JP2003046862A - Ｘ線撮像装置 - Google Patents
Ｘ線撮像装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/711—Time delay and integration [TDI] registers; TDI shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/30—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming X-rays into image signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/32—Transforming X-rays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 撮像可能領域に対する装置の大型化を抑制可
能な構造を有するＸ線撮像装置を提供する。 【解決手段】 シンチレータ４を用いてＸ線撮像を行う
場合に、ＴＤＩ駆動のＣＣＤチップ２を複数並べ、光電
変換領域２ｖｖと水平シフトレジスタ２ｈとの間に、幅
狭の水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃを介
在させると、水平シフトレジスタ２ｈの電荷転送方向終
端部近傍にスペースができる。このスペース内に増幅素
子７を配置すれば、撮像可能領域に対する装置の大型化
を抑制することができる。
能な構造を有するＸ線撮像装置を提供する。 【解決手段】 シンチレータ４を用いてＸ線撮像を行う
場合に、ＴＤＩ駆動のＣＣＤチップ２を複数並べ、光電
変換領域２ｖｖと水平シフトレジスタ２ｈとの間に、幅
狭の水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃを介
在させると、水平シフトレジスタ２ｈの電荷転送方向終
端部近傍にスペースができる。このスペース内に増幅素
子７を配置すれば、撮像可能領域に対する装置の大型化
を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複数のＣＣＤチップ
を並べてなるＸ線撮像装置に関する。
を並べてなるＸ線撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＸ線撮像装置は、特開２００１−
７８０９９号公報に記載されている。このＸ線撮像装置
は、複数のＣＣＤチップの光電変換領域上にそれぞれ光
ファイバプレート（ＦＯＰ）を配置し、ＦＯＰ上にシン
チレータを設けてなる。シンチレータはＸ線の入射に応
じて蛍光を発生する。各ＦＯＰの光入射面に入射した蛍
光はＦＯＰ内を通ってＣＣＤチップの光検出領域に到達
する。ＣＣＤチップ間には若干の隙間があるが、中心の
ＣＣＤチップに隣接するＣＣＤチップに設けられたＦＯ
Ｐは、その光入射面が中心のＣＣＤチップ側に寄ってお
り、これへ入射した蛍光は光入射面に対して斜め方向に
進行し、対応する光検出領域に至ることとなる。すなわ
ち、ＣＣＤチップの光検出領域間には若干の隙間がある
が、ＦＯＰの光入射面間には殆ど隙間がなく、これらの
光入射面は連続した１つの平面を構成することとなる。
７８０９９号公報に記載されている。このＸ線撮像装置
は、複数のＣＣＤチップの光電変換領域上にそれぞれ光
ファイバプレート（ＦＯＰ）を配置し、ＦＯＰ上にシン
チレータを設けてなる。シンチレータはＸ線の入射に応
じて蛍光を発生する。各ＦＯＰの光入射面に入射した蛍
光はＦＯＰ内を通ってＣＣＤチップの光検出領域に到達
する。ＣＣＤチップ間には若干の隙間があるが、中心の
ＣＣＤチップに隣接するＣＣＤチップに設けられたＦＯ
Ｐは、その光入射面が中心のＣＣＤチップ側に寄ってお
り、これへ入射した蛍光は光入射面に対して斜め方向に
進行し、対応する光検出領域に至ることとなる。すなわ
ち、ＣＣＤチップの光検出領域間には若干の隙間がある
が、ＦＯＰの光入射面間には殆ど隙間がなく、これらの
光入射面は連続した１つの平面を構成することとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
Ｘ線撮像装置においては隣接するＣＣＤチップの光電変
換領域間の隙間が比較的大きいため、撮像可能領域に比
較して装置全体の寸法が大型化するという問題があっ
た。本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので
あり、撮像可能領域に対する装置の大型化を抑制可能な
構造を有するＸ線撮像装置を提供することを目的とす
る。
Ｘ線撮像装置においては隣接するＣＣＤチップの光電変
換領域間の隙間が比較的大きいため、撮像可能領域に比
較して装置全体の寸法が大型化するという問題があっ
た。本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので
あり、撮像可能領域に対する装置の大型化を抑制可能な
構造を有するＸ線撮像装置を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明に係るＸ線撮像装置は、Ｘ線像の入射に感応
してシンチレータにおいて発生した蛍光像を撮像するよ
うに少なくとも一方向に沿って隣接配置された複数のフ
ル・フレーム転送型のＣＣＤチップを備えたＸ線撮像装
置において、ＣＣＤチップのそれぞれは、ＴＤＩ駆動さ
れる複数の垂直シフトレジスタからなる光電変換領域
と、光電変換領域から転送された電荷を前記一方向に沿
って転送する水平シフトレジスタと、光電変換領域の電
荷転送方向終端部に連続し前記一方向に沿った画素数が
光電変換領域と同一であって且つ水平シフトレジスタ側
の長さが光電変換領域よりも短く光電変換領域の電荷転
送方向終端部から流れ込んだ電荷を水平シフトレジスタ
に転送する水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
と、水平シフトレジスタの電荷転送方向終端部近傍に位
置し当該終端部に接続された増幅素子と、水平方向電荷
圧縮用垂直シフトレジスタ列上に設けられた遮光膜とを
備えることを特徴とする。
め、本発明に係るＸ線撮像装置は、Ｘ線像の入射に感応
してシンチレータにおいて発生した蛍光像を撮像するよ
うに少なくとも一方向に沿って隣接配置された複数のフ
ル・フレーム転送型のＣＣＤチップを備えたＸ線撮像装
置において、ＣＣＤチップのそれぞれは、ＴＤＩ駆動さ
れる複数の垂直シフトレジスタからなる光電変換領域
と、光電変換領域から転送された電荷を前記一方向に沿
って転送する水平シフトレジスタと、光電変換領域の電
荷転送方向終端部に連続し前記一方向に沿った画素数が
光電変換領域と同一であって且つ水平シフトレジスタ側
の長さが光電変換領域よりも短く光電変換領域の電荷転
送方向終端部から流れ込んだ電荷を水平シフトレジスタ
に転送する水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
と、水平シフトレジスタの電荷転送方向終端部近傍に位
置し当該終端部に接続された増幅素子と、水平方向電荷
圧縮用垂直シフトレジスタ列上に設けられた遮光膜とを
備えることを特徴とする。
【０００５】このＸ線撮像装置によれば、蛍光像は光電
変換領域に入射することにより、光電変換領域内におい
て電荷像（電子像）に変換される。光電変換領域を構成
する垂直シフトレジスタはＴＤＩ駆動されているので、
当該電荷像は垂直シフトレジスタによって撮影対象物の
移動に同期して移動し、撮影対象物の特定点に対応して
発生する電荷は時間と共に積分される。
変換領域に入射することにより、光電変換領域内におい
て電荷像（電子像）に変換される。光電変換領域を構成
する垂直シフトレジスタはＴＤＩ駆動されているので、
当該電荷像は垂直シフトレジスタによって撮影対象物の
移動に同期して移動し、撮影対象物の特定点に対応して
発生する電荷は時間と共に積分される。
【０００６】電荷像が光電変換領域の電荷転送方向終端
部を過ぎると、電荷像は、順次、水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ列に転送され、水平方向に沿って空間
的に圧縮される。この圧縮された電荷像は水平シフトレ
ジスタに、順次、転送され、水平シフトレジスタによっ
て空間的広がりを有する電荷像が時間的な広がりを有す
る電荷像に変換され、映像信号として水平方向（一方
向）に沿って時系列に転送される。水平シフトレジスタ
の電荷転送方向終端部近傍には増幅素子が設けられてい
るので、当該映像信号は増幅され、外部に出力される。
部を過ぎると、電荷像は、順次、水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ列に転送され、水平方向に沿って空間
的に圧縮される。この圧縮された電荷像は水平シフトレ
ジスタに、順次、転送され、水平シフトレジスタによっ
て空間的広がりを有する電荷像が時間的な広がりを有す
る電荷像に変換され、映像信号として水平方向（一方
向）に沿って時系列に転送される。水平シフトレジスタ
の電荷転送方向終端部近傍には増幅素子が設けられてい
るので、当該映像信号は増幅され、外部に出力される。
【０００７】ここで、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレ
ジスタ列は水平方向に沿った画素数が光電変換領域と同
一なので画素情報は減少することなく水平シフトレジス
タに転送されるが、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジ
スタ列の水平シフトレジスタ側の長さは光電変換領域よ
りも短いので、水平シフトレジスタの電荷転送方向終端
部は光電変換領域の水平方向端部よりも内側に位置し、
水平シフトレジスタの電荷転送方向終端部の外側にスペ
ースが存在することとなる。増幅素子は、水平シフトレ
ジスタの電荷転送方向終端部近傍に位置しているので、
少なくとも一部分は当該スペース内に位置することとな
り、水平シフトレジスタ及び増幅素子が形成された領域
の全体の水平方向長は、本構成を用いないものよりも短
くなる。
ジスタ列は水平方向に沿った画素数が光電変換領域と同
一なので画素情報は減少することなく水平シフトレジス
タに転送されるが、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジ
スタ列の水平シフトレジスタ側の長さは光電変換領域よ
りも短いので、水平シフトレジスタの電荷転送方向終端
部は光電変換領域の水平方向端部よりも内側に位置し、
水平シフトレジスタの電荷転送方向終端部の外側にスペ
ースが存在することとなる。増幅素子は、水平シフトレ
ジスタの電荷転送方向終端部近傍に位置しているので、
少なくとも一部分は当該スペース内に位置することとな
り、水平シフトレジスタ及び増幅素子が形成された領域
の全体の水平方向長は、本構成を用いないものよりも短
くなる。
【０００８】したがって、水平方向に沿って複数のＣＣ
Ｄチップを隣接した場合には、本構成を用いないものよ
りも、光電変換領域を近接させることができる。特に、
本構成によれば、光電変換領域の水平方向端部とＣＣＤ
チップの水平方向端部との間の最短距離は１００μｍ以
下とすることができるので、仮にＣＣＤチップ間の隙間
が５０μｍあった場合においても、光電変換領域間の最
短距離を少なくとも３００μｍ、実際には２５０μｍ以
下とすることができる。この間隔はソフトウエアによっ
て目視で判別できない程度に画像を補正できる距離であ
る。したがって、本発明のＸ線撮像装置によれば、光電
変換領域を近接させることができるので、撮像可能領域
に対する装置の大型化を抑制することができる。
Ｄチップを隣接した場合には、本構成を用いないものよ
りも、光電変換領域を近接させることができる。特に、
本構成によれば、光電変換領域の水平方向端部とＣＣＤ
チップの水平方向端部との間の最短距離は１００μｍ以
下とすることができるので、仮にＣＣＤチップ間の隙間
が５０μｍあった場合においても、光電変換領域間の最
短距離を少なくとも３００μｍ、実際には２５０μｍ以
下とすることができる。この間隔はソフトウエアによっ
て目視で判別できない程度に画像を補正できる距離であ
る。したがって、本発明のＸ線撮像装置によれば、光電
変換領域を近接させることができるので、撮像可能領域
に対する装置の大型化を抑制することができる。
【０００９】ところで、本Ｘ線撮像装置においては、Ｔ
ＤＩ駆動をしているので、水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列においても内部で発生した電荷が光電変換
領域で発生した電荷に加算される。水平方向電荷圧縮用
垂直シフトレジスタ列の水平方向長は上述のように短く
設定されているので、撮影対象物の特定点に対応して発
生した光電変換領域上の電荷と、水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ列において発生した電荷とを加算する
と正確な撮像を行うことができない。
ＤＩ駆動をしているので、水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列においても内部で発生した電荷が光電変換
領域で発生した電荷に加算される。水平方向電荷圧縮用
垂直シフトレジスタ列の水平方向長は上述のように短く
設定されているので、撮影対象物の特定点に対応して発
生した光電変換領域上の電荷と、水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ列において発生した電荷とを加算する
と正確な撮像を行うことができない。
【００１０】そこで、本Ｘ線撮像装置においては、水平
方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列上に遮光膜を設け
ることとし、この遮光膜がＸ線不透過材料からなりシン
チレータ上にある場合にはシンチレータにおける蛍光の
発生を抑制し、蛍光不透過材料からなりシンチレータと
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列との間に介在
する場合には蛍光像の当該シフトレジスタ列への入射を
抑制することとし、正確な撮像を行える構成とした。
方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列上に遮光膜を設け
ることとし、この遮光膜がＸ線不透過材料からなりシン
チレータ上にある場合にはシンチレータにおける蛍光の
発生を抑制し、蛍光不透過材料からなりシンチレータと
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列との間に介在
する場合には蛍光像の当該シフトレジスタ列への入射を
抑制することとし、正確な撮像を行える構成とした。
【００１１】また、このＸ線撮像装置は、光電変換領域
とシンチレータとの間に介在する光ファイバプレートを
更に備えることとしてもよく、この場合には、シンチレ
ータで発光した蛍光像の撮影分解能の低下を抑制しつつ
当該蛍光像を光電変換領域に導光することができる。
とシンチレータとの間に介在する光ファイバプレートを
更に備えることとしてもよく、この場合には、シンチレ
ータで発光した蛍光像の撮影分解能の低下を抑制しつつ
当該蛍光像を光電変換領域に導光することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係るＸ線撮像
装置について説明する。同一要素には同一符号を用いる
こととし、重複する説明は省略する。
装置について説明する。同一要素には同一符号を用いる
こととし、重複する説明は省略する。
【００１３】図１はＸ線撮像装置（撮像センサ）１０の
平面図、図２はＸ線撮像装置１０の正面図である。この
Ｘ線撮像装置１０はパッケージの底部を構成する基板１
を有する。基板１上には複数のＣＣＤチップ２が載置さ
れている。複数のＣＣＤチップ２上には、少なくともＣ
ＣＤチップ２の光電変換領域上に位置するように１枚の
光ファイバプレート（ＦＯＰ）３が設けられており、Ｆ
ＯＰ３の表面上にはシンチレータ４が設けられている。
なお、基板１とＣＣＤチップ２の間、ＣＣＤチップ２と
ＦＯＰ３の間には接着用の樹脂５，６が介在している。
また、ＣＣＤチップ２から外部に延びる各種ボンディン
グワイヤも樹脂によって被覆され、ＦＯＰ３との接触に
よる機械的破壊から保護される。
平面図、図２はＸ線撮像装置１０の正面図である。この
Ｘ線撮像装置１０はパッケージの底部を構成する基板１
を有する。基板１上には複数のＣＣＤチップ２が載置さ
れている。複数のＣＣＤチップ２上には、少なくともＣ
ＣＤチップ２の光電変換領域上に位置するように１枚の
光ファイバプレート（ＦＯＰ）３が設けられており、Ｆ
ＯＰ３の表面上にはシンチレータ４が設けられている。
なお、基板１とＣＣＤチップ２の間、ＣＣＤチップ２と
ＦＯＰ３の間には接着用の樹脂５，６が介在している。
また、ＣＣＤチップ２から外部に延びる各種ボンディン
グワイヤも樹脂によって被覆され、ＦＯＰ３との接触に
よる機械的破壊から保護される。
【００１４】シンチレータ４にＸ線が入射すると、シン
チレータ４において蛍光が生じる。ＦＯＰ３はＣＣＤチ
ップ２の表面に対して垂直な光軸を有し、シンチレータ
４とＣＣＤチップ２の光電変換領域とを光学的に結合さ
せている。したがって、シンチレータ４において発生し
た蛍光はＦＯＰ３を通ってＣＣＤチップ２の光電変換領
域に至ることとなる。光電変換領域で撮像された画像は
映像信号としてパッケージ下部に設けられたリードピン
Ｒを介して外部に出力される。
チレータ４において蛍光が生じる。ＦＯＰ３はＣＣＤチ
ップ２の表面に対して垂直な光軸を有し、シンチレータ
４とＣＣＤチップ２の光電変換領域とを光学的に結合さ
せている。したがって、シンチレータ４において発生し
た蛍光はＦＯＰ３を通ってＣＣＤチップ２の光電変換領
域に至ることとなる。光電変換領域で撮像された画像は
映像信号としてパッケージ下部に設けられたリードピン
Ｒを介して外部に出力される。
【００１５】なお、複数のＣＣＤチップ２は、Ｘ線像の
入射に感応してシンチレータ４において発生した蛍光像
を撮像するように少なくとも一方向（水平方向とする）
に沿って隣接配置されている。
入射に感応してシンチレータ４において発生した蛍光像
を撮像するように少なくとも一方向（水平方向とする）
に沿って隣接配置されている。
【００１６】図３は１つのＣＣＤチップ２の平面図であ
る。図１に示したＣＣＤチップ２のそれぞれは図３に示
すものと同一である。ＣＣＤチップ２は、ＴＤＩ（Ｔｉ
ｍｅＤｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）駆動される
複数の垂直シフトレジスタ２ｖからなる光電変換領域２
ｖｖと、光電変換領域２ｖｖから転送された電荷を水平
方向（一方向）に沿って転送する水平シフトレジスタ２
ｈを備えている。光電変換領域２ｖｖと水平シフトレジ
スタ２ｈとの間には、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレ
ジスタ列２ｃが介在している。
る。図１に示したＣＣＤチップ２のそれぞれは図３に示
すものと同一である。ＣＣＤチップ２は、ＴＤＩ（Ｔｉ
ｍｅＤｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）駆動される
複数の垂直シフトレジスタ２ｖからなる光電変換領域２
ｖｖと、光電変換領域２ｖｖから転送された電荷を水平
方向（一方向）に沿って転送する水平シフトレジスタ２
ｈを備えている。光電変換領域２ｖｖと水平シフトレジ
スタ２ｈとの間には、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレ
ジスタ列２ｃが介在している。
【００１７】なお、以下の説明では、特に、断りのない
限り、水平方向とはＣＣＤチップ２の隣接方向であっ
て、水平シフトレジスタ２ｈの長手方向であり、垂直方
向とは垂直シフトレジスタ２ｖの長手方向であることと
する。
限り、水平方向とはＣＣＤチップ２の隣接方向であっ
て、水平シフトレジスタ２ｈの長手方向であり、垂直方
向とは垂直シフトレジスタ２ｖの長手方向であることと
する。
【００１８】光電変換領域２ｖｖを構成する複数の垂直
シフトレジスタはＣＣＤであって、その光電変換を行う
画素が電荷転送にも寄与し、特定の画素の露光による光
電変換によって発生した電荷は、次行に位置する画素に
転送され、この画素の露光によって発生した電荷に加算
される。ＣＣＤチップ２は光電変換領域とは異なる蓄積
部を備えておらず、フル・フレーム転送型のＣＣＤチッ
プとして機能する。
シフトレジスタはＣＣＤであって、その光電変換を行う
画素が電荷転送にも寄与し、特定の画素の露光による光
電変換によって発生した電荷は、次行に位置する画素に
転送され、この画素の露光によって発生した電荷に加算
される。ＣＣＤチップ２は光電変換領域とは異なる蓄積
部を備えておらず、フル・フレーム転送型のＣＣＤチッ
プとして機能する。
【００１９】一般に、フル・フレーム転送型のＣＣＤ
は、撮像期間（露光）と転送期間を有する。撮像期間に
被写体像を撮像し、しかる後、シャッタを閉じ、その間
に水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行う。
は、撮像期間（露光）と転送期間を有する。撮像期間に
被写体像を撮像し、しかる後、シャッタを閉じ、その間
に水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行う。
【００２０】これに対し、フレーム転送型のＣＣＤは、
撮像領域と蓄積領域を有しているため、撮像期間に撮像
領域で撮像し、被写体像を１フレーム毎に蓄積領域に転
送し、水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行う。
本発明で用いられるＴＤＩ駆動は被写体の移動に同期し
て水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行うので、
この駆動には、１列ごとに画素転送を行うフル・フレー
ム転送型を適用する必要がある。更に、フル・フレーム
転送型でＴＤＩ動作を行うと、水平方向電荷圧縮用垂直
シフトレジスタは１列で実現可能であり、省スペース化
を実現することができる。
撮像領域と蓄積領域を有しているため、撮像期間に撮像
領域で撮像し、被写体像を１フレーム毎に蓄積領域に転
送し、水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行う。
本発明で用いられるＴＤＩ駆動は被写体の移動に同期し
て水平方向の画素列（１列）毎に垂直転送を行うので、
この駆動には、１列ごとに画素転送を行うフル・フレー
ム転送型を適用する必要がある。更に、フル・フレーム
転送型でＴＤＩ動作を行うと、水平方向電荷圧縮用垂直
シフトレジスタは１列で実現可能であり、省スペース化
を実現することができる。
【００２１】水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
２ｃは、光電変換領域２ｖｖの電荷転送方向終端部に連
続し水平方向に沿った画素数が光電変換領域２ｖｖと同
一であって、且つ、その水平シフトレジスタ側の長さＬ
２が光電変換領域２ｖｖの水平方向長さＬ１よりも短
く、光電変換領域２ｖｖの電荷転送方向終端部から流れ
込んだ電荷を空間的に圧縮しながら水平シフトレジスタ
２ｈに転送する。なお、増幅素子７は、水平シフトレジ
スタ２ｈの電荷転送方向終端部近傍に位置し当該終端部
に接続されている。なお、増幅素子７は電荷（電子）を
電圧に変換するための電荷増幅器であり、一般にＭＯＳ
ＦＥＴのソースホロア接続によって構成される、例えば
フローティングディフュージョンアンプである。また、
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃ及び水平
シフトレジスタ２ｈ上には遮光膜８，８ｈが設けられて
いる。
２ｃは、光電変換領域２ｖｖの電荷転送方向終端部に連
続し水平方向に沿った画素数が光電変換領域２ｖｖと同
一であって、且つ、その水平シフトレジスタ側の長さＬ
２が光電変換領域２ｖｖの水平方向長さＬ１よりも短
く、光電変換領域２ｖｖの電荷転送方向終端部から流れ
込んだ電荷を空間的に圧縮しながら水平シフトレジスタ
２ｈに転送する。なお、増幅素子７は、水平シフトレジ
スタ２ｈの電荷転送方向終端部近傍に位置し当該終端部
に接続されている。なお、増幅素子７は電荷（電子）を
電圧に変換するための電荷増幅器であり、一般にＭＯＳ
ＦＥＴのソースホロア接続によって構成される、例えば
フローティングディフュージョンアンプである。また、
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃ及び水平
シフトレジスタ２ｈ上には遮光膜８，８ｈが設けられて
いる。
【００２２】図４は、図３に示した複数の垂直シフトレ
ジスタ２ｖと水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
２ｃが形成された領域ＩＶの部分拡大図である。垂直シ
フトレジスタ２ｖ間は、遮光体や絶縁体の埋め込まれた
溝や水平方向隣接部に対してポテンシャル障壁を形成可
能な半導体領域からなる分離領域Ｇｒによって分離され
ており、各垂直シフトレジスタ２ｖには、水平方向電荷
圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃのそれぞれが連続して
いる。もちろん、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジス
タ２ｃ間も分離領域Ｇｒによって分離されている。
ジスタ２ｖと水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
２ｃが形成された領域ＩＶの部分拡大図である。垂直シ
フトレジスタ２ｖ間は、遮光体や絶縁体の埋め込まれた
溝や水平方向隣接部に対してポテンシャル障壁を形成可
能な半導体領域からなる分離領域Ｇｒによって分離され
ており、各垂直シフトレジスタ２ｖには、水平方向電荷
圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃのそれぞれが連続して
いる。もちろん、水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジス
タ２ｃ間も分離領域Ｇｒによって分離されている。
【００２３】水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ２
ｃの水平方向画素数（チャネル数）は、垂直シフトレジ
スタ２ｖの水平方向画素数に一致するが、各チャネルの
幅は狭く設定されている。例えば、各垂直シフトレジス
タ２ｖのチャネル幅が４８μｍである場合、各水平方向
電荷圧縮用垂直シフトレジスタ２ｃの幅は４４μｍに設
定される。なお、これらを構成する画素の垂直方向ピッ
チは、ＴＤＩ駆動であるため、同一であって、垂直方向
画素長は例えば４８μｍに設定される。
ｃの水平方向画素数（チャネル数）は、垂直シフトレジ
スタ２ｖの水平方向画素数に一致するが、各チャネルの
幅は狭く設定されている。例えば、各垂直シフトレジス
タ２ｖのチャネル幅が４８μｍである場合、各水平方向
電荷圧縮用垂直シフトレジスタ２ｃの幅は４４μｍに設
定される。なお、これらを構成する画素の垂直方向ピッ
チは、ＴＤＩ駆動であるため、同一であって、垂直方向
画素長は例えば４８μｍに設定される。
【００２４】シンチレータ４において発生した蛍光は、
各垂直シフトレジスタ２ｖ、２ｃの上に設けられたポリ
シリコン電極２ｅを通って、光電変換領域で光電変換さ
れ、ポリシリコン電極２ｅ直下に形成された半導体ポテ
ンシャル井戸内に電荷として蓄積される。ポリシリコン
電極２ｅは、電荷を垂直方向に転送するための転送電極
であり、水平方向に沿って延びている。
各垂直シフトレジスタ２ｖ、２ｃの上に設けられたポリ
シリコン電極２ｅを通って、光電変換領域で光電変換さ
れ、ポリシリコン電極２ｅ直下に形成された半導体ポテ
ンシャル井戸内に電荷として蓄積される。ポリシリコン
電極２ｅは、電荷を垂直方向に転送するための転送電極
であり、水平方向に沿って延びている。
【００２５】転送電極２ｅに所定の駆動電圧、すなわ
ち、２相、３相或いは４相の駆動電圧を印加すると、電
極直下のポテンシャル井戸が垂直方向に移動し、電荷転
送が行われる。駆動電圧は、光電変換領域２ｖｖの水平
方向両端部の外側を這い転送電極２ｅに電気的に接続さ
れたパターン配線２ｗを介して、転送電極２ｅに印加さ
れる。パターン配線２ｗはＣＣＤチップ２の周縁部に設
けられたボンディングパッドＢに接続されている。全て
のボンディングパッドＢは光電変換領域２ｖｖの垂直方
向に沿った両端部の外側に配置されており、光電変換領
域２ｖｖの水平方向両端部の外側には配置されていな
い。
ち、２相、３相或いは４相の駆動電圧を印加すると、電
極直下のポテンシャル井戸が垂直方向に移動し、電荷転
送が行われる。駆動電圧は、光電変換領域２ｖｖの水平
方向両端部の外側を這い転送電極２ｅに電気的に接続さ
れたパターン配線２ｗを介して、転送電極２ｅに印加さ
れる。パターン配線２ｗはＣＣＤチップ２の周縁部に設
けられたボンディングパッドＢに接続されている。全て
のボンディングパッドＢは光電変換領域２ｖｖの垂直方
向に沿った両端部の外側に配置されており、光電変換領
域２ｖｖの水平方向両端部の外側には配置されていな
い。
【００２６】図５は図１に示したＸ線撮像装置１０の部
分拡大図であり、幾つかのＣＣＤチップ２が示されてい
る。複数のＣＣＤチップ２の配列方向は、水平シフトレ
ジスタ２ｈの長手方向に一致する。
分拡大図であり、幾つかのＣＣＤチップ２が示されてい
る。複数のＣＣＤチップ２の配列方向は、水平シフトレ
ジスタ２ｈの長手方向に一致する。
【００２７】シンチレータ４で発生した蛍光像は光電変
換領域２ｖｖに入射することにより、光電変換領域２ｖ
ｖ内において電荷像（電子像）に変換される。光電変換
領域２ｖｖを構成する垂直シフトレジスタ２ｖはＴＤＩ
駆動されているので、当該電荷像は垂直シフトレジスタ
によって撮影対象物の移動に同期して移動し、撮影対象
物の特定点に対応して発生する電荷は時間と共に積分さ
れる。
換領域２ｖｖに入射することにより、光電変換領域２ｖ
ｖ内において電荷像（電子像）に変換される。光電変換
領域２ｖｖを構成する垂直シフトレジスタ２ｖはＴＤＩ
駆動されているので、当該電荷像は垂直シフトレジスタ
によって撮影対象物の移動に同期して移動し、撮影対象
物の特定点に対応して発生する電荷は時間と共に積分さ
れる。
【００２８】電荷像が光電変換領域２ｖｖの電荷転送方
向終端部を過ぎると、電荷像は、順次、水平方向電荷圧
縮用垂直シフトレジスタ列２ｃに転送され、水平方向に
沿って空間的に圧縮される。この圧縮された電荷像は水
平シフトレジスタ２ｈに、順次、転送され、水平シフト
レジスタ２ｈによって空間的広がりを有する電荷像が時
間的な広がりを有する電荷像に変換され、映像信号とし
て水平方向に沿って時系列に転送される。水平シフトレ
ジスタ２ｈの電荷転送方向終端部近傍には増幅素子７が
設けられているので、当該映像信号は増幅され、ボンデ
ィングパッドＢを介して外部に出力される。
向終端部を過ぎると、電荷像は、順次、水平方向電荷圧
縮用垂直シフトレジスタ列２ｃに転送され、水平方向に
沿って空間的に圧縮される。この圧縮された電荷像は水
平シフトレジスタ２ｈに、順次、転送され、水平シフト
レジスタ２ｈによって空間的広がりを有する電荷像が時
間的な広がりを有する電荷像に変換され、映像信号とし
て水平方向に沿って時系列に転送される。水平シフトレ
ジスタ２ｈの電荷転送方向終端部近傍には増幅素子７が
設けられているので、当該映像信号は増幅され、ボンデ
ィングパッドＢを介して外部に出力される。
【００２９】水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
２ｃは水平方向に沿った画素数が光電変換領域２ｖｖと
同一なので画素情報は減少することなく水平シフトレジ
スタ２ｈに転送されるが、水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列２ｃの水平シフトレジスタ側の長さ（図３
のＬ２）は光電変換領域２ｖｖの水平方向の長さ（図３
のＬ１）よりも短いので、水平シフトレジスタ２ｈの電
荷転送方向終端部は光電変換領域２ｖｖの水平方向端部
よりも内側に位置し、水平シフトレジスタ２ｈの電荷転
送方向終端部の外側にスペースが存在することとなる。
２ｃは水平方向に沿った画素数が光電変換領域２ｖｖと
同一なので画素情報は減少することなく水平シフトレジ
スタ２ｈに転送されるが、水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列２ｃの水平シフトレジスタ側の長さ（図３
のＬ２）は光電変換領域２ｖｖの水平方向の長さ（図３
のＬ１）よりも短いので、水平シフトレジスタ２ｈの電
荷転送方向終端部は光電変換領域２ｖｖの水平方向端部
よりも内側に位置し、水平シフトレジスタ２ｈの電荷転
送方向終端部の外側にスペースが存在することとなる。
【００３０】増幅素子７は、水平シフトレジスタ２ｈの
電荷転送方向終端部近傍に位置しているので、少なくと
も一部分は当該スペース内に位置することとなり、水平
シフトレジスタ２ｈ及び増幅素子７が形成された領域の
全体の水平方向長は、本構成を用いないものよりも短く
なる。
電荷転送方向終端部近傍に位置しているので、少なくと
も一部分は当該スペース内に位置することとなり、水平
シフトレジスタ２ｈ及び増幅素子７が形成された領域の
全体の水平方向長は、本構成を用いないものよりも短く
なる。
【００３１】したがって、水平方向に沿って複数のＣＣ
Ｄチップ２を隣接させた場合には、本構成を用いないも
のよりも、光電変換領域２ｖｖを近接させることができ
る。特に、本構成によれば、光電変換領域２ｖｖの水平
方向端部とＣＣＤチップ２の水平方向端部との間の最短
距離は１００μｍ以下とすることができるので、仮にＣ
ＣＤチップ２間の隙間が５０μｍあった場合において
も、光電変換領域２ｖｖ間の最短距離を少なくとも３０
０μｍ、実際には２５０μｍ以下とすることができる。
この間隔はソフトウエアによって目視で判別できない程
度に画像を補正できる距離である。したがって、本発明
のＸ線撮像装置によれば、光電変換領域を近接させるこ
とができるので、撮像可能領域に対する装置の大型化を
抑制することができる。
Ｄチップ２を隣接させた場合には、本構成を用いないも
のよりも、光電変換領域２ｖｖを近接させることができ
る。特に、本構成によれば、光電変換領域２ｖｖの水平
方向端部とＣＣＤチップ２の水平方向端部との間の最短
距離は１００μｍ以下とすることができるので、仮にＣ
ＣＤチップ２間の隙間が５０μｍあった場合において
も、光電変換領域２ｖｖ間の最短距離を少なくとも３０
０μｍ、実際には２５０μｍ以下とすることができる。
この間隔はソフトウエアによって目視で判別できない程
度に画像を補正できる距離である。したがって、本発明
のＸ線撮像装置によれば、光電変換領域を近接させるこ
とができるので、撮像可能領域に対する装置の大型化を
抑制することができる。
【００３２】ところで、本Ｘ線撮像装置１０において
は、ＴＤＩ駆動をしているので、遮光膜８がなければ、
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃにおいて
も、その内部で発生した電荷が光電変換領域２ｖｖで発
生した電荷に加算される。水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列２ｃの水平方向長は上述のように短く設定
されているので、撮影対象物の特定点に対応して発生し
た光電変換領域２ｖｖ内の電荷と、水平方向電荷圧縮用
垂直シフトレジスタ列２ｃにおいて発生した電荷とを加
算すると正確な撮像を行うことができない。
は、ＴＤＩ駆動をしているので、遮光膜８がなければ、
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃにおいて
も、その内部で発生した電荷が光電変換領域２ｖｖで発
生した電荷に加算される。水平方向電荷圧縮用垂直シフ
トレジスタ列２ｃの水平方向長は上述のように短く設定
されているので、撮影対象物の特定点に対応して発生し
た光電変換領域２ｖｖ内の電荷と、水平方向電荷圧縮用
垂直シフトレジスタ列２ｃにおいて発生した電荷とを加
算すると正確な撮像を行うことができない。
【００３３】そこで、本Ｘ線撮像装置１０においては、
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列上に遮光膜８
を設けることとし、この遮光膜８がＸ線不透過材料から
なりシンチレータ上にある場合にはシンチレータにおけ
る蛍光の発生を抑制し、蛍光不透過材料からなりシンチ
レータと水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列との
間に介在する場合には蛍光像の当該シフトレジスタ列へ
の入射を抑制することとし、正確な撮像を行える構成と
した。なお、水平シフトレジスタ２ｈ上にも遮光膜８ｈ
は位置し、光の入射によるノイズの発生を抑制してい
る。
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列上に遮光膜８
を設けることとし、この遮光膜８がＸ線不透過材料から
なりシンチレータ上にある場合にはシンチレータにおけ
る蛍光の発生を抑制し、蛍光不透過材料からなりシンチ
レータと水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列との
間に介在する場合には蛍光像の当該シフトレジスタ列へ
の入射を抑制することとし、正確な撮像を行える構成と
した。なお、水平シフトレジスタ２ｈ上にも遮光膜８ｈ
は位置し、光の入射によるノイズの発生を抑制してい
る。
【００３４】このＸ線撮像装置１０は、光電変換領域２
ｖｖとシンチレータ４との間に介在するＦＯＰ３を更に
備えており、シンチレータ４で発光した蛍光像の撮影分
解能の低下を抑制しつつ当該蛍光像を光電変換領域２ｖ
ｖに導光することができるが、ＦＯＰ３を用いず、シン
チレータ４を、直接、光電変換領域２ｖｖ上に配置して
もよい。
ｖｖとシンチレータ４との間に介在するＦＯＰ３を更に
備えており、シンチレータ４で発光した蛍光像の撮影分
解能の低下を抑制しつつ当該蛍光像を光電変換領域２ｖ
ｖに導光することができるが、ＦＯＰ３を用いず、シン
チレータ４を、直接、光電変換領域２ｖｖ上に配置して
もよい。
【００３５】図６は上述のＸ線撮像装置１０を用いたＸ
線撮像システムのブロック図である。図示しない測定対
象物がベルトコンベアー上を移動すると、ロータリエン
コーダ１１が回転し、測定対象物の移動速度ｖがコンピ
ュータＰＣに入力される。測定対象物にＸ線を照射する
と、そのＸ線透過像がＸ線撮像装置１０上に投影され移
動速度ｖで移動する。垂直シフトレジスタ２ｖは、この
移動速度ｖと同じ速度で、すなわち、その駆動電圧の周
波数が垂直転送周波数ｆとなるように垂直電荷転送を行
う。なお、移動速度ｖ＝垂直転送周波数ｆ×画素サイズ
ｄを満たす。１つの画素に蓄積された電荷は、時間（１
／ｆ）が経過した後に、次の段の画素に転送され、この
画素において測定対象物の同一地点に対応して発生した
電荷が蓄積され、以後、同様に蓄積動作が繰り返され
る。
線撮像システムのブロック図である。図示しない測定対
象物がベルトコンベアー上を移動すると、ロータリエン
コーダ１１が回転し、測定対象物の移動速度ｖがコンピ
ュータＰＣに入力される。測定対象物にＸ線を照射する
と、そのＸ線透過像がＸ線撮像装置１０上に投影され移
動速度ｖで移動する。垂直シフトレジスタ２ｖは、この
移動速度ｖと同じ速度で、すなわち、その駆動電圧の周
波数が垂直転送周波数ｆとなるように垂直電荷転送を行
う。なお、移動速度ｖ＝垂直転送周波数ｆ×画素サイズ
ｄを満たす。１つの画素に蓄積された電荷は、時間（１
／ｆ）が経過した後に、次の段の画素に転送され、この
画素において測定対象物の同一地点に対応して発生した
電荷が蓄積され、以後、同様に蓄積動作が繰り返され
る。
【００３６】なお、駆動電圧は垂直転送周波数ｆを外部
入力によって変えられる駆動回路ＤからＸ線撮像装置１
０に与えられる。垂直転送周波数ｆは、移動速度ｖに基
づいてコンピュータＰＣが計算し、コンピュータＰＣ
は、垂直転送周波数ｆの駆動電圧を出力するように駆動
回路Ｄを制御し、ＴＤＩ駆動が行われる。
入力によって変えられる駆動回路ＤからＸ線撮像装置１
０に与えられる。垂直転送周波数ｆは、移動速度ｖに基
づいてコンピュータＰＣが計算し、コンピュータＰＣ
は、垂直転送周波数ｆの駆動電圧を出力するように駆動
回路Ｄを制御し、ＴＤＩ駆動が行われる。
【００３７】なお、Ｘ線撮像装置１０から出力された映
像信号はアンプ及びＡ／Ｄ変換器を含む信号処理回路Ｓ
を介してコンピュータＰＣに入力され、映像信号に基づ
いて得られた測定対象物のＸ線透過像はディスプレイＤ
ＳＰ上に表示される。なお、映像信号はコンピュータＰ
Ｃ内のフレームメモリ内に書き込むこともできる。
像信号はアンプ及びＡ／Ｄ変換器を含む信号処理回路Ｓ
を介してコンピュータＰＣに入力され、映像信号に基づ
いて得られた測定対象物のＸ線透過像はディスプレイＤ
ＳＰ上に表示される。なお、映像信号はコンピュータＰ
Ｃ内のフレームメモリ内に書き込むこともできる。
【００３８】なお、上述のＸ線撮像装置１０はＴＤＩ駆
動によって高精度の一次元センサとしても機能させるこ
とができる。
動によって高精度の一次元センサとしても機能させるこ
とができる。
【００３９】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明のＸ線撮
像装置によれば、撮像可能領域に対する装置の大型化を
抑制することができる。
像装置によれば、撮像可能領域に対する装置の大型化を
抑制することができる。
【図１】Ｘ線撮像装置（撮像センサ）１０の平面図であ
る。
る。
【図２】Ｘ線撮像装置１０の正面図である。
【図３】１つのＣＣＤチップ２の平面図である。
【図４】図３に示した複数の垂直シフトレジスタ２ｖと
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃが形成さ
れた領域ＩＶの部分拡大図である。
水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列２ｃが形成さ
れた領域ＩＶの部分拡大図である。
【図５】図１に示したＸ線撮像装置１０の部分拡大図で
ある。
ある。
【図６】上述のＸ線撮像装置１０を用いたＸ線撮像シス
テムのブロック図である。
テムのブロック図である。
２ｅ…ポリシリコン電極、Ｒ…リードピン、Ｄ…駆動回
路、Ｓ…信号処理回路、２ｅ…転送電極、Ｇｒ…分離領
域、１…基板、２…ＣＣＤチップ、２ｗ…パターン配
線、２ｖ…垂直シフトレジスタ、２ｃ…水平方向電荷圧
縮用垂直シフトレジスタ列、２ｖｖ…光電変換領域、２
ｈ…水平シフトレジスタ、２ｃ…水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ（列）、４…シンチレータ、７…増幅
素子、８…遮光膜、１０…Ｘ線撮像装置、１１…ロータ
リエンコーダ、５，６…樹脂、Ｂ…ボンディングパッ
ド、ＤＳＰ…ディスプレイ、ＰＣ…コンピュータ。
路、Ｓ…信号処理回路、２ｅ…転送電極、Ｇｒ…分離領
域、１…基板、２…ＣＣＤチップ、２ｗ…パターン配
線、２ｖ…垂直シフトレジスタ、２ｃ…水平方向電荷圧
縮用垂直シフトレジスタ列、２ｖｖ…光電変換領域、２
ｈ…水平シフトレジスタ、２ｃ…水平方向電荷圧縮用垂
直シフトレジスタ（列）、４…シンチレータ、７…増幅
素子、８…遮光膜、１０…Ｘ線撮像装置、１１…ロータ
リエンコーダ、５，６…樹脂、Ｂ…ボンディングパッ
ド、ＤＳＰ…ディスプレイ、ＰＣ…コンピュータ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 27/148 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｂ
Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｋ
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線像の入射に感応してシンチレータに
おいて発生した蛍光像を撮像するように少なくとも一方
向に沿って隣接配置された複数のフル・フレーム転送型
のＣＣＤチップを備えたＸ線撮像装置において、 前記ＣＣＤチップのそれぞれは、ＴＤＩ駆動される複数
の垂直シフトレジスタからなる光電変換領域と、前記光
電変換領域から転送された電荷を前記一方向に沿って転
送する水平シフトレジスタと、前記光電変換領域の電荷
転送方向終端部に連続し前記一方向に沿った画素数が前
記光電変換領域と同一であって且つ前記水平シフトレジ
スタ側の長さが前記光電変換領域よりも短く前記光電変
換領域の電荷転送方向終端部から流れ込んだ電荷を前記
水平シフトレジスタに転送する水平方向電荷圧縮用垂直
シフトレジスタ列と、前記水平シフトレジスタの電荷転
送方向終端部近傍に位置し当該終端部に接続された増幅
素子と、前記水平方向電荷圧縮用垂直シフトレジスタ列
上に設けられた遮光膜とを備えることを特徴とするＸ線
撮像装置。 - 【請求項２】 前記光電変換領域と前記シンチレータと
の間に介在する光ファイバプレートを更に備えることを
特徴とする請求項１に記載のＸ線撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001234030A JP2003046862A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | Ｘ線撮像装置 |
| EP02755726A EP1422536A4 (en) | 2001-08-01 | 2002-07-31 | X-RAY IMAGER |
| US10/485,301 US7138637B2 (en) | 2001-08-01 | 2002-07-31 | X-ray imager |
| PCT/JP2002/007810 WO2003012477A1 (fr) | 2001-08-01 | 2002-07-31 | Imageur a rayons x |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001234030A JP2003046862A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | Ｘ線撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003046862A true JP2003046862A (ja) | 2003-02-14 |
Family
ID=19065720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001234030A Pending JP2003046862A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | Ｘ線撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7138637B2 (ja) |
| EP (1) | EP1422536A4 (ja) |
| JP (1) | JP2003046862A (ja) |
| WO (1) | WO2003012477A1 (ja) |
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| JP2010278220A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出ユニット |
| US20130032728A1 (en) * | 2011-08-05 | 2013-02-07 | Yoshiki Matoba | Transmission x-ray analyzer and transmission x-ray analysis method |
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|---|---|---|---|---|
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| DE102016208320B3 (de) * | 2016-05-13 | 2017-03-09 | Bruker Axs Gmbh | Vorrichtung zur Sortierung von Materialien, insbesondere Schrottpartikeln, mittels Röntgenfluoreszenz |
| JP6383460B1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-08-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | エンコーダ用受光モジュール及びエンコーダ |
| JP7046698B2 (ja) * | 2018-04-24 | 2022-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法、及び画像処理方法 |
| JP7201481B2 (ja) * | 2019-03-04 | 2023-01-10 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Ｘ線検査装置及びｘ線検査方法 |
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| JPH0645576A (ja) * | 1992-07-23 | 1994-02-18 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| JPH1012851A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線撮像装置 |
| JPH10282243A (ja) * | 1997-04-09 | 1998-10-23 | Hamamatsu Photonics Kk | 医療用小型ｘ線画像検出装置 |
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