JP3444290B2 - セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその製造方法に関し、特に、たとえばセラミ
ック素体の端面に端子電極が形成されたセラミック電子
部品と、その製造方法に関する。
部品およびその製造方法に関し、特に、たとえばセラミ
ック素体の端面に端子電極が形成されたセラミック電子
部品と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック電子部品は、導体とセラミッ
ク絶縁体からなるセラミック素体に、導体と導通する端
子電極が形成された構造を有している。端子電極は、セ
ラミック素体の端面に焼き付けられた外部電極と、外部
電極上に形成されるめっき皮膜とで形成される。めっき
皮膜としては、たとえば半田付けの際の耐半田性を得る
ためにＮｉめっき皮膜が形成され、さらに半田付き性を
良好とするために、ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂなどのめっき
皮膜が形成される。このようなめっき皮膜は、めっき液
中でセラミック素体に電気めっきを行なう、いわゆる湿
式めっき法によって形成される。
ク絶縁体からなるセラミック素体に、導体と導通する端
子電極が形成された構造を有している。端子電極は、セ
ラミック素体の端面に焼き付けられた外部電極と、外部
電極上に形成されるめっき皮膜とで形成される。めっき
皮膜としては、たとえば半田付けの際の耐半田性を得る
ためにＮｉめっき皮膜が形成され、さらに半田付き性を
良好とするために、ＳｎまたはＳｎ／Ｐｂなどのめっき
皮膜が形成される。このようなめっき皮膜は、めっき液
中でセラミック素体に電気めっきを行なう、いわゆる湿
式めっき法によって形成される。
【０００３】セラミック電子部品においては、セラミッ
ク素体自体に微細な空隙が存在するとともに、焼き付け
によって形成される外部電極にも微細な空隙が存在す
る。また、セラミック素体に内部電極が形成されている
場合には、内部電極とセラミック絶縁体との界面にも微
細な空隙が存在する。したがって、外部電極が焼き付け
られたセラミック素体をめっき液中に浸漬すると、めっ
き液がセラミック素体および外部電極の空隙内に侵入し
て残留することになる。
ク素体自体に微細な空隙が存在するとともに、焼き付け
によって形成される外部電極にも微細な空隙が存在す
る。また、セラミック素体に内部電極が形成されている
場合には、内部電極とセラミック絶縁体との界面にも微
細な空隙が存在する。したがって、外部電極が焼き付け
られたセラミック素体をめっき液中に浸漬すると、めっ
き液がセラミック素体および外部電極の空隙内に侵入し
て残留することになる。
【０００４】めっき液は、主として、Ｎｉ、Ｓｎあるい
はＳｎ／Ｐｂなどの各種金属の塩からなり、セラミック
素体中に残留すると、それ自体が異質誘電体として挙動
する結果、電子部品の特性、たとえば静電容量や誘電体
損失などにばらつきが生じる。また、水分の存在下では
イオンとして移行し、絶縁抵抗値を低下させるなどの原
因となっている。
はＳｎ／Ｐｂなどの各種金属の塩からなり、セラミック
素体中に残留すると、それ自体が異質誘電体として挙動
する結果、電子部品の特性、たとえば静電容量や誘電体
損失などにばらつきが生じる。また、水分の存在下では
イオンとして移行し、絶縁抵抗値を低下させるなどの原
因となっている。
【０００５】このようなめっき液の侵入を防止するため
に、たとえば外部電極が焼き付けられたセラミック素体
にシリコンまたはフェノールなどの熱硬化性樹脂を含浸
させた後、樹脂を硬化させて表面の余分な樹脂を研磨に
より除去したり、溶剤などによって余分な樹脂を洗浄す
る方法がある。このような方法により、セラミック素体
や外部電極の空隙を樹脂で封止し、外部電極表面に湿式
めっきによってめっき皮膜が形成される。
に、たとえば外部電極が焼き付けられたセラミック素体
にシリコンまたはフェノールなどの熱硬化性樹脂を含浸
させた後、樹脂を硬化させて表面の余分な樹脂を研磨に
より除去したり、溶剤などによって余分な樹脂を洗浄す
る方法がある。このような方法により、セラミック素体
や外部電極の空隙を樹脂で封止し、外部電極表面に湿式
めっきによってめっき皮膜が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、樹脂を熱硬化させる必要があり、熱硬化
により外部電極表面に付着した余分な樹脂は、研磨や洗
浄などの方法で除去する必要がある。このように、セラ
ミック素体に樹脂を含浸させる方法では、製造工程が複
雑になり、量産性に欠け、またコストアップにつながる
という問題がある。
うな方法では、樹脂を熱硬化させる必要があり、熱硬化
により外部電極表面に付着した余分な樹脂は、研磨や洗
浄などの方法で除去する必要がある。このように、セラ
ミック素体に樹脂を含浸させる方法では、製造工程が複
雑になり、量産性に欠け、またコストアップにつながる
という問題がある。
【０００７】さらに、完成したセラミック電子部品に合
成樹脂が残存すると、電子部品をプリント基板に実装す
る際、あるいは実装された後に高温・高湿環境下で使用
される場合、空隙に残存した樹脂が溶解あるいは変質し
て、電子部品の信頼性を損なう恐れがある。
成樹脂が残存すると、電子部品をプリント基板に実装す
る際、あるいは実装された後に高温・高湿環境下で使用
される場合、空隙に残存した樹脂が溶解あるいは変質し
て、電子部品の信頼性を損なう恐れがある。
【０００８】それゆえに、この発明の主たる目的は、セ
ラミック素体にめっき液が侵入していないセラミック電
子部品と、簡単にそのようなセラミック電子部品を製造
することができるセラミック電子部品の製造方法を提供
することである。
ラミック素体にめっき液が侵入していないセラミック電
子部品と、簡単にそのようなセラミック電子部品を製造
することができるセラミック電子部品の製造方法を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
素体と、セラミック素体の端面に形成される外部電極
と、外部電極上に形成されるめっき皮膜とを含むセラミ
ック電子部品の製造方法であって、撥水処理剤によって
セラミック素体に形成された外部電極に撥水処理を施す
ことによりめっき液侵入防止皮膜を形成する工程と、外
部電極上にめっき処理を施す工程とを含み、撥水処理剤
は、外部電極との吸着性を良好にする官能基として水酸
基、アミノ基、メルカプト基から選ばれる少なくとも１
種類からなる官能基と、疎水性を有する官能基としてア
ルキル基、ビニル基、フェニル基、パーフルオロ基から
選ばれる少なくとも１種類からなる官能基とを含むこと
を特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
このようなセラミック電子部品の製造方法において、め
っき液侵入防止皮膜を形成する工程の後に、加熱による
撥水処理剤の縮重合により外部電極と撥水処理剤とを共
有結合させる工程を含めてもよい。さらに、このような
セラミック電子部品の製造方法において、セラミック素
体として、セラミックと内部電極とからなるセラミック
素体を用いることができる。また、セラミック素体とし
て、多孔質の表面を有するセラミック素体を用いること
ができる。さらに、外部電極は、たとえば電極ペースト
を塗布し、焼き付けることによって形成される。また、
この発明は、上述のいずれかに記載のセラミック電子部
品の製造方法で製造された、セラミック電子部品であ
る。
素体と、セラミック素体の端面に形成される外部電極
と、外部電極上に形成されるめっき皮膜とを含むセラミ
ック電子部品の製造方法であって、撥水処理剤によって
セラミック素体に形成された外部電極に撥水処理を施す
ことによりめっき液侵入防止皮膜を形成する工程と、外
部電極上にめっき処理を施す工程とを含み、撥水処理剤
は、外部電極との吸着性を良好にする官能基として水酸
基、アミノ基、メルカプト基から選ばれる少なくとも１
種類からなる官能基と、疎水性を有する官能基としてア
ルキル基、ビニル基、フェニル基、パーフルオロ基から
選ばれる少なくとも１種類からなる官能基とを含むこと
を特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
このようなセラミック電子部品の製造方法において、め
っき液侵入防止皮膜を形成する工程の後に、加熱による
撥水処理剤の縮重合により外部電極と撥水処理剤とを共
有結合させる工程を含めてもよい。さらに、このような
セラミック電子部品の製造方法において、セラミック素
体として、セラミックと内部電極とからなるセラミック
素体を用いることができる。また、セラミック素体とし
て、多孔質の表面を有するセラミック素体を用いること
ができる。さらに、外部電極は、たとえば電極ペースト
を塗布し、焼き付けることによって形成される。また、
この発明は、上述のいずれかに記載のセラミック電子部
品の製造方法で製造された、セラミック電子部品であ
る。
【００１０】撥水処理剤に含まれる水酸基、アミノ基、
メルカプト基が吸着のための官能基として働くことによ
り、撥水処理剤がセラミック素体の端面に形成された外
部電極に吸着される。外部電極に吸着された撥水処理剤
には、疎水性を有する官能基として、アルキル基、ビニ
ル基、フェニル基、パーフルオロ基などが含まれるた
め、めっき液がセラミック素体に侵入することが防止さ
れる。外部電極に撥水処理剤を吸着させた後、この撥水
処理剤を過熱して縮重合させ、撥水処理剤と外部電極と
を共有結合させることにより、耐磨耗性に優れためっき
液侵入防止皮膜を形成することができる。セラミック素
体としては、セラミックと内部電極とからなるセラミッ
ク素体や、多孔質のセラミック素体を用いることがで
き、このようなセラミック素体であっても、その表面に
撥水処理剤が吸着されることにより、めっき液の侵入を
