JP3407461B2 - 弾性表面波装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ケース内に弾性表面波
（以下、ＳＡＷ）素子を収納してなるＳＡＷ装置及びそ
の製造方法に関し、特に、ＳＡＷ素子とケース側の電極
パッドとのボンディングワイヤーによる接合構造が改良
されたＳＡＷ装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィルタなどのＳ
ＡＷ装置は、ＳＡＷ素子にリード端子を接合し、樹脂外
装を施すことによりリード付きの電子部品として構成さ
れたり、あるいはケースにＳＡＷ素子を封入することに
よりリードレスチップ部品として構成されたりしてい
る。もっとも、近年、他の電子部品と同様に、基板上に
表面実装可能なリードレスチップ部品の形態のＳＡＷ装
置が求められている。

【０００３】図１及び図２は、チップ部品として構成さ
れた従来のＳＡＷ装置の蓋材を取り除いた状態の平面図
及び縦断面図である。ＳＡＷ装置１は、ケース材２と、
金属よりなる蓋材３とを接合することにより構成されて
いる。ケース材２は、複数のセラミック層４，５，６を
積層してなる構造を有する。セラミック層６の上面には
シールリング１４が固定されている。また、このうち、
セラミック層５，６は、中央に開口を有する。従って、
ケース材２は、中央に凹部７を有する。この凹部７に、
ＳＡＷ素子８が収納される。

【０００４】他方、凹部７の内側壁においては、上記セ
ラミック層５の上面が中間段差部５ａを構成している。
この中間段差部５ａ上には、金属パッド９ａ〜９ｆが形
成されている。

【０００５】ＳＡＷ素子８は、表面波基板１１の上面の
実線Ａで囲まれた領域に少なくとも１つのインターデジ
タルトランスデューサ（以下、ＩＤＴ）を形成し、さら
に必要に応じてリフレクターなどを形成した構造を有す
る。

【０００６】上記ＩＤＴやリフレクターを外部と電気的
に接続するために、表面波基板１１上には、接続パッド
１０ａ〜１０ｆが形成されている。ＳＡＷ素子８は、ケ
ース材２の凹部底面に絶縁性接着剤（図示されず）を用
いて固着されている。また、上記接続パッド１０ａ〜１
０ｆと、ケース材２側の金属パッド９ａ〜９ｆは、ボン
ディングワイヤー１２ａ〜１２ｆにより接合されてい
る。

【０００７】さらに、上記金属パッド９ａ〜９ｆは、図
２から明らかなように、セラミック層５の上面に形成さ
れており、ケース材２の外表面に引き出されている。ケ
ース材２の外表面には、金属パッド９ｂ，９ｅに電気的
に接続されるように、上下方向に延びる外部電極１３
ｂ，１３ｅが形成されている。同様に、残りの金属パッ
ド９ａ，９ｃ，９ｄ，９ｆについても、図１に示す外部
電極１３ａ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｆに電気的に接続さ
れている。

【０００８】ＳＡＷ装置１は、外部電極１３ａ〜１３ｆ
を用いてプリント回路基板上の電極ランドと接続するこ
とができる。従って、プリント回路基板上に他のチップ
型電子部品と同様に表面実装することができる。

【０００９】ところで、ＳＡＷ素子８の接続パッド１０
ａ〜１０ｆと、金属パッド９ａ〜９ｆとを、ボンディン
グワイヤー１２ａ〜１２ｆで接合するにあたっては、従
来、超音波ボンディング法が用いられていた。

【００１０】上記超音波ボンディング法を、図３及び図
４を参照して説明する。図３及び図４を参照して行う説
明では、ボンディングワイヤー１２を一対の電極パッド
２２，２３に接合する方法を説明する。

【００１１】まず、図３（ａ）に示すように、超音波ボ
ンディング装置の音響端子２１の先端の貫通孔２１ａに
ボンディングワイヤー１２を通す。しかる後、一方の電
極２２に、ボンディングワイヤー１２の先端を当接さ
せ、音響端子２１より超音波を与え、ボンディングワイ
ヤー１２の先端を電極パッド２２に接合する。しかる
後、音響端子２１を他方の電極パッド２３側に移動させ
る（図３（ｂ））。

【００１２】次に、電極パッド２３の上方から電極パッ
ド２３側に音響端子２１を下降し、ボンディングワイヤ
ー１２を電極パッド２３に当接させ、その状態で再度超
音波を与え、ボンディングワイヤー１２を電極パッド２
３に接合する。

【００１３】次に、ボンディングワイヤー１２を電極パ
ッド２３に接合した後、ボンディングワイヤー１２を切
断し、音響端子２１を電極パッド２３上から引き上げ
る。この場合、図４の矢印Ａで示すように、音響端子２
１は、貫通孔２１ａの延びる方向に引き上げる必要があ
る。

【００１４】上記のようにして、ボンディングワイヤー
１２が電極パッド２２，２３に接合される。図１及び図
２に示したＳＡＷ装置１では、ボンディングワイヤー１
２ａ〜１２ｅが、上記と同一の方法で接合されている。
すなわち、ボンディングワイヤー１２ａ〜１２ｅの一端
がまずＳＡＷ素子８の接続パッド１０ａ〜１０ｆに接合
され、しかる後、他端が金属パッド９ａ〜９ｆに接合さ
れている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】従来のＳＡＷ装置１の
製造方法では、上記のようにボンディングワイヤー１２
ａ〜１２ｅによる接合に際し、最初に接合される側（以
下、一次接合側と略す）がＳＡＷ素子８の接続パッド１
０ａ〜１０ｆであり、第２に接合される側（以下、二次
接合側と略す）が、金属パッド９ａ〜９ｆとされてい
る。ところが、金属パッド９ａ〜９ｆの露出している部
分では、周囲にケース材２の側壁２ｂ（図２）が存在す
る。これに対して、超音波ボンディングでは、図４に示
したように、二次接合側における接合を行った後に、音
響端子２１を矢印Ａ方向、すなわち、二次接合側の金属
パッドから一次接合側とは反対側上方に移動させねばな
らない。

【００１６】よって、図５に金属パット９ｅの部分を拡
大して示すように、金属パッド９ｅにボンディングワイ
ヤー１２ｅを接合する場合、接合後に、音響端子を側壁
２ｂ側に向かって移動させねばならない。この場合、側
壁２ｂに音響端子２１が衝突すると、二次接合側におけ
るボンディングワイヤーの切断や音響端子２１の取り出
しが円滑に行われない。

【００１７】よって、従来のＳＡＷ装置の製造方法で
は、二次接合側となるケース材２側の金属パッド９ａ〜
９ｆにおける奥行き寸法Ｄ（図５参照）をある程度大き
くしなければならず、その分だけＳＡＷ装置１の小型化
が妨げられていた。

【００１８】そこで、ＳＡＷ装置の小型化を進めるため
に、未だ公知ではないが、最初に金属パッド９ａ〜９ｆ
にボンディングワイヤーの一端側を接合し、しかる後ボ
ンディングワイヤーの他端側を接続パッド１０ａ〜１０
ｆに接合する方法が提案されている。

【００１９】すなわち、ボンディングワイヤー１２ｂ，
１２ｅが図示されている図６を参照して説明すると、ボ
ンディングワイヤー１２ｂ，１２ｅの一端側が金属パッ
ド９ｂ，９ｅに一次接合側として接合されており、他端
側が二次接合側として接続パッド１０ｂ，１０ｅに接合
されている。

【００２０】このように、ボンディングワイヤーの一次
接合側をケース材２に設けられた金属パッド９ａ〜９ｆ
側とすることにより、金属パッド９ａ〜９ｆの中間段差
部上において露出している部分の奥行き寸法Ｄ（図５参
照）を小さくすることができる。すなわち、一次接合側
においては、上述した超音波ボンディングにあたり大き
なスペースを必要としないため、上記金属パッド９ａ〜
９ｆの奥行き寸法Ｄを小さくすることができ、それによ
ってＳＡＷ装置１の小型化を図り得る。

【００２１】なお、二次接合においては前述したように
超音波ボンディングに用いられる音響端子を斜め上方に
引き上げる必要があるが、ＳＡＷ素子８上においては、
接続パッド１０ａ〜１０ｆが形成されている部分の内側
の領域に立体的な障害物が存在しない。従って、二次接
合側における接合作業は無理なく行ない得る。

【００２２】しかしながら、超音波ボンディングの二次
接合側においては、音響端子を後退、すなわち斜め上方
に引き上げる際に、音響端子が残りのボンディングワイ
ヤー用金属線を引きずることがあった。その結果、例え
ば図１に示したボンディングワイヤー１２ｅの二次接合
側における接続を行った後に、音響端子を後退させた場
合、残りの金属線が接続パッド１０ｅの内側に存在する
ＩＤＴの電極を損傷し、ＩＤＴを構成している電極指間
が短絡するおそれのあることがわかった。

【００２３】従って、本発明の目的は、超音波ボンディ
ングによりＳＡＷ素子の接続パッドとケース材側の金属
パッドとを接合するにあたり、ＳＡＷ装置の小型化を図
り得るだけでなく、ＩＤＴの損傷等が生じ難い信頼性に
優れた構造を備えるＳＡＷ装置及びその製造方法を提供
することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明のＳＡＷ装置は、
ＳＡＷ素子を収納する凹部を有し、該凹部内側壁に中間
段差部を有し、かつ前記中間段差部上に形成されてお
り、さらに外部に引き出された金属パッドを有するケー
ス材と、前記ケース材に収納されており、かつ少なくと
も１つのＩＤＴと、外部と電気的に接続するための複数
の接続パッドとを有するＳＡＷ素子と、前記金属パッド
と接続パッドとの間に超音波ボンディングにより接続さ
れた複数のボンディングワイヤーとを備え、前記ボンデ
ィングワイヤーの金属パッドとの接合部分から接続パッ
ドとの接合部分に向かう方向の延長上に、ＩＤＴが位置
しないように、すべての前記ボンディングワイヤーが前
記接続パッドに接続されていることを特徴とする。

【００２５】また、好ましくは、上記中間段差部の中央
から前記凹部内側壁の上部を見た場合の仰角が６０°以
上とされ、それによって上記中間段差部の奥行き寸法が
より一層低減される。

【００２６】本発明の製造方法は、本発明のＳＡＷ装置
を製造する方法であり、上記ケース材を用意する工程
と、前記ケース材の凹部内に、少なくとも１つのＩＤＴ
と、外部と電気的に接続するための接続パッドとを有
し、前記ボンディングワイヤーの一次接合側から二次接
合側への方向の延長上に該接続パッドが接続されるＩＤ
Ｔが存在しないように接続パッド及びＩＤＴが配置され
たＳＡＷ素子をケース材の凹部内に収納する工程と、前
記金属パッドにボンディングワイヤーの一端側を超音波
ボンディングにより接合する第１のボンディング工程
と、前記第１のボンディング工程の後に、前記ボンディ
ングワイヤーの他端側を前記ＳＡＷ素子の接続パッドに
超音波ボンディングにより接合する第２の工程とを備
え、前記ボンディングワイヤーの金属パッドとの接合部
分から接続パッドとの接合部分に向かう方向の延長上
に、インターデジタルトランスデューサが位置しないよ
うに、すべての前記ボンディングワイヤーが接続されて
いることを特徴とする。

【００２７】

【発明の作用及び効果】ＳＡＷ装置の小型化を促進する
ために、上記のように超音波ボンディングにあたり、ケ
ース材側に設けられた金属パッドとの接合部分を一次接
合側とし、ＳＡＷ素子に設けられた接続パッド側を二次
接合側とすることにより、金属パッドの露出面積を小さ
くすることができる。この場合、二次接合が終了した後
に、音響端子に保持されている残りのボンディングワイ
ヤー用金属線が、金属パッドとの接合部分から接続パッ
ドとの接合部分に向かう方向の延長線上を移動すること
になる。しかしながら、本発明では、上記のように、該
延長線上に、ＩＤＴが位置しないように、ボンディング
ワイヤーにより金属パッドとの接続パッドとが接合され
ている。

【００２８】従って、金属パッドとの接合部分を一次接
合側としてＳＡＷ素子の小型化を図った場合であって
も、二次接合後にＩＤＴを損傷するおそれが少なく、Ｉ
ＤＴを構成している電極指間の短絡などの発生を効果的
に防止することができる。

【００２９】よって、本発明によれば、小型であり、か
つ信頼性に優れたＳＡＷ装置を安定に供給することが可
能となる。また、中間段差部の中央からケース材内側壁
の上端を見たときの仰角を６０°以上とした場合には、
後述の実施例から明らかなように、中間段差部の奥行き
寸法をより一層小さくすることができ、従って小型のＳ
ＡＷ装置を提供することが可能となる。

【００３０】本発明の製造方法ではボンディングワイヤ
ーによる金属パッドと接続パッドとの接合に当たり、ま
ず第１のボンディング工程が実施される。すなわち、ケ
ース材側の金属パッドに一次接合側としてボンディング
ワイヤーの一端が超音波ボンディングにより接合され
る。しかる後、第１のボンディング工程の後に、二次接
合側として、ボンディングワイヤーの他端側がＳＡＷ素
子の接続パッドに超音波ボンディングにより接合され
る。

【００３１】他方、ＳＡＷ素子の接続パッドが形成され
ている面上には、ケース材側とは異なり、立体的な障害
物が存在しない。従って、二次接合側における超音波ボ
ンディングを行った後に、音響端子を接続パッドから斜
め上方に引き上げるに際し、音響端子の移動を妨げる障
害物が存在しないため、接続パッドにボンディングワイ
ヤーを確実に接合することができる。

【００３２】また、ボンディングワイヤーと金属パッド
の接合部分が一次接合側となるため、金属パッドの露出
している部分の奥行き寸法すなわち、中間段差部の奥行
き寸法を大きくする必要がない。よって、ＳＡＷ装置の
ケース材の小型化、ひいてはＳＡＷ装置の小型化を促進
することが可能となる。

【００３３】しかも、上記のように一次接合側から二次
接合側に向かう方向の延長上には、ＩＤＴが位置しない
ように構成されているため、第２のボンディング工程を
実施した後に、音響端子に支持されている残りのボンデ
ィングワイヤー用金属線によりＩＤＴの電極指を損傷す
るおそれが少ない。従って、信頼性に優れたＳＡＷ装置
を提供することができる。

【００３４】

【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。

【００３５】図７は、本発明の一実施例のＳＡＷ装置３
１を説明するための略図的平面図である。なお、図７に
おいては、図１に示したＳＡＷ装置１のケース材２のシ
ールリング１４で囲まれた領域の内側に相当する部分が
蓋材を取り外した状態で示されている。また、図８は、
本実施例のＳＡＷ装置３１の断面図である。

【００３６】本実施例のＳＡＷ装置３１は、凹部３３を
有するケース材３２を備える。ケース材３２は、アルミ
ナ等の絶縁性セラミックスよりなるセラミック層３４，
３５，３６をセラミック積層一体焼成技術を用いること
により積層・一体化した構造を有する。もっとも、セラ
ミック層３４，３５，３６は、焼成済みの絶縁性セラミ
ック板を貼り合わすことにより一体化した構造であって
もよい。

【００３７】また、セラミック層３６の上面には、コバ
ールなどの金属材料よりなる角環状のシールリング３７
が固着されている。他方、セラミック層３５，３６は中
心に矩形の開口を有する。従って、上記凹部３３がケー
ス材３２内に形成されている。

【００３８】ケース材３２の凹部を閉成している蓋材３
８は、金属板あるいは絶縁性材料の表面を導電被覆した
材料で構成でき、ＳＡＷ装置３１内を電磁シールドし得
るように構成されている。

【００３９】他方、凹部３３内にはＳＡＷ素子３９が配
置されている。本実施例では、ＳＡＷ素子３９は、セラ
ミック層３４の上面に絶縁性接着剤（図示されず）を用
いて固定されている。

【００４０】図７では、ＳＡＷ素子３９の上面の電極構
造は、金属パッドを除いては略図的に位置のみを示して
ある。すなわち、一点鎖線Ｐ，Ｑ間の部分でＩＤＴが形
成されており、一点鎖線Ｐ，Ｑの外側の領域に反射器が
構成されている。また、図９に、ＳＡＷ素子３９の上面
の電極構造の詳細を略図的に示す。

【００４１】図９から明らかなように、ＳＡＷ素子３９
では、矩形の表面波基板４０の上面中央において長手方
向に沿うようにバスバー４１が形成されている。表面波
基板４０の上面中央では、バスバー４１の一方側にＩＤ
Ｔ４２が、他方側にＩＤＴ４３が形成されている。各Ｉ
ＤＴ４２，４３の表面波伝搬方向両側には、それぞれ、
グレーティング反射器４５，４６，４７，４８が形成さ
れている。ＩＤＴ４２，４３及び反射器４５〜４８を外
部と電気的に接続するための接続パッド４９ａ〜４９ｆ
が表面波基板４０の縦方向に沿う両端縁に沿って形成さ
れている。

【００４２】なお、本実施例では、図９に示した電極構
造を有するＳＡＷ素子３９が用いられているが、本発明
では、１以上のＩＤＴが形成された任意のＳＡＷ素子を
用いることができる。

【００４３】図７及び図８に戻り、上述した凹部３３の
内側壁には、中間段差部５０ａ，５０ｂがＳＡＷ素子３
９の長手方向に沿って形成されている。すなわち、中間
段差部５０ａ，５０ｂは、それぞれ、セラミック層３５
の中央の開口よりも、セラミック層３６の中央の開口を
大きくすることにより構成されている。また、中間段差
部５０ａ，５０ｂに上において、金属パッド５１ａ〜５
１ｆが形成されている。金属パッド５１ａ〜５１ｆは、
中間段差部５０ａ，５０ｂ上から、ケース材３２の外表
面に至るように延ばされている。

【００４４】さらに、ケース材３２の外表面には、上記
金属パッド５１ｂ，５１ｅにそれぞれ電気的に接続され
た外部電極５２ｂ，５２ｅがケース材３２の外表面の厚
み方向に延びるように形成されている。他の金属パッド
５１ａ，５１ｃ，５１ｄ，５１ｆも同様に外部電極に接
続されている。

【００４５】また、上記金属パッド５１ａ〜５１ｆは、
ボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆにより、前述した
ＳＡＷ素子３９の接続パッド４９ａ〜４９ｆに電気的に
接続されている。

【００４６】本実施例の特徴は、このボンディングワイ
ヤー５３ａ〜５３ｆによる金属パッド５１ａ〜５１ｆと
接続パッド４９ａ〜４９ｆとの接続方法及び構造にあ
る。すなわち、本実施例のＳＡＷ装置３１を製造するに
あたっては、まず、上記凹部３３及び金属パッド５１ａ
〜５１ｆが形成されたケース材３２を用意する。

【００４７】次に、凹部３３内にＳＡＷ素子３９を挿入
し、凹部３３の底面に絶縁性接着剤を用いて固着する。
しかる後、ボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆの一端
を、超音波ボンディングにより金属パッド５１ａ〜５１
ｆに接合する。すなわち、一次接合側を金属パッド５１
ａ〜５１ｆの接合部分として第１のボンディング工程を
実施する。

【００４８】次に、上記第１のボンディング工程後に、
ボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆの他端を、ＳＡＷ
素子３９の接続パッド４９ａ〜４９ｆに超音波ボンディ
ングする。すなわち、二次接合側を接続パッド４９ａ〜
４９ｆ側として第２のボンディング工程を実施する。

【００４９】本実施例では、金属パッド５１ａ〜５１ｆ
にボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆを接合する工程
を第１のボンディング工程で実施するため、金属パッド
５１ａ〜５１ｆの中間段差部５０ａ，５０ｂに露出して
いる部分の奥行き寸法Ｄ（図９参照）を、図１及び図２
に示した従来例に比べて短くすることができる。従っ
て、ケース材３２の寸法を小さくし得るため、結果とし
て、より小型のＳＡＷ装置３１を構成することができ
る。

【００５０】なお、二次接合側においては、前述したよ
うに超音波ボンディングに用いられる音響端子を斜め上
方に引き上げる必要があるが、ＳＡＷ素子３９上におい
ては、接続パッド４９ａ〜４０ｆの内側領域には立体的
な障害物が存在しない。従って、二次接合側における接
合作業は無理なく行ない得る。

【００５１】また、好ましくは、図１０に示すように、
中間段差部５０ｂの中央から凹部３３の内側壁の上部Ｘ
（図１０参照）を見た場合の仰角θを６０°以上とする
ことにより、金属パッド５１ｅの露出している部分の奥
行き寸法Ｄをより一層小さくすることができる。なお、
現在実用化されている超音波ボンディング用音響端子で
は、上記のように仰角を６０°以上とした場合、二次接
合側を金属パッド５１ｅ側とすることはできない。これ
に対して、本実施例では、二次接合側が接続パッド４９
ａ〜４９ｆ側であるため、上記のように仰角θを６０°
以上とした場合であっても、金属パッド５１ａ〜５１ｆ
へのボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆの接合を問題
なく行ない得る。

【００５２】さらに、図７から明らかなように、ボンデ
ィングワイヤー５３ａ〜５３ｆによる接合は、ボンディ
ングワイヤー５３ａ〜５３ｆの一次接合側から二次接合
側に向かう方向の延長上に、ＩＤＴが存在しないよう
に、上記ボンディングワイヤー５３ａ〜５３ｆの接合が
行われている。例えば、ボンディングワイヤー５３ｂの
一次接合側から二次接合側へ向かう方向の延長線Ｂ上に
は、ＩＤＴ４２，４３が存在しない。同様に、ボンディ
ングワイヤー５３ｅの一次接合側から二次接合側に向か
う方向の延長線Ｃ上にも、ＩＤＴ４２，４３が存在しな
い。

【００５３】従って、ボンディングワイヤー５３ｂ，５
３ｅを金属パッド５１ｂ，５１ｅに接合した後に音響端
子を斜め上方に引き上げたとしても、該音響端子に保持
されている残りのボンディングワイヤー用金属線がＩＤ
Ｔ４２，４３上を通過することがない。よって、ＩＤＴ
４２，４３に残りのボンディングワイヤー用金属線が接
触することによるＩＤＴ４２，４３の損傷の発生を防止
することができる。

【００５４】この効果を、比較のために用意した図１１
に示すＳＡＷ装置８１と対比してより詳細に説明する。
ＳＡＷ装置８１は、上記実施例のＳＡＷ装置３１と、ボ
ンディングワイヤー８３ａ〜８３ｆの接合構造を除いて
は、同様に構成されている。従って、実施例のＳＡＷ装
置３１と同一部分については、同一の参照番号を付する
ことにより、その説明を省略する。

【００５５】比較例のＳＡＷ装置８１では、ボンディン
グワイヤー８３ｂ，８３ｅが接続される接続パッド４９
ｂ，４９ｅの位置が、ＩＤＴ４２，４３の表面波伝搬方
向において中央部分とされている。従って、ボンディン
グワイヤー８３ｂ，８３ｅの一次接合側から二次接合側
に向かう方向の延長線上にＩＤＴが存在することにな
る。同様に、接続パッド９９ｃ，９９ｄがＩＤＴの近傍
に配置されているので、ボンディングワイヤー８３ｃ，
８３ｄの一次接合側から二次接合側方向の延長線上にも
ＩＤＴが存在する。よって、前述したように、接続パッ
ド８９ｂ〜８９ｅにおける接合を行った後に、音響端子
に支持されていた残りのボンディングワイヤー用金属線
がＩＤＴに接触するおそれがあり、ＩＤＴの短絡等が起
こり得る。

【００５６】これに対して、図７に示した実施例では、
上記のように一次接合側から二次接合側に向かう延長線
Ｂ，Ｃ上にＩＤＴ４２，４３が存在しないため、上記短
絡が生じ難い。

【００５７】なお、図７に示した実施例では、ボンディ
ングワイヤーの一次接合側から二次接合側に向かう延長
線上にＩＤＴが存在しないように、接続パッド４９ｂ，
４９ｅの位置がＩＤＴ４２，４３の表面波伝搬方向の両
端のうち一方端近傍に配置されていたが、接続パッド４
９ｂ，４９ｅは、必ずしもこの位置に形成される必要は
ない。すなわち、接続パッド４９ｂ，４９ｅは、図７に
示した位置から、さらにＩＤＴ４２，４３のウエハー伝
搬方向中央側に延ばされていてもよい。すなわち、ボン
ディングワイヤー５３ｂ，５３ｅの一次接合側から二次
接合側に向かう方向の延長線Ｂ，Ｃ上にＩＤＴ４２，４
３が配置されない限り、接続パッド４９ｂ，４９ｅの形
成位置及び形状は、図示の例に限定されるものではな
い。

【００５８】さらに、図７に破線Ｄ，Ｅで示すように、
ボンディングワイヤー５３ｂ，５３ｅの一次接合側の位
置は、金属パッド５１ｂ，５１ｅ上において変更するこ
とも可能である。

【００５９】なお、ボンディングワイヤー５３ａ，５３
ｃ，５３ｄ，５３ｅについても、図７から明らかなよう
に、二次接合部分の位置をＩＤＴ４２，４３から遠ざけ
ることにより、その一次接合側から二次接合側に向かう
方向の延長上にＩＤＴ４２，４３が存在しないように接
合されている。従って、ボンディングワイヤー５３ａ，
５３ｃ，５３ｄ，５３ｆの接合に際しても、ＩＤＴ４
２，４３が損傷を受けるおそれは非常に小さくされてい
る。

【００６０】もっとも、ボンディングワイヤー５３ａ，
５３ｃ，５３ｄ，５３ｆの二次接合において、ＳＡＷ素
子上に形成された反射器４５，４６，４７，４８に損傷
を与えるおそれは存在する。しかしながら、反射器４５
〜４８は接地されるものであるため、反射器を構成して
いる電極指間が短絡しても支障はない。

【００６１】本願発明者によれば、図１１に示した比較
例では短絡不良が１％の程度で発生していたのに対し、
図７に示した実施例の構造によれば短絡不良の発生をほ
ぼ０とし得ることが確かめられている。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＳＡＷ装置の蓋材を取り除いた状態の平
面図。

【図２】従来のＳＡＷ装置の断面図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は、超音波ボンディングを説明
するための各断面図。

【図４】超音波ボンディングによる二次接合側の接合作
業を説明するための断面図。

【図５】従来のＳＡＷ装置におけるケース材に形成され
た金属パッドの寸法を説明するための部分切欠拡大断面
図。

【図６】未だ公知ではないが、本発明を成す前提となっ
たＳＡＷ装置を説明するための断面図。

【図７】本発明の一実施例のＳＡＷ装置のケース内の構
造を略図的に示す平面図。

【図８】本発明の一実施例のＳＡＷ装置の断面図。

【図９】実施例で用いられるＳＡＷ素子の上面の電極構
造を略図的に示す平面図。

【図１０】実施例のＳＡＷ装置における金属パッドの寸
法を説明するための部分切欠拡大断面図。

【図１１】比較例のＳＡＷ装置のケース内の構造を説明
するための略図的平面図。

【符号の説明】

３１…ＳＡＷ装置 ３２…ケース材 ３３…凹部 ３７…シールリング ３８…蓋材 ３９…ＳＡＷ素子 ４９ａ〜４９ｆ…接続パッド ５０ａ，５０ｂ…中間段差 ５１ａ〜５１ｆ…ボンディングワイヤー ５３ａ〜５３ｆ…金属パッド Ｂ，Ｃ…延長線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−55867（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321595（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−204482（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−31826（ＪＰ，Ｕ) 実開 平４−207621（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 3/08 H03H 9/145

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弾性表面波素子を収納する凹部を有し、
   該凹部内側壁に中間段差部を有し、かつ前記中間段差部
   上に形成されており、さらに外部に引き出された金属パ
   ッドを有するケース材と、 前記ケース材に収納されており、かつ少なくとも１つの
   インターデジタルトランスデューサと、外部と電気的に
   接続するための複数の接続パッドとを有する弾性表面波
   素子と、 前記金属パッドと接続パッドとの間に超音波ボンディン
   グにより接続された複数のボンディングワイヤーとを備
   え、 前記ボンディングワイヤーの金属パッドとの接合部分か
   ら接続パッドとの接合部分に向かう方向の延長上に、イ
   ンターデジタルトランスデューサが位置しないように、
   すべての前記ボンディングワイヤーが前記接続パッドに
   接続されていることを特徴とする、弾性表面波装置。
2. 【請求項２】 前記中間段差部の中央から前記凹部の内
   側壁の上部を見た場合の仰角が６０°以上とされてい
   る、請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 【請求項３】 前記ケース材を用意する工程と、 少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサ
   と、外部と電気的に接続するための接続パッドとを有
   し、前記ボンディングワイヤーの金属パッドとの接合部
   分から接続パッドとの接合部分側に向かう方向の延長上
   にインターデジタルトランスデューサが位置しないよう
   に前記接続パッド及び少なくとも１つのＩＤＴが構成さ
   れている弾性表面波素子を、前記ケース材の凹部内に収
   納する工程と、 前記金属パッドにボンディングワイヤーの一端側を超音
   波ボンディングにより接合する第１のボンディング工程
   と、 前記第１のボンディング工程の後に、前記ボンディング
   ワイヤーの他端側を前記弾性表面波素子の接続パッドに
   超音波ボンディングにより接合する第２のボンディング
   工程とを備え、前記ボンディングワイヤーの金属パッド
   との接合部分から接続パッドとの接合部分に向かう方向
   の延長上に、インターデジタルトランスデューサが位置
   しないように、すべての前記ボンディングワイヤーが接
   続されて いることを特徴とする請求項１または２に記載
   の弾性表面波装置の製造方法。