JP3455626B2 - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置Info
- Publication number
- JP3455626B2 JP3455626B2 JP05597796A JP5597796A JP3455626B2 JP 3455626 B2 JP3455626 B2 JP 3455626B2 JP 05597796 A JP05597796 A JP 05597796A JP 5597796 A JP5597796 A JP 5597796A JP 3455626 B2 JP3455626 B2 JP 3455626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding pad
- hole
- semiconductor device
- metal
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 70
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 44
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 claims 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
- B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
- B23K20/004—Wire welding
- B23K20/005—Capillary welding
- B23K20/007—Ball bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/06—Wiring by machine
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02123—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body inside the bonding area
- H01L2224/02125—Reinforcing structures
- H01L2224/02126—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8502—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
ディングパッドとこの半導体素子が収納されているパッ
ケージのリード等とを金属細線により接続する時に使用
される半導体装置の製造方法および製造装置に関する。
するために、この半導体素子はパッケージに収納されて
使用される。この時、半導体素子に電源を供給したり、
信号を入力または出力するために、半導体素子上のボン
ディングパッドと例えばパッケージのリード等の外部導
体とを電気的に接続する必要がある。このための1つの
方法が、ワイヤーボンディング法である。これは、複数
のリードが連結されている例えばリードフレーム上に半
導体素子を搭載し、この半導体素子上のボンディングパ
ッドとリードとを、例えばAlまたはAu等の金属細線
を用いて接続する方法である。
おける金属細線とボンディングパッドとの接続方法を示
す。この図は、ボンディングパッド装置の先端部分と半
導体素子のボンディングパッド領域とを拡大した断面図
である。半導体素子5上に、ボンディングパッド6が形
成されており、このボンディングパッド6上に金属細線
3を接着する工程を示している。
は、一般にキャピラリと呼ばれる接着ツール1の貫通孔
2に挿通されており、この貫通孔2の外部に突出した金
属細線3の先端部分は、例えば電気的スパーク等により
ボール4が形成されている。このボール4により、キャ
ピラリ1を移動させる間に、金属細線3が貫通孔2の内
側に引き込まれることを防止する。また、ボール4をボ
ンディングパッド6上に押し当てる時に、金属細線3と
ボンディングパッド6との接着面積を拡大して、接着強
度を増大することができる。
ラリ1を下降させて、ボンディングパッド6上にボール
4を接触させる。さらに、キャピラリ1を介してボンデ
ィングパッド5に熱あるいは超音波振動を加えると同時
に、キャピラリ1によりボール4をボンディングパッド
6上に押しつける。ここで、熱あるいは超音波振動によ
り、押し潰されたボール4aおよびボンディングパッド
6に新生面が形成され、この新生面同志が接触すること
により、金属細線3とボンディングパッド6とを接着す
ることができる。
法では、ボンディング時に、熱または超音波振動または
圧力等の外力が直接ボンディングパッド6に伝搬するた
め、ボンディングパッド6の近傍の半導体素子部分が損
傷を受ける可能性がある。例えば、ボンディングパッド
6とボンディングパッド6の下の絶縁膜7との界面にお
いて剥離が生じたり、ボンディングパッド6の下方の半
導体基板8に亀裂が発生する可能性がある。
がボンディング時に発生しない場合にも、ボンディング
時に受けた損傷に起因して、半導体装置を使用している
間に故障に至る可能性があり、十分な信頼性を確保する
ことが困難であるという問題があった。
導体装置の製造方法および製造装置では、熱および超音
波振動および圧力等の外力による損傷に起因して、ボン
ディングパッド近傍の半導体素子部分が損傷を受ける可
能性あるいは不良が発生する可能性があった。
ることのなく半導体素子のボンディングパッドと外部導
体との接続を行うことのできる半導体装置の製造方法お
よび製造装置を提供することである。
達成するために、本発明による半導体装置の製造装置
は、半導体素子のボンディングパッドとこのボンディン
グパッドと電気的に接続される外部導体とを接続する金
属細線を挿通する第1の貫通孔を有し、前記第1の貫通
孔の外部に突出した前記金属細線の先端部分を前記ボン
ディングパッドに接触させるボンディングツールを具備
する半導体装置の製造装置において、前記ボンディング
ツールは、前記第1の貫通孔を垂線とし、前記金属細線
と前記ボンディングパッドとを接触させた時のこの接触
点を頂点とする仮想の円錐面に沿って形成され、前記ボ
ンディングパッドと前記金属細線の先端部分とを接着す
る接着物を供給する第2の貫通孔を具備し、この第2の
貫通孔は、前記金属細線と前記ボンディングパッドとの
接触点に前記接着物が供給されるような方向に形成され
ていることを特徴とする。
て、前記円錐面を円周方向で分割するように形成されて
いる複数の前記第2の貫通孔を具備することも可能であ
る。また、前記の半導体装置の製造装置において、前記
円錐面の全面に形成されている溝状の前記第2の貫通孔
を具備することも可能である。
いて、前記第2の貫通孔から前記接着物として金属超微
粒子を噴射する手段を具備することも可能である。ま
た、前記の半導体装置の製造装置において、前記第2の
貫通孔から前記接着物として導電性ペーストを滴下する
手段を具備することも可能である。
て、前記導電性ペーストは、AuまたはPtを含有する
ことも可能である。また、本発明による半導体装置の製
造方法は、半導体素子のボンディングパッドとこのボン
ディングパッドと電気的に接続される外部導体とを金属
細線を用いて接続する半導体装置の製造方法において、
前記金属細線を挿通する第1の貫通孔を有するボンディ
ングツールの先端より前記金属細線の先端部分が突出す
るように前記金属細線を前記第1の貫通孔に挿通する工
程と、前記金属細線の突出した前記先端部分を前記ボン
ディングパッドに接触させる工程と、前記ボンディング
ツールに設けられた第2の貫通孔より前記金属細線の先
端部分と前記ボンディングパッドとの接触領域に金属微
粒子を供給してこの金属微粒子により前記金属細線の先
端部分と前記ボンディングパッドとを接着する工程を具
備することを特徴とする。
造装置では、ボンディングツールが、ボンディングパッ
ドと金属細線の先端部分とを接着する接着物を供給する
第2の貫通孔を具備しているため、ボンディングパッド
と金属細線の先端部分とを、この第2の貫通孔から供給
された接着物により接着することができる。これによ
り、ボンディングパッドと金属細線の先端部分とを接着
するために、熱または超音波振動等の外力を加える必要
がなくなるため、この外力によりボンディングパッド近
傍の半導体素子部分に損傷を与えることを防止すること
ができる。
ンディングパッドとの接触点に接着物が供給されるよう
な方向に形成されているため、第2の貫通孔から供給さ
れた接着物は金属細線とボンディングパッドとの接触点
近傍に供給されることにより、金属細線とボンディング
パッドとを確実に接着することができる。
孔を垂線とし、金属細線とボンディングパッドとが接触
した状態においてこの接触点を頂点とする仮想の円錐面
に沿って形成されている本発明による半導体装置の製造
装置では、第2の貫通孔から供給された接着物を金属細
線とボンディングパッドとの接触点近傍に供給すること
ができ、金属細線とボンディングパッドとを確実に接着
することができる。特に、第1の貫通孔と第2の貫通孔
との相対位置が固定されているため、第1の貫通孔より
供給される金属細線に対して、常に固定された位置に、
第2の貫通孔より供給される接着物を供給することがで
きる。
貫通孔を具備し、この複数の第2の貫通孔は円錐面を円
周方向で分割するように形成されている本発明による半
導体装置の製造装置では、接着物が複数箇所に供給さ
れ、さらに、金属細線の先端部分とボンディングパッド
との接触点の周囲に分割して供給されるため、金属細線
とボンディングパッドとの接着力を増大させることがで
きる。特に、複数の第2の貫通孔が円錐面を円周方向で
均等に分割するように形成されている場合には、接着物
が金属細線の先端部分とボンディングパッドとの接触点
の周囲に均等に供給されるため、望ましい。
に形成されている本発明による半導体装置の製造装置で
は、金属細線の先端とボンディングパッドとの接触点の
周囲に全体に接着物を供給することができるため、さら
に接着力を増大させることができる。
超微粒子を噴射する手段を具備する本発明による半導体
装置の製造装置では、噴出された金属超微粒子が第2の
貫通孔から、金属細線の先端部分とボンディングパッド
との接触点に向かって直線的に供給されるため、より正
確な位置に接着物である金属超微粒子を供給することが
できる。
性ペーストを滴下する手段を具備する本発明による半導
体装置の製造装置では、一般に導電性ペーストは流動性
が高いため、第2の貫通孔より供給された領域のみでな
く、金属細線の先端部分の影となる領域にも、この導電
性ペーストが回り込むことが可能である。このため、金
属細線の先端部分とボンディングパッドとの接触点の周
囲に全体に接着物を供給することができるため、接着力
を増大させることができる。
を含有する場合には、これらの貴金属が酸化しにくいた
め、金属細線とボンディングパッドとの接着部分の信頼
性を向上させることができる。
では、ボンディングツールに設けられた第1の貫通孔か
ら金属細線の先端部分を突出させて、この先端部分をボ
ンディングパッドに接触させた後に、ボンディングツー
ルに設けられた第2の貫通孔より金属細線の先端部分と
ボンディングパッドとの接触領域に接着物を供給してこ
の接着物により金属細線の先端部分とボンディングパッ
ドとを接着するため、ボンディングツールを介して金属
細線の先端部分に例えば熱または超音波振動等の外力を
加えることにより金属細線の先端部分とボンディングパ
ッドとを接着する従来の製造方法に比べて、ボンディン
グパッド近傍の半導体素子部分が外力により損傷を受け
ることを防止することができる。
て、接着物として金属微粒子を使用し、この金属微粒子
を第2の貫通孔から噴射することにより、金属細線の先
端部分とボンディングパッドとの接触領域に金属微粒子
を供給する場合には、金属微粒子を噴射により供給する
ため、方向性に優れており、接着物として金属微粒子を
常に安定した位置に供給することができるため、金属細
線とボンディングパッドとを確実に接着することができ
る。
て、図面を参照して説明する。図1(a)は、本発明に
よる半導体装置の製造装置の第1の実施の形態を示す断
面図で、そのキャピラリ部分とボンディングパッド近傍
の拡大図を示している。図1の(b)および(c)は、
このキャピラリをボンディングパッド側から見た下面図
である。
のキャピラリ1は、従来と同様に、金属細線3が挿通さ
れる貫通孔2を有しているが、従来と異なり、さらに、
第2の貫通孔12を有している。本発明においては、従
来の熱圧着あるいは超音波溶接に代えて、ボール4をボ
ンディングパッド6に接触させた状態で圧力を加えるこ
となく、これらの接触部の周囲に接着物を噴射または滴
下して供給し接着するものである。この第2の貫通孔1
2は、図1の(a)に示す実施の形態では2つ設けられ
ており、ボール4とボンディングパッド6とを接着する
ための接着物を噴射または滴下するために設けられたも
のである。このため、例えば図1の(a)に示すよう
に、第2の貫通孔12の中心線の延長線上に、例えばボ
ール4とボンディングパッド6との接触点が位置するよ
うに、第1の貫通孔2に対して第2の貫通孔12を配置
する。すなわち、第1の貫通孔2を垂線とし、ボール4
とボンディングパッド6との接触点を頂点とする円錐面
上に第2の貫通孔12は形成されている。このように、
本実施の形態によるキャピラリでは、第1の貫通孔2に
対する第2の貫通孔12の位置が固定されているため、
ボール4とボンディングパッド6との接触点に対して常
に固定された位置に接着物を供給することが可能とな
る。
(b)に示すように、第1の貫通孔2を中心とする円の
円周を均等に分割するような位置に配置することが望ま
しい。このようにすることにより、接着物を例えばボー
ル4の周囲に均等に分布させることができる。例えば、
接着物の流動性が高い場合には、例えば表面張力によ
り、ボール4とボンディングパッド6との間の狭い空間
に沿って接着物がボール4の周囲に均等に回り込むこと
が可能であるため、この第2の貫通孔12の個数は少な
くてよい。一方、接着物の流動性が低い場合には、接着
物がボール4の周囲に均等に回り込むことが困難である
ため、第2の貫通孔12の個数を多くする必要がある。
12を、貫通孔2を中心とする円を描くように、溝状に
形成することもできる。このような構造とすることによ
り、接着物を、例えばボール4の周囲に全体に均等に分
布させることが可能となる。特に、接着物の流動性が低
い場合には、前述のように、接着物がボール4の周囲に
回り込むことが困難である。このため、このような溝状
の構造とすることにより、接着物をボール4の周囲に分
布させて、ボール4とボンディングパッド6とを確実に
接着することができる。
属細線3をボンディングパッド6上に接着する方法につ
いて説明する。まず、従来と同様に、例えばAuまたは
Al等の金属細線3を、キャピラリ1に形成されている
第1の貫通孔2に挿通する。また、この貫通孔2の外部
に突出した金属細線3の先端部分に、例えば電気的スパ
ーク等によりボール4を形成する。
1を保持し、上下に移動させる機構を具備する保持具に
搭載させることができる。また、ボール4を形成せず
に、金属細線3のキャピラリ1に対する位置を固定する
治具を用いて、金属細線3が第1の貫通孔2の内部に引
き込まれることを防止することも可能である。
6に接触するまで、キャピラリ1を降下させる。図1の
(a)は、ボール4がボンディングパッド6に接触して
いる状態を示している。実際に実施する場合は、ボール
4がボンディングパッド6に接触していなくともボール
4がボンディングパッド6の近傍に位置していればよ
い。
ら、ボール4とボンディングパッド6との間の接触面に
向かって、接着物を噴射または滴下する。この接着物と
しては、例えば金属超微粒子または導電性ペースト等を
用いることができる。以下、これらの接着物を用いた接
着方法について、説明する。
えば加圧チャンバの中で例えばAu、Pt等の貴金属等
の金属原料を加熱し蒸発させることにより、金属超微粒
子を発生させる。また、キャピラリ1とボンディングパ
ッド6が形成されている半導体素子5とを、減圧チャン
バの内部に設置する。加圧チャンバと減圧チャンバと
は、キャピラリ1の第2の貫通孔12を介して接続され
ている。加圧チャンバの中で発生された金属超微粒子
は、加圧チャンバと減圧チャンバの圧力の差により、第
2の貫通孔12を通って、減圧チャンバ側へ移動され
て、第2の貫通孔12の先端部より、例えばボール4と
ボンディングパッド6との接触面に噴射される。さらに
噴射された金属超微粒子は、ボール4とボンディングパ
ッド6との間の空間領域に堆積されて、ボール4とボン
ディングパッド6とが接着される。第2の貫通孔12の
加圧チャンバ側と減圧チャンバ側の圧力の差が十分にあ
る場合には、キャピラリ1および半導体素子5は、減圧
チャンバの内部ではなく大気中に設置することも可能で
ある。
第2の貫通孔12との相対的な位置が固定されているた
め、金属超微粒子を、常に固定された位置に噴射するこ
とができる。さらに、金属超微粒子は、噴射により供給
されるため、第2の貫通孔12の先端部よりボンディン
グパッド6に向かって直線的に供給される。このため、
例えばボール4とボンディングパッド6との接触面に、
常に安定して接着物である金属超微粒子を供給すること
ができ、ボール4とボンディングパッド6と確実に接着
することができる。
金属超微粒子は、直線的に供給され、例えばボール4の
影となる部分に回り込むことが困難である。このため、
このような方法を用いる場合には、第2の貫通孔12
を、第1の貫通孔2を中心として対称的に複数個設ける
必要があり、さらに、その数は多い方が望ましい。また
は、図1の(c)に示すように、溝状の貫通孔12を設
けることが望ましい。
とボンディングパッド6との間の空間に金属超微粒子を
堆積することにより、ボール4とボンディングパッド6
とを接着するため、ボンディングパッド6に熱または超
音波振動等の外力を加える必要がない。このため、外力
によりボンディングパッド6近傍の半導体素子部分が損
傷を受けることを防止することができる。
いて説明する。この場合には、例えば溶剤中に例えばA
uまたはPt等の金属が含有されている導電性ペースト
を、第2の貫通孔12からボール4とボンディングパッ
ド6との接触面に向かって滴下する。ここで、導電性ペ
ーストの滴下は、導電性ペーストに圧力を加えることに
より行う。このため、導電性ペーストは、第2の貫通口
の方向に沿って、ボール4とボンディングパッド6との
接触面に向かって滴下される。この後、この滴下領域を
例えば150℃程度の温度で加熱して溶剤を除去する。
この加熱は、例えばボンディング装置に設置した加熱装
置により行うことが可能である。
は、金属を溶剤中に混合することにより構成される導電
性ペーストの流動性が高い。このため、ボンディングパ
ッド6上に滴下された導電性ペーストは、滴下された位
置に対して例えばボール4の裏側へ容易に回り込むこと
ができる。このように、接着物である導電性ペースト
が、ボール4とボンディングパッド6との間に均一に十
分に充填されることにより、ボール4とボンディングパ
ッド6との密着性を向上することができる。
合には、高温の熱処理、または超音波振動等の外力を与
える必要がない。従来のボンディング方法において必要
とされる加熱温度は例えば約300℃程度であるが、本
実施の形態において溶剤を除去するための加熱温度は、
例えば150℃程度で十分である。さらに、このような
加熱を必要としない導電性ペーストも開発されつつあ
る。このため、前述の金属微粒子の場合と同様に、ボン
ディングパッド6近傍の半導体素子部分が外力による損
傷を受けることを防止し、不良の発生を抑制することが
できる。
ストを使用した場合には、導電性ペーストが収縮しない
ため、この収縮による応力の発生を防止し、金属細線3
とボンディングパッド6との接着部分の不良の発生を防
止することができる。
成する材料として、例えばAuまたはPt等の貴金属を
用いた。これは、貴金属は酸化されにくいため、接着部
の信頼性を確保するためである。さらに、ボンディング
パッド6近傍に損傷を与えない導電性の接着物であれ
ば、他の材料を用いることも可能である。
は、従来のボンディング装置に搭載することが可能であ
る。このため、従来のボンディング装置に設けられてい
る加熱装置または加圧機構等を用いてボンディングを行
うことも可能である。ただし、これらの加熱、加圧等の
外力は、ボンディングパッド6近傍の半導体素子5部分
に損傷を与えない程度に抑制する必要がある。この範囲
内であれば、例えば加熱または加圧等を用いて、より接
着力を増強させることができる。
の製造方法および製造装置では、ボンディングパッド近
傍の半導体素子部分が損傷を受けることを防止すること
ができる。
す断面図および上面図。
図。
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体素子のボンディングパッドとこの
ボンディングパッドと電気的に接続される外部導体とを
接続する金属細線を挿通する第1の貫通孔を有し、前記
第1の貫通孔の外部に突出した前記金属細線の先端部分
を前記ボンディングパッドに接触させるボンディングツ
ールを具備する半導体装置の製造装置において、前記ボ
ンディングツールは、前記第1の貫通孔を垂線とし、前
記金属細線と前記ボンディングパッドとを接触させた時
のこの接触点を頂点とする仮想の円錐面に沿って形成さ
れ、前記ボンディングパッドと前記金属細線の先端部分
とを接着する接着物を供給する第2の貫通孔を具備し、
この第2の貫通孔は、前記金属細線と前記ボンディング
パッドとの接触点に前記接着物が供給されるような方向
に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造装
置。 - 【請求項2】 前記第2の貫通孔は、前記円錐面を円周
方向で分割するように複数個形成されている請求項1記
載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項3】 前記第2の貫通孔は、前記円錐面の全面
に沿って溝状に形成されている請求項1記載の半導体装
置の製造装置。 - 【請求項4】 前記第2の貫通孔から前記接着物として
金属超微粒子を噴射する手段を具備する請求項1乃至3
記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項5】 前記第2の貫通孔から前記接着物として
導電性ペーストを滴下する手段を具備する請求項1乃至
3記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項6】 前記導電性ペーストは、AuまたはPt
を含有する請求項5記載の半導体装置の製造装置。 - 【請求項7】 半導体素子のボンディングパッドとこの
ボンディングパッドと電気的に接続される外部導体とを
金属細線を用いて接続する半導体装置の製造方法におい
て、前記金属細線を挿通する第1の貫通孔を有するボン
ディングツールの先端より前記金属細線の先端部分が突
出するように前記金属細線を前記第1の貫通孔に挿通す
る工程と、前記金属細線の突出した前記先端部分を前記
ボンディングパッドに接触させる工程と、前記ボンディ
ングツールに設けられた第2の貫通孔より前記金属細線
の先端部分と前記ボンディングパッドとの接触領域に金
属微粒子を供給してこの金属微粒子により前記金属細線
の先端部分と前記ボンディングパッドとを接着する工程
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05597796A JP3455626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
TW086102665A TW333677B (en) | 1996-03-13 | 1997-03-05 | The wire bonding method for semiconductor device |
TW086219174U TW347909U (en) | 1996-03-13 | 1997-03-05 | Wiring apparatus for semiconductor apparatus |
KR1019970008138A KR100241206B1 (ko) | 1996-03-13 | 1997-03-11 | 반도체장치의 제조방법 및 제조장치 |
US08/815,844 US5992725A (en) | 1996-03-13 | 1997-03-12 | Apparatus and method for producing electronic elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05597796A JP3455626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09246311A JPH09246311A (ja) | 1997-09-19 |
JP3455626B2 true JP3455626B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=13014142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05597796A Expired - Fee Related JP3455626B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5992725A (ja) |
JP (1) | JP3455626B2 (ja) |
KR (1) | KR100241206B1 (ja) |
TW (2) | TW347909U (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6982478B2 (en) * | 1999-03-26 | 2006-01-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6278191B1 (en) * | 1999-05-28 | 2001-08-21 | National Semiconductor Corporation | Bond pad sealing using wire bonding |
JP2002064117A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンディング方法、ワイヤボンディング装置および半導体装置 |
JP4749617B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2011-08-17 | 三菱電機株式会社 | ストリップ接続装置 |
DE10156468A1 (de) * | 2001-11-16 | 2003-05-28 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiterbauelement und Verfahren zum Kontaktieren eines solchen Halbleiterbauelements |
US7337534B2 (en) * | 2005-04-07 | 2008-03-04 | Chi Ming Wong | SMD chip handling apparatus |
JP4760351B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-08-31 | 株式会社島津製作所 | 焦電センサの製造方法および焦電センサ |
DE102007019795B4 (de) * | 2007-04-26 | 2012-10-04 | Infineon Technologies Ag | Chipmodul und Verfahren zum Herstellen dieses Chipmoduls |
US9209147B1 (en) * | 2014-07-17 | 2015-12-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming pillar bump |
DE102016116499B4 (de) * | 2016-09-02 | 2022-06-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelemente |
DE102019106244B4 (de) | 2019-03-12 | 2020-10-01 | Endress+Hauser Flowtec Ag | Feldgerät der Prozessmesstechnik, Messaufnehmer und Verfahren zur Herstellung eines Messaufnehmers |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4919634B1 (ja) * | 1969-12-29 | 1974-05-18 | ||
