JP3494172B2 - 電気光学装置及び投射型表示装置 - Google Patents
電気光学装置及び投射型表示装置Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示領域の周
囲でシール材により貼り合わせられた一対の第１及び第
２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、これらの基
板における電気光学物質に面する側に設けられた一対の
電極を備えた液晶装置等の電気光学装置及びその製造方
法の技術分野に属する。
囲でシール材により貼り合わせられた一対の第１及び第
２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、これらの基
板における電気光学物質に面する側に設けられた一対の
電極を備えた液晶装置等の電気光学装置及びその製造方
法の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】一般にこの種の電気光学装置では、画素電
極、これをスイッチング制御する薄膜トランジスタ（以
下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）及び
これに接続され画像信号や走査信号を供給するデータ
線、走査線等の配線などが設けられたＴＦＴアレイ基板
を備える。更に、このＴＦＴアレイ基板の配線等が配置
された側に対向配置されており、カラーフィルタ、遮光
膜等の他に、全面に対向電極が設けられた対向基板を備
える。これらのＴＦＴアレイ基板及び対向基板は、画像
表示領域の周囲に位置するシール領域において、シール
材により貼り合わせられ、両基板間に液晶等の電気光学
物質が挟持される。更に、シール領域の外側において両
基板に夫々設けられた上下導通領域（即ち、上下導通パ
ッドや対向基板の隅等の領域）間に、導電性の上下導通
材が挟持される。この上下導通材により、ＴＦＴアレイ
基板側に設けられた固定の又は一定周期で反転する対向
電極電位を供給するための配線と対向電極とが、電気的
に接続されている。そして、動作時には、画素電極に対
応する画素毎に、画素電極及び対向電極間に駆動電圧を
発生させて各電気光学物質部分を駆動する（例えば、液
晶の配向状態を変化させる）ことにより、表示動作を行
うように構成されている。
極、これをスイッチング制御する薄膜トランジスタ（以
下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）及び
これに接続され画像信号や走査信号を供給するデータ
線、走査線等の配線などが設けられたＴＦＴアレイ基板
を備える。更に、このＴＦＴアレイ基板の配線等が配置
された側に対向配置されており、カラーフィルタ、遮光
膜等の他に、全面に対向電極が設けられた対向基板を備
える。これらのＴＦＴアレイ基板及び対向基板は、画像
表示領域の周囲に位置するシール領域において、シール
材により貼り合わせられ、両基板間に液晶等の電気光学
物質が挟持される。更に、シール領域の外側において両
基板に夫々設けられた上下導通領域（即ち、上下導通パ
ッドや対向基板の隅等の領域）間に、導電性の上下導通
材が挟持される。この上下導通材により、ＴＦＴアレイ
基板側に設けられた固定の又は一定周期で反転する対向
電極電位を供給するための配線と対向電極とが、電気的
に接続されている。そして、動作時には、画素電極に対
応する画素毎に、画素電極及び対向電極間に駆動電圧を
発生させて各電気光学物質部分を駆動する（例えば、液
晶の配向状態を変化させる）ことにより、表示動作を行
うように構成されている。
【０００３】例えば、特開昭６２−８９０２４号公報、
特開平１１−６４８７４号公報、特開平１１−２０２３
６６号公報等では、基板の４辺に沿って液晶層を包囲す
るシール領域にシール材を設け、基板の４隅の上下導通
領域に上下導通材を設ける技術を開示している。そして
一般には、シール材は、導電性を持たない光硬化性樹脂
等から構成され、上下導通材は導電性材料から構成され
るが、これらの公報のうち特開昭６２−８９０２４号公
報によれば、シール領域のシール材と上下導通領域に設
ける上下導通材とを夫々、同一の導電性材料から形成す
る。これにより、シール材と上下導通材とを同一工程で
形成でき、製造プロセスの簡略化を図れるとされてい
る。
特開平１１−６４８７４号公報、特開平１１−２０２３
６６号公報等では、基板の４辺に沿って液晶層を包囲す
るシール領域にシール材を設け、基板の４隅の上下導通
領域に上下導通材を設ける技術を開示している。そして
一般には、シール材は、導電性を持たない光硬化性樹脂
等から構成され、上下導通材は導電性材料から構成され
るが、これらの公報のうち特開昭６２−８９０２４号公
報によれば、シール領域のシール材と上下導通領域に設
ける上下導通材とを夫々、同一の導電性材料から形成す
る。これにより、シール材と上下導通材とを同一工程で
形成でき、製造プロセスの簡略化を図れるとされてい
る。
【０００４】他方、この種の電気光学装置では、例えば
対角２０ｃｍ程度以上の大型の画像表示領域を有する場
合には、画像表示領域に配置される液晶等の電気光学物
質内に両基板間のギャップを制御するためのビーズ状或
いはファイバー状のギャップ材が散布される（即ち、ギ
ャップ材は画像中で見えないので問題がない）。これに
対し、例えば対角２ｃｍ程度以下の画像表示領域を有す
る小型の電気光学装置の場合には、シール材中に両基板
間のギャップを制御するためのギャップ材が混合される
のが一般的である（即ち、ギャップ材が画像中で見えな
いようにしている）。
対角２０ｃｍ程度以上の大型の画像表示領域を有する場
合には、画像表示領域に配置される液晶等の電気光学物
質内に両基板間のギャップを制御するためのビーズ状或
いはファイバー状のギャップ材が散布される（即ち、ギ
ャップ材は画像中で見えないので問題がない）。これに
対し、例えば対角２ｃｍ程度以下の画像表示領域を有す
る小型の電気光学装置の場合には、シール材中に両基板
間のギャップを制御するためのギャップ材が混合される
のが一般的である（即ち、ギャップ材が画像中で見えな
いようにしている）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
特開昭６２−８９０２４号公報では、シール材も導電性
を持ってしまうため、実際上は、シール領域で配線間シ
ョートが多発して製品化が極めて困難であるという問題
点がある。より具体的には、導電性の無いシール材であ
れば、その中に混合される導電性の無いギャップ材が接
着の際にＴＦＴアレイ基板上の絶縁膜を破ってその下に
ある各種配線と接触しても、該各種配線をショートさせ
る原因とはならないが、この公報によれば、ギャップ材
が導電性を有するため、このような接触が起こるとギャ
ップ材により各種配線をショートさせてしまうのであ
る。
特開昭６２−８９０２４号公報では、シール材も導電性
を持ってしまうため、実際上は、シール領域で配線間シ
ョートが多発して製品化が極めて困難であるという問題
点がある。より具体的には、導電性の無いシール材であ
れば、その中に混合される導電性の無いギャップ材が接
着の際にＴＦＴアレイ基板上の絶縁膜を破ってその下に
ある各種配線と接触しても、該各種配線をショートさせ
る原因とはならないが、この公報によれば、ギャップ材
が導電性を有するため、このような接触が起こるとギャ
ップ材により各種配線をショートさせてしまうのであ
る。
【０００６】他方、例えば前述の特開平１１−６４８７
４号公報では、上下基板間ショートを防止するために
は、上下導通材を基板端から所定距離以上離すことが必
要であるとされており、前述の特開平１１−２０２３６
６号公報では、電気抵抗の比較的高い対向電極全体を均
一な電位に設定するためには、画像表示領域外における
基板上に画像表示領域の外周に沿って４隅にある上下導
通領域に至る配線を設けることが必要であるとされてい
る。従って、これらの公報によれば、上下導通領域をシ
ール領域の外側に設ける必要があるため、基板の小型
化、或いは基板に対する画像表示領域の大型化を図るこ
とは根本的に困難であるという問題点がある。
４号公報では、上下基板間ショートを防止するために
は、上下導通材を基板端から所定距離以上離すことが必
要であるとされており、前述の特開平１１−２０２３６
６号公報では、電気抵抗の比較的高い対向電極全体を均
一な電位に設定するためには、画像表示領域外における
基板上に画像表示領域の外周に沿って４隅にある上下導
通領域に至る配線を設けることが必要であるとされてい
る。従って、これらの公報によれば、上下導通領域をシ
ール領域の外側に設ける必要があるため、基板の小型
化、或いは基板に対する画像表示領域の大型化を図るこ
とは根本的に困難であるという問題点がある。
【０００７】尚、この問題に対し、上下導通領域を小さ
くすることにより基板の小型化或いは画像表示領域の大
型化を図ろうとすれば、上下導通自体の信頼性が低下し
てしまう。或いは、この問題に対し、シール領域を小さ
くすることにより、基板の小型化或いは画像表示領域の
大型化を図ろうとすれば、両基板の貼り合わせの信頼性
や基板間のギャップ制御の信頼性が低下してしまう。
くすることにより基板の小型化或いは画像表示領域の大
型化を図ろうとすれば、上下導通自体の信頼性が低下し
てしまう。或いは、この問題に対し、シール領域を小さ
くすることにより、基板の小型化或いは画像表示領域の
大型化を図ろうとすれば、両基板の貼り合わせの信頼性
や基板間のギャップ制御の信頼性が低下してしまう。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、一対の基板を貼り合わせるシール材に係る構成及
び一対の基板間の上下導通に係る構成の簡略化を図るこ
とが可能であり且つ該上下導通の信頼性を高めることが
可能であり、しかも基板の小型化を図ることが可能或い
は基板に対して画像表示領域を相対的に広げることが可
能である電気光学装置及びその製造方法を提供すること
を課題とする。
あり、一対の基板を貼り合わせるシール材に係る構成及
び一対の基板間の上下導通に係る構成の簡略化を図るこ
とが可能であり且つ該上下導通の信頼性を高めることが
可能であり、しかも基板の小型化を図ることが可能或い
は基板に対して画像表示領域を相対的に広げることが可
能である電気光学装置及びその製造方法を提供すること
を課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置は
上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間
に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置であっ
て、前記第１基板は、画像表示領域に配置された複数の
画素電極と、前記画素電極に画像信号を供給するデータ
線と、データ線駆動回路と、前記データ線駆動回路から
供給されるサンプリング駆動信号に応じて前記画像信号
を前記データ線に供給するサンプリング回路と、前記デ
ータ線駆動回路と前記サンプリング回路との間に設けら
れ画像信号線と前記サンプリング回路とを電気的に接続
する引き出し配線とを備え、前記第２基板は、対向電極
を備え、前記第１及び第２基板間に前記引き出し配線の
領域を含む前記画像表示領域の周囲に沿った領域に形成
され、前記第１及び第２基板を相接着するシール材を備
えており、前記第１基板の前記シール材が形成されたシ
ール領域のうち前記引き出し配線が形成されていない辺
のうち少なくとも一辺に面して、前記対向電極に対向電
位を供給する上下導通パッドを備え、前記第２基板の前
記シール材に面して前記上下導通パッドに対向する上下
導通部を備え、前記上下導通パッドと前記上下導通部で
挟まれた前記シール材には導電性のギャップ材を有し、
前記引き出し配線の領域にある前記シール材には非導電
性のギャップ材を有することを特徴とする。
上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間
に電気光学物質が挟持されてなる電気光学装置であっ
て、前記第１基板は、画像表示領域に配置された複数の
画素電極と、前記画素電極に画像信号を供給するデータ
線と、データ線駆動回路と、前記データ線駆動回路から
供給されるサンプリング駆動信号に応じて前記画像信号
を前記データ線に供給するサンプリング回路と、前記デ
ータ線駆動回路と前記サンプリング回路との間に設けら
れ画像信号線と前記サンプリング回路とを電気的に接続
する引き出し配線とを備え、前記第２基板は、対向電極
を備え、前記第１及び第２基板間に前記引き出し配線の
領域を含む前記画像表示領域の周囲に沿った領域に形成
され、前記第１及び第２基板を相接着するシール材を備
えており、前記第１基板の前記シール材が形成されたシ
ール領域のうち前記引き出し配線が形成されていない辺
のうち少なくとも一辺に面して、前記対向電極に対向電
位を供給する上下導通パッドを備え、前記第２基板の前
記シール材に面して前記上下導通パッドに対向する上下
導通部を備え、前記上下導通パッドと前記上下導通部で
挟まれた前記シール材には導電性のギャップ材を有し、
前記引き出し配線の領域にある前記シール材には非導電
性のギャップ材を有することを特徴とする。
【００１０】本発明の電気光学装置によれば、その動作
時には、第１基板上に形成された配線に、画像信号等の
信号が供給され、画素電極に画像信号等の信号が供給さ
れる。これと並行して、第２基板上に形成された対向電
極に、上下導通パッド及び上下導通部を介して、例えば
固定の又は周期的に反転する対向電位信号等の信号が供
給される。従って、これらの信号に応じて画素毎に画素
電極及び対向電極間に駆動電圧が印加され、両者間にあ
る電気光学物質が駆動されて（例えば、液晶の配向状態
が駆動電圧の印加により変化させられて）、電気光学的
な画像表示が行なわれる。ここで特に、シール領域にお
いて第１及び第２基板を相接着するシール材のうち導電
性材料からなる部分が、上下導通パッド及び上下導通部
間に配置されて、これらの間における上下導通材として
機能する。即ち、前述した各種従来技術の如くシール領
域の外側に上下導通領域を確保して該上下導通領域にシ
ール材とは別に導電性の上下導通材を配置するのと比べ
ると、シール領域中に上下導通領域を含めることができ
る分だけ、基板の小型化或いは基板に対する画像表示領
域の大型化を図ることが可能となる。逆に、上下導通領
域をシール領域とは別に用意する必要がない分だけ、シ
ール領域を大きく確保することが可能となり、より信頼
性の高い両基板の貼り合わせを実現できる。更に、シー
ル材の少なくとも一部を上下導通材としても機能させる
ことにより、装置構成及びその製造プロセスの簡略化を
図ることが可能となる。
時には、第１基板上に形成された配線に、画像信号等の
信号が供給され、画素電極に画像信号等の信号が供給さ
れる。これと並行して、第２基板上に形成された対向電
極に、上下導通パッド及び上下導通部を介して、例えば
固定の又は周期的に反転する対向電位信号等の信号が供
給される。従って、これらの信号に応じて画素毎に画素
電極及び対向電極間に駆動電圧が印加され、両者間にあ
る電気光学物質が駆動されて（例えば、液晶の配向状態
が駆動電圧の印加により変化させられて）、電気光学的
な画像表示が行なわれる。ここで特に、シール領域にお
いて第１及び第２基板を相接着するシール材のうち導電
性材料からなる部分が、上下導通パッド及び上下導通部
間に配置されて、これらの間における上下導通材として
機能する。即ち、前述した各種従来技術の如くシール領
域の外側に上下導通領域を確保して該上下導通領域にシ
ール材とは別に導電性の上下導通材を配置するのと比べ
ると、シール領域中に上下導通領域を含めることができ
る分だけ、基板の小型化或いは基板に対する画像表示領
域の大型化を図ることが可能となる。逆に、上下導通領
域をシール領域とは別に用意する必要がない分だけ、シ
ール領域を大きく確保することが可能となり、より信頼
性の高い両基板の貼り合わせを実現できる。更に、シー
ル材の少なくとも一部を上下導通材としても機能させる
ことにより、装置構成及びその製造プロセスの簡略化を
図ることが可能となる。
【００１１】更にまた、上下導通パッドは、第１基板上
で最上層に来るので、その下方に積層形成される配線を
シール材（例えば、その中に含まれるギャップ材）によ
り断線又はショートさせる可能性を、当該上下導通パッ
ドの存在により低減できる。そして、上下導通パッドを
シール領域内に大きく形成すれば、より信頼性の高い上
下導通を実現できる。これらの結果、信頼性の高い上下
導通により対向電極を安定駆動でき、最終的に表示され
る画像におけるブロックゴーストを低減できる。
で最上層に来るので、その下方に積層形成される配線を
シール材（例えば、その中に含まれるギャップ材）によ
り断線又はショートさせる可能性を、当該上下導通パッ
ドの存在により低減できる。そして、上下導通パッドを
シール領域内に大きく形成すれば、より信頼性の高い上
下導通を実現できる。これらの結果、信頼性の高い上下
導通により対向電極を安定駆動でき、最終的に表示され
る画像におけるブロックゴーストを低減できる。
【００１２】以上の結果、本発明の電気光学装置によれ
ば、シール材に係る構成及び上下導通に係る構成の簡略
化を図ることが可能であり且つ該上下導通及び両基板の
貼り合わせの信頼性を高めることが可能であり、しかも
基板の小型化を図ることが可能或いは基板に対して画像
表示領域を相対的に広げることが可能となる。
ば、シール材に係る構成及び上下導通に係る構成の簡略
化を図ることが可能であり且つ該上下導通及び両基板の
貼り合わせの信頼性を高めることが可能であり、しかも
基板の小型化を図ることが可能或いは基板に対して画像
表示領域を相対的に広げることが可能となる。
【００１３】
【００１４】また、上下導通パッドは、シール領域のう
ち一辺、二辺又は三辺を占めるので、前述した従来技術
の如く基板の４隅に島状の上下導通パッドを形成する場
合と比較して、上下導通パッドを遥かに大きく形成する
こととなり、遥かに信頼性の高い上下導通を実現でき、
対向電極を良好に安定駆動できる。また、画像表示領域
