JP3488165B2 - Film forming method and film forming apparatus - Google Patents

Film forming method and film forming apparatus

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JP3488165B2 JP2000043138A JP2000043138A JP3488165B2 JP 3488165 B2 JP3488165 B2 JP 3488165B2 JP 2000043138 A JP2000043138 A JP 2000043138A JP 2000043138 A JP2000043138 A JP 2000043138A JP 3488165 B2 JP3488165 B2 JP 3488165B2
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【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は，基板に処理液を供
給して当該基板の表面に処理液の膜を形成する膜形成方
法及び膜形成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming method and a film forming apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to form a film of the processing liquid on the surface of the substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては，
例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）等の
表面にアルミニウム電極を多層に形成する，いわゆる多
層配線技術が行われている。そして，アルミニウム電極
間には層間絶縁膜，例えばポリイミド膜が形成されてい
る。2. Description of the Related Art In the manufacturing process of semiconductor devices,
For example, a so-called multi-layer wiring technique is used in which aluminum electrodes are formed in multiple layers on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) or the like. An interlayer insulating film, for example, a polyimide film is formed between the aluminum electrodes.

【０００３】ところで，製品歩留まりの低下を防止する
には，ポリイミド膜を均一に形成することが必要であ
る。また，多層配線技術後に行われるリソグラフィ技術
において，均一な露光処理やエッチング処理等を行うた
めにも，均一なポリイミド膜の形成が不可欠である。そ
こで，均一なポリイミド膜を形成するにあたり，例えば
従来からスピンコート法が行われてきた。このスピンコ
ート法は，ウェハの表面に液状のポリイミドを供給し，
ウェハを回転させてその時の遠心力によって，ウェハ上
のポリイミドを拡散させて塗布する方法である。By the way, in order to prevent a decrease in product yield, it is necessary to uniformly form a polyimide film. Further, in the lithography technology performed after the multilayer wiring technology, it is essential to form a uniform polyimide film in order to perform uniform exposure processing and etching processing. Therefore, in order to form a uniform polyimide film, for example, a spin coating method has been conventionally used. This spin coating method supplies liquid polyimide to the surface of the wafer,
In this method, the wafer is rotated and the centrifugal force at that time diffuses and applies the polyimide on the wafer.

【０００４】また従来では，スピンコート法によりポリ
イミド膜を形成したウェハの周縁部に対して，例えばポ
リイミドの溶剤（以下，「溶剤」という。）等の洗浄液
を供給し，当該ウェハの周縁部にあるポリイミド膜を除
去する，いわゆるサイドリンス処理が行われていた。こ
れにより，ウェハの周縁部にあるポリイミド膜がウェハ
の周縁部を支持するピンセットに付着して汚染すること
を防止していた。Further, conventionally, a cleaning liquid such as a solvent for polyimide (hereinafter referred to as “solvent”) is supplied to the peripheral portion of the wafer on which the polyimide film is formed by the spin coating method, and the peripheral portion of the wafer is supplied. A so-called side rinse treatment was performed to remove a certain polyimide film. This prevents the polyimide film on the peripheral edge of the wafer from adhering to and contaminating the tweezers supporting the peripheral edge of the wafer.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，ポリイ
ミド膜は流動性が高く，ウェハの中心部側にある乾きき
らないポリイミド膜がウェハの周縁部側に流れ出してし
まうことがあった。従って，上述のサイドリンス処理を
施しても，その後ウェハの周縁部側に流れ出したポリイ
ミドがピンセットに付着して汚染してしまうという懸念
が生じていた。However, since the polyimide film has a high fluidity, the polyimide film on the central side of the wafer, which cannot be completely dried, may flow out to the peripheral side of the wafer. Therefore, even if the above-mentioned side rinse treatment is performed, there is a concern that the polyimide flowing out to the peripheral portion side of the wafer thereafter adheres to the tweezers and is contaminated.

【０００６】そこで本発明は，ポリイミド膜のような薄
膜を形成した後，薄膜を形成する処理液が乾ききってい
ない状態で基板を移動させても，処理液が周縁部に流出
することを防止して，ピンセットなど基板を支持する支
持部材が汚染されない膜形成方法及び膜形成装置を提供
して，上記課題を解決することを目的とする。Therefore, according to the present invention, even after the thin film such as a polyimide film is formed and the substrate is moved while the processing liquid for forming the thin film is not dry, the processing liquid is prevented from flowing out to the peripheral portion. Then, an object of the present invention is to solve the above problems by providing a film forming method and a film forming apparatus in which a supporting member such as tweezers that supports a substrate is not contaminated.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に処理液を供給し，当該基板の表面に所定の厚
さの処理液の膜を形成する工程と，前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と，前記基板の周
辺部に対して硬化剤を供給して，前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させる工程とを有する
ことを特徴とする膜形成方法が提供される。According to the invention of claim 1, a step of supplying a treatment liquid to a substrate to form a film of the treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and a peripheral edge of the substrate. The step of removing the film of the processing liquid formed on the substrate,
And a step of supplying a curing agent to the side portions to solidify the film of the treatment liquid formed on the end portions of the peripheral portion of the substrate.

【０００８】 請求項１に記載の膜形成方法によれば，
例えば，基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去し
た後に，基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる。このように，基板周辺部の処理液を固化さ
せることにより，この固化部分がいわゆる堰となり，基
板の中心部側にある乾いていない処理液が基板の周縁部
から基板外に流出することが防止できる。ここで，「ウ
ェハＷの周縁部」とは，ウェハＷの側周端面及びエッジ
部分並びにその後のプロセスにおいて半導体デバイス等
が形成されない部分をいい，「ウェハＷの周辺部」とは
上記「ウェハＷの周縁部」よりもウェハＷの内側に位置
した部分をいう。なお，請求項１の膜形成方法には，上
述した基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する
工程と前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜
を固化させる工程とが，何れの工程が先に行われる場合
も含まれる。また，本発明によれば，基板に処理液を供
給し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成
する工程と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜
を除去する工程と，前記基板の周辺部に対してレーザ光
を照射して，前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させる工程と，前記基板の周辺部に形成さ
れた処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷
却する工程と，を有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。本発明によれば，基板に処理液を供給し，
当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工
程と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去
する工程と，前記基板の周辺部に対して紫外線を照射し
て，前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を
固化させる工程と，前記基板の周辺部に形成された処理
液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工
程と，を有することを特徴とする膜形成方法が提供され
る。本発明の膜形成方法は，基板に処理液を供給し，当
該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程
と，前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去す
る工程と，前記基板の周辺部を加熱して，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と，前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化さ
せる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有する
ことを特徴とする。 According to the film forming method of claim 1,
For example, after the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate is removed, the film of the processing liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate is solidified. In this way, by solidifying the processing liquid in the peripheral portion of the substrate, this solidified portion serves as a so-called weir, and the non-dry processing liquid on the central portion side of the substrate is prevented from flowing out of the peripheral portion of the substrate to the outside of the substrate. it can. Here, the "peripheral portion of the wafer W" refers to the side peripheral end face and the edge portion of the wafer W and a portion where semiconductor devices and the like are not formed in the subsequent process, and the "peripheral portion of the wafer W" is the above "wafer W". A portion located inside the wafer W with respect to the “peripheral edge portion”. In the film forming method of claim 1, the step of removing the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate and the solidification of the film of the processing liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate are performed. The term “process” also includes the case where any process is performed first. Further, according to the present invention, the processing liquid is supplied to the substrate.
Supply and form a film of treatment liquid with a specified thickness on the surface of the substrate
And a film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate
And removing the laser light to the peripheral part of the substrate.
And the treatment formed at the peripheral edge of the substrate
A step of solidifying the liquid film, and
The peripheral portion of the substrate is cooled when the film of the processed liquid is solidified.
A film forming method characterized by including a step of
Provided. According to the present invention, the processing liquid is supplied to the substrate,
A process for forming a film of a treatment liquid with a predetermined thickness on the surface of the substrate.
And the film of the processing liquid formed on the peripheral edge of the substrate is removed.
And the step of irradiating the periphery of the substrate with ultraviolet light.
The film of the processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the substrate.
Solidifying step and treatment formed on the periphery of the substrate
A process for cooling the periphery of the substrate when solidifying the liquid film.
A method for forming a film is provided, which comprises:
It The film forming method of the present invention supplies the processing liquid to the substrate,
A step of forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate
And removing the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
And heating the periphery of the substrate to
Step of solidifying the film of the treatment liquid formed at the end of the side
And solidify the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
Cooling the peripheral portion of the substrate when applying
It is characterized by

【０００９】 上記発明における前記基板の周縁部に形
成された処理液の膜を除去する工程は，前記基板の周縁
部に洗浄液を供給することにより行われてもよいし，前
記基板の周縁部に対してレーザ光を照射することにより
行われてもよいし，さらに前記基板の周縁部に対して洗
浄液を供給し，レーザ光を照射して行われてもよい。The step of removing the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate in the above invention may be carried out by supplying a cleaning liquid to the peripheral portion of the substrate, or on the peripheral portion of the substrate. Alternatively, it may be performed by irradiating laser light, or by supplying a cleaning liquid to the peripheral portion of the substrate and irradiating laser light.

【００１０】 これらの方法により，基板の周縁部に形
成された処理液の膜を好適に除去することができるが，
特にレーザ光は，その出力の強弱或いは，照射時間の変
更により，前記処理膜の除去する量を調節ことができる
ため，基板上に形成された処理液の膜の膜厚が異なる場
合にも適応できる。なお，前記処理液の膜の除去工程に
は，洗浄液を供給すると同時にレーザ光を照射する場合
と，いずれかを先に行う場合が含まれる。By these methods, the film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate can be suitably removed.
In particular, since the amount of the laser beam to be removed can be adjusted by changing the intensity of the output of the laser beam or changing the irradiation time, it is applicable even when the film thickness of the film of the processing liquid formed on the substrate is different. it can. The step of removing the film of the treatment liquid includes a case where the cleaning liquid is supplied and the laser light is irradiated at the same time, and a case where either one is performed first.

【００１１】 上述したように前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる工程を，前記基板
の周辺部に対してレーザ光を照射することにより行う場
合，レーザ光は比較的エネルギーが高く指向性に優れて
いるため，短時間でかつ正確な位置に前記固化部分すな
わち堰を形成することができる。[0011] The step of solidifying the substrate peripheral portion film of the processing liquid formed on the end of, as described above, earthenware pots row by applying a laser beam to the peripheral portion of the substrate field
In this case, since the laser light has relatively high energy and excellent directivity, the solidified portion, that is, the weir can be formed at an accurate position in a short time.

【００１２】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周縁部に洗浄液を供給して，当該基板
の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工程と，基
板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周辺
部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と，
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする膜形成方法が提供される。According to the present invention, the step of supplying the processing liquid to the substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and the cleaning liquid being supplied to the peripheral portion of the substrate, Removing the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate, and irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light to solidify the film of the processing liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate. When,
Solidify the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
At this time, a step of cooling the peripheral portion of the substrate is provided, and a film forming method is provided.

【００１３】 この膜形成方法によれば，例えば基板の
周縁部に洗浄液を供給して，周縁部にある処理液の膜を
溶解除去した後，この基板の周辺部にレーザ光を照射し
て，処理液の膜の周辺部の端部を加熱して固化させるよ
うにしている。従って，この基板の周辺部には処理液の
固化部分によっていわば堰が形成されることとなる。従
って，基板の中心部側にある乾ききらない処理液の流出
は，前記固化部分によって防止される。According to this film forming method, for example, a cleaning liquid is supplied to the peripheral portion of the substrate to dissolve and remove the film of the processing liquid on the peripheral portion, and then the peripheral portion of the substrate is irradiated with laser light. The peripheral portion of the film of the treatment liquid is heated so as to be solidified. Therefore, a so-called weir is formed in the peripheral portion of this substrate by the solidified portion of the processing liquid. Therefore, the outflow of the processing liquid which does not completely dry on the central side of the substrate is prevented by the solidified portion.

【００１４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せる工程と，前記基板の周辺部に形成された処理液の膜
を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，
さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程とを有することを特徴とする膜形成方法が
提供される。According to the present invention, the step of supplying the processing liquid to the substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light, A step of solidifying a film of the treatment liquid formed on the edge of the peripheral portion of the substrate, and a film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
Cooling the periphery of the substrate when solidifying
Further, there is provided a step of removing the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate with the laser beam, thereby providing a film forming method.

【００１５】 この膜形成方法によれば，処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部にレーザ光を照射し，先
ず基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せるようにしている。これによって，固化した処理液の
堰が基板の周辺部に形成されるので，乾ききっていない
処理液の流出を防止できる。次いで，基板の周縁部にあ
る処理液の膜をレーザ光で除去するので，洗浄液を使用
せずに基板の周縁部にある処理液の膜を除去することが
可能となる。ここで，基板上の処理液の膜厚に差がある
場合には，レーザ光の照射時間を調整して好適に対処す
ることができる。According to this film forming method, the peripheral portion of the substrate on which the film of the treatment liquid is formed is irradiated with laser light, and the film of the treatment liquid formed on the edge of the peripheral portion of the substrate is first solidified. I am trying to let you. As a result, a weir of the solidified processing liquid is formed in the peripheral portion of the substrate, so that the processing liquid that has not dried can be prevented from flowing out. Next, since the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate is removed by the laser light, it is possible to remove the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate without using the cleaning liquid. Here, when there is a difference in the film thickness of the processing liquid on the substrate, the irradiation time of the laser light can be adjusted to appropriately deal with it.

【００１６】 上記発明において，前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる工程と，基板
の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除去する工
程との間に，基板に対して照射するレーザ光の出力を調
整する工程を具備するようにしてもよい。In the above invention, between the step of solidifying the film of the treatment liquid formed on the edge of the peripheral portion of the substrate and the step of removing the film of the treatment liquid on the peripheral portion of the substrate with the laser beam. In addition, a step of adjusting the output of the laser beam with which the substrate is irradiated may be provided.

【００１７】 この膜形成方法によれば，周辺部の端部
にある処理液の膜を固化させた後に，基板の周縁部に対
して照射するレーザ光の出力を調整するので，例えば処
理液の膜が厚く形成された箇所には出力の大きなレーザ
光を，また処理液の膜が薄く形成された箇所には出力の
小さなレーザ光を照射することにより，基板の周縁部か
ら効率よく，かつ常に所定の時間で不要な処理液の膜を
除去することができる。According to this film forming method, the output of the laser beam with which the peripheral edge of the substrate is irradiated is adjusted after the film of the processing liquid at the end of the peripheral portion is solidified. By irradiating a portion with a thick film with a high-power laser beam and a portion with a thin film of the processing liquid with a low-power laser beam, the edge of the substrate can be efficiently and constantly An unnecessary film of the processing liquid can be removed within a predetermined time.

【００１８】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を
照射して，所定の間隔を有するように前記基板の周辺部
に形成された処理液の膜と前記基板の周縁部に形成され
た処理液の膜の２箇所を固化する工程と，その後，前記
固化された２箇所の処理液の膜の間にある処理液の膜を
前記レーザー光で除去する工程とを有することを特徴と
する膜形成方法が提供される。According to the present invention, the step of supplying the processing liquid to the substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and the laser light is applied to the peripheral portion and the peripheral portion of the substrate. Irradiating to solidify the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate and the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate so as to have a predetermined interval, and then, And a step of removing the film of the treatment liquid between the two solidified films of the treatment liquid with the laser beam.

【００１９】 このように，処理液の膜の固化する部分
を２重に形成することにより，いわゆる処理液に対する
堰が２つ形成されることになるため，基板周縁部から乾
いていない処理液が流出することをより確実に防止でき
る。なお，この膜形成方法は，前記基板の周辺部に形成
された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を
冷却する工程を有するようにしてもよい。 By thus forming the solidified portion of the film of the processing liquid in two layers, two so-called weirs for the processing liquid are formed, so that the processing liquid which has not dried remains from the peripheral portion of the substrate. It can be more reliably prevented from flowing out. In addition, this film forming method is to form on the periphery of the substrate.
When the film of the treated processing liquid is solidified, the peripheral portion of the substrate is
You may make it have the process of cooling.

【００２０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る工程と，基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前
記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化さ
せると共に当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レ
ーザ光で除去する工程と，前記基板の周辺部に形成され
た処理液の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却
する工程と，を有することを特徴とする膜形成方法が提
供される。According to the present invention, the step of supplying the processing liquid to the substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light, A step of solidifying a film of the treatment liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate and removing the film of the treatment liquid on the peripheral portion of the substrate with the laser beam ; and forming a film on the peripheral portion of the substrate.
The peripheral part of the substrate is cooled when the film of the processing liquid is solidified.
The method for forming a film is provided.

【００２１】 この膜形成方法によれば，例えばスピン
コート法によって，基板の周縁部にまで延出した余分な
処理液の膜はレーザ光によって除去される。一方，基板
の周辺部に対しては，レーザ光で固化した処理液による
堰が形成されるので，乾ききっていない処理液の流出を
防ぐことができる。しかも，基板の周縁部にある処理液
の膜の除去を上述した堰の形成と同時に行うので，かか
る固化と除去とに要する時間をより短縮化できる。ま
た，本発明によれば，基板に処理液を供給し，当該基板
の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と，基
板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそれ
ぞれレーザ光を同時に照射して，前記基板の周辺部の端
部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該基
板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と，を有
し，前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際
には，前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記
基板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大
きくすることを特徴とする膜形成方法が提供される。 According to this film forming method, for example, by spin coating, an extra film of the processing liquid extending to the peripheral portion of the substrate is removed by laser light. On the other hand, since the weir formed by the treatment liquid solidified by the laser beam is formed in the peripheral portion of the substrate, it is possible to prevent the treatment liquid that has not dried completely from flowing out. In addition, since the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate is removed at the same time as the formation of the weir, the time required for such solidification and removal can be further shortened. Well
According to the present invention, the processing liquid is supplied to the substrate,
A step of forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate,
From different illuminators for the perimeter and perimeter of the plate
The edges of the peripheral part of the substrate are simultaneously irradiated with laser light.
At the same time as solidifying the film of the treatment liquid formed on the
A step of removing a film of the processing liquid on the peripheral portion of the plate.
During the process of solidifying the film and removing the film at the same time.
In addition to the irradiation device that irradiates the peripheral portion of the substrate,
Increase the laser light output of the irradiation device that irradiates the peripheral edge of the substrate.
A method for forming a film is provided, which is characterized by hardening.

【００２２】 上述した前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は，前記基板の周辺
部に対して紫外線を照射することにより行われてもよい
し，前記基板の周辺部を加熱することにより行われても
よいし，さらに，基板の周辺部に対して硬化剤を供給す
ることにより行われるようにしてもよい。上記の方法を
用いて処理液の膜を固化させても，固化部分すなわち堰
を基板の周辺部の端部に好適に形成することができる。
従って，基板の中心部側にある乾いていない処理液が基
板の周縁部から基板外に流出することが防止される。The above-mentioned step of solidifying the film of the treatment liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate may be performed by irradiating the peripheral portion of the substrate with ultraviolet rays. It may be performed by heating the peripheral portion of the substrate, or may be performed by supplying a curing agent to the peripheral portion of the substrate. Even if the film of the treatment liquid is solidified by using the above method, the solidified portion, that is, the weir can be preferably formed at the end portion of the peripheral portion of the substrate.
Therefore, it is possible to prevent the non-dried processing liquid on the central portion side of the substrate from flowing out of the substrate from the peripheral portion of the substrate.

【００２３】 前記膜形成方法において，基板の周辺部
に形成された処理液の膜を固化させる際に前記基板の周
辺部を冷却する工程を有する場合，例えばレーザ光や加
熱素子等により，基板に熱的な悪影響を与えるおそれが
ある。そこで，レーザ光や熱が与えられる基板の周辺部
を冷却することにより，熱的な影響を受けることを防止
する。[0023] In the film forming method, if a step of cooling the peripheral portion of the substrate when solidifying the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate, more for example, laser light or the heating element or the like, the substrate May adversely affect the heat. Therefore, by cooling the peripheral portion of the substrate to which the laser beam or heat is applied, it is possible to prevent the thermal influence.

【００２４】 例えば，上記膜形成方法において，基板
は略円盤状であって，この基板を回転させながらレーザ
光を照射する工程を有するようにしてもよい。 For example, in the above film forming method, the substrate may be substantially disk-shaped, and a step of irradiating the laser beam while rotating the substrate may be included.

【００２５】 かかる場合，基板の周辺部や周縁部の一
点にレーザ光を照射し続けるだけで，基板の全周にわた
って周辺部や周縁部に対してレーザ光の照射が行える。In such a case , the laser beam can be irradiated to the peripheral portion and the peripheral portion over the entire circumference of the substrate only by continuously irradiating the laser beam to one point on the peripheral portion and the peripheral portion of the substrate.

【００２６】 上述した各膜形成方法において，前記基
板は略円盤状であって，前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる工程は，この基板を回転
させながら行われてもよい。In each of the above-described film forming methods, the substrate is substantially disc-shaped, and the step of solidifying the film of the processing liquid formed at the peripheral edge of the substrate is performed while rotating the substrate. You may break.

【００２７】 この膜形成方法によれば，例えば前記基
板の周辺部の一点に紫外線を照射し続けるだけで，基板
の全周にわたって基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させることができる。また，回転の速度を
変えることにより，例えば紫外線の照射量を変えること
ができる。According to this film forming method, for example, only by continuously irradiating one point on the peripheral portion of the substrate with ultraviolet rays, the film of the processing liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate is solidified over the entire circumference of the substrate. Can be made. Also, by changing the rotation speed, for example, the irradiation amount of ultraviolet rays can be changed.

【００２８】 また，前記基板の周縁部に形成された処
理液の膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら
行われてもよい。Further, the step of removing the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate may be performed while rotating the substrate.

【００２９】 この膜形成方法によれば，例えば前記基
板の周辺部の一点にレーザ光を照射し続けるだけで，基
板の全周にわたって基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去することができる。また，回転の速度を変える
ことにより，例えばレーザ光の照射量を変えることがで
き，処理膜の除去量を適宜変更することができる。According to this film forming method, the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate can be removed over the entire circumference of the substrate only by continuing to irradiate the laser beam to one point on the peripheral portion of the substrate. You can Further, by changing the rotation speed, for example, the irradiation amount of laser light can be changed, and the removal amount of the processed film can be appropriately changed.

【００３０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の端部に形成
された処理液の膜を固化させる手段と，前記基板の周辺
部を冷却する冷却装置と，を有することを特徴とする膜
形成装置が提供される。According to the present invention, there is provided an apparatus for supplying a treatment liquid to a substrate to form a film of the treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, wherein the treatment liquid is formed on the peripheral portion of the substrate. Means for removing the film, a means for solidifying the film of the processing liquid formed on the edge of the peripheral portion of the substrate, and the periphery of the substrate
And a cooling device for cooling the portion .

【００３１】 このように，前記基板の周縁部に形成さ
れた処理液の膜を除去する手段と，前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させる手段とを有す
ることにより，上述の膜形成方法を好適に実施すること
ができる。従って，基板周辺部に形成された処理液の膜
にいわゆる堰が形成され，基板中心部側にある乾いてい
ない処理液が基板周縁部から基板外に流出することが防
止される。As described above, the apparatus has means for removing the film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate and means for solidifying the film of the treatment liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate. Thereby, the above-mentioned film forming method can be suitably implemented. Therefore, a so-called weir is formed in the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate, and the undried processing liquid on the central side of the substrate is prevented from flowing out of the peripheral portion of the substrate to the outside of the substrate.

