JP3461823B2 - 識別情報記録方法およびフォトマスクセット - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、板状部材に識別情
報を記録する方法、および、この方法に使用するフォト
マスクセットに関している。本発明は、磁気ヘッドなど
に使用されるセラミクス基板への識別情報の刻印に好適
に用いられるだけでなく、半導体ウェハその他の板状部
材に対して識別情報を記録する場合に適用できる。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスクドライブ（ＨＤ
Ｄ）装置、テープストレージ装置、およびフレキシブル
ディスクドライブ（ＦＤＤ）装置などに使用される磁気
ヘッドスライダには、種々の構成からなる薄膜磁気ヘッ
ドが使用されている。このような薄膜磁気ヘッドに用い
られる基板としては、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系、Ｓ
ｉＣ系、ＺｒＯ₂系等の組成からなる焼結体基板が用い
られている。

【０００３】図１（ａ）は、典型的な薄膜磁気ヘッドス
ライダ１０を示している。この磁気ヘッドスライダ１０
のトラック側は、磁気ディスクの表面に対向する２本の
サイドレール１１を有しており、これらのサイドレール
１１が形成されている面はエア・ベアリング面（ＡＢ
Ｓ）と称されることがある。ヘッドサスペンションによ
って磁気ヘッドスライダ１０のサイドレール１１が磁気
ディスク表面を軽く押す状態で、磁気ディスクをモータ
などによって高速回転させると、磁気ディスク表面にで
きる空気の層がスライダ１０のエア・ベアリング面直下
に入り込み、磁気ヘッドスライダ１０を僅かに持ち上げ
ることになる。こうして、磁気ヘッドスライダ１０は磁
気ディスクの表面近くを「飛行」するようにして記録／
再生動作を行うことができる。

【０００４】磁気ヘッドスライダ１０の一端面には、磁
気ディスクなどの記録媒体との間で磁気的相互作用を行
うための薄膜１２が堆積されている。薄膜１２は電気／
磁気トランスデューサ素子を構成するために用いられ
る。一方、磁気ヘッドスライダ１０の他の端面には、製
品種を確認するために、認識番号（シリアルナンバー）
などの識別情報１３が刻印されている。識別情報１３を
焼結体基板に刻印する方法は、例えば、特開平９−８１
９２２号公報、特開平１０−１３４３１７号公報、およ
びに特開平１１−１２６３１１号公報等に開示されてい
る。

【０００５】磁気ヘッドスライダ１０は、典型的には、
図１（ｃ）に示されるような焼結体基板（ウェハ）１か
ら図１（ｂ）に示されるようなバー２０を切り出した
後、そのバー２０を多数のチップに分離することによっ
て作製される。図１（ｃ）に示されるウェハ１の端面４
は、図１（ａ）に示される磁気ヘッドスライダ１０のエ
ア・ベアリング面に平行な位置関係にある。

【０００６】電子機器の小型軽量化のために薄膜ヘッド
の寸法が小さくなるに従い、ウェハ１の厚さ（磁気ヘッ
ドスライダ１０の長さＬに相当）が薄くなるとともに、
各バー２０の厚さＴ（磁気ヘッドスライダ１０の高さに
相当）も薄くなってきている。例えば、ピコスライダと
呼ばれる磁気ヘッドスライダの場合、Ｌは１．２ｍｍ程
度であり、Ｔは０．３ｍｍ程度である。このように小型
化された磁気ヘッドスライダに刻印されるべき文字のサ
イズも当然に小さくする必要がある。

【０００７】識別情報１３の刻印にはレーザマーキング
法が広く用いられている。レーザマーキング法による場
合、図１（ａ）や図１（ｂ）に示される識別情報１３
は、各バー２０に分割される前のウェハ１の裏面３に対
して印字される。印字工程の後、ウェハ１の表面２に
は、種々の薄膜１２が積層されることになる。

【０００８】次に、図２を参照しながら、従来のレーザ
マーキング法を簡単に説明する。

【０００９】レーザマーキング法では、ウェハ１の裏面
３に対して、レンズ５で収束されたレーザビーム６を照
射し、それによって、ウェハ１の照射部分を急速に加熱
し、蒸発させる。このとき、ウェハ１の裏面３には小さ
な凹部が形成されるとともに、ウェハ１を構成していた
焼結体材料が周囲に飛散し、その一部は再びウェハ１に
付着する。レーザビーム６でウェハ１の裏面３を走査す
ることによって、凹部の平面パターンを任意に描くこと
ができる。英文字、数字、またはバーコードなどの凹部
パターンを形成すれば、種々の識別情報１３をウェハ１
の任意の位置に書きこむことができる。

【００１０】このようなレーザマーキング法によれば、
（１）レーザ照射によって発生する飛散物がダスト化
し、印字溝内などに吸着・集積するため、コンタミネー
ションとなるおそれが高く、（２）レーザ光の照射によ
って印字溝のエッジ部分にバリが発生するため、バリ除
去のための工程が必要となる、などの問題点があった。

【００１１】上記の問題が生じない識別情報記録方法と
して、フォトリソグラフィ法が開発されている。フォト
リソグラフィ法による場合、まずウェハ１の裏面３上に
レジスト層を塗布形成した後、特定のフォトマスクを用
いてレジスト層を露光することにより、レジスト層の所
望の領域に識別情報の潜像が書き込まれる。その後、露
光されたレジスト層を現像することより、識別情報に対
応するパターンがレジスト層に転写される。パターニン
グされたレジスト層をマスクとしてウェハをエッチング
することにより、識別情報をウェハに書き込むことが可
能である。フォトリソグラフィ法によれば、形成するパ
ターンの細線化が可能であり、種々の識別情報を狭い領
域内でも明瞭に記録することが可能である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
フォトリソグラフィ法によれば、ウェハごとに異なる識
別情報を記録するには、ウェハの枚数だけ種類の異なる
フォトマスクを用意する必要がある。フォトマスクは高
価であり、例えば、１枚で数十万円程度もする場合があ
る。このため、フォトリソグラフィ法による場合は、大
量に必要なフォトマスクの価格に起因するコストの大き
な上昇が問題になる。

【００１３】本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その主な目的は、多様な識別情報を少ないフォ
トマスクを用いて板状部材に記録することができる識別
情報記録方法を提供することにある。

【００１４】本発明の他の目的は、上記識別情報記録方
法で行う新規な露光方法を提供するとともに、この露光
方法に用いられるフォトマスクの組（フォトマスクセッ
ト）を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明による方法は、複
数の板状部材に対して相互に異なる識別情報を記録する
方法であって、前記識別情報は、１桁以上の文字列であ
り、（ａ）前記文字列が記録されるべきブランク領域を
規定する遮光パターンを有する第１フォトマスクと、前
記文字列に用いられる２種類以上の文字を規定する遮光
パターンを有する第２フォトマスクを用意する工程と、
（ｂ）前記板状部材の表面にフォトレジスト層を形成す
る工程と、（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フ
ォトレジスト層における前記ブランク領域以外の領域を
露光する工程と、（ｄ）前記第２フォトマスクを用い、
前記フォトレジスト層の前記ブランク領域に対して、前
記文字列を構成する２種類以上の文字の潜像を形成する
工程と、を包含する方法。

