JP3488165B2 - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents
膜形成方法及び膜形成装置Info
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- JP3488165B2 JP3488165B2 JP2000043138A JP2000043138A JP3488165B2 JP 3488165 B2 JP3488165 B2 JP 3488165B2 JP 2000043138 A JP2000043138 A JP 2000043138A JP 2000043138 A JP2000043138 A JP 2000043138A JP 3488165 B2 JP3488165 B2 JP 3488165B2
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,基板に処理液を供
給して当該基板の表面に処理液の膜を形成する膜形成方
法及び膜形成装置に関する。
給して当該基板の表面に処理液の膜を形成する膜形成方
法及び膜形成装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては,
例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という。)等の
表面にアルミニウム電極を多層に形成する,いわゆる多
層配線技術が行われている。そして,アルミニウム電極
間には層間絶縁膜,例えばポリイミド膜が形成されてい
る。
例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という。)等の
表面にアルミニウム電極を多層に形成する,いわゆる多
層配線技術が行われている。そして,アルミニウム電極
間には層間絶縁膜,例えばポリイミド膜が形成されてい
る。
【0003】ところで,製品歩留まりの低下を防止する
には,ポリイミド膜を均一に形成することが必要であ
る。また,多層配線技術後に行われるリソグラフィ技術
において,均一な露光処理やエッチング処理等を行うた
めにも,均一なポリイミド膜の形成が不可欠である。そ
こで,均一なポリイミド膜を形成するにあたり,例えば
従来からスピンコート法が行われてきた。このスピンコ
ート法は,ウェハの表面に液状のポリイミドを供給し,
ウェハを回転させてその時の遠心力によって,ウェハ上
のポリイミドを拡散させて塗布する方法である。
には,ポリイミド膜を均一に形成することが必要であ
る。また,多層配線技術後に行われるリソグラフィ技術
において,均一な露光処理やエッチング処理等を行うた
めにも,均一なポリイミド膜の形成が不可欠である。そ
こで,均一なポリイミド膜を形成するにあたり,例えば
従来からスピンコート法が行われてきた。このスピンコ
ート法は,ウェハの表面に液状のポリイミドを供給し,
ウェハを回転させてその時の遠心力によって,ウェハ上
のポリイミドを拡散させて塗布する方法である。
【0004】また従来では,スピンコート法によりポリ
イミド膜を形成したウェハの周縁部に対して,例えばポ
リイミドの溶剤(以下,「溶剤」という。)等の洗浄液
を供給し,当該ウェハの周縁部にあるポリイミド膜を除
去する,いわゆるサイドリンス処理が行われていた。こ
れにより,ウェハの周縁部にあるポリイミド膜がウェハ
の周縁部を支持するピンセットに付着して汚染すること
を防止していた。
イミド膜を形成したウェハの周縁部に対して,例えばポ
リイミドの溶剤(以下,「溶剤」という。)等の洗浄液
を供給し,当該ウェハの周縁部にあるポリイミド膜を除
去する,いわゆるサイドリンス処理が行われていた。こ
れにより,ウェハの周縁部にあるポリイミド膜がウェハ
の周縁部を支持するピンセットに付着して汚染すること
を防止していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,ポリイ
ミド膜は流動性が高く,ウェハの中心部側にある乾きき
らないポリイミド膜がウェハの周縁部側に流れ出してし
まうことがあった。従って,上述のサイドリンス処理を
施しても,その後ウェハの周縁部側に流れ出したポリイ
ミドがピンセットに付着して汚染してしまうという懸念
が生じていた。
ミド膜は流動性が高く,ウェハの中心部側にある乾きき
らないポリイミド膜がウェハの周縁部側に流れ出してし
まうことがあった。従って,上述のサイドリンス処理を
施しても,その後ウェハの周縁部側に流れ出したポリイ
ミドがピンセットに付着して汚染してしまうという懸念
が生じていた。
【0006】そこで本発明は,ポリイミド膜のような薄
膜を形成した後,薄膜を形成する処理液が乾ききってい
ない状態で基板を移動させても,処理液が周縁部に流出
することを防止して,ピンセットなど基板を支持する支
持部材が汚染されない膜形成方法及び膜形成装置を提供
して,上記課題を解決することを目的とする。
膜を形成した後,薄膜を形成する処理液が乾ききってい
ない状態で基板を移動させても,処理液が周縁部に流出
することを防止して,ピンセットなど基板を支持する支
持部材が汚染されない膜形成方法及び膜形成装置を提供
して,上記課題を解決することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば,基板に処理液を供給し,当該基板の表面に所定の厚
さの処理液の膜を形成する工程と,前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と,前記基板の周
辺部に対して硬化剤を供給して,前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させる工程とを有する
ことを特徴とする膜形成方法が提供される。
ば,基板に処理液を供給し,当該基板の表面に所定の厚
さの処理液の膜を形成する工程と,前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と,前記基板の周
辺部に対して硬化剤を供給して,前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させる工程とを有する
ことを特徴とする膜形成方法が提供される。
【0008】 請求項1に記載の膜形成方法によれば,
例えば,基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去し
た後に,基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる。このように,基板周辺部の処理液を固化さ
せることにより,この固化部分がいわゆる堰となり,基
板の中心部側にある乾いていない処理液が基板の周縁部
から基板外に流出することが防止できる。ここで,「ウ
ェハWの周縁部」とは,ウェハWの側周端面及びエッジ
部分並びにその後のプロセスにおいて半導体デバイス等
が形成されない部分をいい,「ウェハWの周辺部」とは
上記「ウェハWの周縁部」よりもウェハWの内側に位置
した部分をいう。なお,請求項1の膜形成方法には,上
述した基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する
工程と前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜
を固化させる工程とが,何れの工程が先に行われる場合
も含まれる。また,本発明によれば,基板に処理液を供
給し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成
する工程と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜
を除去する工程と,前記基板の周辺部に対してレーザ光
を照射して,前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させる工程と,前記基板の周辺部に形成さ
れた処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷
却する工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。本発明によれば,基板に処理液を供給し,
当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工
程と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去
する工程と,前記基板の周辺部に対して紫外線を照射し
て,前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程と,前記基板の周辺部に形成された処理
液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工
程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提供され
る。本発明の膜形成方法は,基板に処理液を供給し,当
該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程
と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去す
る工程と,前記基板の周辺部を加熱して,前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と,前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化さ
せる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有する
ことを特徴とする。
例えば,基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去し
た後に,基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる。このように,基板周辺部の処理液を固化さ
せることにより,この固化部分がいわゆる堰となり,基
板の中心部側にある乾いていない処理液が基板の周縁部
から基板外に流出することが防止できる。ここで,「ウ
ェハWの周縁部」とは,ウェハWの側周端面及びエッジ
部分並びにその後のプロセスにおいて半導体デバイス等
が形成されない部分をいい,「ウェハWの周辺部」とは
上記「ウェハWの周縁部」よりもウェハWの内側に位置
した部分をいう。なお,請求項1の膜形成方法には,上
述した基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する
工程と前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜
を固化させる工程とが,何れの工程が先に行われる場合
も含まれる。また,本発明によれば,基板に処理液を供
給し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成
する工程と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜
を除去する工程と,前記基板の周辺部に対してレーザ光
を照射して,前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させる工程と,前記基板の周辺部に形成さ
れた処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷
却する工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。本発明によれば,基板に処理液を供給し,
当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工
程と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去
する工程と,前記基板の周辺部に対して紫外線を照射し
て,前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程と,前記基板の周辺部に形成された処理
液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工
程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提供され
る。本発明の膜形成方法は,基板に処理液を供給し,当
該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程
と,前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去す
る工程と,前記基板の周辺部を加熱して,前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と,前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化さ
せる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有する
ことを特徴とする。
【0009】 上記発明における前記基板の周縁部に形
成された処理液の膜を除去する工程は,前記基板の周縁
部に洗浄液を供給することにより行われてもよいし,前
記基板の周縁部に対してレーザ光を照射することにより
行われてもよいし,さらに前記基板の周縁部に対して洗
浄液を供給し,レーザ光を照射して行われてもよい。
