JP3427414B2 - 撮像システム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、撮像システムに関し、
特に光電変換部で得られた撮像電荷を読み出すための読
み出し手段に従来設けられていた遮光手段を不要とする
撮像システムに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、半導体並びにその周辺技術の急速
な進歩に伴い、被写体光を電気的な信号に変換する例え
ばＣＣＤ等の撮像素子の開発普及が著しいが、このよう
な従来の撮像素子は、周知のように、半導体基板上に形
成された、複数の光電変換部とこの光電変換部で得られ
た信号電荷を読み出すための信号読み出し手段とにより
構成され、被写体からの光を前記光電変換部で受け、得
られた電荷を順次前記信号読み出し手段で転送して読み
出し、これにより撮像対象の映像を得るものである。 【０００３】このような従来の撮像素子の一例として、
図８乃至図１０にインターライン転送型ＣＣＤの構成を
示すが、図８は該ＣＣＤの概略構成を示す平面図であ
り、図９は、図８の一部を拡大して示す平面図、図１０
は、図９のＡ−Ａ´断面図である。 【０００４】これらの図において、１１は光電変換部、
１２は垂直電荷転送素子、２１は光電変換部１１に蓄積
された電荷を垂直電荷転送素子１２に移送するためのト
ランスファーゲートＭＯＳトランジスタ（図９において
は代表的に一箇所のみを示す。）、１３は水平電荷転送
素子、１４はアンプ、１５は出力端子である。４２は前
記垂直転送素子１２及び水平電荷転送素子１３などを含
む前記光電変換部以外の領域を遮光する遮光手段で、こ
の遮光手段４２は一般にアルミニウムなどの金属薄膜が
用いられる。 【０００５】また、図１０に示すように、光電変換部１
１はＰ／Ｎ接合３３により、また、前記垂直電荷転送素
子１２は埋め込み型のＣＣＤにより構成されている。２
３はゲート電極で、前記垂直電荷転送素子１２の電極と
前記トランスファーゲートＭＯＳトランジスタ２１のゲ
ートトランジスタは、このゲート電極２３により構成さ
れている。 【０００６】図８乃至図９を参照して、光電変換部１１
で被写体光が光電変換され、該光電変換部１１に一定期
間電荷が蓄積される。そしてこの蓄積された信号電荷は
第１の垂直電荷転送素子１２に移送された後、各垂直電
荷転送素子内を並列に転送されて水平電荷転送素子１３
に行単位に移送される。さらに、この水平電荷転送素子
１３に転送された信号電荷は、該水平電荷転送素子内を
直列に転送され、アンプ１４を通して出力端子１５から
撮像信号として出力される。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の撮像
素子では前記のように、光電変換部以外の領域、すなわ
ち、信号読み出し手段である垂直電荷転送素子１２や水
平電荷転送素子１３は、遮光手段４２で覆われ遮光され
ているが、この遮光手段４２は、従来の撮像素子におい
ては必要不可欠なものであった。 【０００８】なぜなら、素子表面の光電変換部以外の領
域に被写体光が照射されると、該光電変換部以外の領域
において寄生的に光電変換が行われ、この不要な電荷が
撮像電荷に混入して画質を低下させるからであり、光量
が多い場合には前記信号読み出し手段が動作しなくなる
場合もある。さらに、前記トランスファーゲートＭＯＳ
トランジスタ２１を遮光しないと該ゲートの誤動作の原
因ともなるからである。 【０００９】しかしながら、この遮光手段４２を設ける
ことは一方において、素子断面を示す図１０からも明ら
かなように、光電変換機能を備えるＰ／Ｎ接合領域３
３、すなわち、光電変換部１１の縁部に光電変換部とし
て機能しない領域６１を生じることとなり、この領域６
１の分だけ開口率が低くなり、素子の感度が低下するこ
ととなるのである。 【００１０】また、素子の製造歩留まりが安定せず、時
として多くの不良品を生じることがあるが、この原因を
研究した結果、製造工程における、遮光手段４２とゲー
ト電極２３間の短絡の発生や、遮光手段４２と不図示の
素子内部の金属配線との間の短絡の発生が原因であるこ
とが判明した。 【００１１】さらに、最近では、可視光のみならず、様
々な波長の被写体光を受光して撮像を行うことができる
撮像素子の実現が要請されているが、従来の撮像素子に
設けられていた遮光手段４２は、可視光であれば遮光で
きるが、例えば波長が２０オングストローム程度のＸ線
により撮像することを考えると、現在一般に遮光手段と
して使用されている厚さ１μｍ程度のアルミニウム製の
遮光膜では３０％以上を透過してしまい遮光膜として機
能しない。 【００１２】一方、膜厚を厚くすることも考えられ、前
記遮光膜を例えば７μｍ厚とすれば透過率は０．０２％
となるが、しかしこの場合、前記光電変換部として機能
しない無効領域６１が数μｍとなり、開口率が極端に低
下して感度が極めて低いものとならざるを得ない。 【００１３】本発明は、以上のような従来の撮像素子の
問題を解決することができるもので、高感度で製造歩留
まりが良く、従来遮光膜を透過してしまい撮像できなか
った波長の撮像光に対しても撮像が可能な撮像システム
を得ることを目的とする。 【００１４】 【課題を解決するための手段】 前記目的を達成すべ
く、請求項１の発明は、撮像対象物からの光を電荷に変
換する光電変換部と、該光電変換部で得られた撮像電荷
を順次読み出すための信号読み出し手段と、前記撮像電
荷を前記光電変換部から前記信号読み出し手段に移送す
る撮像電荷移送手段と、少なくとも前記光電変換部上に
開口を有し、Ｘ線を５７％以上透過し可視光を遮断する
膜厚であって、且つ、０．５μｍ以下のアルミニウムで
形成された遮光膜とを備えた撮像素子と、前記撮像対象
物にＸ線のパルス光を照射して前記撮像対象物から前記
撮像素子へ入射する撮像光を生じさせる撮像光発生手段
と、前記撮像電荷移送手段による撮像電荷の移送、前記
信号読み出し手段による電荷の読み出し、及び前記撮像
光発生手段による撮像光の発生を制御し、一定時間前記
撮像光発生手段を駆動して予め定められた露光期間にわ
たり撮像光を生じさせ、該露光期間の終了後に前記信号
読み出し手段を駆動して該信号読み出し手段に蓄積され
た寄生電荷を排出すると共に、該寄生電荷の排出後に前
記撮像電荷移送手段と前記信号読み出し手段を駆動して
前記露光期間に光電変換部に蓄積された撮像電荷を読み
出す制御手段とを有することを特徴とする撮像システム
に係るものである。 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【作用】前記のように構成された本発明においては、前
記撮像光発生手段が撮像対象物から前記撮像素子へ入射
する撮像光を生じさせる。該撮像光を入射した前記撮像
素子では、前記光電変換部で撮像光が電荷に変換され、
該電荷は前記撮像電荷移送手段により前記信号読み出し
手段に移送され、移送された撮像電荷は前記信号読み出
し手段により素子外部に撮像信号として出力される。 【００２０】ここで、かかる撮像電荷移送手段による撮
像電荷の移送、信号読み出し手段による電荷の読み出
し、及び撮像光発生手段による撮像光の発生は、前記制
御手段により制御される。 【００２１】すなわち、前記制御手段は、一定時間前記
撮像光発生手段を駆動して予め定められた露光期間にわ
たり撮像光を生じさせ、該露光期間の終了後に前記信号
読み出し手段を駆動して該信号読み出し手段に蓄積され
た寄生電荷を排出する。そして、該寄生電荷の排出後に
前記撮像電荷移送手段と前記信号読み出し手段を駆動し
て前記露光期間に光電変換部に蓄積された撮像電荷を読
み出す。 【００２２】また、前記制御手段は、２次元的に配列さ
れた光電変換部に蓄積される撮像電荷の読み出しにおけ
る垂直帰線期間内に、一定時間前記撮像光発生手段を駆
動させて撮像光を生じさせると共に前記信号読み出し手
段を駆動させて該信号読み出し手段に蓄積された寄生電
荷を排出してもよい。 【００２３】また、前記制御手段は、第１の垂直帰線期
間に一定時間前記撮像光発生手段を駆動させて撮像光を
生じさせ、前記第１の走査期間の読み出し電荷を寄生電
荷として排出し、第２の走査期間に前記撮像電荷移送手
段を駆動させて撮像電荷を前記信号読み出し手段に移送
し該撮像電荷の読み出しを行ってもよい。 【００２４】また、前記制御手段は、前記第１の走査期
間に一定時間前記撮像光発生手段を駆動して撮像光を生
じさせ、該第１の走査期間及び第２の走査期間の読み出
し電荷を寄生電荷として排出し、第３の走査期間以降で
前記撮像光発生手段の駆動前に前記撮像電荷移送手段を
駆動して撮像電荷を前記信号読み出し手段に移送し撮像
電荷の読み出しを行ってもよい。 【００２５】 【００２６】なお、前記撮像光は、Ｘ線の波長の光を指
すものである。また、前記撮像光発生手段は、撮像対象
物にＸ線のパルス光を照射して撮像対象物から前記撮像
素子へ入射する撮像光を生じさせるものである。 【００２７】 【実施例】本発明の実施例を図面の図１乃至図７に基づ
いて説明する。図１は本発明の第１の実施例に係る撮像
システムの構成を模式的に示す概略図、図２は前記図１
に示した撮像システムに設けられる撮像素子の要部の構
成を示す平面図、図３は図２の撮像素子の一部を拡大し
て示す平面図、図４は図３のＢ−Ｂ´断面図である。 【００２８】また、図５は前記第１の実施例に係る撮像
システムの動作を示すタイミングチャートであり、図６
は本発明の第２の実施例に係る撮像システムの動作を示
すタイミングチャート、図７は本発明の第３の実施例に
係る撮像システムの動作を示すタイミングチャートであ
る。 【００２９】本発明の第１の実施例に係る撮像システム
は、図１に示すように、撮像対象物８からの撮像光を電
気信号に変換する撮像素子１と、該撮像素子１を駆動さ
せる駆動回路２と、撮像対象物８を一定時間照明して該
撮像対象物８から撮像素子１へ入射する撮像光を生じさ
せるパルス光源３と、このパルス光源３を駆動する駆動
回路４と、前記撮像素子１に撮像光を結像させる光学系
６を備えている。 【００３０】なお、５は撮像素子１からの画像信号を出
力するための出力端子であり、前記撮像素子１としては
前記従来例と同様に半導体基板上に２次元的に配列され
た光電変換部を備えたインターライントランスファー型
ＣＣＤを用いる。 【００３１】ここで、前記パルス光源３と駆動回路４と
は前記撮像光発生手段を構成するものであり、このパル
ス光源３と前記撮像素子１とは、不図示の制御手段によ
り後に詳述するように同期が図られその駆動が制御され
る。 【００３２】前記撮像素子１の構成を図２乃至図４に示
すが、これらの図は前記従来の撮像素子の構成を示した
図８乃至図１０にそれぞれ対応するもので、前記図８乃
至図１０と同一の構成には同一の符号を付した。 【００３３】これらの図からも明らかなように、本実施
例の撮像素子１は前記従来の撮像素子と異なり、前記遮
光手段４２を備えていない。しかし、次のような撮像制
御が行われるため該遮光手段４２は不要である。 【００３４】すなわち、この撮像システムの動作を、図
５を参照して説明するが、同図において、Ｃは撮像対象
物の照明動作を示す波形で、同波形でレベルが高いとき
が撮像対象物を照明して撮像光が生じているときであ
る。Ｄは前記撮像素子からの画像信号の読み出しのタイ
ミングを示すもので、レベルが高いときが走査期間、レ
ベルが低いときが垂直帰線期間である。 【００３５】Ｅは電荷の読み出しのタイミングを示すも
ので、垂直電荷転送路１２から水平電荷転送路１３に電
荷を移送するタイミングを示すものである。Ｆは光電変
換部１１から信号読み出し手段（垂直電荷転送路１２）
への電荷の移送のタイミングを示すもので、レベルが高
いときに電荷が移送される。Ｇは撮像信号を示すもの
で、レベルが高い部分が撮像信号である。 【００３６】同図に示すように、前記制御手段は、前記
撮像電荷の読み出しにおける垂直帰線期間内に、一定時
間前記駆動回路４を介してパルス光源３を駆動させ、撮
像素子１に撮像光を入射させ露光を行わせる（Ｃ、
Ｄ）。そして、該垂直帰線期間内で且つ前記露光の完了
後に、垂直電荷転送路１２及び水平電荷転送路１３（信
号読み出し手段）に対してパルスを送出して前記露光期
間に垂直転送路１２及び水平転送路１３に蓄積された電
荷を出力端子１５から高速で読み出しこの電荷を寄生電
荷として排出する。 【００３７】そして、該寄生電荷の排出後、Ｆに示すパ
ルスにより光電変換部１１から垂直電荷転送路１２に電
荷を移送し、さらに該垂直転送路１２に移送された電荷
（撮像電荷）をＥに示す走査期間のパルスにより水平転
送路１３に移送して出力端子１５から読み出し、撮像信
号をＧを得る。なお、図５のＥでは、前記寄生電荷を読
み出すためのパルスと前記撮像電荷を読み出すためのパ
ルスとを重ねて示した。 【００３８】このように、本実施例に係る撮像システム
では、前記制御手段が、露光期間の終了後に垂直電荷転
送路１２及び水平電荷転送路１３に蓄積された寄生電荷
を排出させ、その後に光電変換部１１に蓄積された撮像
電荷を読み出させるため、従来の撮像装置のように垂直
電荷転送路１２及び水平電荷転送路１３を遮光する遮光
手段を設けなくても撮像電荷のみを読み出すことが可能
となる。 【００３９】このため、本撮像システムによれば、前記
従来の撮像素子に存在していた光電変換部１１の無効領
域６１が存在せず、したがって従来の撮像素子より実際
に光電変換が行われる領域が広くなり、高感度な素子を
実現できる。 【００４０】また、従来の撮像素子において遮光手段を
透過してしまい撮像を行うことができなかった例えばＸ
線等の撮像光に対しても撮像を行うことが可能となる。 【００４１】さらに、遮光手段を設ける必要がないた
め、従来のように、遮光手段と、ゲート電極或いは内部
金属配線との短絡も生じず、撮像素子の製造歩留まりも
良好となる。 【００４２】なお、本撮像システムでは、光電変換部１
１で発生する暗電流による疑似信号電荷を削減して撮像
光を光電変換部に入射させることが可能な期間を長く
し、前記撮像素子１の駆動と撮像光の入射のタイミング
の制御を容易化するために、前記撮像素子１を冷却する
ことが好ましい。 【００４３】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
本実施例は、前記第１の実施例と同様に、撮像対象物を
一定時間照明するパルス光源、撮像光を光電変換して電
気信号として出力する撮像素子、及び該光源や撮像素子
等の動作を制御する制御手段などを備えるものである
が、本撮像システムの制御手段は、前記第１の実施例の
撮像システムと異なり、次のような撮影制御を行う。 【００４４】すなわち、図６は本実施例に係る撮像シス
テムの動作を示すタイミングチャートであるが、同図に
示す線図Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、及びＧは、前記図５と同様
に、それぞれ、撮像光の発生、撮像素子からの画像信号
の読み出しのタイミング、垂直転送路から水平転送路へ
の電荷の読み出しのタイミング、光電変換部から垂直転
送路への電荷の移送のタイミング、撮像信号を示すもの
である。 【００４５】同図のように、本撮像システムでは、撮像
電荷の読み出しにおける連続する任意の２つの垂直帰線
期間を順に「第１の垂直帰線期間」、及び「第２の垂直
帰線期間」とし、これらの各帰線期間に続く走査期間を
それぞれ「第１の走査期間」、及び「第２の走査期間」
とした場合に（Ｄ）、前記制御手段は、信号読み出し手
段（垂直電荷転送路及び水平電荷転送路）を常時駆動さ
せ（Ｅ）、第１の垂直帰線期間に一定時間パルス光源を
駆動させて撮像対象物を照明し、第１の走査期間の読み
出し電荷を寄生電荷として排出し、その後の第２の走査
期間の開始時にＦのパルスにより撮像電荷移送手段（ゲ
ート２１）を駆動させて撮像電荷を垂直転送路に移送
し、該撮像電荷をＥの第２走査期間のパルスにより読み
出し、Ｇに示す撮像信号を得るものである。 【００４６】本実施例も前記第１の実施例の撮像システ
ムと同様に遮光手段を不要化することができるものであ
るが、本実施例によれば、信号読み出し手段（電荷転送
路）に蓄積された寄生電荷を排出するために該信号読み
出し手段を、前記第１の実施例のように垂直帰線期間に
高速で駆動させる必要がなくなり、該駆動回路の簡単化
が図れる。 【００４７】さらに、本発明の第３の実施例を説明す
る。本実施例も、前記第１及び第２の実施例と同様に、
撮像対象物を一定時間照明するパルス光源、撮像光を光
電変換して電気信号として出力する撮像素子、及び該光
源や撮像素子等の動作を制御する制御手段などを備える
ものであるが、本撮像システムの制御手段は、前記第１
及び第２の実施例の撮像システムと異なり、次のような
撮影制御を行う。 【００４８】すなわち、図７を参照して、同図に示す線
図Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、及びＧは、前記図５乃至図６と同様
に、それぞれ、撮像光の発生、撮像素子からの画像信号
の読み出しのタイミング、垂直転送路から水平転送路へ
の電荷の読み出しのタイミング、光電変換部から垂直転
送路への電荷の移送のタイミング、撮像信号を示すもの
である。 【００４９】図７に示すように、本実施例に係る撮像シ
ステムは、撮像電荷の読み出しにおける連続する任意の
３つの垂直帰線期間を順に「第１の垂直帰線期間」、
「第２の垂直帰線期間」、及び「第３の垂直帰線期間」
とし、これらの各帰線期間に続く走査期間をそれぞれ
「第１の走査期間」、「第２の走査期間」、及び「第３
の走査期間」とした場合に（Ｄ）、前記制御手段は、信
号読み出し手段（垂直電荷転送路及び水平電荷転送路）
を常時駆動させ（Ｅ）、第１の走査期間に一定時間パル
ス光源を駆動して撮像対象物を照明し、該第１の走査期
間及び第２の走査期間の読み出し電荷を寄生電荷として
排出し、第３の走査期間の開始時にＦのパルスにより撮
像電荷移送手段（ゲート２１）を駆動させて撮像電荷を
垂直転送路に移送し、該撮像電荷をＥの第３走査期間の
パルスにより読み出し、Ｇに示す撮像信号を得るもので
ある。 【００５０】なお、前述実施例では、一定の周期で撮像
対象物を照明し、連続的に撮像を行う場合について説明
したが、本発明は、１回のパルス照明による撮影を行う
場合にも適用することができるものである。なお、この
場合には、撮像光が光電変換部に入射する前に光電変換
部に蓄積している残存電荷を同期をとって予め排出して
おくことが好ましい。 【００５１】また、前記信号読み出し手段からの寄生電
荷の読み出しは、前述のように垂直電荷転送路におい
て、撮像電荷の読み出しと同一の方向に転送してもよい
し、或いは、前記水平電荷転送路と反対側にドレイン端
子を設け、寄生電荷を撮像電荷と反対方向に転送して該
寄生電荷を前記ドレイン端子から排出するようにしても
よい。 【００５２】さらに、前記実施例は光電変換部が２次元
的に配列された撮像素子を用いたが、１次元的に配列さ
れた複数の光電変換部を備える撮像素子を用いた場合に
も本発明を適用できる。 【００５３】また、本発明は、光電変換部と信号読み出
し手段とが機能的に分離して考えられるすべての撮像素
子を使用することができるもので、その具体的構成や製
造方法について前記実施例に限定されるものではない。 【００５４】例えば、撮像光を撮像素子の表面側から入
射させる表面入射型の撮像素子であっても、或いは素子
裏面側から入射させる裏面入射型の撮像素子であっても
よい。また、ＭＯＳ型を代表とするＸ−Ｙ走査型であっ
ても、或いはＣＣＤ型であってもよく、さらに、ＣＣＤ
型にあっては、インターライン転送方式であっても、フ
レームインターライン転送方式であってもよい。 【００５５】また、Ｘ線により撮像を行う撮像素子につ
いては、その撮像素子製造後の検査は、すべてをＸ線で
行う必要はない。可視光で検査することで足りる試験は
可視光で行えばよい。例えば、可視光で検査してみてう
まく動作しないならＸ線でもうまく動作しないと考えら
れるような検査項目についてである。 【００５６】撮像素子の動作試験をＸ線光源で行うのに
はＸ線光源の用意や人体の被曝を防ぐ設備の設置等の困
難な準備が必要である。そこで、Ｘ線光源での最終試験
に先駆けて行う選別等の試験を可視光で行うためには、
常時可視光を撮像素子の光電変換部に入射し試験するこ
とが望まれる。 【００５７】例えば、可視光に対しては十分遮光特性が
あるが、Ｘ線は透過してしまう遮光膜を設ければ、素子
の選別等の試験は可視の連続光で可能となる。そして、
最終的な素子特性の確認のみＸ線で行えばよい。 【００５８】その場合、信号読み出し手段は、可視光を
遮光するに十分な遮光手段として極薄膜（例えば、０．
５μｍのアルミニウム薄膜で、光電変換部上は当然除去
しておく。波長２０オングストロームのＸ線で撮影する
とすると、先の０．５μｍのアルミニウム製遮光膜では
５７％以上が透過し、遮光膜として機能しない。）を用
いればよい。このような用途にも本発明を適用できる。 【００５９】そのほか、いろいろな用途或いは形態に本
発明を使用できるので、ここで述べた実施例が本発明の
効果、適用範囲を限定するものではない。 【００６０】 【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
高感度で製造歩留まりが良く、従来遮光膜を透過してい
まい撮像できなかった波長の撮像光に対しても撮像が可
能な撮像システムを実現することができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１の実施例に係る撮像システムの構
成を模式的に示す概略図である。 【図２】図１に示した撮像システムに設けられる撮像素
子の要部の構成を示す平面図である。 【図３】図２の撮像素子の一部を拡大して示す平面図で
ある。 【図４】図３のＢ−Ｂ´断面図である。 【図５】第１の実施例に係る撮像システムの動作を示す
タイミングチャートである。 【図６】本発明の第２の実施例に係る撮像システムの動
作を示すタイミングチャートである。 【図７】本発明の第３の実施例に係る撮像システムの動
作を示すタイミングチャートである。 【図８】従来の撮像素子の概略構成を示す平面図であ
る。 【図９】図８の一部を拡大して示す平面図である。 【図１０】図９のＡ−Ａ´断面図である。 【符号の説明】 １ 撮像素子 ２ 撮像素子の駆動回路 ３ パルス光源 ４ パルス光源の駆動回路 ５，１５ 出力端子 ６ 光学系 ７ 撮像カメラ ８ 撮像対象物 １１ 光電変換部 １２ 垂直電荷転送素子 １３ 水平電荷転送素子 １４ アンプ ２１ トランスファゲートＭＯＳトランジスタ
（撮像電荷移送手段） ２２ 素子分離領域 ２３，２４ ゲート電極 ３１ 半導体基板 ３２ 素子分離絶縁膜 ３３ 光電変換部Ｐ／Ｎ接合 ４１ 遮光手段開口部 ４２ 遮光手段 ６１ 無効領域 尚、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H04N 5/32 - 5/335 H01L 27/148

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】【請求項１】 撮像対象物からの光を電荷に変換する光
   電変換部と、 該光電変換部で得られた撮像電荷を順次読み出すための
   信号読み出し手段と、 前記撮像電荷を前記光電変換部から前記信号読み出し手
   段に移送する撮像電荷移送手段と、 少なくとも前記光電変換部上に開口を有し、Ｘ線を５７
   ％以上透過し可視光を遮断する膜厚であって、且つ、
   ０．５μｍ以下のアルミニウムで形成された遮光膜とを
   備えた撮像素子と、 前記撮像対象物にＸ線のパルス光を照射して前記撮像対
   象物から前記撮像素子へ入射する撮像光を生じさせる撮
   像光発生手段と、 前記撮像電荷移送手段による撮像電荷の移送、前記信号
   読み出し手段による電荷の読み出し、及び前記撮像光発
   生手段による撮像光の発生を制御し、一定時間前記撮像
   光発生手段を駆動して予め定められた露光期間にわたり
   撮像光を生じさせ、該露光期間の終了後に前記信号読み
   出し手段を駆動して該信号読み出し手段に蓄積された寄
   生電荷を排出すると共に、該寄生電荷の排出後に前記撮
   像電荷移送手段と前記信号読み出し手段を駆動して前記
   露光期間に光電変換部に蓄積された撮像電荷を読み出す
   制御手段とを有することを特徴とする撮像システム。