JP3329378B2 - 排ガスの有価物成分回収方法及び回収装置 - Google Patents
排ガスの有価物成分回収方法及び回収装置Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Treating Waste Gases (AREA)
- Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程で
使用される半導体製造装置より排出されるフッ化炭素化
合物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化窒素化合物、希
ガスを含有する排ガスの有価物成分回収方法に関する。
さらに詳細には半導体製造工程のドライエッチング装置
またはＣＶＤ装置の排ガスに含まれる、有価物成分の回
収方法に関する。
使用される半導体製造装置より排出されるフッ化炭素化
合物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化窒素化合物、希
ガスを含有する排ガスの有価物成分回収方法に関する。
さらに詳細には半導体製造工程のドライエッチング装置
またはＣＶＤ装置の排ガスに含まれる、有価物成分の回
収方法に関する。
【０００２】また本発明は上述の有価成分回収方法を用
いた有価物成分回収装置に関する。
いた有価物成分回収装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】図２に、典型的な、半導体製造工程で用
いられるドライエッチング装置もしくは、ＣＶＤ製膜装
置の給排気系を示す。尚、本発明と直接関わりを持たな
い構成部分（例えば、CVD装置の原料ガス供給系等）は
図示していない。半導体製造工程において、ウエハー表
面に形成したＳｉＯ２やＳｉＮなどを除去するドライエ
ッチング工程や、ＣＶＤ製膜工程でチャンバー内に堆積
したＳｉＯ ２やＳｉＮ膜をクリーニング（除去）する目
的で、いずれもプラズマチャンバー（１００）を真空ポ
ンプ（５０）により減圧状態に保ち、フッ化炭素化合
物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化窒素化合物などの
ガス（１０）（以下このガスを「有価物成分」と記す）
をキャリアーガス（１５）とともに供給し、プラズマチ
ャンバー内で交流電圧を印加することでプラズマを発生
させ、プラズマチャンバー内のイオン化したＦと除去対
象である固体のＳｉ化合物とを反応させ、ＳｉＦ 4とし
て気化させて除去することが行われている。
いられるドライエッチング装置もしくは、ＣＶＤ製膜装
置の給排気系を示す。尚、本発明と直接関わりを持たな
い構成部分（例えば、CVD装置の原料ガス供給系等）は
図示していない。半導体製造工程において、ウエハー表
面に形成したＳｉＯ２やＳｉＮなどを除去するドライエ
ッチング工程や、ＣＶＤ製膜工程でチャンバー内に堆積
したＳｉＯ ２やＳｉＮ膜をクリーニング（除去）する目
的で、いずれもプラズマチャンバー（１００）を真空ポ
ンプ（５０）により減圧状態に保ち、フッ化炭素化合
物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化窒素化合物などの
ガス（１０）（以下このガスを「有価物成分」と記す）
をキャリアーガス（１５）とともに供給し、プラズマチ
ャンバー内で交流電圧を印加することでプラズマを発生
させ、プラズマチャンバー内のイオン化したＦと除去対
象である固体のＳｉ化合物とを反応させ、ＳｉＦ 4とし
て気化させて除去することが行われている。
【０００４】このプラズマ反応では、供給された有価物
成分の全てが消費されるわけではなく、有価物成分とキ
ャリアーガスの一部は未消費のまま排気されてしまう。
成分の全てが消費されるわけではなく、有価物成分とキ
ャリアーガスの一部は未消費のまま排気されてしまう。
【０００５】また、このプラズマ反応では、ＳｉＦ４だ
けでなく、ＨＦ、ＣＯ、半導体装置内壁に析出しやすい
ＣＦ成分など多種多様の化学種も同時に副生するため、
プラズマチャンバーより排出されるガスには、ＳｉＦ４
や上記の副生物（以下「不純物」と記す）および、未反
応の有価物成分とキャリアーガスが含まれる。以下、不
純物と未反応有価物成分とキャリアーガスが混合したこ
のガスを「排ガス」と呼ぶ。
けでなく、ＨＦ、ＣＯ、半導体装置内壁に析出しやすい
ＣＦ成分など多種多様の化学種も同時に副生するため、
プラズマチャンバーより排出されるガスには、ＳｉＦ４
や上記の副生物（以下「不純物」と記す）および、未反
応の有価物成分とキャリアーガスが含まれる。以下、不
純物と未反応有価物成分とキャリアーガスが混合したこ
のガスを「排ガス」と呼ぶ。
【０００６】排ガスの不純物のうち、ＨＦは金属を腐食
する作用があり、その他にも極めて析出しやすいＣＦ化
合物が含まれている。このため、真空ポンプや配管の腐
食の防止、および、固体の析出を防止するため、プラズ
マチャンバー出口以降において排ガス中における腐食
性、析出性の成分の濃度を下げるため排ガスの希釈を行
う。通常は、希釈ガス（２０）、として安価なＮ２ガス
を用いる。（以下希釈のため供給するガスを「希釈ガ
ス」、希釈された排ガスを「希釈排ガス」と記す）。
する作用があり、その他にも極めて析出しやすいＣＦ化
合物が含まれている。このため、真空ポンプや配管の腐
食の防止、および、固体の析出を防止するため、プラズ
マチャンバー出口以降において排ガス中における腐食
性、析出性の成分の濃度を下げるため排ガスの希釈を行
う。通常は、希釈ガス（２０）、として安価なＮ２ガス
を用いる。（以下希釈のため供給するガスを「希釈ガ
ス」、希釈された排ガスを「希釈排ガス」と記す）。
【０００７】以上のように、チャンバから排出される希
釈排ガス中には、不純物、未消費の有価物成分、
キャリアーガス、希釈ガス、が含まれる。
釈排ガス中には、不純物、未消費の有価物成分、
キャリアーガス、希釈ガス、が含まれる。
【０００８】ところで、この内の未消費の有価物成分、
例えばＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＳＦ６などのフッ素
化合物は温室効果ガスであり、地球温暖化防止の観点か
ら見ても、大気への放出は可能な限り抑制されなければ
ならない。また、これらのガスはＮ２に比べ高価である
ため、回収再利用することは半導体装置の製造コストの
削減にも貢献する。
例えばＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＳＦ６などのフッ素
化合物は温室効果ガスであり、地球温暖化防止の観点か
