JP2002141373A - 半導体実装方法および半導体実装装置 - Google Patents
半導体実装方法および半導体実装装置Info
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】接合部の電気的接合が安定して良好となり、実
装作業時間を短縮する。 【解決手段】半導体素子１の電極２に形成されたのスタ
ッドバンプ３に熱硬化性樹脂７を転写供給し、プリント
回路基板５の所定の位置に設置してスタッドバンプ３と
プリント回路基板５の電極６とを当接させ、熱硬化性樹
脂７を硬化して電極同士を接合する。工程中の温度付加
工程（熱履歴）を最小限にできて接合部の熱ストレスを
抑制し、かつリードタイムを短縮して高品質な半導体実
装を実現できる。
装作業時間を短縮する。 【解決手段】半導体素子１の電極２に形成されたのスタ
ッドバンプ３に熱硬化性樹脂７を転写供給し、プリント
回路基板５の所定の位置に設置してスタッドバンプ３と
プリント回路基板５の電極６とを当接させ、熱硬化性樹
脂７を硬化して電極同士を接合する。工程中の温度付加
工程（熱履歴）を最小限にできて接合部の熱ストレスを
抑制し、かつリードタイムを短縮して高品質な半導体実
装を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子とプリ
ント回路基板を電気的に接合する半導体実装方法および
装置に関するものである。
ント回路基板を電気的に接合する半導体実装方法および
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化の要求
に伴い、搭載される電子部品にも小型化が要求されるよ
うになってきた。これを実現する手段として、従来のリ
ード付き電子部品に変わりリードのない表面実装型の電
子部品が採用されるようになった。また、さらに電子部
品の占有面積を縮小するためにＩＣパッケージにかわり
半導体素子を直接プリント回路基板上に搭載する半導体
実装の分野の進展が著しい。
に伴い、搭載される電子部品にも小型化が要求されるよ
うになってきた。これを実現する手段として、従来のリ
ード付き電子部品に変わりリードのない表面実装型の電
子部品が採用されるようになった。また、さらに電子部
品の占有面積を縮小するためにＩＣパッケージにかわり
半導体素子を直接プリント回路基板上に搭載する半導体
実装の分野の進展が著しい。
【０００３】半導体実装においては電極部が形成された
面を上にして基板に搭載し、半導体素子上の電極とプリ
ント回路基板を金線やアルミ線で接続するワイヤボンデ
ィング方式と、電極面を下側にして搭載するフリップチ
ップ実装方式がある。
面を上にして基板に搭載し、半導体素子上の電極とプリ
ント回路基板を金線やアルミ線で接続するワイヤボンデ
ィング方式と、電極面を下側にして搭載するフリップチ
ップ実装方式がある。
【０００４】後者のフリップチップ実装工法は、図６
（ａ）に示すように、半導体素子１に設けられた電極２
と、プリント回路基板５に設けられた電極６との電気的
接合を得るために、半導体素子１の表面に形成された電
極２上に接合用の突起電極(以下スタッドバンプと呼ぶ)
３を形成する。そして、タッドバンプ形成後、図６
（ｂ）に示すように、半導体素子１のスタッドバンプ３
の形成面を下側にして下降させ、転写台８に設けられた
導電性接着剤４の膜にスタッドバンプ３の中央突起部が
浸漬するように接触させる。次いで半導体素子１を引き
上げると、表面張力により導電性接着剤４がスタッドバ
ンプ３に転写される。
（ａ）に示すように、半導体素子１に設けられた電極２
と、プリント回路基板５に設けられた電極６との電気的
接合を得るために、半導体素子１の表面に形成された電
極２上に接合用の突起電極(以下スタッドバンプと呼ぶ)
３を形成する。そして、タッドバンプ形成後、図６
（ｂ）に示すように、半導体素子１のスタッドバンプ３
の形成面を下側にして下降させ、転写台８に設けられた
導電性接着剤４の膜にスタッドバンプ３の中央突起部が
浸漬するように接触させる。次いで半導体素子１を引き
上げると、表面張力により導電性接着剤４がスタッドバ
ンプ３に転写される。
【０００５】次に、図６(ｃ)に示すように、常温下で半
導体素子１をプリント回路基板５の所定の位置に正確に
位置決めして、スタッドバンプ３がプリント基板５の電
極６に当接するように配置し、プリント回路基板５全体
を適切な温度で加熱して導電性接着剤４を硬化させる。
硬化させた後、プリント回路基板５全体を常温に冷却す
る。
導体素子１をプリント回路基板５の所定の位置に正確に
位置決めして、スタッドバンプ３がプリント基板５の電
極６に当接するように配置し、プリント回路基板５全体
を適切な温度で加熱して導電性接着剤４を硬化させる。
硬化させた後、プリント回路基板５全体を常温に冷却す
る。
【０００６】次に再び、プリント回路基板５全体を適切
な温度に加熱し、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなる封
止樹脂７を半導体素子１とプリント回路基板５の間に注
入する。注入した後、プリント回路基板５全体を適切な
温度に加熱し、封止樹脂７を硬化させる。これにより、
フリップチップ実装工法が完了する。
な温度に加熱し、エポキシ等の熱硬化性樹脂からなる封
止樹脂７を半導体素子１とプリント回路基板５の間に注
入する。注入した後、プリント回路基板５全体を適切な
温度に加熱し、封止樹脂７を硬化させる。これにより、
フリップチップ実装工法が完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来方法では、半導体素子の電極とプリント回路基板の電
極との接合部における導電性接着剤の硬化と、注入され
た封止樹脂７の硬化のために、２度の熱履歴が加わって
しまう。それに加えて、導電性接着剤の接着強度は非常
に小さい。
来方法では、半導体素子の電極とプリント回路基板の電
極との接合部における導電性接着剤の硬化と、注入され
た封止樹脂７の硬化のために、２度の熱履歴が加わって
しまう。それに加えて、導電性接着剤の接着強度は非常
に小さい。
【０００８】このため、２度の硬化工程で半導体素子と
プリント回路基板との接合部への熱付加による熱ストレ
スが生じ、接合部の導電性接着剤にクラックが発生し
て、電気的接合が損なわれることがあった。
プリント回路基板との接合部への熱付加による熱ストレ
スが生じ、接合部の導電性接着剤にクラックが発生し
て、電気的接合が損なわれることがあった。
【０００９】また、２度の硬化工程に要する時間が約
１．５〜６時間と長いため、品質のフィードバックが遅
いということも問題となっている。そこで本発明は、上
記の問題を解決できる半導体実装方法および半導体実装
装置を提供することを目的とする。
１．５〜６時間と長いため、品質のフィードバックが遅
いということも問題となっている。そこで本発明は、上
記の問題を解決できる半導体実装方法および半導体実装
装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、半導体素子をプリント回路基板に配置して
それぞれの電極同士を電気的に接続するに際して、半導
体素子の電極に形成された突起電極に熱硬化性樹脂を転
写供給し、プリント回路基板の所定の位置に設置して前
記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させ電極同士を接合する
ものである。
に本発明は、半導体素子をプリント回路基板に配置して
それぞれの電極同士を電気的に接続するに際して、半導
体素子の電極に形成された突起電極に熱硬化性樹脂を転
写供給し、プリント回路基板の所定の位置に設置して前
記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させ電極同士を接合する
ものである。
【００１１】本発明によれば、工程中の温度付加工程を
最小限にできて接合部への熱ストレスを抑制し、かつリ
ードタイムを短縮することができて、高品質な半導体実
装を実現することができる。
最小限にできて接合部への熱ストレスを抑制し、かつリ
ードタイムを短縮することができて、高品質な半導体実
装を実現することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る請求項１記載の半導
体実装方法は、半導体素子をプリント回路基板に配置し
てそれぞれの電極同士を電気的に接続するに際して、半
導体素子の電極に形成された突起電極に熱硬化性樹脂を
転写供給し、プリント回路基板の所定の位置に設置し前
記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させ極同士を接合するも
のである。上記方法によれば、導電性接着剤を用いず、
熱硬化性樹脂を直接突起電極へ転写供給することで、温
度付加工程を、熱硬化性樹脂の硬化に要する短時間とす
ることができて、接合部への熱ストレス(内部応力)を抑
制し、接合部の導電性を低下させることなく実装工程を
簡素化でき、リードタイムを短縮することが可能となる
ので、信頼性の高い高品質な半導体実装を実現すること
ができる。
体実装方法は、半導体素子をプリント回路基板に配置し
てそれぞれの電極同士を電気的に接続するに際して、半
導体素子の電極に形成された突起電極に熱硬化性樹脂を
転写供給し、プリント回路基板の所定の位置に設置し前
記熱硬化性樹脂を加熱して硬化させ極同士を接合するも
のである。上記方法によれば、導電性接着剤を用いず、
熱硬化性樹脂を直接突起電極へ転写供給することで、温
度付加工程を、熱硬化性樹脂の硬化に要する短時間とす
ることができて、接合部への熱ストレス(内部応力)を抑
制し、接合部の導電性を低下させることなく実装工程を
簡素化でき、リードタイムを短縮することが可能となる
ので、信頼性の高い高品質な半導体実装を実現すること
ができる。
【００１３】請求項２記載の半導体実装方法は、請求項
１の方法において、半導体をプリント回路基板に配置し
た時に、電極の接合部を所定温度に加熱するとともに、
所定荷重を付加して電極同士を圧接するものである。上
記方法によれば、請求項１の作用効果に加えて、適切な
温度と荷重の付加により接合を完了するため、熱硬化性
樹脂の硬化反応を短時間で行えると共に、適正な加圧力
でスタッドバンプと電極とを圧接接合するので、接合部
における熱ストレスを抑制できて、接合部の導電性を安
定して確保することができ、信頼性の高い半導体実装を
実現することができる。
１の方法において、半導体をプリント回路基板に配置し
た時に、電極の接合部を所定温度に加熱するとともに、
所定荷重を付加して電極同士を圧接するものである。上
記方法によれば、請求項１の作用効果に加えて、適切な
温度と荷重の付加により接合を完了するため、熱硬化性
樹脂の硬化反応を短時間で行えると共に、適正な加圧力
でスタッドバンプと電極とを圧接接合するので、接合部
における熱ストレスを抑制できて、接合部の導電性を安
定して確保することができ、信頼性の高い半導体実装を
実現することができる。
【００１４】請求項３記載の半導体実装方法は、請求項
２の方法において、接合部に超音波エネルギーを付加し
て電極同士を拡散接合するものである。上記方法によれ
ば、請求項２の作用効果に加えて、超音波エネルギーを
付加し、接合部の電極を溶融しない程度に加熱して塑性
変形を生じない程度に加圧することにより、接合面に生
じる原子の拡散を利用して電極同士をより強固に安定し
た拡散接合することができる。したがって、接合部への
熱ストレスを抑制して、さらに安定した高品質な半導体
実装を実現することができる。
２の方法において、接合部に超音波エネルギーを付加し
て電極同士を拡散接合するものである。上記方法によれ
ば、請求項２の作用効果に加えて、超音波エネルギーを
付加し、接合部の電極を溶融しない程度に加熱して塑性
変形を生じない程度に加圧することにより、接合面に生
じる原子の拡散を利用して電極同士をより強固に安定し
た拡散接合することができる。したがって、接合部への
熱ストレスを抑制して、さらに安定した高品質な半導体
実装を実現することができる。
【００１５】請求項４記載の半導体実装装置は、半導体
素子をプリント回路基板に設置してそれぞれの電極同士
を電気的に接続する半導体実装装置において、半導体素
子を保持して前記転写台に接近させ電極に形成された突
起電極に熱硬化性樹脂を転写供給するとともに、この半
導体素子をプリント回路基板上の所定位置にに配置して
電極同士を圧接し接合する作業装置を設け、前記作業装
置に、熱硬化性樹脂を硬化させる加熱手段を設けたもの
である。上記構成によれば、熱硬化性樹脂供給用の転写
台および熱硬化性樹脂を硬化させる加熱手段を有する作
業装置により、半導体素子の電極上に形成された突起電
極への熱硬化性樹脂の供給、半導体素子のプリント回路
基板への設置、熱硬化性樹脂の硬化が１台の装置で可能
となり、実装工程を簡素化し、リードタイムを短縮する
ことが可能となり、高品質な半導体実装を実現すること
ができる。
素子をプリント回路基板に設置してそれぞれの電極同士
を電気的に接続する半導体実装装置において、半導体素
子を保持して前記転写台に接近させ電極に形成された突
起電極に熱硬化性樹脂を転写供給するとともに、この半
導体素子をプリント回路基板上の所定位置にに配置して
電極同士を圧接し接合する作業装置を設け、前記作業装
置に、熱硬化性樹脂を硬化させる加熱手段を設けたもの
である。上記構成によれば、熱硬化性樹脂供給用の転写
台および熱硬化性樹脂を硬化させる加熱手段を有する作
業装置により、半導体素子の電極上に形成された突起電
極への熱硬化性樹脂の供給、半導体素子のプリント回路
基板への設置、熱硬化性樹脂の硬化が１台の装置で可能
となり、実装工程を簡素化し、リードタイムを短縮する
ことが可能となり、高品質な半導体実装を実現すること
ができる。
【００１６】請求項５記載の半導体実装装置は、請求項
４記載の構成に加えて、電極の接合部に超音波エネルギ
ーを付加して電極同士を拡散接合する超音波照射手段を
設けたものである。上記構成によれば、超音波供給手段
により超音波エネルギーを接合部に付加し、接合部の電
極が溶融しない程度に加熱して塑性変形を生じない程度
に加圧することで、接合面に生じる原子の拡散を利用し
てより強固に安定して電極同士を拡散接合することがで
きる。したがって、接合部への熱ストレスを抑制して、
さらに安定した高品質な半導体実装を実現することがで
きる。
４記載の構成に加えて、電極の接合部に超音波エネルギ
ーを付加して電極同士を拡散接合する超音波照射手段を
設けたものである。上記構成によれば、超音波供給手段
により超音波エネルギーを接合部に付加し、接合部の電
極が溶融しない程度に加熱して塑性変形を生じない程度
に加圧することで、接合面に生じる原子の拡散を利用し
てより強固に安定して電極同士を拡散接合することがで
きる。したがって、接合部への熱ストレスを抑制して、
さらに安定した高品質な半導体実装を実現することがで
きる。
【００１７】以下、本発明の実施の形態を図に基づいて
説明する。なお、従来例と同一部材には同一符号を付し
て説明は省略する。（実施の形態１）図１および図２は
本発明に係る半導体実装方法および装置の第１の実施の
形態を示すものである。
説明する。なお、従来例と同一部材には同一符号を付し
て説明は省略する。（実施の形態１）図１および図２は
本発明に係る半導体実装方法および装置の第１の実施の
形態を示すものである。
【００１８】この実装装置は、図２に示すように、樹脂
供給部２２と実装部２３とに共通する作業装置(作業ツ
ールともいう)２１を具備し、この作業装置２１によ
り、図１(ａ)，（ｂ）に示すように、樹脂供給部２２で
は、半導体素子１の電極２に形成されたスタッドバンプ
３に電極接合用の熱硬化性樹脂７を転写供給し、実装部
２３では、プリント回路基板５の所定の位置に半導体素
子１を正確に位置決めして配置し(以下実装という)、半
導体素子１の電極３とプリント回路基板５の電極６とを
接合するものである。
供給部２２と実装部２３とに共通する作業装置(作業ツ
ールともいう)２１を具備し、この作業装置２１によ
り、図１(ａ)，（ｂ）に示すように、樹脂供給部２２で
は、半導体素子１の電極２に形成されたスタッドバンプ
３に電極接合用の熱硬化性樹脂７を転写供給し、実装部
２３では、プリント回路基板５の所定の位置に半導体素
子１を正確に位置決めして配置し(以下実装という)、半
導体素子１の電極３とプリント回路基板５の電極６とを
接合するものである。
【００１９】前記作業装置２１は、樹脂供給部２２と実
装部２３との間でガイド装置２４を介して移動自在に設
けられており、内蔵された昇降駆動装置により昇降自在
な昇降ツール２５を具備している。この昇降ツール２５
には、加熱手段である第１加熱装置２６が内蔵されると
ともに、下面に保持具(図示せず)を介して半導体素子１
を保持する保持プレート２７が設けられて所定の圧力で
加圧することができる。
装部２３との間でガイド装置２４を介して移動自在に設
けられており、内蔵された昇降駆動装置により昇降自在
な昇降ツール２５を具備している。この昇降ツール２５
には、加熱手段である第１加熱装置２６が内蔵されると
ともに、下面に保持具(図示せず)を介して半導体素子１
を保持する保持プレート２７が設けられて所定の圧力で
加圧することができる。
【００２０】前記樹脂供給部２２には、転写台９に熱硬
化性樹脂７が保持されている。また実装部２３には、プ
リント回路基板５を支持する支持テーブル２８が配置さ
れ、第２の加熱手段である第２加熱装置２９が内蔵され
ている。
化性樹脂７が保持されている。また実装部２３には、プ
リント回路基板５を支持する支持テーブル２８が配置さ
れ、第２の加熱手段である第２加熱装置２９が内蔵され
ている。
【００２１】上記構成の実装装置による実装方法を図１
を参照して説明する。樹脂供給部２では、昇降ツール２
２に保持プレート２６を介して半導体素子１が接合する
電極２が下面となるように保持される。そして、昇降ツ
ール２２が下降されて、半導体素子１の電極２上に形成
されたスタッドバンプ３に熱硬化性樹脂７が転写供給さ
れる。そして、作業装置２１が実装部２３に移動され、
支持テーブル２８上に保持されたプリント回路基板５に
対応して、半導体素子１が接合位置に正確に位置決めさ
れる。次いで昇降ツール２２が下降されてスタッドバン
プ３がプリント回路基板５の電極６に所定の加圧力で圧
接され、熱硬化性樹脂７が硬化されて実装が完了する。
を参照して説明する。樹脂供給部２では、昇降ツール２
２に保持プレート２６を介して半導体素子１が接合する
電極２が下面となるように保持される。そして、昇降ツ
ール２２が下降されて、半導体素子１の電極２上に形成
されたスタッドバンプ３に熱硬化性樹脂７が転写供給さ
れる。そして、作業装置２１が実装部２３に移動され、
支持テーブル２８上に保持されたプリント回路基板５に
対応して、半導体素子１が接合位置に正確に位置決めさ
れる。次いで昇降ツール２２が下降されてスタッドバン
プ３がプリント回路基板５の電極６に所定の加圧力で圧
接され、熱硬化性樹脂７が硬化されて実装が完了する。
【００２２】この接合に際して、第１加熱装置２６と第
２加熱装置２９により、接合部となる両電極２，６およ
び熱硬化性樹脂７が所定の温度範囲１８０℃〜２５０℃
に加熱される。これにより、熱硬化性樹脂７を短時間
(たとえば１０秒以内)で硬化させて接合されるので、ま
た半導体素子１やプリント回路基板５に内部応力が発生
することがない。ここで接合部の加熱温度を１８０℃〜
２５０℃の範囲としたのは、１８０℃未満では、熱硬化
性樹脂７の硬化反応が遅く、硬化に長時間を要するため
であり、また２５０℃を越えると半導体素子１に内部応
力が発生して接合部の電気抵抗値が増大する恐れがある
からである。
２加熱装置２９により、接合部となる両電極２，６およ
び熱硬化性樹脂７が所定の温度範囲１８０℃〜２５０℃
に加熱される。これにより、熱硬化性樹脂７を短時間
(たとえば１０秒以内)で硬化させて接合されるので、ま
た半導体素子１やプリント回路基板５に内部応力が発生
することがない。ここで接合部の加熱温度を１８０℃〜
２５０℃の範囲としたのは、１８０℃未満では、熱硬化
性樹脂７の硬化反応が遅く、硬化に長時間を要するため
であり、また２５０℃を越えると半導体素子１に内部応
力が発生して接合部の電気抵抗値が増大する恐れがある
からである。
【００２３】また昇降駆動装置により、昇降ツール２５
を介して接合部には、１９６〜７８４Ｎ(２０〜８０ｋ
ｇｆ)の加圧力(荷重)が付与される。これにより、これ
らの接合部でスタッドバンプ３と電極６との接触する面
積が安定して確保されるので、接合部の電気抵抗値のバ
ラツキが抑制されて安定した接合ができる。ここで、接
合時に付加される加圧力を１個のスタッドバンプ当たり
１９６〜７８４Ｎの範囲としたのは、１９６Ｎ未満で
は、電極２(３)，６間の接触面積が不足して電気抵抗が
高くなったり、接触面積にバラツキが生じて電気抵抗値
が変化し、接合部の品質が安定しないからであり、また
７８４Ｎを越えると、プリント回路基板５と半導体素子
１のギャップが狭くなって信頼性が低下するからであ
る。
を介して接合部には、１９６〜７８４Ｎ(２０〜８０ｋ
ｇｆ)の加圧力(荷重)が付与される。これにより、これ
らの接合部でスタッドバンプ３と電極６との接触する面
積が安定して確保されるので、接合部の電気抵抗値のバ
ラツキが抑制されて安定した接合ができる。ここで、接
合時に付加される加圧力を１個のスタッドバンプ当たり
１９６〜７８４Ｎの範囲としたのは、１９６Ｎ未満で
は、電極２(３)，６間の接触面積が不足して電気抵抗が
高くなったり、接触面積にバラツキが生じて電気抵抗値
が変化し、接合部の品質が安定しないからであり、また
７８４Ｎを越えると、プリント回路基板５と半導体素子
１のギャップが狭くなって信頼性が低下するからであ
る。
【００２４】上記実施の形態１によれば、導電性接着剤
を用いず、熱硬化性樹脂７を直接スタッドバンプ３へ転
写供給することで、熱硬化性樹脂による硬化接合に要す
る時間を極めて短縮することができて、半導体素子１や
プリント回路基板５の熱ストレス(内部応力)の発生を防
止することができる。また接合部における導電性が低下
することなく、電極２，６を安定して接続することがで
きる。これにより、実装工程を簡素化できるとともに、
リードタイムを数秒(たとえば１０秒以内)に短縮するこ
とが可能となり、信頼性の高い高品質な半導体実装を実
現することができる。
を用いず、熱硬化性樹脂７を直接スタッドバンプ３へ転
写供給することで、熱硬化性樹脂による硬化接合に要す
る時間を極めて短縮することができて、半導体素子１や
プリント回路基板５の熱ストレス(内部応力)の発生を防
止することができる。また接合部における導電性が低下
することなく、電極２，６を安定して接続することがで
きる。これにより、実装工程を簡素化できるとともに、
リードタイムを数秒(たとえば１０秒以内)に短縮するこ
とが可能となり、信頼性の高い高品質な半導体実装を実
現することができる。
【００２５】また適切な温度と加圧力の付加により接合
を行うため、熱硬化性樹脂の硬化を短時間で行え、かつ
接合部に熱ストレスが発生するのを防止することができ
る。また接合部の電気抵抗値を適正にかつ安定して確保
することができて、信頼性の高い半導体実装を実現する
ことができる。
を行うため、熱硬化性樹脂の硬化を短時間で行え、かつ
接合部に熱ストレスが発生するのを防止することができ
る。また接合部の電気抵抗値を適正にかつ安定して確保
することができて、信頼性の高い半導体実装を実現する
ことができる。
【００２６】さらに上記実装装置によれば、熱硬化性樹
脂供給用の転写台および熱硬化性樹脂を硬化させる第
１，第２加熱装置２６，２９を有する作業装置２１を設
けたことで、樹脂供給部１２における半導体素子１の電
極２上に形成されたスタッドバンプ３への熱硬化性樹脂
７の供給、実装部１３における半導体素子１のプリント
回路基板５への設置、熱硬化性樹脂７の硬化が１台の装
置で可能となり、実装工程を簡素化し、リードタイムを
短縮することが可能となり、高品質な半導体実装を実現
することができる。
脂供給用の転写台および熱硬化性樹脂を硬化させる第
１，第２加熱装置２６，２９を有する作業装置２１を設
けたことで、樹脂供給部１２における半導体素子１の電
極２上に形成されたスタッドバンプ３への熱硬化性樹脂
７の供給、実装部１３における半導体素子１のプリント
回路基板５への設置、熱硬化性樹脂７の硬化が１台の装
置で可能となり、実装工程を簡素化し、リードタイムを
短縮することが可能となり、高品質な半導体実装を実現
することができる。
【００２７】(実施の形態２)実施の形態２は、図３に示
すように、実装時に熱硬化性樹脂７が半導体素子１の回
路形成面およびプリント回路基板５の電極６周囲の回路
形成面に広がるように、熱硬化性樹脂７の転写量を多く
し、さらに荷重を制御することで、接合部の強度を大き
く確保したものである。実施の形態２によれば、熱硬化
性樹脂７の転写量を多くすることで、より高品質な半導
体実装を実現することができる。
すように、実装時に熱硬化性樹脂７が半導体素子１の回
路形成面およびプリント回路基板５の電極６周囲の回路
形成面に広がるように、熱硬化性樹脂７の転写量を多く
し、さらに荷重を制御することで、接合部の強度を大き
く確保したものである。実施の形態２によれば、熱硬化
性樹脂７の転写量を多くすることで、より高品質な半導
体実装を実現することができる。
【００２８】(実施の形態３)実施の形態３は、図４に示
すように、熱硬化性樹脂７を硬化して接合後、半導体素
子１とプリント回路基板５の間にエポキシ樹脂等の補強
剤１１を注入するもものである。この実施の形態３によ
れば、接合部の強度をより大きくして、さらに高品質な
半導体実装を実現することができる。もちろん、補強剤
１１のための加熱、硬化時間も必要となるが、熱履歴や
硬化工程に要する時間も、従来に比較して半減させるこ
とができる。（実施の形態４）この実施の形態４は、先
の実施の形態１に加えて、昇降ツール２２に超音波照射
手段である超音波発振装置１２を設けて、実装時に接合
部に超音波を所定範囲の照射量だけ供給するように構成
したものである。この超音波発振装置１２から接合部に
供給される超音波エネルギーは、スタッドバンプ１個当
たり５０〜２００ｍＷの範囲に設定され、超音波エネル
ギーにより接合部の電極３(２)，６を溶融しない程度に
加熱するとともに、昇降駆動装置により昇降ツール２２
を介して塑性変形を生じない程度にスタッドバンプ３を
加圧することで、接合面に生じる原子の拡散を利用して
より強固に安定して電極３，６同士を拡散接合すること
ができる。
すように、熱硬化性樹脂７を硬化して接合後、半導体素
子１とプリント回路基板５の間にエポキシ樹脂等の補強
剤１１を注入するもものである。この実施の形態３によ
れば、接合部の強度をより大きくして、さらに高品質な
半導体実装を実現することができる。もちろん、補強剤
１１のための加熱、硬化時間も必要となるが、熱履歴や
硬化工程に要する時間も、従来に比較して半減させるこ
とができる。（実施の形態４）この実施の形態４は、先
の実施の形態１に加えて、昇降ツール２２に超音波照射
手段である超音波発振装置１２を設けて、実装時に接合
部に超音波を所定範囲の照射量だけ供給するように構成
したものである。この超音波発振装置１２から接合部に
供給される超音波エネルギーは、スタッドバンプ１個当
たり５０〜２００ｍＷの範囲に設定され、超音波エネル
ギーにより接合部の電極３(２)，６を溶融しない程度に
加熱するとともに、昇降駆動装置により昇降ツール２２
を介して塑性変形を生じない程度にスタッドバンプ３を
加圧することで、接合面に生じる原子の拡散を利用して
より強固に安定して電極３，６同士を拡散接合すること
ができる。
【００２９】ここで超音波エネルギーの照射範囲を、ス
タッドバンプ１個当たり５０〜２００ｍＷとしたのは、
５０ｍＷ未満では拡散接合が不可能であり、また２００
ｍＷを越えると、プリント回路基板５や熱硬化性樹脂７
にクラックが発生して破損しやすくなるためである。
タッドバンプ１個当たり５０〜２００ｍＷとしたのは、
５０ｍＷ未満では拡散接合が不可能であり、また２００
ｍＷを越えると、プリント回路基板５や熱硬化性樹脂７
にクラックが発生して破損しやすくなるためである。
【００３０】上記実施の形態４によれば、超音波発振装
置１２から接合部に向かって超音波エネルギーを、接合
部の電極３，６が溶融しない程度に供給加熱するととも
に、塑性変形を生じない程度に加圧することにより、半
導体素子１の電極２のスタッドバンプ３とプリント回路
基板５の電極６の接合面に生じる原子の拡散を利用して
電極同士を拡散接合することができ、より強固に安定し
て接合することができる。したがって、接合部への熱ス
トレスをより効果的に抑制すると共に、リードタイムを
短縮して、さらに安定した高品質な半導体実装を実現す
ることができる。
置１２から接合部に向かって超音波エネルギーを、接合
部の電極３，６が溶融しない程度に供給加熱するととも
に、塑性変形を生じない程度に加圧することにより、半
導体素子１の電極２のスタッドバンプ３とプリント回路
基板５の電極６の接合面に生じる原子の拡散を利用して
電極同士を拡散接合することができ、より強固に安定し
て接合することができる。したがって、接合部への熱ス
トレスをより効果的に抑制すると共に、リードタイムを
短縮して、さらに安定した高品質な半導体実装を実現す
ることができる。
【００３１】なお、上記実施の形態１で示した実装装置
は、作業装置２１を樹脂供給部２２と実装部２３との間
で移動するように構成したが、作業装置２１を固定して
おき、樹脂供給部２２の転写台９と実装部２３の支持テ
ーブル２８とを作業装置２１の対応位置に往復移動する
形式のものでもよい。
は、作業装置２１を樹脂供給部２２と実装部２３との間
で移動するように構成したが、作業装置２１を固定して
おき、樹脂供給部２２の転写台９と実装部２３の支持テ
ーブル２８とを作業装置２１の対応位置に往復移動する
形式のものでもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の半導体実装
方法によれば、導電性接着剤を用いず、熱硬化性樹脂を
直接突起電極へ転写供給することで、温度付加工程を、
熱硬化性樹脂の硬化に要する短時間とすることができ
て、接合部への熱ストレス(内部応力)を抑制し、接合部
の導電性を低下させることなく実装工程を簡素化でき、
リードタイムを短縮することが可能となるので、信頼性
の高い高品質な半導体実装を実現することができる。
方法によれば、導電性接着剤を用いず、熱硬化性樹脂を
直接突起電極へ転写供給することで、温度付加工程を、
熱硬化性樹脂の硬化に要する短時間とすることができ
て、接合部への熱ストレス(内部応力)を抑制し、接合部
の導電性を低下させることなく実装工程を簡素化でき、
リードタイムを短縮することが可能となるので、信頼性
の高い高品質な半導体実装を実現することができる。
【００３３】請求項２記載の半導体実装方法によれば、
請求項１の作用効果に加えて、適切な温度と荷重の付加
により接合を完了するため、熱硬化性樹脂の硬化反応を
短時間で行えると共に、適正な加圧力でスタッドバンプ
と電極とを圧接接合するので、接合部における熱ストレ
スを抑制できて、接合部の導電性を安定して確保するこ
とができ、信頼性の高い半導体実装を実現することがで
きる。
請求項１の作用効果に加えて、適切な温度と荷重の付加
により接合を完了するため、熱硬化性樹脂の硬化反応を
短時間で行えると共に、適正な加圧力でスタッドバンプ
と電極とを圧接接合するので、接合部における熱ストレ
スを抑制できて、接合部の導電性を安定して確保するこ
とができ、信頼性の高い半導体実装を実現することがで
きる。
【００３４】請求項３記載の半導体実装方法によれば、
請求項２の作用効果に加えて、超音波エネルギーを付加
し、接合部の電極を溶融しない程度に加熱して塑性変形
を生じない程度に加圧することにより、接合面に生じる
原子の拡散を利用して電極同士をより強固に安定した拡
散接合することができる。したがって、接合部への熱ス
トレスを抑制して、さらに安定した高品質な半導体実装
を実現することができる。
請求項２の作用効果に加えて、超音波エネルギーを付加
し、接合部の電極を溶融しない程度に加熱して塑性変形
を生じない程度に加圧することにより、接合面に生じる
原子の拡散を利用して電極同士をより強固に安定した拡
散接合することができる。したがって、接合部への熱ス
トレスを抑制して、さらに安定した高品質な半導体実装
を実現することができる。
【００３５】請求項４記載の半導体実装装置によれば、
熱硬化性樹脂供給用の転写台および熱硬化性樹脂を硬化
させる加熱手段を有する作業装置により、半導体素子の
電極上に形成された突起電極への熱硬化性樹脂の供給、
半導体素子のプリント回路基板への設置、熱硬化性樹脂
の硬化が１台の装置で可能となり、実装工程を簡素化
し、リードタイムを短縮することが可能となり、高品質
な半導体実装を実現することができる。
熱硬化性樹脂供給用の転写台および熱硬化性樹脂を硬化
させる加熱手段を有する作業装置により、半導体素子の
電極上に形成された突起電極への熱硬化性樹脂の供給、
半導体素子のプリント回路基板への設置、熱硬化性樹脂
の硬化が１台の装置で可能となり、実装工程を簡素化
し、リードタイムを短縮することが可能となり、高品質
な半導体実装を実現することができる。
【００３６】請求項５記載の半導体実装装置によれば、
超音波供給手段により超音波エネルギーを接合部に付加
し、接合部の電極が溶融しない程度に加熱して塑性変形
を生じない程度に加圧することで、接合面に生じる原子
の拡散を利用してより強固に安定して電極同士を拡散接
合することができる。したがって、接合部への熱ストレ
スを抑制して、さらに安定した高品質な半導体実装を実
現することができる。
超音波供給手段により超音波エネルギーを接合部に付加
し、接合部の電極が溶融しない程度に加熱して塑性変形
を生じない程度に加圧することで、接合面に生じる原子
の拡散を利用してより強固に安定して電極同士を拡散接
合することができる。したがって、接合部への熱ストレ
スを抑制して、さらに安定した高品質な半導体実装を実
現することができる。
【図１】本発明に係る半導体実装装置による実装方法の
実施の形態１を示し、(ａ)は樹脂供給作業の説明図、
（ｂ）は実装作業を示す説明図である。
実施の形態１を示し、(ａ)は樹脂供給作業の説明図、
（ｂ）は実装作業を示す説明図である。
【図２】同半導体実装装置を示す構成図である。
【図３】本発明に係る実装方法の実施の形態２を示す実
装作業の説明図である。
装作業の説明図である。
【図４】本発明に係る実装方法の実施の形態３を示す実
装作業の説明図である。
装作業の説明図である。
【図５】本発明に係る実装方法および装置の実施の形態
４を示す実装作業の説明図である。
４を示す実装作業の説明図である。
【図６】従来の実装方法を示し、(ａ)は半導体素子の側
面図、（ｂ）は樹脂供給作業を示す説明図、(ｃ)は実装
作業を示す説明図、（ｄ）は補強作業を示す説明図であ
る。
面図、（ｂ）は樹脂供給作業を示す説明図、(ｃ)は実装
作業を示す説明図、（ｄ）は補強作業を示す説明図であ
る。
１ 半導体素子 ２ 電極 ３ スタッドバンプ ５ プリント回路基板 ６ 電極 ７ 熱硬化性樹脂 ９ 熱硬化性樹脂の転写台 １１ 補強剤 ２１ 作業装置 ２２ 樹脂供給部 ２３ 実装部 ２５ 昇降ツール ２６ 第１加熱装置 ２７ 保持プレート ２８ 支持テーブル ２９ 第２加熱装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｂ 23/31 (72)発明者 中村 浩二郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大谷 博之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M109 AA02 BA04 CA22 ED02 EE03 5E319 AA03 AC01 CC12 CC61 CD04 CD15 CD26 GG15 GG20 5F044 KK01 LL11 PP15 PP19 RR18 RR19 5F061 AA02 BA04 CA05 CA22 CB13
Claims (5)
- 【請求項１】半導体素子をプリント回路基板に配置して
それぞれの電極同士を電気的に接続するに際して、 半導体素子の電極に形成された突起電極に熱硬化性樹脂
を転写供給し、 プリント回路基板の所定の位置に設置し前記熱硬化性樹
脂を加熱して硬化させ電極同士を接合することを特徴と
する半導体実装方法。 - 【請求項２】半導体をプリント回路基板に配置した時
に、電極の接合部を所定温度に加熱するとともに、所定
荷重を付加して電極同士を圧接することを特徴とする請
求項１記載の半導体実装方法。 - 【請求項３】接合部に超音波エネルギーを付加して電極
同士を拡散接合することを特徴とする請求項２記載の半
導体実装方法。 - 【請求項４】半導体素子をプリント回路基板に設置して
それぞれの電極同士を電気的に接続する半導体実装装置
において、 半導体素子を保持して前記転写台に接近させ電極に形成
された突起電極に熱硬化性樹脂を転写供給するととも
に、この半導体素子をプリント回路基板上の所定位置に
配置して電極同士を圧接し接合する作業装置を設け、 前記作業装置に、熱硬化性樹脂を硬化させる加熱手段を
設けたことを特徴とする半導体実装装置。 - 【請求項５】電極の接合部に超音波エネルギーを付加し
て電極同士を拡散接合する超音波照射手段を設けたこと
を特徴とする請求項４記載の半導体実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338415A JP4289779B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 半導体実装方法および半導体実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338415A JP4289779B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 半導体実装方法および半導体実装装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141373A true JP2002141373A (ja) | 2002-05-17 |
| JP4289779B2 JP4289779B2 (ja) | 2009-07-01 |
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ID=18813626
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338415A Expired - Fee Related JP4289779B2 (ja) | 2000-11-07 | 2000-11-07 | 半導体実装方法および半導体実装装置 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526892A (ja) * | 2003-06-04 | 2006-11-24 | ユーピーエム ラフセック オサケ ユキチュア | 接合部の形成方法 |
| JP2007311689A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体超音波接合方法及び装置 |
| JP2008035277A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 圧電発振器 |
| CN102446776A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 富士通株式会社 | 电子装置的制造方法及电子装置 |
| WO2018231509A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Micron Technology, Inc. | Thermocompression bond tips and related apparatus and methods |
| JP2019021668A (ja) * | 2017-07-12 | 2019-02-07 | 日立化成株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-11-07 JP JP2000338415A patent/JP4289779B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2006526892A (ja) * | 2003-06-04 | 2006-11-24 | ユーピーエム ラフセック オサケ ユキチュア | 接合部の形成方法 |
| JP2007311689A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体超音波接合方法及び装置 |
| JP4589266B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | 半導体超音波接合方法 |
| JP2008035277A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Kyocera Corp | 圧電発振器 |
| CN102446776A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 富士通株式会社 | 电子装置的制造方法及电子装置 |
| WO2018231509A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Micron Technology, Inc. | Thermocompression bond tips and related apparatus and methods |
| US11024595B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-06-01 | Micron Technology, Inc. | Thermocompression bond tips and related apparatus and methods |
| US11705425B2 (en) | 2017-06-16 | 2023-07-18 | Micron Technology, Inc. | Thermocompression bond tips and related apparatus and methods |
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