JP3473944B2 - ダイアタッチペースト及び半導体装置 - Google Patents
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Description
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
体パッケージの生産量は年々増加しており、これに伴い
製造コストの削減は重要な課題となっている。半導体パ
ッケージ組立の中でダイアタッチペーストで半導体とリ
ードフレームを接着する工程が有るが、この工程におい
て時間短縮、及び低温硬化がキーポイントになってい
る。ダイアタッチペーストの硬化方法としては、バッチ
式オーブン法、インラインで硬化させる方法に大別され
るが、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用い
た通常のダイマウントは、150℃から200℃で30
秒から60秒の間で行われる。しかし、今後は更に低
温、短時間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
耐半田クラック性が重要であるが、半田接着時に高温下
にさらされた場合でもダイアタッチペースト層の剥離か
ら生じるパッケージのクラックを阻止するために、ダイ
アタッチペーストには特に低応力性、吸湿処理後の接着
性が要求されている。
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等
が知られているが、例えば30秒以内に硬化が可能であ
り、それぞれの用途に適した特性(接着性、低応力性
等)を満足する材料は全く見いだされていなかった。
又、特性を満足したとしても常温での粘度上昇が激しす
ぎ、使用に適さない材料しかなかった。
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを提供する。
キシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリ
コール及びジイソシアネートを反応させて得られるウレ
タンジ(メタ)アクリレート、(B)(メタ)アクリル
基を有する反応性希釈剤、(C)ジアリルモノグリシジ
ルイソシアヌル酸、(D)一般式(1)で示されるリン
酸基含有(メタ)アクリレート、(E)エポキシ基を有
するアルコキシシラン、(F)有機過酸化物及び/又は
アゾ化合物、(G)無機フィラーからなるダイアタッチ
ペーストである。
ロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコール
及びジイソシアネートを反応させて得られるウレタンジ
(メタ)アクリレートと該(B)(メタ)アクリル基を
有する反応性希釈剤との重量比が80/20から20/
80であるダイアタッチペーストである。また、ダイア
タッチペーストを用いて製作された半導体装置である。
樹脂はヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリア
ルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させて
得られるウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤の重量比が80/20〜
20/80である事が好ましい。ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジ
イソシアネートを反応させて得られるウレタンジ(メ
タ)アクリレートの割合が、80/20より高いとペー
スト粘度が高すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、
20/80より小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル酸
又はメタクリル酸、ポリアルキレングリコール、ジイソ
シアネートの反応により合成される。ヒドロキシアルキ
ルアクリル酸又はメタクリル酸の例としては、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート等がある。ポリア
ルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコ
ールやポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコ
ール等がある。又、ジイソシアネートの例としてはヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシア
ネート、トルエンジイソシアネート及びその水素添加物
等がある。
る(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤の例として
は、
クロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)
アクリレートが挙げられ、これらの内の1種類あるいは
複数種と併用可能である。
ル酸の添加量は成分(A)及び成分(B)の総重量に対
して、0.01≦C/(A+B)≦0.5であることが
好ましい。0.01を下回ると吸湿処理後の接着性に効
果を示さず、0.5より多いとペースト粘度が高すぎ塗
布作業性が著しく悪くなる。
は、例えば、モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)
アシッドホスフェート、ジ(2−メタクリロイルオキシ
エチル)アシッドホスフェート、モノ(2−アクリロイ
ルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−アク
リロイルオキシエチル)アシッドホスフェート等があ
り、成分(E)としては、例えば、3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等
がある。
は成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に対
して、0.001≦(D+E)/(A+B+C)≦0.
1であることが好ましい。0.001を下回ると接着性
に効果を示さず、0.1より多いと硬化中のボイドによ
り、接着性が低下する。
必須成分であり、一方が欠けても本発明を具現する事は
できない。その構成比は0.1≦D/E≦10であるこ
とが好ましい。0.1を下回るとリン酸基の濃度が低く
なり、リードフレーム界面への効果が低下する。また、
10を越えるとリン酸基の濃度が高くなり必要以上に接
着界面に作用し接着性を低下させてしまう。
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
は、成分(A)+成分(B)+成分(C)の総重量に対
して、0.1重量%から5重量%であることが好まし
い。5重量%より多いとペーストの粘度経時変化が大き
く作業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬
化性が著しく低下するので好ましくない。
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
好ましく、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイ
オン性不純物の含有量は10ppm以下であることが好
ましい。また、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝
状、球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好まし
い。また、比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用
いることもでき、形状についても各種のものを便宜混合
してもよい。
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
必要により消泡剤、界面活性剤、エラストマー等の添加
剤を用いることができる。
としては、例えば、予備混合し、三本ロール等を用いて
ペーストを得た後、真空下脱泡して製作する。本発明の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置
は、信頼性、生産性の高い半導体装置である。半導体装
置の製造方法は従来の公知の方法を使用することが出来
る。
ルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させて
得られるウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・
製、M−1600)、下記の構造式で示されるモノアク
リレート又はジアクリレート、ジアリルモノグリシジル
イソシアヌル酸(四国化成工業(株)・製、MA−DG
IC)、カップリング剤としてリン酸基含有メタクリレ
ート(日本化薬(株)・製、PM−21)及び脂環式エ
ポキシアルコキシシラン(信越化学工業(株)・製、K
BM303)、重合開始剤として下記の有機過酸化物
1、2及びアゾ化合物、更に無機フィラーとして平均粒
径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉、又は平
均粒径5μm、最大粒径20μmのシリカフィラーを表
1のように配合し、3本ロールを用いて混錬し、脱泡後
ペーストを得た。得られたペーストを以下の方法により
評価した。
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ダイアタッチペーストを用いて、6×6m
mのシリコンチップを銅フレームにマウントし、所定の
硬化条件で硬化した。硬化後、及び硬化後85℃/85
%RH/72時間処理後、自動せん断強度測定装置(D
AGE社製、PC2400)を用いて250℃での熱時
ダイシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをダイアタッチペーストを用いてマウントし、
所定の硬化条件で硬化後、外観を目視でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。
ードフレームに6mm×15mmのチップをダイアタッ
チペーストを用いてマウントし、所定の硬化条件で硬化
後、250℃にてワイヤーボンディング処理を行ない、
ペレットの接着状態を観察した。剥離が無ければ良好、
剥離が観察されれば不良とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00μmの銅フレームに6mm×15mm×0.3mm
のシリコンチップをダイアタッチペーストを用いてペー
スト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗さ計を用
いて、長手方向のチップの変位を測定しその高低差によ
り反り量を測定した。
E−7320(住友ベークライト(株)製)の封止材料
を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃/6
0%RH/168時間吸水処理した後、IRリフロー
(240℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラ
ックの数を測定し、耐パッケージクラック性の指標とし
た。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu(ダイアタッチペーストを用いて
リードフレーム上に上記のチップを接着) 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
な構造のウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤との組み合わせにより低
応力性に優れ、更にジアリルモノグリシジルイソシアヌ
ル酸を加えることにより吸湿後の接着性が向上し、その
結果優れた耐半田クラック性が発現された速硬化性ペー
ストである。
Claims (4)
- 【請求項1】 (A)ヒドロキシアルキル(メタ)アク
リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
(C)ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、(D)
一般式(1)で示されるリン酸基含有(メタ)アクリレ
ート、(E)エポキシ基を有するアルコキシシラン、
(F)有機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(G)無機
フィラーからなることを特徴とするダイアタッチペース
ト。 【化1】 - 【請求項2】 該(A)ヒドロキシアルキル(メタ)ア
クリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネ
ートを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレ
ートと該(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈
剤との重量比が80/20から20/80である請求項
1記載のダイアタッチペースト。 - 【請求項3】 該(C)ジアリルモノグリシジルイソシ
アヌル酸の添加量が成分(A)及び成分(B)の総重量
に対して、0.01≦C/(A+B)≦0.5である請
求項1及び2記載のダイアタッチペースト。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のダイア
タッチペーストを用いて製作した半導体装置。
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JP2000029132A JP3473944B2 (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
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JP2000029132A JP3473944B2 (ja) | 2000-02-07 | 2000-02-07 | ダイアタッチペースト及び半導体装置 |
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