JP3348924B2 - 熱電半導体材料 - Google Patents
熱電半導体材料Info
- Publication number
- JP3348924B2 JP3348924B2 JP19362593A JP19362593A JP3348924B2 JP 3348924 B2 JP3348924 B2 JP 3348924B2 JP 19362593 A JP19362593 A JP 19362593A JP 19362593 A JP19362593 A JP 19362593A JP 3348924 B2 JP3348924 B2 JP 3348924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric semiconductor
- semiconductor material
- group
- thermoelectric
- silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12583—Component contains compound of adjacent metal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12674—Ge- or Si-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱電変換能を有する熱
電半導体材料に関する。
電半導体材料に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】熱電半
導体材料は、そのｐ型、ｎ型材料を直接にまたは金属電
極を介して接合し、熱電素子とすることにより、熱エネ
ルギーを電気エネルギーに直接変換して熱起電力を発生
させたり（ゼーベック効果）、または通電することによ
って吸熱と発熱（ペルチェ効果）を起こすことができ
る。かかる素子は熱電変換デバイスとして、熱電変換
（熱電冷却または熱電発電）や各種センサーに応用され
ている。
導体材料は、そのｐ型、ｎ型材料を直接にまたは金属電
極を介して接合し、熱電素子とすることにより、熱エネ
ルギーを電気エネルギーに直接変換して熱起電力を発生
させたり（ゼーベック効果）、または通電することによ
って吸熱と発熱（ペルチェ効果）を起こすことができ
る。かかる素子は熱電変換デバイスとして、熱電変換
（熱電冷却または熱電発電）や各種センサーに応用され
ている。
【０００３】熱電変換素子の有効最大出力Ｐmax を式で
表現すると、次のようになる。
表現すると、次のようになる。
【数１】Ｐmax ＝ １／４ × Ｓ2 △Ｔ2 ／ρ ＝ １／４ × Ｅ2 ／ρ ここで、Ｓはゼーベック係数、ρは熱電半導体材料の平
均の比抵抗、△Ｔは高温部と低温部との温度差、Ｅはあ
る温度差△Ｔにおける高温電極と低温電極との間に生じ
る熱起電力である。
均の比抵抗、△Ｔは高温部と低温部との温度差、Ｅはあ
る温度差△Ｔにおける高温電極と低温電極との間に生じ
る熱起電力である。
【０００４】一般に、熱電変換素子について、大きな熱
起電力または冷却効果を得るためには、ゼーベック係数
Ｓ（μＶ／℃）の値を大きくし、また平均の比抵抗ρを
小さくしてジュール熱の発生を抑え、熱伝導率κを小さ
くして温度差をつけやすくすることが重要である。
起電力または冷却効果を得るためには、ゼーベック係数
Ｓ（μＶ／℃）の値を大きくし、また平均の比抵抗ρを
小さくしてジュール熱の発生を抑え、熱伝導率κを小さ
くして温度差をつけやすくすることが重要である。
【０００５】熱電半導体材料として金属ケイ化物が知ら
れており、代表的なものとして鉄ケイ化物が挙げられ
る。
れており、代表的なものとして鉄ケイ化物が挙げられ
る。
【０００６】この材料は、ＭｎまたはＡｌなどの元素を
微量添加することによりｐ型に、ＣｏまたはＮｉなどの
元素を微量添加することによりｎ型にすることができ
る。
微量添加することによりｐ型に、ＣｏまたはＮｉなどの
元素を微量添加することによりｎ型にすることができ
る。
【０００７】これら既存の材料の熱起電力を損なわずに
抵抗率を下げ、発電効率の向上を図るために、鉄ケイ化
物の粒界にＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒを偏在させること（日本セ
ラミックス協会１９９２年会講演予稿集２Ａ３６（１６
２頁）及び２Ａ３７（１６３頁））、鉄ケイ化物の金属
相（α相）と半導体相（β相）との複合組織とすること
（特開昭５７−１６９２８３）が知られている。
抵抗率を下げ、発電効率の向上を図るために、鉄ケイ化
物の粒界にＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒを偏在させること（日本セ
ラミックス協会１９９２年会講演予稿集２Ａ３６（１６
２頁）及び２Ａ３７（１６３頁））、鉄ケイ化物の金属
相（α相）と半導体相（β相）との複合組織とすること
（特開昭５７−１６９２８３）が知られている。
【０００８】一方、特殊な熱電半導体材料として、Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｏ系材料が知られている。これは、鉄ケイ化物
に酸素ガスのイオンクラスタービーム（ＩＣＢ）を照射
し、鉄ケイ化物と非晶質酸化ケイ素との集合体とするこ
とによって、熱起電力を高めようとするものである（特
開平４−３５０７１）。しかし、この材料はＩＣＢや蒸
着法による薄膜としてでしか製作することができず、ま
た再現性に乏しく、耐久性も低いために実用化が困難で
あるという問題点がある。
−Ｓｉ−Ｏ系材料が知られている。これは、鉄ケイ化物
に酸素ガスのイオンクラスタービーム（ＩＣＢ）を照射
し、鉄ケイ化物と非晶質酸化ケイ素との集合体とするこ
とによって、熱起電力を高めようとするものである（特
開平４−３５０７１）。しかし、この材料はＩＣＢや蒸
着法による薄膜としてでしか製作することができず、ま
た再現性に乏しく、耐久性も低いために実用化が困難で
あるという問題点がある。
【０００９】本発明は、高性能の新規な材料組織を有す
る熱電半導体材料を提供することである。
る熱電半導体材料を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の熱電半導体材料
は、特定の金属のケイ化物の結晶とＳｉ結晶との複合組
織であることを特徴とする。この特定の金属のケイ化物
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉからなる群より選ば
れる金属のケイ化物であり、好ましくはβＦｅＳｉ2 ま
たはＣｏＳｉ2 である。
は、特定の金属のケイ化物の結晶とＳｉ結晶との複合組
織であることを特徴とする。この特定の金属のケイ化物
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉからなる群より選ば
れる金属のケイ化物であり、好ましくはβＦｅＳｉ2 ま
たはＣｏＳｉ2 である。
【００１１】上記金属のケイ化物の結晶とＳｉ結晶との
組成比は、両結晶が実質的に混在ししていれば、特に限
定されるものではない。金属のケイ化物がβＦｅＳｉ2
である場合は、Ｆｅの含有量に対するＳｉの含有量の割
合（Ｓｉ／Ｆｅ）は、原子数比で、３以上４０以下の範
囲であることが好ましい。
組成比は、両結晶が実質的に混在ししていれば、特に限
定されるものではない。金属のケイ化物がβＦｅＳｉ2
である場合は、Ｆｅの含有量に対するＳｉの含有量の割
合（Ｓｉ／Ｆｅ）は、原子数比で、３以上４０以下の範
囲であることが好ましい。
【００１２】本発明においては、Ｓｉ結晶相は金属ケイ
化物結晶相と混在していればよい。Ｓｉの結晶は、元来
ゼーベック係数が極めて高いが、抵抗率も高い。しか
し、適当な種類と量の添加物をドーパントとして導入す
ることにより、抵抗を下げ、高いゼーベック係数を維持
することができる。そのため、本発明の熱電半導体材料
のように、Ｓｉ結晶相と金属ケイ化物結晶相とを混在さ
せることにより、熱電半導体材料の比抵抗ρを減少させ
るとともに、ゼーベック係数Ｓ、したがって熱起電力Ｅ
はそのまま高いレベルに維持することができ、その結果
として出力Ｐを向上させることができる。
化物結晶相と混在していればよい。Ｓｉの結晶は、元来
ゼーベック係数が極めて高いが、抵抗率も高い。しか
し、適当な種類と量の添加物をドーパントとして導入す
ることにより、抵抗を下げ、高いゼーベック係数を維持
することができる。そのため、本発明の熱電半導体材料
のように、Ｓｉ結晶相と金属ケイ化物結晶相とを混在さ
せることにより、熱電半導体材料の比抵抗ρを減少させ
るとともに、ゼーベック係数Ｓ、したがって熱起電力Ｅ
はそのまま高いレベルに維持することができ、その結果
として出力Ｐを向上させることができる。
【００１３】本発明の熱電半導体材料には、添加物とし
て、元素周期律表の第Ｖｂ族、第ＶＩｂ族、第ＩＩＩｂ
族、第ＶＩＩＩ族、第ＶＩＩａ族、第ＶＩａ族に属する
元素から選ばれた一種又は二種以上の元素を含ませるこ
とができる。好ましい添加物は、リン、ヒ素、アンチモ
ン、イオウ、ホウ素、コバルト、ニッケル、マンガン、
クロム、より好ましくはリン単独であり、特に金属ケイ
化物が鉄ケイ化物の場合は、より好ましくはリン及びコ
バルトである。この添加物は、通常の半導体の技術分野
における不純物（ドーパント）として作用し、本発明に
おいても、不純物が固溶した熱電半導体中の構成元素の
原子価と、その不純物元素の原子価との相対的な差によ
り、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントとして作用す
ると考えられる。
て、元素周期律表の第Ｖｂ族、第ＶＩｂ族、第ＩＩＩｂ
族、第ＶＩＩＩ族、第ＶＩＩａ族、第ＶＩａ族に属する
元素から選ばれた一種又は二種以上の元素を含ませるこ
とができる。好ましい添加物は、リン、ヒ素、アンチモ
ン、イオウ、ホウ素、コバルト、ニッケル、マンガン、
クロム、より好ましくはリン単独であり、特に金属ケイ
化物が鉄ケイ化物の場合は、より好ましくはリン及びコ
バルトである。この添加物は、通常の半導体の技術分野
における不純物（ドーパント）として作用し、本発明に
おいても、不純物が固溶した熱電半導体中の構成元素の
原子価と、その不純物元素の原子価との相対的な差によ
り、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントとして作用す
ると考えられる。
【００１４】
【実施例】次に、例によって本発明をさらに詳細に説明
する。例１ ＦｅＳｉＰ系の本発明の熱電半導体材料の例を以下に示
す。実験式をＦｅ1 ＳｉY ＰX として、リンＰの含有量
Ｘの値を固定し、Ｓｉの添加量Ｙを変化させて、本発明
の熱電半導体材料の薄膜を形成し、熱電特性を評価し
た。成膜は、三元スパッタ法によった。まず、ＦｅＳｉ
2 、Ｓｉ、及びＦｅ3 Ｐの３個のターゲットの成膜速度
を調節し、各元素の導入値を決めた。Ｐの添加量Ｘは、
ＦｅＳｉ2 とＦｅ3 Ｐの各ターゲットの成膜速度比を一
定値に固定して、常にＦｅに対して一定の値になるよう
にした。Ｓｉの添加量Ｙは、Ｓｉの成膜速度を加減して
調整した。成膜後の熱処理の温度、保持時間、雰囲気
は、真空中、７６０℃で５時間保持とした。基板として
は、アルミナ基板の表面にゾル・ゲル法によりＳｉＯ2
を約０．３μｍの厚さに積層して表面を平滑化したもの
を用いた。熱電特性は、直流法により熱起電力、平均比
抵抗、及び有効最大出力を測定した。高温端の最高温度
は８８０℃、低温端は常に４０℃以下に保持した。薄膜
の膜厚は、約１μｍとした。Ｆｅの含有量に対するＳｉ
の含有量の割合（原子数比）は、ＩＣＰ分析による標準
試料を基準として、蛍光Ｘ線分析法により決定した。Ｐ
の添加量は、成膜速度から換算した。各試料の温度差８
００℃における熱電特性を表１に示す。
する。例１ ＦｅＳｉＰ系の本発明の熱電半導体材料の例を以下に示
す。実験式をＦｅ1 ＳｉY ＰX として、リンＰの含有量
Ｘの値を固定し、Ｓｉの添加量Ｙを変化させて、本発明
の熱電半導体材料の薄膜を形成し、熱電特性を評価し
た。成膜は、三元スパッタ法によった。まず、ＦｅＳｉ
2 、Ｓｉ、及びＦｅ3 Ｐの３個のターゲットの成膜速度
を調節し、各元素の導入値を決めた。Ｐの添加量Ｘは、
ＦｅＳｉ2 とＦｅ3 Ｐの各ターゲットの成膜速度比を一
定値に固定して、常にＦｅに対して一定の値になるよう
にした。Ｓｉの添加量Ｙは、Ｓｉの成膜速度を加減して
調整した。成膜後の熱処理の温度、保持時間、雰囲気
は、真空中、７６０℃で５時間保持とした。基板として
は、アルミナ基板の表面にゾル・ゲル法によりＳｉＯ2
を約０．３μｍの厚さに積層して表面を平滑化したもの
を用いた。熱電特性は、直流法により熱起電力、平均比
抵抗、及び有効最大出力を測定した。高温端の最高温度
は８８０℃、低温端は常に４０℃以下に保持した。薄膜
の膜厚は、約１μｍとした。Ｆｅの含有量に対するＳｉ
の含有量の割合（原子数比）は、ＩＣＰ分析による標準
試料を基準として、蛍光Ｘ線分析法により決定した。Ｐ
の添加量は、成膜速度から換算した。各試料の温度差８
００℃における熱電特性を表１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】例２ ＦｅＳｉＣｏＰ系の熱電半導体材料の例を以下に示す。
実験式をＦｅ1 ＳｉY ＣｏZ ＰX とし、Ｃｏの添加は適
当な個数のＣｏ片をターゲットの上に載せるか、または
ＦｅＳｉ2 のターゲットをＦｅ0.8 Ｃｏ0.2 Ｓｉ2 に置
き換えたほかは、例１と同様にして、半導体の薄膜を作
製した。結果を表２に示す。 なお表２の最下段（＊）に
は、従来技術の代表例としてＦｅＳｉＣｏ材料（βＦｅ
Ｓｉ2 単相）のデータを示す。
実験式をＦｅ1 ＳｉY ＣｏZ ＰX とし、Ｃｏの添加は適
当な個数のＣｏ片をターゲットの上に載せるか、または
ＦｅＳｉ2 のターゲットをＦｅ0.8 Ｃｏ0.2 Ｓｉ2 に置
き換えたほかは、例１と同様にして、半導体の薄膜を作
製した。結果を表２に示す。 なお表２の最下段（＊）に
は、従来技術の代表例としてＦｅＳｉＣｏ材料（βＦｅ
Ｓｉ2 単相）のデータを示す。
【００１７】
【表２】
【００１８】
【効果】本発明の熱電半導体は、Ｓｉ結晶相と金属ケイ
化物結晶相とを混在させることにより、熱電半導体材料
の比抵抗ρを減少させるとともに、ゼーベック係数Ｓ、
したがって熱起電力Ｅはそのまま高いレベルに維持する
ことができ、その結果として出力Ｐを向上させることが
できるという効果を有する。
化物結晶相とを混在させることにより、熱電半導体材料
の比抵抗ρを減少させるとともに、ゼーベック係数Ｓ、
したがって熱起電力Ｅはそのまま高いレベルに維持する
ことができ、その結果として出力Ｐを向上させることが
できるという効果を有する。
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉからなる
群より選ばれる金属のケイ化物の結晶と、Ｓｉ結晶とを
含むことを特徴とする熱電半導体材料。 - 【請求項２】 前記金属のケイ化物がβＦｅＳｉ2 であ
る請求項１記載の熱電半導体材料。 - 【請求項３】 Ｆｅの含有量に対するＳｉの含有量の割
合が、原子数比で、３以上４０以下の範囲である請求項
２記載の熱電半導体材料。 - 【請求項４】 前記金属のケイ化物が、ＣｏＳｉ2 であ
る請求項１記載の熱電半導体材料。 - 【請求項５】 前記材料に、さらに添加物として、元素
周期律表の第Ｖｂ族、第ＶＩｂ族、第ＩＩＩｂ族、第Ｖ
ＩＩＩ族、第ＶＩＩａ族、第ＶＩａ族に属する元素から
選ばれた一種又は二種以上の元素を含む請求項３記載の
熱電半導体材料。 - 【請求項６】 前記添加物がリン、ヒ素、アンチモン、
イオウ、ホウ素、コバルト、ニッケル、マンガン、クロ
ムから選ばれた一種又は二種以上の元素である請求項５
記載の熱電半導体材料。 - 【請求項７】 前記添加物が、リンまたはリン及びコバ
ルトである請求項６記載の熱電半導体材料。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19362593A JP3348924B2 (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 熱電半導体材料 |
| US08/284,785 US5547598A (en) | 1993-08-04 | 1994-08-02 | Thermoelectric semiconductor material |
| FR9409682A FR2708789B1 (fr) | 1993-08-04 | 1994-08-04 | Matériau semi-conducteur thermoélectrique. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19362593A JP3348924B2 (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 熱電半導体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0748116A JPH0748116A (ja) | 1995-02-21 |
| JP3348924B2 true JP3348924B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16311056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19362593A Expired - Fee Related JP3348924B2 (ja) | 1993-08-04 | 1993-08-04 | 熱電半導体材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5547598A (ja) |
| JP (1) | JP3348924B2 (ja) |
| FR (1) | FR2708789B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2939726B2 (ja) * | 1996-04-19 | 1999-08-25 | 株式会社エスアイアイ・アールディセンター | 半導体加速度センサの製造方法 |
| JP2003179243A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-06-27 | Basf Ag | 光電池活性材料およびこれを含む電池 |
| JP2004040068A (ja) * | 2001-08-31 | 2004-02-05 | Basf Ag | 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置 |
| JP4009102B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2007-11-14 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 半導体特性を示すアモルファス鉄シリサイド膜とその作製方法 |
| WO2004001864A1 (ja) * | 2002-06-19 | 2003-12-31 | Jfe Steel Corporation | β-二珪化鉄系熱電変換材料および熱電変換素子 |
| DE10305411B4 (de) * | 2003-02-06 | 2011-09-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikroelektromechanische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| JP3725152B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2005-12-07 | 松下電器産業株式会社 | 熱電変換材料、この材料を用いた熱電変換素子、ならびにこの素子を用いた発電方法および冷却方法 |
| US8058092B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-11-15 | Stion Corporation | Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application |
| US8614396B2 (en) * | 2007-09-28 | 2013-12-24 | Stion Corporation | Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application |
| CN101436640B (zh) * | 2008-12-26 | 2011-08-10 | 哈尔滨工业大学 | ZnO/β-FeSi2复合材料及制备方法 |
| WO2013027661A1 (ja) * | 2011-08-22 | 2013-02-28 | 株式会社村田製作所 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
| JP2014225655A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-12-04 | 中部電力株式会社 | 熱電変換材料 |
| JP6502193B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2019-04-17 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | シリコン微結晶複合体膜、熱電材料及びそれらの製造方法 |
| JP6768556B2 (ja) * | 2017-02-27 | 2020-10-14 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3854940A (en) * | 1970-06-08 | 1974-12-17 | Ppg Industries Inc | Electroconductive, corrosion resistant high silicon alloy |
| JPS57169283A (en) * | 1981-04-11 | 1982-10-18 | Tdk Corp | Thermoelectric element |
| JPS58190815A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Futaba Corp | 遷移元素けい化物非晶質膜 |
| JPS5956781A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-02 | Natl Res Inst For Metals | 熱発電材料 |
| JPS5999784A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 熱電素子 |
| US4755256A (en) * | 1984-05-17 | 1988-07-05 | Gte Laboratories Incorporated | Method of producing small conductive members on a substrate |
| JP2582776B2 (ja) * | 1987-05-12 | 1997-02-19 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH01194373A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Ube Ind Ltd | 熱電変換材料 |
| JPH0435071A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Ube Ind Ltd | 熱電薄膜及びその製造法 |
| DE4129871C2 (de) * | 1991-09-07 | 1995-10-19 | Webasto Ag Fahrzeugtechnik | Verfahren zur Herstellung von GeSi-Thermoelementen |
-
1993
- 1993-08-04 JP JP19362593A patent/JP3348924B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-02 US US08/284,785 patent/US5547598A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-08-04 FR FR9409682A patent/FR2708789B1/fr not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748116A (ja) | 1995-02-21 |
| FR2708789A1 (fr) | 1995-02-10 |
| FR2708789B1 (fr) | 1995-09-22 |
| US5547598A (en) | 1996-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3348924B2 (ja) | 熱電半導体材料 | |
| Heinrich et al. | Thermoelectric properties of β-FeSi2 single crystals and polycrystalline β-FeSi2+ x thin films | |
| US4447277A (en) | Multiphase thermoelectric alloys and method of making same | |
| Skoug et al. | Lattice thermal conductivity of the Cu3SbSe4-Cu3SbS4 solid solution | |
| Kuropatwa et al. | Thermoelectric properties of stoichiometric compounds in the (SnTe) x (Bi2Te3) y system | |
| Teranishi et al. | Thermoelectric efficiency of reduced SrTiO 3 ceramics modified with La and Nb | |
| Vedeneev et al. | Tin telluride based thermoelectrical alloys | |
| Burkov | Silicide thermoelectrics: Materials for energy harvesting | |
| Savchuk et al. | Transport and structural properties of binary skutterudite CoSb 3 thin films grown by dc magnetron sputtering technique | |
| Prasad et al. | Thermoelectric properties of p-type sb-doped Cu2SnSe3 near room and mid temperature applications | |
| US4491679A (en) | Thermoelectric materials and devices made therewith | |
| Singh et al. | Influence of temperatures on structure, thermoelectric, and mechanical properties of nanocrystalline SnSe thin films deposited by thermal evaporation | |
| JPH0745869A (ja) | ｎ型熱電材料 | |
| JP2018142564A (ja) | 熱電変換材料及びその製造方法 | |
| JP3922651B2 (ja) | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 | |
| Zaitsev et al. | Thermoelectrics of n-type with ZT> 1 based on Mg/sub 2/Si-Mg/sub 2/Sn solid solutions | |
| Kajikawa et al. | Thermoelectric figure of merit of impurity doped and hot-pressed magnesium silicide elements | |
| JPH11135840A (ja) | 熱電変換材料 | |
| CN101405880B (zh) | 热电材料 | |
| JP4900819B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| Gurukrishna et al. | On the high-energy electron beam irradiation-induced defects in Cu2SnSe3 system: an effort towards modifying the structure, microstructure, and thermoelectric transport | |
| JP2808580B2 (ja) | 熱電半導体材料 | |
| Zhu et al. | Composition-Dependent Thermoelectric Properties of (PbTe) 100− x (Bi2Te3-Sb2Te3) x (0.1≤ x≤ 5) | |
| Zhu et al. | Carrier-concentration-dependent transport and thermoelectric properties of PbTe doped with Sb2Te3 | |
| JP2004288841A (ja) | オキシカルコゲナイドおよび熱電材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |