JP3321895B2 - 透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法 - Google Patents
透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/027—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed by irradiation, e.g. by photons, alpha or beta particles
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
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Description
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電性フィルムに
おける微細回路パターンの形成方法に関するものであ
る。なお、この明細書において、「微細回路」とは、線
幅１００μｍ以下の回路をいう。
おける微細回路パターンの形成方法に関するものであ
る。なお、この明細書において、「微細回路」とは、線
幅１００μｍ以下の回路をいう。
【従来の技術】従来、一般的に透明導電性フィルムは、
ポリチレンテレフタレートフィルム等の透明プラスチッ
クフィルムの片面の全面または一部に、酸化インジュウ
ム、酸化錫、インジュウム錫酸化物、金、銀、パラジウ
ム等の透明導電性物質をスパッタリング、真空蒸着、イ
オンプレーティング、塗布等により透明導電性薄膜（単
層または複数層）が形成せられたものである。この透明
導電性フィルムに回路を加工する方法としては、塩酸や
硫酸等により不必要な導電層を除去する湿式法と、レー
ザ等により不必要な導電層を除去する乾式法が知られて
いる。
ポリチレンテレフタレートフィルム等の透明プラスチッ
クフィルムの片面の全面または一部に、酸化インジュウ
ム、酸化錫、インジュウム錫酸化物、金、銀、パラジウ
ム等の透明導電性物質をスパッタリング、真空蒸着、イ
オンプレーティング、塗布等により透明導電性薄膜（単
層または複数層）が形成せられたものである。この透明
導電性フィルムに回路を加工する方法としては、塩酸や
硫酸等により不必要な導電層を除去する湿式法と、レー
ザ等により不必要な導電層を除去する乾式法が知られて
いる。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、湿式法
では、微細回路パターンを精度良く加工することは困難
である。また、乾式法としては、ＹＡＧレーザの第２高
調波（波長５３２ｎｍ）による回路加工方法が知られて
いるが（特開平２−２５９７２７号参照）、第２高調波
を使用するため、加工速度が遅く、湿式法に比べ高価で
ある。これらのことから、基本波長である１０６４ｎｍ
のＹＡＧレーザを用いることにより、湿式法並のコスト
で微細回路パターンを精度良く加工しうる、透明導電性
フィルムの微細回路パターンの形成方法の出現が業界か
ら強く望まれていた。この発明の目的は、上記の要望に
応え、微細回路パターンを波長１０６４ｎｍのＹＡＧレ
ーザにより安価にしかも速い速度で精度良く加工しうる
透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法を提
供することにある。
では、微細回路パターンを精度良く加工することは困難
である。また、乾式法としては、ＹＡＧレーザの第２高
調波（波長５３２ｎｍ）による回路加工方法が知られて
いるが（特開平２−２５９７２７号参照）、第２高調波
を使用するため、加工速度が遅く、湿式法に比べ高価で
ある。これらのことから、基本波長である１０６４ｎｍ
のＹＡＧレーザを用いることにより、湿式法並のコスト
で微細回路パターンを精度良く加工しうる、透明導電性
フィルムの微細回路パターンの形成方法の出現が業界か
ら強く望まれていた。この発明の目的は、上記の要望に
応え、微細回路パターンを波長１０６４ｎｍのＹＡＧレ
ーザにより安価にしかも速い速度で精度良く加工しうる
透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法を提
供することにある。
【課題を解決するための手段】本発明による透明導電性
フィルムの微細回路パターンの形成方法は、上記の目的
を達成するために、基本波長１０６４ｎｍのＹＡＧレー
ザを透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面に照射して
線幅１００μｍ以下の微細回路パターンを加工する方法
であって、前記透明導電性フィルムは、透明導電性薄膜
を形成させる透明プラスチックフィルムの片面の表面粗
さが、三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０５μｍ
以下であることを特徴としている。上記三次元中心線平
均粗さ（ＳＲａ）が０．０５μｍを超えると、回路基板
を形成するために、透明導電性フィルムに波長１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザを照射したさい、導電層の除去され
た透明プラスチックの露出面に多数の黒点状の焼けが生
じる。三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）を０．０５μｍ
以下にする方法としては、プラスチックフィルム成膜に
使用される樹脂中に有機および無機の滑剤を配合し、そ
の量と形状を変えることにより調整する方法と、滑剤を
使用せずにインラインコーティングで調整する方法があ
るが、本発明では、滑剤を使用しないインラインコーテ
ィングにより成膜されたフィルムを使用し、その非コー
ト面に透明導電性薄膜を形成するのが好ましい。なお、
三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）は、小坂研究所三次元
粗さ計（ＳＥ−３０Ｋ）を用いて、針径２μｍＲ、針圧
３０ｍｇ、測定長１ｍｍ、サンプリングピッチ０．２５
ｍｍ、縦方向拡大倍率２万倍、横方向拡大倍率２００
倍、走査本数１５０本の条件で測定したものである。
フィルムの微細回路パターンの形成方法は、上記の目的
を達成するために、基本波長１０６４ｎｍのＹＡＧレー
ザを透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面に照射して
線幅１００μｍ以下の微細回路パターンを加工する方法
であって、前記透明導電性フィルムは、透明導電性薄膜
を形成させる透明プラスチックフィルムの片面の表面粗
さが、三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０５μｍ
以下であることを特徴としている。上記三次元中心線平
均粗さ（ＳＲａ）が０．０５μｍを超えると、回路基板
を形成するために、透明導電性フィルムに波長１０６４
ｎｍのＹＡＧレーザを照射したさい、導電層の除去され
た透明プラスチックの露出面に多数の黒点状の焼けが生
じる。三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）を０．０５μｍ
以下にする方法としては、プラスチックフィルム成膜に
使用される樹脂中に有機および無機の滑剤を配合し、そ
の量と形状を変えることにより調整する方法と、滑剤を
使用せずにインラインコーティングで調整する方法があ
るが、本発明では、滑剤を使用しないインラインコーテ
ィングにより成膜されたフィルムを使用し、その非コー
ト面に透明導電性薄膜を形成するのが好ましい。なお、
三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）は、小坂研究所三次元
粗さ計（ＳＥ−３０Ｋ）を用いて、針径２μｍＲ、針圧
３０ｍｇ、測定長１ｍｍ、サンプリングピッチ０．２５
ｍｍ、縦方向拡大倍率２万倍、横方向拡大倍率２００
倍、走査本数１５０本の条件で測定したものである。
【作用】この発明による透明導電性フィルムの微細回路
パターンの形成方法においては、透明導電性フィルム
は、透明プラスチックフィルムの片面の表面粗さが、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０５μｍ以下であ
り、この片面に透明導電性薄膜が形成されており、この
透明導電性フィルムを使用することにより、波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザで良好な微細回路加工ができる。
パターンの形成方法においては、透明導電性フィルム
は、透明プラスチックフィルムの片面の表面粗さが、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０５μｍ以下であ
り、この片面に透明導電性薄膜が形成されており、この
透明導電性フィルムを使用することにより、波長１０６
４ｎｍのＹＡＧレーザで良好な微細回路加工ができる。
【実施例】この発明の実施例を以下に説明する。 実施例１ この実施例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０３μｍで厚さ１
２５μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ム（ＰＥＴ）の片面にスパッタリング法により厚さ２０
０オングストロームのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の
透明導電性薄膜が形成されているものである。 実施例２ この実施例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５μｍであるこ
と以外は、実施例１と同じである。 比較例１ この比較例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０６μｍであるこ
と以外は、実施例１と同じである。 比較例２ この比較例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．１μｍであること
以外は、実施例１と同じである。上記各実施例および各
比較例の透明導電性フィルムに波長１０６４ｎｍのＹＡ
Ｇレーザを電流２３Ａ、速度１０００ｍｍ／秒、周波数
１０ＫＨｚで照射し回路加工を行なったところ、実施例
１および２では、ともに線幅７０μｍで良好な回路加工
がなされた。ところが、比較例１および２では、加工部
においてＩＴＯの除去されたＰＥＴ露出面に多数の黒点
状の焼けが発生した。この黒点状の焼けの発生は、レー
ザの照射により微細な突起部が焼けたことによるものと
考えられる。また、比較例２では、さらに、加工部と非
加工部の境界が、直線状ではなく、ぎざぎざ状となり、
境界線がきたなくなっていた。
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０３μｍで厚さ１
２５μｍの二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ム（ＰＥＴ）の片面にスパッタリング法により厚さ２０
０オングストロームのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の
透明導電性薄膜が形成されているものである。 実施例２ この実施例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０５μｍであるこ
と以外は、実施例１と同じである。 比較例１ この比較例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．０６μｍであるこ
と以外は、実施例１と同じである。 比較例２ この比較例の微細回路加工用透明導電性フィルムは、三
次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）が０．１μｍであること
以外は、実施例１と同じである。上記各実施例および各
比較例の透明導電性フィルムに波長１０６４ｎｍのＹＡ
Ｇレーザを電流２３Ａ、速度１０００ｍｍ／秒、周波数
１０ＫＨｚで照射し回路加工を行なったところ、実施例
１および２では、ともに線幅７０μｍで良好な回路加工
がなされた。ところが、比較例１および２では、加工部
においてＩＴＯの除去されたＰＥＴ露出面に多数の黒点
状の焼けが発生した。この黒点状の焼けの発生は、レー
ザの照射により微細な突起部が焼けたことによるものと
考えられる。また、比較例２では、さらに、加工部と非
加工部の境界が、直線状ではなく、ぎざぎざ状となり、
境界線がきたなくなっていた。
【発明の効果】この発明の透明導電性フィルムの微細回
路パターンの形成方法は、基本波長１０６４ｎｍのＹＡ
Ｇレーザを透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面に照
射して線幅１００μｍ以下の微細回路パターンを加工す
る方法であって、前記透明導電性フィルムは、透明導電
性薄膜を形成させる透明プラスチックフィルムの片面の
表面粗さが、三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０
５μｍ以下であることを特徴とするもので、この発明に
よれば、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザにより良好な
微細回路加工ができるので、この加工を安価にしかも速
い速度で精度良く行ないうる。
路パターンの形成方法は、基本波長１０６４ｎｍのＹＡ
Ｇレーザを透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面に照
射して線幅１００μｍ以下の微細回路パターンを加工す
る方法であって、前記透明導電性フィルムは、透明導電
性薄膜を形成させる透明プラスチックフィルムの片面の
表面粗さが、三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０
５μｍ以下であることを特徴とするもので、この発明に
よれば、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザにより良好な
微細回路加工ができるので、この加工を安価にしかも速
い速度で精度良く行ないうる。
フロントページの続き (72)発明者 三宅 英男 大阪府大阪市北区堂島浜二丁目２番８号 東洋紡績株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−31030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−46236（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−233531（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−259727（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08J 7/00 - 7/18 H05K 1/02,3/00,3/08
Claims (1)
- 【請求項１】 基本波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザを
透明導電性フィルムの透明導電性薄膜面に照射して線幅
１００μｍ以下の微細回路パターンを加工する方法であ
って、前記透明導電性フィルムは、透明導電性薄膜を形
成させる透明プラスチックフィルムの片面の表面粗さ
が、三次元中心線平均粗さ（ＳＲａ）で０．０５μｍ以
下であることを特徴とする透明導電性フィルムの微細回
路パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10692293A JP3321895B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10692293A JP3321895B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06322164A JPH06322164A (ja) | 1994-11-22 |
| JP3321895B2 true JP3321895B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=14445916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10692293A Expired - Fee Related JP3321895B2 (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 透明導電性フィルムの微細回路パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3321895B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997027727A1 (de) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Emi-Tec Elektronische Materialien Gmbh | Verfahren zur herstellung einer leiterstruktur |
| JP3919972B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2007-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005347610A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品実装方法 |
| KR20150037861A (ko) * | 2012-07-20 | 2015-04-08 | 도요보 가부시키가이샤 | 레이저 에칭 가공용 도전성 페이스트, 도전성 박막 및 도전성 적층체 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10692293A patent/JP3321895B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06322164A (ja) | 1994-11-22 |
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