JP7136334B2 - チップ型セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、この発明の第1の実施形態によるチップ型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ1について説明する。
図2には、この発明の第2の実施形態によるチップ型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ1aの一部が模式的に断面図で示されている。図2において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
図3には、この発明の第3の実施形態によるチップ型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ1bの一部が模式的に断面図で示されている。図3において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
図4には、この発明の第4の実施形態によるチップ型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ1cの一部が模式的に断面図で示されている。図4において、図1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
以下の表1に示すような割合で銅粉末およびニッケル粉末を含む、試料1~7に係るガラス非含有導電性ペーストを用意した。
3 セラミック素体
7 端面
9,10 内部電極(内部導体)
11,11a,11b,11c 外部電極
12 (第1の)ガラス非含有焼結層
13,13a 金属焼結体
14 空隙
15 熱硬化性樹脂由来の炭素
16 ニッケルめっき膜
17 錫めっき膜
18 第2のガラス非含有焼結層
19 樹脂含有導体層
20 導電性金属粉末
21 熱硬化性樹脂
22 ガラス含有焼結層
Claims (14)
- 内部導体を有しかつ前記内部導体の一部が表面に露出している、セラミック素体と、前記内部導体と電気的に接続されかつ前記セラミック素体の前記表面の一部を覆うように形成された、外部電極とを備える、チップ型セラミック電子部品を製造する方法であって、
セラミック素体を用意する工程と、
前記外部電極の少なくとも一部となる導電性ペーストを用意する工程と、
前記導電性ペーストを前記セラミック素体の前記表面の一部を覆うように塗布する工程と、
前記導電性ペーストが塗布された前記セラミック素体を熱処理する工程と、
を備え、
前記外部電極は、ガラスを含まない第1のガラス非含有焼結層を含み、
前記導電性ペーストを用意する工程は、ニッケル粉末、融点が500℃未満の第1の金属粉末および第1の熱硬化性樹脂を含むが、ガラスを含まない、第1のガラス非含有導電性ペーストを用意する工程を含み、
前記導電性ペーストを塗布する工程は、前記第1のガラス非含有導電性ペーストを前記セラミック素体の前記表面の一部を覆うように塗布する工程を含み、
前記セラミック素体を熱処理する工程は、前記第1のガラス非含有焼結層を形成するため、前記第1のガラス非含有導電性ペーストが塗布された前記セラミック素体を、前記第1の熱硬化性樹脂の硬化温度より400℃高い温度以上の第1の温度で熱処理する工程を含む、
チップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 前記セラミック素体を熱処理する工程の後、前記外部電極を覆うニッケルめっき膜および錫めっき膜を順次形成する工程をさらに備える、請求項1に記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属粉末を構成する金属は、錫、錫とビスマスとの組み合わせ、および錫と銀と銅との組み合わせの少なくとも1種である、請求項1または2に記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記第1の金属粉末は、錫粉末であり、前記ニッケル粉末および前記錫粉末の合計体積に対する前記錫粉末の体積が30%以上かつ70%以下である、請求項1または2に記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素体を熱処理する工程において、前記第1の熱硬化性樹脂の硬化温度より400℃高い温度は580℃である、請求項1ないし4のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記外部電極は、前記第1のガラス非含有焼結層上に形成される、ガラスを含まない第2のガラス非含有焼結層をさらに含み、
前記導電性ペーストを用意する工程は、ニッケル粉末、融点が500℃未満の第2の金属粉末および第2の熱硬化性樹脂を含むが、ガラスを含まない、第2のガラス非含有導電性ペーストを用意する工程をさらに含み、
前記導電性ペーストを塗布する工程は、前記第1のガラス非含有焼結層上に前記第2のガラス非含有導電性ペーストを塗布する工程をさらに含み、
前記セラミック素体を熱処理する工程は、前記第2のガラス非含有焼結層を形成するため、前記第2のガラス非含有導電性ペーストが塗布された前記セラミック素体を、前記第2の熱硬化性樹脂の硬化温度より400℃高い温度以上の温度かつ前記第1の温度より低い第2の温度で熱処理する工程をさらに含む、
請求項1ないし5のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 前記第2のガラス非含有導電性ペーストは、前記第1のガラス非含有導電性ペーストと同じ組成を有する、請求項6に記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記外部電極は、樹脂含有導体層をさらに含み、
前記導電性ペーストを用意する工程は、導電性金属粉末および熱硬化性樹脂を含むが、ガラスを含まない、第3のガラス非含有導電性ペーストを用意する工程をさらに含み、
前記導電性ペーストを塗布する工程は、前記第1のガラス非含有焼結層を覆うように前記第3のガラス非含有導電性ペーストを塗布する工程をさらに含み、
前記セラミック素体を熱処理する工程は、前記第3のガラス非含有導電性ペーストに含まれる前記熱硬化性樹脂を加熱硬化させる工程をさらに備える、
請求項1ないし7のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 前記導電性ペーストを塗布する工程は、前記第1のガラス非含有導電性ペーストを、前記内部導体と接する状態で前記セラミック素体の前記表面の一部上に塗布する工程を含む、請求項1ないし8のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。
- 前記外部電極は、ガラスを含むガラス含有焼結層をさらに含み、
前記導電性ペーストを用意する工程は、金属粉末およびガラスを含むガラス含有導電性ペーストを用意する工程をさらに含み、
前記導電性ペーストを塗布する工程は、前記ガラス含有導電性ペーストを、前記内部導体と接する状態で前記セラミック素体の前記表面の一部上に塗布する工程をさらに含み、
前記セラミック素体を熱処理する工程は、前記ガラス含有焼結層を形成するため、前記ガラス含有導電性ペーストが塗布された前記セラミック素体を熱処理する工程をさらに含み、
前記第1のガラス非含有導電性ペーストを塗布する工程は、前記第1のガラス非含有導電性ペーストを前記ガラス含有焼結層上に塗布する工程を含む、
請求項1ないし8のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品の製造方法。 - 内部導体を有しかつ前記内部導体の一部が表面に露出している、セラミック素体と、
前記内部導体と電気的に接続されかつ前記セラミック素体の前記表面の一部を覆うように形成された、外部電極と、
を備え、
前記外部電極は、ニッケルおよび融点が500℃未満の金属を含むが、ガラスを含まない、ガラス非含有焼結層を含み、
前記ガラス非含有焼結層は、熱硬化性樹脂を、当該ガラス非含有焼結層の断面での面積比率で1%以下(ただし、0%を除く。)含む、
チップ型セラミック電子部品。 - 前記融点が500℃未満の金属は、錫、錫とビスマスとの組み合わせ、および錫と銀と銅との組み合わせの少なくとも1種である、請求項11に記載のチップ型セラミック電子部品。
- 前記ガラス非含有焼結層は、前記内部導体と接する状態で前記セラミック素体の前記表面の一部上に形成される、請求項11または12に記載のチップ型セラミック電子部品。
- 当該チップ型セラミック電子部品は積層セラミックコンデンサである、請求項11ないし13のいずれかに記載のチップ型セラミック電子部品。
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