１の磁化が大きくなるた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍での再生層１と記録層４との静
磁結合が強くなる。これによって、再生補助層２から再
生層１への磁区の拡大転写が阻害されるため、再生ノイ
ズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
【００７０】また、上記再生層１が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ１は、６０℃以上１８０℃以下であること
が望ましい。Ｔｐ１＜６０℃とした場合、室温における
面内磁化状態を安定に維持することが困難となるととも
に、より広い範囲において再生層１が垂直磁化状態とな
る。これによって、光ピックアップからの漏れ磁界等の
外乱の影響を受け易くなり、安定した磁区拡大再生がで
きなくなる。また、Ｔｐ１＞１８０℃とした場合、再生
層１が垂直磁化状態となる範囲が狭くなることにより、
磁区拡大の効果が得られなくなるため、再生信号の強度
が低下して、再生信号品質の劣化が顕著となる。
遷移温度Ｔｐ１は、６０℃以上１８０℃以下であること
が望ましい。Ｔｐ１＜６０℃とした場合、室温における
面内磁化状態を安定に維持することが困難となるととも
に、より広い範囲において再生層１が垂直磁化状態とな
る。これによって、光ピックアップからの漏れ磁界等の
外乱の影響を受け易くなり、安定した磁区拡大再生がで
きなくなる。また、Ｔｐ１＞１８０℃とした場合、再生
層１が垂直磁化状態となる範囲が狭くなることにより、
磁区拡大の効果が得られなくなるため、再生信号の強度
が低下して、再生信号品質の劣化が顕著となる。
【００７１】つぎに、上記再生補助層２のキュリー温度
Ｔｃ２は、２３０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ２
＜２３０℃とした場合、再生補助層２のキュリー温度Ｔ
ｃ２の低下にともない、再生補助層２の遷移温度Ｔｐ２
近傍での再生補助層２のトータル磁化が小さくなる。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ２近傍における記録層４と再
生補助層２との静磁結合が弱くなるため、記録層４から
再生補助層２への磁区の転写が安定して実現できなくな
る。なお、キュリー温度Ｔｃ２が高いほど遷移温度Ｔｐ
２近傍での再生補助層２のトータル磁化が大きくなるた
め、記録層４と再生補助層２とのより強い静磁結合を実
現できることになるが、キュリー温度Ｔｃ２の上限は使
用する材料によって限定される。
Ｔｃ２は、２３０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ２
＜２３０℃とした場合、再生補助層２のキュリー温度Ｔ
ｃ２の低下にともない、再生補助層２の遷移温度Ｔｐ２
近傍での再生補助層２のトータル磁化が小さくなる。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ２近傍における記録層４と再
生補助層２との静磁結合が弱くなるため、記録層４から
再生補助層２への磁区の転写が安定して実現できなくな
る。なお、キュリー温度Ｔｃ２が高いほど遷移温度Ｔｐ
２近傍での再生補助層２のトータル磁化が大きくなるた
め、記録層４と再生補助層２とのより強い静磁結合を実
現できることになるが、キュリー温度Ｔｃ２の上限は使
用する材料によって限定される。
【００７２】また、上記再生補助層２が垂直磁化状態と
なる遷移温度Ｔｐ２は、少なくとも遷移温度Ｔｐ１より
も高い温度であり、かつ、記録層４のキュリー温度Ｔｃ
４よりも低い温度に設定される。具体的には、再生補助
層２の遷移温度Ｔｐ２は、１００℃以上２３０℃以下で
あることが望ましい。Ｔｐ１＜１００℃とした場合、低
い温度で再生補助層２が垂直磁化状態となるため、再生
分解能が劣化して、短いマーク長における再生信号品質
が劣化する。また、Ｔｐ２＞２３０℃とした場合、再生
補助層２が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ２と記録層
４のキュリー温度Ｔｃ４とが近づくことにより、わずか
な再生パワーの変動によっても記録層４がキュリー温度
Ｔｃ４以上に温度上昇するため、記録された情報が消去
されることになり、実用可能な再生パワーマージンが得
られない。
なる遷移温度Ｔｐ２は、少なくとも遷移温度Ｔｐ１より
も高い温度であり、かつ、記録層４のキュリー温度Ｔｃ
４よりも低い温度に設定される。具体的には、再生補助
層２の遷移温度Ｔｐ２は、１００℃以上２３０℃以下で
あることが望ましい。Ｔｐ１＜１００℃とした場合、低
い温度で再生補助層２が垂直磁化状態となるため、再生
分解能が劣化して、短いマーク長における再生信号品質
が劣化する。また、Ｔｐ２＞２３０℃とした場合、再生
補助層２が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ２と記録層
４のキュリー温度Ｔｃ４とが近づくことにより、わずか
な再生パワーの変動によっても記録層４がキュリー温度
Ｔｃ４以上に温度上昇するため、記録された情報が消去
されることになり、実用可能な再生パワーマージンが得
られない。
【００７３】また、上記再生層１の膜厚は、２０ｎｍ以
上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。再生層１の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、光ビーム
が再生層１を透過して再生補助層２において反射される
ことにより、実際に再生層１から反射される光量が少な
くなるため、再生信号強度が低下して、再生信号品質が
劣化する。また、再生層１の膜厚が６０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加により、記録感度の劣化が顕著となる。
上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。再生層１の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、光ビーム
が再生層１を透過して再生補助層２において反射される
ことにより、実際に再生層１から反射される光量が少な
くなるため、再生信号強度が低下して、再生信号品質が
劣化する。また、再生層１の膜厚が６０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加により、記録感度の劣化が顕著となる。
【００７４】また、上記再生補助層２の膜厚は、２０ｎ
ｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望ま
しい。再生補助層２の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、記
録層４から発生する漏洩磁束との静磁結合が弱くなるた
め、記録層４から再生補助層２への磁区の転写が安定し
て実現しない。また、再生補助層の膜厚が６０ｎｍより
厚い場合、膜厚増加によって、記録感度の劣化が顕著と
なる。
ｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望ま
しい。再生補助層２の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、記
録層４から発生する漏洩磁束との静磁結合が弱くなるた
め、記録層４から再生補助層２への磁区の転写が安定し
て実現しない。また、再生補助層の膜厚が６０ｎｍより
厚い場合、膜厚増加によって、記録感度の劣化が顕著と
なる。
【００７５】上述したような磁気特性を満足する再生層
１および再生補助層２としては、ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる希土類遷移金属
合金薄膜を採用することが可能である。また、材料の耐
湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴａ，
Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加してもよ
い。
１および再生補助層２としては、ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣ
ｏ，ＧｄＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる希土類遷移金属
合金薄膜を採用することが可能である。また、材料の耐
湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴａ，
Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加してもよ
い。
【００７６】上記非磁性中間層３は、記録層４と再生補
助層２との交換結合を遮断するために形成される非磁性
膜である。非磁性中間層３としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、および、これら
の非磁性金属からなる非磁性合金を用いることが可能で
ある。また、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘
電体を用いることも可能である。
助層２との交換結合を遮断するために形成される非磁性
膜である。非磁性中間層３としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、および、これら
の非磁性金属からなる非磁性合金を用いることが可能で
ある。また、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘
電体を用いることも可能である。
【００７７】上記非磁性中間層３の膜厚は、０．５ｎｍ
以上４０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。非磁性中間層３の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、
非磁性中間層３を均一に形成することができないため、
再生補助層２と記録層４との交換結合を完全に遮断して
安定した静磁結合を維持することが困難となる。また、
非磁性中間層３の膜厚が４０ｎｍより厚い場合、再生補
助層２と記録層４との間隔が大きくなるため、再生補助
層２と記録層４との間の静磁結合力が弱くなり、記録層
４から再生補助層２への安定した磁区の転写が困難とな
る。
以上４０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。非磁性中間層３の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、
非磁性中間層３を均一に形成することができないため、
再生補助層２と記録層４との交換結合を完全に遮断して
安定した静磁結合を維持することが困難となる。また、
非磁性中間層３の膜厚が４０ｎｍより厚い場合、再生補
助層２と記録層４との間隔が大きくなるため、再生補助
層２と記録層４との間の静磁結合力が弱くなり、記録層
４から再生補助層２への安定した磁区の転写が困難とな
る。
【００７８】上記記録層４は、希土類遷移金属合金から
なる垂直磁化膜であり、その補償温度Ｔcomp４が−７０
℃以上６０℃以下に設定されることが望ましい。Ｔcomp
４＜−７０℃とした場合、再生層１の遷移温度Ｔｐ１近
傍の温度において記録層４が比較的大きな磁化を持つた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍における記録層４と再生層１と
の静磁結合が強くなる。これにより、再生層１における
安定した磁区の転写拡大が阻害されるため、再生信号品
質が劣化する。また、Ｔcomp４＞６０℃とした場合、再
生補助層２の遷移温度Ｔｐ２近傍における記録層４の磁
化が小さくなるため、遷移温度Ｔｐ２近傍における記録
層４と再生補助層２との静磁結合が弱くなる。これによ
り、記録層４から再生補助層２への磁区の転写が不安定
となるため、再生信号品質が劣化する。
なる垂直磁化膜であり、その補償温度Ｔcomp４が−７０
℃以上６０℃以下に設定されることが望ましい。Ｔcomp
４＜−７０℃とした場合、再生層１の遷移温度Ｔｐ１近
傍の温度において記録層４が比較的大きな磁化を持つた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍における記録層４と再生層１と
の静磁結合が強くなる。これにより、再生層１における
安定した磁区の転写拡大が阻害されるため、再生信号品
質が劣化する。また、Ｔcomp４＞６０℃とした場合、再
生補助層２の遷移温度Ｔｐ２近傍における記録層４の磁
化が小さくなるため、遷移温度Ｔｐ２近傍における記録
層４と再生補助層２との静磁結合が弱くなる。これによ
り、記録層４から再生補助層２への磁区の転写が不安定
となるため、再生信号品質が劣化する。
【００７９】また、上記記録層４のキュリー温度Ｔｃ４
は、少なくとも再生補助層２が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ２よりも高く設定されている。具体的には、キ
ュリー温度Ｔｃ４は、１８０℃以上３００℃以下である
ことが望ましい。
は、少なくとも再生補助層２が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ２よりも高く設定されている。具体的には、キ
ュリー温度Ｔｃ４は、１８０℃以上３００℃以下である
ことが望ましい。
【００８０】Ｔｃ４＜１８０℃とした場合、キュリー温
度Ｔｃ４が低くなり過ぎるため、再生時、再生補助層２
を遷移温度Ｔｐ２以上に加熱して記録磁区６を再生補助
層２へと転写する際、わずかな温度上昇により記録層４
がキュリー温度Ｔｃ４以上に加熱されて、記録された情
報が失われる。すなわち、再生パワーマージンが狭くな
る。さらに、記録層４のキュリー温度Ｔｃ４の低下にと
もなって、記録層４から発生する漏洩磁束が小さくなる
ため、再生補助層２と記録層４との安定な静磁結合状態
を維持することが困難となり、再生信号品質が劣化す
る。
度Ｔｃ４が低くなり過ぎるため、再生時、再生補助層２
を遷移温度Ｔｐ２以上に加熱して記録磁区６を再生補助
層２へと転写する際、わずかな温度上昇により記録層４
がキュリー温度Ｔｃ４以上に加熱されて、記録された情
報が失われる。すなわち、再生パワーマージンが狭くな
る。さらに、記録層４のキュリー温度Ｔｃ４の低下にと
もなって、記録層４から発生する漏洩磁束が小さくなる
ため、再生補助層２と記録層４との安定な静磁結合状態
を維持することが困難となり、再生信号品質が劣化す
る。
【００８１】また、Ｔｃ４＞３００℃とした場合、記録
を行うためには記録層４を３００℃以上に加熱する必要
があり、記録感度の劣化が顕著になるとともに、再生層
１、再生補助層２および記録層４が３００℃以上に加熱
されるため、各磁性層の磁気特性の劣化とともに、記録
消去にともう再生信号品質の劣化が生じる。
を行うためには記録層４を３００℃以上に加熱する必要
があり、記録感度の劣化が顕著になるとともに、再生層
１、再生補助層２および記録層４が３００℃以上に加熱
されるため、各磁性層の磁気特性の劣化とともに、記録
消去にともう再生信号品質の劣化が生じる。
【００８２】上記記録層４の膜厚は、３０ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下の範囲に設定されることが望ましい。記録層
４の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層４から発生す
る漏洩磁束が小さくなるため、再生補助層２と記録層４
との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、
再生信号品質が劣化する。また、記録層４の膜厚が１２
０ｎｍより厚い場合、膜厚が増加するため、記録感度の
劣化が顕著となる。
０ｎｍ以下の範囲に設定されることが望ましい。記録層
４の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層４から発生す
る漏洩磁束が小さくなるため、再生補助層２と記録層４
との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、
再生信号品質が劣化する。また、記録層４の膜厚が１２
０ｎｍより厚い場合、膜厚が増加するため、記録感度の
劣化が顕著となる。
【００８３】上記のような磁気特性を有する記録層４と
しては、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からな
る垂直磁化膜を採用することが可能である。また、材料
の耐湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴ
ａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加しても
よい。
しては、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅ
Ｃｏ，ＴｂＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からな
る垂直磁化膜を採用することが可能である。また、材料
の耐湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料にＴ
ａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加しても
よい。
【００８４】上記保護層１２は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、またはＡｌ，Ｔｉ，
Ｔａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、
再生層１および再生補助層２および記録層４に用いる希
土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成される。
そして、保護層１２の膜厚は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に
設定される。
ＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、またはＡｌ，Ｔｉ，
Ｔａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、
再生層１および再生補助層２および記録層４に用いる希
土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成される。
そして、保護層１２の膜厚は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に
設定される。
【００８５】さらに、上記保護層１２上に、Ａｌ，Ａｌ
Ｔａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ
等からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層
１２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂
層、熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもで
きる。
Ｔａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ
等からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層
１２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂
層、熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもで
きる。
【００８６】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【００８７】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図３）の形成方法は以下のとおり
である。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図３）の形成方法は以下のとおり
である。
【００８８】第一に、Ａｌターゲットと、第１のＧｄＦ
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとを備えたスパ
ッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に形成されたポ
リカーボネート製の基板１０を配置する。そして、スパ
ッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
アルゴンと窒素との混合ガスを導入し、Ａｌターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記基板１０上にＡｌＮからなる透明誘電体保護層
１１を膜厚８０ｎｍで形成する。
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとを備えたスパ
ッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に形成されたポ
リカーボネート製の基板１０を配置する。そして、スパ
ッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、
アルゴンと窒素との混合ガスを導入し、Ａｌターゲット
に電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記基板１０上にＡｌＮからなる透明誘電体保護層
１１を膜厚８０ｎｍで形成する。
【００８９】第二に、再度、スパッタ装置内を１×１０
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、第１のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給
し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電
体保護層１１上に、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71
からなる再生層１を膜厚３０ｎｍで形成する。なお、形
成された再生層１は、室温において面内磁化状態であ
り、９０℃の温度で垂直磁化状態となり、キュリー温度
Ｔｃ１が２７０℃であった。
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、第１のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給
し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電
体保護層１１上に、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71
からなる再生層１を膜厚３０ｎｍで形成する。なお、形
成された再生層１は、室温において面内磁化状態であ
り、９０℃の温度で垂直磁化状態となり、キュリー温度
Ｔｃ１が２７０℃であった。
【００９０】第三に、引き続き、第２のＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33（Ｆｅ0.78
Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚３０ｎｍで
形成する。なお、形成された再生補助層２は、室温にお
いて面内磁化状態であり、１６０℃の温度で垂直磁化状
態となり、キュリー温度Ｔｃ２が３５０℃であった。
金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33（Ｆｅ0.78
Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚３０ｎｍで
形成する。なお、形成された再生補助層２は、室温にお
いて面内磁化状態であり、１６０℃の温度で垂直磁化状
態となり、キュリー温度Ｔｃ２が３５０℃であった。
【００９１】第四に、引き続き、Ａｌターゲットに電力
を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記
再生補助層２上に、Ａｌからなる非磁性中間層３を膜厚
１ｎｍで形成する。
を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記
再生補助層２上に、Ａｌからなる非磁性中間層３を膜厚
１ｎｍで形成する。
【００９２】第五に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84
Ｃｏ0.16）0.75からなる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成
する。なお、形成された記録層４は、補償温度が２５
℃、キュリー温度Ｔｃ４が２７０℃であり、室温からそ
のキュリー温度Ｔｃ４まで、常に、膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であった。
ゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84
Ｃｏ0.16）0.75からなる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成
する。なお、形成された記録層４は、補償温度が２５
℃、キュリー温度Ｔｃ４が２７０℃であり、室温からそ
のキュリー温度Ｔｃ４まで、常に、膜面に対して垂直方
向に磁化を有する垂直磁化膜であった。
【００９３】第六に、アルゴンと窒素との混合ガスを導
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層４上にＡｌＮからな
る保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層４上にＡｌＮからな
る保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。
【００９４】ここで、図４を用いて、各磁性層のトータ
ル磁化の温度依存性について説明する。
ル磁化の温度依存性について説明する。
【００９５】再生層１（ｃ１１）は、２５℃において面
内磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が
減少し、９０℃で垂直磁化状態となり、２７０℃（キュ
リー温度Ｔｃ１）においてトータル磁化がゼロとなる。
再生補助層２（ｃ１２）は、２５℃において面内磁化状
態であり、温度上昇にともないトータル磁化が減少し、
１６０℃で垂直磁化状態となり、３５０℃（キュリー温
度Ｔｃ２）においてトータル磁化がゼロとなる。記録層
４（ｃ１４）は、２５℃が補償温度があり、２５℃にお
いてトータル磁化がゼロであり、温度上昇とともにトー
タル磁化が増加し、１６０℃近傍の温度でトータル磁化
が最大となり、その後トータル磁化は減少し、２７０℃
（キュリー温度Ｔｃ４）において再度トータル磁化がゼ
ロとなる。
内磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が
減少し、９０℃で垂直磁化状態となり、２７０℃（キュ
リー温度Ｔｃ１）においてトータル磁化がゼロとなる。
再生補助層２（ｃ１２）は、２５℃において面内磁化状
態であり、温度上昇にともないトータル磁化が減少し、
１６０℃で垂直磁化状態となり、３５０℃（キュリー温
度Ｔｃ２）においてトータル磁化がゼロとなる。記録層
４（ｃ１４）は、２５℃が補償温度があり、２５℃にお
いてトータル磁化がゼロであり、温度上昇とともにトー
タル磁化が増加し、１６０℃近傍の温度でトータル磁化
が最大となり、その後トータル磁化は減少し、２７０℃
（キュリー温度Ｔｃ４）において再度トータル磁化がゼ
ロとなる。
【００９６】そして、再生補助層２が垂直磁化状態とな
る１６０℃（遷移温度Ｔｐ２）近傍における記録層４の
トータル磁化は、再生層１が垂直磁化状態となる温度９
０℃（遷移温度Ｔｐ１）近傍における記録層４のトータ
ル磁化より大きいことがわかる。また、遷移温度Ｔｐ２
近傍における再生補助層２のトータル磁化は、遷移温度
Ｔｐ１近傍における再生層１のトータル磁化より大きい
ことがわかる。加えて、再生補助層２が再生層１よりも
記録層４に近接している。
る１６０℃（遷移温度Ｔｐ２）近傍における記録層４の
トータル磁化は、再生層１が垂直磁化状態となる温度９
０℃（遷移温度Ｔｐ１）近傍における記録層４のトータ
ル磁化より大きいことがわかる。また、遷移温度Ｔｐ２
近傍における再生補助層２のトータル磁化は、遷移温度
Ｔｐ１近傍における再生層１のトータル磁化より大きい
ことがわかる。加えて、再生補助層２が再生層１よりも
記録層４に近接している。
【００９７】したがって、遷移温度Ｔｐ２における再生
補助層２と記録層４との静磁結合が、遷移温度Ｔｐ１に
おける再生層１と記録層４との静磁結合よりも強くなる
ため、遷移温度Ｔｐ２近傍の記録層４の磁化情報が再生
補助層２へと転写される温度（転写温度領域）におい
て、記録層４の磁化情報が静磁結合により再生補助層２
へと転写され、再生補助層２へと転写された磁化情報が
交換結合により再生層１へと拡大転写されることにな
る。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃１とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
補助層２と記録層４との静磁結合が、遷移温度Ｔｐ１に
おける再生層１と記録層４との静磁結合よりも強くなる
ため、遷移温度Ｔｐ２近傍の記録層４の磁化情報が再生
補助層２へと転写される温度（転写温度領域）におい
て、記録層４の磁化情報が静磁結合により再生補助層２
へと転写され、再生補助層２へと転写された磁化情報が
交換結合により再生層１へと拡大転写されることにな
る。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃１とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【００９８】まず、記録再生用レーザを６ｍＷで連続照
射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調すること
により、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向き磁
化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そし
て、記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２
〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調すること
により、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向き磁
化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そし
て、記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２
〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
【００９９】図５は、記録再生用レーザを２．５ｍＷで
連続照射して測定したサンプル＃１のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、従来技術（図２９，図３０）において説明し
た、記録層２０４と、再生補助層２０２および再生層２
０１との交換結合により磁区拡大再生を実現している光
磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ１とする）のＣＮＲの
マーク長依存性のグラフもあわせて示す。
連続照射して測定したサンプル＃１のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、従来技術（図２９，図３０）において説明し
た、記録層２０４と、再生補助層２０２および再生層２
０１との交換結合により磁区拡大再生を実現している光
磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ１とする）のＣＮＲの
マーク長依存性のグラフもあわせて示す。
【０１００】上記比較サンプル＃ｒ１は、図２９に示し
たように、透明誘電体保護層２１１に膜厚８０ｎｍのＡ
ｌＮを、再生層２０１に膜厚１００ｎｍのＧｄ0.30（Ｆ
ｅ0.67Ｃｏ0.33）0.70を、再生補助層２０２に膜厚１０
０ｎｍのＧｄ0.33（Ｆｅ0.67Ｃｏ0.33）0.67を、記録層
２０４に膜厚４０ｎｍのＴｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）
0.75を、保護層２１２に膜厚２０ｎｍのＡｌＮをそれぞ
れ用いた光磁気ディスクである。なお、比較サンプル＃
ｒ１では、再生層２０１および再生補助層２０２が面内
磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度は、それぞ
れ１００℃および１５０℃であった。
たように、透明誘電体保護層２１１に膜厚８０ｎｍのＡ
ｌＮを、再生層２０１に膜厚１００ｎｍのＧｄ0.30（Ｆ
ｅ0.67Ｃｏ0.33）0.70を、再生補助層２０２に膜厚１０
０ｎｍのＧｄ0.33（Ｆｅ0.67Ｃｏ0.33）0.67を、記録層
２０４に膜厚４０ｎｍのＴｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）
0.75を、保護層２１２に膜厚２０ｎｍのＡｌＮをそれぞ
れ用いた光磁気ディスクである。なお、比較サンプル＃
ｒ１では、再生層２０１および再生補助層２０２が面内
磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度は、それぞ
れ１００℃および１５０℃であった。
【０１０１】ここで、比較サンプル＃ｒ１においては、
再生層２０１および再生補助層２０２と記録層２０４と
が交換結合している。そのため、再生層２０１および再
生補助層２０２の膜厚を上記のように１００ｎｍと厚く
しなければ、室温において面内磁化状態であり温度上昇
とともに垂直磁化状態となる特性を実現することができ
なかった。よって、比較サンプル＃ｒ１は膜厚が厚いた
め、サンプル＃１よりも記録再生のために大きなレーザ
パワーが必要となる。したがって、比較サンプル＃ｒ１
の評価は、記録レーザパワーを９．４ｍＷ、再生レーザ
パワーを３．６ｍＷとして行った。
再生層２０１および再生補助層２０２と記録層２０４と
が交換結合している。そのため、再生層２０１および再
生補助層２０２の膜厚を上記のように１００ｎｍと厚く
しなければ、室温において面内磁化状態であり温度上昇
とともに垂直磁化状態となる特性を実現することができ
なかった。よって、比較サンプル＃ｒ１は膜厚が厚いた
め、サンプル＃１よりも記録再生のために大きなレーザ
パワーが必要となる。したがって、比較サンプル＃ｒ１
の評価は、記録レーザパワーを９．４ｍＷ、再生レーザ
パワーを３．６ｍＷとして行った。
【０１０２】図５に示したように、ＣＮＲについて、サ
ンプル＃１と比較サンプル＃ｒ１とを比較すると、すべ
てのマーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くな
っていることがわかる。これは、サンプル＃１におい
て、再生層１および再生補助層２と記録層４との結合が
静磁結合であるため、再生層１および再生補助層２にお
ける面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が比較サン
プル＃ｒ１より急激に起こり、再生分解能が向上したこ
とによるものである。
ンプル＃１と比較サンプル＃ｒ１とを比較すると、すべ
てのマーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くな
っていることがわかる。これは、サンプル＃１におい
て、再生層１および再生補助層２と記録層４との結合が
静磁結合であるため、再生層１および再生補助層２にお
ける面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が比較サン
プル＃ｒ１より急激に起こり、再生分解能が向上したこ
とによるものである。
【０１０３】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃１は、比較サンプル＃ｒ１と比較して、より良好な再
生信号品質および記録再生感度を備えた光磁気ディスク
であることがわかる。
＃１は、比較サンプル＃ｒ１と比較して、より良好な再
生信号品質および記録再生感度を備えた光磁気ディスク
であることがわかる。
【０１０４】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、非磁性中
間層３と、垂直磁化膜からなる記録層４とが、この順に
順次積層されており、さらに、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、非磁性中
間層３と、垂直磁化膜からなる記録層４とが、この順に
順次積層されており、さらに、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０１０５】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。
【０１０６】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
【０１０７】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
【０１０８】〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図６から図９に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜
上、前記の実施の形態１において示した部材と同一の機
能を有する部材には、同一の符号を付し、その説明を省
略する。
て説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜
上、前記の実施の形態１において示した部材と同一の機
能を有する部材には、同一の符号を付し、その説明を省
略する。
【０１０９】図７に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、前記の実施の形態１に係る光磁気記録
媒体（図２）の非磁性中間層３の位置、すなわち再生補
助層２と記録層４との間に、キュリー温度の低い面内磁
化層１３が形成されている構成である。
磁気記録媒体は、前記の実施の形態１に係る光磁気記録
媒体（図２）の非磁性中間層３の位置、すなわち再生補
助層２と記録層４との間に、キュリー温度の低い面内磁
化層１３が形成されている構成である。
【０１１０】まず、図６および図７を用いて、本実施の
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図６および図７は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図６および図７は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
【０１１１】図７に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内磁
化層１３と、記録層４とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図７中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（Ｔ
Ｍ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束
の向きをそれぞれ表している。
磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内磁
化層１３と、記録層４とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図７中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（Ｔ
Ｍ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束
の向きをそれぞれ表している。
【０１１２】上記面内磁化層１３は、再生補助層２と記
録層４との間に形成された面内磁化膜であり、そのキュ
リー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）が再生補助層２が面内磁化状
態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度Ｔｐ２近傍
（Ｔｃ１３≦Ｔｐ２）に設定されている。
録層４との間に形成された面内磁化膜であり、そのキュ
リー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）が再生補助層２が面内磁化状
態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度Ｔｐ２近傍
（Ｔｃ１３≦Ｔｐ２）に設定されている。
【０１１３】図６および図７に示すように、上記の光磁
気記録媒体は、光ビーム５（光ビームスポット５′）に
より加熱されて、記録層４に形成された記録磁区６が、
再生補助層２へと静磁結合により転写され、再生補助層
２に転写された磁区８が再生層１へと拡大転写され、再
生層１に拡大転写された磁区９が再生される。この再生
の原理は、基本的に前記の実施の形態１と同じである。
気記録媒体は、光ビーム５（光ビームスポット５′）に
より加熱されて、記録層４に形成された記録磁区６が、
再生補助層２へと静磁結合により転写され、再生補助層
２に転写された磁区８が再生層１へと拡大転写され、再
生層１に拡大転写された磁区９が再生される。この再生
の原理は、基本的に前記の実施の形態１と同じである。
【０１１４】ただし、本実施の形態では、再生補助層２
と記録層４との間に、キュリー温度Ｔｃ１３が遷移温度
Ｔｐ２近傍に設定されている上記面内磁化層１３が形成
されているため、キュリー温度Ｔｃ１３以下の温度にお
いて、記録層４から発生する漏洩磁束を抑制することが
できる。これにより、再生補助層２の面内磁化状態を安
定化されることができるため、加熱した領域においての
み、記録層４と再生補助層２とが強く静磁結合すること
になり、再生補助層２における再生分解能を向上させる
ことが可能となる。
と記録層４との間に、キュリー温度Ｔｃ１３が遷移温度
Ｔｐ２近傍に設定されている上記面内磁化層１３が形成
されているため、キュリー温度Ｔｃ１３以下の温度にお
いて、記録層４から発生する漏洩磁束を抑制することが
できる。これにより、再生補助層２の面内磁化状態を安
定化されることができるため、加熱した領域においての
み、記録層４と再生補助層２とが強く静磁結合すること
になり、再生補助層２における再生分解能を向上させる
ことが可能となる。
【０１１５】このように、上記光磁気記録媒体では、高
い再生分解能でもって再生補助層２へと転写された磁区
８が、再生層１へと拡大転写されることにより、高い再
生分解能と良好な再生信号品質を得ることが可能とな
る。
い再生分解能でもって再生補助層２へと転写された磁区
８が、再生層１へと拡大転写されることにより、高い再
生分解能と良好な再生信号品質を得ることが可能とな
る。
【０１１６】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【０１１７】図８に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、記録層４と、
保護層１２とが順次積層されて構成されている。なお、
上記の基板１０、透明誘電体保護層１１、再生層１、再
生補助層２、記録層４、保護層１２には、前記の実施の
形態１と同じ材料を同様にして用いることが可能であ
る。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、記録層４と、
保護層１２とが順次積層されて構成されている。なお、
上記の基板１０、透明誘電体保護層１１、再生層１、再
生補助層２、記録層４、保護層１２には、前記の実施の
形態１と同じ材料を同様にして用いることが可能であ
る。
【０１１８】上記面内磁化層１３は、再生補助層２が面
内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度Ｔｐ
２近傍にキュリー温度Ｔｃ１３を有する面内磁化膜であ
る。面内磁化層１３には、ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＤｙＦｅ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅ，ＧｄＮ
ｄＦｅＣｏ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる
面内磁化膜を用いることが可能である。また、そのキュ
リー温度Ｔｃ１３を調整するため、これらの材料にＴ
ａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加しても
よい。
内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度Ｔｐ
２近傍にキュリー温度Ｔｃ１３を有する面内磁化膜であ
る。面内磁化層１３には、ＧｄＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＤｙＦｅ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＮｄＦｅ，ＧｄＮ
ｄＦｅＣｏ，ＮｄＦｅ，ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる
面内磁化膜を用いることが可能である。また、そのキュ
リー温度Ｔｃ１３を調整するため、これらの材料にＴ
ａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加しても
よい。
【０１１９】そして、上記面内磁化層１３の膜厚は、２
０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。面内磁
化層１３の膜厚が２０ｎｍより小さい場合、記録層４か
ら働く交換結合により、面内磁化層１３の面内磁化状態
を安定して維持することが困難となるため、再生分解能
が低下する。また、面内磁化層が４０ｎｍより大きい場
合、再生補助層２と記録層４との間隔が大きくなること
により、再生補助層２と記録層４との間の静磁結合力が
弱くなるため、記録層４から再生補助層２への安定した
磁区の転写が困難となる。
０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。面内磁
化層１３の膜厚が２０ｎｍより小さい場合、記録層４か
ら働く交換結合により、面内磁化層１３の面内磁化状態
を安定して維持することが困難となるため、再生分解能
が低下する。また、面内磁化層が４０ｎｍより大きい場
合、再生補助層２と記録層４との間隔が大きくなること
により、再生補助層２と記録層４との間の静磁結合力が
弱くなるため、記録層４から再生補助層２への安定した
磁区の転写が困難となる。
【０１２０】さらに、上記保護層１２に、Ａｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
【０１２１】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【０１２２】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図８）の形成方法は以下のとおり
である。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図８）の形成方法は以下のとおり
である。
【０１２３】第一に、Ａｌターゲットと、第１のＧｄＦ
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合
金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有
しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１
０を配置する。
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合
金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有
しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１
０を配置する。
【０１２４】そして、前記実施の形態１に係る光磁気デ
ィスク（図３）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。さらに続けて、上記再生層１上に、Ｇ
ｄ0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２
を膜厚３０ｎｍで形成する。
ィスク（図３）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。さらに続けて、上記再生層１上に、Ｇ
ｄ0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２
を膜厚３０ｎｍで形成する。
【０１２５】第二に、引き続き、ＧｄＦｅ合金ターゲッ
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記再生補助層２上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる
面内磁化層１３を膜厚３０ｎｍで形成する。なお、形成
された面内磁化層１３は、キュリー温度Ｔｃ１３が１６
０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ１３まで、膜面
内に磁化を有する面内磁化膜であった。
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記再生補助層２上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる
面内磁化層１３を膜厚３０ｎｍで形成する。なお、形成
された面内磁化層１３は、キュリー温度Ｔｃ１３が１６
０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ１３まで、膜面
内に磁化を有する面内磁化膜であった。
【０１２６】第三に、引き続き、前記実施の形態１に係
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記面内磁化
層１３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75からな
る記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記記
録層４上にＡｌＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで
形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃２とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記面内磁化
層１３上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75からな
る記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記記
録層４上にＡｌＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで
形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃２とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０１２７】まず、記録再生用レーザを６．８ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
【０１２８】図９は、記録再生用レーザを２．９ｍＷで
連続照射して測定したサンプル＃２のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、前記実施の形態１にかかる光磁気ディスク、
すなわちサンプル＃２の面内磁化層１３の代わりに、非
磁性中間層３が形成されている光磁気ディスク（図３）
であるサンプル＃１のＣＮＲのマーク長依存性のグラフ
もあわせて示す。
連続照射して測定したサンプル＃２のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、前記実施の形態１にかかる光磁気ディスク、
すなわちサンプル＃２の面内磁化層１３の代わりに、非
磁性中間層３が形成されている光磁気ディスク（図３）
であるサンプル＃１のＣＮＲのマーク長依存性のグラフ
もあわせて示す。
【０１２９】図９に示したように、ＣＮＲについて、サ
ンプル＃２とサンプル＃１とを比較すると、長いマーク
長（０．５μｍ）において、サンプル＃１のＣＮＲがわ
ずかに高くなっているが、短いマーク長（０．２μｍ）
においては、サンプル＃２のＣＮＲがサンプル＃１のＣ
ＮＲよりも３ｄＢ程度高くなっていることがわかる。こ
れは、サンプル＃２では、面内磁化層１３を設けること
によって、再生分解能が向上し、短いマーク長において
より良好な再生信号品質が得られたことによるものであ
る。
ンプル＃２とサンプル＃１とを比較すると、長いマーク
長（０．５μｍ）において、サンプル＃１のＣＮＲがわ
ずかに高くなっているが、短いマーク長（０．２μｍ）
においては、サンプル＃２のＣＮＲがサンプル＃１のＣ
ＮＲよりも３ｄＢ程度高くなっていることがわかる。こ
れは、サンプル＃２では、面内磁化層１３を設けること
によって、再生分解能が向上し、短いマーク長において
より良好な再生信号品質が得られたことによるものであ
る。
【０１３０】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃２は、サンプル＃１と比較して、より良好な再生信号
品質を備えた光磁気ディスクであることがわかる。
＃２は、サンプル＃１と比較して、より良好な再生信号
品質を備えた光磁気ディスクであることがわかる。
【０１３１】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、垂直磁化膜からなる記録
層４とが、この順に順次積層されており、さらに、該面
内磁化層１３のキュリー温度をＴｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、垂直磁化膜からなる記録
層４とが、この順に順次積層されており、さらに、該面
内磁化層１３のキュリー温度をＴｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０１３２】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。そして、上記
光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることによ
って、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。そして、上記
光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることによ
って、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
【０１３３】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
【０１３４】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
【０１３５】〔実施の形態３〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１０から図１
３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１および２において示
した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付し、その説明を省略する。
３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１および２において示
した部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を
付し、その説明を省略する。
【０１３６】図１１に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、前記の実施の形態２に係る光磁気記
録媒体（図７）の面内磁化層１３と記録層４との間に、
非磁性中間層１４が形成されている構成である。
光磁気記録媒体は、前記の実施の形態２に係る光磁気記
録媒体（図７）の面内磁化層１３と記録層４との間に、
非磁性中間層１４が形成されている構成である。
【０１３７】まず、図１０および図１１を用いて、本実
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図１０および図１１は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図１０および図１１は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
【０１３８】図１１に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、非磁性中間層１４と、記録層４とが順次
積層されて構成されている。なお、図１１中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、非磁性中間層１４と、記録層４とが順次
積層されて構成されている。なお、図１１中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
【０１３９】上記非磁性中間層１４は、非磁性材料から
なり、面内磁化層１３と記録層４との間に形成されて、
面内磁化層１３と記録層４との交換結合を遮断する。
なり、面内磁化層１３と記録層４との間に形成されて、
面内磁化層１３と記録層４との交換結合を遮断する。
【０１４０】図１０および図１１に示すように、上記の
光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビームスポット
５′）により加熱されて、記録層４に形成された記録磁
区６が、再生補助層２へと静磁結合により転写され、再
生補助層２に転写された磁区８が再生層１へと拡大転写
され、再生層１に拡大転写された磁区９が再生される。
この再生の原理は、基本的に前記の実施の形態２と同じ
である。
光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビームスポット
５′）により加熱されて、記録層４に形成された記録磁
区６が、再生補助層２へと静磁結合により転写され、再
生補助層２に転写された磁区８が再生層１へと拡大転写
され、再生層１に拡大転写された磁区９が再生される。
この再生の原理は、基本的に前記の実施の形態２と同じ
である。
【０１４１】ただし、本実施の形態では、再生補助層２
が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度
Ｔｐ２近傍にキュリー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）を有する面
内磁化層１３と記録層４との間に非磁性中間層１４が形
成されているため、面内磁化層１３と記録層４との交換
結合を遮断することができる。これにより、膜厚のより
薄い面内磁化層１３を用いた場合においても、前記の実
施の形態２と同様な効果を得ることができる。
が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する遷移温度
Ｔｐ２近傍にキュリー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）を有する面
内磁化層１３と記録層４との間に非磁性中間層１４が形
成されているため、面内磁化層１３と記録層４との交換
結合を遮断することができる。これにより、膜厚のより
薄い面内磁化層１３を用いた場合においても、前記の実
施の形態２と同様な効果を得ることができる。
【０１４２】すなわち、上記光磁気記録媒体では、非磁
性中間層１４を設けることによって、面内磁化層１３の
膜厚がより薄い場合でも、再生補助層２の面内磁化状態
を安定化されることができるため、加熱した領域におい
てのみ、記録層４と再生補助層２とが強く静磁結合する
ことになり、再生補助層２における再生分解能を向上さ
せることが可能となる。
性中間層１４を設けることによって、面内磁化層１３の
膜厚がより薄い場合でも、再生補助層２の面内磁化状態
を安定化されることができるため、加熱した領域におい
てのみ、記録層４と再生補助層２とが強く静磁結合する
ことになり、再生補助層２における再生分解能を向上さ
せることが可能となる。
【０１４３】したがって、上記光磁気記録媒体では、よ
り高い再生分解能でもって再生補助層２へと転写された
磁区８が、再生層１へと拡大転写されるため、より高い
再生分解能とより良好な再生信号品質を得ることが可能
となる。ゆえに、上記光磁気記録媒体よれば、良好な記
録再生感度を維持しつつ、再生補助層２における再生分
解能を向上させ、短いマーク長での良好な再生信号品質
を実現することが可能となる。
り高い再生分解能でもって再生補助層２へと転写された
磁区８が、再生層１へと拡大転写されるため、より高い
再生分解能とより良好な再生信号品質を得ることが可能
となる。ゆえに、上記光磁気記録媒体よれば、良好な記
録再生感度を維持しつつ、再生補助層２における再生分
解能を向上させ、短いマーク長での良好な再生信号品質
を実現することが可能となる。
【０１４４】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【０１４５】図１２に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、非磁性中間層
１４と、記録層４と、保護層１２とが順次積層されて構
成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保護
層１１、再生層１、再生補助層２、面内磁化層１３、記
録層４、保護層１２には、前記の実施の形態２と同じ材
料を同様にして用いることが可能である。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、非磁性中間層
１４と、記録層４と、保護層１２とが順次積層されて構
成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保護
層１１、再生層１、再生補助層２、面内磁化層１３、記
録層４、保護層１２には、前記の実施の形態２と同じ材
料を同様にして用いることが可能である。
【０１４６】ただし、本実施の形態においては、非磁性
中間層１４により面内磁化層１３と記録層４との交換結
合が遮断されるため、面内磁化層１３の膜厚を前記の実
施の形態２に係る光磁気ディスク（図８）のものより薄
くすることが可能となる。具体的には、上記面内磁化層
１３の膜厚は５ｎｍ以上に設定されていることが望まし
い。ここで、面内磁化層１３の膜厚が５ｎｍより薄い場
合、面内磁化層１３が薄くすぎ、再生補助層２の温度上
昇していない領域を面内磁化状態に固定する効果が小さ
くなるため、再生分解能を向上させるという効果が得ら
れなくなる。
中間層１４により面内磁化層１３と記録層４との交換結
合が遮断されるため、面内磁化層１３の膜厚を前記の実
施の形態２に係る光磁気ディスク（図８）のものより薄
くすることが可能となる。具体的には、上記面内磁化層
１３の膜厚は５ｎｍ以上に設定されていることが望まし
い。ここで、面内磁化層１３の膜厚が５ｎｍより薄い場
合、面内磁化層１３が薄くすぎ、再生補助層２の温度上
昇していない領域を面内磁化状態に固定する効果が小さ
くなるため、再生分解能を向上させるという効果が得ら
れなくなる。
【０１４７】上記非磁性中間層１４は、記録層４と面内
磁化層１３との交換結合を遮断するために形成されるも
のであり、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等の非
磁性金属、および、これらの非磁性金属からなる非磁性
合金を用いることが可能である。また、ＡｌＮ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘電体を用いることも可能で
ある。
磁化層１３との交換結合を遮断するために形成されるも
のであり、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等の非
磁性金属、および、これらの非磁性金属からなる非磁性
合金を用いることが可能である。また、ＡｌＮ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘電体を用いることも可能で
ある。
【０１４８】上記非磁性中間層１４の膜厚は、０．５ｎ
ｍ以上に設定されていることが望ましい。非磁性中間層
１４の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、非磁性中間層１
４を均一に形成することができなくなるため、記録層４
と面内磁化層１３との交換結合を完全に遮断することが
できなくなる。
ｍ以上に設定されていることが望ましい。非磁性中間層
１４の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、非磁性中間層１
４を均一に形成することができなくなるため、記録層４
と面内磁化層１３との交換結合を完全に遮断することが
できなくなる。
【０１４９】さらに、上記の面内磁化層１３および非磁
性中間層１４の膜厚の合計が４０ｎｍ以下に設定されて
いることが望ましい。該膜厚の合計が４０ｎｍより厚い
場合、記録層４と再生補助層２との間隔が大きくなるた
め、記録層４と再生補助層２との間の静磁結合力が弱く
なる。これにより、記録層４から再生補助層２への安定
した磁区の転写が困難となるため、再生信号の品質が劣
化する。
性中間層１４の膜厚の合計が４０ｎｍ以下に設定されて
いることが望ましい。該膜厚の合計が４０ｎｍより厚い
場合、記録層４と再生補助層２との間隔が大きくなるた
め、記録層４と再生補助層２との間の静磁結合力が弱く
なる。これにより、記録層４から再生補助層２への安定
した磁区の転写が困難となるため、再生信号の品質が劣
化する。
【０１５０】さらに、上記保護層１２に、Ａｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
【０１５１】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層４の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層４のキュリー温度Ｔｃ４よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【０１５２】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図１２）の形成方法は以下のとお
りである。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図１２）の形成方法は以下のとお
りである。
【０１５３】第一に、ＡｌＳｉターゲットと、第１のＧ
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝
を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板１０を配置する。
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝
を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基
板１０を配置する。
【０１５４】そして、前記実施の形態２に係る光磁気デ
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＳ
ｉＮからなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形
成する。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ
0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を
膜厚３０ｎｍで形成する。さらに続けて、上記再生補助
層２上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を
膜厚１５ｎｍで形成する。なお、形成された面内磁化層
１３は、キュリー温度Ｔｃ１３が１６０℃であり、室温
からキュリー温度Ｔｃ１３まで、膜面内に磁化を有する
面内磁化膜であった。
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＳ
ｉＮからなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形
成する。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ
0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ
0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を
膜厚３０ｎｍで形成する。さらに続けて、上記再生補助
層２上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を
膜厚１５ｎｍで形成する。なお、形成された面内磁化層
１３は、キュリー温度Ｔｃ１３が１６０℃であり、室温
からキュリー温度Ｔｃ１３まで、膜面内に磁化を有する
面内磁化膜であった。
【０１５５】第二に、引き続き、ＡｌＳｉ合金ターゲッ
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層１３上に、ＡｌＳｉからなる非磁性
中間層１４を膜厚１ｎｍで形成する。
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記面内磁化層１３上に、ＡｌＳｉからなる非磁性
中間層１４を膜厚１ｎｍで形成する。
【０１５６】第三に、引き続き、前記実施の形態２に係
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記非磁性中
間層１４上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層４上にＡｌＳｉＮからなる保護層１２を膜厚２０
ｎｍで形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃３とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記非磁性中
間層１４上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層４を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層４上にＡｌＳｉＮからなる保護層１２を膜厚２０
ｎｍで形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃３とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０１５７】まず、記録再生用レーザを６．４ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層４に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
【０１５８】図１３は、記録再生用レーザを２．７ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃３のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、前記実施の形態２にかかる光磁気ディス
ク、すなわちサンプル＃３の非磁性中間層１４がなく、
面内磁化層１３の膜厚が大きい光磁気ディスク（図７）
であるサンプル＃２のＣＮＲのマーク長依存性のグラフ
もあわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃３のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、前記実施の形態２にかかる光磁気ディス
ク、すなわちサンプル＃３の非磁性中間層１４がなく、
面内磁化層１３の膜厚が大きい光磁気ディスク（図７）
であるサンプル＃２のＣＮＲのマーク長依存性のグラフ
もあわせて示す。
【０１５９】図１３に示したように、ＣＮＲについて、
サンプル＃３とサンプル＃２とを比較すると、同程度の
ＣＮＲが得られていることがわかる。すなわち、サンプ
ル＃３では、非磁性中間層１４を設けることにより、サ
ンプル＃２より薄い膜厚の面内磁化層１３を用いても、
再生分解能が向上し、短いマーク長において良好な再生
信号品質が得られることがわかる。
サンプル＃３とサンプル＃２とを比較すると、同程度の
ＣＮＲが得られていることがわかる。すなわち、サンプ
ル＃３では、非磁性中間層１４を設けることにより、サ
ンプル＃２より薄い膜厚の面内磁化層１３を用いても、
再生分解能が向上し、短いマーク長において良好な再生
信号品質が得られることがわかる。
【０１６０】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃３は、膜厚のより薄い面内磁化層１３を用いた場合に
おいても、良好な再生信号品質を実現することのできる
光磁気ディスクである。
＃３は、膜厚のより薄い面内磁化層１３を用いた場合に
おいても、良好な再生信号品質を実現することのできる
光磁気ディスクである。
【０１６１】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、非磁性中間層１４と、垂
直磁化膜からなる記録層４とが、この順に順次積層され
ており、さらに、該面内磁化層１３のキュリー温度をＴ
ｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、非磁性中間層１４と、垂
直磁化膜からなる記録層４とが、この順に順次積層され
ており、さらに、該面内磁化層１３のキュリー温度をＴ
ｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０１６２】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。そして、上記
光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることによ
って、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。加えて、非磁性中間層１４によって、面内磁化層１
３と記録層４との交換結合が遮断されるため、面内磁化
層１３の薄膜化が可能となり、記録パワーおよび再生パ
ワーを低減することが可能となる。
録層４に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写さ
れることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録
層４に記録した場合においても、再生信号振幅を低下さ
せることなく再生することが可能となる。そして、上記
光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることによ
って、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。加えて、非磁性中間層１４によって、面内磁化層１
３と記録層４との交換結合が遮断されるため、面内磁化
層１３の薄膜化が可能となり、記録パワーおよび再生パ
ワーを低減することが可能となる。
【０１６３】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層４と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層４と
再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再生層
１、再生補助層２、および記録層４の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
【０１６４】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
録層４と再生層１との静磁結合状態および記録層４と再
生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定した
磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
【０１６５】〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１４から図１
９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から３において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から３において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
【０１６６】図１５に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、前記の実施の形態１に係る光磁気記
録媒体（図２）の記録層４の代わりに、互いに異なる磁
気特性を有する記録層１５と磁束調整層１６とが形成さ
れている構成である。
光磁気記録媒体は、前記の実施の形態１に係る光磁気記
録媒体（図２）の記録層４の代わりに、互いに異なる磁
気特性を有する記録層１５と磁束調整層１６とが形成さ
れている構成である。
【０１６７】まず、図１４から図１６を用いて、本実施
の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１４および図１５は、上記光磁気記録媒体の再生
時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図で
ある。また、図１６は、図１５の記録層１５および磁束
調整層１６のみの再生時の磁化状態を示す拡大模式図で
ある。
の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１４および図１５は、上記光磁気記録媒体の再生
時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図で
ある。また、図１６は、図１５の記録層１５および磁束
調整層１６のみの再生時の磁化状態を示す拡大模式図で
ある。
【０１６８】図１５に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、非磁
性中間層３と、記録層１５と、磁束調整層１６とが順次
積層されて構成されている。なお、図１５中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、非磁
性中間層３と、記録層１５と、磁束調整層１６とが順次
積層されて構成されている。なお、図１５中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
【０１６９】なお、本実施の形態においては、上記の記
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図１５と逆であってもかまわな
い。
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図１５と逆であってもかまわな
い。
【０１７０】上記記録層１５は、ＴＭｒｉｃｈ組成の垂
直磁化膜である。一方、上記磁束調整層１６は、ＲＥｒ
ｉｃｈ組成の垂直磁化膜であり、記録層１５に隣接して
積層されている。そして、磁束調整層１６は、記録層１
５と磁気的極性が異なり、かつ、記録層１５のキュリー
温度Ｔｃ１５より低いキュリー温度Ｔｃ１６を有するよ
うに設定されている。
直磁化膜である。一方、上記磁束調整層１６は、ＲＥｒ
ｉｃｈ組成の垂直磁化膜であり、記録層１５に隣接して
積層されている。そして、磁束調整層１６は、記録層１
５と磁気的極性が異なり、かつ、記録層１５のキュリー
温度Ｔｃ１５より低いキュリー温度Ｔｃ１６を有するよ
うに設定されている。
【０１７１】上記光磁気記録媒体は、再生の際、光ビー
ム５によって記録磁区６を中心に加熱され、記録層１５
および磁束調整層１６の磁化状態が、図１６に示すよう
になる。なお、図１６中の各矢印は、細い黒矢印が遷移
金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、太い矢印がト
ータル磁化の向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそ
れぞれ表している。
ム５によって記録磁区６を中心に加熱され、記録層１５
および磁束調整層１６の磁化状態が、図１６に示すよう
になる。なお、図１６中の各矢印は、細い黒矢印が遷移
金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、太い矢印がト
ータル磁化の向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそ
れぞれ表している。
【０１７２】ここで、上記記録層１５は、ＴＭｒｉｃｈ
組成の垂直磁化膜であり、室温からそのキュリー温度Ｔ
ｃ１５まで常にＴＭモーメントの向きとトータル磁化の
向きとが平行となる。一方、磁束調整層１６は、ＲＥｒ
ｉｃｈ組成の垂直磁化膜であり、室温からそのキュリー
温度Ｔｃ１６まで常にＴＭモーメントの向きとトータル
磁化の向きとが反平行となる。
組成の垂直磁化膜であり、室温からそのキュリー温度Ｔ
ｃ１５まで常にＴＭモーメントの向きとトータル磁化の
向きとが平行となる。一方、磁束調整層１６は、ＲＥｒ
ｉｃｈ組成の垂直磁化膜であり、室温からそのキュリー
温度Ｔｃ１６まで常にＴＭモーメントの向きとトータル
磁化の向きとが反平行となる。
【０１７３】そして、このような記録層１５と磁束調整
層１６とが積層されることにより、図１６中の磁区７と
して示すように、記録層１５と磁束調整層１６との間に
交換結合力が働くため、両層のＴＭモーメントの向きが
平行となるようにそろえられる。このとき、記録層１５
のトータル磁化の向きと磁束調整層１６のトータル磁化
の向きとが反平行となる。その結果、記録層１５および
磁束調整層１６のトータル磁化が打ち消し合うため、両
層のトータル磁化の総和である漏洩磁束がほとんど発生
しない状態を実現することが可能となる。
層１６とが積層されることにより、図１６中の磁区７と
して示すように、記録層１５と磁束調整層１６との間に
交換結合力が働くため、両層のＴＭモーメントの向きが
平行となるようにそろえられる。このとき、記録層１５
のトータル磁化の向きと磁束調整層１６のトータル磁化
の向きとが反平行となる。その結果、記録層１５および
磁束調整層１６のトータル磁化が打ち消し合うため、両
層のトータル磁化の総和である漏洩磁束がほとんど発生
しない状態を実現することが可能となる。
【０１７４】これに対して、図１６中の記録磁区６とし
て示すように、磁束調整層１６のキュリー温度Ｔｃ１６
以上に加熱された領域（図１６中では、記録磁区６の下
方の斜線領域）においては、磁束調整層１６のトータル
磁化が存在しなくなるため、記録層１５のみがトータル
磁化を有することになる。よって、記録磁区６から漏洩
磁束が発生することになる。したがって、記録層１５の
磁化情報が再生補助層２へと転写される温度（転写温度
領域）においてのみ、記録層１５から大きな漏洩磁束を
発生させることが可能となる。
て示すように、磁束調整層１６のキュリー温度Ｔｃ１６
以上に加熱された領域（図１６中では、記録磁区６の下
方の斜線領域）においては、磁束調整層１６のトータル
磁化が存在しなくなるため、記録層１５のみがトータル
磁化を有することになる。よって、記録磁区６から漏洩
磁束が発生することになる。したがって、記録層１５の
磁化情報が再生補助層２へと転写される温度（転写温度
領域）においてのみ、記録層１５から大きな漏洩磁束を
発生させることが可能となる。
【０１７５】すなわち、図１４および図１５に示すよう
に、上記光磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記
録層１５および磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が
抑制される。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム
５（光ビームスポット５′）により加熱されると、転写
温度領域に加熱された記録磁区６からのみ漏洩磁束が発
生する。その結果、この漏洩磁束によって記録層１５の
磁化情報が再生補助層２へと転写され、その後、再生補
助層２に転写された磁区８が再生層１の磁区９へと拡大
転写される。
に、上記光磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記
録層１５および磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が
抑制される。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム
５（光ビームスポット５′）により加熱されると、転写
温度領域に加熱された記録磁区６からのみ漏洩磁束が発
生する。その結果、この漏洩磁束によって記録層１５の
磁化情報が再生補助層２へと転写され、その後、再生補
助層２に転写された磁区８が再生層１の磁区９へと拡大
転写される。
【０１７６】このように、上記光磁気記録媒体は、記録
層４（図２）の代わりに、互いに異なる磁気特性を有す
る記録層１５と磁束調整層１６とを積層することによっ
て、より高い再生分解能でもって、記録層１５から再生
補助層２への磁区の転写が行われる。したがって、上記
光磁気記録媒体によれば、高い再生分解能で安定した磁
区拡大再生を実現することができる。
層４（図２）の代わりに、互いに異なる磁気特性を有す
る記録層１５と磁束調整層１６とを積層することによっ
て、より高い再生分解能でもって、記録層１５から再生
補助層２への磁区の転写が行われる。したがって、上記
光磁気記録媒体によれば、高い再生分解能で安定した磁
区拡大再生を実現することができる。
【０１７７】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【０１７８】図１７に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、非磁性中間層３と、記録層１５
と、磁束調整層１６と、保護層１２とが順次積層されて
構成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保
護層１１、再生層１、再生補助層２、非磁性中間層３、
保護層１２には、前記の実施の形態１と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、非磁性中間層３と、記録層１５
と、磁束調整層１６と、保護層１２とが順次積層されて
構成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保
護層１１、再生層１、再生補助層２、非磁性中間層３、
保護層１２には、前記の実施の形態１と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。
【０１７９】上記の記録層１５および磁束調整層１６
は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜であり、互
いに磁気的極性が異なるように設定されている。すなわ
ち、記録層１５としてＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷移金
属合金垂直磁化膜を用いる場合には、磁束調整層１６と
してＲＥｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属合金垂直磁化膜
を用いる。反対に、記録層１５としてＲＥｒｉｃｈ組成
の希土類遷移金属合金垂直磁化膜を用いる場合には、磁
束調整層１６としてＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属
合金垂直磁化膜を用いる。
は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜であり、互
いに磁気的極性が異なるように設定されている。すなわ
ち、記録層１５としてＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷移金
属合金垂直磁化膜を用いる場合には、磁束調整層１６と
してＲＥｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属合金垂直磁化膜
を用いる。反対に、記録層１５としてＲＥｒｉｃｈ組成
の希土類遷移金属合金垂直磁化膜を用いる場合には、磁
束調整層１６としてＴＭｒｉｃｈ組成の希土類遷移金属
合金垂直磁化膜を用いる。
【０１８０】また、上記の記録層１５および磁束調整層
１６は、転写温度領域のみにおいて記録層１５から強い
漏洩磁束を発生させるため、磁束調整層１６のキュリー
温度Ｔｃ１６が記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５より
低く設定されている。また、キュリー温度Ｔｃ１６と再
生補助層２が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移す
る遷移温度Ｔｐ２とをほぼ同じ温度に設定することが望
ましい。これにより、再生補助層２が垂直磁化状態にな
った領域と記録層１５から漏洩磁束が発生する領域とを
ほぼ一致させることができる。
１６は、転写温度領域のみにおいて記録層１５から強い
漏洩磁束を発生させるため、磁束調整層１６のキュリー
温度Ｔｃ１６が記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５より
低く設定されている。また、キュリー温度Ｔｃ１６と再
生補助層２が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移す
る遷移温度Ｔｐ２とをほぼ同じ温度に設定することが望
ましい。これにより、再生補助層２が垂直磁化状態にな
った領域と記録層１５から漏洩磁束が発生する領域とを
ほぼ一致させることができる。
【０１８１】さらに、上記記録層１５の膜厚を３０ｎｍ
以上に、上記磁束調整層１６の膜厚を１０ｎｍ以上に、
記録層１５と磁束調整層１６との膜厚の合計を１２０ｎ
ｍ以下にそれぞれ設定することが望ましい。記録層１５
の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層１５が発生する
漏洩磁束が小さくなるため、再生補助層２と記録層１５
との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、
再生信号品質が劣化する。また、磁束調整層１６の膜厚
が１０ｎｍより薄い場合、磁束調整層１６の膜厚減少に
ともない、記録層１５から発生する漏洩磁束の調整が十
分に行えないため、短いマーク長において良好な再生信
号品質を得ることができなくなる。また、記録層１５と
磁束調整層１６との膜厚の合計が１２０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となる。
以上に、上記磁束調整層１６の膜厚を１０ｎｍ以上に、
記録層１５と磁束調整層１６との膜厚の合計を１２０ｎ
ｍ以下にそれぞれ設定することが望ましい。記録層１５
の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層１５が発生する
漏洩磁束が小さくなるため、再生補助層２と記録層１５
との安定な静磁結合状態を維持することが困難となり、
再生信号品質が劣化する。また、磁束調整層１６の膜厚
が１０ｎｍより薄い場合、磁束調整層１６の膜厚減少に
ともない、記録層１５から発生する漏洩磁束の調整が十
分に行えないため、短いマーク長において良好な再生信
号品質を得ることができなくなる。また、記録層１５と
磁束調整層１６との膜厚の合計が１２０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となる。
【０１８２】そして、上記のような磁気特性を満足する
記録層１５および磁束調整層１６としては、ＴｂＦｅ，
ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からなる垂直磁化膜を採
用することが可能である。また、材料の耐湿性および耐
酸化性を改善するために、これらの材料にＴａ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加してもよい。
記録層１５および磁束調整層１６としては、ＴｂＦｅ，
ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦ
ｅ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料からなる垂直磁化膜を採
用することが可能である。また、材料の耐湿性および耐
酸化性を改善するために、これらの材料にＴａ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ等の金属元素を添加してもよい。
【０１８３】さらに、上記保護層１２に、Ａｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
【０１８４】また、低磁界記録を目的として、記録層１
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
【０１８５】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図１７）の形成方法は以下のとお
りである。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図１７）の形成方法は以下のとお
りである。
【０１８６】第一に、Ａｌターゲットと、第１のＧｄＦ
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案
内溝を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板１０を配置する。
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏ合金ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案
内溝を有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板１０を配置する。
【０１８７】そして、前記実施の形態１に係る光磁気デ
ィスク（図３）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33
（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２上に、
Ａｌからなる非磁性中間層３を膜厚１ｎｍで形成する。
ィスク（図３）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33
（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２上に、
Ａｌからなる非磁性中間層３を膜厚１ｎｍで形成する。
【０１８８】第二に、引き続き、ＴｂＦｅＣｏ合金ター
ゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84
Ｃｏ0.16）0.78からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形
成する。なお、形成された記録層１５は、ＴＭｒｉｃｈ
組成の垂直磁化膜である。そして、記録層１５は、補償
温度が０℃であり、キュリー温度Ｔｃ１５が２８０℃で
あり、室温からそのキュリー温度Ｔｃ１５まで常に垂直
磁化状態となるように設定されている。
ゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記非磁性中間層３上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84
Ｃｏ0.16）0.78からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形
成する。なお、形成された記録層１５は、ＴＭｒｉｃｈ
組成の垂直磁化膜である。そして、記録層１５は、補償
温度が０℃であり、キュリー温度Ｔｃ１５が２８０℃で
あり、室温からそのキュリー温度Ｔｃ１５まで常に垂直
磁化状態となるように設定されている。
【０１８９】第三に、引き続き、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金
ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒ
ｒの条件で、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）
0.29（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６
を膜厚４０ｎｍで形成する。なお、形成された磁束調整
層１６は、ＲＥｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜である。そし
て、磁束調整層１６は、キュリー温度Ｔｃ１６が１６０
℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ１６まで常に垂直
磁化状態となるように設定されている。
ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒ
ｒの条件で、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）
0.29（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６
を膜厚４０ｎｍで形成する。なお、形成された磁束調整
層１６は、ＲＥｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜である。そし
て、磁束調整層１６は、キュリー温度Ｔｃ１６が１６０
℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ１６まで常に垂直
磁化状態となるように設定されている。
【０１９０】第四に、アルゴンと窒素との混合ガスを導
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記磁束調整層１６上にＡｌＮ
からなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。
入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１
０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記磁束調整層１６上にＡｌＮ
からなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。
【０１９１】ここで、図１８を用いて、上記の記録層１
５および磁束調整層１６によるトータル磁化の温度依存
性について説明する。
５および磁束調整層１６によるトータル磁化の温度依存
性について説明する。
【０１９２】なお、記録層１５と磁束調整層１６との磁
気的極性が異なるため、記録層１５のトータルモーメン
トＭ１５と磁束調整層１６のトータルモーメントＭ１６
の向きは反平行となっている。そこで、記録層１５のト
ータルモーメントＭ１５を正の値で、磁束調整層１６の
トータルモーメントＭ１６を負の値で示す。さらに、記
録層１５の膜厚（６０ｎｍ）と磁束調整層１６の膜厚
（４０ｎｍ）とを考慮すると、記録層１５と磁束調整層
１６とを積層した時のトータル磁化Ｍｔは、両層のトー
タルモーメントに基づいて、Ｍｔ＝Ｍ１５＋Ｍ１６×
（４０／６０）となる。
気的極性が異なるため、記録層１５のトータルモーメン
トＭ１５と磁束調整層１６のトータルモーメントＭ１６
の向きは反平行となっている。そこで、記録層１５のト
ータルモーメントＭ１５を正の値で、磁束調整層１６の
トータルモーメントＭ１６を負の値で示す。さらに、記
録層１５の膜厚（６０ｎｍ）と磁束調整層１６の膜厚
（４０ｎｍ）とを考慮すると、記録層１５と磁束調整層
１６とを積層した時のトータル磁化Ｍｔは、両層のトー
タルモーメントに基づいて、Ｍｔ＝Ｍ１５＋Ｍ１６×
（４０／６０）となる。
【０１９３】図１８に示したように、トータルモーメン
トＭ１５とトータル磁化Ｍｔとを比較すると、転写温度
領域までの温度上昇にともなう増加がトータル磁化Ｍｔ
の方がより急峻になっている。したがって、磁束調整層
１６を設けることにより、転写温度領域の温度よりも低
い温度領域において、記録層１５および磁束調整層１６
から発生する漏洩磁束を小さくして、再生補助層２との
静磁結合を弱くすることが可能となるとともに、転写温
度領域において記録層１５と再生補助層２との強い静磁
結合を維持することが可能となることがわかる。
トＭ１５とトータル磁化Ｍｔとを比較すると、転写温度
領域までの温度上昇にともなう増加がトータル磁化Ｍｔ
の方がより急峻になっている。したがって、磁束調整層
１６を設けることにより、転写温度領域の温度よりも低
い温度領域において、記録層１５および磁束調整層１６
から発生する漏洩磁束を小さくして、再生補助層２との
静磁結合を弱くすることが可能となるとともに、転写温
度領域において記録層１５と再生補助層２との強い静磁
結合を維持することが可能となることがわかる。
【０１９４】このような漏洩磁束の温度依存性を実現す
ることにより、高い再生分解能でもって記録層１５の磁
化情報を再生補助層２へと転写することが可能となる。
そして、高い再生分解能で再生補助層２へと転写された
磁区が、再生層１へと拡大転写されることにより、短い
マーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡大
再生を実現することができる。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃４とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
ることにより、高い再生分解能でもって記録層１５の磁
化情報を再生補助層２へと転写することが可能となる。
そして、高い再生分解能で再生補助層２へと転写された
磁区が、再生層１へと拡大転写されることにより、短い
マーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡大
再生を実現することができる。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃４とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０１９５】まず、記録再生用レーザを６．８ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
【０１９６】図１９は、記録再生用レーザを２．９ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃４のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃４の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
４とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃４のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃４の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
４とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
【０１９７】上記比較サンプル＃ｒ４は、前記実施の形
態１に係るサンプル＃１（図３，図５）と記録層の磁気
特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サンプ
ル＃ｒ４は、サンプル＃１とほぼ同程度のＣＮＲが得ら
れており、サンプル＃１と同様な磁区拡大再生の実現が
確認される。なお、比較サンプル＃ｒ４の測定において
は、記録時のレーザパワーを６．２ｍＷ、再生時のレー
ザパワーを２．６ｍＷとしている。
態１に係るサンプル＃１（図３，図５）と記録層の磁気
特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サンプ
ル＃ｒ４は、サンプル＃１とほぼ同程度のＣＮＲが得ら
れており、サンプル＃１と同様な磁区拡大再生の実現が
確認される。なお、比較サンプル＃ｒ４の測定において
は、記録時のレーザパワーを６．２ｍＷ、再生時のレー
ザパワーを２．６ｍＷとしている。
【０１９８】図１９に示したように、サンプル＃４のＣ
ＮＲが比較サンプル＃ｒ４のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃４は比較サンプル＃ｒ４と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
ＮＲが比較サンプル＃ｒ４のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃４は比較サンプル＃ｒ４と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
【０１９９】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃４は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
＃４は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
【０２００】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、非磁性中
間層３と、垂直磁化膜からなる記録層１５と、該記録層
１５とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層１５のキ
ュリー温度Ｔｃ１５よりも低いキュリー温度Ｔｃ１６を
有する垂直磁化膜からなる磁束調整層１６とが、順次積
層されており、さらに、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、非磁性中
間層３と、垂直磁化膜からなる記録層１５と、該記録層
１５とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層１５のキ
ュリー温度Ｔｃ１５よりも低いキュリー温度Ｔｃ１６を
有する垂直磁化膜からなる磁束調整層１６とが、順次積
層されており、さらに、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０２０１】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することができる。また、上記光
磁気記録媒体では、磁気的極性が互いに異なる記録層１
５と磁束調整層１６とを用いることによって、漏洩磁束
の最適化が実現することができる。よって、上記光磁気
記録媒体では、より高い再生分解能を実現することが可
能となる。
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することができる。また、上記光
磁気記録媒体では、磁気的極性が互いに異なる記録層１
５と磁束調整層１６とを用いることによって、漏洩磁束
の最適化が実現することができる。よって、上記光磁気
記録媒体では、より高い再生分解能を実現することが可
能となる。
【０２０２】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
【０２０３】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
【０２０４】〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図２０から図２
３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から４において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から４において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
【０２０５】図２１に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、実施の形態４と同様に、前記の実施
の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）の記録層４の代
わりに、互いに異なる磁気特性を有する記録層１５と磁
束調整層１６とが形成されている構成である。
光磁気記録媒体は、実施の形態４と同様に、前記の実施
の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）の記録層４の代
わりに、互いに異なる磁気特性を有する記録層１５と磁
束調整層１６とが形成されている構成である。
【０２０６】まず、図２０および図２１を用いて、本実
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図２０および図２１は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図２０および図２１は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
【０２０７】図２１に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、記録層１５と、磁束調整層１６とが順次
積層されて構成されている。なお、図２１中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、記録層１５と、磁束調整層１６とが順次
積層されて構成されている。なお、図２１中の各矢印
は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメントの向
きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表してい
る。
【０２０８】なお、本実施の形態においては、上記の記
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図２１と逆であってもかまわな
い。
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図２１と逆であってもかまわな
い。
【０２０９】図２０および図２１に示すように、上記光
磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記録層１５お
よび磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が抑制され
る。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビ
ームスポット５′）により加熱されると、転写温度領域
に加熱された記録磁区６からのみ漏洩磁束が発生する。
このとき、面内磁化層１３の記録磁区６の隣接部位（図
２１中では、記録磁区６の上方の斜線領域）は、キュリ
ー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）以上に加熱されて磁化が消失し
ている。その結果、漏洩磁束によって記録層１５の磁化
情報が再生補助層２へと転写され、その後、再生補助層
２に転写された磁区８が再生層１の磁区９へと拡大転写
される。
磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記録層１５お
よび磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が抑制され
る。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビ
ームスポット５′）により加熱されると、転写温度領域
に加熱された記録磁区６からのみ漏洩磁束が発生する。
このとき、面内磁化層１３の記録磁区６の隣接部位（図
２１中では、記録磁区６の上方の斜線領域）は、キュリ
ー温度Ｔｃ１３（Ｔｃ）以上に加熱されて磁化が消失し
ている。その結果、漏洩磁束によって記録層１５の磁化
情報が再生補助層２へと転写され、その後、再生補助層
２に転写された磁区８が再生層１の磁区９へと拡大転写
される。
【０２１０】このように、上記光磁気記録媒体は、実施
の形態４に係る光磁気記録媒体（図１５）と同様に、前
記実施の形態２の記録層４（図７）の代わりに、互いに
異なる磁気的極性の記録層１５と磁束調整層１６とを積
層することによって、より高い再生分解能でもって、記
録層１５から再生補助層２への磁区の転写が行われる。
したがって、上記光磁気記録媒体によれば、高い再生分
解能で安定した磁区拡大再生を実現することができる。
の形態４に係る光磁気記録媒体（図１５）と同様に、前
記実施の形態２の記録層４（図７）の代わりに、互いに
異なる磁気的極性の記録層１５と磁束調整層１６とを積
層することによって、より高い再生分解能でもって、記
録層１５から再生補助層２への磁区の転写が行われる。
したがって、上記光磁気記録媒体によれば、高い再生分
解能で安定した磁区拡大再生を実現することができる。
【０２１１】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【０２１２】図２２に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、記録層１５
と、磁束調整層１６と、保護層１２とが順次積層されて
構成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保
護層１１、再生層１、再生補助層２、面内磁化層１３、
保護層１２には、前記の実施の形態２と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。また、上記の記録層１
５および磁束調整層１６には、前記の実施の形態４と同
じ材料を同様にして用いることが可能である。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、記録層１５
と、磁束調整層１６と、保護層１２とが順次積層されて
構成されている。なお、上記の基板１０、透明誘電体保
護層１１、再生層１、再生補助層２、面内磁化層１３、
保護層１２には、前記の実施の形態２と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。また、上記の記録層１
５および磁束調整層１６には、前記の実施の形態４と同
じ材料を同様にして用いることが可能である。
【０２１３】さらに、上記保護層１２に、Ａｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
【０２１４】また、低磁界記録を目的として、記録層１
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
【０２１５】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図２２）の形成方法は以下のとお
りである。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図２２）の形成方法は以下のとお
りである。
【０２１６】第一に、Ａｌターゲットと、第１のＧｄＦ
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとを
備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に形
成されたポリカーボネート製の基板１０を配置する。
ｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金ター
ゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットとを
備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状に形
成されたポリカーボネート製の基板１０を配置する。
【０２１７】第二に、前記実施の形態２に係る光磁気デ
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33
（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２上に、
Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を膜厚３０ｎ
ｍで形成する。
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１０上にＡｌＮ
からなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇｄ0.29
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜厚３０
ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇｄ0.33
（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２を膜厚
３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２上に、
Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を膜厚３０ｎ
ｍで形成する。
【０２１８】第三に、さらに続けて、前記実施の形態４
に係る光磁気ディスク（図１７）と同様にして、上記面
内磁化層１３上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.78
からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形成する。続け
て、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）0.29（Ｆ
ｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６を膜厚４
０ｎｍで形成する。続けて、上記磁束調整層１６上にＡ
ｌＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃５とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
に係る光磁気ディスク（図１７）と同様にして、上記面
内磁化層１３上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.78
からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形成する。続け
て、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）0.29（Ｆ
ｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６を膜厚４
０ｎｍで形成する。続けて、上記磁束調整層１６上にＡ
ｌＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃５とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０２１９】まず、記録再生用レーザを７．４ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
【０２２０】図２３は、記録再生用レーザを３．３ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃５のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃５の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
５とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃５のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃５の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
５とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
【０２２１】上記比較サンプル＃ｒ５は、前記実施の形
態２に係るサンプル＃２（図８，図９）と記録層の磁気
特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サンプ
ル＃ｒ５は、サンプル＃２とほぼ同程度のＣＮＲが得ら
れており、サンプル＃２と同様な磁区拡大再生の実現が
確認される。なお、比較サンプル＃ｒ５の測定において
は、記録時のレーザパワーを７．０ｍＷ、再生時のレー
ザパワーを３．０ｍＷとしている。
態２に係るサンプル＃２（図８，図９）と記録層の磁気
特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サンプ
ル＃ｒ５は、サンプル＃２とほぼ同程度のＣＮＲが得ら
れており、サンプル＃２と同様な磁区拡大再生の実現が
確認される。なお、比較サンプル＃ｒ５の測定において
は、記録時のレーザパワーを７．０ｍＷ、再生時のレー
ザパワーを３．０ｍＷとしている。
【０２２２】図２３に示したように、サンプル＃５のＣ
ＮＲが比較サンプル＃ｒ５のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃５は比較サンプル＃ｒ５と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
ＮＲが比較サンプル＃ｒ５のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃５は比較サンプル＃ｒ５と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
【０２２３】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃５は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
＃５は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
【０２２４】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、垂直磁化膜からなる記録
層１５と、該記録層１５とは磁気的極性が異なり、か
つ、該記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも低いキ
ュリー温度Ｔｃ１６を有する垂直磁化膜からなる磁束調
整層１６とが、順次積層されており、さらに、該面内磁
化層１３のキュリー温度をＴｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、垂直磁化膜からなる記録
層１５と、該記録層１５とは磁気的極性が異なり、か
つ、該記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも低いキ
ュリー温度Ｔｃ１６を有する垂直磁化膜からなる磁束調
整層１６とが、順次積層されており、さらに、該面内磁
化層１３のキュリー温度をＴｃ１３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０２２５】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することが可能となる。また、上
記光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることに
よって、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することが可能となる。また、上
記光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることに
よって、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
【０２２６】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
【０２２７】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
【０２２８】〔実施の形態６〕
本発明のさらに他の実施の形態について図２４から図２
７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から５において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、
説明の便宜上、前記の実施の形態１から５において示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
し、その説明を省略する。
【０２２９】図２５に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、実施の形態４および５と同様に、前
記の実施の形態３に係る光磁気記録媒体（図１１）の記
録層４の代わりに、互いに異なる磁気特性を有する記録
層１５と磁束調整層１６とが形成されている構成であ
る。
光磁気記録媒体は、実施の形態４および５と同様に、前
記の実施の形態３に係る光磁気記録媒体（図１１）の記
録層４の代わりに、互いに異なる磁気特性を有する記録
層１５と磁束調整層１６とが形成されている構成であ
る。
【０２３０】まず、図２４および図２５を用いて、本実
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図２４および図２５は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図２４および図２５は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
【０２３１】図２５に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、非磁性中間層１４と、記録層１５と、磁
束調整層１６とが順次積層されて構成されている。な
お、図２５中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）
の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向
きをそれぞれ表している。
光磁気記録媒体は、再生層１と、再生補助層２と、面内
磁化層１３と、非磁性中間層１４と、記録層１５と、磁
束調整層１６とが順次積層されて構成されている。な
お、図２５中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）
の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向
きをそれぞれ表している。
【０２３２】なお、本実施の形態においては、上記の記
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図２５と逆であってもかまわな
い。
録層１５および磁束調整層１６の磁気的極性が互いに異
なっていればよく、記録層１５と磁束調整層１６との積
層順序は限定されず、図２５と逆であってもかまわな
い。
【０２３３】図２４および図２５に示すように、上記光
磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記録層１５お
よび磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が抑制され
る。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビ
ームスポット５′）により加熱されると、磁束調整層１
６の磁化が消失して転写温度領域に加熱された記録磁区
６からのみ漏洩磁束が発生する。このとき、面内磁化層
１３の記録磁区６に対応する領域（図２５中では、記録
磁区６の上方の斜線領域）の磁化も、キュリー温度Ｔｃ
１３（Ｔｃ）以上に加熱されて消失している。その結
果、この漏洩磁束によって記録層１５の磁化情報が再生
補助層２へと転写され、その後、再生補助層２に転写さ
れた磁区８が再生層１の磁区９へと拡大転写される。
磁気記録媒体は、転写温度領域以下では、記録層１５お
よび磁束調整層１６から発生する漏洩磁束が抑制され
る。そして、上記光磁気記録媒体は、光ビーム５（光ビ
ームスポット５′）により加熱されると、磁束調整層１
６の磁化が消失して転写温度領域に加熱された記録磁区
６からのみ漏洩磁束が発生する。このとき、面内磁化層
１３の記録磁区６に対応する領域（図２５中では、記録
磁区６の上方の斜線領域）の磁化も、キュリー温度Ｔｃ
１３（Ｔｃ）以上に加熱されて消失している。その結
果、この漏洩磁束によって記録層１５の磁化情報が再生
補助層２へと転写され、その後、再生補助層２に転写さ
れた磁区８が再生層１の磁区９へと拡大転写される。
【０２３４】このように、上記光磁気記録媒体は、実施
の形態４および５に係る光磁気記録媒体（図１５，図２
１）と同様に、前記実施の形態３の記録層４（図１１）
の代わりに、互いに異なる磁気的極性の記録層１５と磁
束調整層１６とを積層することによって、より高い再生
分解能でもって、記録層１５から再生補助層２への磁区
の転写が行われる。したがって、上記光磁気記録媒体に
よれば、高い再生分解能で安定した磁区拡大再生を実現
することができる。
の形態４および５に係る光磁気記録媒体（図１５，図２
１）と同様に、前記実施の形態３の記録層４（図１１）
の代わりに、互いに異なる磁気的極性の記録層１５と磁
束調整層１６とを積層することによって、より高い再生
分解能でもって、記録層１５から再生補助層２への磁区
の転写が行われる。したがって、上記光磁気記録媒体に
よれば、高い再生分解能で安定した磁区拡大再生を実現
することができる。
【０２３５】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて説明する。
た光磁気ディスクについて説明する。
【０２３６】図２６に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、非磁性中間層
１４と、記録層１５と、磁束調整層１６と、保護層１２
とが順次積層されて構成されている。なお、上記の基板
１０、透明誘電体保護層１１、再生層１、再生補助層
２、面内磁化層１３、非磁性中間層１４、保護層１２に
は、前記の実施の形態３と同じ材料を同様にして用いる
ことが可能である。また、上記の記録層１５および磁束
調整層１６には、前記の実施の形態４と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。
は、基板１０上に、透明誘電体保護層１１と、再生層１
と、再生補助層２と、面内磁化層１３と、非磁性中間層
１４と、記録層１５と、磁束調整層１６と、保護層１２
とが順次積層されて構成されている。なお、上記の基板
１０、透明誘電体保護層１１、再生層１、再生補助層
２、面内磁化層１３、非磁性中間層１４、保護層１２に
は、前記の実施の形態３と同じ材料を同様にして用いる
ことが可能である。また、上記の記録層１５および磁束
調整層１６には、前記の実施の形態４と同じ材料を同様
にして用いることが可能である。
【０２３７】さらに、上記保護層１２に、Ａｌ，ＡｌＴ
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
ａ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ，ＡｌＣｏ，Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
２上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂層、
熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもでき
る。
【０２３８】また、低磁界記録を目的として、記録層１
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
５に接して、記録層１５の保磁力より小さな保磁力を有
し、記録層１５のキュリー温度Ｔｃ１５よりも高いキュ
リー温度を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜か
らなる記録補助層を積層して形成してもよい。
【０２３９】つぎに、上記構成の光磁気ディスクの形成
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図２６）の形成方法は以下のとお
りである。
方法および記録再生方法の具体例を説明する。 （１）光磁気ディスクの形成方法 上記光磁気ディスク（図２６）の形成方法は以下のとお
りである。
【０２４０】第一に、ＡｌＳｉターゲットと、第１のＧ
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットと、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲット
とを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状
に形成されたポリカーボネート製の基板１０を配置す
る。
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットと、第２のＧｄＦｅＣｏ合金
ターゲットと、ＧｄＦｅ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットと、ＴｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲット
とを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有しディスク状
に形成されたポリカーボネート製の基板１０を配置す
る。
【０２４１】第二に、前記実施の形態３に係る光磁気デ
ィスク（図１２）と同様にして、上記基板１０上にＡｌ
ＳｉＮからなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで
形成する。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇ
ｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜
厚３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇ
ｄ0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２
を膜厚３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２
上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を膜厚
１５ｎｍで形成する。続けて、上記面内磁化層１３上
に、ＡｌＳｉからなる非磁性中間層１４を膜厚１ｎｍで
形成する。
ィスク（図１２）と同様にして、上記基板１０上にＡｌ
ＳｉＮからなる透明誘電体保護層１１を膜厚８０ｎｍで
形成する。続けて、上記透明誘電体保護層１１上に、Ｇ
ｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.71からなる再生層１を膜
厚３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生層１上に、Ｇ
ｄ0.33（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.67からなる再生補助層２
を膜厚３０ｎｍで形成する。続けて、上記再生補助層２
上に、Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる面内磁化層１３を膜厚
１５ｎｍで形成する。続けて、上記面内磁化層１３上
に、ＡｌＳｉからなる非磁性中間層１４を膜厚１ｎｍで
形成する。
【０２４２】第三に、さらに続けて、前記実施の形態４
に係る光磁気ディスク（図１７）と同様にして、上記非
磁性中間層１４上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）
0.78からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形成する。続
けて、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）
0.29（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６
を膜厚４０ｎｍで形成する。続けて、上記磁束調整層１
６上にＡｌＳｉＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで
形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃６とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
に係る光磁気ディスク（図１７）と同様にして、上記非
磁性中間層１４上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）
0.78からなる記録層１５を膜厚６０ｎｍで形成する。続
けて、上記記録層１５上に、（Ｔｂ0.6Ｄｙ0.4）
0.29（Ｆｅ0.86Ｃｏ0.14）0.71からなる磁束調整層１６
を膜厚４０ｎｍで形成する。続けて、上記磁束調整層１
６上にＡｌＳｉＮからなる保護層１２を膜厚２０ｎｍで
形成する。 （２）記録再生特性 上記光磁気ディスク（サンプル＃６とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０２４３】まず、記録再生用レーザを７．１ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層１５および磁束調整層１６に記録磁
界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化との繰り返
しパターンを形成した。そして、記録磁界の変調周波数
を変えることにより、０．２〜０．５μｍの範囲のマー
ク長の磁区パターンを記録した。ここで、マーク長と
は、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長の２
倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
【０２４４】図２７は、記録再生用レーザを３．０ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃６のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃６の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
６とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃６のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、サンプル＃６の構成において、磁束調整層
１６を設けていない光磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ
６とする）におけるＣＮＲのマーク長依存性のグラフも
あわせて示す。
【０２４５】上記比較サンプル＃ｒ６は、前記実施の形
態３に係るサンプル＃３（図１２，図１３）と記録層の
磁気特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サ
ンプル＃ｒ６は、サンプル＃３とほぼ同程度のＣＮＲが
得られており、サンプル＃３と同様な磁区拡大再生の実
現が確認される。なお、比較サンプル＃ｒ６の測定にお
いては、記録時のレーザパワーを６．８ｍＷ、再生時の
レーザパワーを２．８ｍＷとしている。
態３に係るサンプル＃３（図１２，図１３）と記録層の
磁気特性がわずかに異なるだけである。よって、比較サ
ンプル＃ｒ６は、サンプル＃３とほぼ同程度のＣＮＲが
得られており、サンプル＃３と同様な磁区拡大再生の実
現が確認される。なお、比較サンプル＃ｒ６の測定にお
いては、記録時のレーザパワーを６．８ｍＷ、再生時の
レーザパワーを２．８ｍＷとしている。
【０２４６】図２７に示したように、サンプル＃６のＣ
ＮＲが比較サンプル＃ｒ６のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃６は比較サンプル＃ｒ６と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
ＮＲが比較サンプル＃ｒ６のＣＮＲよりも高くなってい
る。特に、サンプル＃６は比較サンプル＃ｒ６と比較し
て、短いマーク長（０．２μｍ）において良好な磁区拡
大再生が実現されていることがわかかる。
【０２４７】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃６は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
＃６は、磁束調整層１６を設けることにより、転写温度
領域の温度より低い温度領域において、記録層１５から
の漏洩磁束が抑制され、記録層１５の磁化情報が再生補
助層２へと高い再生分解能でもって転写されるため、短
いマーク長においても再生信号強度が低下しない磁区拡
大再生を実現することができる。
【０２４８】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、非磁性中間層１４と、垂
直磁化膜からなる記録層１５と、該記録層１５とは磁気
的極性が異なり、かつ、該記録層１５のキュリー温度Ｔ
ｃ１５よりも低いキュリー温度Ｔｃ１６を有する垂直磁
化膜からなる磁束調整層１６とが、順次積層されてお
り、さらに、該面内磁化層１３のキュリー温度をＴｃ１
３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
記録媒体は、少なくとも、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層
１と、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２
において垂直磁化状態となる再生補助層２と、面内磁化
膜からなる面内磁化層１３と、非磁性中間層１４と、垂
直磁化膜からなる記録層１５と、該記録層１５とは磁気
的極性が異なり、かつ、該記録層１５のキュリー温度Ｔ
ｃ１５よりも低いキュリー温度Ｔｃ１６を有する垂直磁
化膜からなる磁束調整層１６とが、順次積層されてお
り、さらに、該面内磁化層１３のキュリー温度をＴｃ１
３とした場合、 Ｔｐ１＜Ｔｐ２ かつ Ｔｃ１３≦Ｔｐ２ なる条件を満足するよう構成されている。
【０２４９】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することが可能となる。また、上
記光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることに
よって、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。加えて、上記光磁気記録媒体では、非磁性中間層１
４によって、面内磁化層１３と記録層１５との交換結合
が遮断されるため、面内磁化層１３の薄膜化が可能とな
り、記録パワーおよび再生パワーを低減することが可能
となる。
録層１５に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写
されることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記
録層１５に記録した場合においても、再生信号振幅を低
下させることなく再生することが可能となる。また、上
記光磁気記録媒体では、面内磁化層１３を設けることに
よって、より高い再生分解能を実現することが可能とな
る。加えて、上記光磁気記録媒体では、非磁性中間層１
４によって、面内磁化層１３と記録層１５との交換結合
が遮断されるため、面内磁化層１３の薄膜化が可能とな
り、記録パワーおよび再生パワーを低減することが可能
となる。
【０２５０】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層１５と再生層１と
の静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ２における記録層１
５と再生補助層２との静磁結合力が強くなるように、再
生層１、再生補助層２、および記録層１５の磁気特性が
それぞれ調整されている。
【０２５１】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
録層１５と再生層１との静磁結合状態および記録層１５
と再生補助層２との静磁結合状態とが最適化され、安定
した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
【０２５２】なお、以上の各実施の形態は本発明の範囲
を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変更
が可能である。
を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変更
が可能である。
【０２５３】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
は、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１に
おいて垂直磁化状態となる再生層と、室温において面内
磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態と
なる再生補助層と、記録層と該再生補助層との交換結合
を遮断する膜厚が０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の非磁性
中間層と、該遷移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生
じる垂直磁化膜からなる該記録層とが、この順番で積層
されるとともに、下記の不等式（１） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） を満たすように設定されている構成である。
は、室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１に
おいて垂直磁化状態となる再生層と、室温において面内
磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態と
なる再生補助層と、記録層と該再生補助層との交換結合
を遮断する膜厚が０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の非磁性
中間層と、該遷移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生
じる垂直磁化膜からなる該記録層とが、この順番で積層
されるとともに、下記の不等式（１） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） を満たすように設定されている構成である。
【０２５４】それゆえ、加熱によって、再生の対象であ
る記録層の記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写さ
れ、さらに、再生層に拡大転写された磁区のみが再生さ
れることになる。よって、記録層に存在する記録磁区の
磁化情報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の
影響を受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再
生することができる。
る記録層の記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写さ
れ、さらに、再生層に拡大転写された磁区のみが再生さ
れることになる。よって、記録層に存在する記録磁区の
磁化情報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の
影響を受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再
生することができる。
【０２５５】また、再生補助層と記録層とが強く静磁結
合することにより、記録層の磁化情報が再生補助層へと
正確に転写される。すなわち、再生層および再生補助層
と記録層との結合が静磁結合であるため、再生層および
再生補助層における面内磁化状態から垂直磁化状態への
遷移が急激に起こり、高い再生分解能を実現することが
できる。
合することにより、記録層の磁化情報が再生補助層へと
正確に転写される。すなわち、再生層および再生補助層
と記録層との結合が静磁結合であるため、再生層および
再生補助層における面内磁化状態から垂直磁化状態への
遷移が急激に起こり、高い再生分解能を実現することが
できる。
【０２５６】したがって、上記光磁気記録媒体では、光
の回折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合に
おいても、再生信号振幅を低下させることなく再生する
ことが可能となるという効果を奏する。
の回折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合に
おいても、再生信号振幅を低下させることなく再生する
ことが可能となるという効果を奏する。
【０２５７】また、本発明の光磁気記録媒体は、室温に
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直
磁化状態となる再生層と、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補
助層と、キュリー温度がＴｃであり膜厚が２０ｎｍ以上
４０ｎｍ以下の面内磁化膜からなる面内磁化層と、該遷
移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜
からなる記録層とが、この順番で積層されるとともに、
下記の不等式（１）および（２） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） Ｔｃ≦Ｔｐ２ ・・・・・ （２） を満たすように設定されている構成である。
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直
磁化状態となる再生層と、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ２において垂直磁化状態となる再生補
助層と、キュリー温度がＴｃであり膜厚が２０ｎｍ以上
４０ｎｍ以下の面内磁化膜からなる面内磁化層と、該遷
移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁化膜
からなる記録層とが、この順番で積層されるとともに、
下記の不等式（１）および（２） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） Ｔｃ≦Ｔｐ２ ・・・・・ （２） を満たすように設定されている構成である。
【０２５８】それゆえ、加熱によって、再生の対象であ
る記録層の記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写さ
れ、さらに、再生層に拡大転写された磁区のみが再生さ
れることになる。よって、記録層に存在する記録磁区の
磁化情報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の
影響を受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再
生することができる。
る記録層の記録磁区の磁化状態が再生補助層へと転写さ
れ、さらに、再生層に拡大転写された磁区のみが再生さ
れることになる。よって、記録層に存在する記録磁区の
磁化情報が直接再生されないため、隣接する記録磁区の
影響を受けずに、対象である記録磁区だけを拡大して再
生することができる。
【０２５９】また、再生補助層と記録層とが強く静磁結
合することにより、記録層の磁化情報が再生補助層へと
正確に転写される。すなわち、再生層および再生補助層
と記録層との結合が静磁結合であるため、再生層および
再生補助層における面内磁化状態から垂直磁化状態への
遷移が急激に起こり、高い再生分解能を実現することが
できる。
合することにより、記録層の磁化情報が再生補助層へと
正確に転写される。すなわち、再生層および再生補助層
と記録層との結合が静磁結合であるため、再生層および
再生補助層における面内磁化状態から垂直磁化状態への
遷移が急激に起こり、高い再生分解能を実現することが
できる。
【０２６０】したがって、上記光磁気記録媒体では、面
内磁化層により高い再生分解能でもって記録層から再生
補助層へ転写された磁区を再生層へ拡大転写させること
により、高い再生分解能と良好な再生信号品質を得るこ
とができる。よって、上記光磁気記録媒体では、光の回
折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合におい
ても、再生信号振幅を低下させることなく再生すること
が可能となるという効果を奏する。
内磁化層により高い再生分解能でもって記録層から再生
補助層へ転写された磁区を再生層へ拡大転写させること
により、高い再生分解能と良好な再生信号品質を得るこ
とができる。よって、上記光磁気記録媒体では、光の回
折限界以下の周期の信号を記録層に記録した場合におい
ても、再生信号振幅を低下させることなく再生すること
が可能となるという効果を奏する。
【０２６１】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
の面内磁化層と記録層との間に、該記録層と上記再生補
助層との交換結合を遮断する非磁性中間層が積層されて
いる構成である。
の面内磁化層と記録層との間に、該記録層と上記再生補
助層との交換結合を遮断する非磁性中間層が積層されて
いる構成である。
【０２６２】それゆえ、さらに、面内磁化層と記録層と
の交換結合を遮断することができる。よって、より高い
再生分解能を実現するために設ける面内磁化層を薄膜化
することが可能となる。
の交換結合を遮断することができる。よって、より高い
再生分解能を実現するために設ける面内磁化層を薄膜化
することが可能となる。
【０２６３】したがって、上記光磁気記録媒体では、膜
厚増加の影響を抑制しながら、面内磁化層を設けて、高
い再生分解能と良好な再生信号品質を得るとともに、記
録パワーおよび再生パワーを低減することができるとい
う効果を奏する。
厚増加の影響を抑制しながら、面内磁化層を設けて、高
い再生分解能と良好な再生信号品質を得るとともに、記
録パワーおよび再生パワーを低減することができるとい
う効果を奏する。
【０２６４】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
記録層とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層のキュ
リー温度よりも低いキュリー温度を有する垂直磁化膜か
らなる磁束調整層が、該記録層に隣接して積層されてい
る構成である。
記録層とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層のキュ
リー温度よりも低いキュリー温度を有する垂直磁化膜か
らなる磁束調整層が、該記録層に隣接して積層されてい
る構成である。
【０２６５】それゆえ、さらに、記録層と磁束調整層と
から、漏洩磁束がほとんど発生しない状態を実現すると
ともに、記録層の磁化情報が再生補助層へ転写される温
度においてのみ、記録層から大きな漏洩磁束を発生させ
ることが可能となる。
から、漏洩磁束がほとんど発生しない状態を実現すると
ともに、記録層の磁化情報が再生補助層へ転写される温
度においてのみ、記録層から大きな漏洩磁束を発生させ
ることが可能となる。
【０２６６】したがって、上記光磁気記録媒体では、磁
気的極性が互いに異なる記録層と磁束調整層とを積層す
ることによって、漏洩磁束の最適化が可能となるため、
より高い再生分解能でより安定した磁区拡大再生を実現
することができるという効果を奏する。
気的極性が互いに異なる記録層と磁束調整層とを積層す
ることによって、漏洩磁束の最適化が可能となるため、
より高い再生分解能でより安定した磁区拡大再生を実現
することができるという効果を奏する。
【０２６７】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、上記
遷移温度Ｔｐ１における上記記録層と上記再生層との静
磁結合力よりも、上記遷移温度Ｔｐ２における該記録層
と上記再生補助層との静磁結合力が強くなるように、該
再生層、該再生補助層、および該記録層の磁気特性が調
整されている構成である。
遷移温度Ｔｐ１における上記記録層と上記再生層との静
磁結合力よりも、上記遷移温度Ｔｐ２における該記録層
と上記再生補助層との静磁結合力が強くなるように、該
再生層、該再生補助層、および該記録層の磁気特性が調
整されている構成である。
【０２６８】それゆえ、さらに、再生層と記録層との静
磁結合力よりも再生補助層と記録層との静磁結合力が強
くなるため、再生補助層と記録層とが強く静磁結合し
て、記録層の磁化情報が再生補助層へと正確に転写され
る。
磁結合力よりも再生補助層と記録層との静磁結合力が強
くなるため、再生補助層と記録層とが強く静磁結合し
て、記録層の磁化情報が再生補助層へと正確に転写され
る。
【０２６９】したがって、上記光磁気記録媒体では、記
録層と再生層との静磁結合状態および記録層と再生補助
層との静磁結合状態を最適化することが可能となるた
め、より安定した磁区転写および磁区拡大再生を行うこ
とができるという効果を奏する。
録層と再生層との静磁結合状態および記録層と再生補助
層との静磁結合状態を最適化することが可能となるた
め、より安定した磁区転写および磁区拡大再生を行うこ
とができるという効果を奏する。
【図１】図２に示した光磁気記録媒体の再生時の磁化状
態を示す平面模式図である。
態を示す平面模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る光磁気記録媒体の
再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図３】図２に示した光磁気記録媒体を適用した光磁気
ディスクの構成の概略を示す断面図である。
ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図４】図３に示した光磁気ディスクのトータル磁化の
温度依存性を示すグラフである。
温度依存性を示すグラフである。
【図５】図３に示した光磁気ディスクの信号対雑音比の
マーク長依存性を示すグラフである。
マーク長依存性を示すグラフである。
【図６】図７に示した光磁気記録媒体の再生時の磁化状
態を示す平面模式図である。
態を示す平面模式図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る光磁気記録媒体
の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図８】図７に示した光磁気記録媒体を適用した光磁気
ディスクの構成の概略を示す断面図である。
ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図９】図８に示した光磁気ディスクの信号対雑音比の
マーク長依存性を示すグラフである。
マーク長依存性を示すグラフである。
【図１０】図１１に示した光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す平面模式図である。
化状態を示す平面模式図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施の形態に係る光磁気
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１２】図１１に示した光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図１３】図１２に示した光磁気ディスクの信号対雑音
比のマーク長依存性を示すグラフである。
比のマーク長依存性を示すグラフである。
【図１４】図１５に示した光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す平面模式図である。
化状態を示す平面模式図である。
【図１５】本発明のさらに他の実施の形態に係る光磁気
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図１６】図１５に示した光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す要部の断面模式図である。
化状態を示す要部の断面模式図である。
【図１７】図１５に示した光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図１８】図１７に示した光磁気ディスクのトータル磁
化の温度依存性を示すグラフである。
化の温度依存性を示すグラフである。
【図１９】図１７に示した光磁気ディスクの信号対雑音
比のマーク長依存性を示すグラフである。
比のマーク長依存性を示すグラフである。
【図２０】図２１に示した光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す平面模式図である。
化状態を示す平面模式図である。
【図２１】本発明のさらに他の実施の形態に係る光磁気
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図２２】図２１に示した光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図２３】図２２に示した光磁気ディスクの信号対雑音
比のマーク長依存性を示すグラフである。
比のマーク長依存性を示すグラフである。
【図２４】図２５に示した光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す平面模式図である。
化状態を示す平面模式図である。
【図２５】本発明のさらに他の実施の形態に係る光磁気
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
記録媒体の再生時の磁化状態を示す断面模式図である。
【図２６】図２５に示した光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
【図２７】図２６に示した光磁気ディスクの信号対雑音
比のマーク長依存性を示すグラフである。
比のマーク長依存性を示すグラフである。
【図２８】図２９に示した従来の光磁気記録媒体の再生
時の磁化状態を示す平面模式図である。
時の磁化状態を示す平面模式図である。
【図２９】従来の光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を
示す断面模式図である。
示す断面模式図である。
【図３０】図２９に示した従来の光磁気記録媒体を適用
した光磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
した光磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
１ 再生層
２ 再生補助層
３，１４ 非磁性中間層
４，１５ 記録層
１３ 面内磁化層
１６ 磁束調整層
Ｔｐ１ 再生層の遷移温度
Ｔｐ２ 再生補助層の遷移温度
Ｔｃ 面内磁化層のキュリー温度（Ｔｃ１３）
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−255344（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−320134（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−120645（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (7)
- 【請求項１】室温において面内磁化状態であり遷移温度
Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層と、 室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２におい
て垂直磁化状態となる再生補助層と、 記録層と該再生補助層との交換結合を遮断する膜厚が
０．５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の非磁性中間層と、 該遷移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁
化膜からなる該記録層とが、この順番で積層されるとと
もに、 下記の不等式（１） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） を満たすように設定され、上記記録層とは磁気的極性が異なり、かつ、該記録層の
キュリー温度よりも低いキュリー温度を有する垂直磁化
膜からなる磁束調整層が、該記録層に隣接して積層され
ている ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】室温において面内磁化状態であり遷移温度
Ｔｐ１において垂直磁化状態となる再生層と、 室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ２におい
て垂直磁化状態となる再生補助層と、 キュリー温度がＴｃであり膜厚が２０ｎｍ以上４０ｎｍ
以下の面内磁化膜からなる面内磁化層と、 該遷移温度Ｔｐ２近傍において漏洩磁束を生じる垂直磁
化膜からなる記録層とが、この順番で積層されるととも
に、 下記の不等式（１）および（２） Ｔｐ１＜Ｔｐ２ ・・・・・ （１） Ｔｃ≦Ｔｐ２ ・・・・・ （２） を満たすように設定されていることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項３】上記の面内磁化層と記録層との間に、該記
録層と上記再生補助層との交換結合を遮断する非磁性中
間層が積層されていることを特徴とする請求項２記載の
光磁気記録媒体。 - 【請求項４】上記記録層とは磁気的極性が異なり、か
つ、該記録層のキュリー温度よりも低いキュリー温度を
有する垂直磁化膜からなる磁束調整層が、該記録層に隣
接して積層されていることを特徴とする請求項２または
３に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】上記遷移温度Ｔｐ１における上記記録層と
上記再生層との静磁結合力よりも、上記遷移温度Ｔｐ２
における該記録層と上記再生補助層との静磁結合力が強
くなるように、該再生層、該再生補助層、および該記録
層の磁気特性が調整されていることを特徴とする請求項
１から４の何れかに記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項６】請求項１から５の何れか１項に記載の光磁
気記録媒体から記録情報を再生する光磁気記録媒体の再
生方法であって、 光ビームを集光照射し、記録層の磁化情報を再生補助層
ヘと転写し、再生補助層の磁化情報を再生層へと拡大転
写することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項７】請求項１から５の何れか１項に記載の光磁
気記録媒体から記録情報を再生することを特徴とする光
磁気記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33154798A JP3519293B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 |
| US09/442,794 US6278668B1 (en) | 1998-11-20 | 1999-11-18 | Magneto-optical storage media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33154798A JP3519293B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000163817A JP2000163817A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3519293B2 true JP3519293B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=18244897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33154798A Expired - Fee Related JP3519293B2 (ja) | 1998-11-20 | 1998-11-20 | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6278668B1 (ja) |
| JP (1) | JP3519293B2 (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US6739006B2 (en) | 1997-11-07 | 2004-05-25 | Hill-Rom Services, Inc. | Head section support for a surgical table apparatus |
| US6754923B2 (en) | 1997-11-07 | 2004-06-29 | Hill-Rom Services, Inc. | Leg section support for a surgical table |
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| US7366907B1 (en) * | 1999-10-29 | 2008-04-29 | Sony Corporation | Information processing device and method and program storage medium |
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| KR20030013386A (ko) * | 2000-04-19 | 2003-02-14 | 산요 덴키 가부시키가이샤 | 직류 자계에 의해 자구 확대 재생이 가능한 광자기 디스크장치 및 재생 방법 |
| JP2002329352A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2003162848A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び記憶装置 |
| CN1307634C (zh) * | 2002-05-31 | 2007-03-28 | 富士通株式会社 | 光记录媒体和光记录装置 |
| AU2003255916A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A magneto-optical storage medium |
| WO2011140581A1 (en) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | Panorama Synergy Ltd | A multi-layer magneto-optic structure |
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| JP3492525B2 (ja) * | 1998-06-19 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP33154798A patent/JP3519293B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-18 US US09/442,794 patent/US6278668B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6739006B2 (en) | 1997-11-07 | 2004-05-25 | Hill-Rom Services, Inc. | Head section support for a surgical table apparatus |
| US6754923B2 (en) | 1997-11-07 | 2004-06-29 | Hill-Rom Services, Inc. | Leg section support for a surgical table |
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| JP2000163817A (ja) | 2000-06-16 |
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