JP3452711B2 - 基板端縁処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト塗
布液、感光性ポリイミド樹脂、カラーフィルター用の染
色剤などの薄膜が表面に形成された液晶用のガラス基
板、フォトマスク用のガラス基板、あるいは半導体ウェ
ハなどの基板を対象とし、これら基板の端縁に形成され
た薄膜を取り除くための基板端縁処理装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば液晶表示器の製造工程にお
いて、表面にレジストの塗布された角形基板に対し、そ
の端縁に形成された不要薄膜を溶剤で溶解して除去する
処理が施される。不要薄膜を溶解除去する装置（基板端
縁処理装置）としては、特開平５−１７５１１７号公
報、特開平６−３４９７２９号公報、特開平７−３７８
０４号公報等に開示されたものが知られている。

【０００３】これらの公報に記載された装置は、水平姿
勢が維持された基板表面または表裏面の側端縁に溶剤を
供給する溶剤吐出ノズルと、これら溶剤吐出ノズルに対
応して設けられた溶剤を外方に吹き飛ばすガス噴射ノズ
ルと、吹き飛ばされた溶剤を捕捉して吸引する吸引手段
と、上記各溶剤吐出ノズルおよびガス噴射ノズルを基板
端縁に沿って移動または揺動させる移動機構とを備えて
形成されている。

【０００４】従って、基板の端縁部を上記溶剤吐出ノズ
ルおよびガス噴射ノズルに対向させた状態で溶剤および
ガスを供給しながらこれらノズルを移動機構の駆動によ
って基板端縁に沿って移動または揺動させることによ
り、側端縁に形成された不要薄膜は溶剤に順次溶解さ
れ、ガス噴射ノズルからの気流によって不要薄膜を溶か
した溶剤が吹き飛ばされて吸引手段に吸引され、基板の
端縁は薄膜が除去された状態になる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の基板
端縁処理装置においては、基板端縁処理を施す処理位置
と、基板から離間した待機位置との間で洗浄液吐出ノズ
ルと、ガス噴射ノズルとを移動させるようになってい
る。このため、待機位置において洗浄液吐出ノズルの洗
浄液吐出口から洗浄液の液滴が落下した場合、洗浄液吐
出口に対向して配置されたガス噴射ノズルのガス噴射口
に液滴が付着する。

【０００６】そして、ガス噴射口に液滴が付着した状態
で処理位置においてガス噴射ノズルからガスを噴射する
と、ガス噴射口に付着した液滴が吹き飛ばされ、細かな
液滴となって基板の裏面に付着し、基板を汚染するとい
う問題点が発生する。

【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、基板の裏面に洗浄液を付着
させることのない基板端縁処理装置を提供することを目
的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
表面に薄膜が形成された基板の端縁の不要薄膜を除去す
る基板端縁処理装置において、基板を水平姿勢で保持す
る基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板の表
面側端縁に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を備え
た洗浄液吐出ノズルと、基板の表面側端縁に供給された
洗浄液を吸引する吸引手段と、基板の裏面側端縁に付着
した洗浄液を基板の端縁より外方に吹き飛ばすガス噴射
口を備えたガス噴射ノズルと、ガス噴射口が洗浄液吐出
口に対して基板の中心側に位置するように洗浄液吐出ノ
ズルとガス噴射ノズルとを支持するノズル支持手段と、
基板端縁処理を施す処理位置と、基板から離間した待機
位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズルと吸引
手段とを一体的に進退させる進退手段が備えられ、 進退
手段は、洗浄液吐出ノズルが洗浄液を吐出する吐出位置
と、この吐出位置 より基板に対して後退した位置であ
り、かつガス噴射ノズルがガスを噴射する位置であるガ
ス噴射位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズル
とガス噴射ノズルと吸引手段とを一体的に進退させるよ
うに構成されていることを特徴とするものである。

【０００９】この発明によれば、基板を基板保持手段に
保持させた状態で洗浄液吐出ノズルの吐出口から洗浄液
を基板の表面側端縁に吐出することにより、基板端縁に
形成された不要薄膜は洗浄液に溶解する。上記洗浄液吐
出ノズルからの洗浄液の吐出に同期して吸引手段を駆動
させるとともに、ガス噴射ノズルからガスを噴射するこ
とにより、基板の裏面側端縁にまわり込んだ洗浄液はガ
ス噴射ノズルからの気流に吹き飛ばされ、不要薄膜を溶
解した洗浄液は吸引手段に吸引される。

【００１０】そして、上記ガス噴射口は上記洗浄液吐出
口に対して上下で相互に対向する位置よりも基板の中心
側に設けられ、これによってガス噴射口は洗浄液吐出口
に対向した状態になっていないため、待機位置において
洗浄液吐出ノズルの洗浄液吐出口から洗浄液の液滴が落
下しても、それがガス噴射ノズルのガス噴射口に付着す
ることはなく、ガス噴射口に付着した液滴が吹き飛ばさ
れ、細かな液滴となって基板の裏面に付着し、基板を汚
染するという従来の不都合を確実に防止し得るようにな
る。

【００１１】また、洗浄液吐出ノズルが洗浄液を吐出す
る吐出位置と、この吐出位置より基板に対して後退した
位置であり、かつガス噴射ノズルがガスを噴射する位置
であるガス噴射位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴
射ノズルと吸引手段とを一体的に進退させる進退手段と
を有しているため、進退手段によって洗浄液吐出ノズル
とガス噴射ノズルと吸引手段とを処理位置に移動させた
状態で、進退手段によって洗浄液吐出ノズル、ガス噴射
ノズルおよび吸引手段を進退させ、それらを洗浄液吐出
位置とガス噴射位置との間で往復動させることが可能に
なり、より木目の細かい確実な洗浄処理を施し得るよう
になる。

【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の基
板端縁処理装置において、複数のガス噴射ノズルが分割
されたガス噴射管にそれぞれ装着されていることを特徴
とするものである。

【００１３】この発明によれば、ガス噴射管が分割され
ているため、ガス噴射管内の圧力分布がより均等にな
り、これによってガス噴射ノズルによるガス噴射力のバ
ラツキが小さくなるため、基板の端縁の洗浄液を均等に
吹き飛ばすことが可能になり、液滴の残留が確実に防止
される。

【００１４】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の記載の基板端縁処理装置において、ガス噴射ノズ
ルが、ガス噴射管と、このガス噴射管の本体上部から上
方に突出した水平方向に延びる前方ノズル板と、この前
方ノズル板よりも高さ寸法が若干低い後方ノズル板とで
形成され、これら両ノズル板間に水平方向に延びるガス
噴射口が形成されていることを特徴とするものである。

【００１５】この発明によれば、前方ノズル板が基板の
裏面側端縁の先端に到達した時点で、その上縁部が基板
の裏面から垂下している残留液滴に接触し、それを掻き
取る状態になるため、基板の端縁は残留した洗浄液で汚
染されることが確実に防止される。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る基板端縁処
理装置の適用された基板処理装置の一例を示す概略平面
図であり、図２は、図１に示す基板処理装置の断面図で
ある。これらの図に示すように、基板処理装置１は、基
板Ｂの外周を囲繞する基板包囲容器２、この基板包囲容
器２内で基板Ｂを支持して回転させ、かつ、必要に応じ
て昇降させる基板支持機構３、この基板支持機構３に支
持された基板Ｂの表面に塗布液を供給する塗布液供給手
段４、および基板端縁処理装置５を備えた基本構成を有
している。

【００１７】上記基板Ｂとしては、液晶用のガラス基
板、フォトマスク用のガラス基板、あるいは半導体ウェ
ハ基板などを挙げることができる。また、塗布液として
は、フォトレジスト液、感光性ポリイミド樹脂、カラー
フィルター用の染色剤などが用いられる。そして、上記
基板端縁処理装置５は、基板Ｂの端縁に形成された上記
塗布液に起因する不要薄膜を除去するものである。

【００１８】上記基板包囲容器２は、上方が開放した偏
平な容器からなり、円形の底板２１、この底板２１の外
周縁部に径方向に延設された環状溝部２２、この環状溝
部２２の外周縁部から上窄みで斜め上方に突設された環
状堰部２３を具備している。上記環状溝部２２の底部は
底板２１より低位に位置設定されているとともに、上記
環状堰部２３の上縁部は底板２１よりも高位に位置設定
されている。そして、底板２１の上部にはこの環状堰部
２３に囲繞された基板収納空間２０が形成され、この基
板収納空間２０に処理すべき基板Ｂが収容されるように
なっている。

【００１９】上記環状溝部２２の適所にはドレンパイプ
２２１が接続されている。塗布液は、上記塗布液供給手
段４から基板Ｂに供給され、基板Ｂの回転で飛ばされた
余剰分が環状堰部２３に捕捉され、環状溝部２２に捕集
されたのち上記ドレンパイプ２２１を通って系外に排出
されるようになっている。

【００２０】上記基板支持機構３は、基板包囲容器２の
底板２１の中心部分を上下方向に貫通した支持軸３１、
この支持軸３１の上端部に固定された水平姿勢の回転支
持板３２、および上記支持軸３１の下部に設けられた回
転昇降機構３３（図２）を具備している。上記回転昇降
機構３３は、図略の駆動手段が内装され、この駆動手段
の駆動によって上記支持軸３１を回転させたり昇降させ
たりするものである。

【００２１】また、上記回転支持板３２は、その表面に
載置された基板Ｂを、周方向の移動が規制された状態で
支持するものであり、基板Ｂをこの回転支持板３２に対
して給排するときには、図２に実線で示すように上記回
転昇降機構３３の駆動による支持軸３１の上昇によって
上方位置に押し上げられ、基板Ｂを回転させるときには
図２に二点鎖線で示すように基板収納空間２０内の下部
に引き下げられるようになっている。そして基板Ｂは、
回転支持板３２の下降により基板収納空間２０内に装填
された状態で回転昇降機構３３の回転駆動によって回転
するようになっている。

【００２２】上記塗布液供給手段４は、基板包囲容器２
の近傍に立設された垂直軸４１、この垂直軸４１回りに
回動自在に軸支された回動アーム４２、およびこの回動
アーム４２の先端部に設けられた塗布液吐出ノズル４３
とを備えている。この塗布液吐出ノズル４３の吐出口は
下方に向けられている。上記回動アーム４２は、塗布液
吐出ノズル４３が回転支持板３２上の基板Ｂの中心部分
に対向した塗布液供給位置と、基板包囲容器２の脇にそ
れた待機位置とに切り換え可能になっている。また、上
記塗布液吐出ノズル４３には、塗布液タンク４４に貯留
されている塗布液が塗布液ポンプ４５の駆動によって供
給されるようにしている。

【００２３】上記基板処理装置１の構成によれば、先の
工程で所定の処理が施された基板Ｂを上方位置にある回
転支持板３２にセッティングし、その後、回転昇降機構
３３の駆動により回転支持板３２を下降させることによ
って回転支持板３２は図２に二点鎖線で示す下方位置に
下降し、これによって基板Ｂは基板収納空間２０内に装
填された状態になる。

【００２４】この状態で塗布液供給手段４（図１）の回
動アーム４２を垂直軸４１回りに時計方向に回動し、塗
布液吐出ノズル４３を基板Ｂの中心部分に対向させたの
ち、塗布液ポンプ４５を駆動して塗布液吐出ノズル４３
から塗布液を吐出させ、それを基板Ｂの表面の中心部分
に供給する。ついで回転昇降機構３３の駆動によって支
持軸３１を回転させる。そうすると、基板Ｂの表面に吐
出された塗布液は、遠心力によって基板Ｂの径方向に拡
散し、これによって基板Ｂの表面に塗布液の塗布による
均一な薄膜が形成された状態になる。

【００２５】そして、基板Ｂの縁部から外方に飛び出し
た余分な塗布液は、基板包囲容器２の環状堰部２３に捕
捉され、下方に流下して環状溝部２２内を流れ、ドレン
パイプ２２１から系外に導出される。そして、所定時間
経過後、基板Ｂの回転を停止し、回転昇降機構３３の駆
動によって支持軸３１を上昇させ、基板Ｂを上方位置に
押し上げる。この状態で基板Ｂの表面全面に塗布液の薄
膜が形成された状態になっている。

【００２６】図３は、基板処理装置１によって薄膜が形
成された直後の基板Ｂを示す一部切欠き斜視図である。
この図に示すように、基板処理装置１によって薄膜形成
処理が施された直後には、基板Ｂには、表面と端縁部と
裏面側縁部とに薄膜Ｂ０が形成された状態になってい
る。なお、基板Ｂの表面以外の端縁部および裏面側縁部
に薄膜が形成されるのは、基板Ｂの表面に供給された塗
布液がまわり込むからである。

【００２７】ところで、基板Ｂに形成される薄膜Ｂ０の
うち、実際に有効な部分は、一点鎖線で囲んだ中央部分
の有効薄膜Ｂ１だけであり、この有効薄膜Ｂ１の外方に
存在するものが、いわゆる不要薄膜Ｂ２である。

【００２８】この不要薄膜Ｂ２は、基板Ｂの表面側端縁
に形成された表面側不要薄膜Ｂ３と、基板Ｂの端縁部に
形成された端縁部不要薄膜Ｂ４と、基板Ｂの裏面側端縁
に形成された裏面側不要薄膜Ｂ５とからなり、いずれも
基板Ｂの機能には関わりはなく、逆にこのような不要薄
膜Ｂ２が存在した状態では、以後の基板Ｂの処理工程で
種々の不都合が生じることから、本発明に係る基板端縁
処理装置５で不要薄膜Ｂ２を洗浄除去するようにしてい
る。なお、本明細書では、上記表面側端縁と、端縁部
と、裏面側端縁とを合わせて端縁と呼んでいる。

【００２９】そして、上記基板端縁処理装置５は、図１
および図２に示すように、先端側が基板Ｂの端縁に外嵌
される互いに対向して設けられた一対のノズルデッキ５
１、および基板Ｂに対してこれらノズルデッキ５１を進
退させる一対のノズルデッキ進退手段５５を備えてい
る。このノズルデッキ進退手段５５は、ノズルデッキ５
１を、基板Ｂに洗浄処理を施す処理位置と、基板Ｂから
離間した待機位置との間で進退させるためのものであ
る。

【００３０】また、このノズルデッキ進退手段５５は、
後述する洗浄液吐出ノズル５３ａが洗浄液を吐出する洗
浄液吐出位置と、この位置よりも後退した位置であり、
ガス吐出ノズル５４ａがガスを噴射するガス噴射位置と
の間でのノズルデッキ５１の進退をも行い得るようにな
っている。

【００３１】かかるノズルデッキ進退手段５５は、先端
側がノズルデッキ５１に接続されたリンク機構５６と、
このリンク機構５６を動作させ、かつ、基板Ｂを平行に
揺動させ得る駆動部５７とから構成され、駆動部５７の
駆動によってリンク機構５６が所定のリンク運動を行う
ようになっている。

【００３２】上記各リンク機構５６は、等長の４本のリ
ンク腕５６ａの２本ずつが屈折可能に軸支されて形成さ
れている。これらリンク腕５６ａは、２本ずつの各々の
先端側がノズルデッキ５１に回動可能に軸支されている
とともに、基端側が駆動部５７に連結され、駆動部５７
の駆動による屈伸運動によって上方位置にある基板Ｂに
対して進退するようになっている。

【００３３】上記ノズルデッキ５１は、回転昇降機構３
３の駆動によって上方位置（塗布液供給位置）に位置し
た基板Ｂと同一の高さに設定されている。また、ノズル
デッキ５１は、その長さ寸法が基板Ｂの長辺よりも若干
長く設定され、上記ノズルデッキ進退手段５５による一
度の進退操作で基板Ｂ端縁の全長に亘って対応すること
ができるようになっている。

【００３４】図４は、ノズルデッキ５１の第１実施形態
を示す斜視図であり、図５は、その一部切欠き部分拡大
斜視図である。これらの図に示すように、ノズルデッキ
５１は、水平方向に延びる吸引管（吸引手段）５２、こ
の吸引管５２の前方（図４の左方）上部に平行に設けら
れた洗浄液供給管５３、および上記吸引管５２の前方下
部に上記洗浄液供給管５３に対向して設けられたガス噴
射管５４を有している。そして、上記ガス噴射管５４
は、洗浄液供給管５３よりも基板Ｂの中心寄りに突出さ
れている。本実施形態においては、上記吸引管５２が本
発明に係るノズル支持手段の役割を果たしている。

【００３５】上記洗浄液供給管５３は、その下部に長手
方向に亘って複数の洗浄液吐出口５３ｂ（図５）が等ピ
ッチで穿設されて形成された洗浄液吐出ノズル５３ａを
有しているとともに、上記ガス噴射管５４の上部には長
手方向に穿設された長孔状のガス噴射口５４ｂを有する
ガス噴射ノズル５４ａが装着されている。従って、上記
ガス噴射ノズル５４ａは、洗浄液吐出ノズル５３ａより
も基板Ｂの中心側に設けられた状態になっており、これ
によってガス噴射口５４ｂは洗浄液吐出口５３ｂよりも
基板Ｂの中心よりに位置した状態になっている。

【００３６】これら両ノズル５３ａ，５４ａの先端部間
に基板Ｂの端縁を離間状態で嵌挿し得る隙間が設けら
れ、この隙間によって吸引管５２内に向かう水平方向に
延びた長尺開口５８が形成されている。

【００３７】なお、本実施形態においては、ガス噴射ノ
ズル５４ａのガス噴射口５４ｂは長孔状に形成されてい
るが、本発明は、それが長孔状に形成されることに限定
されるものではなく、複数のガス噴射孔をガス噴射ノズ
ル５４ａの長手方向の全長に亘って並設してもよい。

【００３８】上記吸引管５２には、図１および図４に示
すように、その両側端底部に吸引支管５２ａが接続さ
れ、さらにこれら吸引支管５２ａには可撓管５２ｂが接
続されている。この可撓管５２ｂの下流端は所定の配管
およびバッファタンク５９ａを介して吸引ブロワ５９に
接続され、この吸引ブロワ５９の駆動によって外気が上
記長尺開口５８から吸引管５２内に吸引され、吸引支管
５２ａ、可撓管５２ｂ、バッファタンク５９ａおよび吸
引ブロワ５９を通って系外に導出されるようになってい
る。なお、上記バッファタンク５９ａは、吸引管５２に
よって吸引された吸引物を気液分離するためのものであ
り、ここで分離された溶剤は別途バッファタンク５９ａ
から抜き出され、溶剤の取り除かれた空気のみが吸引ブ
ロワ５９から系外に排出されるようにしている。

【００３９】本実施形態においては、上記吸引ブロワ５
９の直上流側には第１制御弁８１が設けられている。こ
の第１制御弁８１を閉止することによって、吸引ブロワ
５９を駆動した状態であっても、吸引管（溶解物吸引手
段）５２による吸引動作が停止されるようになってい
る。そして本実施形態では、基板処理装置１の稼働中は
吸引ブロワ５９は常に運転され、制御手段８０からの制
御信号による第１制御弁８１の開閉動作によって吸引管
５２による吸引および吸引停止の切り換えを行うように
している。

【００４０】また、溶剤供給管５３に溶剤を供給するた
めの溶剤タンク６１が設けられている。この溶剤タンク
６１には、内部に高圧窒素ガスＮを導入する窒素配管が
設けられ、この配管を介して溶剤タンク６１内に貯供給
される高圧窒素ガスＮの圧力によって溶剤が押し出さ
れ、これによって溶剤が塗布液吐出ノズル４３から吐出
されるようになっている。上記窒素配管にはレギュレー
タ６２が設けられているとともに、このレギュレータ６
２に圧力計６３が設けられ、この圧力計６３によって高
圧窒素ガスＮの圧力管理を行うようにしている。また、
上記溶剤タンク６１には内部が異常高圧になった場合に
開弁する安全弁６４が設けられ、これによって安全を期
している。

【００４１】本実施形態においては、溶剤タンク６１の
直下流側に第２制御弁８２が設けられ、この第２制御弁
８２を開閉操作することによって溶剤供給管５３への溶
剤の供給と供給停止との切り換え操作が行い得るように
している。そして本実施形態では、制御手段８０からの
制御信号による第２制御弁８２の開閉動作によって溶剤
供給管５３への溶剤の供給および供給停止の切り換えが
行われるようにしている。

【００４２】従って、ノズルデッキ５１の長尺開口５８
が基板Ｂの端縁に外嵌された状態で第２制御弁８２を開
通し、かつ、吸引ブロワ５９を駆動することにより、溶
剤タンク６１内の溶剤は溶剤供給管５３内に供給され、
溶剤吐出ノズル５３ａの吐出口５３ｂから基板Ｂの表面
側端縁に向けて吐出され、基板Ｂの不要薄膜Ｂ２を洗浄
したのち外気に同伴して吸引管５２内に吸引され、系外
に排出されることになる。

【００４３】上記ガス噴射管５４にはジョイント部材５
４ｃを介して吸引ホース７１が接続されているととも
に、この吸引ホース７１の上流端はガスボンベ７２に接
続されている。本実施形態ではガスボンベ７２内には高
圧窒素が封入されている。そして、基板Ｂの端縁を長尺
開口５８に嵌挿した状態でガスボンベ７２内のガスをガ
ス噴射管５４に供給することによりガスボンベ７２内の
ガスがガス噴射ノズル５４ａのガス噴射口５４ｂから吐
出され、これによって基板Ｂの裏面側端縁にまわり込ん
だ洗浄液が吹き飛ばされることになる。

【００４４】本実施形態においては、ガスボンベ７２の
直下流側に第３制御弁８３が設けられ、この第３制御弁
８３を開閉操作することによってガスの吐出と吐出停止
との切り換え操作が行い得るようにしている。そして本
実施形態では、制御手段８０からの制御信号により第３
制御弁８３の開閉動作を行うようにしている。

【００４５】上記洗浄液は、塗布液を溶解し得る溶剤が
用いられる。塗布液がフォトレジスト液である場合は、
洗浄液は、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類
や、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類や、トルエ
ン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素や、四塩化
炭素、トリクロルエチレン等のハロゲン化炭化水素など
が用いられる。また、塗布液が染色剤である場合は、洗
浄液は、３０〜６０℃の温湯や、メタノール、エタノー
ル、プロパノール等の低級アルコールや、アセトンなど
が用いられる。

【００４６】図６は、基板端縁処理装置５による基板端
縁処理の一例を示すタイムチャートである。また、図７
は、上記タイムチャートに対応した基板端縁処理装置５
の作用を説明するための説明図であり、（イ）はタイム
チャートのｔ１〜ｔ２時点の状態、（ロ）は同ｔ２〜ｔ
３時点の状態、（ハ）は同ｔ３〜ｔ４時点の前半の状
態、（ニ）は同ｔ３〜ｔ４時点の後半の状態、（ホ）は
同ｔ５時点以降の状態をそれぞれ示している。

【００４７】まず、図７の（イ）においては（ｔ１〜ｔ
２時点）、ノズルデッキ５１の前進によって基板Ｂの端
縁がノズルデッキ５１の長尺開口５８内に嵌挿され、制
御手段８０からの制御信号により第１制御弁８１（図
５）が開弁され、この開弁によって外気が吸引管５２に
吸引されている状態になっている。そしてｔ２時点にな
ると、図７の（ロ）に示すように、制御手段８０からの
制御信号によって第２制御弁８２（図５）が開弁され、
これによる洗浄液吐出口５３ｂから吐出された洗浄液に
よって基板Ｂの表面側端縁に形成されている表面側不要
薄膜Ｂ３が溶解される。

【００４８】溶解した不要薄膜を含む洗浄液は長尺開口
５８から吸引管５２内に向かう気流に同伴して吸引管５
２内に吸引される。これによって基板Ｂの表面側縁に形
成されていた表面側不要薄膜Ｂ３は除去される。また、
洗浄液吐出ノズル５３ａから吐出された洗浄液は、基板
Ｂの端縁部および裏面側端縁にもまわり込むため、これ
らの部分に形成されていた端縁部不要薄膜Ｂ４および裏
面側不要薄膜Ｂ５も除去される。しかしながら、この状
態では、基板の端縁部が気流の死角になっているため、
この部分に溶剤の液滴（端縁部液滴Ｂ６）が付着した状
態になる。この端縁部液滴Ｂ６は容易になくならない。

【００４９】ついで図６のタイムチャートのｔ３時点に
なると、図７の（ハ）に示すように、制御手段８０から
の制御信号によって第２制御弁８２（図５）が閉弁され
るとともに、第３制御弁８３が開弁される。これによっ
て洗浄液供給管５３からの洗浄液の吐出が停止されると
ともに、ガス噴射管５４の吐出口５４ｂからガスが噴射
される。この状態で制御手段８０からの制御信号によっ
てノズルデッキ進退手段５５（図１）を駆動させること
により白抜き矢印で示すように吸引管５２が後退を開始
する。

【００５０】そして、吸引管５２の後退によってガス噴
射口５４ｂが基板Ｂの端縁部に対向した位置に到達する
と、図７の（ニ）に示すように、ガス噴射口５４ｂから
噴射される噴射気流によって裏面側不要薄膜Ｂ５が吹き
飛ばされ、これによって従来除去し得なかった基板Ｂの
端縁部の液滴が除去される。そして、ｔ４時点になると
第３制御弁８３が閉弁され、これによってｔ３〜ｔ４時
点間は吸引管５２内に外気のみが吸引される状態にな
り、この間に洗浄後の基板Ｂ端縁の乾燥処理が施され
る。

【００５１】そして、ｔ５時点になると第１制御弁８１
が閉弁され、その後、吸引管５２が最後退位置にまで後
退され、図７の（ホ）に示すように、この時点では基板
Ｂの端縁には洗浄液の液滴がまったく残留していない状
態になり、基板Ｂの互いに対向した端縁の洗浄処理が済
まされる。その後、基板Ｂを９０°回転させて残りの２
辺の端縁の洗浄処理を同様に施すことにより、１枚の基
板Ｂの端縁処理が完了する。

【００５２】そして、洗浄液吐出口５３ｂとガス噴射口
５４ｂとは水平方向に位置ずれしているため、洗浄液吐
出口５３ｂからの洗浄液がガス噴射口５４ｂに向かうこ
とはなく、洗浄液がガス噴射口５４ｂから吐出されたガ
スに煽られたり、ガス噴射ノズル５４ａに衝突すること
がなく、これらに起因した洗浄液の跳ね返りなどによる
基板Ｂの汚染が確実に防止される。

【００５３】図８は、ノズルデッキ５１ａの第２実施形
態を示す斜視図である。この実施形態においては、ガス
噴射管５４０は、３分割された左方吸引管５４１、中央
吸引管５４２および右方吸引管５４３から形成されてい
る。これら各吸引管５４１，５４２，５４３は、それぞ
れ他とは独立したガス噴射ノズル５４ａおよびジョイン
ト部材５４ｃを有しており、各ジョイント部材５４ｃは
それぞれ吸引ホース７１を介してガスボンベ７２に接続
されている。その他の構成は第１実施形態のノズルデッ
キ５１と同様である。

【００５４】このノズルデッキ５１ａによれば、ガス噴
射管５４０が３分割されているため、ガス噴射管５４０
内の圧力分布がより均等になり、これによってガス噴射
ノズル５４ａによるガス噴射力のバラツキが小さくな
り、基板Ｂの端縁の洗浄液を均等に吹き飛ばすことが可
能になり、液滴の残留が確実に防止される。

【００５５】図９は、ノズルデッキ５１ｂの第３実施形
態を示す図であり、（イ）は斜視図、（ロ）は（イ）の
Ａ−Ａ線断面図であって、ノズルデッキ５１ｂが最先端
まで前進して基板Ｂの端縁に外嵌した状態、（ハ）は同
断面図であって、ノズルデッキ５１が引き戻されつつあ
る状態をそれぞれ示している。

【００５６】この実施形態のノズルデッキ５１ｂにおい
ては、ガス噴射ノズル５４４ａが、ガス噴射管５４４の
本体上部から上方に突出した水平方向に延びる前方ノズ
ル板５４４ｂと、この前方ノズル板５４４ｂよりも高さ
寸法が若干低い後方ノズル板５４４ｃとで形成され、こ
れら両ノズル板５４４ｂ，５４４ｃ間に水平方向に延び
るガス噴射口５４ｂが形成されている。

【００５７】そして、図９の（ロ）に示すように、上記
前方ノズル板５４４ｂは、ノズルデッキ５１ｂの前進に
より基板Ｂが長尺開口５８に嵌挿された状態で、その上
縁部が基板Ｂの裏面に近接するように寸法設定されてい
る。その他の構成は上記第１実施形態のノズルデッキ５
１と同じである。

【００５８】第３実施形態のノズルデッキ５１ｂによれ
ば、吸引管５２による基板Ｂの端縁に付着した洗浄液の
吸引を停止したのち吸引管５２を後退させると、図９の
（ハ）に示すように、前方ノズル板５４４ｂが基板Ｂの
裏面側端縁の先端に到達した時点で、その上縁部が基板
Ｂの裏面から垂下している裏面部残留液滴Ｂ７に接触
し、しかも吸引管５２の後退によってそれを掻き取る状
態になる。そして、前方ノズル板５４４ｂの上縁部で掻
き取られた裏面部残留液滴Ｂ７は、ガス噴射口５４ｂか
ら噴射されるガスによって吹き飛ばされるため、基板Ｂ
の端縁は残留した洗浄液で汚染されることが確実に防止
される。

【００５９】本発明は、上記の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の実施形態をも採用し得るものであ
る。 （１）上記の実施形態においては、ノズルデッキ５１，
５１ａ，５１ｂ，５１ｃは基板Ｂの長辺寸法よりも若干
長い長尺のものが採用されているが、かかる長尺のノズ
ルデッキを用いる代りに基板Ｂの辺よりも短いノズルデ
ッキを採用し、このノズルデッキを基板Ｂの端縁に沿っ
て移動させながら不要薄膜Ｂ２の除去処理を行うように
してもよい。 （２）上記の実施形態においては、洗浄液供給管５３は
基板Ｂの表面側端縁にのみ洗浄液を供給するようにして
いるが、基板Ｂの裏面側端縁を対象とした洗浄液供給管
を配設し、これによって基板Ｂの裏面にも洗浄液を供給
するようにしてもよい。こうすることによって基板Ｂの
裏面にまわり込んだ塗布液による裏面側不要薄膜Ｂ５が
確実に溶解される。 （３）上記の実施形態において、基板Ｂの端縁がノズル
デッキ５１の長尺開口５８にセットされた状態で、ノズ
ルデッキ５１を水平方向に基板Ｂの端縁に対して直交す
る方向や平行な方向に揺動させるようにしてもよい。こ
うすることにより、気流によって端縁部液滴Ｂ６に加わ
る力の方向が上記揺動に伴って変化し、端縁部液滴Ｂ６
が水平方向に振られることになるため、これによって端
縁部液滴Ｂ６はより吹き飛ばされ易くなる。 （４）上記実施形態の基板端縁処理装置５は、主に、フ
ォトレジスト塗布液、感光性ポリイミド樹脂、カラーフ
ィルター用の染色剤などの薄膜が表面に形成された液晶
用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、あるい
は半導体ウェハなどの基板Ｂの端縁に形成された不要薄
膜Ｂ２を取り除くために適用されるが、本発明はこのよ
うな不要薄膜除去のみの用途に限定されるものではな
く、現像前の基板Ｂの端縁に供給される現像液を洗浄液
とみなし、この現像液によって基板Ｂの端縁部分を現像
処理するいわゆる現像促進処理にも好適に適用可能であ
る。

【００６０】

【発明の効果】上記請求項１記載の基板端縁処理装置
は、基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、基板保
持手段に保持された基板の表面側端縁に向けて洗浄液を
吐出する洗浄液吐出口を備えた洗浄液吐出ノズルと、基
板の表面側端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手段
と、基板の裏面側端縁に付着した洗浄液を基板の端縁よ
り外方に吹き飛ばすガス噴射口を備えたガス噴射ノズル
と、ガス噴射口が洗浄液吐出口に対して基板の中心側に
位置するように洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズルとを
支持するノズル支持手段と、基板端縁処理を施す処理位
置と、基板から離間した待機位置との間で洗浄液吐出ノ
ズルと、ガス噴射ノズルと吸引手段とを一体的に移動さ
せる進退手段とを有するものであるため、基板を基板保
持手段に保持させた状態で洗浄液吐出ノズルの吐出口か
ら洗浄液を基板の表面側端縁に吐出することにより、基
板端縁に形成された不要薄膜は洗浄液に溶解する。上記
洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出に同期して吸引手
段を駆動させるとともに、ガス噴射ノズルからガスを噴
射することにより、基板の裏面側端縁にまわり込んだ洗
浄液はガス噴射ノズルからの気流に吹き飛ばされ、不要
薄膜を溶解した洗浄液は吸引手段に吸引される。

【００６１】そして、上記ガス噴射口は上記洗浄液吐出
口に対して上下で相互に対向する位置よりも基板の中心
側に設けられ、これによってガス噴射口は洗浄液吐出口
に対向した状態になっていないため、待機位置において
洗浄液吐出ノズルの洗浄液吐出口から洗浄液の液滴が落
下しても、それがガス噴射ノズルのガス噴射口に付着す
ることはなく、ガス噴射口に付着した液滴が吹き飛ばさ
れ、細かな液滴となって基板の裏面に付着し、基板を汚
染するという従来の不都合を確実に防止し得るようにな
る。

【００６２】また、洗浄液吐出ノズルが洗浄液を吐出す
る吐出位置と、この吐出位置より基板に対して後退した
位置であり、かつガス噴射ノズルがガスを噴射する位置
であるガス噴射位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴
射ノズルと吸引手段とを一体的に進退させる進退手段と
を備えているため、進退手段によって洗浄液吐出ノズル
とガス噴射ノズルと吸引手段とを処理位置に移動させた
状態で、進退手段によって洗浄液吐出ノズル、ガス噴射
ノズルおよび吸引手段を進退させ、それらを洗浄液吐出
位置とガス噴射位置との間で往復動させることが可能に
なり、より木目の細かい確実な洗浄処理を施し得るよう
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板端縁処理装置の適用された基
板処理装置の一例を示す略平面図である。

【図２】図１の基板処理装置の断面図である。

【図３】基板処理装置によって薄膜が形成された直後の
基板を示す一部切欠き斜視図である。

【図４】ノズルデッキの第１実施形態を示す斜視図であ
る。

【図５】図４に示すノズルデッキの一部切欠き部分拡大
斜視図である。

【図６】基板端縁処理装置による基板端縁処理の一例を
示すタイムチャートである。

【図７】図６のタイムチャートに対応した基板端縁処理
装置の作用を説明するための説明図であり、（イ）はタ
イムチャートのｔ１〜ｔ２時点の状態、（ロ）は同ｔ２
〜ｔ３時点の状態、（ハ）は同ｔ３〜ｔ４時点の前半の
状態、（ニ）は同ｔ３〜ｔ４時点の後半の状態、（ホ）
は同ｔ５時点以降の状態をそれぞれ示している。

【図８】ノズルデッキの第２実施形態を示す斜視図であ
る。

【図９】ノズルデッキの第３実施形態を示す図であり、
（イ）は斜視図、（ロ）および（ハ）は（イ）のＡ−Ａ
線断面図であって、（ロ）はノズルデッキが最先端まで
前進して基板の端縁に外嵌した状態、（ハ）は吸引管が
引き戻されつつある状態をそれぞれ示している。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 基板包囲容器 ２１ 底板 ２２ 環状溝部 ２３ 環状堰部 ３ 基板支持機構 ３１ 支持軸 ３２ 回転支持板 ３３ 回転昇降機構 ４ 塗布液供給手段 ４１ 垂直軸 ４２ 回動アーム ４３ 塗布液吐出ノズル ４４ 塗布液タンク ４５ 塗布液ポンプ ５ 基板端縁処理装置 ５１ ノズルデッキ ５２，５２１ 吸引管 ５３ 洗浄液供給管 ５３ａ 洗浄液吐出ノズル ５３ｂ 洗浄液吐出口 ５４，５４０，５４４ ガ
ス噴射管 ５４１ 左方吸引管 ５４２ 中央吸引管 ５４３ 右方吸引管 ５４ａ，５４４ａ ガス噴
射ノズル ５４４ｂ 前方ノズル板 ５４４ｃ 後方ノズル板 ５４ｂ ガス噴射口 ５４ｃ ジョイント部材 ５５ ノズルデッキ進退手段 ５６ リンク機構 ５６ａ リンク腕 ５７ 駆動部 ５８ 長尺開口 ５９ 吸引ブロワ ６１ 洗浄液タンク ６２ レギュレータ ７１ 吸引ホース ７２ ガスボンベ ８０ 制御手段 ８１ 第１制御弁 ８２ 第２制御弁 ８３ 第３制御弁 Ｂ 基板 Ｂ０ 薄膜 Ｂ１ 有効薄膜 Ｂ２ 不要薄膜 Ｂ３ 表面側不要薄膜 Ｂ４ 端縁部不要薄膜 Ｂ５ 裏面側不要薄膜 Ｂ６ 端縁部液滴 Ｂ７ 裏面部残留液滴

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−37804（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208948（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175117（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 H01L 21/306 H01L 21/308

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に薄膜が形成された基板の端縁の不
   要薄膜を除去する基板端縁処理装置において、 基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、 基板保持手段に保持された基板の表面側端縁に向けて洗
   浄液を吐出する洗浄液吐出口を備えた洗浄液吐出ノズル
   と、 基板の表面側端縁に供給された洗浄液を吸引する吸引手
   段と、 基板の裏面側端縁に付着した洗浄液を基板の端縁より外
   方に吹き飛ばすガス噴射口を備えたガス噴射ノズルと、 ガス噴射口が洗浄液吐出口に対して基板の中心側に位置
   するように洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズルとを支持
   するノズル支持手段と、 基板端縁処理を施す処理位置と、基板から離間した待機
   位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズルと吸引
   手段とを一体的に進退させる進退手段が備えられ、 進退手段は、洗浄液吐出ノズルが洗浄液を吐出する吐出
   位置と、この吐出位置より基板に対して後退した位置で
   あり、かつガス噴射ノズルがガスを噴射する位置である
   ガス噴射位置との間で洗浄液吐出ノズルとガス噴射ノズ
   ルとガス噴射ノズルと吸引手段とを一体的に進退させる
   ように構成されてい ることを特徴とする基板端縁処理装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板端縁処理装置におい
   て、複数のガス噴射ノズルが分割されたガス噴射管にそれぞ
   れ装着されてい ることを特徴とする基板端縁処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の記載の基板端縁
   処理装置において、 ガス噴射ノズルが、ガス噴射管と、このガス噴射管の本
   体上部から上方に突出した水平方向に延びる前方ノズル
   板と、この前方ノズル板よりも高さ寸法が若干低い後方
   ノズル板とで形成され、これら両ノズル板間に水平方向
   に延びるガス噴射口が形成されていることを特徴とする
   基板端縁処理装置。