JP3488165B2 - 膜形成方法及び膜形成装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板に処理液を供
給して当該基板の表面に処理液の膜を形成する膜形成方
法及び膜形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の
表面にアルミニウム電極を多層に形成する，いわゆる多
層配線技術が行われている。そして，アルミニウム電極
間には層間絶縁膜，例えばポリイミド膜が形成されてい
る。

【０００３】ところで，製品歩留まりの低下を防止する
には，ポリイミド膜を均一に形成することが必要であ
る。また，多層配線技術後に行われるリソグラフィ技術
において，均一な露光処理やエッチング処理等を行うた
めにも，均一なポリイミド膜の形成が不可欠である。そ
こで，均一なポリイミド膜を形成するにあたり，例えば
従来からスピンコート法が行われてきた。このスピンコ
ート法は，ウェハの表面に液状のポリイミドを供給し，
ウェハを回転させてその時の遠心力によって，ウェハ上
のポリイミドを拡散させて塗布する方法である。

【０００４】また従来では，スピンコート法によりポリ
イミド膜を形成したウェハの周縁部に対して，例えばポ
リイミドの溶剤（以下，「溶剤」という。）等の洗浄液
を供給し，当該ウェハの周縁部にあるポリイミド膜を除
去する，いわゆるサイドリンス処理が行われていた。こ
れにより，ウェハの周縁部にあるポリイミド膜がウェハ
の周縁部を支持するピンセットに付着して汚染すること
を防止していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ポリイ
ミド膜は流動性が高く，ウェハの中心部側にある乾きき
らないポリイミド膜がウェハの周縁部側に流れ出してし
まうことがあった。従って，上述のサイドリンス処理を
施しても，その後ウェハの周縁部側に流れ出したポリイ
ミドがピンセットに付着して汚染してしまうという懸念
が生じていた。

【０００６】そこで本発明は，ポリイミド膜のような薄
膜を形成した後，薄膜を形成する処理液が乾ききってい
ない状態で基板を移動させても，処理液が周縁部に流出
することを防止して，ピンセットなど基板を支持する支
持部材が汚染されない膜形成方法及び膜形成装置を提供
して，上記課題を解決することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に処理液を供給し，当該基板の表面に所定の厚
さの処理液の膜を形成する工程と，前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と，前記基板の周
辺部に対して硬化剤を供給して，前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させる工程とを有する
ことを特徴とする膜形成方法が提供される。

【０００８】 請求項１に記載の膜形成方法によれば，
例えば，基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去し
た後に，基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる。このように，基板周辺部の処理液を固化さ
せることにより，この固化部分がいわゆる堰となり，基
板の中心部側にある乾いていない処理液が基板の周縁部
から基板外に流出することが防止できる。ここで，「ウ
ェハＷの周縁部」とは，ウェハＷの側周端面及びエッジ
部分並びにその後のプロセスにおいて半導体デバイス等
が形成されない部分をいい，「ウェハＷの周辺部」とは
上記「ウェハＷの周縁部」よりもウェハＷの内側に位置
した部分をいう。なお，請求項１の膜形成方法には，上
述した基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する
工程と前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜
を固化させる工程とが，何れの工程が先に行われる場合
も含まれる。また，本発明によれば，基板に処理液を供
給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成
する工程と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜
を除去する工程と，前記基板の周辺部に対してレーザ光
を照射して，前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させる工程と，前記基板の周辺部に形成さ
れた処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷
却する工程と，を有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。本発明によれば，基板に処理液を供給し，
当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工
程と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去
する工程と，前記基板の周辺部に対して紫外線を照射し
て，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程と，前記基板の周辺部に形成された処理
液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工
程と，を有することを特徴とする膜形成方法が提供され
る。本発明の膜形成方法は，基板に処理液を供給し，当
該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程
と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去す
る工程と，前記基板の周辺部を加熱して，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と，前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化さ
せる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有する
ことを特徴とする。

【０００９】 上記発明における前記基板の周縁部に形
成された処理液の膜を除去する工程は，前記基板の周縁
部に洗浄液を供給することにより行われてもよいし，前
記基板の周縁部に対してレーザ光を照射することにより
行われてもよいし，さらに前記基板の周縁部に対して洗
浄液を供給し，レーザ光を照射して行われてもよい。

【００１０】 これらの方法により，基板の周縁部に形
成された処理液の膜を好適に除去することができるが，
特にレーザ光は，その出力の強弱或いは，照射時間の変
更により，前記処理膜の除去する量を調節ことができる
ため，基板上に形成された処理液の膜の膜厚が異なる場
合にも適応できる。なお，前記処理液の膜の除去工程に
は，洗浄液を供給すると同時にレーザ光を照射する場合
と，いずれかを先に行う場合が含まれる。

【００１１】 上述したように前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる工程を，前記基板
の周辺部に対してレーザ光を照射することにより行う場
合，レーザ光は比較的エネルギーが高く指向性に優れて
いるため，短時間でかつ正確な位置に前記固化部分すな
わち堰を形成することができる。

【００１２】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周縁部に洗浄液を供給して，当該基板
の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と，基
板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周辺
部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と，
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする膜形成方法が提供される。

【００１３】 この膜形成方法によれば，例えば基板の
周縁部に洗浄液を供給して，周縁部にある処理液の膜を
溶解除去した後，この基板の周辺部にレーザ光を照射し
て，処理液の膜の周辺部の端部を加熱して固化させるよ
うにしている。従って，この基板の周辺部には処理液の
固化部分によっていわば堰が形成されることとなる。従
って，基板の中心部側にある乾ききらない処理液の流出
は，前記固化部分によって防止される。

【００１４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せる工程と，前記基板の周辺部に形成された処理液の膜
を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，
さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程とを有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。

【００１５】 この膜形成方法によれば，処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部にレーザ光を照射し，先
ず基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せるようにしている。これによって，固化した処理液の
堰が基板の周辺部に形成されるので，乾ききっていない
処理液の流出を防止できる。次いで，基板の周縁部にあ
る処理液の膜をレーザ光で除去するので，洗浄液を使用
せずに基板の周縁部にある処理液の膜を除去することが
可能となる。ここで，基板上の処理液の膜厚に差がある
場合には，レーザ光の照射時間を調整して好適に対処す
ることができる。

【００１６】 上記発明において，前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と，基板
の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去する工
程との間に，基板に対して照射するレーザ光の出力を調
整する工程を具備するようにしてもよい。

【００１７】 この膜形成方法によれば，周辺部の端部
にある処理液の膜を固化させた後に，基板の周縁部に対
して照射するレーザ光の出力を調整するので，例えば処
理液の膜が厚く形成された箇所には出力の大きなレーザ
光を，また処理液の膜が薄く形成された箇所には出力の
小さなレーザ光を照射することにより，基板の周縁部か
ら効率よく，かつ常に所定の時間で不要な処理液の膜を
除去することができる。

【００１８】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を
照射して，所定の間隔を有するように前記基板の周辺部
に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に形成され
た処理液の膜の２箇所を固化する工程と，その後，前記
固化された２箇所の処理液の膜の間にある処理液の膜を
前記レーザー光で除去する工程とを有することを特徴と
する膜形成方法が提供される。

【００１９】 このように，処理液の膜の固化する部分
を２重に形成することにより，いわゆる処理液に対する
堰が２つ形成されることになるため，基板周縁部から乾
いていない処理液が流出することをより確実に防止でき
る。なお，この膜形成方法は，前記基板の周辺部に形成
された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を
冷却する工程を有するようにしてもよい。

【００２０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せると共に当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レ
ーザ光で除去する工程と，前記基板の周辺部に形成され
た処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却
する工程と，を有することを特徴とする膜形成方法が提
供される。

【００２１】 この膜形成方法によれば，例えばスピン
コート法によって，基板の周縁部にまで延出した余分な
処理液の膜はレーザ光によって除去される。一方，基板
の周辺部に対しては，レーザ光で固化した処理液による
堰が形成されるので，乾ききっていない処理液の流出を
防ぐことができる。しかも，基板の周縁部にある処理液
の膜の除去を上述した堰の形成と同時に行うので，かか
る固化と除去とに要する時間をより短縮化できる。ま
た，本発明によれば，基板に処理液を供給し，当該基板
の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基
板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそれ
ぞれレーザ光を同時に照射して，前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該基
板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と，を有
し，前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際
には，前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記
基板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大
きくすることを特徴とする膜形成方法が提供される。

【００２２】 上述した前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は，前記基板の周辺
部に対して紫外線を照射することにより行われてもよい
し，前記基板の周辺部を加熱することにより行われても
よいし，さらに，基板の周辺部に対して硬化剤を供給す
ることにより行われるようにしてもよい。上記の方法を
用いて処理液の膜を固化させても，固化部分すなわち堰
を基板の周辺部の端部に好適に形成することができる。
従って，基板の中心部側にある乾いていない処理液が基
板の周縁部から基板外に流出することが防止される。

【００２３】 前記膜形成方法において，基板の周辺部
に形成された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周
辺部を冷却する工程を有する場合，例えばレーザ光や加
熱素子等により，基板に熱的な悪影響を与えるおそれが
ある。そこで，レーザ光や熱が与えられる基板の周辺部
を冷却することにより，熱的な影響を受けることを防止
する。

【００２４】 例えば，上記膜形成方法において，基板
は略円盤状であって，この基板を回転させながらレーザ
光を照射する工程を有するようにしてもよい。

【００２５】 かかる場合，基板の周辺部や周縁部の一
点にレーザ光を照射し続けるだけで，基板の全周にわた
って周辺部や周縁部に対してレーザ光の照射が行える。

【００２６】 上述した各膜形成方法において，前記基
板は略円盤状であって，前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は，この基板を回転
させながら行われてもよい。

【００２７】 この膜形成方法によれば，例えば前記基
板の周辺部の一点に紫外線を照射し続けるだけで，基板
の全周にわたって基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させることができる。また，回転の速度を
変えることにより，例えば紫外線の照射量を変えること
ができる。

【００２８】 また，前記基板の周縁部に形成された処
理液の膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら
行われてもよい。

【００２９】 この膜形成方法によれば，例えば前記基
板の周辺部の一点にレーザ光を照射し続けるだけで，基
板の全周にわたって基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去することができる。また，回転の速度を変える
ことにより，例えばレーザ光の照射量を変えることがで
き，処理膜の除去量を適宜変更することができる。

【００３０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる手段と，前記基板の周辺
部を冷却する冷却装置と，を有することを特徴とする膜
形成装置が提供される。

【００３１】 このように，前記基板の周縁部に形成さ
れた処理液の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有す
ることにより，上述の膜形成方法を好適に実施すること
ができる。従って，基板周辺部に形成された処理液の膜
にいわゆる堰が形成され，基板中心部側にある乾いてい
ない処理液が基板周縁部から基板外に流出することが防
止される。

【００３２】 前記処理液の膜を除去する手段は，前記
基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有する
ようにしてもよい。このように，前記供給部を設けるこ
とにより，洗浄液によって前記処理液の膜を除去するこ
とができるため，上述した膜形成方法が好適に実施でき
る。

【００３３】 さらに前記基板の処理液の膜を固化する
手段を前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置と
してもよい。こうすることにより，前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜は，前記洗浄液により除去され，
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜は，レーザ光
により固化できる。したがって，上述の膜形成方法を好
適に実施できる。

【００３４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に対してレーザ光を
照射可能な照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷
却装置と，を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供
される。

【００３５】 この膜形成装置によれば，処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部に対して照射装置からの
レーザ光を照射して加熱することができるから，基板の
周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化することが
できる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。

【００３６】 そして上記照射装置は，少なくとも基板
の周縁部まで移動自在に構成してもよい。

【００３７】 かかる構成によれば，照射装置から基板
の周辺部に対してレーザ光を照射した後に，照射装置を
移動させて基板の周辺部よりもさらに外側の周縁部にレ
ーザ光を照射することが可能である。従って，上述の膜
形成方法を好適に実施することができる。

【００３８】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，基板の周辺部に対してレーザ光を照射
する第１の照射装置と，基板の周縁部に対してレーザ光
を照射する第２の照射装置と，前記基板の周辺部を冷却
する冷却装置と，を有することを特徴とする，膜形成装
置が提供される。

【００３９】 前記膜形成装置によれば，基板の周辺部
及び基板の周縁部に対してそれぞれ第１，第２の照射装
置から同時にレーザ光を照射することができる。従っ
て，例えば第１の照射装置よりも第２の照射装置の出力
を大きくし，基板の周辺部に照射するレーザ光よりも光
強度の強いレーザ光，即ちエネルギーの高いレーザ光を
基板の周縁部に照射すれば，固化した処理液の堰が基板
の周辺部に形成され，同時に基板の周縁部にある不要な
処理液の膜を除去することができる。その結果，上述の
膜形成方法を好適に実施することができる。また，本発
明は，基板に処理液を供給し，当該基板の表面に所定の
厚さの処理液の膜を形成する装置であって，基板の周辺
部に対してレーザ光を照射する第１の照射装置と，基板
の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の照射装置
と，を有し，前記第１の照射装置よりも前記第２の照射
装置からのレーザ光の出力を大きくし，前記第１の照射
装置と前記第２の照射装置からそれぞれレーザ光を同時
に照射して，前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させると同時に当該基板の周縁部にある処
理液の膜を除去することを特徴とする。

【００４０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射可能な照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷却
装置と，を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供さ
れる。

【００４１】 このように，紫外線の照射装置を備える
ことにより，レーザ光の代わりに紫外線を照射して，基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化するこ
とができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施す
ることができる。

【００４２】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部を加熱する加熱素子
と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えた
ことを特徴とする膜形成装置が提供される。

【００４３】 このように，基板の周辺部を加熱する加
熱素子を備えることにより，基板の周辺部に形成された
処理液の膜を加熱して，前記処理液の膜を固化すること
ができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施する
ことができる。

【００４４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に硬化剤を供給する
供給部を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供され
る。

【００４５】 このように，基板の周辺部に硬化剤を供
給する供給部を備えることにより，基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜に硬化剤を供給して，前記処理
液の膜を固化することができる。従って，上述の膜形成
方法を好適に実施することができる。

【００４６】 前記膜形成装置において，前記基板の周
辺部を冷却する冷却装置を有していてもよい。

【００４７】このように，基板の周辺部を冷却する冷却
装置を備えることにより，基板の周辺部を冷却して，例
えば，レーザ光の照射による温度上昇を抑制することが
できる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。

【００４８】 また，上述の冷却装置は，前記基板の周
辺部に対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するよう
に構成されていてもよいし，前記基板の周辺部に冷却さ
れた気体を供給するように構成されていてもよい。

【００４９】 前者の場合，基板周辺部の裏面に対して
冷却水を供給するため，処理液に直接触れることなく，
基板周辺部の温度上昇を抑制することができる。また，
後者の場合，処理液に直接触れてもさほど影響を与えな
い気体を用いて基板周辺部を冷却することができるの
で，冷却装置の配置位置の自由度が広がる。

【００５０】 以上の各膜形成装置は，前記基板を回転
させる基板支持機構を有するようにしてもよい。

【００５１】 かかる構成によれば，例えば基板支持機
構によって回転する基板の周辺部にレーザ光を照射する
ことができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施
することができる。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態にかか
る膜形成装置を備えた膜形成システムについて説明す
る。図１〜３は膜形成システムの外観を示しており，図
１は平面図，図２は正面図，図３は背面図である。

【００５３】膜形成システム１は図１に示すように，例
えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現
像処理装置１に搬入出したり，カセットＣにウェハＷを
搬入出したりするためのカセットステーション２と，枚
葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置し
てなる処理ステーション３とを一体に接続した構成を有
している。

【００５４】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の所定の位置にカセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であり，カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００５５】ウェハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ_３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。

【００５６】処理ステーション３では，ウェハＷの周縁
部を保持するピンセット１０と，ウェハＷの裏面を保持
するピンセット１１，１２とを上中下に備えた主搬送装
置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１３の周
囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理装置群
を構成している。膜形成システム１においては，４つの
処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，Ｇ_４が配置可能である。
第１及び第２の処理装置群Ｇ_１，Ｇ_２は膜形成装置１の
正面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ _３はカセ
ットステーション２に隣接して配置されており，第４の
処理装置群Ｇ_４は主搬送装置１３を挟んで第３の処理装
置群Ｇ_３と相対向するようにして配置されている。ま
た，必要に応じて第５の処理装置群Ｇ_５も背面側に配置
可能である。

【００５７】第１の処理装置群Ｇ_１では図２に示すよう
に，処理液としてのポリイミド液をウェハＷに供給して
処理する膜形成装置１５と，後述のポンプ６８，７１を
収納可能な収納室１６とが上下２段に配置されている。
第２の処理装置群Ｇ_２では，膜形成装置１５と基本的に
同様な構成を有する膜形成装置１７と，収納室１６と基
本的に同様な構成を有する収納室１８とが上下２段に積
み重ねられている。なお，これらの収納室１６，１８の
下部には，後述するポリイミド液供給タンク６５及び溶
剤供給タンク７０を収納可能なケミカルボックス１９，
１９が設けられている。

【００５８】第３の処理装置群Ｇ_３では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，ポリイミド膜とウェハＷとの定着性を高
めるアドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わ
せを行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機さ
せるエクステンションユニット３３，加熱処理を行うベ
ーキングユニット３４，３５，３６，３７等が下から順
に８段に重ねられている。

【００５９】第４の処理装置群Ｇ_４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，ベー
キングユニット４４，４５，４６，４７等が下から順に
８段に積み重ねられている。

【００６０】膜形成システム１は以上のように構成され
ている。次に，本発明の実施の形態にかかる膜形成装置
１５について説明する。

【００６１】膜形成装置１５は図４，５に示すように，
ケーシング５４内に備えられたカップ５５内部で真空吸
着したウェハＷを回転自在なスピンチャック５６を備え
ており，このウェハＷの下側にはウェハＷの裏面周縁部
に洗浄液，例えば溶剤等を供給して洗浄する，いわゆる
バックリンスを行うための洗浄液供給手段５７，５７が
設けられている。また，ウェハＷから飛散したポリイミ
ド液は，スピンチャック５６の外方からカップ５５の底
部に設けられた排液管５８を通じて，カップ５５の下方
に設置されているドレインタンク５９へと排出される。

【００６２】本実施の形態にかかる膜形成装置１５にお
いては，ウェハＷに供給されるポリイミド液は，各々ポ
リイミド液供給ノズルＰ_１〜Ｐ_４から供給されるように
なっており，これらのポリイミド液供給ノズルＰ_１〜Ｐ
_４はウェハＷに溶剤を供給する溶剤供給ノズルＴ_１〜Ｔ
_４とそれぞれ組になってノズルホルダ６０，６１，６
２，６３に夫々組み込まれている。

【００６３】ノズルホルダ６０，６１，６２，６３は上
記カップ５５の外側に配置する保持機構６４によって保
持されるようになっている。これらのノズルホルダ６
０，６１，６２，６３はそれぞれ基本的に同一の構成を
有しており，例えば図４に示したノズルホルダ６０に基
づいてその構成を説明すると，ノズルホルダ６０にはポ
リイミド液供給ノズルＰ_１と，溶剤供給ノズルＴ_１とが
設けられている。

【００６４】ポリイミド液供給ノズルＰ_１へは，上記ケ
ミカルボックス１９に収納されているポリイミド液供給
タンク６５から，ポリイミド液供給チューブ６６を通じ
て所定のポリイミド液が供給されるようになっており，
このポリイミド液供給チューブ６６には途中にパーティ
クル等の不純物を除去するフィルタ６７が介装されてい
る。また，ポリイミド液は収納室１６内のポンプ６８等
によって送られるようになっている。

【００６５】またノズルホルダ６０には，温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路６
９ａ，復路６９ｂが設けられており，往路６９ａを通じ
て外部から供給される温度調節水等の温度調節流体を往
路６９ａから復路６９ｂに循環させている。これによ
り，ポリイミド液供給チューブ６６内を流通するポリイ
ミド液を一定温度に保ち，ポリイミド液供給ノズルＰ_１
からウェハＷに対して吐出されるポリイミド液が常に所
定温度となるように配慮されている。

【００６６】一方，溶剤供給ノズルＴ_１にはケミカルボ
ックス１９に収納されている溶剤供給タンク７０の溶剤
がポンプ７１によって溶剤供給チューブ７２を通じて送
液されるようになっており，ノズルホルダ６０には溶剤
供給チューブ７２内を流通する溶剤を所定温度に維持す
るために，所定温度の温度調節流体を流通させるチュー
ブからなる往路７３ａ，７３ｂが設けられている。

【００６７】なお，ノズルホルダ６１，６２，６３には
ポリイミド液供給ノズルＰ_２，Ｐ_３，Ｐ_４と，溶剤供給
ノズルＴ_２，Ｔ_３，Ｔ_４とが夫々設けられており，ノズ
ルホルダ６０，６１，６２，６３には後述するスキャン
アーム８０ａの保持する保持ピン６０ａ，６１ａ，６２
ａ，６３ａがそれぞれ設けられている。

【００６８】そして，スピンチャック５５を挟んで保持
機構６４の反対側には他の保持機構７４が設けられてお
り，この保持機構７４にはウェハＷの周縁部に溶剤を供
給して洗浄する，いわゆるサイドリンス専用のノズルホ
ルダ７５，７６，７７，７８が備えられている。ノズル
ホルダ７５，７６，７７，７８は基本的に同様の構成を
有しており，ノズルホルダ７５，７６，７７，７８には
ウェハＷの周縁部に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル
Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４と，後述するスキャンアーム８
０ａに保持される保持ピン７５ａ，７６ａ，７７ａ，７
８ａとがそれぞれ設けられている。

【００６９】そして，前出のノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８は
保持機構６４，７４からスキャン機構８０のスキャンア
ーム８０ａによってそれぞれ取り出される。このスキャ
ンアーム８０ａは三次元方向，即ちＸ方向，Ｙ方向，Ｚ
方向への移動が可能であり，ノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８を
保持した状態でウェハＷの上方に位置する所定の位置ま
で移動するように構成されている。

【００７０】また，カップ５５の上方には，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装置８１が備
えられている。この照射装置８１は移動機構８３によっ
てカップ５５上方の所定の位置まで移動することができ
るように構成されており，光源が例えばＧａＡｌＡｓ等
で出力が数Ｗ程度の赤外レーザダイオード８１ａと，発
生したレーザ光をウェハＷの周辺部に対して垂直に照射
させるためのレンズ８１ｂとを有している。

【００７１】本実施の形態にかかる膜形成装置１５は以
上のように形成されている。次に，膜形成装置１５の作
用効果について説明する。

【００７２】ウェハＷが膜形成装置１５に搬入される
と，このウェハＷはカップ５５内のスピンチャック５６
に真空引きされて吸着保持される。次いで，スピンチャ
ック５６が回転して，所定のポリイミド液を供給するポ
リイミド液供給ノズルＰ_ｘ，例えばポリイミド液供給ノ
ズルＰ_１が選択されて，スキャンアーム８０ａがポリイ
ミド液供給ノズルＰ_１を有するノズルホルダ６０を保持
機構６４まで取りに行く。

【００７３】そして，ノズルホルダ６０がカップ５５上
方の所定位置，例えばウェハＷの中心部まで移動して，
回転するウェハＷの中心部に溶剤供給ノズルＴ_１から所
定の溶剤を供給し拡散させる。次いで，溶剤の供給後に
ノズルホルダ６０が移動して，図６に示すように回転の
停止したウェハＷの中心部にポリイミド液供給ノズルＰ
_１から所定のポリイミド液を供給する。かかる供給終了
後，スキャンアーム８０ａは処理位置から退避し，ノズ
ルホルダ６０をもとの保持機構６４に戻しに行く。

【００７４】次いで，ポリイミド液の供給されたウェハ
Ｗをスピンチャック５６で回転させてウェハＷに供給さ
れたポリイミド液を拡散させて，図７に示すようにウェ
ハＷ上にポリイミド膜Ｐを形成する。そして，ウェハＷ
の回転によってウェハＷの周縁部まで延出したポリイミ
ド膜Ｐを除去するために，いわゆるサイドリンス及びバ
ックリンスが行われる。

【００７５】即ち，保持機構７４に移動したスキャンア
ーム８０ａによって，例えばノズルホルダ７５が取り出
され，ノズルホルダ７５が図８に示すように，スキャン
アーム８０ａに保持された状態でウェハＷの周縁部上方
の所定位置まで移動する。このとき，ウェハＷは再び回
転が開始されている。そして，回転するウェハＷの周縁
部に溶剤吐出ノズルＳ_１から溶剤が吐出されてサイドリ
ンスが行われる。また，このサイドリンスと並行して，
当該ウェハＷの裏面周縁部に対して洗浄液供給手段５
７，５７から溶剤が供給されてバックリンスが行なわれ
る。かかるサイドリンス及びバックリンスによって，ウ
ェハＷの周縁部にある不要なポリイミド膜Ｐが溶剤に溶
解し，図９に示すように除去される。

【００７６】そして，上記サイドリンス及びバックリン
ス終了後に，ウェハＷの周辺部上方に照射装置８１を移
動させて，図１０に示すように，回転するウェハＷの周
辺部に照射装置８１からレーザ光を照射する。このレー
ザ光の照射によってウェハＷの周辺部が加熱されるの
で，ウェハＷの周辺部にあるポリイミド膜Ｐの端部８２
が図１１に示すように固化する。

【００７７】この固化したポリイミド膜Ｐの端部８２は
いわば堰として機能する。従って，例えばウェハＷをピ
ンセット１０で搬送している最中に乾ききっていないポ
リイミド液が当該ピンセット１０の移動，停止等により
ウェハＷの周縁部方向に移動しようとしても，このポリ
イミド液はポリイミド膜Ｐの固化した端部８２によって
せき止められる。その結果，ポリイミド液がウェハＷの
周縁部側に流出することを未然に防止することができ，
ポリイミド液がピンセット１０に付着して汚染すること
を防止することができる。

【００７８】そのようにして，膜形成装置１５にて所定
のポリイミド膜が形成されたウェハＷは，その後ベーキ
ングユニット４４，クーリングユニット４３に順次搬送
されて所定の処理が施される。膜形成装置１７において
も膜形成装置１５と同様なプロセスによってポリイミド
膜Ｐが形成される。なお，この実施に形態においては，
サイドリンス及びバックリンスが行われ，ウェハＷの周
縁部のポリイミド膜Ｐが除去された後に，ウェハＷの周
辺部に形成されたポリイミド膜Ｐの端部を固化したが，
その逆すなわちウェハＷの周辺部の端部に形成されたポ
リイミド膜Ｐを固化し，堰を形成した後に，ウェハＷ周
縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。

【００７９】前記実施の形態ではウェハＷの周縁部にあ
るポリイミド膜Ｐを除去するためにサイドリンスとバッ
クリンスとを併用した例を挙げて説明したが，これに替
えて，レーザ光の照射によってウェハＷの周縁部にある
ポリイミド膜Ｐを除去するようにしてもよい。

【００８０】即ち図１２に示すように，先ずポリイミド
が表面に塗布されたウェハＷの周辺部上方に照射装置８
１を移動させて，ウェハＷの周辺部にレーザ光を照射
し，端部を固化させてポリイミド膜Ｐの堰を形成する。
次いで図１３に示すように，照射装置８１をウェハＷの
周縁部まで移動させると共に，レーザ光の出力を高め
る。そして，ウェハＷに形成されたポリイミド膜Ｐの堰
の最外端に位置する周縁部にレーザ光を照射し，ウェハ
Ｗの外側周縁部にあるポリイミド膜Ｐを蒸発させて，こ
れを除去する。また，レーザ光の出力を高める代わり
に，ポリイミド膜Ｐの堰を形成した後で，除去しようと
するポリイミド膜Ｐに照射装置８１からのレーザ光を複
数回重ねて照射してもよい。また，ウェハＷの回転速度
を遅くしてポリイミド膜Ｐに照射されるレーザ光のエネ
ルギー量を実質的に多くするようにしてもよい。

【００８１】かかる方法によれば，レーザ光によってウ
ェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するので，
従来のようにウェハＷの周縁部に溶剤を供給しなくて
も，即ちサイドリンスやバックリンスを行わなくても，
当該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去する
ことが可能となる。なお，かかる方法とは逆に，レーザ
光によりウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去
した後に，ウェハＷ周辺部の端部のポリイミド膜Ｐをレ
ーザ光により固化してもよい。

【００８２】さらに図１４に示したように，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装置９０
と，ウェハＷの周縁部に対してレーザ光を照射する第２
の照射装置９１とを備えるようにしてもよい。

【００８３】かかる構成によれば，ウェハＷの周辺部に
対して第１の照射装置９０からのレーザ光を，ウェハＷ
の周縁部に対して第２の照射装置９１からのレーザ光を
それぞれ同時に照射することができるので，ポリイミド
膜Ｐの固化と除去を同時に行うことができる。従って，
前記実施の形態，即ち周辺部のポリイミド膜Ｐを固化さ
せた後に周縁部のポリイミド膜Ｐを除去するプロセスよ
りも，ポリイミド膜Ｐの固化及び除去に要する時間を短
縮化することができる。この際，例えば第１の照射装置
９０よりも第２の照射装置９１の出力を大きくしてウェ
ハＷの周辺部よりも光強度の強いレーザ光，即ちよりエ
ネルギの高いレーザ光をウェハＷの周縁部に照射すれ
ば，ポリイミド膜Ｐの固化よりも時間のかかるポリイミ
ド膜Ｐの除去に要する時間をより短縮化することができ
る。さらに，第１，第２の照射装置９０，９１を移動さ
せるための適宜の移動機構８３も不要となるので，装置
全体の簡素化を図ることも可能である。なお，図１４に
示した例では，第１の照射装置９０と第２の照射装置９
１とが一体化されていたが，もちろん第１，第２の照射
装置９０，９１を別体にして各々好適な位置に別々に配
置するようにしてもよい。

【００８４】次に，本発明のさらに別の実施の形態を説
明する。図１５に示すように，この実施の形態では，サ
イドリンス用の各ノズルホルダ１７５〜１７８にウェハ
Ｗの周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射する照射
装置１８１〜１８４をそれぞれ搭載している。例えば，
ノズルホルダ１７５〜１７８では，ウェハＷの周縁部に
対して溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルＳ_１，Ｓ_２，
Ｓ_３，Ｓ_４と照射装置１８１〜１８４とが回転するウェ
ハの接線方向に向けて隣接するように配置されている。

【００８５】 ウェハＷ上にポリイミド溶剤を供給した
後，溶剤吐出ノズルＳ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４及び照射装
置１８１〜１８４がウェハＷの周縁部に位置するように
１つのノズルホルダ１７５〜１７８を移動させ，溶剤吐
出ノズルＳ_１，Ｓ_２，Ｓ_３，Ｓ_４から溶液を吐出しつつ
照射装置１８１〜１８４からレーザ光を照射する。その
後，照射装置１８１〜１８４がウェハＷの周辺部に位置
するように１つのノズルホルダ１７５〜１７８を移動さ
せ，照射装置１８１〜１８４からレーザ光を照射して堰
を形成する。

【００８６】この実施の形態によれば，照射装置を移動
するための特別な手段は不要となり，装置全体の簡素化
を図ることができる。なお，この実施の形態では，先に
ウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去し，その後ウェ
ハＷ周辺部端部に堰を形成したが，その逆すなわち先に
ウェハＷ周辺部端部のポリイミド膜Ｐに堰を形成してか
らウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。

【００８７】さらに，図１６に示すように，各ノスルホ
ルダ１７５〜１７８にさらに別の照射装置１９１〜１９
４をウェハＷの接線方向に向けて隣接するように配置し
てのよい。この場合，図１５に示した動作に加えて，照
射装置１９１〜１９４については，ウェハＷの周辺部を
レーザ光で照射するときにだけ使用する。これにより，
堰を形成する時にはより大きなエネルギーが必要となる
が，それを２つの照射装置を使ってレーザ光を照射する
ことで，照射装置のコントロールをＯＮ・ＯＦＦだけで
行え，照射装置内のエネルギーコントロールは不要とな
り，照射装置の構成を簡略化することができる。

【００８８】次に，本発明のまた別の実施の形態を説明
する。図１７に示すように，この実施の形態では，ウェ
ハＷ上にポリイミド溶剤を供給した後，照射装置８１に
より内外２重の堰２０１，２０２を形成した後，これら
の堰２０１，２０２間に残存する溶剤２０３を照射装置
８１により除去している。本実施の形態によれば，サイ
ドリンスやバックリンスを行わなくても，より確実に当
該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するこ
とが可能となる。また，堰を２重にすることにより，ポ
リイミド溶液が基板周縁部に流れる可能性をさらに低減
できる。

【００８９】上述した実施の形態では，レーザ光を使っ
て堰の形成等を行っていたが，本発明は基板の周辺部に
処理液の堰等ができるように構成すればよく，例えば，
レーザ光に代えて紫外線を用いて紫外線のエネルギーで
堰の形成及び処理液の除去を行うようにしてもよい。ま
た，図１８に示すように，ウェハＷの周辺部及び周縁部
に近接可能に加熱素子２１１を配置し，加熱素子２１１
のエネルギーで堰を形成，或いは処理液の除去を行うよ
うにしてもよい。さらに，図１９に示すように，ウェハ
Ｗの周辺部に近接可能に，処理液を硬化することができ
る硬化剤を供給する硬化剤供給ヘッド２１２を配置し，
硬化剤供給ヘッド２１２からウェハＷ上に硬化剤を供給
することで堰の形成を行うようにしてもよい。

【００９０】上述した実施の形態では，堰を形成するた
めにウェハＷ上にレーザ光の照射等を行っているため，
ウェハＷに熱的な悪影響を及ぼすおそれがある。そこ
で，例えば，図２０に示すように，照射装置８１のレー
ザ照射位置の直下におけるウェハＷの裏面側で，ウェハ
Ｗの裏面に向けて冷却水を噴出するノズル２１３を配置
し，レーザの照射と冷却水の噴出とを同時に行うように
してもよい。また，図２１に示すように，照射装置８１
に隣接し，かつ，照射装置８１より内周側に（ウェハＷ
から見て）冷却された気体，例えば窒素ガスを噴出する
ノズル２１４を配置し，レーザ光の照射と冷却ガスの噴
出とを同時に行うようにしてもよい

【００９１】前記実施の形態では，処理液の膜としてポ
リイミド膜を形成する場合を例に挙げて説明したが，本
発明は他の薄膜，例えばスピン・オン・グラス膜（ＳＯ
Ｇ膜）を形成する場合も応用可能である。特に，ＳＯＤ
膜の形成に本発明を適用する場合，堰が形成されたまま
であると，ＳＯＤ膜の上にさらに上層を形成していくと
上層に凹凸を生じてウェハＷ上の実装領域にまで悪影響
を生じるため，例えばＳＯＤ膜の形成して加熱処理した
後に堰を除去することが好ましい。

【００９２】また基板もウェハには限定されず，例えば
ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の他の基板であってもよい。

【００９３】以上の本発明によれば，レーザ光等で基板
の周辺部に処理液の子株分を形成するので，基板の中心
部にある乾ききらない処理液が基板の周縁部側に流出す
ることが防止できる。したがって，基板を支持する支持
部材の汚染を防止することが可能である。

【００９４】

【発明の効果】本発明によれば，基板の周辺部に処理液
の固化部分を形成するので，この固化部分がいわゆる堰
となり，基板の中心部側にある乾ききらない処理液が基
板の周縁部側に流出することを防止できる。従って，基
板を支持する支持部材の汚染を防止することが可能であ
る。

【００９５】 特に請求項１１によれば，いわゆる堰が
２重に形成されるため，基板中心側にある乾ききらない
処理液が基板の周縁部に流出することがより確実に防止
される。

【００９６】 また，基板の周辺部を冷却することによ
り，基板に与えられる熱的影響を最小限に抑制すること
ができる。

【００９７】 請求項１７，１８によれば，請求項１の
膜形成方法が好適に実施することができる。

【００９８】 特に，請求項２２によれば，基板の周辺
部と周縁部とに同時にレーザ光を照射するので，処理液
の膜の固化及び除去に要する時間を請求項２１よりも短
縮化できる。さらに，照射装置を基板の基板の周縁部に
移動させる適宜の移動機構が不要となるので，装置全体
の簡素化を図ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置を備え
た膜形成システムの平面図である。

【図２】図１の膜形成システムの正面図である。

【図３】図１の膜形成システムの背面図である。

【図４】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置の概略
的な説明図である。

【図５】図４の膜形成装置の平面図である。

【図６】ウェハにポリイミド液を塗布する様子を示す説
明図である。

【図７】図６のポリイミド液を拡散させてポリイミド膜
を形成したウェハを示す説明図である。

【図８】図７のウェハにサイドリンス及びバックリンス
を施す様子を示す説明図である。

【図９】図８のウェハ及びポリイミド膜の拡大図であ
る。

【図１０】図９のウェハの周辺部にレーザ光を照射する
様子を示す説明図である。

【図１１】図１０のウェハ及びポリイミド膜の拡大図で
ある。

【図１２】ウェハの周辺部にレーザ光を照射する様子を
示す説明図である。

【図１３】図１２の状態からウェハの周縁部にレーザ光
を照射する様子を示す説明図である。

【図１４】ウェハの周辺部及び周縁部にレーザ光をそれ
ぞれ同時に照射する様子を示す説明図である。

【図１５】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。

【図１６】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。

【図１７】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。

【図１８】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を加熱する様子を示す説明図である。

【図１９】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部に硬化剤を供給する様子を示す説明図である。

【図２０】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。

【図２１】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。

【符号の説明】

１ 膜形成システム １０ ピンセット １５，１７ 膜形成装置 ５７ 洗浄水供給手段 ６５ ポリイミド液供給タンク ７０ 溶剤供給タンク ８１ 照射装置 ６０，６１，６２，６３ ノズルホルダ ７５，７６，７７，７８ ノズルホルダ Ｓ_１〜Ｓ_４ 溶剤吐出ノズル Ｔ_１〜Ｔ_４ 溶剤供給ノズル Ｐ_１〜Ｐ_４ ポリイミド液供給ノズル Ｐ ポリイミド膜 Ｗ ウェハ

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−181067（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−73514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−276828（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−284415（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−256321（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−162336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188227（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−253320（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21336（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310496（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/312 H01L 21/314 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/768

Claims (29)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
   程と，前記基板の周辺部に対して硬化剤を供給して， 前記基板
   の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
   程とを有することを特徴とする，膜形成方法。
2. 【請求項２】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
   程と， 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射して，前記基
   板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
   工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
   際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
   を特徴とする，膜形成方法。
3. 【請求項３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
   程と， 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射して，前記基板
   の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
   程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
   際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
   を特徴とする，膜形成方法。
4. 【請求項４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
   程と， 前記基板の周辺部を加熱して，前記基板の周辺部の端部
   に形成された処理液の膜を固化させる工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
   際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
   を特徴とする，膜形成方法。
5. 【請求項５】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に洗浄液を供給
   することにより行われることを特徴とする，請求項１，
   ２，３又は４のいずれかに記載の膜形成方法。
6. 【請求項６】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対してレーザ
   光を照射することにより行われることを特徴とする，請
   求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成方法。
7. 【請求項７】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
   膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対して洗浄液
   を供給し，レーザ光を照射して行われることを特徴とす
   る，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成
   方法。
8. 【請求項８】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周縁部に洗浄液を供給して，当該基板の周縁部に
   形成された処理液の膜を除去する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
   辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
   と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
   際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
   を特徴とする，膜形成方法。
9. 【請求項９】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
   に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
   辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
   と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
   際に前記基板の周辺部を冷却する工程と， さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
   除去する工程と，を有することを特徴とする，膜形成方
   法。
10. 【請求項１０】 前記基板の周辺部の端部に形成された
    処理液の膜を固化させる工程と，基板の周縁部にある処
    理液の膜を前記レーザ光で除去する工程との間に，基板
    に対して照射するレーザ光の出力を調整する工程を具備
    することを特徴とする，請求項９に記載の膜形成方法。
11. 【請求項１１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射して，
    前記基板の周辺部に形成された処理液の膜と前記基板の
    周縁部に形成された処理液の膜との２箇所を所定の間隔
    を有するように固化する工程と， その後，前記固化された２箇所の処理液の膜の間にある
    処理液の膜を前記レーザー光で除去する工程とを有する
    ことを特徴とする，膜形成方法。
12. 【請求項１２】 前記基板の周辺部に形成された処理液
    の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程
    を有することを特徴とする，請求項１１に記載の膜形成
    方法。
13. 【請求項１３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
    辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させると共に
    当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除
    去する工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
    際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
    を特徴とする，膜形成方法。
14. 【請求項１４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそ
    れぞれレーザ光を同時に照射して，前記基板の周辺部の
    端部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該
    基板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と，を有
    し， 前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際に
    は，前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記基
    板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大き
    くすることを特徴とする，膜形成方法。
15. 【請求項１５】 前記基板は略円盤状であって，前記基
    板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
    工程は，この基板を回転させながら行われることを特徴
    とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，１
    ０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載の膜形
    成方法。
16. 【請求項１６】 前記基板の周縁部に形成された処理液
    の膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら行わ
    れることを特徴とする，請求項１５に記載の膜形成方
    法。
17. 【請求項１７】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する手
    段と， 前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
    させる手段と， 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を有すること
    を特徴とする，膜形成装置。
18. 【請求項１８】 前記処理液の膜を除去する手段は，前
    記基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有す
    ることを特徴とする，請求項１７に記載の膜形成装置。
19. 【請求項１９】 前記基板の処理液の膜を固化する手段
    は，前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置であ
    ることを特徴とする，請求項１７に記載の膜形成装置。
20. 【請求項２０】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装
    置と， 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えたこと
    を特徴とする，膜形成装置。
21. 【請求項２１】 前記照射装置は，少なくとも基板の周
    縁部まで移動自在であること を特徴とする，請求項１９
    又は２０のいずれかに記載の膜形成装置。
22. 【請求項２２】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装
    置と，基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の
    照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，
    を有することを特徴とする，膜形成装置。
23. 【請求項２３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装
    置と，基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の
    照射装置と，を有し， 前記第１の照射装置よりも前記第２の照射装置からのレ
    ーザ光の出力を大きくし，前記第１の照射装置と前記第
    ２の照射装置からそれぞれレーザ光を同時に照射して，
    前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
    させると同時に当該基板の周縁部にある処理液の膜を除
    去 することを特徴とする，膜形成装置。
24. 【請求項２４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射可能な照射装置
    と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えた
    ことを特徴とする，膜形成装置。
25. 【請求項２５】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部を加熱する加熱素子と，前記基板の周
    辺部を冷却する冷却装置と，を備えたことを特徴とす
    る，膜形成装置。
26. 【請求項２６】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
    対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するように構成
    されていることを特徴とする，請求項１７，１８，１
    ９，２０，２１，２２，２４又は２５のいずれかに記載
    の膜形成装置。
27. 【請求項２７】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
    冷却された気体を供給するように構成されていることを
    特徴とする，請求項１７，１８，１９，２０，２１，２
    ２，２４又は２５のいずれかに記載の膜形成装置。
28. 【請求項２８】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
    面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に硬化剤を供給する供給部を備えたこ
    とを特徴とする，膜形成装置。
29. 【請求項２９】 前記基板を回転させる基板支持機構を
    有することを特徴とする，請求項１７，１８，１９，２
    ０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７又は２
    ８のいずれかに記載の膜形成装置。