からシール領域外に至る配線が設けられていない辺や、
相対的に機械的強度の高い配線構造を有する辺を所定の
辺とすれば（即ち、所定の辺ではない辺に対しては電気
絶縁性のシール材を配置すれば）、シール材の下方に積
層形成される配線をシール材により断線又はショートさ
せる可能性を低減できる。更に、辺単位で上下導通パッ
ドを形成することにより、シール材中にギャップ材を混
合して基板間ギャップを制御することも容易となる。ま
た、ギャップ材に導電性を持たせないことにより、ギャ
ップ材がその下方に積層形成されている引き出し配線ま
で突き抜けたとしても、これにより引き出し配線が断線
したりショートしたりする可能性を低減できる。
ち一辺、二辺又は三辺を占めるので、前述した従来技術
の如く基板の４隅に島状の上下導通パッドを形成する場
合と比較して、上下導通パッドを遥かに大きく形成する
こととなり、遥かに信頼性の高い上下導通を実現でき、
対向電極を良好に安定駆動できる。また、画像表示領域
からシール領域外に至る配線が設けられていない辺や、
相対的に機械的強度の高い配線構造を有する辺を所定の
辺とすれば（即ち、所定の辺ではない辺に対しては電気
絶縁性のシール材を配置すれば）、シール材の下方に積
層形成される配線をシール材により断線又はショートさ
せる可能性を低減できる。更に、辺単位で上下導通パッ
ドを形成することにより、シール材中にギャップ材を混
合して基板間ギャップを制御することも容易となる。ま
た、ギャップ材に導電性を持たせないことにより、ギャ
ップ材がその下方に積層形成されている引き出し配線ま
で突き抜けたとしても、これにより引き出し配線が断線
したりショートしたりする可能性を低減できる。
【００１５】この態様では、前記上下導通パッドは、前
記シール領域を構成する四辺のうち前記電気光学物質を
注入するための注入口の設けられていない辺に形成され
るように構成してもよい。
記シール領域を構成する四辺のうち前記電気光学物質を
注入するための注入口の設けられていない辺に形成され
るように構成してもよい。
【００１６】このように構成すれば、液晶等の電気光学
物質を注入するための注入口の設けられていない辺に
は、上下導通パッドが形成され、係る注入口が設けられ
ている辺には、上下導通パッドは形成されない。従っ
て、注入口が設けられた辺に対しては電気絶縁性のシー
ル材を配置すれば、シール材の下方に積層形成される配
線をシール材により断線又はショートさせる可能性を低
減できる。例えば、注入口が設けられた辺に、画像表示
領域からシール領域外に伸びる配線を積極的に設ける構
成とすれば、係る断線又はショートを低減する上で一層
有利となる。
物質を注入するための注入口の設けられていない辺に
は、上下導通パッドが形成され、係る注入口が設けられ
ている辺には、上下導通パッドは形成されない。従っ
て、注入口が設けられた辺に対しては電気絶縁性のシー
ル材を配置すれば、シール材の下方に積層形成される配
線をシール材により断線又はショートさせる可能性を低
減できる。例えば、注入口が設けられた辺に、画像表示
領域からシール領域外に伸びる配線を積極的に設ける構
成とすれば、係る断線又はショートを低減する上で一層
有利となる。
【００１７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール材中には、前記第１及び第２基板間のギャップ
を制御するギャップ材が混合されている。
記シール材中には、前記第１及び第２基板間のギャップ
を制御するギャップ材が混合されている。
【００１８】この態様によれば、シール材中に混合され
たギャップ材により、基板間ギャップを制御できる。従
って、小型の電気光学装置において、電気光学物質中に
ギャップ材を散布することによる表示画像の劣化を防止
できる。そして特に、このようにギャップ材をシール材
中に混合しても、前述の如く本発明の電気光学装置で
は、ギャップ材によりシール領域における断線又はショ
ートさせる可能性を低減できるので有利である。
たギャップ材により、基板間ギャップを制御できる。従
って、小型の電気光学装置において、電気光学物質中に
ギャップ材を散布することによる表示画像の劣化を防止
できる。そして特に、このようにギャップ材をシール材
中に混合しても、前述の如く本発明の電気光学装置で
は、ギャップ材によりシール領域における断線又はショ
ートさせる可能性を低減できるので有利である。
【００１９】この態様では、前記ギャップ材は、少なく
とも前記上下導通パッド及び前記上下導通部間に配置さ
れたシール材部分においては導電性微粒子からなっても
よい。
とも前記上下導通パッド及び前記上下導通部間に配置さ
れたシール材部分においては導電性微粒子からなっても
よい。
【００２０】このように構成すれば、導電性微粒子から
なるギャップ材により、上下導通パッド及び上下導通部
間に配置されたシール材部分における導電性を高めるこ
とができ、このシール材部分を上下導通材として機能さ
せることができる。
なるギャップ材により、上下導通パッド及び上下導通部
間に配置されたシール材部分における導電性を高めるこ
とができ、このシール材部分を上下導通材として機能さ
せることができる。
【００２１】この場合には更に、前記導電性微粒子は、
金属メッキされたビーズ状或いはファイバー状の微粒子
からなってもよい。
金属メッキされたビーズ状或いはファイバー状の微粒子
からなってもよい。
【００２２】このように構成すれば、例えば、ＳｉＯ２
ボール、ＳｉＯ２ファイバー等に対し、ニッケル金メッ
キをした導電性微粒子を、導電性を有するギャップ材と
して用いることで、上下導通パッド及び上下導通部間に
配置されたシール材部分を、上下導通材として機能させ
ることができる。
ボール、ＳｉＯ２ファイバー等に対し、ニッケル金メッ
キをした導電性微粒子を、導電性を有するギャップ材と
して用いることで、上下導通パッド及び上下導通部間に
配置されたシール材部分を、上下導通材として機能させ
ることができる。
【００２３】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール材のうち少なくとも前記上下導通パッド及び前
記上下導通部間に配置された部分の中には、金属粉が混
合されている。
記シール材のうち少なくとも前記上下導通パッド及び前
記上下導通部間に配置された部分の中には、金属粉が混
合されている。
【００２４】この態様によれば、金属粉により、上下導
通パッド及び上下導通部間に配置されたシール材部分に
おける導電性を高めることができ、このシール材部分を
上下導通材として機能させることができる。尚、金属粉
を混合するのに加えて、前述の如く導電性微粒子からな
るギャップ材を混合してよいことは言うまでもない。
通パッド及び上下導通部間に配置されたシール材部分に
おける導電性を高めることができ、このシール材部分を
上下導通材として機能させることができる。尚、金属粉
を混合するのに加えて、前述の如く導電性微粒子からな
るギャップ材を混合してよいことは言うまでもない。
【００２５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール材は、前記シール領域の全てに渡って前記導電
性材料を含む。
記シール材は、前記シール領域の全てに渡って前記導電
性材料を含む。
【００２６】この態様によれば、シール材全体を上下導
通材としても機能させることにより、装置構成及びその
製造プロセスの簡略化を図ることが可能となる。
通材としても機能させることにより、装置構成及びその
製造プロセスの簡略化を図ることが可能となる。
【００２７】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール材は、前記シール領域のうち前記上下導通パッ
ドに対向する領域では少なくとも部分的に前記導電性材
料からなり、前記シール領域のうち前記上下導通パッド
に対向しない領域では電気絶縁性材料からなる。
記シール材は、前記シール領域のうち前記上下導通パッ
ドに対向する領域では少なくとも部分的に前記導電性材
料からなり、前記シール領域のうち前記上下導通パッド
に対向しない領域では電気絶縁性材料からなる。
【００２８】この態様によれば、上下導通パッドに対向
する領域では、シール材の一部を上下導通材としても機
能させることにより、装置構成及びその製造プロセスの
簡略化を図ることが可能となる。しかも、上下導通パッ
ドに対向しない領域では、シール材は、電気絶縁性材料
からなるので、この電気絶縁性材料からなるシール材部
分の下方に積層形成される配線を当該シール材部分によ
り断線又はショートさせる可能性を低減できる。
する領域では、シール材の一部を上下導通材としても機
能させることにより、装置構成及びその製造プロセスの
簡略化を図ることが可能となる。しかも、上下導通パッ
ドに対向しない領域では、シール材は、電気絶縁性材料
からなるので、この電気絶縁性材料からなるシール材部
分の下方に積層形成される配線を当該シール材部分によ
り断線又はショートさせる可能性を低減できる。
【００２９】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール領域内に形成された前記上下導通パッドの表面
は、前記シール領域内の絶縁膜の表面と同一平面上に形
成されている。
記シール領域内に形成された前記上下導通パッドの表面
は、前記シール領域内の絶縁膜の表面と同一平面上に形
成されている。
【００３０】この態様によれば、シール領域内で、上下
導通パッドは、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical
Polishing：化学的機械研磨）処理により若しくは基板
又は層間絶縁膜に掘られた溝に埋め込まれることによ
り、上下導通パッドの表面とシール領域内の絶縁膜の表
面とが同一平面上に形成されるように平坦化される。従
って、シール材中にギャップ材を混合して基板間ギャッ
プを制御する場合には、平坦なシール領域上で精度の高
い制御が可能となる。
導通パッドは、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical
Polishing：化学的機械研磨）処理により若しくは基板
又は層間絶縁膜に掘られた溝に埋め込まれることによ
り、上下導通パッドの表面とシール領域内の絶縁膜の表
面とが同一平面上に形成されるように平坦化される。従
って、シール材中にギャップ材を混合して基板間ギャッ
プを制御する場合には、平坦なシール領域上で精度の高
い制御が可能となる。
【００３１】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール領域内に形成された前記上下導通パッドの表面
は、前記シール領域内の絶縁膜の表面に対して段差を設
けて形成されており、前記シール材中には、前記第１及
び第２基板間のギャップを制御するために、前記上下導
通パッドの領域及び前記絶縁膜の領域のギャップに各々
対応した径を持つギャップ材が混合されている。
記シール領域内に形成された前記上下導通パッドの表面
は、前記シール領域内の絶縁膜の表面に対して段差を設
けて形成されており、前記シール材中には、前記第１及
び第２基板間のギャップを制御するために、前記上下導
通パッドの領域及び前記絶縁膜の領域のギャップに各々
対応した径を持つギャップ材が混合されている。
【００３２】この態様によれば、上下導通パッドは、シ
ール領域内で平坦化されていないため、仮にシール材中
に径一定のギャップ材を混合した場合には、基板間ギャ
ップの制御を精度良く行うことが、上下導通パッドの凹
凸に応じて、非常に困難となる。更に、シール領域内で
相対的に凸となる領域において、局所的に当接するギャ
ップ材によって配線が断線又はショートする可能性が高
くなってしまう。しかるに、この態様によれば、シール
材中には、第１及び第２基板間のギャップを制御するた
めに、上下導通パッドの領域及び絶縁膜の領域のギャッ
プに各々対応した径を持つギャップ材が混合されてい
る。すなわち、上下導通パッドのシール領域内における
ギャップが小さい（即ち、上下導通パッドがシール領域
内で凸である）場合には、上下導通パッド上に配置され
るギャップ材の径は、上下導通パッド上に配置されない
ギャップ材の径と比較して、小さく設定される。他方、
上下導通パッドのシール領域内におけるギャップが大き
い（即ち、上下導通パッドがシール領域内で凹である）
場合には、上下導通パッド上に配置されるギャップ材の
径は、上下導通パッド上に配置されないギャップ材の径
と比較して、大きく設定される。従って、いずれの場合
にも、ギャップ材の径を変化させることで、ギャップが
一定でないシール領域上に配置されたギャップ材の頂点
の高さを揃えることが可能となり、シール材中のギャッ
プ材により基板間ギャップの制御を良好に行うことが可
能となる。しかも、シール領域内で相対的に凸となる領
域において、ギャップ材が局所的に当接することによっ
て配線が断線又はショートする可能性を低減できる。
ール領域内で平坦化されていないため、仮にシール材中
に径一定のギャップ材を混合した場合には、基板間ギャ
ップの制御を精度良く行うことが、上下導通パッドの凹
凸に応じて、非常に困難となる。更に、シール領域内で
相対的に凸となる領域において、局所的に当接するギャ
ップ材によって配線が断線又はショートする可能性が高
くなってしまう。しかるに、この態様によれば、シール
材中には、第１及び第２基板間のギャップを制御するた
めに、上下導通パッドの領域及び絶縁膜の領域のギャッ
プに各々対応した径を持つギャップ材が混合されてい
る。すなわち、上下導通パッドのシール領域内における
ギャップが小さい（即ち、上下導通パッドがシール領域
内で凸である）場合には、上下導通パッド上に配置され
るギャップ材の径は、上下導通パッド上に配置されない
ギャップ材の径と比較して、小さく設定される。他方、
上下導通パッドのシール領域内におけるギャップが大き
い（即ち、上下導通パッドがシール領域内で凹である）
場合には、上下導通パッド上に配置されるギャップ材の
径は、上下導通パッド上に配置されないギャップ材の径
と比較して、大きく設定される。従って、いずれの場合
にも、ギャップ材の径を変化させることで、ギャップが
一定でないシール領域上に配置されたギャップ材の頂点
の高さを揃えることが可能となり、シール材中のギャッ
プ材により基板間ギャップの制御を良好に行うことが可
能となる。しかも、シール領域内で相対的に凸となる領
域において、ギャップ材が局所的に当接することによっ
て配線が断線又はショートする可能性を低減できる。
【００３３】この態様では、前記シール領域のうち前記
上下導通パッドの領域及び前記絶縁膜の領域で前記ギャ
ップが変化する境界領域には、ギャップが大きい境界領
域にギャップの小さい領域に対応した小径のギャップ材
が混合されたシール材が配置されるように構成してもよ
い。
上下導通パッドの領域及び前記絶縁膜の領域で前記ギャ
ップが変化する境界領域には、ギャップが大きい境界領
域にギャップの小さい領域に対応した小径のギャップ材
が混合されたシール材が配置されるように構成してもよ
い。
【００３４】このように構成すれば、シール領域におけ
る基板間ギャップが変化する境界領域において、相対的
に基板間ギャップが広い側から狭い側に向けて、大径の
ギャップ材が入り込む可能性を低減できる。即ち、広ギ
ャップ用の大径のギャップ材が、狭ギャップ個所で局所
的に当接することによって配線が断線又はショートする
可能性を低減できる。他方、シール領域における基板間
ギャップが変化する境界領域において、相対的に基板間
ギャップが狭い側から広い側に向けて、小径のギャップ
材が入り込むことは殆ど又は実用上全く問題とはならな
い。
る基板間ギャップが変化する境界領域において、相対的
に基板間ギャップが広い側から狭い側に向けて、大径の
ギャップ材が入り込む可能性を低減できる。即ち、広ギ
ャップ用の大径のギャップ材が、狭ギャップ個所で局所
的に当接することによって配線が断線又はショートする
可能性を低減できる。他方、シール領域における基板間
ギャップが変化する境界領域において、相対的に基板間
ギャップが狭い側から広い側に向けて、小径のギャップ
材が入り込むことは殆ど又は実用上全く問題とはならな
い。
【００３５】本発明の電気光学装置の他の態様では、前
記シール材は、熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬化性樹
脂を含んでなる。
記シール材は、熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬化性樹
脂を含んでなる。
【００３６】この態様によれば、当該電気光学装置の製
造プロセスにおいて、熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬
化性樹脂を含んでなるシール材を、加熱により硬化させ
ることで、信頼性の高い両基板の貼り合わせが実現でき
る。因みに、本発明ではシール領域における第１基板側
には上下導通パッドが存在するため光照射は若干行い難
いので、仮に光硬化性樹脂からなるシール材を使用する
と、シール材を硬化させることは（可能では有るが）若
干困難である。従って、この態様の如く熱硬化性樹脂若
しくは熱及び光硬化性樹脂を含んでなるシール材を採用
することは有利である。
造プロセスにおいて、熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬
化性樹脂を含んでなるシール材を、加熱により硬化させ
ることで、信頼性の高い両基板の貼り合わせが実現でき
る。因みに、本発明ではシール領域における第１基板側
には上下導通パッドが存在するため光照射は若干行い難
いので、仮に光硬化性樹脂からなるシール材を使用する
と、シール材を硬化させることは（可能では有るが）若
干困難である。従って、この態様の如く熱硬化性樹脂若
しくは熱及び光硬化性樹脂を含んでなるシール材を採用
することは有利である。
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】また、本発明の投射型表示装置は上記課題
を解決するために、光源と、本発明の電気光学装置でな
るライトバルブと、前記光源から発生した光を前記ライ
トバルブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変
調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特
徴とする。
を解決するために、光源と、本発明の電気光学装置でな
るライトバルブと、前記光源から発生した光を前記ライ
トバルブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変
調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特
徴とする。
【００４９】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされる。
に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。
基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光
学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５１】（電気光学装置の全体構成）先ず、本発明
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図１から図３を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
の実施形態における電気光学装置の全体構成について、
図１から図３を参照して説明する。ここでは、電気光学
装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５２】図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。また、図
３は、図１に示した各種構成部材のうち、ＴＦＴアレイ
基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽出
して示す平面図である。
された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図で
あり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。また、図
３は、図１に示した各種構成部材のうち、ＴＦＴアレイ
基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽出
して示す平面図である。
【００５３】図１及び図２において、本実施形態に係る
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。
電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２
０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対
向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１
０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材
５２により相互に接着されている。
【００５４】本実施形態では特に、シール材５２は、先
ずシール材本来の機能として両基板を貼り合わせるため
に、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹
脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて
ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、加熱、加熱及
び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させられた
ものである。更に、シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板
１０上におけるシール領域に設けられた上下導通パッド
１０６と対向基板２０上に設けられた対向電極２１の縁
部に位置する上下導通部２１ａとの間に挟持されること
により、上下導通材としても機能する。即ち、シール材
５２により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間で電気的な導通をとることができる。
ずシール材本来の機能として両基板を貼り合わせるため
に、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹
脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて
ＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、加熱、加熱及
び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させられた
ものである。更に、シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板
１０上におけるシール領域に設けられた上下導通パッド
１０６と対向基板２０上に設けられた対向電極２１の縁
部に位置する上下導通部２１ａとの間に挟持されること
により、上下導通材としても機能する。即ち、シール材
５２により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との
間で電気的な導通をとることができる。
【００５５】このようなシール材５２中には、両基板間
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。そして、本実施形態では特に、ギャップ
材は、少なくとも上下導通パッド１０６と上下導通部２
１ａとの間に配置されて上下導通材として機能するシー
ル材５２の部分中においては、導電性微粒子からなる。
より具体的には、例えばニッケル金メッキが施されたビ
ーズ状或いはファイバー状のＳｉＯ２粒子からなる。こ
のようなシール材５２並びに上下導通パッド１０６の構
成及び作用効果については、後に図３から図５及び図７
から図１３を参照して詳述する。
の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラス
ファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合され
ている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェ
クタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに
適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレ
イや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置
であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含
まれてもよい。そして、本実施形態では特に、ギャップ
材は、少なくとも上下導通パッド１０６と上下導通部２
１ａとの間に配置されて上下導通材として機能するシー
ル材５２の部分中においては、導電性微粒子からなる。
より具体的には、例えばニッケル金メッキが施されたビ
ーズ状或いはファイバー状のＳｉＯ２粒子からなる。こ
のようなシール材５２並びに上下導通パッド１０６の構
成及び作用効果については、後に図３から図５及び図７
から図１３を参照して詳述する。
【００５６】図１及び図２において、シール材５２が配
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３はＴＦＴアレイ基板１０側に設
けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺
に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシ
ール領域の外側部分には、データ線駆動回路１０１及び
外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺
に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、こ
の一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴ
ＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０
ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐ
ための複数の配線１０５が設けられている。
置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１
０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設
けられている。額縁５３はＴＦＴアレイ基板１０側に設
けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺
に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシ
ール領域の外側部分には、データ線駆動回路１０１及び
外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺
に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、こ
の一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴ
ＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０
ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐ
ための複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。
は、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等
の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形
成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２
１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液
晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、
所定の配向状態をとる。
【００５８】本実施形態では、額縁５３下にあるＴＦＴ
アレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路３０１が
設けられている。サンプリング回路３０１は、画像信号
線上の画像信号をデータ線駆動回路１０１から供給され
るサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングして
データ線に供給するように構成されている。
アレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路３０１が
設けられている。サンプリング回路３０１は、画像信号
線上の画像信号をデータ線駆動回路１０１から供給され
るサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングして
データ線に供給するように構成されている。
【００５９】本実施形態では特に、図１及び図３に抜粋
して示すように、平面形状が対向基板２０に概ね等しい
矩形であるシール材５２の四辺のうち液晶注入口１０８
が形成された辺を除く三辺に対向するシール領域に、上
下導通パッド１０６が設けられており、伝統的な上下導
通パッドと比較して広い面積の上下導通パッドにより、
より信頼性の高い上下導通をとることができる。但し、
図４に示すように、上下導通パッド１０６’を液晶注入
口１０８が形成された辺の両側の二辺に設けてもよい
し、或いは、図５に示すように、上下導通パッド１０
６”を液晶注入口１０８が形成された辺に対向する一辺
に設けてもよい。
して示すように、平面形状が対向基板２０に概ね等しい
矩形であるシール材５２の四辺のうち液晶注入口１０８
が形成された辺を除く三辺に対向するシール領域に、上
下導通パッド１０６が設けられており、伝統的な上下導
通パッドと比較して広い面積の上下導通パッドにより、
より信頼性の高い上下導通をとることができる。但し、
図４に示すように、上下導通パッド１０６’を液晶注入
口１０８が形成された辺の両側の二辺に設けてもよい
し、或いは、図５に示すように、上下導通パッド１０
６”を液晶注入口１０８が形成された辺に対向する一辺
に設けてもよい。
【００６０】尚、このような上下導通パッドは、例えば
Ａｌ（アルミニウム）膜、Ｃｒ（クロム）等の低抵抗の
金属から形成されるが、上下導通材としてのシール材５
２と接触する面積が比較的広いため、Ａｌ膜よりも低抵
抗の金属或いは非金属の導電性材料から形成することも
可能である。
Ａｌ（アルミニウム）膜、Ｃｒ（クロム）等の低抵抗の
金属から形成されるが、上下導通材としてのシール材５
２と接触する面積が比較的広いため、Ａｌ膜よりも低抵
抗の金属或いは非金属の導電性材料から形成することも
可能である。
【００６１】（電気光学装置の回路構成及び動作）次に
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図６を参照して説明する。図６は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
と周辺回路とを示すブロック図である。
以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及
び動作について図６を参照して説明する。図６は、電気
光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成
された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路
と周辺回路とを示すブロック図である。
【００６２】図６において、本実施形態における電気光
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成さ
れた複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極
９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成
されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該
ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００６３】画像表示領域１０ａ外である周辺領域に
は、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリ
ング回路３０１の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
３０１のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路３０１のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路３０１によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。
は、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリ
ング回路３０１の例えばＴＦＴからなる各スイッチング
素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１
１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路
３０１のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆
動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線
１１４は、サンプリング回路３０１のＴＦＴのゲートに
接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１か
らサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリ
ング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリン
グ回路３０１によりサンプリングされて各データ線６ａ
に供給されるように構成されている。
【００６４】このようにデータ線６ａに書き込む画像信
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給して
も構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対
して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００６５】また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電
位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３
００が設けられている。
ゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定の
タイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、
Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この
順に線順次で印加するように構成されている。画素電極
９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されてお
り、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけ
そのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供
給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミ
ングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の
一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電
極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加され
る電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化するこ
とにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマ
リーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマ
リーブラックモードであれば、各画素の単位で印加され
た電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体
として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラス
トを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号が
リークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２
１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を
付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電
位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３
００が設けられている。
【００６６】尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これら
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サ
ンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。
のデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サ
ンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線６ａ
に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行
して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時
の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検
査回路等を形成してもよい。
【００６７】（シール材及び上下導通パッドの詳細）次
に、図１から図５に示した上下導通材としても機能する
シール材５２並びに上下導通パッド１０６の構成及び作
用効果について、図７から図９を参照して更に説明を加
える。ここに図７は、図２におけるＣ１部分を拡大して
示す部分断面図であり、図８は、図２におけるＣ２部分
を拡大して示す部分断面図であり、図９は、図１のＢ−
Ｂ’断面図である。
に、図１から図５に示した上下導通材としても機能する
シール材５２並びに上下導通パッド１０６の構成及び作
用効果について、図７から図９を参照して更に説明を加
える。ここに図７は、図２におけるＣ１部分を拡大して
示す部分断面図であり、図８は、図２におけるＣ２部分
を拡大して示す部分断面図であり、図９は、図１のＢ−
Ｂ’断面図である。
【００６８】図７において、後述の如く画素部に形成さ
れる走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ等を層間絶縁す
る下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁
膜、第３層間絶縁膜４３及び第４層間絶縁膜４４は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０上に積層形成されており、第４層間
絶縁膜４４上には、画素電極９ａ及び配向膜１６が形成
されている。また第１層間絶縁膜４１上にサンプリング
回路３０１（図６参照）が形成され、第２層間絶縁膜４
２と第３層間絶縁膜４３との間には、データ線６ａと同
一膜（例えば、Ａｌ膜）からなる引き出し配線１１６
（図３参照）が形成されサンプリング回路３０１に接続
される。他方、対向基板２０上には、額縁５３及び対向
電極２１が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板
１０の最上層たる配向膜１６と対向基板２０の最下層た
る配向膜２２との間には、ギャップ材２０１が樹脂２０
０中に混合されてなるシール材５２が配置されている。
れる走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ等を層間絶縁す
る下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁
膜、第３層間絶縁膜４３及び第４層間絶縁膜４４は、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０上に積層形成されており、第４層間
絶縁膜４４上には、画素電極９ａ及び配向膜１６が形成
されている。また第１層間絶縁膜４１上にサンプリング
回路３０１（図６参照）が形成され、第２層間絶縁膜４
２と第３層間絶縁膜４３との間には、データ線６ａと同
一膜（例えば、Ａｌ膜）からなる引き出し配線１１６
（図３参照）が形成されサンプリング回路３０１に接続
される。他方、対向基板２０上には、額縁５３及び対向
電極２１が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板
１０の最上層たる配向膜１６と対向基板２０の最下層た
る配向膜２２との間には、ギャップ材２０１が樹脂２０
０中に混合されてなるシール材５２が配置されている。
【００６９】これに対し図８において、ＴＦＴアレイ基
板１０の最上層たる上下導通パッド１０６と対向基板２
０の最下層たる対向電極２１の縁部からなる上下導通部
２１ａとの間には、ギャップ材２０２が樹脂２００中に
混合されてなるシール材５２が配置されている。ここ
で、図７で示したシール領域の場合と異なり、図８に示
したシール領域の場合には、ギャップ材２０２が導電性
を有し、シール材５２が上下導通材としても機能してい
る。
板１０の最上層たる上下導通パッド１０６と対向基板２
０の最下層たる対向電極２１の縁部からなる上下導通部
２１ａとの間には、ギャップ材２０２が樹脂２００中に
混合されてなるシール材５２が配置されている。ここ
で、図７で示したシール領域の場合と異なり、図８に示
したシール領域の場合には、ギャップ材２０２が導電性
を有し、シール材５２が上下導通材としても機能してい
る。
【００７０】他方、図７の場合には、ギャップ材２０１
に導電性を持たせないことにより、ギャップ材２０１が
その下方に積層形成されている引き出し配線１１６まで
層間絶縁膜４４及び４３を突き抜けたとしても、これに
より引き出し配線１１６等が断線したりショートしたり
する可能性を低減できる。
に導電性を持たせないことにより、ギャップ材２０１が
その下方に積層形成されている引き出し配線１１６まで
層間絶縁膜４４及び４３を突き抜けたとしても、これに
より引き出し配線１１６等が断線したりショートしたり
する可能性を低減できる。
【００７１】図９に示すように、上下導通パッド１０６
は、ＴＦＴアレイ基板１０上の一又は複数の個所で、対
向電極２１に対し固定の又は所定周期で反転する対向電
極電位信号を供給するための対向電極信号配線１１７
（例えば、引き出し配線１１６の場合と同様に、低抵抗
のＡｌ膜等からなる配線）に、コンタクトホール１１８
を介して接続されている。そして好ましくは、上下導通
パッド１０６は、図９に示したように、第４層間絶縁膜
４４と共に平坦化されている。このような平坦化処理に
ついては、後に製造プロセスのところで更に説明する。
は、ＴＦＴアレイ基板１０上の一又は複数の個所で、対
向電極２１に対し固定の又は所定周期で反転する対向電
極電位信号を供給するための対向電極信号配線１１７
（例えば、引き出し配線１１６の場合と同様に、低抵抗
のＡｌ膜等からなる配線）に、コンタクトホール１１８
を介して接続されている。そして好ましくは、上下導通
パッド１０６は、図９に示したように、第４層間絶縁膜
４４と共に平坦化されている。このような平坦化処理に
ついては、後に製造プロセスのところで更に説明する。
【００７２】図７から図９に示したように、本実施形態
では、シール領域において両基板を相接着するシール材
５２のうち、導電性のギャップ材２０２を含むことで導
電性材料からなる部分が、上下導通パッド１０６及び上
下導通部２１ａ間に配置されて、これらの間における上
下導通材として機能する。従って、シール領域中に上下
導通領域を含めることができる分だけ、ＴＦＴアレイ基
板１０を小型化でき、或いはＴＦＴアレイ基板に対して
画像表示領域を大型化できる。逆に、上下導通領域をシ
ール領域とは別に用意する必要がない分だけ、シール領
域を大きく確保できる。このため、非常に信頼性高く両
基板を貼り合わせられる。更に、シール材５２の少なく
とも一部を上下導通材としても機能させることにより、
装置構成及びその製造プロセスの簡略化を図れる。
では、シール領域において両基板を相接着するシール材
５２のうち、導電性のギャップ材２０２を含むことで導
電性材料からなる部分が、上下導通パッド１０６及び上
下導通部２１ａ間に配置されて、これらの間における上
下導通材として機能する。従って、シール領域中に上下
導通領域を含めることができる分だけ、ＴＦＴアレイ基
板１０を小型化でき、或いはＴＦＴアレイ基板に対して
画像表示領域を大型化できる。逆に、上下導通領域をシ
ール領域とは別に用意する必要がない分だけ、シール領
域を大きく確保できる。このため、非常に信頼性高く両
基板を貼り合わせられる。更に、シール材５２の少なく
とも一部を上下導通材としても機能させることにより、
装置構成及びその製造プロセスの簡略化を図れる。
【００７３】次に、上述した実施形態の各種変形形態に
ついて図１０から図１３を参照して説明する。ここに、
図１０は、上述した実施形態におけるシール領域のうち
上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形
成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の
様子を示した図式的断面図であり、図１１から図１３は
夫々、変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッ
ドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていな
い領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した
図式的断面図である。
ついて図１０から図１３を参照して説明する。ここに、
図１０は、上述した実施形態におけるシール領域のうち
上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形
成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の
様子を示した図式的断面図であり、図１１から図１３は
夫々、変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッ
ドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていな
い領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した
図式的断面図である。
【００７４】先ず図１０に示すように、上述した実施形
態の場合には、境界領域を挟んで、上下導通パッド１０
６が形成された側では、樹脂２００中に導電性のギャッ
プ材２０２が混合されることにより、シール材５２が導
電性とされており、上下導通パッド１０６が形成されて
いない側では、樹脂２００中に電気絶縁性のギャップ材
２０１が混合されることにより、シール材５２が電気絶
縁性とされている。そして、上下導通パッド１０６は、
平坦化されており、これらのギャップ材２０１及び２０
２の径は実質的に同一とされている。これらの結果、上
述した実施形態によれば、シール材５２に、シール材本
来の機能に加えて上下導通材としての機能も与えること
ができ、同時に基板間ギャップの制御を精度良く行え
る。
態の場合には、境界領域を挟んで、上下導通パッド１０
６が形成された側では、樹脂２００中に導電性のギャッ
プ材２０２が混合されることにより、シール材５２が導
電性とされており、上下導通パッド１０６が形成されて
いない側では、樹脂２００中に電気絶縁性のギャップ材
２０１が混合されることにより、シール材５２が電気絶
縁性とされている。そして、上下導通パッド１０６は、
平坦化されており、これらのギャップ材２０１及び２０
２の径は実質的に同一とされている。これらの結果、上
述した実施形態によれば、シール材５２に、シール材本
来の機能に加えて上下導通材としての機能も与えること
ができ、同時に基板間ギャップの制御を精度良く行え
る。
【００７５】図１１に示した変形形態の場合には、境界
領域を挟んで、上下導通パッド１０６が形成された側で
は、樹脂２００中に導電性のギャップ材２０２が混合さ
れることに加えて、導電性の銀粉２０３が混合されてい
る。これらにより、シール材５２に対し、より良好な導
電性を与えることができる。その他の構成については図
１から図９に示した実施形態と同様である。
領域を挟んで、上下導通パッド１０６が形成された側で
は、樹脂２００中に導電性のギャップ材２０２が混合さ
れることに加えて、導電性の銀粉２０３が混合されてい
る。これらにより、シール材５２に対し、より良好な導
電性を与えることができる。その他の構成については図
１から図９に示した実施形態と同様である。
【００７６】図１２に示した変形形態の場合には、上下
導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領
域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上
下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも高く
されている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境
界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６上だけで
ギャップ材が機能する結果となるので、ギャップ制御が
不正確になってしまう。しかるに、図１２に示した変形
形態の場合には、相対的に高くなっている上下導通パッ
ド１０６上には、小径であり且つ導電性のギャップ材２
０２Ｓが混合され、相対的に低くなっている上下導通パ
ッド１０６がないシール領域には、大径であり且つ電気
絶縁性のギャップ材２０１Ｌが混合されている。そして
好ましくは、小径のギャップ材２０２Ｓの径Ｄ１を、大
径のギャップ材２０１Ｌの径Ｄ２よりも、上下導通パッ
ド１０６の高さｈ１の分だけ小さく設定する（即ち、Ｄ
１＝Ｄ２−ｈ１に設定する）。これらの結果、図１２に
示した変形形態によれば、上下導通パッド１０６に対し
平坦化処理を施さなくても、基板間ギャップの制御を精
度良く行える。その他の構成については図１から図９に
示した実施形態と同様である。
導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領
域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上
下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも高く
されている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境
界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６上だけで
ギャップ材が機能する結果となるので、ギャップ制御が
不正確になってしまう。しかるに、図１２に示した変形
形態の場合には、相対的に高くなっている上下導通パッ
ド１０６上には、小径であり且つ導電性のギャップ材２
０２Ｓが混合され、相対的に低くなっている上下導通パ
ッド１０６がないシール領域には、大径であり且つ電気
絶縁性のギャップ材２０１Ｌが混合されている。そして
好ましくは、小径のギャップ材２０２Ｓの径Ｄ１を、大
径のギャップ材２０１Ｌの径Ｄ２よりも、上下導通パッ
ド１０６の高さｈ１の分だけ小さく設定する（即ち、Ｄ
１＝Ｄ２−ｈ１に設定する）。これらの結果、図１２に
示した変形形態によれば、上下導通パッド１０６に対し
平坦化処理を施さなくても、基板間ギャップの制御を精
度良く行える。その他の構成については図１から図９に
示した実施形態と同様である。
【００７７】図１３に示した変形形態の場合には、上下
導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領
域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上
下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも低く
されている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境
界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６が形成さ
れていない領域だけでギャップ材が機能する結果となる
ので、ギャップ制御の信頼性が低下してしまう。しかる
に、図１３に示した変形形態の場合には、相対的に低く
なっている上下導通パッド１０６上には、大径であり且
つ導電性のギャップ材２０２Ｌが混合され、相対的に高
くなっている上下導通パッド１０６が形成されていない
シール領域には、小径であり且つ電気絶縁性のギャップ
材２０１Ｓが混合されている。そして好ましくは、大径
のギャップ材２０２Ｌの径Ｄ３を、小径のギャップ材２
０１Ｓの径Ｄ４よりも、上下導通パッド１０６の高さｈ
２の分だけ大きく設定する（即ち、Ｄ３＝Ｄ４＋ｈ２に
設定する）。これらの結果、図１３に示した変形形態に
よれば、上下導通パッド１０６に対し平坦化処理を施さ
なくても、基板間ギャップの制御を精度良く行える。更
に図１３に示した変形形態では、基板間ギャップが変化
する境界領域には、小径のギャップ材２０１Ｓが混合さ
れたシール材５２が配置されるように構成されており、
図１３でも、基板間ギャップが広い上下導通パッド１０
６上に、電気絶縁性の小径のギャップ材２０１Ｓが入り
込んでいる。このように構成すれば、基板間ギャップが
変化する境界領域において、大径のギャップ材２０２Ｌ
が、基板間ギャップが狭い側に入り込む可能性を低減で
きる。即ち、大径のギャップ材２０２Ｌが、狭ギャップ
個所で局所的に当接することによって、その下の配線が
断線又はショートする可能性を低減できる。その他の構
成については図１から図９に示した実施形態と同様であ
る。
導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領
域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上
下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも低く
されている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境
界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６が形成さ
れていない領域だけでギャップ材が機能する結果となる
ので、ギャップ制御の信頼性が低下してしまう。しかる
に、図１３に示した変形形態の場合には、相対的に低く
なっている上下導通パッド１０６上には、大径であり且
つ導電性のギャップ材２０２Ｌが混合され、相対的に高
くなっている上下導通パッド１０６が形成されていない
シール領域には、小径であり且つ電気絶縁性のギャップ
材２０１Ｓが混合されている。そして好ましくは、大径
のギャップ材２０２Ｌの径Ｄ３を、小径のギャップ材２
０１Ｓの径Ｄ４よりも、上下導通パッド１０６の高さｈ
２の分だけ大きく設定する（即ち、Ｄ３＝Ｄ４＋ｈ２に
設定する）。これらの結果、図１３に示した変形形態に
よれば、上下導通パッド１０６に対し平坦化処理を施さ
なくても、基板間ギャップの制御を精度良く行える。更
に図１３に示した変形形態では、基板間ギャップが変化
する境界領域には、小径のギャップ材２０１Ｓが混合さ
れたシール材５２が配置されるように構成されており、
図１３でも、基板間ギャップが広い上下導通パッド１０
６上に、電気絶縁性の小径のギャップ材２０１Ｓが入り
込んでいる。このように構成すれば、基板間ギャップが
変化する境界領域において、大径のギャップ材２０２Ｌ
が、基板間ギャップが狭い側に入り込む可能性を低減で
きる。即ち、大径のギャップ材２０２Ｌが、狭ギャップ
個所で局所的に当接することによって、その下の配線が
断線又はショートする可能性を低減できる。その他の構
成については図１から図９に示した実施形態と同様であ
る。
【００７８】尚、図１０から図１３に示したように、シ
ール材５２を境界付近で変えることなく、シール材５２
をシール領域の全てに渡って同一材料（即ち、同一の導
電性のギャップ材、同一の樹脂或いは同一の導電性樹脂
等）から形成してもよい。このように構成すれば、シー
ル材５２全体を上下導通材としても機能させることによ
り、装置構成及びその製造プロセスを簡略化できる。
ール材５２を境界付近で変えることなく、シール材５２
をシール領域の全てに渡って同一材料（即ち、同一の導
電性のギャップ材、同一の樹脂或いは同一の導電性樹脂
等）から形成してもよい。このように構成すれば、シー
ル材５２全体を上下導通材としても機能させることによ
り、装置構成及びその製造プロセスを簡略化できる。
【００７９】（電気光学装置の画像表示領域における構
成）次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示
領域における構成について、図１４及び図１５を参照し
て説明する。図１４は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素
群の平面図である。図１５は、図１４のＡ−Ａ’断面図
である。尚、図１４においては、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならしめてある。
成）次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示
領域における構成について、図１４及び図１５を参照し
て説明する。図１４は、データ線、走査線、画素電極等
が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素
群の平面図である。図１５は、図１４のＡ−Ａ’断面図
である。尚、図１４においては、各層や各部材を図面上
で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎
に縮尺を異ならしめてある。
【００８０】図１４において、電気光学装置のＴＦＴア
レイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極
９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設け
られており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデ
ータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
レイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極
９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設け
られており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデ
ータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００８１】また、半導体層１ａのうち図中右上がりの
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。
斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように
走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極
として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａ
は、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成され
ている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの
交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３
ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング
用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８２】図１４及び図１５に示すように、蓄積容量
７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画
素電極９ａ）に接続された画素電位側容量電極としての
中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３０
０の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されるこ
とにより形成されている。
７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画
素電極９ａ）に接続された画素電位側容量電極としての
中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３０
０の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されるこ
とにより形成されている。
【００８３】容量線３００は平面的に見て、走査線３ａ
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図１４中上下に突出している。このような容量
線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポ
リシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度
の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜
とが積層された多層構造を持つように構成される。この
ように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積
容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦ
Ｔ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する
遮光層としての機能を持つ。
に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重な
る個所が図１４中上下に突出している。このような容量
線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポ
リシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度
の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜
とが積層された多層構造を持つように構成される。この
ように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積
容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦ
Ｔ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する
遮光層としての機能を持つ。
【００８４】他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴ
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したも
の等からなる。
ＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設け
られている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタ
ン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タ
ンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点
金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、
金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したも
の等からなる。
【００８５】そして、図１４中縦方向に夫々伸びるデー
タ線６ａと図１４中横方向に夫々伸びる容量線３００と
が相交差して形成されること及び格子状に形成された下
側遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定してい
る。
タ線６ａと図１４中横方向に夫々伸びる容量線３００と
が相交差して形成されること及び格子状に形成された下
側遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定してい
る。
【００８６】図１４及び図１５に示すように、データ線
６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシ
リコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域
１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７
１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び
２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度
ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシ
リコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域
１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７
１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び
２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度
ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００８７】また容量線３００は、画素電極９ａが配置
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような
定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信
号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路や画像
信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御
するデータ線駆動回路（図１、図３及び図６参照）に供
給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基
板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わな
い。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１
１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪
影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様
に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接
続するとよい。
された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源
と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような
定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信
号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路や画像
信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御
するデータ線駆動回路（図１、図３及び図６参照）に供
給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基
板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わな
い。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１
１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪
影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様
に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接
続するとよい。
【００８８】画素電極９ａは、中継層７１を中継するこ
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。
とにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導
体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続
されている。
【００８９】図１４及び図１５において、電気光学装置
は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透
明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１
０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。
は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透
明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１
０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板から
なり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板か
らなる。
【００９０】図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１
０には、画素電極９ａが設けられており、その上側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ
膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例え
ば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
０には、画素電極９ａが設けられており、その上側に
は、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜
１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ
膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例え
ば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００９１】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド
膜などの有機膜からなる。
【００９２】対向基板２０には、格子状又はストライプ
状の遮光膜（額縁５３と同じ或いは異なる遮光膜）を設
けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、
前述の如く遮光領域を構成する容量線３００及びデータ
線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向
基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度
ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入する
のを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基
板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面
を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温
度上昇を防ぐ働きをする。
状の遮光膜（額縁５３と同じ或いは異なる遮光膜）を設
けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、
前述の如く遮光領域を構成する容量線３００及びデータ
線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向
基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度
ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入する
のを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基
板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面
を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温
度上昇を防ぐ働きをする。
【００９３】このように構成された、画素電極９ａと対
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１から図５参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ
基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図
１から図５参照）により囲まれた空間に電気光学物質の
一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００９４】更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。
には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１
２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する
機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されるこ
とにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時におけ
る荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用の
ＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。
【００９５】図１５において、画素スイッチング用のＴ
ＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有
しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によ
りチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。
ＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有
しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によ
りチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域
１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃
度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備え
ている。
【００９６】走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄ
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。
へ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域
１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第
１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００９７】第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。
容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃
度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中
継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔され
た第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９８】第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。
形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じる
コンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間
絶縁膜４３が形成されている。
【００９９】第３層間絶縁膜４３上には、シール領域に
上下導通パッド１０６を作り込むための第４層間絶縁膜
４４が形成されており、画素電極９ａは、このように構
成された第４層間絶縁膜４４の上面に設けられている。
上下導通パッド１０６を作り込むための第４層間絶縁膜
４４が形成されており、画素電極９ａは、このように構
成された第４層間絶縁膜４４の上面に設けられている。
【０１００】本実施形態では、第３層間絶縁膜４３及び
第４層間絶縁膜４４のうち少なくとも一方の表面は、Ｃ
ＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研
磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在す
る各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０にお
ける液晶の配向不良を低減する。
第４層間絶縁膜４４のうち少なくとも一方の表面は、Ｃ
ＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研
磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在す
る各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０にお
ける液晶の配向不良を低減する。
【０１０１】以上説明した実施形態では、図１５に示し
たように多数の導電層を積層することにより、画素電極
９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）にお
けるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生
じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化すること
で緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴ
アレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４
１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝
を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め
込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨すること
により、或いは有機ＳＯＧ（Spin On Glass）を用いて
平らに形成することにより、当該平坦化処理を行っても
よい。
たように多数の導電層を積層することにより、画素電極
９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）にお
けるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生
じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化すること
で緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴ
アレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４
１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝
を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め
込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間
絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨すること
により、或いは有機ＳＯＧ（Spin On Glass）を用いて
平らに形成することにより、当該平坦化処理を行っても
よい。
【０１０２】尚、以上説明した実施形態では、画素スイ
ッチング用のＴＦＴ３０は、好ましくは図１５に示した
ようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わない
オフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部から
なるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本
実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲー
ト電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以
上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイ
ン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電
流を低減することができる。
ッチング用のＴＦＴ３０は、好ましくは図１５に示した
ようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び
低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わない
オフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部から
なるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込
み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成
するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本
実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲー
ト電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域
１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造とした
が、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよ
い。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以
上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイ
ン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電
流を低減することができる。
【０１０３】この画素スイッチング用のＴＦＴ３０と同
一工程により、図３におけるデータ線駆動回路１０１、
サンプリング回路３０１や走査線駆動回路１０４を構成
するＴＦＴを形成することができる。
一工程により、図３におけるデータ線駆動回路１０１、
サンプリング回路３０１や走査線駆動回路１０４を構成
するＴＦＴを形成することができる。
【０１０４】（製造プロセス）次に図１６を参照して、
上述した電気光学装置を製造する製造プロセスのうち、
上下導通パッドの形成工程及びシール材による貼り合わ
せ工程を中心として説明を加える。ここに図１６は、図
９と同じく図１のＢ−Ｂ’断面に対応する個所の各工程
における断面構造を順次示す工程図である。
上述した電気光学装置を製造する製造プロセスのうち、
上下導通パッドの形成工程及びシール材による貼り合わ
せ工程を中心として説明を加える。ここに図１６は、図
９と同じく図１のＢ−Ｂ’断面に対応する個所の各工程
における断面構造を順次示す工程図である。
【０１０５】先ず図１６の工程（１）では、ＴＦＴアレ
イ基板１０上に、画像表示領域内で図１４及び図１５に
示した如き下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３
ａ、容量線３００、データ線６ａ等を順次積層形成する
のに並行して、これらと同一の導電膜を利用して或いは
専用の導電膜から、シール領域におけるＴＦＴアレイ基
板１０上に、対向電極信号配線１１７を形成する。より
具体的には、ここでは、データ線６ａと同一膜（即ち、
例えばＡｌ膜）から対向電極信号配線１１７を形成する
ものとする（この際、図７に示したシール領域下の引き
出し配線１１６も同時に形成可能である）。このような
対向電極信号配線１１７（並びにデータ線６ａ及び引き
出し配線１１６）の形成は例えば、スパッタリングによ
り第２層間絶縁膜４２の全面にＡｌ膜を形成後、フォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理によりパターニン
グすることで行えばよい。他方、第２層間絶縁膜４２や
第３層間絶縁膜４３を含む各層間絶縁膜については、例
えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ
・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ
・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メ
チル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス
膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から形成すれば
よい。
イ基板１０上に、画像表示領域内で図１４及び図１５に
示した如き下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３
ａ、容量線３００、データ線６ａ等を順次積層形成する
のに並行して、これらと同一の導電膜を利用して或いは
専用の導電膜から、シール領域におけるＴＦＴアレイ基
板１０上に、対向電極信号配線１１７を形成する。より
具体的には、ここでは、データ線６ａと同一膜（即ち、
例えばＡｌ膜）から対向電極信号配線１１７を形成する
ものとする（この際、図７に示したシール領域下の引き
出し配線１１６も同時に形成可能である）。このような
対向電極信号配線１１７（並びにデータ線６ａ及び引き
出し配線１１６）の形成は例えば、スパッタリングによ
り第２層間絶縁膜４２の全面にＡｌ膜を形成後、フォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理によりパターニン
グすることで行えばよい。他方、第２層間絶縁膜４２や
第３層間絶縁膜４３を含む各層間絶縁膜については、例
えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ
・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ
・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メ
チル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス
膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から形成すれば
よい。
【０１０６】次に工程（２）では、第３層間絶縁膜４３
に対向電極信号配線１１７と上下導通パッド１０６とを
電気的に接続するためのコンタクトホール１１８を、ド
ライエッチング又はウエットエッチング若しくはこれら
の組み合わせにより開孔する。その後、第３層間絶縁膜
４３の全面にＡｌ膜等を形成後、フォトリソグラフィ処
理及びエッチング処理によりパターニングすることで、
上下導通パッド１０６を形成する。
に対向電極信号配線１１７と上下導通パッド１０６とを
電気的に接続するためのコンタクトホール１１８を、ド
ライエッチング又はウエットエッチング若しくはこれら
の組み合わせにより開孔する。その後、第３層間絶縁膜
４３の全面にＡｌ膜等を形成後、フォトリソグラフィ処
理及びエッチング処理によりパターニングすることで、
上下導通パッド１０６を形成する。
【０１０７】次に工程（３）では、上下導通パッド１０
６を含めた第３層間絶縁膜４３の全面に、第２層間絶縁
膜４２や第３層間絶縁膜４３と同じく、例えば常圧又は
減圧ＣＶＤ法等によりＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等から第４層間絶縁膜４４の元となる絶縁膜を
形成する。特にこの絶縁膜の膜厚は、上下導通パッド１
０６よりも厚く設定される。
６を含めた第３層間絶縁膜４３の全面に、第２層間絶縁
膜４２や第３層間絶縁膜４３と同じく、例えば常圧又は
減圧ＣＶＤ法等によりＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳ
Ｇなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等から第４層間絶縁膜４４の元となる絶縁膜を
形成する。特にこの絶縁膜の膜厚は、上下導通パッド１
０６よりも厚く設定される。
【０１０８】次に工程（４）では、上記工程（３）で形
成した絶縁膜をＣＭＰ処理により研磨して、上下導通パ
ッド１０６を露出させることにより、上下導通パッド１
０６を含めたシール領域の平坦化を行う。より具体的に
は、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上
に、シリカ粒を含んだ液状のスリラー（化学研磨液）を
流しつつ、スピンドルに固定した基板表面を、回転接触
させることにより、絶縁膜の表面を研磨する。そして、
上下導通パッド１０６が露出した時点で当該ＣＭＰ処理
を停止する。例えば、時間管理によりＣＭＰ処理をスト
ップ（停止）する。或いは、例えば上下導通パッド１０
６と同様の積層構造を有する適当なストッパ層をＴＦＴ
アレイ基板１０上の所定位置に形成しておくことにより
ＣＭＰ処理をストップ（停止）する。尚、ストッパ層の
表面の検出は、例えばストッパ層が露出した際の摩擦係
数の変化を検出する摩擦検出式、ストッパ層が露出した
際に発生する振動を検出する振動検出式、ストッパ層が
露出した際の反射光量の変化を検出する光学式により行
えばよい。
成した絶縁膜をＣＭＰ処理により研磨して、上下導通パ
ッド１０６を露出させることにより、上下導通パッド１
０６を含めたシール領域の平坦化を行う。より具体的に
は、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上
に、シリカ粒を含んだ液状のスリラー（化学研磨液）を
流しつつ、スピンドルに固定した基板表面を、回転接触
させることにより、絶縁膜の表面を研磨する。そして、
上下導通パッド１０６が露出した時点で当該ＣＭＰ処理
を停止する。例えば、時間管理によりＣＭＰ処理をスト
ップ（停止）する。或いは、例えば上下導通パッド１０
６と同様の積層構造を有する適当なストッパ層をＴＦＴ
アレイ基板１０上の所定位置に形成しておくことにより
ＣＭＰ処理をストップ（停止）する。尚、ストッパ層の
表面の検出は、例えばストッパ層が露出した際の摩擦係
数の変化を検出する摩擦検出式、ストッパ層が露出した
際に発生する振動を検出する振動検出式、ストッパ層が
露出した際の反射光量の変化を検出する光学式により行
えばよい。
【０１０９】次に工程（５）では、ＴＦＴアレイ基板１
０については、その画像表示領域に図１４及び図１５に
示した如き画素電極９ａ及び配向膜１６が形成される。
他方、対向基板２０については、遮光膜５３、対向電極
２１、配向膜２２が順次積層形成される。
０については、その画像表示領域に図１４及び図１５に
示した如き画素電極９ａ及び配向膜１６が形成される。
他方、対向基板２０については、遮光膜５３、対向電極
２１、配向膜２２が順次積層形成される。
【０１１０】そして、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及
び２２が対面するようにシール材（図１から図５参照）
により貼り合わされる。この貼り合わせ直前に、どちら
かの基板上にディスペンサにより、硬化前のシール材５
２（即ち、ギャップ材２０１又はギャップ材２０２を含
む硬化前の樹脂２００）で上下導通パッドを含むシール
領域を描いておく。
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及
び２２が対面するようにシール材（図１から図５参照）
により貼り合わされる。この貼り合わせ直前に、どちら
かの基板上にディスペンサにより、硬化前のシール材５
２（即ち、ギャップ材２０１又はギャップ材２０２を含
む硬化前の樹脂２００）で上下導通パッドを含むシール
領域を描いておく。
【０１１１】この際特に、電気絶縁性のギャップ材２０
１を含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサ
と、導電性のギャップ材２０２を含む硬化前の樹脂２０
０を出力するディスペンサとを別々に用意しておき、前
者により上下導通パッド１０６を除くシール領域を描
き、後者により上下導通パッド１０６を含むシール領域
を描くようにすれば、シール材５２のうち上下導通材と
して機能すべき部分のみに導電性を持たせる構成（図７
から図１３参照）が比較的簡単に得られる。
１を含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサ
と、導電性のギャップ材２０２を含む硬化前の樹脂２０
０を出力するディスペンサとを別々に用意しておき、前
者により上下導通パッド１０６を除くシール領域を描
き、後者により上下導通パッド１０６を含むシール領域
を描くようにすれば、シール材５２のうち上下導通材と
して機能すべき部分のみに導電性を持たせる構成（図７
から図１３参照）が比較的簡単に得られる。
【０１１２】更に、小径のギャップ材２０１Ｓ又は２０
２Ｓを含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサ
と、大径のギャップ材２０１Ｌ又は２０２Ｌを含む硬化
前の樹脂２００を出力するディスペンサとを別々に用意
しておき、前者によりシール領域のうち基板間ギャップ
が狭い領域を描き、後者によりシール領域のうち基板間
ギャップが広い領域を描くようにすれば、上下導通パッ
ド１０６の存在により、シール領域に段差がある場合に
も、基板間ギャップを精度良く行える構成（図１２及び
図１３参照）が比較的簡単に得られる。
２Ｓを含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサ
と、大径のギャップ材２０１Ｌ又は２０２Ｌを含む硬化
前の樹脂２００を出力するディスペンサとを別々に用意
しておき、前者によりシール領域のうち基板間ギャップ
が狭い領域を描き、後者によりシール領域のうち基板間
ギャップが広い領域を描くようにすれば、上下導通パッ
ド１０６の存在により、シール領域に段差がある場合に
も、基板間ギャップを精度良く行える構成（図１２及び
図１３参照）が比較的簡単に得られる。
【０１１３】続いて、シール材５２で両基板を貼り合わ
せた状態で、（熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬化性樹
脂からなる樹脂２００を含んでなる）シール材５２を、
熱照射或いは光照射により硬化させる。本実施形態で
は、上下導通パッド１０６が存在するためＴＦＴアレイ
基板１０側から光照射は行い難いため、シール材５２と
して光硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂等を利用する
と、対向基板２０側から光照射を行う必要がある。この
ため、熱硬化性若しくは熱及び光硬化性樹脂からなるシ
ール材５２を用いる方が、上下導通パッド５２の存在に
よらずに、シール材５２を良好に硬化させることができ
観点から有利である（但し、画像表示領域をマスクして
光照射することにより、光照射による電気光学物質等の
劣化を避けつつ、片側からの十分な光照射により、光硬
化性樹脂を硬化させることは可能である）。
せた状態で、（熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬化性樹
脂からなる樹脂２００を含んでなる）シール材５２を、
熱照射或いは光照射により硬化させる。本実施形態で
は、上下導通パッド１０６が存在するためＴＦＴアレイ
基板１０側から光照射は行い難いため、シール材５２と
して光硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂等を利用する
と、対向基板２０側から光照射を行う必要がある。この
ため、熱硬化性若しくは熱及び光硬化性樹脂からなるシ
ール材５２を用いる方が、上下導通パッド５２の存在に
よらずに、シール材５２を良好に硬化させることができ
観点から有利である（但し、画像表示領域をマスクして
光照射することにより、光照射による電気光学物質等の
劣化を避けつつ、片側からの十分な光照射により、光硬
化性樹脂を硬化させることは可能である）。
【０１１４】続いて、液晶注入口１０８（図１等参照）
を介しての真空吸引等により、両基板間の空間に、例え
ば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸
引されて、所定層厚の液晶層が形成される。
を介しての真空吸引等により、両基板間の空間に、例え
ば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸
引されて、所定層厚の液晶層が形成される。
【０１１５】以上説明した本発明の製造プロセスによれ
ば、上述した本発明による電気光学装置を比較的容易に
製造できる。この際特に、図１６の工程（５）におい
て、上下導通パッド１０６が形成されたＴＦＴアレイ基
板１０と、上下導通部２１ａを有する対向電極２１が形
成された対向基板２０とを、シール材５２により相接着
するのと同時に、シール材５２のうち導電性材料からな
る部分から、上下導通パッド１０６及び上下導通部２１
ａを上下導通する上下導通材を形成できる。しかも、図
１６の工程（４）において、シール領域の平坦化を行う
ので、シール材５２中に混合されたギャップ材２０１及
び２０２により基板間ギャップを精度良く制御できる。
ば、上述した本発明による電気光学装置を比較的容易に
製造できる。この際特に、図１６の工程（５）におい
て、上下導通パッド１０６が形成されたＴＦＴアレイ基
板１０と、上下導通部２１ａを有する対向電極２１が形
成された対向基板２０とを、シール材５２により相接着
するのと同時に、シール材５２のうち導電性材料からな
る部分から、上下導通パッド１０６及び上下導通部２１
ａを上下導通する上下導通材を形成できる。しかも、図
１６の工程（４）において、シール領域の平坦化を行う
ので、シール材５２中に混合されたギャップ材２０１及
び２０２により基板間ギャップを精度良く制御できる。
【０１１６】尚、シール領域の平坦化は、上述したＣＭ
Ｐ処理に代えて又は加えて、上下導通パッド１０６を、
ＴＦＴアレイ基板１０或いは第１から第３層間絶縁膜の
いずれかに掘った溝内に埋め込むことにより、行っても
よい。
Ｐ処理に代えて又は加えて、上下導通パッド１０６を、
ＴＦＴアレイ基板１０或いは第１から第３層間絶縁膜の
いずれかに掘った溝内に埋め込むことにより、行っても
よい。
【０１１７】尚、図３から図５に示した各種形態におけ
る上下導通パッドは、図１６の工程（２）におけるパタ
ーニングに若干の変更を加えるだけで形成できるので
（即ち他の工程に変更を加えなくても形成できるの
で）、便利である。
る上下導通パッドは、図１６の工程（２）におけるパタ
ーニングに若干の変更を加えるだけで形成できるので
（即ち他の工程に変更を加えなくても形成できるの
で）、便利である。
【０１１８】以上図１から図１６を参照して説明した実
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。
施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わり
に、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に
実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周
辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及
び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板
２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の
出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、Ｖ
Ａ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer D
ispersed LiquidCrystal)モード等の動作モードや、ノ
ーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの
別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板な
どが所定の方向で配置される。
【０１１９】（電気光学装置の応用例）以上説明した各
実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用
できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタについて説明する。図１７は、このプ
ロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示され
るように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンラ
ンプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設
けられている。このランプユニット１１０２から射出さ
れた投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６
および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ
ＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導か
れる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび
１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装
置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省
略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆
動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ
色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を
介して導かれる。
実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用
できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用
いたプロジェクタについて説明する。図１７は、このプ
ロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示され
るように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンラ
ンプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設
けられている。このランプユニット１１０２から射出さ
れた投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６
および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ
ＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバ
ルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導か
れる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび
１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装
置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省
略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆
動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ
色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐため
に、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および
出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を
介して導かれる。
【０１２０】さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色お
よびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進
する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリ
ーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー
画像が投射されることとなる。
１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイ
ックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、
このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色お
よびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進
する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリ
ーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー
画像が投射されることとなる。
【０１２１】なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇお
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は
ダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射
されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はその
まま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂ
による表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に
対して左右反転させる構成となっている。
よび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によ
って、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するの
で、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はな
い。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は
ダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射
されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はその
まま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂ
による表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に
対して左右反転させる構成となっている。
【０１２２】尚、各実施形態では、対向基板２０に、カ
ラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。
ラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素
電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタ
をその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよ
い。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反
射型のカラー電気光学装置について、各実施形態におけ
る電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に
１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成しても
よい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対
向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィ
ルタ層を形成することも可能である。このようにすれ
ば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光
学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何
層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の
干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフ
ィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ
付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置
が実現できる。
【０１２３】本発明は、上述した実施形態に限られるも
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造
方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
のではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる
発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能で
あり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造
方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦ
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。
Ｔアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対
向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】図１に示した各種構成部材のうち、ＴＦＴアレ
イ基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽
出して示す平面図である。
イ基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽
出して示す平面図である。
【図４】本実施形態で採用可能な上下導通パッド及びシ
ール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
ール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
【図５】本実施形態で採用可能な上下導通パッド及びシ
ール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
ール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置における画像
表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けら
れた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路のブロッ
ク図である。
表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けら
れた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路のブロッ
ク図である。
【図７】図２のＣ１部分を拡大して示す部分断面図であ
る。
る。
【図８】図２のＣ２部分を拡大して示す部分断面図であ
る。
る。
【図９】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０】本実施形態におけるシール領域のうち上下導
通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成され
ていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を
示した図式的断面図である。
通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成され
ていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を
示した図式的断面図である。
【図１１】一の変形形態におけるシール領域のうち上下
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
【図１２】他の変形形態におけるシール領域のうち上下
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
【図１３】他の変形形態におけるシール領域のうち上下
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成さ
れていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子
を示した図式的断面図である。
【図１４】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相
隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ’断面図である。
【図１６】本実施形態に係る製造プロセスを示す工程図
である。
である。
【図１７】プロジェクタの構成を示す平面図である。
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２１ａ…上下導通部
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
５２…シール材
７０…蓄積容量
７１…中継層
８１、８３、８５…コンタクトホール
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
１０６、１０６’、１０６”…上下導通パッド
１０８…液晶注入口
１１４…サンプリング回路駆動信号線
１１５…画像信号線
１１６…引き出し配線
１１７…対向電極信号配線
１１８…コンタクトホール
２００…樹脂
２０１、２０１Ｓ、２０１Ｌ…ギャップ材
２０２、２０２Ｓ、２０２Ｌ…ギャップ材
２０３…銀粉
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８
３４３ ３４３Ｚ
9/30 ３３０ 9/30 ３３０Ｚ
３３８ ３３８
(56)参考文献 特開 平５−241183（ＪＰ，Ａ)
特開2000−199915（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−324825（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−135813（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−82809（ＪＰ，Ａ)
特開2000−89242（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1345
G02F 1/1339
G02F 1/13 505
G09F 9/00 - 9/46
Claims (7)
- 【請求項１】 一対の第１及び第２基板間に電気光学物
質が挟持されてなる電気光学装置であって、 前記第１基板は、 画像表示領域に配置された複数の画素電極と、 前記画素電極に画像信号を供給するデータ線と、 データ線駆動回路と、 前記データ線駆動回路から供給されるサンプリング駆動
信号に応じて前記画像信号を前記データ線に供給するサ
ンプリング回路と、 前記データ線駆動回路と前記サンプリング回路との間に
設けられ画像信号線と前記サンプリング回路とを電気的
に接続する引き出し配線とを備え、 前記第２基板は、対向電極を備え、 前記第１及び第２基板間に前記引き出し配線の領域を含
む前記画像表示領域の周囲に沿った領域に形成され、前
記第１及び第２基板を相接着するシール材を備えてお
り、 前記第１基板の前記シール材が形成されたシール領域の
うち前記引き出し配線が形成されていない辺のうち少な
くとも一辺に面して、前記対向電極に対向電位を供給す
る上下導通パッドを備え、 前記第２基板の前記シール材に面して前記上下導通パッ
ドに対向する上下導通部を備え、 前記上下導通パッドと前記上下導通部で挟まれた前記シ
ール材には導電性のギャップ材を有し、 前記引き出し配線の領域にある前記シール材には非導電
性のギャップ材を有することを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項２】 前記引き出し配線が形成される前記シー
ル材の辺に前記電気光学物質を注入するための注入口が
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気
光学装置。 - 【請求項３】 前記シール材のうち少なくとも前記上下
導通パッド及び前記上下導通部間に配置された部分の中
には、金属粉が混合されていることを特徴とする請求項
１または２に記載の電気光学装置。 - 【請求項４】 前記上下導通パッドは、絶縁膜に形成さ
れたコンタクトホールを介して前記データ線と同一層の
対向電極配線に接続されることを特徴とする請求項１か
ら３のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 【請求項５】 前記シール材のシール領域内に形成され
た前記上下導通パッドの表面は、前記シール領域内の絶
縁膜の表面に対して段差を設けて形成されており、前記
シール材中には、前記第１及び第２基板間のギャップを
制御するために、前記上下導通パッドの領域及び前記絶
縁膜の領域のギャップに各々対応した径を持つギャップ
材が混合されていることを特徴とする請求項１から４の
いずれか一項に記載の電気光学装置。 - 【請求項６】 前記シール領域のうち前記上下導通パッ
ドの領域及び前記絶縁膜の領域で前記ギャップが変化す
る境界領域には、ギャップが大きい境界領域にギャップ
の小さい領域に対応した小径のギャップ材が混合された
シール材が配置されていることを特徴とする請求項５に
記載の電気光学装置。 - 【請求項７】 光源と、 請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置で
なるライトバルブと、 前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する
導光部材と、 前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部
材とを備えることを特徴とする投射型表示装置。
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