ら見ても、大気への放出は可能な限り抑制されなければ
ならない。また、これらのガスはＮ２に比べ高価である
ため、回収再利用することは半導体装置の製造コストの
削減にも貢献する。
【０００９】有価物成分回収の試みとして、米国特許第
５５０２９６９号記載の回収方法のように、希釈排ガス
を冷却することで、有価物成分を液体または固体として
希釈ガスのＮ２と分離して回収する方法が知られてい
る。
５５０２９６９号記載の回収方法のように、希釈排ガス
を冷却することで、有価物成分を液体または固体として
希釈ガスのＮ２と分離して回収する方法が知られてい
る。
【００１０】図３を用いて従来の回収方法について説明
する。まずチャンバより排出された希釈排ガスは、不純
物除去装置６０（図２）においてスクラバー洗浄、吸着
処理等で不純物を除去した後、図３の回収システムに搬
送される。希釈排ガスを、熱交換器２０５で−１４３℃
程度まで冷却し比較的高沸点の有価物成分を固化または
液化して除去する。次に希釈排ガスを約−１８３℃に冷
却したＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３などの液状の冷媒に回収塔２
００で接触させる。すると、沸点が−１８３℃以上であ
るＣＦ４やＮＦ３等の有価物成分は液体または固体とな
り、洗浄液に吸収され回収塔下方より排出される。一
方、希釈ガスのＮ２やキャリアーガスのＡｒ等は−１８
３℃に冷却されても気体であり洗浄液にはほとんど吸収
されることはなく、回収塔２００上部より熱交換器２０
６で暖められて大気に放出される。有価物成分を取り込
んだ洗浄液は、この後、冷媒再生塔３００に送られ、有
価物成分と洗浄液の沸点差を利用して有価物成分を除去
し再生される。
する。まずチャンバより排出された希釈排ガスは、不純
物除去装置６０（図２）においてスクラバー洗浄、吸着
処理等で不純物を除去した後、図３の回収システムに搬
送される。希釈排ガスを、熱交換器２０５で−１４３℃
程度まで冷却し比較的高沸点の有価物成分を固化または
液化して除去する。次に希釈排ガスを約−１８３℃に冷
却したＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３などの液状の冷媒に回収塔２
００で接触させる。すると、沸点が−１８３℃以上であ
るＣＦ４やＮＦ３等の有価物成分は液体または固体とな
り、洗浄液に吸収され回収塔下方より排出される。一
方、希釈ガスのＮ２やキャリアーガスのＡｒ等は−１８
３℃に冷却されても気体であり洗浄液にはほとんど吸収
されることはなく、回収塔２００上部より熱交換器２０
６で暖められて大気に放出される。有価物成分を取り込
んだ洗浄液は、この後、冷媒再生塔３００に送られ、有
価物成分と洗浄液の沸点差を利用して有価物成分を除去
し再生される。
【００１１】以上のように、従来法によるならば、有価
物成分を希釈排ガス中より分離回収するためには、目的
の有価物成分の沸点以下まで冷却する必要があった。即
ち、洗浄液として−１８３℃（仮に有価物成分がＣ
Ｆ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６であれば、
この中で最も沸点の小さな−１２９℃以下の温度でもか
まわない）に冷却した液体のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３等を利
用し、希釈排ガスを有価物成分が固体または液体になる
極低温まで冷却する。洗浄液を−１８３℃に保持するに
は、液体窒素などの特別な冷熱源が必要である。このた
めの大量の液体窒素を製造、貯蔵するためには、多くの
費用と電力と特別な設備とを要した。充分な保温対策を
施した冷却設備は大掛かりとなり、半導体工場内部に設
置する事は困難であり、屋外に新たに設置せざるおえ
ず、それに伴い、各種配管等の工事も大掛かりなものと
なった。
物成分を希釈排ガス中より分離回収するためには、目的
の有価物成分の沸点以下まで冷却する必要があった。即
ち、洗浄液として−１８３℃（仮に有価物成分がＣ
Ｆ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６であれば、
この中で最も沸点の小さな−１２９℃以下の温度でもか
まわない）に冷却した液体のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３等を利
用し、希釈排ガスを有価物成分が固体または液体になる
極低温まで冷却する。洗浄液を−１８３℃に保持するに
は、液体窒素などの特別な冷熱源が必要である。このた
めの大量の液体窒素を製造、貯蔵するためには、多くの
費用と電力と特別な設備とを要した。充分な保温対策を
施した冷却設備は大掛かりとなり、半導体工場内部に設
置する事は困難であり、屋外に新たに設置せざるおえ
ず、それに伴い、各種配管等の工事も大掛かりなものと
なった。
【００１２】高い温室効果を有するフッ素を含む化合物
を処理、回収、分解する方法としては前記の米国特許第
５５０２９６９号の他にいろいろな試みが行われてい
る。
を処理、回収、分解する方法としては前記の米国特許第
５５０２９６９号の他にいろいろな試みが行われてい
る。
【００１３】例えば、高温の火炎中、もしくはプラズマ
中でＣＦガスを分解する試みがなされているが、分解後
に副生する腐食性の多量なＨＦガスの処理法が確立して
いない。また、ＣＦ系ガスに選択的な透過性を示すガス
浸透膜を複数組み合わせてＣＦガスを種類ごとに濃縮回
収する試みがなされているが、特別な装置が必要であ
る。
中でＣＦガスを分解する試みがなされているが、分解後
に副生する腐食性の多量なＨＦガスの処理法が確立して
いない。また、ＣＦ系ガスに選択的な透過性を示すガス
浸透膜を複数組み合わせてＣＦガスを種類ごとに濃縮回
収する試みがなされているが、特別な装置が必要であ
る。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、従来、液
体窒素温度に近い極低温で実施されていたＣＶＤ装置お
よびドライエッチング装置から放出される排ガスから有
価物成分（フッ化炭素化合物、水素化フッ化炭素化合
物、フッ化窒素化合物等）の回収法を見直すことで、−
６０℃以上の温度で有価物成分の回収を可能とする方法
を提供する。
体窒素温度に近い極低温で実施されていたＣＶＤ装置お
よびドライエッチング装置から放出される排ガスから有
価物成分（フッ化炭素化合物、水素化フッ化炭素化合
物、フッ化窒素化合物等）の回収法を見直すことで、−
６０℃以上の温度で有価物成分の回収を可能とする方法
を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体製造
工程の排ガスに含まれる複数の有価物成分中で最高沸点
を持つ有価物成分の沸点よりも沸点が高い物質を希釈ガ
スとし、該希釈ガスにより排ガスを希釈し希釈された排
ガスとし、該希釈された排ガスの温度を該希釈ガスの沸
点より低く、かつ、排ガス中の有価物成分中で最高沸点
を持つ物質の沸点より高い温度にすることで、該希釈さ
れた排ガス中より希釈ガスを液体として、かつ、有価物
成分を気体として回収することを特徴とする排ガスの有
価物成分回収方法を提供する。
工程の排ガスに含まれる複数の有価物成分中で最高沸点
を持つ有価物成分の沸点よりも沸点が高い物質を希釈ガ
スとし、該希釈ガスにより排ガスを希釈し希釈された排
ガスとし、該希釈された排ガスの温度を該希釈ガスの沸
点より低く、かつ、排ガス中の有価物成分中で最高沸点
を持つ物質の沸点より高い温度にすることで、該希釈さ
れた排ガス中より希釈ガスを液体として、かつ、有価物
成分を気体として回収することを特徴とする排ガスの有
価物成分回収方法を提供する。
【００１６】また、本発明は、半導体製造工程の排ガス
に含まれる複数の有価物成分中で、最高沸点を持つ有価
物成分を希釈ガスとし、該希釈ガスにより排ガスを希釈
し希釈された排ガスとし、該希釈された排ガスの温度を
該希釈ガスの沸点より低く、かつ、排ガス中の有価物成
分中で2番目に高い沸点を持つ物質の沸点より高い温度
にすることで、該希釈された排ガス中より希釈ガスを液
体として、かつ、残りの有価物成分を気体として回収す
ることを特徴とする排ガスの有価物成分回収方法を提供
する。
に含まれる複数の有価物成分中で、最高沸点を持つ有価
物成分を希釈ガスとし、該希釈ガスにより排ガスを希釈
し希釈された排ガスとし、該希釈された排ガスの温度を
該希釈ガスの沸点より低く、かつ、排ガス中の有価物成
分中で2番目に高い沸点を持つ物質の沸点より高い温度
にすることで、該希釈された排ガス中より希釈ガスを液
体として、かつ、残りの有価物成分を気体として回収す
ることを特徴とする排ガスの有価物成分回収方法を提供
する。
【００１７】従来技術では、希釈された排ガスの温度を
有価物成分の沸点温度以下（-183℃程度）にまで冷却し
て、有価物成分を液体または固体として、希釈ガスを気
体として分離していた。本発明は、この従来技術の発想
を転換し、排ガス中の有価物成分を気体として回収する
ことで、回収コストの大幅に削減を可能にした。
有価物成分の沸点温度以下（-183℃程度）にまで冷却し
て、有価物成分を液体または固体として、希釈ガスを気
体として分離していた。本発明は、この従来技術の発想
を転換し、排ガス中の有価物成分を気体として回収する
ことで、回収コストの大幅に削減を可能にした。
【００１８】より詳細には、本発明での有価物成分の回
収温度は−６０℃程度であり、液体窒素を用いる従来技
術に比べて１００℃以上高温であり、回収に必要な冷媒
の作製、保存が非常に容易となった。
収温度は−６０℃程度であり、液体窒素を用いる従来技
術に比べて１００℃以上高温であり、回収に必要な冷媒
の作製、保存が非常に容易となった。
【００１９】また、本発明は排ガス中に含まれる有価物
成分の中で最高沸点を持つ物質を希釈ガスとすることも
可能である。
成分の中で最高沸点を持つ物質を希釈ガスとすることも
可能である。
【００２０】ここで、排ガス中の有価物成分とは、半導
体製造工程に導入されたにも係わらず、一部分が消費さ
れずに、排出された成分である。この時、排ガスには、
その他の不純物（反応の副生物、キャリアーガス等）が
含まれる事が多い。
体製造工程に導入されたにも係わらず、一部分が消費さ
れずに、排出された成分である。この時、排ガスには、
その他の不純物（反応の副生物、キャリアーガス等）が
含まれる事が多い。
【００２１】有価物成分は、半導体製造工程より排出さ
れる排ガス中に含まれ、一部分が未消費のものであれ
ば、特に制限はないが、本発明で回収される有価物成分
はフッ化炭素化合物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化
窒素化合物、またはフッ化硫黄化合物の少なくとも一種
類である事が望ましい。より詳細には、排ガスの有価物
成分としてＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ
６の少なくとも１種類が含まれている事が望ましい。
れる排ガス中に含まれ、一部分が未消費のものであれ
ば、特に制限はないが、本発明で回収される有価物成分
はフッ化炭素化合物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化
窒素化合物、またはフッ化硫黄化合物の少なくとも一種
類である事が望ましい。より詳細には、排ガスの有価物
成分としてＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ
６の少なくとも１種類が含まれている事が望ましい。
【００２２】希釈ガスは、その沸点が、回収目標の有価
物成分よりも高温のものから種々の物質が選択可能では
あるが、選択に当たっては下記の条件を考慮する事が望
ましい。希釈ガスとして−６０〜２００度で不活性であ
り、沸点が−６０℃以上である物質を用いる事が望まし
い。これは、排ガス中には、反応性の高い成分が含まれ
ている場合もあり、これらの成分との反応を避けるため
である。また、真空成膜装置、配管等に用いられている
種々の材料と反応を起こしたり、これらの材料を腐食す
る物質の使用も控えたほうが良い。さらに、希釈ガス
は、成膜装置から排出される高温の排ガスと混合する事
から、−６０〜２００度で自己発火性を有しないものが
望ましい。また、希釈ガスとしては、−６０℃以上であ
る物質が望ましいが、これは回収目標の有価物成分中で
最も沸点の高いＳＦ６（−６３℃）を考慮した結果であ
る。
物成分よりも高温のものから種々の物質が選択可能では
あるが、選択に当たっては下記の条件を考慮する事が望
ましい。希釈ガスとして−６０〜２００度で不活性であ
り、沸点が−６０℃以上である物質を用いる事が望まし
い。これは、排ガス中には、反応性の高い成分が含まれ
ている場合もあり、これらの成分との反応を避けるため
である。また、真空成膜装置、配管等に用いられている
種々の材料と反応を起こしたり、これらの材料を腐食す
る物質の使用も控えたほうが良い。さらに、希釈ガス
は、成膜装置から排出される高温の排ガスと混合する事
から、−６０〜２００度で自己発火性を有しないものが
望ましい。また、希釈ガスとしては、−６０℃以上であ
る物質が望ましいが、これは回収目標の有価物成分中で
最も沸点の高いＳＦ６（−６３℃）を考慮した結果であ
る。
【００２３】上述の条件を満たす物質として、希釈ガス
としてはフッ化炭素化合物または、水素化フッ化炭素化
合物が好適に用いられる。
としてはフッ化炭素化合物または、水素化フッ化炭素化
合物が好適に用いられる。
【００２４】より具体的にはＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３、環状
−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦＣＦ２、ＣＨ２ＦＣＦ３、ＣＨ
Ｆ２ＣＦ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＣＨ２Ｆ２のいずれかを
用いる事が望ましい。これらの物質から、回収目標の有
価物成分の沸点によって適宜選択して希釈ガスとして用
いることが望ましい。
−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦＣＦ２、ＣＨ２ＦＣＦ３、ＣＨ
Ｆ２ＣＦ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＣＨ２Ｆ２のいずれかを
用いる事が望ましい。これらの物質から、回収目標の有
価物成分の沸点によって適宜選択して希釈ガスとして用
いることが望ましい。
【００２５】前記希釈された排ガスが有価物成分の回収
の前に、不純物の除去を受けることが望ましい。何故な
ら、排ガス中にはプラズマ反応で生成したラジカルに由
来する装置の内壁に析出しやすい成分、反応性が高い成
分、腐食性の成分、パーティクル等の不純物が含まれて
いるからである。不純物除去法としてはスクラバー洗
浄、吸着処理等の公知の技術から適当な方法が選択され
る。
の前に、不純物の除去を受けることが望ましい。何故な
ら、排ガス中にはプラズマ反応で生成したラジカルに由
来する装置の内壁に析出しやすい成分、反応性が高い成
分、腐食性の成分、パーティクル等の不純物が含まれて
いるからである。不純物除去法としてはスクラバー洗
浄、吸着処理等の公知の技術から適当な方法が選択され
る。
【００２６】液体として回収された希釈ガスを、再び希
釈ガスとして排ガスに供給することが可能である。回収
された希釈ガス中には、キャリアーガスや、有価物成分
が僅かに混合している事があるが、希釈ガスとして用い
る限りは問題とならない。
釈ガスとして排ガスに供給することが可能である。回収
された希釈ガス中には、キャリアーガスや、有価物成分
が僅かに混合している事があるが、希釈ガスとして用い
る限りは問題とならない。
【００２７】気体として回収された有価物成分を、再び
半導体製造工程に供給しても良い。この時、有価物成分
毎に分離精製を行わないで、再供給する場合には、有価
物成分の濃度を微調整する必要がある。
半導体製造工程に供給しても良い。この時、有価物成分
毎に分離精製を行わないで、再供給する場合には、有価
物成分の濃度を微調整する必要がある。
【００２８】また、本発明は半導体製造工程より排出さ
れた有価物成分を含む排ガスと希釈ガスとを混合する手
段と、希釈された排ガスより不純物を除去する不純物除
去装置と該希釈された排ガスを希釈ガスの沸点よりも低
く、かつ該回収しようとする有価物成分中で最高沸点を
持つ物質の沸点よりも高い温度とし、希釈ガスを液体と
して、排ガス中の該回収しようとする有価物成分を気体
として回収する回収塔を有する排ガスの有価物成分回収
装置を提供する。
れた有価物成分を含む排ガスと希釈ガスとを混合する手
段と、希釈された排ガスより不純物を除去する不純物除
去装置と該希釈された排ガスを希釈ガスの沸点よりも低
く、かつ該回収しようとする有価物成分中で最高沸点を
持つ物質の沸点よりも高い温度とし、希釈ガスを液体と
して、排ガス中の該回収しようとする有価物成分を気体
として回収する回収塔を有する排ガスの有価物成分回収
装置を提供する。
【００２９】ここで、「排ガスと希釈ガスを混合する手
段」とは、排ガスを排出するための配管と、それに結合
した希釈ガスの配管であり、排ガスが排出された時に、
排ガスに希釈ガスを混合するためのバルブ等を備えてい
る。
段」とは、排ガスを排出するための配管と、それに結合
した希釈ガスの配管であり、排ガスが排出された時に、
排ガスに希釈ガスを混合するためのバルブ等を備えてい
る。
【００３０】
【発明の実施の形態】まず、以下に代表的な有価物成分
と希釈ガスの沸点をまとめる。有価物成分であるＣ
Ｆ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６の一気圧に
おける沸点はそれぞれ、−１２８，−１２９，−６３，
−８２，−７８℃（「ＵＬＳＩプロセス材料実務便
覧」、サイエンスフォーラム株式会社発行、１９９２年
１月３０日第一版第一刷の２６０頁および２６９頁記載
より）である。
と希釈ガスの沸点をまとめる。有価物成分であるＣ
Ｆ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６の一気圧に
おける沸点はそれぞれ、−１２８，−１２９，−６３，
−８２，−７８℃（「ＵＬＳＩプロセス材料実務便
覧」、サイエンスフォーラム株式会社発行、１９９２年
１月３０日第一版第一刷の２６０頁および２６９頁記載
より）である。
【００３１】また、代表的な希釈ガスである、ＣＦ３Ｃ
Ｆ２ＣＦ３、環状−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ ３ＣＦＣＦ２、ＣＨ
２ＦＣＦ３、ＣＨＦ２ＣＦ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＣＨ２
Ｆ２の沸点は、それぞれ、−３７、−６、−３０、−２
６、−４９、−２５、−５２℃である。
Ｆ２ＣＦ３、環状−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ ３ＣＦＣＦ２、ＣＨ
２ＦＣＦ３、ＣＨＦ２ＣＦ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＣＨ２
Ｆ２の沸点は、それぞれ、−３７、−６、−３０、−２
６、−４９、−２５、−５２℃である。
【００３２】次に、本発明の実施の形態について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００３３】本発明の実施の形態は、図２で示される半
導体製造工程の排気システムと図１で示される回収シス
テムで構成される。図１に示す回収システムは、本例の
場合、回収塔２００、液状の希釈ガスを蓄える貯留槽４
００、精製工程へ有価物成分を送るためのボンベ充填
部、希釈ガスを搬出するためのボンベ充填部と、これら
を連結する配管、ポンプおよび熱交換機で構成される。
一方、排気システムの構成は、「従来技術の説明」の項
で示したものと同じ構成であるが、プラズマチャンバー
１００に供給する有価物成分１０として、図１の回収シ
ステムで回収し、適宜精製した有価物成分と、流量を微
調整するための補充用の新品有価物成分を用いる。
導体製造工程の排気システムと図１で示される回収シス
テムで構成される。図１に示す回収システムは、本例の
場合、回収塔２００、液状の希釈ガスを蓄える貯留槽４
００、精製工程へ有価物成分を送るためのボンベ充填
部、希釈ガスを搬出するためのボンベ充填部と、これら
を連結する配管、ポンプおよび熱交換機で構成される。
一方、排気システムの構成は、「従来技術の説明」の項
で示したものと同じ構成であるが、プラズマチャンバー
１００に供給する有価物成分１０として、図１の回収シ
ステムで回収し、適宜精製した有価物成分と、流量を微
調整するための補充用の新品有価物成分を用いる。
【００３４】また、キャリアーガス１５として、図１の
回収システムで回収し適宜精製したキャリアーガスと、
流量を微調整するための補充用の新品キャリアーガスを
用いる。
回収システムで回収し適宜精製したキャリアーガスと、
流量を微調整するための補充用の新品キャリアーガスを
用いる。
【００３５】また希釈ガス２０は、図１の回収システム
で回収された希釈ガス（沸点が−６０℃以上であるフッ
化炭素化合物）である。
で回収された希釈ガス（沸点が−６０℃以上であるフッ
化炭素化合物）である。
【００３６】図１と図２を参照し動作の説明をする。半
導体製造工程のプラズマチャンバー100には、有価物成
分およびキャリアーガスが供給される。これら両ガス
は、ボンベ１０や１５に貯蔵されており、本発明により
回収し精製された有価物成分およびキャリアーガスをボ
ンベ１０および１５に充填して使用する事も出来る。供
給したガスはプラズマチャンバ−100内で一部が消費さ
れ、不純物とともに排ガスとして排出される。この後、
希釈ガス２０を供給する。
導体製造工程のプラズマチャンバー100には、有価物成
分およびキャリアーガスが供給される。これら両ガス
は、ボンベ１０や１５に貯蔵されており、本発明により
回収し精製された有価物成分およびキャリアーガスをボ
ンベ１０および１５に充填して使用する事も出来る。供
給したガスはプラズマチャンバ−100内で一部が消費さ
れ、不純物とともに排ガスとして排出される。この後、
希釈ガス２０を供給する。
【００３７】希釈ガスは沸点が−６０℃以上のフッ化炭
素化合物から選択された。これらの化学種は排気系の環
境では気体であり、また排気系の部材、及び排気ガスと
反応性が無く（不活性）、かつ排気系の温度環境下で自
己発火性がない。
素化合物から選択された。これらの化学種は排気系の環
境では気体であり、また排気系の部材、及び排気ガスと
反応性が無く（不活性）、かつ排気系の温度環境下で自
己発火性がない。
【００３８】この後、希釈排ガスは、スクラバー洗浄、
吸着材あるいはフィルター等を用いた不純物除去装置６
０によりＳｉＦ4、ＨＦ、ＣＯさらに、半導体製造装置
内壁に析出しやすいＣＦ化合物等が除去されて回収シス
テムに送られる。
吸着材あるいはフィルター等を用いた不純物除去装置６
０によりＳｉＦ4、ＨＦ、ＣＯさらに、半導体製造装置
内壁に析出しやすいＣＦ化合物等が除去されて回収シス
テムに送られる。
【００３９】回収システム（図１）に送られた希釈排ガ
スは、回収塔200内部で、希釈ガスの沸点以下で有価物
成分の沸点以上の温度（以下「洗浄液温度」と記す）に
貯留槽４００で冷却された液体状の希釈ガス（洗浄液）
と接触する。
スは、回収塔200内部で、希釈ガスの沸点以下で有価物
成分の沸点以上の温度（以下「洗浄液温度」と記す）に
貯留槽４００で冷却された液体状の希釈ガス（洗浄液）
と接触する。
【００４０】回収塔２００内部で、希釈排ガスは洗浄液
温度に冷却され、排ガス中の希釈ガスは液化し、液状希
釈ガス（洗浄液）に吸収され回収塔下方より排出され
る。一方、有価物成分のＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨ
Ｆ３、Ｃ２Ｆ６やキャリアーガスのＡｒなどは洗浄液温
度まで冷却されても気体であり洗浄液にはほとんど吸収
されず、回収塔上部へ移動する。
温度に冷却され、排ガス中の希釈ガスは液化し、液状希
釈ガス（洗浄液）に吸収され回収塔下方より排出され
る。一方、有価物成分のＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨ
Ｆ３、Ｃ２Ｆ６やキャリアーガスのＡｒなどは洗浄液温
度まで冷却されても気体であり洗浄液にはほとんど吸収
されず、回収塔上部へ移動する。
【００４１】尚、回収システムとして液化した希釈ガス
を還流させて、希釈された排ガスを液体状の希釈ガスと
接触する方式を採用したのは、希釈された排ガスと液体
状冷媒との接触面積が広く、効率的な冷却が可能だから
である。勿論、回収システムは有価物成分の回収に必要
な温度を維持できるならば、種々の方式が選択可能であ
る。
を還流させて、希釈された排ガスを液体状の希釈ガスと
接触する方式を採用したのは、希釈された排ガスと液体
状冷媒との接触面積が広く、効率的な冷却が可能だから
である。勿論、回収システムは有価物成分の回収に必要
な温度を維持できるならば、種々の方式が選択可能であ
る。
【００４２】有価物成分やキャリアーガスの一部が液状
希釈ガス（洗浄液）に吸収されたとしても、微量である
ので何ら問題はない。
希釈ガス（洗浄液）に吸収されたとしても、微量である
ので何ら問題はない。
【００４３】次に、有価物成分とキャリアーガスを含ん
だ成分は、熱交換器２０６で暖められた後、ポンプによ
りボンベに詰められ、ボンベ等に充填し、再度図２の１
０，１５として供給される。
だ成分は、熱交換器２０６で暖められた後、ポンプによ
りボンベに詰められ、ボンベ等に充填し、再度図２の１
０，１５として供給される。
【００４４】尚、ボンベに充填せず直接配管等を経由し
て精製工程に送ってもかまわない。回収塔200の下方よ
り排出された液状希釈ガスは、貯留槽400に送られる。
ここで、回収塔200で吸収により増加した液状希釈ガス
は、オーバーフローなどにより、図の右方向に排出し、
熱交換機２０７で暖められた後、希釈ガスボンベに充填
され、図２の２０として利用される。
て精製工程に送ってもかまわない。回収塔200の下方よ
り排出された液状希釈ガスは、貯留槽400に送られる。
ここで、回収塔200で吸収により増加した液状希釈ガス
は、オーバーフローなどにより、図の右方向に排出し、
熱交換機２０７で暖められた後、希釈ガスボンベに充填
され、図２の２０として利用される。
【００４５】
【実施例】図１および図２に示す装置において、ボンベ
１５のキャリアーガスの種類と供給量、複数のボンベ１
０（図では１種類のボンベとして示したが、種類毎のボ
ンベでもかまわない）の有価物成分の種類と供給量、ボ
ンベ２０の希釈ガスの種類と供給量、回収塔２００での
洗浄液温度、洗浄液の種類、精製工程へ搬出されるボン
ベのガス成分の種類と流量、希釈ガスとしてボンベに充
填されるガス成分の種類と流量を図４および図５に示
す。
１５のキャリアーガスの種類と供給量、複数のボンベ１
０（図では１種類のボンベとして示したが、種類毎のボ
ンベでもかまわない）の有価物成分の種類と供給量、ボ
ンベ２０の希釈ガスの種類と供給量、回収塔２００での
洗浄液温度、洗浄液の種類、精製工程へ搬出されるボン
ベのガス成分の種類と流量、希釈ガスとしてボンベに充
填されるガス成分の種類と流量を図４および図５に示
す。
【００４６】（実施例１）図４に示す実施例１は、キャ
リアーガスＡｒ、有価物成分としてＣＦ４およびＣＨＦ
３の２種類をチャンバーに供給して運転している場合の
実施例である。尚、図４、図５、図６に示した流量は、
１気圧、常温での流量として示す。この実施例１では、
有価物成分のうちＣＨＦ３の沸点−８２℃の方が高く、
希釈ガスとして沸点−３６．７℃のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３
が利用できる。回収システムでは、液状希釈ガス（洗浄
液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を−５０℃に保持して循環す
ると、希釈排ガスのＡｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ３は気体のま
ま精製工程側のボンベに行き、ここでボンベに充填され
る。そして精製工程で、Ａｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ３毎に分
離され再びチャンバーに供給される。また、反応副生成
物（不純物）としてあるいは回収システムで洗浄液にわ
ずかに溶解して減少するＡｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ ３を補充
するため新品の補充ボンベを備えている。回収システム
の液状希釈ガスの一部は、常温にしてボンベに充填し、
繰り返し希釈ガスとして排気システムへ供給される。
リアーガスＡｒ、有価物成分としてＣＦ４およびＣＨＦ
３の２種類をチャンバーに供給して運転している場合の
実施例である。尚、図４、図５、図６に示した流量は、
１気圧、常温での流量として示す。この実施例１では、
有価物成分のうちＣＨＦ３の沸点−８２℃の方が高く、
希釈ガスとして沸点−３６．７℃のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３
が利用できる。回収システムでは、液状希釈ガス（洗浄
液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を−５０℃に保持して循環す
ると、希釈排ガスのＡｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ３は気体のま
ま精製工程側のボンベに行き、ここでボンベに充填され
る。そして精製工程で、Ａｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ３毎に分
離され再びチャンバーに供給される。また、反応副生成
物（不純物）としてあるいは回収システムで洗浄液にわ
ずかに溶解して減少するＡｒ、ＣＦ４、ＣＨＦ ３を補充
するため新品の補充ボンベを備えている。回収システム
の液状希釈ガスの一部は、常温にしてボンベに充填し、
繰り返し希釈ガスとして排気システムへ供給される。
【００４７】（実施例２）図５に示す実施例２では、実
施例１と同様のキャリアーガス、有価物成分および希釈
ガス（即ち洗浄液）を用いて、精製工程がない場合の実
施例を示す。また、チャンバーに供給するガス流量は、
各成分換算でＡｒが２００cc/min、ＣＦ４が１００cc/m
in、ＣＨＦ３が１００cc/minの計４００cc/minである。
この実施例２では、２種の有価物成分のうちＣＨＦ３の
沸点−８２℃の方が高く、希釈ガスとして沸点−３６．
７℃のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３が利用できる。回収システム
では、液状希釈ガス（洗浄液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を
−５０℃に保持して循環すると、希釈排ガスのＡｒ、Ｃ
Ｆ４、ＣＨＦ３は気体のまま精製工程側のボンベに行
き、ここでこれらの混合ガスとしてボンベに充填され
る。この場合、混合ガスの組成比は、Ａｒ：ＣＦ４：Ｃ
ＨＦ３=２：１：１であり、この混合ガスのボンベより
流量４００cc/minを供給することで、Ａｒを２００cc/m
in、ＣＦ ４を１００cc/min、ＣＨＦ３を１００cc/min供
給した供給条件とほぼ同じになるが、各成分毎の濃度の
微調整として補充ガスを供給することが出来る。
施例１と同様のキャリアーガス、有価物成分および希釈
ガス（即ち洗浄液）を用いて、精製工程がない場合の実
施例を示す。また、チャンバーに供給するガス流量は、
各成分換算でＡｒが２００cc/min、ＣＦ４が１００cc/m
in、ＣＨＦ３が１００cc/minの計４００cc/minである。
この実施例２では、２種の有価物成分のうちＣＨＦ３の
沸点−８２℃の方が高く、希釈ガスとして沸点−３６．
７℃のＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３が利用できる。回収システム
では、液状希釈ガス（洗浄液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を
−５０℃に保持して循環すると、希釈排ガスのＡｒ、Ｃ
Ｆ４、ＣＨＦ３は気体のまま精製工程側のボンベに行
き、ここでこれらの混合ガスとしてボンベに充填され
る。この場合、混合ガスの組成比は、Ａｒ：ＣＦ４：Ｃ
ＨＦ３=２：１：１であり、この混合ガスのボンベより
流量４００cc/minを供給することで、Ａｒを２００cc/m
in、ＣＦ ４を１００cc/min、ＣＨＦ３を１００cc/min供
給した供給条件とほぼ同じになるが、各成分毎の濃度の
微調整として補充ガスを供給することが出来る。
【００４８】回収システムの液状希釈ガスの一部は、常
温にしてボンベに充填し、繰り返し希釈ガスとして排気
システムへ供給される。
温にしてボンベに充填し、繰り返し希釈ガスとして排気
システムへ供給される。
【００４９】（実施例３）図６に示す実施例３は、キャ
リアーガスＡｒ、有価物成分としてＣＦ４およびＣＦ３
ＣＦ２ＣＦ３の２種類をチャンバーに供給して運転して
いる場合の実施例である。この実施例３では、有価物成
分のうちＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３の沸点−３６．７℃の方が
高く、希釈ガスとして沸点が−２５℃のＣＨ３ＣＨＦ２
を利用して、回収システムでの液状希釈ガス（洗浄液Ｃ
Ｈ３ＣＨＦ２）の温度を−３０℃として実施例１と同様
の構成にすることは可能であるが、希釈ガスおよび洗浄
液を有価物成分の一つと同じＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３を利用
した場合の例である。回収システムでは、液状希釈ガス
（洗浄液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を−５０℃に保持して
循環すると、希釈排ガスのＡｒ、ＣＦ４は気体のまま精
製工程側のボンベに行き、ここでボンベに充填される。
そして精製工程で、Ａｒ、ＣＦ４毎に分離され再びチャ
ンバーに供給される。また供給ガスの濃度微調整のた
め、Ａｒ、ＣＦ４を補充する。一方希釈排ガスのＣＦ３
ＣＦ２ＣＦ３は回収システムの液状希釈ガス（洗浄液）
に取り込まれる。そして液状希釈ガスの一部は、常温に
してボンベに充填し、繰り返し希釈ガスおよび有価物成
分２として利用される。尚、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３供給ガ
スの濃度微調整のため、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３を補充す
る。
リアーガスＡｒ、有価物成分としてＣＦ４およびＣＦ３
ＣＦ２ＣＦ３の２種類をチャンバーに供給して運転して
いる場合の実施例である。この実施例３では、有価物成
分のうちＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３の沸点−３６．７℃の方が
高く、希釈ガスとして沸点が−２５℃のＣＨ３ＣＨＦ２
を利用して、回収システムでの液状希釈ガス（洗浄液Ｃ
Ｈ３ＣＨＦ２）の温度を−３０℃として実施例１と同様
の構成にすることは可能であるが、希釈ガスおよび洗浄
液を有価物成分の一つと同じＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３を利用
した場合の例である。回収システムでは、液状希釈ガス
（洗浄液；ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３）を−５０℃に保持して
循環すると、希釈排ガスのＡｒ、ＣＦ４は気体のまま精
製工程側のボンベに行き、ここでボンベに充填される。
そして精製工程で、Ａｒ、ＣＦ４毎に分離され再びチャ
ンバーに供給される。また供給ガスの濃度微調整のた
め、Ａｒ、ＣＦ４を補充する。一方希釈排ガスのＣＦ３
ＣＦ２ＣＦ３は回収システムの液状希釈ガス（洗浄液）
に取り込まれる。そして液状希釈ガスの一部は、常温に
してボンベに充填し、繰り返し希釈ガスおよび有価物成
分２として利用される。尚、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３供給ガ
スの濃度微調整のため、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ３を補充す
る。
【００５０】
【発明の効果】本発明の排ガスの有価物成分回収方法
は、−６０℃以上という従来法よりも温暖な冷却温度で
有価物成分を回収することができ、回収装置における冷
却装置や保温装置を簡素化することが可能であり、半導
体工場の屋内にも設置することが可能となる。また、温
室効果が確認されている含フッ素化合物の大気への放出
を大幅に減少する事が出来ることから、地球環境保護に
も大きく寄与する。
は、−６０℃以上という従来法よりも温暖な冷却温度で
有価物成分を回収することができ、回収装置における冷
却装置や保温装置を簡素化することが可能であり、半導
体工場の屋内にも設置することが可能となる。また、温
室効果が確認されている含フッ素化合物の大気への放出
を大幅に減少する事が出来ることから、地球環境保護に
も大きく寄与する。
【図１】本発明の有価物成分回収システムの模式図であ
る。
る。
【図２】真空装置の排気システムの模式図である。
【図３】従来の有価物成分回収システムの模式図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施例１の模式図である。
【図５】本発明の実施例２の模式図である。
【図６】本発明の実施例３の模式図である。
10有価物成分（ボンベ）、15キャリアーガス（ボン
ベ）、20希釈ガス（ボンベ）、50真空ポンプ、60不純物
除去装置、100プラズマチャンバー、200回収塔、205,20
6,207熱交換機、300冷媒再生塔、400貯留槽
ベ）、20希釈ガス（ボンベ）、50真空ポンプ、60不純物
除去装置、100プラズマチャンバー、200回収塔、205,20
6,207熱交換機、300冷媒再生塔、400貯留槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01D 53/34 F25J 3/06 H01L 21/02
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体製造工程の排ガスに含まれる複
数の有価物成分中で、最高沸点を持つ有価物成分の沸点
よりも沸点が高い物質を希釈ガスとし、該希釈ガスによ
り排ガスを希釈し希釈された排ガスとし、該希釈された
排ガスの温度を該希釈ガスの沸点より低く、かつ、排ガ
ス中の有価物成分中で最高沸点を持つ物質の沸点より高
い温度にすることで、該希釈された排ガス中より希釈ガ
スを液体として、かつ、有価物成分を気体として回収す
ることを特徴とする排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項２】 半導体製造工程の排ガスに含まれる複
数の有価物成分中で、最高沸点を持つ有価物成分を希釈
ガスとし、該希釈ガスにより排ガスを希釈し希釈された
排ガスとし、該希釈された排ガスの温度を該希釈ガスの
沸点より低く、かつ、排ガス中の有価物成分中で2番目
に高い沸点を持つ物質の沸点より高い温度にすること
で、該希釈された排ガス中より希釈ガスを液体として、
かつ、有価物成分を気体として回収することを特徴とす
る排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項３】 前記有価物成分が、前記半導体製造工
程に導入された成分であって、該半導体製造工程で一部
分が消費されずに排出された該成分である請求項１また
は２記載の排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項４】 前記有価物成分としてフッ化炭素化合
物、水素化フッ化炭素化合物、フッ化窒素化合物または
フッ化硫黄化合物の少なくとも一種類を含む事を特徴と
する請求項１〜３のいずれか一項に記載の排ガスの有価
物成分回収方法。 - 【請求項５】 前記有価物成分としてＣＦ４、Ｎ
Ｆ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３またはＣ２Ｆ６の少なくとも一
種類を含む事を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項
に記載の排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項６】 前記希釈ガスとして−６０〜２００度
の範囲で不活性であり、沸点が−６０℃以上である物質
を用いる事を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に
記載の排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項７】 前記希釈ガスとしてフッ化炭素化合物
または水素化フッ化炭素化合物を用いることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれか一項に記載の排ガスの有価物
成分回収方法。 - 【請求項８】 前記希釈ガスとしてＣＦ３ＣＦ２ＣＦ
３、環状−Ｃ４Ｆ８、ＣＦ３ＣＦＣＦ２、ＣＨ２ＦＣＦ
３、ＣＨＦ２ＣＦ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＣＨ ２Ｆ２から
なる群より選ばれたいずれかを用いることを特徴とする
請求項７記載の排ガスの有価物成分回収方法。 - 【請求項９】 前記希釈された排ガスが、有価物成分
の回収を受ける前に不純物の除去を受けることを特徴と
する請求項１〜８のいずれか一項に記載の排ガスの有価
物成分回収方法。 - 【請求項１０】 前記液体として回収された希釈ガス
を、再び希釈ガスとして排ガスに供給する事を特徴とす
る請求項１〜９のいずれか一項に記載の排ガスの有価物
成分回収方法。 - 【請求項１１】 前記気体として回収された有価物成
分を、再び半導体製造工程に供給する事を特徴とする請
求項１〜９のいずれか一項に記載の排ガスの有価物成分
回収方法。 - 【請求項１２】 半導体製造工程より排出された有価
物成分を含む排ガスと希釈ガスとを混合する手段と、希
釈された排ガスより不純物を除去する不純物除去装置と
該希釈された排ガスを希釈ガスの沸点よりも低く、かつ
該回収しようとする有価物成分中で最高沸点を持つ物質
の沸点よりも高い温度とし、希釈ガスを液体として、排
ガス中の該回収しようとする有価物成分を気体として回
収する回収塔を有する排ガスの有価物成分回収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14529199A JP3329378B2 (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 排ガスの有価物成分回収方法及び回収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14529199A JP3329378B2 (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 排ガスの有価物成分回収方法及び回収装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000334258A JP2000334258A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3329378B2 true JP3329378B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=15381757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14529199A Expired - Fee Related JP3329378B2 (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 排ガスの有価物成分回収方法及び回収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329378B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US20030121796A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-03 | Siegele Stephen H | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility |
| JP2007021447A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Taiyo Nippon Sanso Corp | ガス使用設備および排ガスの切り分け方法 |
| KR102588509B1 (ko) * | 2022-12-09 | 2023-10-13 | 크라이오에이치앤아이(주) | 초저온 냉동기를 이용하여 반도체 장비에서 이용되는 공정 가스를 처리하는 공정 가스 처리 장치 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP14529199A patent/JP3329378B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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