JP3491291B2 - 電源装置 - Google Patents

電源装置

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JP3491291B2
JP3491291B2 JP13965993A JP13965993A JP3491291B2 JP 3491291 B2 JP3491291 B2 JP 3491291B2 JP 13965993 A JP13965993 A JP 13965993A JP 13965993 A JP13965993 A JP 13965993A JP 3491291 B2 JP3491291 B2 JP 3491291B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、直流電源の電圧を必要
とする電圧に変換して負荷回路に供給する電源装置に関
するものである。 【0002】 【従来の技術】直流電圧を必要とする電圧に変換して負
荷回路に供給する電源装置の回路としては図17に示す
ものが従来からあった。この電源装置の電圧変換部1は
フライバック型の所謂DC−DCコンバータであり、通
常出力電圧VCが図18(d)に示すようになるべくフラ
ットとなるような制御が為される。 【0003】次にこの従来例装置の具体的動作を説明す
る。直流電源5にトランスTの1次巻線nを介して接
続してあるスイッチング素子Qは制御回路3からの駆
動信号がドライブ回路4を通じて与えられて図18
(a)に示すようにスイッチング動作し、そのデューテ
ィ又はスイッチング周波数が調整されることにより調整
してトランスTの2次巻線nにダイオードDを介し
て接続したコンデンサCの両端電圧VCが所定電圧となる
ように制御される。制御回路3は、コンデンサCに並列
に接続した抵抗R ,Rの直列回路でコンデンサC
の両端電圧Vを分圧し、その分圧出力と基準電圧Vre
f との差電圧をエラーアンプ3Aで得て、この差電圧と
発振器3Bの三角波出力とをコンパレータ3Cで比較
し、その比較結果に従ってドライブ回路4を通じて駆動
信号をスイッチング素子Qに与えるもので、所謂PW
M制御を行うようになっている。つまりコンデンサCの
電圧Vが所定値より下がると、スイッチング素子Q
のオンデュティを大きくし、上がるとオンデュティを小
さくするような制御が為され、電圧V を略一定の所
定電圧に保つのである。 【0004】而して図18に示す時点tにてスイッチ
ング素子Qがオンすると、トランスTの1次巻線n
には図18(b)に示すiなる電流が直流電源5より
流れ、トランスTには磁気エネルギとしてエネルギが蓄
積される。次に時点tにおいてスイッチング素子Q
がオフとすると、蓄積エネルギがトランスTの2次側か
らダイオードDを介して電流i2が図18(c)に示
すように流れてキャパシタンス要素であるコンデンサC
を充電する。時点tにてスイッチング素子Qが再び
オンし、上述の動作を繰り返すことになる。これらの動
作により、直流電源5から図18(d)に示す所定電圧
を得る。この電圧Vが負荷回路2に供給される。 【0005】ところで、このときのスイッチング素子Q
の両端電圧VQ0は図18(e)に示すような波形と
なる。ここでスイッチング素子Qにおけるスイッチン
グロスは電流iと、電圧VQ0の瞬時時間的な積の時
間平均値により得られるが、理想的な回路ではスイッチ
ングロスは無い。しかし従来例では次の理由によりスイ
ッチングロスが生じる。 【0006】つまりスイッチング素子Qがオフしてい
るときの両端電圧VQ0(トランスTに電流iが流れ
ている期間においては)はコンデンサCの電圧Vと直
流電源5の電圧Vにより決まり、トランスTの1次巻
線nの巻き数をN、2次巻線nの巻き数をN
すると、電圧VQ0はほぼVS +N/N・Vとな
る。そして電圧V は略一定に保たれるので電圧V
を一定とすると、電圧VQ0の波形は図18(e)に示
すように矩形波状のものとなり、スイッチング素子Q
がオフするスイッチング動作のときにおいて、スイッチ
ング素子Qに流れる電流iとの重なりにより大きな
スイッチングロスを生じる。 【0007】そして図18(b)と(d)の電流i
電圧VQ0の波形で最もロスが生じるのは電流iが最
も大きいとき、つまり、時点t のときである。この
時点におけるスイッチングロスの発生をなるべく少なく
することは回路の効率を上昇させ、装置の小型化につな
がる。またフラットな電圧Vを必要としない負荷回路
においては電圧Vは脈動してもかまわない。以上の
は直流電圧を所定電圧に変換且つ交流化して負荷回路
に供給する電源装置においても同様である。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】上述のように従来この
種の電源装置では、高周波動作するスイッチング素子の
スイッチングロスの低減という課題があり。これにより
従来の電源装置は高効率化、小型化がしにくいという問
題があった。 【0009】本発明は上記の問題点に鑑みて為されたも
ので、その目的とするところは電圧変換部のスイッチン
グ素子のスイッチングロスの低減を図ることにより高効
率で小型に製作できる電源装置を提供するにある。 【0010】 【課題を解決するための手段】請求項1の発明では、直
流電源と、スイッチング素子のスイッチング動作を利用
して上記直流電源の電圧を所定の電圧に変換するフライ
バックタイプの電圧変換部と、上記電圧変換部の出力側
に設けられ脈動電圧を発生させるためのキャパシタンス
要素と、該キャパシタンス要素の両端に入力端間を接続
したフルブリッ型インバータ回路と、該フルブリッジ
型インバータ回路の出力端間にインダクタンス要素を介
して接続した放電灯と、上記インダクタンス要素と上記
放電灯との間に並列接続したコンデンサと、上記キャパ
シタンス要素の両端に発生する脈動電圧の所定レベル以
下を検出する検出手段とを備え、上記脈動電圧の所定レ
ベル以下を上記検出手段が検出して検出信号を発生した
ときに上記スイッチング動作での上記スイッチング素子
をオフする時点とするものである。 【0011】 【作用】本発明によれば、直流電源と、スイッチング素
子のスイッチング動作を利用して上記直流電源の電圧を
所定の電圧に変換するフライバックタイプの電圧変換部
と、上記電圧変換部の出力側に設けられ脈動電圧を発生
させるためのキャパシタンス要素と、該キャパシタンス
要素の両端に入力端間を接続したフルブリッ型インバ
ータ回路と、該フルブリッジ型インバータ回路の出力端
間にインダクタンス要素を介して接続した放電灯と、上
記インダクタンス要素と上記放電灯との間に並列接続し
たコンデンサと、上記キャパシタンス要素の両端に発生
する脈動電圧の所定レベル以下を検出する検出手段とを
備え、上記脈動電圧の所定レベル以下を上記検出手段が
検出して検出信号を発生したときに上記スイッチング動
作での上記スイッチング素子をオフする時点とする
で、電圧変換部の出力側のキャパシタンス要素の電圧の
大きな脈動により、高周波動作するスイッチング素子に
おけるオフ時のスイッチングロスを低減することがで
き、これにより高効率で小型な電源装置を実現できる。 【0012】 【実施例】以下、本発明の基本例、実施例を図面を参照
して説明する。 【0013】(基本例1) 図1は本基本例の回路構成を示しており、本基本例の回
路は、直流電源5と、スイッチング素子Qのスイッチ
ング動作を利用して上記直流電源の電圧を所定の電圧に
変換する電圧変換部1と、上記電圧変換部1の出力側に
設けられたキャパシタンス要素たるコンデンサCと、コ
ンデンサCに並列接続した負荷回路2とから構成されて
いる点では図17の従来例構成と同じであるが、キャパ
シタンス要素として用いたコンデンサCの容量値が従来
例の場合と異なり、また制御回路3の構成が異なってい
る。 【0014】つまり図17の従来例では比較的大容量の
ものを用いて電圧Vがフラットな所定電圧になるべく
保つようにしていたのに対し、本基本例ではコンデンサ
Cの容量を小容量(例えば数μF以下)とし、コンデン
サCの両端電圧Vを所定電圧に保つのではなく、意図
的に脈動電圧となるようにした点に特徴がある。尚スイ
ッチング素子QにはMOSFETを用いている。 【0015】また制御回路3は、コンデンサCの両端電
圧Vを検出する手段を構成する抵抗R 、Rで分
圧して得られた脈動する電圧を平均化回路3aで平均化
し、出力電圧Vo(電圧Vの平均値)を所定の電圧に
保つために基準電圧Vrefとの差電圧をエラーアンプ
3bで得、この差電圧と、V/Fコンバータ3cからの
三角波出力電圧とを、コンパーレタ3dで比較し、その
比較出力をもってドライバ回路4を通じてスイッチング
素子Qを駆動することにより、電圧Vの平均値Vo
を所定電圧に保つように制御する。 【0016】ここで抵抗R 、Rで分圧された電圧
はコンパレータ3dの出力の立ち下がりでトリガされて
所定期間出力は発するワンショットマルチバイブレータ
3eの出力を受けてオンするスイッチ素子SWを経
て、コンパレータ3fで基準電圧Vrefと比較され
る。コンパレータ3fの出力は積分器3gにより積分さ
れた後、エラーアンプ3hで基準電圧Vrefとの差が
とられ、V/Fコンバータ3cに入力される。ここで基
準電圧Vrefは電圧VCが略零の状態かどうかを判断
するための基準電圧であり、電圧Vが略零であると
き、コンパレータ3fは”H”を出力する。また基準電
圧VrefはV/Fコンバータ3cに回路が始動した時
点で入力される電圧を決定するものであり、即ち基準電
圧Vref3により初期のスイッチング素子Qのスイッ
チング周波数が決定される。 【0017】ところで、この制御系は電圧Vが略零ま
で脈動する状態において均衡が取れて落ちつく動作をと
り、望むところの動作が得られる。この場合、スイッチ
ング素子Qのスイッチング周波数を変えることによ
り、本発明で述べるところの動作を可能としている。こ
の場合電圧Vを所定電圧とするようにしたが、出力電
流を検出し、出力電力の平均値を求め、其を所定とする
ような制御としても良い等、他の場合も考えられる。ま
た検出しなくても予め本発明の動作が得られるようにし
て置くこともできる。 【0018】而して時点tで図2(a)に示すように
スイッチング素子Q0がオンとなると、電圧変換部1の
トランスTの1次巻線nに電流iが図2(b)のよ
うに流れる。これによりトランスTに磁気エネルギが蓄
積される。時点t−t 間では、図2(c)に示す
ようにトランスTの2次巻線nには電流i2が流れな
いため、コンデンサCからは負荷回路2にエネルギが放
出されるのみとなり、出力電圧Vは図2(d)に示す
ように低下する。図示例では零電位まで低下する場合を
示しているが、零まで低下しない場合もある。 【0019】次にt にてスイッチング素子Qがオ
フとなると、トランスTに蓄積されたエネルギは電流i
として放出され、これによりコンデンサCの電圧V
は図2(d)のように上昇する。次に時点tにて再び
スイッチング素子Qがオンとなり、上述の動作を以後
繰り返すことになる。 【0020】ところで、スイッチング素子Qにかかる
電圧VQ0の波形は時点t では低い値を取ってコン
デンサCが充電され、電圧Vが上昇するに従って次第
に上昇し、時点t3の時点でスイッチング素子Qがオ
ンとなることにより、再び略零となる。具体的に述べる
と、スイッチング素子Qのオフ時における電圧 Q0
はトランスTの1次巻線nの巻き数をN、2次巻線
の巻き数をNとするとほぼV+N/N・V
となる。即ち時点tにおいて、電圧Vが零若し
くは低い値であるならば、電圧 Q0も直流電源5の電
圧VS 程度の低い値となり、この時点(スイッチング素
子Qのオフ時)におけるスイッチングロスを低くする
ことができる。 【0021】このことにより回路の効率の上昇が図れる
とともに、装置の小型化が可能となる。またここではト
ランスTに流れる電流が連続となる場合(i若しくは
が常に流れている場合)について述べたが、不連続
となる場合においても同様の効果が得られる。またスイ
ッチング素子QにMOSFETを用いているが、トラ
ンジスタ、IGBT等他のスイッチング素子を用いても
良い。 【0022】(基本例2) 本基本例は図3に示すように電圧変換部1を昇降圧チョ
ッパからなるDCーDCコンバータで構成しており、
本例1と同様にキャパシタンス要素であるコンデンサC
の容量を、例えば数μF以下とすることにより、基本例
1と同様な効果を得るようにしたものである。電圧変換
部1は直流電源5にスイッチング素子Qを介してイン
ダクタンス要素であるインダクタLを接続し、このイ
ンダクタLには直流電源5に対して逆方向となるダイ
オードD を介してコンデンサCを接続してある。 【0023】本基本例の場合ではスイッチング素子Q
のオフ時にインダクタLに流れる電流が常に零となら
ない場合においては、電圧VQはほぼV+V
表され、各部の動作波形は図2と同様になる。 【0024】またオフ時においてインダクタLに流れ
る電流が零となる動作の場合も同様になる。尚スイッチ
ング素子Qの制御回路は基本例1の制御回路3の構成
に準ずるものを使用する。 【0025】(基本例3) 本基本例は電圧変換部1を図4に示すように昇圧チョッ
パからなるDC−DCコンバータで構成し、出力側に設
けたコンデンサCの両端電圧Vを脈動させるようにな
っている。図5は本基本例の各部の動作波形を示してお
り、図5(a)に示すようにインダクタL0を介して直
流電源5に接続したスイッチング素子Qがオンするt
−t (t−t )の間ではインダクタLには
図5(b)に示す電流iが流れてインダクタLに磁
気エネルギを蓄積し、スイッチング素子Qがオフした
ときにインダクタLに蓄積したエネルギをダイオード
を介して放電させて、図5(c)に示すようにコン
デンサCを充電する電流iが流れる。 【0026】コンデンサCは上記スイッチング素子Q
のオン時に図5(d)に示すように充電電荷を放電して
その両端電圧Vを低下し、スイッチング素子Qのオ
フ時に充電されてその両端電圧Vを上昇させる。つま
りコンデンサCの両端電圧Vが脈動するのである。ス
イッチング素子Qの両端電圧VQ0は略電源電圧V
と等しくなって低くなり、基本例1、2と同様な効果が
得られる。 (基本例4) 本基本例は図6に示すように図1に示す基本例1におけ
るトランスTをオートトランス構造としたものであり、
この場合、スイッチング素子Qのオフ時のスイッチン
グ素子Qの両端電圧VQ0はほぼV+N/(N
+N)・(V−VS )=N/(N+N)VS
+ N/(N+N)Vと等しくなり、1次側、
2次側の巻線n、nの巻き数N、Nの比によ
り、電圧VQ0の値を低く抑えることができるなどの利
点がある。この場合においても基本例1と同様の効果が
得られる。 【0027】(基本例5) 本基本例は図7に示すように基本例1と同様な電圧変換
部1を用いて直流電源5の電圧Vを必要とする電圧に
変換する点では同様であるが、その出力電圧の極性を交
番させながら、交流として負荷回路2に供給するインバ
ータ回路6を負荷回路2とコンデンサCとの間に挿入し
たものである。 【0028】本基本例ではこの場合もコンデンサCの両
端電圧Vを脈動させる。 【0029】而して基本例1と同様にスイッチング素子
は高周波でスイッチング動作し、トランスTを介し
てコンデンサCへエネルギを供給する。スイッチング素
子Q〜Qで構成されるフルブリッジ型のインバータ
回路6をは低周波でスイッチング素子Q,Q
,Qとを制御回路(図示せず)からの駆動信号で
交互にオンオフさせ、負荷回路2へ交流電圧を供給す
る。 【0030】この基本例においてもスイッチング素子Q
の両端電圧VQ0はスイッチング素子Qがオフした
とき、略零から上昇し、スイッチング素子Qのオフ時
におけるスイッチングロスを少なくすることができ、高
効率で小型な電源装置を実現することことができる。 (基本例6) 本基本例は図8に示すようにコンデンサCをインバータ
回路6内において、負荷回路2と並列に接続したもので
あるが、この場合も例えばコンデンサCを小容量のもの
にしたり、スイッチング素子Qのスイッチング周波数
を低くしたりすることにより、コンデンサCの両端電圧
を脈動させ、上記各基本例と同様の効果を得るよう
にしたものである。 【0031】ところで、本基本例基本例5は電圧変換
部1をフライバック型のコンバータで構成したものであ
るが、基本例2、3と同様にチョッパ等の他のタイプの
コンバータで構成しても良い。 (基本例7)本基本例は図14に示すように図1の基本例と基本的に
同じ構成の電圧変換部1を用いる共にコンデンサCの容
量を小容量としてコンデンサCの両端電圧V を脈動さ
せるが、負荷回路2が抵抗成分Rと、インダクタンス成
分Lとの直列回路からなり、インダクタンス成分Lが比
較的大きな場合は、インダクタンス成分Lの定電流作用
により電圧V が低下して零となった後も負荷回路2に
は電流が流れ続け、そのためコンデンサCの両端電圧V
が図15(c)で破線で示すように負となる場合があ
る。電圧V がある程度以上負になると、図15(b)
で破線で示すような現象が電流i に発生する。そこ
で、図14 の実施例回路では、コンデンサCの電圧V
が負とならないようにダイオードD をコンデンサCに
並列に接続してある。このようにすることにより負荷回
路2に流れ続けようとする電流は電圧V が略零となっ
た後には、ダイオードD を介して還流するので、電圧
は負とならない。具体的に述べると、図14のフラ
イバック型の電圧変換部1の回路でダイオードD が無
く、コンデンサCの電圧V が負の値となった場合には
その絶対値が略N /N ・V となったときから電圧
がトランスTの1次側に影響を及ぼし、そのため図
15のt −t の間で図15(b)において破線で
示すように電流i が下降を始める。これにより仮に更
に負荷回路2へ電力を供給したい場合に図15(a)に
示すスイッチング素子Q のオンデュティを広げても電
流i の頭打ちが生じるため、2次側へエネルギを伝達
できない現象が発生する等の問題が生じる。 【0032】本基本例では、ダイオードD を設けるこ
とにより、電流i1及び電圧V は図15(b)、
(c)に示すように実線のような形となる。 【0033】(基本例8)本基本例は、図16に示すよ
うにフルブリッジ型のインバータ回路6を用いた上記基
本例5と基本的に同じ構成を持つものであるが、スイッ
チング素子Q 、Q と逆並列にダイオードD 、D
を夫々接続している。 【0034】今仮にスイッチング素子Q ,Q がオン
の状態であろうとすると、仮にコンデンサCの電圧V
が負になろうとしても、ダイオードD ,D により、
負荷電流は、インダクタンス成分L→抵抗成分R→スイ
ッチング素子Q →インダクタンス成分Lの経路で還流
するので、電圧V は負にはならない。尚スイッチング
素子Q 、Q にダイオードを逆並列に接続しても同様
の効果が得られる。 【0035】(実施例) 本実施例は、図9に示すようにフルブリッジ型のインバ
ータ回路6に接続する負荷回路2としてメタルハライド
ランプ等の放電灯LPを用いたものであり、放電灯LP
と直列にインダクタンス要素Lを接続してある。この
インダクタンス要素Lは例えばランプ始動用イグナイ
ター(図示せず)のパルストランスの2次側のインダク
タンスで構成し、またこの直列回路に並列接続するコン
デンサCはランプ始動時のイグナイターが出力するパ
ルス電圧をバイパスするためのものである。 【0036】コンデンサC は、電圧変換部1の出力
側に接続されるキャパシタンス要素を構成するコンデン
サCに比べて小容量のものでく、例えば、コンデンサ
Cが0.数μF程度であるに対して、コンデンサC
は0.0数μF程度で良い。インダクタンス要素L
インバータ回路6のスイッチング素子Q,Qと、Q
,Qとの極性反転動作時におけるコンデンサCとC
との短絡を防ぐ役割をすると共にフィルタの働きを
し、スイッチング素子Q〜Qに流れる電流のリップ
ル成分を減少させ、素子におけるロスを低減するととも
に、ランプ電流の高周波リップル分を低減させる。 【0037】因みにランプ電流の高周波リップル分が多
いと、音響的共鳴現象と呼ばれる放電の不安定化を引き
起こす場合がある。本実施例の動作を説明すると、図1
0において、t−t の間ではスイッチング素子Q
,Qが図10(c)に示すようにオンで、図10
(b)に示すようにスイッチング素子Q1,Q4がオフ
であり、このときスイッチング素子Q0を図10(a)
に示すように高周波でスイッチング動作させることによ
り、直流電源5からトランスTを介してコンデンサCに
エネルギが供給される。このときのコンデンサCの両端
電圧VCの波形はコンデンサCが小容量なので、図10
(d)のような波形となる。 【0038】次に時点t において、スイッチング素
子Q,Qのオンからスイッチング素子Q1,Q
オンの状態へ移行し、極性反転を行う。t −t
間では上記t−t の間と同じくスイッチング素子
が高周波でスイッチング動作し、直流電源5よりコ
ンデンサCにエネルギを供給する。 【0039】次の時点tではスッチングQ,Q
オンからスイッチング素子Q2,Q3のオンの状態へ移
行して極性反転を行う。以上のような動作を以後繰り返
すことにより、コンデンサC には図10(e)に示
すような略矩形波状の電圧VC1が発生し、インダクタ
ンス要素Lを介して放電灯LPにはより高周波リップ
ル分の除かれた電流が供給され、放電灯LPは安定に点
灯する。 【0040】ところで、本実施例においてもコンデンサ
Cの両端電圧VCは脈動するので上述の各基本例と同様
にスイッチング素子Qのスイッチングロスは低減さ
れ、高効率化、小型化が図られる。またメタルハライド
ランプ等の放電灯LPの始動時における急速な光束の立
ち上げを行うためには、放電灯LPの定格以上の電力を
放電灯LPに供給する必要がある。 【0041】そこで、放電灯LPが始動して安定した後
の定格電力での点灯時にはランプ電流の高周波リップル
分低減等の観点から電圧Vの脈動分を少なくするよう
にし、少なくとも多大な電力を必要とするランプ始動時
において本発明の効果が得られる動作をとるようにして
も良い。このような動作を行うためには始動時はスイッ
チング素子Qのスイッチング周波数を定常時に比べて
低くするなどの方法もある。ここでは電圧VC1が略矩
形波をなる場合を示ししたが、略正弦波等でも良い。 【0042】(実施例) 上記のようにメタルハライドランプ等の放電灯LPを始
動するためには始動時に百数十V乃至数百V程度、例え
ば300V程度の電圧を必要とする。放電灯LPは始動
前は非常に高インピーダンスであり、流れるランプ電流
は略零である。 【0043】本実施例はこのようなメタルハライドラン
プからなる放電灯LPを負荷回路2に用いたもので、図
11に示すようにインバータ回路6のスイッチング素子
〜Q及び電圧変換部1のスイッチング素子Q
FETを用い、基本的には実施例と同様な動作を為
す。 【0044】ところで装置の小型化の観点からインダク
タンス要素Lなるべく小さくしたい。しかしなが
ら、インバータ回路6のスイッチングを、今仮にスイッ
チング素子Q,Qのオンの状態からスイッチング素
子Q,Qのオンの状態へ極性反転する場合を考える
と、単にスイッチング素子Q,Qをオフし、Q
のデッドタイムを設けた後、スイッチング素子
,Qをオンとする動作をさせるだけでは、コンデ
ンサCの電圧VC並びにコンデンサC の電圧VC1
が数百V程度のときには、スイッチング素子Q,Q
をオンした時点で電圧Vと電圧VC1とが加極性とな
ることにより、過大で急峻な電流が、コンデンサC1→
スイッチング素子Q→コンデンサC→スイッチング素
子Q1→インダクタンス要素L →コンデンサC
経路で流れる。そのため電流容量の大きなスイッチング
素子を用いなければならない。また逆に電流を抑えよう
とすると、インダクタンス要素Lを大きくしなければ
ならない等の問題が生じ、装置の大型化、コストアップ
につながる。 【0045】そこで図12に示すようなスイッチング動
作を行うことにより、極性反転時における過大で急峻な
電流の発生を解決できる。 【0046】図12には例としてスイッチング素子
,Qのオンからスイッチング素子Q,Q4のオ
ンの状態への極性反転時におけるスイッチング動作を示
している。次にこの動作を説明する。 【0047】まず時点tにて、それまで図12
(c)、(d)に示すようにオンしていたトランジスタ
,Qをオフとし、Q〜Q全てがオフとなるデ
ッドタイムを設ける。 【0048】このとき負荷が始動前の放電灯LPの場合
においては電流iaは図12(f)に示すように殆ど流
れず、コンデンサC の両端電圧VC1は数百Vの略
一定の電位を保つ。 【0049】次に時点t にてスイッチング素子Q
を図12(b)に示すようにオンとする。これによりt
−tの間ではコンデンサC に蓄積された電荷
が、コンデンサC →スイッチング素子Q→スイッ
チング素子Qの寄生ダイオードDQ2→インダクタン
ス要素L →コンデンサC の経路で、コンデンサC
とインダクタンス要素L との共振に従って電流i
aとして流れ、コンデンサC とインダクタンス要素
との共振周期の半分の期間(π√ )電流
が流れる。図12(e)はこのときのダイオードD02の
状態を示す。 【0050】時点tにて電流iaが流れなくなった時
点で、図12(g)に示すように電圧VC1は元と逆の
極性の略同電位の値を取っている。次に時点t にて
スイッチングQを図12(a)に示すようにオンとす
る。この時点で電圧VC1の極性は元と逆の極性となっ
ているので、前述したような過大な電流は流れない。 【0051】以上のようなスイッチング動作をすること
により、反転時の過大で急峻な電流の発生を防ぐことが
できるので、スイッチング素子の容量を小さくすること
ができ、またインダクタンス要素L の値を小さくす
ることができ、その結果装置の小型化、低コスト化が可
能となる。また本実施例ではスイッチング素子として、
MOSFETを用いたがトランジスタ、IGBT等他の
スイッチング素子でも良い。但しMOSFETの寄生ダ
イオードの代わりに、スイッチング素子Q,Qには
逆並列にダイオードを接続しなければならない。 【0052】また本実施例ではインバータ回路6におけ
るスイッチング素子Q〜Qの下側辺の経路でコンデ
ンサC の反転を行っているが、上側辺の経路でコン
デンサC の反転を行うことも同様に可能である。又
本反転法は電圧変換部1がチョッパやフォワード等のタ
イプの場合でも効果がある。 【0053】尚上記インバータ回路6のスイッチング素
子Q〜Qの制御を行う制御回路は図13に示すよう
な構成のものが使用される。 【0054】この実施例では発振器7aからの発振信号
の立ち下がりでトリガされるワンショットマルチバイブ
レータ7bの出力と発振信号との否定論理和を取るノア
ゲートNの出力信号でトリガされるフリップフロップ
FFのQ出力と上記ノアゲートNの出力信号の反転信
号との論理積出力をドライブ回路4を通じてスイッチ
ング素子Qのトリガ信号として与え、上記ノアゲート
の出力信号の反転信号とフリップフロップFFの反
転Q出力との論理積出力をドライブ回路4 を通じて
スイッチング素子Qのトリガ信号として与え、発振器
7aからの発振信号の立ち上がりでトリガされるワンシ
ョットマルチバイブレータ7cの出力と上記ノアゲート
の出力信号との否定論理和を取るノアゲートN
出力信号とフリップフロップFFのQ出力との論理積出
力をドライブ回路4を通じてスイッチング素子Q
トリガ信号として与え、更にノアゲートNの出力信号
と、フリップフロップFFの反転Q出力との論理積出力
をドライブ回路4を通じてスイッチング素子Qのト
リガ信号として与えるようになっている。 【0055】ところで上記各基本例、実施例に用いる直
流電源5としては交流電源を整流若しくは整流平滑した
ものや、DC−DCコンバータの出力、自動車の搭載バ
ッテリー等を用いても良い。 【0056】 【発明の効果】本発明は、直流電源と、スイッチング素
子のスイッチング動作を利用して上記直流電源の電圧を
所定の電圧に変換するフライバックタイプの電圧変換部
と、上記電圧変換部の出力側に設けられ脈動電圧を発生
させるためのキャパシタンス要素と、該キャパシタンス
要素の両端に入力端間を接続したフルブリッ型インバ
ータ回路と、該フルブリッジ型インバータ回路の出力端
間にインダクタンス要素を介して接続した放電灯と、上
記インダクタンス要素と上記放電灯との間に並列接続し
たコンデンサと、上記キャパシタンス要素の両端に発生
する脈動電圧の所定レベル以下を検出する検出手段とを
備え、上記脈動電圧の所定レベル以下を上記検出手段が
検出して検出信号を発生したときに上記スイッチング動
作での上記スイッチング素子をオフする時点とする
で、電圧変換部の出力側のキャパシタンス要素の電圧を
大きく脈動させることにより、高周波動作するスイッチ
ング素子におけるオフ時のスイッチングロスを低減する
ことができ、これにより高効率で小型な放電灯を点灯さ
せる電源装置を実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の基本例1の回路構成図である。 【図2】同上の動作説明用波形図である。 【図3】本発明の基本例2の回路構成図である。 【図4】本発明の基本例3の回路構成図である。 【図5】同上の動作説明用波形図である。 【図6】本発明の基本例4の回路構成図である。 【図7】本発明の基本例5の回路構成図である。 【図8】本発明の基本例6の回路構成図である。 【図9】本発明の実施例の回路構成図である。 【図10】同上の動作説明用波形図である。 【図11】本発明の実施例の回路構成図である。 【図12】同上の動作説明用波形図である。 【図13】同上の制御回路の回路構成図である。 【図14】本発明の基本例7の回路構成図である。 【図15】同上の動作説明用波形図である。 【図16】本発明の基本例8の回路構成図である。 【図17】従来の回路構成図である。 【図18】同上の動作説明用波形図である。 【符号の説明】 1 電圧変換部 2 負荷回路 3 制御回路 4 ドライブ回路 5 直流電源 C コンデンサ Qスイッチング素子 Dダイオード R 、R抵抗 V 電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 俊朗 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−127872(JP,A) 特開 平1−206868(JP,A) 特開 平5−49248(JP,A) 特開 昭61−85066(JP,A) 特開 平5−122930(JP,A) 特開 昭62−239859(JP,A) 特開 平3−141596(JP,A) 実開 昭61−195785(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 3/00 - 3/44 H02M 7/42 - 7/98

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】直流電源と、スイッチング素子のスイッチ
    ング動作を利用して上記直流電源の電圧を所定の電圧に
    変換するフライバックタイプの電圧変換部と、上記電圧
    変換部の出力側に設けられ脈動電圧を発生させるための
    キャパシタンス要素と、該キャパシタンス要素の両端に
    入力端間を接続したフルブリッ型インバータ回路と、
    該フルブリッジ型インバータ回路の出力端間にインダク
    タンス要素を介して接続した放電灯と、上記インダクタ
    ンス要素と上記放電灯との間に並列接続したコンデンサ
    と、上記キャパシタンス要素の両端に発生する脈動電圧
    の所定レベル以下を検出する検出手段とを備え、上記脈
    動電圧の所定レベル以下を上記検出手段が検出して検出
    信号を発生したときに上記スイッチング動作での上記ス
    イッチング素子をオフする時点とすることを特徴とする
    電源装置。
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