成された処理液の膜を除去する工程は,前記基板の周縁
部に洗浄液を供給することにより行われてもよいし,前
記基板の周縁部に対してレーザ光を照射することにより
行われてもよいし,さらに前記基板の周縁部に対して洗
浄液を供給し,レーザ光を照射して行われてもよい。
【0010】 これらの方法により,基板の周縁部に形
成された処理液の膜を好適に除去することができるが,
特にレーザ光は,その出力の強弱或いは,照射時間の変
更により,前記処理膜の除去する量を調節ことができる
ため,基板上に形成された処理液の膜の膜厚が異なる場
合にも適応できる。なお,前記処理液の膜の除去工程に
は,洗浄液を供給すると同時にレーザ光を照射する場合
と,いずれかを先に行う場合が含まれる。
成された処理液の膜を好適に除去することができるが,
特にレーザ光は,その出力の強弱或いは,照射時間の変
更により,前記処理膜の除去する量を調節ことができる
ため,基板上に形成された処理液の膜の膜厚が異なる場
合にも適応できる。なお,前記処理液の膜の除去工程に
は,洗浄液を供給すると同時にレーザ光を照射する場合
と,いずれかを先に行う場合が含まれる。
【0011】 上述したように前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる工程を,前記基板
の周辺部に対してレーザ光を照射することにより行う場
合,レーザ光は比較的エネルギーが高く指向性に優れて
いるため,短時間でかつ正確な位置に前記固化部分すな
わち堰を形成することができる。
に形成された処理液の膜を固化させる工程を,前記基板
の周辺部に対してレーザ光を照射することにより行う場
合,レーザ光は比較的エネルギーが高く指向性に優れて
いるため,短時間でかつ正確な位置に前記固化部分すな
わち堰を形成することができる。
【0012】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周縁部に洗浄液を供給して,当該基板
の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と,基
板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前記基板の周辺
部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と,
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする膜形成方法が提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周縁部に洗浄液を供給して,当該基板
の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と,基
板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前記基板の周辺
部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と,
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする膜形成方法が提供される。
【0013】 この膜形成方法によれば,例えば基板の
周縁部に洗浄液を供給して,周縁部にある処理液の膜を
溶解除去した後,この基板の周辺部にレーザ光を照射し
て,処理液の膜の周辺部の端部を加熱して固化させるよ
うにしている。従って,この基板の周辺部には処理液の
固化部分によっていわば堰が形成されることとなる。従
って,基板の中心部側にある乾ききらない処理液の流出
は,前記固化部分によって防止される。
周縁部に洗浄液を供給して,周縁部にある処理液の膜を
溶解除去した後,この基板の周辺部にレーザ光を照射し
て,処理液の膜の周辺部の端部を加熱して固化させるよ
うにしている。従って,この基板の周辺部には処理液の
固化部分によっていわば堰が形成されることとなる。従
って,基板の中心部側にある乾ききらない処理液の流出
は,前記固化部分によって防止される。
【0014】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せる工程と,前記基板の周辺部に形成された処理液の膜
を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,
さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程とを有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せる工程と,前記基板の周辺部に形成された処理液の膜
を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,
さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程とを有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。
【0015】 この膜形成方法によれば,処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部にレーザ光を照射し,先
ず基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せるようにしている。これによって,固化した処理液の
堰が基板の周辺部に形成されるので,乾ききっていない
処理液の流出を防止できる。次いで,基板の周縁部にあ
る処理液の膜をレーザ光で除去するので,洗浄液を使用
せずに基板の周縁部にある処理液の膜を除去することが
可能となる。ここで,基板上の処理液の膜厚に差がある
場合には,レーザ光の照射時間を調整して好適に対処す
ることができる。
表面に形成された基板の周辺部にレーザ光を照射し,先
ず基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せるようにしている。これによって,固化した処理液の
堰が基板の周辺部に形成されるので,乾ききっていない
処理液の流出を防止できる。次いで,基板の周縁部にあ
る処理液の膜をレーザ光で除去するので,洗浄液を使用
せずに基板の周縁部にある処理液の膜を除去することが
可能となる。ここで,基板上の処理液の膜厚に差がある
場合には,レーザ光の照射時間を調整して好適に対処す
ることができる。
【0016】 上記発明において,前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と,基板
の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去する工
程との間に,基板に対して照射するレーザ光の出力を調
整する工程を具備するようにしてもよい。
端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と,基板
の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去する工
程との間に,基板に対して照射するレーザ光の出力を調
整する工程を具備するようにしてもよい。
【0017】 この膜形成方法によれば,周辺部の端部
にある処理液の膜を固化させた後に,基板の周縁部に対
して照射するレーザ光の出力を調整するので,例えば処
理液の膜が厚く形成された箇所には出力の大きなレーザ
光を,また処理液の膜が薄く形成された箇所には出力の
小さなレーザ光を照射することにより,基板の周縁部か
ら効率よく,かつ常に所定の時間で不要な処理液の膜を
除去することができる。
にある処理液の膜を固化させた後に,基板の周縁部に対
して照射するレーザ光の出力を調整するので,例えば処
理液の膜が厚く形成された箇所には出力の大きなレーザ
光を,また処理液の膜が薄く形成された箇所には出力の
小さなレーザ光を照射することにより,基板の周縁部か
ら効率よく,かつ常に所定の時間で不要な処理液の膜を
除去することができる。
【0018】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を
照射して,所定の間隔を有するように前記基板の周辺部
に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に形成され
た処理液の膜の2箇所を固化する工程と,その後,前記
固化された2箇所の処理液の膜の間にある処理液の膜を
前記レーザー光で除去する工程とを有することを特徴と
する膜形成方法が提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を
照射して,所定の間隔を有するように前記基板の周辺部
に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に形成され
た処理液の膜の2箇所を固化する工程と,その後,前記
固化された2箇所の処理液の膜の間にある処理液の膜を
前記レーザー光で除去する工程とを有することを特徴と
する膜形成方法が提供される。
【0019】 このように,処理液の膜の固化する部分
を2重に形成することにより,いわゆる処理液に対する
堰が2つ形成されることになるため,基板周縁部から乾
いていない処理液が流出することをより確実に防止でき
る。なお,この膜形成方法は,前記基板の周辺部に形成
された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を
冷却する工程を有するようにしてもよい。
を2重に形成することにより,いわゆる処理液に対する
堰が2つ形成されることになるため,基板周縁部から乾
いていない処理液が流出することをより確実に防止でき
る。なお,この膜形成方法は,前記基板の周辺部に形成
された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を
冷却する工程を有するようにしてもよい。
【0020】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せると共に当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レ
ーザ光で除去する工程と,前記基板の周辺部に形成され
た処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却
する工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提
供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と,基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せると共に当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レ
ーザ光で除去する工程と,前記基板の周辺部に形成され
た処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却
する工程と,を有することを特徴とする膜形成方法が提
供される。
【0021】 この膜形成方法によれば,例えばスピン
コート法によって,基板の周縁部にまで延出した余分な
処理液の膜はレーザ光によって除去される。一方,基板
の周辺部に対しては,レーザ光で固化した処理液による
堰が形成されるので,乾ききっていない処理液の流出を
防ぐことができる。しかも,基板の周縁部にある処理液
の膜の除去を上述した堰の形成と同時に行うので,かか
る固化と除去とに要する時間をより短縮化できる。ま
た,本発明によれば,基板に処理液を供給し,当該基板
の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と,基
板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそれ
ぞれレーザ光を同時に照射して,前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該基
板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と,を有
し,前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際
には,前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記
基板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大
きくすることを特徴とする膜形成方法が提供される。
コート法によって,基板の周縁部にまで延出した余分な
処理液の膜はレーザ光によって除去される。一方,基板
の周辺部に対しては,レーザ光で固化した処理液による
堰が形成されるので,乾ききっていない処理液の流出を
防ぐことができる。しかも,基板の周縁部にある処理液
の膜の除去を上述した堰の形成と同時に行うので,かか
る固化と除去とに要する時間をより短縮化できる。ま
た,本発明によれば,基板に処理液を供給し,当該基板
の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と,基
板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそれ
ぞれレーザ光を同時に照射して,前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該基
