JP2000265119A - ダイアタッチペースト - Google Patents

ダイアタッチペースト

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JP2000265119A
JP2000265119A JP6951199A JP6951199A JP2000265119A JP 2000265119 A JP2000265119 A JP 2000265119A JP 6951199 A JP6951199 A JP 6951199A JP 6951199 A JP6951199 A JP 6951199A JP 2000265119 A JP2000265119 A JP 2000265119A
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JP
Japan
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isocyanuric acid
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JP6951199A
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English (en)
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Tomohiro Kagimoto
奉広 鍵本
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]

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  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のダイアタッチペーストの特性を維持し
つつ、且つ非常に短時間でも硬化が可能なペーストを提
供する。 【解決手段】 (A)イソシアヌル酸EO変性ジアクリ
レート又はトリアクリレート、(B)モノアクリレート
又はモノメタクリレート、(C)有機過酸化物、又はア
ゾ化合物、(D)無機フィラーからなるダイアタッチペ
ーストである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着性、速硬化性
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年半導体パッケージの生産量は増加の
一歩をたどっており、これに伴い製造コストの削減は重
要な課題となっている。半導体パッケージ組立の中でダ
イアタッチペーストで半導体とリードフレームを接着す
る工程が有るが、この工程に関しては時間短縮、及び低
温硬化がキーポイントになっている。硬化の過程はバッ
チ式オーブン法、インラインで硬化させる方法に大別さ
れるが、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用
いた通常のダイマウントは、150℃から200℃で3
0秒から60秒の間で行われる。しかし、今後より低
温、短時間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
【0003】一方、パッケージとしての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、ダイアタッチペース
トとしてはさらにシリコンチップとリードフレームとの
線膨張の差を緩和するために低応力性が重要である。ダ
イアタッチペーストのベースレジンはエポキシ樹脂、シ
アネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等が知られている
が、例えば30秒以内に硬化が可能であり、それぞれの
用途に適した特性(接着性、低応力性等)を維持する材
料は全く見いだされていなかった。又、特性を満足した
としても常温での粘度上昇が激しすぎ、使用に適さない
材料しかなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のダイ
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを見いだすべく鋭
意検討した結果完成させるに至ったものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)一般式
(1)で示されるイソシアヌル酸EO変性ジアクリレー
ト又はトリアクリレート、(B)一般式(2)で示され
るモノアクリレート又はモノメタクリレート、(C)有
機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(D)無機フィラー
を必須成分とするダイアタッチペーストである。
【0006】
【化1】
【化2】
【0007】更に好ましい形態としては、該(A)一般
式(1)で示されるイソシアヌル酸EO変性ジアクリレ
ート又はトリアクリレートと該(B)一般式(2)で示
されるモノアクリレート及び/又はモノメタクリレート
との重量比が80/20から20/80であるダイアタ
ッチペーストである。
【0008】本発明に用いられるアクリレート樹脂は一
般式(1)で示されるイソシアヌル酸EO変性ジアクリ
レート又はトリアクリレートと一般式(2)で示される
モノアクリレート及び/又はモノメタクリレートの重量
比が80/20〜20/80である事が好ましい。80
/20より高いとペースト粘度が高すぎ塗布作業性が著
しく悪くなる。一方、20/80より小さいと接着性、
耐熱性が悪くなる。
【0009】一般式(1)で示されるアクリレート樹脂
は粘度が高いため反応性希釈剤として(メタ)アクリル
基を一つ含むモノ(メタ)アクリレートを添加する。更
に本発明に使用されるモノ(メタ)アクリレートは式
(2)で示され、さらには置換基R2が脂環族、及び/
又は芳香族基を含み、置換基R2中の全炭素数が10個
以上であることが重要である。この条件を満たす事によ
り希釈剤としての効果だけでなく、嵩高い置換基を有す
るため硬化中の収縮を押さえることができ、界面の接着
信頼性を高めることができる。脂環族、芳香族基を含ま
ず炭素数が10個以上の置換基の場合は硬化収縮に関し
ては低減できるが脂肪族炭化水素の特性により接着性が
低下してしまうので好ましくない。
【0010】モノ(メタ)アクリレートの例としては、
【化3】 等が挙げられ、これらの内の1種類あるいは複数種と併
用可能である。
【0011】また、本発明においては他のアクリレート
樹脂を混合して用いてもよい。上記アクリレート樹脂と
混合する場合の他のアクリレート樹脂としては、例えば
ヒドロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコ
ールおよびジイソシアネートの反応により得られるウレ
タンアクリレート、ポリエステルアクリレート等があ
る。
【0012】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
【0013】本発明で用いられる有機過酸化物の例とし
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
【0014】これら有機過酸化物、アゾ化合物は単独あ
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
【0015】これら有機過酸化物、アゾ化合物の添加量
は、成分(A)+成分(B)の総重量に対して、0.1
重量%から5重量%であることが好ましい。5重量%よ
り多いとペーストのライフ(粘度経時変化)が大きく作
業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬化性
が著しく低下するので好ましくない。
【0016】本発明に用いる無機フィラーとしては、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
【0017】銀粉は導電性を付与するために用いられ、
ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純
物の含有量は10ppm以下であることが好ましい。ま
た、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝状、球状等
が用いられる。必要とするペーストの粘度により、使用
する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は2〜10μ
m、最大粒径は50μm程度のものが好ましい。また、
比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用いることも
でき、形状についても各種のものを便宜混合してもよ
い。
【0018】次に、絶縁フィラーの一つであるシリカフ
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
【0019】本発明における樹脂ペーストは必要により
消泡剤、カップリング剤、界面活性剤等の添加剤を用い
ることができる。これらの添加剤のうち、カップリング
剤は接着性を高めるために添加する事が好ましい。
【0020】その例としては特に限定されないが、いわ
ゆる、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、ビニル基
等を含むアルコキシシラン化合物、リン酸基を有するア
クリレート又はメタクリレート等が挙げられる。本発明
のペーストの製造方法としては、例えば予備混合して三
本ロール等を用いてペーストを得て真空下脱泡する。
【0021】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 <実施例1〜8>一般式(1)で示されるイソシアヌル
酸EO変性ジアクリレート(東亞合成・製、M−21
5)、下記の構造式で示されるモノアクリレート、重合
開始剤として下記の有機過酸化物1、2及びアゾ化合
物、カップリング剤としてリン酸基含有メタクリレー
ト、更に無機フィラーとして平均粒径3μm、最大粒径
20μmのフレーク状銀粉、又は平均粒径5μm、最大
粒径20μmのシリカフィラーを表1のように配合し、
3本ロールを用いて混錬し、脱泡後ペーストを得た。得
られたペーストを以下の方法により評価した。
【0022】<評価方法> ・粘度:25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5rp
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ペーストを用いて、2×2mmのシリコン
チップを銅フレームにマウントし、180℃のオーブン
中で15分硬化した。硬化後プッシュプルゲージを用い
250℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをマウントし、硬化後、外観を目視でボイドを
チェックした。被着面積の15%以下のボイドならば良
好、15%を越えるものを不良とした。 ・WB処理時の剥離:リードフレームに6mm×15m
mのチップをマウントし、硬化後、250℃にてワイヤ
ーボンディング処理を行ない、ペレットの接着状態を観
察した。剥離が無ければ良好、剥離が観察されれば不良
とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00ミクロンの銅フレームに6mm×15mm×0.3
mmのシリコンチップをペーストを用いて175℃15
秒でペースト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗
さ計を用いて、長手方向のチップの変位を測定しその高
低差により反り量を測定した。 ・耐パッケージクラック性:スミコンEME−7320
(住友ベークライト(株)製)の封止材料を用い、下記
の条件で成形したパッケージを85℃、相対湿度85
%、168時間吸水処理した後、IRリフロー(240
℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラックの数
を測定し、耐パッケージクラック性の指標とした。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
【0023】<比較例1〜6>表2に示した組成の各成
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
【0024】評価結果を表1及び表2に示す。
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】
【化4】
【0027】
【化5】
【0028】有機過酸化物1:日本油脂(株)・製、キュ
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)・製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)・製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
【0029】
【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、限定
された構造のイソシアヌルEO変性ジアクリレート又は
トリアクリレートにより接着性が向上し、更に嵩高い置
換基を有するモノアクリレートの組み合わせにより硬化
時の収縮を押さえ、その結果優れた低応力性、接着性が
発現された速硬化性ペーストである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J011 PA02 PA03 PA07 PA08 PA13 PA34 PA39 PA43 PA69 PA86 PA99 PB06 PB22 PB23 PB27 PB28 PB30 PB40 4J027 AA04 AC03 BA07 BA13 BA29 CA12 CA18 CA20 CA24 CA36 CB01 CB09 CD06 4J040 FA121 FA122 FA151 FA152 FA161 FA162 HB41 HC14 KA11 KA24 KA32 KA42 LA06 LA07 LA08 MA02 MA10 NA20 PA24 4J100 AL08Q AL65P AL66P BA06Q BA07Q BA11P BC08Q BC43Q BC44Q BC73P CA04 CA31 HA53 HC36 HC54 JA46 5F047 BA33 BB11

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)一般式(1)で示されるイソシア
    ヌル酸EO変性ジアクリレート又はトリアクリレート、
    (B)一般式(2)で示されるモノアクリレート及び/
    又はモノメタクリレート、(C)有機過酸化物及び/又
    はアゾ化合物、(D)無機フィラーからなることを特徴
    とするダイアタッチペースト。 【化1】 【化2】
  2. 【請求項2】 該(A)一般式(1)で示されるイソシ
    アヌル酸EO変性ジアクリレート又はトリアクリレート
    と該(B)一般式(2)で示されるモノアクリレート及
    び/又はモノメタクリレートとの重量比が80/20か
    ら20/80である請求項1記載のダイアタッチペース
    ト。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003089771A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP2005008669A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置用接着剤,半導体装置およびそれを用いた表示装置
JP2012188622A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置
WO2013153803A1 (ja) * 2012-04-10 2013-10-17 住友ベークライト株式会社 半導体装置、ダイアタッチ材料および半導体装置の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003089771A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP2005008669A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置用接着剤,半導体装置およびそれを用いた表示装置
JP2012188622A (ja) * 2011-03-14 2012-10-04 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体素子接着用樹脂ペースト組成物及び半導体装置
WO2013153803A1 (ja) * 2012-04-10 2013-10-17 住友ベークライト株式会社 半導体装置、ダイアタッチ材料および半導体装置の製造方法
JPWO2013153803A1 (ja) * 2012-04-10 2015-12-17 住友ベークライト株式会社 半導体装置、ダイアタッチ材料および半導体装置の製造方法
TWI577767B (zh) * 2012-04-10 2017-04-11 住友電木股份有限公司 半導體裝置、晶粒黏附材料及半導體裝置之製造方法

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