JP3368932B2 - 透明石英ガラスとその製造方法 - Google Patents
透明石英ガラスとその製造方法Info
- Publication number
- JP3368932B2 JP3368932B2 JP04225293A JP4225293A JP3368932B2 JP 3368932 B2 JP3368932 B2 JP 3368932B2 JP 04225293 A JP04225293 A JP 04225293A JP 4225293 A JP4225293 A JP 4225293A JP 3368932 B2 JP3368932 B2 JP 3368932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- transparent
- transparent quartz
- temperature
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/07—Impurity concentration specified
- C03B2201/075—Hydroxyl ion (OH)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/21—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with molecular hydrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明石英ガラス、特に
エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガラスとその製
造方法に関する。
エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガラスとその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英ガラスは、近赤外から真空紫外域に
わたる広範囲の波長域において透明な材料であること、
並びに熱膨張係数がきわめて小さく寸法安定性に優れて
いること、さらに化学的耐久性に優れていることのため
に、ＬＳＩ製造の際のリソグラフィー工程のフォトマス
ク用基板材料として広く用いられている。
わたる広範囲の波長域において透明な材料であること、
並びに熱膨張係数がきわめて小さく寸法安定性に優れて
いること、さらに化学的耐久性に優れていることのため
に、ＬＳＩ製造の際のリソグラフィー工程のフォトマス
ク用基板材料として広く用いられている。
【０００３】しかしながら、従来の石英ガラスは、フォ
トマスク製造工程中のプラズマエッチングやエキシマレ
ーザー等の高エネルギーの紫外線にさらされると構造欠
陥が誘起され、紫外域の光の透過率低下や蛍光発光中心
を生成する等の問題があり、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーやＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とした超ＬＳＩ
のリソグラフィー工程に用いられるフォトマスク用基
板、さらにはＡｒＦエキシマレーザーやＫｒＦエキシマ
レーザーを光源とした光学系を構築する際の光学部材と
しては問題があった。
トマスク製造工程中のプラズマエッチングやエキシマレ
ーザー等の高エネルギーの紫外線にさらされると構造欠
陥が誘起され、紫外域の光の透過率低下や蛍光発光中心
を生成する等の問題があり、特にＡｒＦエキシマレーザ
ーやＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とした超ＬＳＩ
のリソグラフィー工程に用いられるフォトマスク用基
板、さらにはＡｒＦエキシマレーザーやＫｒＦエキシマ
レーザーを光源とした光学系を構築する際の光学部材と
しては問題があった。
【０００４】これらの問題を解決するための方法とし
て、種々の検討がなされており、石英ガラス中に水素分
子を何らかの形で含有させればよいことが知られてい
る。しかしながら、水素を含有させるべき石英ガラスを
特定しなければ、必ずしも完全な効果は期待できない。
例えば、特開平１−２０１６６４号公報では、石英ガラ
スを水素を含有する雰囲気で熱処理する方法が開示され
ている。しかしながら、同公報に開示されている方法で
は、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる多孔質
石英ガラス体を透明ガラス化した石英ガラスにＫｒＦエ
キシマレーザーを照射した際に形成される２６０ｎｍ近
傍の吸収帯と６５０ｎｍ近傍の蛍光発光を完全に抑止す
ることは不可能である。
て、種々の検討がなされており、石英ガラス中に水素分
子を何らかの形で含有させればよいことが知られてい
る。しかしながら、水素を含有させるべき石英ガラスを
特定しなければ、必ずしも完全な効果は期待できない。
例えば、特開平１−２０１６６４号公報では、石英ガラ
スを水素を含有する雰囲気で熱処理する方法が開示され
ている。しかしながら、同公報に開示されている方法で
は、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる多孔質
石英ガラス体を透明ガラス化した石英ガラスにＫｒＦエ
キシマレーザーを照射した際に形成される２６０ｎｍ近
傍の吸収帯と６５０ｎｍ近傍の蛍光発光を完全に抑止す
ることは不可能である。
【０００５】一方、石英ガラスにエキシマレーザー耐性
を付与するために、石英ガラス中に水素分子を溶解させ
る方法が、特開平３−８８７４２号公報に開示されてい
る。しかしながら同公報に開示されている石英ガラスで
は、多量の水素分子を溶解させる必要があり、そのため
に石英ガラスを爆発の危険性を有する水素雰囲気下でし
かも加圧下で熱処理する必要があり、設備が大がかりに
なる問題がある。
を付与するために、石英ガラス中に水素分子を溶解させ
る方法が、特開平３−８８７４２号公報に開示されてい
る。しかしながら同公報に開示されている石英ガラスで
は、多量の水素分子を溶解させる必要があり、そのため
に石英ガラスを爆発の危険性を有する水素雰囲気下でし
かも加圧下で熱処理する必要があり、設備が大がかりに
なる問題がある。
【０００６】また、ガラス形成原料を火炎加水分解して
得られる多孔質石英ガラス体をハロゲン雰囲気で熱処理
してＯＨを全く含有しない石英ガラスを製造する方法
は、例えば、低損失な石英ガラスファイバーの製造法で
あるＶＡＤ法多孔質石英ガラスの透明ガラス化法として
公知である。しかしながら、かかる方法で透明ガラス化
された石英ガラスは、２５０ｎｍ近傍に強大な吸収帯を
有しており、ＫｒＦエキシマレーザーを用いたリソグラ
フィー工程のフォトマスク用基板としては使用できな
い。さらにＫｒＦエキシマレーザーを照射すると、２８
５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍ近傍に強い蛍光発光が
認められ、目視で青色に見える。特に２８５ｎｍに蛍光
発光を有すると、ＫｒＦエキシマレーザーを露光光源と
したリソグラフィー工程においては、２８５ｎｍの蛍光
発光によりレジストが感光するためにフォトマスク用基
板としては使用できない。
得られる多孔質石英ガラス体をハロゲン雰囲気で熱処理
してＯＨを全く含有しない石英ガラスを製造する方法
は、例えば、低損失な石英ガラスファイバーの製造法で
あるＶＡＤ法多孔質石英ガラスの透明ガラス化法として
公知である。しかしながら、かかる方法で透明ガラス化
された石英ガラスは、２５０ｎｍ近傍に強大な吸収帯を
有しており、ＫｒＦエキシマレーザーを用いたリソグラ
フィー工程のフォトマスク用基板としては使用できな
い。さらにＫｒＦエキシマレーザーを照射すると、２８
５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍ近傍に強い蛍光発光が
認められ、目視で青色に見える。特に２８５ｎｍに蛍光
発光を有すると、ＫｒＦエキシマレーザーを露光光源と
したリソグラフィー工程においては、２８５ｎｍの蛍光
発光によりレジストが感光するためにフォトマスク用基
板としては使用できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の問題
を解決するためになされたものであり、エキシマレーザ
ーの照射に対しても構造欠陥による吸収帯または蛍光発
光の少ない、エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガ
ラスとその製造方法を提供するものである。
を解決するためになされたものであり、エキシマレーザ
ーの照射に対しても構造欠陥による吸収帯または蛍光発
光の少ない、エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガ
ラスとその製造方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明石英ガラ
ス中のＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下であって、フッ素を
４００ｐｐｍ以上含有し、かつ水素を含有し、ＫｒＦエ
キシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅ、２
００Ｈｚの条件で８０分間照射した場合に波長６５０ｎ
ｍの蛍光強度が実質的に変化しない透明石英ガラスを提
供する。前記透明石英ガラスは、ガラス形成原料を火炎
加水分解させて得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積
・成長させて形成された多孔質石英ガラス体を加熱して
得られる透明石英ガラスであることが好ましい。
ス中のＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下であって、フッ素を
４００ｐｐｍ以上含有し、かつ水素を含有し、ＫｒＦエ
キシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅ、２
００Ｈｚの条件で８０分間照射した場合に波長６５０ｎ
ｍの蛍光強度が実質的に変化しない透明石英ガラスを提
供する。前記透明石英ガラスは、ガラス形成原料を火炎
加水分解させて得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積
・成長させて形成された多孔質石英ガラス体を加熱して
得られる透明石英ガラスであることが好ましい。
【０００９】また本発明者は、上述の従来の問題点に鑑
み、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる多孔質
石英ガラス体を透明ガラス化して得られる透明石英ガラ
スにエキシマレーザー耐性を付与するために、多孔質石
英ガラス体が透明ガラス化する温度よりも低い温度域に
おいて後述する脱水処理を行った後、透明ガラス化を行
い、さらに所望の形状に成形した後、水素雰囲気で処理
することによって、容易にエキシマレーザー耐性を有す
る透明石英ガラスが製造できることを見いだした。本発
明は、 （１）ガラス形成原料を火炎加水分解して形成される石
英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて多孔質石英ガ
ラス体を形成する工程、 （２）該多孔質石英ガラス体を透明ガラス化温度以下の
温度域で保持し、多孔質石英ガラス体の脱水を行う工
程、 （３）透明ガラス化温度以下の温度域で保持して脱水し
た多孔質石英ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温・
透明ガラス化して透明石英ガラス体を得る工程、 （４）該透明石英ガラス体を軟化点以上の温度に加熱し
て所望の形状に成形し、成形石英ガラス体とする工程、
および （５）該成形石英ガラス体に水素を含有する雰囲気で熱
処理を施し透明石英ガラスを得る工程、とからなる工程
で製造されることを特徴とする、透明石英ガラス中のＯ
Ｈ含有量が１０ｐｐｍ以下であって、ハロゲンを４００
ｐｐｍ以上含有し、かつ水素を含有し、ＫｒＦエキシマ
レーザーを２００ｍＪ／ｃｍ ２ ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈ
ｚの条件で８０分間照射した場合に波長６５０ｎｍの蛍
光強度が実質的に変化しないように水素を含有させた透
明石英ガラスの製造方法を提供する。
み、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる多孔質
石英ガラス体を透明ガラス化して得られる透明石英ガラ
スにエキシマレーザー耐性を付与するために、多孔質石
