JPH07161223A - 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ - Google Patents
導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH07161223A JPH07161223A JP5310558A JP31055893A JPH07161223A JP H07161223 A JPH07161223 A JP H07161223A JP 5310558 A JP5310558 A JP 5310558A JP 31055893 A JP31055893 A JP 31055893A JP H07161223 A JPH07161223 A JP H07161223A
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 230000032798 delamination Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- -1 organic acid lead Compounds Chemical class 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007718 adhesive strength test Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003682 SiB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009973 Ti2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミックチップ部品の外部電極用導電性ペ
ーストにおいて、デラミネーション等の内部欠陥が生じ
にくく、形成した外部電極の接着強度が強く、しかも回
路基板に実装した後の基板の曲げで破損しにくいセラミ
ックチップ部品を得ることができるペースト、およびそ
れを用いたセラミックコンデンサを提供する。 【構成】 導電性ペースト中に、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 を主成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の少
なくとも一種類以上を１〜２０重量％含むガラスフリッ
トを含有する。また、積層セラミックコンデンサは、そ
の外部電極中に、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主
成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも一種類
以上を１〜２０重量％含むガラスフリットを含有する。
ーストにおいて、デラミネーション等の内部欠陥が生じ
にくく、形成した外部電極の接着強度が強く、しかも回
路基板に実装した後の基板の曲げで破損しにくいセラミ
ックチップ部品を得ることができるペースト、およびそ
れを用いたセラミックコンデンサを提供する。 【構成】 導電性ペースト中に、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 を主成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の少
なくとも一種類以上を１〜２０重量％含むガラスフリッ
トを含有する。また、積層セラミックコンデンサは、そ
の外部電極中に、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主
成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも一種類
以上を１〜２０重量％含むガラスフリットを含有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックチップ部品
の外部電極の形成に用いる導電性ペースト、およびそれ
を用いたセラミックチップ部品に関する。
の外部電極の形成に用いる導電性ペースト、およびそれ
を用いたセラミックチップ部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、セラミックチップ部品の外部電
極は、以下の方法で形成されている。即ち、まず、Ａｇ
等の導電成分の粉末とガラスフリットの粉末を、バイン
ダとして樹脂を有機溶剤に溶解した有機ビヒクルに分散
させた導電性ペーストを用意する。その後、この導電性
ペーストをセラミックチップ素体に塗布・乾燥した後、
焼付けして有機物を除去し、導電成分とガラスフリット
からなる導電性被膜を形成する。その後、この導電性被
膜の表面にＮｉめっき、Ｓｎまたははんだめっきを順次
形成して外部電極とする。ここにおいて、導電性ペース
ト中のガラスフリットとしては鉛系、亜鉛系、硼珪酸系
等が用いられている。
極は、以下の方法で形成されている。即ち、まず、Ａｇ
等の導電成分の粉末とガラスフリットの粉末を、バイン
ダとして樹脂を有機溶剤に溶解した有機ビヒクルに分散
させた導電性ペーストを用意する。その後、この導電性
ペーストをセラミックチップ素体に塗布・乾燥した後、
焼付けして有機物を除去し、導電成分とガラスフリット
からなる導電性被膜を形成する。その後、この導電性被
膜の表面にＮｉめっき、Ｓｎまたははんだめっきを順次
形成して外部電極とする。ここにおいて、導電性ペース
ト中のガラスフリットとしては鉛系、亜鉛系、硼珪酸系
等が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の外部電
極においては、導電性ペースト焼付け後のめっき工程に
おいて、めっき液がセラミックチップ素体へ侵入するた
めと考えられる不具合がたびたび発生していた。つま
り、積層チップ部品のデラミネーションやクラックの発
生などの内部欠陥、チップ部品の外部電極の接着強度の
低下あるいは回路基板に実装した後の基板の曲げでチッ
プ部品が破損しやすくなる等の不具合である。このた
め、導電性ペースト中のガラスフリットの量を増やすこ
とや、化学的に安定な高融点のガラスフリットを使用す
ることで、セラミックチップ素体へのめっき液の侵入を
防ぐことが検討されてきた。
極においては、導電性ペースト焼付け後のめっき工程に
おいて、めっき液がセラミックチップ素体へ侵入するた
めと考えられる不具合がたびたび発生していた。つま
り、積層チップ部品のデラミネーションやクラックの発
生などの内部欠陥、チップ部品の外部電極の接着強度の
低下あるいは回路基板に実装した後の基板の曲げでチッ
プ部品が破損しやすくなる等の不具合である。このた
め、導電性ペースト中のガラスフリットの量を増やすこ
とや、化学的に安定な高融点のガラスフリットを使用す
ることで、セラミックチップ素体へのめっき液の侵入を
防ぐことが検討されてきた。
【０００４】しかし、近年開発された酸化鉛系原料を用
いたセラミックチップ部品、たとえば小型高容量でバイ
アス特性に優れている積層セラミックコンデンサにおい
て、そのセラミックはガラスフリットとの反応性が高
い。したがって、たとえ高融点のガラスフリットを含有
する導電性ペーストを焼付けたとしても、セラミックが
ガラスフリットとの反応により変質して本来のコンデン
サ特性を失うとともに、めっき液が侵入しやすくなって
コンデンサの特性劣化を引き起こすという問題点を有し
ていた。
いたセラミックチップ部品、たとえば小型高容量でバイ
アス特性に優れている積層セラミックコンデンサにおい
て、そのセラミックはガラスフリットとの反応性が高
い。したがって、たとえ高融点のガラスフリットを含有
する導電性ペーストを焼付けたとしても、セラミックが
ガラスフリットとの反応により変質して本来のコンデン
サ特性を失うとともに、めっき液が侵入しやすくなって
コンデンサの特性劣化を引き起こすという問題点を有し
ていた。
【０００５】そこで本発明の目的は、セラミックチップ
部品の外部電極として使用したときに、ガラスフリット
のセラミックとの反応性を抑えることにより、デラミネ
ーション等の内部欠陥が生じにくく、形成した外部電極
の接着強度が強く、しかも回路基板に実装した後の基板
の曲げで破損しにくいセラミックチップ部品を得ること
ができる導電性ペースト、およびそれを用いたセラミッ
クチップ部品を提供することにある。
部品の外部電極として使用したときに、ガラスフリット
のセラミックとの反応性を抑えることにより、デラミネ
ーション等の内部欠陥が生じにくく、形成した外部電極
の接着強度が強く、しかも回路基板に実装した後の基板
の曲げで破損しにくいセラミックチップ部品を得ること
ができる導電性ペースト、およびそれを用いたセラミッ
クチップ部品を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の導電性ペーストは、セラミックチップ部品
の外部電極として用いる導電性ペーストにおいて、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主成分とし、ＴｉＯ2 ま
たはＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも一種類以上を１〜２０重量
％含むガラスフリットを含有することを特徴とする。
め、本発明の導電性ペーストは、セラミックチップ部品
の外部電極として用いる導電性ペーストにおいて、Ｐｂ
Ｏ、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主成分とし、ＴｉＯ2 ま
たはＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも一種類以上を１〜２０重量
％含むガラスフリットを含有することを特徴とする。
【０００７】また、本発明のセラミックチップ部品は、
誘電体セラミック層を介して配置された内部電極層と該
内部電極層につながる外部電極とからなる積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記外部電極が、ＰｂＯ、Ｂ2
Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2
Ｏ3 の少なくとも一種類以上を１〜２０重量％含むガラ
スフリットを含有することを特徴とする。
誘電体セラミック層を介して配置された内部電極層と該
内部電極層につながる外部電極とからなる積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記外部電極が、ＰｂＯ、Ｂ2
Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主成分としＴｉＯ2 またはＡｌ2
Ｏ3 の少なくとも一種類以上を１〜２０重量％含むガラ
スフリットを含有することを特徴とする。
【０００８】そして、積層セラミックコンデンサとして
は、その誘電体セラミック層が酸化鉛を含有したもので
ある場合が特に好ましい。
は、その誘電体セラミック層が酸化鉛を含有したもので
ある場合が特に好ましい。
【０００９】
【作用】本発明の導電性ペーストをセラミックチップ素
体に焼付けた場合、導電性ペースト中のガラスフリット
成分は酸化鉛を主成分とするセラミックとの反応が抑え
られることになる。したがって、セラミックは過度に変
質することがなく、本来の特性を失ったり、めっき液が
侵入しやすくなることもない。
体に焼付けた場合、導電性ペースト中のガラスフリット
成分は酸化鉛を主成分とするセラミックとの反応が抑え
られることになる。したがって、セラミックは過度に変
質することがなく、本来の特性を失ったり、めっき液が
侵入しやすくなることもない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の導電性ペーストの実施例を説
明する。まず、表１に示すガラスフリット１５種類を以
下の通り作製した。即ち、表１に示す組成比率のガラス
フリットとなるように、その出発原料のＰｂ3 Ｏ4 ，Ｈ
3 ＢＯ4 ，ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 を
混合し、高温で溶融させた後、急冷してガラス化した。
その後、得られたガラスを粉砕してガラスフリットを得
た。なお、表１において＊印は、本発明の範囲外を示
し、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
明する。まず、表１に示すガラスフリット１５種類を以
下の通り作製した。即ち、表１に示す組成比率のガラス
フリットとなるように、その出発原料のＰｂ3 Ｏ4 ，Ｈ
3 ＢＯ4 ，ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 を
混合し、高温で溶融させた後、急冷してガラス化した。
その後、得られたガラスを粉砕してガラスフリットを得
た。なお、表１において＊印は、本発明の範囲外を示
し、その他はすべて本発明の範囲内のものである。
【００１１】次に、このガラスフリット毎に、１５種類
の導電性ペーストを作製した。即ち、Ａｇ粉末を６６ｗ
ｔ％、ガラスフリットを５ｗｔ％、エチルセルロース樹
脂をブチルセロソルブに溶解したビヒクルを２９ｗｔ％
混合し、三本ロールで混練・分散して導電性ペーストを
作製した。
の導電性ペーストを作製した。即ち、Ａｇ粉末を６６ｗ
ｔ％、ガラスフリットを５ｗｔ％、エチルセルロース樹
脂をブチルセロソルブに溶解したビヒクルを２９ｗｔ％
混合し、三本ロールで混練・分散して導電性ペーストを
作製した。
【００１２】その後、あらかじめ準備しておいた酸化鉛
系の原料を用いた積層セラミックコンデンサ素体の内部
電極が露出した端部に、上記導電性ペーストを塗布・乾
燥し、大気中６５０℃で焼付けて導電性被膜を形成し
た。その後、この導電性被膜の表面にＮｉめっきを施
し、さらにその上からＳｎめっきを施して外部電極を形
成した。
系の原料を用いた積層セラミックコンデンサ素体の内部
電極が露出した端部に、上記導電性ペーストを塗布・乾
燥し、大気中６５０℃で焼付けて導電性被膜を形成し
た。その後、この導電性被膜の表面にＮｉめっきを施
し、さらにその上からＳｎめっきを施して外部電極を形
成した。
【００１３】次に、以上作製した１５種類の積層セラミ
ックコンデンサについて、基板曲げ試験および、外部電
極の接着強度試験を行なった。基板曲げ試験は、ＪＩＳ
Ｃ ６４２９ 附属書２に準じて行なった。即ち、ま
ず、ガラス布基材エポキシ樹脂を用いた厚み１．６ｍｍ
の銅張積層板に、作製した積層セラミックコンデンサを
はんだ付けした。その後、この積層セラミックコンデン
サを取り付けた銅張積層板の反対側の面を加圧棒で押し
て銅張り積層板をたわませ、積層セラミックコンデンサ
が破損し始めるたわみ量を基板曲げ強度の値とした。
ックコンデンサについて、基板曲げ試験および、外部電
極の接着強度試験を行なった。基板曲げ試験は、ＪＩＳ
Ｃ ６４２９ 附属書２に準じて行なった。即ち、ま
ず、ガラス布基材エポキシ樹脂を用いた厚み１．６ｍｍ
の銅張積層板に、作製した積層セラミックコンデンサを
はんだ付けした。その後、この積層セラミックコンデン
サを取り付けた銅張積層板の反対側の面を加圧棒で押し
て銅張り積層板をたわませ、積層セラミックコンデンサ
が破損し始めるたわみ量を基板曲げ強度の値とした。
【００１４】外部電極の接着強度試験は、積層セラミッ
クコンデンサの両外部電極の端部にリード線をはんだ付
けした後、両リード線をアキシャル方向に定速で引張
り、その破壊強度を外部電極の接着強度とした。
クコンデンサの両外部電極の端部にリード線をはんだ付
けした後、両リード線をアキシャル方向に定速で引張
り、その破壊強度を外部電極の接着強度とした。
【００１５】図１に、ＴｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を添加
していないガラスフリット（試料Ｎｏ．１５）とＴｉＯ
2 を添加したガラスフリット（試料Ｎｏ．２〜試料Ｎ
ｏ．５）を用いて作製した導電性ペーストで外部電極を
形成した積層セラミックコンデンサについて、外部電極
の接着強度試験および基板曲げ強度試験の結果を示す。
同様に、図２に、ＴｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を添加して
いないガラスフリット（試料Ｎｏ．１５）とＡｌ2 Ｏ3
を添加したガラスフリット（試料Ｎｏ．６〜試料Ｎｏ．
１０）を用いて作製した導電性ペーストで外部電極を形
成した積層セラミックコンデンサについて、外部電極の
接着強度試験および基板曲げ強度試験の結果を示す。さ
らに、図３に、ＴｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を添加したガ
ラスフリット（試料Ｎｏ．１１〜試料Ｎｏ．１４）を用
いて作製した導電性ペーストで外部電極を形成した積層
セラミックコンデンサについて、外部電極の接着強度お
よび基板曲げ強度を示す。
していないガラスフリット（試料Ｎｏ．１５）とＴｉＯ
2 を添加したガラスフリット（試料Ｎｏ．２〜試料Ｎ
ｏ．５）を用いて作製した導電性ペーストで外部電極を
形成した積層セラミックコンデンサについて、外部電極
の接着強度試験および基板曲げ強度試験の結果を示す。
同様に、図２に、ＴｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を添加して
いないガラスフリット（試料Ｎｏ．１５）とＡｌ2 Ｏ3
を添加したガラスフリット（試料Ｎｏ．６〜試料Ｎｏ．
１０）を用いて作製した導電性ペーストで外部電極を形
成した積層セラミックコンデンサについて、外部電極の
接着強度試験および基板曲げ強度試験の結果を示す。さ
らに、図３に、ＴｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 を添加したガ
ラスフリット（試料Ｎｏ．１１〜試料Ｎｏ．１４）を用
いて作製した導電性ペーストで外部電極を形成した積層
セラミックコンデンサについて、外部電極の接着強度お
よび基板曲げ強度を示す。
【００１６】図１、図２および図３に示す通り、本発明
の導電性ペーストを外部電極とした積層セラミックコン
デンサにおいては、ＴｉＯ2 あるいはＡｌ2 Ｏ3 を添加
しない従来の場合と比較して、外部電極の接着強度、基
板曲げ強度とも高くなっている。なお、ＴｉＯ2 および
Ａｌ2 Ｏ3 の添加量をそれぞれ１〜２０ｗｔ％としてい
るのは、１ｗｔ％未満では添加効果が現われず、一方２
０ｗｔ％を越えると、２０ｗｔ％添加までに外部電極の
接着強度値、基板曲げ強度値ともほとんど飽和して、そ
れ以上の特性向上が望めなかったためである。
の導電性ペーストを外部電極とした積層セラミックコン
デンサにおいては、ＴｉＯ2 あるいはＡｌ2 Ｏ3 を添加
しない従来の場合と比較して、外部電極の接着強度、基
板曲げ強度とも高くなっている。なお、ＴｉＯ2 および
Ａｌ2 Ｏ3 の添加量をそれぞれ１〜２０ｗｔ％としてい
るのは、１ｗｔ％未満では添加効果が現われず、一方２
０ｗｔ％を越えると、２０ｗｔ％添加までに外部電極の
接着強度値、基板曲げ強度値ともほとんど飽和して、そ
れ以上の特性向上が望めなかったためである。
【００１７】また、試料Ｎｏ．３、８、１５のガラスフ
リットを含有する導電性ペーストを用いて外部電極を形
成した積層セラミックコンデンサについて、デラミネー
ションの有無を確認した。その結果を表２に示す。表２
に示す通り、本発明の導電性ペーストを外部電極とした
積層セラミックコンデンサにおいては、ＴｉＯ2 あるい
はＡｌ2 Ｏ3 を添加しない従来の場合と比較して、デラ
ミネーションの発生が抑えられている。
リットを含有する導電性ペーストを用いて外部電極を形
成した積層セラミックコンデンサについて、デラミネー
ションの有無を確認した。その結果を表２に示す。表２
に示す通り、本発明の導電性ペーストを外部電極とした
積層セラミックコンデンサにおいては、ＴｉＯ2 あるい
はＡｌ2 Ｏ3 を添加しない従来の場合と比較して、デラ
ミネーションの発生が抑えられている。
【００１８】なお、上記実施例においては、積層セラミ
ックコンデンサの場合について説明したが、他のＬチッ
プ、ＬＣＲチップ等のセラミックチップ部品の外部電極
としても、同様の効果が得られ得ることは言うまでもな
い。
ックコンデンサの場合について説明したが、他のＬチッ
プ、ＬＣＲチップ等のセラミックチップ部品の外部電極
としても、同様の効果が得られ得ることは言うまでもな
い。
【００１９】また、上記実施例においては、ガラスフリ
ットの出発原料としてＰｂ3 Ｏ4 ，Ｈ3 ＢＯ4 ，ＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 を使用しているが、
これらのみに限定されるものではない。即ち、Ｐｂ3 Ｏ
4 の代わりに、ＰｂＯやＰｂ 2 Ｏ3 等の鉛酸化物，Ｐｂ
ＣＯ3 ，Ｐｂ（ＯＨ）2 あるいは有機酸鉛等の公知の鉛
化合物を用いることができる。また、Ｈ3 ＢＯ4 の代わ
りに、Ｂ2 Ｏ3 やＢＯ等の硼素酸化物あるいは（ＨＢＯ
2 ）x 等の公知の硼素化合物を用いることができる。さ
らに、ＳｉＯ2 の代わりに、ＳｉＯ等の珪素酸化物，Ｓ
ｉＢ3 やＳｉＢ6 等の珪素硼化物あるいは珪素の有機酸
化物等の公知の珪素化合物を用いることができる。そし
て、ＴｉＯ2 の代わりに、Ｔｉ2 Ｏ3 等のチタン酸化
物，ＰｂＴｉＯ3 等のチタン酸塩、Ｔｉ2 （ＣＯ4 ）3
等の有機酸チタンあるいはＴｉ（ＯＨ）2 等のチタン水
酸化物等の公知のチタン化合物を用いることができる。
また、Ａｌ（ＯＨ）3 の代わりに、Ａｌ2 Ｏ3 等のアル
ミ酸化物，アルミの有機酸化物あるいはアルミのアルコ
キシド等の公知のアルミ化合物を用いることができる。
ットの出発原料としてＰｂ3 Ｏ4 ，Ｈ3 ＢＯ4 ，ＳｉＯ
2 ，ＴｉＯ2 およびＡｌ（ＯＨ）3 を使用しているが、
これらのみに限定されるものではない。即ち、Ｐｂ3 Ｏ
4 の代わりに、ＰｂＯやＰｂ 2 Ｏ3 等の鉛酸化物，Ｐｂ
ＣＯ3 ，Ｐｂ（ＯＨ）2 あるいは有機酸鉛等の公知の鉛
化合物を用いることができる。また、Ｈ3 ＢＯ4 の代わ
りに、Ｂ2 Ｏ3 やＢＯ等の硼素酸化物あるいは（ＨＢＯ
2 ）x 等の公知の硼素化合物を用いることができる。さ
らに、ＳｉＯ2 の代わりに、ＳｉＯ等の珪素酸化物，Ｓ
ｉＢ3 やＳｉＢ6 等の珪素硼化物あるいは珪素の有機酸
化物等の公知の珪素化合物を用いることができる。そし
て、ＴｉＯ2 の代わりに、Ｔｉ2 Ｏ3 等のチタン酸化
物，ＰｂＴｉＯ3 等のチタン酸塩、Ｔｉ2 （ＣＯ4 ）3
等の有機酸チタンあるいはＴｉ（ＯＨ）2 等のチタン水
酸化物等の公知のチタン化合物を用いることができる。
また、Ａｌ（ＯＨ）3 の代わりに、Ａｌ2 Ｏ3 等のアル
ミ酸化物，アルミの有機酸化物あるいはアルミのアルコ
キシド等の公知のアルミ化合物を用いることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
導電性ペーストでセラミックチップ部品の外部電極を形
成すれば、その構成ガラスフリット成分のセラミックと
の反応性が抑えられる。したがって、デラミネーション
等の内部欠陥が少なく、形成した外部電極の接着強度が
強く、しかも回路基板に実装した後の基板の曲げで破損
しにくい品質に優れたセラミックチップ部品を得ること
ができる。
導電性ペーストでセラミックチップ部品の外部電極を形
成すれば、その構成ガラスフリット成分のセラミックと
の反応性が抑えられる。したがって、デラミネーション
等の内部欠陥が少なく、形成した外部電極の接着強度が
強く、しかも回路基板に実装した後の基板の曲げで破損
しにくい品質に優れたセラミックチップ部品を得ること
ができる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【図１】ガラスフリット中のＴｉＯ2 量とチップ部品性
能の関係を示すグラフである。
能の関係を示すグラフである。
【図２】ガラスフリット中のＡｌ2 Ｏ3 量とチップ部品
性能の関係を示すグラフである。
性能の関係を示すグラフである。
【図３】ガラスフリット中のＡｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 の量
の比率とチップ部品性能の関係を示すグラフである。
の比率とチップ部品性能の関係を示すグラフである。
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミックチップ部品の外部電極として
用いる導電性ペーストにおいて、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 を主成分とし、ＴｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の
少なくとも一種類以上を１〜２０重量％含むガラスフリ
ットを含有することを特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】 誘電体セラミック層を介して配置された
内部電極層と該内部電極層につながる外部電極とからな
る積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極
が、ＰｂＯ、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 を主成分としＴｉ
Ｏ2 またはＡｌ2 Ｏ3 の少なくとも一種類以上を１〜２
０重量％含むガラスフリットを含有することを特徴とす
る積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 積層セラミックコンデンサは、その誘電
体セラミック層が酸化鉛を含有したものであることを特
徴とする請求項２記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310558A JPH07161223A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| SG1996006013A SG55096A1 (en) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | Conductor paste and multilayer ceramic capacitor |
| GB9424863A GB2285264B (en) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
| US08/353,559 US5561587A (en) | 1993-12-10 | 1994-12-09 | Conductive paste and multilayer ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5310558A JPH07161223A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161223A true JPH07161223A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=18006689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5310558A Pending JPH07161223A (ja) | 1993-12-10 | 1993-12-10 | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5561587A (ja) |
| JP (1) | JPH07161223A (ja) |
| GB (1) | GB2285264B (ja) |
| SG (1) | SG55096A1 (ja) |
Cited By (1)
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| US6461540B2 (en) | 2000-03-30 | 2002-10-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and multi-layer ceramic electronic component using the same |
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1994
- 1994-12-09 US US08/353,559 patent/US5561587A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-09 SG SG1996006013A patent/SG55096A1/en unknown
- 1994-12-09 GB GB9424863A patent/GB2285264B/en not_active Expired - Fee Related
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| GB2285264A (en) | 1995-07-05 |
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