板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と,を有
し,前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際
には,前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記
基板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大
きくすることを特徴とする膜形成方法が提供される。
【0022】 上述した前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は,前記基板の周辺
部に対して紫外線を照射することにより行われてもよい
し,前記基板の周辺部を加熱することにより行われても
よいし,さらに,基板の周辺部に対して硬化剤を供給す
ることにより行われるようにしてもよい。上記の方法を
用いて処理液の膜を固化させても,固化部分すなわち堰
を基板の周辺部の端部に好適に形成することができる。
従って,基板の中心部側にある乾いていない処理液が基
板の周縁部から基板外に流出することが防止される。
された処理液の膜を固化させる工程は,前記基板の周辺
部に対して紫外線を照射することにより行われてもよい
し,前記基板の周辺部を加熱することにより行われても
よいし,さらに,基板の周辺部に対して硬化剤を供給す
ることにより行われるようにしてもよい。上記の方法を
用いて処理液の膜を固化させても,固化部分すなわち堰
を基板の周辺部の端部に好適に形成することができる。
従って,基板の中心部側にある乾いていない処理液が基
板の周縁部から基板外に流出することが防止される。
【0023】 前記膜形成方法において,基板の周辺部
に形成された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周
辺部を冷却する工程を有する場合,例えばレーザ光や加
熱素子等により,基板に熱的な悪影響を与えるおそれが
ある。そこで,レーザ光や熱が与えられる基板の周辺部
を冷却することにより,熱的な影響を受けることを防止
する。
に形成された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周
辺部を冷却する工程を有する場合,例えばレーザ光や加
熱素子等により,基板に熱的な悪影響を与えるおそれが
ある。そこで,レーザ光や熱が与えられる基板の周辺部
を冷却することにより,熱的な影響を受けることを防止
する。
【0024】 例えば,上記膜形成方法において,基板
は略円盤状であって,この基板を回転させながらレーザ
光を照射する工程を有するようにしてもよい。
は略円盤状であって,この基板を回転させながらレーザ
光を照射する工程を有するようにしてもよい。
【0025】 かかる場合,基板の周辺部や周縁部の一
点にレーザ光を照射し続けるだけで,基板の全周にわた
って周辺部や周縁部に対してレーザ光の照射が行える。
点にレーザ光を照射し続けるだけで,基板の全周にわた
って周辺部や周縁部に対してレーザ光の照射が行える。
【0026】 上述した各膜形成方法において,前記基
板は略円盤状であって,前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は,この基板を回転
させながら行われてもよい。
板は略円盤状であって,前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は,この基板を回転
させながら行われてもよい。
【0027】 この膜形成方法によれば,例えば前記基
板の周辺部の一点に紫外線を照射し続けるだけで,基板
の全周にわたって基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させることができる。また,回転の速度を
変えることにより,例えば紫外線の照射量を変えること
ができる。
板の周辺部の一点に紫外線を照射し続けるだけで,基板
の全周にわたって基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させることができる。また,回転の速度を
変えることにより,例えば紫外線の照射量を変えること
ができる。
【0028】 また,前記基板の周縁部に形成された処
理液の膜を除去する工程は,前記基板を回転させながら
行われてもよい。
理液の膜を除去する工程は,前記基板を回転させながら
行われてもよい。
【0029】 この膜形成方法によれば,例えば前記基
板の周辺部の一点にレーザ光を照射し続けるだけで,基
板の全周にわたって基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去することができる。また,回転の速度を変える
ことにより,例えばレーザ光の照射量を変えることがで
き,処理膜の除去量を適宜変更することができる。
板の周辺部の一点にレーザ光を照射し続けるだけで,基
板の全周にわたって基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去することができる。また,回転の速度を変える
ことにより,例えばレーザ光の照射量を変えることがで
き,処理膜の除去量を適宜変更することができる。
【0030】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する手段と,前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる手段と,前記基板の周辺
部を冷却する冷却装置と,を有することを特徴とする膜
形成装置が提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する手段と,前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる手段と,前記基板の周辺
部を冷却する冷却装置と,を有することを特徴とする膜
形成装置が提供される。
【0031】 このように,前記基板の周縁部に形成さ
れた処理液の膜を除去する手段と,前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有す
ることにより,上述の膜形成方法を好適に実施すること
ができる。従って,基板周辺部に形成された処理液の膜
にいわゆる堰が形成され,基板中心部側にある乾いてい
ない処理液が基板周縁部から基板外に流出することが防
止される。
れた処理液の膜を除去する手段と,前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有す
ることにより,上述の膜形成方法を好適に実施すること
ができる。従って,基板周辺部に形成された処理液の膜
にいわゆる堰が形成され,基板中心部側にある乾いてい
ない処理液が基板周縁部から基板外に流出することが防
止される。
【0032】 前記処理液の膜を除去する手段は,前記
基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有する
ようにしてもよい。このように,前記供給部を設けるこ
とにより,洗浄液によって前記処理液の膜を除去するこ
とができるため,上述した膜形成方法が好適に実施でき
る。
基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有する
ようにしてもよい。このように,前記供給部を設けるこ
とにより,洗浄液によって前記処理液の膜を除去するこ
とができるため,上述した膜形成方法が好適に実施でき
る。
【0033】 さらに前記基板の処理液の膜を固化する
手段を前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置と
してもよい。こうすることにより,前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜は,前記洗浄液により除去され,
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜は,レーザ光
により固化できる。したがって,上述の膜形成方法を好
適に実施できる。
手段を前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置と
してもよい。こうすることにより,前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜は,前記洗浄液により除去され,
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜は,レーザ光
により固化できる。したがって,上述の膜形成方法を好
適に実施できる。
【0034】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に対してレーザ光を
照射可能な照射装置と,前記基板の周辺部を冷却する冷
却装置と,を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供
される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に対してレーザ光を
照射可能な照射装置と,前記基板の周辺部を冷却する冷
却装置と,を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供
される。
【0035】 この膜形成装置によれば,処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部に対して照射装置からの
レーザ光を照射して加熱することができるから,基板の
周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化することが
できる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。
表面に形成された基板の周辺部に対して照射装置からの
レーザ光を照射して加熱することができるから,基板の
周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化することが
できる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。
【0036】 そして上記照射装置は,少なくとも基板
の周縁部まで移動自在に構成してもよい。
の周縁部まで移動自在に構成してもよい。
【0037】 かかる構成によれば,照射装置から基板
の周辺部に対してレーザ光を照射した後に,照射装置を
移動させて基板の周辺部よりもさらに外側の周縁部にレ
ーザ光を照射することが可能である。従って,上述の膜
形成方法を好適に実施することができる。
の周辺部に対してレーザ光を照射した後に,照射装置を
移動させて基板の周辺部よりもさらに外側の周縁部にレ
ーザ光を照射することが可能である。従って,上述の膜
形成方法を好適に実施することができる。
【0038】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,基板の周辺部に対してレーザ光を照射
する第1の照射装置と,基板の周縁部に対してレーザ光
を照射する第2の照射装置と,前記基板の周辺部を冷却
する冷却装置と,を有することを特徴とする,膜形成装
置が提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,基板の周辺部に対してレーザ光を照射
する第1の照射装置と,基板の周縁部に対してレーザ光
を照射する第2の照射装置と,前記基板の周辺部を冷却
する冷却装置と,を有することを特徴とする,膜形成装
置が提供される。
【0039】 前記膜形成装置によれば,基板の周辺部
及び基板の周縁部に対してそれぞれ第1,第2の照射装
置から同時にレーザ光を照射することができる。従っ
て,例えば第1の照射装置よりも第2の照射装置の出力
を大きくし,基板の周辺部に照射するレーザ光よりも光
強度の強いレーザ光,即ちエネルギーの高いレーザ光を
基板の周縁部に照射すれば,固化した処理液の堰が基板
の周辺部に形成され,同時に基板の周縁部にある不要な
処理液の膜を除去することができる。その結果,上述の
膜形成方法を好適に実施することができる。また,本発
明は,基板に処理液を供給し,当該基板の表面に所定の
厚さの処理液の膜を形成する装置であって,基板の周辺
部に対してレーザ光を照射する第1の照射装置と,基板
の周縁部に対してレーザ光を照射する第2の照射装置
と,を有し,前記第1の照射装置よりも前記第2の照射
装置からのレーザ光の出力を大きくし,前記第1の照射
装置と前記第2の照射装置からそれぞれレーザ光を同時
に照射して,前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させると同時に当該基板の周縁部にある処
理液の膜を除去することを特徴とする。
及び基板の周縁部に対してそれぞれ第1,第2の照射装
置から同時にレーザ光を照射することができる。従っ
て,例えば第1の照射装置よりも第2の照射装置の出力
を大きくし,基板の周辺部に照射するレーザ光よりも光
強度の強いレーザ光,即ちエネルギーの高いレーザ光を
基板の周縁部に照射すれば,固化した処理液の堰が基板
の周辺部に形成され,同時に基板の周縁部にある不要な
処理液の膜を除去することができる。その結果,上述の
膜形成方法を好適に実施することができる。また,本発
明は,基板に処理液を供給し,当該基板の表面に所定の
厚さの処理液の膜を形成する装置であって,基板の周辺
部に対してレーザ光を照射する第1の照射装置と,基板
の周縁部に対してレーザ光を照射する第2の照射装置
と,を有し,前記第1の照射装置よりも前記第2の照射
装置からのレーザ光の出力を大きくし,前記第1の照射
装置と前記第2の照射装置からそれぞれレーザ光を同時
に照射して,前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させると同時に当該基板の周縁部にある処
理液の膜を除去することを特徴とする。
【0040】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射可能な照射装置と,前記基板の周辺部を冷却する冷却
装置と,を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供さ
れる。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射可能な照射装置と,前記基板の周辺部を冷却する冷却
装置と,を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供さ
れる。
【0041】 このように,紫外線の照射装置を備える
ことにより,レーザ光の代わりに紫外線を照射して,基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化するこ
とができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施す
ることができる。
ことにより,レーザ光の代わりに紫外線を照射して,基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化するこ
とができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施す
ることができる。
【0042】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部を加熱する加熱素子
と,前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,を備えた
ことを特徴とする膜形成装置が提供される。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部を加熱する加熱素子
と,前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,を備えた
ことを特徴とする膜形成装置が提供される。
【0043】 このように,基板の周辺部を加熱する加
熱素子を備えることにより,基板の周辺部に形成された
処理液の膜を加熱して,前記処理液の膜を固化すること
ができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施する
ことができる。
熱素子を備えることにより,基板の周辺部に形成された
処理液の膜を加熱して,前記処理液の膜を固化すること
ができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施する
ことができる。
【0044】 本発明によれば,基板に処理液を供給
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に硬化剤を供給する
供給部を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供され
る。
し,当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって,前記基板の周辺部に硬化剤を供給する
供給部を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供され
る。
【0045】 このように,基板の周辺部に硬化剤を供
給する供給部を備えることにより,基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜に硬化剤を供給して,前記処理
液の膜を固化することができる。従って,上述の膜形成
方法を好適に実施することができる。
給する供給部を備えることにより,基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜に硬化剤を供給して,前記処理
液の膜を固化することができる。従って,上述の膜形成
方法を好適に実施することができる。
【0046】 前記膜形成装置において,前記基板の周
辺部を冷却する冷却装置を有していてもよい。
辺部を冷却する冷却装置を有していてもよい。
【0047】このように,基板の周辺部を冷却する冷却
装置を備えることにより,基板の周辺部を冷却して,例
えば,レーザ光の照射による温度上昇を抑制することが
できる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。
装置を備えることにより,基板の周辺部を冷却して,例
えば,レーザ光の照射による温度上昇を抑制することが
できる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。
【0048】 また,上述の冷却装置は,前記基板の周
辺部に対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するよう
に構成されていてもよいし,前記基板の周辺部に冷却さ
れた気体を供給するように構成されていてもよい。
辺部に対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するよう
に構成されていてもよいし,前記基板の周辺部に冷却さ
れた気体を供給するように構成されていてもよい。
【0049】 前者の場合,基板周辺部の裏面に対して
冷却水を供給するため,処理液に直接触れることなく,
基板周辺部の温度上昇を抑制することができる。また,
後者の場合,処理液に直接触れてもさほど影響を与えな
い気体を用いて基板周辺部を冷却することができるの
で,冷却装置の配置位置の自由度が広がる。
冷却水を供給するため,処理液に直接触れることなく,
基板周辺部の温度上昇を抑制することができる。また,
後者の場合,処理液に直接触れてもさほど影響を与えな
い気体を用いて基板周辺部を冷却することができるの
で,冷却装置の配置位置の自由度が広がる。
【0050】 以上の各膜形成装置は,前記基板を回転
させる基板支持機構を有するようにしてもよい。
させる基板支持機構を有するようにしてもよい。
【0051】 かかる構成によれば,例えば基板支持機
構によって回転する基板の周辺部にレーザ光を照射する
ことができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施
することができる。
構によって回転する基板の周辺部にレーザ光を照射する
ことができる。従って,上述の膜形成方法を好適に実施
することができる。
【0052】
【発明の実施の形態】以下,本発明の実施の形態にかか
る膜形成装置を備えた膜形成システムについて説明す
る。図1〜3は膜形成システムの外観を示しており,図
1は平面図,図2は正面図,図3は背面図である。
る膜形成装置を備えた膜形成システムについて説明す
る。図1〜3は膜形成システムの外観を示しており,図
1は平面図,図2は正面図,図3は背面図である。
【0053】膜形成システム1は図1に示すように,例
えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現
像処理装置1に搬入出したり,カセットCにウェハWを
搬入出したりするためのカセットステーション2と,枚
葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置し
てなる処理ステーション3とを一体に接続した構成を有
している。
えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現
像処理装置1に搬入出したり,カセットCにウェハWを
搬入出したりするためのカセットステーション2と,枚
葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置し
てなる処理ステーション3とを一体に接続した構成を有
している。
【0054】カセットステーション2では,カセット載
置台6上の所定の位置にカセットCがウェハWの出入口
を処理ステーション3側に向けてX方向(図1中の上下
方向)一列に載置自在である。そして,このカセット配
列方向(X方向)及びカセットCに収容されたウェハW
のウェハ配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウ
ェハ搬送体8が搬送路9に沿って移動自在であり,カセ
ットCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
置台6上の所定の位置にカセットCがウェハWの出入口
を処理ステーション3側に向けてX方向(図1中の上下
方向)一列に載置自在である。そして,このカセット配
列方向(X方向)及びカセットCに収容されたウェハW
のウェハ配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウ
ェハ搬送体8が搬送路9に沿って移動自在であり,カセ
ットCに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【0055】ウェハ搬送体8はθ方向(Z軸を中心とす
る回転方向)にも回転自在に構成されており,後述する
ように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に
属するアライメントユニット32及びエクステンション
ユニット33に対してもアクセスできるように構成され
ている。
る回転方向)にも回転自在に構成されており,後述する
ように処理ステーション3側の第3の処理装置群G3に
属するアライメントユニット32及びエクステンション
ユニット33に対してもアクセスできるように構成され
ている。
【0056】処理ステーション3では,ウェハWの周縁
部を保持するピンセット10と,ウェハWの裏面を保持
するピンセット11,12とを上中下に備えた主搬送装
置13が中心部に配置されており,主搬送装置13の周
囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理装置群
を構成している。膜形成システム1においては,4つの
処理装置群G1,G2,G3,G4が配置可能である。
第1及び第2の処理装置群G1,G2は膜形成装置1の
正面側に配置されており,第3の処理装置群G 3はカセ
ットステーション2に隣接して配置されており,第4の
処理装置群G4は主搬送装置13を挟んで第3の処理装
置群G3と相対向するようにして配置されている。ま
た,必要に応じて第5の処理装置群G5も背面側に配置
可能である。
部を保持するピンセット10と,ウェハWの裏面を保持
するピンセット11,12とを上中下に備えた主搬送装
置13が中心部に配置されており,主搬送装置13の周
囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理装置群
を構成している。膜形成システム1においては,4つの
処理装置群G1,G2,G3,G4が配置可能である。
第1及び第2の処理装置群G1,G2は膜形成装置1の
正面側に配置されており,第3の処理装置群G 3はカセ
ットステーション2に隣接して配置されており,第4の
処理装置群G4は主搬送装置13を挟んで第3の処理装
置群G3と相対向するようにして配置されている。ま
た,必要に応じて第5の処理装置群G5も背面側に配置
可能である。
【0057】第1の処理装置群G1では図2に示すよう
に,処理液としてのポリイミド液をウェハWに供給して
処理する膜形成装置15と,後述のポンプ68,71を
収納可能な収納室16とが上下2段に配置されている。
第2の処理装置群G2では,膜形成装置15と基本的に
同様な構成を有する膜形成装置17と,収納室16と基
本的に同様な構成を有する収納室18とが上下2段に積
み重ねられている。なお,これらの収納室16,18の
下部には,後述するポリイミド液供給タンク65及び溶
剤供給タンク70を収納可能なケミカルボックス19,
19が設けられている。
に,処理液としてのポリイミド液をウェハWに供給して
処理する膜形成装置15と,後述のポンプ68,71を
収納可能な収納室16とが上下2段に配置されている。
第2の処理装置群G2では,膜形成装置15と基本的に
同様な構成を有する膜形成装置17と,収納室16と基
本的に同様な構成を有する収納室18とが上下2段に積
み重ねられている。なお,これらの収納室16,18の
下部には,後述するポリイミド液供給タンク65及び溶
剤供給タンク70を収納可能なケミカルボックス19,
19が設けられている。
【0058】第3の処理装置群G3では図3に示すよう
に,ウェハWを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット,例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット30,ポリイミド膜とウェハWとの定着性を高
めるアドヒージョンユニット31,ウェハWの位置合わ
せを行うアライメントユニット32,ウェハWを待機さ
せるエクステンションユニット33,加熱処理を行うベ
ーキングユニット34,35,36,37等が下から順
に8段に重ねられている。
に,ウェハWを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット,例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット30,ポリイミド膜とウェハWとの定着性を高
めるアドヒージョンユニット31,ウェハWの位置合わ
せを行うアライメントユニット32,ウェハWを待機さ
せるエクステンションユニット33,加熱処理を行うベ
ーキングユニット34,35,36,37等が下から順
に8段に重ねられている。
【0059】第4の処理装置群G4では,例えばクーリ
ングユニット40,載置したウェハWを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット41,エクステ
ンションユニット42,クーリングユニット43,ベー
キングユニット44,45,46,47等が下から順に
8段に積み重ねられている。
ングユニット40,載置したウェハWを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット41,エクステ
ンションユニット42,クーリングユニット43,ベー
キングユニット44,45,46,47等が下から順に
8段に積み重ねられている。
【0060】膜形成システム1は以上のように構成され
ている。次に,本発明の実施の形態にかかる膜形成装置
15について説明する。
ている。次に,本発明の実施の形態にかかる膜形成装置
15について説明する。
【0061】膜形成装置15は図4,5に示すように,
ケーシング54内に備えられたカップ55内部で真空吸
着したウェハWを回転自在なスピンチャック56を備え
ており,このウェハWの下側にはウェハWの裏面周縁部
に洗浄液,例えば溶剤等を供給して洗浄する,いわゆる
バックリンスを行うための洗浄液供給手段57,57が
設けられている。また,ウェハWから飛散したポリイミ
ド液は,スピンチャック56の外方からカップ55の底
部に設けられた排液管58を通じて,カップ55の下方
に設置されているドレインタンク59へと排出される。
ケーシング54内に備えられたカップ55内部で真空吸
着したウェハWを回転自在なスピンチャック56を備え
ており,このウェハWの下側にはウェハWの裏面周縁部
に洗浄液,例えば溶剤等を供給して洗浄する,いわゆる
バックリンスを行うための洗浄液供給手段57,57が
設けられている。また,ウェハWから飛散したポリイミ
ド液は,スピンチャック56の外方からカップ55の底
部に設けられた排液管58を通じて,カップ55の下方
に設置されているドレインタンク59へと排出される。
【0062】本実施の形態にかかる膜形成装置15にお
いては,ウェハWに供給されるポリイミド液は,各々ポ
リイミド液供給ノズルP1〜P4から供給されるように
なっており,これらのポリイミド液供給ノズルP1〜P
4はウェハWに溶剤を供給する溶剤供給ノズルT1〜T
4とそれぞれ組になってノズルホルダ60,61,6
2,63に夫々組み込まれている。
いては,ウェハWに供給されるポリイミド液は,各々ポ
リイミド液供給ノズルP1〜P4から供給されるように
なっており,これらのポリイミド液供給ノズルP1〜P
4はウェハWに溶剤を供給する溶剤供給ノズルT1〜T
4とそれぞれ組になってノズルホルダ60,61,6
2,63に夫々組み込まれている。
【0063】ノズルホルダ60,61,62,63は上
記カップ55の外側に配置する保持機構64によって保
持されるようになっている。これらのノズルホルダ6
0,61,62,63はそれぞれ基本的に同一の構成を
有しており,例えば図4に示したノズルホルダ60に基
づいてその構成を説明すると,ノズルホルダ60にはポ
リイミド液供給ノズルP1と,溶剤供給ノズルT1とが
設けられている。
記カップ55の外側に配置する保持機構64によって保
持されるようになっている。これらのノズルホルダ6
0,61,62,63はそれぞれ基本的に同一の構成を
有しており,例えば図4に示したノズルホルダ60に基
づいてその構成を説明すると,ノズルホルダ60にはポ
リイミド液供給ノズルP1と,溶剤供給ノズルT1とが
設けられている。
【0064】ポリイミド液供給ノズルP1へは,上記ケ
ミカルボックス19に収納されているポリイミド液供給
タンク65から,ポリイミド液供給チューブ66を通じ
て所定のポリイミド液が供給されるようになっており,
このポリイミド液供給チューブ66には途中にパーティ
クル等の不純物を除去するフィルタ67が介装されてい
る。また,ポリイミド液は収納室16内のポンプ68等
によって送られるようになっている。
ミカルボックス19に収納されているポリイミド液供給
タンク65から,ポリイミド液供給チューブ66を通じ
て所定のポリイミド液が供給されるようになっており,
このポリイミド液供給チューブ66には途中にパーティ
クル等の不純物を除去するフィルタ67が介装されてい
る。また,ポリイミド液は収納室16内のポンプ68等
によって送られるようになっている。
【0065】またノズルホルダ60には,温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路6
9a,復路69bが設けられており,往路69aを通じ
て外部から供給される温度調節水等の温度調節流体を往
路69aから復路69bに循環させている。これによ
り,ポリイミド液供給チューブ66内を流通するポリイ
ミド液を一定温度に保ち,ポリイミド液供給ノズルP1
からウェハWに対して吐出されるポリイミド液が常に所
定温度となるように配慮されている。
を循環させるためのチューブによって構成された往路6
9a,復路69bが設けられており,往路69aを通じ
て外部から供給される温度調節水等の温度調節流体を往
路69aから復路69bに循環させている。これによ
り,ポリイミド液供給チューブ66内を流通するポリイ
ミド液を一定温度に保ち,ポリイミド液供給ノズルP1
からウェハWに対して吐出されるポリイミド液が常に所
定温度となるように配慮されている。
【0066】一方,溶剤供給ノズルT1にはケミカルボ
ックス19に収納されている溶剤供給タンク70の溶剤
がポンプ71によって溶剤供給チューブ72を通じて送
液されるようになっており,ノズルホルダ60には溶剤
供給チューブ72内を流通する溶剤を所定温度に維持す
るために,所定温度の温度調節流体を流通させるチュー
ブからなる往路73a,73bが設けられている。
ックス19に収納されている溶剤供給タンク70の溶剤
がポンプ71によって溶剤供給チューブ72を通じて送
液されるようになっており,ノズルホルダ60には溶剤
供給チューブ72内を流通する溶剤を所定温度に維持す
るために,所定温度の温度調節流体を流通させるチュー
ブからなる往路73a,73bが設けられている。
【0067】なお,ノズルホルダ61,62,63には
ポリイミド液供給ノズルP2,P3,P4と,溶剤供給
ノズルT2,T3,T4とが夫々設けられており,ノズ
ルホルダ60,61,62,63には後述するスキャン
アーム80aの保持する保持ピン60a,61a,62
a,63aがそれぞれ設けられている。
ポリイミド液供給ノズルP2,P3,P4と,溶剤供給
ノズルT2,T3,T4とが夫々設けられており,ノズ
ルホルダ60,61,62,63には後述するスキャン
アーム80aの保持する保持ピン60a,61a,62
a,63aがそれぞれ設けられている。
【0068】そして,スピンチャック55を挟んで保持
機構64の反対側には他の保持機構74が設けられてお
り,この保持機構74にはウェハWの周縁部に溶剤を供
給して洗浄する,いわゆるサイドリンス専用のノズルホ
ルダ75,76,77,78が備えられている。ノズル
ホルダ75,76,77,78は基本的に同様の構成を
有しており,ノズルホルダ75,76,77,78には
ウェハWの周縁部に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル
S1,S2,S3,S4と,後述するスキャンアーム8
0aに保持される保持ピン75a,76a,77a,7
8aとがそれぞれ設けられている。
機構64の反対側には他の保持機構74が設けられてお
り,この保持機構74にはウェハWの周縁部に溶剤を供
給して洗浄する,いわゆるサイドリンス専用のノズルホ
ルダ75,76,77,78が備えられている。ノズル
ホルダ75,76,77,78は基本的に同様の構成を
有しており,ノズルホルダ75,76,77,78には
ウェハWの周縁部に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル
S1,S2,S3,S4と,後述するスキャンアーム8
0aに保持される保持ピン75a,76a,77a,7
8aとがそれぞれ設けられている。
【0069】そして,前出のノズルホルダ60,61,
62,63及びノズルホルダ75,76,77,78は
保持機構64,74からスキャン機構80のスキャンア
ーム80aによってそれぞれ取り出される。このスキャ
ンアーム80aは三次元方向,即ちX方向,Y方向,Z
方向への移動が可能であり,ノズルホルダ60,61,
62,63及びノズルホルダ75,76,77,78を
保持した状態でウェハWの上方に位置する所定の位置ま
で移動するように構成されている。
62,63及びノズルホルダ75,76,77,78は
保持機構64,74からスキャン機構80のスキャンア
ーム80aによってそれぞれ取り出される。このスキャ
ンアーム80aは三次元方向,即ちX方向,Y方向,Z
方向への移動が可能であり,ノズルホルダ60,61,
62,63及びノズルホルダ75,76,77,78を
保持した状態でウェハWの上方に位置する所定の位置ま
で移動するように構成されている。
【0070】また,カップ55の上方には,ウェハWの
周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装置81が備
えられている。この照射装置81は移動機構83によっ
てカップ55上方の所定の位置まで移動することができ
るように構成されており,光源が例えばGaAlAs等
で出力が数W程度の赤外レーザダイオード81aと,発
生したレーザ光をウェハWの周辺部に対して垂直に照射
させるためのレンズ81bとを有している。
周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装置81が備
えられている。この照射装置81は移動機構83によっ
てカップ55上方の所定の位置まで移動することができ
るように構成されており,光源が例えばGaAlAs等
で出力が数W程度の赤外レーザダイオード81aと,発
生したレーザ光をウェハWの周辺部に対して垂直に照射
させるためのレンズ81bとを有している。
【0071】本実施の形態にかかる膜形成装置15は以
上のように形成されている。次に,膜形成装置15の作
用効果について説明する。
上のように形成されている。次に,膜形成装置15の作
用効果について説明する。
【0072】ウェハWが膜形成装置15に搬入される
と,このウェハWはカップ55内のスピンチャック56
に真空引きされて吸着保持される。次いで,スピンチャ
ック56が回転して,所定のポリイミド液を供給するポ
リイミド液供給ノズルPx,例えばポリイミド液供給ノ
ズルP1が選択されて,スキャンアーム80aがポリイ
ミド液供給ノズルP1を有するノズルホルダ60を保持
機構64まで取りに行く。
と,このウェハWはカップ55内のスピンチャック56
に真空引きされて吸着保持される。次いで,スピンチャ
ック56が回転して,所定のポリイミド液を供給するポ
リイミド液供給ノズルPx,例えばポリイミド液供給ノ
ズルP1が選択されて,スキャンアーム80aがポリイ
ミド液供給ノズルP1を有するノズルホルダ60を保持
機構64まで取りに行く。
【0073】そして,ノズルホルダ60がカップ55上
方の所定位置,例えばウェハWの中心部まで移動して,
回転するウェハWの中心部に溶剤供給ノズルT1から所
定の溶剤を供給し拡散させる。次いで,溶剤の供給後に
ノズルホルダ60が移動して,図6に示すように回転の
停止したウェハWの中心部にポリイミド液供給ノズルP
1から所定のポリイミド液を供給する。かかる供給終了
後,スキャンアーム80aは処理位置から退避し,ノズ
ルホルダ60をもとの保持機構64に戻しに行く。
方の所定位置,例えばウェハWの中心部まで移動して,
回転するウェハWの中心部に溶剤供給ノズルT1から所
定の溶剤を供給し拡散させる。次いで,溶剤の供給後に
ノズルホルダ60が移動して,図6に示すように回転の
停止したウェハWの中心部にポリイミド液供給ノズルP
1から所定のポリイミド液を供給する。かかる供給終了
後,スキャンアーム80aは処理位置から退避し,ノズ
ルホルダ60をもとの保持機構64に戻しに行く。
【0074】次いで,ポリイミド液の供給されたウェハ
Wをスピンチャック56で回転させてウェハWに供給さ
れたポリイミド液を拡散させて,図7に示すようにウェ
ハW上にポリイミド膜Pを形成する。そして,ウェハW
の回転によってウェハWの周縁部まで延出したポリイミ
ド膜Pを除去するために,いわゆるサイドリンス及びバ
ックリンスが行われる。
Wをスピンチャック56で回転させてウェハWに供給さ
れたポリイミド液を拡散させて,図7に示すようにウェ
ハW上にポリイミド膜Pを形成する。そして,ウェハW
の回転によってウェハWの周縁部まで延出したポリイミ
ド膜Pを除去するために,いわゆるサイドリンス及びバ
ックリンスが行われる。
【0075】即ち,保持機構74に移動したスキャンア
ーム80aによって,例えばノズルホルダ75が取り出
され,ノズルホルダ75が図8に示すように,スキャン
アーム80aに保持された状態でウェハWの周縁部上方
の所定位置まで移動する。このとき,ウェハWは再び回
転が開始されている。そして,回転するウェハWの周縁
部に溶剤吐出ノズルS1から溶剤が吐出されてサイドリ
ンスが行われる。また,このサイドリンスと並行して,
当該ウェハWの裏面周縁部に対して洗浄液供給手段5
7,57から溶剤が供給されてバックリンスが行なわれ
る。かかるサイドリンス及びバックリンスによって,ウ
ェハWの周縁部にある不要なポリイミド膜Pが溶剤に溶
解し,図9に示すように除去される。
ーム80aによって,例えばノズルホルダ75が取り出
され,ノズルホルダ75が図8に示すように,スキャン
アーム80aに保持された状態でウェハWの周縁部上方
の所定位置まで移動する。このとき,ウェハWは再び回
転が開始されている。そして,回転するウェハWの周縁
部に溶剤吐出ノズルS1から溶剤が吐出されてサイドリ
ンスが行われる。また,このサイドリンスと並行して,
当該ウェハWの裏面周縁部に対して洗浄液供給手段5
7,57から溶剤が供給されてバックリンスが行なわれ
る。かかるサイドリンス及びバックリンスによって,ウ
ェハWの周縁部にある不要なポリイミド膜Pが溶剤に溶
解し,図9に示すように除去される。
【0076】そして,上記サイドリンス及びバックリン
ス終了後に,ウェハWの周辺部上方に照射装置81を移
動させて,図10に示すように,回転するウェハWの周
辺部に照射装置81からレーザ光を照射する。このレー
ザ光の照射によってウェハWの周辺部が加熱されるの
で,ウェハWの周辺部にあるポリイミド膜Pの端部82
が図11に示すように固化する。
ス終了後に,ウェハWの周辺部上方に照射装置81を移
動させて,図10に示すように,回転するウェハWの周
辺部に照射装置81からレーザ光を照射する。このレー
ザ光の照射によってウェハWの周辺部が加熱されるの
で,ウェハWの周辺部にあるポリイミド膜Pの端部82
が図11に示すように固化する。
【0077】この固化したポリイミド膜Pの端部82は
いわば堰として機能する。従って,例えばウェハWをピ
ンセット10で搬送している最中に乾ききっていないポ
リイミド液が当該ピンセット10の移動,停止等により
ウェハWの周縁部方向に移動しようとしても,このポリ
イミド液はポリイミド膜Pの固化した端部82によって
せき止められる。その結果,ポリイミド液がウェハWの
周縁部側に流出することを未然に防止することができ,
ポリイミド液がピンセット10に付着して汚染すること
を防止することができる。
いわば堰として機能する。従って,例えばウェハWをピ
ンセット10で搬送している最中に乾ききっていないポ
リイミド液が当該ピンセット10の移動,停止等により
ウェハWの周縁部方向に移動しようとしても,このポリ
イミド液はポリイミド膜Pの固化した端部82によって
せき止められる。その結果,ポリイミド液がウェハWの
周縁部側に流出することを未然に防止することができ,
ポリイミド液がピンセット10に付着して汚染すること
を防止することができる。
【0078】そのようにして,膜形成装置15にて所定
のポリイミド膜が形成されたウェハWは,その後ベーキ
ングユニット44,クーリングユニット43に順次搬送
されて所定の処理が施される。膜形成装置17において
も膜形成装置15と同様なプロセスによってポリイミド
膜Pが形成される。なお,この実施に形態においては,
サイドリンス及びバックリンスが行われ,ウェハWの周
縁部のポリイミド膜Pが除去された後に,ウェハWの周
辺部に形成されたポリイミド膜Pの端部を固化したが,
その逆すなわちウェハWの周辺部の端部に形成されたポ
リイミド膜Pを固化し,堰を形成した後に,ウェハW周
縁部のポリイミド膜Pを除去してもよい。
のポリイミド膜が形成されたウェハWは,その後ベーキ
ングユニット44,クーリングユニット43に順次搬送
されて所定の処理が施される。膜形成装置17において
も膜形成装置15と同様なプロセスによってポリイミド
膜Pが形成される。なお,この実施に形態においては,
サイドリンス及びバックリンスが行われ,ウェハWの周
縁部のポリイミド膜Pが除去された後に,ウェハWの周
辺部に形成されたポリイミド膜Pの端部を固化したが,
その逆すなわちウェハWの周辺部の端部に形成されたポ
リイミド膜Pを固化し,堰を形成した後に,ウェハW周
縁部のポリイミド膜Pを除去してもよい。
【0079】前記実施の形態ではウェハWの周縁部にあ
るポリイミド膜Pを除去するためにサイドリンスとバッ
クリンスとを併用した例を挙げて説明したが,これに替
えて,レーザ光の照射によってウェハWの周縁部にある
ポリイミド膜Pを除去するようにしてもよい。
るポリイミド膜Pを除去するためにサイドリンスとバッ
クリンスとを併用した例を挙げて説明したが,これに替
えて,レーザ光の照射によってウェハWの周縁部にある
ポリイミド膜Pを除去するようにしてもよい。
【0080】即ち図12に示すように,先ずポリイミド
が表面に塗布されたウェハWの周辺部上方に照射装置8
1を移動させて,ウェハWの周辺部にレーザ光を照射
し,端部を固化させてポリイミド膜Pの堰を形成する。
次いで図13に示すように,照射装置81をウェハWの
周縁部まで移動させると共に,レーザ光の出力を高め
る。そして,ウェハWに形成されたポリイミド膜Pの堰
の最外端に位置する周縁部にレーザ光を照射し,ウェハ
Wの外側周縁部にあるポリイミド膜Pを蒸発させて,こ
れを除去する。また,レーザ光の出力を高める代わり
に,ポリイミド膜Pの堰を形成した後で,除去しようと
するポリイミド膜Pに照射装置81からのレーザ光を複
数回重ねて照射してもよい。また,ウェハWの回転速度
を遅くしてポリイミド膜Pに照射されるレーザ光のエネ
ルギー量を実質的に多くするようにしてもよい。
が表面に塗布されたウェハWの周辺部上方に照射装置8
1を移動させて,ウェハWの周辺部にレーザ光を照射
し,端部を固化させてポリイミド膜Pの堰を形成する。
次いで図13に示すように,照射装置81をウェハWの
周縁部まで移動させると共に,レーザ光の出力を高め
る。そして,ウェハWに形成されたポリイミド膜Pの堰
の最外端に位置する周縁部にレーザ光を照射し,ウェハ
Wの外側周縁部にあるポリイミド膜Pを蒸発させて,こ
れを除去する。また,レーザ光の出力を高める代わり
に,ポリイミド膜Pの堰を形成した後で,除去しようと
するポリイミド膜Pに照射装置81からのレーザ光を複
数回重ねて照射してもよい。また,ウェハWの回転速度
を遅くしてポリイミド膜Pに照射されるレーザ光のエネ
ルギー量を実質的に多くするようにしてもよい。
【0081】かかる方法によれば,レーザ光によってウ
ェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去するので,
従来のようにウェハWの周縁部に溶剤を供給しなくて
も,即ちサイドリンスやバックリンスを行わなくても,
当該ウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去する
ことが可能となる。なお,かかる方法とは逆に,レーザ
光によりウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去
した後に,ウェハW周辺部の端部のポリイミド膜Pをレ
ーザ光により固化してもよい。
ェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去するので,
従来のようにウェハWの周縁部に溶剤を供給しなくて
も,即ちサイドリンスやバックリンスを行わなくても,
当該ウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去する
ことが可能となる。なお,かかる方法とは逆に,レーザ
光によりウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去
した後に,ウェハW周辺部の端部のポリイミド膜Pをレ
ーザ光により固化してもよい。
【0082】さらに図14に示したように,ウェハWの
周辺部に対してレーザ光を照射する第1の照射装置90
と,ウェハWの周縁部に対してレーザ光を照射する第2
の照射装置91とを備えるようにしてもよい。
周辺部に対してレーザ光を照射する第1の照射装置90
と,ウェハWの周縁部に対してレーザ光を照射する第2
の照射装置91とを備えるようにしてもよい。
【0083】かかる構成によれば,ウェハWの周辺部に
対して第1の照射装置90からのレーザ光を,ウェハW
の周縁部に対して第2の照射装置91からのレーザ光を
それぞれ同時に照射することができるので,ポリイミド
膜Pの固化と除去を同時に行うことができる。従って,
前記実施の形態,即ち周辺部のポリイミド膜Pを固化さ
せた後に周縁部のポリイミド膜Pを除去するプロセスよ
りも,ポリイミド膜Pの固化及び除去に要する時間を短
縮化することができる。この際,例えば第1の照射装置
90よりも第2の照射装置91の出力を大きくしてウェ
ハWの周辺部よりも光強度の強いレーザ光,即ちよりエ
ネルギの高いレーザ光をウェハWの周縁部に照射すれ
ば,ポリイミド膜Pの固化よりも時間のかかるポリイミ
ド膜Pの除去に要する時間をより短縮化することができ
る。さらに,第1,第2の照射装置90,91を移動さ
せるための適宜の移動機構83も不要となるので,装置
全体の簡素化を図ることも可能である。なお,図14に
示した例では,第1の照射装置90と第2の照射装置9
1とが一体化されていたが,もちろん第1,第2の照射
装置90,91を別体にして各々好適な位置に別々に配
置するようにしてもよい。
対して第1の照射装置90からのレーザ光を,ウェハW
の周縁部に対して第2の照射装置91からのレーザ光を
それぞれ同時に照射することができるので,ポリイミド
膜Pの固化と除去を同時に行うことができる。従って,
前記実施の形態,即ち周辺部のポリイミド膜Pを固化さ
せた後に周縁部のポリイミド膜Pを除去するプロセスよ
りも,ポリイミド膜Pの固化及び除去に要する時間を短
縮化することができる。この際,例えば第1の照射装置
90よりも第2の照射装置91の出力を大きくしてウェ
ハWの周辺部よりも光強度の強いレーザ光,即ちよりエ
ネルギの高いレーザ光をウェハWの周縁部に照射すれ
ば,ポリイミド膜Pの固化よりも時間のかかるポリイミ
ド膜Pの除去に要する時間をより短縮化することができ
る。さらに,第1,第2の照射装置90,91を移動さ
せるための適宜の移動機構83も不要となるので,装置
全体の簡素化を図ることも可能である。なお,図14に
示した例では,第1の照射装置90と第2の照射装置9
1とが一体化されていたが,もちろん第1,第2の照射
装置90,91を別体にして各々好適な位置に別々に配
置するようにしてもよい。
【0084】次に,本発明のさらに別の実施の形態を説
明する。図15に示すように,この実施の形態では,サ
イドリンス用の各ノズルホルダ175〜178にウェハ
Wの周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射する照射
装置181〜184をそれぞれ搭載している。例えば,
ノズルホルダ175〜178では,ウェハWの周縁部に
対して溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルS1,S2,
S3,S4と照射装置181〜184とが回転するウェ
ハの接線方向に向けて隣接するように配置されている。
明する。図15に示すように,この実施の形態では,サ
イドリンス用の各ノズルホルダ175〜178にウェハ
Wの周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射する照射
装置181〜184をそれぞれ搭載している。例えば,
ノズルホルダ175〜178では,ウェハWの周縁部に
対して溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルS1,S2,
S3,S4と照射装置181〜184とが回転するウェ
ハの接線方向に向けて隣接するように配置されている。
【0085】 ウェハW上にポリイミド溶剤を供給した
後,溶剤吐出ノズルS1,S2,S3,S4及び照射装
置181〜184がウェハWの周縁部に位置するように
1つのノズルホルダ175〜178を移動させ,溶剤吐
出ノズルS1,S2,S3,S4から溶液を吐出しつつ
照射装置181〜184からレーザ光を照射する。その
後,照射装置181〜184がウェハWの周辺部に位置
するように1つのノズルホルダ175〜178を移動さ
せ,照射装置181〜184からレーザ光を照射して堰
を形成する。
後,溶剤吐出ノズルS1,S2,S3,S4及び照射装
置181〜184がウェハWの周縁部に位置するように
1つのノズルホルダ175〜178を移動させ,溶剤吐
出ノズルS1,S2,S3,S4から溶液を吐出しつつ
照射装置181〜184からレーザ光を照射する。その
後,照射装置181〜184がウェハWの周辺部に位置
するように1つのノズルホルダ175〜178を移動さ
せ,照射装置181〜184からレーザ光を照射して堰
を形成する。
【0086】この実施の形態によれば,照射装置を移動
するための特別な手段は不要となり,装置全体の簡素化
を図ることができる。なお,この実施の形態では,先に
ウェハW周縁部のポリイミド膜Pを除去し,その後ウェ
ハW周辺部端部に堰を形成したが,その逆すなわち先に
ウェハW周辺部端部のポリイミド膜Pに堰を形成してか
らウェハW周縁部のポリイミド膜Pを除去してもよい。
するための特別な手段は不要となり,装置全体の簡素化
を図ることができる。なお,この実施の形態では,先に
ウェハW周縁部のポリイミド膜Pを除去し,その後ウェ
ハW周辺部端部に堰を形成したが,その逆すなわち先に
ウェハW周辺部端部のポリイミド膜Pに堰を形成してか
らウェハW周縁部のポリイミド膜Pを除去してもよい。
【0087】さらに,図16に示すように,各ノスルホ
ルダ175〜178にさらに別の照射装置191〜19
4をウェハWの接線方向に向けて隣接するように配置し
てのよい。この場合,図15に示した動作に加えて,照
射装置191〜194については,ウェハWの周辺部を
レーザ光で照射するときにだけ使用する。これにより,
堰を形成する時にはより大きなエネルギーが必要となる
が,それを2つの照射装置を使ってレーザ光を照射する
ことで,照射装置のコントロールをON・OFFだけで
行え,照射装置内のエネルギーコントロールは不要とな
り,照射装置の構成を簡略化することができる。
ルダ175〜178にさらに別の照射装置191〜19
4をウェハWの接線方向に向けて隣接するように配置し
てのよい。この場合,図15に示した動作に加えて,照
射装置191〜194については,ウェハWの周辺部を
レーザ光で照射するときにだけ使用する。これにより,
堰を形成する時にはより大きなエネルギーが必要となる
が,それを2つの照射装置を使ってレーザ光を照射する
ことで,照射装置のコントロールをON・OFFだけで
行え,照射装置内のエネルギーコントロールは不要とな
り,照射装置の構成を簡略化することができる。
【0088】次に,本発明のまた別の実施の形態を説明
する。図17に示すように,この実施の形態では,ウェ
ハW上にポリイミド溶剤を供給した後,照射装置81に
より内外2重の堰201,202を形成した後,これら
の堰201,202間に残存する溶剤203を照射装置
81により除去している。本実施の形態によれば,サイ
ドリンスやバックリンスを行わなくても,より確実に当
該ウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去するこ
とが可能となる。また,堰を2重にすることにより,ポ
リイミド溶液が基板周縁部に流れる可能性をさらに低減
できる。
する。図17に示すように,この実施の形態では,ウェ
ハW上にポリイミド溶剤を供給した後,照射装置81に
より内外2重の堰201,202を形成した後,これら
の堰201,202間に残存する溶剤203を照射装置
81により除去している。本実施の形態によれば,サイ
ドリンスやバックリンスを行わなくても,より確実に当
該ウェハWの周縁部にあるポリイミド膜Pを除去するこ
とが可能となる。また,堰を2重にすることにより,ポ
リイミド溶液が基板周縁部に流れる可能性をさらに低減
できる。
【0089】上述した実施の形態では,レーザ光を使っ
て堰の形成等を行っていたが,本発明は基板の周辺部に
処理液の堰等ができるように構成すればよく,例えば,
レーザ光に代えて紫外線を用いて紫外線のエネルギーで
堰の形成及び処理液の除去を行うようにしてもよい。ま
た,図18に示すように,ウェハWの周辺部及び周縁部
に近接可能に加熱素子211を配置し,加熱素子211
のエネルギーで堰を形成,或いは処理液の除去を行うよ
うにしてもよい。さらに,図19に示すように,ウェハ
Wの周辺部に近接可能に,処理液を硬化することができ
る硬化剤を供給する硬化剤供給ヘッド212を配置し,
硬化剤供給ヘッド212からウェハW上に硬化剤を供給
することで堰の形成を行うようにしてもよい。
て堰の形成等を行っていたが,本発明は基板の周辺部に
処理液の堰等ができるように構成すればよく,例えば,
レーザ光に代えて紫外線を用いて紫外線のエネルギーで
堰の形成及び処理液の除去を行うようにしてもよい。ま
た,図18に示すように,ウェハWの周辺部及び周縁部
に近接可能に加熱素子211を配置し,加熱素子211
のエネルギーで堰を形成,或いは処理液の除去を行うよ
うにしてもよい。さらに,図19に示すように,ウェハ
Wの周辺部に近接可能に,処理液を硬化することができ
る硬化剤を供給する硬化剤供給ヘッド212を配置し,
硬化剤供給ヘッド212からウェハW上に硬化剤を供給
することで堰の形成を行うようにしてもよい。
【0090】上述した実施の形態では,堰を形成するた
めにウェハW上にレーザ光の照射等を行っているため,
ウェハWに熱的な悪影響を及ぼすおそれがある。そこ
で,例えば,図20に示すように,照射装置81のレー
ザ照射位置の直下におけるウェハWの裏面側で,ウェハ
Wの裏面に向けて冷却水を噴出するノズル213を配置
し,レーザの照射と冷却水の噴出とを同時に行うように
してもよい。また,図21に示すように,照射装置81
に隣接し,かつ,照射装置81より内周側に(ウェハW
から見て)冷却された気体,例えば窒素ガスを噴出する
ノズル214を配置し,レーザ光の照射と冷却ガスの噴
出とを同時に行うようにしてもよい
めにウェハW上にレーザ光の照射等を行っているため,
ウェハWに熱的な悪影響を及ぼすおそれがある。そこ
で,例えば,図20に示すように,照射装置81のレー
ザ照射位置の直下におけるウェハWの裏面側で,ウェハ
Wの裏面に向けて冷却水を噴出するノズル213を配置
し,レーザの照射と冷却水の噴出とを同時に行うように
してもよい。また,図21に示すように,照射装置81
に隣接し,かつ,照射装置81より内周側に(ウェハW
から見て)冷却された気体,例えば窒素ガスを噴出する
ノズル214を配置し,レーザ光の照射と冷却ガスの噴
出とを同時に行うようにしてもよい
【0091】前記実施の形態では,処理液の膜としてポ
リイミド膜を形成する場合を例に挙げて説明したが,本
発明は他の薄膜,例えばスピン・オン・グラス膜(SO
G膜)を形成する場合も応用可能である。特に,SOD
膜の形成に本発明を適用する場合,堰が形成されたまま
であると,SOD膜の上にさらに上層を形成していくと
上層に凹凸を生じてウェハW上の実装領域にまで悪影響
を生じるため,例えばSOD膜の形成して加熱処理した
後に堰を除去することが好ましい。
リイミド膜を形成する場合を例に挙げて説明したが,本
発明は他の薄膜,例えばスピン・オン・グラス膜(SO
G膜)を形成する場合も応用可能である。特に,SOD
膜の形成に本発明を適用する場合,堰が形成されたまま
であると,SOD膜の上にさらに上層を形成していくと
上層に凹凸を生じてウェハW上の実装領域にまで悪影響
を生じるため,例えばSOD膜の形成して加熱処理した
後に堰を除去することが好ましい。
【0092】また基板もウェハには限定されず,例えば
LCD基板やCD基板等の他の基板であってもよい。
LCD基板やCD基板等の他の基板であってもよい。
【0093】以上の本発明によれば,レーザ光等で基板
の周辺部に処理液の子株分を形成するので,基板の中心
部にある乾ききらない処理液が基板の周縁部側に流出す
ることが防止できる。したがって,基板を支持する支持
部材の汚染を防止することが可能である。
の周辺部に処理液の子株分を形成するので,基板の中心
部にある乾ききらない処理液が基板の周縁部側に流出す
ることが防止できる。したがって,基板を支持する支持
部材の汚染を防止することが可能である。
【0094】
【発明の効果】本発明によれば,基板の周辺部に処理液
の固化部分を形成するので,この固化部分がいわゆる堰
となり,基板の中心部側にある乾ききらない処理液が基
板の周縁部側に流出することを防止できる。従って,基
板を支持する支持部材の汚染を防止することが可能であ
る。
の固化部分を形成するので,この固化部分がいわゆる堰
となり,基板の中心部側にある乾ききらない処理液が基
板の周縁部側に流出することを防止できる。従って,基
板を支持する支持部材の汚染を防止することが可能であ
る。
【0095】 特に請求項11によれば,いわゆる堰が
2重に形成されるため,基板中心側にある乾ききらない
処理液が基板の周縁部に流出することがより確実に防止
される。
2重に形成されるため,基板中心側にある乾ききらない
処理液が基板の周縁部に流出することがより確実に防止
される。
【0096】 また,基板の周辺部を冷却することによ
り,基板に与えられる熱的影響を最小限に抑制すること
ができる。
り,基板に与えられる熱的影響を最小限に抑制すること
ができる。
【0097】 請求項17,18によれば,請求項1の
膜形成方法が好適に実施することができる。
膜形成方法が好適に実施することができる。
【0098】 特に,請求項22によれば,基板の周辺
部と周縁部とに同時にレーザ光を照射するので,処理液
の膜の固化及び除去に要する時間を請求項21よりも短
縮化できる。さらに,照射装置を基板の基板の周縁部に
移動させる適宜の移動機構が不要となるので,装置全体
の簡素化を図ることも可能である。
部と周縁部とに同時にレーザ光を照射するので,処理液
の膜の固化及び除去に要する時間を請求項21よりも短
縮化できる。さらに,照射装置を基板の基板の周縁部に
移動させる適宜の移動機構が不要となるので,装置全体
の簡素化を図ることも可能である。
【図1】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置を備え
た膜形成システムの平面図である。
た膜形成システムの平面図である。
【図2】図1の膜形成システムの正面図である。
【図3】図1の膜形成システムの背面図である。
【図4】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置の概略
的な説明図である。
的な説明図である。
【図5】図4の膜形成装置の平面図である。
【図6】ウェハにポリイミド液を塗布する様子を示す説
明図である。
明図である。
【図7】図6のポリイミド液を拡散させてポリイミド膜
を形成したウェハを示す説明図である。
を形成したウェハを示す説明図である。
【図8】図7のウェハにサイドリンス及びバックリンス
を施す様子を示す説明図である。
を施す様子を示す説明図である。
【図9】図8のウェハ及びポリイミド膜の拡大図であ
る。
る。
【図10】図9のウェハの周辺部にレーザ光を照射する
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
【図11】図10のウェハ及びポリイミド膜の拡大図で
ある。
ある。
【図12】ウェハの周辺部にレーザ光を照射する様子を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図13】図12の状態からウェハの周縁部にレーザ光
を照射する様子を示す説明図である。
を照射する様子を示す説明図である。
【図14】ウェハの周辺部及び周縁部にレーザ光をそれ
ぞれ同時に照射する様子を示す説明図である。
ぞれ同時に照射する様子を示す説明図である。
【図15】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。
の平面図である。
【図16】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。
の平面図である。
【図17】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。
辺部にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。
【図18】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を加熱する様子を示す説明図である。
辺部を加熱する様子を示す説明図である。
【図19】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部に硬化剤を供給する様子を示す説明図である。
辺部に硬化剤を供給する様子を示す説明図である。
【図20】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。
辺部を冷却する様子を示す説明図である。
【図21】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。
辺部を冷却する様子を示す説明図である。
1 膜形成システム
10 ピンセット
15,17 膜形成装置
57 洗浄水供給手段
65 ポリイミド液供給タンク
70 溶剤供給タンク
81 照射装置
60,61,62,63 ノズルホルダ
75,76,77,78 ノズルホルダ
S1〜S4 溶剤吐出ノズル
T1〜T4 溶剤供給ノズル
P1〜P4 ポリイミド液供給ノズル
P ポリイミド膜
W ウェハ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平9−181067(JP,A)
特開 平3−73514(JP,A)
特開 昭62−276828(JP,A)
特開 平2−284415(JP,A)
特開 平3−256321(JP,A)
特開 昭57−162336(JP,A)
特開 昭62−188227(JP,A)
特開 平4−253320(JP,A)
特開 平5−21336(JP,A)
特開 平6−310496(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/31
H01L 21/312
H01L 21/314
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 21/768
Claims (29)
- 【請求項1】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と,前記基板の周辺部に対して硬化剤を供給して, 前記基板
の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
程とを有することを特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項2】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と, 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射して,前記基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
工程と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項3】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と, 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射して,前記基板
の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
程と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項4】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と, 前記基板の周辺部を加熱して,前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる工程と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項5】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は,前記基板の周縁部に洗浄液を供給
することにより行われることを特徴とする,請求項1,
2,3又は4のいずれかに記載の膜形成方法。 - 【請求項6】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は,前記基板の周縁部に対してレーザ
光を照射することにより行われることを特徴とする,請
求項1,2,3又は4のいずれかに記載の膜形成方法。 - 【請求項7】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は,前記基板の周縁部に対して洗浄液
を供給し,レーザ光を照射して行われることを特徴とす
る,請求項1,2,3又は4のいずれかに記載の膜形成
方法。 - 【請求項8】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 基板の周縁部に洗浄液を供給して,当該基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と, 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項9】 基板に処理液を供給し,当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と, さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程と,を有することを特徴とする,膜形成方
法。 - 【請求項10】 前記基板の周辺部の端部に形成された
処理液の膜を固化させる工程と,基板の周縁部にある処
理液の膜を前記レーザ光で除去する工程との間に,基板
に対して照射するレーザ光の出力を調整する工程を具備
することを特徴とする,請求項9に記載の膜形成方法。 - 【請求項11】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射して,
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜と前記基板の
周縁部に形成された処理液の膜との2箇所を所定の間隔
を有するように固化する工程と, その後,前記固化された2箇所の処理液の膜の間にある
処理液の膜を前記レーザー光で除去する工程とを有する
ことを特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項12】 前記基板の周辺部に形成された処理液
の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程
を有することを特徴とする,請求項11に記載の膜形成
方法。 - 【請求項13】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し,前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させると共に
当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除
去する工程と, 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と,を有すること
を特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項14】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と, 基板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそ
れぞれレーザ光を同時に照射して,前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該
基板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と,を有
し, 前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際に
は,前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記基
板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大き
くすることを特徴とする,膜形成方法。 - 【請求項15】 前記基板は略円盤状であって,前記基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
工程は,この基板を回転させながら行われることを特徴
とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,1
0,11,12,13又は14のいずれかに記載の膜形
成方法。 - 【請求項16】 前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する工程は,前記基板を回転させながら行わ
れることを特徴とする,請求項15に記載の膜形成方
法。 - 【請求項17】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する手
段と, 前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
させる手段と, 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,を有すること
を特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項18】 前記処理液の膜を除去する手段は,前
記基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有す
ることを特徴とする,請求項17に記載の膜形成装置。 - 【請求項19】 前記基板の処理液の膜を固化する手段
は,前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置であ
ることを特徴とする,請求項17に記載の膜形成装置。 - 【請求項20】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装
置と, 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,を備えたこと
を特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項21】 前記照射装置は,少なくとも基板の周
縁部まで移動自在であること を特徴とする,請求項19
又は20のいずれかに記載の膜形成装置。 - 【請求項22】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第1の照射装
置と,基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第2の
照射装置と,前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,
を有することを特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項23】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第1の照射装
置と,基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第2の
照射装置と,を有し, 前記第1の照射装置よりも前記第2の照射装置からのレ
ーザ光の出力を大きくし,前記第1の照射装置と前記第
2の照射装置からそれぞれレーザ光を同時に照射して,
前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
させると同時に当該基板の周縁部にある処理液の膜を除
去 することを特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項24】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射可能な照射装置
と,前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と,を備えた
ことを特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項25】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 前記基板の周辺部を加熱する加熱素子と,前記基板の周
辺部を冷却する冷却装置と,を備えたことを特徴とす
る,膜形成装置。 - 【請求項26】 前記冷却装置は,前記基板の周辺部に
対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するように構成
されていることを特徴とする,請求項17,18,1
9,20,21,22,24又は25のいずれかに記載
の膜形成装置。 - 【請求項27】 前記冷却装置は,前記基板の周辺部に
冷却された気体を供給するように構成されていることを
特徴とする,請求項17,18,19,20,21,2
2,24又は25のいずれかに記載の膜形成装置。 - 【請求項28】 基板に処理液を供給し,当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって, 前記基板の周辺部に硬化剤を供給する供給部を備えたこ
とを特徴とする,膜形成装置。 - 【請求項29】 前記基板を回転させる基板支持機構を
有することを特徴とする,請求項17,18,19,2
0,21,22,23,24,25,26,27又は2
8のいずれかに記載の膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000043138A JP3488165B2 (ja) | 1999-03-08 | 2000-02-21 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-60399 | 1999-03-08 | ||
JP6039999 | 1999-03-08 | ||
JP2000043138A JP3488165B2 (ja) | 1999-03-08 | 2000-02-21 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000323471A JP2000323471A (ja) | 2000-11-24 |
JP3488165B2 true JP3488165B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=26401467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP3488165B2 (ja) |
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KR102030681B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2019-10-10 | 주식회사 제우스 | 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 |
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JP2020136640A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-08-31 | トヨタ自動車株式会社 | 膜の製造方法 |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043138A patent/JP3488165B2/ja not_active Expired - Fee Related
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