【００１６】前記工程（ｄ）は、前記第２フォトマスク
を用いて、前記フォトレジスト層の前記ブランク領域の
第１の部分に対して、前記２種類以上の文字のうちのひ
とつの文字の潜像を形成する露光工程（ｄ１）と、前記
第２フォトマスクを用いて、前記フォトレジスト層の前
記ブランク領域の第２の部分に対して、前記２種類以上
の文字のうちのひとつの文字の潜像を形成する露光工程
（ｄ２）とを包含し、それによって、２桁以上の文字列
を前記フォトレジスト層に形成する。

【００１７】本発明による方法は、複数の板状部材に対
して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前
記識別情報は、ｚ₁桁の文字列Ａ、およびｚ₂桁の文字列
Ｂを含む文字列群（ｚ₁およびｚ₂は自然数）であり、
（ａ）前記文字列Ｂが記録されるべきブランク領域と文
字列Ａとを規定する遮光パターンを有する第１フォトマ
スクと、文字列Ｂに用いられる文字を規定する遮光パタ
ーンを有する第２フォトマスクを用意する工程と、
（ｂ）前記板状部材の表面にフォトレジスト層を形成す
る工程と、（ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フ
ォトレジスト層を露光することにより、前記ブランク領
域に対応する未露光領域および前記文字列Ａの潜像を前
記フォトレジスト層に形成する工程と、（ｄ）前記第２
フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構成する文字の潜
像を前記フォトレジスト層の前記未露光領域に形成する
工程と、を包含する。

【００１８】好ましい実施形態において、前記文字列Ｂ
は２桁以上であり、前記工程（ｄ）は、前記文字列Ｂを
構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層
の前記未露光領域に形成することを含む。

【００１９】好ましい実施形態において、前記工程
（ｄ）は、各々が異なる文字を規定する遮光パターンを
有する複数の第２フォトマスクを１枚ずつ用いて、前記
文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、前記フォト
レジスト層の前記未露光領域に形成することを含む。

【００２０】好ましい実施形態において、前記工程
（ｄ）は、複数種類の文字を規定する遮光パターンを同
一面上に有する少なくとも１枚の第２フォトマスクを用
いて、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ、
前記フォトレジスト層の前記未露光領域に形成すること
を含む請求項３に記載の方法。

【００２１】好ましい実施形態において、前記フォトレ
ジスト層としてネガ型フォトレジストを用い、現像後に
おけるフォトレジスト層の前記文字列に対応する部分
を、前記板状部材上から除去する。

【００２２】好ましい実施形態において、前記フォトレ
ジスト層としてポジ型フォトレジストを用い、現像後に
おけるフォトレジスト層の前記文字列に対応する部分を
前記板状部材上に残存させる。

【００２３】本発明による方法は、複数の板状部材に対
して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前
記識別情報は、ｚ₁桁の文字列Ａ、およびｚ₂桁の文字列
Ｂを含む文字列群（ｚ₁は０以上の整数、ｚ₂は自然数）
であり、（ａ）前記文字列Ｂが記録されるべきブランク
領域と文字列ＡがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期
的に配列された複数の第１フォトマスクと、文字列Ｂに
用いられる１桁の文字がＸ軸方向およびＹ軸方向に沿っ
て周期的に配列された遮光パターンを有する複数の第２
フォトマスクを用意する工程と、（ｂ）前記板状部材の
表面にフォトレジスト層を形成する工程と、（ｃ）前記
複数の第１フォトマスクから選択した１枚のフォトマス
クを用い、前記フォトレジスト層を部分的に露光するこ
とにより、前記ブランク領域に対応する未露光領域およ
び前記文字列Ａの潜像を前記フォトレジスト層に形成す
る工程と、（ｄ）前記複数の第２フォトマスクから必要
なフォトマスクを逐次選択し、前記文字列Ｂを構成する
文字の潜像を前記フォトレジスト層の前記未露光領域に
形成する工程と、を包含する。

【００２４】好ましい実施形態において、前記第２フォ
トマスク上における文字のＹ軸方向サイズをｙ１とし、
同一の文字のＹ軸方向周期をｙ２とした場合、前記第２
フォトマスクの少なくとも１枚には、Ｙ軸方向に沿って
計測した距離がｙ２の区間内に、文字列Ｂに用いられる
異なる種類のｍ個の文字が配列されており、ｍ≦ｙ２／
ｙ１の関係が成立している。

【００２５】好ましい実施形態において、前記工程
（ｄ）は、前記第２フォトマスク上の選択された文字が
前記未露光領域の対応する位置に投影されるように、前
記第２フォトマスクを前記フォトレジスト層に対して位
置あわせする工程（ｄ１）と、位置あわせがなされた
後、前記選択された文字の潜像を前記フォトレジストの
前記未露光領域に形成する露光する工程（ｄ２）と、前
記第２フォトマスク上の選択された文字が前記未露光領
域の対応する位置に投影されるように、前記第２フォト
マスクを前記フォトレジスト層に対して位置あわせする
工程（ｄ３）と、位置あわせがなされた後、前記選択さ
れた文字の潜像を前記フォトレジストの前記未露光領域
に形成する露光する工程（ｄ４）とを包含する。

【００２６】好ましい実施形態において、前記板状部材
の表面に前記フォトレジスト層を形成する前にアライメ
ントマークを形成する工程を更に包含し、前記位置あわ
せ工程（ｄ１）および／または工程（ｄ３）は、前記ア
ライメントマークを用いて実行する。

【００２７】好ましい実施形態において、前記露光を行
うとき、マスクアライナを用い、前記フォトレジスト層
の全面に前記文字列の潜像を形成する。

【００２８】好ましい実施形態において、前記露光を行
うとき、ステッパを用い、前記フォトレジスト層の区分
された複数の領域に対して、前記文字列の潜像を順次形
成する。

【００２９】本発明による方法は、複数の板状部材に対
して相互に異なる識別情報を記録する方法であって、前
記識別情報は、ｚ₁桁の文字列Ａ、ｚ₂桁の文字列Ｂ、お
よびｚ₃桁の文字列Ｃを含む文字列群（ｚ₁は０以上の整
数、ｚ₂およびｚ₃は自然数）によって表現され、（ａ）
前記板状部材の表面にフォトレジスト層を形成する工程
と、（ｂ）前記フォトレジスト層の複数の領域の各々に
対し、前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成すると
ともに、前記文字列Ｂが記録されるべきブランク領域は
露光しない第１露光工程と、（ｃ）前記複数の領域の各
々における前記ブランク領域に対して、前記文字列Ｂを
構成する文字の潜像を１桁ずつ形成する第２露光工程
と、を包含する。

【００３０】好ましい実施形態おいて、前記文字列Ｃ
は、前記レジスト層の前記複数の領域毎に異なっている
文字列から構成されている。

【００３１】好ましい実施形態において、前記複数の領
域は、行および列からなるマトリックス状に配列されて
おり、前記複数の領域のうち、第Ｍ行第Ｎ列（Ｍおよび
Ｎは自然数）に位置する領域に割り当てられる文字列Ｃ
をＣ_MNで表記した場合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ
（ＪおよびＫは自然数）とすると、Ｃ_MN≠Ｃ_JKが成立す
る。

【００３２】好ましい実施形態において、前記複数の領
域のうち、第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位置
する領域に割り当てられる文字列ＡをＡ_MNで表記した場
合、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然
数）とすると、Ａ_MN＝Ａ_JKが成立する。

【００３３】好ましい実施形態において、前記第１露光
工程（ｂ）は、前記文字列Ａおよび文字列Ｃを規定する
遮光パターンを有する第１フォトマスクを用いて前記フ
ォトレジストを露光する工程を含み、前記第２露光工程
（ｃ）は、前記文字列Ｂを構成する文字を規定する遮光
パターンを有する第２フォトマスクを用いて前記フォト
レジストを露光する工程を含む。

【００３４】好ましい実施形態において、前記第１露光
工程（ｂ）は、前記文字列Ａおよび文字列Ｃを規定する
遮光パターン、ならびに、前記文字列Ｂのための未露光
部分を規定する遮光パターンを有する第１フォトマスク
を用いて前記フォトレジストを露光する工程を含み、前
記第２露光工程（ｃ）は、前記文字列Ｂを構成する文字
を規定する遮光パターンを有する第２フォトマスクを用
いて前記フォトレジストを露光する工程を含む。

【００３５】好ましい実施形態において、前記第１露光
工程（ｂ）において、マスクアライナを用い、前記フォ
トレジスト層の全面に前記文字列Ａおよび文字列Ｃの潜
像を形成する。

【００３６】好ましい実施形態において、前記第２露光
工程（ｃ）において、ステッパを用い、各々が前記フォ
トレジスト層の複数の領域を含む更に広い複数の領域の
各々に対し、前記文字列Ｂの潜像を順次形成する。

【００３７】好ましい実施形態において、文字列Ｂは、
前記更に広い複数の領域毎に異なる文字列から構成され
ている。

【００３８】本発明によるフォトレジスト層のパターニ
ング方法は、上記いずれかの方法によって露光されたフ
ォトレジスト層を有する前記板状部材を用意する工程
と、前記フォトレジスト層を現像する工程とを包含する
フォトレジスト層のパターニング方法。

【００３９】本発明による板状部材への識別情報記録方
法は、上記方法でパターニングされたフォトレジストを
有する前記板状部材を用意する工程と、前記フォトレジ
スト層をマスクとして、前記板状部材の表面に前記識別
情報を転写する工程とを包含する板状部材への識別情報
記録方法。

【００４０】好ましい実施形態において、前記識別情報
を前記板状部材に転写する工程は、前記板状部材の表面
において、前記フォトレジスト層で覆われていない領域
を選択的にエッチングする工程を包含する。

【００４１】好ましい実施形態において、前記識別情報
を前記板状部材に転写する工程は、前記板状部材の表面
において、前記フォトレジスト層で覆われていない領域
に凸部を形成する工程を包含する。

【００４２】好ましい実施形態において、前記識別情報
を前記板状部材に転写する工程は、前記板状部材の表面
において、前記フォトレジスト層で覆われていない領域
をエネルギビームで照射し、表面を改質する工程を包含
する。

【００４３】本発明による電子部品の製造方法は、上記
の方法で識別情報が記録された前記板状部材を用意する
工程と、前記板状部材の選択された面上に薄膜を堆積す
る工程と、前記板状部材を切断することにより、複数の
分割部品に分割する工程とを包含する。

【００４４】好ましい実施形態において、各分割部品の
表面には、前記識別情報が記録されている。

【００４５】好ましい実施形態において、各分割部品の
表面には、各分割部品に固有の前記識別情報が記録され
ている。

【００４６】本発明によるフォトマスクセットは、１桁
以上の文字列を含む識別情報をフォトレジスト層に書き
込むためのフォトマスクセットであって、前記文字列が
記録されるべきブランク領域を規定する遮光パターンが
形成された第１フォトマスクと、前記文字列に用いられ
る複数種類の文字が配列された遮光パターンを有する少
なくとも１枚の第２フォトマスクとを備えている。

【００４７】本発明によるフォトマスクセットは、ｚ₁
桁の文字列Ａ、およびｚ₂桁の文字列Ｂを含む文字列群
（ｚ₁は０以上の整数、ｚ₂は自然数）を含む識別情報を
フォトレジスト層に書き込むためのフォトマスクセット
であって、前記文字列Ｂが記録されるべきブランク領域
と文字列ＡがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に
配列された複数の第１フォトマスクと、文字列Ｂに用い
られる少なくとも１桁の文字がＸ軸方向およびＹ軸方向
に沿って周期的に配列された遮光パターンを有する複数
の第２フォトマスクとを備えている。

【００４８】好ましい実施形態において、前記複数のフ
ォトマスクの各々の上における文字のＹ軸方向サイズを
ｙ１とし、同一の文字のＹ軸方向周期をｙ２とした場
合、前記複数の第２フォトマスクの少なくとも１枚のフ
ォトマスクには、Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２
の区間内に、文字列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個の
文字が配列されており、ｍ≦ｙ２／ｙ１の関係が成立し
ている。

【００４９】好ましい実施形態において、前記複数の第
１フォトマスクの各々には、ｚ₃桁の文字列Ｃ（ｚ₃は自
然数）がＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配列
されている。

【００５０】

【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態では、
複数のセラミックス製ウェハに対して、相互に異なる識
別情報を記録する。

【００５１】本実施形態において各ウェハに記録する識
別情報は、ｚ₁桁（ｚ₁は自然数）の文字列Ａ、および、
ｚ₂桁（ｚ₂は自然数）の文字列Ｂを含む文字列群によっ
て表現される。簡単化のため、ここでは図３（ａ）に示
すように、文字列Ａが１桁の文字Ａ１から構成され、文
字列Ｂが２桁の文字Ｂ１・Ｂ２から構成される場合を説
明する。また、文字Ａ１、Ｂ１およびＢ２の各々は、０
〜９までの１０種類の数字を取り得るものとする。すな
わち、文字列Ａおよび文字列Ｂから構成される識別情報
は、「０００」〜「９９９」の１０００通りある。な
お、文字列を構成する各文字は、数字だけではなく、ア
ルファベット、かな、漢字、記号など、識別情報を表現
し得る符号単位であれば何でも良い。

【００５２】識別情報ＡＢは、図３（ｂ）に示すように
各ウェハの複数の領域に記載することが好ましいが、図
３（ｃ）に示すように各ウェハのどこか１箇所に記載す
るようにしてもよい。図３（ｃ）のようにして識別情報
をウェハに記録した場合、識別情報はウェハ単位で種々
の製造プロセスを行う各工程で利用され得るが、ウェハ
を複数のチップ部品に分割したあとは、識別情報の機能
を発揮しなくなる。

【００５３】従来のフォトリソグラフィ方法を用いて、
１０００通りの識別情報を１０００枚のウェハに刻印す
るには、１０００枚のフォトマスク（レチクル）が必要
であった。この場合、例えば１５０枚目のフォトマスク
には「１５０」の文字列を規定する遮光パターンが形成
されるというように、各フォトマスクに異なる識別情報
が割り当てられることになる。

【００５４】これに対して、本実施形態では、２種類の
フォトマスク（第１フォトマスクと第２フォトマスク）
を含むフォトマスクセットを用いてネガ型フォトレジス
ト層に複数回の露光工程を行うことにより、従来よりも
格段に少ない枚数のフォトマスクで必要な識別情報をウ
ェハに刻印することが可能になる。

【００５５】以下、図４（ａ）および（ｂ）を参照しな
がら、本実施形態で使用するフォトマスクを説明する。

【００５６】まず、図４（ａ）を参照する。本実施形態
における第１フォトマスクでは、文字列Ｂが記録される
べきブランク領域を規定する遮光パターンと、文字列Ａ
を規定する遮光パターンとが形成されている。ウェハ毎
に異なる識別情報をウェハ内の複数の領域に対して書き
込む場合、各第１フォトマスク上において、上記の文字
列Ａおよびブランク領域の遮光パターンがＸ軸方向およ
びＹ軸方向に沿って周期的に配列される。本実施形態で
は、識別情報が書き込まれる各領域において、左から順
番に文字Ａ１と２桁のブランク領域が配列されている。
この例では、文字Ａ１は「０」〜「９」の数であるた
め、１０種類の第１フォトマスクが必要になる。もし
も、文字列Ａが２桁の数字であれば、文字列「００」〜
「９９」に対応して、１００枚の第１フォトマスクが必
要になる。

【００５７】一方、第２フォトマスクでは、図４（ｂ）
に示すように、文字列Ｂに用いられる文字（１桁分）を
規定するパターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周
期的に配列されている。この周期は、文字列Ａの周期と
同一であり、第２フォトマスク上の文字は、第１フォト
マスクにおける２桁のブランク領域のいずれか一方に重
ね合わせられるように配置されている。

【００５８】次に、図５〜図７を参照しながら、上記の
フォトマスクセットを用いて行う露光方法を説明する。

【００５９】ここでは、図５（ａ）に示す第１フォトマ
スク６２を用いる。この第１フォトマスク６２上には、
文字Ａ１を規定する遮光パターン６２ａと、２桁分のブ
ランク領域を規定する遮光パターン６２ｂとが設けられ
ている。このようなフォトマスクは、ガラスなどの透明
基板上に遮光性を有す金属膜や樹脂膜のパターンを形成
することによって得られる。図では、簡単化のため、１
つの識別情報に関する遮光パターン６２ａ、６２ｂのみ
を示しているが、現実のフォトマスク６２上には同様の
遮光パターン６２ａ、６２ｂが多数配列されている。

【００６０】なお、図５（ａ）では、２桁のブランク領
域を規定する遮光パターン６２ｂがひと続きの連続した
膜により形成されているが、遮光パターン６２ｂは桁毎
に分離されていてもよい。遮光パターン６２ｂは、書き
込まれる文字列Ｂの文字よりも充分に大きなサイズと形
状を持つように形成される必要がある。回折光の回りこ
みや、レジストの収縮／膨張を考慮して適切なサイズに
設計される。

【００６１】次に、図５（ｂ）に示すように、ネガ型フ
ォトレジスト層６１が塗布されたウェハ６０を用意し、
第１フォトマスク６２を用いてウェハ６０上のフォトレ
ジスト層６１を露光する。この露光により、フォトレジ
スト層６１の複数の領域の各々に、左から文字Ａ１と２
桁のブランク領域を規定するパターン６２ａ、６２ｂの
潜像が形成される。具体的には、０〜９のうちのいずれ
かの文字Ａ１（図では「１」の文字）と２桁のブランク
領域が遮光されるため、遮光パターン６２ａ、６２ｂ以
外の領域を透過した光により、レジスト層６２が部分的
露光される。図では、露光部分をドットで示している。
ネガ型レジスト層６１の未露光部分は、ネガ型レジスト
の性質上、あとで行う現像工程で現像液に溶解し、開口
部を形成する。その結果、本実施形態ではフォトレジス
ト層６１文字部分がくり抜かれることになる。

【００６２】なお、上記の露光を行うに際しては、例え
ばアライナを用い、ウェハ６０の全面に対して文字列Ａ
とブランク領域を規定する潜像を形成することが効率的
である。

【００６３】次に、現像工程を行う前に、ブランク領域
に対する文字列Ｂの記録を行う。具体的には、図４
（ｂ）に示すような１０枚の第２フォトマスクから適切
な第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォトマス
クを用いて、文字Ｂ１の潜像をレジスト層に形成する。
図６（ａ）は、選択した第２フォトマスク６３の一部を
示している。第２フォトマスク６３には、文字列Ｂの文
字を規定する遮光パターン６３ａと、不要光を遮断する
遮光パターン６３ｂとが設けられている。

【００６４】第２フォトマスク６３のアライメントを適
切に行うことにより、文字Ｂ１の位置を２桁のブランク
領域の一方に対して合わせ、図６（ｂ）に示すように、
ブランク領域の一部に光を照射する。フォトレジスト層
６１のブランク領域は未露光領域であったため、文字Ｂ
１を規定するパターンを持った光で照射されると、その
パターンに対応した潜像がブランク領域内に形成される
（図６（ｃ））。レジスト層６１のうち、それまで露光
されていなかった部分（文字Ａ１の潜像と他のブランク
領域）に不要な光が照射されないよう、第２フォトマス
ク６３の遮光パターン６３ｂが不要光を遮断する。

【００６５】次に、図７（ａ）〜図７（ｄ）を参照す
る。上記の露光工程の後、前述の第２フォトマスクから
適切な第２フォトマスク６４を選択し、選択した第２フ
ォトマスク６４を用いて文字Ｂ２の潜像をレジスト層に
形成する。第２フォトマスク６４には、文字列Ｂの文字
を規定する遮光パターン６４ａと、不要光を遮断する遮
光パターン６４ｂとが設けられている。このとき、第２
フォトマスク６４のアライメントを適切に行うことによ
り、文字Ｂ２の位置を２桁のブランク領域の残りのブラ
ンク領域（未露光領域）に対して合わせ、図７（ｂ）に
示すように、そのブランク領域に光を照射する。これに
より、２桁目のブランク領域は、文字Ｂ２を規定するパ
ターンを持った光で照射され、そのパターンに対応した
潜像がブランク領域内に形成されることになる（図７
（ｃ））。

【００６６】以上の露光工程により、ネガ型フォトレジ
スト層６１における複数の領域の各々に対して、図７
（ｄ）に示すように識別情報が書き込まれる。この後、
現像工程を経て、未露光部分（図の白抜き部分）がレジ
スト層６１から除去され、文字を規定する開口部がレジ
スト層６１に形成される。図８（ａ）は、現像後のネガ
型フォトレジスト層６１の断面を模式的に示している。

【００６７】図８（ｂ）〜（ｅ）を参照しながら、フォ
トレジスト６１を用いてウェハ６０に識別情報を記録す
る方法を説明する。

【００６８】まず、エッチング法による場合を説明す
る。この場合、レジスト付きウェハ６０を不図示のエッ
チング装置内にロードし、適切なエッチャントとウェハ
表面とを反応させる。こうすることにより、図８（ｂ）
に示すように、ウェハ６０のレジスト層６１によって覆
われていない表面部分がエッチングされ、文字列Ａおよ
Ｂがウェハ６０に転写される。エッチングは、被エッチ
ング対象であるウェハの材料に応じて適宜好ましいエッ
チング条件が選択される。プラズマを用いたＲＩＥ（反
応性イオンエッチング）などのドライエッチングの他、
ウェットエッチングを行ってもよい。

【００６９】現像後のフォトレジスト層６１を用いて、
ウェハ６０に識別情報を記録する方法は上記のエッチン
グ方法に限定されない。図８（ｃ）に示すように、パタ
ーニングされたレジスト層６１で覆われたウェハ６０に
対して金属膜などの薄膜６５を堆積し、その後、レジス
ト層６１を除去することによっても識別情報をウェハ６
０に転写することができる。このような方法は「リフト
オフ」と呼ばれ、レジスト層６１上に堆積した薄膜６５
はレジスト層６１とともにウェハ表面から取り除かれ
る。その結果、図８（ｄ）に示すように、レジスト層６
１の開口部（本実施形態では「文字部分」）に薄膜６５
が残存し、文字部分が他の面から凸状に突出する。

【００７０】エッチング法やリフトオフ法によってウェ
ハ表面に凹凸を形成する方法以外の方法でも、識別情報
の記録を行うことは可能である。図８（ｅ）に示すよう
に、パターニングされたレジスト層６１で覆われたウェ
ハ６０に対して、例えばイオンビームなどのエネルギビ
ームを照射し、それによってウェハ６０の露出表面領域
を改質しても、識別情報をウェハに転写することも可能
である。表面の改質により、反射率特性や導電性などの
物理的パラメータが変化するため、この変化を検知すれ
ば、識別情報をウェハから再生することが可能である。

【００７１】なお、ウェハがＡｌ₂Ｏ₃およびＴｉＣの２
種類の材料から構成されたＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ系セラミッ
クスなどの複合材料から形成されている場合、本出願人
が特願２０００−２３９４３１の明細書および図面に開
示している方法を用いてウェハを選択エッチングするこ
とが望ましい。この選択エッチング法によれば、文字部
分の表面に微細な凹凸が形成されるため、エッチング深
さが小さくても、識別情報について充分に大きな光反射
率コントラストが得られるからである。

【００７２】なお、識別情報から文字列Ａを省略するこ
とも可能である。文字列Ａを省略する場合、本明細書で
は「文字列Ａの桁数Ｚ₁は０（ゼロ）である」と称する
こととする。従って、本実施形態における識別情報は、
ｚ₁桁（ｚ₁は０以上の整数）の文字列Ａ、および、ｚ₂
桁（ｚ₂は自然数）の文字列Ｂを含む文字列群によって
表現される。

【００７３】文字列Ａが複数の文字、例えば文字Ａ１お
よびＡ２から構成されている場合、それらの文字Ａ１お
よびＡ２は、ウェハ上で隣接して配置される必要はな
い。文字Ａ１およびＡ２が文字列Ｂを間に挟むように配
置されていても良い。文字列Ａが複数の文字Ａ１〜Ａｎ
から構成されている場合、それらの文字Ａ１〜Ａｎは、
直線上に１列で配置されている必要はない。文字Ａ１〜
Ａｎは、行および列に分けられて２次元的に配置されて
いても良いし、曲線上に配置されていても良い。これら
の文字配置形態については、文字列Ｂも文字列Ａと同様
である。

【００７４】（実施形態２）以下、本発明の第２の実施
形態を説明する。

【００７５】本実施形態では、より少ないフォトマスク
を用い、複数のセラミックス製ウェハに対して相互に異
なる識別情報を記録する。

【００７６】本実施形態でも、各ウェハに記録する識別
情報は実施形態１と同様であり、用いる第１フォトマス
クも同様である。本実施形態と前述の実施形態１との相
違点は、第２フォトマスクの構成にある。

【００７７】本実施形態で使用する第２フォトマスクで
は、図９（ａ）に示すように、文字列Ｂに用いられる１
桁の文字を規定するパターンがＸ軸方向およびＹ軸方向
に沿って周期的に配列されている。図９（ｂ）は、ウェ
ハ上に形成される３桁の文字列Ｂを示している。ウェハ
上における文字のサイズおよび配列ピッチは、フォトマ
スク上における文字のサイズおよび配列ピッチと比例し
ている。図９（ｂ）に示されている「ｙ１」および「ｙ
２」は、フォトマスク上における寸法であるが、分かり
やすさのため、ウエハ上の文字に対応付けて図中に記載
している。第２フォトマスクの各々の上における文字列
ＢのＹ軸方向サイズをｙ１とし、文字列Ｂを構成する同
一の文字のＹ軸方向周期（ピッチ）をｙ２とした場合、
Ｙ軸方向に沿って計測した距離がｙ２の区間内に、文字
列Ｂに用いられる異なる種類のｍ個（ｍは２以上の自然
数）の文字が配列されている。ここで、ｍ≦ｙ２／ｙ１
の関係が成立している。

【００７８】より具体的には、図９（ａ）に示す１枚目
の第２フォトマスクには「０」〜「３」の文字が割り当
てられ、「０」〜「３」の文字がＹ軸方向に沿って交互
に配列されている。２枚目の第２フォトマスク（不図
示）には「４」〜「７」の文字が割り当てられ、「４」
〜「７」の文字がＹ軸方向に沿って交互に配列されてい
る。３枚目の第２フォトマスク（不図示）には「８」〜
「９」の文字が割り当てられ、「８」〜「９」の文字が
Ｙ軸方向に沿って交互に配列されている。このような例
では、３種類の第２フォトマスクを用いて、「０」〜
「９」の文字をレジスト層に書き込むことができる。

【００７９】次に、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照しなが
ら、本実施形態での露光方法を説明する。

【００８０】まず、第１フォトマスクを用いてウェハ上
のネガ型レジスト層を露光する。この露光により、レジ
スト層の複数の領域の各々に左から文字Ａ１と２桁のブ
ランク領域を規定するパターンの潜像が形成される。図
１０（ａ）は、ひとつの文字Ａ１と２桁のブランク領域
がレジスト層に書き込まれた状態を模式的に示してい
る。

【００８１】次に、上記の３枚の第２フォトマスクから
適切な第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォト
マスクを用いて、文字Ｂ１の潜像をレジスト層に形成す
る。図１０（ｂ）の例では、文字Ｂ１として数字の
「０」を選んでいる。このとき、第２フォトマスクのア
ライメントを適切に行うことにより、文字Ｂ１の位置を
２桁のブランク領域の一方に対して合わせ、そのブラン
ク領域に光を照射する。レジスト層のブランク領域は未
露光領域であったため、文字Ｂ１を規定するパターンを
持った光で照射されると、そのパターンに対応した潜像
がブランク領域内に形成される。レジスト層のうち、そ
れまで露光されていなかった部分に不要な光が照射され
ないよう、第２フォトマスクは不要光をブロックする遮
光パターンを有している。この遮光パターンにより、文
字Ｂ１の配列部分以外の領域には露光用の光は照射しな
い。このような遮光パターンは、前の露光によって文字
を書き込んだ領域と、次の露光によって文字を書き込む
べき領域に不要な光が照射されない形状とサイズを持つ
必要がある。

【００８２】なお、第２フォトマスクにおいてＹ軸方向
に並んだ複数の文字のうち、ブランク領域と重なってい
る文字は、図１０（ｂ）の例では、「０」である。これ
以外の文字、すなわち、「１」、「２」、および「３」
を規定する遮光パターン以外の領域を透過した光は、レ
ジスト層のブランク領域以外の領域（露光済み領域）を
照射する。故に、これらの文字「１」、「２」、および
「３」の潜像は、レジスト層には形成されない。この露
光工程で文字が記録されるのは、未露光状態にあるブラ
ンク領域だけである。

【００８３】次に、３枚の第２フォトマスクから適切な
第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォトマスク
を用いて、文字Ｂ２の潜像をレジスト層に形成する。こ
の様子は、図１０（ｃ）に示されている。この露光に際
して、第２フォトマスクのアライメントを適切に行うこ
とにより、文字Ｂ２の位置を２桁のブランク領域の残り
のブランク領域（未露光領域）に対して合わせ、そのブ
ランク領域に光を照射する。これにより、２桁目のブラ
ンク領域は、文字Ｂ２を規定するパターンを持った光で
照射され、そのパターンに対応した潜像がブランク領域
内に形成されることになる。

【００８４】本実施形態によれば、より少ない枚数の第
２フォトマスクを用いて、文字列Ｂを構成する複数種類
の文字をレジスト層に書き込むことができる。このた
め、必要なフォトマスクの数を更に減少させることが可
能である。

【００８５】（実施形態３）本実施形態において各ウェ
ハに記録する識別情報は、ｚ₂桁の文字列Ｂおよびｚ₃桁
の文字列Ｃ（ｚ₂およびｚ₃は自然数）によって表現され
る。

【００８６】ここでは、ウェハ内の位置に応じて異なる
文字列Ｃを用いて識別情報を構成する例について説明す
る。ウェハ内の複数の領域に対して異なる識別情報を付
与すれば、図１に示すように１枚のウェハから複数の分
割部品を切り出す場合、各分割部品に固有の識別情報を
割り当てることができる。

【００８７】説明を簡単にするため、図１１（ａ）に示
す４桁の識別情報を用いる場合を説明する。この識別情
報における文字列Ｂは２桁の文字Ｂ１・Ｂ２から構成さ
れ、文字列Ｃは２桁の文字Ｃ１・Ｃ２から構成されてい
る。ここでは、文字Ｂ１・Ｂ２の各々がａ〜ｚまでの２
６種類のアルファベット記号を取り得るものとし、文字
Ｃ１・Ｃ２文字の各々が０〜９までの１０種類の数字を
取り得るものとする。すなわち、文字列ＢおよびＣから
構成される識別情報は、「ａａ００」〜「ｚｚ９９」の
２６²×１０²通りある。２桁の文字列Ｃは、例えば、マ
トリクス状に配列された１０行×１０列（＝１００個）
の領域に対して異なる識別情報を与えるために用いられ
得る。図１１（ｂ）は、上記識別情報が記録されたウェ
ハ面を模式的に示している。文字列Ｃの桁数を増やせ
ば、更に多数の領域に異なる識別情報を付与することが
可能になる。

【００８８】本明細書では、行列状に配列された複数の
領域のうちの第Ｍ行第Ｎ列（ＭおよびＮは自然数）に位
置する領域に割り当てられる文字列ＣをＣ_MNで表記す
る。すなわち、Ｃ１・Ｃ２＝Ｃ_MNである。本実施形態で
は、Ｍ≠Ｊおよび／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然
数）であれば、Ｃ_MN≠Ｃ_JKが成立する。このような文字
列Ｃを見れば、ウェハのどの行および列の位置に割り当
てられた識別情報かがわかるため、文字列Ｃを「行列番
号（ロウ・コラム・ナンバー）」と称することとする。
ウェハが複数の部品に小さく分割される場合、各分割部
品に対して上記識別情報が刻印されていれば、その分割
部品がどのウェハのどの部分から切り出されものかが特
定される。

【００８９】以下、図１１（ｃ）を参照しながら、本実
施形態で使用するフォトマスクを説明する。

【００９０】本実施形態における第１フォトマスクにお
いて、文字列Ｂが記録されるべき２桁のブランク領域を
規定する遮光パターンと、文字列Ｃの文字を規定する遮
光パターンとが形成されている。各第１フォトマスク上
においては、上記のブランク領域および文字列Ｃの遮光
パターンがＸ軸方向およびＹ軸方向に沿って周期的に配
列される。

【００９１】実施形態１の文字列Ａと本実施形態の文字
列Ｃとの違いは、２桁の文字列Ｃが１枚のウェハの位置
に応じて異なる値を持つ点にある。また、文字列Ｃは、
ウェハ毎に異なる値を持つ必要はない。故に、文字列Ｃ
を書き込むためのフォトマスクは１種類で足りる。

【００９２】一方、第２フォトマスクは、実施形態１ま
たは実施形態２で用いた第２フォトマスクと同様の構成
を有している。このような第２フォトマスクを用いるこ
とにより、図１１（ｂ）に示す文字「ａ」や文字「ｂ」
が１桁ずつレジスト層に書き込まれることになる。

【００９３】次に、本実施形態における露光方法を説明
する。

【００９４】まず、ネガ型フォトレジスト層が塗布され
たウェハを用意し、第１フォトマスクを用いてフォトレ
ジスト層の複数の領域の各々に対する露光を行う。この
露光により、文字列Ｃ（「００」〜「９９」）の潜像が
それぞれレジスト層の異なる位置に形成されるととも
に、レジスト層の各領域に対して２桁のブランク領域が
形成される。

【００９５】次に、複数の第２フォトマスクから適切な
第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォトマスク
を用いて、文字Ｂ１の潜像をレジスト層に形成する。こ
のとき、第２フォトマスクのアライメントを適切に行う
ことにより、文字Ｂ１の位置を２桁のブランク領域の一
方に対して合わせ、そのブランク領域に光を照射する。

【００９６】更に、上記複数の第２フォトマスクから適
切な第２フォトマスクを選択し、選択した第２フォトマ
スクを用いて、文字Ｂ２の潜像をレジスト層に形成す
る。このとき、第２フォトマスクのアライメントを適切
に行うことにより、文字Ｂ２の位置を２桁のブランク領
域の残りのブランク領域（未露光領域）に対して合わ
せ、そのブランク領域に光を照射する。これにより、２
桁目のブランク領域は、文字Ｂ２を規定するパターンを
持った光で照射され、そのパターンに対応した潜像がブ
ランク領域内に形成されることになる。

【００９７】以上の方法により、レジスト層における複
数の領域の各々に対して、文字列Ｂおよび文字列Ｃが書
き込まれる。この後、現像工程を経て、未露光部分がレ
ジスト層から除去されることにより、文字部がレジスト
層からくり抜かれる。

【００９８】次に、エッチング装置にウェハをロード
し、適切なエッチャントとウェハ表面とを反応させれ
ば、ウェハ表面のレジスト層によって覆われていない部
分がエッチングされるため、文字列ＢおよＣがウェハに
転写されることになる。

【００９９】実施形態３では、識別情報に文字列Ａを含
めなかったが、文字列Ａを含めてもよい。この場合、文
字列Ａのためフォトマスクで、文字列Ｃのための第１フ
ォトマスクを兼用することができる。ただし、その場合
は、文字列Ａの形成に用いる複数の第１フォトマスクの
それぞれに文字列Ｃを規定する遮光パターンとブランク
領域を規定する遮光パターンを設ける必要がある。一
方、文字列Ｃを形成すためのフォトマスクと、文字列Ａ
を形成するために用いるフォトマスクとを別々にしても
よい。

【０１００】（実施形態４）以下、識別情報が、ｚ₁桁
の文字列Ａ、ｚ₂桁の文字列Ｂ、およびｚ₃桁の文字列Ｃ
を含む文字列群（ｚ₁は０以上の整数、ｚ₂およびｚ₃は
自然数）によって表現される実施形態を説明する。

【０１０１】本実施形態では、図１２に示すように、文
字列ＡＢＣを形成す領域が複数個集まって１つのクラス
タ領域を形成している。１枚のウェハには、複数のクラ
スタ領域が割り当てられ、クラスタ領域毎に異なる文字
列Ｂが割り当てられている。具体的には、１枚のウェハ
上の第Ｌ番目のクラスタ領域における第Ｍ行第Ｎ列の領
域には、文字列Ａ_MNＢ_LＣ_MNによって表現される識別情
報が記録される。ここで、Ｌは整数である。文字列Ａ_MN
Ｂ_LＣ_MNのうち、文字列Ｃ_MNはクラスタ領域が異なって
いても同じであるが、文字列Ｂ_Lはクラスタ領域ごとに
異なっている。このため、文字列Ｂ_Lによって、クラス
タ領域を特定することができ、文字列Ｃによって各クラ
スタ領域内の位置を特定することができる。

【０１０２】各クラスタ領域内において、Ｍ≠Ｊおよび
／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）の場合、Ａ_MN≠
Ａ_JKが成立するようにしてもよいし、Ａ_MN＝Ａ_JKが成立
するようにしてもよい。文字列Ａは、ウェハを識別する
ための情報を表現する。文字列Ｃ_MNについては、Ｍ≠Ｊ
および／またはＮ≠Ｋ（ＪおよびＫは自然数）の場合、
Ｃ_MN≠Ｃ_JKが成立するため、各クラスタ内の位置による
識別は文字列Ｃ_MNによって可能であるため、クラスタ内
の位置に応じて文字列Ａ_MNを変化させる必要はない。

【０１０３】なお、文字列Ａ、文字列Ｂ、および文字列
Ｃの配列順序や、クラスタ領域の配置形態は、図１２に
示す例に限定されない。

【０１０４】本実施形態では、第１フォトマスクを用い
て、ネガ型フォトレジスト層の複数の領域の各々に対
し、文字列Ａおよび文字列Ｃの潜像を形成するととも
に、前記文字列Ｂが記録されるべきブランク領域は露光
しない第１露光工程を行う。

【０１０５】その後、ブランク領域（未露光部分）に対
し、文字列Ｂを構成する文字の潜像を１桁ずつ形成する
第２露光工程を行う。第２露光工程は、文字列Ｂの桁数
だけ行うことになる。文字列Ｂ_Lは１桁である必要はな
い。

【０１０６】第１露光工程では、アライナを用い、ウェ
ハ全面のレジスト層に対して文字列Ａおよび文字列Ｃの
潜像を形成することが好ましい。これに対して、第２露
光工程では、ステッパを用い、クラスタ領域毎に文字列
Ｂの露光を行うことが好ましい。この場合、実施形態２
で用いた第２フォトマスクを用いれば、第２フォトマス
クのアライメント位置をシフトさせることにより、異な
るクラスタ領域に対して異なる文字列Ｂの潜像を形成す
ることが容易である。

【０１０７】なお、文字列Ａと文字列Ｃの潜像は、別々
のフォトマスクを用いて別々に形成しても良い。

【０１０８】以上の実施形態では、いずれも、ネガ型フ
ォトレジストを用いてきたが、本発明はこれに限定され
ない。本発明は、ポジ型フォトレジストを用いても実施
できる。ただし、ポジ型フォトレジストを用いる場合
は、レジストの露光部分が現像液中に溶解するため、前
述のフォトマスクを用いると、レジストの文字部分（未
露光部分）が現像後に残存することになる。このように
してパターニングされたポジ型フォトレジストをマスク
としてウェハをエッチングすると、ウェハ表面の文字部
分以外の領域がエッチングされることになる。ただし、
識別情報のウェハへの転写は、ウェハをエッチングする
場合に限定されない。パターニングされたポジ型レジス
トを用い、リフトオフ法を実行すれば、文字部分を凹部
にすることも可能である。

【０１０９】各フォトマスクによるパターンの位置あわ
せ（アライメント）は、ウェハ上に形成したアライメン
トマークを基準にして実行する。例えば、図１３（ａ）
に示すようなアライメントマークを前もってウェハ上に
形成しておく。このようなアライメントマークは、レジ
ストパターンから形成することが好ましい。一方、第１
フォトマスクや第２フォトマスクには、上記アライメン
トマークに重ね合わせられるべき他のアライメントマー
クを設けている。第１および第２フォトマスクに設けら
れるアライメントマークとしては、図１３（ｂ）に示す
ような複数のパターンを採用することが好ましい。図１
３（ｂ）に示すようなアライメントマークを採用すれ
ば、マスクアライメントを高い精度で実行できる。

【０１１０】本発明が適用される板状部材は、セラミク
スウェハに限定されず、その材料は任意である。また、
板状部材とは、ウェハに限定されず、識別情報が書き込
まれる２次元的な広がりを有する表面をもつ部材であれ
ば何でも良い。識別情報が書き込まれる表面は、平面で
ある必要はなく、曲面であってもよい。また、識別情報
は平坦な領域に書き込まれることが望ましいが、板状部
材の表面のすべてが平坦である必要はない。識別情報が
書き込まれる領域以外の領域には、既に何らかの凹凸や
段差が形成されていてもよい。

【０１１１】識別情報をセラミクスウェハやシリコンウ
ェハに書き込む場合、識別情報の記録は、ウェハ上に種
々の薄膜を堆積するプロセスを開始する前に行うことに
限定されない。識別情報は、一連の薄膜堆積プロセスや
パターニングプロセスの途中または終了後の任意の段階
でウェハに記録することが可能である。

【０１１２】

【発明の効果】本発明によれば、多様な識別情報を少な
いフォトマスクを用いて板状部材に記録することが可能
であり、フォトマスクの価格に起因する製造コストの上
昇を大きく抑制することができる。

【０１１３】本発明は、ウェハなどの板状部材から複数
の部品を切り出す製造方法に対して好適に適用される。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は磁気ヘッド用スライダの斜視図であ
り、（ｂ）は磁気ヘッド用スライダが分離される前のバ
ーを示す斜視図であり、（ｃ）は矩形の焼結体基板を示
す斜視図である。

【図２】レーザマーキング工程を模式的に示す図であ
る。

【図３】（ａ）は識別情報を示す図であり、（ｂ）およ
び（ｃ）は、複数のウェハにそれぞれ異なる識別情報が
記録された状態を示す図である。（ｂ）は、各ウェハの
複数の箇所に識別情報が書き込まれた場合を示し、
（ｃ）は、各ウェハの１箇所に識別情報が記録された場
合を示している。

【図４】（ａ）は、実施形態１における第１フォトマス
クの構成を模式的に示し、（ｂ）は第２フォトマスクの
構成を模式的に示している。

【図５】（ａ）は、実施形態１における第１フォトマス
クの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、
第１フォトマスクを用いて行う第１露光工程を示す断面
図である。

【図６】（ａ）は、実施形態１における第２フォトマス
クの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、
第２フォトマスクを用いて行う第２露光工程を示す断面
図である。

【図７】（ａ）は、実施形態１における第２フォトマス
クの一部を示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、
第２フォトマスクを用いて行う第２露光工程を示す断面
図であり、（ｄ）は、露光工程後のレジスト層を示す平
面図である。

【図８】（ａ）から（ｅ）は、現像されたレジスト層を
有するウェハに対して、識別情報を記録する方法を示す
工程断面である。（ａ）は、現像直後のウェハを示し、
（ｂ）はエッチング後のウェハを示す。（ｃ）〜（ｄ）
は、リフトオフ法を示し、（ｅ）は表面改質法を示して
いる。

【図９】（ａ）は、実施形態２で用いる第２フォトマス
クの構成を示す平面図であり、（ｂ）は、実施形態２の
識別情報を示す平面図である。

【図１０】（ａ）は、ひとつの文字Ａ１と２桁のブラン
ク領域がレジスト層に書き込まれた状態を示す模式図で
あり、（ｂ）は、文字Ｂ１として数字の「０」を書き込
んでいる状態を示すレイアウト図であり、（ｃ）は、文
字Ｂ２として数字の「２」を書き込んでいる状態を示す
レイアウト図である。

【図１１】（ａ）は、実施形態３で使用する識別情報の
ひとつを示す図であり、（ｂ）は、識別情報が書き込ま
れた状態のウェハを示す平面図であり、（ｃ）は実施形
態３で使用する第１フォトマスクの構成を示す図であ
る。

【図１２】実施形態４で使用する文字列群の構成を模式
的に示す平面図である。

【図１３】（ａ）および（ｂ）はアライメントマークの
構成を示すレイアウト図である。

【符号の説明】

１ セラミクスウェハ（焼結体基板） ２ 表面 ３ 基板裏面 ４ 基板端面 ５ レンズ ６ レーザビーム １０ 磁気ヘッドスライダ １１ エア・ベアリング面（ＡＢＳ）のサイドレ
ール １２ 基板表面側の積層薄膜 １３ 識別情報（ＩＤまたはＩＤマーク） ２０ バー ６０ ウェハ ６１ ネガ型フォトレジスト層 ６２〜６４ フォトマスク ６５ 薄膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/20 - 7/24 G03F 1/00 - 1/16 H01L 21/027 G11B 5/31 - 5/325 G11B 5/56 - 5/60

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の板状部材に対して相互に異なる識
   別情報を記録する方法であって、 前記識別情報は、ｚ₁桁の文字列Ａ、およびｚ₂桁の文字
   列Ｂを含む文字列群（ｚ₁およびｚ₂は自然数）であり、 （ａ）前記文字列Ｂが記録されるべきブランク領域と文
   字列Ａとを規定する遮光パターンを有する第１フォトマ
   スクと、文字列Ｂに用いられる文字を規定する遮光パタ
   ーンを有する第２フォトマスクを用意する工程と、 （ｂ）前記板状部材の表面にフォトレジスト層を形成す
   る工程と、 （ｃ）前記第１フォトマスクを用い、前記フォトレジス
   ト層を露光することにより、前記ブランク領域に対応す
   る未露光領域および前記文字列Ａの潜像を前記フォトレ
   ジスト層に形成する工程と、 （ｄ）前記第２フォトマスクを用い、前記文字列Ｂを構
   成する文字の潜像を前記フォトレジスト層の前記未露光
   領域に形成する工程と、 を包含する方法。
2. 【請求項２】 前記文字列Ｂは２桁以上であり、 前記工程（ｄ）は、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像
   を１桁ずつ、前記フォトレジスト層の前記未露光領域に
   形成することを含む請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 前記工程（ｄ）は、各々が異なる文字を
   規定する遮光パターンを有する複数の第２フォトマスク
   を１枚ずつ用いて、前記文字列Ｂを構成する文字の潜像
   を１桁ずつ、前記フォトレジスト層の前記未露光領域に
   形成することを含む請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】 前記工程（ｄ）は、複数種類の文字を規
   定する遮光パターンを同一面上に有する少なくとも１枚
   の第２フォトマスクを用いて、前記文字列Ｂを構成する
   文字の潜像を１桁ずつ、前記フォトレジスト層の前記未
   露光領域に形成することを含む請求項１に記載の方法。
5. 【請求項５】 前記フォトレジスト層としてネガ型フォ
   トレジストを用い、現像後におけるフォトレジスト層の
   前記文字列に対応する部分を、前記板状部材上から除去
   する請求項１に記載の方法。
6. 【請求項６】 前記フォトレジスト層としてポジ型フォ
   トレジストを用い、現像後におけるフォトレジスト層の
   前記文字列に対応する部分を前記板状部材上に残存させ
   る請求項１に記載の方法。
7. 【請求項７】 請求項１から請求項６のいずれかに記載
   の方法によって露光されたフォトレジスト層を有する前
   記板状部材を用意する工程と、 前記フォトレジスト層を現像する工程と、 を包含するフォトレジスト層のパターニング方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の方法でパターニングさ
   れたフォトレジストを有する前記板状部材を用意する工
   程と、 前記フォトレジスト層をマスクとして、前記板状部材の
   表面に前記識別情報を転写する工程と、 を包含する板状部材への識別情報記録方法。
9. 【請求項９】 前記識別情報を前記板状部材に転写する
   工程は、 前記板状部材の表面において、前記フォトレジスト層で
   覆われていない領域を選択的にエッチングする工程を包
   含する請求項８に記載の識別情報記録方法。
10. 【請求項１０】 前記識別情報を前記板状部材に転写す
    る工程は、 前記板状部材の表面において、前記フォトレジスト層で
    覆われていない領域に凸部を形成する工程を包含する請
    求項８に記載の識別情報記録方法。
11. 【請求項１１】 前記識別情報を前記板状部材に転写す
    る工程は、 前記板状部材の表面において、前記フォトレジスト層で
    覆われていない領域をエネルギビームで照射し、表面を
    改質する工程を包含する請求項８に記載の識別情報記録
    方法。
12. 【請求項１２】 請求項８から請求項１１に記載の方法
    で識別情報が記録された前記板状部材を用意する工程
    と、 前記板状部材の選択された面上に薄膜を堆積する工程
    と、 前記板状部材を切断することにより、複数の分割部品に
    分割する工程と、 を包含する電子部品の製造方法。
13. 【請求項１３】 各分割部品の表面には、前記識別情報
    が記録されている請求項１２の電子部品の製造方法。
14. 【請求項１４】 各分割部品の表面には、各分割部品に
    固有の前記識別情報が記録されている請求項１３の電子
    部品の製造方法。