JP3446287B2 - 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 - Google Patents
縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法Info
- Publication number
- JP3446287B2 JP3446287B2 JP04356694A JP4356694A JP3446287B2 JP 3446287 B2 JP3446287 B2 JP 3446287B2 JP 04356694 A JP04356694 A JP 04356694A JP 4356694 A JP4356694 A JP 4356694A JP 3446287 B2 JP3446287 B2 JP 3446287B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure apparatus
- optical axis
- projection exposure
- reduction projection
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/701—Off-axis setting using an aperture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、縮小投影露光装置の光
軸ずれ補正方法の改良に関するものである。近年の半導
体装置に対しては高集積化が求められているので、半導
体装置の回路パターンを微細化することが必要である。
軸ずれ補正方法の改良に関するものである。近年の半導
体装置に対しては高集積化が求められているので、半導
体装置の回路パターンを微細化することが必要である。
【０００２】従って回路パターンの露光に用いる縮小投
影露光装置に対しても高精度が求められており、高精度
を維持するために縮小投影露光装置の精度管理を行うこ
とが重要である。
影露光装置に対しても高精度が求められており、高精度
を維持するために縮小投影露光装置の精度管理を行うこ
とが重要である。
【０００３】以上のような状況から、精度管理を高精度
で行うことが可能な縮小投影露光装置が要望されてい
る。
で行うことが可能な縮小投影露光装置が要望されてい
る。
【０００４】
【従来の技術】従来の縮小投影露光装置及び光軸ずれ補
正方法について図４〜図５により詳細に説明する。
正方法について図４〜図５により詳細に説明する。
【０００５】図４は従来の露光装置を示す図、図５は従
来の露光装置の光軸ずれを補正する方法を説明する図で
ある。従来の縮小投影露光装置は、図４に示すような水
銀ランプなどの光源1a、光を平行光線にするインプット
レンズ1b、光の分布を均一化するフライアイレンズ1c及
び絞り1dからなる有効光源１から出た光線を集光レンズ
２により集光し、この集光レンズ２と投影レンズ３との
間に挿入したレチクル６の光透過部を透過した光線を、
投影レンズ３を通過させてＸＹＺステージ４の上に搭載
した半導体基板７の表面に照射する縮小投影露光装置で
ある。
来の露光装置の光軸ずれを補正する方法を説明する図で
ある。従来の縮小投影露光装置は、図４に示すような水
銀ランプなどの光源1a、光を平行光線にするインプット
レンズ1b、光の分布を均一化するフライアイレンズ1c及
び絞り1dからなる有効光源１から出た光線を集光レンズ
２により集光し、この集光レンズ２と投影レンズ３との
間に挿入したレチクル６の光透過部を透過した光線を、
投影レンズ３を通過させてＸＹＺステージ４の上に搭載
した半導体基板７の表面に照射する縮小投影露光装置で
ある。
【０００６】このような縮小投影露光装置の照明系の精
度を測定するには、まず縮小投影露光装置の集光レンズ
２と投影レンズ３との間に挿入したレチクル６上に形成
した主尺パターンを透過した光を被露光物である半導体
基板７の表面のレジスト膜に照射して主尺パターン領域
を露光し、つぎに焦点深度内で焦点を一定量（ΔＺ）だ
けずらしてレチクル６上に形成した副尺パターンを透過
した光を被露光物である半導体基板７の表面のレジスト
膜に照射して副尺パターン領域を露光する。
度を測定するには、まず縮小投影露光装置の集光レンズ
２と投影レンズ３との間に挿入したレチクル６上に形成
した主尺パターンを透過した光を被露光物である半導体
基板７の表面のレジスト膜に照射して主尺パターン領域
を露光し、つぎに焦点深度内で焦点を一定量（ΔＺ）だ
けずらしてレチクル６上に形成した副尺パターンを透過
した光を被露光物である半導体基板７の表面のレジスト
膜に照射して副尺パターン領域を露光する。
【０００７】そしてこのレジスト膜を現像すると、図５
(a) に示すようなレチクルの主尺パターンを透過した光
により露光されて現像によりレジスト膜に主尺パターン
8bが形成され、レチクル６の副尺パターンを透過した光
により露光されて現像によりレジスト膜に副尺パターン
8cが形成される。
(a) に示すようなレチクルの主尺パターンを透過した光
により露光されて現像によりレジスト膜に主尺パターン
8bが形成され、レチクル６の副尺パターンを透過した光
