JP3441429B2 - 圧電体アクチュエータ、その製造方法、および圧電体アクチュエータの駆動方法 - Google Patents
圧電体アクチュエータ、その製造方法、および圧電体アクチュエータの駆動方法Info
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- JP3441429B2 JP3441429B2 JP2000322020A JP2000322020A JP3441429B2 JP 3441429 B2 JP3441429 B2 JP 3441429B2 JP 2000322020 A JP2000322020 A JP 2000322020A JP 2000322020 A JP2000322020 A JP 2000322020A JP 3441429 B2 JP3441429 B2 JP 3441429B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピューターの
記憶装置等として用いられる磁気ディスク装置等に設け
られるヘッド支持機構に関し、特に、磁気ディスク装置
において、データを高記録密度化するために最適なヘッ
ド支持機構およびヘッド支持機構に好適に用いられるア
クチュエータに関する。
記憶装置等として用いられる磁気ディスク装置等に設け
られるヘッド支持機構に関し、特に、磁気ディスク装置
において、データを高記録密度化するために最適なヘッ
ド支持機構およびヘッド支持機構に好適に用いられるア
クチュエータに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置に設けられた磁
気ディスクの記録密度は、日を追う毎に高密度化が進で
いる。磁気ディスクに対するデータの記録および再生に
使用される磁気ヘッドは、通常スライダに搭載されてお
り、磁気ヘッドが搭載されたスライダは、磁気ディスク
装置内に設けられたヘッド支持機構によって支持されて
いる。ヘッド支持機構は、スライダが取り付けられたヘ
ッドアクチュエーターアームを有しており、このヘッド
アクチュエータアームが、ボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）によって回動されるようになっている。そして、ボ
イスコイルモーターを制御することにより、スライダに
搭載されたヘッドが、磁気ディスク上の任意の位置に位
置決めされる。
気ディスクの記録密度は、日を追う毎に高密度化が進で
いる。磁気ディスクに対するデータの記録および再生に
使用される磁気ヘッドは、通常スライダに搭載されてお
り、磁気ヘッドが搭載されたスライダは、磁気ディスク
装置内に設けられたヘッド支持機構によって支持されて
いる。ヘッド支持機構は、スライダが取り付けられたヘ
ッドアクチュエーターアームを有しており、このヘッド
アクチュエータアームが、ボイスコイルモータ（ＶＣ
Ｍ）によって回動されるようになっている。そして、ボ
イスコイルモーターを制御することにより、スライダに
搭載されたヘッドが、磁気ディスク上の任意の位置に位
置決めされる。
【０００３】磁気ディスクに対してデータをさらに高密
度で記録するためには、磁気ディスクに対して磁気ヘッ
ドをさらに高密度に位置決めする必要がある。しかしな
がら、このように、ＶＣＭにてヘッドアクチュエータア
ームを回動させて磁気ヘッドを位置決めする構成では、
磁気ヘッドを、より高精度に位置決めできないという問
題がある。このために、磁気ヘッドを高精度に位置決め
するヘッド支持機構が既に提案されている。
度で記録するためには、磁気ディスクに対して磁気ヘッ
ドをさらに高密度に位置決めする必要がある。しかしな
がら、このように、ＶＣＭにてヘッドアクチュエータア
ームを回動させて磁気ヘッドを位置決めする構成では、
磁気ヘッドを、より高精度に位置決めできないという問
題がある。このために、磁気ヘッドを高精度に位置決め
するヘッド支持機構が既に提案されている。
【０００４】以下、従来の磁気ディスク装置について説
明する。図１８は、磁気ディスク装置における従来のヘ
ッド支持機構２００を示す平面囲である。回転駆動され
る図示しない磁気ディスクに対するデータの記録／再生
を行うヘッドを搭載したスライダ１０２は、サスペンシ
ョンアーム１０４の一端に支持される。サスペンション
アーム１０４の他方の端部は、キヤリッジ１０６の突起
１０８を中心に微小角範囲内で回動可能に支持されてい
る。キャリッジ１０６は磁気ディスク装置のハウジング
に対して固定される軸部材１１０に対して回動可能に支
持されている。
明する。図１８は、磁気ディスク装置における従来のヘ
ッド支持機構２００を示す平面囲である。回転駆動され
る図示しない磁気ディスクに対するデータの記録／再生
を行うヘッドを搭載したスライダ１０２は、サスペンシ
ョンアーム１０４の一端に支持される。サスペンション
アーム１０４の他方の端部は、キヤリッジ１０６の突起
１０８を中心に微小角範囲内で回動可能に支持されてい
る。キャリッジ１０６は磁気ディスク装置のハウジング
に対して固定される軸部材１１０に対して回動可能に支
持されている。
【０００５】キヤリッジ１０６には、永久磁石（図示せ
ず）が固定されており、ハウジング側に固定された磁気
回路１１２の一部である駆動コイル１１４に流す励磁電
流を制御することによって、この永久磁石に対して、キ
ヤリッジ１０６が軸部材１１０に対して回動するように
なっている。これによりヘッドを搭載したスライダ１０
２を磁気ディスクの実質的な半径方向に沿って移動され
る。
ず）が固定されており、ハウジング側に固定された磁気
回路１１２の一部である駆動コイル１１４に流す励磁電
流を制御することによって、この永久磁石に対して、キ
ヤリッジ１０６が軸部材１１０に対して回動するように
なっている。これによりヘッドを搭載したスライダ１０
２を磁気ディスクの実質的な半径方向に沿って移動され
る。
【０００６】キャリッジ１０６には、永久磁石（図示せ
ず）が固定されており、ハウジング側に固定された磁気
回路１１２の一部である駆動コイル１１４に流す励磁電
流を制御することによって、この永久磁石に対して、キ
ャリッジ１０６が、軸部材１１０に対して回動するよう
になっている。これにより、スライダ１０２が、磁気デ
ィスクにおける実質的な半径方向に沿って移動される。
ず）が固定されており、ハウジング側に固定された磁気
回路１１２の一部である駆動コイル１１４に流す励磁電
流を制御することによって、この永久磁石に対して、キ
ャリッジ１０６が、軸部材１１０に対して回動するよう
になっている。これにより、スライダ１０２が、磁気デ
ィスクにおける実質的な半径方向に沿って移動される。
【０００７】キャリッジ１０６とサスペンションアーム
１０４との間には、一対の圧電素子１１６が設けられて
いる。各圧電素子は、図１８に示すようにキャリッジ１
０６の長手方向に対して、それぞれの長手方向が相反す
る方向に若干傾斜した状態で取り付けられている。そし
て、各圧電素子１１６を、それぞれ、図１８に矢印Ａ１
４で示す方向に伸縮させることによって、サスペンショ
ンアーム１０４の先端部に取り付けられたスライダ１０
２は、磁気ディスク表面に沿って、微小な範囲で変位さ
れ、磁気ディスク上の任意の位置にて高精度で位置決め
することができる。
１０４との間には、一対の圧電素子１１６が設けられて
いる。各圧電素子は、図１８に示すようにキャリッジ１
０６の長手方向に対して、それぞれの長手方向が相反す
る方向に若干傾斜した状態で取り付けられている。そし
て、各圧電素子１１６を、それぞれ、図１８に矢印Ａ１
４で示す方向に伸縮させることによって、サスペンショ
ンアーム１０４の先端部に取り付けられたスライダ１０
２は、磁気ディスク表面に沿って、微小な範囲で変位さ
れ、磁気ディスク上の任意の位置にて高精度で位置決め
することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１８に示す従来のヘ
ッド支持機構２００では、各圧電素子１１６が、サスペ
ンションアーム１０４およびキャリッジ１０６にそれぞ
れ設けられた部材の間にそれぞれ挟まれた状態になって
いる。各圧電素子１１６の側部が、サスペンションアー
ム１０４とキャリッジ１０６の各部材に当接されてい
る。そして、各圧電素子１１６のバルク変形によって、
サスペンションアーム１０４を回動させてヘッド１０２
を微小に変位させるようになっている。このように、各
圧電素子１１６への印加電圧に対して、サスペンション
アーム１０４を回動させ、ヘッド１０２を微小に変位さ
せている。
ッド支持機構２００では、各圧電素子１１６が、サスペ
ンションアーム１０４およびキャリッジ１０６にそれぞ
れ設けられた部材の間にそれぞれ挟まれた状態になって
いる。各圧電素子１１６の側部が、サスペンションアー
ム１０４とキャリッジ１０６の各部材に当接されてい
る。そして、各圧電素子１１６のバルク変形によって、
サスペンションアーム１０４を回動させてヘッド１０２
を微小に変位させるようになっている。このように、各
圧電素子１１６への印加電圧に対して、サスペンション
アーム１０４を回動させ、ヘッド１０２を微小に変位さ
せている。
【０００９】しかしながら各圧電素子１１６にそれぞれ
印加される電圧にヘッドを搭載したスライダ１０２が必
ずしも高精度に追従するものではなく、ヘッドを高精度
で位置決めすることができないおそれがある。
印加される電圧にヘッドを搭載したスライダ１０２が必
ずしも高精度に追従するものではなく、ヘッドを高精度
で位置決めすることができないおそれがある。
【００１０】また、必要とする変位を得るためには、圧
電素子に印加する電圧を数十ボルト必要とするため新た
に圧電素子駆動用の電源を必要とする。
電素子に印加する電圧を数十ボルト必要とするため新た
に圧電素子駆動用の電源を必要とする。
【００１１】本発明の目的は、低い印加電圧によって効
率的にヘッドを微小変位させることが可能な薄膜圧電体
素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構
を提供することにある。
率的にヘッドを微小変位させることが可能な薄膜圧電体
素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜圧電体
素子の製造方法は、第１基板に第１電極金属膜と第１薄
膜圧電体と第２電極金属膜とをこの順番に成膜する第１
工程と、第２基板に第３電極金属膜と第２薄膜圧電体と
第４電極金属膜とをこの順番に成膜する第２工程と、該
第２電極金属膜と該第４電極金属膜とを接着する第３工
程と、該第１基板をエッチングで除去する第４工程と、
該第１電極金属膜と該第１薄膜圧電体と該第２電極金属
膜とと該第４電極金属膜と該第２薄膜圧電体と該第３電
極金属膜とを、所定の形状に加工する第５工程と、該第
１電極金属膜と該第１薄膜圧電体と該第２電極金属膜と
該第４電極金属膜と該第２薄膜圧電体と該第３電極金属
膜とを、コーティング樹脂で覆う第６工程と、該第２基
板をエッチングで除去する第７工程とを包含し、そのこ
とにより上記目的が達成される。
素子の製造方法は、第１基板に第１電極金属膜と第１薄
膜圧電体と第２電極金属膜とをこの順番に成膜する第１
工程と、第２基板に第３電極金属膜と第２薄膜圧電体と
第４電極金属膜とをこの順番に成膜する第２工程と、該
第２電極金属膜と該第４電極金属膜とを接着する第３工
程と、該第１基板をエッチングで除去する第４工程と、
該第１電極金属膜と該第１薄膜圧電体と該第２電極金属
膜とと該第４電極金属膜と該第２薄膜圧電体と該第３電
極金属膜とを、所定の形状に加工する第５工程と、該第
１電極金属膜と該第１薄膜圧電体と該第２電極金属膜と
該第４電極金属膜と該第２薄膜圧電体と該第３電極金属
膜とを、コーティング樹脂で覆う第６工程と、該第２基
板をエッチングで除去する第７工程とを包含し、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【００１３】前記第１基板と前記第２基板とは、単結晶
基板を含んでもよい。
基板を含んでもよい。
【００１４】前記第１基板の線膨張係数は、前記第１薄
膜圧電体の線膨張係数よりも高く、前記第２基板の線膨
張係数は、前記第２薄膜圧電体の線膨張係数よりも高く
てもよい。
膜圧電体の線膨張係数よりも高く、前記第２基板の線膨
張係数は、前記第２薄膜圧電体の線膨張係数よりも高く
てもよい。
【００１５】前記第３工程は、導電性接着剤を用いて前
記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを接着する工
程を包含してもよい。
記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを接着する工
程を包含してもよい。
【００１６】前記第３工程は、超音波振動を用いた熱溶
着により前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを
接着する工程を包含してもよい。
着により前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを
接着する工程を包含してもよい。
【００１７】前記第１工程は、前記第１薄膜圧電体の分
極方向が前記第１薄膜圧電体の表面に実質的に垂直な方
向と一致するように該第１薄膜圧電体を成膜する工程を
包含し、前記第２工程は、前記第２薄膜圧電体の分極方
向が前記第２薄膜圧電体の表面に実質的に垂直な方向と
一致するように該第２薄膜圧電体を成膜する工程を包含
してもよい。
極方向が前記第１薄膜圧電体の表面に実質的に垂直な方
向と一致するように該第１薄膜圧電体を成膜する工程を
包含し、前記第２工程は、前記第２薄膜圧電体の分極方
向が前記第２薄膜圧電体の表面に実質的に垂直な方向と
一致するように該第２薄膜圧電体を成膜する工程を包含
してもよい。
【００１８】本発明に係る薄膜圧電体素子は、第１電極
金属膜と、該第１電極金属膜上に形成される第１薄膜圧
電体と、該第１薄膜圧電体上に形成される第２電極金属
膜と、第３電極金属膜と、該第３電極金属膜上に形成さ
れる第２薄膜圧電体と、該第２薄膜圧電体上に形成され
る第４電極金属膜と、該第２電極金属膜と該第４電極金
属膜とを接着する接着手段とを備え、そのことにより上
記目的が達成される。
金属膜と、該第１電極金属膜上に形成される第１薄膜圧
電体と、該第１薄膜圧電体上に形成される第２電極金属
膜と、第３電極金属膜と、該第３電極金属膜上に形成さ
れる第２薄膜圧電体と、該第２薄膜圧電体上に形成され
る第４電極金属膜と、該第２電極金属膜と該第４電極金
属膜とを接着する接着手段とを備え、そのことにより上
記目的が達成される。
【００１９】前記薄膜圧電体素子に電圧を印加する電圧
印加手段をさらに備え、該電圧印加手段は、前記第１電
極金属膜と前記第３電極金属膜とに駆動電圧を印加する
ための第１端子と、前記第２電極金属膜と前記第４電極
金属膜とにグランド電圧を印加するための第２端子とを
含んでもよい。
印加手段をさらに備え、該電圧印加手段は、前記第１電
極金属膜と前記第３電極金属膜とに駆動電圧を印加する
ための第１端子と、前記第２電極金属膜と前記第４電極
金属膜とにグランド電圧を印加するための第２端子とを
含んでもよい。
【００２０】本発明に係るヘッド支持機構は、ヘッドを
搭載するスライダと、該スライダを保持するフレクシャ
と、該フレクシャが設けられるロードビームとを備える
ヘッド支持機構であって、該フレクシャは、該スライダ
が配置されるスライダ保持部と、第１薄膜圧電体素子を
保持する第１保持部と、第２薄膜圧電体素子を保持する
第２保持部と、該スライダ保持部と該第１保持部との間
に設けられる第１ヒンジと、該スライダ保持部と該第２
保持部との間に設けられる第２ヒンジと、該第１保持部
と該第２保持部とに接続されるベース部とを含み、該第
１および第２薄膜圧電体素子は、本発明に係る薄膜圧電
体素子を含み、そのことにより上記目的が達成される。
搭載するスライダと、該スライダを保持するフレクシャ
と、該フレクシャが設けられるロードビームとを備える
ヘッド支持機構であって、該フレクシャは、該スライダ
が配置されるスライダ保持部と、第１薄膜圧電体素子を
保持する第１保持部と、第２薄膜圧電体素子を保持する
第２保持部と、該スライダ保持部と該第１保持部との間
に設けられる第１ヒンジと、該スライダ保持部と該第２
保持部との間に設けられる第２ヒンジと、該第１保持部
と該第２保持部とに接続されるベース部とを含み、該第
１および第２薄膜圧電体素子は、本発明に係る薄膜圧電
体素子を含み、そのことにより上記目的が達成される。
【００２１】本発明のある局面によれば、数ボルトの低
い電圧でディスク装置におけるヘッド微小位置決め機構
を駆動し、ヘッドの変位として約１μを得るという作用
を有する。
い電圧でディスク装置におけるヘッド微小位置決め機構
を駆動し、ヘッドの変位として約１μを得るという作用
を有する。
【００２２】本発明の他の局面によれば、前記第２の電
極金属膜と前記第４の電極金属膜とを電気的に導通状態
で接着された粘弾性体による接着層を有することを特徴
とし、数ボルトの低い電圧でディスク装置におけるヘッ
ド微小位置決め機構を駆動し、ヘッドの変位として約１
μを得るとともに駆動に適度のダンピング効果を与える
という作用を有する。
極金属膜と前記第４の電極金属膜とを電気的に導通状態
で接着された粘弾性体による接着層を有することを特徴
とし、数ボルトの低い電圧でディスク装置におけるヘッ
ド微小位置決め機構を駆動し、ヘッドの変位として約１
μを得るとともに駆動に適度のダンピング効果を与える
という作用を有する。
【００２３】本発明のさらに他の局面によれば、第２の
金属膜と第４の金属膜との導通性と接着の信頼性を高め
るという作用を有する。
金属膜と第４の金属膜との導通性と接着の信頼性を高め
るという作用を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１から図１７を用いて説明する。
て、図１から図１７を用いて説明する。
【００２５】図１は本発明のディスク装置におけるヘッ
ド支持機構の実施形態の一例を示すディスク側からの斜
視図である。図２は、そのヘッド支持機構を分解して示
す斜視図である。
ド支持機構の実施形態の一例を示すディスク側からの斜
視図である。図２は、そのヘッド支持機構を分解して示
す斜視図である。
【００２６】ヘッド支持機構１００は、ヘッド１が取り
付けられたスライダ２を先端部に支持するロードビーム
４を有している。ロードビーム４は、ヘッドアクチュエ
ータアーム（図示しない）に取り付けられる正方形状を
した基端部４Ａを有し、基端部４Ａは、ビーム溶接等に
よってベースプレート５に固定されている。ベースプレ
ート５は、図示しないヘッドアクチュエーターアームに
取り付けられている。ロードビーム４には、基端部４Ａ
から先細状に延出するネック部４Ｂに連続して、ビーム
部４Ｃが直線状に延出するように設けられている。ネッ
ク部４Ｂの中央部には、開口部４Ｄが設けられており、
ネック部４Ｂにおける開口部４Ｄの両側部分が、それぞ
れ、板バネ部４Ｅになっている。
付けられたスライダ２を先端部に支持するロードビーム
４を有している。ロードビーム４は、ヘッドアクチュエ
ータアーム（図示しない）に取り付けられる正方形状を
した基端部４Ａを有し、基端部４Ａは、ビーム溶接等に
よってベースプレート５に固定されている。ベースプレ
ート５は、図示しないヘッドアクチュエーターアームに
取り付けられている。ロードビーム４には、基端部４Ａ
から先細状に延出するネック部４Ｂに連続して、ビーム
部４Ｃが直線状に延出するように設けられている。ネッ
ク部４Ｂの中央部には、開口部４Ｄが設けられており、
ネック部４Ｂにおける開口部４Ｄの両側部分が、それぞ
れ、板バネ部４Ｅになっている。
【００２７】図３に示すようにスライダ２は、ＭＲ素子
を含むヘッド１が設けられている。また、ヘッド１が設
けられた端面の下部には、４つの端子２Ａ〜２Ｄが横方
向に並んだ状態で設けられている。さらに、スライダ２
の上面には、回転駆動される磁気ディスクによって生じ
る空気流がスライダ２のピッチ方向（磁気ディスクの接
線方向）に沿って通流することによって磁気ディスクと
の間にエア潤滑膜を形成するエア−ベアリング面２Ｅが
設けられている。
を含むヘッド１が設けられている。また、ヘッド１が設
けられた端面の下部には、４つの端子２Ａ〜２Ｄが横方
向に並んだ状態で設けられている。さらに、スライダ２
の上面には、回転駆動される磁気ディスクによって生じ
る空気流がスライダ２のピッチ方向（磁気ディスクの接
線方向）に沿って通流することによって磁気ディスクと
の間にエア潤滑膜を形成するエア−ベアリング面２Ｅが
設けられている。
【００２８】図２に示すようにロードビーム４のビーム
部４Ｃ上には、ヘッド配線パターン６を有するフレクシ
ャ７が設けられている。フレクシャ７は、ステンレス材
をベースとしている。フレクシャ７のスライダ取付部７
Ｘ上には、ヘッド１が搭載されたスライダ２が配置され
る。
部４Ｃ上には、ヘッド配線パターン６を有するフレクシ
ャ７が設けられている。フレクシャ７は、ステンレス材
をベースとしている。フレクシャ７のスライダ取付部７
Ｘ上には、ヘッド１が搭載されたスライダ２が配置され
る。
【００２９】図４に示すようにフレクシャ７にはステン
レス等のフレクシャー基板３にパターン化した配線６
Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが形成されている。スライダ取付
部７Ｘのスライダ取り付け側の反対面にはスライダー保
持基板３Ａが貼り付けられている。このスライダ保持基
板３Ａの外形形状は、フレクシャー基板３と同時にエッ
チング加工により形成される。またスライダ保持基板３
Ａには突起部３Ｂが形成され、この突起部３Ｂは図２に
示すロードビーム４の先端付近に形成されたディンプル
４Ｇに当接している。この突起部３Ｂがディンプル４Ｇ
によって押圧されていることにより、ディンプル４Ｇを
中心として全方位にわたってスライダ保持板３Ａは回動
可能に保持されている。
レス等のフレクシャー基板３にパターン化した配線６
Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄが形成されている。スライダ取付
部７Ｘのスライダ取り付け側の反対面にはスライダー保
持基板３Ａが貼り付けられている。このスライダ保持基
板３Ａの外形形状は、フレクシャー基板３と同時にエッ
チング加工により形成される。またスライダ保持基板３
Ａには突起部３Ｂが形成され、この突起部３Ｂは図２に
示すロードビーム４の先端付近に形成されたディンプル
４Ｇに当接している。この突起部３Ｂがディンプル４Ｇ
によって押圧されていることにより、ディンプル４Ｇを
中心として全方位にわたってスライダ保持板３Ａは回動
可能に保持されている。
【００３０】図３に示すスライダ２は、エアーベアリン
グ面２Ｅの中心位置が、図２に示すロードビーム４のデ
インプル４Ｇに一致するようにスライダ保持板３Ａ上に
接着される。フレクシャ７の他方の端部には、図２に示
すように外部接続用端子保持部７Ｙが形成される。端子
保持部７Ｙは、ロードビーム４の基端部４Ａにおける一
方の側縁部に配置されている。
グ面２Ｅの中心位置が、図２に示すロードビーム４のデ
インプル４Ｇに一致するようにスライダ保持板３Ａ上に
接着される。フレクシャ７の他方の端部には、図２に示
すように外部接続用端子保持部７Ｙが形成される。端子
保持部７Ｙは、ロードビーム４の基端部４Ａにおける一
方の側縁部に配置されている。
【００３１】図２に示すようにビーム部４Ｃの先端部に
おける各側縁部には、スライダ保持板３Ａの回動を若干
の隙間をもって規制する規制部４Ｆがそれぞれ設けられ
ている。なお各規制部４Ｆは、ビーム部４Ｃの先端から
基端部４Ａ側に向かって直線状に延出している。
おける各側縁部には、スライダ保持板３Ａの回動を若干
の隙間をもって規制する規制部４Ｆがそれぞれ設けられ
ている。なお各規制部４Ｆは、ビーム部４Ｃの先端から
基端部４Ａ側に向かって直線状に延出している。
【００３２】実施の形態に係る薄膜圧電体素子１０は、
図２および図４に示すフレクシャ７の薄膜圧電体保持部
８Ａ，８Ｂに接着して取り付けられる。図５は薄膜圧電
体素子１０の平面図である。薄膜圧電体素子１０は、左
右それぞれ別の素子１０Ａおよび１０Ｂがペアーになっ
て構成されておりその断面を図６に示す。薄膜圧電体素
子１０は２層構造となっており、上部に位置する第一の
薄膜圧電体１１Ａの上側と下側には第１の電極金属膜１
２Ａと第２の電極金属膜１２Ｂが形成されている。また
第２の薄膜圧電体素子１１Ｂは、第１の薄膜圧電体素子
１１Ａの下側に配置されその両面には同様に第３の電極
金属膜１２Ｃ、第４の電極金属膜１２Ｄが設けられてい
る。第２の電極金属膜１２Ｂと第４の電極金属膜１２Ｄ
とは導電性接着剤１３で電気的に短絡されている。また
薄膜圧電体素子１０の全体は、柔軟性のあるコーティン
グ樹脂１４でカバーされる。コーティング樹脂１４は、
左右の薄膜圧電素子１０Ａおよび１０Ｂを一体化してい
る。
図２および図４に示すフレクシャ７の薄膜圧電体保持部
８Ａ，８Ｂに接着して取り付けられる。図５は薄膜圧電
体素子１０の平面図である。薄膜圧電体素子１０は、左
右それぞれ別の素子１０Ａおよび１０Ｂがペアーになっ
て構成されておりその断面を図６に示す。薄膜圧電体素
子１０は２層構造となっており、上部に位置する第一の
薄膜圧電体１１Ａの上側と下側には第１の電極金属膜１
２Ａと第２の電極金属膜１２Ｂが形成されている。また
第２の薄膜圧電体素子１１Ｂは、第１の薄膜圧電体素子
１１Ａの下側に配置されその両面には同様に第３の電極
金属膜１２Ｃ、第４の電極金属膜１２Ｄが設けられてい
る。第２の電極金属膜１２Ｂと第４の電極金属膜１２Ｄ
とは導電性接着剤１３で電気的に短絡されている。また
薄膜圧電体素子１０の全体は、柔軟性のあるコーティン
グ樹脂１４でカバーされる。コーティング樹脂１４は、
左右の薄膜圧電素子１０Ａおよび１０Ｂを一体化してい
る。
【００３３】図７は、フレクシャ７をスライダ２の貼り
付け側から見た平面図であり、図８は、図７に示すＸ１
−Ｘ２の断面図である。図８はフレクシャ７の薄膜圧電
体保持部８Ａ，８Ｂの断面を示した図である。薄膜圧電
体保持部８Ａ、８Ｂにおける基板１５Ａ，１５Ｂは、配
線６をエッチング加工等でパターン形成するときに同時
に形成するため、材質および厚みは配線６と同一でかつ
同一平面に形成される。基板１５Ａ，１５Ｂは、配線６
とともにポリイミド樹脂等の絶縁材料１６でコーティン
グされている。なお基板１５Ａおよび１５Ｂにおいて薄
膜圧電体１０を接着する面には、絶縁材料１６はなく基
板１５Ａおよび１５Ｂが露出し、薄膜圧電体１０と基板
１５Ａおよび１５Ｂとの間の接着強度を確保している。
図９は、フレクシャ７を図７とは逆にスライダ保持板３
Ａ側から見た図である。
付け側から見た平面図であり、図８は、図７に示すＸ１
−Ｘ２の断面図である。図８はフレクシャ７の薄膜圧電
体保持部８Ａ，８Ｂの断面を示した図である。薄膜圧電
体保持部８Ａ、８Ｂにおける基板１５Ａ，１５Ｂは、配
線６をエッチング加工等でパターン形成するときに同時
に形成するため、材質および厚みは配線６と同一でかつ
同一平面に形成される。基板１５Ａ，１５Ｂは、配線６
とともにポリイミド樹脂等の絶縁材料１６でコーティン
グされている。なお基板１５Ａおよび１５Ｂにおいて薄
膜圧電体１０を接着する面には、絶縁材料１６はなく基
板１５Ａおよび１５Ｂが露出し、薄膜圧電体１０と基板
１５Ａおよび１５Ｂとの間の接着強度を確保している。
図９は、フレクシャ７を図７とは逆にスライダ保持板３
Ａ側から見た図である。
【００３４】図１０はフレクシャ７の薄膜圧電体保持部
８Ａおよび８Ｂに薄膜圧電体１０を接着剤１７で接着し
た状態を示す断面図である。薄膜圧電体素子１０につい
て説明する。図１０に示すように薄膜圧電体素子１０Ａ
および１０Ｂのそれぞれは、第１の薄膜圧電体１１Ａお
よび第２の薄膜圧電体１１Ｂの２層構造を有する。
８Ａおよび８Ｂに薄膜圧電体１０を接着剤１７で接着し
た状態を示す断面図である。薄膜圧電体素子１０につい
て説明する。図１０に示すように薄膜圧電体素子１０Ａ
および１０Ｂのそれぞれは、第１の薄膜圧電体１１Ａお
よび第２の薄膜圧電体１１Ｂの２層構造を有する。
【００３５】図１１（ａ）に示すように格子定数が薄膜
圧電体のそれと近い値の単結晶基板１８上に先ず電極金
属膜１２Ａ（１２Ｃ）が成膜で成膜される。図１１
（ｂ）に示すように電極金属膜１２Ａ（１２Ｃ）の上に
ＰＺＴ等の第１の薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）が成膜さ
れる。これにより薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）は電極金
属膜１２Ａ上で単結晶成長する。図１１（ｃ）に示すよ
うに、さらに薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）の上面に電極
金属膜１２Ｂ（１２Ｄ）が成膜される。このときの薄膜
圧電体１１Ａ（１１Ｂ）の分極方向は成膜時点で図１１
（ｃ）に示した矢印Ａ方向にすべて一致している。な
お、単結晶基板１８の線膨張係数は薄膜圧電体１１Ａ
（１１Ｂ）の線膨張係数よりも高い値を持っている。
圧電体のそれと近い値の単結晶基板１８上に先ず電極金
属膜１２Ａ（１２Ｃ）が成膜で成膜される。図１１
（ｂ）に示すように電極金属膜１２Ａ（１２Ｃ）の上に
ＰＺＴ等の第１の薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）が成膜さ
れる。これにより薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）は電極金
属膜１２Ａ上で単結晶成長する。図１１（ｃ）に示すよ
うに、さらに薄膜圧電体１１Ａ（１１Ｂ）の上面に電極
金属膜１２Ｂ（１２Ｄ）が成膜される。このときの薄膜
圧電体１１Ａ（１１Ｂ）の分極方向は成膜時点で図１１
（ｃ）に示した矢印Ａ方向にすべて一致している。な
お、単結晶基板１８の線膨張係数は薄膜圧電体１１Ａ
（１１Ｂ）の線膨張係数よりも高い値を持っている。
【００３６】図１２（ａ）〜（ｇ）および図１３を参照
して２層構成を形成する工程を説明する。図１２（ａ）
〜（ｇ）は、単結晶基板上に成膜した薄膜圧電体を２層
構成化する手順を示した図である。図１３は、実施の形
態に係る薄膜圧電体の製造方法を示すフローチャートで
ある。図１２（ａ）に示すように第１単結晶基板１８Ａ
上に第１電極金属膜１２Ａ、薄膜圧電体１１Ａおよび第
２電極金属膜１２Ｂを形成し（図１３：Ｓ１３０１）、
図１２（ｂ）に示すように単結晶基板１８Ｂ上に第３電
極金属膜１２Ｃ、第２薄膜圧電体１１Ｂおよび第４電極
金属膜１２Ｄを形成する（図１３：Ｓ１３０２）。
して２層構成を形成する工程を説明する。図１２（ａ）
〜（ｇ）は、単結晶基板上に成膜した薄膜圧電体を２層
構成化する手順を示した図である。図１３は、実施の形
態に係る薄膜圧電体の製造方法を示すフローチャートで
ある。図１２（ａ）に示すように第１単結晶基板１８Ａ
上に第１電極金属膜１２Ａ、薄膜圧電体１１Ａおよび第
２電極金属膜１２Ｂを形成し（図１３：Ｓ１３０１）、
図１２（ｂ）に示すように単結晶基板１８Ｂ上に第３電
極金属膜１２Ｃ、第２薄膜圧電体１１Ｂおよび第４電極
金属膜１２Ｄを形成する（図１３：Ｓ１３０２）。
【００３７】図１２（ｃ）に示すように、図１２（ａ）
に示す第２の電極金属膜１２Ｂと図１２（ｂ）に示す第
４の電極金属膜１２Ｄとを導電性接着剤１３で接着する
（図１３：Ｓ１３０３）。図１２（ｄ）に示すように、
単結晶基板１８の内一方の第１単結晶基板１８Ａをエッ
チングで除去する（図１３：Ｓ１３０４）。図１２
（ｅ）に示すように、２層構造の薄膜圧電体１１Ａおよ
び１１Ｂを薄膜圧電体素子１０の形状になるようにドラ
イエッチングで成形加工する（図１３：Ｓ１３０５）。
図１２（ｆ）に示すように、単結晶基板１８Ｂ上で薄膜
圧電体素子が形成された表面をコーティング樹脂１４で
覆い薄膜圧電体素子の腐食を回避する（図１３：Ｓ１３
０６）。図１２（ｇ）に示すように、最後に残っていた
第２単結晶基板１８Ｂをエッチング除去することにより
薄膜圧電体素子１０Ａ（１０Ｂ）を得る（図１３：Ｓ１
３０７）。なお、第１の電極金属膜１２Ｂと第４の電極
金属膜１２Ｄとの接着は超音波振動を用いた熱溶着で接
着してもよい。
に示す第２の電極金属膜１２Ｂと図１２（ｂ）に示す第
４の電極金属膜１２Ｄとを導電性接着剤１３で接着する
（図１３：Ｓ１３０３）。図１２（ｄ）に示すように、
単結晶基板１８の内一方の第１単結晶基板１８Ａをエッ
チングで除去する（図１３：Ｓ１３０４）。図１２
（ｅ）に示すように、２層構造の薄膜圧電体１１Ａおよ
び１１Ｂを薄膜圧電体素子１０の形状になるようにドラ
イエッチングで成形加工する（図１３：Ｓ１３０５）。
図１２（ｆ）に示すように、単結晶基板１８Ｂ上で薄膜
圧電体素子が形成された表面をコーティング樹脂１４で
覆い薄膜圧電体素子の腐食を回避する（図１３：Ｓ１３
０６）。図１２（ｇ）に示すように、最後に残っていた
第２単結晶基板１８Ｂをエッチング除去することにより
薄膜圧電体素子１０Ａ（１０Ｂ）を得る（図１３：Ｓ１
３０７）。なお、第１の電極金属膜１２Ｂと第４の電極
金属膜１２Ｄとの接着は超音波振動を用いた熱溶着で接
着してもよい。
【００３８】本発明の形状加工方法としては、ドライエ
ッチングの他、ウエットエッチングその他の工法におい
ても可能である。
ッチングの他、ウエットエッチングその他の工法におい
ても可能である。
【００３９】図２を参照して、フレクシャ７の中程に位
置された薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｂ．９Ｃ．９Ｄは、
外部接続用端子保持部７Ｙに一方の端部が設けられてお
り外部の駆動回路に接続されている。図４を参照して、
フレクシャ７における薄膜圧電体保持部８Ａ，８Ｂのス
ライダ取りつけ部７Ｘとのつなぎ部１９Ａ，１９Ｂは局
部的に狭い幅で形成された弾性ヒンジ部である。
置された薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｂ．９Ｃ．９Ｄは、
外部接続用端子保持部７Ｙに一方の端部が設けられてお
り外部の駆動回路に接続されている。図４を参照して、
フレクシャ７における薄膜圧電体保持部８Ａ，８Ｂのス
ライダ取りつけ部７Ｘとのつなぎ部１９Ａ，１９Ｂは局
部的に狭い幅で形成された弾性ヒンジ部である。
【００４０】図１３を参照して、薄膜圧電体素子１０
（１０Ａ、１０Ｂ）の電極の取り方について説明する。
金属電極膜１２Ａ、１２Ｃにはプラス電圧が印加され
る。金属電極膜１２Ｂ、１２Ｄはグランドになるように
設定されている。図１４は図５および図７におけるＹ−
Ｙ'断面に相当する位置における薄膜圧電体素子１０
（１０Ａ、１０Ｂ）と薄膜圧電体用端子９との接合を示
す図である。薄膜圧電体素子１０Ａ、１０Ｂのグランド
取り出し部２０の加工方法を説明する。図１４に示すよ
うに、第１の電極金属膜１２Ａおよび第１の薄膜圧電体
１１Ａを第１のエッチング加工で第２の電極金属膜１２
Ｂの上面まで加工する。その後、第１のエッチング加工
範囲の内側で第２の電極金属膜１２Ｂを残した状態で第
２の電極金属膜１２Ｂおよび導電性接着剤１３を第２の
エッチング加工で取り除く。その後、コーティング樹脂
１４でグランド取り出し部２０における第１の電極金属
膜１２Ａをカバーする。最後に第２の電極金属膜１２Ｂ
と第４の電極金属膜１２Ｄとを短絡するグランド金属端
子膜２１を形成してグランド電極を構成する。
（１０Ａ、１０Ｂ）の電極の取り方について説明する。
金属電極膜１２Ａ、１２Ｃにはプラス電圧が印加され
る。金属電極膜１２Ｂ、１２Ｄはグランドになるように
設定されている。図１４は図５および図７におけるＹ−
Ｙ'断面に相当する位置における薄膜圧電体素子１０
（１０Ａ、１０Ｂ）と薄膜圧電体用端子９との接合を示
す図である。薄膜圧電体素子１０Ａ、１０Ｂのグランド
取り出し部２０の加工方法を説明する。図１４に示すよ
うに、第１の電極金属膜１２Ａおよび第１の薄膜圧電体
１１Ａを第１のエッチング加工で第２の電極金属膜１２
Ｂの上面まで加工する。その後、第１のエッチング加工
範囲の内側で第２の電極金属膜１２Ｂを残した状態で第
２の電極金属膜１２Ｂおよび導電性接着剤１３を第２の
エッチング加工で取り除く。その後、コーティング樹脂
１４でグランド取り出し部２０における第１の電極金属
膜１２Ａをカバーする。最後に第２の電極金属膜１２Ｂ
と第４の電極金属膜１２Ｄとを短絡するグランド金属端
子膜２１を形成してグランド電極を構成する。
【００４１】グランド金属端子膜２１のそれぞれは、ボ
ンディングワイヤ２４で図７に示す薄膜圧電体用端子９
Ｂ、９Ｃにつながれている。図５，図１４に示す第１の
電極取り出し部２２では、コーティング樹脂１４が一部
取り除かれており、第１の電極金属膜１２Ａが露出して
いる。また第４の電極取り出し部２３では、コーティン
グ樹脂１４が第１の電極取り出し部２２と同様に一部取
り除かれている。図１４に示すように電極取り出し部２
２における第１の電極金属膜１２Ａおよび電極取り出し
部２３における金属電極膜１２Ｃは、ボンディングワイ
ヤー２４により薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｄにそれぞれ
接続される。
ンディングワイヤ２４で図７に示す薄膜圧電体用端子９
Ｂ、９Ｃにつながれている。図５，図１４に示す第１の
電極取り出し部２２では、コーティング樹脂１４が一部
取り除かれており、第１の電極金属膜１２Ａが露出して
いる。また第４の電極取り出し部２３では、コーティン
グ樹脂１４が第１の電極取り出し部２２と同様に一部取
り除かれている。図１４に示すように電極取り出し部２
２における第１の電極金属膜１２Ａおよび電極取り出し
部２３における金属電極膜１２Ｃは、ボンディングワイ
ヤー２４により薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｄにそれぞれ
接続される。
【００４２】このような構成の薄膜圧電体素子を有する
ヘッド支持機構１００の動作について、図１５〜図１７
を用いて説明する。図１５はヘッド支持機構１００を横
方向から見た図である。図１５中の薄膜圧電体素子１０
Ａ（１０Ｂ）の拡大した断面構成を図１５に示した。図
７に示す薄膜圧電体用端子９Ｂ、９Ｃはグランドレベル
に設定されている。薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｄには図
１６（ｂ）、（ｃ）に示すように薄膜圧電体素子１０Ａ
および１０Ｂをそれぞれ駆動する駆動電圧が印加され
る。薄膜圧電体端子９Ａと薄膜圧電体端子９Ｄとにはバ
イアス電圧Ｖ0を中心として互いに逆位相の駆動電圧が
印加される。薄膜圧電体１１Ａ，１１Ｂには常にプラス
の駆動電圧が印加される。駆動電圧が印加されると、図
１６（ａ）に示すように薄膜圧電体１１Ａおよび１１Ｂ
は矢印Ｂの方向に縮むが基板１５Ｂ（１５Ａ）があるた
めに、薄膜圧電体素子１０Ａ（１０Ｂ）は、反りを持っ
た状態になる。
ヘッド支持機構１００の動作について、図１５〜図１７
を用いて説明する。図１５はヘッド支持機構１００を横
方向から見た図である。図１５中の薄膜圧電体素子１０
Ａ（１０Ｂ）の拡大した断面構成を図１５に示した。図
７に示す薄膜圧電体用端子９Ｂ、９Ｃはグランドレベル
に設定されている。薄膜圧電体用端子９Ａ，９Ｄには図
１６（ｂ）、（ｃ）に示すように薄膜圧電体素子１０Ａ
および１０Ｂをそれぞれ駆動する駆動電圧が印加され
る。薄膜圧電体端子９Ａと薄膜圧電体端子９Ｄとにはバ
イアス電圧Ｖ0を中心として互いに逆位相の駆動電圧が
印加される。薄膜圧電体１１Ａ，１１Ｂには常にプラス
の駆動電圧が印加される。駆動電圧が印加されると、図
１６（ａ）に示すように薄膜圧電体１１Ａおよび１１Ｂ
は矢印Ｂの方向に縮むが基板１５Ｂ（１５Ａ）があるた
めに、薄膜圧電体素子１０Ａ（１０Ｂ）は、反りを持っ
た状態になる。
【００４３】この伸縮により薄膜圧電体保持部８Ａ（８
Ｂ）は伸縮しフレクシャ基板３の薄膜圧電体保持部８と
の境界部３Ｘ（図９）とフレクシャ７の弾性ヒンジ部１
９との平面距離Ｌが変化する（図９）。またこれと同時
に薄膜圧電体保持部１５の反り状態も変化する。この反
りに起因して薄膜圧電体保持部８の曲率が変化する。こ
の曲率変化により弾性ヒンジ部１５とフレクシャ基板３
の薄膜圧電体保持部８Ａ（８Ｂ）との境界部との距離は
変化する。したがって、平面距離の変化と反りによる曲
率変化による効果が加算されることになる。なお、薄膜
圧電体１１Ａ，１１Ｂには図１１（ｃ）に示す分極方向
Ａに駆動電圧が印加されるため、薄膜圧電体の分極が反
転しその特性を損なうことはない。
Ｂ）は伸縮しフレクシャ基板３の薄膜圧電体保持部８と
の境界部３Ｘ（図９）とフレクシャ７の弾性ヒンジ部１
９との平面距離Ｌが変化する（図９）。またこれと同時
に薄膜圧電体保持部１５の反り状態も変化する。この反
りに起因して薄膜圧電体保持部８の曲率が変化する。こ
の曲率変化により弾性ヒンジ部１５とフレクシャ基板３
の薄膜圧電体保持部８Ａ（８Ｂ）との境界部との距離は
変化する。したがって、平面距離の変化と反りによる曲
率変化による効果が加算されることになる。なお、薄膜
圧電体１１Ａ，１１Ｂには図１１（ｃ）に示す分極方向
Ａに駆動電圧が印加されるため、薄膜圧電体の分極が反
転しその特性を損なうことはない。
【００４４】図１７（ａ）は薄膜圧電体素子１０Ａが伸
び、薄膜圧電体素子１０Ｂが収縮したときのスライダ２
の回動動作について描いた図である。図１７（ｂ）は、
図１７（ａ）の構成の模式図を示したものである。薄膜
圧電体素子１０Ａが矢印Ｅ方向に伸び、薄膜圧電体素子
１０Ｂが矢印Ｄ方向に収縮すると、スライダ２およびス
ライダ保持基板３Ａは、突起部３Ｂに当接するディンプ
ル４Ｇを中心に矢印Ｃ方向に回動する。従って、スライ
ダ２上に設けられたヘッド１は、磁気ディスク（図示せ
ず）に同心状態で設けられた各トラックの幅方向に沿っ
て移動することになる。これによりヘッド１をトラック
に追従させるオントラック性を高精度で実施することが
できる。
び、薄膜圧電体素子１０Ｂが収縮したときのスライダ２
の回動動作について描いた図である。図１７（ｂ）は、
図１７（ａ）の構成の模式図を示したものである。薄膜
圧電体素子１０Ａが矢印Ｅ方向に伸び、薄膜圧電体素子
１０Ｂが矢印Ｄ方向に収縮すると、スライダ２およびス
ライダ保持基板３Ａは、突起部３Ｂに当接するディンプ
ル４Ｇを中心に矢印Ｃ方向に回動する。従って、スライ
ダ２上に設けられたヘッド１は、磁気ディスク（図示せ
ず）に同心状態で設けられた各トラックの幅方向に沿っ
て移動することになる。これによりヘッド１をトラック
に追従させるオントラック性を高精度で実施することが
できる。
【００４５】弾性ヒンジ部１９Ａ，１９Ｂの幅寸法は、
図４に示すヘッド信号配線６Ａ、６Ｂ、６Ｃおよび６Ｄ
がそれぞれ配置されるために必要な最小限の幅寸法であ
るため、スライダ保持基板３Ａの回動時における負荷が
低減されて、スライダ保持基板３Ａが確実に回動する。
図４に示すヘッド信号配線６Ａ、６Ｂ、６Ｃおよび６Ｄ
がそれぞれ配置されるために必要な最小限の幅寸法であ
るため、スライダ保持基板３Ａの回動時における負荷が
低減されて、スライダ保持基板３Ａが確実に回動する。
【００４６】スライダー２には、図２に示すロードビー
ム４の板バネ部４Ｅによりロード荷重（２０〜３０ｍ
Ｎ）が加えられており、スライダ保持基板３Ａが回動す
る場合には、このロード荷重が、ディンプル４Ｇとスラ
イダ保持基板３Ａとに作用する。従って、スライダ保持
基板３Ａには、スライダ保持基板３Ａとデインプル４Ｇ
との摩擦係数にて決定される摩擦力が作用する。この摩
擦力によりスライダ保持基板３Ａの突出部３Ｂとディン
プル４Ｇとの間に位置ズレは生じない。
ム４の板バネ部４Ｅによりロード荷重（２０〜３０ｍ
Ｎ）が加えられており、スライダ保持基板３Ａが回動す
る場合には、このロード荷重が、ディンプル４Ｇとスラ
イダ保持基板３Ａとに作用する。従って、スライダ保持
基板３Ａには、スライダ保持基板３Ａとデインプル４Ｇ
との摩擦係数にて決定される摩擦力が作用する。この摩
擦力によりスライダ保持基板３Ａの突出部３Ｂとディン
プル４Ｇとの間に位置ズレは生じない。
【００４７】図１７（ｂ）を参照して、薄膜圧電体保持
部８Ａと薄膜圧電体素子１０Ａとからなる第一のビーム
１６１と薄膜圧電体保持部８Ｂおよび薄膜圧電体素子１
０Ｂとからなる第二のビーム１６２とは、ディンプル４
Ｇで回動自在に拘束されたスライダ保持基板３Ａに回動
自在に連結される。ヘッド１はディンプル４Ｇから距離
Ｄを置いてスライダ２上に設けられている。
部８Ａと薄膜圧電体素子１０Ａとからなる第一のビーム
１６１と薄膜圧電体保持部８Ｂおよび薄膜圧電体素子１
０Ｂとからなる第二のビーム１６２とは、ディンプル４
Ｇで回動自在に拘束されたスライダ保持基板３Ａに回動
自在に連結される。ヘッド１はディンプル４Ｇから距離
Ｄを置いてスライダ２上に設けられている。
【００４８】弾性ヒンジ部１９Ａ，１９Ｂは、スライダ
２のロール方向およびピッチ方向に柔軟な構成となって
いるため、ディスクに対するスライダ２の良好な浮上特
性を与える。
２のロール方向およびピッチ方向に柔軟な構成となって
いるため、ディスクに対するスライダ２の良好な浮上特
性を与える。
【００４９】以上のように本実施の形態によれば、単結
晶圧電体が２層構成を有しているので、小さい印加電圧
により大きな変位を得る事ができる薄膜圧電体アクチュ
エータ実現することができる。
晶圧電体が２層構成を有しているので、小さい印加電圧
により大きな変位を得る事ができる薄膜圧電体アクチュ
エータ実現することができる。
【００５０】また、薄膜圧電体素子を２層化することで
その剛性が高められるので、アクチュエータとしての共
振周波数を高くすることができる。これにより駆動周波
数を高めることができ、追従性の高い良好な特性を得る
ことが可能となる。
その剛性が高められるので、アクチュエータとしての共
振周波数を高くすることができる。これにより駆動周波
数を高めることができ、追従性の高い良好な特性を得る
ことが可能となる。
【００５１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、低い印加
電圧によって効率的にヘッドを微小変位させることが可
能な薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いた
ヘッド支持機構を得る事ができる。
電圧によって効率的にヘッドを微小変位させることが可
能な薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いた
ヘッド支持機構を得る事ができる。
【図１】実施に形態に係るヘッド支持機構の実施の形態
の一例を示す斜視図である。
の一例を示す斜視図である。
【図２】そのヘッド支持機構を分解して示す斜視図であ
る。
る。
【図３】そのヘッド支持機構に使用されるスライダの斜
視図である。
視図である。
【図４】そのヘッド支持機構に使用されるフレクシャの
構成図である。
構成図である。
【図５】その薄膜圧電体素子の平面図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図７】そのヘッド支持機構に使用されるフレクシャの
平面図である。
平面図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ線における断面図である。
【図９】そのヘッド支持機構に使用されるフレクシャの
底面図である。
底面図である。
【図１０】そのヘッド支持機構に使用されるフレクシャ
に薄膜圧電体素子を接着したときの図７のＸ−Ｘ線にお
ける断面図である。
に薄膜圧電体素子を接着したときの図７のＸ−Ｘ線にお
ける断面図である。
【図１１】薄膜圧電体およびその電極を単結晶基板上で
成膜する手順を示した図である。
成膜する手順を示した図である。
【図１２】単結晶基板上に成膜した薄膜圧電体を２層構
成化する手順を示した図である。
成化する手順を示した図である。
【図１３】実施の形態に係る薄膜圧電体の製造方法を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図１４】薄膜圧電体素子の電極取り出し部の断面図で
ある。
ある。
【図１５】本発明のヘッド支持機構の側面図である。
【図１６】実施形態におけるヘッド支持機構の動作を説
明するための薄膜圧電体素子の断面および電圧印加仕様
を説明する図である。
明するための薄膜圧電体素子の断面および電圧印加仕様
を説明する図である。
【図１７】実施形態におけるヘッド支持機構の構動作を
説明するための概略構成の平面図である。
説明するための概略構成の平面図である。
【図１８】従来のディスク装置のヘッド支持機構の一例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ ヘッド
２ スライダ
３Ａ スライダ保持基板
４ ロードビーム
７ フレクシャ
８ 薄膜圧電体保持部
１０ 薄膜圧電体素子
─────────────────────────────────────────────────────
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ１１Ｂ 21/21 Ｇ１１Ｂ 21/21 １０１Ｚ
１０１ Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Ｈ０１Ｌ 41/083 41/08 Ｓ
Ｐ
(56)参考文献 特開 平５−325274（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−300397（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−187624（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−31368（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 41/22
G11B 5/596
G11B 5/60
G11B 21/02 601
G11B 21/10
G11B 21/21
G11B 21/21 101
H01L 41/083
H01L 41/09
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくともデータの再生を行うヘッドが
設けられたスライダと、前記スライダをロール方向、ピ
ッチ方向およびヨー方向の全方位に微小回動可能に保持
するスライダ保持板と、前記スライダ保持板をピボット
支持するディンプルと、前記スライダ保持板の端部に設
けられた一対の弾性ヒンジ部と、前記一対の弾性ヒンジ
部によって前記スライダ保持板と連結される一対の基板
と、前記一対の基板にそれぞれ取り付けられた薄膜圧電
体素子とを有し、前記薄膜圧電体素子の伸縮により、前
記スライダが前記ディンプルを中心として前記ヨー方向
に微小回動運動する構成を有する圧電体アクチュエータ
の製造方法であって、 前記薄膜圧電体素子の製造工程においては、 第１基板に第１電極金属膜と第１薄膜圧電体と第２電極
金属膜とをこの順番に成膜する第１工程と、 第２基板に第３電極金属膜と第２薄膜圧電体と第４電極
金属膜とをこの順番に成膜する第２工程と、 前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを相対面す
るように接着する第３工程とを包含することを特徴とす
る圧電体アクチュエータの製造方法。 - 【請求項２】 前記第３工程の後に、前記第１基板をエ
ッチングで除去する第４工程と、 前記第１電極金属膜と前記第１薄膜圧電体と前記第２電
極金属膜と前記第４電極金属膜と前記第２薄膜圧電体と
前記第３電極金属膜とを、所定の形状に加工する第５工
程とを包含する請求項１に記載の圧電体アクチュエータ
の製造方法。 - 【請求項３】 前記第５工程の後に、さらに前記第２基
板をエッチングで除去する第６工程とを包含することを
特徴とする請求項２に記載の圧電体アクチュエータの製
造方法。 - 【請求項４】 前記第１基板と前記第２基板とは、単結
晶基板を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の圧電体アクチュエータの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１基板の線膨張係数は、前記第１
薄膜圧電体の線膨張係数よりも高く、 前記第２基板の線膨張係数は、前記第２薄膜圧電体の線
膨張係数よりも高いことを特徴とする請求項１〜３のい
ずれかに記載の圧電体アクチュエータの製造方法。 - 【請求項６】 前記第３工程は、導電性接着剤を用いて
前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜とを接着する
工程を包含することを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の圧電体アクチュエータの製造方法。 - 【請求項７】 前記第３工程は、超音波振動を用いた熱
溶着により前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜と
を接着する工程を包含することを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の圧電体アクチュエータの製造方
法。 - 【請求項８】 少なくともデータの再生を行うヘッドが
設けられたスライダと、前記スライダをロール方向、ピ
ッチ方向およびヨー方向の全方位に微小回動可能に保持
するスライダ保持板と、前記スライダ保持板をピボット
支持するディンプルと、前記スライダ保持板の端部に設
けられた一対の弾性ヒンジ部と、前記一対の弾性ヒンジ
部によって前記スライダ保持板と連結される一対の基板
と、前記一対の基板にそれぞれ取り付けられた薄膜圧電
体素子とを有し、前記薄膜圧電体素子の伸縮により、前
記スライダが前記ディンプルを中心として前記ヨー方向
に微小回動運動する構成を有する圧電体アクチュエータ
であって、 前記薄膜圧電体素子は、 第１電極金属膜と、 前記第１電極金属膜上に形成される第１薄膜圧電体と、
前記第１薄膜圧電体上に形成される第２電極金属膜とを
有する第１の素子、及び第３電極金属膜と、 前記第３電極金属膜上に形成される第２薄膜圧電体と、
前記第２薄膜圧電体上に形成される第４電極金属膜とを
有する第２の素子、を有し、前記第１の素子と前記第２
の素子とが、前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜
との間に接着剤を介して積層されることを特徴とする圧
電体アクチュエータ。 - 【請求項９】 前記第１電極金属膜と前記第３電極金属
膜には第１端子を、 前記第２電極金属膜と前記第４電極金属膜には第２端子
を有することを特徴とする請求項８記載の圧電体アクチ
ュエータ。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の圧電体アクチュエー
タに対し、前記第１端子には駆動電圧を、前記第２端子
にはグランド電圧を印加することを特徴とする圧電体ア
クチュエータの駆動方法。
Priority Applications (18)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322020A JP3441429B2 (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 圧電体アクチュエータ、その製造方法、および圧電体アクチュエータの駆動方法 |
| SG200100498A SG106598A1 (en) | 2000-02-01 | 2001-01-31 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| US09/774,347 US7072149B2 (en) | 2000-02-01 | 2001-01-31 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| MYPI20054055A MY140241A (en) | 2000-02-01 | 2001-01-31 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator. |
| SG200401422-1A SG147277A1 (en) | 2000-02-01 | 2001-01-31 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| MYPI20010434A MY128744A (en) | 2000-02-01 | 2001-01-31 | Head support machanism and thin film piezolectric actuator |
| IDP20010104D ID29125A (id) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | Mekanisme penopang bonggol dan aktuator piesoelektrik film tipis |
| CNB2003101131331A CN1284178C (zh) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 磁盘装置和磁头支撑机构 |
| CNB011162996A CN1184635C (zh) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 磁头支撑机构 |
| CNB2003101131350A CN1252718C (zh) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 磁盘装置和磁头支撑机构 |
| CNB2003101131365A CN1254824C (zh) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 磁盘装置和磁头支撑机构 |
| CNB2003101131346A CN1260730C (zh) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 磁头支撑机构 |
| HK02102850.3A HK1041347B (zh) | 2000-02-01 | 2002-04-16 | 磁頭支撐機構 |
| US10/391,333 US6831889B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-03-18 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| US10/705,131 US7006335B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-11-10 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| US10/705,325 US7027267B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-11-10 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| US10/704,739 US6917498B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-11-10 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
| US10/705,004 US7072150B2 (en) | 2000-02-01 | 2003-11-10 | Head support mechanism and thin film piezoelectric actuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322020A JP3441429B2 (ja) | 2000-10-20 | 2000-10-20 | 圧電体アクチュエータ、その製造方法、および圧電体アクチュエータの駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134807A JP2002134807A (ja) | 2002-05-10 |
| JP3441429B2 true JP3441429B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=18799973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000322020A Expired - Fee Related JP3441429B2 (ja) | 2000-02-01 | 2000-10-20 | 圧電体アクチュエータ、その製造方法、および圧電体アクチュエータの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3441429B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6964086B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-11-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film piezoelectric element, and element housing jig |
| JP2004064877A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電アクチュエータ、圧電アクチュエータを用いたディスク装置、および圧電アクチュエータの製造方法 |
| CN1499512A (zh) | 2002-10-28 | 2004-05-26 | ���µ�����ҵ��ʽ���� | 头定位控制方法和使用该头定位控制方法的盘装置 |
| JP4539084B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 薄膜圧電体素子の製造方法 |
| EP1427031B1 (en) | 2002-12-03 | 2013-05-08 | Panasonic Corporation | Manufacturing method of a thin film piezoelectric element |
| JP4806896B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | 薄膜圧電体素子、アクチュエータおよびディスク装置 |
| JP4433727B2 (ja) | 2003-09-02 | 2010-03-17 | Ｔｄｋ株式会社 | フレクシャ、サスペンションおよびヘッドジンバルアセンブリ |
| WO2005052927A1 (en) * | 2003-11-27 | 2005-06-09 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Thin film piezoelectric micro-actuator for head gimbal assembly |
| JP4146811B2 (ja) | 2004-03-03 | 2008-09-10 | Ｔｄｋ株式会社 | サスペンション、及びハードディスク装置 |
| JP4113143B2 (ja) | 2004-03-15 | 2008-07-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜圧電体素子、サスペンション、及びハードディスク装置 |
| JP4997716B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2012-08-08 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| JP4618276B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2011-01-26 | パナソニック株式会社 | 圧電アクチュエータの製造方法 |
| JP4897767B2 (ja) | 2008-10-21 | 2012-03-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜圧電体素子及びその製造方法並びにそれを用いたヘッドジンバルアセンブリ、及びそのヘッドジンバルアセンブリを用いたハードディスクドライブ |
| JP5570111B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2014-08-13 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | ヘッド・ジンバル・アセンブリ及びディスク・ドライブ |
| JP5361474B2 (ja) * | 2009-03-17 | 2013-12-04 | エイチジーエスティーネザーランドビーブイ | ヘッド・ジンバル・アセンブリ及びディスク・ドライブ |
| JP4944159B2 (ja) | 2009-06-02 | 2012-05-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 圧電アクチュエータ及び圧電アクチュエータの製造方法 |
| US8289652B2 (en) * | 2010-10-22 | 2012-10-16 | Seagate Technology Llc | Compact microactuator head assembly |
-
2000
- 2000-10-20 JP JP2000322020A patent/JP3441429B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002134807A (ja) | 2002-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030605 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |