JPH10294261A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH10294261A JPH10294261A JP10180297A JP10180297A JPH10294261A JP H10294261 A JPH10294261 A JP H10294261A JP 10180297 A JP10180297 A JP 10180297A JP 10180297 A JP10180297 A JP 10180297A JP H10294261 A JPH10294261 A JP H10294261A
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- JP
- Japan
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- cleaning
- spin chuck
- semiconductor wafer
- photoresist
- resist coating
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダの洗
浄に伴う稼働率低下を抑制したレジスト塗布装置を提供
する。 【解決手段】 レジスト塗布装置のスピンコート部１
に、スピンチャック１１を洗浄するブラシ５１ａと、ア
セトンおよびＮ2 ガスを噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部５１と、洗浄ヘッド部５１に接続する洗浄アー
ム５２と、洗浄アーム５２を垂直方向および水平方向に
移動させる駆動部５３と、アセトンの噴出制御、Ｎ2 ガ
スの噴出制御および駆動部５３の駆動制御をする制御部
５４とを有して構成される自動スピンチャック洗浄装置
５０を設ける。
浄に伴う稼働率低下を抑制したレジスト塗布装置を提供
する。 【解決手段】 レジスト塗布装置のスピンコート部１
に、スピンチャック１１を洗浄するブラシ５１ａと、ア
セトンおよびＮ2 ガスを噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部５１と、洗浄ヘッド部５１に接続する洗浄アー
ム５２と、洗浄アーム５２を垂直方向および水平方向に
移動させる駆動部５３と、アセトンの噴出制御、Ｎ2 ガ
スの噴出制御および駆動部５３の駆動制御をする制御部
５４とを有して構成される自動スピンチャック洗浄装置
５０を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレジスト塗布装置に
関し、さらに詳しくは、スピンコート部に、半導体ウェ
ハを真空吸着させるスピンチャックの自動洗浄機構を付
加したレジスト塗布装置に関する。
関し、さらに詳しくは、スピンコート部に、半導体ウェ
ハを真空吸着させるスピンチャックの自動洗浄機構を付
加したレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で用いられるレジ
スト塗布装置は、半導体ウェハを基板ホルダ、所謂スピ
ンチャックに載置し、その後半導体ウェハを真空吸着
（真空チャック）により吸着させた後、フォトレジスト
を滴下し、その後スピンチャックを高速回転させ、遠心
力でフォトレジストを広がらせ、半導体ウェハ上全面に
フォトレジストを均一に塗布する、所謂スピンコーティ
ング法を用いて半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布
する。
スト塗布装置は、半導体ウェハを基板ホルダ、所謂スピ
ンチャックに載置し、その後半導体ウェハを真空吸着
（真空チャック）により吸着させた後、フォトレジスト
を滴下し、その後スピンチャックを高速回転させ、遠心
力でフォトレジストを広がらせ、半導体ウェハ上全面に
フォトレジストを均一に塗布する、所謂スピンコーティ
ング法を用いて半導体ウェハ上にフォトレジストを塗布
する。
【０００３】一般のレジスト塗布装置は、露光装置と連
結されて使用され、フォトレジスト塗布前の半導体ウェ
ハは、半導体ウェハを多数収納したウェハキャリアが載
置されるローデング部のウェハキャリアからウェハ搬送
系により搬送されて、スピンコート部に送られ、更にス
ピンコート部よりフォトレジストのプレベーク部に送ら
れ、その後プレベーク部より露光装置へと送られる構成
となっている。このレジスト塗布装置におけるスピンコ
ート部の従来例を、図３および図４を参照して説明す
る。
結されて使用され、フォトレジスト塗布前の半導体ウェ
ハは、半導体ウェハを多数収納したウェハキャリアが載
置されるローデング部のウェハキャリアからウェハ搬送
系により搬送されて、スピンコート部に送られ、更にス
ピンコート部よりフォトレジストのプレベーク部に送ら
れ、その後プレベーク部より露光装置へと送られる構成
となっている。このレジスト塗布装置におけるスピンコ
ート部の従来例を、図３および図４を参照して説明す
る。
【０００４】レジスト塗布装置のスピンコート部１は、
図３に示すように、半導体ウェハ１０を真空チャック
し、モータ１３により回転するスピンチャック１１と、
スピンチャック１１と連結した回転軸１２と、モータ１
３と、半導体ウェハ１０を真空チャックするための排気
ポンプ１４と、スピンチャック１１外の周辺部に設置さ
れ、遠心力により飛散するフォトレジスト等を受けとる
カップ１５と、フォトレジストを半導体ウェハ１０上に
滴下する際、半導体ウェハ１０の中央上方部に移動して
くるフォトレジスト用ノズル１６で概略構成されてい
る。
図３に示すように、半導体ウェハ１０を真空チャック
し、モータ１３により回転するスピンチャック１１と、
スピンチャック１１と連結した回転軸１２と、モータ１
３と、半導体ウェハ１０を真空チャックするための排気
ポンプ１４と、スピンチャック１１外の周辺部に設置さ
れ、遠心力により飛散するフォトレジスト等を受けとる
カップ１５と、フォトレジストを半導体ウェハ１０上に
滴下する際、半導体ウェハ１０の中央上方部に移動して
くるフォトレジスト用ノズル１６で概略構成されてい
る。
【０００５】スピンチャック１１の表面構造は、図４に
示すように、円形の真空チャック溝部１１ｂとこの真空
チャック溝部１１ｂと交叉する十字状の真空チャック溝
部１１ｃが設けられ、この十字状の真空チャック溝部１
１ｃの中央がスピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ
に接続した構造となっている。半導体ウェハ１０のスピ
ンチャック１１への真空チャックは、排気管１８の途中
