JP2004040068A - 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置 - Google Patents
熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004040068A JP2004040068A JP2002240197A JP2002240197A JP2004040068A JP 2004040068 A JP2004040068 A JP 2004040068A JP 2002240197 A JP2002240197 A JP 2002240197A JP 2002240197 A JP2002240197 A JP 2002240197A JP 2004040068 A JP2004040068 A JP 2004040068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- peltier device
- heat converter
- substrate
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
Abstract
【解決手段】熱電活性材料が、一般式(I):
[但し、MeがAl、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、CuまたはAgを表わし、
SA、SBがB、C、Si、Ge、Sb、SeまたはTeを表し、且つSAおよびSBがそれぞれ周期表の異なる族の金属であり、
x、y、zが0.01〜1の数値を示す。]
で表される3成分化合物、または一般式(II):
[但し、MeがFe、Cu、V、Mn、Sn、Ti、Mo、Wを表わし、
nが1〜6の整数であり、
aが1または2を表わし、
fが0.2〜5の数字であり、
kが0.01〜2の数字であり、
u+v+w+x=1である]
で表される混合酸化物から構成されるp−またはn−ドープ半導体から選択されることを特徴とする熱変換器またはペルチェ装置。
【選択図】なし
Description
本発明は、熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置に関する。
【0002】
熱変換器それ自体は以前から知られたものであった。一方の側が加熱され且つ他方の側が冷却されているp−またはn−ドープ半導体は、外部回路を通じて電荷を輸送するが、その際、この回路において負荷条件下で電気的な仕事を行う。熱を電気エネルギーに変換する場合に達成される効率は、カルノー効率で熱力学的に規定されている。例えば、高温側の温度が1000Kで、“冷却した”側(低温側)の温度が400Kであると、(1000−400):1000=60%の効率が可能となるであろう。残念ながら、これまで、わずか10%以下の効率しか達成されてこなかった。
【0003】
一方、かかる装置に直流を利用する場合、一方の側から他方の側へ熱が輸送される。かかるペルチェ装置は熱ポンプとして働くので、装置部品、自動車または建築物の冷却に適当である。ペルチェ原理を用いる加熱は、従来からの加熱と比較して、更に良好となる。なぜなら、輸送される熱量が、対応の供給されるエネルギーに相当するからである。
【0004】
効果および材料に関する好適な概略が、例えば、Cronin B. Vining, ITS Short Course on Thermoelecricity, Nov. 8, 1993, Yokohama, Japanに示されている。
【0005】
熱変換器は、宇宙探査機において、直流の生成、配管の陰極防蝕、明かりを灯したブイおよび無線通信機(ラジオ)ブイへのエネルギーの供給ならびにラジオおよびテレビセットの操作に通常使用される。熱変換器の利点は、信頼性が極めて高く、湿度等の大気条件に関係なく働き、そして***の影響を受けやすい物質は輸送せず、代わりに電荷だけ輸送する;燃料を、連続的に、そして火炎なしに触媒作用よって燃焼させるので、CO、NOxおよび未燃焼燃料の放出は少量である;水から、天然ガス、ガソリン、灯油およびディーゼル燃料、そして菜種油メチルエステル等の生化学的に製造された燃料までいかなる燃料を使用することが可能となる。
【0006】
したがって、熱電エネルギーの変換は、水素の効率使用(節約)または再生エネルギーによるエネルギー生成等の将来の要求に極めて柔軟に適合する。
【0007】
特に魅力的な利用法は、電気自動車の電気エネルギーに変換する場合に使用可能となることである。燃料供給所の既存のネットワークを変更する必要がない。しかしながら、かかる利用法の場合、効率が30%を超える必要があるであろう。
【0008】
太陽エネルギーを直接電気エネルギーに変換するのは、極めて魅力的でもある。放射線状のコレクター等の集光装置は、太陽エネルギーを95〜97%の効率で熱変換器に集中させることが可能であるので、電気エネルギーを生成可能となる。
【0009】
しかしながら、熱ランプとして使用するには、高効率が必要となる。
【0010】
しかるに、本発明は、従来より高効率を可能にする熱電活性材料を提供することを目的とする。熱電材料の特性は、いわゆるZ因子(性能指数):
【0011】
【数1】
【0012】
[但し、αがゼーベック係数を表わし、σが導電率を表わし、そしてKが熱伝導率を表す]
である。
【0013】
より正確な解析は、η:
【0014】
【数2】
【0015】
[但し、M=[1+z/2(Thigh−Tlow)1/2]である]
としての効率である(Mat. Sci. and Eng. B29 (1995) 228、参照)。
【0016】
したがって、Zの値が最大限高く且つ達成可能な温度差の高い材料を提供することを目的とする。固体物理学の観点から、多くの課題を解決する必要がある:αが高いことにより、材料中の電子移動速度を高くする必要があった;すなわち、電子(またはp−(p型)導電性材料の場合には正孔)を、原子ランプ(atom rump)に強く結合させる必要がない。電気伝導率の高い材料は、熱伝導率も高いので(ウィーデマン−フランツ(Wiedemann−Franz)法則)、Zに好影響を及ぼすことができない。Bi2Te3、PbTeまたはSiGe等の現在使用されている材料は、現実に課題が解決されている。例えば、合金化により、導電率を熱伝導率より低くなるように低減させる。したがって、例えばUS5448109に記載されている(Bi2Te3)90(Sb2Te3)5(Sb2Se3)5またはBi12Sb23Te65等の合金を使用するのが好ましい。
【0017】
効率の高い熱電材料の場合、別の制約を満足することも好ましい。特に、この材料は熱安定性である必要があるので、これにより、1000〜1500Kの作用温度下で実質上効率を損なうことなく何年にも亘って機能可能となる。これには、それ自体が高温条件下で安定である相、安定な相組成物を必然的に伴うと共に、合金組成分の隣接する接触材料への拡散を無視できる程度に伴うことが必要である。
【0018】
最近の特許文献、例えばUS6225550およびEP−A1102334には、熱電材料に関する記述が含まれている。US6225550は、特に、別の元素、好ましくは遷移金属で更にドープ処理されている、MgxSbzから構成されている材料に関するものである。
【0019】
EP−A1102334では、以下の物質:ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫化物およびセレン化物、アンチモン化物、鉛化物ならびに半導体酸化物から構成されている少なくとも3成分の材料を表すp−またはn−ドープ半導体について開示している。
【0020】
それでもなお、高効率であり且つ異なる利用分野で安定な特性を示す熱電活性材料が必要である。熱電活性材料分野での研究について、結論を出したと見なすことはできないので、異なる熱電材料に対する要求が依然としてある。
【0021】
本発明者等は、上記目的が複数の金属または金属酸化物より構成される熱電活性半導体を具備する熱変換器またはペルチェ装置であって、
熱電活性材料が、一般式(I):
【0022】
【化3】
【0023】
[但し、MeがAl、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、CuまたはAgを表わし、
SA、SBがB、C、Si、Ge、Sb、SeまたはTeを表し、且つSAおよびSBがそれぞれ周期表の異なる族の金属であり、
x、y、zが相互に独立して0.01〜1の数値を示し、そして
SAおよびSBを合わせた質量割合は全半導体に対して僅かに30%(30%以上)である]
で表される3成分化合物(但し、AlB12およびSiB6から構成される3成分化合物を除外する)、または一般式(II):
【0024】
【化4】
【0025】
[但し、MeがFe、Cu、V、Mn、Sn、Ti、Mo、Wを表わし、
nが1〜6の整数であり、
aが1または2を表わし、
fが0.2〜5の数字であり、
kが0.01〜2の数字であり、
u+v+w+x=1である]
で表される混合酸化物から構成されるp−またはn−ドープ半導体から選択されることを特徴とする熱変換器またはペルチェ装置によって達成されることを見出した。
【0026】
本発明による熱変換器およびペルチェ装置により、他方で、熱変換器およびペルチェ装置の利用範囲を広くするのが事実上一般的である。異なる化学組成物に起因して、熱交換器又はペルチェ装置の各種利用分野において異なる要件を満足させることが可能となる。そのため、本発明の熱変換器およびペルチェ装置により、種々の条件下でこれらの素子の利用可能性を十分に広げることになる。
【0027】
以下に、好ましい半導体(半導体材料)を更に詳細に説明する。
【0028】
一般式(I)の3成分化合物において、SAおよびSBがB、C、Ge、SbおよびTeから選択されるのが好ましい。
【0029】
この半導体において、Meが以下の基:
1)Al、Ti、Zr
2)V、Nb、Ta
3)Cr、Mo、W
4)Mn、Fe、Co、Ni
5)Cu、Ag
のいずれか1つから選択されるのが好ましい。
【0030】
合金中におけるドーピング元素の割合は、0.1原子%以下であるか、または1cm3当り108〜1020電荷キャリア(電荷担体)である。電荷担体の濃度が高いと、不都合な再結合の原因となり、電荷移動度が低くなる。結晶格子における電子の過剰または欠乏を生じさせる元素でドーピングを行い、例えば、3/5または3/6半導体を存在させる場合には、n型半導体用のヨウ化物およびp型半導体用のアルカリ土類元素(金属)でドーピングを行う。
【0031】
正孔または電子を超当量法(super−stoichiometric)または不足当量法(sub−stoichiometric)組成物によって材料に意図的に導入する場合、更なるドーピング工程を不要にする別の可能性のある方法が得られる。
【0032】
しかしながら、ドーパント元素を、金属塩の水溶液によって導入し、次いで、混合物中で乾燥させても良い。その後、金属カチオンを、例えば高温下に水素で還元するか、または還元することなく材料中に残す。p−(p型)またはn−(n型)ドーピングは、化合物の量割合を選択することにより行うか、あるいはp型ドーピングをアルカリ金属によって、そしてn−ドーピングをSb、Bi、Se、Te、BrまたはIによって行う(WO92/13811、参照)。
【0033】
一般式(I)で表される本発明の材料を公知の方法によって製造し、元素化合物は、例えばアルゴン等の不活性ガス下または真空下で高温であるが融点未満の温度条件にて単体の粉末を焼結することにおり、あるいは単体粉末の混合物を高真空下で溶融し、次いで粉末化および焼結するか、または単体粉末の混合物を溶融し、そして冷却することによって製造する。
【0034】
一般式(II)で表される混合酸化物において、nは金属Meの酸化状態を示し、fは化学量論係数を示す。fは0.2〜5の範囲の数値であり、0.5〜2の範囲が好ましく、1であるのが特に好ましい。aは、Meの2種の異なる酸化状態の差を示している。
【0035】
化学量論係数fに関し、0.2〜0.99の数値、数値1、1.01〜2の数値および2.01〜5の数値が好ましい範囲として示されることがある。これらは、それぞれ本発明の好ましい実施形態に関与するものである。
【0036】
以下の括弧内の式:
【0037】
【化5】
は、特に以下のもの:
【0038】
【化6】
を表すのが好ましく、以下のもの:
【0039】
【化7】
を表すのが特に好ましい。
【0040】
本発明の混合酸化物は公知の方法によって製造され、個々の酸化物を公知のセラミック技術によって完全に混合し、加圧下で混合物をプレスして、例えば立体形状の成形品を形成するか、または個々の酸化物のスラリーを混合し、そしてこのスラリーを適当な金型に流し、次いで懸濁媒体を取り除き、そして不活性雰囲気下、例えばアルゴン下に900〜1700℃の温度で成形品を焼結することによって製造するのが好ましい。
【0041】
したがって、本発明の材料を公知の方法によって製造する、すなわち、単体粉末を高温であるが融点未満で焼結するか、あるいは高真空下で溶融し、次いで粉末下および焼結することによって元素化合物を製造する。酸化物は、例えば個々の酸化物の粉末混合物を焼結することによって合成する。本明細書で用いる「組み合わせ(合体)」なる用語は、特にこの製造に適用するものであり、特に焼結に適用する。
【0042】
熱電活性混合酸化物を、高温下に空気中で、対応の金属酸化物の反応性焼結によって製造可能である。経済上の理由から、酸化物と金属の混合物を用いることも適当である。
【0043】
本発明は、効率の観点から材料を最適化することも目的である。例えば成分を5原子%変更する場合、極めて多くの材料を合成および試験する必要があることは明白である。本発明者等は、この目的が組み合わせ法(合体法)によって達成されることを見出した。このために、元素合金もしくは酸化物混合物または元素と酸化物の混合物は、座標長さの関数として段階的に変化させた組成にて基板上に製造可能であるが、この製造は、穴のあるマスクを形成した基板に、適当な標的から元素または既に2成分の合金を出すことによってなされるものであり、且つこの元素の組成は、標的からの距離の関数として、またはスパッター角度の関数として変化する。次いで、マスクを取り除き、そして形成した「ドット」を焼結して、実際の材料を形成する。「ドット」なる用語は、この場合、基板上で相互に空間的に分離する材料の点または領域(実質的に同一の大きさであり且つ好ましくは等間隔で配列されている)に適用するので、これによりアレイが得られる。「アレイ」とは、平面の、基板表面上で実質的に均一に配列したドットを意味する。粒径が5μm未満の単体粉末および酸化物粉末を、炭化水素等の不活性懸濁媒体に分散剤と共に懸濁させて、十分に安定な懸濁液を調製し、そして酸化物に関して記載した方法で、懸濁液の混合物を液滴として析出させて、懸濁媒体を蒸発させ、これにより形成した粉末混合物を基板上で焼結することも可能である。
【0044】
金属基板の他に、導電率が十分である炭化ケイ素が、温度および拡散に対して安定な不活性支持材料として望ましい。
【0045】
酸化物のドットは、塩の混合物、好ましくは硝酸塩または他の可溶性化合物の混合物を、組成を変更した液滴の形態で析出させるためのドーピング機を用い、溶剤、好ましくは水を蒸発させ、硝酸塩または化合物を酸化物に転化することによって基板の表面に形成可能であるが、転化は、昇温し、次いで酸化物混合物全体を焼結することによってなされる。
【0046】
10×10cmの面積である支持プレート(基板)に、寸法(直径)が0.2〜2mmのドットを1000〜10000個用いる。
【0047】
単体または酸化物の混合物を懸濁液として角張ったキャビティ(空洞)を具備するプレートに導入し、減圧下に懸濁媒体を抽出し、材料を溶融または焼結し、その後、これにより得られた小さな立方体またはブロックを試験するのも好ましい場合がある。このキャビティは、寸法がmm範囲の立方形であっても良い。例えば、寸法が6×5×9mmの立方形のキャビティを用いても良い。
【0048】
この処理による利点の1つは、仕上げ処理した熱変換器またはペルチェモジュールにおいて寸法割合を保てることにある。かかるプレートは、例えば20〜100個のキャビティを含んでいても良い。
【0049】
材料に関して、速くて且つ信頼性のある試験が重要である。本発明によれば、このために、2種類の解析方法を行うことができる。
【0050】
本発明は、熱変換器用の半導体の製造・試験の合体法に関するものであり、これにおいて、組成の異なる半導体(半導体材料)のドットのアレイを導電性平面基板に形成し、このアレイの基板を、好ましくは窒素又はアルゴン等の不活性ガス下で、所望の測定温度に熱処理し、そして各ドットを冷却した測定ピンと接触させ、負荷のない電圧、負荷抵抗の低い直流および電圧および/または短絡電流を測定し、次いで保存および評価する。材料および試験片を基板の温度と同じ温度であるという理由から、冷却された測定ピンを使用する場合のみ、数秒以内で上昇する温度勾配を形成し、これにより、温度の関数として変化する短絡電流を生成し、これを測定して、その分布を保存(記録)する。更に本発明は、熱変換器用半導体の製造・試験合体法に関するものであり、これにおいて、組成が異なる半導体のドットのアレイを、導電性平面基板に形成し、ドットを、基板の反対側で導電性の非磁性プレートと接触させ、基板およびプレートを異なる温度で保持し、そしてこれらを相互に電気的に結合させ、且つプレートを磁界プローブで走査し、そして測定データを保存および評価する。
【0051】
両方の方法の場合、金属基板または炭化ケイ素基板のドットを、例えば極微小研磨ディスク(microfine grinding disk)用いて均一な高さに研磨し、同時に深さの粗さが小さい平坦を形成する。基板の温度測定をして、そしてドットを、所定の加圧下で冷却した測定ピンと接触させる。
【0052】
逆に言えば、基板を冷却状態にし、そして測定ピンを加熱することも可能である。この場合、加熱は電気的におこなうよりか、スプリアス電流(spurious current)の導入を防ぐために、例えば赤外線レーザーを測定ピンに適当に焦点を合わせることにより純粋に熱で行う。
【0053】
測定ピンを用いると共に、負荷のない電圧、負荷抵抗の低い電流および電圧ならびに短絡電流を測定する。コンピューター制御の測定装置は、次のドットへの移動を含む、所定の材料を測定するために約10秒を必要とし、これにより、1回の測定で、1日当たり約10000ドットを測定可能となる。複数の測定ピンを平行して用いて操作する場合、これに相応して、非常に多くのドットを測定可能となる。測定値および測定された曲線を保存し、そして図表を用いて処理することにより、図表による表示は、一見して良好な材料を示し、その組成をその後に標準的な方法によって解析する。操作は、不活性ガス下で行われるのが好ましい。
【0054】
別の非接触の試験法/評価法は、別の非磁性の導電性冷却基板を、導電性/金属性基板にあるドットに適用し(施し)、そして2枚のプレートを相互に電気的に結合させることである。用いる温度に差があると、各ドットを短絡させることになる。短絡電流により、ドットおよびプレートの包囲部に特定の磁界を生成する。このプレートを、磁界プローブ、例えばホールプローブ(Hall probe)または超伝導量子干渉素子(スキッド:squid)によって走査し、そして測定値を、座標の関数としてコンピューターに保存(記憶)する。磁界の強さは短絡電流に比例し、その方向は、材料がp型導電またはn型導電であるかを示している。適当に図表により(グラフィックにより)処理した測定値は、一見して特に有効なドットを示す。
【0055】
この方法を用いると、10000ドットを5〜30分で測定可能となるが、ドーピングと短絡電流に関してだけである。
【0056】
更に本発明は、導電性基板に設けられた本発明の10種以上の異なる半導体のアレイに関する。
【0057】
本発明による材料を、例えばWO98/44562、US5448109、EP−A1102334またはUS5439528に記載されているようにモジュールに導入し、そしてこのモジュールを直列に接続する。
Claims (13)
- 複数の金属または金属酸化物より構成される熱電活性半導体材料を具備する熱変換器またはペルチェ装置であって、
熱電活性材料が、一般式(I):
SA、SBがB、C、Si、Ge、Sb、SeまたはTeを表し、且つSAおよびSBがそれぞれ周期表の異なる族の金属であり、
x、y、zが相互に独立して0.01〜1の数値を示し、そして
SAおよびSBを合わせた質量割合は半導体材料全体に対して30%以上である]
で表される3成分化合物(但し、AlB12およびSiB6から構成される3成分化合物を除外する)、または一般式(II):
nが1〜6の整数であり、
aが1または2を表わし、
fが0.2〜5の数字であり、
kが0.01〜2の数字であり、
u+v+w+x=1である]
で表される混合酸化物から構成されるp−またはn−ドープ半導体から選択されることを特徴とする熱変換器またはペルチェ装置。 - 前記半導体材料におけるSAおよびSBがB、C、Ge、SbおよびTeから選択される請求項1に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 前記半導体材料におけるMeがAl、TiおよびZrから選択される請求項1または2に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 前記半導体材料におけるMeがV、NbおよびTaから選択される請求項1または2に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 前記半導体材料におけるMeがCr、MoおよびWから選択される請求項1または2に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 前記半導体材料におけるMeがMn、Fe、CoおよびNiから選択される請求項1または2に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 前記半導体材料におけるMeがCuおよびAgから選択される請求項1または2に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 混合酸化物である場合、fが0.2〜0.9の範囲もしくは1か、または1.01〜2もしくは2.01〜5の範囲である請求項1に記載の熱変換器またはペルチェ装置。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の半導体材料。
- 単体粉末の混合物を焼結するか、あるいは該混合物を一緒に溶融し、次いで焼結するか、あるいは酸化物粉末の混合物を焼結することによって得られる請求項9に記載の半導体材料の製造方法。
- 請求項9に記載の熱変換器用半導体材料の製造・試験の合体法であって、
組成が異なる半導体材料のドットのアレイを導電性平面基板上に形成し、そのアレイの基板を所望の測定温度に熱処理し、そして各ドットを冷却した測定ピンと接触させ、負荷のない電圧、負荷抵抗の低い電流および電圧および/または短絡電流を測定し、次いで保存および解析することを特徴とする製造・試験の合体法。 - 請求項9に記載の熱交換起用半導体材料の製造・試験の合体法であって、
組成が異なる半導体のドットのアレイを平面の導電性基板に形成し、ドットを基板と反対側で非磁性の導電性プレートと接触させ、基板およびプレートを異なる温度で保持し、そしてこれらを相互に電気的に結合させ、且つプレートを磁界プローブで走査し、そして測定データを保存および評価することを特徴とする製造・試験の合体法。 - 導電性基板に設けられた請求項9に記載の10種以上の異なる半導体材料のアレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10142634A DE10142634A1 (de) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen |
DE10223743A DE10223743A1 (de) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren und Peltier-Anordnungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004040068A true JP2004040068A (ja) | 2004-02-05 |
Family
ID=26010038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002240197A Pending JP2004040068A (ja) | 2001-08-31 | 2002-08-21 | 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1289026A3 (ja) |
JP (1) | JP2004040068A (ja) |
RU (1) | RU2002123316A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8299349B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric materials and chalcogenide compounds |
WO2013035173A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2018123899A1 (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 国立大学法人名古屋大学 | 熱電変換材料および熱電変換素子 |
JP2019029664A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換用高マンガン珪素基テルル化物複合材料及びその製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4809691B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-11-09 | ヤンマー株式会社 | 鉄合金熱電材料 |
CN104211024B (zh) * | 2013-06-04 | 2016-02-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | P型可逆相变高性能热电材料及其制备方法 |
CN110491988A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-11-22 | 深圳大学 | 一种Ag掺杂的GeSe基热电材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3087002A (en) * | 1959-07-01 | 1963-04-23 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
US3208878A (en) * | 1962-12-26 | 1965-09-28 | Franklin Inst Of The State Of | Thermoelectric devices |
US3081361A (en) * | 1961-06-09 | 1963-03-12 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
US3127287A (en) * | 1961-06-09 | 1964-03-31 | Thermoelectricity | |
US3081363A (en) * | 1961-06-09 | 1963-03-12 | Monsanto Chemicals | Thermoelectricity |
US3256702A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
US3256698A (en) * | 1962-01-29 | 1966-06-21 | Monsanto Co | Thermoelectric unit and process of using to interconvert heat and electrical energy |
GB1015985A (en) * | 1962-06-12 | 1966-01-05 | Monsanto Co | Semiconductor materials and applications thereof |
US3407037A (en) * | 1965-02-10 | 1968-10-22 | Martin Marietta Corp | Process of making mnsi thermoelectric element and product of said process |
US3762960A (en) * | 1965-11-24 | 1973-10-02 | Teledyne Inc | Thermoelectric alloys |
WO1992013811A1 (en) * | 1991-01-30 | 1992-08-20 | Idemitsu Petrochemical Company Limited | Method for manufacturing thermoelectric element |
JPH06169110A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換材料の製造法 |
JP3348924B2 (ja) * | 1993-08-04 | 2002-11-20 | 株式会社テクノバ | 熱電半導体材料 |
DE4434904A1 (de) * | 1994-09-29 | 1996-06-05 | Max Planck Gesellschaft | Thermoelektrische Strahlungsdetektoren auf der Basis perovskitartiger dotierter Schichten und Übergitter |
JPH08242021A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱電変換材料の製造方法 |
JP3476343B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2003-12-10 | 株式会社東芝 | 熱電変換材料 |
US6222242B1 (en) * | 1998-07-27 | 2001-04-24 | Komatsu Ltd. | Thermoelectric semiconductor material and method of manufacturing same |
US6225550B1 (en) * | 1999-09-09 | 2001-05-01 | Symyx Technologies, Inc. | Thermoelectric material system |
DE19955788A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
-
2002
- 2002-08-21 JP JP2002240197A patent/JP2004040068A/ja active Pending
- 2002-08-26 EP EP02018298A patent/EP1289026A3/de not_active Withdrawn
- 2002-08-30 RU RU2002123316/28A patent/RU2002123316A/ru not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8299349B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thermoelectric materials and chalcogenide compounds |
WO2013035173A1 (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-14 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR20140050686A (ko) * | 2011-09-07 | 2014-04-29 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101640328B1 (ko) | 2011-09-07 | 2016-07-15 | 도요타지도샤가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9595655B2 (en) | 2011-09-07 | 2017-03-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2018123899A1 (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 国立大学法人名古屋大学 | 熱電変換材料および熱電変換素子 |
US10937939B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-03-02 | National University Corporation Nagoya University | Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element |
JP2019029664A (ja) * | 2017-07-28 | 2019-02-21 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電変換用高マンガン珪素基テルル化物複合材料及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1289026A3 (de) | 2004-04-21 |
EP1289026A2 (de) | 2003-03-05 |
RU2002123316A (ru) | 2004-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6444894B1 (en) | Thermoelectrically active materials and generators containing them | |
US6744110B2 (en) | Thermoelectrically active materials and generators and Peltier arrangements containing them | |
Ovik et al. | A review on nanostructures of high-temperature thermoelectric materials for waste heat recovery | |
Matsubara | Development of a high efficient thermoelectric stack for a waste exhaust heat recovery of vehicles | |
Sharp et al. | Thermoelectric properties of CoSb3 and related alloys | |
US6169245B1 (en) | Thermoelectric materials ternary penta telluride and selenide compounds | |
US8716589B2 (en) | Doped lead tellurides for thermoelectric applications | |
US20110120517A1 (en) | Synthesis of High-Efficiency Thermoelectric Materials | |
US20020176815A1 (en) | Thermoelectric devices based on materials with filled skutterudite structutres | |
CN103201865A (zh) | 纳米复合热电转换材料、其制备方法以及热电转换元件 | |
KR20070015543A (ko) | 고성능 열전 물질 및 그의 제조 방법 | |
CN103130200B (zh) | 热电材料化合物及其制备方法 | |
JP3727945B2 (ja) | 熱電変換材料及びその製法 | |
CN107155379A (zh) | 热电材料、热电转换元件以及由热电转换元件和由热电材料制成的π型模块组和由除了这种π型模块组之外的热电材料制成的π型模块组构成的模块组 | |
JP2004040068A (ja) | 熱電活性材料ならびにこれを含む熱変換器およびペルチェ装置 | |
CN102403445A (zh) | 一种碲化铋基热电材料及其制备方法 | |
Kim et al. | Thermoelectricity for crystallographic anisotropy controlled Bi–Te based alloys and p–n modules | |
Matsubara | The performance of a segmented thermoelectric convertor using Yb-based filled skutterudites and Bi2Te3-based materials | |
Sifi et al. | Comparison between the thermoelectric properties of new materials: The alloy of iron, vanadium, tungsten, and aluminum (Fe2V0. 8W0. 2Al) against an oxide such as NaCO2O4 | |
JP2003179243A (ja) | 光電池活性材料およびこれを含む電池 | |
TWI768045B (zh) | 鎂系熱電變換材料、鎂系熱電變換元件、及鎂系熱電變換材料之製造方法 | |
KR102026517B1 (ko) | 열전성능이 향상된 망간-규소계 열전재료 및 이의 제조방법 | |
Vining et al. | A promising new thermoelectric material: Ruthenium silicide | |
US3449175A (en) | Zirconia-based thermoelectric compositions | |
Toprak et al. | Fabrication routes for nanostructured TE material architectures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080513 |