JP3500474B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP3500474B2 JP3500474B2 JP12840394A JP12840394A JP3500474B2 JP 3500474 B2 JP3500474 B2 JP 3500474B2 JP 12840394 A JP12840394 A JP 12840394A JP 12840394 A JP12840394 A JP 12840394A JP 3500474 B2 JP3500474 B2 JP 3500474B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピューターメモリ
ー、画像及び音声ファイル用メモリー、光カードなどに
利用される光情報記録媒体（以後記録媒体と略すことも
ある）に関する。
ー、画像及び音声ファイル用メモリー、光カードなどに
利用される光情報記録媒体（以後記録媒体と略すことも
ある）に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機色
素薄膜を記録層とする記録媒体において、該有機色素薄
膜にフタロシアニン化合物を使用したものが知られてい
る（特開昭５８−１８３２９６号、同５８−３７８５１
号公報等）。フタロシアニン化合物は熱、光に対する安
定性が極めて高いという特長がある一方、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、従来は蒸着法でしか薄膜化はできず
生産性に難点があり、また会合しやすく、高い屈折率、
高い反射率が得られないという問題があった。
素薄膜を記録層とする記録媒体において、該有機色素薄
膜にフタロシアニン化合物を使用したものが知られてい
る（特開昭５８−１８３２９６号、同５８−３７８５１
号公報等）。フタロシアニン化合物は熱、光に対する安
定性が極めて高いという特長がある一方、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、従来は蒸着法でしか薄膜化はできず
生産性に難点があり、また会合しやすく、高い屈折率、
高い反射率が得られないという問題があった。
【０００３】一方、最近では、高記録密度化を図るべく
従来の光ディスクで使用されてきた波長域より短波長に
発振波長（〜６８０ｎｍ）を有する半導体レーザーが実
用化されはじめている。ところが、従来の有機色素薄膜
では７００ｎｍ以下の波長域に光吸収能及び光反射能を
有するものはなく、材料面で高密度記録性に限界があっ
た。
従来の光ディスクで使用されてきた波長域より短波長に
発振波長（〜６８０ｎｍ）を有する半導体レーザーが実
用化されはじめている。ところが、従来の有機色素薄膜
では７００ｎｍ以下の波長域に光吸収能及び光反射能を
有するものはなく、材料面で高密度記録性に限界があっ
た。
【０００４】更に、基板上に、有機色素薄膜、金属反射
層及び保護層を順次積層してなる追記コンパクトディス
ク型（ＣＤ−Ｒ）記録媒体においては、そのＣＤ規格を
満足するには高い反射率を必要とし、そのため再生波長
域（７００〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し且つ安定
性の高い有機色素材料の開発が必要であった。
層及び保護層を順次積層してなる追記コンパクトディス
ク型（ＣＤ−Ｒ）記録媒体においては、そのＣＤ規格を
満足するには高い反射率を必要とし、そのため再生波長
域（７００〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し且つ安定
性の高い有機色素材料の開発が必要であった。
【０００５】最近、フタロシアニン化合物の会合を阻止
し高屈折率化を達成するために、フタロシアニンのα位
にかさ高いアルコキシ基を導入することが試みられ、更
にハロゲン化フタロシアニンとすることで波長整合を計
ったＣＤ−Ｒ型記録媒体が提案されている（特開平３−
６２８７８号、同３−２１５４６６号、同４−３４８１
６８号、同４−２２６３９０号、同４−１５２６３〜６
号、同５−１７４７７号、同５−８６３０１号、同５−
２５１７７号、同５−２５１７９号、同５−１７７００
号、同５−１２７２号各公報等）。このようなフタロシ
アニン化合物は確かに屈折率等の向上をもたらすが、未
だ充分満足されるものではなく、更なる向上が望まれて
いる。
し高屈折率化を達成するために、フタロシアニンのα位
にかさ高いアルコキシ基を導入することが試みられ、更
にハロゲン化フタロシアニンとすることで波長整合を計
ったＣＤ−Ｒ型記録媒体が提案されている（特開平３−
６２８７８号、同３−２１５４６６号、同４−３４８１
６８号、同４−２２６３９０号、同４−１５２６３〜６
号、同５−１７４７７号、同５−８６３０１号、同５−
２５１７７号、同５−２５１７９号、同５−１７７００
号、同５−１２７２号各公報等）。このようなフタロシ
アニン化合物は確かに屈折率等の向上をもたらすが、未
だ充分満足されるものではなく、更なる向上が望まれて
いる。
【０００６】従って、本発明の第１の目的は、フタロシ
アニン化合物の持つ特長を生かしつつ、有機溶剤への溶
解性が高く、生産性が高く、溶剤塗工可能なフタロシア
ニン化合物を記録材料とする記録媒体を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高密度記録可能な６３０
〜７００ｎｍの半導体レーザーを用いた光ピックアップ
に適用できる記録媒体を提供することにある。本発明の
第３の目的は、７７０〜８３０ｎｍの波長域において高
屈折率を有し、保存安定性及び再生安定性にすぐれた高
反射率のＣＤ−Ｒメディアの達成を可能とする記録媒体
を提供することにある。
アニン化合物の持つ特長を生かしつつ、有機溶剤への溶
解性が高く、生産性が高く、溶剤塗工可能なフタロシア
ニン化合物を記録材料とする記録媒体を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高密度記録可能な６３０
〜７００ｎｍの半導体レーザーを用いた光ピックアップ
に適用できる記録媒体を提供することにある。本発明の
第３の目的は、７７０〜８３０ｎｍの波長域において高
屈折率を有し、保存安定性及び再生安定性にすぐれた高
反射率のＣＤ−Ｒメディアの達成を可能とする記録媒体
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】フタロシアニン化合物は
大環状の平面化合物であり、極めて会合性が高く、その
ため薄膜化すると吸収スペクトルがブロードになり、且
つ反射率（屈折率）も低くなる性質を有している。そこ
で、本発明は、環の置換基として、立体的にかさ高い構
造の置換基を導入し、会合を阻止し、高い吸収能及び高
い反射率（屈折率）化を実現させ、且つ有機溶剤に対す
る溶解性をも向上させたものである。
大環状の平面化合物であり、極めて会合性が高く、その
ため薄膜化すると吸収スペクトルがブロードになり、且
つ反射率（屈折率）も低くなる性質を有している。そこ
で、本発明は、環の置換基として、立体的にかさ高い構
造の置換基を導入し、会合を阻止し、高い吸収能及び高
い反射率（屈折率）化を実現させ、且つ有機溶剤に対す
る溶解性をも向上させたものである。
【０００８】即ち、本発明によれば、基板上に直接又は
下引き層を介して記録層を設け、さらに必要に応じてそ
の上に保護層を設けてなる光情報記録媒体において、前
記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニ
ン化合物を含有させたことを特徴とする光情報記録媒体
が提供される。
下引き層を介して記録層を設け、さらに必要に応じてそ
の上に保護層を設けてなる光情報記録媒体において、前
記記録層中に下記一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニ
ン化合物を含有させたことを特徴とする光情報記録媒体
が提供される。
【化１】
〔式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ4及びｋ〜ｎは、それぞれ以下のも
のを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p 若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)q を有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但
し全部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが
３以下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハ
ロゲン原子である。〕
のを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p 若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)q を有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但
し全部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが
３以下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハ
ロゲン原子である。〕
【０００９】また、本発明によれば、前記フタロシアニ
ン化合物が下記の一般式（IIa）〜(IId）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
ン化合物が下記の一般式（IIa）〜(IId）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
【化２】
【化３】
【化４】
【化５】
〔式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕
【００１０】更に、本発明によれば、前記フタロシアニ
ン化合物が下記の一般式（IIIa)〜(IIId）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
ン化合物が下記の一般式（IIIa)〜(IIId）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
〔式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕
【００１１】また、本発明によれば、前記フタロシアニ
ン化合物が下記の一般式（IVa）〜(IVd）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
ン化合物が下記の一般式（IVa）〜(IVd）で示される４
種のうち、１種又は２種以上の混合物からなることを特
徴とする前記光情報記録媒体が提供される。
【化１０】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
〔式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ16、Ｙ及びｎ１〜ｎ４は、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。〕
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。〕
【００１２】更に、本発明によれば、前記記録層と保護
層との間に金属反射層を設けてなり、ＣＤフォーマット
信号の記録を行なう追記コンパクトディスク型の記録媒
体であることを特徴とする光情報記録媒体が提供され
る。
層との間に金属反射層を設けてなり、ＣＤフォーマット
信号の記録を行なう追記コンパクトディスク型の記録媒
体であることを特徴とする光情報記録媒体が提供され
る。
【００１３】本発明で使用するフタロシアニン化合物
は、フタロシアニン骨格のベンゼン環にかさ高い置換基
として、前記Ｘ1〜Ｘ16で表わされるシリル置換基を導
入したことから、会合阻止能力にすぐれ（炭素原子より
もケイ素原子の方が大きいので、α−アルコキシフタロ
シアニンと比べ、本発明で使用するフタロシアニンの方
が会合阻止能力にすぐれる）且つ耐光性にもすぐれてい
る。従って、波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を示
し且つ高い安定性を有するため、本フタロシアニンを使
用したＣＤ−Ｒ記録媒体は、高反射率で保存安定性及び
再生安定性にすぐれたものとなる。また、波長６３０〜
７２０ｎｍに高い吸収能、光反射性を有し、６３０〜７
２０ｎｍの半導体レーザーを用いたピックアップに適用
できるため、現状の７７０〜８３０ｎｍ対応の記録媒体
に比べ、１．６〜１．７倍の高密度化が可能になる。更
に、前記シリル置換基の効果により、ＣＤ−Ｒメディア
として本フタロシアニンを用いた場合、炭素−炭素結合
より炭素−ケイ素結合の方が弱く、記録時に炭素−ケイ
素結合が切断され、記録した情報の信号特性が良好なも
のとなる。
は、フタロシアニン骨格のベンゼン環にかさ高い置換基
として、前記Ｘ1〜Ｘ16で表わされるシリル置換基を導
入したことから、会合阻止能力にすぐれ（炭素原子より
もケイ素原子の方が大きいので、α−アルコキシフタロ
シアニンと比べ、本発明で使用するフタロシアニンの方
が会合阻止能力にすぐれる）且つ耐光性にもすぐれてい
る。従って、波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を示
し且つ高い安定性を有するため、本フタロシアニンを使
用したＣＤ−Ｒ記録媒体は、高反射率で保存安定性及び
再生安定性にすぐれたものとなる。また、波長６３０〜
７２０ｎｍに高い吸収能、光反射性を有し、６３０〜７
２０ｎｍの半導体レーザーを用いたピックアップに適用
できるため、現状の７７０〜８３０ｎｍ対応の記録媒体
に比べ、１．６〜１．７倍の高密度化が可能になる。更
に、前記シリル置換基の効果により、ＣＤ−Ｒメディア
として本フタロシアニンを用いた場合、炭素−炭素結合
より炭素−ケイ素結合の方が弱く、記録時に炭素−ケイ
素結合が切断され、記録した情報の信号特性が良好なも
のとなる。
【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。まず、記
録媒体の構成について述べる。図１は、本発明の記録媒
体に適用し得る層構成例を示す図で、基板１の上に、必
要に応じて下引き層３を介して、記録層２を設け、更に
必要に応じ保護層４が設けられる。
録媒体の構成について述べる。図１は、本発明の記録媒
体に適用し得る層構成例を示す図で、基板１の上に、必
要に応じて下引き層３を介して、記録層２を設け、更に
必要に応じ保護層４が設けられる。
【００１５】図２は、本発明の記録媒体に適用し得る別
のタイプの層構成例を示す図で、図１の構成の記録層２
の上に金属反射層５が設けられている。
のタイプの層構成例を示す図で、図１の構成の記録層２
の上に金属反射層５が設けられている。
【００１６】本発明の記録媒体は、図１及び図２に示し
た構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。
た構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。
【００１７】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザー光に対して透明でなければならな
いが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である
必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックある
いは金属などを用いることができる。なお、基板の表面
にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス
信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザー光に対して透明でなければならな
いが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である
必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックある
いは金属などを用いることができる。なお、基板の表面
にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス
信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【００１８】２）記録層
記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には前記一般式（Ｉ）のフタロシアニ
ン化合物が含有されている必要がある。記録層の形成に
あたっては、本発明の化合物を１種又は２種以上組み合
わせて用いてもよい。更に、本発明の化合物は他の染
料、例えばポリメチン色素、ナフタロシアニン系、スク
アリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフト
キノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサ
ンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラ
ヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジ
ン系染料、あるいは金属錯体化合物などと組み合わせて
用いてもよい。この場合、上記の染料は単独で用いでも
よいし、２種以上の組み合わせにしてもよい。
生じさせその変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には前記一般式（Ｉ）のフタロシアニ
ン化合物が含有されている必要がある。記録層の形成に
あたっては、本発明の化合物を１種又は２種以上組み合
わせて用いてもよい。更に、本発明の化合物は他の染
料、例えばポリメチン色素、ナフタロシアニン系、スク
アリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフト
キノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサ
ンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラ
ヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジ
ン系染料、あるいは金属錯体化合物などと組み合わせて
用いてもよい。この場合、上記の染料は単独で用いでも
よいし、２種以上の組み合わせにしてもよい。
【００１９】また、本発明の化合物は金属、金属化合
物、例えばＩｎ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔｅ
Ｏ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合あるいは積層
の形態で用いることもできる。更に、本発明の化合物中
に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系
樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤など
を分散混合して用いてもよく、あるいは特性改良の目的
で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用
いることができる。
物、例えばＩｎ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔｅ
Ｏ2、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合あるいは積層
の形態で用いることもできる。更に、本発明の化合物中
に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系
樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤など
を分散混合して用いてもよく、あるいは特性改良の目的
で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用
いることができる。
【００２０】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記化合物などを
有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラー塗布、ディッ
ピング又はスピナー塗布などの慣用の塗布方法で行な
う。有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲ
ン化炭素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、あるいはメチル
セルソルブ、エチルセルソルブなどのセルソルブ類など
を用いることができる。記録層の膜厚は、図１のような
媒体構成の場合は、１００Å〜１０μｍ、好ましくは２
００Å〜１０００Åが適当であり、図２のような媒体構
成の場合は、３００Å〜５μｍ、好ましくは５００Å〜
２０００Åが適当である。
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記化合物などを
有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラー塗布、ディッ
ピング又はスピナー塗布などの慣用の塗布方法で行な
う。有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲ
ン化炭素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、あるいはメチル
セルソルブ、エチルセルソルブなどのセルソルブ類など
を用いることができる。記録層の膜厚は、図１のような
媒体構成の場合は、１００Å〜１０μｍ、好ましくは２
００Å〜１０００Åが適当であり、図２のような媒体構
成の場合は、３００Å〜５μｍ、好ましくは５００Å〜
２０００Åが適当である。
【００２１】３）下引き層
下引き層は、（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスな
どに対するバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向
上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保
護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形
成などを目的として使用される。（ａ）の目的に対して
は高分子、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、ビニ
ル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング剤な
どを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対し
ては、上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ
2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓｉ
Ｎ、及びＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌなどの金属又は半金属などを用いることがで
きる。また、（ｂ）の目的に対しては、金属、例えばＡ
ｌ、Ａｇなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメ
チン染料、キサンテン系染料などを用いることができ、
（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．
０５〜１０μｍが適当である。
どに対するバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向
上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保
護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形
成などを目的として使用される。（ａ）の目的に対して
は高分子、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、ビニ
ル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング剤な
どを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対し
ては、上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ
2、ＭｇＦ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、Ｓｉ
Ｎ、及びＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、
Ａｇ、Ａｌなどの金属又は半金属などを用いることがで
きる。また、（ｂ）の目的に対しては、金属、例えばＡ
ｌ、Ａｇなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメ
チン染料、キサンテン系染料などを用いることができ、
（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹脂、
熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．
０５〜１０μｍが適当である。
【００２２】４）金属反射層
金属反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい
金属、半金属などが使用できる。具体的材料としては、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどが挙げられ、
好ましくはＡｕ、Ａｌがよい。これらの金属、半金属は
単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。
膜形成法としては蒸着、スパッタリングなどが挙げら
れ、膜厚としては５０〜３０００Å、好ましくは１００
〜１０００Åである。
金属、半金属などが使用できる。具体的材料としては、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどが挙げられ、
好ましくはＡｕ、Ａｌがよい。これらの金属、半金属は
単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。
膜形成法としては蒸着、スパッタリングなどが挙げら
れ、膜厚としては５０〜３０００Å、好ましくは１００
〜１０００Åである。
【００２３】５）保護層、基板表面ハードコート層
保護層又は基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層を
傷、埃、汚れなどから保護する、（ｂ）記録層の保存安
定性の向上、（ｃ）反射率の向上などを目的として使用
される。これらの目的に対しては、前記の下引き層に示
した材料を用いることができる。また無機材料としてＳ
ｉＯ、ＳｉＯ2なども用いることもでき、有機材料とし
てアクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワ
ックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち保護層又は基板表面ハードコート層に最も好ましいも
のは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護層又
は基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。本発
明において、前記の下引き層及び保護層には記録層の場
合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止
剤、界面活性剤、可塑剤などを含有させることができ
る。
傷、埃、汚れなどから保護する、（ｂ）記録層の保存安
定性の向上、（ｃ）反射率の向上などを目的として使用
される。これらの目的に対しては、前記の下引き層に示
した材料を用いることができる。また無機材料としてＳ
ｉＯ、ＳｉＯ2なども用いることもでき、有機材料とし
てアクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワ
ックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟化
性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち保護層又は基板表面ハードコート層に最も好ましいも
のは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護層又
は基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。本発
明において、前記の下引き層及び保護層には記録層の場
合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止
剤、界面活性剤、可塑剤などを含有させることができ
る。
【００２４】本発明においては、前記一般式（Ｉ）で示
されるフタロシアニン化合物が記録層に含有されるが、
一般式（Ｉ）において、Ｍで表わされる金属原子として
は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ等がある。この一般式
（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、例えば表１
〔表１−（１）及び表１−（２）〕に示すものが挙げら
れる。
されるフタロシアニン化合物が記録層に含有されるが、
一般式（Ｉ）において、Ｍで表わされる金属原子として
は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ等がある。この一般式
（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、例えば表１
〔表１−（１）及び表１−（２）〕に示すものが挙げら
れる。
【００２５】
【表１−（１）】
【００２６】
【表１−（２）】
【００２７】なお、前記一般式（Ｉ）で示される化合物
は、対応するフタロシアニン化合物又はジイミノイソイ
ンドリン化合物と前述した金属又はその誘導体とを有機
溶媒中で反応させることによって得られる。また、一般
式（Ｉ）においてＭが２個の水素原子である場合には、
対応するフタロニトリル化合物又はジイミノイソインド
リン化合物にリチウム又はナトリウムを作用させること
によって得られる。
は、対応するフタロシアニン化合物又はジイミノイソイ
ンドリン化合物と前述した金属又はその誘導体とを有機
溶媒中で反応させることによって得られる。また、一般
式（Ｉ）においてＭが２個の水素原子である場合には、
対応するフタロニトリル化合物又はジイミノイソインド
リン化合物にリチウム又はナトリウムを作用させること
によって得られる。
【００２８】本発明で使用される前記一般式（Ｉ）で示
される化合物として、光情報記録媒体に用いた場合のフ
タロシアニンの吸収波長の整合と収率等の点から、前記
一般式（IIa)〜(IId）で示される４種のうち、１種又は
２種以上の混合物からなるもの、あるいは前記一般式
（IIIa)〜(IIId）で示される４種のうち１種又は２種以
上の混合物からなるものが好ましい。これらの一般式
（IIa)〜(IId）及び（IIIa)〜(IIId）で示される１種又
は２種以上の混合物は対応するフタロニトリル化合物又
はジイミノイソインドリン化合物の１〜４種を前記金属
又はその誘導体と有機溶媒中で反応させることにより得
られる。
される化合物として、光情報記録媒体に用いた場合のフ
タロシアニンの吸収波長の整合と収率等の点から、前記
一般式（IIa)〜(IId）で示される４種のうち、１種又は
２種以上の混合物からなるもの、あるいは前記一般式
（IIIa)〜(IIId）で示される４種のうち１種又は２種以
上の混合物からなるものが好ましい。これらの一般式
（IIa)〜(IId）及び（IIIa)〜(IIId）で示される１種又
は２種以上の混合物は対応するフタロニトリル化合物又
はジイミノイソインドリン化合物の１〜４種を前記金属
又はその誘導体と有機溶媒中で反応させることにより得
られる。
【００２９】また、本発明で使用される前記一般式
（Ｉ）で示される化合物として、吸収最大波長の長波長
化を可能とする点から、前記一般式（IVa)〜(IVd）で示
される１種又は２種以上の混合物からなるものが好まし
い。これらの一般式(IVa)〜(IVd)で示される１種又は２
種以上の混合物は、前記(IIa)〜(IId)及び(IIIa)〜(III
d)で示される１種又は２種以上をハロゲン化することに
よって得ることができる。この場合のハロゲン化反応
は、特開平３−６２８７８号公報等の記載例をそのまま
利用できる。
（Ｉ）で示される化合物として、吸収最大波長の長波長
化を可能とする点から、前記一般式（IVa)〜(IVd）で示
される１種又は２種以上の混合物からなるものが好まし
い。これらの一般式(IVa)〜(IVd)で示される１種又は２
種以上の混合物は、前記(IIa)〜(IId)及び(IIIa)〜(III
d)で示される１種又は２種以上をハロゲン化することに
よって得ることができる。この場合のハロゲン化反応
は、特開平３−６２８７８号公報等の記載例をそのまま
利用できる。
【００３０】一般式（IIa)〜(IId）、（IIIa)〜(IIId）
及び（IVa)〜(IVd）で示される化合物の具体例として
は、例えば表２〔表２−（１）及び（表２−（２）〕に
示すものが挙げられる。なお、表２中に示す化合物には
前述したような異性体が存在するが、表２中には記載し
ない。
及び（IVa)〜(IVd）で示される化合物の具体例として
は、例えば表２〔表２−（１）及び（表２−（２）〕に
示すものが挙げられる。なお、表２中に示す化合物には
前述したような異性体が存在するが、表２中には記載し
ない。
【００３１】
【表２−（１）】
【００３２】
【表２−（２）】
【００３３】
【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
【００３４】実施例１
厚さ１．２ｍｍのポリメチルメタアクリレート板上にフ
ォトポリマーにて、深さ１０００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、表１の化合物Ｎｏ．１の１，２−ジクロロエタン
溶液をスピナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて
追記型の記録媒体とした。
ォトポリマーにて、深さ１０００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、表１の化合物Ｎｏ．１の１，２−ジクロロエタン
溶液をスピナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて
追記型の記録媒体とした。
【００３５】実施例２〜６
実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに、
それぞれ同表の化合物Ｎｏ．６、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１
１、Ｎｏ．１２、Ｎｏ．１８を用いたこと以外は、実施
例１と同様にして実施例２〜６の記録媒体を得た。
それぞれ同表の化合物Ｎｏ．６、Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１
１、Ｎｏ．１２、Ｎｏ．１８を用いたこと以外は、実施
例１と同様にして実施例２〜６の記録媒体を得た。
【００３６】比較例１
実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに下
記式（Ｖ）で示されるフタロシアニン化合物を用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして比較例の記録媒体を得
た。
記式（Ｖ）で示されるフタロシアニン化合物を用いたこ
と以外は、実施例１と同様にして比較例の記録媒体を得
た。
【化１４】
（但し、式中ｔ−Ｂｕは２〜２′′′の位置と３〜
３′′′の位置についたものの混合物である。）
３′′′の位置についたものの混合物である。）
【００３７】前記の実施例１〜実施例６及び比較例１の
記録媒体を用い、下記の記録条件で基板を介して記録
し、その後記録位置を連続レーザー光で再生し、下記の
条件でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定した。その
結果を表２に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングフィルター ３０ＫＨｚ バンド幅 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ
記録媒体を用い、下記の記録条件で基板を介して記録
し、その後記録位置を連続レーザー光で再生し、下記の
条件でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定した。その
結果を表２に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングフィルター ３０ＫＨｚ バンド幅 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ
【００３８】
【表３】
【００３９】実施例７
深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、表１の化合物Ｎｏ．１の
２，２，２−トリフルオロエタノール／１，２−ジクロ
ロエタン／２−メトキシエタノール（＝７／１．５／
１．５（重量比））混合溶液をスピナー塗布し、厚さ１
８００Åの記録層を設け、その上にＡｕを１１００Å真
空蒸着して反射層とし、さらにその上にアクリレート系
フォトポリマーをスピンナー塗布して厚さ約３μｍの保
護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とした。
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、表１の化合物Ｎｏ．１の
２，２，２−トリフルオロエタノール／１，２−ジクロ
ロエタン／２−メトキシエタノール（＝７／１．５／
１．５（重量比））混合溶液をスピナー塗布し、厚さ１
８００Åの記録層を設け、その上にＡｕを１１００Å真
空蒸着して反射層とし、さらにその上にアクリレート系
フォトポリマーをスピンナー塗布して厚さ約３μｍの保
護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とした。
【００４０】実施例８〜１２
実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりにそ
れぞれ同表の化合物Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．６、Ｎ
ｏ．８、Ｎｏ．１６を用いたこと以外は、実施例７と同
様にして実施例８〜１２の記録媒体を得た。
れぞれ同表の化合物Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．６、Ｎ
ｏ．８、Ｎｏ．１６を用いたこと以外は、実施例７と同
様にして実施例８〜１２の記録媒体を得た。
【００４１】比較例２
実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに比
較例１のフタロシアニンを用いたこと以外は、実施例７
と同様にして比較例の記録媒体を得た。
較例１のフタロシアニンを用いたこと以外は、実施例７
と同様にして比較例の記録媒体を得た。
【００４２】比較例３
実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに下
記一般式（VI）の化合物を用いたこと以外は、実施例７
と同様にして比較例の記録媒体を得た。
記一般式（VI）の化合物を用いたこと以外は、実施例７
と同様にして比較例の記録媒体を得た。
【化１５】
【００４３】比較例４
実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに、
上記式（VI）の化合物に対して下記式（VII）のニッケ
ル錯体化合物を１０ｗｔ％添加したものを用いたこと以
外は、実施例７と同様にして比較例の記録媒体を得た。
上記式（VI）の化合物に対して下記式（VII）のニッケ
ル錯体化合物を１０ｗｔ％添加したものを用いたこと以
外は、実施例７と同様にして比較例の記録媒体を得た。
【化１６】
【００４４】実施例８〜実施例１２及び比較例２〜４の
記録媒体を用い波長７９０ｎｍ、線速１．４ｍ／ｓｅｃ
の記録条件でＥＦＭ信号を記録し、記録前及びタングス
テン光照射後の反射率及びＣ1エラー数を測定した。そ
の結果を表４に示す。
記録媒体を用い波長７９０ｎｍ、線速１．４ｍ／ｓｅｃ
の記録条件でＥＦＭ信号を記録し、記録前及びタングス
テン光照射後の反射率及びＣ1エラー数を測定した。そ
の結果を表４に示す。
【００４５】
【表４】
【００４６】製造例１
下記式（VIII)で示されるフタロニトリル１０ｇを、３
２ｇのヘキサノールに加熱溶解し、次いでジアザビシク
ロノネン４ｇを加え、更に塩化ニッケル１．８ｇを加
え、Ａｒ雰囲気下１２０〜１３０℃で２４時間攪拌し
た。反応物が室温になるまで冷却し、不溶解分を濾取
し、濾液のヘキサノールを可能な限り乾燥し、トルエン
／シリカゲルカラムにて、下記式（１Ａ）（１Ｂ）（１
Ｃ）及び（１Ｄ）で示される（１Ａ）／（１Ｂ）／（１
Ｃ）／（１Ｄ）＝３０／４８／２２／０の混合物５．６
ｇ（収率５２．６％）を得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、７００ｎｍであった。
２ｇのヘキサノールに加熱溶解し、次いでジアザビシク
ロノネン４ｇを加え、更に塩化ニッケル１．８ｇを加
え、Ａｒ雰囲気下１２０〜１３０℃で２４時間攪拌し
た。反応物が室温になるまで冷却し、不溶解分を濾取
し、濾液のヘキサノールを可能な限り乾燥し、トルエン
／シリカゲルカラムにて、下記式（１Ａ）（１Ｂ）（１
Ｃ）及び（１Ｄ）で示される（１Ａ）／（１Ｂ）／（１
Ｃ）／（１Ｄ）＝３０／４８／２２／０の混合物５．６
ｇ（収率５２．６％）を得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、７００ｎｍであった。
【００４７】
【化１７】
【００４８】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【００４９】製造例２
下記式（IX）で示されるフタロニトリル１０ｇを、３０
ｇのブタノールに加熱溶解し、次いでジアザビシクロウ
ンデセン４．１ｇを加え、更に塩化銅１．７ｇを加え、
Ａｒ雰囲気下３６時間加熱環流した。反応物が室温にな
るまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液のブタノールを留
去し、トルエン／シリカゲルカラムにて、下記式（２
Ａ）（２Ｂ）（２Ｃ）及び（２Ｄ）で示される（２Ａ）
／（２Ｂ）／（２Ｃ）／（２Ｄ）＝３８／４２／１５／
５の混合物６．８ｇ（収率６３．６％）を得た。なお、
この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、６８２ｎｍ
であった。
ｇのブタノールに加熱溶解し、次いでジアザビシクロウ
ンデセン４．１ｇを加え、更に塩化銅１．７ｇを加え、
Ａｒ雰囲気下３６時間加熱環流した。反応物が室温にな
るまで冷却し、不溶分を濾取し、濾液のブタノールを留
去し、トルエン／シリカゲルカラムにて、下記式（２
Ａ）（２Ｂ）（２Ｃ）及び（２Ｄ）で示される（２Ａ）
／（２Ｂ）／（２Ｃ）／（２Ｄ）＝３８／４２／１５／
５の混合物６．８ｇ（収率６３．６％）を得た。なお、
この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、６８２ｎｍ
であった。
【００５０】
【化２２】
【００５１】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【００５２】製造例３
下記式（Ｘ）で示されるジイミノイソインドリン１０ｇ
を、３０ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、塩化
パラジウム２ｇを加え、Ａｒ雰囲気下加熱環流し、２８
時間攪拌した。反応物が室温になるまで冷却し、不溶分
を濾取し、濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン
／シリカゲルカラムにて、下記式（３Ａ）（３Ｂ）（３
Ｃ）及び（３Ｄ）で示される（３Ａ）／（３Ｂ）／（３
Ｃ）／（３Ｄ）＝４０／４０／２０／０の混合物６．２
ｇ（収率５９．７％）を得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、６９３ｎｍであった。
を、３０ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、塩化
パラジウム２ｇを加え、Ａｒ雰囲気下加熱環流し、２８
時間攪拌した。反応物が室温になるまで冷却し、不溶分
を濾取し、濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン
／シリカゲルカラムにて、下記式（３Ａ）（３Ｂ）（３
Ｃ）及び（３Ｄ）で示される（３Ａ）／（３Ｂ）／（３
Ｃ）／（３Ｄ）＝４０／４０／２０／０の混合物６．２
ｇ（収率５９．７％）を得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、６９３ｎｍであった。
【００５３】
【化２７】
【００５４】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
【００５５】製造例４
下記式（XI）で示されるフタロニトリル１０ｇを、２５
ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、ジアザビシク
ロウンデセン４．５ｇを加え、次いで塩化パラジウム
２．３ｇを加え、Ａｒ雰囲気下１２０〜１２５℃で３２
時間攪拌し、反応物が室温になるまで冷却し、不溶分を
濾取し、濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン／
シリカゲルカラムにて、下記式（４Ａ）（４Ｂ）（４
Ｃ）及び（４Ｄ）で示される（４Ａ）／（４Ｂ）／（４
Ｃ）／（４Ｄ）＝１０／８０／１０／０の混合物を４．
８ｇ（収率４３．３％）得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、６９９ｎｍであった。
ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、ジアザビシク
ロウンデセン４．５ｇを加え、次いで塩化パラジウム
２．３ｇを加え、Ａｒ雰囲気下１２０〜１２５℃で３２
時間攪拌し、反応物が室温になるまで冷却し、不溶分を
濾取し、濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン／
シリカゲルカラムにて、下記式（４Ａ）（４Ｂ）（４
Ｃ）及び（４Ｄ）で示される（４Ａ）／（４Ｂ）／（４
Ｃ）／（４Ｄ）＝１０／８０／１０／０の混合物を４．
８ｇ（収率４３．３％）得た。なお、この混合物のクロ
ロホルム中のλｍａｘは、６９９ｎｍであった。
【００５６】
【化３２】
【００５７】
【化３３】
【化３４】
【化３５】
【化３６】
【００５８】製造例５
下記式（XII)で示されるフタロニトリル１０ｇを、４０
ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、ジアザビシク
ロウンデセン４ｇを加え、次いで塩化パラジウム２ｇを
加え、Ａｒ雰囲気下１１５〜１３０℃で２７時間攪拌
し、反応物が室温になるまで冷却し、不溶分を濾取し、
濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン／クロロホ
ルム＝１／１（容量比）／シリカゲルカラムにて、下記
式（５Ａ）（５Ｂ）（５Ｃ）及び（５Ｄ）で示される
（５Ａ）／（５Ｂ）／（５Ｃ）／（５Ｄ）＝２０／８０
／０／０の混合物を５．８ｇ（収率５２．６％）得た。
なお、この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、６９
１ｎｍであった。
ｇのｎ−アミルアルコールに加熱溶解し、ジアザビシク
ロウンデセン４ｇを加え、次いで塩化パラジウム２ｇを
加え、Ａｒ雰囲気下１１５〜１３０℃で２７時間攪拌
し、反応物が室温になるまで冷却し、不溶分を濾取し、
濾液のアミルアルコールを乾燥し、トルエン／クロロホ
ルム＝１／１（容量比）／シリカゲルカラムにて、下記
式（５Ａ）（５Ｂ）（５Ｃ）及び（５Ｄ）で示される
（５Ａ）／（５Ｂ）／（５Ｃ）／（５Ｄ）＝２０／８０
／０／０の混合物を５．８ｇ（収率５２．６％）得た。
なお、この混合物のクロロホルム中のλｍａｘは、６９
１ｎｍであった。
【００５９】
【化３７】
【００６０】
【化３８】
【化３９】
【化４０】
【化４１】
【００６１】製造例６
製造例３で得られたフタロシアニン混合物を、ジクロロ
メタンと水の混合溶媒に加熱溶解し、臭素を添加するこ
とによって、下記式（６Ａ）（６Ｂ）（６Ｃ）及び（６
Ｄ）で示される（６Ａ）／（６Ｂ）／（６Ｃ）／（６
Ｄ）＝４０／４０／２０／０の混合物を得た。そのクロ
ロホルム中のλｍａｘは、７０７ｎｍと長波長化した。
なお、実施例７、８、１０及び１１で得られたフタロシ
アニン混合物もハロゲン化が可能である。
メタンと水の混合溶媒に加熱溶解し、臭素を添加するこ
とによって、下記式（６Ａ）（６Ｂ）（６Ｃ）及び（６
Ｄ）で示される（６Ａ）／（６Ｂ）／（６Ｃ）／（６
Ｄ）＝４０／４０／２０／０の混合物を得た。そのクロ
ロホルム中のλｍａｘは、７０７ｎｍと長波長化した。
なお、実施例７、８、１０及び１１で得られたフタロシ
アニン混合物もハロゲン化が可能である。
【００６２】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【００６３】実施例１３
厚さ１．２ｍｍのポリメチルメタアクリレート板上にフ
ォトポリマーにて、深さ１０００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、前記式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物の１，２−ジ
クロロエタン溶液をスピナー塗布し、厚さ１０００Åの
記録層を設けて追記型の記録媒体とした。
ォトポリマーにて、深さ１０００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、前記式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物の１，２−ジ
クロロエタン溶液をスピナー塗布し、厚さ１０００Åの
記録層を設けて追記型の記録媒体とした。
【００６４】実施例１４〜１７
実施例１３において、式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物の
代わりに、それぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．２５、Ｎ
ｏ．２８、Ｎｏ．２９、Ｎｏ．３６を用いたこと以外
は、実施例１３と同様にして実施例１４〜１７の記録媒
体を得た。
代わりに、それぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．２５、Ｎ
ｏ．２８、Ｎｏ．２９、Ｎｏ．３６を用いたこと以外
は、実施例１３と同様にして実施例１４〜１７の記録媒
体を得た。
【００６５】比較例５
実施例１３において、前記式(６Ａ)〜(６Ｄ)の混合物の
代わりに下記式（XIII）で示されるフタロシアニン化合
物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして比較例
の記録媒体を得た。
代わりに下記式（XIII）で示されるフタロシアニン化合
物を用いたこと以外は、実施例１３と同様にして比較例
の記録媒体を得た。
【化４６】
【００６６】前記の実施例１３〜１７及び比較例５の記
録媒体を用い、下記の記録条件で基板を介して記録し、
その後記録位置を連続レーザー光で再生し、下記の条件
でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定した。その結果
を表５に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングフィルター ３０ＫＨｚ バンド幅 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ
録媒体を用い、下記の記録条件で基板を介して記録し、
その後記録位置を連続レーザー光で再生し、下記の条件
でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定した。その結果
を表５に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングフィルター ３０ＫＨｚ バンド幅 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ
【００６７】
【表５】
【００６８】実施例１８
厚さ１．２ｍｍ、溝深さ１０００Å、半値幅０．４５μ
ｍ、トラックピッチ１．６μｍの案内溝を有する厚さ
１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、前記
式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物をエチルセルソルブ／Ｔ
ＨＦの混合溶液に溶解し、それをスピナー塗布し、厚さ
１８００Åの記録層を設け、更にその上にＡｕを１１０
０Åの厚みで真空蒸着して反射層とし、更にその上にア
クリレート系フォトポリマーをスピンナー塗布して厚さ
約６μｍの保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とし
た。
ｍ、トラックピッチ１．６μｍの案内溝を有する厚さ
１．２ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、前記
式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物をエチルセルソルブ／Ｔ
ＨＦの混合溶液に溶解し、それをスピナー塗布し、厚さ
１８００Åの記録層を設け、更にその上にＡｕを１１０
０Åの厚みで真空蒸着して反射層とし、更にその上にア
クリレート系フォトポリマーをスピンナー塗布して厚さ
約６μｍの保護層を形成し、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とし
た。
【００６９】実施例１９〜２２
実施例１８において、式（６Ａ）〜（６Ｄ）の混合物の
代わりにそれぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．２５、Ｎｏ．
２６、Ｎｏ．３６、Ｎｏ．３８を用いたこと以外は、実
施例１８と同様にして実施例１９〜２２の記録媒体を得
た。
代わりにそれぞれ前記表２の化合物Ｎｏ．２５、Ｎｏ．
２６、Ｎｏ．３６、Ｎｏ．３８を用いたこと以外は、実
施例１８と同様にして実施例１９〜２２の記録媒体を得
た。
【００７０】比較例６
実施例１８において、式(６Ａ)〜(６Ｄ)の混合物の代わ
りに下記式(XIVa)、（XIVb）に示される臭素化アルコキ
シフタロシアニン異性体２／８の混合物を用いたこと以
外は、実施例１８と同様にして比較例の記録媒体を得
た。
りに下記式(XIVa)、（XIVb）に示される臭素化アルコキ
シフタロシアニン異性体２／８の混合物を用いたこと以
外は、実施例１８と同様にして比較例の記録媒体を得
た。
【化４７】
【化４８】
【００７１】比較例７
実施例１８において、式(６Ａ)〜(６Ｄ)の混合物の代わ
りに下記式(XIVc)、（XIVd）に示される臭素化アルコキ
シフタロシアニン異性体２／８の混合物を用いた以外
は、同様にして比較例の記録媒体を得た。
りに下記式(XIVc)、（XIVd）に示される臭素化アルコキ
シフタロシアニン異性体２／８の混合物を用いた以外
は、同様にして比較例の記録媒体を得た。
【化４９】
【化５０】
【００７２】実施例１８〜２２及び比較例６〜７の記録
媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速１．４
ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、最適記録
パワーＰｏと最適記録パワー×０．８２でのＣ1エラー
を測定し、更にＰｏでの７万５千Ｌｕｘ光、７００時間
後のＣ1エラー数を測定した。その結果を表６に示す。
媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速１．４
ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、最適記録
パワーＰｏと最適記録パワー×０．８２でのＣ1エラー
を測定し、更にＰｏでの７万５千Ｌｕｘ光、７００時間
後のＣ1エラー数を測定した。その結果を表６に示す。
【００７３】
【表６】
【００７４】
１）波長６３０〜７００ｎｍに高い光吸収と光反射性を
有しているため、高密度記録が可能な６３０〜７００ｎ
ｍのレーザーを用いたピックアップに適応できる記録媒
体であって、現状の７８０〜８１０ｎｍ対応の記録媒体
に比べ記録密度で１．６〜１．７倍の高密度化が達成可
能となった。 ２）波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有し、且つ
高い安定性を有するために、高反射率で保存安定性及び
再生安定性に優れたＣＤ−Ｒ用記録媒体が提供可能とな
った。
有しているため、高密度記録が可能な６３０〜７００ｎ
ｍのレーザーを用いたピックアップに適応できる記録媒
体であって、現状の７８０〜８１０ｎｍ対応の記録媒体
に比べ記録密度で１．６〜１．７倍の高密度化が達成可
能となった。 ２）波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折率を有し、且つ
高い安定性を有するために、高反射率で保存安定性及び
再生安定性に優れたＣＤ−Ｒ用記録媒体が提供可能とな
った。
【図１】本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の記録媒体に適用し得る他のタイプの層
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
１ 基板
２ 記録層（有機色素層）
３ 下引き層
４ 保護層
５ 金属反射層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭64−54069（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−13384（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−176585（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−71888（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−89240（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−90291（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41M 5/26
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
層を設け、さらに必要に応じてその上に保護層を設けて
なる光情報記録媒体において、前記記録層中に下記一般
式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物を含有させた
ことを特徴とする光情報記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ4及びｋ〜ｎは、それぞれ以下のも
のを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p 若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)q を有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ4：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ｋ、ｌ、ｍ、ｎ：それぞれ独立に０〜４の整数、但し全
部が同時に０になることはなく、ｋ、ｌ、ｍ、ｎが３以
下の場合ベンゼン環の他の置換基は水素原子又はハロゲ
ン原子である。〕 - 【請求項２】 前記フタロシアニン化合物が下記の一般
式（IIa)〜(IId）で示される４種のうち、１種又は２種
以上の混合物からなることを特徴とする請求項１記載の
光情報記録媒体。 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 〔式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕 - 【請求項３】 前記フタロシアニン化合物が下記の一般
式（IIIa)〜(IIId）で示される４種のうち、１種又は２
種以上の混合物からなることを特徴とする請求項１記載
の光情報記録媒体。 【化６】 【化７】 【化８】 【化９】 〔式中、Ｍ及びＸ1〜Ｘ16はそれぞれ以下のものを表わ
す。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。〕 - 【請求項４】 前記フタロシアニン化合物が下記の一般
式（IVa)〜(IVd）で示される４種のうち、１種又は２種
以上の混合物からなることを特徴とする請求項１記載の
光情報記録媒体。 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 〔式中、Ｍ、Ｘ1〜Ｘ16、Ｙ及びｎ１〜ｎ４は、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい金属原子、又は−(ＯＲ5)p若しくは−(Ｏ
ＳｉＲ6Ｒ7Ｒ8)qを有してもよい金属原子、 Ｒ5〜Ｒ8：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 ｐ、ｑ：０〜２の整数、 Ｘ1〜Ｘ16：それぞれ独立に−ＯＲ1ＳｉＲ2Ｒ3Ｒ4基、 Ｒ1：それぞれ独立に置換若しくは未置換の脂肪族炭化
水素基、エーテル結合を有する置換若しくは未置換の脂
肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素
基、又は置換若しくは未置換の芳香族複素環基、 Ｒ2〜Ｒ4：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置
換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭
化水素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は
−ＯＲ9基、 Ｒ9：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水素
基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル
基、 ベンゼン環についているＸ1〜Ｘ16以外の原子：水素原
子はハロゲン原子。 Ｙ：ハロゲン原子、 ｎ１〜ｎ４：それぞれ独立にハロゲン置換数を表わし、
１〜４の整数。〕 - 【請求項５】 前記記録層と保護層との間に金属反射層
を設けてなり、ＣＤフォーマット信号の記録を行なう追
記コンパクトディスク型の記録媒体であることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒
体。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12840394A JP3500474B2 (ja) | 1993-09-09 | 1994-05-18 | 光情報記録媒体 |
| DE69415652T DE69415652T2 (de) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optisches informationsaufzeichnungsmedium, und ein darin enthaltendes nahes infrarotabsorbierendes material |
| ES94926383T ES2126146T3 (es) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Medio de grabacion optica de informacion y material absorbente en el infrarrojo proximo utilizado en el mismo. |
| US08/433,454 US5677025A (en) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optical information recording medium near infrared absorbing material therefor |
| PCT/JP1994/001500 WO1995007189A1 (fr) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Support d'enregistrement optique des donnees et produit absorbant les rayons proches de l'infrarouge |
| EP94926383A EP0676299B1 (en) | 1993-09-09 | 1994-09-09 | Optical information recording medium and near-infrared absorbing material used therein |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-248796 | 1993-09-09 | ||
| JP24879693 | 1993-09-09 | ||
| JP12840394A JP3500474B2 (ja) | 1993-09-09 | 1994-05-18 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07125441A JPH07125441A (ja) | 1995-05-16 |
| JP3500474B2 true JP3500474B2 (ja) | 2004-02-23 |
Family
ID=26464080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12840394A Expired - Fee Related JP3500474B2 (ja) | 1993-09-09 | 1994-05-18 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3500474B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6162520A (en) * | 1997-09-17 | 2000-12-19 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical recording medium and dipyrromethene metal chelate compound for use therein |
-
1994
- 1994-05-18 JP JP12840394A patent/JP3500474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07125441A (ja) | 1995-05-16 |
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