JP3401836B2 - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- JP3401836B2 JP3401836B2 JP13292193A JP13292193A JP3401836B2 JP 3401836 B2 JP3401836 B2 JP 3401836B2 JP 13292193 A JP13292193 A JP 13292193A JP 13292193 A JP13292193 A JP 13292193A JP 3401836 B2 JP3401836 B2 JP 3401836B2
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- glass frit
- conductive paste
- tio
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A43—FOOTWEAR
- A43B—CHARACTERISTIC FEATURES OF FOOTWEAR; PARTS OF FOOTWEAR
- A43B5/00—Footwear for sporting purposes
- A43B5/04—Ski or like boots
- A43B5/0405—Linings, paddings or insertions; Inner boots
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Education & Sports Medicine (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、導電性ペーストに関
し、詳しくは、電子部品の外部電極を形成するために用
いられる導電性ペーストに関する。 【０００２】 【従来の技術】例えば、積層セラミックコンデンサなど
のチップ型電子部品の外部電極形成用の導電性ペースト
としては、従来、導電性金属粉とガラスフリットを混合
したものに、接合樹脂及び溶剤を加えてペースト化した
導電性ペーストが一般に用いられており、また、この導
電性ペーストをチップ（電子部品素子）の所定の位置に
塗布乾燥した後、空気中で焼成することにより外部電極
を形成する方法が一般に使用されている。そして、上記
導電性ペーストにおいては、ガラスフリットとして、主
にＰｂ系、Ｚｎ系、ホウケイ酸系などのガラスフリット
が使用されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＰｂ
系、Ｚｎ系、ホウケイ酸系のガラスフリットを使用した
外部電極では、基板への接着強度、実装後における基板
曲げ強度（たわみ強度）、ヒートサイクルに対する耐久
性などの諸特性のうち、いずれかの特性に問題があり、
要求される特性を十分に満足しているとはいえないのが
実情である。 【０００４】特に、近年開発された小型高容量で、バイ
アス特性に優れたＰｂ系セラミックコンデンサにおいて
は、Ｐｂ系のガラスフリットを含有する導電性ペースト
を用いて外部電極を形成した場合、基板への接着強度、
ヒートサイクルに対する耐久性などが不十分になる場合
があり信頼性が低いという問題点がある。また、Ｚｎ系
のガラスフリットを含有する導電性ペーストを用いて外
部電極を形成した場合には、基板への接着強度、ヒート
サイクルに対する耐久性は優れているが、基板曲げ強度
が不十分であるという問題点がある。 【０００５】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、基板への接着強度、実装後の基板曲げ強度、ヒー
トサイクルに対する耐久性などに優れた電子部品の外部
電極を形成するのに適した導電性ペーストを提供するこ
とを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の導電性ペーストは、電子部品の外部電極
形成用の導電性ペーストであって、導電性金属粉と、６
〜１５重量％のＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリッ
ト（ただし、Ｐｂを含有せず）と、有機ビヒクルとを含
有してなることを特徴とする。 【０００７】なお、本願発明の導電性ペーストにおいて
は、Ｚｎ系ガラスフリットに含有させるＴｉＯ2の好ま
しい割合を６〜１５重量％の範囲としているが、これ
は、ＴｉＯ2の割合を６〜１５重量％の範囲とすること
により、望ましい特性を有する外部電極を形成すること
が可能になること、及びＴｉＯ2の含有量が１５重量％
を越えると、ガラス形成時にガラス化しなくなることに
よる。 【０００８】また、本願発明の導電性ペーストにおいて
は、導電性金属粉の種類や粒径などに特別の制約はな
く、一般に用いられている種々の導電性金属粉を用いる
ことが可能である。 【０００９】また、有機ビヒクルも、例えば、エチルセ
ルロース系樹脂、アルキッド樹脂などの公知の種々のも
のを単独であるいは混合して用いることが可能である。 【００１２】さらに、必要に応じて溶剤を添加すること
も可能であるが、この溶剤にも特別の制約はなく、テル
ピネオール系、アルコール系などの種々の溶剤を単独で
あるいは混合して用いることが可能である。 【００１０】 【実施例】以下、本願発明の実施例を比較例とともに示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。 【００１１】［実施例］ Ａｇ粉７３重量％、Ｐｄ粉４重量％、及びガラスフリッ
ト３重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成した導電
性ペースト（Ａｇ−Ｐｄペースト）を調製した。 【００１２】なお、ガラスフリットとしては、ガラス成
分としてＴｉＯ2を１，３，６，９，１２，１５重量％
含有するＺｎ−Ｂ−Ｌｉ系のガラスフリットを使用し
た。 【００１３】さらに、有機ワニスとしては、エチルセル
ロースをブチルセルソルブに溶解したものを用いた。 【００１４】また、比較例（モニター）として、ＴｉＯ
2 を含有しないＺｎ系ガラスフリットを用いて上記と同
様の方法により導電性ペーストを調製した。 【００１５】上記各ガラスフリットを用いて調製した実
施例及び比較例のＡｇ−Ｐｄペーストを、ＢａＴｉＯ3
系セラミック積層コンデンサ（３．２×１．６×１mm）
の、外部電極を形成すべき所定の位置に塗布し、乾燥さ
せた後、大気中７５０℃で焼成した。その後、焼成され
たセラミック積層コンデンサの外部電極上にＮｉメッキ
を施し、さらにＳｎメッキを施した。 【００１６】そして、図１に示すように、上記セラミッ
ク積層コンデンサ１の両端側の外部電極２にリード端子
３を半田付けした後（図１において４は半田を示す）、
外部電極２の接着強度を測定した。 【００１７】また、図２に示すように、エポキシ樹脂製
の基板５上に上記セラミック積層コンデンサ１を半田付
けすることにより実装した後、両端側を支点として、中
央部に上向き（図２の矢印Ｐの方向）の力を加えて、基
板曲げ強度（たわみ強度）を測定した。なお、図２にお
いて４は半田を示す。 【００１８】上記の測定結果を図３に示す。図３より、
Ｚｎ系ガラスフリットの組成中に１〜１５重量％のＴｉ
Ｏ2を添加することにより、接着強度及び基板曲げ強度
が向上することがわかる。なお、ＴｉＯ2の含有量が１
重量％未満の場合、特性向上の効果が不十分となり、Ｔ
ｉＯ2の含有量が１５重量％を越えると、ガラス作製時
にガラス化しなくなる。 【００１９】［参考例］ Ａｇ粉７３重量％、Ｐｄ粉４重量％、及びガラスフリッ
ト３重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成した参考
例の導電性ペースト（Ａｇ−Ｐｄペースト）を調製し
た。 【００２０】なお、ガラスフリットとしては、ガラス成
分として８重量％のＴｉＯ2を含有するＺｎ−Ｂ−Ｌｉ
系ガラスフリットとＰｂ−Ｂ−Ｓｉ系ガラスフリットを
所定の割合で配合してなるガラスフリットを使用した。 【００２１】さらに、有機ワニスとしては、エチルセル
ロースをブチルセルソルブに溶解したものを用いた。 【００２２】また、比較例（モニター）として、ＴｉＯ
2 を含有しないＺｎ系ガラスフリットを用いて上記と同
様の方法により導電性ペーストを調製した。 【００２３】上記各ガラスフリットを用いて調製した参
考例及び比較例のＡｇ−Ｐｄペーストを、ＰｂＴｉＯ3
系セラミック積層コンデンサ（３．２×１．６×１mm）
の、外部電極を形成すべき所定の位置に塗布し、乾燥さ
せた後、大気中７５０℃で焼成した。その後、焼成され
たセラミック積層コンデンサの外部電極上に、Ａｇ粉７
５重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成したＡｇペ
ーストを塗布乾燥し、大気中７００℃で焼成し、二重構
造の電極を形成した。 【００２４】それから、図１に示すように、上記セラミ
ック積層コンデンサ１ａの両端側の外部電極２ａにリー
ド端子３を半田付けして、外部電極２ａの接着強度を測
定した。 【００２５】また、図２に示すように、エポキシ樹脂製
の基板５上に上記セラミック積層コンデンサ１ａを半田
付けすることにより実装した後、両端側を支点として、
中央部に上向き（図２の矢印Ｐの方向）の力を加えて、
基板曲げ強度（たわみ強度）を測定した。さらに、実装
した試料（セラミック積層コンデンサ）によりヒートサ
イクル試験（１サイクル：−５５〜１２５℃ ３０分）
を行い、１０００サイクル後の外観不良の発生率（不良
率）を調べた。 【００２６】上記の接着強度及び基板曲げ強度の測定結
果を図４（ＴｉＯ2含有Ｚｎ系ガラスフリット＋Ｐｂ系
ガラスフリットを使用）、及び図５（ＴｉＯ2無し（不
含）Ｚｎ系ガラスフリット＋Ｐｂ系ガラスフリットを使
用）に示す。さらに、図６に、ヒートサイクル試験の結
果を示す。 【００２７】図４より、ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラ
スフリットとＰｂ系ガラスフリットとを混合して使用し
た場合、ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリット、Ｐ
ｂ系ガラスフリットをそれぞれ単独で使用した場合より
も接着強度及び基板曲げ強度が向上することがわかる。 【００２８】また、図４と図５を比較することにより、
ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリットを用いること
により、接着強度及び基板曲げ強度が向上することがわ
かる。 【００２９】さらに、図６より、ＴｉＯ2を含有するＺ
ｎ系ガラスフリットを用いることにより、ヒートサイク
ルに対する耐久性も向上することがわかる。 【００３０】なお、図４，図６より、Ｐｂ系ガラスフリ
ットの配合割合が２０重量％未満の場合、及び９０重量
％を越える場合には、接着強度、基板曲げ強度及びヒー
トサイクルに対する耐久性において十分な効果が得られ
ていないことがわかる。 【００３１】なお、上記実施例では、導電性金属粉とし
てＡｇ粉、Ｐｄ粉を使用した場合について説明したが、
本願発明の導電性ペーストにおいては、導電性金属粉の
種類に特に制約はなく、他の導電性金属粉を用いること
が可能であり、その場合にも同様の効果を得ることがで
きる。 【００３２】また、本願発明は、その他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、ガラスフリット
を構成する他の成分、有機ビヒクルの種類などに関し
て、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を
加えることが可能である。 【００３３】 【発明の効果】上述のように、本願発明の導電性ペース
トは、ガラスフリットとして、６〜１５重量％のＴｉＯ
2を含有するＺｎ系ガラスフリット（ただし、Ｐｂを含
有せず）を用いているため、電子部品の基板への接着強
度、実装後の基板曲げ強度を向上させることが可能にな
り、信頼性を向上させることができる。
し、詳しくは、電子部品の外部電極を形成するために用
いられる導電性ペーストに関する。 【０００２】 【従来の技術】例えば、積層セラミックコンデンサなど
のチップ型電子部品の外部電極形成用の導電性ペースト
としては、従来、導電性金属粉とガラスフリットを混合
したものに、接合樹脂及び溶剤を加えてペースト化した
導電性ペーストが一般に用いられており、また、この導
電性ペーストをチップ（電子部品素子）の所定の位置に
塗布乾燥した後、空気中で焼成することにより外部電極
を形成する方法が一般に使用されている。そして、上記
導電性ペーストにおいては、ガラスフリットとして、主
にＰｂ系、Ｚｎ系、ホウケイ酸系などのガラスフリット
が使用されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＰｂ
系、Ｚｎ系、ホウケイ酸系のガラスフリットを使用した
外部電極では、基板への接着強度、実装後における基板
曲げ強度（たわみ強度）、ヒートサイクルに対する耐久
性などの諸特性のうち、いずれかの特性に問題があり、
要求される特性を十分に満足しているとはいえないのが
実情である。 【０００４】特に、近年開発された小型高容量で、バイ
アス特性に優れたＰｂ系セラミックコンデンサにおいて
は、Ｐｂ系のガラスフリットを含有する導電性ペースト
を用いて外部電極を形成した場合、基板への接着強度、
ヒートサイクルに対する耐久性などが不十分になる場合
があり信頼性が低いという問題点がある。また、Ｚｎ系
のガラスフリットを含有する導電性ペーストを用いて外
部電極を形成した場合には、基板への接着強度、ヒート
サイクルに対する耐久性は優れているが、基板曲げ強度
が不十分であるという問題点がある。 【０００５】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、基板への接着強度、実装後の基板曲げ強度、ヒー
トサイクルに対する耐久性などに優れた電子部品の外部
電極を形成するのに適した導電性ペーストを提供するこ
とを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の導電性ペーストは、電子部品の外部電極
形成用の導電性ペーストであって、導電性金属粉と、６
〜１５重量％のＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリッ
ト（ただし、Ｐｂを含有せず）と、有機ビヒクルとを含
有してなることを特徴とする。 【０００７】なお、本願発明の導電性ペーストにおいて
は、Ｚｎ系ガラスフリットに含有させるＴｉＯ2の好ま
しい割合を６〜１５重量％の範囲としているが、これ
は、ＴｉＯ2の割合を６〜１５重量％の範囲とすること
により、望ましい特性を有する外部電極を形成すること
が可能になること、及びＴｉＯ2の含有量が１５重量％
を越えると、ガラス形成時にガラス化しなくなることに
よる。 【０００８】また、本願発明の導電性ペーストにおいて
は、導電性金属粉の種類や粒径などに特別の制約はな
く、一般に用いられている種々の導電性金属粉を用いる
ことが可能である。 【０００９】また、有機ビヒクルも、例えば、エチルセ
ルロース系樹脂、アルキッド樹脂などの公知の種々のも
のを単独であるいは混合して用いることが可能である。 【００１２】さらに、必要に応じて溶剤を添加すること
も可能であるが、この溶剤にも特別の制約はなく、テル
ピネオール系、アルコール系などの種々の溶剤を単独で
あるいは混合して用いることが可能である。 【００１０】 【実施例】以下、本願発明の実施例を比較例とともに示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。 【００１１】［実施例］ Ａｇ粉７３重量％、Ｐｄ粉４重量％、及びガラスフリッ
ト３重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成した導電
性ペースト（Ａｇ−Ｐｄペースト）を調製した。 【００１２】なお、ガラスフリットとしては、ガラス成
分としてＴｉＯ2を１，３，６，９，１２，１５重量％
含有するＺｎ−Ｂ−Ｌｉ系のガラスフリットを使用し
た。 【００１３】さらに、有機ワニスとしては、エチルセル
ロースをブチルセルソルブに溶解したものを用いた。 【００１４】また、比較例（モニター）として、ＴｉＯ
2 を含有しないＺｎ系ガラスフリットを用いて上記と同
様の方法により導電性ペーストを調製した。 【００１５】上記各ガラスフリットを用いて調製した実
施例及び比較例のＡｇ−Ｐｄペーストを、ＢａＴｉＯ3
系セラミック積層コンデンサ（３．２×１．６×１mm）
の、外部電極を形成すべき所定の位置に塗布し、乾燥さ
せた後、大気中７５０℃で焼成した。その後、焼成され
たセラミック積層コンデンサの外部電極上にＮｉメッキ
を施し、さらにＳｎメッキを施した。 【００１６】そして、図１に示すように、上記セラミッ
ク積層コンデンサ１の両端側の外部電極２にリード端子
３を半田付けした後（図１において４は半田を示す）、
外部電極２の接着強度を測定した。 【００１７】また、図２に示すように、エポキシ樹脂製
の基板５上に上記セラミック積層コンデンサ１を半田付
けすることにより実装した後、両端側を支点として、中
央部に上向き（図２の矢印Ｐの方向）の力を加えて、基
板曲げ強度（たわみ強度）を測定した。なお、図２にお
いて４は半田を示す。 【００１８】上記の測定結果を図３に示す。図３より、
Ｚｎ系ガラスフリットの組成中に１〜１５重量％のＴｉ
Ｏ2を添加することにより、接着強度及び基板曲げ強度
が向上することがわかる。なお、ＴｉＯ2の含有量が１
重量％未満の場合、特性向上の効果が不十分となり、Ｔ
ｉＯ2の含有量が１５重量％を越えると、ガラス作製時
にガラス化しなくなる。 【００１９】［参考例］ Ａｇ粉７３重量％、Ｐｄ粉４重量％、及びガラスフリッ
ト３重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成した参考
例の導電性ペースト（Ａｇ−Ｐｄペースト）を調製し
た。 【００２０】なお、ガラスフリットとしては、ガラス成
分として８重量％のＴｉＯ2を含有するＺｎ−Ｂ−Ｌｉ
系ガラスフリットとＰｂ−Ｂ−Ｓｉ系ガラスフリットを
所定の割合で配合してなるガラスフリットを使用した。 【００２１】さらに、有機ワニスとしては、エチルセル
ロースをブチルセルソルブに溶解したものを用いた。 【００２２】また、比較例（モニター）として、ＴｉＯ
2 を含有しないＺｎ系ガラスフリットを用いて上記と同
様の方法により導電性ペーストを調製した。 【００２３】上記各ガラスフリットを用いて調製した参
考例及び比較例のＡｇ−Ｐｄペーストを、ＰｂＴｉＯ3
系セラミック積層コンデンサ（３．２×１．６×１mm）
の、外部電極を形成すべき所定の位置に塗布し、乾燥さ
せた後、大気中７５０℃で焼成した。その後、焼成され
たセラミック積層コンデンサの外部電極上に、Ａｇ粉７
５重量％を含有し、残部を有機ワニスで構成したＡｇペ
ーストを塗布乾燥し、大気中７００℃で焼成し、二重構
造の電極を形成した。 【００２４】それから、図１に示すように、上記セラミ
ック積層コンデンサ１ａの両端側の外部電極２ａにリー
ド端子３を半田付けして、外部電極２ａの接着強度を測
定した。 【００２５】また、図２に示すように、エポキシ樹脂製
の基板５上に上記セラミック積層コンデンサ１ａを半田
付けすることにより実装した後、両端側を支点として、
中央部に上向き（図２の矢印Ｐの方向）の力を加えて、
基板曲げ強度（たわみ強度）を測定した。さらに、実装
した試料（セラミック積層コンデンサ）によりヒートサ
イクル試験（１サイクル：−５５〜１２５℃ ３０分）
を行い、１０００サイクル後の外観不良の発生率（不良
率）を調べた。 【００２６】上記の接着強度及び基板曲げ強度の測定結
果を図４（ＴｉＯ2含有Ｚｎ系ガラスフリット＋Ｐｂ系
ガラスフリットを使用）、及び図５（ＴｉＯ2無し（不
含）Ｚｎ系ガラスフリット＋Ｐｂ系ガラスフリットを使
用）に示す。さらに、図６に、ヒートサイクル試験の結
果を示す。 【００２７】図４より、ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラ
スフリットとＰｂ系ガラスフリットとを混合して使用し
た場合、ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリット、Ｐ
ｂ系ガラスフリットをそれぞれ単独で使用した場合より
も接着強度及び基板曲げ強度が向上することがわかる。 【００２８】また、図４と図５を比較することにより、
ＴｉＯ2を含有するＺｎ系ガラスフリットを用いること
により、接着強度及び基板曲げ強度が向上することがわ
かる。 【００２９】さらに、図６より、ＴｉＯ2を含有するＺ
ｎ系ガラスフリットを用いることにより、ヒートサイク
ルに対する耐久性も向上することがわかる。 【００３０】なお、図４，図６より、Ｐｂ系ガラスフリ
ットの配合割合が２０重量％未満の場合、及び９０重量
％を越える場合には、接着強度、基板曲げ強度及びヒー
トサイクルに対する耐久性において十分な効果が得られ
ていないことがわかる。 【００３１】なお、上記実施例では、導電性金属粉とし
てＡｇ粉、Ｐｄ粉を使用した場合について説明したが、
本願発明の導電性ペーストにおいては、導電性金属粉の
種類に特に制約はなく、他の導電性金属粉を用いること
が可能であり、その場合にも同様の効果を得ることがで
きる。 【００３２】また、本願発明は、その他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、ガラスフリット
を構成する他の成分、有機ビヒクルの種類などに関し
て、発明の要旨の範囲内において、種々の応用、変形を
加えることが可能である。 【００３３】 【発明の効果】上述のように、本願発明の導電性ペース
トは、ガラスフリットとして、６〜１５重量％のＴｉＯ
2を含有するＺｎ系ガラスフリット（ただし、Ｐｂを含
有せず）を用いているため、電子部品の基板への接着強
度、実装後の基板曲げ強度を向上させることが可能にな
り、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子部品（セラミック積層コンデンサ）の接着
強度の測定方法を示す平面図である。 【図２】電子部品の基板曲げ強度の測定方法を示す側面
図である。 【図３】実施例におけるＺｎ系ガラスフリット中のＴｉ
Ｏ2の含有量と、接着強度及び基板曲げ強度との関係を
示す図である。 【図４】参考例におけるガラスフリットの配合割合と、
接着強度及び基板曲げ強度との関係を示す図である。 【図５】ＴｉＯ2を含有しないＺｎ系ガラスフリットを
用いた場合の、ガラスフリットの配合割合と、接着強度
及び基板曲げ強度との関係を示す図である。 【図６】参考例におけるヒートサイクル試験の結果を示
す図である。 【符号の説明】 １ セラミック積層コンデンサ ２ 外部電極 ３ リード端子 ４ 半田 ５ 基板
強度の測定方法を示す平面図である。 【図２】電子部品の基板曲げ強度の測定方法を示す側面
図である。 【図３】実施例におけるＺｎ系ガラスフリット中のＴｉ
Ｏ2の含有量と、接着強度及び基板曲げ強度との関係を
示す図である。 【図４】参考例におけるガラスフリットの配合割合と、
接着強度及び基板曲げ強度との関係を示す図である。 【図５】ＴｉＯ2を含有しないＺｎ系ガラスフリットを
用いた場合の、ガラスフリットの配合割合と、接着強度
及び基板曲げ強度との関係を示す図である。 【図６】参考例におけるヒートサイクル試験の結果を示
す図である。 【符号の説明】 １ セラミック積層コンデンサ ２ 外部電極 ３ リード端子 ４ 半田 ５ 基板
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フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/22
H01B 1/16
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】電子部品の外部電極形成用の導電性ペース
トであって、 導電性金属粉と、６〜１５重量％のＴｉＯ2を含有する
Ｚｎ系ガラスフリット（ただし、Ｐｂを含有せず）と、
有機ビヒクルとを含有してなることを特徴とする導電性
ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13292193A JP3401836B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13292193A JP3401836B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 導電性ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06325612A JPH06325612A (ja) | 1994-11-25 |
| JP3401836B2 true JP3401836B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=15092628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13292193A Expired - Fee Related JP3401836B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3401836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5725972B2 (ja) | 2011-05-24 | 2015-05-27 | キヤノン株式会社 | アダプタ光学系及びそれを有する撮像装置 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP13292193A patent/JP3401836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06325612A (ja) | 1994-11-25 |
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