【００３２】 前記処理液の膜を除去する手段は，前記
基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有する
ようにしてもよい。このように，前記供給部を設けるこ
とにより，洗浄液によって前記処理液の膜を除去するこ
とができるため，上述した膜形成方法が好適に実施でき
る。The means for removing the film of the processing liquid may include a supply unit for supplying the cleaning liquid to the peripheral portion of the substrate. As described above, by providing the supply unit, the film of the processing liquid can be removed by the cleaning liquid, and thus the above-described film forming method can be preferably implemented.

【００３３】 さらに前記基板の処理液の膜を固化する
手段を前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置と
してもよい。こうすることにより，前記基板の周縁部に
形成された処理液の膜は，前記洗浄液により除去され，
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜は，レーザ光
により固化できる。したがって，上述の膜形成方法を好
適に実施できる。Further, the means for solidifying the film of the treatment liquid on the substrate may be an irradiation device for irradiating the substrate with laser light. By doing so, the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate is removed by the cleaning liquid,
The film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate can be solidified by laser light. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００３４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に対してレーザ光を
照射可能な照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷
却装置と，を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供
される。According to the present invention, there is provided an apparatus for supplying a treatment liquid to a substrate to form a film of the treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, wherein a laser beam is applied to the peripheral portion of the substrate. Irradiation device capable of irradiation, and a cooling device for cooling the peripheral part of the substrate.
Film forming apparatus characterized by comprising: a retirement unit, is provided.

【００３５】 この膜形成装置によれば，処理液の膜が
表面に形成された基板の周辺部に対して照射装置からの
レーザ光を照射して加熱することができるから，基板の
周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化することが
できる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。According to this film forming apparatus, it is possible to irradiate and heat the peripheral portion of the substrate on which the film of the treatment liquid is formed with the laser beam from the irradiation device. It is possible to solidify the film of the treatment liquid formed at the end portion. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００３６】 そして上記照射装置は，少なくとも基板
の周縁部まで移動自在に構成してもよい。 The irradiation device may be movable at least up to the peripheral portion of the substrate.

【００３７】 かかる構成によれば，照射装置から基板
の周辺部に対してレーザ光を照射した後に，照射装置を
移動させて基板の周辺部よりもさらに外側の周縁部にレ
ーザ光を照射することが可能である。従って，上述の膜
形成方法を好適に実施することができる。According to this structure, after the irradiation device irradiates the peripheral portion of the substrate with the laser light, the irradiation device is moved to irradiate the peripheral portion of the substrate further outside with the laser light. Is possible. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００３８】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，基板の周辺部に対してレーザ光を照射
する第１の照射装置と，基板の周縁部に対してレーザ光
を照射する第２の照射装置と，前記基板の周辺部を冷却
する冷却装置と，を有することを特徴とする，膜形成装
置が提供される。According to the present invention , the processing liquid is supplied to the substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and the peripheral portion of the substrate is irradiated with the laser beam. A first irradiating device, a second irradiating device for irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light, and a peripheral portion of the substrate
And a cooling device for controlling the film forming apparatus.

【００３９】 前記膜形成装置によれば，基板の周辺部
及び基板の周縁部に対してそれぞれ第１，第２の照射装
置から同時にレーザ光を照射することができる。従っ
て，例えば第１の照射装置よりも第２の照射装置の出力
を大きくし，基板の周辺部に照射するレーザ光よりも光
強度の強いレーザ光，即ちエネルギーの高いレーザ光を
基板の周縁部に照射すれば，固化した処理液の堰が基板
の周辺部に形成され，同時に基板の周縁部にある不要な
処理液の膜を除去することができる。その結果，上述の
膜形成方法を好適に実施することができる。また，本発
明は，基板に処理液を供給し，当該基板の表面に所定の
厚さの処理液の膜を形成する装置であって，基板の周辺
部に対してレーザ光を照射する第１の照射装置と，基板
の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の照射装置
と，を有し，前記第１の照射装置よりも前記第２の照射
装置からのレーザ光の出力を大きくし，前記第１の照射
装置と前記第２の照射装置からそれぞれレーザ光を同時
に照射して，前記基板の周辺部の端部に形成された処理
液の膜を固化させると同時に当該基板の周縁部にある処
理液の膜を除去することを特徴とする。 [0039] According to the film forming apparatus, a first respectively to perimeter and the peripheral portion of the substrate of the substrate, it can be simultaneously irradiated with laser light from the second illumination device. Therefore, for example, the output of the second irradiation device is made larger than that of the first irradiation device, and laser light having a higher light intensity than the laser light with which the peripheral portion of the substrate is irradiated, that is, laser light having high energy is applied to the peripheral portion of the substrate. By irradiating the substrate, a weir of the solidified processing liquid is formed in the peripheral portion of the substrate, and at the same time, an unnecessary film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate can be removed. As a result, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented. In addition, this
Ming supplies the processing liquid to the substrate, and a predetermined amount is applied to the surface of the substrate.
A device for forming a film of a processing liquid having a thickness, which is around a substrate.
Irradiation device for irradiating a laser beam onto the substrate and the substrate
Second irradiating device for irradiating the peripheral portion of the laser beam with laser light
And, and the second irradiation than the first irradiation device
Increase the output of the laser beam from the device, the first irradiation
Laser light from the device and the second irradiation device at the same time
To the edge of the substrate to irradiate the substrate
At the same time when the liquid film is solidified, the treatment on the periphery of the substrate is performed.
The feature is that the film of the physical fluid is removed.

【００４０】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に対して紫外線を照
射可能な照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷却
装置と，を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供さ
れる。According to the present invention, there is provided an apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, the peripheral portion of the substrate being irradiated with ultraviolet rays. Possible irradiation device and cooling for cooling the periphery of the substrate
An apparatus for forming a film is provided.

【００４１】 このように，紫外線の照射装置を備える
ことにより，レーザ光の代わりに紫外線を照射して，基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化するこ
とができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施す
ることができる。As described above, by providing the ultraviolet irradiation device, it is possible to irradiate the ultraviolet rays instead of the laser light to solidify the film of the processing liquid formed at the end portion of the peripheral portion of the substrate. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００４２】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部を加熱する加熱素子
と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えた
ことを特徴とする膜形成装置が提供される。According to the present invention , an apparatus for supplying a processing liquid to a substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, comprising a heating element for heating the peripheral portion of the substrate. And a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate .

【００４３】 このように，基板の周辺部を加熱する加
熱素子を備えることにより，基板の周辺部に形成された
処理液の膜を加熱して，前記処理液の膜を固化すること
ができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施する
ことができる。As described above, by providing the heating element for heating the peripheral portion of the substrate, the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate can be heated and the film of the processing liquid can be solidified. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００４４】 本発明によれば，基板に処理液を供給
し，当該基板の表面に所定の厚さの処理液の膜を形成す
る装置であって，前記基板の周辺部に硬化剤を供給する
供給部を備えたことを特徴とする膜形成装置が提供され
る。According to the present invention, a treatment liquid is supplied to a substrate to form a treatment liquid film having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and a curing agent is supplied to the peripheral portion of the substrate. A film forming apparatus including a supply unit is provided.

【００４５】 このように，基板の周辺部に硬化剤を供
給する供給部を備えることにより，基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜に硬化剤を供給して，前記処理
液の膜を固化することができる。従って，上述の膜形成
方法を好適に実施することができる。As described above, by providing the supply unit for supplying the curing agent to the peripheral portion of the substrate, the curing agent is supplied to the film of the processing liquid formed at the end portion of the peripheral portion of the substrate, and the processing liquid is supplied. The film can be solidified. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００４６】 前記膜形成装置において，前記基板の周
辺部を冷却する冷却装置を有していてもよい。 [0046] In the film forming apparatus may have a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate.

【００４７】このように，基板の周辺部を冷却する冷却
装置を備えることにより，基板の周辺部を冷却して，例
えば，レーザ光の照射による温度上昇を抑制することが
できる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施するこ
とができる。As described above, by providing the cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate, the peripheral portion of the substrate can be cooled and, for example, the temperature rise due to the irradiation of the laser beam can be suppressed. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００４８】 また，上述の冷却装置は，前記基板の周
辺部に対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するよう
に構成されていてもよいし，前記基板の周辺部に冷却さ
れた気体を供給するように構成されていてもよい。Further, the above cooling device may be configured to supply cooling water to the back surface of the substrate corresponding to the peripheral portion of the substrate, or to supply the cooled gas to the peripheral portion of the substrate. It may be configured to supply.

【００４９】 前者の場合，基板周辺部の裏面に対して
冷却水を供給するため，処理液に直接触れることなく，
基板周辺部の温度上昇を抑制することができる。また，
後者の場合，処理液に直接触れてもさほど影響を与えな
い気体を用いて基板周辺部を冷却することができるの
で，冷却装置の配置位置の自由度が広がる。In the former case, the cooling water is supplied to the back surface of the peripheral portion of the substrate, so that the processing liquid is not directly touched.
It is possible to suppress the temperature rise in the peripheral portion of the substrate. Also,
In the latter case, the periphery of the substrate can be cooled by using a gas that does not significantly affect the treatment liquid, so that the degree of freedom of the arrangement position of the cooling device is widened.

【００５０】 以上の各膜形成装置は，前記基板を回転
させる基板支持機構を有するようにしてもよい。Each of the above film forming apparatuses may have a substrate supporting mechanism for rotating the substrate.

【００５１】 かかる構成によれば，例えば基板支持機
構によって回転する基板の周辺部にレーザ光を照射する
ことができる。従って，上述の膜形成方法を好適に実施
することができる。With this configuration, for example, the laser beam can be irradiated to the peripheral portion of the rotating substrate by the substrate supporting mechanism. Therefore, the above-mentioned film forming method can be preferably implemented.

【００５２】[0052]

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態にかか
る膜形成装置を備えた膜形成システムについて説明す
る。図１〜３は膜形成システムの外観を示しており，図
１は平面図，図２は正面図，図３は背面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A film forming system equipped with a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below. 1 to 3 show the appearance of the film forming system. FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a front view, and FIG. 3 is a rear view.

【００５３】膜形成システム１は図１に示すように，例
えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現
像処理装置１に搬入出したり，カセットＣにウェハＷを
搬入出したりするためのカセットステーション２と，枚
葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置し
てなる処理ステーション３とを一体に接続した構成を有
している。As shown in FIG. 1, the film forming system 1 is a cassette for loading / unloading, for example, 25 wafers W into / out of the coating / development processing apparatus 1 in a cassette unit or loading / unloading the wafer W in / from a cassette C. It has a configuration in which a station 2 and a processing station 3 in which various processing units for performing a predetermined processing in a single wafer system are arranged in multiple stages are integrally connected.

【００５４】カセットステーション２では，カセット載
置台６上の所定の位置にカセットＣがウェハＷの出入口
を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下
方向）一列に載置自在である。そして，このカセット配
列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷ
のウェハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウ
ェハ搬送体８が搬送路９に沿って移動自在であり，カセ
ットＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。In the cassette station 2, the cassettes C can be placed at a predetermined position on the cassette mounting table 6 in a line in the X direction (vertical direction in FIG. 1) with the entrance / exit of the wafer W facing the processing station 3 side. . Then, the wafer W accommodated in the cassette arrangement direction (X direction) and the cassette C.
The wafer carrier 8 which is movable in the wafer arranging direction (Z direction; vertical direction) is movable along the carrier path 9 so that the cassette C can be selectively accessed.

【００５５】ウェハ搬送体８はθ方向（Ｚ軸を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
ように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に
属するアライメントユニット３２及びエクステンション
ユニット３３に対してもアクセスできるように構成され
ている。The wafer carrier 8 is also rotatable in the θ direction (rotational direction around the Z axis), and as will be described later, an alignment belonging to the third processing unit group G 3 on the processing station 3 side. The unit 32 and the extension unit 33 are also configured to be accessible.