英ガラス体が透明ガラス化する温度よりも低い温度域に
おいて後述する脱水処理を行った後、透明ガラス化を行
い、さらに所望の形状に成形した後、水素雰囲気で処理
することによって、容易にエキシマレーザー耐性を有す
る透明石英ガラスが製造できることを見いだした。本発
明は、 （１）ガラス形成原料を火炎加水分解して形成される石
英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて多孔質石英ガ
ラス体を形成する工程、 （２）該多孔質石英ガラス体を透明ガラス化温度以下の
温度域で保持し、多孔質石英ガラス体の脱水を行う工
程、 （３）透明ガラス化温度以下の温度域で保持して脱水し
た多孔質石英ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温・
透明ガラス化して透明石英ガラス体を得る工程、 （４）該透明石英ガラス体を軟化点以上の温度に加熱し
て所望の形状に成形し、成形石英ガラス体とする工程、
および （５）該成形石英ガラス体に水素を含有する雰囲気で熱
処理を施し透明石英ガラスを得る工程、とからなる工程
で製造されることを特徴とする、透明石英ガラス中のＯ
Ｈ含有量が１０ｐｐｍ以下であって、ハロゲンを４００
ｐｐｍ以上含有し、かつ水素を含有し、ＫｒＦエキシマ
レーザーを２００ｍＪ／ｃｍ ２ ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈ
ｚの条件で８０分間照射した場合に波長６５０ｎｍの蛍
光強度が実質的に変化しないように水素を含有させた透
明石英ガラスの製造方法を提供する。
【００１０】本発明におけるＯＨ含有量は、透明石英ガ
ラスの赤外分光スペクトルにおいて、２．７μｍ付近に
認められる透明石英ガラス中のＳｉ−ＯＨの伸縮振動に
基づく吸収から求めたものである（Ｊ．Ｐ．Ｗｉｌｌｉ
ａｍｓ他：Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．
５５，５２４〜５２７頁）。
ラスの赤外分光スペクトルにおいて、２．７μｍ付近に
認められる透明石英ガラス中のＳｉ−ＯＨの伸縮振動に
基づく吸収から求めたものである（Ｊ．Ｐ．Ｗｉｌｌｉ
ａｍｓ他：Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．
５５，５２４〜５２７頁）。
【００１１】以下、本発明の内容を順を追って説明す
る。まず、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる
石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて形成された
多孔質石英ガラス体を脱水処理した後、透明ガラス化し
て透明石英ガラス体とする製造方法で、ＯＨ濃度の異な
る透明石英ガラス体を製造した。
る。まず、ガラス形成原料を火炎加水分解して得られる
石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて形成された
多孔質石英ガラス体を脱水処理した後、透明ガラス化し
て透明石英ガラス体とする製造方法で、ＯＨ濃度の異な
る透明石英ガラス体を製造した。
【００１２】さらに、該透明石英ガラス体中に水素分子
を含有させた後、透明石英ガラス中のＯＨ濃度とエキシ
マレーザー照射によって誘起される構造欠陥に基づく６
５０ｎｍ蛍光発光強度の関係を検討した結果、本発明者
らは、図１に示すように、６５０ｎｍ蛍光強度（大塚電
子株式会社製ＭＰＣＤ−１０００により測定）が透明石
英ガラス中のＯＨ含有量に強く依存することを初めて見
いだした。すなわち、６５０ｎｍ蛍光強度は透明石英ガ
ラス中のＯＨ含有量に比例し、ＯＨ含有量を４０ｐｐｍ
程度まで減少させれば、６５０ｎｍ蛍光発光強度はごく
微弱となりフォトマスク等の光学部材として実質的に問
題がないレベルとなり、さらにＯＨ含有量が１０ｐｐｍ
以下であれば、６５０ｎｍ蛍光発光を完全に抑制するこ
とが可能で、より好ましいことを見いだした。
を含有させた後、透明石英ガラス中のＯＨ濃度とエキシ
マレーザー照射によって誘起される構造欠陥に基づく６
５０ｎｍ蛍光発光強度の関係を検討した結果、本発明者
らは、図１に示すように、６５０ｎｍ蛍光強度（大塚電
子株式会社製ＭＰＣＤ−１０００により測定）が透明石
英ガラス中のＯＨ含有量に強く依存することを初めて見
いだした。すなわち、６５０ｎｍ蛍光強度は透明石英ガ
ラス中のＯＨ含有量に比例し、ＯＨ含有量を４０ｐｐｍ
程度まで減少させれば、６５０ｎｍ蛍光発光強度はごく
微弱となりフォトマスク等の光学部材として実質的に問
題がないレベルとなり、さらにＯＨ含有量が１０ｐｐｍ
以下であれば、６５０ｎｍ蛍光発光を完全に抑制するこ
とが可能で、より好ましいことを見いだした。
【００１３】透明石英ガラス中のＯＨ含有量をさらに低
減するために、透明ガラス化温度以下の温度でハロゲン
元素含有ガスを含む雰囲気において脱水処理した後、透
明ガラス化した。得られた透明石英ガラス体にＫｒＦエ
キシマレーザーを照射したところ、２８５ｎｍ、３９０
ｎｍ、４６０ｎｍに強い蛍光発光を有していることが判
明した。本発明者らは、ハロゲンガスにより脱水した透
明石英ガラス体をさらに水素雰囲気下で熱処理を施し水
素を含有させる処理を行い、透明石英ガラスを得た後、
エキシマレーザー耐性を評価した。この結果、該透明石
英ガラス中に含有されるハロゲンの濃度に依存して各蛍
光発光の抑止の割合が異なることを見いだした。すなわ
ち該透明石英ガラス中のハロゲン濃度が４００ｐｐｍ以
上では、２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍの蛍光発
光が水素分子を含有させることによってほぼ抑止され、
さらに好ましくはハロゲン濃度が５００ｐｐｍ以上であ
れば、各蛍光発光は完全に抑止されることを見いだし
た。またハロゲン濃度が４００ｐｐｍより少ないと３９
０ｎｍ蛍光発光の抑止が不完全となり好ましくない。
減するために、透明ガラス化温度以下の温度でハロゲン
元素含有ガスを含む雰囲気において脱水処理した後、透
明ガラス化した。得られた透明石英ガラス体にＫｒＦエ
キシマレーザーを照射したところ、２８５ｎｍ、３９０
ｎｍ、４６０ｎｍに強い蛍光発光を有していることが判
明した。本発明者らは、ハロゲンガスにより脱水した透
明石英ガラス体をさらに水素雰囲気下で熱処理を施し水
素を含有させる処理を行い、透明石英ガラスを得た後、
エキシマレーザー耐性を評価した。この結果、該透明石
英ガラス中に含有されるハロゲンの濃度に依存して各蛍
光発光の抑止の割合が異なることを見いだした。すなわ
ち該透明石英ガラス中のハロゲン濃度が４００ｐｐｍ以
上では、２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍの蛍光発
光が水素分子を含有させることによってほぼ抑止され、
さらに好ましくはハロゲン濃度が５００ｐｐｍ以上であ
れば、各蛍光発光は完全に抑止されることを見いだし
た。またハロゲン濃度が４００ｐｐｍより少ないと３９
０ｎｍ蛍光発光の抑止が不完全となり好ましくない。
【００１４】透明石英ガラス中に含まれるハロゲンの存
在状態は明らかではないが、４００ｐｐｍ以上のハロゲ
ンが透明石英ガラス中に存在することによって、ＯＨ含
有量の低減をもたらし、かつ水素を含有する場合には、
ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して６５０ｎｍ蛍光
発光、並びに２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍの各
蛍光発光も実質的に問題とならない程度に抑止されるこ
とを見いだした。
在状態は明らかではないが、４００ｐｐｍ以上のハロゲ
ンが透明石英ガラス中に存在することによって、ＯＨ含
有量の低減をもたらし、かつ水素を含有する場合には、
ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して６５０ｎｍ蛍光
発光、並びに２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０ｎｍの各
蛍光発光も実質的に問題とならない程度に抑止されるこ
とを見いだした。
【００１５】また、透明石英ガラス中の水素分子の影響
を検討するために、水素含有量の異なる透明石英ガラス
を作成し、ラマン分光法（日本分光工業株式会社製Ｒ−
８００による）で測定した溶存水素量と、ＫｒＦエキシ
マレーザーを照射した際の蛍光発光の関係を検討した。
ＯＨ含有量が１０ｐｐｍで溶存水素量が４．４×１０17
分子／ｃｍ3 の透明石英ガラスでは、ＫｒＦエキシマレ
ーザー照射時に３９０ｎｍの蛍光発光が認められた。一
方、ラマン散乱ピークが認められず溶存水素量がラマン
法の検出限界以下である１×１０17分子／ｃｍ3 以下
で、かつＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下の透明石英ガラス
は３９０ｎｍの蛍光発光を生じず、しかも６５０ｎｍ蛍
光発光も実質的に抑制されていることを見いだした。
を検討するために、水素含有量の異なる透明石英ガラス
を作成し、ラマン分光法（日本分光工業株式会社製Ｒ−
８００による）で測定した溶存水素量と、ＫｒＦエキシ
マレーザーを照射した際の蛍光発光の関係を検討した。
ＯＨ含有量が１０ｐｐｍで溶存水素量が４．４×１０17
分子／ｃｍ3 の透明石英ガラスでは、ＫｒＦエキシマレ
ーザー照射時に３９０ｎｍの蛍光発光が認められた。一
方、ラマン散乱ピークが認められず溶存水素量がラマン
法の検出限界以下である１×１０17分子／ｃｍ3 以下
で、かつＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下の透明石英ガラス
は３９０ｎｍの蛍光発光を生じず、しかも６５０ｎｍ蛍
光発光も実質的に抑制されていることを見いだした。
【００１６】そこで、透明石英ガラスを真空中１０００
℃で加熱したときに放出される水素量を評価したとこ
ろ、前記エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガラス
の表面積あたりの水素分子放出量は０．９×１０20分子
／ｍ2 であった。また水素分子放出量が１．５×１０20
分子／ｍ2 の透明石英ガラスでは３９０ｎｍ蛍光発光の
抑止が不充分であった。一方、水素分子放出量が５×１
０17分子／ｍ2 程度の水素分子含有量の少ない透明石英
ガラスでは２８５ｍｍ、４６０ｎｍの蛍光発光が認めら
れ、さらにエキシマレーザー照射にしたがって６５０ｎ
ｍ蛍光強度の増大が認められた。本発明においては、真
空中１０００℃に昇温したときの水素分子放出量が、１
×１０18〜１×１０20分子／ｍ2 の範囲であることが重
要である。
℃で加熱したときに放出される水素量を評価したとこ
ろ、前記エキシマレーザー耐性を有する透明石英ガラス
の表面積あたりの水素分子放出量は０．９×１０20分子
／ｍ2 であった。また水素分子放出量が１．５×１０20
分子／ｍ2 の透明石英ガラスでは３９０ｎｍ蛍光発光の
抑止が不充分であった。一方、水素分子放出量が５×１
０17分子／ｍ2 程度の水素分子含有量の少ない透明石英
ガラスでは２８５ｍｍ、４６０ｎｍの蛍光発光が認めら
れ、さらにエキシマレーザー照射にしたがって６５０ｎ
ｍ蛍光強度の増大が認められた。本発明においては、真
空中１０００℃に昇温したときの水素分子放出量が、１
×１０18〜１×１０20分子／ｍ2 の範囲であることが重
要である。
【００１７】本発明において、好ましい実施態様の一つ
としては、予めガラス形成原料を酸水素炎中で火炎加水
分解して得られる石英ガラス微粉末を基材に堆積・成長
させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下
の温度域で、ハロゲン元素含有ガスを含む雰囲気で脱水
処理を行う。前記脱水処理を行った後、引き続き透明ガ
ラス化温度まで昇温加熱して透明石英ガラス体とする。
さらに軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し
た後、水素雰囲気で熱処理して、エキシマレーザー耐性
に優れる透明石英ガラスを得る。上記基材として石英ガ
ラス製の種棒（例えば特公昭６３−２４９７３号公報）
を用いることができる。また石英ガラス製に限らず板状
の基材を用いてもよい。
としては、予めガラス形成原料を酸水素炎中で火炎加水
分解して得られる石英ガラス微粉末を基材に堆積・成長
させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下
の温度域で、ハロゲン元素含有ガスを含む雰囲気で脱水
処理を行う。前記脱水処理を行った後、引き続き透明ガ
ラス化温度まで昇温加熱して透明石英ガラス体とする。
さらに軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形し
た後、水素雰囲気で熱処理して、エキシマレーザー耐性
に優れる透明石英ガラスを得る。上記基材として石英ガ
ラス製の種棒（例えば特公昭６３−２４９７３号公報）
を用いることができる。また石英ガラス製に限らず板状
の基材を用いてもよい。
【００１８】用いられるガラス形成原料としては、ガス
化可能な原料であれば特に制限されず、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＣＨ3 ＳｉＣｌ3 等の塩
化物、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 等のフッ化
物、ＳｉＢｒ4 、ＳｉＨＢｒ3 等の臭化物、ＳｉＩ4 等
の沃化物等のハロゲン化珪素化合物が作業性やコストの
面から好ましい。多孔質石英ガラス体は、これらガラス
形成原料を通常の酸水素火炎中で加水分解し、基材上に
堆積させて形成される。
化可能な原料であれば特に制限されず、ＳｉＣｌ4 、Ｓ
ｉＨＣｌ3 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 、ＣＨ3 ＳｉＣｌ3 等の塩
化物、ＳｉＦ4 、ＳｉＨＦ3 、ＳｉＨ2 Ｆ2 等のフッ化
物、ＳｉＢｒ4 、ＳｉＨＢｒ3 等の臭化物、ＳｉＩ4 等
の沃化物等のハロゲン化珪素化合物が作業性やコストの
面から好ましい。多孔質石英ガラス体は、これらガラス
形成原料を通常の酸水素火炎中で加水分解し、基材上に
堆積させて形成される。
【００１９】このようにして得られた多孔質石英ガラス
体は、好ましくは、ついでハロゲン元素含有ガスを含む
雰囲気内で一定時間加熱保持された後、透明ガラス化ま
で昇温されて透明ガラス化して透明石英ガラス体とな
る。すなわち、例えば、多孔質石英ガラス体は雰囲気制
御可能な電気炉内に予め装着された後、一定の昇温速度
で加熱される。ついで所定の温度に到達の後、ハロゲン
元素含有ガスを容積で０．０１〜５％含むガスを導入
し、ハロゲン元素含有ガスを含む雰囲気（例えば塩素雰
囲気やフッ素雰囲気）とする。
体は、好ましくは、ついでハロゲン元素含有ガスを含む
雰囲気内で一定時間加熱保持された後、透明ガラス化ま
で昇温されて透明ガラス化して透明石英ガラス体とな
る。すなわち、例えば、多孔質石英ガラス体は雰囲気制
御可能な電気炉内に予め装着された後、一定の昇温速度
で加熱される。ついで所定の温度に到達の後、ハロゲン
元素含有ガスを容積で０．０１〜５％含むガスを導入
し、ハロゲン元素含有ガスを含む雰囲気（例えば塩素雰
囲気やフッ素雰囲気）とする。
【００２０】ハロゲンの種類としては、沃素、臭素、塩
素、フッ素のうちから適宜選択できるが、取扱い性の面
から、塩素またはフッ素が好ましい。特に炉材等の耐食
性の点から、塩素が好ましい。またハロゲンの供給源と
して、塩素ガス、フッ素ガスの一部または全部を、塩素
の場合には、ＣＣｌ4 、ＣＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ4 等に変
更して使用してもよく、フッ素の場合には、ＳＦ6 、Ｃ
ＨＦ3 、ＳｉＦ4 等のハロゲン化物に変更して使用して
もよい。
素、フッ素のうちから適宜選択できるが、取扱い性の面
から、塩素またはフッ素が好ましい。特に炉材等の耐食
性の点から、塩素が好ましい。またハロゲンの供給源と
して、塩素ガス、フッ素ガスの一部または全部を、塩素
の場合には、ＣＣｌ4 、ＣＨＣｌ3 、ＳｉＣｌ4 等に変
更して使用してもよく、フッ素の場合には、ＳＦ6 、Ｃ
ＨＦ3 、ＳｉＦ4 等のハロゲン化物に変更して使用して
もよい。
【００２１】またハロゲン元素含有ガスの濃度として
は、容積で０．０１〜５％の範囲であることが好まし
い。ハロゲン元素含有ガスの濃度が５％を超えると、引
き続き透明ガラス化するために昇温した際に、多孔質石
英ガラス体中に含有されたハロゲンが遊離し透明ガラス
化しないため好ましくなく、また濃度が０．０１％未満
の場合には、ハロゲン処理の効果が認められないため好
ましくない。
は、容積で０．０１〜５％の範囲であることが好まし
い。ハロゲン元素含有ガスの濃度が５％を超えると、引
き続き透明ガラス化するために昇温した際に、多孔質石
英ガラス体中に含有されたハロゲンが遊離し透明ガラス
化しないため好ましくなく、また濃度が０．０１％未満
の場合には、ハロゲン処理の効果が認められないため好
ましくない。
【００２２】次に、脱水処理する際の温度域としては、
８００〜１２５０℃の範囲であることが好ましく、これ
より低い温度では乾燥ガス、またはハロゲンによる脱水
効果が認められず、これより高い温度では多孔質石英ガ
ラス体の表面で透明ガラス化が進行してしまい、多孔質
石英ガラス体の脱水が効率よく行われないために好まし
くない。
８００〜１２５０℃の範囲であることが好ましく、これ
より低い温度では乾燥ガス、またはハロゲンによる脱水
効果が認められず、これより高い温度では多孔質石英ガ
ラス体の表面で透明ガラス化が進行してしまい、多孔質
石英ガラス体の脱水が効率よく行われないために好まし
くない。
【００２３】さらに脱水処理する際の温度域で保持する
時間としては、処理する温度、ハロゲン元素含有ガスの
濃度、多孔質石英ガラス体の体積等に依存するため一概
に規定することは困難であるが、１〜３０時間の範囲で
あることが好ましい。透明石英ガラス中のＯＨ含有量
は、ＦＴＩＲ分光法によりＳｉ−ＯＨによる３６８０ｃ
ｍ-1の吸収で定量することができ、ハロゲン元素含有ガ
スで脱水された透明石英ガラス中のＯＨ含有量は１０ｐ
ｐｍ以下となる。
時間としては、処理する温度、ハロゲン元素含有ガスの
濃度、多孔質石英ガラス体の体積等に依存するため一概
に規定することは困難であるが、１〜３０時間の範囲で
あることが好ましい。透明石英ガラス中のＯＨ含有量
は、ＦＴＩＲ分光法によりＳｉ−ＯＨによる３６８０ｃ
ｍ-1の吸収で定量することができ、ハロゲン元素含有ガ
スで脱水された透明石英ガラス中のＯＨ含有量は１０ｐ
ｐｍ以下となる。
【００２４】このようにしてハロゲン含有ガスにより脱
水された多孔質石英ガラス体は、引き続き透明ガラス化
温度まで昇温・加熱されて透明ガラス化される。透明ガ
ラス化温度は、１３５０〜１５００℃の範囲であること
が好ましい。透明ガラス化された透明石英ガラス体は、
通常、基材から取り除かれ、次工程へ移される。
水された多孔質石英ガラス体は、引き続き透明ガラス化
温度まで昇温・加熱されて透明ガラス化される。透明ガ
ラス化温度は、１３５０〜１５００℃の範囲であること
が好ましい。透明ガラス化された透明石英ガラス体は、
通常、基材から取り除かれ、次工程へ移される。
【００２５】こうして得られた透明石英ガラス体を所望
の形状に成形するには、透明石英ガラス体を軟化点以上
の温度域に加熱する。このときの温度域としては、１６
００〜１８００℃の範囲であることが好ましい。１６０
０℃より低い温度では、透明石英ガラス体の粘度が高い
ため成形が事実上困難であるとともに、結晶化による失
透が生じるため好ましくなく、１８００℃より高い温度
では、透明石英ガラス体の昇華が生じるため好ましくな
い。
の形状に成形するには、透明石英ガラス体を軟化点以上
の温度域に加熱する。このときの温度域としては、１６
００〜１８００℃の範囲であることが好ましい。１６０
０℃より低い温度では、透明石英ガラス体の粘度が高い
ため成形が事実上困難であるとともに、結晶化による失
透が生じるため好ましくなく、１８００℃より高い温度
では、透明石英ガラス体の昇華が生じるため好ましくな
い。
【００２６】所望の形状に成形された透明石英ガラス体
は、引き続き水素分子を含有させるために、雰囲気制御
可能な電気炉内に装着され、処理温度まで昇温される。
処理温度に到達した後、水素を含有する雰囲気ガスを導
入し炉内雰囲気を水素雰囲気とする。水素濃度として
は、３０％以上であることが好ましい。これより低い濃
度では、必要な水素量の導入が不可能であるため好まし
くない。さらに好ましくは９０％以上の水素濃度とす
る。
は、引き続き水素分子を含有させるために、雰囲気制御
可能な電気炉内に装着され、処理温度まで昇温される。
処理温度に到達した後、水素を含有する雰囲気ガスを導
入し炉内雰囲気を水素雰囲気とする。水素濃度として
は、３０％以上であることが好ましい。これより低い濃
度では、必要な水素量の導入が不可能であるため好まし
くない。さらに好ましくは９０％以上の水素濃度とす
る。
【００２７】また処理温度は、５００〜１１００℃の範
囲であることが好ましい。これより低い温度では、水素
分子の拡散係数が小さく必要な水素量を含有させるため
に必要な時間がきわめて長時間となり好ましくない。ま
た１１００℃を超えると水素分子との反応により３９０
ｎｍ蛍光発光中心が形成されるため好ましくない。透明
石英ガラス中に溶解する水素量は、温度の上昇にしたが
って減少するため、さらに好ましくは８００〜１０００
℃の範囲である。
囲であることが好ましい。これより低い温度では、水素
分子の拡散係数が小さく必要な水素量を含有させるため
に必要な時間がきわめて長時間となり好ましくない。ま
た１１００℃を超えると水素分子との反応により３９０
ｎｍ蛍光発光中心が形成されるため好ましくない。透明
石英ガラス中に溶解する水素量は、温度の上昇にしたが
って減少するため、さらに好ましくは８００〜１０００
℃の範囲である。
【００２８】以上のような工程を経て製造される透明石
英ガラスはＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下でかつハロゲン
含有量が４００ｐｐｍ以上となる。
英ガラスはＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下でかつハロゲン
含有量が４００ｐｐｍ以上となる。
【００２９】さらに該透明石英ガラスは、水素分子含有
量がラマン法による検出限界以下となり、表面積あたり
の水素分子放出量が１×１０20分子／ｍ2 以下であっ
て、ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して、吸収帯の
生成や蛍光発光中心のないエキシマレーザー耐性を有す
る透明石英ガラスである。また、本発明により製造され
る透明石英ガラスは、ガラス形成原料として高純度な合
成原料が使用できること、溶融工程を経ないためにルツ
ボ等からの不純物の混入がないこと等から、鉄、ニッケ
ル等の重金属元素やナトリウム、カリウム等のアルカリ
金属元素の不純物総量が１ｐｐｍ以下ときわめて高純度
である。
量がラマン法による検出限界以下となり、表面積あたり
の水素分子放出量が１×１０20分子／ｍ2 以下であっ
て、ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して、吸収帯の
生成や蛍光発光中心のないエキシマレーザー耐性を有す
る透明石英ガラスである。また、本発明により製造され
る透明石英ガラスは、ガラス形成原料として高純度な合
成原料が使用できること、溶融工程を経ないためにルツ
ボ等からの不純物の混入がないこと等から、鉄、ニッケ
ル等の重金属元素やナトリウム、カリウム等のアルカリ
金属元素の不純物総量が１ｐｐｍ以下ときわめて高純度
である。
【００３０】
【作用】透明石英ガラスにエキシマレーザーのような高
エネルギーの紫外線を照射した際に、６５０ｎｍ蛍光発
光中心が生成し、赤色を呈する機構は必ずしも明確では
ないが、透明石英ガラス中の非架橋酸素ラジカルが原因
であるといわれている。そして、非架橋酸素ラジカル
は、石英ガラス中に含有される溶存酸素分子、酸素過剰
型欠陥（Ｓｉ−Ｏ−Ｏ−Ｓｉ）等にエキシマレーザーを
照射することによって形成されることが知られている。
本発明者は、エキシマレーザー照射時にＯＨ基が非架橋
酸素ラジカルになることを初めて見いだした。したがっ
て、非架橋酸素ラジカルの前駆体となりうる溶存酸素分
子、酸素過剰型欠陥、ＯＨ含有量を減少させることがエ
キシマレーザー耐性の上で重要な因子となる。
エネルギーの紫外線を照射した際に、６５０ｎｍ蛍光発
光中心が生成し、赤色を呈する機構は必ずしも明確では
ないが、透明石英ガラス中の非架橋酸素ラジカルが原因
であるといわれている。そして、非架橋酸素ラジカル
は、石英ガラス中に含有される溶存酸素分子、酸素過剰
型欠陥（Ｓｉ−Ｏ−Ｏ−Ｓｉ）等にエキシマレーザーを
照射することによって形成されることが知られている。
本発明者は、エキシマレーザー照射時にＯＨ基が非架橋
酸素ラジカルになることを初めて見いだした。したがっ
て、非架橋酸素ラジカルの前駆体となりうる溶存酸素分
子、酸素過剰型欠陥、ＯＨ含有量を減少させることがエ
キシマレーザー耐性の上で重要な因子となる。
【００３１】非架橋酸素ラジカルの前駆体の一つである