防ぐことができる。また、電極ペーストを塗布し、焼き
付けた外部電極を有する場合においても、めっき液の侵
入を防ぐことができる。このような電極形成方法用いた
セラミック電子部品では、外部電極上へのめっき工程に
おいて、セラミック素体へのめっき液の侵入を防ぐこと
ができ、めっき液によるセラミック電子部品の特性の変
化を防止することができる。
メルカプト基が吸着のための官能基として働くことによ
り、撥水処理剤がセラミック素体の端面に形成された外
部電極に吸着される。外部電極に吸着された撥水処理剤
には、疎水性を有する官能基として、アルキル基、ビニ
ル基、フェニル基、パーフルオロ基などが含まれるた
め、めっき液がセラミック素体に侵入することが防止さ
れる。外部電極に撥水処理剤を吸着させた後、この撥水
処理剤を過熱して縮重合させ、撥水処理剤と外部電極と
を共有結合させることにより、耐磨耗性に優れためっき
液侵入防止皮膜を形成することができる。セラミック素
体としては、セラミックと内部電極とからなるセラミッ
ク素体や、多孔質のセラミック素体を用いることがで
き、このようなセラミック素体であっても、その表面に
撥水処理剤が吸着されることにより、めっき液の侵入を
防ぐことができる。また、電極ペーストを塗布し、焼き
付けた外部電極を有する場合においても、めっき液の侵
入を防ぐことができる。このような電極形成方法用いた
セラミック電子部品では、外部電極上へのめっき工程に
おいて、セラミック素体へのめっき液の侵入を防ぐこと
ができ、めっき液によるセラミック電子部品の特性の変
化を防止することができる。
【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の製造方法が適用
されるセラミック電子部品の一例を示す斜視図であり、
図２はその断面図である。セラミック電子部品１０は、
セラミック素体１２を含む。セラミック素体１２として
は、たとえば積層セラミックコンデンサ用のものが用い
られる。積層セラミックコンデンサ用のセラミック素体
１２は、セラミックグリーンシート上に電極材料が印刷
され、複数のセラミックグリーンシートが積層・圧着さ
れた後、焼成されることにより形成される。
されるセラミック電子部品の一例を示す斜視図であり、
図２はその断面図である。セラミック電子部品１０は、
セラミック素体１２を含む。セラミック素体１２として
は、たとえば積層セラミックコンデンサ用のものが用い
られる。積層セラミックコンデンサ用のセラミック素体
１２は、セラミックグリーンシート上に電極材料が印刷
され、複数のセラミックグリーンシートが積層・圧着さ
れた後、焼成されることにより形成される。
【００１３】このようにして得られたセラミック素体１
２は、電極材料を焼成することによって形成された内部
電極が交互に両端面に露出した構造を有している。この
ように内部電極が露出したセラミック素体１２の両端面
に、端子電極１４ａ，１４ｂが形成される。端子電極１
４ａ，１４ｂは、それぞれ外部電極１６ａ，１６ｂと、
その上に形成されるめっき皮膜１８ａ，１８ｂとで形成
される。なお、めっき皮膜１８ａ，１８ｂとしては、１
層のものに限らず、多層に形成されたものであってもよ
い。たとえば、外部電極１６ａ，１６ｂ上に、耐半田性
を有するＮｉめっき層を形成し、さらに半田付き性の良
好なＳｎめっき層やＳｎ／Ｐｂめっき層などを形成する
ことが考えられる。また、セラミック素体２としては、
チップインダクタ用やチップ抵抗用のものなどの他のセ
ラミック素体を用いることができる。
２は、電極材料を焼成することによって形成された内部
電極が交互に両端面に露出した構造を有している。この
ように内部電極が露出したセラミック素体１２の両端面
に、端子電極１４ａ，１４ｂが形成される。端子電極１
４ａ，１４ｂは、それぞれ外部電極１６ａ，１６ｂと、
その上に形成されるめっき皮膜１８ａ，１８ｂとで形成
される。なお、めっき皮膜１８ａ，１８ｂとしては、１
層のものに限らず、多層に形成されたものであってもよ
い。たとえば、外部電極１６ａ，１６ｂ上に、耐半田性
を有するＮｉめっき層を形成し、さらに半田付き性の良
好なＳｎめっき層やＳｎ／Ｐｂめっき層などを形成する
ことが考えられる。また、セラミック素体２としては、
チップインダクタ用やチップ抵抗用のものなどの他のセ
ラミック素体を用いることができる。
【００１４】外部電極１６ａ，１６ｂは、セラミック素
体１２の両端面に電極ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とによって形成される。電極ペーストにはガラスフリッ
トが含まれるため、焼き付けることによって、外部電極
１６ａ，１６ｂは多孔質な構造となる。さらに、湿式め
っき法により外部電極１６ａ，１６ｂ上にめっき皮膜１
８ａ，１８ｂが形成されるが、このとき、めっき液が外
部電極１６ａ，１６ｂの空隙を通してセラミック素体１
２に侵入しないように、めっき工程の前に撥水処理が施
される。
体１２の両端面に電極ペーストを塗布し、焼き付けるこ
とによって形成される。電極ペーストにはガラスフリッ
トが含まれるため、焼き付けることによって、外部電極
１６ａ，１６ｂは多孔質な構造となる。さらに、湿式め
っき法により外部電極１６ａ，１６ｂ上にめっき皮膜１
８ａ，１８ｂが形成されるが、このとき、めっき液が外
部電極１６ａ，１６ｂの空隙を通してセラミック素体１
２に侵入しないように、めっき工程の前に撥水処理が施
される。
【００１５】撥水処理を行うための撥水処理剤には、外
部電極１６ａ，１６ｂに吸着しやすい官能基として、水
酸基、アミノ基、メルカプト基から選ばれる少なくとも
１種類が含まれる。また、撥水処理剤には、めっき液が
セラミック基体１２に侵入することを防ぐ疎水性の官能
基として、アルキル基、ビニル基、フェニル基、パーフ
ルオロ基から選ばれる少なくとも１種類が含まれる。
部電極１６ａ，１６ｂに吸着しやすい官能基として、水
酸基、アミノ基、メルカプト基から選ばれる少なくとも
１種類が含まれる。また、撥水処理剤には、めっき液が
セラミック基体１２に侵入することを防ぐ疎水性の官能
基として、アルキル基、ビニル基、フェニル基、パーフ
ルオロ基から選ばれる少なくとも１種類が含まれる。
【００１６】このような撥水処理剤に外部電極１６ａ，
１６ｂが形成されたセラミック素体１２を浸漬して、外
部電極１６ａ，１６ｂに撥水処理剤を付着させて、さら
に風乾することにより、めっき液侵入防止皮膜が形成さ
れる。このとき、撥水処理剤に電極に対する吸着性の良
好な官能基が含まれていることにより、外部電極１６
ａ，１６ｂへの撥水処理剤の吸着力を高めることができ
る。
１６ｂが形成されたセラミック素体１２を浸漬して、外
部電極１６ａ，１６ｂに撥水処理剤を付着させて、さら
に風乾することにより、めっき液侵入防止皮膜が形成さ
れる。このとき、撥水処理剤に電極に対する吸着性の良
好な官能基が含まれていることにより、外部電極１６
ａ，１６ｂへの撥水処理剤の吸着力を高めることができ
る。
【００１７】次に、めっき処理により、外部電極１６
ａ，１６ｂの上にめっき皮膜１８ａ，１８ｂが形成され
る。このめっき工程において、外部電極１６ａ，１６ｂ
に撥水処理剤が付着しているため、疎水性を有する官能
基の働きによって、めっき液が外部電極１６ａ，１６ｂ
の空隙からセラミック素体１２に侵入することが防止さ
れる。したがって、セラミック素体１２の特性がめっき
液の侵入によって変化せず、特性ばらつきのないセラミ
ック電子部品１０を得ることができる。
ａ，１６ｂの上にめっき皮膜１８ａ，１８ｂが形成され
る。このめっき工程において、外部電極１６ａ，１６ｂ
に撥水処理剤が付着しているため、疎水性を有する官能
基の働きによって、めっき液が外部電極１６ａ，１６ｂ
の空隙からセラミック素体１２に侵入することが防止さ
れる。したがって、セラミック素体１２の特性がめっき
液の侵入によって変化せず、特性ばらつきのないセラミ
ック電子部品１０を得ることができる。
【００１８】また、撥水処理剤に外部電極１６ａ，１６
ｂを浸漬した後、加熱により撥水処理剤を縮重合させ、
撥水処理剤と外部電極１６ａ，１６ｂとを共有結合させ
てもよい。このような処理を施すことにより、撥水処理
剤と外部電極１６ａ，１６ｂとが強力に結合し、撥水処
理剤の耐磨耗性を高めることができ、外部電極１６ａ，
１６ｂのシール性を維持することが可能となる。
ｂを浸漬した後、加熱により撥水処理剤を縮重合させ、
撥水処理剤と外部電極１６ａ，１６ｂとを共有結合させ
てもよい。このような処理を施すことにより、撥水処理
剤と外部電極１６ａ，１６ｂとが強力に結合し、撥水処
理剤の耐磨耗性を高めることができ、外部電極１６ａ，
１６ｂのシール性を維持することが可能となる。
【００１９】セラミック素体１２としては、積層セラミ
ックコンデンサの誘電体のように緻密な構造を有するも
のはもちろん、インダクタのフェライトのように多孔質
の構造を有するものであっても使用することができる。
つまり、撥水処理剤によって外部電極からのめっき液の
侵入を防ぐことができるため、多孔質のセラミック素体
１２にもめっき液が侵入することを防ぐことができる。
したがって、セラミック素体１２の構造にかかわらず、
めっき液の侵入による特性の変化がないセラミック電子
部品１０を得ることができる。
ックコンデンサの誘電体のように緻密な構造を有するも
のはもちろん、インダクタのフェライトのように多孔質
の構造を有するものであっても使用することができる。
つまり、撥水処理剤によって外部電極からのめっき液の
侵入を防ぐことができるため、多孔質のセラミック素体
１２にもめっき液が侵入することを防ぐことができる。
したがって、セラミック素体１２の構造にかかわらず、
めっき液の侵入による特性の変化がないセラミック電子
部品１０を得ることができる。
【００２０】
【実施例】（実施例１）外部電極としてＣｕ下地電極が
形成された積層セラミックコンデンサ用のセラミック素
体を準備した。下地電極焼付後に、撥水処理を行なうた
めに、撥水処理剤を準備した。撥水処理剤として、有機
溶媒としてのメチルエチルケトンに対してＲａ−（ＣＨ
2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 を３０ｇ／Ｌ投入したもの
を用いた。ここで、Ｒａはパーフルオロ基であり、Ｒｂ
はアミノ基である。この撥水処理剤に下地電極を形成し
たセラミック素体を２分間浸漬処理し、液切り、風乾し
た後、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラ
ミックコンデンサを作製した。
形成された積層セラミックコンデンサ用のセラミック素
体を準備した。下地電極焼付後に、撥水処理を行なうた
めに、撥水処理剤を準備した。撥水処理剤として、有機
溶媒としてのメチルエチルケトンに対してＲａ−（ＣＨ
2 ）−Ｓｉ−（Ｏ−Ｒｂ）3 を３０ｇ／Ｌ投入したもの
を用いた。ここで、Ｒａはパーフルオロ基であり、Ｒｂ
はアミノ基である。この撥水処理剤に下地電極を形成し
たセラミック素体を２分間浸漬処理し、液切り、風乾し
た後、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきを順次行なって積層セラ
ミックコンデンサを作製した。
【００２１】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、断面構造における外部電極内部へのめっき皮膜形成
状態、半田付き性、および温度８５℃で湿度８５％の恒
温槽において４ＷＶ印加し、１０００時間経過後の絶縁
抵抗不良品数（耐湿負荷試験）を評価実施した。ここ
で、１ＷＶは積層セラミックコンデンサの定格電圧を示
し、４ＷＶは定格電圧の４倍の電圧を印加したことを示
す。比較例として、撥水処理を行わずにめっき皮膜を形
成した積層セラミックコンデンサ、および外部電極に樹
脂を含浸させた後にめっき皮膜を形成した積層セラミッ
クコンデンサについて、同様の評価を行なった。そし
て、その結果を表１に示した。表１の中の分数につい
て、分母は評価したサンプル数を示し、分子は各項目に
該当する積層セラミックコンデンサの不良個数を示す。
て、断面構造における外部電極内部へのめっき皮膜形成
状態、半田付き性、および温度８５℃で湿度８５％の恒
温槽において４ＷＶ印加し、１０００時間経過後の絶縁
抵抗不良品数（耐湿負荷試験）を評価実施した。ここ
で、１ＷＶは積層セラミックコンデンサの定格電圧を示
し、４ＷＶは定格電圧の４倍の電圧を印加したことを示
す。比較例として、撥水処理を行わずにめっき皮膜を形
成した積層セラミックコンデンサ、および外部電極に樹
脂を含浸させた後にめっき皮膜を形成した積層セラミッ
クコンデンサについて、同様の評価を行なった。そし
て、その結果を表１に示した。表１の中の分数につい
て、分母は評価したサンプル数を示し、分子は各項目に
該当する積層セラミックコンデンサの不良個数を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１からわかるように、この発明の電極形
成方法を採用したものでは、電極内へのめっきの侵入は
なく、半田付き性も良好で、耐湿負荷試験においても絶
縁抵抗の劣化は見られなかった。それに対して、撥水処
理を行わなかったものでは、電極内へのめっきの侵入が
１００個のサンプルのうち１２個で発見された。また、
耐湿負荷試験においては、２００個のサンプルのうちの
５個で絶縁抵抗の劣化が見られた。また、樹脂を含浸さ
せたものでは、サンプル数１００個のうちの１個で半田
付き性が不良のものがあったが、これは外部電極表面の
樹脂が十分に除去されず、めっき皮膜の形成がよくなか
ったものであると考えられる。
成方法を採用したものでは、電極内へのめっきの侵入は
なく、半田付き性も良好で、耐湿負荷試験においても絶
縁抵抗の劣化は見られなかった。それに対して、撥水処
理を行わなかったものでは、電極内へのめっきの侵入が
１００個のサンプルのうち１２個で発見された。また、
耐湿負荷試験においては、２００個のサンプルのうちの
５個で絶縁抵抗の劣化が見られた。また、樹脂を含浸さ
せたものでは、サンプル数１００個のうちの１個で半田
付き性が不良のものがあったが、これは外部電極表面の
樹脂が十分に除去されず、めっき皮膜の形成がよくなか
ったものであると考えられる。
【００２４】このように、この発明の撥水処理を行うこ
とにより、吸着基として働くアミノ基により撥水処理剤
が外部電極に吸着され、外部電極のシール効果を得るこ
とができる。
とにより、吸着基として働くアミノ基により撥水処理剤
が外部電極に吸着され、外部電極のシール効果を得るこ
とができる。
【００２５】（実施例２）実施例１と同様に、撥水処理
剤に下地電極を形成した積層セラミックコンデンサ用の
セラミック素体を２分間撥水処理剤に浸漬処理し、液切
り、風乾した。その後、セラミック素体をオーブンに入
れ、１００〜１２０℃で３０分間熱処理した。比較例と
して、実施例１と同様に、熱処理を行なわないで撥水処
理剤を吸着させたセラミック素体を準備した。そして、
量産工程でのハンドリングによる撥水処理剤の剥落を想
定して、これらのセラミック素体について、２Ｌポリポ
ットで６０ｒｐｍ、３０分間のバレル処理を行った。さ
らに、下地電極上にＮｉめっき、Ｓｎめっきを順次行な
って積層セラミックコンデンサを作製した。これらの積
層セラミックコンデンサについて、実施例１と同様にし
て、電極内へのめっきの侵入、半田付き性、耐湿負荷試
験を行ない、その結果を表２に示した。
剤に下地電極を形成した積層セラミックコンデンサ用の
セラミック素体を２分間撥水処理剤に浸漬処理し、液切
り、風乾した。その後、セラミック素体をオーブンに入
れ、１００〜１２０℃で３０分間熱処理した。比較例と
して、実施例１と同様に、熱処理を行なわないで撥水処
理剤を吸着させたセラミック素体を準備した。そして、
量産工程でのハンドリングによる撥水処理剤の剥落を想
定して、これらのセラミック素体について、２Ｌポリポ
ットで６０ｒｐｍ、３０分間のバレル処理を行った。さ
らに、下地電極上にＮｉめっき、Ｓｎめっきを順次行な
って積層セラミックコンデンサを作製した。これらの積
層セラミックコンデンサについて、実施例１と同様にし
て、電極内へのめっきの侵入、半田付き性、耐湿負荷試
験を行ない、その結果を表２に示した。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２からわかるように、風乾のみの場合、
耐湿負荷試験において、サンプル数２００個のうちの２
個に電極内へのめっきの侵入が見られ、２００個のうち
の２個に絶縁抵抗の劣化が見られた。これは、バレル処
理によって、撥水処理剤皮膜が剥離したためであると考
えられる。それに対して、熱処理を行った場合、撥水処
理剤が縮重合して下地電極と共有結合し、バレル処理に
よっても撥水処理剤が剥離せず、耐湿負荷試験において
も絶縁抵抗の劣化は見られなかった。
耐湿負荷試験において、サンプル数２００個のうちの２
個に電極内へのめっきの侵入が見られ、２００個のうち
の２個に絶縁抵抗の劣化が見られた。これは、バレル処
理によって、撥水処理剤皮膜が剥離したためであると考
えられる。それに対して、熱処理を行った場合、撥水処
理剤が縮重合して下地電極と共有結合し、バレル処理に
よっても撥水処理剤が剥離せず、耐湿負荷試験において
も絶縁抵抗の劣化は見られなかった。
【００２８】（実施例３）セラミック素体として、多孔
質のフェライト材からなるチップインダクタ用のセラミ
ック素体を準備した。このセラミック素体を用いて、実
施例１と同様に、外部電極に撥水処理を行ない、Ｎｉめ
っきおよびＳｎめっきを順次行なって、セラミック素体
の両端面に端子電極を形成した。比較例として、撥水処
理を行わないもの、吸着基としてカルボキシル基を用い
た撥水処理剤を使用したもの、および樹脂含浸を行なっ
たものを作製した。そして、実施例１と同様にして、電
極内へのめっきの侵入、半田付き性、耐湿負荷試験を行
ない、その結果を表３に示した。
質のフェライト材からなるチップインダクタ用のセラミ
ック素体を準備した。このセラミック素体を用いて、実
施例１と同様に、外部電極に撥水処理を行ない、Ｎｉめ
っきおよびＳｎめっきを順次行なって、セラミック素体
の両端面に端子電極を形成した。比較例として、撥水処
理を行わないもの、吸着基としてカルボキシル基を用い
た撥水処理剤を使用したもの、および樹脂含浸を行なっ
たものを作製した。そして、実施例１と同様にして、電
極内へのめっきの侵入、半田付き性、耐湿負荷試験を行
ない、その結果を表３に示した。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３からわかるように、この発明の撥水処
理を施したものについては、電極内へのめっきの侵入は
なく、半田付き性も良好で、耐湿負荷試験においても絶
縁抵抗の劣化は見られなかった。それに対して、比較例
では、耐湿負荷試験において、絶縁抵抗が劣化したもの
が見られた。この点について、撥水処理を行なわなかっ
た場合には撥水性が得られず、カルボキシル基を含む撥
水処理剤を用いた場合には、外部電極に対する撥水処理
剤の吸着性が弱いためであると考えられる。また、樹脂
含浸の場合、フェライトの空隙は外部電極より小さく、
従来の樹脂では含浸が十分でないためであると考えられ
る。しかしながら、この発明の電極形成方法に用いられ
る撥水処理剤を用いた場合、撥水処理剤が外部電極に吸
着しやすく、十分に撥水効果を得ることができる。
理を施したものについては、電極内へのめっきの侵入は
なく、半田付き性も良好で、耐湿負荷試験においても絶
縁抵抗の劣化は見られなかった。それに対して、比較例
では、耐湿負荷試験において、絶縁抵抗が劣化したもの
が見られた。この点について、撥水処理を行なわなかっ
た場合には撥水性が得られず、カルボキシル基を含む撥
水処理剤を用いた場合には、外部電極に対する撥水処理
剤の吸着性が弱いためであると考えられる。また、樹脂
含浸の場合、フェライトの空隙は外部電極より小さく、
従来の樹脂では含浸が十分でないためであると考えられ
る。しかしながら、この発明の電極形成方法に用いられ
る撥水処理剤を用いた場合、撥水処理剤が外部電極に吸
着しやすく、十分に撥水効果を得ることができる。
【００３１】
【発明の効果】この発明によれば、撥水処理剤が外部電
極に十分に吸着され、撥水効果が得られるため、めっき
液がセラミック素体に侵入することを防止することがで
きる。しかも、外部電極が形成されたセラミック素体を
撥水処理剤に浸漬して、乾燥するだけで、簡単にセラミ
ック電子部品を作製することができる。さらに、撥水処
理剤を乾燥した後、加熱して縮重合させれば、耐磨耗性
が大きく、製造工程において撥水処理剤皮膜を剥離しに
くくすることができる。したがって、セラミック電子部
品を量産する場合においても、めっき液の侵入による特
性劣化を防止することができる。また、多孔質のセラミ
ック素体を用いる場合においても、この発明の電極形成
方法を用いることにより、セラミック素体へのめっき液
の侵入を防ぐことができ、特性ばらつきの少ないセラミ
ック電子部品を得ることができる。
極に十分に吸着され、撥水効果が得られるため、めっき
液がセラミック素体に侵入することを防止することがで
きる。しかも、外部電極が形成されたセラミック素体を
撥水処理剤に浸漬して、乾燥するだけで、簡単にセラミ
ック電子部品を作製することができる。さらに、撥水処
理剤を乾燥した後、加熱して縮重合させれば、耐磨耗性
が大きく、製造工程において撥水処理剤皮膜を剥離しに
くくすることができる。したがって、セラミック電子部
品を量産する場合においても、めっき液の侵入による特
性劣化を防止することができる。また、多孔質のセラミ
ック素体を用いる場合においても、この発明の電極形成
方法を用いることにより、セラミック素体へのめっき液
の侵入を防ぐことができ、特性ばらつきの少ないセラミ
ック電子部品を得ることができる。
【図１】この発明の製造方法が適用されるセラミック電
子部品の一例を示す斜視図である。
子部品の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示すセラミック電子部品の断面図であ
る。
る。
１０ セラミック電子部品
１２ セラミック素体
１４ａ，１４ｂ 端子電極
１６ａ，１６ｂ 外部電極
１８ａ，１８ｂ めっき皮膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2002−33237（ＪＰ，Ａ)
特開2001−102247（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−214741（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−212598（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−263950（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 13/06
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック素体と、前記セラミック素体
の端面に形成される外部電極と、前記外部電極上に形成
されるめっき皮膜とを含むセラミック電子部品の製造方
法であって、 撥水処理剤によって前記セラミック素体に形成された前
記外部電極に撥水処理を施すことによりめっき液侵入防
止皮膜を形成する工程、および前記外部電極上にめっき
処理を施す工程を含み、 前記撥水処理剤は、前記外部電極との吸着性を良好にす
る官能基として水酸基、アミノ基、メルカプト基から選
ばれる少なくとも１種類からなる官能基と、疎水性を有
する官能基としてアルキル基、ビニル基、フェニル基、
パーフルオロ基から選ばれる少なくとも１種類からなる
官能基とを含むことを特徴とする、セラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項２】 前記めっき液侵入防止皮膜を形成する工
程の後に、加熱による前記撥水処理剤の縮重合により前
記外部電極と前記撥水処理剤とを共有結合させる工程を
含む、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項３】 前記セラミック素体として、セラミック
と内部電極とからなる積層セラミック素体が用いられ
る、請求項１または請求項２に記載のセラミック電子部
品の製造方法。 - 【請求項４】 前記セラミック素体として、多孔質の表
面を有するセラミック素体が用いられる、請求項１また
は請求項２に記載のセラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 前記外部電極は、電極ペーストを塗布
し、焼き付けたものであることを特徴とする、請求項１
ないし請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品
の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載のセラミック電子部品の製造方法で製造された、セラ
ミック電子部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086615A JP3444290B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CNB021183112A CN1238873C (zh) | 2001-03-26 | 2002-03-25 | 陶瓷电子元件及其制造方法 |
| US10/107,099 US7005192B2 (en) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | Ceramic electronic component and method of producing the same |
| KR10-2002-0016395A KR100432182B1 (ko) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| GB0207150A GB2375546B (en) | 2001-03-26 | 2002-03-26 | Ceramic electronic part and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001086615A JP3444290B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289464A JP2002289464A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3444290B2 true JP3444290B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18941966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001086615A Expired - Lifetime JP3444290B2 (ja) | 2001-03-26 | 2001-03-26 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3444290B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100807217B1 (ko) | 2006-07-28 | 2008-02-28 | 조인셋 주식회사 | 세라믹 부품 및 그 제조방법 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102265360B (zh) | 2008-12-26 | 2013-03-06 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子元器件的制造方法及陶瓷电子元器件 |
| JP5439954B2 (ja) | 2009-06-01 | 2014-03-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| CN105706302A (zh) * | 2014-01-20 | 2016-06-22 | 株式会社村田制作所 | 天线部件 |
| JP7367447B2 (ja) * | 2019-10-15 | 2023-10-24 | 株式会社村田製作所 | コイル部品およびその製造方法、ならびにコイル部品を実装した電子部品 |
| WO2022130739A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品に対する樹脂層形成方法 |
-
2001
- 2001-03-26 JP JP2001086615A patent/JP3444290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100807217B1 (ko) | 2006-07-28 | 2008-02-28 | 조인셋 주식회사 | 세라믹 부품 및 그 제조방법 |
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| JP2002289464A (ja) | 2002-10-04 |
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