【００５６】処理ステーション３では，ウェハＷの周縁
部を保持するピンセット１０と，ウェハＷの裏面を保持
するピンセット１１，１２とを上中下に備えた主搬送装
置１３が中心部に配置されており，主搬送装置１３の周
囲には各種処理ユニットが多段に配置されて処理装置群
を構成している。膜形成システム１においては，４つの
処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置可能である。
第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は膜形成装置１の
正面側に配置されており，第３の処理装置群Ｇ ３はカセ
ットステーション２に隣接して配置されており，第４の
処理装置群Ｇ４は主搬送装置１３を挟んで第３の処理装
置群Ｇ３と相対向するようにして配置されている。ま
た，必要に応じて第５の処理装置群Ｇ５も背面側に配置
可能である。At the processing station 3, the periphery of the wafer W is
Holding tweezers 10 and the backside of wafer W
Main transport device equipped with tweezers 11 and 12 on
The device 13 is located in the center of the
Various processing units are arranged in multiple stages in the enclosure, and processing equipment group
Are configured. In the film forming system 1, the four
Processor group G1, GTwo, GThree, GFourCan be placed.
First and second processing unit group G1, GTwoOf the film forming apparatus 1
Located on the front side, the third processing unit group G ThreeIs a case
Is located adjacent to the station 2 and
Processor group GFourIs a third processing device with the main carrier 13 in between.
Group GThreeAre arranged so as to face each other. Well
Also, if necessary, the fifth processing unit group G5Is also placed on the back side
It is possible.

【００５７】第１の処理装置群Ｇ１では図２に示すよう
に，処理液としてのポリイミド液をウェハＷに供給して
処理する膜形成装置１５と，後述のポンプ６８，７１を
収納可能な収納室１６とが上下２段に配置されている。
第２の処理装置群Ｇ２では，膜形成装置１５と基本的に
同様な構成を有する膜形成装置１７と，収納室１６と基
本的に同様な構成を有する収納室１８とが上下２段に積
み重ねられている。なお，これらの収納室１６，１８の
下部には，後述するポリイミド液供給タンク６５及び溶
剤供給タンク７０を収納可能なケミカルボックス１９，
１９が設けられている。As shown in FIG. 2, the first processing unit group G 1 is capable of accommodating a film forming unit 15 for supplying a polyimide liquid as a processing liquid to the wafer W for processing, and pumps 68, 71 described later. The storage chamber 16 and the storage chamber 16 are arranged vertically in two stages.
In the second processing apparatus group G 2 , a film forming apparatus 17 having basically the same configuration as the film forming apparatus 15 and a storage chamber 18 having basically the same configuration as the storage chamber 16 are vertically arranged in two stages. Are stacked. A chemical box 19, which can accommodate a polyimide liquid supply tank 65 and a solvent supply tank 70, which will be described later, is provided below the storage chambers 16 and 18.
19 are provided.

【００５８】第３の処理装置群Ｇ３では図３に示すよう
に，ウェハＷを載置台に載せて所定の処理を施すオーブ
ン型の処理ユニット，例えば冷却処理を行うクーリング
ユニット３０，ポリイミド膜とウェハＷとの定着性を高
めるアドヒージョンユニット３１，ウェハＷの位置合わ
せを行うアライメントユニット３２，ウェハＷを待機さ
せるエクステンションユニット３３，加熱処理を行うベ
ーキングユニット３４，３５，３６，３７等が下から順
に８段に重ねられている。In the third processing unit group G 3 , as shown in FIG. 3, an oven type processing unit for placing a wafer W on a mounting table and performing a predetermined process, for example, a cooling unit 30 for performing a cooling process, a polyimide film, and the like. The adhesion unit 31 for improving the fixing property with the wafer W, the alignment unit 32 for aligning the wafer W, the extension unit 33 for waiting the wafer W, and the baking units 34, 35, 36, 37 for performing the heat treatment are below. It is stacked in 8 steps in order.

【００５９】第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリ
ングユニット４０，載置したウェハＷを自然冷却させる
エクステンション・クーリングユニット４１，エクステ
ンションユニット４２，クーリングユニット４３，ベー
キングユニット４４，４５，４６，４７等が下から順に
８段に積み重ねられている。In the fourth processing unit group G 4 , for example, the cooling unit 40, the extension cooling unit 41 for naturally cooling the placed wafer W, the extension unit 42, the cooling unit 43, the baking units 44, 45, 46, 47. Etc. are stacked in 8 layers in order from the bottom.

【００６０】膜形成システム１は以上のように構成され
ている。次に，本発明の実施の形態にかかる膜形成装置
１５について説明する。The film forming system 1 is configured as described above. Next, the film forming apparatus 15 according to the embodiment of the present invention will be described.

【００６１】膜形成装置１５は図４，５に示すように，
ケーシング５４内に備えられたカップ５５内部で真空吸
着したウェハＷを回転自在なスピンチャック５６を備え
ており，このウェハＷの下側にはウェハＷの裏面周縁部
に洗浄液，例えば溶剤等を供給して洗浄する，いわゆる
バックリンスを行うための洗浄液供給手段５７，５７が
設けられている。また，ウェハＷから飛散したポリイミ
ド液は，スピンチャック５６の外方からカップ５５の底
部に設けられた排液管５８を通じて，カップ５５の下方
に設置されているドレインタンク５９へと排出される。The film forming apparatus 15 is, as shown in FIGS.
A spin chuck 56 is provided which is capable of rotating a wafer W that is vacuum-adsorbed inside a cup 55 provided in a casing 54. A cleaning liquid, such as a solvent, is supplied to the lower side of the wafer W at the peripheral portion of the back surface of the wafer W. Cleaning liquid supply means 57, 57 for performing a so-called back rinse are provided. Further, the polyimide liquid scattered from the wafer W is discharged from the outside of the spin chuck 56 through a drain pipe 58 provided at the bottom of the cup 55 into a drain tank 59 provided below the cup 55.

【００６２】本実施の形態にかかる膜形成装置１５にお
いては，ウェハＷに供給されるポリイミド液は，各々ポ
リイミド液供給ノズルＰ１〜Ｐ４から供給されるように
なっており，これらのポリイミド液供給ノズルＰ１〜Ｐ
４はウェハＷに溶剤を供給する溶剤供給ノズルＴ１〜Ｔ
４とそれぞれ組になってノズルホルダ６０，６１，６
２，６３に夫々組み込まれている。In the film forming apparatus 15 according to this embodiment, the polyimide liquids supplied to the wafer W are supplied from the polyimide liquid supply nozzles P 1 to P 4 , respectively. Supply nozzles P 1 to P
Reference numeral 4 denotes solvent supply nozzles T 1 to T for supplying a solvent to the wafer W.
Nozzle holders 60, 61, 6 in pairs with 4 , respectively.
It is installed in 2, 63 respectively.

【００６３】ノズルホルダ６０，６１，６２，６３は上
記カップ５５の外側に配置する保持機構６４によって保
持されるようになっている。これらのノズルホルダ６
０，６１，６２，６３はそれぞれ基本的に同一の構成を
有しており，例えば図４に示したノズルホルダ６０に基
づいてその構成を説明すると，ノズルホルダ６０にはポ
リイミド液供給ノズルＰ１と，溶剤供給ノズルＴ１とが
設けられている。The nozzle holders 60, 61, 62 and 63 are held by a holding mechanism 64 arranged outside the cup 55. These nozzle holders 6
0,61,62,63 basically have the same structure, respectively, for example, its configuration will be described on the basis of the nozzle holder 60 shown in FIG. 4, the nozzle holder 60 polyimide solution supply nozzle P 1 And a solvent supply nozzle T 1 .

【００６４】ポリイミド液供給ノズルＰ１へは，上記ケ
ミカルボックス１９に収納されているポリイミド液供給
タンク６５から，ポリイミド液供給チューブ６６を通じ
て所定のポリイミド液が供給されるようになっており，
このポリイミド液供給チューブ６６には途中にパーティ
クル等の不純物を除去するフィルタ６７が介装されてい
る。また，ポリイミド液は収納室１６内のポンプ６８等
によって送られるようになっている。A predetermined polyimide solution is supplied to the polyimide solution supply nozzle P 1 from a polyimide solution supply tank 65 housed in the chemical box 19 through a polyimide solution supply tube 66.
A filter 67 that removes impurities such as particles is interposed in the polyimide liquid supply tube 66. The polyimide liquid is sent by the pump 68 or the like in the storage chamber 16.

【００６５】またノズルホルダ６０には，温度調節流体
を循環させるためのチューブによって構成された往路６
９ａ，復路６９ｂが設けられており，往路６９ａを通じ
て外部から供給される温度調節水等の温度調節流体を往
路６９ａから復路６９ｂに循環させている。これによ
り，ポリイミド液供給チューブ６６内を流通するポリイ
ミド液を一定温度に保ち，ポリイミド液供給ノズルＰ１
からウェハＷに対して吐出されるポリイミド液が常に所
定温度となるように配慮されている。Further, the nozzle holder 60 has a forward path 6 composed of a tube for circulating a temperature control fluid.
9a and a return path 69b are provided, and a temperature control fluid such as temperature control water supplied from the outside through the forward path 69a is circulated from the forward path 69a to the return path 69b. As a result, the polyimide liquid flowing through the polyimide liquid supply tube 66 is maintained at a constant temperature, and the polyimide liquid supply nozzle P 1
It is taken into consideration that the polyimide liquid discharged from the wafer W to the wafer W is always at a predetermined temperature.

【００６６】一方，溶剤供給ノズルＴ１にはケミカルボ
ックス１９に収納されている溶剤供給タンク７０の溶剤
がポンプ７１によって溶剤供給チューブ７２を通じて送
液されるようになっており，ノズルホルダ６０には溶剤
供給チューブ７２内を流通する溶剤を所定温度に維持す
るために，所定温度の温度調節流体を流通させるチュー
ブからなる往路７３ａ，７３ｂが設けられている。On the other hand, the solvent in the solvent supply tank 70 housed in the chemical box 19 is supplied to the solvent supply nozzle T 1 by the pump 71 through the solvent supply tube 72, and the nozzle holder 60 is connected to the solvent holder. In order to maintain the temperature of the solvent flowing in the solvent supply tube 72 at a predetermined temperature, outward paths 73a and 73b made of tubes for circulating a temperature control fluid at a predetermined temperature are provided.

【００６７】なお，ノズルホルダ６１，６２，６３には
ポリイミド液供給ノズルＰ２，Ｐ３，Ｐ４と，溶剤供給
ノズルＴ２，Ｔ３，Ｔ４とが夫々設けられており，ノズ
ルホルダ６０，６１，６２，６３には後述するスキャン
アーム８０ａの保持する保持ピン６０ａ，６１ａ，６２
ａ，６３ａがそれぞれ設けられている。The nozzle holders 61, 62 and 63 are provided with polyimide liquid supply nozzles P 2 , P 3 and P 4 and solvent supply nozzles T 2 , T 3 and T 4, respectively. , 61, 62, 63, holding pins 60a, 61a, 62 held by a scan arm 80a described later.
a and 63a are provided respectively.

【００６８】そして，スピンチャック５５を挟んで保持
機構６４の反対側には他の保持機構７４が設けられてお
り，この保持機構７４にはウェハＷの周縁部に溶剤を供
給して洗浄する，いわゆるサイドリンス専用のノズルホ
ルダ７５，７６，７７，７８が備えられている。ノズル
ホルダ７５，７６，７７，７８は基本的に同様の構成を
有しており，ノズルホルダ７５，７６，７７，７８には
ウェハＷの周縁部に溶剤を吐出する溶剤吐出ノズル
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と，後述するスキャンアーム８
０ａに保持される保持ピン７５ａ，７６ａ，７７ａ，７
８ａとがそれぞれ設けられている。Another holding mechanism 74 is provided on the opposite side of the holding mechanism 64 with the spin chuck 55 interposed therebetween, and a solvent is supplied to the peripheral portion of the wafer W to wash the holding mechanism 74. Nozzle holders 75, 76, 77, 78 dedicated to so-called side rinses are provided. The nozzle holders 75, 76, 77, 78 basically have the same configuration, and the nozzle holders 75, 76, 77, 78 have solvent ejection nozzles S 1 , S for ejecting a solvent to the peripheral portion of the wafer W. 2 , S 3 , S 4 and a scan arm 8 to be described later
Holding pins 75a, 76a, 77a, 7 held at 0a
8a and 8a are provided respectively.

【００６９】そして，前出のノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８は
保持機構６４，７４からスキャン機構８０のスキャンア
ーム８０ａによってそれぞれ取り出される。このスキャ
ンアーム８０ａは三次元方向，即ちＸ方向，Ｙ方向，Ｚ
方向への移動が可能であり，ノズルホルダ６０，６１，
６２，６３及びノズルホルダ７５，７６，７７，７８を
保持した状態でウェハＷの上方に位置する所定の位置ま
で移動するように構成されている。Then, the nozzle holders 60, 61,
62, 63 and the nozzle holders 75, 76, 77, 78 are taken out from the holding mechanisms 64, 74 by the scan arm 80a of the scan mechanism 80, respectively. The scan arm 80a has three-dimensional directions, that is, X direction, Y direction, and Z direction.
The nozzle holders 60, 61,
It is configured to move to a predetermined position located above the wafer W while holding the nozzles 62, 63 and the nozzle holders 75, 76, 77, 78.

【００７０】また，カップ５５の上方には，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装置８１が備
えられている。この照射装置８１は移動機構８３によっ
てカップ５５上方の所定の位置まで移動することができ
るように構成されており，光源が例えばＧａＡｌＡｓ等
で出力が数Ｗ程度の赤外レーザダイオード８１ａと，発
生したレーザ光をウェハＷの周辺部に対して垂直に照射
させるためのレンズ８１ｂとを有している。Further, above the cup 55, an irradiation device 81 capable of irradiating the peripheral portion of the wafer W with laser light is provided. The irradiation device 81 is constructed so that it can be moved to a predetermined position above the cup 55 by a moving mechanism 83, and an infrared laser diode 81a having a light source of, for example, GaAlAs or the like and having an output of several W is generated. It has a lens 81b for vertically irradiating the peripheral portion of the wafer W with the laser light.

【００７１】本実施の形態にかかる膜形成装置１５は以
上のように形成されている。次に，膜形成装置１５の作
用効果について説明する。The film forming apparatus 15 according to this embodiment is formed as described above. Next, the function and effect of the film forming apparatus 15 will be described.

【００７２】ウェハＷが膜形成装置１５に搬入される
と，このウェハＷはカップ５５内のスピンチャック５６
に真空引きされて吸着保持される。次いで，スピンチャ
ック５６が回転して，所定のポリイミド液を供給するポ
リイミド液供給ノズルＰｘ，例えばポリイミド液供給ノ
ズルＰ１が選択されて，スキャンアーム８０ａがポリイ
ミド液供給ノズルＰ１を有するノズルホルダ６０を保持
機構６４まで取りに行く。When the wafer W is carried into the film forming apparatus 15, the wafer W is loaded into the spin chuck 56 in the cup 55.
It is evacuated and held by suction. Then, the spin chuck 56 rotates to select a polyimide liquid supply nozzle P x for supplying a predetermined polyimide liquid, for example, the polyimide liquid supply nozzle P 1 , and the scan arm 80a has a nozzle holder having the polyimide liquid supply nozzle P 1. 60 is taken to the holding mechanism 64.

【００７３】そして，ノズルホルダ６０がカップ５５上
方の所定位置，例えばウェハＷの中心部まで移動して，
回転するウェハＷの中心部に溶剤供給ノズルＴ１から所
定の溶剤を供給し拡散させる。次いで，溶剤の供給後に
ノズルホルダ６０が移動して，図６に示すように回転の
停止したウェハＷの中心部にポリイミド液供給ノズルＰ
１から所定のポリイミド液を供給する。かかる供給終了
後，スキャンアーム８０ａは処理位置から退避し，ノズ
ルホルダ６０をもとの保持機構６４に戻しに行く。Then, the nozzle holder 60 moves to a predetermined position above the cup 55, for example, to the center of the wafer W,
A predetermined solvent is supplied from the solvent supply nozzle T 1 to the center of the rotating wafer W to diffuse it. Then, the nozzle holder 60 moves after the solvent is supplied, and the polyimide solution supply nozzle P is moved to the center of the wafer W whose rotation is stopped as shown in FIG.
A predetermined polyimide solution is supplied from 1 . After such supply is completed, the scan arm 80a retracts from the processing position and returns the nozzle holder 60 to the original holding mechanism 64.

【００７４】次いで，ポリイミド液の供給されたウェハ
Ｗをスピンチャック５６で回転させてウェハＷに供給さ
れたポリイミド液を拡散させて，図７に示すようにウェ
ハＷ上にポリイミド膜Ｐを形成する。そして，ウェハＷ
の回転によってウェハＷの周縁部まで延出したポリイミ
ド膜Ｐを除去するために，いわゆるサイドリンス及びバ
ックリンスが行われる。Next, the wafer W supplied with the polyimide solution is rotated by the spin chuck 56 to diffuse the polyimide solution supplied to the wafer W to form a polyimide film P on the wafer W as shown in FIG. . And the wafer W
In order to remove the polyimide film P extending to the peripheral portion of the wafer W by the rotation of, the so-called side rinse and back rinse are performed.

【００７５】即ち，保持機構７４に移動したスキャンア
ーム８０ａによって，例えばノズルホルダ７５が取り出
され，ノズルホルダ７５が図８に示すように，スキャン
アーム８０ａに保持された状態でウェハＷの周縁部上方
の所定位置まで移動する。このとき，ウェハＷは再び回
転が開始されている。そして，回転するウェハＷの周縁
部に溶剤吐出ノズルＳ１から溶剤が吐出されてサイドリ
ンスが行われる。また，このサイドリンスと並行して，
当該ウェハＷの裏面周縁部に対して洗浄液供給手段５
７，５７から溶剤が供給されてバックリンスが行なわれ
る。かかるサイドリンス及びバックリンスによって，ウ
ェハＷの周縁部にある不要なポリイミド膜Ｐが溶剤に溶
解し，図９に示すように除去される。That is, for example, the nozzle holder 75 is taken out by the scan arm 80a moved to the holding mechanism 74, and the nozzle holder 75 is held on the scan arm 80a as shown in FIG. Move to the predetermined position of. At this time, the wafer W is started to rotate again. Then, the solvent is discharged from the solvent discharge nozzle S 1 to the peripheral portion of the rotating wafer W, and the side rinse is performed. Also, in parallel with this side rinse,
The cleaning liquid supply means 5 is provided to the peripheral portion of the back surface of the wafer W.
The solvent is supplied from 7, 57 to perform back rinse. By such side rinse and back rinse, the unnecessary polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is dissolved in the solvent and is removed as shown in FIG.

【００７６】そして，上記サイドリンス及びバックリン
ス終了後に，ウェハＷの周辺部上方に照射装置８１を移
動させて，図１０に示すように，回転するウェハＷの周
辺部に照射装置８１からレーザ光を照射する。このレー
ザ光の照射によってウェハＷの周辺部が加熱されるの
で，ウェハＷの周辺部にあるポリイミド膜Ｐの端部８２
が図１１に示すように固化する。After the side rinse and back rinse are completed, the irradiation device 81 is moved above the peripheral portion of the wafer W so that the laser light is emitted from the irradiation device 81 to the peripheral portion of the rotating wafer W as shown in FIG. Irradiate. Since the peripheral portion of the wafer W is heated by the irradiation of the laser light, the end portion 82 of the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is heated.
Solidifies as shown in FIG.

【００７７】この固化したポリイミド膜Ｐの端部８２は
いわば堰として機能する。従って，例えばウェハＷをピ
ンセット１０で搬送している最中に乾ききっていないポ
リイミド液が当該ピンセット１０の移動，停止等により
ウェハＷの周縁部方向に移動しようとしても，このポリ
イミド液はポリイミド膜Ｐの固化した端部８２によって
せき止められる。その結果，ポリイミド液がウェハＷの
周縁部側に流出することを未然に防止することができ，
ポリイミド液がピンセット１０に付着して汚染すること
を防止することができる。The end portion 82 of the solidified polyimide film P functions as a weir, so to speak. Therefore, for example, even if the polyimide liquid that has not dried while the wafer W is being conveyed by the tweezers 10 tries to move toward the peripheral portion of the wafer W due to the movement or stop of the tweezers 10, the polyimide liquid will not pass through the polyimide film. It is dammed by the solidified end 82 of P. As a result, it is possible to prevent the polyimide liquid from flowing out to the peripheral edge side of the wafer W,
It is possible to prevent the polyimide liquid from adhering to and contaminating the tweezers 10.

【００７８】そのようにして，膜形成装置１５にて所定
のポリイミド膜が形成されたウェハＷは，その後ベーキ
ングユニット４４，クーリングユニット４３に順次搬送
されて所定の処理が施される。膜形成装置１７において
も膜形成装置１５と同様なプロセスによってポリイミド
膜Ｐが形成される。なお，この実施に形態においては，
サイドリンス及びバックリンスが行われ，ウェハＷの周
縁部のポリイミド膜Ｐが除去された後に，ウェハＷの周
辺部に形成されたポリイミド膜Ｐの端部を固化したが，
その逆すなわちウェハＷの周辺部の端部に形成されたポ
リイミド膜Ｐを固化し，堰を形成した後に，ウェハＷ周
縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。In this way, the wafer W on which the predetermined polyimide film is formed by the film forming apparatus 15 is successively transferred to the baking unit 44 and the cooling unit 43 and subjected to the predetermined processing. Also in the film forming apparatus 17, the polyimide film P is formed by the same process as the film forming apparatus 15. In addition, in this embodiment,
After the side rinse and the back rinse are performed and the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is removed, the end portion of the polyimide film P formed on the peripheral portion of the wafer W is solidified.
On the contrary, that is, after the polyimide film P formed on the edge of the peripheral portion of the wafer W is solidified to form a dam, the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W may be removed.

【００７９】前記実施の形態ではウェハＷの周縁部にあ
るポリイミド膜Ｐを除去するためにサイドリンスとバッ
クリンスとを併用した例を挙げて説明したが，これに替
えて，レーザ光の照射によってウェハＷの周縁部にある
ポリイミド膜Ｐを除去するようにしてもよい。In the above-described embodiment, an example in which the side rinse and the back rinse are used together to remove the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W has been described. However, instead of this, irradiation with laser light is performed. The polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W may be removed.

【００８０】即ち図１２に示すように，先ずポリイミド
が表面に塗布されたウェハＷの周辺部上方に照射装置８
１を移動させて，ウェハＷの周辺部にレーザ光を照射
し，端部を固化させてポリイミド膜Ｐの堰を形成する。
次いで図１３に示すように，照射装置８１をウェハＷの
周縁部まで移動させると共に，レーザ光の出力を高め
る。そして，ウェハＷに形成されたポリイミド膜Ｐの堰
の最外端に位置する周縁部にレーザ光を照射し，ウェハ
Ｗの外側周縁部にあるポリイミド膜Ｐを蒸発させて，こ
れを除去する。また，レーザ光の出力を高める代わり
に，ポリイミド膜Ｐの堰を形成した後で，除去しようと
するポリイミド膜Ｐに照射装置８１からのレーザ光を複
数回重ねて照射してもよい。また，ウェハＷの回転速度
を遅くしてポリイミド膜Ｐに照射されるレーザ光のエネ
ルギー量を実質的に多くするようにしてもよい。That is, as shown in FIG. 12, first, the irradiation device 8 is provided above the peripheral portion of the wafer W whose surface is coated with polyimide.
1 is moved to irradiate the peripheral portion of the wafer W with laser light to solidify the end portion to form a weir of the polyimide film P.
Next, as shown in FIG. 13, the irradiation device 81 is moved to the peripheral portion of the wafer W and the output of laser light is increased. Then, the peripheral edge of the polyimide film P formed on the wafer W at the outermost edge of the weir is irradiated with laser light to evaporate the polyimide film P on the outer peripheral edge of the wafer W and remove it. Instead of increasing the output of the laser light, the polyimide film P to be removed may be irradiated with the laser light from the irradiation device 81 a plurality of times after forming the weir of the polyimide film P. Further, the rotation speed of the wafer W may be slowed down to substantially increase the energy amount of the laser light with which the polyimide film P is irradiated.

【００８１】かかる方法によれば，レーザ光によってウ
ェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するので，
従来のようにウェハＷの周縁部に溶剤を供給しなくて
も，即ちサイドリンスやバックリンスを行わなくても，
当該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去する
ことが可能となる。なお，かかる方法とは逆に，レーザ
光によりウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去
した後に，ウェハＷ周辺部の端部のポリイミド膜Ｐをレ
ーザ光により固化してもよい。According to this method, since the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is removed by the laser beam,
Even if the solvent is not supplied to the peripheral portion of the wafer W as in the conventional case, that is, the side rinse and the back rinse are not performed,
The polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W can be removed. Note that, contrary to this method, the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W may be solidified by laser light after the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is removed by laser light.

【００８２】さらに図１４に示したように，ウェハＷの
周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装置９０
と，ウェハＷの周縁部に対してレーザ光を照射する第２
の照射装置９１とを備えるようにしてもよい。Further, as shown in FIG. 14, the first irradiation device 90 for irradiating the peripheral portion of the wafer W with laser light.
And irradiating the peripheral portion of the wafer W with laser light
The irradiation device 91 may be provided.

【００８３】かかる構成によれば，ウェハＷの周辺部に
対して第１の照射装置９０からのレーザ光を，ウェハＷ
の周縁部に対して第２の照射装置９１からのレーザ光を
それぞれ同時に照射することができるので，ポリイミド
膜Ｐの固化と除去を同時に行うことができる。従って，
前記実施の形態，即ち周辺部のポリイミド膜Ｐを固化さ
せた後に周縁部のポリイミド膜Ｐを除去するプロセスよ
りも，ポリイミド膜Ｐの固化及び除去に要する時間を短
縮化することができる。この際，例えば第１の照射装置
９０よりも第２の照射装置９１の出力を大きくしてウェ
ハＷの周辺部よりも光強度の強いレーザ光，即ちよりエ
ネルギの高いレーザ光をウェハＷの周縁部に照射すれ
ば，ポリイミド膜Ｐの固化よりも時間のかかるポリイミ
ド膜Ｐの除去に要する時間をより短縮化することができ
る。さらに，第１，第２の照射装置９０，９１を移動さ
せるための適宜の移動機構８３も不要となるので，装置
全体の簡素化を図ることも可能である。なお，図１４に
示した例では，第１の照射装置９０と第２の照射装置９
１とが一体化されていたが，もちろん第１，第２の照射
装置９０，９１を別体にして各々好適な位置に別々に配
置するようにしてもよい。With this structure, the laser light from the first irradiation device 90 is applied to the peripheral portion of the wafer W.
Since the laser light from the second irradiating device 91 can be simultaneously irradiated to the peripheral portion of the polyimide film P, the polyimide film P can be solidified and removed at the same time. Therefore,
The time required for solidifying and removing the polyimide film P can be shortened as compared with the above-described embodiment, that is, the process of removing the polyimide film P at the peripheral portion after solidifying the polyimide film P at the peripheral portion. At this time, for example, the output of the second irradiation device 91 is made larger than that of the first irradiation device 90 so that the laser light having a higher light intensity than the peripheral portion of the wafer W, that is, the laser light having higher energy is supplied to the periphery of the wafer W. By irradiating a portion, it is possible to further shorten the time required for removing the polyimide film P, which takes time longer than the solidification of the polyimide film P. Further, since the appropriate moving mechanism 83 for moving the first and second irradiation devices 90, 91 is not required, it is possible to simplify the entire device. In the example shown in FIG. 14, the first irradiation device 90 and the second irradiation device 9
Although 1 and 1 are integrated, of course, the first and second irradiating devices 90 and 91 may be separately provided and separately arranged at suitable positions.

【００８４】次に，本発明のさらに別の実施の形態を説
明する。図１５に示すように，この実施の形態では，サ
イドリンス用の各ノズルホルダ１７５〜１７８にウェハ
Ｗの周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射する照射
装置１８１〜１８４をそれぞれ搭載している。例えば，
ノズルホルダ１７５〜１７８では，ウェハＷの周縁部に
対して溶剤を吐出する溶剤吐出ノズルＳ１，Ｓ２，
Ｓ３，Ｓ４と照射装置１８１〜１８４とが回転するウェ
ハの接線方向に向けて隣接するように配置されている。Next, still another embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 15, in this embodiment, the nozzle holders 175 to 178 for side rinse are provided with irradiation devices 181 to 184 for irradiating the peripheral portion and the peripheral portion of the wafer W with laser light, respectively. There is. For example,
In the nozzle holders 175 to 178, the solvent discharge nozzles S 1 , S 2 for discharging the solvent to the peripheral portion of the wafer W,
S 3 , S 4 and the irradiation devices 181 to 184 are arranged so as to be adjacent to each other in the tangential direction of the rotating wafer.

【００８５】 ウェハＷ上にポリイミド溶剤を供給した
後，溶剤吐出ノズルＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４及び照射装
置１８１〜１８４がウェハＷの周縁部に位置するように
１つのノズルホルダ１７５〜１７８を移動させ，溶剤吐
出ノズルＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４から溶液を吐出しつつ
照射装置１８１〜１８４からレーザ光を照射する。その
後，照射装置１８１〜１８４がウェハＷの周辺部に位置
するように１つのノズルホルダ１７５〜１７８を移動さ
せ，照射装置１８１〜１８４からレーザ光を照射して堰
を形成する。After supplying the polyimide solvent onto the wafer W, one nozzle holder 175 is arranged so that the solvent discharge nozzles S 1 , S 2 , S 3 , S 4 and the irradiation devices 181 to 184 are located at the peripheral portion of the wafer W. ～178 moving the nozzle S 1 elute agent ejection <br/>, S 2, S 3, it is irradiated with laser light from the irradiation unit 181 to 184 from S 4 while ejecting solution. After that, one nozzle holder 175 to 178 is moved so that the irradiation devices 181 to 184 are located in the peripheral portion of the wafer W, and laser beams are irradiated from the irradiation devices 181 to 184 to form a weir.

【００８６】この実施の形態によれば，照射装置を移動
するための特別な手段は不要となり，装置全体の簡素化
を図ることができる。なお，この実施の形態では，先に
ウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去し，その後ウェ
ハＷ周辺部端部に堰を形成したが，その逆すなわち先に
ウェハＷ周辺部端部のポリイミド膜Ｐに堰を形成してか
らウェハＷ周縁部のポリイミド膜Ｐを除去してもよい。According to this embodiment, no special means for moving the irradiation device is required, and the entire device can be simplified. In this embodiment, the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W is removed first, and then the weir is formed on the end portion of the peripheral portion of the wafer W, but the reverse, that is, the polyimide film of the peripheral portion end portion of the wafer W is formed first. The polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W may be removed after forming a weir on P.

【００８７】さらに，図１６に示すように，各ノスルホ
ルダ１７５〜１７８にさらに別の照射装置１９１〜１９
４をウェハＷの接線方向に向けて隣接するように配置し
てのよい。この場合，図１５に示した動作に加えて，照
射装置１９１〜１９４については，ウェハＷの周辺部を
レーザ光で照射するときにだけ使用する。これにより，
堰を形成する時にはより大きなエネルギーが必要となる
が，それを２つの照射装置を使ってレーザ光を照射する
ことで，照射装置のコントロールをＯＮ・ＯＦＦだけで
行え，照射装置内のエネルギーコントロールは不要とな
り，照射装置の構成を簡略化することができる。Further, as shown in FIG. 16, further irradiation devices 191 to 19 are attached to the respective nozzle holders 175 to 178.
4 may be arranged adjacent to each other in the tangential direction of the wafer W. In this case, in addition to the operation shown in FIG. 15, the irradiation devices 191 to 194 are used only when the peripheral portion of the wafer W is irradiated with laser light. By this,
Larger energy is required to form a weir, but by irradiating it with laser light using two irradiation devices, the irradiation device can be controlled only by turning it on and off, and the energy control inside the irradiation device can be controlled. It is not necessary and the structure of the irradiation device can be simplified.

【００８８】次に，本発明のまた別の実施の形態を説明
する。図１７に示すように，この実施の形態では，ウェ
ハＷ上にポリイミド溶剤を供給した後，照射装置８１に
より内外２重の堰２０１，２０２を形成した後，これら
の堰２０１，２０２間に残存する溶剤２０３を照射装置
８１により除去している。本実施の形態によれば，サイ
ドリンスやバックリンスを行わなくても，より確実に当
該ウェハＷの周縁部にあるポリイミド膜Ｐを除去するこ
とが可能となる。また，堰を２重にすることにより，ポ
リイミド溶液が基板周縁部に流れる可能性をさらに低減
できる。Next, another embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 17, in this embodiment, after the polyimide solvent is supplied onto the wafer W and the inner and outer double weirs 201 and 202 are formed by the irradiation device 81, the weirs 201 and 202 remain between these weirs 201 and 202. The solvent 203 to be removed is removed by the irradiation device 81. According to the present embodiment, the polyimide film P on the peripheral portion of the wafer W can be more reliably removed without performing side rinse or back rinse. In addition, the double weir can further reduce the possibility that the polyimide solution will flow to the peripheral portion of the substrate.

【００８９】上述した実施の形態では，レーザ光を使っ
て堰の形成等を行っていたが，本発明は基板の周辺部に
処理液の堰等ができるように構成すればよく，例えば，
レーザ光に代えて紫外線を用いて紫外線のエネルギーで
堰の形成及び処理液の除去を行うようにしてもよい。ま
た，図１８に示すように，ウェハＷの周辺部及び周縁部
に近接可能に加熱素子２１１を配置し，加熱素子２１１
のエネルギーで堰を形成，或いは処理液の除去を行うよ
うにしてもよい。さらに，図１９に示すように，ウェハ
Ｗの周辺部に近接可能に，処理液を硬化することができ
る硬化剤を供給する硬化剤供給ヘッド２１２を配置し，
硬化剤供給ヘッド２１２からウェハＷ上に硬化剤を供給
することで堰の形成を行うようにしてもよい。In the above-described embodiment, the weir is formed using the laser light, but the present invention may be constructed so that the weir of the processing liquid can be formed in the peripheral portion of the substrate.
Instead of the laser light, ultraviolet rays may be used to perform the formation of the weir and the removal of the treatment liquid with the energy of the ultraviolet rays. Further, as shown in FIG. 18, the heating element 211 is disposed so as to be close to the peripheral portion and the peripheral portion of the wafer W.
The weir may be formed or the treatment liquid may be removed by the energy of. Further, as shown in FIG. 19, a hardener supply head 212 for supplying a hardener capable of hardening the processing liquid is arranged so as to be close to the peripheral portion of the wafer W,
The dam may be formed by supplying the curing agent onto the wafer W from the curing agent supply head 212.

【００９０】上述した実施の形態では，堰を形成するた
めにウェハＷ上にレーザ光の照射等を行っているため，
ウェハＷに熱的な悪影響を及ぼすおそれがある。そこ
で，例えば，図２０に示すように，照射装置８１のレー
ザ照射位置の直下におけるウェハＷの裏面側で，ウェハ
Ｗの裏面に向けて冷却水を噴出するノズル２１３を配置
し，レーザの照射と冷却水の噴出とを同時に行うように
してもよい。また，図２１に示すように，照射装置８１
に隣接し，かつ，照射装置８１より内周側に（ウェハＷ
から見て）冷却された気体，例えば窒素ガスを噴出する
ノズル２１４を配置し，レーザ光の照射と冷却ガスの噴
出とを同時に行うようにしてもよいIn the above-mentioned embodiment, since the wafer W is irradiated with the laser beam to form the weir,
The wafer W may be thermally adversely affected. Therefore, for example, as shown in FIG. 20, a nozzle 213 that ejects cooling water toward the back surface of the wafer W is arranged on the back surface side of the wafer W immediately below the laser irradiation position of the irradiation device 81 to perform laser irradiation. The cooling water may be jetted at the same time. Further, as shown in FIG. 21, the irradiation device 81
To the inner side of the irradiation device 81 (wafer W
A nozzle 214 for ejecting a cooled gas (for example, nitrogen gas) may be arranged so that the irradiation of the laser beam and the ejection of the cooling gas are performed at the same time.

【００９１】前記実施の形態では，処理液の膜としてポ
リイミド膜を形成する場合を例に挙げて説明したが，本
発明は他の薄膜，例えばスピン・オン・グラス膜（ＳＯ
Ｇ膜）を形成する場合も応用可能である。特に，ＳＯＤ
膜の形成に本発明を適用する場合，堰が形成されたまま
であると，ＳＯＤ膜の上にさらに上層を形成していくと
上層に凹凸を生じてウェハＷ上の実装領域にまで悪影響
を生じるため，例えばＳＯＤ膜の形成して加熱処理した
後に堰を除去することが好ましい。In the above-mentioned embodiment, the case where the polyimide film is formed as the film of the treatment liquid has been described as an example, but the present invention is not limited to the thin film, for example, the spin-on-glass film (SO
It is also applicable when forming a G film). In particular, SOD
When the present invention is applied to the formation of the film, if the weir is still formed, when the upper layer is further formed on the SOD film, unevenness is generated in the upper layer, which adversely affects the mounting region on the wafer W. Therefore, for example, it is preferable to remove the weir after forming the SOD film and performing the heat treatment.

【００９２】また基板もウェハには限定されず，例えば
ＬＣＤ基板やＣＤ基板等の他の基板であってもよい。The substrate is not limited to the wafer and may be another substrate such as an LCD substrate or a CD substrate.

【００９３】以上の本発明によれば，レーザ光等で基板
の周辺部に処理液の子株分を形成するので，基板の中心
部にある乾ききらない処理液が基板の周縁部側に流出す
ることが防止できる。したがって，基板を支持する支持
部材の汚染を防止することが可能である。According to the present invention as described above, since the processing liquid sub-components are formed in the peripheral portion of the substrate by the laser light or the like, the processing liquid which does not completely dry in the central portion of the substrate flows out to the peripheral portion side of the substrate. Can be prevented. Therefore, it is possible to prevent contamination of the support member that supports the substrate.

【００９４】[0094]

【発明の効果】本発明によれば，基板の周辺部に処理液
の固化部分を形成するので，この固化部分がいわゆる堰
となり，基板の中心部側にある乾ききらない処理液が基
板の周縁部側に流出することを防止できる。従って，基
板を支持する支持部材の汚染を防止することが可能であ
る。According to the present invention , since the solidified portion of the processing liquid is formed in the peripheral portion of the substrate, this solidified portion serves as a so-called weir, and the processing liquid that is not completely dry on the center side of the substrate is the peripheral edge of the substrate. It can be prevented from flowing out to the part side. Therefore, it is possible to prevent contamination of the support member that supports the substrate.

【００９５】 特に請求項１１によれば，いわゆる堰が
２重に形成されるため，基板中心側にある乾ききらない
処理液が基板の周縁部に流出することがより確実に防止
される。In particular, according to the eleventh aspect , since the so-called weir is formed in double, it is possible to more reliably prevent the processing liquid which does not completely dry on the substrate center side from flowing out to the peripheral portion of the substrate.

【００９６】 また，基板の周辺部を冷却することによ
り，基板に与えられる熱的影響を最小限に抑制すること
ができる。Further, by cooling the peripheral portion of the substrate, it is possible to minimize the thermal influence given to the substrate.

【００９７】 請求項１７，１８によれば，請求項１の
膜形成方法が好適に実施することができる。According to the seventeenth and eighteenth aspects , the film forming method of the first aspect can be suitably implemented.

【００９８】 特に，請求項２２によれば，基板の周辺
部と周縁部とに同時にレーザ光を照射するので，処理液
の膜の固化及び除去に要する時間を請求項２１よりも短
縮化できる。さらに，照射装置を基板の基板の周縁部に
移動させる適宜の移動機構が不要となるので，装置全体
の簡素化を図ることも可能である。In particular, according to the twenty-second aspect , since the peripheral portion and the peripheral portion of the substrate are simultaneously irradiated with the laser light, the time required for solidifying and removing the film of the treatment liquid can be shortened as compared with the twenty-first aspect . Furthermore, an appropriate moving mechanism for moving the irradiation device to the peripheral portion of the substrate of the substrate is not required, so that it is possible to simplify the entire device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置を備え
た膜形成システムの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a film forming system including a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１の膜形成システムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the film forming system of FIG.

【図３】図１の膜形成システムの背面図である。FIG. 3 is a rear view of the film forming system of FIG.

【図４】本発明の実施の形態にかかる膜形成装置の概略
的な説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図５】図４の膜形成装置の平面図である。5 is a plan view of the film forming apparatus of FIG.

【図６】ウェハにポリイミド液を塗布する様子を示す説
明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how a polyimide solution is applied to a wafer.

【図７】図６のポリイミド液を拡散させてポリイミド膜
を形成したウェハを示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a wafer having a polyimide film formed by diffusing the polyimide liquid of FIG. 6;

【図８】図７のウェハにサイドリンス及びバックリンス
を施す様子を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing how the wafer of FIG. 7 is subjected to side rinse and back rinse.

【図９】図８のウェハ及びポリイミド膜の拡大図であ
る。FIG. 9 is an enlarged view of the wafer and the polyimide film of FIG.

【図１０】図９のウェハの周辺部にレーザ光を照射する
様子を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing how the peripheral portion of the wafer of FIG. 9 is irradiated with laser light.

【図１１】図１０のウェハ及びポリイミド膜の拡大図で
ある。11 is an enlarged view of the wafer and polyimide film of FIG.

【図１２】ウェハの周辺部にレーザ光を照射する様子を
示す説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram showing a state in which a peripheral portion of a wafer is irradiated with laser light.

【図１３】図１２の状態からウェハの周縁部にレーザ光
を照射する様子を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing how the peripheral portion of the wafer is irradiated with laser light from the state of FIG. 12;

【図１４】ウェハの周辺部及び周縁部にレーザ光をそれ
ぞれ同時に照射する様子を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing a state in which the peripheral portion and the peripheral portion of the wafer are simultaneously irradiated with laser light.

【図１５】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。FIG. 15 is a plan view of a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図１６】本発明の他の実施の形態にかかる膜形成装置
の平面図である。FIG. 16 is a plan view of a film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図１７】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram showing how a peripheral portion of a wafer according to another embodiment of the present invention is irradiated with laser light.

【図１８】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を加熱する様子を示す説明図である。FIG. 18 is an explanatory view showing a manner of heating a peripheral portion of a wafer according to another embodiment of the present invention.

【図１９】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部に硬化剤を供給する様子を示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing a manner in which a curing agent is supplied to the peripheral portion of a wafer according to another embodiment of the present invention.

【図２０】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing a state of cooling the peripheral portion of the wafer according to another embodiment of the present invention.

【図２１】本発明の他の実施の形態にかかるウェハの周
辺部を冷却する様子を示す説明図である。FIG. 21 is an explanatory diagram showing a state of cooling the peripheral portion of the wafer according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 膜形成システム １０ ピンセット １５，１７ 膜形成装置 ５７ 洗浄水供給手段 ６５ ポリイミド液供給タンク ７０ 溶剤供給タンク ８１ 照射装置 ６０，６１，６２，６３ ノズルホルダ ７５，７６，７７，７８ ノズルホルダ Ｓ１〜Ｓ４ 溶剤吐出ノズル Ｔ１〜Ｔ４ 溶剤供給ノズル Ｐ１〜Ｐ４ ポリイミド液供給ノズル Ｐ ポリイミド膜 Ｗ ウェハ1 Membrane Forming System 10 Tweezers 15, 17 Membrane Forming Device 57 Cleaning Water Supply Means 65 Polyimide Liquid Supply Tank 70 Solvent Supply Tank 81 Irradiation Devices 60, 61, 62, 63 Nozzle Holders 75, 76, 77, 78 Nozzle Holder S 1 ~ S 4 solvent discharge nozzle T 1 to T 4 solvent supply nozzle P 1 to P 4 polyimide solution supply nozzle P polyimide film W wafer

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−181067（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−73514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−276828（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−284415（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−256321（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−162336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−188227（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−253320（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21336（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310496（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/31 H01L 21/312 H01L 21/314 H01L 21/316 H01L 21/318 H01L 21/768 Continuation of the front page (56) Reference JP-A-9-181067 (JP, A) JP-A-3-73514 (JP, A) JP-A-62-276828 (JP, A) JP-A-2-284415 (JP , A) JP 3-256321 (JP, A) JP 57-162336 (JP, A) JP 62-188227 (JP, A) JP 4-253320 (JP, A) JP 5-21336 (JP, A) JP-A-6-310496 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/31 H01L 21/312 H01L 21/314 H01L 21 / 316 H01L 21/318 H01L 21/768

Claims (29)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と，前記基板の周辺部に対して硬化剤を供給して， 前記基板
の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
程とを有することを特徴とする，膜形成方法。1. A step of supplying a treatment liquid to a substrate to form a treatment liquid film having a predetermined thickness on the surface of the substrate, and a step of removing the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate. And a step of supplying a curing agent to the peripheral portion of the substrate to solidify the film of the processing liquid formed on the end portion of the peripheral portion of the substrate. 【請求項２】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と， 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射して，前記基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする，膜形成方法。 2. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate
A step of forming a treatment liquid film having a predetermined thickness, and a step of removing the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate.
And irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light,
Solidify the film of the processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the plate
Process and solidify the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate
When cooling the peripheral portion of the substrate
A method for forming a film, characterized by: 【請求項３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と， 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射して，前記基板
の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工
程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする，膜形成方法。 3. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate
A step of forming a treatment liquid film having a predetermined thickness, and a step of removing the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate.
And irradiating the peripheral portion of the substrate with ultraviolet rays,
To solidify the film of the processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the
And solidify the film of the processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
When cooling the peripheral portion of the substrate
A method for forming a film, characterized by: 【請求項４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する工
程と， 前記基板の周辺部を加熱して，前記基板の周辺部の端部
に形成された処理液の膜を固化させる工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする，膜形成方法。 4. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate
A step of forming a treatment liquid film having a predetermined thickness, and a step of removing the treatment liquid film formed on the peripheral portion of the substrate.
And heating the peripheral portion of the substrate to the edge of the peripheral portion of the substrate.
Solidifying the process liquid film formed on the substrate, and solidifying the process liquid film formed on the peripheral portion of the substrate.
When cooling the peripheral portion of the substrate
A method for forming a film, characterized by: 【請求項５】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に洗浄液を供給
することにより行われることを特徴とする，請求項１，
２，３又は４のいずれかに記載の膜形成方法。 5. The processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate
In the step of removing the film, the cleaning liquid is supplied to the peripheral portion of the substrate.
The method according to claim 1, characterized in that
The film forming method according to any one of 2, 3, and 4. 【請求項６】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対してレーザ
光を照射することにより行われることを特徴とする，請
求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成方法。 6. The processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate
The step of removing the film is performed by using a laser on the peripheral edge of the substrate.
The contract is characterized by being performed by irradiating with light.
The film forming method according to any one of claim 1, 2, 3, or 4. 【請求項７】 前記基板の周縁部に形成された処理液の
膜を除去する工程は，前記基板の周縁部に対して洗浄液
を供給し，レーザ光を照射して行われることを特徴とす
る，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の膜形成
方法。 7. The processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate
The step of removing the film is performed by cleaning the peripheral portion of the substrate with a cleaning liquid.
Is supplied and laser light is irradiated.
The film formation according to claim 1, 2, 3, or 4.
Method. 【請求項８】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周縁部に洗浄液を供給して，当該基板の周縁部に
形成された処理液の膜を除去する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする，膜形成方法。 8. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate
A step of forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on the substrate, and supplying a cleaning liquid to the peripheral portion of the substrate so that
The step of removing the formed film of the treatment liquid and the laser beam irradiation to the peripheral portion of the substrate,
Step of solidifying the film of the treatment liquid formed at the end of the side
And solidify the film of the processing liquid formed on the periphery of the substrate.
When cooling the peripheral portion of the substrate
A method for forming a film, characterized by: 【請求項９】 基板に処理液を供給し，当該基板の表面
に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる工程
と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と， さらに基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で
除去する工程と，を有することを特徴とする，膜形成方
法。 9. A surface of a substrate is prepared by supplying a processing liquid to the substrate.
A step of forming a film of a treatment liquid of a predetermined thickness on the substrate, and irradiating the peripheral portion of the substrate with a laser beam,
Step of solidifying the film of the treatment liquid formed at the end of the side
And solidify the film of the processing liquid formed on the periphery of the substrate.
At this time, the step of cooling the peripheral portion of the substrate is performed, and further, the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate is irradiated with the laser light.
A method of forming a film, characterized by comprising:
Law. 【請求項１０】 前記基板の周辺部の端部に形成された
処理液の膜を固化させる工程と，基板の周縁部にある処
理液の膜を前記レーザ光で除去する工程との間に，基板
に対して照射するレーザ光の出力を調整する工程を具備
することを特徴とする，請求項９に記載の膜形成方法。 10. The substrate is formed at an end portion of a peripheral portion of the substrate.
The process of solidifying the film of the treatment liquid and the treatment at the peripheral edge of the substrate
During the process of removing the liquid film with the laser light, the substrate
Equipped with the step of adjusting the output of the laser beam to irradiate
The film forming method according to claim 9, wherein 【請求項１１】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部及び周縁部に対してレーザ光を照射して，
前記基板の周辺部に形成された処理液の膜と前記基板の
周縁部に形成された処理液の膜との２箇所を所定の間隔
を有するように固化する工程と， その後，前記固化された２箇所の処理液の膜の間にある
処理液の膜を前記レーザー光で除去する工程とを有する
ことを特徴とする，膜形成方法。 11. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate is exposed.
A step of forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on the surface, and irradiating the peripheral and peripheral portions of the substrate with laser light,
The film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate and the substrate
Predetermined space between two locations with the film of the treatment liquid formed on the peripheral edge
And the step of solidifying the treatment liquid between the two solidified treatment liquid films.
And a step of removing the film of the treatment liquid with the laser light.
A method for forming a film, characterized in that 【請求項１２】 前記基板の周辺部に形成された処理液
の膜を固化させる際に前記基板の周辺部を冷却する工程
を有することを特徴とする，請求項１１に記載の膜形成
方法。 12. A processing liquid formed on the periphery of the substrate.
Of cooling the periphery of the substrate when solidifying the film
The film formation according to claim 11, characterized in that
Method. 【請求項１３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射し，前記基板の周
辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させると共に
当該基板の周縁部にある処理液の膜を前記レーザ光で除
去する工程と， 前記基板の周辺部に形成された処理液の膜を固化させる
際に前記基板の周辺部を冷却する工程と，を有すること
を特徴とする，膜形成方法。 13. A process liquid is supplied to a substrate to display the substrate surface.
The process of forming a film of the treatment liquid with a predetermined thickness on the surface, and irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light,
While solidifying the film of the processing liquid formed at the end of the side
The processing liquid film on the peripheral edge of the substrate is removed by the laser light.
And a step of solidifying the film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
When cooling the peripheral portion of the substrate
A method for forming a film, characterized by: 【請求項１４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する工程と， 基板の周辺部及び周縁部に対して異なる照射装置からそ
れぞれレーザ光を同時に照射して，前記基板の周辺部の
端部に形成された処理液の膜を固化させると同時に当該
基板の周縁部にある処理液の膜を除去する工程と，を有
し， 前記膜を固化させると同時に膜を除去する工程の際に
は，前記基板の周辺部を照射する照射装置よりも前記基
板の周縁部を照射する照射装置のレーザ光の出力を大き
くすることを特徴とする，膜形成方法。 14. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate is exposed.
The process of forming a film of the treatment liquid with a predetermined thickness on the surface, and the irradiation of different irradiation devices for the peripheral and peripheral parts of the substrate
The laser light is irradiated at the same time, and the peripheral area of the substrate is
At the same time as solidifying the film of the treatment liquid formed on the edge,
A step of removing the film of the processing liquid on the peripheral portion of the substrate.
In the process of removing the film at the same time as solidifying the film,
Is the base rather than the irradiation device that irradiates the periphery of the substrate.
Increase the laser output of the irradiation device that irradiates the peripheral edge of the plate.
A method for forming a film, characterized by: 【請求項１５】 前記基板は略円盤状であって，前記基
板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化させる
工程は，この基板を回転させながら行われることを特徴
とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，１
０，１１，１２，１３又は１４のいずれかに記載の膜形
成方法。 15. The substrate is substantially disc-shaped, and the substrate is
Solidify the film of the processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the plate
The process is performed while rotating this substrate
Claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 1
Membrane type according to any of 0, 11, 12, 13 or 14
How to do it. 【請求項１６】 前記基板の周縁部に形成された処理液
の膜を除去する工程は，前記基板を回転させながら行わ
れることを特徴とする，請求項１５に記載の膜形成方
法。 16. A processing liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
The step of removing the film is performed while rotating the substrate.
16. The method of forming a film according to claim 15, wherein
Law. 【請求項１７】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周縁部に形成された処理液の膜を除去する手
段と， 前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
させる手段と， 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を有すること
を特徴とする，膜形成装置。 17. A processing liquid is supplied to a substrate, and the surface of the substrate is exposed.
A device for forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on a surface, which is a device for removing the film of the treatment liquid formed on the peripheral portion of the substrate.
Step and solidify the film of processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the substrate
And a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate.
A film forming apparatus characterized by: 【請求項１８】 前記処理液の膜を除去する手段は，前
記基板の周縁部に対して洗浄液を供給する供給部を有す
ることを特徴とする，請求項１７に記載の膜形成装置。 18. The means for removing the film of the processing solution is
It has a supply part for supplying the cleaning liquid to the peripheral part of the substrate.
The film forming apparatus according to claim 17, wherein: 【請求項１９】 前記基板の処理液の膜を固化する手段
は，前記基板に対してレーザ光を照射する照射装置であ
ることを特徴とする，請求項１７に記載の膜形成装置。 19. A means for solidifying a film of a processing liquid on the substrate.
Is an irradiation device for irradiating the substrate with laser light.
The film forming apparatus according to claim 17, wherein: 【請求項２０】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に対してレーザ光を照射可能な照射装
置と， 前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えたこと
を特徴とする，膜形成装置。 20. A processing liquid is supplied to a substrate to display the substrate surface.
A device for forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on a surface thereof, the irradiation device being capable of irradiating a laser beam to a peripheral portion of the substrate.
And a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate.
A film forming apparatus characterized by: 【請求項２１】 前記照射装置は，少なくとも基板の周
縁部まで移動自在であること を特徴とする，請求項１９
又は２０のいずれかに記載の膜形成装置。 21. The irradiation device comprises at least a peripheral portion of a substrate.
20. It is movable to an edge part, and is characterized by the above-mentioned.
21. The film forming apparatus as described in any one of 20. 【請求項２２】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装
置と，基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の
照射装置と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，
を有することを特徴とする，膜形成装置。 22. A processing liquid is supplied to a substrate to display the substrate surface.
An apparatus for forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on a surface thereof, which is a first irradiation device for irradiating a peripheral portion of a substrate with laser light.
And the second edge for irradiating the peripheral portion of the substrate with laser light.
An irradiation device and a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate,
A film forming apparatus comprising: 【請求項２３】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 基板の周辺部に対してレーザ光を照射する第１の照射装
置と，基板の周縁部に対してレーザ光を照射する第２の
照射装置と，を有し， 前記第１の照射装置よりも前記第２の照射装置からのレ
ーザ光の出力を大きくし，前記第１の照射装置と前記第
２の照射装置からそれぞれレーザ光を同時に照射して，
前記基板の周辺部の端部に形成された処理液の膜を固化
させると同時に当該基板の周縁部にある処理液の膜を除
去 することを特徴とする，膜形成装置。23. An apparatus for supplying a treatment liquid to a substrate to form a film of the treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, wherein the peripheral portion of the substrate is irradiated with laser light. and irradiating device, and a second irradiation unit for irradiating a laser beam, against the peripheral portion of the substrate, Les from the second irradiating device than the first irradiation device
The output of the laser light is increased to make the first irradiation device and the first irradiation device
Simultaneous irradiation of laser light from the two irradiation devices,
Solidify the film of processing liquid formed on the edge of the peripheral part of the substrate
At the same time, the film of the treatment liquid on the periphery of the substrate is removed.
A film forming apparatus characterized by being removed . 【請求項２４】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に対して紫外線を照射可能な照射装置
と，前記基板の周辺部を冷却する冷却装置と，を備えた
ことを特徴とする，膜形成装置。24. An irradiation device for supplying a processing liquid to a substrate to form a film of the processing liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, the irradiation device being capable of irradiating the peripheral portion of the substrate with ultraviolet rays.
And a cooling device for cooling the peripheral portion of the substrate . 【請求項２５】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部を加熱する加熱素子と，前記基板の周
辺部を冷却する冷却装置と，を備えたことを特徴とす
る，膜形成装置。25. An apparatus for supplying a treatment liquid to a substrate to form a film of the treatment liquid having a predetermined thickness on the surface of the substrate, the heating element heating the peripheral portion of the substrate, Lap
A film forming apparatus , comprising: a cooling device that cools a side portion . 【請求項２６】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
対応した前記基板の裏面に冷却水を供給するように構成
されていることを特徴とする，請求項１７，１８，１
９，２０，２１，２２，２４又は２５のいずれかに記載
の膜形成装置。 26. The cooling device is provided in a peripheral portion of the substrate.
Configured to supply cooling water to the back side of the corresponding substrate
Claim 17, 18, 1 characterized in that
Described in 9, 20, 21, 22, 24 or 25
Film forming equipment. 【請求項２７】 前記冷却装置は，前記基板の周辺部に
冷却された気体を供給するように構成されていることを
特徴とする，請求項１７，１８，１９，２０，２１，２
２，２４又は２５のいずれかに記載の膜形成装置。 27. The cooling device is provided at a peripheral portion of the substrate.
That it is configured to supply a cooled gas
Claims 17, 18, 19, 20, 21, 21, characterized
26. The film forming apparatus as described in 2, 24 or 25. 【請求項２８】 基板に処理液を供給し，当該基板の表
面に所定の厚さの処理液の膜を形成する装置であって， 前記基板の周辺部に硬化剤を供給する供給部を備えたこ
とを特徴とする，膜形成装置。 28. A processing liquid is supplied to a substrate to display the substrate surface.
An apparatus for forming a film of a treatment liquid having a predetermined thickness on a surface thereof, which comprises a supply unit for supplying a curing agent to the peripheral portion of the substrate.
And a film forming apparatus. 【請求項２９】 前記基板を回転させる基板支持機構を
有することを特徴とする，請求項１７，１８，１９，２
０，２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７又は２
８のいずれかに記載の膜形成装置。 29. A substrate support mechanism for rotating the substrate
Claims 17, 18, 19, 2 characterized by having
0, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 or 2
8. The film forming apparatus as described in any one of 8.
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