JP3454033B2 - シリコンウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
およびその製造方法に係り、特に、ゲッタリング層とし
てだけでなく、オートドープ防止用保護膜としても機能
する、化学気相成長膜(CVD膜)、特にプラズマ化学
気相成長膜(プラズマCVD膜)を有するシリコンウェ
ーハおよびその製造方法に関する。さらに、このような
シリコンウェーハから得られるシリコンエピタキシャル
ウェーハにも関する。
の主面のうち、デバイスを作製する一主面(以下、主表
面と呼ぶ。)とは反対側の一主面(以下、裏面と呼
ぶ。)に薄膜を形成する技術には、主として2つの目的
がある。その1つは、重金属等の不純物のゲッタリング
層として利用するものであり、もう1つは、シリコンウ
ェーハにエピタキシャル成長を行う際に起こるオートド
ープの防止用保護膜として利用するものである。
ウェーハを用いてシリコンデバイスを作製する工程で発
生する重金属等の不純物を、デバイス領域となるシリコ
ンウェーハの主表面付近の領域外の部分に集める技術で
あり、これにより、重金属等の不純物によるデバイス特
性の劣化を防ぐことができ、作製するシリコンデバイス
の良品率を上げることができる。このゲッタリングの代
表的な手法の一つとして、例えば特開昭59−1863
31号公報に記載されているように、シリコンウェーハ
の裏面に減圧化学気相成長法(減圧CVD法)を用いて
多結晶シリコンを堆積してゲッタリング層とする手法が
ある。また、ゲッタリング能力を向上させるため、多結
晶シリコンに代わり、非晶質シリコンを堆積する手法も
提案されている(特開平4−2133号公報参照)。
ウェーハから、シリコンエピタキシャルウェーハを製造
する際に、シリコンウェーハ中に含まれていたドーパン
トが、主としてシリコンウェーハの裏面からエピタキシ
ャル成長を行う気相中に揮散し、エピタキシャル層に取
り込まれる現象のことである。このオートドープは、エ
ピタキシャル成長を行うシリコンウェーハの抵抗率が低
い場合、即ちドーパント濃度が高い場合に顕著に発生
し、ドーパント濃度が低いエピタキシャル層を成長させ
ると、遷移幅(エピタキシャル層とシリコンウェーハの
境界付近で、ドーパント濃度が遷移する領域の幅)が広
がってしまい、エピタキシャル層の抵抗率制御が困難と
なる。また、遷移幅の広いエピタキシャル層を持つシリ
コンウェーハを用いて作製したシリコンデバイスは設計
通りの特性を示さず不良となってしまう。
リコンウェーハにエピタキシャル成長を行う際には、こ
のようなオートドープを防ぐため、シリコンウェーハの
裏面にオートドープ防止用保護膜を形成する手法が一般
的に用いられており、その保護膜としては、主として、
常圧化学気相成長装置(常圧CVD装置)で成長させた
常圧酸化珪素膜(常圧CVD酸化膜)が使用されてい
る。
積化、高性能化が進んでいるが、シリコンデバイスの高
集積化、高性能化が進むにつれて、その材料であるシリ
コンウェーハのゲッタリング能力の向上と共にその持続
性の向上が求められている。しかしながら、上記多結晶
シリコンや非晶質シリコンを堆積してゲッタリング層と
した場合、ゲッタリング効果が期待できる元素は限られ
ており、ゲッタリング能力に限界がある。また、デバイ
ス作製中に熱処理を受けるに従って、多結晶シリコンや
非晶質シリコンの単結晶化が進んでしまい、ゲッタリン
グ能力が低下するといった、ゲッタリング能力の持続性
にも問題がある。
ンや非晶質シリコンのゲッタリング層を有するシリコン
ウェーハの主表面にシリコン単結晶をエピタキシャル成
長させる場合、多結晶シリコンや非晶質シリコンの中を
ドーパントは通過し易いので、特にエピタキシャル成長
を行うシリコンウェーハが高濃度のドーパントを有する
ものである場合には、シリコンウェーハの裏面に多結晶
シリコンや非晶質シリコンを堆積した後、さらにその上
に常圧CVD酸化膜を堆積することによりオートドープ
を防止する手法が採られているが、これらの堆積はそれ
ぞれ別個の工程で行われるために、コスト高となってし
まう。
り幅広い種類の元素をゲッタリングできる、優れたゲッ
タリング能力を有し、かつそのゲッタリング能力の持続
性に優れていて、しかもオートドープを防止することも
可能な薄膜を裏面に有するシリコンウェーハを低コスト
で提供することを目的とする。
て、化学気相成長法(CVD法)により、厚さ方向で成
分および/または組成が変化するCVD膜を形成するこ
とにより達成できることがわかった。すなわち、CVD
法によれば、厚さ方向で成分および/または組成が変化
するCVD膜を連続処理または単一工程で形成できる。
従って、成分が異なる複数の種類の層からなるCVD膜
や、組成が厚さ方向に連続的に変化するCVD膜を低コ
ストで形成できる。そしてこのような厚さ方向で成分お
よび/または組成が変化するCVD膜は、従来より幅広
い種類の元素をゲッタリングできると共に、ゲッタリン
グ能力の持続性が高い。また、オートドープを防止する
こともできる。さらに、このような厚さ方向で成分およ
び/または組成が変化するCVD膜は、厚さが比較的薄
くても、高いゲッタリング能力を有することもわかっ
た。
D膜が形成され、他方の一主面(主表面)が鏡面研磨さ
れているシリコンウェーハにおいて、CVD膜が、厚さ
方向で成分および/または組成が変化するものである、
ことを特徴とするシリコンウェーハである。本発明のシ
リコンウェーハにおいて、CVD膜の成分および/また
は組成は、SiOx(0≦x≦2)の範囲、SiN
z(0≦z<1.34)の範囲、または、SiOxNy
(0≦x≦2、0≦y<1.34)の範囲で変化するこ
とが好ましい。CVD膜がこのような成分および/また
は組成の範囲で変化する場合、特にゲッタリング能力と
オートドープ防止能力に優れたものとなるからであり、
かつ、このようなCVD膜を形成するために使用する原
料が入手し易いものであるからである。
おいては、好適には、CVD膜の成分および/または組
成が、厚さ方向でSiOx (0≦x≦2)の範囲で変化
する。これには、例えば、CVD膜が、i)非晶質シリ
コン層(SiOx のxが0である場合)と、SiO
x (0<x≦2、例えばx=2)層からなり、非晶質シ
リコン層とSiOx 層とが交互に、合わせて2層以上、
好ましくは3層以上積層されている場合(成分が変化す
る場合)、ii)SiOx 層からなり、xがCVD膜の
厚さ方向で0<x≦2の範囲で変動する場合(組成が変
化する場合)、iii)非晶質シリコン層と、xがCV
D膜の厚さ方向で0<x≦2の範囲で変動するSiOx
層からなり、非晶質シリコン層とSiOx 層とが交互
に、合わせて2層以上、好ましくは3層以上積層されて
いる場合(成分および組成が変化する場合、図2参照)
などがある。
コンウェーハにおいては、好適には、CVD膜の成分お
よび/または組成が、厚さ方向でSiNz (0≦z<
1.34)の範囲で変化する。これには、例えば、CV
D膜が、非晶質シリコン層(SiNz のzが0である場
合)と、SiNz (0<z<1.34、例えばz=1.
333)層からなり、非晶質シリコン層とSiNz 層と
が交互に、合わせて2層以上、好ましくは3層以上積層
されている場合(成分が変化する場合)がある。
コンウェーハにおいては、好適には、CVD膜の成分お
よび/または組成が、厚さ方向でSiOx Ny (0≦x
≦2、0≦y<1.34)の範囲で変化する。これに
は、例えば、CVD膜が、iv)非晶質シリコン層(S
iOx Ny のxおよびyがいずれも0である場合)と、
SiOx Ny (0<x≦2、0<y<1.34)層から
なり、非晶質シリコン層とSiOx Ny 層とが交互に、
合わせて2層以上、好ましくは3層以上積層されている
場合、v)非晶質シリコン層と、yがCVD膜の膜方向
で0<y<1.34の範囲で変動するSiNy 層と、一
つのSiOx (0<x≦2、例えばx=2)層からな
り、非晶質シリコン層とSiNy 層とが交互に、合わせ
て2層以上、好ましくは3層以上積層され、最も外側が
SiOx 層である場合(成分および組成が変化する場
合、図3参照)などがある。
ン層と、組成の変化するSiOx 層からなる場合(上記
iii)の場合)と、非晶質シリコン層と、組成の変化
するSiNy 層と、一つのSiOx 層からなる場合(上
記v)の場合)が、特に好ましい。より幅広い種類の元
素をゲッタリングでき、ゲッタリング能力が特に優れて
おり、また、非晶質シリコン層の単結晶化のスピードが
特に遅く、ゲッタリング能力の持続性に特に優れている
からである。さらに、CVD膜のほとんどが非晶質シリ
コンから形成されていて、OやNの比率が低い場合に
は、オートドープ防止効果を確実にするために、CVD
膜の最終積層部に、OやNの比率をできるだけ高めた層
を設けることが好ましい。
VD法により形成されたプラズマCVD膜である場合が
特に好ましい。プラズマCVD法によると、単一工程で
比較的容易にプラズマCVD膜を形成できるからであ
る。さらに、本発明は、上記シリコンウェーハの製造方
法において、シリコンウェーハの一主面に、CVD膜
を、CVD法によって連続処理または単一工程で、その
厚さ方向で成分および/または組成が変化するように形
成する、ことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法
である。CVD法によれば、厚さ方向で成分および/ま
たは組成が変化するCVD膜を、連続処理でまたは単一
工程で形成できる。そして、このようにCVD膜をその
厚さ方向で成分および/または組成が変化するように形
成することにより、ゲッタリング能力に優れ、かつその
持続性が高く、しかも、オートドープ防止効果も有する
シリコンウェーハが得られる。
方法は、シリコン単結晶棒をスライシングし、得られた
ウェーハに面取り加工、ラッピング、ケミカルエッチン
グそして鏡面研磨を施すことからなるが、本発明におい
て、CVD膜は、ケミカルエッチングの後に形成する
か、あるいは、片面または両面の鏡面研磨の後に形成す
る。主表面が鏡面研磨面である場合、CVD膜を、主表
面にCVD膜が回り込んで形成されないように、裏面に
形成することによって、その後に主表面を鏡面研磨しな
いで済む。
おけるCVD膜の堆積温度、堆積圧力、反応ガスの種類
とその流量比などの膜の成長条件を、目的に合わせて変
えることによって、連続処理または単一工程で、その厚
さ方向で成分および/または組成が変化するように形成
することができる。
の鏡面研磨されている一主面に、エピタキシャル成長さ
せたシリコン単結晶薄膜が形成されている、シリコンエ
ピタキシャルウェーハである。このようなシリコンエピ
タキシャルウェーハにおいては、遷移幅が狭く、エピタ
キシャル層の抵抗率が良好に制御されているので、この
ようなシリコンエピタキシャルウェーハを用いて作製し
たシリコンデバイスは設計通りの特性を示すものとな
る。
を用いて説明する。ここで図1は、本発明のシリコンウ
ェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造工
程の一例を示す図である。また、図2は、実施例1にお
いてシリコンウェーハの裏面に形成するCVD膜の厚さ
方向の組成および成分の変化を示す図である。さらに、
図3は、実施例2においてシリコンウェーハの裏面に形
成するCVD膜の厚さ方向の組成および成分の変化を示
す図である。
の作製方法により作製されたシリコンウェーハ1を用意
する(図1(a))。このシリコンウェーハとしては、
通常、鏡面研磨工程前のケミカルエッチングウェーハを
用いるが、片面または両面を鏡面研磨した鏡面研磨ウェ
ーハを用いてもよい。
CVD装置を用いて、CVD膜2を堆積する(図1
(b))。堆積するCVD膜の成分およびその組成は、
CVD膜の厚さ方向で変化させる。その際、非晶質シリ
コン層(Si)と、酸化珪素層(SiOx ;0<x≦
2)、窒化珪素層(SiNz ;0<z<1.34)およ
びシリコンオキシナイトライド層(SiOx Ny ;0<
x≦2、0<y<1.34)からの1種以上の層を組み
合わせるのが好ましく、さらに、1つの層の中で、x、
yまたはzをCVD膜の厚さ方向に変動させるのがより
好ましい。このようなCVD膜は、ゲッタリング能力お
よびオートドープ能力に優れていて、原料ガスが入手し
易いものであるからである。
堆積圧力、堆積時間および反応ガスの種類や流量比を目
的に合わせて装置にプログラミングすることにより、堆
積するCVD膜の厚さ方向で変化させることができ、従
って、厚さ方向で成分および組成が変化するCVD膜を
連続処理または単一工程でシリコンウェーハに堆積でき
る。その際、堆積するCVD膜の厚さは50〜500n
mの範囲にあるのが好ましく、堆積温度および堆積圧力
は、プラズマCVD装置の場合、それぞれ100〜45
0℃、0.1〜10torrが好ましい。
2を堆積した後、シリコンウェーハの主表面およびエッ
ジ部を鏡面研磨する(図1(c))。この際、鏡面研磨
するシリコンウェーハの主表面に堆積しているCVD膜
は、研磨速度が非常に速いために、簡単に除去でき、研
磨の際にシリコンウェーハの平坦度を損なうことがな
い。
ハとして、片面または両面を鏡面研磨した鏡面研磨ウェ
ーハを用い、そしてCVD膜を堆積する面の反対側の面
である主表面が鏡面研磨面である場合、鏡面研磨面にC
VD膜が回り込んで堆積しないように、CVD膜を裏面
に堆積することにより、CVD膜の堆積後に主表面を鏡
面研磨する工程を省略できる。以上の通りにすることに
よって、ゲッタリング能力の持続性に優れ、従来より幅
広い種類の元素に対してゲッタリング効果を有し、しか
もオートドープ防止効果をも有するゲッタリング層を持
つシリコンウェーハを得ることができる。また、膜堆積
を単一工程にすることにより低コストでの製造が可能と
なる。
ウェーハの主表面に、市販のエピタキシャル装置によ
り、シリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる
と、シリコンウェーハがドーパント濃度が高いものであ
る場合でも、シリコンウェーハからのオートドープがな
いために、エピタキシャル層の抵抗率制御が容易である
ので、設定通りの抵抗率を有するエピタキシャル層3を
有するシリコンエピタキシャルウェーハが得られる(図
1(d))。
ッタリング持続性およびエピタキシャル成長時のオート
ドープ防止能力を調べる。チョクラルスキー法により作
製されたシリコン単結晶棒(主面が(100)面、導電
型p型、抵抗率0.01Ω・cm)からのウェーハに、
面取り加工、ラッピング、ケミカルエッチングを施した
シリコンウェーハ(CZウェーハ)を4枚用意した。ま
た、フローティングゾーン法により作製されたシリコン
単結晶棒(主面が(100)面、導電型n型、抵抗率2
0Ω・cm)からのウェーハに、面取り加工、ラッピン
グ、ケミカルエッチングを施したシリコンウェーハ(F
Zウェーハ)を8枚用意した。そしてこれらのウェーハ
の一主面に、表1に示すように、以下の条件で、プラズ
マCVD膜(本発明例1および2)または多結晶シリコ
ン膜(比較例1)を形成するか、あるいはいずれの膜も
形成しなかった(比較例2)。
リコン膜を形成したウェーハの他方の一主面およびいず
れの膜も形成しなかったウェーハの任意の一主面を研磨
することにより、3種類のゲッタリング層を持つ鏡面シ
リコンウェーハ(本発明例1および2、比較例1)と、
ゲッタリング層を持たないリファレンス用の鏡面シリコ
ンウェーハ(比較例2)の計4種類のウェーハを各3枚
ずつ作製した。これらのシリコンウェーハについて、以
下のようにして、各ウェーハの持つゲッタリング能力お
よびその持続性と、エピタキシャル成長時のオートドー
プ防止能力を評価した。
クロム、ニッケル)イオンを含む溶液を塗布し、強制的
に汚染した後、1000℃で1時間の熱処理を行って、
重金属をウェーハ内部に拡散させた。その後、650℃
で10時間の熱処理を施した後、ゲッタリング層を除く
各シリコンウェーハ中の各重金属の濃度をDLTS法
(深い準位過渡分光法)およびICP−MS法(誘導結
合プラズマ質量分析法)を用いて測定した。そして、得
られた各重金属の濃度の測定値から、ゲッタリング層を
持たないウェーハ中の各重金属の濃度を基準に、各ゲッ
タリング層にゲッタリングされた各重金属の割合を算出
した。結果を表2にまとめた。
比較例1の多結晶シリコン膜では十分なゲッタリング効
果を得られない、クロムおよびニッケルに対しても、十
分なゲッタリング効果が得られること、従って、本発明
のプラズマCVD膜は、多結晶シリコン膜よりも優れた
ゲッタリング能力を有することがわかる。
た後、主表面に鉄イオンを含む溶液を塗布し、強制的に
汚染した後、1000℃で1時間の熱処理を行って、鉄
をウェーハ内部に拡散させた。その後、650℃で10
時間の熱処理を施した後、ゲッタリング層を除く各シリ
コンウェーハ中の鉄の濃度を測定した。そして、得られ
た鉄の濃度の測定値から、ゲッタリング層を持たないウ
ェーハ中の鉄の濃度を基準に、各ゲッタリング層にゲッ
タリングされた鉄の割合を算出した。結果を表3にまと
めた。
熱処理を受けた後でも、比較例1の多結晶シリコン膜に
比べて高いゲッタリング能力を有すること、即ち、ゲッ
タリング効果の持続性に優れていることがわかる。
防止能力 4種類のウェーハに、エピタキシャル装置を用いて、下
記条件により、エピタキシャル層を成長させた。成長温
度:1100℃、エピタキシャル層:膜厚10μm、抵
抗率:10Ω・cm、導電型:p型。なお、エピタキシ
ャル成長にあたっては、上記4種類のウェーハを、1枚
ずつ別のバッチで処理することにより、他の種類のウェ
ーハへオートドープの影響を及ぼさないように配慮し
た。
ーハの中心部分から3mm角のチップを切り出し、それ
ぞれのチップのエピタキシャル層の表面側を斜め研磨
し、広がり抵抗測定器を用いて、エピタキシャル層とシ
リコンウェーハとの境界付近の深さ方向の広がり抵抗分
布を測定し、遷移幅を求めた。結果を表4に示した。
するシリコンウェーハでは、多結晶シリコン膜を有する
シリコンウェーハよりも遷移幅が狭く、本発明のプラズ
マCVD膜は、ゲッタリング能力のみならず、エピタキ
シャル成長中のオートドープに対しても優れた防止能力
を有することがわかる。
施例に限定されるものではない。上記実施の形態および
実施例は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明
の技術的範囲に包含される。
してゲッタリング能力を有し、ゲッタリング能力の持続
性に優れ、しかもオートドープ防止効果を合わせ持つゲ
ッタリング層を有するシリコンウェーハを低コストで提
供でき、そのシリコンウェーハを用いると、遷移幅の小
さなエピタキシャルウェーハを提供できる。
およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造工程の一
例を示す図である。
形成するプラズマCVD膜の厚さ方向の組成および成分
の変化を示す図である。
形成するプラズマCVD膜の厚さ方向の組成および成分
の変化を示す図である。
タキシャル層。
Claims (10)
- 【請求項1】 一主面に化学気相成長膜が形成され、他
方の一主面が鏡面研磨されているシリコンウェーハにお
いて、化学気相成長膜が、厚さ方向で組成が連続的に変
化する層を有するものである、ことを特徴とするシリコ
ンウェーハ。 - 【請求項2】 前記化学気相成長膜が、厚さ方向で成分
が変化するものである、ことを特徴とする請求項1に記
載のシリコンウェーハ。 - 【請求項3】 前記化学気相成長膜の成分及び/または
組成が、SiOx(0≦x≦2)の範囲で変化する、こ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコ
ンウェーハ。 - 【請求項4】 前記化学気相成長膜の成分及び/または
組成が、SiNz(0≦z<1.34)の範囲で変化す
る、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の
シリコンウェーハ。 - 【請求項5】 前記化学気相成長膜の成分及び/または
組成が、SiOxNy(0≦x≦2、0≦y<1.3
4)の範囲で変化する、ことを特徴とする請求項1また
は請求項2に記載のシリコンウェーハ。 - 【請求項6】 前記化学気相成長膜がプラズマ化学気相
成長膜である、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれ
か1項に記載のシリコンウェーハ。 - 【請求項7】 請求項1ないし請求項6のいずれか1項
に記載のシリコンウェーハの製造方法において、シリコ
ンウェーハの一主面に、化学気相成長膜を、化学気相成
長法によって連続処理または単一工程で、その厚さ方向
で組成が連続的に変化するように形成する、ことを特徴
とするシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項8】 前記化学気相成長膜を、その厚さ方向で
成分が変化するように形成する、ことを特徴とする請求
項7に記載のシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項9】 化学気相成長膜を形成するシリコンウェ
ーハの一主面が、エッチング面または鏡面研磨面であ
る、ことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の
シリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項10】 請求項1ないし請求項6のいずれか1
項に記載のシリコンウェーハの鏡面研磨されている一主
面に、エピタキシャル成長させたシリコン単結晶薄膜が
形成されている、シリコンエピタキシャルウェーハ。
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US6715497B2 (en) * | 2001-01-02 | 2004-04-06 | International Business Machines Corporation | Treatment to eliminate polysilicon defects induced by metallic contaminants |
US6576501B1 (en) | 2002-05-31 | 2003-06-10 | Seh America, Inc. | Double side polished wafers having external gettering sites, and method of producing same |
SG114574A1 (en) * | 2002-09-25 | 2005-09-28 | Siltronic Singapore Pte Ltd | Two layer lto backside seal for a wafer |
JP2004327489A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 |
US7250358B2 (en) * | 2004-08-06 | 2007-07-31 | Globitech Incorporated | Wafer for preventing the formation of silicon nodules and method for preventing the formation of silicon nodules |
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JP5795461B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2015-10-14 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
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Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3663319A (en) * | 1968-11-20 | 1972-05-16 | Gen Motors Corp | Masking to prevent autodoping of epitaxial deposits |
JPS4929099B1 (ja) * | 1970-03-27 | 1974-08-01 | ||
DE3485808T2 (de) * | 1983-02-14 | 1993-03-04 | Memc Electronic Materials | Materialien fuer halbleitersubstrate mit moeglichkeit zum gettern. |
US4608096A (en) * | 1983-04-04 | 1986-08-26 | Monsanto Company | Gettering |
JPS59186331A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-23 | モンサント・コンパニ− | 半導体基質及び製法 |
US4662956A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-05 | Motorola, Inc. | Method for prevention of autodoping of epitaxial layers |
DE3717440A1 (de) * | 1987-05-23 | 1988-12-01 | Osaka Titanium | Halbleiter-plaettchen und verfahren zu seiner herstellung |
US4925809A (en) * | 1987-05-23 | 1990-05-15 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Semiconductor wafer and epitaxial growth on the semiconductor wafer with autodoping control and manufacturing method therefor |
JPH042133A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 結晶板 |
DK170189B1 (da) * | 1990-05-30 | 1995-06-06 | Yakov Safir | Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf |
US5296385A (en) * | 1991-12-31 | 1994-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Conditioning of semiconductor wafers for uniform and repeatable rapid thermal processing |
DE4304849C2 (de) * | 1992-02-21 | 2000-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
JPH06104268A (ja) * | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | ゲッタリング効果を持たせた半導体基板およびその製造方法 |
JP2908150B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | Soi基板構造及びその製造方法 |
JP2827885B2 (ja) * | 1994-02-12 | 1998-11-25 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶基板およびその製造方法 |
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