JP3328858B2 - プリント配線板の製造法および現像液 - Google Patents
プリント配線板の製造法および現像液Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプリント配線板の製造法
に関し、詳しくはエッチングレジストとして光硬化型の
フォトエッチングレジストを貼着しフォトマスクを介し
て紫外線露光後、アルカリ性水溶液を用いて現像しエッ
チングレジスト回路を形成する方法に関するものであ
る。
に関し、詳しくはエッチングレジストとして光硬化型の
フォトエッチングレジストを貼着しフォトマスクを介し
て紫外線露光後、アルカリ性水溶液を用いて現像しエッ
チングレジスト回路を形成する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年のプリント配線板の回路加工は、実
装部品の表面実装化の進展と共に、微細化の一途をたど
り、基準格子上のスルーホール間にシグナルラインが５
本配置されるような、いわゆるピン間５本の回路設計も
行われる様になっている。この場合のシグナル幅、間隔
とも設計上０．０８ｍｍとなっており、このような微細
な回路網形成を安定的に製造するための製造法が求めら
れている。
装部品の表面実装化の進展と共に、微細化の一途をたど
り、基準格子上のスルーホール間にシグナルラインが５
本配置されるような、いわゆるピン間５本の回路設計も
行われる様になっている。この場合のシグナル幅、間隔
とも設計上０．０８ｍｍとなっており、このような微細
な回路網形成を安定的に製造するための製造法が求めら
れている。
【０００３】微細回路の形成のため、近年エッチングレ
ジストとして薄膜タイプの光硬化型フォトレジストが開
発され脚光を浴びているが、電着法によるフォトレジス
トの貼着も注目されており、またドライフィルムタイプ
のフォトレジストについても近年改良が加えられ微細な
回路板形成にも対応できるようになってきている。この
いずれのタイプのフォトレジストとも、現像を行う際に
は炭酸ソーダの現像液を用いるのが一般的である。
ジストとして薄膜タイプの光硬化型フォトレジストが開
発され脚光を浴びているが、電着法によるフォトレジス
トの貼着も注目されており、またドライフィルムタイプ
のフォトレジストについても近年改良が加えられ微細な
回路板形成にも対応できるようになってきている。この
いずれのタイプのフォトレジストとも、現像を行う際に
は炭酸ソーダの現像液を用いるのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】フォトレジストの
現像の際、フォトレジストの現像液への溶解に伴ってレ
ジストとアルカリのケン化反応が進行し、現像液の発泡
性が増大して現像機にトラブルが発生する。このためシ
リコン系などの油脂成分を主成分とする消泡剤を添加
し、現像液の発泡性を抑制しているのが現状である。し
かしながら、このような添加剤（消泡剤）を用いること
により現像液中に不溶解成分が発生するので、回路形成
上の障害となっている。
現像の際、フォトレジストの現像液への溶解に伴ってレ
ジストとアルカリのケン化反応が進行し、現像液の発泡
性が増大して現像機にトラブルが発生する。このためシ
リコン系などの油脂成分を主成分とする消泡剤を添加
し、現像液の発泡性を抑制しているのが現状である。し
かしながら、このような添加剤（消泡剤）を用いること
により現像液中に不溶解成分が発生するので、回路形成
上の障害となっている。
【０００５】炭酸ソーダで現像した後に、プリント基板
に付着したアルカリ性の水分を除去するために水洗処理
が行われる。炭酸ソーダの現像液を用いた時のアルカリ
成分の除去が相当困難であり、また上記の不溶解成分を
完全に除去するために、現在使用されている現像装置で
は、通常 5段以上の水洗槽が設けられている。
に付着したアルカリ性の水分を除去するために水洗処理
が行われる。炭酸ソーダの現像液を用いた時のアルカリ
成分の除去が相当困難であり、また上記の不溶解成分を
完全に除去するために、現在使用されている現像装置で
は、通常 5段以上の水洗槽が設けられている。
【０００６】本発明の目的は、回路網形成に用いる現像
液の発泡性を抑制しつつ、現像液中に溶解されない不溶
解分の発生を減少させることによって、微細な回路網形
成を安定的に製造させることである。
液の発泡性を抑制しつつ、現像液中に溶解されない不溶
解分の発生を減少させることによって、微細な回路網形
成を安定的に製造させることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者等はプリントは配
線板を製造する際における上記の如き課題について鋭意
検討した結果、現像液として第四級アンモニウム水酸化
物と、第四級アンモニウム重炭酸塩を用いることによっ
て、消泡剤を添加することなく発泡性が抑制され、また
水処理が容易となることを見出し、本発明に到達した。
線板を製造する際における上記の如き課題について鋭意
検討した結果、現像液として第四級アンモニウム水酸化
物と、第四級アンモニウム重炭酸塩を用いることによっ
て、消泡剤を添加することなく発泡性が抑制され、また
水処理が容易となることを見出し、本発明に到達した。
【０００８】すなわち本発明は、プリント配線板の形成
工程で、エッチングレジストとして光硬化型のフォトエ
ッチングレジストを貼着してフォトマスクを介して紫外
線露光後、アルカリ性水溶液を用いて現像しエッチング
レジスト回路を形成する工程において、第四級アンモニ
ウム水酸化物と、第四級アンモニウム重炭酸塩を含有す
る現像液を用いて現像液の発泡性を抑制し、消泡剤を使
用せずに該回路を形成することを特徴とするプリント配
線板の製造法並びに、第四級アンモニウム水酸化物と、
第四級アンモニウム重炭酸塩を含有するプリント配線板
の製造用現像液である。
工程で、エッチングレジストとして光硬化型のフォトエ
ッチングレジストを貼着してフォトマスクを介して紫外
線露光後、アルカリ性水溶液を用いて現像しエッチング
レジスト回路を形成する工程において、第四級アンモニ
ウム水酸化物と、第四級アンモニウム重炭酸塩を含有す
る現像液を用いて現像液の発泡性を抑制し、消泡剤を使
用せずに該回路を形成することを特徴とするプリント配
線板の製造法並びに、第四級アンモニウム水酸化物と、
第四級アンモニウム重炭酸塩を含有するプリント配線板
の製造用現像液である。
【０００９】なお有機アルカリ水溶液としては特に第四
級アンモニウム水酸化物の水溶液が用いられ、この水溶
液のｐＨの安定剤として第四級アンモニウム重炭酸塩を
加えた方法、およびその現像液も本発明に含まれる。以
下、本発明の構成について説明する。
級アンモニウム水酸化物の水溶液が用いられ、この水溶
液のｐＨの安定剤として第四級アンモニウム重炭酸塩を
加えた方法、およびその現像液も本発明に含まれる。以
下、本発明の構成について説明する。
【００１０】本発明で用いるフォトエッチングレジスト
としては、光硬化型のものであり、かつアルカリ性水溶
液で未硬化部分のレジストを溶解、除去するアルカリ現
像タイプのフォトエッチングレジストが対象である。こ
のようなアルカリ現像タイプのフォトエッチングレジス
トの一般的な基本組成は、アクリルコポリマとカルボキ
シル基を持つコポリマの共重合物をバインダーポリマと
し、アクロイル基またはメタクリロイル基を持つ多価ア
クリレートまたはメタクリレート化合物等の光重合性モ
ノマー及び光重合開始剤、安定剤、発色剤、密着促進
剤、染料などを添加物として配合されたものが一般的で
ある。フォトエッチングレジストの塗布方法としては、
ロールコーティングなどによる液状レジストのコーティ
ング法、電着塗装法、静電塗装法、ドライフィルム法な
どプリント回路網加工に行われている方法に適応でき
る。
としては、光硬化型のものであり、かつアルカリ性水溶
液で未硬化部分のレジストを溶解、除去するアルカリ現
像タイプのフォトエッチングレジストが対象である。こ
のようなアルカリ現像タイプのフォトエッチングレジス
トの一般的な基本組成は、アクリルコポリマとカルボキ
シル基を持つコポリマの共重合物をバインダーポリマと
し、アクロイル基またはメタクリロイル基を持つ多価ア
クリレートまたはメタクリレート化合物等の光重合性モ
ノマー及び光重合開始剤、安定剤、発色剤、密着促進
剤、染料などを添加物として配合されたものが一般的で
ある。フォトエッチングレジストの塗布方法としては、
ロールコーティングなどによる液状レジストのコーティ
ング法、電着塗装法、静電塗装法、ドライフィルム法な
どプリント回路網加工に行われている方法に適応でき
る。
【００１１】プリント配線板加工される基板の基材とし
ては、ガラスエポキシ、紙エポキシ、紙フェノール、ガ
ラスポリイミドなどの繊維強化の複合素材、及びフレキ
シブル性を持ったポリイミド、テフロン、ポリエステル
などの耐熱性樹脂及びメタルコアが用いられる。またプ
リント回路網が形成される導体には、電解銅箔、圧延銅
箔が一般的であるが、アルミニウム合金などの金属箔一
般及び金属板が用いられる。
ては、ガラスエポキシ、紙エポキシ、紙フェノール、ガ
ラスポリイミドなどの繊維強化の複合素材、及びフレキ
シブル性を持ったポリイミド、テフロン、ポリエステル
などの耐熱性樹脂及びメタルコアが用いられる。またプ
リント回路網が形成される導体には、電解銅箔、圧延銅
箔が一般的であるが、アルミニウム合金などの金属箔一
般及び金属板が用いられる。
【００１２】プリント配線網加工される基板は、機械研
磨、化学研磨を行い基板表面を清浄化した後、前述のフ
ォトエッチングレジストを塗布し、回路原版であるフォ
トマスクを介して紫外線照射し必要部分のレジストを光
硬化させる。
磨、化学研磨を行い基板表面を清浄化した後、前述のフ
ォトエッチングレジストを塗布し、回路原版であるフォ
トマスクを介して紫外線照射し必要部分のレジストを光
硬化させる。
【００１３】上記の紫外線照射により光硬化されなかっ
た未硬化の部分を取り除く工程が現像であり、現像液と
して０．７〜１．５％の炭酸ソーダの水溶液に消泡剤を
添加したものが一般的に用いられる。本発明では現像液
としてこの炭酸ナトリウムの水溶液の代わりに、有機ア
ルカリ水溶液、特に第四級アンモニウム水酸化物の水溶
液を、消泡剤の添加をすることなく使用するものであ
る。
た未硬化の部分を取り除く工程が現像であり、現像液と
して０．７〜１．５％の炭酸ソーダの水溶液に消泡剤を
添加したものが一般的に用いられる。本発明では現像液
としてこの炭酸ナトリウムの水溶液の代わりに、有機ア
ルカリ水溶液、特に第四級アンモニウム水酸化物の水溶
液を、消泡剤の添加をすることなく使用するものであ
る。
【００１４】本発明に使用される第四級アンモニウム水
酸化物は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・ＯＨ- （Ｒ
は炭素数１〜３のアルキル基または炭素数１〜３のヒド
ロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜３のアルキル
基）で表され、具体的には、テトラメチルアンモニウム
水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラ
プロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアン
モニウム水酸化物、ジメチルジエチルアンモニウム水酸
化物、トリエチルメチルアンモニウム水酸化物、トリメ
チル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、
トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸
化物等が挙げられる。これらの第四級アンモニウム水酸
化物中、特にテトラメチルアンモニウム水酸化物、トリ
メチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物
が好適に用いられる。
酸化物は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・ＯＨ- （Ｒ
は炭素数１〜３のアルキル基または炭素数１〜３のヒド
ロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜３のアルキル
基）で表され、具体的には、テトラメチルアンモニウム
水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、テトラ
プロピルアンモニウム水酸化物、トリメチルエチルアン
モニウム水酸化物、ジメチルジエチルアンモニウム水酸
化物、トリエチルメチルアンモニウム水酸化物、トリメ
チル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物、
トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸
化物等が挙げられる。これらの第四級アンモニウム水酸
化物中、特にテトラメチルアンモニウム水酸化物、トリ
メチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物
が好適に用いられる。
【００１５】現像液の使用条件は、第四級アンモニウム
水酸化物の濃度が０．０５〜１．０％、好ましくは０．
１〜０．５％であり、温度は２０〜４０℃、好ましくは
２５〜３５℃である。第四級アンモニウム水酸化物の濃
度が高過ぎる場合は、紫外線照射された感光部のフォト
レジストの密着性が低下するため、細線回路上のエッチ
ングレジストが流れるので、微細回路加工ができなくな
る。また濃度が低過ぎる場合は、未硬化のフォトエッチ
ングレジストの除去が不完全であり、回路間で断線不良
を発生させる要因となる。なおこのような条件では消泡
剤の添加は必要が無く、液のｐＨは９〜１３の範囲で使
用される。
水酸化物の濃度が０．０５〜１．０％、好ましくは０．
１〜０．５％であり、温度は２０〜４０℃、好ましくは
２５〜３５℃である。第四級アンモニウム水酸化物の濃
度が高過ぎる場合は、紫外線照射された感光部のフォト
レジストの密着性が低下するため、細線回路上のエッチ
ングレジストが流れるので、微細回路加工ができなくな
る。また濃度が低過ぎる場合は、未硬化のフォトエッチ
ングレジストの除去が不完全であり、回路間で断線不良
を発生させる要因となる。なおこのような条件では消泡
剤の添加は必要が無く、液のｐＨは９〜１３の範囲で使
用される。
【００１６】第四級アンモニウム水酸化物の水溶液を現
像液として使用する場合、アルカリ種の濃度が低く、フ
ォトレジストの溶解に伴って現像液中のアルカリ濃度が
低下する。この場合は消費された分の第四級アンモニウ
ム水酸化物を補充することによって液寿命を延ばすこと
ができるが、現像液のｐＨ変化が大きくなるので濃度管
理をより細かく行う必要がある。
像液として使用する場合、アルカリ種の濃度が低く、フ
ォトレジストの溶解に伴って現像液中のアルカリ濃度が
低下する。この場合は消費された分の第四級アンモニウ
ム水酸化物を補充することによって液寿命を延ばすこと
ができるが、現像液のｐＨ変化が大きくなるので濃度管
理をより細かく行う必要がある。
【００１７】この濃度管理を容易に行う方法として、ア
ルカリ種の濃度を上げ緩衝液を加えることによってｐＨ
を安定化させる方法が効果的である。この緩衝液として
は第四級アンモニウム重炭酸塩が好適に用いられる。現
像液中の第四級アンモニウム水酸化物を炭酸塩化させれ
ば重炭酸塩となるが、第四級アンモニウム重炭酸塩を用
いる方法が扱い易さとコストの点から有利である。
ルカリ種の濃度を上げ緩衝液を加えることによってｐＨ
を安定化させる方法が効果的である。この緩衝液として
は第四級アンモニウム重炭酸塩が好適に用いられる。現
像液中の第四級アンモニウム水酸化物を炭酸塩化させれ
ば重炭酸塩となるが、第四級アンモニウム重炭酸塩を用
いる方法が扱い易さとコストの点から有利である。
【００１８】本発明に使用される第四級アンモニウム重
炭酸塩は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・ＨＣＯ3 -
（Ｒは炭素数１〜３のアルキル基または炭素数１〜３の
ヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜３のアル
キル基）で表され、具体的にはテトラメチルアンモニウ
ム重炭酸塩、テトラエチルアンモニウム重炭酸塩、テト
ラプロピルアンモニウム重炭酸塩、トリメチルエチルア
ンモニウム重炭酸塩、ジメチルジエチルアンモニウム重
炭酸塩、トリエチルメチルアンモニウム重炭酸塩、トリ
メチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム重炭酸
塩、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
重炭酸塩等が挙げられる。これらの第四級アンモニウム
重炭酸塩の中、特にテトラメチルアンモニウム重炭酸
塩、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
重炭酸塩が好適に用いられる。
炭酸塩は、一般式［（Ｒ1 ）3 Ｎ−Ｒ］+ ・ＨＣＯ3 -
（Ｒは炭素数１〜３のアルキル基または炭素数１〜３の
ヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1 は炭素数１〜３のアル
キル基）で表され、具体的にはテトラメチルアンモニウ
ム重炭酸塩、テトラエチルアンモニウム重炭酸塩、テト
ラプロピルアンモニウム重炭酸塩、トリメチルエチルア
ンモニウム重炭酸塩、ジメチルジエチルアンモニウム重
炭酸塩、トリエチルメチルアンモニウム重炭酸塩、トリ
メチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム重炭酸
塩、トリエチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
重炭酸塩等が挙げられる。これらの第四級アンモニウム
重炭酸塩の中、特にテトラメチルアンモニウム重炭酸
塩、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム
重炭酸塩が好適に用いられる。
【００１９】第四級アンモニウム水酸化物と第四級アン
モニウム重炭酸塩の混合液の水溶液で現像を行う場合、
第四級アンモニウム水酸化物の濃度は、０．２〜３．０
％、好ましくは０．５〜２．５％の濃度範囲であり、第
四級アンモニウム重炭酸塩の濃度は、第四級アンモニウ
ム水酸化物の等モル濃度以上とする必要がある。これに
よりｐＨは９．０〜１１．０となり、安定した現像を行
うことができる。
モニウム重炭酸塩の混合液の水溶液で現像を行う場合、
第四級アンモニウム水酸化物の濃度は、０．２〜３．０
％、好ましくは０．５〜２．５％の濃度範囲であり、第
四級アンモニウム重炭酸塩の濃度は、第四級アンモニウ
ム水酸化物の等モル濃度以上とする必要がある。これに
よりｐＨは９．０〜１１．０となり、安定した現像を行
うことができる。
【００２０】現像にはコンベア型の現像機を用い、前述
の現像液を複数のノズルより吹き付ける方法が取られ
る。吹き付けに用いるノズルはフルコーン型のものが通
常用いられるが、ファンジェット型、ホロコーン型を使
用することもできる。またノズルから吐出液を基板上に
均一に当てるため、ノズルを取り付けた配管（マニホー
ルド）を機械的に動かすオッシレーション機能が付いた
現像機を用いることが微細な回路網を形成する上で望ま
しい。
の現像液を複数のノズルより吹き付ける方法が取られ
る。吹き付けに用いるノズルはフルコーン型のものが通
常用いられるが、ファンジェット型、ホロコーン型を使
用することもできる。またノズルから吐出液を基板上に
均一に当てるため、ノズルを取り付けた配管（マニホー
ルド）を機械的に動かすオッシレーション機能が付いた
現像機を用いることが微細な回路網を形成する上で望ま
しい。
【００２１】現像時間の設定は使用するフォトエッチン
グレジストと現像条件によって異なるが、現像機の有効
寸法をコンベア速度により割った数値を用いて行われ
る。この設定の目安は、フォトエッチングレジストを貼
り付けた基板を現像液に通して未感光のフォトレジスト
が除去される場所が、現像機の有効寸法の１／２〜２／
３の位置になるように設定することが望ましい。現像液
の基板は、エアナイフによる水切り後、できるだけ早く
水洗し、エッチングを行い、プリント配線板の回路網が
形成する。
グレジストと現像条件によって異なるが、現像機の有効
寸法をコンベア速度により割った数値を用いて行われ
る。この設定の目安は、フォトエッチングレジストを貼
り付けた基板を現像液に通して未感光のフォトレジスト
が除去される場所が、現像機の有効寸法の１／２〜２／
３の位置になるように設定することが望ましい。現像液
の基板は、エアナイフによる水切り後、できるだけ早く
水洗し、エッチングを行い、プリント配線板の回路網が
形成する。
【００２２】
【実施例】以下実施例により本発明を説明する。但し本
発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
なお各実施例及び比較例の測定結果を表１〜表３に示
す。各表において、−は現像液のアルカリ度が低下して
ドライフィルムが溶解しなかったものであり、×は泡立
ちが５０ｃｍを越え、現像不能となったので中断したも
のである。
発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
なお各実施例及び比較例の測定結果を表１〜表３に示
す。各表において、−は現像液のアルカリ度が低下して
ドライフィルムが溶解しなかったものであり、×は泡立
ちが５０ｃｍを越え、現像不能となったので中断したも
のである。
【００２３】実施例１ 基材厚０．６ｍｍ、銅箔厚０．０７ｍｍのガラスエポキ
シ両面銅張積層板を、＃６００のバフ（角田製作所製）
を用い、バフブラシ研磨機（大日本スクリーン社製、Ｇ
ＭＰ−６００）にて銅表面を研磨した後、水洗、乾燥
し、清浄基板を得た。この清浄基板にアルカリ現像型ド
ライフィルム（旭化成製、サンフォートＡＱ３０６５）
をラミネートし露光前の基板（ラミネート基板）を得
た。
シ両面銅張積層板を、＃６００のバフ（角田製作所製）
を用い、バフブラシ研磨機（大日本スクリーン社製、Ｇ
ＭＰ−６００）にて銅表面を研磨した後、水洗、乾燥
し、清浄基板を得た。この清浄基板にアルカリ現像型ド
ライフィルム（旭化成製、サンフォートＡＱ３０６５）
をラミネートし露光前の基板（ラミネート基板）を得
た。
【００２４】ラミネート基板に形成する回路網として
は、ライン幅０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７
５ｍｍ及び０．１０ｍｍのラインを０．５ｍｍ間隔で配
したシグナルラインを検査するテストパターン（Ｌ）と
テストパターン（Ｌ）を反転させて得られるライン間隔
を検査するテストパターン（Ｓ）を有するもので、これ
を反転させた回路網を印刷したポリエステル製のネガフ
ィルムを介して紫外線を照射し、露光基板を得た。
は、ライン幅０．０２５ｍｍ、０．０５ｍｍ、０．０７
５ｍｍ及び０．１０ｍｍのラインを０．５ｍｍ間隔で配
したシグナルラインを検査するテストパターン（Ｌ）と
テストパターン（Ｌ）を反転させて得られるライン間隔
を検査するテストパターン（Ｓ）を有するもので、これ
を反転させた回路網を印刷したポリエステル製のネガフ
ィルムを介して紫外線を照射し、露光基板を得た。
【００２５】現像に用いた現像機は、水平搬送式でコン
ベア上下にスプレーを配置し、一定の圧力で基板の表面
に現像液が当たる装置を使用した。現像機で処理された
基板は現像機に取り付けられたエアナイフによって水切
り後水洗され、塩化第二鉄エッチング液にてエッチング
されるように水洗機、エッチング機を直列に配置した。
ベア上下にスプレーを配置し、一定の圧力で基板の表面
に現像液が当たる装置を使用した。現像機で処理された
基板は現像機に取り付けられたエアナイフによって水切
り後水洗され、塩化第二鉄エッチング液にてエッチング
されるように水洗機、エッチング機を直列に配置した。
【００２６】このような現像機にテトラメチルアンモニ
ウム水酸化物の０．１５％水溶液を入れ、２５℃の条件
で前述の露光基板を処理しエッチング後の細線回路の仕
上がり精度を、回路網加工できる最小の導体幅、導体間
隔を観察することによって測定した。露光基板の処理
後、現像液へのドライフィルムの溶解量が０．０８ｍ2
／リッターとなるように前述のドライフィルム（旭化成
製ＡＱ３０６５）を溶け込ませた後、その時点での現像
機のタンク内の現像液の液面上の泡立ち高を測定すると
共に、現像液１００ｍｌをサンプリングし濾紙にて濾過
して、濾紙上に残る残留物重量を測定すると共に、前述
の露光基板を処理し、エッチング後の細線回路の仕上が
り精度を、回路網加工できる最小の導体幅、導体間隔を
観察することによって測定した。
ウム水酸化物の０．１５％水溶液を入れ、２５℃の条件
で前述の露光基板を処理しエッチング後の細線回路の仕
上がり精度を、回路網加工できる最小の導体幅、導体間
隔を観察することによって測定した。露光基板の処理
後、現像液へのドライフィルムの溶解量が０．０８ｍ2
／リッターとなるように前述のドライフィルム（旭化成
製ＡＱ３０６５）を溶け込ませた後、その時点での現像
機のタンク内の現像液の液面上の泡立ち高を測定すると
共に、現像液１００ｍｌをサンプリングし濾紙にて濾過
して、濾紙上に残る残留物重量を測定すると共に、前述
の露光基板を処理し、エッチング後の細線回路の仕上が
り精度を、回路網加工できる最小の導体幅、導体間隔を
観察することによって測定した。
【００２７】実施例２ 実施例１において現像液のテトラメチルアンモニウム水
酸化物の水溶液の濃度を２．０％とし、これに同量のテ
トラメチルアンモニウム重炭酸塩３．０％水溶液を加え
た混合液を用いる他は実施例１と同じ条件で露光基板を
処理し、ドライフィルムの溶解量毎の現像液の泡立ち高
さと、現像液リッター当たりの濾過後の残留物重量を測
定すると共に、前述の露光基板を処理しエッチング後の
細線回路の仕上がり精度を、回路網加工できる最小の導
体幅、導体間隔を観察することによって測定した。その
後、更にドライフィルムの溶解量が０．０８ｍ2 ／リッ
ターづつ増大するように現像液中にドライフィルムを溶
解させ、同様の測定を行った。なおプリント回路板の処
理面積は１００ｍ2 であり、第１水洗槽内の水のｐＨは
８．０であった。
酸化物の水溶液の濃度を２．０％とし、これに同量のテ
トラメチルアンモニウム重炭酸塩３．０％水溶液を加え
た混合液を用いる他は実施例１と同じ条件で露光基板を
処理し、ドライフィルムの溶解量毎の現像液の泡立ち高
さと、現像液リッター当たりの濾過後の残留物重量を測
定すると共に、前述の露光基板を処理しエッチング後の
細線回路の仕上がり精度を、回路網加工できる最小の導
体幅、導体間隔を観察することによって測定した。その
後、更にドライフィルムの溶解量が０．０８ｍ2 ／リッ
ターづつ増大するように現像液中にドライフィルムを溶
解させ、同様の測定を行った。なおプリント回路板の処
理面積は１００ｍ2 であり、第１水洗槽内の水のｐＨは
８．０であった。
【００２８】比較例１ 実施例１において現像液としてテトラメチルアンモニウ
ム水酸化物の水溶液の代わりに炭酸ナトリウム１．０％
水溶液を用いた。現像液中のドライフィルムの溶解量が
０．０３ｍ2 ／リッターを越えると現像機のシンク内の
現像液の液面上の泡立ち高さが５０ｃｍを越え、現像機
内から溢れる状態となったため実験を中断した。
ム水酸化物の水溶液の代わりに炭酸ナトリウム１．０％
水溶液を用いた。現像液中のドライフィルムの溶解量が
０．０３ｍ2 ／リッターを越えると現像機のシンク内の
現像液の液面上の泡立ち高さが５０ｃｍを越え、現像機
内から溢れる状態となったため実験を中断した。
【００２９】比較例２ 比較例１の現像液に消泡剤（日華化学製 Ｗ−２３６
９）を０．１％添加し、実施例１と同じ条件で露光基板
を処理しドライフィルムの溶解量毎の現像液の泡立ち高
さと、現像液１リッター当たりの濾過後の残留物重量を
測定すると共に、前述の露光基板を処理しエッチング後
の細線回路の仕上がり精度を、回路網加工できる最小の
導体幅、導体間隔を観察することによって測定した。な
おプリント回路板の処理面積は１００ｍ2 であり、第１
水洗槽内の水のｐＨは９．５あった。
９）を０．１％添加し、実施例１と同じ条件で露光基板
を処理しドライフィルムの溶解量毎の現像液の泡立ち高
さと、現像液１リッター当たりの濾過後の残留物重量を
測定すると共に、前述の露光基板を処理しエッチング後
の細線回路の仕上がり精度を、回路網加工できる最小の
導体幅、導体間隔を観察することによって測定した。な
おプリント回路板の処理面積は１００ｍ2 であり、第１
水洗槽内の水のｐＨは９．５あった。
【００３０】
【表１】 現像液中へのドライフィルム（ＤＦＲ）の溶解量と泡立ち高さ（ｍｍ） ＤＦＲ溶解量(m 2 /L) ０ 0.08 0.16 0.25 実施例１ ０ ６ − − 実施例２ ０ ７ ８ １０ 比較例１ ０ × × × 比較例２ ０ ４ ６ １５
【００３１】
【表２】 ドライフィルムの溶解量と現像液の濾過残留物重量（ｍｇ／ｌ） ＤＦＲ溶解量(m 2 /L) ０ 0.08 0.16 0.25 実施例１ ０ 100 − − 実施例２ ０ 110 160 200 比較例１ ０ × × × 比較例２ ０ 220 500 1470
【００３２】
【表３】 液中へのドライフィルムの溶解量と現像の仕上がり精度（ｍｍ） ＤＦＲ溶解量(m 2 /L) ０ 0.08 0.16 0.25 実施例１ Ｌ；幅 0.075 0.075 − − Ｓ；間隔 0.075 0.075 − − 実施例２ Ｌ；幅 0.075 0.075 0.075 0.075 Ｓ；間隔 0.075 0.075 0.075 0.075 比較例１ Ｌ；幅 0.075 × × × Ｓ；間隔 0.075 × × × 比較例２ Ｌ；幅 0.075 0.075 0.075 0.075 Ｓ；間隔 0.075 0.075 0.10 0.125
【００３３】実施例３ 実施例２の混合液を用いて実施例１と同じ条件で露光基
板の処理を繰返した。その結果、現像処理はプリント回
路板を約３６０ｍ2 処理し、溶解固形分（フォトレジス
ト）が１．２％となるまで現像処理を行うことができ
た。
板の処理を繰返した。その結果、現像処理はプリント回
路板を約３６０ｍ2 処理し、溶解固形分（フォトレジス
ト）が１．２％となるまで現像処理を行うことができ
た。
【００３４】比較例３ 比較例２の混合液を用いて実施例１と同じ条件で露光基
板の処理を繰返した。その結果、現像処理はプリント回
路板を約１２０ｍ2 処理し、現像液の溶解固形分（フォ
トレジスト）が０．４％となるまで行うことができた。
板の処理を繰返した。その結果、現像処理はプリント回
路板を約１２０ｍ2 処理し、現像液の溶解固形分（フォ
トレジスト）が０．４％となるまで行うことができた。
【００３５】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、プ
リント配線板の形成工程で本発明の現像液を用いること
により、発泡性が小さいので消泡剤が不要であり、現像
液中の不溶解成分が少なくなり、プリント配線板の仕上
がり精度が向上する。また本発明の現像液を用いた場合
には洗浄水のｐＨが低くなり、使用後の水洗を容易に行
うことができる。更に本発明の現像液は従来の炭酸ナト
リウム水溶液を用いた場合と比較してプリント回路板を
約３倍処理することができる。従って本発明の方法によ
りプリント配線網の微細回路加工がより安定的に製造で
きるようになり、本発明の工業的に意義が大きい。
リント配線板の形成工程で本発明の現像液を用いること
により、発泡性が小さいので消泡剤が不要であり、現像
液中の不溶解成分が少なくなり、プリント配線板の仕上
がり精度が向上する。また本発明の現像液を用いた場合
には洗浄水のｐＨが低くなり、使用後の水洗を容易に行
うことができる。更に本発明の現像液は従来の炭酸ナト
リウム水溶液を用いた場合と比較してプリント回路板を
約３倍処理することができる。従って本発明の方法によ
りプリント配線網の微細回路加工がより安定的に製造で
きるようになり、本発明の工業的に意義が大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青山 哲男 新潟県新潟市太夫浜字新割182番地 三 菱瓦斯化学株式会社 新潟研究所内 (72)発明者 長坂 盂 埼玉県所沢市大字城673 株式会社ダイ ヤテック内 (72)発明者 小林 敏彦 埼玉県所沢市大字城673 株式会社ダイ ヤテック内 審査官 前田 佳与子 (56)参考文献 特開 平４−109249（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−126708（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230149（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−74432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−219743（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/32 H05K 3/06
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式[（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ]+・ＯＨ-で表わ
される第四級アンモニウム水酸化物と、一般式[（Ｒ1）
3Ｎ−Ｒ]+・ＨＣＯ３-（Ｒは炭素数１〜３のアルキル基
または炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル基、Ｒ1
は炭素数１〜３のアルキル基）で表わされる第四級アン
モニウム重炭酸塩を含有することを特徴とするプリント
配線板の製造用現像液。 - 【請求項２】 プリント配線板の形成工程で、エッチン
グレジストとして光硬化型のフォトエッチングレジスト
を貼着しフォトマスクを介して紫外線露光後、アルカリ
性水溶液を用いて現像しエッチングレジスト回路を形成
する工程において、一般式[（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ]+・ＯＨ-で
表わされる第四級アンモニウム水酸化物と、一般式
[（Ｒ1）3Ｎ−Ｒ]+・ＨＣＯ3 -（Ｒは炭素数１〜３のア
ルキル基または炭素数１〜３のヒドロキシ置換アルキル
基、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基）で表わされる第
四級アンモニウム重炭酸塩を含有するプリント配線板の
製造用現像液を用いて該回路を形成することを特徴とす
るプリント配線板の製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676593A JP3328858B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | プリント配線板の製造法および現像液 |
| US08/347,889 US5538832A (en) | 1993-12-16 | 1994-12-01 | Developing solution for producing printed circuit boards and a process for producing printed circuit boards wherein the developing solution comprises a quaternary ammonium hydroxide and a quaternary ammonium carbonate |
| KR1019940033674A KR100357292B1 (ko) | 1993-12-16 | 1994-12-12 | 프린트배선판제조용현상액및프린트배선판의제조방법 |
| TW083111590A TW275182B (ja) | 1993-12-16 | 1994-12-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31676593A JP3328858B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | プリント配線板の製造法および現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07168370A JPH07168370A (ja) | 1995-07-04 |
| JP3328858B2 true JP3328858B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=18080682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31676593A Expired - Lifetime JP3328858B2 (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | プリント配線板の製造法および現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3328858B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4893947B2 (ja) * | 2007-02-19 | 2012-03-07 | 日立電線株式会社 | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP31676593A patent/JP3328858B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07168370A (ja) | 1995-07-04 |
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