に設けられたバルブ１９が開き、スピンチャック１１表
面に設けられた真空チャック溝部１１ｂに接続している
スピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ、回転軸１２
の排気孔１２ａ、回転軸１２の周囲に、回転軸１２の回
転を妨げないように取り付けられたバキュームチャック
１７の排気孔１７ａおよび排気管１８を通した、排気ポ
ンプ１４の排気により行われる。
示すように、円形の真空チャック溝部１１ｂとこの真空
チャック溝部１１ｂと交叉する十字状の真空チャック溝
部１１ｃが設けられ、この十字状の真空チャック溝部１
１ｃの中央がスピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ
に接続した構造となっている。半導体ウェハ１０のスピ
ンチャック１１への真空チャックは、排気管１８の途中
に設けられたバルブ１９が開き、スピンチャック１１表
面に設けられた真空チャック溝部１１ｂに接続している
スピンチャック１１中心部の排気孔１１ａ、回転軸１２
の排気孔１２ａ、回転軸１２の周囲に、回転軸１２の回
転を妨げないように取り付けられたバキュームチャック
１７の排気孔１７ａおよび排気管１８を通した、排気ポ
ンプ１４の排気により行われる。
【０００６】カップ１５の底部には、飛散したフォトレ
ジストを集めて排出する廃液配管２０と、遠心力により
飛散したフォトレジストで、半導体ウェハ１０周辺の雰
囲気に浮遊するレジストやリンス液の微粒子が半導体ウ
ェハ１０に再付着するのを防止するため、半導体ウェハ
１０周辺の雰囲気を下方に流す、排気系の排気管２１と
が取り付けられている。
ジストを集めて排出する廃液配管２０と、遠心力により
飛散したフォトレジストで、半導体ウェハ１０周辺の雰
囲気に浮遊するレジストやリンス液の微粒子が半導体ウ
ェハ１０に再付着するのを防止するため、半導体ウェハ
１０周辺の雰囲気を下方に流す、排気系の排気管２１と
が取り付けられている。
【０００７】半導体ウェハ１０の上方にあるフォトレジ
スト用ノズル１６は、フォトレジスト用の配管２３を介
して、フォトレジストの滴下量を制御するバルブ２２に
接続されており、配管２３途中より分岐した場所には、
フォトレジストを半導体ウェハ１０上に滴下後、フォト
レジスト用ノズル１６先端のフォトレジストを供給側に
引き戻し、半導体ウェハ１０上へのフォトレジストのボ
タ落ちを防ぐためのサックバック部２４が接続されてい
る。
スト用ノズル１６は、フォトレジスト用の配管２３を介
して、フォトレジストの滴下量を制御するバルブ２２に
接続されており、配管２３途中より分岐した場所には、
フォトレジストを半導体ウェハ１０上に滴下後、フォト
レジスト用ノズル１６先端のフォトレジストを供給側に
引き戻し、半導体ウェハ１０上へのフォトレジストのボ
タ落ちを防ぐためのサックバック部２４が接続されてい
る。
【０００８】上記のレジスト塗布装置のスピンコート部
におけるフォトレジストの塗布動作は、まず半導体ウェ
ハ１０が、レジスト塗布装置の搬送系（図示省略）によ
って搬送され、スピンチャック１１上に載置される。次
に、排気管１８のバルブ１９が開き、半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１に真空チャックされる。その後、
配管２３に接続したフォトレジスト用ノズル１６が、駆
動部（図示省略）により水平方向に移動して、半導体ウ
ェハ１０の中央部上方に設置され、その後バルブ２２が
所定時間だけ開き、フォトレジスト用ノズル１６先端よ
り所定量のフォトレジストを半導体ウェハ１０中央部に
滴下する。フォトレジスト滴下後、自動的にサックバッ
ク部２４が動作して、フォトレジスト用ノズル１６先端
のフォトレジストを供給側に引き戻す。その後フォトレ
ジスト用ノズル１６は、駆動部（図示省略）により水平
方向に移動して、半導体ウェハ１０の中央部上方の位置
より元の位置に戻る。
におけるフォトレジストの塗布動作は、まず半導体ウェ
ハ１０が、レジスト塗布装置の搬送系（図示省略）によ
って搬送され、スピンチャック１１上に載置される。次
に、排気管１８のバルブ１９が開き、半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１に真空チャックされる。その後、
配管２３に接続したフォトレジスト用ノズル１６が、駆
動部（図示省略）により水平方向に移動して、半導体ウ
ェハ１０の中央部上方に設置され、その後バルブ２２が
所定時間だけ開き、フォトレジスト用ノズル１６先端よ
り所定量のフォトレジストを半導体ウェハ１０中央部に
滴下する。フォトレジスト滴下後、自動的にサックバッ
ク部２４が動作して、フォトレジスト用ノズル１６先端
のフォトレジストを供給側に引き戻す。その後フォトレ
ジスト用ノズル１６は、駆動部（図示省略）により水平
方向に移動して、半導体ウェハ１０の中央部上方の位置
より元の位置に戻る。
【０００９】次に、モータ１３によりスピンチャック１
１が回転し、半導体ウェハ１０上にほぼ均一な所定膜厚
のフォトレジストを塗布した後、スピンチャック１１の
回転が停止する。その後、排気管１８のバルブ１９が閉
じ、半導体ウェハ１０のスピンチャック１１による真空
チャックが解除される。更にその後、フォトレジストが
塗布された半導体ウェハは、レジスト塗布装置の搬送系
（図示省略）により、スピンコート部１よりプレベーク
部に搬送され、プレベーク後は、また搬送系により、露
光装置へと送られる。
１が回転し、半導体ウェハ１０上にほぼ均一な所定膜厚
のフォトレジストを塗布した後、スピンチャック１１の
回転が停止する。その後、排気管１８のバルブ１９が閉
じ、半導体ウェハ１０のスピンチャック１１による真空
チャックが解除される。更にその後、フォトレジストが
塗布された半導体ウェハは、レジスト塗布装置の搬送系
（図示省略）により、スピンコート部１よりプレベーク
部に搬送され、プレベーク後は、また搬送系により、露
光装置へと送られる。
【００１０】上述したスピンコート部１のスピンチャッ
ク１１に半導体ウェハ１０を真空チャックする際、スピ
ンチャック１１表面にダストやフォトレジスト等が付着
していると、半導体ウェハ１０の真空チャックが不完全
となり、スピンチャック１１が回転で半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１から離脱して、半導体ウェハ１０
を破損させたり、カップ１５に触れて半導体ウェハ１０
を汚染させたりする。また、ダストが固いものである
と、半導体ウェハ１０を真空チャックする際、半導体ウ
ェハ１０が割れてしまう虞もある。更に、スピンチャッ
ク１１表面に付着したフォトレジストが半導体ウェハ１
０裏面に転写される形で付着すると、ベルト搬送による
搬送系が使用される場合に搬送ベルトにフォトレジスト
が付着して、搬送系の故障の原因となったり、レジスト
塗布装置に接続された露光装置の搬送系等の故障の原因
となったりする。また、スピンチャック１１表面からの
半導体ウェハ１０裏面への汚染物は、後工程で半導体ウ
ェハ１０に拡散し、半導体装置の製造歩留を低下させる
という問題もある。従来、上述した様な問題発生を抑制
するため、スピンチャック１１をスピンコート部１より
取り外した後、スピンチャック１１を洗浄する方法が採
られているために、レジスト塗布装置の稼働率低下とい
う問題が発生する。
ク１１に半導体ウェハ１０を真空チャックする際、スピ
ンチャック１１表面にダストやフォトレジスト等が付着
していると、半導体ウェハ１０の真空チャックが不完全
となり、スピンチャック１１が回転で半導体ウェハ１０
がスピンチャック１１から離脱して、半導体ウェハ１０
を破損させたり、カップ１５に触れて半導体ウェハ１０
を汚染させたりする。また、ダストが固いものである
と、半導体ウェハ１０を真空チャックする際、半導体ウ
ェハ１０が割れてしまう虞もある。更に、スピンチャッ
ク１１表面に付着したフォトレジストが半導体ウェハ１
０裏面に転写される形で付着すると、ベルト搬送による
搬送系が使用される場合に搬送ベルトにフォトレジスト
が付着して、搬送系の故障の原因となったり、レジスト
塗布装置に接続された露光装置の搬送系等の故障の原因
となったりする。また、スピンチャック１１表面からの
半導体ウェハ１０裏面への汚染物は、後工程で半導体ウ
ェハ１０に拡散し、半導体装置の製造歩留を低下させる
という問題もある。従来、上述した様な問題発生を抑制
するため、スピンチャック１１をスピンコート部１より
取り外した後、スピンチャック１１を洗浄する方法が採
られているために、レジスト塗布装置の稼働率低下とい
う問題が発生する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した半
導体製造装置における問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハを真空チャ
ックするスピンチャックの洗浄に伴う稼働率低下を抑制
したレジスト塗布装置を提供することを目的とする。
導体製造装置における問題点を解決することをその目的
とする。即ち本発明の課題は、半導体ウェハを真空チャ
ックするスピンチャックの洗浄に伴う稼働率低下を抑制
したレジスト塗布装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト塗布装
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダを有するレ
ジスト塗布装置において、基板ホルダを洗浄するブラシ
と、洗浄液および気体を噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部と、洗浄ヘッド部に接続する洗浄アームと、洗
浄アームを垂直方向および水平方向に移動させる駆動部
と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆動部の
駆動制御をする制御部とを有して構成される自動スピン
チャック洗浄装置を有することを特徴とするものであ
る。
置は、上述の課題を解決するために提案するものであ
り、半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダを有するレ
ジスト塗布装置において、基板ホルダを洗浄するブラシ
と、洗浄液および気体を噴出させる噴出口を有する洗浄
ヘッド部と、洗浄ヘッド部に接続する洗浄アームと、洗
浄アームを垂直方向および水平方向に移動させる駆動部
と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆動部の
駆動制御をする制御部とを有して構成される自動スピン
チャック洗浄装置を有することを特徴とするものであ
る。
【００１３】本発明によれば、レジスト塗布装置のスピ
ンチャックを洗浄する、上述した自動スピンチャック洗
浄装置によるスピンチャック洗浄が、自動的に行えるの
で、従来のようにスピンチャックをスピンコート部より
取り外した後、スピンチャックを洗浄する作業を行う必
要がない。従ってレジスト塗布装置の稼働率が向上す
る。また、上述した自動スピンチャック洗浄手段によ
り、スピンチャックの洗浄を定期的に行えば、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。
ンチャックを洗浄する、上述した自動スピンチャック洗
浄装置によるスピンチャック洗浄が、自動的に行えるの
で、従来のようにスピンチャックをスピンコート部より
取り外した後、スピンチャックを洗浄する作業を行う必
要がない。従ってレジスト塗布装置の稼働率が向上す
る。また、上述した自動スピンチャック洗浄手段によ
り、スピンチャックの洗浄を定期的に行えば、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３および図４中の構成部分と同様の
構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図３および図４中の構成部分と同様の
構成部分には、同一の参照符号を付すものとする。
【００１５】本実施の形態例は、半導体ウェハを真空吸
着する基板ホルダを有するレジスト塗布装置に本発明を
適用した例であり、これを図１および図２を参照して説
明する。ここで、図１はレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１の概略図で、図２は、自動スピンチャック洗浄装
置５０の洗浄ヘッド部５１の概略図で、図２（ａ）は洗
浄ヘッド部５１の概略断面図、図２（ｂ）は、洗浄ヘッ
ド部５１を下方より見た、概略平面図である。まず、レ
ジスト塗布装置のスピンコート部１の基本構成は、図１
に示すように、従来例のレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１とほぼ同様なので、同様な部分の説明は省略し、
特徴部分の説明を詳述する。
着する基板ホルダを有するレジスト塗布装置に本発明を
適用した例であり、これを図１および図２を参照して説
明する。ここで、図１はレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１の概略図で、図２は、自動スピンチャック洗浄装
置５０の洗浄ヘッド部５１の概略図で、図２（ａ）は洗
浄ヘッド部５１の概略断面図、図２（ｂ）は、洗浄ヘッ
ド部５１を下方より見た、概略平面図である。まず、レ
ジスト塗布装置のスピンコート部１の基本構成は、図１
に示すように、従来例のレジスト塗布装置のスピンコー
ト部１とほぼ同様なので、同様な部分の説明は省略し、
特徴部分の説明を詳述する。
【００１６】スピンチャック１１上に載置させた半導体
ウェハを真空チャックするための排気系は、スピンチャ
ック１１の排気孔１１ａと、回転軸１２の排気孔１２ａ
と、バキュームチャック１７の排気孔１７ａと、排気管
１８と、バルブ１９および排気ポンプ１４にて構成され
ているが、この排気系の排気孔１７ａとバルブ１９間の
排気管１８には、スピンチャック１１表面の洗浄時にス
ピンチャック１１の排気孔１１ａより上方に気体、例え
ばＮ2 ガスを放出させるための配管３１が接続され、こ
の配管３１の途中にはバルブ３０が設けられている。
ウェハを真空チャックするための排気系は、スピンチャ
ック１１の排気孔１１ａと、回転軸１２の排気孔１２ａ
と、バキュームチャック１７の排気孔１７ａと、排気管
１８と、バルブ１９および排気ポンプ１４にて構成され
ているが、この排気系の排気孔１７ａとバルブ１９間の
排気管１８には、スピンチャック１１表面の洗浄時にス
ピンチャック１１の排気孔１１ａより上方に気体、例え
ばＮ2 ガスを放出させるための配管３１が接続され、こ
の配管３１の途中にはバルブ３０が設けられている。
【００１７】スピンチャック１１を洗浄する自動スピン
チャック洗浄装置５０は、洗浄ヘッド部５１と、洗浄ヘ
ッド部５１に接続する洗浄アーム部５２と、洗浄アーム
部５２を垂直方向および水平方向に回転移動させる駆動
部５３と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆
動部の駆動制御をする制御部５４とで概略構成されてい
る。洗浄ヘッド部５１には、洗浄液供給部（図示省略）
よりフォトレジスト等を溶解する洗浄液、例えばアセト
ンを送る、配管５５が接続されており、この配管５５の
途中には、制御部５４によって制御されるバルブ５６が
設けられている。また、洗浄ヘッド部５１に気体、例え
ばＮ2 ガスを送り込むための配管５７が、洗浄ヘッド部
５１とバルブ５６との間の配管５５に接続する形で設け
られ、この配管５７の途中には、制御部５４によって制
御されるバルブ５８が設けられている。
チャック洗浄装置５０は、洗浄ヘッド部５１と、洗浄ヘ
ッド部５１に接続する洗浄アーム部５２と、洗浄アーム
部５２を垂直方向および水平方向に回転移動させる駆動
部５３と、洗浄液の噴出制御、気体の噴出制御および駆
動部の駆動制御をする制御部５４とで概略構成されてい
る。洗浄ヘッド部５１には、洗浄液供給部（図示省略）
よりフォトレジスト等を溶解する洗浄液、例えばアセト
ンを送る、配管５５が接続されており、この配管５５の
途中には、制御部５４によって制御されるバルブ５６が
設けられている。また、洗浄ヘッド部５１に気体、例え
ばＮ2 ガスを送り込むための配管５７が、洗浄ヘッド部
５１とバルブ５６との間の配管５５に接続する形で設け
られ、この配管５７の途中には、制御部５４によって制
御されるバルブ５８が設けられている。
【００１８】洗浄ヘッド部５１は、図２（ａ）および図
２（ｂ）に示すように、スピンチャック１１の半径より
少し大きい長辺を持つ、中空部を持つ直方体状の噴出部
５１ｂと、噴出部５１ｂに取り付けられた洗浄用のフッ
素樹脂製繊維によるブラシ、例えばテフロン製繊維によ
るブラシ５１ａと、洗浄液、又はＮ2 ガスが送られてく
る配管５５と接続する配管部５１ｃとで構成されてい
る。直方体状の噴出部５１ｂは、図２（ｂ）に示すよう
に、噴出部５１ｂの洗浄用のブラシ５１ａが噴出部５１
ｂの長辺に沿って取り付けられていて、この洗浄用のブ
ラシ５１ａに平行する形で、口径の小さな複数の噴出口
５１ｄが設けられている。なお、洗浄ヘッド部５１の下
方にあるスピンチャック１１の回転方向、例えば図２
（ｂ）に示す矢印Ｃの回転方向とした時、噴出部５１ｂ
とブラシ５１ａとの位置関係は矢印Ｃ方向に噴出部５１
ｂ、次にブラシ５１ａの順とする。
２（ｂ）に示すように、スピンチャック１１の半径より
少し大きい長辺を持つ、中空部を持つ直方体状の噴出部
５１ｂと、噴出部５１ｂに取り付けられた洗浄用のフッ
素樹脂製繊維によるブラシ、例えばテフロン製繊維によ
るブラシ５１ａと、洗浄液、又はＮ2 ガスが送られてく
る配管５５と接続する配管部５１ｃとで構成されてい
る。直方体状の噴出部５１ｂは、図２（ｂ）に示すよう
に、噴出部５１ｂの洗浄用のブラシ５１ａが噴出部５１
ｂの長辺に沿って取り付けられていて、この洗浄用のブ
ラシ５１ａに平行する形で、口径の小さな複数の噴出口
５１ｄが設けられている。なお、洗浄ヘッド部５１の下
方にあるスピンチャック１１の回転方向、例えば図２
（ｂ）に示す矢印Ｃの回転方向とした時、噴出部５１ｂ
とブラシ５１ａとの位置関係は矢印Ｃ方向に噴出部５１
ｂ、次にブラシ５１ａの順とする。
【００１９】洗浄アーム５２は、洗浄ヘッド部５１を支
持し、洗浄アーム５２の駆動部５３に接続していて、駆
動部５３により、矢印Ａに示すような垂直移動と矢印Ｂ
に示すような水平方向の回転移動をする。
持し、洗浄アーム５２の駆動部５３に接続していて、駆
動部５３により、矢印Ａに示すような垂直移動と矢印Ｂ
に示すような水平方向の回転移動をする。
【００２０】次に、本発明の実施の形態例のレジスト塗
布装置における、スピンコート部１の動作について説明
する。まず、半導体ウェハへのフォトレジスト塗布前
に、スピンチャック１１の洗浄を行う。この洗浄動作
は、まずモータ１３を回転させ、Ｎ2 ガスの配管３１に
取り付けられたバルブ３０を開けて、Ｎ2 ガスをスピン
チャック１１の排気孔１１ａよりスピンチャック１１表
面の上方に放出させる。このＮ2 ガスのスピンチャック
１１表面上方への放出により、後述する洗浄ヘッド部５
１によるスピンチャック１１の洗浄時に、真空チャック
の排気系である、排気口１１ａ、１２ａや排気管１８等
にアセトン等の洗浄液の流入を防止する。
布装置における、スピンコート部１の動作について説明
する。まず、半導体ウェハへのフォトレジスト塗布前
に、スピンチャック１１の洗浄を行う。この洗浄動作
は、まずモータ１３を回転させ、Ｎ2 ガスの配管３１に
取り付けられたバルブ３０を開けて、Ｎ2 ガスをスピン
チャック１１の排気孔１１ａよりスピンチャック１１表
面の上方に放出させる。このＮ2 ガスのスピンチャック
１１表面上方への放出により、後述する洗浄ヘッド部５
１によるスピンチャック１１の洗浄時に、真空チャック
の排気系である、排気口１１ａ、１２ａや排気管１８等
にアセトン等の洗浄液の流入を防止する。
【００２１】次に、制御部５４によりスピンチャック１
１の洗浄開始の指示を出す。洗浄開始の指示で、制御部
５４より駆動部５３に信号が送られ、駆動部５３が動作
して、洗浄アーム５２を水平方向に回転移動（矢印Ｂの
移動）し、スピンコート部１のカップ１５の外側にあっ
た洗浄ヘッド部５１がスピンチャック１１の上方に移動
し、その後洗浄アーム５２が下方向に移動（矢印Ａの移
動）する。上記の洗浄アーム５２の下方向の移動が開始
されると、洗浄ヘッド部５１にアセトンを送り込む配管
５５のバルブ５６を開くための信号が制御部５４よりバ
ルブ５６に送られ、バルブ５６が開いて、洗浄ヘッド部
５１の噴出口５１ｄよりアセトンがスピンチャック１１
表面に向かって噴出し始める。
１の洗浄開始の指示を出す。洗浄開始の指示で、制御部
５４より駆動部５３に信号が送られ、駆動部５３が動作
して、洗浄アーム５２を水平方向に回転移動（矢印Ｂの
移動）し、スピンコート部１のカップ１５の外側にあっ
た洗浄ヘッド部５１がスピンチャック１１の上方に移動
し、その後洗浄アーム５２が下方向に移動（矢印Ａの移
動）する。上記の洗浄アーム５２の下方向の移動が開始
されると、洗浄ヘッド部５１にアセトンを送り込む配管
５５のバルブ５６を開くための信号が制御部５４よりバ
ルブ５６に送られ、バルブ５６が開いて、洗浄ヘッド部
５１の噴出口５１ｄよりアセトンがスピンチャック１１
表面に向かって噴出し始める。
【００２２】洗浄アーム５２が下方向に移動し、洗浄ヘ
ッド部５１のブラシ５１ａがスピンチャック１１に接す
る位置で、洗浄アーム５２の下方向への移動は停止す
る。この状態において、回転しているスピンチャック１
１表面は、アセトン溶液とブラシ５１ａにより洗浄が行
われる。アセトン溶液とブラシ５１ａによる所定時間の
洗浄後、制御部５４より信号が駆動部５３に送られ、駆
動部５３が動作し、洗浄アーム５２が上方向に移動（矢
印Ａの移動）する。この洗浄アーム５２の上方向への移
動が開始し、ブラシ５１ａがスピンチャック１１から離
れると、制御部５４よりバルブ５６およびバルブ５８に
信号が送られ、バルブ５６が閉じ、バルブ５８が開き、
洗浄ヘッド部５１の噴出口５１ｄよりＮ2 を噴出させ、
スピンチャック１１表面の洗浄液の乾燥およびダストの
吹き飛ばしを行う。
ッド部５１のブラシ５１ａがスピンチャック１１に接す
る位置で、洗浄アーム５２の下方向への移動は停止す
る。この状態において、回転しているスピンチャック１
１表面は、アセトン溶液とブラシ５１ａにより洗浄が行
われる。アセトン溶液とブラシ５１ａによる所定時間の
洗浄後、制御部５４より信号が駆動部５３に送られ、駆
動部５３が動作し、洗浄アーム５２が上方向に移動（矢
印Ａの移動）する。この洗浄アーム５２の上方向への移
動が開始し、ブラシ５１ａがスピンチャック１１から離
れると、制御部５４よりバルブ５６およびバルブ５８に
信号が送られ、バルブ５６が閉じ、バルブ５８が開き、
洗浄ヘッド部５１の噴出口５１ｄよりＮ2 を噴出させ、
スピンチャック１１表面の洗浄液の乾燥およびダストの
吹き飛ばしを行う。
【００２３】洗浄アーム５２が上方向に移動し、所定の
位置になった時点で、制御部５４よりバルブ５８に信号
が送られ、バルブ５８が閉じる。その後洗浄アーム５２
が水平方向に回転移動（矢印Ｂの移動）し、スピンコー
ト部１のカップ１５の外側の洗浄アーム５２の元の位置
に戻る。その後、Ｎ2 ガスの配管３１に取り付けられた
バルブ３０を閉じ、モータ１３の回転を停止させる。な
お、上述したスピンチャック１１の洗浄プロセスにおい
ては、バルブ３０の動作やモータ１３の動作を制御部５
４からの信号指示で行わなかったが、バルブ３０の動作
やモータ１３の動作も制御部５４からの信号指示で動作
する構成としてもよい。
位置になった時点で、制御部５４よりバルブ５８に信号
が送られ、バルブ５８が閉じる。その後洗浄アーム５２
が水平方向に回転移動（矢印Ｂの移動）し、スピンコー
ト部１のカップ１５の外側の洗浄アーム５２の元の位置
に戻る。その後、Ｎ2 ガスの配管３１に取り付けられた
バルブ３０を閉じ、モータ１３の回転を停止させる。な
お、上述したスピンチャック１１の洗浄プロセスにおい
ては、バルブ３０の動作やモータ１３の動作を制御部５
４からの信号指示で行わなかったが、バルブ３０の動作
やモータ１３の動作も制御部５４からの信号指示で動作
する構成としてもよい。
【００２４】上述したスピンチャック１１の洗浄終了後
に、従来例と同様にして、半導体ウェハをスピンチャッ
ク１１上に載置し、真空チャックを行い、フォトレジス
ト用ノズル（図３参照）を半導体ウェハの中央部上方に
移動させ、フォトレジストを半導体ウェハ上に滴下し、
スピンチャック１１を回転させてフォトレジストを塗布
する。
に、従来例と同様にして、半導体ウェハをスピンチャッ
ク１１上に載置し、真空チャックを行い、フォトレジス
ト用ノズル（図３参照）を半導体ウェハの中央部上方に
移動させ、フォトレジストを半導体ウェハ上に滴下し、
スピンチャック１１を回転させてフォトレジストを塗布
する。
【００２５】上述した自動スピンチャック洗浄装置５０
を設けたレジスト塗布装置によれば、フォトレジストを
塗布しようとする所定数量の半導体ウェハ（単位ロッ
ト）毎にフォトレジストの塗布前にスピンチャック１１
の洗浄を行う等の、定期的洗浄が容易となり、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。また、上述したレジスト塗布装置は、従来のように
スピンコート部１よりスピンチャック１１を取り外した
後、スピンチャック１１の洗浄作業をするものに比べ、
レジスト塗布装置の稼働率が向上する。
を設けたレジスト塗布装置によれば、フォトレジストを
塗布しようとする所定数量の半導体ウェハ（単位ロッ
ト）毎にフォトレジストの塗布前にスピンチャック１１
の洗浄を行う等の、定期的洗浄が容易となり、スピンチ
ャック表面のダストやスピンチャック表面に付着したフ
ォトレジストによる真空チャックの不良に起因した、フ
ォトレジスト塗布時の半導体ウェハ破損を軽減でき、ま
た半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダスト付
着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減でき
る。また、上述したレジスト塗布装置は、従来のように
スピンコート部１よりスピンチャック１１を取り外した
後、スピンチャック１１の洗浄作業をするものに比べ、
レジスト塗布装置の稼働率が向上する。
【００２６】以上、本発明を実施の形態例により説明し
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、洗浄ヘ
ッド部に取り付けたブラシをテフロン製の繊維によるブ
ラシとしたが、使用する洗浄液によっては、ナイロン等
の樹脂製繊維によるブラシでもよい。また、本発明の実
施の形態例では、洗浄液にアセトンを用いて説明した
が、シンナー等のフォトレジストの溶剤を洗浄液として
もよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、スピ
ンチャックの洗浄における、自動スピンチャック洗浄装
置の動作手順は適宜変更が可能である。
たが、本発明はこの実施の形態例に何ら限定されるもの
ではない。例えば、本発明の実施の形態例では、洗浄ヘ
ッド部に取り付けたブラシをテフロン製の繊維によるブ
ラシとしたが、使用する洗浄液によっては、ナイロン等
の樹脂製繊維によるブラシでもよい。また、本発明の実
施の形態例では、洗浄液にアセトンを用いて説明した
が、シンナー等のフォトレジストの溶剤を洗浄液として
もよい。その他、本発明の技術的思想の範囲内で、スピ
ンチャックの洗浄における、自動スピンチャック洗浄装
置の動作手順は適宜変更が可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の自動スピンチャック洗浄装置を設けたレジスト塗布装
置は、半導体ウェハを真空チャックするスピンチャック
の洗浄に伴う稼働率低下を抑制することができる。ま
た、本発明のレジスト塗布装置を半導体装置の製造に用
いれば、スピンチャックの定期的洗浄が容易となり、真
空チャックの不良による半導体ウェハの破損が軽減さ
れ、また半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダ
スト付着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減
できる。
の自動スピンチャック洗浄装置を設けたレジスト塗布装
置は、半導体ウェハを真空チャックするスピンチャック
の洗浄に伴う稼働率低下を抑制することができる。ま
た、本発明のレジスト塗布装置を半導体装置の製造に用
いれば、スピンチャックの定期的洗浄が容易となり、真
空チャックの不良による半導体ウェハの破損が軽減さ
れ、また半導体ウェハ裏面へのスピンチャック部でのダ
スト付着に起因する半導体装置の製造歩留の低下が軽減
できる。
【図１】本発明の実施の形態例のレジスト塗布装置にお
ける、スピンコート部の概略図である。
ける、スピンコート部の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態例のレジスト塗布装置にお
ける、自動スピンチャック洗浄装置の洗浄ヘッド部の概
略図で、（ａ）は洗浄ヘッド部の概略断面図、（ｂ）は
洗浄ヘッド部を下方より見た概略平面図である。
ける、自動スピンチャック洗浄装置の洗浄ヘッド部の概
略図で、（ａ）は洗浄ヘッド部の概略断面図、（ｂ）は
洗浄ヘッド部を下方より見た概略平面図である。
【図３】従来例のレジスト塗布装置における、スピンコ
ート部の概略図である。
ート部の概略図である。
【図４】従来例のレジスト塗布装置における、スピンコ
ート部のスピンチャックの概略平面図である。
ート部のスピンチャックの概略平面図である。
１…スピンコート部、１０…半導体ウェハ、１１…スピ
ンチャック、１１ａ，１２ａ，１７ａ…排気孔、１１
ｂ，１１ｃ…真空チャック溝部、１２…回転軸、１３…
モータ、１４…排気ポンプ、１５…カップ、１６…フォ
トレジスト用ノズル、１７…バキュームチャック、１
８，２１…排気管、１９，２２，３０，５６，５８…バ
ルブ、２０…廃液配管、２３，３１，５５，５７…配
管、２４…サックバック部、５０…自動スピンチャック
洗浄装置、５１…洗浄ヘッド部、５１ａ…ブラシ、５１
ｂ…噴出部、５１ｃ…配管部、５１ｄ…噴出口、５２…
洗浄アーム部、５３…駆動部、５４…制御部
ンチャック、１１ａ，１２ａ，１７ａ…排気孔、１１
ｂ，１１ｃ…真空チャック溝部、１２…回転軸、１３…
モータ、１４…排気ポンプ、１５…カップ、１６…フォ
トレジスト用ノズル、１７…バキュームチャック、１
８，２１…排気管、１９，２２，３０，５６，５８…バ
ルブ、２０…廃液配管、２３，３１，５５，５７…配
管、２４…サックバック部、５０…自動スピンチャック
洗浄装置、５１…洗浄ヘッド部、５１ａ…ブラシ、５１
ｂ…噴出部、５１ｃ…配管部、５１ｄ…噴出口、５２…
洗浄アーム部、５３…駆動部、５４…制御部
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウェハを真空吸着する基板ホルダ
を有するレジスト塗布装置において、 前記基板ホルダを洗浄するブラシと、洗浄液および気体
を噴出させる噴出口を有する洗浄ヘッド部と、 前記洗浄ヘッド部に接続する洗浄アームと、 前記洗浄アームを垂直方向および水平方向に移動させる
駆動部と、 前記洗浄液の噴出制御、前記気体の噴出制御および前記
駆動部の駆動制御をする制御部とを有して構成される自
動スピンチャック洗浄装置を有することを特徴とするレ
ジスト塗布装置。 - 【請求項２】 前記ブラシは、フッ素樹脂製繊維による
ブラシであることを特徴とする、請求項１に記載のレジ
スト塗布装置。 - 【請求項３】 前記洗浄液は、アセトンであることを特
徴とする、請求項１に記載のレジスト塗布装置。 - 【請求項４】 前記気体は、空気およびＮ2 ガスのう
ち、いずれか一方のガスであることを特徴とする、請求
項１に記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180297A JPH10294261A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10180297A JPH10294261A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294261A true JPH10294261A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14310283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180297A Pending JPH10294261A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294261A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6643893B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US6762135B2 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of cleaning a polishing pad conditioner |
| US7361234B2 (en) * | 2003-08-06 | 2008-04-22 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
| US7456928B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
| WO2009051763A3 (en) * | 2007-10-18 | 2009-06-04 | Lam Res Corp | Apparatus and methods for optimizing cleaning of patterned substrates |
| US7583358B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
| US20110186078A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor Equipment |
| JP2013115207A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| US8472004B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
| CN103199031A (zh) * | 2012-01-04 | 2013-07-10 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 全自动胶膜涂覆、显影装置 |
| CN103691631A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-02 | 南通大学 | 带保护结构的匀胶机托盘 |
| CN103706525A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 南通大学 | 防止胶吸入的匀胶机托盘 |
| US20150194325A1 (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor processing apparatus and method of operating the same |
| TWI500103B (zh) * | 2010-02-01 | 2015-09-11 | Hermes Epitek Corp | 半導體設備 |
| JP2016101656A (ja) * | 2012-08-07 | 2016-06-02 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法 |
| KR20170024211A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| JP2017069336A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 |
| JP6304349B1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-04-04 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
| CN110114857A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-09 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| JP2020107735A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社ディスコ | 清掃治具 |
| US20220130691A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
-
1997
- 1997-04-18 JP JP10180297A patent/JPH10294261A/ja active Pending
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6286525B1 (en) * | 1997-05-08 | 2001-09-11 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6762135B2 (en) | 2000-09-07 | 2004-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of cleaning a polishing pad conditioner |
| US6643893B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers in a vacuum environment |
| US7361234B2 (en) * | 2003-08-06 | 2008-04-22 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
| US7370659B2 (en) * | 2003-08-06 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines |
| US7583358B2 (en) | 2005-07-25 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography |
| US7456928B2 (en) | 2005-08-29 | 2008-11-25 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for controlling ambient pressure during processing of microfeature workpieces, including during immersion lithography |
| US8472004B2 (en) | 2006-01-18 | 2013-06-25 | Micron Technology, Inc. | Immersion photolithography scanner |
| WO2009051763A3 (en) * | 2007-10-18 | 2009-06-04 | Lam Res Corp | Apparatus and methods for optimizing cleaning of patterned substrates |
| US8719993B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-05-13 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor equipment |
| TWI500103B (zh) * | 2010-02-01 | 2015-09-11 | Hermes Epitek Corp | 半導體設備 |
| US8448288B2 (en) * | 2010-02-01 | 2013-05-28 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor equipment |
| TWI426579B (zh) * | 2010-02-01 | 2014-02-11 | Hermes Epitek Corp | 半導體設備及其清潔方法 |
| US20110186078A1 (en) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | Hermes-Epitek Corporation | Semiconductor Equipment |
| JP2013115207A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
| CN103199031A (zh) * | 2012-01-04 | 2013-07-10 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 全自动胶膜涂覆、显影装置 |
| CN103199031B (zh) * | 2012-01-04 | 2015-10-14 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 全自动胶膜涂覆、显影装置 |
| JP2016101656A (ja) * | 2012-08-07 | 2016-06-02 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサーディスク洗浄用ブラシ、洗浄装置及び洗浄方法 |
| US10086495B2 (en) | 2012-08-07 | 2018-10-02 | Ebara Corporation | Dresser disk cleaning brush, cleaning apparatus, and cleaning method |
| US9511476B2 (en) | 2012-08-07 | 2016-12-06 | Ebara Corporation | Dresser disk cleaning brush, cleaning apparatus, and cleaning method |
| CN103706525A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-09 | 南通大学 | 防止胶吸入的匀胶机托盘 |
| CN103706525B (zh) * | 2013-12-16 | 2015-12-09 | 南通大学 | 防止胶吸入的匀胶机托盘 |
| CN103691631B (zh) * | 2013-12-16 | 2016-01-27 | 南通大学 | 带保护结构的匀胶机托盘 |
| CN103691631A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-02 | 南通大学 | 带保护结构的匀胶机托盘 |
| US9793143B2 (en) * | 2014-01-06 | 2017-10-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor processing apparatus and method of operating the same |
| US20150194325A1 (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor processing apparatus and method of operating the same |
| KR20170024211A (ko) * | 2015-08-24 | 2017-03-07 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 |
| JP2017069336A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、吸着保持部の洗浄方法および記憶媒体 |
| JP6304349B1 (ja) * | 2016-11-15 | 2018-04-04 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
| JP2018079523A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | 株式会社Sumco | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 |
| CN110114857A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-09 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| CN110114857B (zh) * | 2016-12-28 | 2023-06-13 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板处理装置及基板处理方法 |
| JP2020107735A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社ディスコ | 清掃治具 |
| US20220130691A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
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