JPH08282107A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH08282107A JPH08282107A JP7110201A JP11020195A JPH08282107A JP H08282107 A JPH08282107 A JP H08282107A JP 7110201 A JP7110201 A JP 7110201A JP 11020195 A JP11020195 A JP 11020195A JP H08282107 A JPH08282107 A JP H08282107A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dye
- layer
- recording medium
- optical recording
- absorption wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 現状システムで記録再生が可能であるととも
に、次世代システムにおいても再生のみは可能な追記型
（ＣＤ−Ｒ）光記録媒体を得る。 【構成】 基板上に直接または下引き層を介して記録
層、金属反射層および保護層を設けた光記録媒体におい
て、前記記録層を６９０ないし７３０ｎｍに最大吸収波
長を有する色素（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収
波長を有し、かつ、６９０ｎｍ以上に吸収波長を有しな
い色素（Ｂ）を主成分として構成する。色素（Ａ）がペ
ンタメチンのシアニン色素、色素（Ｂ）がトリメチンの
シアニン色素などであることが好ましい。
に、次世代システムにおいても再生のみは可能な追記型
（ＣＤ−Ｒ）光記録媒体を得る。 【構成】 基板上に直接または下引き層を介して記録
層、金属反射層および保護層を設けた光記録媒体におい
て、前記記録層を６９０ないし７３０ｎｍに最大吸収波
長を有する色素（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収
波長を有し、かつ、６９０ｎｍ以上に吸収波長を有しな
い色素（Ｂ）を主成分として構成する。色素（Ａ）がペ
ンタメチンのシアニン色素、色素（Ｂ）がトリメチンの
シアニン色素などであることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、追記型コンパクトディ
スク（ＣＤ−Ｒ）、また、光カード、レーザディスク、
ＣＤ−Ｖ、ＣＤ−Ｉなどにも応用可能な光記録媒体に関
する。
スク（ＣＤ−Ｒ）、また、光カード、レーザディスク、
ＣＤ−Ｖ、ＣＤ−Ｉなどにも応用可能な光記録媒体に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクなど光記録における現在のシ
ステムは、使用レーザの波長が７７０〜７９０ｎｍの範
囲にあり、ＣＤ−Ｒも上記波長範囲で記録再生が可能な
ように構成されている。
ステムは、使用レーザの波長が７７０〜７９０ｎｍの範
囲にあり、ＣＤ−Ｒも上記波長範囲で記録再生が可能な
ように構成されている。
【０００３】
【課題が解決しようとする課題】しかしながら、今後の
記録容量の大容量化に伴い、使用レーザが短波長化され
ることは必至である。この点、ＣＤ−ＲＯＭは基板自体
の凹凸上にアルミニウムをコーティングしたものであ
り、アルミニウムは短波長域でも反射率が高い。従っ
て、使用レーザが短波長化されても、現状のＣＤ−ＲＯ
Ｍを再生することは可能である。一方、ＣＤ−Ｒは記録
層に６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長をもつ色素を用
いており、その光学定数および膜厚構成から７７０〜７
９０ｎｍに高い反射率を持つように設定されている。そ
のため、このままではレーザの短波長化に対応できな
い。因みに波長７７０〜７９０ｎｍで反射率は７７％、
６００〜６５０ｎｍでは１５％に満たない。そうする
と、現在、ＣＤ−Ｒで記録、再生している情報が将来シ
ステムでは読むことができない事態となる。
記録容量の大容量化に伴い、使用レーザが短波長化され
ることは必至である。この点、ＣＤ−ＲＯＭは基板自体
の凹凸上にアルミニウムをコーティングしたものであ
り、アルミニウムは短波長域でも反射率が高い。従っ
て、使用レーザが短波長化されても、現状のＣＤ−ＲＯ
Ｍを再生することは可能である。一方、ＣＤ−Ｒは記録
層に６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長をもつ色素を用
いており、その光学定数および膜厚構成から７７０〜７
９０ｎｍに高い反射率を持つように設定されている。そ
のため、このままではレーザの短波長化に対応できな
い。因みに波長７７０〜７９０ｎｍで反射率は７７％、
６００〜６５０ｎｍでは１５％に満たない。そうする
と、現在、ＣＤ−Ｒで記録、再生している情報が将来シ
ステムでは読むことができない事態となる。
【０００４】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、現状システムで記録再生が可能であるととも
に、次世代システムにおいても再生のみは可能なＣＤ−
Ｒ記録媒体を得ることを目的とする。
もので、現状システムで記録再生が可能であるととも
に、次世代システムにおいても再生のみは可能なＣＤ−
Ｒ記録媒体を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、基板上に直接または下引き層を介して記録層、金属
反射層および保護層を設けたＣＤ−Ｒ記録媒体におい
て、記録層が６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長を有す
る色素（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収波長を有
し、かつ６９０ｎｍ以上に吸収波長を有しない色素
（Ｂ）を主成分として構成されていることを特徴とする
光記録媒体が提供される。第二に、上記第一に記載した
光記録媒体において、記録層が色素（Ａ）と色素（Ｂ）
の混合層であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第三に、上記第一に記載した光記録媒体において、
記録層が色素（Ａ）を含有する層と色素（Ｂ）を含有す
る層を積層させた層であることを特徴とする光記録媒体
が提供される。第四に、上記第一、第二または第三に記
載した光記録媒体において、金属反射層がＡｕまたはＡ
ｌであることを特徴とする請求項１、２または３記載の
光記録媒体が提供される。第五に、上記第一、第二、第
三または第四に記載した光記録媒体において、色素
（Ａ）がペンタメチンのシアニン色素または下記一般式
（II−１）もしくは一般式（II−２）で示されるフタロ
シアニン色素であることを特徴とする光記録媒体が提供
される。
に、基板上に直接または下引き層を介して記録層、金属
反射層および保護層を設けたＣＤ−Ｒ記録媒体におい
て、記録層が６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長を有す
る色素（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収波長を有
し、かつ６９０ｎｍ以上に吸収波長を有しない色素
（Ｂ）を主成分として構成されていることを特徴とする
光記録媒体が提供される。第二に、上記第一に記載した
光記録媒体において、記録層が色素（Ａ）と色素（Ｂ）
の混合層であることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第三に、上記第一に記載した光記録媒体において、
記録層が色素（Ａ）を含有する層と色素（Ｂ）を含有す
る層を積層させた層であることを特徴とする光記録媒体
が提供される。第四に、上記第一、第二または第三に記
載した光記録媒体において、金属反射層がＡｕまたはＡ
ｌであることを特徴とする請求項１、２または３記載の
光記録媒体が提供される。第五に、上記第一、第二、第
三または第四に記載した光記録媒体において、色素
（Ａ）がペンタメチンのシアニン色素または下記一般式
（II−１）もしくは一般式（II−２）で示されるフタロ
シアニン色素であることを特徴とする光記録媒体が提供
される。
【化１】 式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＺｎまたはＭｎを、Ｘ1
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位の−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位の−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。
【化２】 式中、Ｍ2は、ＳｉまたはＧｅを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ
独立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで
置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐また
は脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は
−ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または
−ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を表し、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独
立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表
す。第六に、上記第一、第二、第三または第四に記載し
た光記録媒体において、色素（Ｂ）が分解温度３５０℃
以下のトリメチンのシアニン色素またはテトラピリジノ
ポルフィラジン誘導体であることを特徴とする光記録媒
体が提供される。
独立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで
置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐また
は脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は
−ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または
−ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を表し、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独
立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表
す。第六に、上記第一、第二、第三または第四に記載し
た光記録媒体において、色素（Ｂ）が分解温度３５０℃
以下のトリメチンのシアニン色素またはテトラピリジノ
ポルフィラジン誘導体であることを特徴とする光記録媒
体が提供される。
【０００６】以下に本発明を詳細に説明する。本発明
は、現状ＣＤ−Ｒ記録媒体として使用されている色素
（Ａ）、すなわち、６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長
をもち、かつ、７７０〜７９０ｎｍに高い屈折率を有す
る色素に、次世代システムで使用されるレーザ波長域に
高い屈折率（高い反射率が得られる）を有し、かつ、上
記色素（Ａ）の記録再生特性を損なわないために、６９
０ｎｍ以上に吸収能を持たない色素（Ｂ）を用い、両色
素を１層に混合して含有させるか、あるいは、各色素を
含有する層を積層することにより上述した本発明の目的
を達成できる記録媒体となることを見い出したものであ
る。
は、現状ＣＤ−Ｒ記録媒体として使用されている色素
（Ａ）、すなわち、６９０〜７３０ｎｍに最大吸収波長
をもち、かつ、７７０〜７９０ｎｍに高い屈折率を有す
る色素に、次世代システムで使用されるレーザ波長域に
高い屈折率（高い反射率が得られる）を有し、かつ、上
記色素（Ａ）の記録再生特性を損なわないために、６９
０ｎｍ以上に吸収能を持たない色素（Ｂ）を用い、両色
素を１層に混合して含有させるか、あるいは、各色素を
含有する層を積層することにより上述した本発明の目的
を達成できる記録媒体となることを見い出したものであ
る。
【０００７】高い屈折率を得る色素としては、金属光沢
を示す色素がある。このような色素の必要特性として
は、次世代システムの使用レーザ波長が６３０〜６８０
ｎｍであること、および色素の屈折率は長波長域の吸収
端で最大となることから、最大吸収波長としては６００
〜６５０ｎｍであること、また、現行システムに記録再
生時に光学特性上悪影響を与えたくないことから、色素
（Ａ）の吸収帯である６９０ｎｍ以上に吸収能を持たな
いこと、色素（Ａ）による記録時に色素（Ｂ）も同様に
分解させることが必要なことから低分解温度であること
（分解温度が３５０℃以下）である。
を示す色素がある。このような色素の必要特性として
は、次世代システムの使用レーザ波長が６３０〜６８０
ｎｍであること、および色素の屈折率は長波長域の吸収
端で最大となることから、最大吸収波長としては６００
〜６５０ｎｍであること、また、現行システムに記録再
生時に光学特性上悪影響を与えたくないことから、色素
（Ａ）の吸収帯である６９０ｎｍ以上に吸収能を持たな
いこと、色素（Ａ）による記録時に色素（Ｂ）も同様に
分解させることが必要なことから低分解温度であること
（分解温度が３５０℃以下）である。
【０００８】記録層の構成としては、色素（Ａ）と色素
（Ｂ）を１層に混合して形成することも、また、各色素
を別層にそれぞれ含有させ積層することも可能である。
前者は、両色素の混合液を一度塗布するだけで得られる
ため、生産性、コスト面で優れる。また、後者は積層構
造で多重反射を利用することにより、高反射率とするこ
とが可能である。
（Ｂ）を１層に混合して形成することも、また、各色素
を別層にそれぞれ含有させ積層することも可能である。
前者は、両色素の混合液を一度塗布するだけで得られる
ため、生産性、コスト面で優れる。また、後者は積層構
造で多重反射を利用することにより、高反射率とするこ
とが可能である。
【０００９】まず、記録媒体の構成について述べる。図
１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す図
で、基板１の上に記録層２を設け、その上に金属反射層
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。図
２は、本発明の記録媒体に適用し得る別のタイプの層構
成例を示す図で、図１の構成の基板１と記録層２の間に
下引き層５が設けられている。また、図３は本発明の記
録媒体に適用し得る別のタイプの層構成を示す図で、図
１の構成において、記録層が色素（Ａ）を含有する記録
層２−１と色素（Ｂ）を含有する記録層２−２の積層構
成となっている。
１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す図
で、基板１の上に記録層２を設け、その上に金属反射層
を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。図
２は、本発明の記録媒体に適用し得る別のタイプの層構
成例を示す図で、図１の構成の基板１と記録層２の間に
下引き層５が設けられている。また、図３は本発明の記
録媒体に適用し得る別のタイプの層構成を示す図で、図
１の構成において、記録層が色素（Ａ）を含有する記録
層２−１と色素（Ｂ）を含有する記録層２−２の積層構
成となっている。
【００１０】次に、各層の必要特性と構成材料について
述べる。 〈基板〉基板の必要特性としては、基板側より記録再生
を行なう場合のみ使用レーザ光に対して透明でなければ
ならず、記録層側から行なう場合は透明である必要はな
い。基板材料としては例えば、ポリエステル、アクリル
樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド
などのプラスチック、ガラス、セラミックスあるいは金
属などを用いることができる。なお、基板の表面にトラ
ッキング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号
などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
述べる。 〈基板〉基板の必要特性としては、基板側より記録再生
を行なう場合のみ使用レーザ光に対して透明でなければ
ならず、記録層側から行なう場合は透明である必要はな
い。基板材料としては例えば、ポリエステル、アクリル
樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド
などのプラスチック、ガラス、セラミックスあるいは金
属などを用いることができる。なお、基板の表面にトラ
ッキング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号
などのプレフォーマットが形成されていてもよい。
【００１１】〈下引き層〉下引き層は、（ａ）接着性の
向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（ｃ）記録
層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶
剤からの基盤の保護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレ
フォーマットの形成などを目的として使用される。
（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えば、アイオノ
マー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、
天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどのいろいろの高
分子物質およびシランカップリング剤などを用いること
ができ、（ｂ）および（ｃ）の目的に対しては上記高分
子材料以外に無機化合物、例えば、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、
ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなど、金属
または半金属、例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができ
る。また、（ｄ）の目的に対しては、金属、例えば、Ａ
ｌ、Ａｇ等や金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチ
ン染料、キサンテン染料等を用いることができ、（ｅ）
および（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き
層の膜厚は、０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５
〜１０μｍが適当である。
向上、（ｂ）水またはガスなどのバリヤー、（ｃ）記録
層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶
剤からの基盤の保護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレ
フォーマットの形成などを目的として使用される。
（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えば、アイオノ
マー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、
天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどのいろいろの高
分子物質およびシランカップリング剤などを用いること
ができ、（ｂ）および（ｃ）の目的に対しては上記高分
子材料以外に無機化合物、例えば、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、
ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮなど、金属
または半金属、例えば、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇ
ｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどを用いることができ
る。また、（ｄ）の目的に対しては、金属、例えば、Ａ
ｌ、Ａｇ等や金属光沢を有する有機薄膜、例えば、メチ
ン染料、キサンテン染料等を用いることができ、（ｅ）
および（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。下引き
層の膜厚は、０．０１〜３０μｍ、好ましくは０．０５
〜１０μｍが適当である。
【００１２】〈記録層〉６９０〜７３０ｎｍに最大吸収
波長をもち、７７０〜７９０ｎｍに屈折率を有する色素
（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収波長をもち、６
３０〜６８０ｎｍに高い屈折率を有する色素（Ｂ）の混
合層または両色素をそれぞれ含有する層の積層構成によ
り構成される。有機系の材料としては、ポリメチン色
素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリ
リウム系、コロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
染料および金属錯体化合物などが挙げられ、上記染料を
単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせにしても
よい。また、上記染料中に金属、金属化合物、例えば、
Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａ
ｓ、Ｃｄなどを分散混合、あるいは積層の形態で用いる
こともできる。さらに、上記染料中に高分子材料、例え
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材
料もしくはシランカップリング剤を分散混合して用いて
もよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば、
遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
界面活性剤、可塑剤などと一緒に用いることができる。
波長をもち、７７０〜７９０ｎｍに屈折率を有する色素
（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収波長をもち、６
３０〜６８０ｎｍに高い屈折率を有する色素（Ｂ）の混
合層または両色素をそれぞれ含有する層の積層構成によ
り構成される。有機系の材料としては、ポリメチン色
素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリ
リウム系、コロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
染料および金属錯体化合物などが挙げられ、上記染料を
単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせにしても
よい。また、上記染料中に金属、金属化合物、例えば、
Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ2、ＳｎＯ、Ａ
ｓ、Ｃｄなどを分散混合、あるいは積層の形態で用いる
こともできる。さらに、上記染料中に高分子材料、例え
ば、アイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹
脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材
料もしくはシランカップリング剤を分散混合して用いて
もよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば、
遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、
界面活性剤、可塑剤などと一緒に用いることができる。
【００１３】色素（Ａ）の好ましい例としては、下記一
般式（Ｉ）で示されるペンタメチンのシアニン色素、あ
るいは一般式（II−１）もしくは（II−２）で示される
立体的な置換基を導入し分子間の会合が阻止される構造
のフタロシアニン色素が挙げられる。
般式（Ｉ）で示されるペンタメチンのシアニン色素、あ
るいは一般式（II−１）もしくは（II−２）で示される
立体的な置換基を導入し分子間の会合が阻止される構造
のフタロシアニン色素が挙げられる。
【化３】 式中、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ3、Ｒ4
は炭素数１〜６の置換または未置換のアルキル基、Ｒ5
は炭素数１〜３のアルキル基又はフェニル基、Ｘは酸ア
ニオンを表す。なお、芳香族環は他の芳香族環と縮合さ
れていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン原子、ア
ルコキシ基またはアシル基で置換されていてもよい。
は炭素数１〜６の置換または未置換のアルキル基、Ｒ5
は炭素数１〜３のアルキル基又はフェニル基、Ｘは酸ア
ニオンを表す。なお、芳香族環は他の芳香族環と縮合さ
れていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン原子、ア
ルコキシ基またはアシル基で置換されていてもよい。
【化１】 式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＺｎまたはＭｎを、Ｘ1
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位の−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位の−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。
【化２】 式中、Ｍ2は、ＳｉまたはＧｅを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ
独立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで
置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐また
は脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は
−ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または
−ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を表し、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独
立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表
す。
独立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで
置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐また
は脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は
−ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または
−ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を表し、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独
立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表
す。
【００１４】色素（Ｂ）の好ましい例としては、下記一
般式（III）で示されるトリメチンのシアニン色素、あ
るいは（IV−１）もしくは（IV−２）で示されるテトラ
ピリジノポルフィラジン誘導体が挙げられる。
般式（III）で示されるトリメチンのシアニン色素、あ
るいは（IV−１）もしくは（IV−２）で示されるテトラ
ピリジノポルフィラジン誘導体が挙げられる。
【化４】 式中、Ｒ3、Ｒ4は炭素数１〜６の置換または未置換のア
ルキル基を表し、Ｚ1、Ｚ2は５または６員環のヘテロ環
を形成する群で、具体的には
ルキル基を表し、Ｚ1、Ｚ2は５または６員環のヘテロ環
を形成する群で、具体的には
【化５】 を表し、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜３のアルキル基を表し、
Ｘは酸アニオンを表す。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基またはアシル基で置換されていても
よい。
Ｘは酸アニオンを表す。なお、芳香族環は他の芳香族環
と縮合されていてもよく、また、アルキル基、ハロゲン
原子、アルコキシ基またはアシル基で置換されていても
よい。
【化５】 式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＺｎまたはＭｎを、Ｘ1
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位に−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。また、Ｚ1はＮ、Ｚ2はＣまた
はＮを表す。
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位に−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。また、Ｚ1はＮ、Ｚ2はＣまた
はＮを表す。
【化６】 式中、Ｍ2はＳｉまたはＧｅを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ独
立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置
換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐または
脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は−
ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または−
ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に炭
素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表す。ま
た、Ｚ1はＮ、Ｚ2はＣまたはＮを表す。
立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置
換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐または
脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は−
ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または−
ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独立に炭
素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表す。ま
た、Ｚ1はＮ、Ｚ2はＣまたはＮを表す。
【００１５】上記色素（Ａ）と色素（Ｂ）の混合層を形
成する場合の重量組成比（Ａ）／（Ｂ）は、１００／１
０〜１００／９０、好ましくは１００／４０〜１００／
７０である。また、混合層の膜厚は５００Å〜５μｍ、
好ましくは１０００Å〜５０００Åである。上記色素
（Ａ）と色素（Ｂ）をそれぞれ別層にして積層する場合
の色素（Ａ）層の層厚は、５００Å〜３０００Å、好ま
しくは１０００Å〜３０００Åである。また、色素
（Ｂ）層の層厚は３００Å〜３μｍ、好ましくは５００
Å〜１５００Åである。
成する場合の重量組成比（Ａ）／（Ｂ）は、１００／１
０〜１００／９０、好ましくは１００／４０〜１００／
７０である。また、混合層の膜厚は５００Å〜５μｍ、
好ましくは１０００Å〜５０００Åである。上記色素
（Ａ）と色素（Ｂ）をそれぞれ別層にして積層する場合
の色素（Ａ）層の層厚は、５００Å〜３０００Å、好ま
しくは１０００Å〜３０００Åである。また、色素
（Ｂ）層の層厚は３００Å〜３μｍ、好ましくは５００
Å〜１５００Åである。
【００１６】〈金属反射層〉反射層は単体で高反射率の
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌな
どが挙げられ、中でも６００〜７９０ｎｍにわたり高反
射率が得られるＡｕまたはＡｌが好ましい。これらの金
属、半金属は単独で使用してもよく、２種以上の合金と
してもよい。膜形成法としては蒸着、スパッタリングな
どが挙げられ、膜厚としては５０〜３０００Å、好まし
くは１００〜２０００Åである。
得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、材
料例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌな
どが挙げられ、中でも６００〜７９０ｎｍにわたり高反
射率が得られるＡｕまたはＡｌが好ましい。これらの金
属、半金属は単独で使用してもよく、２種以上の合金と
してもよい。膜形成法としては蒸着、スパッタリングな
どが挙げられ、膜厚としては５０〜３０００Å、好まし
くは１００〜２０００Åである。
【００１７】〈保護層、基板表面ハードコート層〉保護
層、または基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層
（反射吸収層）を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、
（ｂ）記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、
（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。これら
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2なども用いることができ、有機材料としてポリメチ
ルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワッ
クス、アルキッド樹脂、乾性脂、ロジン等の熱軟化性ま
たは熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち、保護層、または基板表面ハードコート層に最も好ま
しい物は、生産にすぐれた紫外線硬化樹脂である。保護
層または基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３
０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
本発明において、前記下引き層、保護層、および基板表
面ハードコート層には、記録層の場合と同様に、安定
剤、分散剤、難燃剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤
等を含有させることができる。
層、または基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層
（反射吸収層）を傷、ホコリ、汚れ等から保護する、
（ｂ）記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、
（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。これら
の目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いる
ことができる。また、無機材料としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2なども用いることができ、有機材料としてポリメチ
ルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポ
リスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロー
ス、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴ
ム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワッ
クス、アルキッド樹脂、乾性脂、ロジン等の熱軟化性ま
たは熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料のう
ち、保護層、または基板表面ハードコート層に最も好ま
しい物は、生産にすぐれた紫外線硬化樹脂である。保護
層または基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３
０μｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
本発明において、前記下引き層、保護層、および基板表
面ハードコート層には、記録層の場合と同様に、安定
剤、分散剤、難燃剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤
等を含有させることができる。
【００１８】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１９】実施例１ 溝深さ１０００Å、半値巾０．４５μｍ、トラックピッ
チ１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成
型ポリカーボネート基板上に、下記構造の化合物（Ａ−
１）と前記構造式（IV−２）においてＺ1＝Ｎ、Ｚ2＝
Ｃ、Ｍ2＝Ｓｉ、Ｙ1＝Ｙ2＝ＯＳｉＨｅｘ3で表される色
素（Ｂ−１）とを重量比（Ａ−１）／（Ｂ−１）＝１０
０／６０にて、これを２−エトキシエタノール／１，２
−ジフロロエタン／ＴＨＦ＝８．５／１．５／１０５
（重量比）からなる溶媒で混合した混合溶液をスピナー
塗布し厚さ２２００Åの記録層を設け、その上にスパッ
タリングにより厚さ１２００Åの金の反射層を設け、さ
らにその上にアクリレート系フォトポリマーにて５μｍ
厚の保護層を設け光記録媒体とした。
チ１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成
型ポリカーボネート基板上に、下記構造の化合物（Ａ−
１）と前記構造式（IV−２）においてＺ1＝Ｎ、Ｚ2＝
Ｃ、Ｍ2＝Ｓｉ、Ｙ1＝Ｙ2＝ＯＳｉＨｅｘ3で表される色
素（Ｂ−１）とを重量比（Ａ−１）／（Ｂ−１）＝１０
０／６０にて、これを２−エトキシエタノール／１，２
−ジフロロエタン／ＴＨＦ＝８．５／１．５／１０５
（重量比）からなる溶媒で混合した混合溶液をスピナー
塗布し厚さ２２００Åの記録層を設け、その上にスパッ
タリングにより厚さ１２００Åの金の反射層を設け、さ
らにその上にアクリレート系フォトポリマーにて５μｍ
厚の保護層を設け光記録媒体とした。
【化７】
【００２０】実施例２ 実施例１で色素（Ｂ−１）の代わりに前記構造式（IV−
１）においてＺ1＝Ｚ2＝Ｎ、Ｍ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝−
ＯＣＨ2ＳｉＭｅ3で表される色素（Ｂ−２）を用いた以
外は、実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
１）においてＺ1＝Ｚ2＝Ｎ、Ｍ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝−
ＯＣＨ2ＳｉＭｅ3で表される色素（Ｂ−２）を用いた以
外は、実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
【００２１】実施例３ 実施例１で色素（Ａ−１）の代わりに前記構造式（II−
１）においてＭ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝−ＣＨ［ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2］2（３位置換）で表される色素（Ａ−２）を用
いた以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。
１）においてＭ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝−ＣＨ［ＣＨ（Ｃ
Ｈ3）2］2（３位置換）で表される色素（Ａ−２）を用
いた以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作製し
た。
【００２２】実施例４ 実施例１で色素（Ａ−１）の代わりに前記構造式（II−
１）においてＭ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝アダンマンチル基
で表される色素（Ａ−３）を用い、色素（Ｂ−１）の代
わりに下記構造の化合物（Ｂ−３）を用いた以外は、実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。
１）においてＭ1＝Ｐｄ、Ｘ1〜Ｘ4＝アダンマンチル基
で表される色素（Ａ−３）を用い、色素（Ｂ−１）の代
わりに下記構造の化合物（Ｂ−３）を用いた以外は、実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。
【化８】
【００２３】実施例５ 実施例１で基板上に構造式（ＩＶ−２）においてＺ1＝
Ｚ2＝Ｃ、Ｍ2＝Ｓｉ、Ｙ1＝Ｙ2＝ＯＳｉＰｈ3で表され
る色素（Ｂ−４）を厚さ６００Åに塗布し、その上に下
記構造の化合物（Ａ−４）のエタノール溶液を１７００
Åの厚さに塗布した後、その上に実施例１と同様にして
反射層および保護層を設け記録媒体とした。
Ｚ2＝Ｃ、Ｍ2＝Ｓｉ、Ｙ1＝Ｙ2＝ＯＳｉＰｈ3で表され
る色素（Ｂ−４）を厚さ６００Åに塗布し、その上に下
記構造の化合物（Ａ−４）のエタノール溶液を１７００
Åの厚さに塗布した後、その上に実施例１と同様にして
反射層および保護層を設け記録媒体とした。
【化９】
【００２４】比較例１ 実施例１で記録層を色素（Ａ−１）のみで形成した以外
は、実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
は、実施例１と同様にして記録媒体を作製した。
【００２５】比較例２ 実施例３で記録層を色素（Ａ−２）のみで形成した以外
は、実施例３と同様にして記録媒体を作製した。
は、実施例３と同様にして記録媒体を作製した。
【００２６】〈評価〉上記のようにして作製した実施例
及び比較例の光記録媒体について、反射率並びに記録お
よび再生特性について評価を行なった。結果を表１に示
す。 〈測定方法〉 反射率：基板側からの入射角５°の反射率を分光光度計
で測定した。 記録特性：波長７８５ｎｍ、ＮＡ０．５、線速１．４ｍ
／ｓｅｃ、ＥＦＭ信号を記録した。 再生特性：波長７８５ｎｍ、６８０ｎｍの連続光により
再生した。
及び比較例の光記録媒体について、反射率並びに記録お
よび再生特性について評価を行なった。結果を表１に示
す。 〈測定方法〉 反射率：基板側からの入射角５°の反射率を分光光度計
で測定した。 記録特性：波長７８５ｎｍ、ＮＡ０．５、線速１．４ｍ
／ｓｅｃ、ＥＦＭ信号を記録した。 再生特性：波長７８５ｎｍ、６８０ｎｍの連続光により
再生した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明の光記録媒体によ
れば現状システムでのＣＤ−Ｒ用として使用でき、かつ
また、次世代システムとしても書き込まれた情報を読む
ことが出来る。さらに、前記第二に記載した単層構成の
記録媒体によれば、記録媒体を生産性よく製造すること
ができ、第三に記載した積層構成の記録媒体によれば、
積層化にあたって膜厚を最適化することにより短波長域
での反射率を高くすることができる。また、第四に記載
した記録媒体によれば、長短両波長域において高い反射
率を得ることができる。さらに、第五に記載した記録媒
体によれば、色素（Ａ）のうち最もすぐれた信号特性が
得られる。さらにまた、第六に記載した記録媒体によれ
ば、短波長域において高い反射率が得られる。
れば現状システムでのＣＤ−Ｒ用として使用でき、かつ
また、次世代システムとしても書き込まれた情報を読む
ことが出来る。さらに、前記第二に記載した単層構成の
記録媒体によれば、記録媒体を生産性よく製造すること
ができ、第三に記載した積層構成の記録媒体によれば、
積層化にあたって膜厚を最適化することにより短波長域
での反射率を高くすることができる。また、第四に記載
した記録媒体によれば、長短両波長域において高い反射
率を得ることができる。さらに、第五に記載した記録媒
体によれば、色素（Ａ）のうち最もすぐれた信号特性が
得られる。さらにまた、第六に記載した記録媒体によれ
ば、短波長域において高い反射率が得られる。
【図１】本発明の記録媒体の一例を示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の記録媒体の別の一例を示す概略断面図
である。
である。
【図３】本発明の記録媒体の更に別の一例を示す概略断
面図である。
面図である。
１…基板、２…記録層［色素（Ａ）と色素（Ｂ）の混合
層］、２−１…記録層〔色素（Ａ）含有層〕、２−２…
記録層〔色素（Ｂ）含有層〕、３…金属反射層、４…保
護層、５…下引き層。
層］、２−１…記録層〔色素（Ａ）含有層〕、２−２…
記録層〔色素（Ｂ）含有層〕、３…金属反射層、４…保
護層、５…下引き層。
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に直接または下引き層を介して記
録層、金属反射層および保護層を設けた光記録媒体にお
いて、記録層が６９０ないし７３０ｎｍに最大吸収波長
を有する色素（Ａ）と６００〜６５０ｎｍに最大吸収波
長を有し、かつ、６９０ｎｍ以上に吸収波長を有しない
色素（Ｂ）を主成分として構成されていることを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層が色素（Ａ）と色素（Ｂ）の混合
層であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層が色素（Ａ）を含有する層と色素
（Ｂ）を含有する層を積層させた層であることを特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】 金属反射層がＡｕまたはＡｌであること
を特徴とする請求項１、２、または３記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 色素（Ａ）がペンタメチンのシアニン色
素または下記一般式（II−１）もしくは一般式（II−
２）で示されるフタロシアニン色素であることを特徴と
する請求項１、２、３または４記載の光記録媒体。 【化１】 式中、Ｍ1はＮｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＺｎまたはＭｎを、Ｘ1
〜Ｘ4はそれぞれ独立に置換位置３位の−ＯＲまたは−
ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで置換されていてもよい
炭素数３〜１２の直鎖、分岐または脂環式アルキル基も
しくはアリール基を表す。 【化２】 式中、Ｍ2は、ＳｉまたはＧｅを、Ｘ5〜Ｘ8はそれぞれ
独立に−ＯＲまたは−ＳＲを、Ｒは炭素の一部がＳｉで
置換されていてもよい炭素数３〜１２の直鎖、分岐また
は脂環式アルキル基もしくはアリール基を、Ｙ1、Ｙ2は
−ＯＳｉＲ11Ｒ12Ｒ13、−ＯＣＯＲ11Ｒ12Ｒ13、または
−ＯＰＯＲ11Ｒ12Ｒ13を表し、Ｒ11〜Ｒ13はそれぞれ独
立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアリール基を表
す。 - 【請求項６】 色素（Ｂ）が分解温度３５０℃以下のト
リメチンのシアニン色素またはテトラピリジノポルフィ
ラジン誘導体であることを特徴とする請求項１、２、３
または４記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110201A JPH08282107A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110201A JPH08282107A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08282107A true JPH08282107A (ja) | 1996-10-29 |
Family
ID=14529621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110201A Pending JPH08282107A (ja) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08282107A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840307A2 (en) * | 1996-11-01 | 1998-05-06 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| EP0860821A3 (en) * | 1997-02-24 | 1999-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US7914969B2 (en) | 2005-04-14 | 2011-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP7110201A patent/JPH08282107A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0840307A2 (en) * | 1996-11-01 | 1998-05-06 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| EP0840307A3 (en) * | 1996-11-01 | 1998-06-10 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5976658A (en) * | 1996-11-01 | 1999-11-02 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| EP0860821A3 (en) * | 1997-02-24 | 1999-09-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US7914969B2 (en) | 2005-04-14 | 2011-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
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