JP3391030B2 - 電子デバイスの製造方法及びパターン露光方法 - Google Patents
電子デバイスの製造方法及びパターン露光方法Info
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Description
体、液晶素子等)が構成される基板上にパターンを露光
する電子デバイスの製造方法及びパターン露光方法に係
わり、特に、光源からの光を基板上面まで透過可能な領
域を有するマスクを基板上に微小ギャップ介して重ね、
マスクパタ−ンを基板上に転写するプロキシミティ露光
における基板とマスクとの間のギャップ量を、簡単な構
成および方法で、高精度にしかも短時間に検出し、かつ
所定のギャップ量に設定するのに好適な電子デバイスの
製造方法及びパターン露光方法に関する。
クとウエハ間の微小ギャップ(数十μm)の検出方法
は、該ギャップ量の検出およびその設定の精度が、パタ
ーニング精度に直接影響し、製作される電子デバイスの
性能を左右するため、ギャップ量を間接的に求めるエア
マイクロメータを使用する方法や、超音波や光学系を使
用して直接的に測定する方法等、各種の方法が提案され
ている。
クおよびウエハの各表面位置を検出する焦点検出法、マ
スクパターンと基板への投影パターンの間隔を測定する
方法、受光面に形成される干渉縞を使用する方法等があ
る。
とに設けられたパターンを光学系により別個に検出し、
両者のギャップ量を焦点位置の差から測定して検出する
もので、間接的に検出する方法である。
影パターンの間隔を測定する方法(例えば、特開昭61
−267321号公報)は、マスクにパターンを設け、
該パターンを斜めから照明してその影をウエハ上に投影
し、マスクの反対側斜め上方に配置した光学的検出系に
より、マスクに設けたパターンの実像と、ウエハ上に写
るマスクパターンの虚像を検出し、前記実像と虚像との
間隔を求め、その間隔からギャップ量を算出してマスク
とウエハとのギャップを所定の値に設定し得るように構
成し、ギャップ量を正確に設定することを目的にしたも
のである。この場合、マスクパターンとウエハ上に投影
されたパターンとの間隔を、リニアイメージセンサで測
定することによりギャップ量を検出することが可能であ
る。
ば、特開昭64−47904号公報)は、マスクにレー
ザ光を斜め上から入射させ、ウエハおよびマスクからの
反射光を受光してその受光面に形成される干渉縞の周期
長(ピッチ)を検知し、この周期長からマスク−ウエハ
間のギャップの大きさを求めるに際して、マスク上面に
対する入射角をブリュウスター角に合わせ、かつその入
射光をTM波(p偏光)にするかまたは反射光からTM
波成分(p偏光成分)のみを取り出して干渉縞を形成さ
せるようにした構成で、マスク上面の反射の悪影響を除
去し、周期長検知を安定させて信頼性を向上させること
を目的にしたものである。
るマスクと基板間のギャップ検出は、精度を高める上で
ギャップ量の絶対値を直接測定することが望ましいが、
前記従来の焦点検出法ではギャップ量の絶対値を直接的
に測定できないばかりか、焦点位置を移動させる機構の
精度に対する信頼性が十分でなく、それが検出精度に影
響するため、所望の高精度の検出・設定は望めないのが
実状であった。
するようにした前記マスクパターンと基板への投影パタ
ーンの間隔を測定する方法は、マスクに対して所定場所
に所定形状のパターン設定が必要であり、マスクの設計
においてパターン設定のための特別のスペースを確保し
なければならなず、またこのため、ギャップ検出のため
のマスクに対する照射を、前記パターン設定位置に限定
して行わざるを得ない等の制約を受ける問題点を有して
いた。
は、図9に示すレーザ光の入射角と反射角の関係(大気
中の屈折率n1=1.0,マスクの屈折率n2=1.5の
場合の関係)からわかるように、TM波の入射角をブリ
ュウスター角(以下、偏光角ともいう)ip1=56.
3°に合わせてマスク上面に入射させた場合は、図に実
線Rp(p偏光)で示すように反射率がゼロになるた
め、すべてのレーザ光はマスク内に入射される。そし
て、入射されたレーザ光は、マスク内を屈折角33.7
°で進みマスク下面に達する。さらに、マスク下面から
空気中(マスク−ウエハ間のギャップ部)に出る場合
は、図に点線Rpで示すように、ブリュウスター角ip
2=33.7°で反射率がゼロになるため、すべてのレ
ーザ光は、マスク下面では反射せず透過してウエハ上に
到達する。
上から入射する際、マスク上面に対する入射角をブリュ
ウスター角に合わせて入射させた場合は、入射させたT
M波はマスクの上面および下面で反射せず、そのすべて
がウエハ面に到達し該面にて反射することになる。そし
て、その反射した光は、マスク下面からマスク内を透過
したのち、マスク上面から、前記マスクに対する斜め上
からの入射角と同角度で、かつ法線に対して反対側に出
射する。このため上記構成においては、ウエハ上面およ
びマスク下面からの反射光のみによる二光束干渉は発生
せず、従って、干渉縞も形成されないことになるため、
前記ギャップの大きさを求めることができない問題点を
有している。
電子デバイスのパターン露光時におけるマスクと基板間
のギャップ量を、簡単な構成および方法で、高精度にし
かも短時間に検出し、かつ所定のギャップ量に設定する
ことができる電子デバイスの製造方法及びパターン露光
方法を提供することを目的とする。
め、本発明に係る電子デバイスの製造方法及びパターン
露光方法は、基板と該基板上にギャップを介して重ねた
露光用のマスクとの両者に光源からの光を照射し、この
照射による反射光を利用してギャップ量を検出し、前記
基板上にパターンを露光する際に、スリットパターン、
第一レンズの順に透過させた前記光源からの光を、この
光が前記基板上面まで透過可能な前記マスクの領域に対
して50°〜70°の入射角度で入射させて、前記マス
ク下面及び前記基板上面にスリットパターンを投影し、
この投影したスリットパターンをセンサで検出可能にす
る開口数を有する第二レンズを介して、反射光を前記セ
ンサで受光することにより該反射光の光強度を測定す
る。そして、この測定した光強度を光電変換して前記マ
スク下面における前記スリットパターンの反射光と前記
基板上面における前記スリットパターンの反射光の間隔
を検出し、この検出した間隔に対応するギャップ量が所
望のギャップ量と異なる場合には前記基板とマスクとの
間のギャップを変化させ、その検出した間隔に対応する
ギャップ量が所望のギャップ量である場合には前記基板
上にパターンを露光している。
イスの製造方法における当該電子デバイスは半導体デバ
イス又は液晶素子であり、上記パターン露光方法におけ
る基板は半導体デバイス又は液晶素子に用いられる基板
であってもよく、スリットパターンのスリット幅を第一
レンズの解像限界及び第二レンズの解像限界に近い値と
してもよい。また、上記本発明において、検出した間隔
に対応するギャップ量が所望のギャップ量と異なる場合
には、その夫々のギャップ量の差を小さくするように基
板とマスクとの間のギャップを変化させてもよく、この
ギャップの変化を、基板を移動させることにより行って
もよい。
させる光はS偏光成分(例えばレーザー光のS偏光成
分)であってもよい。
対して微小面積の形状パターン、例えば矩形状のスリッ
トを介してレーザ光のうちs偏光成分(以下、TE波と
もいう)を、レンズを通して例えば50°〜70°で照
射すると、該照射光のうち約30%がマスク上面で反射
するが、残り約70%はマスク内に入射しマスク内を透
過してマスク下面に達する。このマスク内を透過する角
度は、マスクの屈折率(通常、ガラスで1.5)により
決まる。マスク下面では、該マスク内を透過した光によ
り前記スリット像を投影結像するとともに、該透過光の
約30%を反射し、投影像の反射光をマスク内を透過し
てマスク上面から出射させる。一方、前記透過光の残り
約70%は、マスクと基板間のギャップの空気中に出射
し基板上に到達する。この空気中に出射された光強度
は、マスクへの入射光の約半分の強度になる。基板上に
は、該基板上に到達した光によりマスク下面と同様に前
記スリット像が投影結像され、該投影像の反射光はマス
ク下面よりマスク内を透過し、マスク上面より出射す
る。
上に立てた法線に対して前記照射角度と同角度の反対方
向に受光光学系のレンズを介して受光され、前記スリッ
ト像をリニアイメージセンサ上に投影結像させる。この
投影像のうち一定レベル以上の信号波形を検出して光電
変換し、さらに2つのピーク値を抽出してそのピーク値
の間隔を測定する。この間隔は、マスクと基板間のギャ
ップ量と、リニアイメージセンサ上に投影結像されるス
リット像の間隔との関係が、予め入力されている演算手
段を介して前記関係と比較・演算され、測定された間隔
に対するギャップ量と所望のギャップ量との差が算出さ
れる。そして、その差がゼロになる前記ピーク値の間隔
を、例えば、基板の上下移動によるギャップ量の変化に
より求め、所望のギャップ量を検出するとともに、マス
クと基板の両者を該検出したギャップ量に設定する。
および図9を参照して説明する。図1はプロキシミティ
露光におけるマスクと基板間のギャップ検出・設定の光
学系の基本構成説明図、図2はマスクおよび基板におけ
る照射光の反射と透過の状態を示す図、図3はギャップ
量の算出方法説明図、図4はリニアイメージセンサ上の
スリット像の間隔とギャップ量との関係説明図、図5は
マスクと基板間のギャップ検出・設定装置の全体概略構
成図、図6はギャップ検出・設定方法のフローチャー
ト、図7は図5に示す装置をプロキシミティ露光に適用
した例を示す斜視図である。
はマスク1の上面、1bはマスク1の下面である。2は
マスク1の下面1bと微小ギャップgを介して重ねられ
ている基板、3は照射光学系で、照射光学系3は、レー
ザ光源6、該レーザ光源6より照射されるレーザ光を拡
大コリメートするコリメータレンズ7、微小幅Wのスリ
ット(この場合は矩形状)20を設けたスリット板8お
よびスリット20をマスク1の下面1b(以下、単に下
面1bという)と基板2上とにそれぞれ投影結像させる
レンズ9により構成されている。図1(b)は図1
(a)のb−b矢視図で、前記下面1bに投影されたス
リット像20aと基板2上に投影されたスリット像20
bとを示している。
スリット像20a,20bの反射光を、マスク上面1a
に立てた法線に対して前記照射光と反対側の斜め上方
に、前記レーザ光の照射角度と同角度の反射角度で受光
させるレンズ10を有している。11はレンズ10を介
したスリット像20a,20bを受光画素列上に投影結
像し、該投影像のうち一定レベル以上の信号波形を検出
するリニアイメージセンサー、12はリニアイメージセ
ンサー11のセンシング部が狭いことから受光画素列上
への投影結像に際してスリット像20a,20bを圧縮
するシリンドリカルレンズ、13はリニアイメージセン
サー11の検出した信号波形を光電変換し、電気信号の
コントラストとして出力する光電変換回路である。符号
11,12,13によりスリット像20a,20bの検
出系5を構成している。
受光光学系4におけるレンズ10の開口数(以下、NA
と略記する)と、スリット20の幅Wとの関係は、以下
のように設定されている。すなわち、下面1bと基板2
とが微小ギャップgを介して重ねられている場合、下面
1bに結像したスリット像20aと、基板2に結像した
スリット像20bとの距離dはg/cosθとなり、ま
た、検出すべき最大ギャップがGの場合には距離dは当
然にG/cosθとなるが、最大ギャップGの範囲で各
スリット像20a,20bが、結像すべき面で焦点ぼけ
を起こさないようにすることが必要である。そのため、
レンズ9,10のNAは次式により設定されている。
G:検出すべき最大ギャップ量である。
により設定される。
λ:光の波長、θ:入射角度、G:検出すべき最大ギャ
ップ量である。
は、レンズ9,10の解像限界を示しているが、これ
は、ギャップgが特に微小の場合にはスリット像20a
と20bとが接近して重なり合い、各像を明確に検出す
ることができなくなる可能性があるからである。即ち、
スリット幅Wの値を、レンズ9,10におけるNAの解
像限界よりかなり大きくした場合には、同様の現象を生
じて各像を明確に検出することができなくなるからであ
り、そのため、スリット幅Wの値は、レンズ9,10の
解像限界にできるだけ近い値にすることが望ましい。
たレーザ光のs偏光成分は、マスク1の上面1aにて一
部反射し残りはマスク1内に進入する。この場合、図9
に示すように入射角θを、例えば67°にすると、同図
に示すように反射率は30%になり、従ってマスク1内
には残り70%が進入することになる。進入するTE波
は、マスク1の屈折率が1.5であるため屈折角38°
で進み、下面1bに達する。このため、下面1bにマス
ク1を透過した光によりスリット像20aを投影結像す
るとともに、該位置にて透過光の約30%を反射させ、
残りの約70%をギャップgの空気中に出射して基板2
上に到達させる。前記下面1bにおける反射光は、マス
ク1の上面1aから出射するものと、該上面1aにて再
び反射してマスク1内に進入するものとに分かれ、この
作用を繰り返す。一方、前記基板2上に到達した光は、
該面にスリット像20bを投影結像するとともに、該面
にてほぼ鏡面反射した後、下面1bおよび上面1aにお
いて反射,透過および出射を繰り返す。ここで、上面1
aから出射する光は、いずれもマスク上面1aに立てた
法線に対して前記照射方向と反対方向に、入射角度θ=
67°と同角度のθ´=67°で出射する。
ク上面1aに対するレーザ光のs偏光成分の入射強度を
1.0とした場合の光強度の割合を示したものであり、
下面1bにスリット像20aを結像させた光が上面1a
から出射する場合の光強度は約15%、基板2にスリッ
ト像20bを投影結像させた光が上面1aから出射する
場合の光強度は約24%である。
度θでスリット20を照射し、下面1bおよび基板2上
に投影結像させた場合、下面1bに結像したスリット像
20aと、基板2に結像したスリット像20bとの距離
dは、ギャップをgとするとg/cosθで表される
が、リニアイメージセンサー11上に投影されるスリッ
ト像20a,20bの投影像20A,20Bの間隔D
は、検出系5への拡大倍率をnとした場合、D=2・n
・gsinθで表される。これを、前記入射角度θ=6
7°の場合についてみると、間隔Dは、[1.84n・
g]で表される。このような間隔Dとギャップgとの相
関から、間隔Dを測定することによりギャップgを、簡
単かつ容易に求めることができる。
的な算出方法を説明する。図4(a)はリニアイメージ
センサー11の受光画素列11a上の投影像を示し、図
4(b)はリニアイメージセンサ11の画素数mとギャ
ップgとの関係を示す。図4(a)において、間隔Dは
画素ピッチpと投影像20Aと20Bとの間の画素数m
を掛けたm・pで表すことができる。この場合、リニア
イメージセンサー11の画素ピッチpは既知である。一
方、図4(b)からわかるように、画素数mとギャップ
gとは比例関係にあり、しかも2・n・gsinθで表
される間隔Dは、拡大倍率nと入射角度θが照射光学系
3および受光光学系4の仕様で既知である。このため、
ギャップgは投影像20Aと20Bとの間の画素数mを
測定するだけで、一義的に決定されることになる。
数mとギャップgの関係を、予めテーブル化しデータ入
力しておくことにより、求められた画素数mからギャッ
プgの値を、高精度にしかも短時間に算出することが可
能になる。
方法を具現する装置の一実施例を、図5を参照して説明
する。図中、図1と同符号のものは同じものを示す。図
において、14はインターフェース回路、15は光電変
換回路13およびインターフェース回路14を介してリ
ニアイメージセンサ11に接続されている記憶演算部、
16は図4(b)に示すリニアイメージセンサ11の画
素数mとギャップgの関係をテーブル化したデータで、
データ16は記憶演算部15に格納されている。21は
マスク1を固定支持するマスクホルダー、22は基板2
を固定支持する基板チャック、23は基板チャック22
を載置してZ軸方向に移動させる上下移動機構、24は
上下移動機構23を駆動させる駆動回路で、インターフ
ェース回路14を介して記憶演算部15に接続されてい
る。
体的に検出・設定する方法を、図6のフローチャートを
参照して説明する。まず、マスク1をマスクホルダー2
1上に、また、基板2を基板チャック22上にそれぞれ
セットする。セット時のギャップg1は所望の設定ギャ
ップgより大きい値にする。この状態においてリニアイ
メージセンサ11により一定レベル以上の波形を検出
し、検出した波形のうちからピーク波形2つを抽出す
る。この抽出したピーク波形のどちらの波形がマスク1
のもので、どちらが基板2のものかは、受光光学系4の
構成からリニアイメージセンサ11上への投影位置が既
知になっているため判別は容易である。そして、前記ピ
ーク波形2つの抽出をさらに容易にするため、受光光学
系4およびリニアイメージセンサー11を、マスク1お
よび基板2からの反射光のうち最大の光強度(30%)
であるマスク上面1aからの反射光が、リニアイメージ
センサー11の検出範囲外になるように構成している。
これは、マスク1の厚さに対してギャップgの値が非常
に小さいことから容易に可能である。
ージセンサ11上の画素番地A,Bを検出する。この場
合の画素番地は、検出波形の中心を検出し、その中心を
画素番地とする。検出した画素番地A,Bは記憶演算装
置15に入力されるが、前記図4(b)に示したよう
に、画素数mとギャップgとの関係は一義的に決まって
いるため、画素番地A,B間の画素数m1が測定される
と、該画素数m1に対応するギャップg1が検出される。
つづいて画素数m1を所望の設定ギャップgに対する画
素数mと比較するため、駆動回路24を介して上下移動
機構23を駆動し、画素数m1と画素数mとの差がゼロ
になるまで基板2を基板チャック22とともに移動させ
る。画素数の差がゼロになった位置が検出する所望のギ
ャップgの位置であり、ギャップ検出・設定を完了す
る。
または基板2に特定のパターンを設ける必要がなく、従
って、マスク1の設計においてパターン設定のための特
別のスペース確保や、マスク1に対する照射を前記パタ
ーン設定位置に限定して行う等の制約を受けることがな
い。このため、所望のギャップgを直接に絶対値で検出
することが可能になり、高精度のギャップ検出および設
定を可能にする。
3,受光光学系4,検出系5からなるギャップ検出系、
31はマスク1の上方に配設された露光照明系である。
本発明を実際のプロキシミティ露光装置に適用する場合
には、マスク1および基板2の面積が大きいことから、
該両者の面の傾きを精度よく制御しなければ高精度のギ
ャップ検出・設定をすることはできない。これは図に示
すように、マスク1と基板2の面内の少なくとも3個所
のギャップgを検出することにより対応することが可能
であるが、本実施例においては、ギャップ検出系30を
面内の任意の3個所に配設し、該ギャップ検出系30に
対応させた各位置に基板チャック22の上下移動機構2
3をそれぞれ独立に駆動可能に配設するとともに、マス
ク1の上方に、露光照明系31と、マスク1と基板2の
各パターンを位置合わせする図示しないアライメント検
出光学系とを設ける構成になっている。そして、この構
成に対して、前述のギャップ検出・設定方法を前記3個
所についてそれぞれ実施することにより、簡単な構成お
よび方法で、所定のギャップを高精度にしかも短時間に
設定することが可能になる。
光におけるマスクと基板間のギャップ検出・設定の光学
系の基本構成説明図で、前記実施例の変形例である。図
中、図1と同符号のものは同じものを示す。図におい
て、18はレーザ光を遮光する微小幅Wの矩形状のパタ
ーン40を設けたガラス板である。図8(b)は図8
(a)のb−b矢視図で、40aはマスク下面1bに投
影されたパターン像、40bは基板2上に投影されたパ
ターン像を示す。上記以外の構成は、前記図1に示す構
成と同じである。この変形例の構成は、前記実施例がレ
ーザ光をスリット20を透過させたのに対して、反対
に、レーザ光をパターン40により遮光したもので、投
影像のピーク値の間隔を測定して所定のギャップgを検
出し設定するアルゴリズムは、前述の実施例の方法と同
様であり、同一の作用・効果を奏するのは勿論である。
ティ露光に適用する場合について説明したが、本発明は
これに限定されることなく、例えばX線露光等において
も適用可能なことは勿論である。
イスの製造方法及びパターン露光方法において、基板と
マスクとの間のギャップ量を、簡単な構成および方法
で、高精度にしかも短時間に検出し、かつ所定のギャッ
プ量に設定することができる効果を奏する。
けるマスクと基板間のギャップ検出・設定の光学系の基
本構成説明図である。
の状態を示す図である。
ギャップ量との関係説明図である。
体概略構成図である。
る。
た例を示す斜視図である。
る。
照射光学系、4…受光光学系、5…検出系、6…レーザ
光源、8…スリット板、9,10…レンズ、11…リニ
アイメージセンサー、13…光電変換回路、15…記憶
演算部、16…データ、20…スリット、20a,20
b…スリット像、20A,20B…投影像、23…上下
移動機構、30…ギャップ検出系、40…パターン。
Claims (16)
- 【請求項1】 基板と該基板上にギャップを介して重ね
た露光用のマスクとの両者に光源からの光を照射し、該
照射による反射光を利用してギャップ量を検出し、前記
基板上にパターンを露光する電子デバイスの製造方法に
おいて、 スリットパターン、第一レンズの順に透過させた前記光
源からの光を、該光が前記基板上面まで透過可能な前記
マスクの領域に対して50°〜70°の入射角度で入射
させて、前記マスク下面及び前記基板上面にスリットパ
ターンを投影し、 この投影したスリットパターンをセンサで検出可能にす
る開口数を有する第二レンズを介して、反射光を前記セ
ンサで受光することにより該反射光の光強度を測定し、 この測定した光強度を光電変換して前記マスク下面にお
ける前記スリットパターンの反射光と前記基板上面にお
ける前記スリットパターンの反射光の間隔を検出し、 この検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量と異なる場合には、前記基板とマスクとの間のギャ
ップを変化させ、 前記検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量である場合には、前記基板上にパターンを露光する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項2】 基板と該基板上にギャップを介して重ね
た露光用のマスクとの両者に対して、光源の光を、スリ
ットパターン及び第一レンズを介して照射し、 この照射による前記マスク下面及び前記基板上面におけ
る前記スリットパターンの反射光を、第二レンズを介し
てセンサで受光することにより該反射光の光強度を測定
し、 この測定した光強度を光電変換して前記マスク下面にお
けるスリットパターンの反射光と前記基板上面における
スリットパターンの反射光の間隔を検出し、 この検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量と異なる場合には、前記基板とマスクとの間のギャ
ップを変化させ、 前記検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量である場合には、前記基板上にパターンを露光する
電子デバイスの製造方法であって、 前記第一レンズ及び前記第二レンズは、 前記センサで前記夫々のスリットパターンを検出可能に
する開口数を備え、 前記基板上面まで前記光源からの光を透過させることが
できる前記マスクの領域に50°〜70°の角度で光を
入射させるように配置している、 ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項3】 前記電子デバイスは、半導体デバイス又
は液晶素子であることを特徴とする請求項1又は2に記
載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項4】 前記スリットパターンのスリット幅を、
前記第一レンズの解像限界及び第二レンズの解像限界に
近い値としたことを特徴とする請求項1,2又は3に記
載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項5】 前記検出した間隔に対応するギャップ量
が所望のギャップ量と異なる場合に、該夫々のギャップ
量の差を小さくするように、前記基板とマスクとの間の
ギャップを変化させることを特徴とする請求項1から4
の何れかに記載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項6】 前記ギャップの変化は、前記基板を移動
させることにより行うことを特徴とする請求項5記載の
電子デバイスの製造方法。 - 【請求項7】 前記マスクに入射させる光がS偏光成分
であることを特徴とする請求項1から6の何れかに記載
の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項8】 前記マスクに入射させる光がレーザー光
のS偏光成分であることを特徴とする請求項1から6の
何れかに記載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項9】 基板と該基板上にギャップを介して重ね
た露光用のマスクとの両者に光源からの光を照射し、該
照射による反射光を利用してギャップ量を検出し、前記
基板上にパターンを露光するパターン露光方法におい
て、 スリットパターン、第一レンズの順に透過させた前記光
源からの光を、該光が前記基板上面まで透過可能な前記
マスクの領域に対して50°〜70°の入射角度で入射
させて、前記マスク下面及び前記基板上面にスリットパ
ターンを投影し、 この投影したスリットパターンをセンサで検出可能にす
る開口数を有する第二レンズを介して、反射光を前記セ
ンサで受光することにより該反射光の光強度を測定し、 この測定した光強度を光電変換して前記マスク下面にお
ける前記スリットパターンの反射光と前記基板上面にお
ける前記スリットパターンの反射光の間隔を検出し、 この検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量と異なる場合には、前記基板とマスクとの間のギャ
ップを変化させ、 前記検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量である場合には、前記基板上にパターンを露光する
ことを特徴とするパターン露光方法。 - 【請求項10】 基板と該基板上にギャップを介して重
ねた露光用のマスクとの両者に対して、光源の光を、ス
リットパターン及び第一レンズを介して照射し、 この照射による前記マスク下面及び前記基板上面におけ
る前記スリットパターンの反射光を、第二レンズを介し
てセンサで受光することにより該反射光の光強度を測定
し、 この測定した光強度を光電変換して前記マスク下面にお
けるスリットパターンの反射光と前記基板上面における
スリットパターンの反射光の間隔を検出し、 この検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量と異なる場合には、前記基板とマスクとの間のギャ
ップを変化させ、 前記検出した間隔に対応するギャップ量が所望のギャッ
プ量である場合には、前記基板上にパターンを露光する
パターン露光方法であって、 前記第一レンズ及び前記第二レンズは、 前記センサで前記夫々のスリットパターンを検出可能に
する開口数を備え、 前記基板上面まで前記光源からの光を透過させることが
できる前記マスクの領域に50°〜70°の角度で光を
入射させるように配置している、 ことを特徴とするパターン露光方法。 - 【請求項11】 前記基板は、半導体デバイス又は液晶
素子に用いられる基板であることを特徴とする請求項9
又は10に記載のパターン露光方法。 - 【請求項12】 前記スリットパターンのスリット幅
を、前記第一レンズの解像限界及び第二レンズの解像限
界に近い値としたことを特徴とする請求項9,10又は
11に記載のパターン露光方法。 - 【請求項13】 前記検出した間隔に対応するギャップ
量が所望のギャップ量と異なる場合に、該夫々のギャッ
プ量の差を小さくするように、前記基板とマスクとの間
のギャップを変化させることを特徴とする請求項9から
12の何れかに記載のパターン露光方法。 - 【請求項14】 前記ギャップの変化は、前記基板を移
動させることにより行うことを特徴とする請求項13記
載のパターン露光方法。 - 【請求項15】 前記マスクに入射させる光がS偏光成
分であることを特徴とする請求項9から14の何れかに
記載のパターン露光方法。 - 【請求項16】 前記マスクに入射させる光がレーザー
光のS偏光成分であることを特徴とする請求項9から1
4の何れかに記載のパターン露光方法。
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---|---|---|---|
JP06482292A JP3391030B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 電子デバイスの製造方法及びパターン露光方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH05267117A JPH05267117A (ja) | 1993-10-15 |
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