JP3393842B2

JP3393842B2 - 光電変換装置の作製方法

Info

Publication number: JP3393842B2
Application number: JP2000045077A
Authority: JP
Inventors: 節男中嶋; 康行荒井; 久人篠原; 雅芳阿部
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd; TDK Corp
Priority date: 1992-09-11
Filing date: 2000-02-17
Publication date: 2003-04-07
Anticipated expiration: 2018-04-07
Also published as: JP2000196117A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は光電変換装置の新規な構造
に関し、特に耐熱性の低い可撓性基板を利用した光電変
換装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子・電気部品等の小型化、薄型化さら
には軽量化への市場の要求が高まり、これら部品を構成
する材料も多種多様なものが使用され始めている。太陽
電池等の光電変換装置もこの例外ではなく、様々な仕様
の装置が提案されている。この中で、基板材料として可
撓性（フレキシブル）を持つ有機フィルムや金属薄板を
使った薄型で軽量のものが、他の電気製品、産業機械製
品等への応用を前提として、注目されはじめている。

【０００３】このような、可撓性基板の中でも、有機材
料を使用した基板の光電変換装置がコスト、特性、作業
性の点から注目され、可撓性基板の光電変換装置の主流
となりつつある。可撓性基板の有機材料基板は金属薄板
基板にくらべ、加工性のよさや軽量である点など優れた
点を多数持つ。

【０００４】このような有機材料の可撓性基板を使用し
た光電変換装置の一例として、図７にその概略の構造を
示す。可撓性基板１上に、光電変換装置が形成されてい
るが、この図では３つの光電変換素子が直列に集積化さ
れた構造を示している。各々の光電変換素子は第１の電
極７１、非単結晶半導体層７２および第２の電極７３、
７４とから構成されている。この例では光は第２の電極
側から照射される構成となっており、そのため第２の電
極は透光性の電極材料であるＩＴＯ７３とグリッド状の
補助電極７４とで構成されている。

【０００５】第２の電極７４はそのとなり合った光電変
換素子の第１の電極７１と接続されて、各々の素子が直
列に接続されている。このような光電変換装置の出力は
銅リード７５から外部に取り出される。このリードは第
２の電極に半田で固定接続されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このうよな、可撓性基
板の有機材料等の耐熱性を有さない基板は他の基板材料
と比較して、熱に対して十分な耐性を有していない。耐
熱性が高いと言われるポリイミドフィルムでも精々３０
０〜３５０℃程度であった。そのため、光電変換装置を
製造する際には極力熱が加わることを避ける方式がとら
れ、実用化されている。しかしながら、光電変換装置を
作製した後、それを利用する際には必ず設けなければな
らない出力取り出し部の形成の際には、半田付けによる
接続が一般的であり、そのため、半田を解かすために、
極部的に熱を加える必要があった。

【０００７】そのため、可撓性基板の有機材料の一部の
みに極度の熱がくわわり、この部分だけが熱変形を起こ
す問題があった、また、熱変形を起こさない程度の温度
で、リードと光電変換装置の電極との接続を行うと、今
度は接続部分の接着強度が十分とれず導通不良や、接着
部分の剥離が起こり、信頼性不安がある。この出力取り
出し部分の改良が望まれていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】（第１の発明）本発明
は、耐熱性を有さない基板上に設けられた薄膜状の光電
変換装置であって、前記光電変換装置の出力を取り出せ
る出力端は前記基板の前記光電変換装置が設けられた面
とは反対の面上に設けられており、前記光電変換装置の
電極と前記出力端とを導通する導通部を有する光電変換
装置。（第２の発明）また、上記の光電変換装置において、前
記導通部は可撓性基板に設けられた導通孔に存在する光
電変換装置。（第３の発明）さらにまた、上記の光電変換装置におい
て、前記導通部は可撓性基板の端面に存在する光電変換
装置。（第４の発明）本発明は、耐熱性を有さない基板上に設
けられた薄膜状の光電変換装置であって、前記光電変換
装置の出力を取り出せる出力端は前記基板の前記光電変
換装置が設けられた面とは反対の面上に設けられてお
り、前記光電変換装置の電極と前記出力端とを導通する
導通部は前記光電変換装置の電極の一部に使用されてい
る材料と同一であることを特徴とする光電変換装置。

【０００９】すなわち、上記の本発明の構成はいずれ
も、光電変換装置の出力を外部へ取り出す際に必要な、
取り出しリードを光電変換装置に設ける際に、リードの
接着とリードと光電変換装置の電極との電気的な接続と
を別々に行い、局部的な高温を印加することなく、十分
な接着強度を実現したものである。そのため、出力取り
出しの出力端を基板の光電変換装置とは反対面側に設
け、基板と出力端とを固定し、その固定された出力端と
光電変換装置の電極とを導電材料にて導通させるもので
ある。これにより、耐熱性を有さない基板に過度の熱を
加えずに、十分な接着強度を持つ出力端を設けることが
できる。以下に実施例より本発明を説明する。

【００１０】

【実施例】〔実施例１〕図１（Ａ）に本実施例の集積化
された光電変換装置の一例を示す。プラスチックフィル
ム基板１、第１の電極２、ＰＩＮ型の光電変換層３、第
２の電極６、７、絶縁物であるエポキシ樹脂からなる絶
縁物４、５を有している。

【００１１】ここで１０１、１０２および１０３がそれ
ぞれ光電変換装置の一つのユニット素子となる。そし
て、接続部９により、光電変換ユニット１０１の第２の
電極７と光電変換ユニット１０２の第１の電極２とが電
気的に接続されている。また、第１の開溝８によって光
電変換ユニット１０１と第２の光電変換ユニット１０２
の第１の電極並びに光電変換層とはそれぞれ絶縁され、
第２の電極６はレーザースクライブによって形成された
開溝１０によって互いに絶縁されている。

【００１２】また、光電変換ユニット１０１の基板側の
出力は集積化構造とする際の第２の電極７の形成工程に
て、同時に光電変換層上に導出され、導出電極１５に接
続されている。一方、光電変換ユニット１０３の第２の
電極の出力は第２の電極７を延長した導出電極１４に接
続されている。

【００１３】本実施例における光電変換装置では、この
導出電極１４、１５はその下の光電変換装置構成材料な
らびに基板の両方を貫通して設けられた導通孔１１の導
通部１２によって、裏面に設けられた出力端１３に接続
されている。この導通部１２は第２の電極７の構成材料
と同一のもので設けられている。これにより、本実施例
の光電変換装置は基板１の光電変換素子とは反対面側に
設けられた出力端１３よりその出力を外部へ取り出すこ
とができる。

【００１４】以下、本実施例の光電変換装置の作製工程
を図２以下を用いて説明する。まず、柔軟性を有する可
とう性基板であるプラスチックフィルム基板（以下単に
基板と記す）１上に第１の電極２としてＣｒ膜をスパッ
タ法によって２０００Åの厚さに成膜する。本実施例で
は、プラスチックフィルム基板としてポリエチレンテレ
フタレートを用いた。

【００１５】このＣｒ膜の成膜はＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置を用い、以下の成膜条件で行った。アルゴン分圧６×１０^-3ＴｏｒｒＤＣ電流１Ａ基板温度加熱無し

【００１６】この後、このＣｒ膜上に非単結晶シリコン
の光電変換層３を形成する。この光電変換層は何ら限定
されるものではないが、プラスチックフィルム基板の耐
熱性を考えると１００度以下の基板温度で形成できる方
法が好ましい。

【００１７】本実施例においては、光電変換層３とし
て、基板側からＮ型、Ｉ型、Ｐ型の順に非単結晶シリコ
ン半導体を成膜しＰＩＮ型の光電変換層（計４５００Å
厚）を作製した。作製はプラズマＣＶＤ法を用い、以下
に示す条件で行った。

【００１８】Ｎ型半導体層（４００Å厚）の作製条件。基板温度８０℃ ＲＦパワー１０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）成膜圧力０．０４Ｔｏｒｒガス流量ＳｉＨ₄ ＝１５ｓｃｃｍ（ＰＨ₃ １％含有）Ｈ₂ ＝１５０ｓｃｃｍＩ型半導体層（４０００Å厚）の作製条件。基板温度８０℃ ＲＦパワー１０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）成膜圧力０．０４Ｔｏｒｒガス流量ＳｉＨ₄ ＝１５ｓｃｃｍＨ₂ ＝１５０ｓｃｃｍＰ型半導体層（１００Å厚）の成膜条件。基板温度８０℃ ＲＦパワー１０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）成膜圧力０．０４Ｔｏｒｒガス流量ＳｉＨ₄ ＝１６ｓｃｃｍ（Ｂ₂ Ｈ₆ １％含有）ＣＨ₄ ＝１８ｓｃｃｍＨ₂ ＝１４５ｓｃｃｍ

【００１９】こうして図２の状態を得たら、レーザース
クライブ法（レーザー光を用いた加工方法）により第１
の電極２と光電変換層３とからなる積層体の４ヶ所にお
いて第１の開溝８を形成する。このレーザースクライブ
は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を用い
以下の条件で行った。第１の開溝に対して１．０Ｊ／ｃｍ² ×７ショット

【００２０】また、本実施例においては、レーザービー
ムを線状に光学系で成形したものを用い、１ショットで
線状にレーザー加工を行ったが、スポットビームを線状
に操作していって加工を行う方法でもよい。

【００２１】また、レーザースクライブを行うためのレ
ーザー光の種類としては、その用途に応じて、ＡｒＦエ
キシマレーザー、ＸｅＦエキシマレーザー、ＹＡＧレー
ザー（スポット加工）等を用いることができる。前述の
ようにレーザー光の波長としては、６００ｎｍ以下のも
のが好ましいが、ＹＡＧレーザー（波長１．０６μｍ）
でも使用は可能である。

【００２２】ここで重要なのは、従来と異なり第１の電
極２と光電変換層３とを積層した状態でレーザースクラ
イブを行うことによって、第１の電極のレーザースクラ
イブ時におけるプラスチックフィルム基板からの剥離、
ささくれ、フレークの発生を大幅に抑えることができる
という顕著な特徴を有する点である。

【００２３】次に、図３に示すように絶縁物であるエポ
キシ樹脂４、５をスクリーン印刷法によって２μｍ〜２
０μｍの厚さに所定の位置に設けた。こうして、これら
を所定のパターンに形成することによって、第１の開溝
８に絶縁物であるエポキシ樹脂４が充填され、同時にエ
ポキシ樹脂よりなる絶縁物の層５が光電変換層３上に設
けられる。ここで、スクリーン印刷法を用いることで絶
縁物４と絶縁物の層５とを同時に形成すことができ、不
良が発生する大きな原因の一つであるパターニング工程
が簡略化されるという顕著な効果を得ることができる。
さらに、本発明の構成をとるとパターニング工程が上記
の絶縁物の加工のみですむので、上記のようなスクリー
ン印刷法を用いて、絶縁物のパターニング工程における
不良の発生を抑えることは、完成品の歩留りを向上させ
るのに大きな効果がある。

【００２４】また、ここでは加工がし易すいのでエポキ
シ樹脂を絶縁物をして用いたが、絶縁物であれば特に限
定されるものではなく、酸化珪素、さらにはポリイミ
ド、シリコンゴム等の有機樹脂、ウレタン、アクリル等
を用いることができる。しかしながら、後のレーザース
クライブ工程に際してレーザー光が照射されることにな
るので、弱いレーザー光の照射によって焼ききれたり昇
華してしまわない程度に耐熱性を有していた方が好まし
く、また、レーザー光を完全に透過してしまうような材
料は好ましくない。

【００２５】この様にして図３の状態を得る。また、開
溝８さらには絶縁物４、５の実際の位置は、パターニン
グ工程（本実施例ではスクリーン印刷法）やレーザース
クライブ工程の精度によって決定されるもので、図で示
される距離関係に限定されるものでないことはいうまで
もない。

【００２６】図３の状態を得た後、第２の電極６を２０
００Åの厚さに成膜する。第２の電極に使用する材料と
しては本実施例ではＩＴＯ膜を真空蒸着によって成膜し
たが、他に透光性を有するものであれば、その他の材料
例えば、ＳｎＯ₂ やＺｎＯ等で形成してもよい。また、
その形成方法も多様であるが、本実施例のように耐熱性
の乏しいプラスチックフィルム基板を用いる場合には、
基板に熱ダメージを与えない低温成膜方法が好ましい。

【００２７】次に、絶縁物の層５上に成膜された第２の
電極６をレーザースクライブ法によって開溝１０を形成
して切断することによって、図４の状態を得る。この
時、絶縁物の層５が遮蔽物となり光電変換層３にはレー
ザー光が届かないようにすることは重要である。従来
は、この透明導電膜のみを切断するレーザースクライブ
工程で、下の光電変換層３と第１の電極２をも一緒に加
工してしまうことが多々あり、そうすると、この領域で
合金化しショートが発生する等の問題が発生し、集積化
を困難としていた。しかしながら、本実施例に示すよう
な構成をとること、絶縁物の層５がレーザー光によって
ダメージを受けとめることになるので、この層が実質的
にバリアとなり、光電変換層３がレーザースクライブに
よって切断されることがなく、しかも確実に裏面電極を
切断することができ、プロセスの再現性および歩留りの
向上に極めて優れた効果があった。

【００２８】この後、光電変換素子の周辺部分に第２の
電極６、光電変換層３、第１の電極２および基板１を貫
通する導通孔１１をレーザー光により形成する。この導
通孔１１は基板まで貫通するため、基板を保持できる程
度には基板をのこす必要があり、本実施例ではこの導通
孔の合計面積が周辺の導通をとる領域の３０％程度とな
るようにＹＡＧレーザーを使用して、複数箇所形成し
た。

【００２９】次にこの導通孔が設けられた部分の反対側
の基板面に銅薄板１３をエポキシ系の接着剤を使用し
て、導通孔以外の部分を固着した。この後、第２の電極
の一部として、グリッド状の補助電極７を第２の電極６
上に設ける。この補助電極７は受光面では櫛状に形成さ
れ、となりの素子との接続部付近では棒状にほぼ全面に
形成されている。

【００３０】この補助電極７のパターンを改良し、光電
変換素子周辺の導通孔１１付近にまで形成し、導出電極
部１４、１５を設ける。この補助電極７は銀ペーストを
使用し、所定のパターンでスクリーン印刷法によって、
形成される。これによって、導通部１２を設け、図５の
状態を得る。この補助電極７を１００℃５０分の熱処理
を施し、焼成して、補助電極７の完成と導通部１２の形
成とを行ない、光電変換装置の出力を基板の裏面に設け
られた出力端１３より取り出せるようにする。

【００３１】次に、この補助電極が形成された第２の電
極６、７を隣の光電変換素子ユニットの第１の電極と接
続を行なう。この接続にはレーザー光を使用し、第２の
電極６、７側からＹＡＧレーザー光を照射し、この第２
の電極成分を溶融、拡散させてゆき、半導体層３を貫通
して、第１の電極と接続するものであります。この接続
のために照射するレーザー光の照射条件は１．０６μｍ
の波長のＹＡＧレーザー光を使用し、レーザーのＱスイ
ッチの発振周波数２ＫＨｚ、０．２Ｗのエネルギーで、
導通を取る部分を１０ｍｍ／秒のスキャンスピードでス
キャンしてゆくことて、第２の電極６、７と第１の電極
２との接続部９を形成する。以上のような、作製工程に
て、本実施例の光電変換装置を完成することができた。

【００３２】この様な構造をとることにより、光電変換
装置の出力端１３は基板と直接に強力な接着剤で固定す
ることができ、十分な接着力を持っている。さらに、電
極との接続はＡｇペーストにより、十分良好な接続を実
現でき、極部的な加熱を行なうことが無く、光電変換装
置の出力端を形成することができた。また、このように
出力端が基板の裏面側に設けることができたので、この
出力を外部に供給する際に光電変換装置の面積で行なう
ことができ、取り出しのための周辺の面積を減らすこと
ができた。

【００３３】〔実施例２〕本実施例では、光電変換装置
の構造として、図１（Ｂ）のような構造とした。この構
造では、第２の電極７と基板裏面にある出力端１３との
接続ための導通部１２が基板の端面に設けられている例
である。その他の作製工程は、実施例１と同様に作製す
ることができるが、基板を貫通するためレーザー工程が
不要となっている。

【００３４】また、基板端面を導通部１２として使用す
るために、出力端１３は基板からはみでるように基板裏
面に接着されている。このようにすると、実施例１と同
様な効果を得られながら、より工程数を少なくすること
ができる。また、実施例１のように導通部１２が限られ
た大きさではないので、より、接続のための信頼性およ
び製造歩留りを高くすることができる利点がある。

【００３５】〔実施例３〕本実施例では、光電変換装置
の構造として、図１（Ｃ）のような構造とした。この構
造では、第２の電極７と基板裏面にある出力端１３との
接続ための導通部１２が基板の端面に設けられている例
である。実施例２とは異なり、導通部１２が第２の電極
７を構成する材料ではなく、基板裏面に設けられた出力
端１３を構成する材料で構成されてており、基板を挟む
ような形状の金属性のクランプとなっている。その他の
作製工程は、実施例１と同様に作製することができる
が、基板を貫通するためレーザー工程が不要となってい
る。

【００３６】この導通部１２と出力端１３を兼ねた金属
性のクランプは光電変換装置の断面に対してコの字型に
嵌め込むように設けられ、より強力に固定される。当然
ながら、必要により、基板との接着剤を設けてもよい。
また、基板を挟むだけでは、第２の電極６との十分な導
通を確保できないので、第２の電極７（補助電極）をこ
のクランプ上にまで延長し、第２の電極６、７との接続
を確保することで、十分な接続を実現できた。

【００３７】本実施例のような構成の場合、外部への出
力の取り出しを基板裏面のみではなく、基板の端面も利
用でき、このような光電変換装置を補助電源とするよう
な製品に組み込む際に優位であった。

【００３８】以上の３つの実施例ては特定の集積化構造
を持つ光電変換装置を例にして、説明をおこなったが，
特にこの集積化構造に限定されることはなく、その他の
構造のものでも、本発明を適用できることはいうまでも
ない。

【００３９】

【発明の効果】本発明の構成により、半田付けなしで、
良好な接着強度と十分な導通性を持つ出力端を耐熱性の
ない可撓性基板上に設けることができた。これにより、
基板のそり、歪みの発生しない光電変換装置を実現でき
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光電変換装置の概略断面図を示す。

【図２】本発明の光電変換装置の作製工程の一例を示
す。

【図３】本発明の光電変換装置の作製工程の一例を示
す。

【図４】本発明の光電変換装置の作製工程の一例を示
す。

【図５】本発明の光電変換装置の作製工程の一例を示
す。

【図６】本発明の光電変換装置の作製工程の一例を示
す。

【図７】従来の光電変換装置の概略断面図を示す。

【符号の説明】

１・・基板２・・第１の電極３・・半導体層６、
７・・第２の電極１１・・導通孔１２・・導通部１３・・出力端

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者篠原久人東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者阿部雅芳東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (56)参考文献特開昭60−123073（ＪＰ，Ａ) 特開昭59−168681（ＪＰ，Ａ) 実開平２−92949（ＪＰ，Ｕ) 実開昭59−125849（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 31/04

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂材料でなる基板の表面側に、第１の電
極上に接する光電変換層と、前記光電変換層上に接する
第２の電極とを有する光電変換素子を集積した光電変換
装置の作製方法であって、前記基板の表面に、前記第１の電極、前記光電変換層、
前記第２の電極の順で積層された積層物を複数形成し、前記基板の裏面であって、表面側に前記積層物が設けら
れている個所に出力端を形成し、少なくとも一つの前記積層物上に、当該積層物の第２の
電極に接し、隣接する積層物の光電変換層と第１の電極
および前記基板を貫通して、前記出力端に接する第３の
電極を形成し、他の前記積層物上にそれぞれ、当該積層物の第２の電極
に接し、隣接する積層物の光電変換層を貫通して、第１
の電極に接する第４の電極を形成することを特徴とする
光電変換装置の作製方法。
【請求項２】樹脂材料でなる基板の表面側に、第１の電
極上に接する光電変換層と、前記光電変換層上に接する
第２の電極とを有する光電変換素子を集積した光電変換
装置の作製方法であって、前記基板の表面に、互いに電気的に分離された前記第１
の電極と前記光電変換層でなる積層物を複数形成し、隣り合う二つの光電変換層の表面に接するように、前記
積層物上にそれぞれ前記第２の電極を複数形成し、前記基板の裏面であって、表面側に前記積層物が設けら
れている個所に出力端を形成し、少なくとも一つの前記第２の電極上に、当該第２の電極
に接し、当該第２の電極が接する一方の積層物および前
記基板を貫通して、前記出力端に接する第３の電極を形
成し、他の前記第２の電極上に、当該２の電極に接する一方の
積層物の光電変換層を貫通して前記第１の電極に接する
第４の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の
作製方法。
【請求項３】前記第２の電極を透明導電膜で形成するこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２の光電変換装置の
作製方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記光電変換層はシリコンでなる半導体層であることを
特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記第１の電極を金属でなる膜で形成することを特徴と
する光電変換装置の作製方法。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記第３の電極および第４の電極を導電ペーストで形成
することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】樹脂材料でなる基板に、第１の導電膜、光
電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換素子を集積
した光電変換装置の作製方法であって、前記基板の表面に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜をそれぞれ複数に
分割し、前記光電変換層上に接して前記第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を複数に分割し、前記基板の裏面側であって、表面側に前記第１の導電
膜、前記光電変換層及び前記第２の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、分割された前記第２の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、前記導電体の少なくとも一つに、前記光電変換層、前記
第１の導電膜及び前記基板を貫通して、前記出力端に接
する部分を形成し、他の前記導電体に、前記光電変換層を貫通して、分割さ
れた前記第１の導電膜の一つに接する部分を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】樹脂材料でなる基板に、第１の導電膜、光
電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換素子を集積
した光電変換装置の作製方法であって、前記基板の表面に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜をそれぞれ複数に
分割し、前記光電変換層上に接して前記第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を複数に分割し、分割された前記第２
の導電膜のそれぞれが、隣り合う二つの分割された光電
変換層に接するように形成し、前記基板の裏面側であって、表面側に前記第１の導電
膜、前記光電変換層及び前記第２の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、分割された前記第２の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、前記導電体の少なくとも一つに、前記第２の導電膜、分
割された前記光電変換層の一方、前記第１の導電膜及び
前記基板を貫通して、前記出力端に接する部分を形成
し、他の前記導電体に、前記第２の導電膜、分割された前記
光電変換層の一方を貫通して、分割された前記第１の導
電膜の一つに接する部分を形成することを特徴とする光
電変換装置の作製方法。
【請求項９】樹脂材料でなる基板の表面側に、第１の導
電膜、光電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換素
子を集積し、前記基板の裏面側に、前記光電変換素子の
出力を取り出す出力端を設けた光電変換装置の作製方法
であって、前記基板の表面に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜それぞれを複数に
分割し、前記光電変換層上に接して前記第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜を複数に分割し、前記第２の導電膜、前記光電変換層、前記第１の導電膜
及び前記基板を貫通する孔を少なくとも一つ形成し、分割された前記第２の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、前記基板において、前記孔は前記出力端が形成される部
分を貫通しており、前記孔を通って、前記出力端に接するように、前記孔が
形成されていない第２の導電膜に接する導電体を形成す
ることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】樹脂材料でなる基板に、第１の導電膜、
光電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換素子を集
積した光電変換装置の作製方法であって、前記基板の表面に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜を貫通する複数の
第１の溝を形成して、それぞれ複数に分割し、前記第１の溝に絶縁物を充填し、前記光電変換層及び前記絶縁物上に接して前記第２の導
電膜を形成し、前記第２の導電膜を複数に分割し、前記第２の導電膜を貫通する複数の第２の溝を形成し
て、前記第２の導電膜を複数に分割し、前記基板の裏面側であって、表面側に前記第１の導電
膜、前記光電変換層及び前記第２の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、分割された前記第２の導電膜上に接して、それぞれ導電
体を形成することを含んでおり、前記導電体の少なくとも一つに、前記光電変換層、前記
第１の導電膜及び前記基板を貫通して、前記出力端に接
する部分を形成し、他の前記導電体に、前記光電変換層を貫通して、分割さ
れた前記第１の導電膜の一つに接する部分を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】樹脂材料でなる基板の表面側に、第１の
導電膜、光電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換
素子を集積し、前記基板の裏面側に、前記光電変換素子
の出力を取り出す出力端を設けた光電変換装置の作製方
法であって、前記基板の表面に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜をそれぞれ貫通す
る複数の第１の溝を形成し、前記第１の溝に絶縁物を充填し、前記光電変換層及び前記絶縁物上に接して前記第２の導
電膜を形成し、前記第２の導電膜を貫通する複数の第２の溝を形成し、前記第２の導電膜、前記光電変換層、前記第１の導電膜
及び前記基板を貫通する孔を少なくとも一つ形成し、前記基板の裏面側であって、表面側に前記第１の導電
膜、前記光電変換層及び前記第２の導電膜が積層されて
いる個所に、出力端を少なくとも一つ形成し、分割された前記第２の導電膜上にそれぞれ接して、導電
体を形成することを含んでおり、前記基板において、前記孔は前記出力端が形成される部
分を貫通しており、前記孔を通って、前記出力端に接するように、前記孔が
形成された第２の導電膜に接する導電体を形成し、前記光電変換層を貫通して、前記第１の導電膜に接する
ように、前記孔が形成されていない第２の導電膜に接す
る導電体を形成することを特徴とする光電変換装置の作
製方法。
【請求項１２】前記絶縁物を印刷法で形成することを特
徴とする請求項１０又は１１の光電変換装置の作製方
法。
【請求項１３】樹脂材料でなる基板に、第１の導電膜、
光電変換層及び第２の導電膜を有する光電変換素子を集
積した光電変換装置の作製方法であって、前記基板の表面側に前記第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に接して前記光電変換層を形成し、前記光電変換層及び前記第１の導電膜を貫通する複数の
第１の溝を複数形成し、前記第１の溝に絶縁物を充填
し、前記光電変換層上に接し、前記絶縁物上に近接して前記
第２の絶縁物を複数形成し、前記光電変換層、前記第１の絶縁物及び前記第２の絶縁
物上に接して前記第２の導電膜を形成し、前記第２の導電膜の前記第２の絶縁物上の部分を選択的
に除去することで、第２の溝を複数形成して前記第２の
導電膜を複数に分割し、前記第２の導電膜、前記光電変換層、前記第１の導電膜
及び前記基板を貫通する少なくとも一つ形成し、前記孔が設けられた個所に基板の裏面側に出力端を形成
し、分割された前記第２の導電膜上に接して導電体をそれぞ
れ形成し、この際、前記孔が形成された第２の導電膜に
接する導電体は前記孔を通って前記出力端に接するよう
に形成し、前記孔が形成されていない第２の導電膜に接する導電体
において、前記第１の絶縁物と前記第２の絶縁物の間を
部分的に加熱して溶融させることにより、前記第２の導
電膜及び前記光電変換層を貫通して、前記第１の導電膜
に接する部分を形成することを特徴とする光電変換装置
の作製方法。
【請求項１４】前記第１の絶縁物及び前記第２の絶縁物
を印刷法で同時に形成することを特徴とする請求項１３
の光電変換装置の作製方法。
【請求項１５】請求項１３又は請求項１４において、レ
ーザー光を照射することにより、前記孔が形成されてい
ない第２の導電膜に接する導電体を部分的に加熱して溶
融し、前記第２の導電膜及び前記光電変換層を貫通し
て、前記第１の導電膜に接する部分を形成することを特
徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１６】請求項１０乃至１５のいずれか一項にお
いて、レーザースクライブによって、前記第１の溝を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１７】請求項１０乃至１６のいずれか一項にお
いて、レーザースクライブによって、前記第２の溝を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１８】請求項７乃至１７のいずれか一項におい
て、導電性ペーストを用いて、前記導電体を形成するこ
とを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１９】請求項７乃至１８のいずれか一項におい
て、前記第２の導電膜として透明導電膜を形成すること
を特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２０】請求項７乃至１９のいずれか一項におい
て、前記光電変換層としてシリコンでなる半導体膜を形
成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２１】請求項７乃至１９のいずれか一項におい
て、前記光電変換層にＰＩＮ接合を形成することを特徴
とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２２】請求項７乃至２１のいずれか一項におい
て、前記第１の導電膜として、金属でなる膜を形成する
ことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２３】請求項１乃至２２のいずれか一項におい
て、前記基板はプラスチックフィルム基板であることを
特徴とする光電変換装置の作製方法。