ＯＨ含有量を１０ｐｐｍ以下に低減することによって、
エキシマレーザー照射時に６５０ｎｍ蛍光発光とその励
起波長である２６０ｎｍ近傍の吸収帯を低減させる作用
を有する。また水素を含有することは、酸素過剰型欠陥
並びに溶存酸素分子を除去することになり、エキシマレ
ーザー照射に対する耐性を改善する作用を有する。
ＯＨ含有量を１０ｐｐｍ以下に低減することによって、
エキシマレーザー照射時に６５０ｎｍ蛍光発光とその励
起波長である２６０ｎｍ近傍の吸収帯を低減させる作用
を有する。また水素を含有することは、酸素過剰型欠陥
並びに溶存酸素分子を除去することになり、エキシマレ
ーザー照射に対する耐性を改善する作用を有する。
【００３２】さらにハロゲンによる脱水操作によりＯＨ
基を除去した透明石英ガラス体に適当量の水素を含有さ
せることは、ハロゲン脱水操作によっても除去できなか
った酸素過剰型欠陥並びに溶存酸素を除去し、さらにハ
ロゲン脱水操作によって新たに生成する２８５ｎｍ、３
９０ｎｍ、４６０ｎｍ蛍光発光中心を除去し、エキシマ
レーザー耐性を完全なものとする作用を有する。
基を除去した透明石英ガラス体に適当量の水素を含有さ
せることは、ハロゲン脱水操作によっても除去できなか
った酸素過剰型欠陥並びに溶存酸素を除去し、さらにハ
ロゲン脱水操作によって新たに生成する２８５ｎｍ、３
９０ｎｍ、４６０ｎｍ蛍光発光中心を除去し、エキシマ
レーザー耐性を完全なものとする作用を有する。
【００３３】以下、本発明の詳細についてさらに実施例
により説明するが、本発明はこれら実施例により限定さ
れない。
により説明するが、本発明はこれら実施例により限定さ
れない。
【００３４】
【実施例】［実施例１］
公知の方法により、ＳｉＣｌ4 を酸水素火炎中で加水分
解させて形成させた微粒子を種棒に堆積させて形成させ
た直径９ｃｍ、長さ１０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常
圧かつ室温で黒鉛製発熱体を有する雰囲気制御可能な電
気炉内に設置した。ついで５００℃／ｈｒの昇温速度で
１２００℃まで昇温した後、２容積％の塩素ガスを含有
させた窒素ガスを導入し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有
する雰囲気とした後、１２５０℃に４時間保持した。塩
素ガスを含有する雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈ
ｅ１００％のガスを導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とし
た後、多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度
で１５００℃まで昇温し、１５００℃で３時間保持して
透明ガラス化を行った。
解させて形成させた微粒子を種棒に堆積させて形成させ
た直径９ｃｍ、長さ１０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常
圧かつ室温で黒鉛製発熱体を有する雰囲気制御可能な電
気炉内に設置した。ついで５００℃／ｈｒの昇温速度で
１２００℃まで昇温した後、２容積％の塩素ガスを含有
させた窒素ガスを導入し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有
する雰囲気とした後、１２５０℃に４時間保持した。塩
素ガスを含有する雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈ
ｅ１００％のガスを導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とし
た後、多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度
で１５００℃まで昇温し、１５００℃で３時間保持して
透明ガラス化を行った。
【００３５】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００３６】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００３７】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
１ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素（Ｃｌ原子）濃度は１０００ｐｐｍであった。ま
た真空中で１０００℃に昇温した際の水素分子放出量は
０．９×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラ
スにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐ
ｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光
強度を測定した。図１に示すように、この透明石英ガラ
スは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射しても６５０ｎｍ
蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎｍ近傍の吸収帯
も生じないことが明らかとなった。それゆえ、ＫｒＦエ
キシマレーザーを光源とする工程に用いるフォトマスク
用基板または光学部材に最も適切な透明石英ガラスであ
った。
１ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素（Ｃｌ原子）濃度は１０００ｐｐｍであった。ま
た真空中で１０００℃に昇温した際の水素分子放出量は
０．９×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラ
スにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐ
ｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光
強度を測定した。図１に示すように、この透明石英ガラ
スは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射しても６５０ｎｍ
蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎｍ近傍の吸収帯
も生じないことが明らかとなった。それゆえ、ＫｒＦエ
キシマレーザーを光源とする工程に用いるフォトマスク
用基板または光学部材に最も適切な透明石英ガラスであ
った。
【００３８】［比較例１］
実施例１と同様の方法で形成させた直径３５ｃｍ、長さ
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲
気制御可能な電気炉内に設置した。ついで水蒸気分圧が
０．００２ｍｍＨｇの窒素ガスで電気炉内雰囲気を置換
した後、水蒸気分圧が０．００２ｍｍＨｇの窒素ガスを
流しながら５００℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで
昇温した。引き続き、５０℃／ｈｒの昇温速度で１２５
０℃まで昇温して、その温度で５時間保持して脱水処理
を行った。
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲
気制御可能な電気炉内に設置した。ついで水蒸気分圧が
０．００２ｍｍＨｇの窒素ガスで電気炉内雰囲気を置換
した後、水蒸気分圧が０．００２ｍｍＨｇの窒素ガスを
流しながら５００℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで
昇温した。引き続き、５０℃／ｈｒの昇温速度で１２５
０℃まで昇温して、その温度で５時間保持して脱水処理
を行った。
【００３９】こうして得られた熱処理済みの多孔質石英
ガラス体を透明ガラス化のための炉内最高温度が１４５
０℃に制御された電気炉内上部に設置し、炉内を水蒸気
分圧が０．００２ｍｍＨｇのヘリウムガスで置換した
後、８０ｍｍ／ｈｒの速度で下降させながら最高温度域
を通過させて透明ガラス化を行った。
ガラス体を透明ガラス化のための炉内最高温度が１４５
０℃に制御された電気炉内上部に設置し、炉内を水蒸気
分圧が０．００２ｍｍＨｇのヘリウムガスで置換した
後、８０ｍｍ／ｈｒの速度で下降させながら最高温度域
を通過させて透明ガラス化を行った。
【００４０】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、１６×１６×３０
ｃｍのブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に
成形ブロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃
まで降温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行
い、炉内温度が１０００℃になったところで給電を停止
し炉内放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、１６×１６×３０
ｃｍのブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に
成形ブロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃
まで降温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行
い、炉内温度が１０００℃になったところで給電を停止
し炉内放冷した。
【００４１】こうして得られた透明石英ガラスブロック
から１６×１６×２ｃｍの透明石英ガラス体を切り出し
た後、雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃
まで３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃
に到達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉
内雰囲気を水素雰囲気とし、その温度で１５時間保持し
て透明石英ガラス体中に水素を含有させた。
から１６×１６×２ｃｍの透明石英ガラス体を切り出し
た後、雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃
まで３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃
に到達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉
内雰囲気を水素雰囲気とし、その温度で１５時間保持し
て透明石英ガラス体中に水素を含有させた。
【００４２】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
４０ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求められ
る溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であった。
さらに、真空中での１０００℃における水素分子放出量
は０．３×１０20分子／ｍ2であった。この透明石英ガ
ラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2／
ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発
光強度を測定した。図１に示すように、この透明石英ガ
ラスは、ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して、フォ
トマスク等の光学部材としては実質的には問題を生じな
い程度ではあるが、ごく微弱な６５０ｎｍ蛍光発光が認
められた。
４０ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求められ
る溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であった。
さらに、真空中での１０００℃における水素分子放出量
は０．３×１０20分子／ｍ2であった。この透明石英ガ
ラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2／
ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発
光強度を測定した。図１に示すように、この透明石英ガ
ラスは、ＫｒＦエキシマレーザーの照射に対して、フォ
トマスク等の光学部材としては実質的には問題を生じな
い程度ではあるが、ごく微弱な６５０ｎｍ蛍光発光が認
められた。
【００４３】［比較例２］
実施例１と同様の方法で形成させた直径３５ｃｍ、長さ
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲
気制御可能な電気炉内に設置した。ここで脱水処理を行
わないで、多孔質石英ガラス体を透明ガラス化のための
炉内最高温度が１４５０℃に制御された電気炉内上部に
設置し、炉内を水蒸気分圧が０．００２ｍｍＨｇのヘリ
ウムガスで置換した後、８０ｍｍ／ｈｒの速度で下降さ
せながら最高温度域を通過させて透明ガラス化を行っ
た。
１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲
気制御可能な電気炉内に設置した。ここで脱水処理を行
わないで、多孔質石英ガラス体を透明ガラス化のための
炉内最高温度が１４５０℃に制御された電気炉内上部に
設置し、炉内を水蒸気分圧が０．００２ｍｍＨｇのヘリ
ウムガスで置換した後、８０ｍｍ／ｈｒの速度で下降さ
せながら最高温度域を通過させて透明ガラス化を行っ
た。
【００４４】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、１８×１８×２４
ｃｍのブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に
成形ブロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃
まで降温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行
い、炉内温度が１０００℃になったところで給電を停止
し炉内放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、１８×１８×２４
ｃｍのブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に
成形ブロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃
まで降温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行
い、炉内温度が１０００℃になったところで給電を停止
し炉内放冷した。
【００４５】こうして得られた透明石英ガラスブロック
から１８×１８×１ｃｍの透明石英ガラス体を切り出し
た後、雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃
まで３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃
に到達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉
内雰囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して
透明石英ガラス体中に水素分子を含有させた。
から１８×１８×１ｃｍの透明石英ガラス体を切り出し
た後、雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃
まで３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃
に到達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉
内雰囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して
透明石英ガラス体中に水素分子を含有させた。
【００４６】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
２００ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求めら
れる溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であっ
た。さらに、真空中での１０００℃における水素分子放
出量は０．５×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石
英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ
2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍
光発光強度を測定した。図１に示すように、この透明石
英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射するにした
がって、６５０ｎｍ蛍光発光が生じ、したがって２６０
ｎｍ近傍の吸収帯も生じることが明らかとなった。それ
ゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用い
るフォトマスク用基板または光学部材に適切ではなかっ
た。
２００ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求めら
れる溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であっ
た。さらに、真空中での１０００℃における水素分子放
出量は０．５×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石
英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ
2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍
光発光強度を測定した。図１に示すように、この透明石
英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射するにした
がって、６５０ｎｍ蛍光発光が生じ、したがって２６０
ｎｍ近傍の吸収帯も生じることが明らかとなった。それ
ゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用い
るフォトマスク用基板または光学部材に適切ではなかっ
た。
【００４７】［比較例３］
実施例１と同様の方法で形成させた直径８ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲気制
御可能な電気炉内に設置した。ついで、純水を８０℃に
加熱したバブラーを通過させたＨｅガスを３リットル／
ｍｉｎの条件で導入し、水蒸気を含有した雰囲気とし
た。前記雰囲気中で多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈ
ｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５００℃で３
時間保持して透明ガラス化を行った。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で雰囲気制
御可能な電気炉内に設置した。ついで、純水を８０℃に
加熱したバブラーを通過させたＨｅガスを３リットル／
ｍｉｎの条件で導入し、水蒸気を含有した雰囲気とし
た。前記雰囲気中で多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈ
ｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５００℃で３
時間保持して透明ガラス化を行った。
【００４８】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００４９】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラス体中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラス体中に水素分子を含有させた。
【００５０】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
１１００ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求め
られる溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であっ
た。さらに、真空中での１０００℃における水素分子放
出量は０．９×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石
英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ
2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍
光発光強度を測定した。
１１００ｐｐｍであった。また、ラマン分光法から求め
られる溶存水素量は１×１０17分子／ｃｍ3 以下であっ
た。さらに、真空中での１０００℃における水素分子放
出量は０．９×１０20分子／ｍ2 であった。この透明石
英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ
2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で照射しながら、蛍
光発光強度を測定した。
【００５１】図１に示すように、この透明石英ガラス
は、ＫｒＦエキシマレーザーを照射するにしたがって、
６５０ｎｍ蛍光発光が最も生じやすく、したがって２６
０ｎｍ近傍の吸収帯も生じやすいことが明らかとなっ
た。それゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工
程に用いるフォトマスク用基板または光学部材に不適切
な透明石英ガラスであった。
は、ＫｒＦエキシマレーザーを照射するにしたがって、
６５０ｎｍ蛍光発光が最も生じやすく、したがって２６
０ｎｍ近傍の吸収帯も生じやすいことが明らかとなっ
た。それゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工
程に用いるフォトマスク用基板または光学部材に不適切
な透明石英ガラスであった。
【００５２】［実施例２］
実施例１と同様の方法で形成させた直径９ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に４時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、さらに窒素雰囲気中で４
時間保持した。ついでＨｅ１００％のガスを導入して、
雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラス体を５
００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５
００℃で３時間保持して透明ガラス化を行った。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に４時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、さらに窒素雰囲気中で４
時間保持した。ついでＨｅ１００％のガスを導入して、
雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラス体を５
００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５
００℃で３時間保持して透明ガラス化を行った。
【００５３】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００５４】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、９００℃まで３
００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。９００℃に到達し
た後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰囲気
を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石英
ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、９００℃まで３
００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。９００℃に到達し
た後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰囲気
を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石英
ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００５５】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
３ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は４４０ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は０．３×１０20
分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキ
シマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２０
０Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定し
た。この透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを
照射しても６５０ｎｍ蛍光発光を生じないことが判明し
たが、微弱な３９０ｎｍ蛍光発光が認められた。３９０
ｎｍ蛍光強度は比較例１の６５０ｎｍ蛍光強度に比較す
ると弱く、この透明石英ガラスをＫｒＦエキシマレーザ
ーを光源とする工程に用いるフォトマスク用基板または
光学部材として用いてもなんら問題のないことが明らか
となった。
３ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は４４０ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は０．３×１０20
分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキ
シマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２０
０Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定し
た。この透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを
照射しても６５０ｎｍ蛍光発光を生じないことが判明し
たが、微弱な３９０ｎｍ蛍光発光が認められた。３９０
ｎｍ蛍光強度は比較例１の６５０ｎｍ蛍光強度に比較す
ると弱く、この透明石英ガラスをＫｒＦエキシマレーザ
ーを光源とする工程に用いるフォトマスク用基板または
光学部材として用いてもなんら問題のないことが明らか
となった。
【００５６】［比較例４］
実施例１と同様の方法で形成させた直径９ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に４時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、さらに窒素雰囲気中で８
時間保持した。ついでＨｅ１００％のガスを導入して、
雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラス体を５
００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５
００℃で３時間保持して透明ガラス化を行った。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に４時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、さらに窒素雰囲気中で８
時間保持した。ついでＨｅ１００％のガスを導入して、
雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラス体を５
００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温し、１５
００℃で３時間保持して透明ガラス化を行った。
【００５７】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００５８】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００５９】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
３ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は３６０ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は０．４×１０20
分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキ
シマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２０
０Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定し
た。この透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを
照射しても６５０ｎｍ蛍光発光を生じなかったが、強大
な３９０ｎｍ蛍光発光が認められた。３９０ｎｍ蛍光強
度は実施例２の３９０ｎｍ蛍光強度に比較すると約２桁
大きく、この透明石英ガラスをＫｒＦエキシマレーザー
を光源とする工程に用いるフォトマスク用基板または光
学部材として使用できないことが明らかとなった。
３ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は３６０ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は０．４×１０20
分子／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキ
シマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２０
０Ｈｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定し
た。この透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを
照射しても６５０ｎｍ蛍光発光を生じなかったが、強大
な３９０ｎｍ蛍光発光が認められた。３９０ｎｍ蛍光強
度は実施例２の３９０ｎｍ蛍光強度に比較すると約２桁
大きく、この透明石英ガラスをＫｒＦエキシマレーザー
を光源とする工程に用いるフォトマスク用基板または光
学部材として使用できないことが明らかとなった。
【００６０】［実施例３］
実施例１と同様の方法で形成させた直径９ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１．５容積％のＣＨＦ3 ガスを含有させた窒素ガ
スを導入し、炉内雰囲気をＣＨＦ3 ガスを含有する雰囲
気とした後、１２５０℃で４時間保持した。ＣＨＦ3 ガ
スを含有する雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１
００％のガスを導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした
後、多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で
１５００℃まで昇温し、１５００℃で３時間保持して透
明ガラス化を行った。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１．５容積％のＣＨＦ3 ガスを含有させた窒素ガ
スを導入し、炉内雰囲気をＣＨＦ3 ガスを含有する雰囲
気とした後、１２５０℃で４時間保持した。ＣＨＦ3 ガ
スを含有する雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１
００％のガスを導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした
後、多孔質石英ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で
１５００℃まで昇温し、１５００℃で３時間保持して透
明ガラス化を行った。
【００６１】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００６２】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１００％水素ガスを導入し炉内雰
囲気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明
石英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００６３】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
５ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
るフッ素（Ｆ原子）濃度は２５００ｐｐｍであった。ま
た、ラマン分光法から求められる溶存水素量は、１×１
０17分子／ｃｍ3 以下であった。さらに、真空中での１
０００℃における水素分子放出量は０．４×１０20分子
／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキシマ
レーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈ
ｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。こ
の透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射し
ても６５０ｎｍ蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎ
ｍ近傍の吸収帯も生じないことが明らかとなった。それ
ゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用い
るフォトマスク用基板または光学部材に最も適切な透明
石英ガラスであった。
５ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
るフッ素（Ｆ原子）濃度は２５００ｐｐｍであった。ま
た、ラマン分光法から求められる溶存水素量は、１×１
０17分子／ｃｍ3 以下であった。さらに、真空中での１
０００℃における水素分子放出量は０．４×１０20分子
／ｍ2 であった。この透明石英ガラスにＫｒＦエキシマ
レーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈ
ｚの条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。こ
の透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射し
ても６５０ｎｍ蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎ
ｍ近傍の吸収帯も生じないことが明らかとなった。それ
ゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用い
るフォトマスク用基板または光学部材に最も適切な透明
石英ガラスであった。
【００６４】［実施例４］
実施例１と同様の方法で形成させた直径９ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、２容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に５時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１００％のガスを導
入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラ
ス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温
し、１５００℃で３時間保持して透明ガラス化を行っ
た。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、２容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを導入
し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした後、
１２５０℃に５時間保持した。塩素ガスを含有する雰囲
気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１００％のガスを導
入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英ガラ
ス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで昇温
し、１５００℃で３時間保持して透明ガラス化を行っ
た。
【００６５】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００６６】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で３０％水素ガスを導入し炉内雰囲
気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石
英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で３０％水素ガスを導入し炉内雰囲
気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石
英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００６７】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
１ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は１５００ｐｐｍであった。また真空中で１
０００℃に昇温した際の水素分子放出量は２×１０18分
子／ｍ2 であった。この石英ガラスにＫｒＦエキシマレ
ーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚ
の条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。この
透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射して
も６５０ｎｍ蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎｍ
近傍の吸収帯も生じないことが明らかとなった。それゆ
え、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用いる
フォトマスク用基板または光学部材に最も適切な透明石
英ガラスであった。
１ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は１５００ｐｐｍであった。また真空中で１
０００℃に昇温した際の水素分子放出量は２×１０18分
子／ｍ2 であった。この石英ガラスにＫｒＦエキシマレ
ーザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚ
の条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。この
透明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射して
も６５０ｎｍ蛍光発光を生じず、したがって２６０ｎｍ
近傍の吸収帯も生じないことが明らかとなった。それゆ
え、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とする工程に用いる
フォトマスク用基板または光学部材に最も適切な透明石
英ガラスであった。
【００６８】［比較例５］
実施例１と同様の方法で形成させた直径９ｃｍ、長さ１
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１．５容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを
導入し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした
後、１２５０℃に５時間保持した。塩素ガスを含有する
雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１００％のガス
を導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英
ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで
昇温し、１５００℃で３時間保持して透明ガラス化を行
った。
０ｃｍの多孔質石英ガラス体を常圧かつ室温で黒鉛製発
熱体を有する雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。つ
いで５００℃／ｈｒの昇温速度で１２００℃まで昇温し
た後、１．５容積％の塩素ガスを含有させた窒素ガスを
導入し、炉内雰囲気を塩素ガスを含有する雰囲気とした
後、１２５０℃に５時間保持した。塩素ガスを含有する
雰囲気内での脱水処理を行った後、Ｈｅ１００％のガス
を導入して、雰囲気をＨｅ雰囲気とした後、多孔質石英
ガラス体を５００℃／ｈｒの昇温速度で１５００℃まで
昇温し、１５００℃で３時間保持して透明ガラス化を行
った。
【００６９】こうして得られた透明石英ガラス体を、カ
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
ーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７
５０℃に加熱して自重変形を行わせ、３×３×４ｃｍの
ブロック形状に成形した。引き続き、電気炉内に成形ブ
ロックを設置したまま電気炉の温度を１２００℃まで降
温させ、以後３０℃／ｈｒの冷却速度で徐冷を行い、炉
内温度が１０００℃になったところで給電を停止し炉内
放冷した。
【００７０】こうして得られた透明石英ガラスブロック
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１０％水素ガスを導入し炉内雰囲
気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石
英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
を雰囲気制御可能な電気炉内に挿入し、１０００℃まで
３００℃／ｈｒの昇温速度で昇温した。１０００℃に到
達した後、大気圧下で１０％水素ガスを導入し炉内雰囲
気を水素雰囲気とし、その温度で７時間保持して透明石
英ガラスブロック中に水素分子を含有させた。
【００７１】得られた透明石英ガラス中のＯＨ含有量は
２ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は９００ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は５×１０17分子
／ｍ2 であった。この石英ガラスにＫｒＦエキシマレー
ザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの
条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。この透
明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射すると
２８５ｎｍと４６０ｎｍに蛍光発光が認められた。さら
に照射を続けると、６５０ｎｍ蛍光発光が認められるよ
うになり、照射にしたがって強度が増大し、したがって
２６０ｎｍ近傍の吸収帯も生じることが明らかとなっ
た。それゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とするフ
ォトマスク用基板または光学部材には使用できない透明
石英ガラスであった。
２ｐｐｍであった。一方、透明石英ガラス中に含有され
る塩素濃度は９００ｐｐｍであった。また真空中で１０
００℃に昇温した際の水素分子放出量は５×１０17分子
／ｍ2 であった。この石英ガラスにＫｒＦエキシマレー
ザーを２００ｍＪ／ｃｍ2 ／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの
条件で照射しながら、蛍光発光強度を測定した。この透
明石英ガラスは、ＫｒＦエキシマレーザーを照射すると
２８５ｎｍと４６０ｎｍに蛍光発光が認められた。さら
に照射を続けると、６５０ｎｍ蛍光発光が認められるよ
うになり、照射にしたがって強度が増大し、したがって
２６０ｎｍ近傍の吸収帯も生じることが明らかとなっ
た。それゆえ、ＫｒＦエキシマレーザーを光源とするフ
ォトマスク用基板または光学部材には使用できない透明
石英ガラスであった。
【００７２】
【発明の効果】本発明の透明石英ガラスは、エキシマレ
ーザーの照射に対しても構造欠陥による吸収帯または蛍
光発光が少なく、優れたエキシマレーザー耐性を有す
る。
ーザーの照射に対しても構造欠陥による吸収帯または蛍
光発光が少なく、優れたエキシマレーザー耐性を有す
る。
【００７３】また本発明によれば、透明石英ガラス中に
含有されるＯＨ量を低減しかつ水素を含有するようにし
たので、エキシマレーザーの照射に対して生成する６５
０ｎｍ蛍光発光中心並びに２６０ｎｍ吸収帯の前駆帯で
あるＯＨ基、酸素過剰型欠陥および溶存酸素分子の絶対
量を低減させることができ、エキシマレーザーの照射に
対して実質的に耐性を有する透明石英ガラスが得られ
る。
含有されるＯＨ量を低減しかつ水素を含有するようにし
たので、エキシマレーザーの照射に対して生成する６５
０ｎｍ蛍光発光中心並びに２６０ｎｍ吸収帯の前駆帯で
あるＯＨ基、酸素過剰型欠陥および溶存酸素分子の絶対
量を低減させることができ、エキシマレーザーの照射に
対して実質的に耐性を有する透明石英ガラスが得られ
る。
【００７４】またハロゲンによる脱水操作を行った透明
石英ガラスに水素分子を含有させた場合には、ハロゲン
脱水によって生成する２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０
ｎｍ蛍光発光中心を除去する効果も有する。さらに、ハ
ロゲン脱水によって生成する、２５０ｎｍ、１６３ｎｍ
近傍の吸収帯も、水素分子を含有させることによって除
去されるという優れた効果も有する。
石英ガラスに水素分子を含有させた場合には、ハロゲン
脱水によって生成する２８５ｎｍ、３９０ｎｍ、４６０
ｎｍ蛍光発光中心を除去する効果も有する。さらに、ハ
ロゲン脱水によって生成する、２５０ｎｍ、１６３ｎｍ
近傍の吸収帯も、水素分子を含有させることによって除
去されるという優れた効果も有する。
【図１】透明石英ガラスにＫｒＦエキシマレーザーを照
射したときの照射時間と６５０ｎｍ蛍光強度の関係を示
すグラフ。
射したときの照射時間と６５０ｎｍ蛍光強度の関係を示
すグラフ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ０３Ｃ 3/06 Ｃ０３Ｃ 3/06
Claims (4)
- 【請求項１】透明石英ガラス中のＯＨ含有量が１０ｐｐ
ｍ以下であって、フッ素を４００ｐｐｍ以上含有し、か
つ水素を含有し、ＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ
／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅ、２００Ｈｚの条件で８０分間照
射した場合に波長６５０ｎｍの蛍光強度が実質的に変化
しない透明石英ガラス。 - 【請求項２】前記透明石英ガラスが、ガラス形成原料を
火炎加水分解させて得られる石英ガラス微粒子を基材に
堆積・成長させて形成された多孔質石英ガラス体を加熱
して得られる透明石英ガラスである請求項１に記載の透
明石英ガラス。 - 【請求項３】（１）ガラス形成原料を火炎加水分解して
形成される石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させて
多孔質石英ガラス体を形成する工程、 （２）該多孔質石英ガラス体を透明ガラス化温度以下の
温度域で保持し、多孔質石英ガラス体の脱水を行う工
程、 （３）透明ガラス化温度以下の温度域で保持して脱水し
た多孔質石英ガラス体を、透明ガラス化温度まで昇温・
透明ガラス化して透明石英ガラス体を得る工程、 （４）該透明石英ガラス体を軟化点以上の温度に加熱し
て所望の形状に成形し、成形石英ガラス体とする工程、
および （５）該成形石英ガラス体に水素を含有する雰囲気で熱
処理を施し透明石英ガラスを得る工程、 とからなる工程で製造されることを特徴とする、透明石
英ガラス中のＯＨ含有量が１０ｐｐｍ以下であって、ハ
ロゲンを４００ｐｐｍ以上含有し、かつ水素を含有し、
ＫｒＦエキシマレーザーを２００ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌ
ｓｅ、２００Ｈｚの条件で８０分間照射した場合に波長
６５０ｎｍの蛍光強度が実質的に変化しないように水素
を含有させた透明石英ガラスの製造方法。 - 【請求項４】前記（２）の工程における雰囲気がハロゲ
ン元素含有ガスを含む雰囲気であって、該雰囲気中に含
まれるハロゲン元素含有ガスが容積で０．０１〜５％で
ある請求項３に記載の透明石英ガラスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04225293A JP3368932B2 (ja) | 1992-02-07 | 1993-02-05 | 透明石英ガラスとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5677492 | 1992-02-07 | ||
| JP4-56774 | 1992-12-09 | ||
| JP4-352095 | 1992-12-09 | ||
| JP35209592 | 1992-12-09 | ||
| JP04225293A JP3368932B2 (ja) | 1992-02-07 | 1993-02-05 | 透明石英ガラスとその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11543599A Division JP3671732B2 (ja) | 1992-02-07 | 1999-04-22 | ＡｒＦエキシマレーザー、またはＫｒＦエキシマレーザー用光学部材およびフォトマスク用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06227827A JPH06227827A (ja) | 1994-08-16 |
| JP3368932B2 true JP3368932B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=27291136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04225293A Expired - Fee Related JP3368932B2 (ja) | 1992-02-07 | 1993-02-05 | 透明石英ガラスとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3368932B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1031877A4 (en) | 1997-11-11 | 2001-05-09 | Nikon Corp | PHOTOMASK, ABERRATION CORRECTION PLATE, AND EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A MICROSTRUCTURE |
| WO2000024685A1 (en) | 1998-10-28 | 2000-05-04 | Asahi Glass Company Ltd. | Synthetic quartz glass and method for production thereof |
| JP3069562B1 (ja) | 1999-10-19 | 2000-07-24 | 信越石英株式会社 | エキシマレ―ザ及びエキシマランプ用のシリカガラス光学材料及びその製造方法 |
| JP3228732B2 (ja) | 1999-11-24 | 2001-11-12 | 信越石英株式会社 | 真空紫外線リソグラフィーに用いられる投影レンズ用シリカガラス光学材料の製造方法 |
| JP4700787B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2011-06-15 | 株式会社オハラ | 合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JP2011063457A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 合成石英ガラス及び合成石英ガラスの製造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191544A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 石英系光フアイバ |
| JPS6283333A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-16 | Fujikura Ltd | 光フアイバ |
| JPH0742131B2 (ja) * | 1986-12-01 | 1995-05-10 | 住友電気工業株式会社 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JPH0733259B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1995-04-12 | 信越化学工業株式会社 | 耐紫外線用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JPH0627013B2 (ja) * | 1989-06-14 | 1994-04-13 | 信越石英株式会社 | 紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法 |
| JP2522830B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1996-08-07 | 信越石英株式会社 | 半導体熱処理用石英ガラス材料及びその製造方法 |
| JP2785430B2 (ja) * | 1990-03-28 | 1998-08-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 光伝送用石英ガラス |
| JP3303918B2 (ja) * | 1990-05-14 | 2002-07-22 | 東ソー・クォーツ株式会社 | 合成石英ガラス及びその製法 |
| JP2782131B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1998-07-30 | 信越石英株式会社 | 透明合成シリカガラスからなる光学部材、該光学部材の製造方法及び該光学部材を用いた装置 |
| JPH0742134B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1995-05-10 | 信越石英株式会社 | 光学部材 |
| JP3187510B2 (ja) * | 1992-03-12 | 2001-07-11 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエハ熱処理用部材の製造方法 |
| JP3188517B2 (ja) * | 1992-05-18 | 2001-07-16 | 東ソー株式会社 | 石英ガラスの製造方法 |
| JP2879500B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1999-04-05 | 信越石英株式会社 | エキシマレーザー用合成石英ガラス光学部材及びその製造方法 |
| JP2821074B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1998-11-05 | 信越石英株式会社 | 耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP04225293A patent/JP3368932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06227827A (ja) | 1994-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5326729A (en) | Transparent quartz glass and process for its production | |
| US5364433A (en) | Optical member of synthetic quartz glass for excimer lasers and method for producing same | |
| JP4470479B2 (ja) | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| EP1094040B1 (en) | Silica glass optical material for excimer laser and excimer lamp, and method for producing the same | |
| US6499317B1 (en) | Synthetic quartz glass and method for production thereof | |
| TWI399347B (zh) | 用以處理半導體晶圓之石英玻璃波震機及製造該波震機之方法 | |
| EP1125897B1 (en) | Synthetic quartz glass and method for preparing the same | |
| JP3893816B2 (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| JP2001089170A (ja) | Ｆ２エキシマレーザー透過用光学シリカガラス部材及びその製造方法 | |
| JP2005255423A (ja) | 合成石英ガラス製フォトマスク基板およびフォトマスク | |
| KR101634394B1 (ko) | 엑시머 레이저용 합성 석영 유리의 제조 방법 | |
| US6807823B2 (en) | Fluorine-containing glass | |
| JP2003112933A (ja) | 合成石英ガラス光学体およびその製造方法 | |
| JP2005298330A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| JP3368932B2 (ja) | 透明石英ガラスとその製造方法 | |
| JP2001199735A (ja) | 光学部品のための石英ガラス体およびその製造法 | |
| JP3671732B2 (ja) | ＡｒＦエキシマレーザー、またはＫｒＦエキシマレーザー用光学部材およびフォトマスク用基板の製造方法 | |
| JP2879500B2 (ja) | エキシマレーザー用合成石英ガラス光学部材及びその製造方法 | |
| JP2008189547A (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| WO2000039038A1 (en) | Method for producing optical quartz glass for excimer lasers | |
| JP3336761B2 (ja) | 光透過用合成石英ガラスの製造方法 | |
| JPH11302025A (ja) | 合成石英ガラス光学部材およびその製造方法 | |
| JP2835540B2 (ja) | エキシマレーザー用石英ガラス部材の製造方法 | |
| JP4240709B2 (ja) | 合成石英ガラスおよびその製造方法 | |
| JP4085490B2 (ja) | 光学部材用合成石英ガラスとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091115 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101115 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121115 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121115 Year of fee payment: 10 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121115 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |