JP3348830B2 - はんだバンプボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法 - Google Patents
はんだバンプボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法Info
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や表面
実装回路部品等の電子部品を搭載したキャリア配線板の
アウター接続端子とパッケージや配線基板等の被接続体
の接続端子とを電気的・機械的に接続するはんだバンプ
ボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法
に関するものである。
実装回路部品等の電子部品を搭載したキャリア配線板の
アウター接続端子とパッケージや配線基板等の被接続体
の接続端子とを電気的・機械的に接続するはんだバンプ
ボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は、半導体素子を搭載したキヤリア
配線板1のアウターリード4´を、被接続体の一つであ
る配線基板31の接続端子32に接続する装置およびそ
のボンディング方法を示す第1の従来例である。図5
(a)は、キヤリア配線板1に半導体素子3をインナー
リードボンディングした状態を示す斜視図であり、図5
(b)は、キャリア配線板1と配線基板31を配置した
装置の断面略図である。
配線板1のアウターリード4´を、被接続体の一つであ
る配線基板31の接続端子32に接続する装置およびそ
のボンディング方法を示す第1の従来例である。図5
(a)は、キヤリア配線板1に半導体素子3をインナー
リードボンディングした状態を示す斜視図であり、図5
(b)は、キャリア配線板1と配線基板31を配置した
装置の断面略図である。
【0003】本第1の従来例のボンディング装置は、T
ABテープキャリアのアウターリードのボンディングに
対応した装置で、キヤリア配線板1の保持ツール10´
とパルスヒートツール15が独立しており、それぞれキ
ヤリア配線板1の保持ツール10´は真空吸着機構13
に、また、パルスヒートツール15はパルスヒートシス
テム14に連結されている。一方、被接続体の保持ステ
ージ23はステージ定加熱システム30に連結されてい
る。
ABテープキャリアのアウターリードのボンディングに
対応した装置で、キヤリア配線板1の保持ツール10´
とパルスヒートツール15が独立しており、それぞれキ
ヤリア配線板1の保持ツール10´は真空吸着機構13
に、また、パルスヒートツール15はパルスヒートシス
テム14に連結されている。一方、被接続体の保持ステ
ージ23はステージ定加熱システム30に連結されてい
る。
【0004】被接続体の保持ステージ23は、一般に形
状が大きく熱容量が大きいため、設定温度に達するのに
比較的長時間を要する。
状が大きく熱容量が大きいため、設定温度に達するのに
比較的長時間を要する。
【0005】そこで、本第1の従来例の装置を用いたボ
ンディングの手順は、まず、保持ステージ23を昇温さ
せて一定温度に保ち、その上で、半導体素子3をインナ
ーリードボンディング部5´でインナーリードボンディ
ングしたキヤリア配線板1を保持ツール10´に吸着さ
せ、アウターリード4´と配線基板31の接続端子32
を位置合わせし接触させる。
ンディングの手順は、まず、保持ステージ23を昇温さ
せて一定温度に保ち、その上で、半導体素子3をインナ
ーリードボンディング部5´でインナーリードボンディ
ングしたキヤリア配線板1を保持ツール10´に吸着さ
せ、アウターリード4´と配線基板31の接続端子32
を位置合わせし接触させる。
【0006】次いで、パルスヒートツール15によって
アウターリード4´を押圧しながら加熱しボンディング
する。
アウターリード4´を押圧しながら加熱しボンディング
する。
【0007】この場合、アウターリード4´と配線基板
31の接続端子32には予めはんだコートが施されてあ
り、パルスヒートツール15の加熱によつてはんだが溶
融して接続がなされる。
31の接続端子32には予めはんだコートが施されてあ
り、パルスヒートツール15の加熱によつてはんだが溶
融して接続がなされる。
【0008】本従来例では、キヤリア配線板1の保持と
加熱が別々のツールにより行われるため、両ツールを含
めた上部ツール構造が大形とならざるを得ず、適用でき
るキヤリア配線板1の寸法は、10mm角程度が下限界
である。従つて、主に高周波用途として使用される5〜
8mm程度の寸法の小さいキヤリア配線板1には、本従
来例の装置を適用するには困難を伴う。また本従来例の
装置は、キヤリア配線板1の保持と加熱が分離独立した
ツールとなつているため、下面にアウターリード4´が
配置された、はんだバンプ接続形態のキヤリア配線板1
では、加重と加熱の均等調整が困難である。
加熱が別々のツールにより行われるため、両ツールを含
めた上部ツール構造が大形とならざるを得ず、適用でき
るキヤリア配線板1の寸法は、10mm角程度が下限界
である。従つて、主に高周波用途として使用される5〜
8mm程度の寸法の小さいキヤリア配線板1には、本従
来例の装置を適用するには困難を伴う。また本従来例の
装置は、キヤリア配線板1の保持と加熱が分離独立した
ツールとなつているため、下面にアウターリード4´が
配置された、はんだバンプ接続形態のキヤリア配線板1
では、加重と加熱の均等調整が困難である。
【0009】さらに本従来例の装置は、保持ツール10
´の吸着面が平面であるため、後述する半導体素子や表
面実装回路部品を両面に接続搭載した形態のキヤリア配
線板1には適用できない。
´の吸着面が平面であるため、後述する半導体素子や表
面実装回路部品を両面に接続搭載した形態のキヤリア配
線板1には適用できない。
【0010】本第1の従来例の装置によつてボンディン
グ作業する場合には、予め保持ステージ23を加熱して
おく必要があり、被接続体は保持ステージ23上に配置
すると同時に熱ストレスが加えられるため、被接続体へ
の熱的ダメージを避けるために保持ステージ23の温度
はあまり高く設定できない。従って、それを補うために
キャリア配線板1側のパルスヒートツール15の温度
は、はんだコートしたはんだの融点より大幅に高い温度
に設定しないと確実なボンディングができなくなる。ま
た、本従来例の装置によつてフラックスを使用してボン
ディング作業する場合には、被接続体側に予めフラック
ス塗付しておくと、保持ステージ23の熱により、位置
合わせしている間にフラックスの活性作用が低下する恐
れがある。
グ作業する場合には、予め保持ステージ23を加熱して
おく必要があり、被接続体は保持ステージ23上に配置
すると同時に熱ストレスが加えられるため、被接続体へ
の熱的ダメージを避けるために保持ステージ23の温度
はあまり高く設定できない。従って、それを補うために
キャリア配線板1側のパルスヒートツール15の温度
は、はんだコートしたはんだの融点より大幅に高い温度
に設定しないと確実なボンディングができなくなる。ま
た、本従来例の装置によつてフラックスを使用してボン
ディング作業する場合には、被接続体側に予めフラック
ス塗付しておくと、保持ステージ23の熱により、位置
合わせしている間にフラックスの活性作用が低下する恐
れがある。
【0011】図6は、半導体素子3を搭載したキヤリア
配線板1を被接続体の一つであるパッケージ21内には
んだバンプボンディングする第2の従来例である。図6
(a)は、キヤリア配線板1に半導体素子3をインナー
バンプボンディングした状態を示す斜視図であり、図6
(b)は、キヤリア配線板1とパッケージ21を配置し
た装置の断面略図である。なお、図5と同じ部分には同
じ符号を付してある。
配線板1を被接続体の一つであるパッケージ21内には
んだバンプボンディングする第2の従来例である。図6
(a)は、キヤリア配線板1に半導体素子3をインナー
バンプボンディングした状態を示す斜視図であり、図6
(b)は、キヤリア配線板1とパッケージ21を配置し
た装置の断面略図である。なお、図5と同じ部分には同
じ符号を付してある。
【0012】本第2の従来例のボンディング装置は、本
来、半導体素子3をMCM基板等の微細配線基板にバン
プボンディングするための装置であるが、半導体素子3
の吸着ツールに加熱機能を有していることから、小形の
キヤリア配線板1のはんだバンプボンディングに対して
適用したものである。
来、半導体素子3をMCM基板等の微細配線基板にバン
プボンディングするための装置であるが、半導体素子3
の吸着ツールに加熱機能を有していることから、小形の
キヤリア配線板1のはんだバンプボンディングに対して
適用したものである。
【0013】本第2の従来例の装置の保持ステージ23
も、一般に形状が大きいために設定温度に達するのに比
較的長時間を要する。そこで、ボンディング作業に先立
つて保持ステージ23を予め加熱し一定温度にしておく
必要がある。
も、一般に形状が大きいために設定温度に達するのに比
較的長時間を要する。そこで、ボンディング作業に先立
つて保持ステージ23を予め加熱し一定温度にしておく
必要がある。
【0014】ボンディングの手順は、まず、半導体素子
3をインナーバンプボンディングしたキヤリア配線板1
を保持ツール10に吸着させ、アウター接続端子4のは
んだバンプ6とバッケージ21の接続端子22を位置合
わせし加圧接触させる。次いで、保持ツール10と連結
されたパルスヒートシステム14によつてキヤリア配線
板1全体を加熱し、はんだバンプ6を溶融させてボンデ
ィングする。
3をインナーバンプボンディングしたキヤリア配線板1
を保持ツール10に吸着させ、アウター接続端子4のは
んだバンプ6とバッケージ21の接続端子22を位置合
わせし加圧接触させる。次いで、保持ツール10と連結
されたパルスヒートシステム14によつてキヤリア配線
板1全体を加熱し、はんだバンプ6を溶融させてボンデ
ィングする。
【0015】本第2の従来例の装置では、保持ツール1
0の吸着面が平面であるため、パルスヒートシステム1
4での加熱時に、半導体素子3のインナーバンプボンデ
ィング部5も、はんだバンプ6の融点以上の温度まで上
昇する。そのため、半導体素子3のインナーバンプボン
ディング部5に使用するはんだ材は、はんだバンプ6の
加熱接続処理温度より高い融点の材料でなければならな
い。
0の吸着面が平面であるため、パルスヒートシステム1
4での加熱時に、半導体素子3のインナーバンプボンデ
ィング部5も、はんだバンプ6の融点以上の温度まで上
昇する。そのため、半導体素子3のインナーバンプボン
ディング部5に使用するはんだ材は、はんだバンプ6の
加熱接続処理温度より高い融点の材料でなければならな
い。
【0016】また、第1の従来例と同様に、半導体素子
3や表面実装回路部品を両面に接続搭載した形態のキヤ
リア配線板には適用できない。
3や表面実装回路部品を両面に接続搭載した形態のキヤ
リア配線板には適用できない。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、第1
の従来例の装置では、キヤリア配線板1を保持し加熱す
る上部ツール構造が大形となり、寸法の小さいキヤリア
配線板には適用できず、また、はんだバンプ接続形態の
キヤリア配線板への加重と加熱の均等調整が困難となる
という欠点がある。
の従来例の装置では、キヤリア配線板1を保持し加熱す
る上部ツール構造が大形となり、寸法の小さいキヤリア
配線板には適用できず、また、はんだバンプ接続形態の
キヤリア配線板への加重と加熱の均等調整が困難となる
という欠点がある。
【0018】さらに第1の従来例の装置は、保持ツール
10´の吸着面が平面であるため、半導体素子3や表面
実装回路部品2を両面に接続搭載した形態のキヤリア配
線板には適用できないという欠点がある。
10´の吸着面が平面であるため、半導体素子3や表面
実装回路部品2を両面に接続搭載した形態のキヤリア配
線板には適用できないという欠点がある。
【0019】第2の従来例の装置では、保持ツール10
の吸着面が平面であるために、第1の従来例と同様に、
半導体素子3や表面実装回路部品を両面に接続搭載した
形態のキヤリア配線板に適用できないという欠点ばかり
でなく、半導体素子3のインナーバンプボンディング部
に使用するはんだ材は、アウター接続端子4のはんだバ
ンプ6を加熱接続する時に同時溶融しないように、常
に、はんだバンプ6のはんだ材より高融点の材料を用い
なければならず、従つて、アウター接続端子4のはんだ
バンプボンディングに先立つインナーバンプボンディン
グ作業を高温下で行わなければならないという問題があ
る。
の吸着面が平面であるために、第1の従来例と同様に、
半導体素子3や表面実装回路部品を両面に接続搭載した
形態のキヤリア配線板に適用できないという欠点ばかり
でなく、半導体素子3のインナーバンプボンディング部
に使用するはんだ材は、アウター接続端子4のはんだバ
ンプ6を加熱接続する時に同時溶融しないように、常
に、はんだバンプ6のはんだ材より高融点の材料を用い
なければならず、従つて、アウター接続端子4のはんだ
バンプボンディングに先立つインナーバンプボンディン
グ作業を高温下で行わなければならないという問題があ
る。
【0020】加えるに、第1の従来例、第2の従来例の
装置はともに、ボンディング作業する場合には、予め保
持ステージ23を加熱しておく必要があることから、保
持ステージ23の温度を高く設定できず、ボンディング
の確実性を確保するためにはキヤリア配線板1側の加熱
ツール(パルスヒートツール15あるいは保持ツール1
0)の温度を、はんだバンプ6の融点より大幅に高い温
度に設定しなければならないという欠点がある。また、
フラックスを使用してボンディング作業する場合には、
被接続体側に予めフラックス塗付しておくと、保持ステ
ージ23の熱により位置合わせしている間にフラックス
の活性作用が低下するという問題がある。
装置はともに、ボンディング作業する場合には、予め保
持ステージ23を加熱しておく必要があることから、保
持ステージ23の温度を高く設定できず、ボンディング
の確実性を確保するためにはキヤリア配線板1側の加熱
ツール(パルスヒートツール15あるいは保持ツール1
0)の温度を、はんだバンプ6の融点より大幅に高い温
度に設定しなければならないという欠点がある。また、
フラックスを使用してボンディング作業する場合には、
被接続体側に予めフラックス塗付しておくと、保持ステ
ージ23の熱により位置合わせしている間にフラックス
の活性作用が低下するという問題がある。
【0021】本発明は、上記従来技術における欠点およ
び問題を解消するものであり、その目的とするところ
は、第1に、形状寸法が小さく、かつ、半導体素子や回
路部品を両面に接続搭載した形態のキヤリア配線板に適
用できるはんだバンプボンディング装置を提供すること
にある。
び問題を解消するものであり、その目的とするところ
は、第1に、形状寸法が小さく、かつ、半導体素子や回
路部品を両面に接続搭載した形態のキヤリア配線板に適
用できるはんだバンプボンディング装置を提供すること
にある。
【0022】第2に、アウター接続端子のはんだバンプ
のはんだ材とインナーバンプボンディング部5のはんだ
材に同一材料が使用できるはんだバンプボンディング装
置とボンディング方法を提供することにある。
のはんだ材とインナーバンプボンディング部5のはんだ
材に同一材料が使用できるはんだバンプボンディング装
置とボンディング方法を提供することにある。
【0023】第3に、ボンディング作業温度を従来より
低くできるはんだバンプボンディング装置とボンディン
グ方法を提供することにある。
低くできるはんだバンプボンディング装置とボンディン
グ方法を提供することにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明のはんだバンプボンディング装置
は、電子部品を両面に搭載可能なキヤリア配線板(1)
のアウター接続端子(4)上に、あるいはキャリア配線
板が接続される被接続体の接続端子(22)上の少なく
とも一方にはんだバンプ(6)が形成されており、キャ
リア配線板(1)を保持する保持ツール(10)と前記
被接続体を保持する保持ステージ(23)とを有し、両
者の接続端子を位置合わせした後に加圧、加熱を施して
電気的・機械的に接続するはんだバンプボンディング装
置であつて、キヤリア配線板(1)の保持ツール(1
0)が、キヤリア配線板(1)の外形寸法に等しいか、
あるいは外形寸法以上の保持面寸法を有し、かつ、キャ
リア配線板(1)に電子部品の搭載エリアに対応する保
持面位置に窪み(11)を有するとともに、該窪み(1
1)内にキヤリア配線板(1)を真空吸着するための吸
着口(12)を具備し、さらに、キヤリア配線板(1)
の保持ツール(10)は、真空吸着機構(13)および
短時間にはんだ融点以上の温度に昇温できるパルスヒー
トシステム(14)とに連結され、一方、前記被接続体
の保持ステージ(23)を、規定温度まで昇温させて一
定温度に保持できる定加熱機能(25)と、短時間には
んだ融点近傍の温度まで昇温できるパルスヒート機能
(24)の両機能を持つステージ加熱システム(26)
を有するものである。
するために、本発明のはんだバンプボンディング装置
は、電子部品を両面に搭載可能なキヤリア配線板(1)
のアウター接続端子(4)上に、あるいはキャリア配線
板が接続される被接続体の接続端子(22)上の少なく
とも一方にはんだバンプ(6)が形成されており、キャ
リア配線板(1)を保持する保持ツール(10)と前記
被接続体を保持する保持ステージ(23)とを有し、両
者の接続端子を位置合わせした後に加圧、加熱を施して
電気的・機械的に接続するはんだバンプボンディング装
置であつて、キヤリア配線板(1)の保持ツール(1
0)が、キヤリア配線板(1)の外形寸法に等しいか、
あるいは外形寸法以上の保持面寸法を有し、かつ、キャ
リア配線板(1)に電子部品の搭載エリアに対応する保
持面位置に窪み(11)を有するとともに、該窪み(1
1)内にキヤリア配線板(1)を真空吸着するための吸
着口(12)を具備し、さらに、キヤリア配線板(1)
の保持ツール(10)は、真空吸着機構(13)および
短時間にはんだ融点以上の温度に昇温できるパルスヒー
トシステム(14)とに連結され、一方、前記被接続体
の保持ステージ(23)を、規定温度まで昇温させて一
定温度に保持できる定加熱機能(25)と、短時間には
んだ融点近傍の温度まで昇温できるパルスヒート機能
(24)の両機能を持つステージ加熱システム(26)
を有するものである。
【0025】また、本発明の第1のはんだバンプボンデ
ィング方法は、上記のはんだバンプボンディング装置に
よつて、キヤリア配線板(1)のアウター接続端子
(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置合わ
せし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたはんだ
バンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体の保
持ステージ(23)をはんだ融点以下の近傍温度まで加
熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板(1)の
保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に加熱し
て、はんだバンプ(6)を溶融接続するものである。
ィング方法は、上記のはんだバンプボンディング装置に
よつて、キヤリア配線板(1)のアウター接続端子
(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置合わ
せし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたはんだ
バンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体の保
持ステージ(23)をはんだ融点以下の近傍温度まで加
熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板(1)の
保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に加熱し
て、はんだバンプ(6)を溶融接続するものである。
【0026】さらに、本発明の第2のはんだバンプボン
ディング方法は、上記のはんだバンプボンディング装置
によつて、キヤリア配線板(1)のアウター接続端子
(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置合わ
せし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたはんだ
バンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体の保
持ステージ(23)をはんだフラックスの活性化温度ま
で加熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板
(1)の保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に
加熱するとともに、前記被接続体の保持ステージ(2
3)をはんだ融点以下の近傍温度に加熱して、はんだバ
ンプ(6)を溶融接続するものである。
ディング方法は、上記のはんだバンプボンディング装置
によつて、キヤリア配線板(1)のアウター接続端子
(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置合わ
せし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたはんだ
バンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体の保
持ステージ(23)をはんだフラックスの活性化温度ま
で加熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板
(1)の保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に
加熱するとともに、前記被接続体の保持ステージ(2
3)をはんだ融点以下の近傍温度に加熱して、はんだバ
ンプ(6)を溶融接続するものである。
【0027】また、本発明の第3のはんだバンプボンデ
ィング方法は、上記第1および第2のはんだバンプボン
ディング方法において、電子部品として半導体素子
(3)がキャリア配線板(1)に搭載されており、予
め、被接続体の半導体素子ダイボンディングエリアの底
部に熱硬化型接着剤(27)を塗布しておき、はんだバ
ンプ(6)の加熱溶融接続と同時に、熱硬化型接着剤
(27)の加熱硬化による半導体素子(3)のダイボン
ディングを同時に行うものである。
ィング方法は、上記第1および第2のはんだバンプボン
ディング方法において、電子部品として半導体素子
(3)がキャリア配線板(1)に搭載されており、予
め、被接続体の半導体素子ダイボンディングエリアの底
部に熱硬化型接着剤(27)を塗布しておき、はんだバ
ンプ(6)の加熱溶融接続と同時に、熱硬化型接着剤
(27)の加熱硬化による半導体素子(3)のダイボン
ディングを同時に行うものである。
【0028】
【発明の実施形態】本発明のはんだバンプボンディング
装置と、この装置を用いるはんだバンプボンディング方
法においては、保持ツールのキヤリア配線板保持面に窪
みを設けて、該保持面と接する側のキャリア配線板上の
半導体素子や表面実装回路部品と保持ツールが接触しな
いようにするとともに、保持ツールをキヤリア配線板の
外形寸法に等しいか、あるいは外形寸法以上の保持面寸
法にしたものであって、両面搭載形態のキヤリア配線板
に対応できるようになり、キヤリア配線板を吸着させた
場合にアウター接続端子の直上面と保持ツールの保持面
とが密接できるようになる。
装置と、この装置を用いるはんだバンプボンディング方
法においては、保持ツールのキヤリア配線板保持面に窪
みを設けて、該保持面と接する側のキャリア配線板上の
半導体素子や表面実装回路部品と保持ツールが接触しな
いようにするとともに、保持ツールをキヤリア配線板の
外形寸法に等しいか、あるいは外形寸法以上の保持面寸
法にしたものであって、両面搭載形態のキヤリア配線板
に対応できるようになり、キヤリア配線板を吸着させた
場合にアウター接続端子の直上面と保持ツールの保持面
とが密接できるようになる。
【0029】これによつて、保持ツールを加熱昇温させ
た時に、アウター接続端子への均等な伝熱がなされる一
方、半導体素子や表面実装回路部品の搭載部への伝熱は
阻止することができ、インナーバンプボンディング部の
温度が、アウター接続端子のはんだバンプ融点以上に上
昇することがなくなる。従つて、半導体素子のインナー
バンプボンディング部に使用するはんだ材に、アウター
接続端子のはんだバンプ用と同一のはんだ材を使用する
ことが可能となり、アウター接続端子のはんだバンプボ
ンディングに先立つインナーバンプボンディングの作業
温度を下げることができる。
た時に、アウター接続端子への均等な伝熱がなされる一
方、半導体素子や表面実装回路部品の搭載部への伝熱は
阻止することができ、インナーバンプボンディング部の
温度が、アウター接続端子のはんだバンプ融点以上に上
昇することがなくなる。従つて、半導体素子のインナー
バンプボンディング部に使用するはんだ材に、アウター
接続端子のはんだバンプ用と同一のはんだ材を使用する
ことが可能となり、アウター接続端子のはんだバンプボ
ンディングに先立つインナーバンプボンディングの作業
温度を下げることができる。
【0030】また、本発明のはんだバンプボンディング
装置においては、被接続体の保持ステージに、定加熱機
能とパルスヒート機能の両機能を持たせたので、被接続
体の温度をアウター接続端子のはんだバンプ融点近傍ま
で短時間に容易に昇温することが可能となるとともに、
温度プロファイルを自在に設定できるようになる。
装置においては、被接続体の保持ステージに、定加熱機
能とパルスヒート機能の両機能を持たせたので、被接続
体の温度をアウター接続端子のはんだバンプ融点近傍ま
で短時間に容易に昇温することが可能となるとともに、
温度プロファイルを自在に設定できるようになる。
【0031】これによつて、アウター接続端子と被接続
体の接続端子とを位置合わせし、加圧接触させた後に加
熱開始することができるようになり、フラックスを使用
したボンディング作業においては、予めフラックスを塗
付しておいてもフラックスの活性作用を損なうことがな
くなるとともに、位置合わせした後に加熱開始すること
ができるので、被接続体の半導体素子ダイボンディング
エリアに予め熱硬化型接着剤を供給しておくことが可能
となり、半導体素子のダイボンディングがはんだバンプ
ボンディングと同時にできるようになる。
体の接続端子とを位置合わせし、加圧接触させた後に加
熱開始することができるようになり、フラックスを使用
したボンディング作業においては、予めフラックスを塗
付しておいてもフラックスの活性作用を損なうことがな
くなるとともに、位置合わせした後に加熱開始すること
ができるので、被接続体の半導体素子ダイボンディング
エリアに予め熱硬化型接着剤を供給しておくことが可能
となり、半導体素子のダイボンディングがはんだバンプ
ボンディングと同時にできるようになる。
【0032】さらに、保持ステージ温度をはんだバンプ
融点以下の極めて近い温度に設定し、短時間で昇温でき
るようになるので、キヤリア配線板側の加熱ツール温度
を従来より低く設定し、はんだバンプボンディング作業
温度を下げることができる。
融点以下の極めて近い温度に設定し、短時間で昇温でき
るようになるので、キヤリア配線板側の加熱ツール温度
を従来より低く設定し、はんだバンプボンディング作業
温度を下げることができる。
【0033】以下、実施例によつて本発明の詳細を説明
する。
する。
【0034】〔第1実施例〕図1は、本実施例で例示す
るはんだバンプボンディング装置と、その装置を用いた
はんだバンプボンディング方法を示す図であり、被接続
体としてバッケージを用いた例である。図1(a)は、
キヤリア配線板1の下面に半導体素子3を、また、上面
に表面実装回路部品2を搭載した状態を示す斜視図であ
り、図1(b)は、キヤリア配線板1とパッケージ21
を配置した装置の断面略図である。そして、図5,図6
と同じ部分には同じ符号を付してある。
るはんだバンプボンディング装置と、その装置を用いた
はんだバンプボンディング方法を示す図であり、被接続
体としてバッケージを用いた例である。図1(a)は、
キヤリア配線板1の下面に半導体素子3を、また、上面
に表面実装回路部品2を搭載した状態を示す斜視図であ
り、図1(b)は、キヤリア配線板1とパッケージ21
を配置した装置の断面略図である。そして、図5,図6
と同じ部分には同じ符号を付してある。
【0035】本発明のはんだバンプボンディング装置
は、キヤリア配線板1の保持ツール10とそれに連絡さ
せた真空吸着機構13および短時間にはんだ融点以上の
温度に昇温できるパルスヒートシステム14、規定温度
まで昇温させて一定温度に保持できる定加熱機能25と
短時間にはんだ融点近傍の温度まで昇温できるパルスヒ
ート機能24を備えた被接続体の保持ステージ23とか
ら構成している。
は、キヤリア配線板1の保持ツール10とそれに連絡さ
せた真空吸着機構13および短時間にはんだ融点以上の
温度に昇温できるパルスヒートシステム14、規定温度
まで昇温させて一定温度に保持できる定加熱機能25と
短時間にはんだ融点近傍の温度まで昇温できるパルスヒ
ート機能24を備えた被接続体の保持ステージ23とか
ら構成している。
【0036】キヤリア配線板1の保持ツール10は、キ
ヤリア配線板1の外形寸法に等しいか、あるいは外形寸
法以上の保持面寸法とし、かつ、キヤリア配線板1に搭
載された半導体素子3や表面実装回路部品2の搭載エリ
アに対応する保持面位置に窪み11を形成するととも
に、窪み11内にキヤリア配線板1を真空吸着するため
の吸着口12を備えている。
ヤリア配線板1の外形寸法に等しいか、あるいは外形寸
法以上の保持面寸法とし、かつ、キヤリア配線板1に搭
載された半導体素子3や表面実装回路部品2の搭載エリ
アに対応する保持面位置に窪み11を形成するととも
に、窪み11内にキヤリア配線板1を真空吸着するため
の吸着口12を備えている。
【0037】はんだバンプボンディング手順は、まず、
半導体素子3をインナーバンプボンディングしたキヤリ
ア配線板1を保持ツール10に吸着させ、アウター接続
端子4のはんだバンプ6とパッケージ21の接続端子2
2を位置合わせした後に、保持ツール10を下降させて
はんだバンプ6と接続端子22を加圧接触させる。
半導体素子3をインナーバンプボンディングしたキヤリ
ア配線板1を保持ツール10に吸着させ、アウター接続
端子4のはんだバンプ6とパッケージ21の接続端子2
2を位置合わせした後に、保持ツール10を下降させて
はんだバンプ6と接続端子22を加圧接触させる。
【0038】次いで、図2に例示した第1の温度プロフ
ァイルのように、パッケージ21を搭載した保持ステー
ジ23の定加熱機能25を働かせ(図中のステージ定加
熱ON)、引き続いてパルスヒート機能24を働かせて
(図中のステージパルスヒータON)はんだ融点以下の
近傍温度(図中の被接続体保持ステージ設定温度)まで
加熱し、一定時間保持した後に、キャリア配線板1の保
持ツール10をパルスヒートシステム14によって、は
んだバンプ6の融点以上の温度(図中のキヤリア配線板
保持ツール設定温度)に加熱してはんだバンプ6を溶融
しボンディングする。
ァイルのように、パッケージ21を搭載した保持ステー
ジ23の定加熱機能25を働かせ(図中のステージ定加
熱ON)、引き続いてパルスヒート機能24を働かせて
(図中のステージパルスヒータON)はんだ融点以下の
近傍温度(図中の被接続体保持ステージ設定温度)まで
加熱し、一定時間保持した後に、キャリア配線板1の保
持ツール10をパルスヒートシステム14によって、は
んだバンプ6の融点以上の温度(図中のキヤリア配線板
保持ツール設定温度)に加熱してはんだバンプ6を溶融
しボンディングする。
【0039】キヤリア配線板1は、保持ツール10に吸
着させても窪み11が形成されているため、キャリア配
線板1の上面に搭載された表面実装回路部品2と保持ツ
ール10が接触することがない。また、保持ツール10
は、キャリア配線板1の外形寸法に等しいか、あるいは
外形寸法以上の保持面寸法としており、キヤリア配線板
1のアウター接続端子4の直上面と保持ツール10の保
持面とが密接できる。
着させても窪み11が形成されているため、キャリア配
線板1の上面に搭載された表面実装回路部品2と保持ツ
ール10が接触することがない。また、保持ツール10
は、キャリア配線板1の外形寸法に等しいか、あるいは
外形寸法以上の保持面寸法としており、キヤリア配線板
1のアウター接続端子4の直上面と保持ツール10の保
持面とが密接できる。
【0040】これによって、パルスヒートシステム14
により保持ツール10を加熱した時、はんだバンプ6へ
の伝熱が確実になされる一方、表面実装回路部品2はパ
ルスヒートシステム14の設定温度まで上昇することが
なくなり、また、キャリア配線板1は、ポリイミド樹脂
等の熱伝導性の悪い材料で形成されているため、下面に
搭載された半導体素子3ならびにインナーバンプボンデ
ィング部5も、パルスヒートシステム14の設定温度ま
で上昇することがなくなる。従つて、インナーバンプボ
ンディング部5に使用するはんだ材は高融点材料とする
必要はなく、アウター接続端子4のはんだバンプ6の材
料と同一材料を使用することができる。
により保持ツール10を加熱した時、はんだバンプ6へ
の伝熱が確実になされる一方、表面実装回路部品2はパ
ルスヒートシステム14の設定温度まで上昇することが
なくなり、また、キャリア配線板1は、ポリイミド樹脂
等の熱伝導性の悪い材料で形成されているため、下面に
搭載された半導体素子3ならびにインナーバンプボンデ
ィング部5も、パルスヒートシステム14の設定温度ま
で上昇することがなくなる。従つて、インナーバンプボ
ンディング部5に使用するはんだ材は高融点材料とする
必要はなく、アウター接続端子4のはんだバンプ6の材
料と同一材料を使用することができる。
【0041】このことは、多種類のはんだ材を準備する
必要がなくなることと、本はんだバンプボンディング作
業以前に実施されるキヤリア配線板1への半導体素子3
のインナーバンプボンディングの作業温度を下げること
を可能とする。
必要がなくなることと、本はんだバンプボンディング作
業以前に実施されるキヤリア配線板1への半導体素子3
のインナーバンプボンディングの作業温度を下げること
を可能とする。
【0042】また、保持ステージ23にパルスヒート機
能24を付加したので、保持ステージ23の温度をはん
だバンプ6の融点以下の極めて近い温度まで短時間で昇
温できるようになる。ボンディングの際には、パッケー
ジ21をはんだ融点以下の温度範囲内で補助加熱する必
要があり、パッケージ21の温度は、はんだバンプ6の
融点に近ければ近い程、はんだ融点以上に設定する保持
ツール10の温度を低くすることができる。従つて、本
発明の保持ステージ23のパルスヒート機能24の付加
によつて、キヤリア配線板1の保持ツール10の温度を
従来より低く設定し、はんだバンプボンディング作業温
度を下げることができる。
能24を付加したので、保持ステージ23の温度をはん
だバンプ6の融点以下の極めて近い温度まで短時間で昇
温できるようになる。ボンディングの際には、パッケー
ジ21をはんだ融点以下の温度範囲内で補助加熱する必
要があり、パッケージ21の温度は、はんだバンプ6の
融点に近ければ近い程、はんだ融点以上に設定する保持
ツール10の温度を低くすることができる。従つて、本
発明の保持ステージ23のパルスヒート機能24の付加
によつて、キヤリア配線板1の保持ツール10の温度を
従来より低く設定し、はんだバンプボンディング作業温
度を下げることができる。
【0043】なお、本実施例では、はんだバンプ6をキ
ャリア配線板1の側に形成してあるがパッケージ21の
接続端子22上に形成してあつても、その双方に形成し
てあつても本発明の範疇に入る。また、本実施例では、
被接続体としてパッケージ21を用いた場合を例示した
が、他の形状のケースや配線基板等にキャリア配線板1
をはんだバンプボンディングする場合も、本発明の範疇
に入ることは言うまでもない。
ャリア配線板1の側に形成してあるがパッケージ21の
接続端子22上に形成してあつても、その双方に形成し
てあつても本発明の範疇に入る。また、本実施例では、
被接続体としてパッケージ21を用いた場合を例示した
が、他の形状のケースや配線基板等にキャリア配線板1
をはんだバンプボンディングする場合も、本発明の範疇
に入ることは言うまでもない。
【0044】〔第2実施例〕図3は、図1で例示したは
んだバンプボンディング装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法の第2の実施例であり、フラックスを使用
する場合に適用する第2の温度プロファイルを例示した
ものである。
んだバンプボンディング装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法の第2の実施例であり、フラックスを使用
する場合に適用する第2の温度プロファイルを例示した
ものである。
【0045】キャリア配線板1のはんだバンプ6と、パ
ッケージ21のフラックスを塗付した接続端子22とを
位置合わせし加圧接触させた後に、保持ステージ23の
定加熱機能25とパルスヒート機能24によつて、ま
ず、パッケージ21をフラックス活性化温度下限界を超
える温度(図中のステージプリヒート設定温度)まで昇
温させて一定時間保持する。次いで、パルスヒート機能
24を再昇温させてはんだ融点以下の近傍温度(図中の
被接続体保持ステージ設定温度)まで加熱すると同時
に、キャリア配線板1の保持ツール10をパルスヒート
システム14によって、はんだバンプ6の融点以上の温
度(図中のキャリア配線板保持ツール設定温度)に加熱
してはんだバンプ6を溶融しボンディングする。
ッケージ21のフラックスを塗付した接続端子22とを
位置合わせし加圧接触させた後に、保持ステージ23の
定加熱機能25とパルスヒート機能24によつて、ま
ず、パッケージ21をフラックス活性化温度下限界を超
える温度(図中のステージプリヒート設定温度)まで昇
温させて一定時間保持する。次いで、パルスヒート機能
24を再昇温させてはんだ融点以下の近傍温度(図中の
被接続体保持ステージ設定温度)まで加熱すると同時
に、キャリア配線板1の保持ツール10をパルスヒート
システム14によって、はんだバンプ6の融点以上の温
度(図中のキャリア配線板保持ツール設定温度)に加熱
してはんだバンプ6を溶融しボンディングする。
【0046】このように、本発明のはんだバンプボンデ
ィング装置では、キャリア配線板1のはんだバンプ6と
パッケージ21の接続端子22とを位置合わせし接触さ
せた後に加熱開始することができ、温度プロファイルを
自在に設定できるため、予めフラックスを塗付しておい
てもフラックスの活性作用を損なうことなく確実なはん
だバンプボンディングが可能となる。
ィング装置では、キャリア配線板1のはんだバンプ6と
パッケージ21の接続端子22とを位置合わせし接触さ
せた後に加熱開始することができ、温度プロファイルを
自在に設定できるため、予めフラックスを塗付しておい
てもフラックスの活性作用を損なうことなく確実なはん
だバンプボンディングが可能となる。
【0047】〔第3実施例〕図4は、図1で例示したは
んだバンプボンディング装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法の第3の実施例であり、はんだバンプボン
ディングと同時に熱硬化型接着剤を使用して半導体素子
のダイボンディングを行う場合を例示したものである。
図4(a)は、キヤリア配線板1の下面に半導体素子3
を、また、上面に表面実装回路部品2を搭載した状態を
示す斜視図であり、図4(b)は、キヤリア配線板1と
パッケージ21を配置した装置の断面略図である。な
お、図1と同じ部分に同じ符号を付してある。
んだバンプボンディング装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法の第3の実施例であり、はんだバンプボン
ディングと同時に熱硬化型接着剤を使用して半導体素子
のダイボンディングを行う場合を例示したものである。
図4(a)は、キヤリア配線板1の下面に半導体素子3
を、また、上面に表面実装回路部品2を搭載した状態を
示す斜視図であり、図4(b)は、キヤリア配線板1と
パッケージ21を配置した装置の断面略図である。な
お、図1と同じ部分に同じ符号を付してある。
【0048】本発明の図1で例示したはんだバンプボン
ディング装置では、キャリア配線板1のはんだバンプ6
とパッケージ21の接続端子22を位置合わせし接触さ
せた後に加熱開始すれば良いので、パッケージ21底部
の半導体素子3のダイボンディングエリアに、予め熱硬
化型接着剤27を供給しておいても、位置合わせとそれ
に引き続く保持ツール10の降下、はんだバンプ6の加
圧接触の作業段階では、熱硬化型接着剤27が硬化する
ことはない。すなわち、位置合わせ後の加熱によつては
じめて硬化するので、はんだバンプ6のボンディングと
半導体素子3のダイボンディングを同時に行うことがで
きる。
ディング装置では、キャリア配線板1のはんだバンプ6
とパッケージ21の接続端子22を位置合わせし接触さ
せた後に加熱開始すれば良いので、パッケージ21底部
の半導体素子3のダイボンディングエリアに、予め熱硬
化型接着剤27を供給しておいても、位置合わせとそれ
に引き続く保持ツール10の降下、はんだバンプ6の加
圧接触の作業段階では、熱硬化型接着剤27が硬化する
ことはない。すなわち、位置合わせ後の加熱によつては
じめて硬化するので、はんだバンプ6のボンディングと
半導体素子3のダイボンディングを同時に行うことがで
きる。
【0049】
【発明の効果】本発明のはんだバンプボンディング装置
においては、保持ツールのキャリア配線板保持面に、キ
ャリア配線板上の半導体素子や表面実装回路部品と接触
しないように窪みを設けて、アウター接続端子の直上面
と保持ツールの保持面とが密接できるようにしたこと
で、アウター接続端子のはんだバンプボンディング時で
も、インナーバンプボンディング部の温度が、アウター
接続端子のはんだバンプ融点以上に上昇することがなく
なる。従って、半導体素子のインナーバンプボンディン
グ用とアウター接続端子のはんだバンプ用とを同一はん
だ材とすることができ、多種類のはんだ材を準備する必
要がなくなるとともに、インナーバンプボンディング部
に高融点はんだ材を使用しなくて済むので、アウター接
続端子のはんだバンプボンディング作業以前に実施され
るキャリア配線板への半導体素子のインナーバンプボン
ディングの作業温度を下げることができる。
においては、保持ツールのキャリア配線板保持面に、キ
ャリア配線板上の半導体素子や表面実装回路部品と接触
しないように窪みを設けて、アウター接続端子の直上面
と保持ツールの保持面とが密接できるようにしたこと
で、アウター接続端子のはんだバンプボンディング時で
も、インナーバンプボンディング部の温度が、アウター
接続端子のはんだバンプ融点以上に上昇することがなく
なる。従って、半導体素子のインナーバンプボンディン
グ用とアウター接続端子のはんだバンプ用とを同一はん
だ材とすることができ、多種類のはんだ材を準備する必
要がなくなるとともに、インナーバンプボンディング部
に高融点はんだ材を使用しなくて済むので、アウター接
続端子のはんだバンプボンディング作業以前に実施され
るキャリア配線板への半導体素子のインナーバンプボン
ディングの作業温度を下げることができる。
【0050】また、本発明のはんだバンプボンディング
方法においては、被接続体の保持ステージに、定加熱機
能とパルスヒート機能の両機能を持たせて、保持ステー
ジの温度をはんだバンプの融点以下の極めて近い温度ま
で短時間で昇温できるようにし、アウター接続端子のは
んだバンプと被接続体の接続端子とを位置合わせして接
触させた後に加熱開始するようにしたことによって、以
下のような効果が得られる。
方法においては、被接続体の保持ステージに、定加熱機
能とパルスヒート機能の両機能を持たせて、保持ステー
ジの温度をはんだバンプの融点以下の極めて近い温度ま
で短時間で昇温できるようにし、アウター接続端子のは
んだバンプと被接続体の接続端子とを位置合わせして接
触させた後に加熱開始するようにしたことによって、以
下のような効果が得られる。
【0051】第1に、保持ステージの温度をはんだバン
プの融点以下の極めて近い温度まで短時間で昇温できる
ようしたことで、はんだ融点以上に設定する保持ツール
の温度を従来より低くすることができ、アウター接続端
子のはんだバンプボンディング作業温度を下げることが
できる。
プの融点以下の極めて近い温度まで短時間で昇温できる
ようしたことで、はんだ融点以上に設定する保持ツール
の温度を従来より低くすることができ、アウター接続端
子のはんだバンプボンディング作業温度を下げることが
できる。
【0052】第2に、アウター接続端子のはんだバンプ
と被接続体の接続端子とを位置合わせして接触させた後
に加熱開始するようにしたことで、フラックスを使用し
たボンディング作業において、予めフラックスを塗付し
ておいてもフラックスの活性作用を損なうことなく確実
なはんだバンプボンディングが可能となる。
と被接続体の接続端子とを位置合わせして接触させた後
に加熱開始するようにしたことで、フラックスを使用し
たボンディング作業において、予めフラックスを塗付し
ておいてもフラックスの活性作用を損なうことなく確実
なはんだバンプボンディングが可能となる。
【0053】第3に、位置合わせした後に加熱開始する
ことができるので、被接続体の半導体素子ダイボンディ
ングエリアに予め熱硬化型接着剤を供給しておくことが
可能となり、半導体素子のダイボンディングがはんだバ
ンプボンディングと同時にできるようになる。
ことができるので、被接続体の半導体素子ダイボンディ
ングエリアに予め熱硬化型接着剤を供給しておくことが
可能となり、半導体素子のダイボンディングがはんだバ
ンプボンディングと同時にできるようになる。
【0054】以上述べたように、本発明のはんだバンプ
ボンディング装置とその装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法によれば、従来よりはんだバンプボンディ
ングの作業性が向上するとともに、材料調達や電気使用
量等の面で経済的効果があり、工業的価値は極めて高
い。
ボンディング装置とその装置を用いたはんだバンプボン
ディング方法によれば、従来よりはんだバンプボンディ
ングの作業性が向上するとともに、材料調達や電気使用
量等の面で経済的効果があり、工業的価値は極めて高
い。
【図1】本発明に係るはんだバンプボンディング装置に
使用するキャリア配線板の斜視図と、装置の一実施例を
示す断面略図である。
使用するキャリア配線板の斜視図と、装置の一実施例を
示す断面略図である。
【図2】図1のはんだバンプボンディング装置を用いた
第1のはんだバンプボンディング方法に適用する温度プ
ロファイルを示す図である。
第1のはんだバンプボンディング方法に適用する温度プ
ロファイルを示す図である。
【図3】図1のはんだバンプボンディング装置を用いた
第2のはんだバンプボンディング方法に適用する温度プ
ロファィルを示す図である。
第2のはんだバンプボンディング方法に適用する温度プ
ロファィルを示す図である。
【図4】図1のはんだバンプボンディング装置を用いた
第3のはんだバンプボンディング方法を示す図である。
第3のはんだバンプボンディング方法を示す図である。
【図5】従来技術のアウターリードボンディング装置に
使用するキャリア配線板の斜視図と、装置の断面略図で
ある。
使用するキャリア配線板の斜視図と、装置の断面略図で
ある。
【図6】従来技術のはんだバンプボンディング装置に使
用するキャリア配線板の斜視図と、装置の断面略図であ
る。
用するキャリア配線板の斜視図と、装置の断面略図であ
る。
1 キヤリア配線板 2 表面実装用回路部品 3 半導体素子 4 キヤリア配線板のアウター接続端子 5 インナーバンプボンディング部 6 はんだバンプ 10 キヤリア配線板の保持ツール 11 窪み 12 真空吸着口 13 真空吸着機構 14 パルスヒートシステム 21 パッケージ 22 パッケージの接続端子 23 被接続体の保持ステージ 24 パルスヒート機能 25 定加熱機能 26 ステージ加熱システム 27 熱硬化型接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 25/18 (72)発明者 恒次 秀起 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−67828(JP,A) 特開 平3−273673(JP,A) 特開 平6−29652(JP,A) 特開 平8−213497(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 H01L 23/12 H01L 25/18 H05K 3/34 H05K 13/04
Claims (4)
- 【請求項1】 電子部品を両面に搭載可能なキヤリア配
線板(1)のアウター接続端子(4)上に、あるいはキ
ャリア配線板(1)が接続される被接続体の接続端子
(22)上の少なくとも一方にはんだバンプ(6)が形
成されており、キャリア配線板(1)を保持する保持ツ
ール(10)と前記被接続体を保持する保持ステージ
(23)とを有し、両者の接続端子を位置合わせした後
に加圧、加熱を施して電気的・機械的に接続するはんだ
バンプボンディング装置であつて、 キヤリア配線板(1)の保持ツール(10)が、キヤリ
ア配線板(1)の外形寸法に等しいか、あるいは外形寸
法以上の保持面寸法を有し、かつ、キャリア配線板
(1)に電子部品の搭載エリアに対応する保持面位置に
窪み(11)を有するとともに、該窪み(11)内にキ
ヤリア配線板(1)を真空吸着するための吸着口(1
2)を具備し、 さらに、キヤリア配線板(1)の保持ツール(10)
は、真空吸着機構(13)および短時間にはんだ融点以
上の温度に昇温できるパルスヒートシステム(14)と
に連結され、 一方、前記被接続体の保持ステージ(23)を、規定温
度まで昇温させて一定温度に保持できる定加熱機能(2
5)と、短時間にはんだ融点近傍の温度まで昇温できる
パルスヒート機能(24)の両機能を持つステージ加熱
システム(26)を有することを特徴とするはんだバン
プボンディング装置。 - 【請求項2】 請求項1記載のはんだバンプボンディン
グ装置によつて、キヤリア配線板(1)のアウター接続
端子(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置
合わせし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたは
んだバンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体
の保持ステージ(23)をはんだ融点以下の近傍温度ま
で加熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板
(1)の保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に
加熱して、はんだバンプ(6)を溶融接続することを特
徴とするはんだバンプボンディング方法。 - 【請求項3】 請求項1記載のはんだバンプボンディン
グ装置によって、キヤリア配線板(1)のアウター接続
端子(4)と前記被接続体の接続端子(22)とを位置
合わせし、少なくとも一方の接続端子上に形成されたは
んだバンプ(6)を加圧接触させた後に、前記被接続体
の保持ステージ(23)をはんだフラックスの活性化温
度まで加熱し、一定時間保持した後に、キヤリア配線板
(1)の保持ツール(10)をはんだ融点以上の温度に
加熱するとともに、前記被接続体の保持ステージ(2
3)をはんだ融点以下の近傍温度に加熱して、はんだバ
ンプ(6)を溶融接続することを特徴とするはんだバン
プボンディング方法。 - 【請求項4】 請求項2または請求項3記載のはんだバ
ンプボンディング方法において、電子部品として半導体
素子(3)がキャリア配線板(1)に搭載されており、
予め被接続体の半導体素子ダイボンディングエリアの底
部に熱硬化型接着剤(27)を塗布しておき、はんだバ
ンプ(6)の加熱溶融接続と同時に、熱硬化型接着剤
(27)の加熱硬化による半導体素子(3)のダイボン
ディングを同時に行うことを特徴とするはんだバンプボ
ンディング方法。
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