JP3424876B2 - 画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents
画像表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外光反射低減の機
能を備えた受像管またはプラズマディスプレイパネル等
の画像表示装置及びその製造方法に関するものである。
能を備えた受像管またはプラズマディスプレイパネル等
の画像表示装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】室内照明灯等による外光が、受像管など
の画像表示装置のガラス製フェースパネルの外表面で反
射すると、再生画像が非常に見づらくなる。また、フェ
ースパネルの外表面に静電気が蓄積すると、フェースパ
ネルにごみが付着しやすくなるばかりでなく、感電の危
険が生じる場合がある。これを解決する手段として、例
えば特開平５−６７４３２号公報には、フェースパネル
外表面上に酸化スズおよび酸化ケイ素を含む揮発性溶液
を回転塗布しかつ乾燥させて得た第１層上に、酸化ケイ
素を含む揮発性溶液を回転塗布しかつ乾燥させて表面層
たる第２層を得、焼き付けを行うことによって得られた
複合膜の干渉作用で、フェースパネル外表面における光
反射率を約１．５％以下にすると同時に、帯電防止作用
を得ることができる方法が開示されている。
の画像表示装置のガラス製フェースパネルの外表面で反
射すると、再生画像が非常に見づらくなる。また、フェ
ースパネルの外表面に静電気が蓄積すると、フェースパ
ネルにごみが付着しやすくなるばかりでなく、感電の危
険が生じる場合がある。これを解決する手段として、例
えば特開平５−６７４３２号公報には、フェースパネル
外表面上に酸化スズおよび酸化ケイ素を含む揮発性溶液
を回転塗布しかつ乾燥させて得た第１層上に、酸化ケイ
素を含む揮発性溶液を回転塗布しかつ乾燥させて表面層
たる第２層を得、焼き付けを行うことによって得られた
複合膜の干渉作用で、フェースパネル外表面における光
反射率を約１．５％以下にすると同時に、帯電防止作用
を得ることができる方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の構
成では、平滑膜であるため、表示画像の解像度やコント
ラストが劣化するという問題はないが、反面、フィンガ
ープリントとよばれる指紋跡が目だち易く、それを除去
することが困難である。また、水拭きを行った場合に水
滴が長時間残るようなことがあると、青く光るシミ跡が
残るなどの問題点を有していた。
成では、平滑膜であるため、表示画像の解像度やコント
ラストが劣化するという問題はないが、反面、フィンガ
ープリントとよばれる指紋跡が目だち易く、それを除去
することが困難である。また、水拭きを行った場合に水
滴が長時間残るようなことがあると、青く光るシミ跡が
残るなどの問題点を有していた。
【０００４】また、最外表面に凹凸を設けてフィンガー
プリントの付着を防ぐ方法もあるが、凹凸により蛍光面
から発せられる光が散乱し解像度が低下したり、外光の
散乱反射光のためコントラストが低下するなどの問題が
ある。
プリントの付着を防ぐ方法もあるが、凹凸により蛍光面
から発せられる光が散乱し解像度が低下したり、外光の
散乱反射光のためコントラストが低下するなどの問題が
ある。
【０００５】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、高解像度、高コントラストの画像の特性を損なうこ
となく、反射低減機能と帯電防止機能を備え、かつフィ
ンガープリント及びシミ跡の付着を防止する受像管など
に優れた画像表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
め、高解像度、高コントラストの画像の特性を損なうこ
となく、反射低減機能と帯電防止機能を備え、かつフィ
ンガープリント及びシミ跡の付着を防止する受像管など
に優れた画像表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の画像表示装置は、ガラス製フェースパネル
表面に反射防止膜を備えた画像表示装置において、ガラ
ス側に導電性の高屈折率薄膜が形成され、その外層にア
ルキルシリケート重合体とメチルトリメトキシシランの
混合物からなる撥水性低屈折率薄膜が積層された反射防
止膜が形成されており、前記アルキルシリケート重合体
がテトラエチルシリケートを含み、かつメチルトリメト
キシシランとテトラエチルシリケートとの重量比が２：
５から２：１の範囲内であることを特徴とする。前記に
おいて導電性とは、それ自体で１０2〜１０11Ω／□の
範囲の電気抵抗をいう。また本発明でいう撥水性とは、
水との接触角が４０°以上をいう。
め、本発明の画像表示装置は、ガラス製フェースパネル
表面に反射防止膜を備えた画像表示装置において、ガラ
ス側に導電性の高屈折率薄膜が形成され、その外層にア
ルキルシリケート重合体とメチルトリメトキシシランの
混合物からなる撥水性低屈折率薄膜が積層された反射防
止膜が形成されており、前記アルキルシリケート重合体
がテトラエチルシリケートを含み、かつメチルトリメト
キシシランとテトラエチルシリケートとの重量比が２：
５から２：１の範囲内であることを特徴とする。前記に
おいて導電性とは、それ自体で１０2〜１０11Ω／□の
範囲の電気抵抗をいう。また本発明でいう撥水性とは、
水との接触角が４０°以上をいう。
【０００７】また前記において、撥水性低屈折率薄膜
が、屈折率１．４〜１．５の範囲、膜厚７０〜１５０ｎ
ｍの範囲であることが好ましい。
が、屈折率１．４〜１．５の範囲、膜厚７０〜１５０ｎ
ｍの範囲であることが好ましい。
【０００８】また前記において、導電性の高屈折率薄膜
が、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモ
ンから選ばれる少なくとも一つの酸化物を含み、かつ屈
折率１．６〜２．０の範囲、膜厚７〜１３０ｎｍの範囲
であることが好ましい。
が、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモ
ンから選ばれる少なくとも一つの酸化物を含み、かつ屈
折率１．６〜２．０の範囲、膜厚７〜１３０ｎｍの範囲
であることが好ましい。
【０００９】次に本発明の画像表示装置の製造方法は、
ガラス製フェースパネル表面に反射防止膜を備えた画像
表示装置の製造方法において、ガラス製フェースパネル
上に導電性の高屈折率薄膜を形成し、次にアルキルシリ
ケート重合体をアルコール系溶液に溶解した溶液にメチ
ルトリメトキシシランを添加した混合溶液を塗布したの
ち加熱することにより、撥水性低屈折率薄膜を形成する
に際し、前記アルキルシリケート重合体がテトラエチル
シリケートを含み、かつメチルトリメトキシシランとテ
トラエチルシリケートとの重量比を２：５から２：１の
範囲内とすることを特徴とする。
ガラス製フェースパネル表面に反射防止膜を備えた画像
表示装置の製造方法において、ガラス製フェースパネル
上に導電性の高屈折率薄膜を形成し、次にアルキルシリ
ケート重合体をアルコール系溶液に溶解した溶液にメチ
ルトリメトキシシランを添加した混合溶液を塗布したの
ち加熱することにより、撥水性低屈折率薄膜を形成する
に際し、前記アルキルシリケート重合体がテトラエチル
シリケートを含み、かつメチルトリメトキシシランとテ
トラエチルシリケートとの重量比を２：５から２：１の
範囲内とすることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】前記した本発明の構成によれば、
ガラス製フェースパネル表面に反射防止膜を備えた画像
表示装置において、ガラス側に導電性の高屈折率薄膜が
形成され、その外層に撥水性低屈折率薄膜が積層された
反射防止膜が形成されていることにより、高解像度、高
コントラストの画像の特性を損なうことなく、反射低減
機能と帯電防止機能を備え、かつフィンガープリント及
びシミ跡の付着を防止する受像管などに優れた画像表示
装置を提供できる。すなわち、表面が撥水性になってい
るのでフィンガープリントの拭き取り性が良くなり、ま
た水拭きなどを行っても水滴が残りにくくなるととも
に、カルシウム等不純物と反応しやすいシラノール基
（−ＳｉＯＨ）に代わり、反応の起こりにくいメチルシ
リル基（−ＳｉＣＨ3）となっているため、たとえ水滴
が残ってもカルシウム等の不純物の付着によるシミ跡が
残りにくい。
ガラス製フェースパネル表面に反射防止膜を備えた画像
表示装置において、ガラス側に導電性の高屈折率薄膜が
形成され、その外層に撥水性低屈折率薄膜が積層された
反射防止膜が形成されていることにより、高解像度、高
コントラストの画像の特性を損なうことなく、反射低減
機能と帯電防止機能を備え、かつフィンガープリント及
びシミ跡の付着を防止する受像管などに優れた画像表示
装置を提供できる。すなわち、表面が撥水性になってい
るのでフィンガープリントの拭き取り性が良くなり、ま
た水拭きなどを行っても水滴が残りにくくなるととも
に、カルシウム等不純物と反応しやすいシラノール基
（−ＳｉＯＨ）に代わり、反応の起こりにくいメチルシ
リル基（−ＳｉＣＨ3）となっているため、たとえ水滴
が残ってもカルシウム等の不純物の付着によるシミ跡が
残りにくい。
【００１１】また、酸化ケイ素にメチル基を修飾させる
ことで低屈折率層の屈折率を酸化ケイ素のみの場合に比
べて低くすることができる。ところで、表面に入射する
外光に対する反射率の最低値Ｒは、高屈折率薄膜および
低屈折率薄膜それぞれの光学膜厚（実際の膜厚に屈折率
を乗じた値）が外光の所定の波長λの１／４の場合、下
記式（数１）で表されるが、この式（数１）から明らか
なように低屈折率層の屈折率を低くすることにより反射
低減効果が改善できる。
ことで低屈折率層の屈折率を酸化ケイ素のみの場合に比
べて低くすることができる。ところで、表面に入射する
外光に対する反射率の最低値Ｒは、高屈折率薄膜および
低屈折率薄膜それぞれの光学膜厚（実際の膜厚に屈折率
を乗じた値）が外光の所定の波長λの１／４の場合、下
記式（数１）で表されるが、この式（数１）から明らか
なように低屈折率層の屈折率を低くすることにより反射
低減効果が改善できる。
【００１２】
【数１】
【００１３】なお、ここで、ｎs はフェースパネルの屈
折率、ｎl は低屈折率層の屈折率、ｎh は高屈折率層の
屈折率、ｎ0 は空気の屈折率である。次に本発明方法に
よれば、効率良く合理的に画像表示装置を提供できる。
折率、ｎl は低屈折率層の屈折率、ｎh は高屈折率層の
屈折率、ｎ0 は空気の屈折率である。次に本発明方法に
よれば、効率良く合理的に画像表示装置を提供できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。図２は本発明の一実施例として、本発明を用
いた受像管の全体図を示している。受像管２１は、その
内部に図示しない蛍光面を有するフェースパネル１とフ
ァンネル２２より構成されている。ファンネル２２に
は、高圧電源からアノード電圧を供給するためのアノー
ドボタン２３が埋設されている。ファンネル２２の後端
部には、内部に図示しない電子銃を有するネック部２４
が設けられている。このネック部の最後端部より、図示
しないステムピンを介して電子銃の各電極に所定の駆動
電圧が印加される。ファンネル部２２とネック部２４と
の境界部の外側には、電子銃から発射された電子ビーム
を蛍光面上で走査するための偏向ヨーク２６が設けられ
ている。また２５はソケット、２７は補強バンドであ
る。
説明する。図２は本発明の一実施例として、本発明を用
いた受像管の全体図を示している。受像管２１は、その
内部に図示しない蛍光面を有するフェースパネル１とフ
ァンネル２２より構成されている。ファンネル２２に
は、高圧電源からアノード電圧を供給するためのアノー
ドボタン２３が埋設されている。ファンネル２２の後端
部には、内部に図示しない電子銃を有するネック部２４
が設けられている。このネック部の最後端部より、図示
しないステムピンを介して電子銃の各電極に所定の駆動
電圧が印加される。ファンネル部２２とネック部２４と
の境界部の外側には、電子銃から発射された電子ビーム
を蛍光面上で走査するための偏向ヨーク２６が設けられ
ている。また２５はソケット、２７は補強バンドであ
る。
【００１５】次に、図１は本発明の一実施例である受像
管の要部拡大断面図である。ガラス基板１の表面に導電
性の高屈折率薄膜２と、その表面に撥水性低屈折率薄膜
３が積層され、撥水性低屈折率薄膜３にはメチル基４が
存在している。以下製造工程を説明する。 （１）高屈折率薄膜形成工程 屈折率１．５４のフェースパネルガラス１の外表面上
に、内層２として酸化ケイ素、酸化チタンおよびアンチ
モンをドープした酸化スズからなる透明な導電性の屈折
率が１．６５の高屈折率薄膜（膜厚ｔ2 が８５ｎｍ）を
形成する。この高屈折率薄膜の均一薄膜を得るために、
テトラエチルシリケートとテトラブチルチタネートをエ
タノール溶媒中、塩酸存在下で加水分解、および共重合
させた溶液に平均直径約１０ｎｍのアンチモンをドープ
した酸化スズ微粒子を均一に分散させた溶液をスピンコ
ート法で塗布し、約６０℃に加熱して内層２とする。 （２）低屈折率薄膜形成工程 次に前記高屈折率薄膜の表面上に外層３としてメチル基
を含む酸化ケイ素からなる透明な屈折率が１．４２の低
屈折率薄膜が膜厚ｔ1 が９９ｎｍの均一薄膜が形成され
ている。この膜を得るために、テトラエチルシリケート
をエタノール溶媒中、塩酸存在下で加水分解、および重
合させた溶液にメチルトリメトキシシランとして、たと
えば東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳ
Ｚ６０７０（製品名）を、テトラエチルシリケートとの
重量比がメチルトリメトキシシラン：テトラエチルシリ
ケート＝１：１の割合で添加した溶液をスピンコート法
で塗布し、６０℃に加熱乾燥した後、４００℃にて焼成
する。
管の要部拡大断面図である。ガラス基板１の表面に導電
性の高屈折率薄膜２と、その表面に撥水性低屈折率薄膜
３が積層され、撥水性低屈折率薄膜３にはメチル基４が
存在している。以下製造工程を説明する。 （１）高屈折率薄膜形成工程 屈折率１．５４のフェースパネルガラス１の外表面上
に、内層２として酸化ケイ素、酸化チタンおよびアンチ
モンをドープした酸化スズからなる透明な導電性の屈折
率が１．６５の高屈折率薄膜（膜厚ｔ2 が８５ｎｍ）を
形成する。この高屈折率薄膜の均一薄膜を得るために、
テトラエチルシリケートとテトラブチルチタネートをエ
タノール溶媒中、塩酸存在下で加水分解、および共重合
させた溶液に平均直径約１０ｎｍのアンチモンをドープ
した酸化スズ微粒子を均一に分散させた溶液をスピンコ
ート法で塗布し、約６０℃に加熱して内層２とする。 （２）低屈折率薄膜形成工程 次に前記高屈折率薄膜の表面上に外層３としてメチル基
を含む酸化ケイ素からなる透明な屈折率が１．４２の低
屈折率薄膜が膜厚ｔ1 が９９ｎｍの均一薄膜が形成され
ている。この膜を得るために、テトラエチルシリケート
をエタノール溶媒中、塩酸存在下で加水分解、および重
合させた溶液にメチルトリメトキシシランとして、たと
えば東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社製のＳ
Ｚ６０７０（製品名）を、テトラエチルシリケートとの
重量比がメチルトリメトキシシラン：テトラエチルシリ
ケート＝１：１の割合で添加した溶液をスピンコート法
で塗布し、６０℃に加熱乾燥した後、４００℃にて焼成
する。
【００１６】以上のようにして内層２と外層３から成る
２層の反射防止膜を形成する。内層２の高屈折率薄膜お
よび外層３の低屈折率薄膜は、それぞれの光学膜厚が外
光のうち視感度の高い波長であるλ＝５６０ｎｍに対し
てその波長の（１／４）λである１４０ｎｍとなってい
る。
２層の反射防止膜を形成する。内層２の高屈折率薄膜お
よび外層３の低屈折率薄膜は、それぞれの光学膜厚が外
光のうち視感度の高い波長であるλ＝５６０ｎｍに対し
てその波長の（１／４）λである１４０ｎｍとなってい
る。
【００１７】この反射防止膜の外層３は図３に示すよう
な化学構造となっており、表面に現れるメチル基４によ
り水の接触角が８０゜の撥水性となり、汚れの付着を防
止することができる。
な化学構造となっており、表面に現れるメチル基４によ
り水の接触角が８０゜の撥水性となり、汚れの付着を防
止することができる。
【００１８】水道水を滴下して２４時間放置した水シミ
付着テストの結果比較としての従来の外層が酸化ケイ素
のみで形成されている場合は、強固に付着した水シミが
発生し、晒し布（木綿布）で空拭きや水拭きを行っても
水シミを除去することはできなかったが、本発明実施例
の受像管では水滴が表面の撥水性により水滴が残らず水
シミは発生しなかった。また、強制的に水滴を残存させ
た場合も水シミが付着するが、軽く晒し布で水拭きをす
ることで除去することができた。
付着テストの結果比較としての従来の外層が酸化ケイ素
のみで形成されている場合は、強固に付着した水シミが
発生し、晒し布（木綿布）で空拭きや水拭きを行っても
水シミを除去することはできなかったが、本発明実施例
の受像管では水滴が表面の撥水性により水滴が残らず水
シミは発生しなかった。また、強制的に水滴を残存させ
た場合も水シミが付着するが、軽く晒し布で水拭きをす
ることで除去することができた。
【００１９】また、従来の反射防止膜では、水拭きを行
った場合に青く光るシミ跡が残っていたが、本発明の実
施例では、このようなシミ跡は生じなかった。これは、
従来の反射防止膜では、水の中のカルシュウム等の不純
物が反射防止膜の低屈折率薄膜である酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）の膜中に残存している水酸基（−ＳｉＯＨ）と化
学的に結合して表面に強く付着し、干渉作用による反射
低減の膜厚の関係が崩れ、青く光るシミ跡となっていた
と考えられるのに対し、本発明では、膜厚のバランスが
崩れないためと考えられる。
った場合に青く光るシミ跡が残っていたが、本発明の実
施例では、このようなシミ跡は生じなかった。これは、
従来の反射防止膜では、水の中のカルシュウム等の不純
物が反射防止膜の低屈折率薄膜である酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）の膜中に残存している水酸基（−ＳｉＯＨ）と化
学的に結合して表面に強く付着し、干渉作用による反射
低減の膜厚の関係が崩れ、青く光るシミ跡となっていた
と考えられるのに対し、本発明では、膜厚のバランスが
崩れないためと考えられる。
【００２０】参考として図４に外層３が酸化ケイ素のみ
で形成されている場合の化学構造を示すが、表面に水酸
基５が現れており、このために表面は水の接触角が５゜
の親水性となり、また、水に含まれているカルシュウム
等の不純物がこの水酸基と結合して強固に付着する。本
来は内層２の高屈折薄膜、外層３の低屈折率薄膜のそれ
ぞれの光学膜厚が、外光の所定の波長λの１／４であ
り、図５に示す反射低減の模式図に表すように所定の波
長の外光６に対してフェースパネルと内層２の界面での
反射光７、内層２と外層３の界面での反射光８および外
層３の表面での反射光９の位相がちょうど打ち消し合う
ように重なることによる干渉作用による各反射光の合成
光１０の反射低減がなされているのに対して、外層３の
表面にカルシウムなどの不純物による薄膜が形成された
形となり膜厚の関係が崩れ、図６の水シミ部の反射光の
模式図に示すように不純物による薄膜１１の膜厚によっ
ては、所定の波長の外光６に対してフェースパネルと内
層２の界面での反射光７´、内層２と外層３の界面での
反射光８´および不純物表面での反射光９´のそれぞれ
の反射光の位相が強め合うように重なって、合成光１０
´が強まり光る水シミが生じる。
で形成されている場合の化学構造を示すが、表面に水酸
基５が現れており、このために表面は水の接触角が５゜
の親水性となり、また、水に含まれているカルシュウム
等の不純物がこの水酸基と結合して強固に付着する。本
来は内層２の高屈折薄膜、外層３の低屈折率薄膜のそれ
ぞれの光学膜厚が、外光の所定の波長λの１／４であ
り、図５に示す反射低減の模式図に表すように所定の波
長の外光６に対してフェースパネルと内層２の界面での
反射光７、内層２と外層３の界面での反射光８および外
層３の表面での反射光９の位相がちょうど打ち消し合う
ように重なることによる干渉作用による各反射光の合成
光１０の反射低減がなされているのに対して、外層３の
表面にカルシウムなどの不純物による薄膜が形成された
形となり膜厚の関係が崩れ、図６の水シミ部の反射光の
模式図に示すように不純物による薄膜１１の膜厚によっ
ては、所定の波長の外光６に対してフェースパネルと内
層２の界面での反射光７´、内層２と外層３の界面での
反射光８´および不純物表面での反射光９´のそれぞれ
の反射光の位相が強め合うように重なって、合成光１０
´が強まり光る水シミが生じる。
【００２１】また、再外層表面をメチル基によって修飾
することで低屈折率層である外層３の屈折率を従来の
１．４７から１．４２に低くすることでき、前述の反射
率の最低値を表す式（１）からわかるように、反射防止
効果として反射率の最低値を従来の１．００％から０．
４３％に改善することができる。このような低屈折率の
薄膜を得ることのできる材料としては、フッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ2）が知られているが、フッ化マグネシウ
ムを含む酸化ケイ素で薄膜を形成した場合は、薄膜の強
度が弱いことやフッ化マグネシウムの微粒子の乱反射に
より白っぽくなり、透明性が低下するという問題点があ
る。一方、本発明のメチル基を含む酸化ケイ素の薄膜
は、むしろ酸化ケイ素のみの薄膜よりも膜強度は増加
し、しかも非常に透明な薄膜を得ることができる。
することで低屈折率層である外層３の屈折率を従来の
１．４７から１．４２に低くすることでき、前述の反射
率の最低値を表す式（１）からわかるように、反射防止
効果として反射率の最低値を従来の１．００％から０．
４３％に改善することができる。このような低屈折率の
薄膜を得ることのできる材料としては、フッ化マグネシ
ウム（ＭｇＦ2）が知られているが、フッ化マグネシウ
ムを含む酸化ケイ素で薄膜を形成した場合は、薄膜の強
度が弱いことやフッ化マグネシウムの微粒子の乱反射に
より白っぽくなり、透明性が低下するという問題点があ
る。一方、本発明のメチル基を含む酸化ケイ素の薄膜
は、むしろ酸化ケイ素のみの薄膜よりも膜強度は増加
し、しかも非常に透明な薄膜を得ることができる。
【００２２】尚、メチル基を修飾した酸化ケイ素薄膜を
得るために、上記実施例のメチルトリメトキシシランの
投入の代わりにトリメチルメトキシシランやジメチルジ
メトキシシランを投入することも考えられるが、トリメ
チルメトキシシランはテトラエチルシリケートとの反応
が不充分な場合は、薄膜の形成過程でトリメチルメトキ
シシランが揮発して膜厚にバラツキが生じやすく、ジメ
チルジメトキシシランはそれ自体が自己重縮合をおこし
てシリコンオイル化し、塗液がはじいて薄膜形成ができ
ないという問題がある。
得るために、上記実施例のメチルトリメトキシシランの
投入の代わりにトリメチルメトキシシランやジメチルジ
メトキシシランを投入することも考えられるが、トリメ
チルメトキシシランはテトラエチルシリケートとの反応
が不充分な場合は、薄膜の形成過程でトリメチルメトキ
シシランが揮発して膜厚にバラツキが生じやすく、ジメ
チルジメトキシシランはそれ自体が自己重縮合をおこし
てシリコンオイル化し、塗液がはじいて薄膜形成ができ
ないという問題がある。
【００２３】上記実施例ではメチルトリメトキシシラン
をテトラエチルシリケートとの重量比がメチルトリメト
キシシラン：テトラエチルシリケート＝１：１の割合で
添加したが、表１のメチルトリメトキシシランとテトラ
エチルシリケートの重量比と水の接触角、上層の屈折
率、水シミの度合および反射低減効果の関係に示すよう
にメチルトリメトキシシランの投入量がメチルトリメト
キシシラン：テトラエチルシリケートの重量比で２：５
よりも多い場合に撥水性および屈折率の改善が認められ
る。ただし、メチルトリメトキシシランの投入量がメチ
ルトリメトキシシラン：テトラエチルシリケートの重量
比で２：１よりも多くなるとメチルトリメトキシシラン
が充分にテトラエチルシリケートと反応せず、加熱や焼
成時にメチルトリメトキシシランが揮発して膜厚が一定
せず膜厚制御が困難になる。このためメチルトリメトキ
シシランの投入量はメチルトリメトキシシラン：テトラ
エチルシリケートの重量比で２：５から２：１が適切で
ある。
をテトラエチルシリケートとの重量比がメチルトリメト
キシシラン：テトラエチルシリケート＝１：１の割合で
添加したが、表１のメチルトリメトキシシランとテトラ
エチルシリケートの重量比と水の接触角、上層の屈折
率、水シミの度合および反射低減効果の関係に示すよう
にメチルトリメトキシシランの投入量がメチルトリメト
キシシラン：テトラエチルシリケートの重量比で２：５
よりも多い場合に撥水性および屈折率の改善が認められ
る。ただし、メチルトリメトキシシランの投入量がメチ
ルトリメトキシシラン：テトラエチルシリケートの重量
比で２：１よりも多くなるとメチルトリメトキシシラン
が充分にテトラエチルシリケートと反応せず、加熱や焼
成時にメチルトリメトキシシランが揮発して膜厚が一定
せず膜厚制御が困難になる。このためメチルトリメトキ
シシランの投入量はメチルトリメトキシシラン：テトラ
エチルシリケートの重量比で２：５から２：１が適切で
ある。
【００２４】
【表１】
【００２５】上記実施例では、塗布法としてスピンコー
トを用いたがディップコートやスプレーコートなどの一
般的な均一膜の形成方法を用いても良い。焼成温度につ
いては実用的な膜強度が得られる１５０℃からメチル基
が分解しない５００℃までの範囲で焼成を行うこともで
きる。
トを用いたがディップコートやスプレーコートなどの一
般的な均一膜の形成方法を用いても良い。焼成温度につ
いては実用的な膜強度が得られる１５０℃からメチル基
が分解しない５００℃までの範囲で焼成を行うこともで
きる。
【００２６】また、内層２として酸化ケイ素、酸化チタ
ンおよびアンチモンをドープした酸化スズからなる透明
導電膜を用いたが、アンチモンをドープした酸化スズの
代わりにインジュウムティンオキサイドを用いても良
く、ＣＶＤ法により形成される酸化スズ膜を用いること
もできる。
ンおよびアンチモンをドープした酸化スズからなる透明
導電膜を用いたが、アンチモンをドープした酸化スズの
代わりにインジュウムティンオキサイドを用いても良
く、ＣＶＤ法により形成される酸化スズ膜を用いること
もできる。
【００２７】また、外光の所定の波長として視感度の高
い５６０ｎｍの場合を説明したが、これに限るものでは
ない。尚上記実施例は受像管について説明したが、ＰＤ
Ｐ、ＬＣＤ等他の画像表示装置に用いても同様の効果を
有する。この場合、フェースガラスパネルの材質の違い
により、屈折率が上記実施例と異なる時は、反射防止膜
を構成する各層の膜厚を適宜調整することにより同様の
効果を得ることができる。
い５６０ｎｍの場合を説明したが、これに限るものでは
ない。尚上記実施例は受像管について説明したが、ＰＤ
Ｐ、ＬＣＤ等他の画像表示装置に用いても同様の効果を
有する。この場合、フェースガラスパネルの材質の違い
により、屈折率が上記実施例と異なる時は、反射防止膜
を構成する各層の膜厚を適宜調整することにより同様の
効果を得ることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の画像表示装置は、フィンガープ
リントが付着しても軽く水拭きすることによりフィンガ
ープリントを除去することができる。また、水シミに対
しても水シミが付着しにくく、また仮に付着しても軽く
水拭きすることで除去でき、強固に付着することはな
く、安定した反射防止効果が実現できる。
リントが付着しても軽く水拭きすることによりフィンガ
ープリントを除去することができる。また、水シミに対
しても水シミが付着しにくく、また仮に付着しても軽く
水拭きすることで除去でき、強固に付着することはな
く、安定した反射防止効果が実現できる。
【００２９】さらに、本発明の画像表示装置は外光によ
る表面反射率はその最低値が０．６５〜０．４３％であ
り、優れた反射防止効果が得られ、室内照明などの外光
により、再生画像が見づらくなることを防ぐとともに画
像のコントラストを向上させることができる。
る表面反射率はその最低値が０．６５〜０．４３％であ
り、優れた反射防止効果が得られ、室内照明などの外光
により、再生画像が見づらくなることを防ぐとともに画
像のコントラストを向上させることができる。
【図１】 本発明の一実施例である画像表示装置の要部
拡大断面図
拡大断面図
【図２】 本発明の一実施例である受像管の全体構成を
示すの模式的側面図
示すの模式的側面図
【図３】 本発明の一実施例の画像表示装置の反射防止
膜における外層の化学構造図
膜における外層の化学構造図
【図４】 従来の画像表示装置の反射防止膜における外
層の化学構造図
層の化学構造図
【図５】 反射低減の模式図
【図６】 水シミ部の反射光の模式図
１ フェースパネルガラス
２ 内層
３ 外層
４ メチル基
５ 水酸基
６ 入射光
７，７´，８，８´，９，９´ 反射光
１０ 合成光
１１ 不純物による薄膜
２１ 受像管
２２ ファンネル
２３ アノードボタン
２４ ネック部
２５ ソケット
２６ 偏向ヨーク
２７ 補強バンド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−20451（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−238279（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−65751（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−279061（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−267462（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−343007（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−112436（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−200535（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−154445（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 29/88
H01J 9/20
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス製フェースパネル表面に反射防止
膜を備えた画像表示装置において、ガラス側に導電性の
高屈折率薄膜が形成され、その外層にアルキルシリケー
ト重合体とメチルトリメトキシシランの混合物からなる
撥水性低屈折率薄膜が積層された反射防止膜が形成され
ており、 前記アルキルシリケート重合体がテトラエチルシリケー
トを含み、かつメチルトリメトキシシランとテトラエチ
ルシリケートとの重量比が２：５から２：１の範囲内で
ある ことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 撥水性低屈折率薄膜が、屈折率１．４〜
１．５の範囲、かつ膜厚７０〜１５０ｎｍの範囲である
請求項１に記載の画像表示装置。 - 【請求項３】 導電性の高屈折率薄膜が、酸化ケイ素、
酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモンから選ばれる少
なくとも一つの酸化物を含み、かつ屈折率が１．６〜
２．０の範囲、かつ膜厚が７〜１３０ｎｍの範囲である
請求項１に記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 ガラス製フェースパネル表面に反射防止
膜を備えた画像表示装置の製造方法において、ガラス製
フェースパネル上に導電性の高屈折率薄膜を形成し、次
にアルキルシリケート重合体をアルコール系溶液に溶解
した溶液にメチルトリメトキシシランを添加した混合溶
液を塗布したのち加熱することにより、撥水性低屈折率
薄膜を形成するに際し、 前記アルキルシリケート重合体がテトラエチルシリケー
トを含み、かつメチルトリメトキシシランとテトラエチ
ルシリケートとの重量比を２：５から２：１の範囲内と
する ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16875395A JP3424876B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16875395A JP3424876B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922669A JPH0922669A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3424876B2 true JP3424876B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=15873800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16875395A Expired - Fee Related JP3424876B2 (ja) | 1995-07-04 | 1995-07-04 | 画像表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3424876B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4889135B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2012-03-07 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止膜フィルム |
| TW468053B (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-11 | Nissan Chemical Ind Ltd | Antireflection film, process for forming the antireflection film, and antireflection glass |
| JP3665578B2 (ja) | 2001-02-20 | 2005-06-29 | 株式会社東芝 | 表示装置の製造方法 |
| JP6317874B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2018-04-25 | 日揮触媒化成株式会社 | 反射防止膜付基材の製造方法および光電気セル |
-
1995
- 1995-07-04 JP JP16875395A patent/JP3424876B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0922669A (ja) | 1997-01-21 |
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