JPH0566754B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0566754B2
JPH0566754B2 JP58168555A JP16855583A JPH0566754B2 JP H0566754 B2 JPH0566754 B2 JP H0566754B2 JP 58168555 A JP58168555 A JP 58168555A JP 16855583 A JP16855583 A JP 16855583A JP H0566754 B2 JPH0566754 B2 JP H0566754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
photoelectric conversion
frame
conversion device
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58168555A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6059785A (ja
Inventor
Shunpei Yamazaki
Kenji Ito
Satsuki Watabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP58168555A priority Critical patent/JPS6059785A/ja
Publication of JPS6059785A publication Critical patent/JPS6059785A/ja
Publication of JPH0566754B2 publication Critical patent/JPH0566754B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光照射により光起電力を発生する
アモルフアス半導体を含む非単結晶半導体が絶縁
表面を有する基板上に設けられた光電変換素子
（単に素子ともいう）を複数個電気的に直列接続
して、高い電圧の発生が可能な光電変換装置にお
ける端部に枠を設けることにより、この枠で素子
の電気特性が劣化しないように設けた分離溝の構
造およびその作製方法に関する。
この発明は、複数の素子間の連結に必要な面積
を従来のマスク合わせ方式の1/10〜1/100にする
ため、レーザスクライブ（以下LSという）方式
を用いたことを特徴とする。
この発明は、LS方式により、分離溝を第１の
枠用の開溝と第２の枠用の開溝とで設けることに
より、何等のマスクを用いることなしに製造する
ための構造を示す。
この発明はこの分離溝の形成においても、その
光電変換素子とまつたく同一工程即ち余分の工程
を用いることなしに製造したものである。
さらに本発明においては、２つの端部における
分離溝において、この光電変換装置のアルミサツ
シ、炭素繊維の枠との接続部がもしずれても素子
の特性の劣化をもたらさず、かつこの端部の形成
に何等のマスクを用いずに作製したことを特長と
している。
即ちこの発明はマスクレスのLS方式であつて、
信頼性において特に劣化しやすい外部引出し電極
部での連結をより確実に行うことを可能にした光
電変換装置に関する。
この発明ではレーザビームスクライブ方式を用
いることにより、合わせレーザを基準としてこの
スクライブされるアドレスを予めコンピユータ
（マイクロ・コンピユータ）のメモリに記憶させ
ておくことにより、従来より知られたマスク合わ
せ方式で必要なマスクのずれ、そり、合わせ精度
に対する製造歩留りの低下等のすべての製造での
価格増、歩留り減の原因を一気に排除せしめたこ
とを特徴とする。
従来、光電変換装置（以下単に装置という）即
ち同一基板上に複数の素子を配置し、それを集積
化またはハイブリツド化した装置はその実施例が
多く知られている。
例えば特開昭55−4994、特開昭55−124274さら
に本発明人の出願になる特願昭54−90097／
90098／90099（昭和54.7.16）が知られている。
例えば本発明人の出願になる特許願は、半導体
をSixC1-x−Siのヘテロ接合とし、単に他のアモ
ルフアス・シリコン半導体を用いる場合と異なら
せており、さらにこの半導体として、アモルフア
ス構造以外に微結晶構造を含む水素またはハロゲ
ン元素が添加されたPNまたはPIN接合を少なく
とも１つ有する非単結晶半導体を集積化またはハ
イブリツド化したものである。
本発明はかかる集積化構造をマスクに用いずに
成就するものであるが、この集積化の際、余分の
工程がかかりやすい外枠との連結部の周辺部の製
造において、集積化工程と同一工程で成就するも
のである。
このため、本発明の光電変換装置特に薄膜型の
光電変換装置にあつては、それぞれの薄膜層であ
る電極用導電層、また半導体層はともにそれぞれ
500Å〜1μｍであり、レーザスクライブ方式を用
いることにより、まつたくマスク合わせを必要と
しないで作製することが可能となつた。
このLS方式においては10〜100μｍ例えば50μｍ
の巾の線状の開溝により２つの領域を分離するこ
とが可能である。しかしこのLS方式においては、
面としての選択的の除去はきわめて生産性が悪
い。さらにLS方式においては直線状の線を有せ
しめることは生産性が大きいが、曲線を複雑に走
査すると走査スピードが遅くなり、価格の上昇を
もたらす。このことによりLS方式における集積
化構造を作るにおいては、直線状でかつ線状の開
溝によつて成就することが工業的にきわめて重要
である。本発明はかかる特長を十分用いることに
よる光電変換装置の周辺部即ち側端部の構造およ
び製造方法に関する。
本発明においては、このスクライブ工程がマイ
クロ・コンピユータを併用することによりきわめ
て簡単かつ高精度であり、装置の製造コストの低
下をもたらした。そのため500円／Ｗの製造も可
能となり、その製造規模の拡大により100〜200
円／Ｗも可能となるというきわめて画期的な光電
変換装置を提供することによる。
さらに本発明においてはこのレーザスクライブ
工程を用いるに加えて、そのスクライブラインの
合わせ精度に冗長（余裕）度をもたせたことが重
要である。そのため隣合つた素子間の第１の電極
（下側）と他の素子の第２の電極（上側電極）と
が第２の電極より延在したリードにより第１の電
極とその側面において電気的に連結させることに
より、スクライブラインの開溝の位置に冗長度を
持たせることができた。
第１図は本発明を用いた光電変換装置のパネル
５０を上面より示したものである。即ち、図面に
おいて、光電変換素子３１，１１は連結部１２を
経て直列に連結して集積化されている。外部引出
し電極は５に両端部が設けられている。
パネルの上端、下端に枠と電気的にシヨートし
ないように分離溝６２が設けられている。この本
発明の分離溝を特に設けたことにより、光電変換
装置の有効面積を精密に規定することができ、さ
らにこの分離溝の外側に導電膜が存在しても（即
ちマスクを用いないため被膜が基板全面に一般に
作製される）この残存導電膜と素子とを完全に電
気的に分離することが可能となつた。
第１図のパネルにおいて、その大きさは20cm×
60cm、40cm×120cm、40cm×60cm等の任意の大き
さを設計によつて得ることができる。
第１図における（Ａ−A′）の縦断面図を第２
図に示す。（Ｂ−B′）の縦断面図を第３図Ａ（Ｃ
−C′）の縦断面図を第３図Ｂに示している。
さらに本発明の端部の構造を（Ｄ−D′）の縦
断面図を第４図Ｂに、Ｅを第４図Ａに拡大して示
している。番号はそれぞれに対応させている。
第２図は第１図Ａ−A′の縦断面図を示す。即
ち、光電変換装置の製造工程を示す縦断面図であ
る。
第２図、第４図において絶縁表面を有する基板
例えば透光性基板１即ちガラス板（例えば厚さ
1.2mm、長さ（図面では左右方向）60cm、巾20cm）
を用いた。さらにこの上面に全面にわたつて透光
性導電膜例えばITO（約1500Å）＋SnO2（200〜400
Å）またはハロゲン元素が添加された酸化スズを
主成分とする透光性導電膜（1500〜2000Å）を真
空蒸着法、LP CVD法、プラズマCVD法または
スプレー法により形成させた。この第１の導電膜
は外部引出し電極部においては不要であるが、マ
スクを用いた場合における製造価格の上昇を避け
るためにマスクを用いたパターニングは行なわな
い。従つて、第１図における周辺部５９にも透光
性導電膜CTFが形成されることになる。
この後この基板の下側または上側よりYAGレ
ーザ加工機（日本レーザ製）により出力0.5〜3W
出力を加え、スポツト径30〜70μｍφ代表的には
50μｍφをマイクロ・コンピユータを制御して照
射し、その走査によりスクライブライン用開溝１
３，１３′を形成させ、各素子領域間および外部
引出し電極領域を分割した。そして第１の電極を
作製した。
この第１のLSにより形成された開溝１３，１
３′は巾約50μｍ、長さ20cmとし、深さは第１の
電極それぞれを完全に切断分離した。この長さは
基板第１図における上端から下端まで通り抜けて
いる。
かくして外部引出し電極領域５第１の素子領域
３１および第２の素子領域１１を構成させた。こ
れらの素子の巾は10〜20mmとした。
さらにこの第１の開溝１３，１３′とは直角方
向に第１の枠用の開溝を第４図における５６に示
すごとくに作製した。この第１の枠用の開溝５６
は端部７０より１mmの巾で内側に設けた。
この後この上面にプラズマCVD法またはLP
CVD法、光CVD法、光プラズマCVD法、LT
CVD法（HOMO CVD法ともいう）によりPNま
たはPIN接合を有する非端結晶半導体層３を0.2
〜1.0μｍ代表的には0.4〜0.6μｍの厚さに形成させ
た。その代表例はＰ型半導体（SixC1-x Ｘ＝
0.850〜150Å）４２−Ｉ型アモルフアスまたはセ
ミアモルフアスのシリコン半導体（0.4〜0.6μｍ）
４３−Ｎ型の微結晶（100〜200Å）を有する半導
体４４よりなる１つのPIN接合を有する非単結晶
半導体３を形成させた。この半導体として、Ｐ型
半導体（SixC1-x）−型Si半導体−Ｎ型Si半導体
−Ｐ型Si半導体−型SixGe1-x半導体−Ｎ型半導
体よりなる２つのPIN接合と１つのPN接合を有
するタンデム型のPINPIN……PIN接合の半導体
３としてもよい。
かかる非単結晶半導体３をCTF２上の第１の
開溝１３，１３′、さらに第１の枠用開溝５６上
に全面にわたつて均一の膜厚で形成させた。さら
に第２図Ｂに示されるごとく、第１の開溝１３の
左側に第２の開溝１８を50μｍの巾に100〜500μ
ｍの距離１７をわたらせて第２のLS工程により
形成された。このレーザはガラス１の下方向また
はこの基板の上方のいずれからも行つてよい。
かくして第２の開溝１８は第１の電極の側面
８，９を露出させた。この第２の開溝により形成
された第１の電極の右側の側面９の存在は第１の
電極３７の側面１６より左側の第１の素子の第１
の電極位置上にわたつて設けられていることが特
徴である。そして第２図Ｂに示されるごとく、第
１の電極３１の内部に入つてしまうことにより、
第１の電極の側面を８，９と露出せしめている。
かくすることにより第１の素子の第１の電極３７
の一部が第２の開溝の右側に残存している。かか
る残存領域がない場合、レーザ光の高熱（〜2000
℃）によりCTF２よりもはるかに加工されやす
いため、第１の開溝１３に充填された半導体が吹
き飛んでしまう。そのため第１および第２の素子
の第１の電極間のアイソレイシヨンが不可能にな
る。このことにより第２図Ｂに示すごとく、第２
の開溝が第１の電極の内部に入つて設けられてい
ることはきわめて重要である。この９の部分に残
存するCTFは50〜500μｍの巾を有せしめた。こ
のレーザ光が１〜5Wで多少強すぎでこのCTF３
７の深さ方向のすべてを除去してしまい、その結
果側面８に第２図Ｃで第２の電極３８を密接させ
ても実用上何等問題はない。即ちレーザ光の出力
パルスの強さに余裕を与えることができることが
本発明の工業的応用の際きわめて重要である。
第２図において、さらにこの上面に第２図Ｃに
示されるごとく、裏面の第２の電極４を形成し、
さらに第３のLS法により、切断分離用の第３の
開溝２０を設けた。
この第２の電極４は透光性導電膜を700〜1400
Åの厚さにITO（酸化インジユームスズ）により
形成し、さらにその上面に反射性金属の銀、アル
ミニユームまたはクロムを300〜3000Åの厚さに
形成した。さらにその上面に銅、アルミニユーム
またはアルミニユームとニツケルとの２層膜を形
成させた。例えば、ITOを1050Å、クロムを500
Å、銅を1000Å、さらにニツケルを1500Åの３層
構造とした。このITOと反射性金属は裏面側での
入射光１０の反射を促し、600〜800nｍの長波長
光を有効に光電変換させるためのものである。さ
らにニツケルは外部引出し電極部５においてパツ
ド４９と外部接続体２３との密着性を向上させる
ためのものである。これらは電子ビーム蒸着法ま
たはプラズマCVD法を用いて半導体層３を劣化
させない300℃以下の温度で形成させた。
このITOは半導体３と裏面電極４との化学反応
による信頼性低下の防止、即ち信頼性の向上にも
役立つている。
かくのごとき裏面電極をレーザ光を上方より照
射して第２の電極を切断分離して第３の開溝２０
（巾50μｍ）を形成した場合を示している。この
レーザ光は半導体特に上面に密接するＮまたはＰ
型の半導体層をえぐりだし４０隣合つた第１の素
子３１‖第２の素子１１間の開溝部での残存金属
または導電性半導体によるクロストーク（リーク
電流）の発生を防止した。
特にこの半導体３がＰ型半導体層４２、型半
導体層４３、Ｎ型半導体層４４と例えば１つの
PIN接合を有し、このＮ型半導体層が微結晶また
は多結晶構造を有する場合、１〜200（Ωcm）-1と
高い電気伝導度を持つ。このためＮ型導電性半導
体層をえぐり出して除去し、凹部に真性半導体を
設けてリーク電流発生を防止することはきわめて
重要であつた。このえぐりだしは型半導体層を
越え、第１の電極用のCTFにまで達成しないこ
とが好ましい。このＩ層の表面を酸化して酸化珪
素とすると、さらにリーク電流を少なくすること
ができた。
さらに第４図に示すごとく、第１の枠用の開溝
５６の端部側に第２の枠用の開溝５７を形成し、
分離溝６２を構成させた。この第２の枠用の開溝
は少なくとも第２の導電膜４をえぐり出すことが
重要である。その面を第２図Ｃにおける第３の開
溝と同一レーザ出力で形成してもよい。しかしさ
らに強くして第４図Ｂに示すごとく、その下の半
導体３、第１の導電膜２をも同時切断してしまう
ことは製造上きわめて容易であり、この時、第１
の枠用開溝５６との間に間〓を50〜500μｍ有し、
ここにCTF６１を残存させ、第２の開溝に形成
により第１の開溝内に充填されている半導体が飛
び散つてしまうことを防いだ。
かくして第２図Ｃに示されるごとく、複数の素
子３１，１１を連結部１２で直列接続した。
同時に外部引出し電極５を何等余分の工程を加
えることなしに作製することができ、光電変換装
置としてのLS方式による低価格整合が可能とな
つた。
第２図Ｄ、第４図Ｂはさらに本発明を光電変換
装置として完成させんとしたものであり、即ちパ
ツシベイシヨン膜としてプラズマ気相法により窒
化珪素膜２１を500〜2000Åの厚さに形成させ、
各素子間のリーク電流の発生を防いだ。これらに
ポリイミド、ポリアミド、カプトンまたはエポキ
シ等の有機樹脂２２を充填した。
かくして照射光１０に対して、この実施例のご
とき基板（60cm×20cm）において、各素子を巾
14.35mm、連結部１２の巾150μｍ、外部引出し電
極部５の巾10mm、周辺部６９４mmにより有効面積
（192mm×14.35mm×40段 1102cm2即ち91.8％）を
得ることができた。その結果、セグメントが10.6
％の変換効率を有する場合、パネルにて9.7％
（AM1（100ｍＷ／cm2））にて11.6Wの出力電力を
有せしめることができた。
さらに金属マスクをまつたく用いないため、大
面積パネルの製造工程において何等の工業上の支
障がなく、大電力発生用の大面積低価格大量生産
用にきわめて適している。
以上のYAGレーザのスポツト層をその出力３
〜5W（30μｍ）、５〜8W（50μｍ）で用いた場合で
あるが、さらにそのスポツト径を技術思想におい
て小さくすることにより、この連結部をより小さ
く、ひいては光電変換装置としての有効面積をよ
り向上させることができるという進歩性を有して
いる。
第３図は本発明の外部引出し電極５，４１を第
１図（Ｂ−B′）、（Ｃ−C′）に対応してその縦断面
図で示す。
第３図Ａは第１の外部引出し電極部の構造を示
し、第２図に対応しているが、外部引出し電極部
５は外部接続体４７に接触するパツド４９を有
し、このパツド４９は隣の素子の第２の電極（上
側電極）４と連結している。この時、外部接続体
４７の加圧が強すぎて、パツド４９がその下の第
１の導電膜５３に半導体３を突き抜けてシヨート
しても、隣の素子の第１の電極２とシヨートしな
いように開溝１３′を設け、電極部５の第１のパ
ツド４９とその隣に位置している素子の第１の電
極２とを電気的に離間させている。また外側部は
基板１の端部であり、導体、半導体とも側面２
０′により切断分離されている。
さらに第３図Ｂは第２の外部引出し電極部の構
造を示している。この第２の電極部は、隣の光電
変換素子の下側の第１の電極２の側面５５にパツ
ド４８が第２の導電性材料により１８′にて連結
して設けられている。さらにパツド４８は外部接
続体４６と電気的に連結接触している。ここでも
開溝２０″、端部２０によりパツド４８はまつ
たく他の光電変更素子と電気的に分離されてお
り、１つのパネルで合わせ用マスクをまつたく用
いることなしに光電変換装置を作ることができる
という特徴を有する。
第４図は本発明の第１図におけるＤ−D′およ
びＥの拡大図である。
第４図Ａにおいて、２つの素子３１，１１およ
び連結部１２を有している。側端部７０およびそ
の近傍においても、第４図Ｂに示すごとく、
CTF５９、第２導電膜５８が残存してしまう。
このため、これらの導体が残存しても素子３１，
１１の特性が劣化しないようにすること、さらに
この導体６９が残存しても、ここの部分を外枠６
０で固定することが可能な構造を有せしめてい
る。即ち、基板の側端部にそつて、第１の導電膜
２は第１の枠用の開溝５６を形成している。さら
にこの第１の枠用の開溝を覆つて、半導体３、第
２の導電膜４を形成する。その後、第１の枠用の
開溝５６の端側にわたつて第２の枠用の開溝５７
を設け、この開溝をLSにより作り、導体２，４
半導体３を切断分離している。すると第２の導電
膜４と第１の導電膜６１とがシヨートしても、第
１の枠用の開溝５６により電極２，４間のシヨー
トを防ぐことができる。また、アルミサツシ、炭
素繊維等による枠６０により、導体６９が加圧さ
れ、シヨートしても、素子３１，１１は何等の特
性劣化がない。即ち、側端部は２つの枠用の開溝
５６，５７による分離溝６２により初めて安定に
外枠等により機械的に補強することができた。そ
してこの外枠によつて素子が劣化することがな
く、樹脂６３で枠と光電変換装置と固めても、十
分信頼性の高い装置とすることが可能となつた。
またさらにこのパネル例えば40cm×20cmまたは
60cm×20cmを６ケまたは４ケに直列に枠内に組み
合わせることによりパツケージされ、120cm×40
cmのNEDO規格の大電力用のパネルを設けるこ
とが可能である。
またこのNEDO規格のパネルはシーフレツク
スにより他のガラス板を本発明の光電変換装置の
反対面側（図面では上側）にはりあわせて合わせ
ガラスとし、その間に光電変換装置を配置し、風
圧、雨等に対し機械強度の増加を図ることも有効
である。
第１図〜第４図において光入射は下側のガラス
板よりとした。しかし本発明はその光の入射側を
下側に限定するものではない。
即ち、基板を可曲性の絶縁表面を有する基板例
えばアルミニユームを陽極化成させたものを用
い、上面の第２の電極をITOのみとすることによ
り、上面よりの入射による電光変換を行うことを
可能とする。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光電変換装置のパネルであ
る。第２図は本発明の光電変換装置の製造工程を
示す縦断面図である。第３図、第４図は本発明の
第１図の光電変換装置を拡大して示した縦断面図
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁表面を有する基板上に設けられた第１の
    導電膜と、該導電膜上に設けられた非単結晶半導
    体と、該非単結晶半導体上に設けられた第２の導
    電膜とを有する光電変換素子を複数直列に接続し
    た光電変換装置であつて、前記第１の導電膜には
    該導電膜のみを光電変換装置の周辺部から電気的
    に分離する第１の枠用の開溝が設けられており、
    前記第１の導電膜と非単結晶半導体と第２の導電
    膜とには、該第１の導電膜と非単結晶半導体と第
    ２の導電膜とを光電変換装置の周辺部より電気的
    に分離する第２の枠用の開溝が、前記第１の枠用
    の開溝に沿つてかつ前記第１の枠用の開溝より光
    電変換装置の周辺部側に設けられていることを特
    徴とする光電変換装置。 ２ 絶縁表面を有する基板上に設けられた第１の
    導電膜と、該導電膜上に設けられた非単結晶半導
    体と、該非単結晶半導体上に設けられた第２の導
    電膜とを有する光電変換素子を複数直列に接続し
    た光電変換装置の作製方法であつて、前記第１の
    導電膜に該導電膜のみを光電変換装置の周辺部か
    ら電気的に分離するための第１の枠用の開溝を形
    成する工程と、前記第１の導電膜と非単結晶半導
    体と第２の導電膜とに該第１の導電膜と非単結晶
    半導体と第２の導電膜とを光電変換装置の周辺部
    より電気的に分離するための第２の枠用の開溝を
    前記第１の枠用の開溝に沿つてかつ前記枠用の開
    溝より光電変換装置の周辺部側に形成する工程と
    を有することを特徴とする光電変換装置の作製方
    法。
JP58168555A 1983-09-12 1983-09-12 光電変換装置およびその作製方法 Granted JPS6059785A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58168555A JPS6059785A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 光電変換装置およびその作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58168555A JPS6059785A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 光電変換装置およびその作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6059785A JPS6059785A (ja) 1985-04-06
JPH0566754B2 true JPH0566754B2 (ja) 1993-09-22

Family

ID=15870193

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58168555A Granted JPS6059785A (ja) 1983-09-12 1983-09-12 光電変換装置およびその作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6059785A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60100479A (ja) * 1983-11-04 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS60100480A (ja) * 1983-11-04 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JPS60100482A (ja) * 1983-11-05 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置の作製方法
JPS60100481A (ja) * 1983-11-05 1985-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置
JPH07105511B2 (ja) * 1986-04-14 1995-11-13 三洋電機株式会社 光起電力装置の製造方法
US4963600A (en) * 1988-12-19 1990-10-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Chroma neutralization of clear coats by adding pigment dispersions

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712568A (en) * 1980-06-02 1982-01-22 Rca Corp Method of producing solar battery
JPS5753986A (ja) * 1980-07-25 1982-03-31 Eastman Kodak Co
JPS5996779A (ja) * 1982-11-24 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS5996778A (ja) * 1982-11-24 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
JPS5996783A (ja) * 1983-09-12 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712568A (en) * 1980-06-02 1982-01-22 Rca Corp Method of producing solar battery
JPS5753986A (ja) * 1980-07-25 1982-03-31 Eastman Kodak Co
JPS5996779A (ja) * 1982-11-24 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
JPS5996778A (ja) * 1982-11-24 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置作製方法
JPS5996783A (ja) * 1983-09-12 1984-06-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6059785A (ja) 1985-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5470248B2 (ja) 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル
JPH0518274B2 (ja)
JPH0572112B2 (ja)
JPH0419713B2 (ja)
JPH0566754B2 (ja)
JP3393842B2 (ja) 光電変換装置の作製方法
JPS6059784A (ja) 光電変換半導体装置の作製方法
JPH0476227B2 (ja)
JPH0415631B2 (ja)
JPS5996778A (ja) 光電変換装置作製方法
JPS5996783A (ja) 光電変換装置
JP2585503B2 (ja) レ−ザ加工方法
JPS6018973A (ja) 光電変換半導体装置
US20210408313A1 (en) Strings of solar cells having laser assisted metallization conductive contact structures and their methods of manufacture
JPS62295467A (ja) 光電変換装置
JPH0566756B2 (ja)
JPH0566755B2 (ja)
JP2001111079A (ja) 光電変換装置の製造方法
JPS6095980A (ja) 光電変換装置
JPS6085572A (ja) 光電変換装置作製方法
JPS63146474A (ja) 光電変換装置作製方法
JPS59155973A (ja) 光電変換半導体装置
JPH0758797B2 (ja) 光電変換半導体装置の作製方法
JPH0570311B2 (ja)
JPH0572113B2 (ja)