により露光されて現像によりレジスト膜に副尺パターン
8cが形成される。
【０００８】ここで図５(b) に示すように主尺パターン
8bと副尺パターン8cが形成されており、主尺パターン8b
の外形Ｘ1,Ｘ2、副尺パターン8cの内形Ｘ3,Ｘ4をライン
センサーにより検出すれば、Ｘ1とＸ2の平均値が主尺パ
ターン8bの中心を表し、Ｘ3とＸ4 の平均値が副尺パタ
ーン8cの中心を表しており、同様に主尺パターン8bの外
形Ｙ1,Ｙ2 、副尺パターン8cの内形Ｙ3,Ｙ4 をラインセ
ンサーにより検出すれば、Ｙ1とＹ2の平均値が主尺パタ
ーン8bの中心を表し、Ｙ3とＹ4の平均値が副尺パターン
8cの中心を表しているので、これらの平均値を比較する
ことにより、位置ずれを計測し、パターンが焦点ずれ
（Ｚ軸方向のずれ）によってＸＹ方向にどのように位置
ずれが生じているかを測定している。
8bと副尺パターン8cが形成されており、主尺パターン8b
の外形Ｘ1,Ｘ2、副尺パターン8cの内形Ｘ3,Ｘ4をライン
センサーにより検出すれば、Ｘ1とＸ2の平均値が主尺パ
ターン8bの中心を表し、Ｘ3とＸ4 の平均値が副尺パタ
ーン8cの中心を表しており、同様に主尺パターン8bの外
形Ｙ1,Ｙ2 、副尺パターン8cの内形Ｙ3,Ｙ4 をラインセ
ンサーにより検出すれば、Ｙ1とＹ2の平均値が主尺パタ
ーン8bの中心を表し、Ｙ3とＹ4の平均値が副尺パターン
8cの中心を表しているので、これらの平均値を比較する
ことにより、位置ずれを計測し、パターンが焦点ずれ
（Ｚ軸方向のずれ）によってＸＹ方向にどのように位置
ずれが生じているかを測定している。
【０００９】この場合、Ｚ軸方向のずれ量をΔＺ、主尺
パターン8bの中心と副尺パターン8cの中心とのＸ軸方向
の位置ずれをΔＸ、主尺パターン8bの中心と副尺パター
ン8cの中心とのＹ軸方向の位置ずれをΔＹとし、ΔＸ／
ΔＺ例えば0.12μm ／４μm及びΔＹ／ΔＺをテレセン
トリシティと称して規格化している。
パターン8bの中心と副尺パターン8cの中心とのＸ軸方向
の位置ずれをΔＸ、主尺パターン8bの中心と副尺パター
ン8cの中心とのＹ軸方向の位置ずれをΔＹとし、ΔＸ／
ΔＺ例えば0.12μm ／４μm及びΔＹ／ΔＺをテレセン
トリシティと称して規格化している。
【００１０】このようにして測定した位置ずれ量に応じ
て人手により有効光源１を光軸と直交する方向に移動し
ている。
て人手により有効光源１を光軸と直交する方向に移動し
ている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の縮
小投影露光装置の光軸ずれを補正するためには半導体基
板上のレジスト膜に露光した後現像処理を行わねばなら
ず、ラインセンサーによる位置ずれ検査工程が必要であ
るため、有効光源の光源形状を変更した場合にはその都
度このような検査を行わねばならないが、これらの工程
を行うのは非常に多くの工数を要し、生産ラインに縮小
投影露光装置を使用にしている場合には、生産ラインへ
の影響が大きい。
小投影露光装置の光軸ずれを補正するためには半導体基
板上のレジスト膜に露光した後現像処理を行わねばなら
ず、ラインセンサーによる位置ずれ検査工程が必要であ
るため、有効光源の光源形状を変更した場合にはその都
度このような検査を行わねばならないが、これらの工程
を行うのは非常に多くの工数を要し、生産ラインに縮小
投影露光装置を使用にしている場合には、生産ラインへ
の影響が大きい。
【００１２】また、検査を行った結果位置ずれ量が許容
値を超えて不合格になった場合には光源の位置を人手に
より補正し、再び上記のようなテレセントリシティの検
査を繰り返し行わねばならないので、極めて膨大な工数
が必要になるという問題点があった。
値を超えて不合格になった場合には光源の位置を人手に
より補正し、再び上記のようなテレセントリシティの検
査を繰り返し行わねばならないので、極めて膨大な工数
が必要になるという問題点があった。
【００１３】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に縮小投影露光装置の光軸ずれを自動的に補正する
ことが可能となる縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法
の提供を目的としたものである。
容易に縮小投影露光装置の光軸ずれを自動的に補正する
ことが可能となる縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法
の提供を目的としたものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の縮小投影露光装
置は、光源、インプットレンズ、フライアイレンズ及び
絞りから構成される有効光源から出た光線を、集光レン
ズ、投影レンズを経てＸＹＺステージに載置した半導体
基板に照射する縮小投影露光装置において、このＸＹＺ
ステージ上に載置され、この有効光源と投影レンズの間
に配設したレチクルを透過した光線を検出する光検出器
と、この有効光源をＸＹ方向に移動させる自動補正機構
を有し、この光検出器は、焦点深度内の少なくとも二つ
のＺ軸位置においてこの光線を検出してそれぞれの位置
におけるＸＹ方向の光軸ずれを検出するものであり、こ
の自動補正機構は、このＸＹ方向の光軸ずれに基づいて
この有効光源の位置の微調整を行う位置決めバネを備え
て補正するものであるように構成する。
置は、光源、インプットレンズ、フライアイレンズ及び
絞りから構成される有効光源から出た光線を、集光レン
ズ、投影レンズを経てＸＹＺステージに載置した半導体
基板に照射する縮小投影露光装置において、このＸＹＺ
ステージ上に載置され、この有効光源と投影レンズの間
に配設したレチクルを透過した光線を検出する光検出器
と、この有効光源をＸＹ方向に移動させる自動補正機構
を有し、この光検出器は、焦点深度内の少なくとも二つ
のＺ軸位置においてこの光線を検出してそれぞれの位置
におけるＸＹ方向の光軸ずれを検出するものであり、こ
の自動補正機構は、このＸＹ方向の光軸ずれに基づいて
この有効光源の位置の微調整を行う位置決めバネを備え
て補正するものであるように構成する。
【００１５】
【作用】即ち本発明においては、縮小投影露光装置の有
効光源から出され、集光レンズと投影レンズの間に挿入
したレチクルの光透過部を透過した光線を検出すること
が可能な光検出器をＸＹＺステージに備えており、この
光透過部を透過した光線を焦点深度内の複数の異なるＺ
軸位置においてこの光検出器により検出することによ
り、この光透過部を透過した光線の、複数の異なるＺ軸
位置におけるＸＹ方向の平面的な位置ずれを検出し、こ
の位置ずれに基づいてこの有効光源の位置を移動機構に
より補正させる自動補正機構を具備しているので、焦点
深度内の少なくとも二つのＺ軸位置におけるＸＹ方向の
平面的な位置ずれを、この自動補正機構の中央制御装置
に設定した目標値内に収斂するまで自動的に有効光源の
位置を補正することが可能となる。
効光源から出され、集光レンズと投影レンズの間に挿入
したレチクルの光透過部を透過した光線を検出すること
が可能な光検出器をＸＹＺステージに備えており、この
光透過部を透過した光線を焦点深度内の複数の異なるＺ
軸位置においてこの光検出器により検出することによ
り、この光透過部を透過した光線の、複数の異なるＺ軸
位置におけるＸＹ方向の平面的な位置ずれを検出し、こ
の位置ずれに基づいてこの有効光源の位置を移動機構に
より補正させる自動補正機構を具備しているので、焦点
深度内の少なくとも二つのＺ軸位置におけるＸＹ方向の
平面的な位置ずれを、この自動補正機構の中央制御装置
に設定した目標値内に収斂するまで自動的に有効光源の
位置を補正することが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下図１〜図３により本発明による一実施例
の縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法について詳細に
説明する。
の縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法について詳細に
説明する。
【００１７】図１は本発明による一実施例の光軸ずれ自
動補正機構付露光装置を示す図、図２は本発明による一
実施例の光軸ずれ補正方法を示す図、図３は本発明によ
る一実施例の光軸ずれ自動補正機構を示す図である。
動補正機構付露光装置を示す図、図２は本発明による一
実施例の光軸ずれ補正方法を示す図、図３は本発明によ
る一実施例の光軸ずれ自動補正機構を示す図である。
【００１８】本発明による一実施例の光軸ずれ自動補正
機構付露光装置は、図１に示すように従来の技術で説明
したのと同じ有効光源１から出た光線を集光レンズ２に
より集光し、この集光レンズ２と投影レンズ３との間に
挿入したレチクル６の光透過部を透過した光線を、投影
レンズ３を通過させてＸＹＺステージ４の上に搭載した
半導体基板７の表面に照射する縮小投影露光装置であ
り、ＸＹＺステージ４には光検出器５が設けられてお
り、有効光源１のＸＹ方向の位置の微調整を行うことが
可能な移動機構９と位置決めばね10を備えている。
機構付露光装置は、図１に示すように従来の技術で説明
したのと同じ有効光源１から出た光線を集光レンズ２に
より集光し、この集光レンズ２と投影レンズ３との間に
挿入したレチクル６の光透過部を透過した光線を、投影
レンズ３を通過させてＸＹＺステージ４の上に搭載した
半導体基板７の表面に照射する縮小投影露光装置であ
り、ＸＹＺステージ４には光検出器５が設けられてお
り、有効光源１のＸＹ方向の位置の微調整を行うことが
可能な移動機構９と位置決めばね10を備えている。
【００１９】このような縮小投影露光装置の照明系の精
度を維持するように光軸ずれを補正するには、図２(a)
に示すようなレチクル６上に形成した光透過部6aを透過
した光線をまずベストフォーカスで駆動部4aにより駆動
されるＸＹＺステージ４に設けた図２(b) に示すような
ピンホール5a或いはスリット5bが設けられており、光電
変換素子5cを備えた光検出器５で検出すると、図２(a)
に示すような光透過部6aに対応して図２(c) に示すよう
な光強度を検出することができる。
度を維持するように光軸ずれを補正するには、図２(a)
に示すようなレチクル６上に形成した光透過部6aを透過
した光線をまずベストフォーカスで駆動部4aにより駆動
されるＸＹＺステージ４に設けた図２(b) に示すような
ピンホール5a或いはスリット5bが設けられており、光電
変換素子5cを備えた光検出器５で検出すると、図２(a)
に示すような光透過部6aに対応して図２(c) に示すよう
な光強度を検出することができる。
【００２０】このような光強度をベストフォーカスと異
なるＺ軸方向にずれた焦点深度内の位置で測定し、この
測定位置のＸＹ方向のずれを調べることによりこの縮小
投影露光装置の光軸ずれを容易に測定することが可能で
ある。
なるＺ軸方向にずれた焦点深度内の位置で測定し、この
測定位置のＸＹ方向のずれを調べることによりこの縮小
投影露光装置の光軸ずれを容易に測定することが可能で
ある。
【００２１】このようにして測定したずれ量に応じて有
効光源１を光軸と直交する方向に移動するには、図３に
示すようなＸＹ方向の光軸ずれに基づき光軸ずれ自動補
正機構を用いて有効光源１の位置を移動機構９と位置決
めばね10を用いて補正する。
効光源１を光軸と直交する方向に移動するには、図３に
示すようなＸＹ方向の光軸ずれに基づき光軸ずれ自動補
正機構を用いて有効光源１の位置を移動機構９と位置決
めばね10を用いて補正する。
【００２２】本発明による一実施例の光軸ずれ自動補正
機構について図３により詳細に説明する。有効光源１か
ら出た光線を集光レンズ２により集光し、この集光レン
ズ２と投影レンズ３との間に挿入したレチクル６の光透
過部6aを透過した光線を、投影レンズ３を通過させ、ベ
ストフォーカスの位置と、ベストフォーカスとは異なる
Ｚ軸方向にずれた焦点深度内の位置で、ＸＹＺステージ
４の上に搭載した図２(b)に示すような光検出器５でレ
チクル６の光透過部6aを透過し、ピンホール5a或いはス
リット5bから入射した光を検出し、この検出した光を光
検出器５内の光電変換素子5cにより変換した光信号をオ
ート・ゲイン・コントローラ12（以下、ＡＧＣ12と略称
する）で増幅した信号と、レーザを用いる干渉計11によ
り測定したＸＹＺステージ４の移動量とをＡ／Ｄ変換器
13に送り、Ａ／Ｄ変換器13でディジタル信号に変換した
後、記憶装置14にこの光信号をＡＧＣ12で増幅した信号
と、レーザを用いる干渉計11により測定したＸＹＺステ
ージ４の移動量の数値を記憶させる。
機構について図３により詳細に説明する。有効光源１か
ら出た光線を集光レンズ２により集光し、この集光レン
ズ２と投影レンズ３との間に挿入したレチクル６の光透
過部6aを透過した光線を、投影レンズ３を通過させ、ベ
ストフォーカスの位置と、ベストフォーカスとは異なる
Ｚ軸方向にずれた焦点深度内の位置で、ＸＹＺステージ
４の上に搭載した図２(b)に示すような光検出器５でレ
チクル６の光透過部6aを透過し、ピンホール5a或いはス
リット5bから入射した光を検出し、この検出した光を光
検出器５内の光電変換素子5cにより変換した光信号をオ
ート・ゲイン・コントローラ12（以下、ＡＧＣ12と略称
する）で増幅した信号と、レーザを用いる干渉計11によ
り測定したＸＹＺステージ４の移動量とをＡ／Ｄ変換器
13に送り、Ａ／Ｄ変換器13でディジタル信号に変換した
後、記憶装置14にこの光信号をＡＧＣ12で増幅した信号
と、レーザを用いる干渉計11により測定したＸＹＺステ
ージ４の移動量の数値を記憶させる。
【００２３】この記憶させた数値を用いてマイクロプロ
セッサ16（μ−プロセッサ16）により演算を行い、ベス
トフォーカスの位置と、ベストフォーカスとは異なるＺ
軸方向にずれた焦点深度内の位置におけるレチクル６の
光透過部6aを透過して光検出器５に到達した光の位置ず
れを計算し、位置決めばね10との間に有効光源１を保持
している移動機構９を、この位置ずれ量だけ駆動して有
効光源１の光軸ずれを補正する。この際必要があれば、
数値計算は高速プロセッサ15で行うのもよい。
セッサ16（μ−プロセッサ16）により演算を行い、ベス
トフォーカスの位置と、ベストフォーカスとは異なるＺ
軸方向にずれた焦点深度内の位置におけるレチクル６の
光透過部6aを透過して光検出器５に到達した光の位置ず
れを計算し、位置決めばね10との間に有効光源１を保持
している移動機構９を、この位置ずれ量だけ駆動して有
効光源１の光軸ずれを補正する。この際必要があれば、
数値計算は高速プロセッサ15で行うのもよい。
【００２４】光軸ずれを補正した後、同様にして再び位
置ずれを計算し、この位置ずれ量だけ移動機構９を駆動
して有効光源１の光軸ずれを補正する。このような有効
光源１の光軸ずれを反復して補正しながら、位置ずれ量
と中央制御装置17に設定した目標値とを比較し、測定値
が目標値に収斂するまで自動的に有効光源の位置を補正
する。
置ずれを計算し、この位置ずれ量だけ移動機構９を駆動
して有効光源１の光軸ずれを補正する。このような有効
光源１の光軸ずれを反復して補正しながら、位置ずれ量
と中央制御装置17に設定した目標値とを比較し、測定値
が目標値に収斂するまで自動的に有効光源の位置を補正
する。
【００２５】また、被露光物の表面におけるフォーカス
深度の許容範囲を増大させるように絞りの形状を変化さ
せる変形照明露光法を適用した場合に、光線の形状を変
化させる度に上記の光軸ずれの補正を行わせるようにし
ておけば、縮小投影露光装置の光軸ずれを自動的に補正
することが可能となる。
深度の許容範囲を増大させるように絞りの形状を変化さ
せる変形照明露光法を適用した場合に、光線の形状を変
化させる度に上記の光軸ずれの補正を行わせるようにし
ておけば、縮小投影露光装置の光軸ずれを自動的に補正
することが可能となる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば縮小投影露光装置の構造の改良により、光軸ずれ
を自動的に補正することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる縮小投影
露光装置と光軸ずれ補正方法の提供が可能である。
よれば縮小投影露光装置の構造の改良により、光軸ずれ
を自動的に補正することが可能となる利点があり、著し
い経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる縮小投影
露光装置と光軸ずれ補正方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の光軸ずれ自動補正機
構付露光装置を示す図
構付露光装置を示す図
【図２】 本発明による一実施例の光軸ずれ補正方法を
説明する図
説明する図
【図３】 本発明による一実施例の光軸ずれ自動補正機
構を示す図
構を示す図
【図４】 従来の露光装置を示す図
【図５】 従来の露光装置の光軸ずれを補正する方法を
説明する図
説明する図
１ 有効光源
1a 光源
1b インプットレンズ
1c フライアイレンズ
1d 絞り
２ 集光レンズ
３ 投影レンズ
４ ＸＹＺステージ
4a 駆動部
５ 光検出器
5a ピンホール
5b スリット
5c 光電変換素子
６ レチクル
6a 光透過部
７ 半導体基板
8b 主尺パターン
8c 副尺パターン
９ 移動機構
10 位置決めばね
11 干渉計
12 ＡＧＣ
13 Ａ／Ｄ変換器
14 記憶装置
15 高速プロセッサ
16 マイクロプロセッサ
17 中央制御装置
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭59−94032（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−29182（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−29179（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−20915（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−217853（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−65623（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−306612（ＪＰ，Ａ)
実開 平１−115236（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (4)
- 【請求項１】 光源(1a)、インプットレンズ(1b)、フラ
イアイレンズ(1c)及び絞り(1d)から構成される有効光源
(1) から出た光線を、集光レンズ(2) 、投影レンズ(3)
を経てＸＹＺステージ(4) に載置した半導体基板(7) に
照射する縮小投影露光装置において、 前記ＸＹＺステージ(4)上に載置され、前記有効光源(1)
と前記投影レンズ(3)の間に配設したレチクル(6) を透
過した光線を検出する光検出器(5) と、 前記有効光源(1) をＸＹ方向に移動させる位置決めバネ
(10)を備えた自動補正機構を有し、 前記光検出器(5) は、焦点深度内の少なくとも二つのＺ
軸位置において前記光線を検出してそれぞれの位置にお
けるＸＹ方向の光軸ずれを検出するものであり、 前記自動補正機構は、前記ＸＹ方向の光軸ずれに基づい
て前記有効光源の位置を補正するものであることを特徴
とする縮小投影露光装置。 - 【請求項２】 前記自動補正機構は、前記ＸＹＺステー
ジ(4) の位置を検出する干渉計(11)と、前記光検出器
(5) の出力を制御するＡＧＣ(12)と、該ＡＧＣ(12)の出
力を変換するＡ／Ｄ変換器(13)と、該Ａ／Ｄ変換器(13)
の出力を記憶する記憶装置(14)と、該記憶装置(14)の記
憶した数値を演算するマイクロプロセッサ(16)と、該マ
イクロプロセッサ(16)を制御する中央制御装置(17)とか
らなる光軸ずれ自動検出機構(100) と、該光軸ずれ自動
検出機構(100) により検出した光軸ずれ量に基づき前記
有効光源(1) をＸＹ方向に移動する移動機構(9) とから
構成されていることを特徴とする請求項１記載の縮小投
影露光装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の縮小投影露光装置におい
て前記有効光源(1)の形状を変形させる変形照明露光法
を適用した場合に、前記有効光源(1) の形状を変形させ
る度に、前記縮小投影露光装置の光軸ずれを自動的に補
正することを特徴とする請求項１記載の縮小投影露光装
置。 - 【請求項４】 請求項１記載の縮小投影露光装置を用い
る光軸ずれ自動補正方法であって、 少なくとも二つの前記Ｚ軸位置において、前記光検出器
(5) により検出した前記光透過部(6a)を透過した光線
の、少なくとも二つの前記Ｚ軸位置のずれ量とＸＹ方向
の平面的な位置ずれ量との比に基づき、前記自動補正機
構を用いて前記有効光源(1) の位置を前記移動機構(9)
により自動的に補正することを特徴とする縮小投影露光
装置の光軸ずれ補正方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04356694A JP3446287B2 (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 |
| US08/350,172 US5499100A (en) | 1994-03-15 | 1994-11-30 | Photo-lithography apparatus and method of correcting off-telecentricity of the apparatus caused by shift of effective illumination source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04356694A JP3446287B2 (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254543A JPH07254543A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3446287B2 true JP3446287B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=12667300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04356694A Expired - Fee Related JP3446287B2 (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5499100A (ja) |
| JP (1) | JP3446287B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2988384B2 (ja) * | 1996-07-16 | 1999-12-13 | 日本電気株式会社 | レチクルアセンブリ |
| JP3937580B2 (ja) | 1998-04-30 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| EP1118910B1 (en) * | 2000-01-20 | 2007-06-20 | ASML Netherlands B.V. | Microlithography projection apparatus |
| SG107560A1 (en) * | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
| JP4908668B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
| US6704090B2 (en) * | 2000-05-11 | 2004-03-09 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
| JP2003059801A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
| US7508489B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-03-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
| US8766212B2 (en) * | 2006-07-19 | 2014-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering |
| KR100927865B1 (ko) * | 2008-01-03 | 2009-11-23 | 서강대학교산학협력단 | Ｉ／ｑ 간섭계와 스캐닝 방법을 이용한 복합 기능 현미경 |
| US10105460B1 (en) * | 2016-04-08 | 2018-10-23 | Rayvio Corporation | Ultraviolet disinfection system |
| US9789215B1 (en) * | 2016-04-08 | 2017-10-17 | Rayvio Corporation | Ultraviolet disinfection system |
| CN113669368B (zh) * | 2021-07-30 | 2023-01-20 | 山东莱恩光电科技股份有限公司 | 一种磁悬浮轴承的偏移传感器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940000910B1 (ko) * | 1991-04-12 | 1994-02-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 반도체 칩의 얼라인먼트 방법 및 레이저 리페이어용 타겟이 형성된 반도체 칩 |
| US5420417A (en) * | 1991-10-08 | 1995-05-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with light distribution adjustment |
-
1994
- 1994-03-15 JP JP04356694A patent/JP3446287B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-30 US US08/350,172 patent/US5499100A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07254543A (ja) | 1995-10-03 |
| US5499100A (en) | 1996-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2893778B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3181050B2 (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
| US6914665B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
| US6706456B2 (en) | Method of determining exposure conditions, exposure method, device manufacturing method, and storage medium | |
| KR100370680B1 (ko) | 투영노광방법및투영노광장치 | |
| JP3446287B2 (ja) | 縮小投影露光装置と光軸ずれ補正方法 | |
| US6278514B1 (en) | Exposure apparatus | |
| US5798838A (en) | Projection exposure apparatus having function of detecting intensity distribution of spatial image, and method of detecting the same | |
| JP3292022B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| KR100819240B1 (ko) | 노광장치의 조명광학계의 유효광원분포 측정장치 및 그것을 가지는 노광장치 | |
| US8081292B2 (en) | Exposure system and method of manufacturing a semiconductor device | |
| JP3297545B2 (ja) | 露光条件及び投影光学系の収差測定方法 | |
| JP3634558B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH1022213A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH0737774A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP3428705B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JPH08162397A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2886957B2 (ja) | 自動焦点合せ装置 | |
| KR20050090429A (ko) | 조명 시스템의 성능 측정 방법, 그를 실행하는 시스템,측정 디바이스, 테스트 객체, 디바이스 제조 공정,리소그래피 투사 장치 및 디바이스 | |
| JP3313932B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3197629B2 (ja) | 光投影露光装置 | |
| JP2001044114A (ja) | 信号処理方法、露光方法および露光装置 | |
| KR100414575B1 (ko) | 투영노광장치 | |
| JP2771136B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH0472609A (ja) | 投影露光方法及びその装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030603 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |