JP3507360B2 - 磁気ヘッド用平面コイル部品、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置 - Google Patents
磁気ヘッド用平面コイル部品、光磁気記録用磁気ヘッドおよび光磁気記録装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に高速で情報信号
を記録するのに適した磁気ヘッド用平面コイル部品、そ
れを使用した光磁気記録用磁気ヘッド、および光磁気記
録装置に関する。
を記録するのに適した磁気ヘッド用平面コイル部品、そ
れを使用した光磁気記録用磁気ヘッド、および光磁気記
録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に情報信号によって変調された磁界を印加するとと
もに、光を照射することによって情報信号の記録を行う
光磁気記録装置が知られている。このような光磁気記録
装置は磁界を印加するための磁気ヘッドを備えている。
磁気ヘッドにはさまざまな形態のものが知られている
が、一例として特開平４−７４３３５号公報に記載され
た磁気ヘッドの斜視図を図１７に、断面図を図１８に示
す。
媒体に情報信号によって変調された磁界を印加するとと
もに、光を照射することによって情報信号の記録を行う
光磁気記録装置が知られている。このような光磁気記録
装置は磁界を印加するための磁気ヘッドを備えている。
磁気ヘッドにはさまざまな形態のものが知られている
が、一例として特開平４−７４３３５号公報に記載され
た磁気ヘッドの斜視図を図１７に、断面図を図１８に示
す。
【０００３】ここで５０はフレキシブルプリント配線基
板で構成した平面コイル部品（以降コイルと表記す
る）、５１はフェライト等の磁性材料から成るコアであ
る。コイル５０はポリイミドやポリエステル等より成る
柔軟性のある基材５２，基材５２上に形成した銅の箔か
らなる導体パターンであるスパイラル状のコイルパター
ン５３および端子５４ａ，５４ｂより成り、接着材５５
を用いてコア５１と貼り合わせられている。
板で構成した平面コイル部品（以降コイルと表記す
る）、５１はフェライト等の磁性材料から成るコアであ
る。コイル５０はポリイミドやポリエステル等より成る
柔軟性のある基材５２，基材５２上に形成した銅の箔か
らなる導体パターンであるスパイラル状のコイルパター
ン５３および端子５４ａ，５４ｂより成り、接着材５５
を用いてコア５１と貼り合わせられている。
【０００４】コイル５０の端子５４ａおよび５４ｂには
光磁気記録装置の磁気ヘッド駆動回路が接続される。ま
た光磁気記録装置は光ヘッドを備えており、情報信号の
記録を行う場合には、光ヘッドにより光磁気記録媒体の
磁気記録層にレーザ光を微小な光スポットに収束するよ
うに照射するとともに、磁気ヘッド駆動回路よりコイル
パターン５３に電流を供給し、コイルパターン５３の中
心から情報信号によって変調された磁界を発生させ磁気
記録層のレーザ光の照射位置に垂直に印加するのであ
る。
光磁気記録装置の磁気ヘッド駆動回路が接続される。ま
た光磁気記録装置は光ヘッドを備えており、情報信号の
記録を行う場合には、光ヘッドにより光磁気記録媒体の
磁気記録層にレーザ光を微小な光スポットに収束するよ
うに照射するとともに、磁気ヘッド駆動回路よりコイル
パターン５３に電流を供給し、コイルパターン５３の中
心から情報信号によって変調された磁界を発生させ磁気
記録層のレーザ光の照射位置に垂直に印加するのであ
る。
【０００５】上記の例のように従来、磁気ヘッド用平面
コイル部品をはじめとする導体パターンを用いた部品に
おいては、積極的に電流を供給する経路としての導体パ
ターン、すなわち電気的な機能を果たすために必要な導
体パターンのみを配置するのが、きわめて一般的であ
る。
コイル部品をはじめとする導体パターンを用いた部品に
おいては、積極的に電流を供給する経路としての導体パ
ターン、すなわち電気的な機能を果たすために必要な導
体パターンのみを配置するのが、きわめて一般的であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年情報信号
の記録速度の向上に対する要求が高まるにつれて、上記
のような磁気ヘッドに使用される平面コイル部品を小型
化する必要が生じている。またそれにともなって平面コ
イル部品の寸法精度や平坦性を向上することによって光
ヘッドとの相対的な位置の調整や、光磁気記録媒体との
距離の調整を一層精密に行い、光磁気記録媒体の磁気記
録層の光スポットの位置に正確に、しかも効率的に磁界
を印加する必要がある。しかし上記のような平面コイル
は、剛性が小さく機械強度が不十分であるため磁気ヘッ
ドの製造時に変形を生じ易いために正確な位置の調整が
困難であり、上記の要求に十分には応えられなかった。
このような問題点を以下に詳しく説明する。
の記録速度の向上に対する要求が高まるにつれて、上記
のような磁気ヘッドに使用される平面コイル部品を小型
化する必要が生じている。またそれにともなって平面コ
イル部品の寸法精度や平坦性を向上することによって光
ヘッドとの相対的な位置の調整や、光磁気記録媒体との
距離の調整を一層精密に行い、光磁気記録媒体の磁気記
録層の光スポットの位置に正確に、しかも効率的に磁界
を印加する必要がある。しかし上記のような平面コイル
は、剛性が小さく機械強度が不十分であるため磁気ヘッ
ドの製造時に変形を生じ易いために正確な位置の調整が
困難であり、上記の要求に十分には応えられなかった。
このような問題点を以下に詳しく説明する。
【０００７】上記のような磁気ヘッドにおいて、より効
率的に磁界を発生するためにはコイルパターン５３はコ
ア５１に十分に近づけて設ける必要がある。そのために
は基材５２の厚さは十分に小さくするべきである。さら
に光磁気記録媒体に効率的に磁界を印加するためには、
コイル５０の表面を光磁気記録媒体に十分に近づけて配
設する必要がある。
率的に磁界を発生するためにはコイルパターン５３はコ
ア５１に十分に近づけて設ける必要がある。そのために
は基材５２の厚さは十分に小さくするべきである。さら
に光磁気記録媒体に効率的に磁界を印加するためには、
コイル５０の表面を光磁気記録媒体に十分に近づけて配
設する必要がある。
【０００８】上記公報には明記されていないが、仮にコ
イル５０を構成する基材５２を、厚さが２０μｍのポリ
イミドのシートとする。このような樹脂材料の薄いシー
トは柔軟性が大きいのでコイル５０の剛性が不足し、磁
気ヘッドの製造時に次のような問題を生じる。
イル５０を構成する基材５２を、厚さが２０μｍのポリ
イミドのシートとする。このような樹脂材料の薄いシー
トは柔軟性が大きいのでコイル５０の剛性が不足し、磁
気ヘッドの製造時に次のような問題を生じる。
【０００９】即ちコイル５０とコア５１とを貼り合わせ
る作業を行う場合に、特にコイルパターン５３が形成さ
れない部分において、作用する力に抗しきれずに屈曲す
るなどの変形を容易に生じる。その結果コイル５０の取
付け位置が正確に定まらずに誤差が生じ、その結果光ヘ
ッドとの相対位置にずれが生じ情報信号の記録が正常に
できないなどの問題を生じるのである。
る作業を行う場合に、特にコイルパターン５３が形成さ
れない部分において、作用する力に抗しきれずに屈曲す
るなどの変形を容易に生じる。その結果コイル５０の取
付け位置が正確に定まらずに誤差が生じ、その結果光ヘ
ッドとの相対位置にずれが生じ情報信号の記録が正常に
できないなどの問題を生じるのである。
【００１０】さらにはコイル５０のコア５１と対向する
面にはコイルパターンと端子５４ｂとを接続するための
導体パターンが基材５２上に突出して形成されており、
コイル５０のコア５１と対向する表面は平坦ではない。
そのためコア５１と貼り合わせる際に、コイル５０の光
磁気ディスクと対向する表面の一部が***したり傾斜し
たりするなどの変形を生じ易い。このためコイル５０の
光磁気記録媒体と対向する表面を光磁気記録媒体に十分
に近づけ、効率的に磁界を印加することができないので
ある。
面にはコイルパターンと端子５４ｂとを接続するための
導体パターンが基材５２上に突出して形成されており、
コイル５０のコア５１と対向する表面は平坦ではない。
そのためコア５１と貼り合わせる際に、コイル５０の光
磁気ディスクと対向する表面の一部が***したり傾斜し
たりするなどの変形を生じ易い。このためコイル５０の
光磁気記録媒体と対向する表面を光磁気記録媒体に十分
に近づけ、効率的に磁界を印加することができないので
ある。
【００１１】また情報信号の記録を高速化するには磁界
の変調周波数をより高くする必要がある。ところが変調
周波数に略比例して、コア５１及びコイルパターン５３
における高周波損失が増大する結果、磁気ヘッドの温度
が上昇する。ところでコア５１を構成するフェライト等
の磁性材料は、その飽和磁束密度Ｂｓが温度の上昇とと
もに低下する性質を有する。従って磁界の変調周波数を
高くしてゆくとそれにつれてコア５１を構成するフェラ
イトの飽和磁束密度Ｂｓが低下し、やがてはコア５１の
内部の磁束密度に等しくなる。もし磁界の変調周波数を
さらに高くすると、コア５１の内部の磁束密度は飽和磁
束密度Ｂｓとともに低下するので、それにともなって磁
気ヘッドの発生磁界の強度も低下する。その結果光磁気
記録媒体に印加される磁界が不足し、情報信号の記録が
できなくなるのである。
の変調周波数をより高くする必要がある。ところが変調
周波数に略比例して、コア５１及びコイルパターン５３
における高周波損失が増大する結果、磁気ヘッドの温度
が上昇する。ところでコア５１を構成するフェライト等
の磁性材料は、その飽和磁束密度Ｂｓが温度の上昇とと
もに低下する性質を有する。従って磁界の変調周波数を
高くしてゆくとそれにつれてコア５１を構成するフェラ
イトの飽和磁束密度Ｂｓが低下し、やがてはコア５１の
内部の磁束密度に等しくなる。もし磁界の変調周波数を
さらに高くすると、コア５１の内部の磁束密度は飽和磁
束密度Ｂｓとともに低下するので、それにともなって磁
気ヘッドの発生磁界の強度も低下する。その結果光磁気
記録媒体に印加される磁界が不足し、情報信号の記録が
できなくなるのである。
【００１２】また磁気ヘッドの温度が、その構成部材の
耐熱限界を越えると、変形を生じたり電気的な絶縁不良
を起こす場合がある。
耐熱限界を越えると、変形を生じたり電気的な絶縁不良
を起こす場合がある。
【００１３】このような事情によって変調周波数を高く
するには限界があり、情報信号の記録を一層高速化する
ことはできなかったのである。
するには限界があり、情報信号の記録を一層高速化する
ことはできなかったのである。
【００１４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明におい
ては、磁気ヘッド用平面コイル（以降コイルと表記す
る）は、少なくとも導電性材料の膜から成る導体パター
ンであるコイルパターンおよびコイルパターンに電流供
給を行うための端子より構成される。コイルパターンは
磁界の発生中心を周回するように電流の供給が可能なス
パイラル状の導体パターンである。本発明においてはこ
のようなコイルパターンが形成された領域は、磁界の発
生に寄与する効果的な電流を供給することができる“有
効領域”、コイルパターンの外側であり、少なくとも磁
界の発生中心を周回するように電流を供給することがで
きる導体パターンは形成されない領域を“非有効領域”
と定義する。また以降の説明において非有効領域に形成
した導体パターンのうち端子や端子とコイルパターンと
を接続する導体パターン等のコイルパターンへの電流の
供給経路である導体パターンを除くものを特に“ダミー
パターン”と表現する。
ては、磁気ヘッド用平面コイル（以降コイルと表記す
る）は、少なくとも導電性材料の膜から成る導体パター
ンであるコイルパターンおよびコイルパターンに電流供
給を行うための端子より構成される。コイルパターンは
磁界の発生中心を周回するように電流の供給が可能なス
パイラル状の導体パターンである。本発明においてはこ
のようなコイルパターンが形成された領域は、磁界の発
生に寄与する効果的な電流を供給することができる“有
効領域”、コイルパターンの外側であり、少なくとも磁
界の発生中心を周回するように電流を供給することがで
きる導体パターンは形成されない領域を“非有効領域”
と定義する。また以降の説明において非有効領域に形成
した導体パターンのうち端子や端子とコイルパターンと
を接続する導体パターン等のコイルパターンへの電流の
供給経路である導体パターンを除くものを特に“ダミー
パターン”と表現する。
【００１５】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、非有効領域に導体パターンを形成
し、さらにその導体占有率Ｒ（ある領域内に形成した導
電性材料の膜で構成されたすべての導体パターンの面積
の合計の領域の総面積に対する割合）をコイルパターン
からの距離に応じてある一定範囲に規定したことによ
り、コイルの電気特性を損なうことなく、しかも機械強
度や平坦性、寸法精度を改善した磁気ヘッド用平面コイ
ル、およびそれを用いた磁気ヘッド、光磁気記録装置を
提供しようとするものである。
なされたものであり、非有効領域に導体パターンを形成
し、さらにその導体占有率Ｒ（ある領域内に形成した導
電性材料の膜で構成されたすべての導体パターンの面積
の合計の領域の総面積に対する割合）をコイルパターン
からの距離に応じてある一定範囲に規定したことによ
り、コイルの電気特性を損なうことなく、しかも機械強
度や平坦性、寸法精度を改善した磁気ヘッド用平面コイ
ル、およびそれを用いた磁気ヘッド、光磁気記録装置を
提供しようとするものである。
【００１６】本願発明者らは鋭意検討を重ねた結果、コ
イルパターンの外縁（有効領域の外縁）からの距離を
Ｓ、コイルパターンのピッチ（ただしピッチが一定では
ない場合にはその最小値）をＰ、導体占有率をＲとする
と、有効領域の外側の非有効領域を距離Ｓによって複数
の領域に区分し、各領域に以下の式１、式２および式３
を同時に満たすごとく導体パターンを配置し、かつ第１
の領域Ａ１における導体パターンは閉ループを形成しな
いこととするとき、上記問題点を解決できることを見い
だし、本発明をなすに至った。 式１：０≦Ｓ≦１．５Ｐである第１の領域Ａ１において
は０≦Ｒ≦０．３ 式２：１．５Ｐ＜Ｓ≦６．０Ｐである第２の領域Ａ２に
おいては０≦Ｒ≦０．８ 式３：６．０Ｐ＜Ｓである第３の領域Ａ３においては
０．３＜Ｒ≦１ すなわち非有効領域に形成する導体パターンの導体占有
率Ｒをコイルパターンの近くにおいては小さくし、コイ
ルパターンから離れるに従って大きくするとき、コイル
の電気特性と機械強度が両立できるのである。また必要
に応じて非有効領域にコイルパターンへの電流の供給経
路ではないダミーパターンを形成し、非有効領域におけ
る導体パターンの導体占有率Ｒが上記の式１、式２およ
び式３を同時に満たすようにすることができるのであ
る。これについてさらに詳細に説明する。
イルパターンの外縁（有効領域の外縁）からの距離を
Ｓ、コイルパターンのピッチ（ただしピッチが一定では
ない場合にはその最小値）をＰ、導体占有率をＲとする
と、有効領域の外側の非有効領域を距離Ｓによって複数
の領域に区分し、各領域に以下の式１、式２および式３
を同時に満たすごとく導体パターンを配置し、かつ第１
の領域Ａ１における導体パターンは閉ループを形成しな
いこととするとき、上記問題点を解決できることを見い
だし、本発明をなすに至った。 式１：０≦Ｓ≦１．５Ｐである第１の領域Ａ１において
は０≦Ｒ≦０．３ 式２：１．５Ｐ＜Ｓ≦６．０Ｐである第２の領域Ａ２に
おいては０≦Ｒ≦０．８ 式３：６．０Ｐ＜Ｓである第３の領域Ａ３においては
０．３＜Ｒ≦１ すなわち非有効領域に形成する導体パターンの導体占有
率Ｒをコイルパターンの近くにおいては小さくし、コイ
ルパターンから離れるに従って大きくするとき、コイル
の電気特性と機械強度が両立できるのである。また必要
に応じて非有効領域にコイルパターンへの電流の供給経
路ではないダミーパターンを形成し、非有効領域におけ
る導体パターンの導体占有率Ｒが上記の式１、式２およ
び式３を同時に満たすようにすることができるのであ
る。これについてさらに詳細に説明する。
【００１７】まず非有効領域のうち最もコイルパターン
の近傍である第１の領域Ａ１に形成される導体パターン
の面積が大きいと、コイルパターンと第１の領域Ａ１に
形成した導体パターンとの間に大きな静電容量が生じ
る。このように大きな静電容量を生じると、磁気ヘッド
により変調された磁界を発生する場合に、コイルに供給
する電流の変化の速度は小さくなり、そのため磁界の反
転が遅くなる。その結果高速で情報信号を記録するのが
困難となる問題点が生じる。またコイルの製造時や、長
期使用するにつれて第１の領域Ａ１に形成した導体パタ
ーンとコイルパターンの間の絶縁信頼性が低下する。従
って式１で示すように第１の領域Ａ１においては導体パ
ターンは設けないか、または導体パターンの導体占有率
Ｒは０．３を超えてはならないものとする。
の近傍である第１の領域Ａ１に形成される導体パターン
の面積が大きいと、コイルパターンと第１の領域Ａ１に
形成した導体パターンとの間に大きな静電容量が生じ
る。このように大きな静電容量を生じると、磁気ヘッド
により変調された磁界を発生する場合に、コイルに供給
する電流の変化の速度は小さくなり、そのため磁界の反
転が遅くなる。その結果高速で情報信号を記録するのが
困難となる問題点が生じる。またコイルの製造時や、長
期使用するにつれて第１の領域Ａ１に形成した導体パタ
ーンとコイルパターンの間の絶縁信頼性が低下する。従
って式１で示すように第１の領域Ａ１においては導体パ
ターンは設けないか、または導体パターンの導体占有率
Ｒは０．３を超えてはならないものとする。
【００１８】またコイルパターンの近傍において、導体
パターンがコイルパターンを周回する閉ループを形成し
たとすると、コイルパターンに電流を供給して磁気ヘッ
ドにより変調された磁界を発生する場合に、導体パター
ン内にコイルパターンへの供給電流とは逆方向の電流
（渦電流）が誘起され、その結果発生しようとする磁界
の変化が相殺され、正常な情報信号の記録ができなくな
るという問題点が生じる。従って第１の領域Ａ１におけ
る導体パターンをコイルパターンを周回する方向に２つ
以上に分割して不連続に形成し、さらに分割された導体
パターン間の間隔はすべて０．２Ｐ以上とすることが好
ましく、これにより導体パターンにおける渦電流の発生
がより抑制される。
パターンがコイルパターンを周回する閉ループを形成し
たとすると、コイルパターンに電流を供給して磁気ヘッ
ドにより変調された磁界を発生する場合に、導体パター
ン内にコイルパターンへの供給電流とは逆方向の電流
（渦電流）が誘起され、その結果発生しようとする磁界
の変化が相殺され、正常な情報信号の記録ができなくな
るという問題点が生じる。従って第１の領域Ａ１におけ
る導体パターンをコイルパターンを周回する方向に２つ
以上に分割して不連続に形成し、さらに分割された導体
パターン間の間隔はすべて０．２Ｐ以上とすることが好
ましく、これにより導体パターンにおける渦電流の発生
がより抑制される。
【００１９】次に第２の領域Ａ２は第１の領域Ａ１ほど
ではないが、コイルパターンへの電流の供給により発生
する磁界の影響が及ぶ範囲であり、第２の領域Ａ２に形
成する導体パターンの導体占有率Ｒが０．８を超えると
やはり渦電流の発生やコイルパターンとの間の静電容量
によりコイルの特性が低下する。従って式２で示すよう
に第２の領域Ａ２においては導体パターンは設けない
か、または導体パターンの導体占有率Ｒは０．８を超え
てはならないものとする。
ではないが、コイルパターンへの電流の供給により発生
する磁界の影響が及ぶ範囲であり、第２の領域Ａ２に形
成する導体パターンの導体占有率Ｒが０．８を超えると
やはり渦電流の発生やコイルパターンとの間の静電容量
によりコイルの特性が低下する。従って式２で示すよう
に第２の領域Ａ２においては導体パターンは設けない
か、または導体パターンの導体占有率Ｒは０．８を超え
てはならないものとする。
【００２０】次に第３の領域Ａ３においては導体パター
ンの導体占有率Ｒは０．３以下では実質的に補強の役割
を果たさない。さらに第３の領域Ａ３に形成する導体パ
ターンの導体占有率Ｒがコイルパターンの導体占有率の
０．６倍よりも小さいとすると、導体パターンおよびコ
イルパターンをメッキ法で製造するとした場合に、メッ
キ時の電流密度に偏りが生じて電流がコイルパターンへ
集中する結果、第３の領域Ａ３における導体パターンの
膜厚はコイルパターンよりも小さくなり、コイルパター
ンが突出するという問題が生じる。一方コイルパターン
の導体占有率は効率的に磁界を発生するためには０．５
以上とするのが望ましい。従って式３に示すように第３
の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有率Ｒを
０．３＜Ｒ≦１とする。これによりメッキ時の電流密度
の局所的な集中の緩和と、パターン内の金属イオン拡散
速度の平均化により、メッキによって製造される導体パ
ターンの膜厚の偏りが改善され、コイルパターンが突出
することなく好ましい。
ンの導体占有率Ｒは０．３以下では実質的に補強の役割
を果たさない。さらに第３の領域Ａ３に形成する導体パ
ターンの導体占有率Ｒがコイルパターンの導体占有率の
０．６倍よりも小さいとすると、導体パターンおよびコ
イルパターンをメッキ法で製造するとした場合に、メッ
キ時の電流密度に偏りが生じて電流がコイルパターンへ
集中する結果、第３の領域Ａ３における導体パターンの
膜厚はコイルパターンよりも小さくなり、コイルパター
ンが突出するという問題が生じる。一方コイルパターン
の導体占有率は効率的に磁界を発生するためには０．５
以上とするのが望ましい。従って式３に示すように第３
の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有率Ｒを
０．３＜Ｒ≦１とする。これによりメッキ時の電流密度
の局所的な集中の緩和と、パターン内の金属イオン拡散
速度の平均化により、メッキによって製造される導体パ
ターンの膜厚の偏りが改善され、コイルパターンが突出
することなく好ましい。
【００２１】なお導体占有率Ｒとは各領域内に形成され
たダミーパターン、端子および端子とコイルパターンと
を接続するための導体パターン等を含むすべての導体パ
ターンの面積の合計の各領域の総面積に対する割合であ
る。ただし領域内に導体パターンの形成が不可能な部
分、例えばコイルの一部に形成した孔等が存在する場合
には、その面積は各領域の総面積には含めないものとす
る。またこれら非有効領域内に部分的に幅がコイルパタ
ーンのピッチＰ以下であり、導体パターンの形成が困難
である部分が存在する場合には、そのような部分には必
ずしも導体パターンを形成しなくてもよい。
たダミーパターン、端子および端子とコイルパターンと
を接続するための導体パターン等を含むすべての導体パ
ターンの面積の合計の各領域の総面積に対する割合であ
る。ただし領域内に導体パターンの形成が不可能な部
分、例えばコイルの一部に形成した孔等が存在する場合
には、その面積は各領域の総面積には含めないものとす
る。またこれら非有効領域内に部分的に幅がコイルパタ
ーンのピッチＰ以下であり、導体パターンの形成が困難
である部分が存在する場合には、そのような部分には必
ずしも導体パターンを形成しなくてもよい。
【００２２】また非有効領域に形成する導体パターン
（ダミーパターン）は任意の形状とすることができる。
特に、線状、スリット状、ドット状、多角形状等の導体
パターンを周期的に配列した構成とすれば、導体パター
ンの導体占有率Ｒは上記の各領域内の全体にわたって平
均化され、熱膨張、収縮率の分布が小さくなるため、導
体回路の平坦性、反り、寸法精度の改善と機械強度を補
強する効果より期待できる。さらに、メッキ法を適用す
る場合においても前述した電流密度とイオン拡散速度の
平均化により、メッキ膜厚の偏りがより一層改善され
る。このような導体パターンの配列の周期（ピッチ）は
一定でもランダムでもどちらでもよいが、周期（ピッ
チ）をコイルパターンのピッチＰ以上で５Ｐ以下とすれ
ば上記の膜厚の偏りの改善の効果が高く一層望ましい。
（ダミーパターン）は任意の形状とすることができる。
特に、線状、スリット状、ドット状、多角形状等の導体
パターンを周期的に配列した構成とすれば、導体パター
ンの導体占有率Ｒは上記の各領域内の全体にわたって平
均化され、熱膨張、収縮率の分布が小さくなるため、導
体回路の平坦性、反り、寸法精度の改善と機械強度を補
強する効果より期待できる。さらに、メッキ法を適用す
る場合においても前述した電流密度とイオン拡散速度の
平均化により、メッキ膜厚の偏りがより一層改善され
る。このような導体パターンの配列の周期（ピッチ）は
一定でもランダムでもどちらでもよいが、周期（ピッ
チ）をコイルパターンのピッチＰ以上で５Ｐ以下とすれ
ば上記の膜厚の偏りの改善の効果が高く一層望ましい。
【００２３】また特にコイルの周縁（コイルの外縁やコ
イルに形成した孔の周縁などの輪郭部）は十分な機械強
度を必要とするので、コイルの周縁に沿って導体パター
ン（ダミーパターン）を形成するのが望ましい。ただし
コイルパターンの内側に形成される磁極を配設するため
の孔または光の透過部である孔の周縁に閉ループを形成
するように導体パターンを設けたとすると、この導体パ
ターン内に発生する渦電流によって発生しようとする磁
界が相殺されるので、コイルパターンの内側に形成され
るこのような孔の周縁には少なくとも閉ループを形成す
る導体パターンは設けないものとする。
イルに形成した孔の周縁などの輪郭部）は十分な機械強
度を必要とするので、コイルの周縁に沿って導体パター
ン（ダミーパターン）を形成するのが望ましい。ただし
コイルパターンの内側に形成される磁極を配設するため
の孔または光の透過部である孔の周縁に閉ループを形成
するように導体パターンを設けたとすると、この導体パ
ターン内に発生する渦電流によって発生しようとする磁
界が相殺されるので、コイルパターンの内側に形成され
るこのような孔の周縁には少なくとも閉ループを形成す
る導体パターンは設けないものとする。
【００２４】さらに上記のコイルの周縁に形成する導体
パターンは帯状で、その幅がコイルパターンのピッチＰ
以上で４Ｐ以下とするのがよい。導体パターンの幅がこ
れより狭いと実質的に周縁部分の補強の役割を果たさな
いし、逆にこれより広いとメッキ法で導体パターンを形
成する場合、メッキ液中の金属イオンの拡散速度が大と
なり、その厚さがコイルパターンより大きくなりすぎ
る。このような帯状の導体パターンは非有効領域におけ
る他の導体パターンと連結するように形成すれば、コイ
ルの補強と平坦化に対する効果がより一層高められる。
またコイルの周縁であってもそれとコイルパターンの外
縁との間隔がコイルパターンのピッチＰ以下に接近して
いる部分については必ずしも導体パターンを形成しなく
てもよい。このようにコイルの周縁に沿う導体パターン
は必ずしも完全に連続し閉ループを形成する必要はな
く、一部分が途切れていてもよい。
パターンは帯状で、その幅がコイルパターンのピッチＰ
以上で４Ｐ以下とするのがよい。導体パターンの幅がこ
れより狭いと実質的に周縁部分の補強の役割を果たさな
いし、逆にこれより広いとメッキ法で導体パターンを形
成する場合、メッキ液中の金属イオンの拡散速度が大と
なり、その厚さがコイルパターンより大きくなりすぎ
る。このような帯状の導体パターンは非有効領域におけ
る他の導体パターンと連結するように形成すれば、コイ
ルの補強と平坦化に対する効果がより一層高められる。
またコイルの周縁であってもそれとコイルパターンの外
縁との間隔がコイルパターンのピッチＰ以下に接近して
いる部分については必ずしも導体パターンを形成しなく
てもよい。このようにコイルの周縁に沿う導体パターン
は必ずしも完全に連続し閉ループを形成する必要はな
く、一部分が途切れていてもよい。
【００２５】また非有効領域内に円形や長円形の孔やコ
イルの外周部に形成した凹部等の位置決め部位を形成
し、位置決め部位の周縁に導体パターンを形成すれば、
位置決め部位の周辺の機械強度が増大する。以降の説明
では特にこのような位置決め部位の周縁に形成した導体
パターンを“ガイドパターン”と表現する。ガイドパタ
ーンの形成によって、磁気ヘッドの製造時にコイルの位
置決め部位をスライダー等の磁気ヘッドの他の構成部材
に設けた係止部と嵌合する際にコイルが変形することが
防止され、光ヘッドとの相対的な位置の精度を一層向上
することができる。
イルの外周部に形成した凹部等の位置決め部位を形成
し、位置決め部位の周縁に導体パターンを形成すれば、
位置決め部位の周辺の機械強度が増大する。以降の説明
では特にこのような位置決め部位の周縁に形成した導体
パターンを“ガイドパターン”と表現する。ガイドパタ
ーンの形成によって、磁気ヘッドの製造時にコイルの位
置決め部位をスライダー等の磁気ヘッドの他の構成部材
に設けた係止部と嵌合する際にコイルが変形することが
防止され、光ヘッドとの相対的な位置の精度を一層向上
することができる。
【００２６】また、非有効領域に形成した導体パターン
は、有効領域に形成したコイルパターンやコアで発生す
る熱を放散し、磁気ヘッドの温度の上昇を防止するのに
も有効である。さらに磁気ヘッドは、導体パターンに密
着する放熱部材を備えていればより高い放熱効率を得る
ことができる。
は、有効領域に形成したコイルパターンやコアで発生す
る熱を放散し、磁気ヘッドの温度の上昇を防止するのに
も有効である。さらに磁気ヘッドは、導体パターンに密
着する放熱部材を備えていればより高い放熱効率を得る
ことができる。
【００２７】このように非有効領域には目的に応じて適
切な位置に適切な形状の導体パターンを形成することが
できる。これらすべての導体パターンをその導体占有率
Ｒが、前記式１、式２および式３を満たすように形成す
れば、コイルの機械強度は増大し、しかもコイルの電気
的特性を損なうことはない。またコイルパターンを含む
すべての導体パターンの厚さは略同一であるから、一部
の導体パターンのみがコイルの表面上に突出することは
ない。従ってコイルの上面をコア等の他の部材と貼り合
わせる際に、コイルの下面（光磁気記録媒体と対向する
面）が***したり傾斜することはない。その結果磁気ヘ
ッドの製造時にコイルをその下面と光磁気記録媒体の表
面との距離が十分に小さくなるように精度よく配設する
ことができるので、光磁気記録媒体に効率的に磁界を印
加することができるのである。
切な位置に適切な形状の導体パターンを形成することが
できる。これらすべての導体パターンをその導体占有率
Ｒが、前記式１、式２および式３を満たすように形成す
れば、コイルの機械強度は増大し、しかもコイルの電気
的特性を損なうことはない。またコイルパターンを含む
すべての導体パターンの厚さは略同一であるから、一部
の導体パターンのみがコイルの表面上に突出することは
ない。従ってコイルの上面をコア等の他の部材と貼り合
わせる際に、コイルの下面（光磁気記録媒体と対向する
面）が***したり傾斜することはない。その結果磁気ヘ
ッドの製造時にコイルをその下面と光磁気記録媒体の表
面との距離が十分に小さくなるように精度よく配設する
ことができるので、光磁気記録媒体に効率的に磁界を印
加することができるのである。
【００２８】このようにコイルを小型化し、そのインダ
クタンスを低減しながらも、コイルと光ヘッドの相対的
な位置や光磁気記録媒体との距離の精度を向上させ、か
つ放熱特性にも優れた磁気ヘッドが実現する結果、磁界
の変調周波数を８ＭＨｚ以上にすることが可能となり、
情報信号の記録速度を向上できるのである。
クタンスを低減しながらも、コイルと光ヘッドの相対的
な位置や光磁気記録媒体との距離の精度を向上させ、か
つ放熱特性にも優れた磁気ヘッドが実現する結果、磁界
の変調周波数を８ＭＨｚ以上にすることが可能となり、
情報信号の記録速度を向上できるのである。
【００２９】また本発明の磁気ヘッド用平面コイル部品
の製造には、フォトリソグラフィーによるパターン形成
とエッチング法またはメッキ法等を組み合わせた方法を
適用することができる。特に、コイルパターンの幅に対
して厚さが大きい、いわゆる高アスペクト比で膜厚の大
きい導体パターンからなるコイルに本発明を適用する場
合は、液状感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィーが
最適である。すなわち、液状感光性樹脂を用いて厚く、
高アスペクト比の樹脂硬化物パターンを形成し、さらに
メッキ法によって導電性材料の膜である導体パターンを
樹脂硬化物のパターンと略同一の厚さに形成するのであ
る。液状感光性樹脂の硬化物を除去せずに絶縁部材とし
て用いれば、導体パターンと絶縁部材の厚さを略同一と
し、導体パターンが突出しない平坦性のよい磁気ヘッド
用平面コイル部品を製造することができる。また液状感
光性樹脂の硬化物を除去した後、熱硬化性樹脂等から成
る絶縁部材を導体パターンと略同一の厚さとなるように
埋め込んでもよい。また絶縁部材は導体パターンよりも
厚く、導体パターンの端面を覆うように形成しても良
い。特にコイルの他の部材と貼り合わされる上面側にお
いて、絶縁部材を導体パターンと略同一またはそれ以上
の厚さに形成すれば、導体パターンは突出することなく
コイルの表面は非常に平坦であるので、貼り合わせによ
るコイルの下面の***や傾斜を防止する効果も高められ
る。
の製造には、フォトリソグラフィーによるパターン形成
とエッチング法またはメッキ法等を組み合わせた方法を
適用することができる。特に、コイルパターンの幅に対
して厚さが大きい、いわゆる高アスペクト比で膜厚の大
きい導体パターンからなるコイルに本発明を適用する場
合は、液状感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィーが
最適である。すなわち、液状感光性樹脂を用いて厚く、
高アスペクト比の樹脂硬化物パターンを形成し、さらに
メッキ法によって導電性材料の膜である導体パターンを
樹脂硬化物のパターンと略同一の厚さに形成するのであ
る。液状感光性樹脂の硬化物を除去せずに絶縁部材とし
て用いれば、導体パターンと絶縁部材の厚さを略同一と
し、導体パターンが突出しない平坦性のよい磁気ヘッド
用平面コイル部品を製造することができる。また液状感
光性樹脂の硬化物を除去した後、熱硬化性樹脂等から成
る絶縁部材を導体パターンと略同一の厚さとなるように
埋め込んでもよい。また絶縁部材は導体パターンよりも
厚く、導体パターンの端面を覆うように形成しても良
い。特にコイルの他の部材と貼り合わされる上面側にお
いて、絶縁部材を導体パターンと略同一またはそれ以上
の厚さに形成すれば、導体パターンは突出することなく
コイルの表面は非常に平坦であるので、貼り合わせによ
るコイルの下面の***や傾斜を防止する効果も高められ
る。
【００３０】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。なお、本発明は実施例により制限されるものではな
い。 〔第１の実施例〕図１１には磁気ヘッド１の構成を示
す。図１１の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図であ
る。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料より成るコ
ア１２、コイル１３、コア１２およびコイル１３が搭載
されたスライダー１４より構成される。４は光磁気記録
媒体である光磁気ディスクである。
る。なお、本発明は実施例により制限されるものではな
い。 〔第１の実施例〕図１１には磁気ヘッド１の構成を示
す。図１１の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図であ
る。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料より成るコ
ア１２、コイル１３、コア１２およびコイル１３が搭載
されたスライダー１４より構成される。４は光磁気記録
媒体である光磁気ディスクである。
【００３１】コア１２はフェライト等の磁性材料から成
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともにスライダー１４に搭載される。スライダー
１４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気デ
ィスク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓ
または浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成さ
れる。
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともにスライダー１４に搭載される。スライダー
１４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気デ
ィスク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓ
または浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成さ
れる。
【００３２】図１および図２にはコイル１３の詳細な構
成を示す。図１は断面図、図２の（ａ）は上面から見た
平面図、（ｂ）は下面から見た平面図である。コイル１
３は基材１５，基材１５の上面側（コア１２と対向する
側）に形成されたスパイラル状のコイルパターン１６
ａ、ダミーパターン１７ａ、絶縁部材１８ａ、端子１９
ａ，１９ｂ、保護コート２０ａ、基材１５の下面側（光
磁気ディスク４と対向する側）に形成されたスパイラル
状のコイルパターン１６ｂ、ダミーパターン１７ｂ、絶
縁部材１８ｂ、保護コート２０ｂより構成される。コイ
ルパターン１６ａ，１６ｂを形成した領域は有効領域で
あり、コイルパターン１６ａ，１６ｂには磁界の発生中
心（孔ｈ１）を周回する電流を供給することができる。
有効領域の外側のダミーパターン１７ａ，１７ｂおよび
端子１９ａ，１９ｂ等の導体パターンを形成した領域は
非有効領域であり、非有効領域に形成した導体パターン
には磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流は供給さ
れない。
成を示す。図１は断面図、図２の（ａ）は上面から見た
平面図、（ｂ）は下面から見た平面図である。コイル１
３は基材１５，基材１５の上面側（コア１２と対向する
側）に形成されたスパイラル状のコイルパターン１６
ａ、ダミーパターン１７ａ、絶縁部材１８ａ、端子１９
ａ，１９ｂ、保護コート２０ａ、基材１５の下面側（光
磁気ディスク４と対向する側）に形成されたスパイラル
状のコイルパターン１６ｂ、ダミーパターン１７ｂ、絶
縁部材１８ｂ、保護コート２０ｂより構成される。コイ
ルパターン１６ａ，１６ｂを形成した領域は有効領域で
あり、コイルパターン１６ａ，１６ｂには磁界の発生中
心（孔ｈ１）を周回する電流を供給することができる。
有効領域の外側のダミーパターン１７ａ，１７ｂおよび
端子１９ａ，１９ｂ等の導体パターンを形成した領域は
非有効領域であり、非有効領域に形成した導体パターン
には磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流は供給さ
れない。
【００３３】導体パターンであるコイルパターン１６
ａ，１６ｂ、ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、端子１９
ａ，１９ｂは銅等の導電性材料の膜から成り、その厚さ
Ｈはすべて５０μｍである。またコイルパターン１６
ａ，１６ｂの幅Ｗは２５μｍ、ピッチＰは内周から外周
まで一定で４０μｍである。絶縁部材１８ａ，１８ｂは
非導電性材料の膜、例えばコイルパターン１６ａ，１６
ｂを形成する際に使用された感光性樹脂や熱硬化性樹脂
の膜から成り、その厚さはコイルパターン１６ａ，１６
ｂ等の導体パターンと同一とする。このようにコイル１
３の上面側および下面側のそれぞれについて導体パター
ンと絶縁部材１８ａ、導体パターンと絶縁部材１８ｂの
厚さを同一とすれば、コイルパターン１６ａ，１６ｂ等
の導体パターンはコイル１３の上面および下面のいずれ
にも突出することはなく、コイル１３の表面は平坦に形
成できるのである。なお図２において、黒く塗りつぶし
た部分はすべて導電性材料の膜から成る導体パターン、
その周囲の白い部分はすべて絶縁部材１８ａ（上面側）
または１８ｂ（下面側）である。
ａ，１６ｂ、ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、端子１９
ａ，１９ｂは銅等の導電性材料の膜から成り、その厚さ
Ｈはすべて５０μｍである。またコイルパターン１６
ａ，１６ｂの幅Ｗは２５μｍ、ピッチＰは内周から外周
まで一定で４０μｍである。絶縁部材１８ａ，１８ｂは
非導電性材料の膜、例えばコイルパターン１６ａ，１６
ｂを形成する際に使用された感光性樹脂や熱硬化性樹脂
の膜から成り、その厚さはコイルパターン１６ａ，１６
ｂ等の導体パターンと同一とする。このようにコイル１
３の上面側および下面側のそれぞれについて導体パター
ンと絶縁部材１８ａ、導体パターンと絶縁部材１８ｂの
厚さを同一とすれば、コイルパターン１６ａ，１６ｂ等
の導体パターンはコイル１３の上面および下面のいずれ
にも突出することはなく、コイル１３の表面は平坦に形
成できるのである。なお図２において、黒く塗りつぶし
た部分はすべて導電性材料の膜から成る導体パターン、
その周囲の白い部分はすべて絶縁部材１８ａ（上面側）
または１８ｂ（下面側）である。
【００３４】コイルパターン１６ａと１６ｂとは内周部
においてスルーホール２１ａを介して接続される。さら
に端子１９ａはコイルパターン１６ａの外周部に、端子
１９ｂはスルーホール２１ｂを介してコイルパターン１
６ｂの外周部に接続される。端子１９ａ，１９ｂよりコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂに直列に電流を供給す
ることができる。
においてスルーホール２１ａを介して接続される。さら
に端子１９ａはコイルパターン１６ａの外周部に、端子
１９ｂはスルーホール２１ｂを介してコイルパターン１
６ｂの外周部に接続される。端子１９ａ，１９ｂよりコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂに直列に電流を供給す
ることができる。
【００３５】基材１５はコイルパターン１６ａと１６ｂ
とを電気的に絶縁するために設けられ、ポリイミド等の
樹脂材料の薄いシートから成る。またコイルパターン１
６ａとコイルパターン１６ｂの間隔Ｔｂ（本実施例にお
いては基材１５の厚さに略等しい）は２０μｍである。
また保護コート２０ａ，２０ｂは樹脂材料等の非導電性
材料から成る薄い膜またはシートであり、コイルパター
ン１６ａ，１６ｂの表面の損傷や腐食を防止する。保護
コート２０ａ，２０ｂの厚さＴｃは２０μｍである。
とを電気的に絶縁するために設けられ、ポリイミド等の
樹脂材料の薄いシートから成る。またコイルパターン１
６ａとコイルパターン１６ｂの間隔Ｔｂ（本実施例にお
いては基材１５の厚さに略等しい）は２０μｍである。
また保護コート２０ａ，２０ｂは樹脂材料等の非導電性
材料から成る薄い膜またはシートであり、コイルパター
ン１６ａ，１６ｂの表面の損傷や腐食を防止する。保護
コート２０ａ，２０ｂの厚さＴｃは２０μｍである。
【００３６】このようにコイルパターン１６ａ，１６ｂ
の周囲の非有効領域にダミーパターン１７ａ，１７ｂを
形成したことによってコイル１３の厚さＴは略全面にお
いて一様で１６０μｍとなり、ダミーパターンを形成し
ない場合に比較してコイル１３の機械強度が向上する。
従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁気ヘッドの製
造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わせ、スライダ
ー１４に搭載し、固定する作業を行う場合に、コイル１
３が屈曲するなどの変形を生じることは無い。またコイ
ル１３の上面（コア１２と対向する面）は平坦であるか
ら、コア１２と貼り合わせによって下面（光磁気ディス
ク４と対向する面）が***したり傾斜するなどの変形を
生じることはない。
の周囲の非有効領域にダミーパターン１７ａ，１７ｂを
形成したことによってコイル１３の厚さＴは略全面にお
いて一様で１６０μｍとなり、ダミーパターンを形成し
ない場合に比較してコイル１３の機械強度が向上する。
従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁気ヘッドの製
造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わせ、スライダ
ー１４に搭載し、固定する作業を行う場合に、コイル１
３が屈曲するなどの変形を生じることは無い。またコイ
ル１３の上面（コア１２と対向する面）は平坦であるか
ら、コア１２と貼り合わせによって下面（光磁気ディス
ク４と対向する面）が***したり傾斜するなどの変形を
生じることはない。
【００３７】なお本実施例のように、コイル１３を複数
のコイルパターンで構成する場合にはそれらの間隔Ｔｂ
は、７０μｍ以下、望ましくは３５μｍ以下とするべき
である。これによりコイルパターンの占積率（断面にお
ける導体パターンの構成比率）を十分に高め、効率的に
磁界を発生することが可能となる。またコイルパターン
および非有効領域に形成される導体パターン（ダミーパ
ターン）は、コイル１３の厚さＴが７０μｍ以上となる
ような厚さに形成するのが望ましい。
のコイルパターンで構成する場合にはそれらの間隔Ｔｂ
は、７０μｍ以下、望ましくは３５μｍ以下とするべき
である。これによりコイルパターンの占積率（断面にお
ける導体パターンの構成比率）を十分に高め、効率的に
磁界を発生することが可能となる。またコイルパターン
および非有効領域に形成される導体パターン（ダミーパ
ターン）は、コイル１３の厚さＴが７０μｍ以上となる
ような厚さに形成するのが望ましい。
【００３８】また本実施例のようにコイルパターンをコ
イルの上面側と下面側の両方に形成し、さらにそれぞれ
の側において非有効領域に導体パターン（ダミーパター
ン）を形成すれば、温度の変化による伸縮はコイルの上
面側と下面側とで略同等に発生するのでコイルが反るな
どの変形を生じることなく望ましい。
イルの上面側と下面側の両方に形成し、さらにそれぞれ
の側において非有効領域に導体パターン（ダミーパター
ン）を形成すれば、温度の変化による伸縮はコイルの上
面側と下面側とで略同等に発生するのでコイルが反るな
どの変形を生じることなく望ましい。
【００３９】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００４０】本実施例においてはコイルパターン１６
ａ，１６ｂのピッチＰは４０μｍであるから、上記の式
１、式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図２において破線Ｂ１は第
１の領域Ａ１と第２領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第
２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示す。
ａ，１６ｂのピッチＰは４０μｍであるから、上記の式
１、式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図２において破線Ｂ１は第
１の領域Ａ１と第２領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第
２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示す。
【００４１】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンによって構成されている。縞状の導体パターンの
幅は４０μｍ、ピッチは６０μｍである。さらにコイル
１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂ
が形成されている。これによりコイル１３の上面側およ
び下面側ともに第２の領域Ａ２においては導体パターン
の導体占有率Ｒは略０．６０、上面側の第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．６３、
下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体
占有率Ｒは略０．６０である。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンによって構成されている。縞状の導体パターンの
幅は４０μｍ、ピッチは６０μｍである。さらにコイル
１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂ
が形成されている。これによりコイル１３の上面側およ
び下面側ともに第２の領域Ａ２においては導体パターン
の導体占有率Ｒは略０．６０、上面側の第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．６３、
下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体
占有率Ｒは略０．６０である。
【００４２】このように非有効領域をコイルパターンの
外縁（有効領域の外縁）からの距離Ｓによって複数の領
域に区分し、各領域に上記の式１、式２および式３を同
時に満たすように導体パターンを配置し、かつ第１の領
域Ａ１においては導体パターンは閉ループを形成しない
ようにしたことによってコイルの電気特性を損なうこと
なく上記の補強効果を得ることができるのである。 〔第２の実施例〕次に本発明の第２の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図３に示
す。図３の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
外縁（有効領域の外縁）からの距離Ｓによって複数の領
域に区分し、各領域に上記の式１、式２および式３を同
時に満たすように導体パターンを配置し、かつ第１の領
域Ａ１においては導体パターンは閉ループを形成しない
ようにしたことによってコイルの電気特性を損なうこと
なく上記の補強効果を得ることができるのである。 〔第２の実施例〕次に本発明の第２の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図３に示
す。図３の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００４３】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００４４】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００４５】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００４６】ここでダミーパターンは各領域において次
のように形成されている。コイル１３の上面側および下
面側ともに第１の領域Ａ１においてはダミーパターンは
形成されていない。従って上面側および下面側ともに第
１の領域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは０
である。またコイル１３の上面側および下面側ともに、
第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダミー
パターン１７ａ，１７ｂは正方形ドット状の導体パター
ンの配列により構成されている。正方形ドット状の導体
パターンの一辺は６０μｍ、配列のピッチは８０μｍで
ある。さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には
端子１９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイ
ル１３の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２にお
いては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５６、上面
側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有
率Ｒは略０．５９、下面側の第３の領域Ａ３においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５６である。 〔第３の実施例〕次に本発明の第３の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図４に示
す。図４の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
のように形成されている。コイル１３の上面側および下
面側ともに第１の領域Ａ１においてはダミーパターンは
形成されていない。従って上面側および下面側ともに第
１の領域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは０
である。またコイル１３の上面側および下面側ともに、
第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダミー
パターン１７ａ，１７ｂは正方形ドット状の導体パター
ンの配列により構成されている。正方形ドット状の導体
パターンの一辺は６０μｍ、配列のピッチは８０μｍで
ある。さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には
端子１９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイ
ル１３の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２にお
いては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５６、上面
側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有
率Ｒは略０．５９、下面側の第３の領域Ａ３においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５６である。 〔第３の実施例〕次に本発明の第３の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図４に示
す。図４の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００４７】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００４８】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００４９】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００５０】ここでダミーパターンは各領域において次
のように形成されている。コイル１３の上面側および下
面側ともに第１の領域Ａ１においてはダミーパターンは
形成されていない。従って上面側および下面側ともに第
１の領域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは０
である。またコイル１３の上面側および下面側ともに、
第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダミー
パターン１７ａ，１７ｂは正方格子状の導体パターンに
より構成されている。正方格子状の導体パターンの幅は
４０μｍ、ピッチは１００μｍである。さらにコイル１
３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが
形成されている。これによりコイル１３の上面側および
下面側ともに第２の領域Ａ２においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．６４、上面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．６７、下
面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．６４である。 〔第４の実施例〕次に本発明の第４の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図５に示
す。図５の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
のように形成されている。コイル１３の上面側および下
面側ともに第１の領域Ａ１においてはダミーパターンは
形成されていない。従って上面側および下面側ともに第
１の領域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは０
である。またコイル１３の上面側および下面側ともに、
第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダミー
パターン１７ａ，１７ｂは正方格子状の導体パターンに
より構成されている。正方格子状の導体パターンの幅は
４０μｍ、ピッチは１００μｍである。さらにコイル１
３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが
形成されている。これによりコイル１３の上面側および
下面側ともに第２の領域Ａ２においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．６４、上面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．６７、下
面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．６４である。 〔第４の実施例〕次に本発明の第４の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図５に示
す。図５の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００５１】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００５２】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００５３】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００５４】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンにより構成されている。縞状の導体パターンの幅
は１１５μｍ、ピッチは１５０μｍである。さらにコイ
ル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９
ｂが形成されている。これによりコイル１３の上面側お
よび下面側ともに第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．７７で
ある。 〔第５の実施例〕次に本発明の第５の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図６に示
す。図６の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンにより構成されている。縞状の導体パターンの幅
は１１５μｍ、ピッチは１５０μｍである。さらにコイ
ル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９
ｂが形成されている。これによりコイル１３の上面側お
よび下面側ともに第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．７７で
ある。 〔第５の実施例〕次に本発明の第５の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図６に示
す。図６の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００５５】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００５６】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００５７】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００５８】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンにより構成されている。縞状の導体パターンの幅
は４０μｍ、ピッチは８０μｍである。また第３の領域
Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂはコイル
１３の外縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の
導体パターンによって構成される。この外縁に沿う帯状
の導体パターンと上記の縞状の導体パターンとは連結し
ている。さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３に
は端子１９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコ
イル１３の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５０、上
面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．５５、下面側の第３の領域Ａ３において
は導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２である。 〔第６の実施例〕次に本発明の第６の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図７に示
す。図７の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターンは形成されていない。従って上面側および
下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導
体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面側および
下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３に
おいてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パ
ターンにより構成されている。縞状の導体パターンの幅
は４０μｍ、ピッチは８０μｍである。また第３の領域
Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂはコイル
１３の外縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の
導体パターンによって構成される。この外縁に沿う帯状
の導体パターンと上記の縞状の導体パターンとは連結し
ている。さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３に
は端子１９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコ
イル１３の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５０、上
面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．５５、下面側の第３の領域Ａ３において
は導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２である。 〔第６の実施例〕次に本発明の第６の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図７に示
す。図７の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００５９】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００６０】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００６１】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００６２】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１および第２の
領域Ａ２においてはダミーパターンは形成されていな
い。従って上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１お
よび第２の領域Ａ２における導体パターンの導体占有率
Ｒは０である。またコイル１３の上面側および下面側と
もに第３の領域Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，
１７ｂは幅が４０μｍ、ピッチは８０μｍの縞状の導体
パターンと、コイル１３の外縁に沿うように形成した幅
が７０μｍの帯状の導体パターンによって構成される。
この外縁に沿う帯状の導体パターンと上記の縞状の導体
パターンとは連結している。さらにコイル１３の上面側
の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されて
いる。これによりコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５５、
下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体
占有率Ｒは略０．５２である。 〔第７の実施例〕次に本発明の第７の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図８に示
す。図８の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１および第２の
領域Ａ２においてはダミーパターンは形成されていな
い。従って上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１お
よび第２の領域Ａ２における導体パターンの導体占有率
Ｒは０である。またコイル１３の上面側および下面側と
もに第３の領域Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，
１７ｂは幅が４０μｍ、ピッチは８０μｍの縞状の導体
パターンと、コイル１３の外縁に沿うように形成した幅
が７０μｍの帯状の導体パターンによって構成される。
この外縁に沿う帯状の導体パターンと上記の縞状の導体
パターンとは連結している。さらにコイル１３の上面側
の第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されて
いる。これによりコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３
においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５５、
下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導体
占有率Ｒは略０．５２である。 〔第７の実施例〕次に本発明の第７の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図８に示
す。図８の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００６３】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００６４】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００６５】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００６６】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターン１７ａ，１７ｂはコイルパターン１６ａ，
１６ｂを周回する方向に配列した複数の導体パターンに
よって構成される。導体パターンの幅は２５μｍ、長さ
は６０μｍ、各導体パターンの間隔は３０μｍである。
またこの導体パターンとコイルパターン１６ａ，１６ｂ
の外縁との間隔は３５μｍである。これにより第１の領
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．２
８である。またコイル１３の上面側および下面側とも
に、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダ
ミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パターンによ
って構成されている。縞状の導体パターンの幅は４０μ
ｍ、ピッチは８０μｍである。また第３の領域Ａ３にお
いてはダミーパターン１７ａ，１７ｂはコイル１３の外
縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の導体パタ
ーンによって構成される。この外縁に沿う帯状の導体パ
ターンと上記の縞状の導体パターンとは連結している。
さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１
９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイル１３
の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５０、上面側の第
３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有率Ｒは
略０．５５、下面側の第３の第３の領域Ａ３においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２である。 〔第８の実施例〕次に本発明の第８の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図９に示
す。図９の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１においてはダ
ミーパターン１７ａ，１７ｂはコイルパターン１６ａ，
１６ｂを周回する方向に配列した複数の導体パターンに
よって構成される。導体パターンの幅は２５μｍ、長さ
は６０μｍ、各導体パターンの間隔は３０μｍである。
またこの導体パターンとコイルパターン１６ａ，１６ｂ
の外縁との間隔は３５μｍである。これにより第１の領
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．２
８である。またコイル１３の上面側および下面側とも
に、第２の領域Ａ２および第３の領域Ａ３においてはダ
ミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状の導体パターンによ
って構成されている。縞状の導体パターンの幅は４０μ
ｍ、ピッチは８０μｍである。また第３の領域Ａ３にお
いてはダミーパターン１７ａ，１７ｂはコイル１３の外
縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の導体パタ
ーンによって構成される。この外縁に沿う帯状の導体パ
ターンと上記の縞状の導体パターンとは連結している。
さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１
９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイル１３
の上面側および下面側ともに第２の領域Ａ２においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５０、上面側の第
３の領域Ａ３においては導体パターンの導体占有率Ｒは
略０．５５、下面側の第３の第３の領域Ａ３においては
導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２である。 〔第８の実施例〕次に本発明の第８の実施例について説
明する。本実施例における磁気ヘッドの構成は図１１に
示した第１の実施例と同様であるので説明は省略する。
本実施例におけるコイル１３の詳細な構成を図９に示
す。図９の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下面
から見た平面図である。
【００６７】ここで非有効領域に形成される導体パター
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
ンを除く構成は図１および図２に示した第１の実施例と
同様であるので説明は省略する。
【００６８】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂの
詳細について説明する。
【００６９】本実施例においても上記の式１、式２およ
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
び式３に従いコイル１３の上面側および下面側のそれぞ
れにおいて、コイルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁
からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍである領域が第
１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍである領域が
第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領域が第３の領
域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第１の領域Ａ１
と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は第２の領域Ａ
２と第３領域Ａ３の境界線を示している。
【００７０】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは各
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１および第２の
領域においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは放射状
に形成した複数の導体パターンによって構成される。導
体パターンの幅は１００μｍ、長さは２０５μｍ、各導
体パターンの間隔は７０〜１２０μｍである。またこの
導体パターンとコイルパターン１６ａ，１６ｂの外縁と
の間隔は３５μｍである。これにより上面側および下面
側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．２５、第２の領域Ａ２における導体パタ
ーンの導体占有率Ｒは略０．５５である。またコイル１
３の上面側および下面側ともに第３の領域Ａ３において
はダミーパターン１７ａ，１７ｂは幅が４０μｍ、ピッ
チが８０μｍの縞状の導体パターンと、コイル１３の外
縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の導体パタ
ーンによって構成される。この外縁に沿う帯状の導体パ
ターンと上記の縞状の導体パターンとは連結している。
さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１
９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイル１３
の上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導
体占有率Ｒは略０．５５、下面側の第３の領域Ａ３にお
いては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２であ
る。 〔第９の実施例〕次に本発明の第９の実施例について説
明する。図１２には磁気ヘッド１の構成を示す。図１２
の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図である。磁気ヘッ
ド１はフェライト等の磁性材料より成るコア１２、コイ
ル１３、コア１２およびコイル１３が搭載されたスライ
ダー１４より構成される。４は光磁気記録媒体である光
磁気ディスクである。
領域において次のように形成されている。コイル１３の
上面側および下面側ともに第１の領域Ａ１および第２の
領域においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは放射状
に形成した複数の導体パターンによって構成される。導
体パターンの幅は１００μｍ、長さは２０５μｍ、各導
体パターンの間隔は７０〜１２０μｍである。またこの
導体パターンとコイルパターン１６ａ，１６ｂの外縁と
の間隔は３５μｍである。これにより上面側および下面
側ともに第１の領域Ａ１における導体パターンの導体占
有率Ｒは略０．２５、第２の領域Ａ２における導体パタ
ーンの導体占有率Ｒは略０．５５である。またコイル１
３の上面側および下面側ともに第３の領域Ａ３において
はダミーパターン１７ａ，１７ｂは幅が４０μｍ、ピッ
チが８０μｍの縞状の導体パターンと、コイル１３の外
縁に沿うように形成した幅が７０μｍの帯状の導体パタ
ーンによって構成される。この外縁に沿う帯状の導体パ
ターンと上記の縞状の導体パターンとは連結している。
さらにコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１
９ａ，１９ｂが形成されている。これによりコイル１３
の上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの導
体占有率Ｒは略０．５５、下面側の第３の領域Ａ３にお
いては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５２であ
る。 〔第９の実施例〕次に本発明の第９の実施例について説
明する。図１２には磁気ヘッド１の構成を示す。図１２
の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図である。磁気ヘッ
ド１はフェライト等の磁性材料より成るコア１２、コイ
ル１３、コア１２およびコイル１３が搭載されたスライ
ダー１４より構成される。４は光磁気記録媒体である光
磁気ディスクである。
【００７１】コア１２はフェライト等の磁性材料から成
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともスライダー１４に搭載される。スライダー１
４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気ディ
スク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓま
たは浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成され
る。
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともスライダー１４に搭載される。スライダー１
４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気ディ
スク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓま
たは浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成され
る。
【００７２】またスライダー１４にはコイル１３の取り
付け面に突出した係止部２９，３０，３１が形成されて
いる。一方コイル１３には位置決め部位２３，２４，２
５が形成されている。位置決め部位２３，２４は円形の
孔であり、位置決め部位２５はコイル１３の外縁に形成
したＵ字形の凹部である。コイル１３は、位置決め部位
２３，２４，２５をスライダー１４の係止部２９，３
０，３１と嵌合することにより、スライダー１４上に取
り付けられる。
付け面に突出した係止部２９，３０，３１が形成されて
いる。一方コイル１３には位置決め部位２３，２４，２
５が形成されている。位置決め部位２３，２４は円形の
孔であり、位置決め部位２５はコイル１３の外縁に形成
したＵ字形の凹部である。コイル１３は、位置決め部位
２３，２４，２５をスライダー１４の係止部２９，３
０，３１と嵌合することにより、スライダー１４上に取
り付けられる。
【００７３】図１０にはコイル１３の詳細な構成を示
す。図１０の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下
面から見た平面図である。コイル１３は平板状であり、
基材１５，基材１５の上面側（コア１２と対向する側）
に形成されたスパイラル状のコイルパターン１６ａ、ダ
ミーパターン１７ａ、ガイドパターン２６ａ，２７ａ，
２８ａ、絶縁部材１８ａ、端子１９ａ，１９ｂ、保護コ
ート２０ａ、基材１５の下面側（光磁気ディスク４と対
向する側）に形成されたスパイラル状のコイルパターン
１６ｂ、ダミーパターン１７ｂ、ガイドパターン２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂ、絶縁部材１８ｂ、保護コート２０
ｂより構成される。コイルパターン１６ａ，１６ｂは有
効領域に形成され、コイルパターン１６ａ，１６ｂには
磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流を供給するこ
とができる。ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、ガイドパ
ターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８
ｂおよび端子１９ａ，１９ｂは非有効領域に形成され、
磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流は供給されな
い。
す。図１０の（ａ）は上面から見た平面図、（ｂ）は下
面から見た平面図である。コイル１３は平板状であり、
基材１５，基材１５の上面側（コア１２と対向する側）
に形成されたスパイラル状のコイルパターン１６ａ、ダ
ミーパターン１７ａ、ガイドパターン２６ａ，２７ａ，
２８ａ、絶縁部材１８ａ、端子１９ａ，１９ｂ、保護コ
ート２０ａ、基材１５の下面側（光磁気ディスク４と対
向する側）に形成されたスパイラル状のコイルパターン
１６ｂ、ダミーパターン１７ｂ、ガイドパターン２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂ、絶縁部材１８ｂ、保護コート２０
ｂより構成される。コイルパターン１６ａ，１６ｂは有
効領域に形成され、コイルパターン１６ａ，１６ｂには
磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流を供給するこ
とができる。ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、ガイドパ
ターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８
ｂおよび端子１９ａ，１９ｂは非有効領域に形成され、
磁界の発生中心（孔ｈ１）を周回する電流は供給されな
い。
【００７４】導体パターンであるコイルパターン１６
ａ，１６ｂ、ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、ガイドパ
ターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８
ｂ、端子１９ａ，１９ｂは銅等の導電性材料の膜から成
りその厚さＨはすべて５０μｍである。またコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂのピッチＰは内周から外周まで一定
で４０μｍ、幅Ｗは２５μｍである。絶縁部材１８ａ，
１８ｂは非導電性材料の膜、例えばコイルパターン１６
ａ，１６ｂを形成する際に使用された感光性樹脂材料や
熱硬化性樹脂材料の膜から成り、その厚さはコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂ等の導体パターンと同一とする。こ
のようにコイル１３の上面側および下面側のそれぞれに
ついて導体パターンと絶縁部材１８ａ、導体パターンと
絶縁部材１８ｂの厚さを同一とすれば、コイルパターン
１６ａ，１６ｂ等の導体パターンはコイル１３の上面お
よび下面のいずれにも突出することはなく、コイル１３
の表面は平坦に形成できるのである。なお図１０におい
て、黒く塗りつぶした部分はすべて導電材料の膜から成
る導体パターン、その周辺の白い部分はすべて絶縁部材
１８ａ（上面側）または１８ｂ（下面側）である。
ａ，１６ｂ、ダミーパターン１７ａ，１７ｂ、ガイドパ
ターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８
ｂ、端子１９ａ，１９ｂは銅等の導電性材料の膜から成
りその厚さＨはすべて５０μｍである。またコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂのピッチＰは内周から外周まで一定
で４０μｍ、幅Ｗは２５μｍである。絶縁部材１８ａ，
１８ｂは非導電性材料の膜、例えばコイルパターン１６
ａ，１６ｂを形成する際に使用された感光性樹脂材料や
熱硬化性樹脂材料の膜から成り、その厚さはコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂ等の導体パターンと同一とする。こ
のようにコイル１３の上面側および下面側のそれぞれに
ついて導体パターンと絶縁部材１８ａ、導体パターンと
絶縁部材１８ｂの厚さを同一とすれば、コイルパターン
１６ａ，１６ｂ等の導体パターンはコイル１３の上面お
よび下面のいずれにも突出することはなく、コイル１３
の表面は平坦に形成できるのである。なお図１０におい
て、黒く塗りつぶした部分はすべて導電材料の膜から成
る導体パターン、その周辺の白い部分はすべて絶縁部材
１８ａ（上面側）または１８ｂ（下面側）である。
【００７５】コイルパターン１６ａと１６ｂとは内周部
においてスルーホール２１ａを介して接続される。さら
に端子１９ａはコイルパターン１６ａの外周部に、端子
１９ｂはスルーホール２１ｂを介してコイルパターン１
６ｂの外周部に接続される。端子１９ａ，１９ｂよりコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂに直列に電流を供給す
ることができる。
においてスルーホール２１ａを介して接続される。さら
に端子１９ａはコイルパターン１６ａの外周部に、端子
１９ｂはスルーホール２１ｂを介してコイルパターン１
６ｂの外周部に接続される。端子１９ａ，１９ｂよりコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂに直列に電流を供給す
ることができる。
【００７６】基材１５はコイルパターン１６ａと１６ｂ
とを電気的に絶縁するために設けられ、ポリイミド等の
樹脂材料の薄いシートから成る。またコイルパターン１
６ａとコイルパターン１６ｂの間隔Ｔｂ（本実施例にお
いては基材１５の厚さに略等しい）は２０μｍである。
また保護コート２０ａ，２０ｂは樹脂材料等の非導電性
材料から成る薄い膜またはシートであり、コイルパター
ン１６ａ，１６ｂの表面の損傷や腐食を防止する。保護
コート２０ａ，２０ｂの厚さＴｃは２０μｍである。
とを電気的に絶縁するために設けられ、ポリイミド等の
樹脂材料の薄いシートから成る。またコイルパターン１
６ａとコイルパターン１６ｂの間隔Ｔｂ（本実施例にお
いては基材１５の厚さに略等しい）は２０μｍである。
また保護コート２０ａ，２０ｂは樹脂材料等の非導電性
材料から成る薄い膜またはシートであり、コイルパター
ン１６ａ，１６ｂの表面の損傷や腐食を防止する。保護
コート２０ａ，２０ｂの厚さＴｃは２０μｍである。
【００７７】このようにコイルパターン１６ａ，１６ｂ
の周囲の非有効領域にダミーパターン１７ａ，１７ｂを
形成したことによってコイル１３の厚さＴは略全面にお
いて一様で１６０μｍとなり、ダミーパターンを形成し
ない場合に比較してコイル１３の機械強度が向上する。
従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁気ヘッドの製
造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わせ、スライダ
ー１４に搭載し、固定する作業を行う場合に、コイル１
３が屈曲するなどの変形を生じることは無い。またコイ
ル１３の上面（コア１２と対向する面）は平坦であるか
ら、コア１２との貼り合わせによって下面（光磁気ディ
スク４と対向する面）が***したり傾斜するなどの変形
を生じることはない。
の周囲の非有効領域にダミーパターン１７ａ，１７ｂを
形成したことによってコイル１３の厚さＴは略全面にお
いて一様で１６０μｍとなり、ダミーパターンを形成し
ない場合に比較してコイル１３の機械強度が向上する。
従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁気ヘッドの製
造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わせ、スライダ
ー１４に搭載し、固定する作業を行う場合に、コイル１
３が屈曲するなどの変形を生じることは無い。またコイ
ル１３の上面（コア１２と対向する面）は平坦であるか
ら、コア１２との貼り合わせによって下面（光磁気ディ
スク４と対向する面）が***したり傾斜するなどの変形
を生じることはない。
【００７８】なお本実施例のように、コイル１３を複数
のコイルパターンで構成する場合にはそれらの間隔Ｔｂ
は、７０μｍ以下、望ましくは３５μｍ以下とするべき
である。これによりコイルパターンの占積率（断面にお
ける導体パターンの構成比率）を十分に高め、効率的に
磁界を発生することが可能となる。またコイルパターン
および非有効領域に形成される導体パターン（ダミーパ
ターン）は、コイル１３の厚さＴが７０μｍ以上となる
ような厚さに形成するのが望ましい。
のコイルパターンで構成する場合にはそれらの間隔Ｔｂ
は、７０μｍ以下、望ましくは３５μｍ以下とするべき
である。これによりコイルパターンの占積率（断面にお
ける導体パターンの構成比率）を十分に高め、効率的に
磁界を発生することが可能となる。またコイルパターン
および非有効領域に形成される導体パターン（ダミーパ
ターン）は、コイル１３の厚さＴが７０μｍ以上となる
ような厚さに形成するのが望ましい。
【００７９】また本実施例のようにコイルパターンをコ
イルの上面側と下面側の両方に形成し、さらにそれぞれ
の側において非有効領域に導体パターン（ダミーパター
ン）を形成すれば、温度の変化による伸縮はコイルの上
面側と下面側とで略同等に発生するのでコイルが反るな
どの変形を生じることなく望ましい。
イルの上面側と下面側の両方に形成し、さらにそれぞれ
の側において非有効領域に導体パターン（ダミーパター
ン）を形成すれば、温度の変化による伸縮はコイルの上
面側と下面側とで略同等に発生するのでコイルが反るな
どの変形を生じることなく望ましい。
【００８０】次に本実施例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂお
よびガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，
２７ｂ，２８ｂの詳細について説明する。
れる導体パターン即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂお
よびガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，
２７ｂ，２８ｂの詳細について説明する。
【００８１】本実施例においてはコイルパターン１６
ａ，１６ｂのピッチＰは４０μｍであるから、上記の式
１、式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第
１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は
第２の領域Ａ２と第３領域Ａ３の境界線を示す。
ａ，１６ｂのピッチＰは４０μｍであるから、上記の式
１、式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図１において破線Ｂ１は第
１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２は
第２の領域Ａ２と第３領域Ａ３の境界線を示す。
【００８２】ここでダミーパターンは上面側および下面
側の各領域において次のように形成されている。コイル
１３の上面側および下面側ともに、第１の領域Ａ１にお
いてはダミーパターンは形成されていない。従って上面
側および下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パタ
ーンの導体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面
側および下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領
域Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状
の導体パターンによって構成されている。縞状の導体パ
ターンの幅は４０μｍ、ピッチは８０μｍである。さら
に第３の領域においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂ
はコイル１３の外縁に沿うように形成した幅が７０μｍ
の帯状の導体パターンによって構成される。この外縁に
沿う帯状の導体パターンと上記の縞状の導体パターンと
は連結している。またコイル１３の上面側の第３の領域
Ａ３においては位置決め部位２３，２４の周縁部にガイ
ドパターン２６ａ，２７ａが、第２の領域Ａ２および第
３の領域Ａ３においては位置決め部位２５の周縁部にガ
イドパターン２８ａが形成され、またコイル１３の下面
側の第３の領域Ａ３においては位置決め部位２３，２４
の周縁部にガイドパターン２６ｂ，２７ｂが、第２の領
域Ａ２および第３の領域Ａ３においては位置決め部位２
５の周縁部にガイドパターン２８ｂが形成される。これ
らのガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，
２７ｂ，２８ｂは帯状でその幅は７０μｍである。さら
にコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９
ａ，１９ｂが形成されている。
側の各領域において次のように形成されている。コイル
１３の上面側および下面側ともに、第１の領域Ａ１にお
いてはダミーパターンは形成されていない。従って上面
側および下面側ともに第１の領域Ａ１における導体パタ
ーンの導体占有率Ｒは０である。またコイル１３の上面
側および下面側ともに、第２の領域Ａ２および第３の領
域Ａ３においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂは縞状
の導体パターンによって構成されている。縞状の導体パ
ターンの幅は４０μｍ、ピッチは８０μｍである。さら
に第３の領域においてはダミーパターン１７ａ，１７ｂ
はコイル１３の外縁に沿うように形成した幅が７０μｍ
の帯状の導体パターンによって構成される。この外縁に
沿う帯状の導体パターンと上記の縞状の導体パターンと
は連結している。またコイル１３の上面側の第３の領域
Ａ３においては位置決め部位２３，２４の周縁部にガイ
ドパターン２６ａ，２７ａが、第２の領域Ａ２および第
３の領域Ａ３においては位置決め部位２５の周縁部にガ
イドパターン２８ａが形成され、またコイル１３の下面
側の第３の領域Ａ３においては位置決め部位２３，２４
の周縁部にガイドパターン２６ｂ，２７ｂが、第２の領
域Ａ２および第３の領域Ａ３においては位置決め部位２
５の周縁部にガイドパターン２８ｂが形成される。これ
らのガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，
２７ｂ，２８ｂは帯状でその幅は７０μｍである。さら
にコイル１３の上面側の第３の領域Ａ３には端子１９
ａ，１９ｂが形成されている。
【００８３】これによりコイル１３の上面側および下面
側の第２の領域Ａ２においては導体パターンの導体占有
率Ｒは略０．５０、コイル１３の上面側の第３の領域Ａ
３においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５
５、下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは０．５２である。
側の第２の領域Ａ２においては導体パターンの導体占有
率Ｒは略０．５０、コイル１３の上面側の第３の領域Ａ
３においては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５
５、下面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは０．５２である。
【００８４】以上説明したように本実施例においても非
有効領域をコイルパターンの外縁（有効領域の外縁）か
らの距離Ｓによって複数の領域に区分し、各領域に上記
の式１、式２および式３を同時に満たすように導体パタ
ーンを配置し、かつ第１の領域Ａ１においては導体パタ
ーンは閉ループを形成しないようにしたことによってコ
イルの電気特性を損なうことなく上記の補強効果を得る
ことができるのである。
有効領域をコイルパターンの外縁（有効領域の外縁）か
らの距離Ｓによって複数の領域に区分し、各領域に上記
の式１、式２および式３を同時に満たすように導体パタ
ーンを配置し、かつ第１の領域Ａ１においては導体パタ
ーンは閉ループを形成しないようにしたことによってコ
イルの電気特性を損なうことなく上記の補強効果を得る
ことができるのである。
【００８５】また、もしガイドパターン２６ａ，２７
ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成されておら
ず、位置決め部位２３，２４，２５の周囲が基材１５、
および絶縁部材１８ａ，１８ｂのみから成っていたとす
ると、磁気ヘッドの製造において、位置決め部位２３，
２４，２５をスライダー１４の係止部２９，３０，３１
と嵌合してスライダー１４に取り付ける際に、位置決め
部位２３，２４，２５の周辺部分が強度の不足のため、
作用する力に抗しきれずに変形を生じ易い。
ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成されておら
ず、位置決め部位２３，２４，２５の周囲が基材１５、
および絶縁部材１８ａ，１８ｂのみから成っていたとす
ると、磁気ヘッドの製造において、位置決め部位２３，
２４，２５をスライダー１４の係止部２９，３０，３１
と嵌合してスライダー１４に取り付ける際に、位置決め
部位２３，２４，２５の周辺部分が強度の不足のため、
作用する力に抗しきれずに変形を生じ易い。
【００８６】しかしながら本実施例においては、位置決
め部位２３，２４，２５の周縁部には導電性材料の膜か
ら成るガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成されているため、強度が十分
であり変形を生じることが無い。
め部位２３，２４，２５の周縁部には導電性材料の膜か
ら成るガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成されているため、強度が十分
であり変形を生じることが無い。
【００８７】次に本実施例によるコイル１３の製造方法
について説明する。コイル１３の作成にはフォトリソグ
ラフィーを応用したパターン形成手法を用いることがで
きる。この場合露光に使用するマスクにはガイドパター
ンとコイルパターンの両方の高い位置精度で形成してお
くことができる。従ってこのようなマスクを使用すれ
ば、ガイドパターンのコイルパターンに対する相対位置
は一定であり、ほとんど誤差や製造ばらつきを生じるこ
とが無い。
について説明する。コイル１３の作成にはフォトリソグ
ラフィーを応用したパターン形成手法を用いることがで
きる。この場合露光に使用するマスクにはガイドパター
ンとコイルパターンの両方の高い位置精度で形成してお
くことができる。従ってこのようなマスクを使用すれ
ば、ガイドパターンのコイルパターンに対する相対位置
は一定であり、ほとんど誤差や製造ばらつきを生じるこ
とが無い。
【００８８】さらにこのようにガイドパターン２６ａ，
２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成された
コイル１３に、一方向から炭酸ガスレーザやエキシマレ
ーザのビームを照射してレーザ加工を行い、ガイドパタ
ーン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂ
で囲まれた内側部分の基材１５、絶縁部材１８ａ，１８
ｂを除去して孔や凹部を形成し、位置決め部位２３，２
４，２５とする。このような加工方法によれば、基材１
５、絶縁部材１８ａ，１８ｂの構成材料である樹脂材料
のみが選択的に除去され、また銅等の導電性材料の膜か
ら成るガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂは加工による影響を受けず、レーザ
光を遮蔽するマスクとなるので、位置決め部位２３，２
４，２５よりも多少広範囲にビームを照射すれば、ガイ
ドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，
２８ｂで囲まれた内側部分の基材のみを除去することが
できる。
２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂが形成された
コイル１３に、一方向から炭酸ガスレーザやエキシマレ
ーザのビームを照射してレーザ加工を行い、ガイドパタ
ーン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂ
で囲まれた内側部分の基材１５、絶縁部材１８ａ，１８
ｂを除去して孔や凹部を形成し、位置決め部位２３，２
４，２５とする。このような加工方法によれば、基材１
５、絶縁部材１８ａ，１８ｂの構成材料である樹脂材料
のみが選択的に除去され、また銅等の導電性材料の膜か
ら成るガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂは加工による影響を受けず、レーザ
光を遮蔽するマスクとなるので、位置決め部位２３，２
４，２５よりも多少広範囲にビームを照射すれば、ガイ
ドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６ｂ，２７ｂ，
２８ｂで囲まれた内側部分の基材のみを除去することが
できる。
【００８９】従ってこのような製造方法によれば、位置
決め部位２３，２４，２５の形成位置や寸法は、予め形
成されたガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂによって決定されており、たとえコ
イル１３の加工装置への取付け位置に誤差を生じたとし
ても、その影響を受けることが無いので、非常に高い位
置精度、寸法精度で位置決め部位２３，２４，２５を形
成することが可能となる。
決め部位２３，２４，２５の形成位置や寸法は、予め形
成されたガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８ａ，２６
ｂ，２７ｂ，２８ｂによって決定されており、たとえコ
イル１３の加工装置への取付け位置に誤差を生じたとし
ても、その影響を受けることが無いので、非常に高い位
置精度、寸法精度で位置決め部位２３，２４，２５を形
成することが可能となる。
【００９０】このように位置決め部位２３，２４，２５
の周囲に形成したガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８
ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂとコイルパターン１６ａ，
１６ｂの相対的な位置の精度は非常に高く、また位置決
め部位２３，２４，２５と係止部２９，３０，３１との
嵌合によってコイル１３はスライダー１４に高い位置精
度で取付けられるので、磁界の発生中心（コイルパター
ンの中心）はスライダー１４に対して一定しておりばら
つきを生じない。従って磁気ヘッド１の発生する磁界
は、光磁気ディスク４における記録用光ビームの照射位
置に正確に印加することができるのである。
の周囲に形成したガイドパターン２６ａ，２７ａ，２８
ａ，２６ｂ，２７ｂ，２８ｂとコイルパターン１６ａ，
１６ｂの相対的な位置の精度は非常に高く、また位置決
め部位２３，２４，２５と係止部２９，３０，３１との
嵌合によってコイル１３はスライダー１４に高い位置精
度で取付けられるので、磁界の発生中心（コイルパター
ンの中心）はスライダー１４に対して一定しておりばら
つきを生じない。従って磁気ヘッド１の発生する磁界
は、光磁気ディスク４における記録用光ビームの照射位
置に正確に印加することができるのである。
【００９１】なお位置決め部位である孔や凹部、および
その周縁部に形成するガイドパターンの形成位置や形状
は図１０に示した実施形態に限られるものではない。ま
たコイルに形成した位置決め部位と嵌合するための係止
部はスライダーの他、コアやその他の磁気ヘッドの構成
部材に設けておくのであってもよい。
その周縁部に形成するガイドパターンの形成位置や形状
は図１０に示した実施形態に限られるものではない。ま
たコイルに形成した位置決め部位と嵌合するための係止
部はスライダーの他、コアやその他の磁気ヘッドの構成
部材に設けておくのであってもよい。
【００９２】次に上記の第１から第９の実施例と対比す
るための比較例について説明する。 〔第１の比較例〕第１の比較例であるコイル１３の詳細
な構成を図１９に示す。図１９の（ａ）は上面から見た
平面図、図１９の（ｂ）は下面から見た平面図である。
ここで非有効領域に形成される導体パターンを除く構成
は、図１および図２に示した第１の実施例と同様である
ので説明は省略する。
るための比較例について説明する。 〔第１の比較例〕第１の比較例であるコイル１３の詳細
な構成を図１９に示す。図１９の（ａ）は上面から見た
平面図、図１９の（ｂ）は下面から見た平面図である。
ここで非有効領域に形成される導体パターンを除く構成
は、図１および図２に示した第１の実施例と同様である
ので説明は省略する。
【００９３】次に本比較例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン、即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂ
の詳細について説明する。本比較例においても前記の式
１，式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図１９において破線Ｂ１は
第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２
は第２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示してい
る。
れる導体パターン、即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂ
の詳細について説明する。本比較例においても前記の式
１，式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図１９において破線Ｂ１は
第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２
は第２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示してい
る。
【００９４】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは正
方格子状の導体パターンにより構成され、領域Ａ１のコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁からの距離Ｓが
Ｓ＜２０μｍである領域を除くほぼ全領域に形成されて
いる。正方格子状の導体パターンの幅は１２０μｍ、ピ
ッチは１６５μｍである。さらにコイル１３の上面側の
第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されてい
る。
方格子状の導体パターンにより構成され、領域Ａ１のコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁からの距離Ｓが
Ｓ＜２０μｍである領域を除くほぼ全領域に形成されて
いる。正方格子状の導体パターンの幅は１２０μｍ、ピ
ッチは１６５μｍである。さらにコイル１３の上面側の
第３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されてい
る。
【００９５】従って上面側および下面側ともに第１の領
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５
８、第２の領域Ａ２における導体占有率Ｒは略０．９
３、上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．９４、下面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．９３であ
る。
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．５
８、第２の領域Ａ２における導体占有率Ｒは略０．９
３、上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．９４、下面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．９３であ
る。
【００９６】このように本比較例においては、第１の領
域Ａ１および第２の領域における導体占有率Ｒが、前記
の式１および式２で規定した範囲よりも大きい。 〔第２の比較例〕第２の比較例であるコイル１３の詳細
な構成を図２０に示す。図２０（ａ）は上面から見た平
面図、図２０（ｂ）は下面から見た平面図である。ここ
で非有効領域に形成される導体パターンを除く構成は、
図１および図２に示した第１の実施例と同様であるので
説明は省略する。
域Ａ１および第２の領域における導体占有率Ｒが、前記
の式１および式２で規定した範囲よりも大きい。 〔第２の比較例〕第２の比較例であるコイル１３の詳細
な構成を図２０に示す。図２０（ａ）は上面から見た平
面図、図２０（ｂ）は下面から見た平面図である。ここ
で非有効領域に形成される導体パターンを除く構成は、
図１および図２に示した第１の実施例と同様であるので
説明は省略する。
【００９７】次に本比較例において非有効領域に形成さ
れる導体パターン、即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂ
の詳細について説明する。本比較例においても前記の式
１，式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図２０において破線Ｂ１は
第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２
は第２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示してい
る。
れる導体パターン、即ちダミーパターン１７ａ，１７ｂ
の詳細について説明する。本比較例においても前記の式
１，式２および式３に従いコイル１３の上面側および下
面側のそれぞれにおいて、コイルパターン１６ａおよび
１６ｂの外縁からの距離Ｓが、０μｍ≦Ｓ≦６０μｍで
ある領域が第１の領域Ａ１、６０μｍ＜Ｓ≦２４０μｍ
である領域が第２の領域Ａ２、２４０μｍ＜Ｓである領
域が第３の領域Ａ３となる。図２０において破線Ｂ１は
第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界線を、破線Ｂ２
は第２の領域Ａ２と第３の領域Ａ３の境界線を示してい
る。
【００９８】ここでダミーパターン１７ａ，１７ｂは正
方格子状の導体パターンにより構成され、領域Ａ１のコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁からの距離Ｓが
Ｓ＜２０μｍである領域を除くほぼ全領域に形成されて
いる。正方格子状の導体パターンの幅は３０μｍ、ピッ
チは３００μｍである。さらにコイル１３の上面側の第
３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されてい
る。
方格子状の導体パターンにより構成され、領域Ａ１のコ
イルパターン１６ａおよび１６ｂの外縁からの距離Ｓが
Ｓ＜２０μｍである領域を除くほぼ全領域に形成されて
いる。正方格子状の導体パターンの幅は３０μｍ、ピッ
チは３００μｍである。さらにコイル１３の上面側の第
３の領域Ａ３には端子１９ａ，１９ｂが形成されてい
る。
【００９９】従って上面側および下面側ともに第１の領
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．０
９、第２の領域Ａ２における導体占有率Ｒは略０．１
９、上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．２２、下面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．１９であ
る。
域Ａ１における導体パターンの導体占有率Ｒは略０．０
９、第２の領域Ａ２における導体占有率Ｒは略０．１
９、上面側の第３の領域Ａ３においては導体パターンの
導体占有率Ｒは略０．２２、下面側の第３の領域Ａ３に
おいては導体パターンの導体占有率Ｒは略０．１９であ
る。
【０１００】このように本比較例においては、第３の領
域Ａ３における導体占有率Ｒが、前記の式３で規定した
範囲よりも小さい。
域Ａ３における導体占有率Ｒが、前記の式３で規定した
範囲よりも小さい。
【０１０１】次に実際に作成した第１から第９の実施例
および第１，第２の比較例のコイル１３の各領域におけ
る導体占有率Ｒと，電気特性の実測値，平坦性の評価結
果，それを利用した光磁気記録装置において達成可能な
最高変調周波数ｆmaxを一覧表にして表１に示す。
および第１，第２の比較例のコイル１３の各領域におけ
る導体占有率Ｒと，電気特性の実測値，平坦性の評価結
果，それを利用した光磁気記録装置において達成可能な
最高変調周波数ｆmaxを一覧表にして表１に示す。
【０１０２】
【表１】
ここでコイル１３の電気特性は端子１９ａ，１９ｂ間で
測定した高周波抵抗Ｒｐと自己共振周波数ｆｒにより評
価した。高周波抵抗Ｒｐは周波数２０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンス成分Ｌに並列な抵抗成分、自己共振周波数
ｆｒはインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜が極大となる周波
数である。
測定した高周波抵抗Ｒｐと自己共振周波数ｆｒにより評
価した。高周波抵抗Ｒｐは周波数２０ＭＨｚにおけるイ
ンダクタンス成分Ｌに並列な抵抗成分、自己共振周波数
ｆｒはインピーダンスの大きさ｜Ｚ｜が極大となる周波
数である。
【０１０３】これらの結果において、本発明（第１から
第９の実施例）を第１の比較例と比較すると、平坦性に
ついてはいずれも良好である。しかしながら、高周波抵
抗Ｒｐについては本発明の方が第１の比較例よりも高
い。これは本発明の方が非有効領域に形成した導体パタ
ーン内に誘起される渦電流の影響で生じる高周波損失が
小さいことを意味する。さらに自己共振周波数ｆｒも本
発明の方が第１の比較例よりも高い。これは本発明の方
がコイルパターンと非有効領域に形成した導体パターン
との間の静電容量が小さいことを意味する。その結果、
本発明を利用した光磁気記録装置において達成可能な磁
界の最高変調周波数ｆmaxは略１２〜１４ＭＨｚである
のに対して、第１の比較例においては達成可能な最高変
調周波数ｆmaxは略７ＭＨｚである。なお磁界の最高変
調周波数ｆmaxを８ＭＨｚ以上とするためには、少なく
とも高周波抵抗Ｒｐは８００Ω以上、自己共振周波数ｆ
ｒは２９０ＭＨｚ以上である必要がある。
第９の実施例）を第１の比較例と比較すると、平坦性に
ついてはいずれも良好である。しかしながら、高周波抵
抗Ｒｐについては本発明の方が第１の比較例よりも高
い。これは本発明の方が非有効領域に形成した導体パタ
ーン内に誘起される渦電流の影響で生じる高周波損失が
小さいことを意味する。さらに自己共振周波数ｆｒも本
発明の方が第１の比較例よりも高い。これは本発明の方
がコイルパターンと非有効領域に形成した導体パターン
との間の静電容量が小さいことを意味する。その結果、
本発明を利用した光磁気記録装置において達成可能な磁
界の最高変調周波数ｆmaxは略１２〜１４ＭＨｚである
のに対して、第１の比較例においては達成可能な最高変
調周波数ｆmaxは略７ＭＨｚである。なお磁界の最高変
調周波数ｆmaxを８ＭＨｚ以上とするためには、少なく
とも高周波抵抗Ｒｐは８００Ω以上、自己共振周波数ｆ
ｒは２９０ＭＨｚ以上である必要がある。
【０１０４】また本発明を第２の比較例と比較すると、
電気特性については同等である。しかしながら本発明は
製造時にほとんど変形することがなく平坦性が良好であ
るのに対し、第２の比較例は非有効領域に形成した導体
パターンの補強効果が不十分であり製造時にコイルが変
形を生じやすく、不良品の発生が増大する。また使用可
能な物を選別したとしても、コイルを十分に光磁気記録
媒体に近づけて配置することが困難であり、電気特性は
本発明と同等であるにもかかわらず、達成可能な磁界の
最高変調周波数ｆmaxは本発明よりも低く略１０ＭＨｚ
である。
電気特性については同等である。しかしながら本発明は
製造時にほとんど変形することがなく平坦性が良好であ
るのに対し、第２の比較例は非有効領域に形成した導体
パターンの補強効果が不十分であり製造時にコイルが変
形を生じやすく、不良品の発生が増大する。また使用可
能な物を選別したとしても、コイルを十分に光磁気記録
媒体に近づけて配置することが困難であり、電気特性は
本発明と同等であるにもかかわらず、達成可能な磁界の
最高変調周波数ｆmaxは本発明よりも低く略１０ＭＨｚ
である。
【０１０５】このように本発明はコイルの非有効領域に
形成した導体パターンの導体占有率Ｒを、コイルパター
ンからの距離に応じて規定したので、電気特性および平
坦性がともに良好であるコイルを得ることができ、その
結果、磁界の最高変調周波数を高めることができるので
ある。
形成した導体パターンの導体占有率Ｒを、コイルパター
ンからの距離に応じて規定したので、電気特性および平
坦性がともに良好であるコイルを得ることができ、その
結果、磁界の最高変調周波数を高めることができるので
ある。
【０１０６】〔第１０の実施例〕次に本発明の第１０の
実施例について説明する。図１３には磁気ヘッド１の構
成を示す。図１３の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図
である。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料から成
るコア１２、コイル１３、放熱部材３２、及びこれらを
搭載したスライダー１４より構成される。４は光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。
実施例について説明する。図１３には磁気ヘッド１の構
成を示す。図１３の（ａ）は側断面図、（ｂ）は下面図
である。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料から成
るコア１２、コイル１３、放熱部材３２、及びこれらを
搭載したスライダー１４より構成される。４は光磁気記
録媒体である光磁気ディスクである。
【０１０７】コア１２はフェライト等の磁性材料から成
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともにスライダー１４に搭載される。スライダー
１４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気デ
ィスク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓ
または浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成さ
れる。
り、平板状で中央部には突出した角柱状の磁極ｐ１が設
けられている。コイル１３は平板状でその中央部には四
角形の孔ｈ１が形成されており、孔ｈ１の内部にはコア
１２の磁極ｐ１が配設される。さらにコイル１３はコア
１２とともにスライダー１４に搭載される。スライダー
１４は樹脂材料やセラミック材料等より成り、光磁気デ
ィスク４上を摺動または浮上走行するための摺動面Ａｓ
または浮上面Ａｆが光磁気ディスク４と対向して形成さ
れる。
【０１０８】本実施例においては、コイル１３は図２に
示した第１の実施例に示したものと同様の構成であるの
で詳細な説明は省略する。またコイル１３は図３〜図１
０に示した第２〜第９の実施例のいずれかに示したもの
と同様の構成であってもよい。
示した第１の実施例に示したものと同様の構成であるの
で詳細な説明は省略する。またコイル１３は図３〜図１
０に示した第２〜第９の実施例のいずれかに示したもの
と同様の構成であってもよい。
【０１０９】放熱部材３２はアルミニウム等の熱伝導率
の高い金属材料から成り、コイル１３の上面側に形成さ
れたダミーパターン１７ａと直接または熱伝導率の高い
接着材等を間にはさんで密着して設けられる。また図示
するように放熱部材３２にフィン等の凹凸構造を形成す
ることによってその表面積を大きくすれば、放熱効率を
高めることができる。
の高い金属材料から成り、コイル１３の上面側に形成さ
れたダミーパターン１７ａと直接または熱伝導率の高い
接着材等を間にはさんで密着して設けられる。また図示
するように放熱部材３２にフィン等の凹凸構造を形成す
ることによってその表面積を大きくすれば、放熱効率を
高めることができる。
【０１１０】情報信号の記録時にコイルパターン１６
ａ，１６ｂに電流を供給すると、コア１２やコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂにおいて高周波損失を生じ発熱す
る。しかしダミーパターン１７ａ，１７ｂは銅等の熱伝
導率の高い材料で構成されるので、コア１２やコイルパ
ターン１６ａ，１６ｂにおいて発生した熱はダミーパタ
ーン１７ａを介して放熱部材３２に伝導し、空気中に放
散される。また熱はダミーパターン１７ｂに伝導し、そ
の下面より空気中に放散される。光磁気ディスク４の回
転によってその表面近傍には空気流が生じるので、ダミ
ーパターン１７ｂを光磁気ディスク４に対向し十分に接
近させて設ければ放熱効率を高めることができる。
ａ，１６ｂに電流を供給すると、コア１２やコイルパタ
ーン１６ａ，１６ｂにおいて高周波損失を生じ発熱す
る。しかしダミーパターン１７ａ，１７ｂは銅等の熱伝
導率の高い材料で構成されるので、コア１２やコイルパ
ターン１６ａ，１６ｂにおいて発生した熱はダミーパタ
ーン１７ａを介して放熱部材３２に伝導し、空気中に放
散される。また熱はダミーパターン１７ｂに伝導し、そ
の下面より空気中に放散される。光磁気ディスク４の回
転によってその表面近傍には空気流が生じるので、ダミ
ーパターン１７ｂを光磁気ディスク４に対向し十分に接
近させて設ければ放熱効率を高めることができる。
【０１１１】このようにダミーパターン１７ａ，１７ｂ
を設けたことによって効果的に放熱され、磁気ヘッド１
の温度の上昇を低減することができる。
を設けたことによって効果的に放熱され、磁気ヘッド１
の温度の上昇を低減することができる。
【０１１２】次に上述した磁気ヘッド１を用いて光磁気
ディスク４に情報信号の記録を行う光磁気記録装置につ
いて説明する。図１５には光磁気記録装置の概略構成を
示す。光磁気ディスク４は透明な樹脂材料からなる基板
４０，基板４０上に設けた磁気記録層４１、と保護膜４
２より構成される。光磁気ディスク４はスピンドルモー
タ５により所定の回転数で回転駆動される。光磁気ディ
スク４の上面側（保護膜４２を設けた側）には、図１
１，図１２または図１３に示した磁気ヘッド１が弾力性
のある支持部材１１の一端に保持され、磁気ヘッドの摺
動面Ａｓまたは浮上面Ａｆは光磁気ディスク４の表面に
略平行に押圧される。また光磁気ディスク４の下面側に
は磁気ヘッド１と相対向して、光磁気ディスク４の基板
４０を通して磁気記録層４１に記録用光ビームおよび再
生用光ビームを収束して照射する光ヘッド２が配置され
る。支持部材１１と光ヘッド２とは連結部材３によって
連結される。
ディスク４に情報信号の記録を行う光磁気記録装置につ
いて説明する。図１５には光磁気記録装置の概略構成を
示す。光磁気ディスク４は透明な樹脂材料からなる基板
４０，基板４０上に設けた磁気記録層４１、と保護膜４
２より構成される。光磁気ディスク４はスピンドルモー
タ５により所定の回転数で回転駆動される。光磁気ディ
スク４の上面側（保護膜４２を設けた側）には、図１
１，図１２または図１３に示した磁気ヘッド１が弾力性
のある支持部材１１の一端に保持され、磁気ヘッドの摺
動面Ａｓまたは浮上面Ａｆは光磁気ディスク４の表面に
略平行に押圧される。また光磁気ディスク４の下面側に
は磁気ヘッド１と相対向して、光磁気ディスク４の基板
４０を通して磁気記録層４１に記録用光ビームおよび再
生用光ビームを収束して照射する光ヘッド２が配置され
る。支持部材１１と光ヘッド２とは連結部材３によって
連結される。
【０１１３】磁気ヘッド１のコイル１３には磁気ヘッド
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。また光ヘッド２はレーザ光源、対
物レンズ等の光学系、反射光を検出する光センサ、等よ
り構成され、レーザ光源にはレーザ駆動回路８が、また
光センサには増幅回路９が、増幅回路９には情報信号再
生回路１０が接続される。
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。また光ヘッド２はレーザ光源、対
物レンズ等の光学系、反射光を検出する光センサ、等よ
り構成され、レーザ光源にはレーザ駆動回路８が、また
光センサには増幅回路９が、増幅回路９には情報信号再
生回路１０が接続される。
【０１１４】次に情報信号の記録動作の詳細について説
明する。情報信号の記録を行う場合には、スピンドルモ
ータ５によって光磁気ディスク４を回転駆動する。これ
により磁気ヘッド１は光磁気ディスク４の保護膜４２上
を摺動または浮上走行する。
明する。情報信号の記録を行う場合には、スピンドルモ
ータ５によって光磁気ディスク４を回転駆動する。これ
により磁気ヘッド１は光磁気ディスク４の保護膜４２上
を摺動または浮上走行する。
【０１１５】ここで記録信号生成回路７の入力端子Ｔ１
より記録されるべき情報信号が入力される。記録信号生
成回路７は情報信号に符号化等の変調を加え、クロック
信号に同期した記録信号を生成し、磁気ヘッド駆動回路
６に出力する。磁気ヘッド駆動回路６は、磁気ヘッド１
のコイル１３にこの記録信号で変調された電流を供給
し、これにより磁気ヘッド１は磁極ｐ１の先端より情報
信号に応じて上方向または下方向に変化する磁界を発生
し、光磁気ディスク４の磁気記録層４１に垂直に印加す
る。
より記録されるべき情報信号が入力される。記録信号生
成回路７は情報信号に符号化等の変調を加え、クロック
信号に同期した記録信号を生成し、磁気ヘッド駆動回路
６に出力する。磁気ヘッド駆動回路６は、磁気ヘッド１
のコイル１３にこの記録信号で変調された電流を供給
し、これにより磁気ヘッド１は磁極ｐ１の先端より情報
信号に応じて上方向または下方向に変化する磁界を発生
し、光磁気ディスク４の磁気記録層４１に垂直に印加す
る。
【０１１６】一方レーザ駆動回路８から光ヘッド２のレ
ーザ光源に記録用の直流、またはクロック信号に同期し
たパルス電流が供給されることにより、光磁気ディスク
４の基板４０を透過して磁気記録層４１には一定強度、
またはパルス状に点灯する高パワーの記録用光ビームが
光スポットに収束して照射される。
ーザ光源に記録用の直流、またはクロック信号に同期し
たパルス電流が供給されることにより、光磁気ディスク
４の基板４０を透過して磁気記録層４１には一定強度、
またはパルス状に点灯する高パワーの記録用光ビームが
光スポットに収束して照射される。
【０１１７】記録用光ビームの照射部位においては磁気
記録層４１の温度は上昇し保磁力が低下するので、磁化
は印加磁界の方向に向けられる。さらに記録用光ビーム
の照射部位から遠ざかるにつれて磁気記録層４１の温度
が低下し、保磁力が再び増大すれば磁化は固定されて情
報信号に対応した磁化領域が形成される。
記録層４１の温度は上昇し保磁力が低下するので、磁化
は印加磁界の方向に向けられる。さらに記録用光ビーム
の照射部位から遠ざかるにつれて磁気記録層４１の温度
が低下し、保磁力が再び増大すれば磁化は固定されて情
報信号に対応した磁化領域が形成される。
【０１１８】次に記録された情報信号の再生動作の詳細
について説明する。記録された情報信号を再生する場合
にもスピンドルモータ５によって光磁気ディスク４を回
転駆動する。通常は情報信号の再生には磁気ヘッド１は
使用しないので、磁気ヘッド１を光磁気ディスク４の保
護膜４２上を摺動または浮上走行させる必要はなく、光
磁気ディスク４の上方に離間するように退避させてもよ
い。
について説明する。記録された情報信号を再生する場合
にもスピンドルモータ５によって光磁気ディスク４を回
転駆動する。通常は情報信号の再生には磁気ヘッド１は
使用しないので、磁気ヘッド１を光磁気ディスク４の保
護膜４２上を摺動または浮上走行させる必要はなく、光
磁気ディスク４の上方に離間するように退避させてもよ
い。
【０１１９】レーザ駆動回路８から光ヘッド２のレーザ
光源に再生用の直流電流が供給されることにより、光磁
気ディスク４の基板４０を透過して磁気記録層４１に低
パワーの再生用光ビームが光スポットに収束されて照射
される。
光源に再生用の直流電流が供給されることにより、光磁
気ディスク４の基板４０を透過して磁気記録層４１に低
パワーの再生用光ビームが光スポットに収束されて照射
される。
【０１２０】ここで情報信号である磁化領域からの再生
用光ビームの反射光の偏光面は、磁気光学効果（カー効
果）のため、磁化領域の磁化の方向に応じて回転する。
光ヘッド２の光学系によってこのような反射光の偏光面
の回転を強度変化に変換し、さらに光センサによって電
気信号として検出し出力する。この検出信号が光ヘッド
２から出力される。さらにこの検出信号は増幅回路９に
よって増幅された後、情報信号再生回路１０によって２
値化、復号化等の信号処理を行い、これにより情報信号
が再生され端子Ｔ２より出力される。 〔第１１の実施例〕次に本発明の第１１の実施例につい
て説明する。図１４には磁気ヘッド１の構成を断面図に
より示す。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料より
成るコア１２、コイル１３、樹脂材料やセラミック材料
等より成り、コア１２およびコイル１３が搭載されたス
ライダー１４、下面中央に突出部ｐ２を形成した半球状
のレンズ２２より構成される。４は光磁気記録媒体であ
る光磁気ディスクである。
用光ビームの反射光の偏光面は、磁気光学効果（カー効
果）のため、磁化領域の磁化の方向に応じて回転する。
光ヘッド２の光学系によってこのような反射光の偏光面
の回転を強度変化に変換し、さらに光センサによって電
気信号として検出し出力する。この検出信号が光ヘッド
２から出力される。さらにこの検出信号は増幅回路９に
よって増幅された後、情報信号再生回路１０によって２
値化、復号化等の信号処理を行い、これにより情報信号
が再生され端子Ｔ２より出力される。 〔第１１の実施例〕次に本発明の第１１の実施例につい
て説明する。図１４には磁気ヘッド１の構成を断面図に
より示す。磁気ヘッド１はフェライト等の磁性材料より
成るコア１２、コイル１３、樹脂材料やセラミック材料
等より成り、コア１２およびコイル１３が搭載されたス
ライダー１４、下面中央に突出部ｐ２を形成した半球状
のレンズ２２より構成される。４は光磁気記録媒体であ
る光磁気ディスクである。
【０１２１】レンズ２２は後述する光磁気記録装置を使
用して光磁気ディスク４に情報信号の記録または再生を
行う場合に、光ヘッドより光磁気ディスク４に照射する
記録用光ビーム、または再生用光ビームをより小さな光
スポットに収束させる目的で設けられたものである。コ
ア１２は平板状でその中央部には孔ｈ２が設けられる。
またコイル１３の中央部には孔ｈ１が形成され、コア１
２の孔ｈ２とコイル１３の孔ｈ１の内部にはレンズ２２
の突出部ｐ２が配設される。
用して光磁気ディスク４に情報信号の記録または再生を
行う場合に、光ヘッドより光磁気ディスク４に照射する
記録用光ビーム、または再生用光ビームをより小さな光
スポットに収束させる目的で設けられたものである。コ
ア１２は平板状でその中央部には孔ｈ２が設けられる。
またコイル１３の中央部には孔ｈ１が形成され、コア１
２の孔ｈ２とコイル１３の孔ｈ１の内部にはレンズ２２
の突出部ｐ２が配設される。
【０１２２】なおコイル１３は第１の実施例に示したも
のと同様の構成であるので詳細な説明は省略する。
のと同様の構成であるので詳細な説明は省略する。
【０１２３】次に上記の磁気ヘッド１を用いた光磁気デ
ィスク４に情報信号の記録を行う光磁気記録装置につい
て説明する。図１６には光磁気記録再生装置の概略構成
を示す。光磁気ディスク４は樹脂材料からなる基板４
０，基板４０上に設けた磁気記録層４１、透明な材料か
ら成る保護膜４２より構成される。光磁気ディスク４は
スピンドルモータ５により所定の回転数で回転駆動され
る。光磁気ディスク４の上面側（保護膜４２を設けた
側）には、上記の磁気ヘッド１が弾力性のある支持部材
１１の一端に保持され、磁気ヘッド１の摺動面Ａｓまた
浮上面Ａｆは光磁気ディスク４の表面に略平行に押圧さ
れる。また磁気ヘッド１の上方には磁気ヘッド１のレン
ズ２２、光磁気ディスク４の保護膜４２を通して磁気記
録層４１に記録用光ビームおよび再生用光ビームを収束
して照射する光ヘッド２が配置される。支持部材１１と
光ヘッド２とは連結部材３によって連結される。
ィスク４に情報信号の記録を行う光磁気記録装置につい
て説明する。図１６には光磁気記録再生装置の概略構成
を示す。光磁気ディスク４は樹脂材料からなる基板４
０，基板４０上に設けた磁気記録層４１、透明な材料か
ら成る保護膜４２より構成される。光磁気ディスク４は
スピンドルモータ５により所定の回転数で回転駆動され
る。光磁気ディスク４の上面側（保護膜４２を設けた
側）には、上記の磁気ヘッド１が弾力性のある支持部材
１１の一端に保持され、磁気ヘッド１の摺動面Ａｓまた
浮上面Ａｆは光磁気ディスク４の表面に略平行に押圧さ
れる。また磁気ヘッド１の上方には磁気ヘッド１のレン
ズ２２、光磁気ディスク４の保護膜４２を通して磁気記
録層４１に記録用光ビームおよび再生用光ビームを収束
して照射する光ヘッド２が配置される。支持部材１１と
光ヘッド２とは連結部材３によって連結される。
【０１２４】磁気ヘッド１のコイル１３には磁気ヘッド
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。また光ヘッド２はレーザ光源、対
物レンズ等の光学系、反射光を検出する光センサ、等よ
り構成され、レーザ光源にはレーザ駆動回路８が、また
光センサには増幅回路９が、増幅回路９には情報信号再
生回路１０が接続される。
駆動回路６が、磁気ヘッド駆動回路６には記録信号生成
回路７が接続される。また光ヘッド２はレーザ光源、対
物レンズ等の光学系、反射光を検出する光センサ、等よ
り構成され、レーザ光源にはレーザ駆動回路８が、また
光センサには増幅回路９が、増幅回路９には情報信号再
生回路１０が接続される。
【０１２５】情報信号の記録動作および再生動作は上記
第１の実施例におけると同様であり、スピンドルモータ
５によって光磁気ディスク４を回転駆動し、これにより
磁気ヘッド１が光磁気ディスク４の保護膜４２上を摺
動、または浮上走行する状態において情報信号の記録お
よび再生が行われる。
第１の実施例におけると同様であり、スピンドルモータ
５によって光磁気ディスク４を回転駆動し、これにより
磁気ヘッド１が光磁気ディスク４の保護膜４２上を摺
動、または浮上走行する状態において情報信号の記録お
よび再生が行われる。
【０１２６】なお本実施例においては磁気ヘッド１に設
けたレンズ２２の突出部ｐ２の先端を十分に光磁気ディ
スク４に十分に接近させ、光ヘッド２よりレンズ２２を
通して記録用光ビーム、または再生用光ビームを光磁気
ディスク４に照射すれば、光ビームをより小さな光スポ
ットに収束にすることができ、情報信号の記録密度が向
上する効果を得ることができる。ただし光ビームをより
小さな光スポットに収束する必要がない場合には磁気ヘ
ッド１はレンズ２２を備える必要はなく、代わりにレー
ザ光を透過する部材（例えばガラス板）を設けてもよい
し、またはこのような部材を設けなくてもよい。
けたレンズ２２の突出部ｐ２の先端を十分に光磁気ディ
スク４に十分に接近させ、光ヘッド２よりレンズ２２を
通して記録用光ビーム、または再生用光ビームを光磁気
ディスク４に照射すれば、光ビームをより小さな光スポ
ットに収束にすることができ、情報信号の記録密度が向
上する効果を得ることができる。ただし光ビームをより
小さな光スポットに収束する必要がない場合には磁気ヘ
ッド１はレンズ２２を備える必要はなく、代わりにレー
ザ光を透過する部材（例えばガラス板）を設けてもよい
し、またはこのような部材を設けなくてもよい。
【０１２７】しかしその場合でも光ヘッド２を磁気ヘッ
ド１の上方に配置し、光磁気ディスク４の保護膜４２を
透過して磁気記録層４１に記録用光ビームまたは再生用
光ビームを照射するような構成とするには、コイル１３
の中央部には記録用光ビームまたは再生用光ビームの透
過部例えば孔ｈ１を形成し、コイルパターンは光の透過
部の周囲を取り巻くように形成する必要がある。
ド１の上方に配置し、光磁気ディスク４の保護膜４２を
透過して磁気記録層４１に記録用光ビームまたは再生用
光ビームを照射するような構成とするには、コイル１３
の中央部には記録用光ビームまたは再生用光ビームの透
過部例えば孔ｈ１を形成し、コイルパターンは光の透過
部の周囲を取り巻くように形成する必要がある。
【０１２８】本実施例においてもコイルパターン１６
ａ，１６ｂの周囲の非有効領域にダミーパターン１７
ａ，１７ｂを形成したことによってコイル１３の厚さＴ
は略全面において一様で１６０μｍとなり、ダミーパタ
ーンを形成しない場合に比較してコイル１３の機械強度
が向上する。従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁
気ヘッドの製造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わ
せ、スライダー１４に搭載し、固定する作業を行う場合
に、コイル１３が屈曲するなどの変形を生じることは無
い。またコイル１３の上面（コア１２と対向する面）は
平坦であるから、コア１２との貼り合わせによって下面
（光磁気ディスク４と対向する面）が***したり傾斜す
るなどの変形を生じることはない。
ａ，１６ｂの周囲の非有効領域にダミーパターン１７
ａ，１７ｂを形成したことによってコイル１３の厚さＴ
は略全面において一様で１６０μｍとなり、ダミーパタ
ーンを形成しない場合に比較してコイル１３の機械強度
が向上する。従ってコイル１３の剛性が十分であり、磁
気ヘッドの製造時に、コイル１３をコア１２と貼り合わ
せ、スライダー１４に搭載し、固定する作業を行う場合
に、コイル１３が屈曲するなどの変形を生じることは無
い。またコイル１３の上面（コア１２と対向する面）は
平坦であるから、コア１２との貼り合わせによって下面
（光磁気ディスク４と対向する面）が***したり傾斜す
るなどの変形を生じることはない。
【０１２９】また、ダミーパターン１７ａ，１７ｂを形
成したことによって、コイルパターン１６ａ，１６ｂや
コア１２で発生する熱を放散し、磁気ヘッドの温度の上
昇を防止することができる。さらに磁気ヘッド１が第１
０の実施例に示したように放熱部材を備えていれば放熱
効率を高めることができる。
成したことによって、コイルパターン１６ａ，１６ｂや
コア１２で発生する熱を放散し、磁気ヘッドの温度の上
昇を防止することができる。さらに磁気ヘッド１が第１
０の実施例に示したように放熱部材を備えていれば放熱
効率を高めることができる。
【０１３０】なお本実施例においてコイル１３は第２か
ら第８の実施例に示したものと同様の構成であってもよ
い。また第９の実施例に示したようにコイル１３には位
置決め部位を、スライダー１４には係止部を設けてもよ
い。
ら第８の実施例に示したものと同様の構成であってもよ
い。また第９の実施例に示したようにコイル１３には位
置決め部位を、スライダー１４には係止部を設けてもよ
い。
【０１３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明による磁気ヘ
ッド用平面コイル部品は、磁界の発生中心を周回するよ
うに電流を供給することができる導体パターンは形成さ
れない非有効領域を、コイルパターンの外縁（有効領域
の外縁）からの距離Ｓによって第１の領域Ａ１、第２の
領域Ａ２および第３の領域Ａ３に区分し、各領域内に上
記の式１、式２および式３を同時に満たすように導体パ
ターンを形成し、かつ第１の領域Ａ１においては導体パ
ターンは閉ループを形成しないようにしたことにより、
コイルの電気特性を損なうことなく、しかも機械強度や
平坦性、寸法精度を改善した磁気ヘッド用平面コイル部
品が提供されるのである。従ってこのようなコイルを用
いれば磁気ヘッドの製造時に、コイルをコアと貼り合わ
せ、スライダーに搭載し、固定する作業を行う場合に、
コイルが屈曲するなどの変形を生じることは無い。特に
コイルの他の部材と貼り合わせる上面側に、コイルパタ
ーンおよびその外側の非有効領域に導体パターンを形成
すれば、貼り合わせによってコイルの光磁気記録媒体と
対向する下面が***したり傾斜するなどの変形を生じる
ことはない。
ッド用平面コイル部品は、磁界の発生中心を周回するよ
うに電流を供給することができる導体パターンは形成さ
れない非有効領域を、コイルパターンの外縁（有効領域
の外縁）からの距離Ｓによって第１の領域Ａ１、第２の
領域Ａ２および第３の領域Ａ３に区分し、各領域内に上
記の式１、式２および式３を同時に満たすように導体パ
ターンを形成し、かつ第１の領域Ａ１においては導体パ
ターンは閉ループを形成しないようにしたことにより、
コイルの電気特性を損なうことなく、しかも機械強度や
平坦性、寸法精度を改善した磁気ヘッド用平面コイル部
品が提供されるのである。従ってこのようなコイルを用
いれば磁気ヘッドの製造時に、コイルをコアと貼り合わ
せ、スライダーに搭載し、固定する作業を行う場合に、
コイルが屈曲するなどの変形を生じることは無い。特に
コイルの他の部材と貼り合わせる上面側に、コイルパタ
ーンおよびその外側の非有効領域に導体パターンを形成
すれば、貼り合わせによってコイルの光磁気記録媒体と
対向する下面が***したり傾斜するなどの変形を生じる
ことはない。
【０１３２】従ってコイルと光ヘッドとの相対的な位置
やコイルと光磁気記録媒体の距離の精度を向上した磁気
ヘッドが実現する。その結果コイルを小型化し、そのイ
ンダクタンスを低減した場合であっても、光磁気記録媒
体の記録用光ビームの照射位置に正確に磁界を印加する
ことができる。これにより磁界の変調周波数を８ＭＨｚ
以上とし、情報信号の記録を高速化することが可能とな
るのである。
やコイルと光磁気記録媒体の距離の精度を向上した磁気
ヘッドが実現する。その結果コイルを小型化し、そのイ
ンダクタンスを低減した場合であっても、光磁気記録媒
体の記録用光ビームの照射位置に正確に磁界を印加する
ことができる。これにより磁界の変調周波数を８ＭＨｚ
以上とし、情報信号の記録を高速化することが可能とな
るのである。
【０１３３】また特に位置決め部位を設けたコイルにお
いて、位置決め部位の周縁にガイドパターンを形成すれ
ば、位置決め部位の周辺部分の機械強度が増大し、磁気
ヘッドの製造時に他の構成部材に設けた係止部とコイル
の位置決め部位とを嵌合する際にコイルが変形すること
がなく、コイルの位置の精度を一層向上することができ
る。またフォトリソグラフィーによってガイドパターン
をコイルパターンとともに形成すれば高い位置精度、寸
法精度で位置決め部位を形成することができる。従って
コイルを一層小型化した場合であっても、コイルと光ヘ
ッドとの相対的な位置の精度を向上することができる。
いて、位置決め部位の周縁にガイドパターンを形成すれ
ば、位置決め部位の周辺部分の機械強度が増大し、磁気
ヘッドの製造時に他の構成部材に設けた係止部とコイル
の位置決め部位とを嵌合する際にコイルが変形すること
がなく、コイルの位置の精度を一層向上することができ
る。またフォトリソグラフィーによってガイドパターン
をコイルパターンとともに形成すれば高い位置精度、寸
法精度で位置決め部位を形成することができる。従って
コイルを一層小型化した場合であっても、コイルと光ヘ
ッドとの相対的な位置の精度を向上することができる。
【０１３４】また、有効領域に形成したコイルパターン
やコアで発生する熱が非有効領域に形成した導体パター
ンを介して放散されるので、磁気ヘッドの温度の上昇を
防止することができる。特に磁気ヘッドが導体パターン
に密着する放熱部材を備えていれば、より高い放熱効率
を得ることができる。
やコアで発生する熱が非有効領域に形成した導体パター
ンを介して放散されるので、磁気ヘッドの温度の上昇を
防止することができる。特に磁気ヘッドが導体パターン
に密着する放熱部材を備えていれば、より高い放熱効率
を得ることができる。
【０１３５】従って本発明によれば、磁界の変調周波数
を高くした場合のコアやコイルパターンの高周波損失に
よる磁気ヘッドの温度の上昇を低減することができる。
その結果コアを構成する磁性材料の飽和磁束密度Ｂｓが
低下して磁気ヘッドの発生磁界の強度が低下することが
防止できる。また磁気ヘッドの構成部材が変形を生じた
り電気的な絶縁不良を生じることも防止できる。
を高くした場合のコアやコイルパターンの高周波損失に
よる磁気ヘッドの温度の上昇を低減することができる。
その結果コアを構成する磁性材料の飽和磁束密度Ｂｓが
低下して磁気ヘッドの発生磁界の強度が低下することが
防止できる。また磁気ヘッドの構成部材が変形を生じた
り電気的な絶縁不良を生じることも防止できる。
【０１３６】これにより磁界の変調周波数を従来よりも
高くし、情報信号の記録密度を高めることができる。
高くし、情報信号の記録密度を高めることができる。
【図１】本発明の第１の実施例であるコイルの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第３の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の第４の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の第５の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の第６の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の第７の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図９】本発明の第８の実施例であるコイルの平面図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の第９の実施例であるコイルの平面図
である。
である。
【図１１】本発明の第１の実施例である磁気ヘッドの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１２】本発明の第９の実施例である磁気ヘッドの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１３】本発明の第１０の実施例である磁気ヘッドの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１４】本発明の第１１の実施例である磁気ヘッドの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１５】本発明の第１の実施例である光磁気記録装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施例である光磁気記録装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１７】従来の光磁気記録用磁気ヘッドの斜視図であ
る。
る。
【図１８】従来の光磁気記録用磁気ヘッドの断面図であ
る。
る。
【図１９】第１の比較例であるコイルの構成を示す図で
ある。
ある。
【図２０】第２の比較例であるコイルの構成を示す図で
ある。
ある。
１ 磁気ヘッド
２ 光ヘッド
３ 連結部材
４ 光磁気ディスク
５ スピンドルモータ
６ 磁気ヘッド駆動回路
７ 記録信号生成回路
８ レーザ駆動回路
９ 増幅回路
１０ 情報信号再生回路
１１ 支持部材
１２ コア
１３ コイル
１４ スライダー
１５ 基材
１６ａ，１６ｂ コイルパターン
１７ａ，１７ｂ ダミーパターン
１８ａ，１８ｂ 絶縁部材
１９ａ，１９ｂ 端子部
２０ａ，２０ｂ 保護コート
２１ａ，２１ｂ スルーホール
２２ レンズ
２３，２４，２５ 位置決め部位
２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ ガ
イドパターン ２９，３０，３１ 係止部 ３２ 放熱部材 ４０ 基板 ４１ 磁気記録層 ４２ 保護膜
イドパターン ２９，３０，３１ 係止部 ３２ 放熱部材 ４０ 基板 ４１ 磁気記録層 ４２ 保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開2000−30203（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−316901（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−302215（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−255206（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−255205（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−74335（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−63824（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−309610（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−76844（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−84705（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−235203（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 5/02
G11B 5/127 - 5/17
G11B 11/105 561
Claims (13)
- 【請求項１】 導電性材料の膜から成る導体パターンを
備えた磁気ヘッド用平面コイル部品において、前記導体
パターンは磁界の発生中心を周回するように電流の供給
が可能なスパイラル状の第１導体パターン、および前記
第１導体パターンの外側に形成され、少なくとも磁界の
発生中心を周回するように電流を供給し得ない第２導体
パターンとを含み、前記第１導体パターンの最外周の外
縁からの距離をＳ、前記第１導体パターンのピッチ（ピ
ッチが一定ではない場合にはその最小値）をＰとした時
に、前記第１導体パターンの外側に形成された前記第２
導体パターンの導体占有率（ある領域内に形成したすべ
ての第２導体パターンの面積の合計の前記領域の総面積
に対する割合）Ｒは以下の式１、式２および式３を同時
に満たし、かつ式１の示す第１の領域Ａ１内においては
前記第２導体パターンは前記第１導体パターンを周回す
る閉ループを形成しないことを特徴とする磁気ヘッド用
平面コイル部品。 式１：前記第２導体パターン内の、０≦Ｓ≦１．５Ｐで
ある第１の領域Ａ１においては、０≦Ｒ≦０．３ 式２：前記第２導体パターン内の、１．５Ｐ＜Ｓ≦６．
０Ｐである第２の領域Ａ２においては、０≦Ｒ≦０．８ 式３：前記第２導体パターン内の、６．０Ｐ＜Ｓである
第３の領域Ａ３においては、０．３＜Ｒ≦１ - 【請求項２】 前記式１の示す第１の領域Ａ１内におい
ては、前記第１導体パターンの外側に形成された前記第
２導体パターンは、前記第１導体パターンを周回する方
向に２つ以上に分割された不連続なパターンを含むこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド用平面コイル
部品。 - 【請求項３】 前記２つ以上に分割されたパターン間の
間隔がすべて０．２Ｐ以上であることを特徴とする請求
項２に記載の磁気ヘッド用平面コイル部品。 - 【請求項４】 前記第１導体パターンの外側に形成され
た前記第２導体パターンは、Ｐ以上で５Ｐ以下の周期を
有する周期的な形状のパターンを含むことを特徴とす
る、請求項１、２または３のいずれかに記載の磁気ヘッ
ド用平面コイル部品。 - 【請求項５】 前記第１導体パターンの外側に形成され
た前記第２導体パターンは、前記磁気ヘッド用平面コイ
ル部品の周縁に沿って形成したパターンを含むことを特
徴とする請求項１から４のいずれかに記載の磁気ヘッド
用平面コイル部品。 - 【請求項６】 前記磁気ヘッド用平面コイル部品の周縁
に沿って形成した前記パターンは帯状であり、前記第２
導体パターンのその他のパターンと連結していることを
特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッド用平面コイル部
品。 - 【請求項７】 前記磁気ヘッド用平面コイル部品には位
置決め部位が形成され、前記第１導体パターンの外側に
形成された前記第２導体パターンは、前記位置決め部位
の周縁に形成したガイドパターンを含むことを特徴とす
る請求項１から６のいずれかに記載の磁気ヘッド用平面
コイル部品。 - 【請求項８】 前記磁気ヘッド用平面コイル部品には磁
極を配設するための孔、または光の透過部が形成され、
前記第１導体パターンは前記孔または光の透過部の周囲
に形成したことを特徴とする請求項１から７のいずれか
に記載の磁気ヘッド用平面コイル部品。 - 【請求項９】 光磁気記録媒体に平行に対向するコイル
を備えた光磁気記録用磁気ヘッドにおいて、前記コイル
は請求項１から８のいずれかに記載の磁気ヘッド用平面
コイル部品であることを特徴とする光磁気記録用磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１０】 さらに磁性材料から成るコアを備えた
ことを特徴とする請求項９に記載の光磁気記録用磁気ヘ
ッド。 - 【請求項１１】 さらにレンズを備えたことを特徴とす
る請求項９または１０のいずれかに記載の光磁気記録用
磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 さらに前記第１導体パターンの外側に
形成された前記第２導体パターンに密着する放熱部材を
備えたことを特徴とする請求項９、１０または１１のい
ずれかに記載の光磁気記録用磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 光磁気記録媒体に光を照射する光ヘッ
ドおよび光磁気記録媒体に情報信号によって変調された
磁界を印加する磁気ヘッドを備えた光磁気記録装置にお
いて、前記磁気ヘッドは請求項９から１２のいずれかに
記載の光磁気記録用磁気ヘッドであることを特徴とする
光磁気記録装置。
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