US4315128A (en) * | 1978-04-07 | 1982-02-09 | Kulicke And Soffa Industries Inc. | Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices |
JPS58169918A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | ワイヤボンダ |
US4598855A (en) * | 1982-08-10 | 1986-07-08 | Bell Richard S | One-handed soldering gun |
JPS62176138A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPH07114218B2 (ja) * | 1991-01-09 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 微小箇所の電気接続方法及び該方法により形成された半導体装置 |
US5735451A (en) * | 1993-04-05 | 1998-04-07 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material |
-
1996
- 1996-03-13 JP JP05597796A patent/JP3455626B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-05 TW TW086219174U patent/TW347909U/zh unknown
- 1997-03-05 TW TW086102665A patent/TW333677B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-11 KR KR1019970008138A patent/KR100241206B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-03-12 US US08/815,844 patent/US5992725A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW347909U (en) | 1998-12-11 |
JPH09246311A (ja) | 1997-09-19 |
US5992725A (en) | 1999-11-30 |
KR100241206B1 (ko) | 2000-02-01 |
KR970067734A (ko) | 1997-10-13 |
TW333677B (en) | 1998-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3455626B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JPH0653390A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US5877079A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device and a method for mounting a semiconductor device for eliminating a void | |
JP2000036520A (ja) | フリップチップ実装方法及び装置 | |
JP3116412B2 (ja) | 半導体装置のバンプ電極形成方法、表示装置及び電子印字装置 | |
JPH11135714A (ja) | 半導体装置 | |
JPH08236578A (ja) | 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方 法に用いられる接着剤 | |
JP2001007157A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP3412672B2 (ja) | 半導体装置、およびこの半導体装置の製造方法 | |
JP3319269B2 (ja) | 電子部品接合方法 | |
JPH0586857B2 (ja) | ||
JP3959898B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP3372313B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPH11135925A (ja) | 電子部品の実装方法及び導電粒子の転写方法 | |
JPH05283461A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH05235103A (ja) | Ic実装方法 | |
JP3061017B2 (ja) | 集積回路装置の実装構造およびその実装方法 | |
JP2000012621A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4540216B2 (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
JPH11204590A (ja) | 電極板およびそれを用いた電子部品用通電検査装置 | |
JPH0590355A (ja) | ワイヤボンデイング方法及び装置 | |
JPH03185894A (ja) | 電極端子の相互接続方法 | |
JPH06260520A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2000243780A (ja) | ワイヤボンダ | |
JPH06232209A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |