KR890013736A - 마스크 및 무마스크 처리 스트립을 사용한 새로운 레지스트의 엑사이머 레이저 패턴화 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 도체가 피복된 기판위에 적절히 배치된 본 발명의 레지스트 시스템의 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 실행을 설명하는 도면,
제3도는 레이저광을 마스크를 거쳐 본 발명의 레지스트 시스템위에 충돌시킨 상태를 도시한 도면.
Claims (53)
- 윗쪽에 도전층을 가진 기판위에 어블레이터블 흡광 중합체로된 박막층을 배치하여 이 중합체 물질이 상기 도전층에 접촉되도록 하는 단계와, 상기 중합체층을 어블레이트하기 위해 레이저 에너지 비임을 마스크를 통해 상기 어블레이터블 중합체 위로 향하게 하여 상기 도전층을 부분적으로 노출하는 단계와, 상기 부분적으로 어블레이트된 중합체층과 상기 노출된 도전층 위에 투광 물질로된 두꺼운 충을 배치하여 흡광도와 상기 투광도를 동일한 주파수 범위에 대해 결정하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 광패턴화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 박막층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 두꺼운 층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크렬레이트 및 폴리카보네이트로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 엑사이머 레이저에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 자외선 주파수 영역에 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 박막층의 두께는 약 1.0미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 두꺼운 충의 두께는 대략 1 내지 대략 100미크론의 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마지막의 노출된 도전층을 부식하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 두꺼운 층과 박막층의 어떤 남아 있는 물질을 제거하기 위한 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노출된 도전층의 일부분 위에 또다른 도전층 물질을 침전 시키는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서. 상기 두꺼운충과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2레이저 비임 노출은 상기 제 1레이저 비임 노출 보다 강력한 레이저를 사용해서 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제 2레이저 노출은 마스크 없이 실행되는 것을 특징으로 하는 방법. .
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 구리를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크는 상기 기판에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않은 표면을 가지는 것을 특징으로 히는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 관통 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 어블레이트된 물질이 생성되었을때 진공 수단으로 이 물질을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 어블레이션 위치에서 어블레이트된 물질을 바람에 의해 날려 보냄으로써 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 어블레이터블 흡광성 중합체로 된 박막 하부층과, 이 중합체위에 존재하는 투광성 물질로된 두꺼운 상부층을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 하부층은 자외선 범위내에서 흡광성인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 하부층이 두께는 약 0.1 미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 상부층의 두께는 약 1미크론 내지 약 100미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 하부층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 상부층은 폴리메틸메타크렬레이트, 폴리에틸메타크릴레이트 및 폴리카보네이트로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 상부층은 자외선 전달층인 것을 특칭으로 하는 2레밸 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 상부층과 상기 하부층은 서로 다른 용해도를 갖는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제20항에 있어서, 상기 하부층은 금속 코팅된 기판에 접촉하여 배치되는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제28항에 있어서, 상기 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 제28항에 있어서, 상기 기판은 중합체를 구비하는 것을 특징으로 하는 2레벨 레지스트 구조체.
- 윗쪽에 도전층을 가진 기판위에 어블레이터블 흡광 중합체로된 박막층을 배치하여 이 중합체 물질이 상기 도전층에 접촉되도록 하는 단계와, 상기 중합체층 위에 두꺼운 투광물질층을 배치하여 상기 흡광도와 상기 투광도를 동일한 주파수 범위에 대해 결정하는 단계와, 상기 증합체층을 어붙레이트하는 동시에 상기 어블레이트된 중합체층 위의 상기 두꺼운 층을 제거하기 위해. 상기 레이저 에너지 비임을 마스크를 통과하게 함으로써 상기 선택된 도전층의 일부가 상기 두꺼운층과 박막층을 통해 노출되게 하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 패턴의 광패턴화 방법.
- 제31항에 있어서. 상기 박막층은 폴리설폰으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 두꺼운층은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리에틸메타크릴레이트 및 폴리카보네이트로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서. 상기 레이저 에너지는 엑사이머 레이저에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 레이저 에너지는 자외선 주파수 범위내에 존재하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 박막층의 두께는 약 0.1미크론 내지 약 10미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서. 상기 두꺼운층의 두께는 대략 1미크론 내지 대략 100미크론 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 노출된 도전층을 부식하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 두꺼운층과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 노출된 도전층의 일부분 위에 또다른 도전층을 침전시키는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 두꺼운층과 박막층을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제41항에 있어서, 상기 충분히 두꺼운 도전층을 제거하여 남아 있는 패턴이 상기 비임에 의해 상기 두꺼운층과 박막층에 생성된 패턴과 동일해지도록한 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 도전층은 구리를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 비임을 마스크를 통과하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제44항에 있어서, 상기·마스크는 상기 기판에 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 기판은 평탄하지 않는 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 기판은 관통 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 어블레이트된 물질이 생성되었을때 진공 수단으로 이 물질을 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 어블레이션 위치에서 상기 어블레이트된 물질을 바람에 의해 날려 보냄으로써 제거하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 비임은 집속되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제31항에 있어서, 상기 레이저 비임에 의해 노출된 도전층 위에 또다른 도전층을 침전시키는 단계와, 노출되지 않은 중합체와 상기 투광성 상부층의 물질을 제거하는, 단계와, 도체물질을 많이 제거해서 도체 물질이 레이저 비임이 향하는 곳에만 존재하도록 하는 단계를 아울러 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 수정 기판과, 이 기판위에 배치된 패턴화된 티타늄층과, 상기 타타늄층 위에 배치되고, 알루니늄과 은으로 구성된 그룹중에서 선택된 물질을 구비하는 패턴화된 반사 금속층을 구비한 것을 특징으로 하는 고에너지 밀도 레이저 패턴화용 마스크.
- 고에너지 밀도 패턴화용 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 상기 수정 기판은 황산과 산화제와의 혼합물에서 세척하는 단계와, 상승된 온도에서 상기 세척된 기판을 헹구고 진공 상태로 건조시키는 단계와, 상기 기판위에 티타늄을 침전시키는 단계와, 상기 티타늄층 전반에 걸쳐 반사금속층을 침전시키는 단계와, 상기 티타늄층과 반사금속층을 패턴화하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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