JP3139020B2 - フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法 - Google Patents

フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法

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  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体等の回路パター
ンを転写する際に原版として使用されるフォトマスクの
検査装置に関し、詳しくは透過光の位相を変化させる位
相部材が特定部分に付加された位相シフトフォトマスク
における位相変化量を計測する技術に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体回路をウエハ上に投影露光して転
写する際に原版として用いられるフォトマスクは、一般
にはガラス基板上にCr等の金属からなる遮光パターン
が形成された構造をなしている。
【0003】しかし、このような構造のフォトマスクで
は、回路パターンが微細化すると、光の回折・干渉現象
のために投影像の十分なコントラストを得ることができ
ないという問題があり、近年、フォトマスク裸面部の特
定の箇所に位相部材を付加して透過光の位相を部分的に
変化させることにより像のコントラストを高める位相変
化フォトマスクが種々提案されている。例えば特公昭6
2−50811号公報には、空間周波数変調型のフォト
マスクに関する技術が開示されている。
【0004】かかる位相変化フォトマスクでは、位相を
正確に制御することが重要となるため、遮光パターンの
欠損の有無等の他に位相部材による位相変化量を検査す
ることが必要となるが、従来は、薄膜表面と基板・薄膜
界面との多重反射を利用して薄膜の膜厚や屈折率を測定
するエリプソメーター等を用いて位相変化量を求めてい
た。
【0005】つまり、位相部材(主にSiO2 膜等から
なる)による位相変化量φの測定は、位相部材の厚さt
と、フォトマスクが実際のリソグラフィ工程で用いられ
る際の露光波長λにおける位相部材の屈折率nをそれぞ
れ求め、数式(1) として計算していた。
【0006】φ= 2π・(n-1)t/λ …(1)
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
位相変化フォトマスクの検査に用いられていたエリプソ
メーターは、上述したように基板・薄膜界面における反
射を利用して膜厚や屈折率の測定を行なう為、基板と薄
膜の屈折率差が小さい場合には計測が非常に困難であ
り、両者の屈折率が等しい場合には界面での反射光強度
が零となるため測定が不可能となる。
【0008】一方、半導体回路パターンの微細化に伴っ
てフォトリソグラフィーにおける光源は短波長化し、今
後は遠紫外線が光源の主流になると予想されている。紫
外線に対して高い透過率をもつ材質は少なく、位相部材
とフォトマスクの基板は共に石英ガラスで形成されるこ
とが考えられる。この場合、両者の屈折率が等しくな
り、上述したようにエリプソメーターを利用しての位相
変化量の測定は不可能である。
【0009】また、位相シフトフオトマスクにおける位
相部材は、前記数式1で表わされる位相変化量φがπと
なるように位相部材の屈折率n,厚さdを制御するわけ
であるが、フォトマスクに位相部材を成膜する条件(例
えば位相部材を形成する場合、温度,圧力,組成等の条
件)によって屈折率nが微妙に変化してしまい、位相部
材の厚さdについても実際の製造工程の中ではばらつき
がでてしまう。
【0010】例えば、露光波長をλ=365nm,位相部材の
屈折率n=1.5として、位相変化量の誤差を10°まで許す
とすると、厚さdの誤差は±20nm以内であること求めら
れるが、この誤差範囲内に膜厚を制御することはたいへ
ん困難である。このため、位相変化量φの誤差(即ち、
φがπからどれ程ずれているか)を効率良く測定するこ
とが切望されている。
【0011】しかし、従来のように、位相部材の膜厚と
屈折率から位相変化量を求める場合、位相部材の膜厚d
だけでなく、成膜条件によって変化する屈折率nをその
つど計測する必要があり、計測に長時間を必要としてい
た。
【0012】この発明は、かかる点に鑑みてなされたも
のであり、位相部材と基板の屈折率差によらず位相変化
量の正確な計測が可能であり、かつ露光波長における正
確な位相変化量を簡易かつ高速に求めることのできる位
相シフトフォトマスク用の検査装置を提供することを目
的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク検
査装置は、所定波長の光ビームに対してほぼ透明な(又
は光ビームを反射する)基板に幾何学的な原画パターン
を有し、該原画パターンが形成された領域の少なくとも
一部に上述の基板を透過(又は反射)する光ビームの位
相を変化させる領域を備えたフォトマスクを検査対象と
し、上記の課題を達成するために、フォトマスクの被検
査パターンに単色光又は準単色光を照射する照射光学系
と、その照射によって被検査パターンのフーリエ変換面
に生ずる光の強度分布を光電検出する検出手段とを備え
たものである。
【0014】本発明における検出手段は、具体的にはフ
ーリエ変換面に生ずる光の強度分布を検出する光電変換
器と、該光電変換器から出力される検出信号に基づい
て、位相を変化させる領域の位相変化量を算出する演算
回路とを備え、照射光学系は、光源から射出された光ビ
ームの発散角を調整する第1開口絞りと、フォトマスク
の照射領域を調整する第2開口絞りを備えることが好ま
しい。
【0015】
【作用】本発明における位相変化量の測定原理につい
て、図5を参照して説明する。垂直照射される光ビーム
の照射領域内に、幅2aの2開口(後述する実施例にお
ける被検査パターンの透明部Aと位相部材付加部Bに対
応する)が隣接してならび、1方の開口(位相部材付加
部B)の透過光の位相は、他方の開口(透明部A)の透
過光に対して(π+θ)だけ変化するものとする。ここ
に、θは位相変化量の誤差である。このとき、2開口を
透過した光ビームによるフーリエ変換像(回折像)の強
度分布は数式(2) と表わせる。
【0016】
【数1】
【0017】ここにuはフーリエ変換面の空間周波数座
標である。数式(2)の(2a・sin(2π・a・u) /2 π・a・u)
の部分は、幅2aの2つの開口のフーリエ変換像を表わ
し、u=±1/2a,±1/a,±3/2a, ……で極小点をもつ s
inc関数である。
【0018】数式(2) の( exp (2πaiu)+exp ((π
+θ)i )・exp (-2πaiu) )の部分(以下Qと表示す
る)は、θ=0のときは(位相変化量の誤差のない場
合)、sin(2 πau) となる項で、極小点をu=0,±1/
2a, ±1/a,±3/2a, ……にもっている。
【0019】θ=0の場合のフーリエ変換像の強度分布
は、図5において実線で表わされ、原点と極小点位置
(図5の場合零点位置)が合致しており、原点の両側に
現われるピークの強度は等しくなっている。
【0020】一方、θ≠0のときは(位相変化量の誤差
がある場合)、数式(2) のQの部分は数式(3) となり、
極小点はu=θ/4πa,( ±π+ θ/2)(1/ 2πa),(±2 π
+θ/2)(1/2 πa)……となる。θ≠0ときのフーリエ変
換像の強度分布は、図5で点線で表わされ、極小点位置
が空間周波数座標の原点u0 からu1 だけずれることに
なり、極小点をはさむ2つのピークのうち一方のピーク
の強度が低下する。
【0021】 Q=exp ( θi/2)・2i・ sin (2πau- θ/2) …(3)
【0022】ここで、θ≠0の場合に、空間周波数座標
の原点u0 に最も近い極小点の座標u1 に着目すると、
1 =θ/4πa であり、u1 は位相変化量誤差θに比例
している。すなわち、原点u0 に最も近い極小点の座標
1 を求めることで位相変化量誤差が定量的に求められ
る。なお、基準となる原点u0 の決め方については後述
の実施例の中で具体的に説明する。
【0023】ここで、フーリエ変換像は、光ビームで照
射される2開口が光軸からずれていても変化しない。従
って、本発明では、検査対象である2開口(被検査パタ
ーン)を光軸に対して厳密に位置合わせする必要がな
く、装置化する場合に非常に有利である。
【0024】また、2つの開口の光ビームの透過率に差
がある場合(即ち、1方の開口に付加される位相部材の
透過率が100%でない場合) 、フーリエ変換像の極小点の
強度は位相部材での光の吸収の程度に応じて高くなるが
(位相部材部材の透過率が100%であれば極小点は零点と
なる)、極小点の空間周波数座標位置は変化しない。従
って、本発明では位相部材で光ビームの吸収がある場合
でも正確に位相変化量を測定できる。
【0025】また、前述したように、θ≠0のときは
(位相変化量の誤差がある場合)、フーリエ変換像の極
小点が原点からずれるとともに、極小点をはさむ2つの
ピークのうち一方のピークの高さが低下するので、フー
リエ変換像のピーク高さを測定することで、簡単に位相
変化量の誤差の有無を調べることができる。
【0026】
【実施例】図1は本発明実施例によるフォトマスク検査
装置の構成図である。図において、光源1は、検査対象
であるフォトマスク8が実際に使用される露光装置の光
源と同じ光源であり、本実施例では水銀ランプが用いら
れている。露光装置の光源にレーザ(例えばKrFエキ
シマレーザ)が用いられている場合は、それにあわせて
レーザが光源として用いられる。
【0027】なお、測定のための波長が露光波長とほぼ
等しいことが望ましく、その理由は、位相部材には分散
があり、露光波長と異なる波長では位相部材の屈折率が
異なるためである。
【0028】光源1を発した光ビームは、楕円ミラー2
で集光され、ミラー3で折り曲げられる。そして、リレ
ーレンズ4により光源像6が開口絞り(ピンホール板あ
るいはスリット板)5に結像される。楕円ミラー2とミ
ラー3の少なくとも一方は、ダイクロイックミラーで構
成されており、光ビームは露光波長と同じ波長の単色光
となる。ダイクロイックミラーを用いない場合は、例え
ばリレーレンズ4と開口絞り5の間に別途波長選択素子
(干渉フィルター等)を設ける。
【0029】開口絞り5は、光源1からの光ビームの空
間的コヒーレンスを上げ、検出すべきフーリエ変換像の
コントラストを上げるものである。開口絞り5としてス
リット板を用いる場合、スリットの長手方向は被検査パ
ターン(後述)の透明部と位相部材付加部の境界線の方
向に一致させる。
【0030】開口絞り5から射出された光ビームは、レ
ンズ7によって平行光束となり、更に可変開口絞り11
によって所定の大きさのビーム径に絞られる。可変開口
絞り11からの光ビームは、光軸と直交する面内で駆動
手段16によって2次元移動されるステージRSに保持
された(ステージRSの動作については後述)フォトマ
スク8の被検査パターンを均一に照明する。
【0031】レンズ7は、開口絞り5からレンズ7まで
の距離、及びレンズ7からフォトマスク8までの距離が
レンズ7の焦点距離にほぼ等しくなるような位置に配置
されている。
【0032】フォトマスク8を透過した光ビームはフー
リエ変換レンズ9に入射し、このレンズ9によって、フ
ーリエ変換像FPが形成される。フォトマスク8からフ
ーリエ変換レンズ9までの距離はフーリエ変換レンズの
焦点距離fとほぼ等しくなっており、フーリエ変換レン
ズ9の後側焦点位置には光電変換器10が配置されてい
る。光電変換器10としてはリニアアレイセンサー等を
用いることかでき、少なくとも1次元の光センサーであ
れば良く、走査型スリットを備えたフォトディテクター
でも良い。
【0033】なお、フーリエ変換レンズ9は必ずしも必
要なものではなく、被検査パターンの2開口の幅に対し
て、フオトマスク8から光電変換器10までの距離が十
分大きい場合は、フーリエ変換レンズ9がなくとも光電
変換器10の受光面上にフーリエ変換像FP(ファーフ
ィールド像)が形成される。
【0034】光電変換器10からのフーリエ変換像FP
の検出信号は、信号処理回路12に送られ、ここでi−
V変換、A/D変換を含む処理が行なわれる。マイクロ
コンピュータ等の演算手段13は、予め記憶されている
データと信号処理回路12からの信号に基づいて、フー
リエ変換像FPの極小点の空間周波数座標を求め、被検
査パターンに設けられた位相部材による位相変化量を算
出する。算出された位相変化量は表示器14に表示され
る。
【0035】ここで、図4は、フォトマスク8の例を示
す平面図であり、回路パターンRPの他に、同一製造工
程で形成されたテストパターンTP(被検査パターン)
が設けられている。テストパターンTPは回路パターン
RPとともに、クロム等の遮光体LSで囲まれた領域P
A(ここでは特にストリートライン相当領域)内に形成
されている。
【0036】図2(a) ,(b) 及び図3(a) ,(b)は本実
施例におけるテストパターンTPの例を示した平面図及
び断面図である。図2において、透明基板8aには、テ
ストパターンTPに相当する領域の周囲を囲むようにク
ロム等からなる遮光部8bが形成されている。遮光部8
bで囲まれた領域は2分割され、一方は透明部A(透明
基板8a裸面部)、他方は位相部材22が付加された位
相部材付加部Bとなっている。本実施例では、透明部A
と位相部材付加部Bの面積比はほぼ1:1となってい
る。
【0037】また、図3の例では、図2のテストパター
ンの構成に加えて透明部Aと位相部材付加部Bの境界に
遮光部8bが設けられている。このようにすると、フー
リエ変換像の暗線(強度分布の極小点に対応)が明確と
なり、検出精度が向上する。
【0038】ここで、本発明で好適な被検査パターン
は、上記の如く透明部Aと位相付加部Bとの面積比が
1:1である必要はなく、少なくとも2つの開口部A,
Bはその配列方向(図2,図3でX方向)に関する幅が
ほぼ等しければ良い。これは、面積比(即ち、図2,図
3におけるY方向の長さが異なっていても、そのフーリ
エ変換像はの極小点(後述)は変化せず、その極大点で
の強度値(ピーク値)が、変化するだけであるためであ
る。なお、2つの開口部A,Bの形状、大きさは上記の
条件を満足すれば任意で良いが、矩形であることが望ま
しい。
【0039】次に、本実施例の装置を用いて位相変化量
を測定する際の動作を説明する。検査対象であるフォト
マスク8をステージRSに保持させた後、測定に先立っ
て、フォトマスク8の透明部だけの領域あるいは位相部
材付加部だけの領域に光ビームが照射されるようにステ
ージRSを2次元移動させ、光ビームに位相差がない場
合のフーリエ変換像を光電変換器10で検出する。この
際、可変開口絞り11を駆動してフォトマスク8上での
照明領域を、透明部Aもしくは位相部材付加部Bとほぼ
同一の形状、大きさに設定しておくことが望ましい。
【0040】光ビームに位相差がない場合のフーリエ変
換像は、空間周波数座標の原点u0 に対応する位置にピ
ークをもつので、このピーク位置を検出することで、空
間周波数座標の原点u0 を決定できる。ピーク位置の検
出は、所定の強度で波形をスライスして中間点をとるこ
とで容易に行なうことができる。検出したピーク位置
(空間周波数座標の原点位置)は、基準位置として、演
算手段13に記憶しておく。
【0041】なお、このようにして基準位置を決定する
際に、フォトマスク8の代わりに、位相部材のない透明
基板あるいは全面に位相部材が形成された別の基板を用
いるようにしても良い。
【0042】次に、フォトマスク8のテストパターンT
Pがレンズ7からの光ビームの照射領域内に入るよう
に、駆動手段16によってステージRSを2次元移動さ
せる。このとき、照射光のビーム径はテストパターンT
Pの大きさや形状に合わせて可変開口絞り11によって
調節される。
【0043】この際、フーリエ変換像の極小点の空間周
波数座標位置は、テストパターンTPが光軸からずれて
いても(図1においてフォトマスク8が矢印Xの方向,
及び紙面垂直方向に移動しても)、それによって変化し
ないので、照射領域内にテストパターンTPが入ってい
れば、フォトマスク8の光ビームに対する位置合わせ
は、それほど厳密に行なわなくとも良い。
【0044】また、フォトマスク8がレンズ7の後焦点
位置,及びフーリエ変換レンズ9の前側焦点位置に厳密
に合致していなくとも(図1においてフォトマスク8が
矢印Zの方向に移動しても)、フーリエ変換像の極小点
の空間周波数座標位置は変化しないので、フォトマスク
8の光軸方向の位置決めについてもそれほど厳密に行な
う必要はない。
【0045】但し、フォトマスク8が光軸に対して傾斜
すると、位相部材22の光路長が変化し、位相変化量の
測定誤差となるので、ステージRSは、光軸に対して正
確に直交していることが望ましい。また、フォトマスク
8が光軸の回りに回転すると、フーリエ変換面にできる
暗線が回転してしまい、極小点の検出誤差が生じるた
め、測定の途中でステージRSを光軸回りに回転させて
はならない。
【0046】上記のようにしてフォトマスク8の位置決
めを行なった後、テストパターンTPに均一に光ビーム
を照射し、テストパターンTPの透過光によって形成さ
れるフーリエ変換像FP(テストパターンTPの位相部
材22の透過率が100%であれば前述の図5に点線で示し
たようなフーリエ変換像となる)を光電変換器10で検
出する。
【0047】光電変換器10の検出信号は信号処理回路
12を介して演算手段13に送られ、演算手段13で
は、先に記憶しておいた原点u0 に最も近い極小点の空
間周波数座標u1 を求める。
【0048】位相変化量が(π+θ)である場合、前述
したように、u1=θ/4πaであるので、誤差θ=4
πauとなる。
【0049】ここで、2aはテストパターンTPの透明
部A及び位相部材付加部Bの幅であり、uは距離である
から、誤差θを空間周波数に換算するには1/λf をかけ
ればよく、θ’=4πau1 /λfとして演算手段13
によってテストパターンTPにおける位相変化量誤差
θ’が算出される。λは照射光の波長、fはフーリエ変
換レンズの焦点距離であり、予め演算手段13に記憶さ
れている。算出された位相変化量誤差は、表示器14に
表示される。
【0050】なお、信号処理回路12において、極小点
の座標値u0 ,u1 を検出する方式は、所定の電圧値で
信号波形をスライスしてその中点を求める方法に限られ
るものではなく、任意の方式(従来のいかなる方式)で
あっても良い。
【0051】回路パターンRPとテストパターンTP
は、同一工程で形成されており、両パターンにおける位
相変化量は同等とみなすことができ、上述のようにして
テストパターンTPの位相変化量誤差を計測することで
回路パターンRPの位相変化量誤差を知ることができ
る。
【0052】図4の例ではテストパターンTPがフォト
マスク8の略中央部に1箇所だけ設けられているが、テ
ストパターンTPをフォトマスク8の各位置に設け、そ
れぞれ位相変化量誤差を求めれば、フォトマスク8内の
誤差分布を知ることができる。また、特にテストパター
ンTPを設けなくとも回路パターンRPの一部を被検査
パターンとして用いても良いことは言うまでもない。
【0053】さて、上記の説明では、位相変化量の測定
に先立って基準位置を決定するために、透明部のみ又は
位相部材付加部のみの領域に光ビームを照射し、そのフ
ーリエ変換像のピーク位置(極小点)を検出して空間周
波数座標の原点としたが、基準位置は図6に示されるよ
うな方法でも決定することができる。
【0054】まず、図6(a) のように紙面左側に位相部
材付加部Bが右側に透明部Aが位置する状態で(透明部
Aが左で、位相部材付加部Bが右でも良いことは言うま
でもない)、光ビームをテストパターンTPに照射し、
透過光によるフーリエ変換像を検出する。
【0055】次に、図6(b) のように、透明部Aと位相
部材付加部Bの位置を境界線に対して入れ換え、再び光
ビームをテストパターンTPに照射し、透過光によるフ
ーリエ変換像を検出する。
【0056】図6(a) と図6(b) の場合のそれぞれフー
リエ変換像は、図6(c) のFPa ,FPb のようにな
り、フーリエ変換像FPa の極小点は原点に対して紙面
右側にu1 だけずれ、フーリエ変換像FPb の極小点は
原点に対して紙面左側にu1 だけずれる。従って、フー
リエ変換像FPa とFPb の極小点位置の差は2u1
なり、フーリエ変換像FPa とFPb の極小点位置の中
間点が空間周波数座標の原点u0 となる。
【0057】前述したように、テストパターンTPが光
軸からずれてもフーリエ変換像は変化しないので、図6
(a) での測定と図6(b) での測定で、透明部Aと位相部
材付加部Bの境界線の位置が合致するように厳密に位置
合わせする必要はない。但し、図6(a) での測定と図6
(b) の測定の間に、フォトマスク8を保持するステージ
RSを光軸回りに回転させてはならない。なお、図6
(a) ,(b) の各々に示したテストパターンは同一のマス
ク上に形成しておいても、別々のマスクに形成しておい
ても構わない。
【0058】ここで、図2のテストパターンを用いた場
合のフーリエ変換像を計算によって求めたグラフを図
8,図9に示す。図8は、位相部材22の透過率が100%
である場合であり、図中FP0 〜FP9 はそれぞれ位相
変化量誤差θが0 °,20 °,40 °,60 °,…180 °の場
合のフーリエ変換像の強度分布である。
【0059】図に示されるように、位相変化量の誤差が
は増大するにつれて極小点(零点)の空間周波数座標が
座標原点0(即ち、u0 )〜u9 と変化し、誤差が大き
くなるほど極小点と原点との距離が大きくなっている。
また、位相変化量誤差θの値が大きくなるにつれて、極
小点をはさむ2つのピークのうち高い方のピーク(紙面
左側のピーク)の高さはより高くなり、低い方のピーク
(紙面右側のピーク)の高さはより低くなる(グラフの
表示は、正規化しているので、高い方のピークの高さが
一定となっている)。従って、フーリエ変換像のピーク
高さ(2つのピークの高さの差)を測定することで、位
相変化量の誤差がおよそどの程度であるか簡単に知るこ
ともできる。
【0060】図9は、位相部材22の透過率が25% であ
る場合であり、図中FP10〜FP13はそれぞれ位相変化
量誤差θが0 °,20 °,40 °,60 °の場合のフーリエ変
換像の強度分布である。位相部材22で光の吸収がある
場合、2つのピークの間の極小点の強度は零とはならな
いが、各極小点の空間周波数座標位置は、図8の場合と
同じであり、位相部材22での光の吸収は位相変化量の
測定に影響しないことがわかる。
【0061】次に、テストパターンTPの透明部Aと位
相部材付加部Bの配列方向の幅の比(WA :WB )を変
えた場合のフーリエ変換像の強度分布を計算によって求
めたグラフを図10〜図14に示す。簡単のため、位相
部材22の透過率は100%とし、かつ位相変化量誤差θが
0 °,10 °,20 °,30 °の場合とする。
【0062】図10はWA :WB =1:1の場合であ
り、図8と同様に明確に極小点(零点)が現われる。
【0063】図11はWA :WB =1:2の場合であ
り、透過率が100%であっても極小点が零点とはならな
い。しかし、極小点は明確に現われており、各極小点の
空間座標位置は図10の場合と同じであるから、位相変
化量の測定が可能である。
【0064】図12はWA :WB =1:3の場合であ
り、図11の場合よりも更に極小点の強度が上昇し、2
つのピークの間隔も狭くなっているが、極小点は検出は
できるので位相変化量の測定が可能である。
【0065】図13はWA :WB =1:4の場合である
が、この場合は極小点の検出が困難となり(特に位相変
化量の誤差が大きい場合には片側のピークがほとんどな
くなり、単一のピークに近くなる)、位相変化量の誤差
の測定は不可能となる。
【0066】図14はWA :WB =1:0.5 の場合であ
り、2つのピークの幅が広がっているが、極小点は明確
に現われるので、位相変化量の測定には問題を生じな
い。
【0067】以上の図10〜14からわかるように、本
発明における被検査パターンの透明部Aと位相部材付加
部Bの幅は、必ずしも実施例のように1:1である必要
はなく、幅の比(WA :WB )が1対3〜3対1程度で
あればフーリエ変換像の極小点の位置から位相変化量の
誤差を測定することができる。
【0068】また、図17はWA :WB =1:1で位相
部材22の透過率が10% である場合のフーリエ変換像
(位相変化量誤差θ=0 °,10 °,20 °,30 °)を示し
たものである。位相部材22の透過率が低くなると、位
相部材付加部Bからの光量が少なくなるため、極小点の
ピークが高くなるが、図17の場合、極小点の検出は十
分可能である。フォトマスク8に用いられる位相部材2
2の透過率は通常極端に小さくなることは考えられない
から、本発明では透過率によらず位相変化量の検出が可
能であると言える。
【0069】次に、照明領域内に開口が3つ以上ある場
合のフーリエ変換像の強度分布を図15(a) ,図16
(a) に示す。図15(a) は、図15(b) に示されるよう
に照射領域内に透明部A,位相部材付加部B,透明部A
の3つの開口(各開口の配列方向の幅は等しい)が並ん
でいる場合であり、空間周波数座標の原点位置に小さな
ピークが現われ、その両側の極小点の位置は位相変化量
の誤差に対応して変化しないので、フーリエ変換像から
の位相変化量の測定は困難である。
【0070】また、図16(a) は、図16(b) に示され
るように照射領域内に透明部A,位相部材付加部B,透
明部A,位相部材付加部Bの4つの開口(各開口の配列
方向の幅は等しい)が並んでいる場合であり、フーリエ
変換像はより複雑となってしまい、フーリエ変換像から
の位相変化量の測定は困難である。
【0071】従って、透明部Aと位相部材付加部Bが交
互に並んだパターンを被検査パターンとして用いる場合
には、図1の可変開口絞り11によって、ビーム径を調
整し、隣接する透明部Aと位相部材付加部Bだけが照射
領域内に入るようにする必要がある。
【0072】以上のようなことから、本発明における被
検査パターンは図2,図3の例のように隣接する透明部
Aと位相部材付加部Bが遮光部8bで囲まれたテストパ
ターンを用いることが好ましい。透明部Aと位相部材付
加部Bの境界線と平行な方向の長さについては特に等し
くする必要はない。
【0073】なお、上記の説明においては、照射光がフ
ォトマスク8を透過する場合について述べたが、反射型
のフォトマスクについても同様な測定が可能である。図
7にに反射型フォトマスクの位相変化量を測定する場合
の構成例を示す。なお、開口絞り5より光源側の構成は
図1と同様であり、レンズ9とフォトマスク18との間
に可変視野絞りを設けても良い。
【0074】図7において、開口絞り(ピンホール板又
はスリット板)5を射出した光ビームはハーフミラー1
5で反射され、レンズ9を介して反射型のフォトマスク
18に照射される。反射基板18aには、反射部(反射
基板18a裸面部)A’と反射型の位相部材22aが付
加された位相部材付加部B’が設けられており、光ビー
ムはA’,B’のそれぞれの部分で反射され、同じ光路
を通ってレンズ9に戻る。
【0075】レンズ9を透過した光ビームはハーフミラ
ー15を透過し、光電変換器の受光面10aにフーリエ
変換像FPを形成する。この場合もフーリエ変換像FP
の極小点の位置は位相部材22aの位相変化量誤差に対
応して変化するので、極小点の空間周波数座標を検出す
ることで、位相変化量を測定することができる。
【0076】
【発明の効果】以上の様に本発明においては、膜厚や屈
折率を測定することなく、簡易かつ高速に位相を変化さ
せる領域の正確な位相変化量(膜厚)を計測することが
できる。
【0077】また、フォトマスクの基板と位相部材の屈
折率差が差がほとんどなくとも位相変化量の測定におい
ては何等支障をきたさない。
【0078】更に、フォトマスクの被検査パターンが光
軸に対してずれていてもフーリエ変換像の極小点の位置
は変化しないので、フォトマスクの厳密な位置合わせを
行なう必要がなく、装置化する上で非常に有利である。
また、位相部材で照射光が吸収される場合でもフーリエ
変換像の極小点の位置は変化しないので、位相部材の透
過率によらず高精度に位相変化量を求めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例によるフォトマスク検査装置の構
成図である。
【図2】(a) は本発明で用いられるテストパターンの例
を示す平面図、(b) は断面図である。
【図3】(a) は本発明で用いられるテストパターンの例
を示す平面図、(b) は断面図である。
【図4】フォトマスクの例を示す平面図である。
【図5】フーリエ変換像の強度分布を示す概念図であ
る。
【図6】(a) ,(b) ,(c) は空間周波数座標の原点の決
め方を説明するための概念図である。
【図7】反射型フォトマスクの位相変化量を測定するた
めの装置の例を示す構成図である。
【図8】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分布
を示すグラフである。
【図9】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分布
を示すグラフである。
【図10】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【図11】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【図12】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【図13】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【図14】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【図15】(a) は計算によって求めたフーリエ変換像の
強度分布を示すグラフ、(b) は被検査パターンの平面図
である。
【図16】(a) は計算によって求めたフーリエ変換像の
強度分布を示すグラフ、(b) は被検査パターンの平面図
である。
【図17】計算によって求めたフーリエ変換像の強度分
布を示すグラフである。
【主要部分の符号の説明】
1 光源 2 楕円ミラー 5 開口絞り 8 フォトマスク 8a 透明基板 8b 遮光部 9 フーリエ変換レンズ 10 光電変換器 11 可変開口絞り 12 信号処理回路 13 演算手段 16 駆動手段 22 位相部材
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−210250(JP,A) 特開 昭63−268245(JP,A) 特開 昭59−65428(JP,A) 特開 昭58−158921(JP,A) 特開 昭56−133830(JP,A) 特開 平4−177111(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 1/00 - 1/16

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定波長の光ビームに対してほぼ透明な
    基板に幾何学的な原画パターン有し、該原画パターンが
    形成された領域の少なくとも一部に前記基板を透過する
    光ビームの位相を変化させる領域を備えたフォトマスク
    を検査対象とし、前記フォトマスクの被検査パターンに
    単色光または準単色光を照射する照射光学系と、前記照
    射により前記被検査パターンのフーリエ変換面に生ずる
    光の強度分布を検出する検出手段とを備えたことを特徴
    とするフォトマスク検査装置。
  2. 【請求項2】 所定波長の光ビームを反射する基板に幾
    何学的な原画パターンを有し、該原画パターンが形成さ
    れた領域の少なくとも一部に前記基板を反射する光ビー
    ムの位相を変化させる領域を備えたフォトマスクを検査
    対象とし、前記フォトマスクの被検査パターンに単色光
    または準単色光を照射する照射光学系と、前記照射によ
    り前記被検査パターンのフーリエ変換面に生ずる光の強
    度分布を検出する検出手段とを備えたことを特徴とする
    フォトマスク検査装置。
  3. 【請求項3】 前記検出手段は、前記フーリエ変換面に
    生ずる光の強度分布を検出する光電変換器と、該光電変
    換器から出力される検出信号に基づいて、前記位相を変
    化させる領域の位相変化量を算出する演算回路とを備え
    たことを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマス
    ク検査装置。
  4. 【請求項4】 前記被検査パターンは、透明部又は反射
    部からなる裸面部の領域と、該裸面部の領域に近接して
    配置され、前記裸面部を透過又は反射した前記光ビーム
    の位相を変化させる領域とを有し、前記裸面部の領域及
    び前記位相を変化させる領域の配列方向の幅がほぼ等し
    く形成されたことを特徴とする請求項1又は2記載のフ
    ォトマスク検査装置。
  5. 【請求項5】 前記照射光学系は、光源から射出された
    光ビームの発散角を調整する第1開口絞りと、前記フォ
    トマスクの照射領域を調整する第2開口絞りを備えたこ
    とを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク検
    査装置。
  6. 【請求項6】 前記フォトマスクに照射される前記光ビ
    ームの波長は、前記フォトマスクを用いた露光工程にお
    ける露光波長とほぼ等しいことを特徴とする請求項1又
    は2記載のフォトマスク検査装置。
  7. 【請求項7】 前記演算回路は、前記光電検出器からの
    検出信号に基づいて、前記フーリエ変換面に生ずる光の
    強度分布における極小点の空間周波数座標を検出するこ
    とを特徴とする請求項3に記載のフォトマスク検査装
    置。
  8. 【請求項8】 パターン領域と、該パターン領域の少な
    くとも一部に設けられ前記パターン領域を透過するビー
    ムの位相を変化させる領域とを備えたフォトマスクの検
    査方法において、 前記位相を変化させる領域を含む被検査パターンに光を
    照射するステップと、 前記照射により形成される前記被検査パターンのフーリ
    エ変換像の極小点の空間周波数座標を検出するステップ
    と、 前記極小点の空間周波数座標に基づいて前記位相を変化
    させる領域の位相変化量を求めるステップとを含むこと
    を特徴とするフォトマスクの検査方法。
  9. 【請求項9】 パターン領域と、該パターン領域の少な
    くとも一部に設けられ前記パターン領域を反射するビー
    ムの位相を変化させる領域とを備えたフォトマスクの検
    査方法において、 前記位相を変化させる領域を含む被検査パターンに光を
    照射するステップと、 前記照射により形成される前記被検査パターンのフーリ
    エ変換像の極小点の空間周波数座標を検出するステップ
    と、 前記極小点の空間周波数座標に基づいて前記位相を変化
    させる領域の位相変化量を求めるステップとを含むこと
    を特徴とするフォトマスクの検査方法。
  10. 【請求項10】 前記位相を変化させる領域は、前記光
    の一部を吸収することを特徴とする請求項8又は9に記
    載のフォトマスク検査方法。
  11. 【請求項11】 パターン領域と、該パターン領域の少
    なくとも一部に設けられ前記パターン領域を透過するビ
    ームの位相を変化させる領域とを備えたフォトマスクの
    検査方法において、 前記位相を変化させる領域を含む被検査パターンに光を
    照射するステップと、 前記照射により前記被検査パターンのフーリエ変換面に
    生ずる光の強度分布を検出するステップと、 を含むことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  12. 【請求項12】 パターン領域と、該パターン領域の少
    なくとも一部に設けられ前記パターン領域を反射するビ
    ームの位相を変化させる領域とを備えたフォトマスクの
    検査方法において、 前記位相を変化させる領域を含む被検査パターンに光を
    照射するステップと、 前記照射により前記被検査パターンのフーリエ変換面に
    生ずる光の強度分布を検出するステップと、 を含むことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  13. 【請求項13】 前記強度分布に基づいて、前記位相を
    変化させる領域の位相変化量を求めるステップをさらに
    含むことを特徴とする請求項11又は12に記載のフォ
    トマスクの検査方法。
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