JP3319720B2 - エッジ検出装置 - Google Patents
エッジ検出装置Info
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- JP3319720B2 JP3319720B2 JP35020898A JP35020898A JP3319720B2 JP 3319720 B2 JP3319720 B2 JP 3319720B2 JP 35020898 A JP35020898 A JP 35020898A JP 35020898 A JP35020898 A JP 35020898A JP 3319720 B2 JP3319720 B2 JP 3319720B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平行な目盛り線
が複数本配列形成された標準スケールの校正装置等に用
いられる目盛り線のエッジを光学的に検出するエッジ検
出装置に関し、特に目盛り線と平行な３つのスリットを
用いた３スリット法によるエッジ検出装置に関する。
が複数本配列形成された標準スケールの校正装置等に用
いられる目盛り線のエッジを光学的に検出するエッジ検
出装置に関し、特に目盛り線と平行な３つのスリットを
用いた３スリット法によるエッジ検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の標準スケールの目盛り線エ
ッジを光学的に検出する方法として、大きく分けて、目
盛り線エッジ像の明暗の変曲点を計測する変曲点法と、
目盛り線エッジ像の光相対強度を所定のレベルでスライ
スしてエッジ位置を求める光相対強度法とがある。前者
には、受光素子前面に配置したスリットを振動させて得
られる受光信号から変曲点を求める振動スリット法、二
つの受光素子の出力信号を処理してその差動信号から変
曲点を求める二元配置センサ法等がある。後者にも、ピ
ンホール法、スリット法、画像処理法等がある。
ッジを光学的に検出する方法として、大きく分けて、目
盛り線エッジ像の明暗の変曲点を計測する変曲点法と、
目盛り線エッジ像の光相対強度を所定のレベルでスライ
スしてエッジ位置を求める光相対強度法とがある。前者
には、受光素子前面に配置したスリットを振動させて得
られる受光信号から変曲点を求める振動スリット法、二
つの受光素子の出力信号を処理してその差動信号から変
曲点を求める二元配置センサ法等がある。後者にも、ピ
ンホール法、スリット法、画像処理法等がある。
【０００３】従来のエッジ検出法には、一長一短があっ
た。例えば変曲点法は、再現性がよく、操作性にも優れ
ており、目盛り線のエッジ間隔の測定は高精度にできる
が、エッジ位置の正確な検出は難しい。光相対強度法
は、高精度のエッジ位置測定が可能であるが、反面、明
暗の１００％，０％合わせと、これらとの関係でスライ
スレベルの設定が必要である。
た。例えば変曲点法は、再現性がよく、操作性にも優れ
ており、目盛り線のエッジ間隔の測定は高精度にできる
が、エッジ位置の正確な検出は難しい。光相対強度法
は、高精度のエッジ位置測定が可能であるが、反面、明
暗の１００％，０％合わせと、これらとの関係でスライ
スレベルの設定が必要である。
【０００４】そこで、本出願人は、エッジ像に対する位
置を少しずつずらして配置された３つのスリットを使用
した３スリット法によるエッジ検出装置を提案している
（特開平８−１４５６２１号）。この方式は、２つのビ
ームスプリッタを用いてエッジ像を形成する光を３つに
分岐して、これら分岐された３つの光を、それぞれの受
光面にスリットが形成された３つの受光素子で検出する
ことにより、エッジの位置を検出する方式である。ま
た、同じ公報には、平行な３つのスリットが形成された
受光面を持つ１つの受光素子を用いて、エッジ位置を検
出する方式も提案されている。
置を少しずつずらして配置された３つのスリットを使用
した３スリット法によるエッジ検出装置を提案している
（特開平８−１４５６２１号）。この方式は、２つのビ
ームスプリッタを用いてエッジ像を形成する光を３つに
分岐して、これら分岐された３つの光を、それぞれの受
光面にスリットが形成された３つの受光素子で検出する
ことにより、エッジの位置を検出する方式である。ま
た、同じ公報には、平行な３つのスリットが形成された
受光面を持つ１つの受光素子を用いて、エッジ位置を検
出する方式も提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の３スリット法によるエッジ検出装置のうち、前者の方
式では、３スリットの相対位置の調整や３つの受光素子
の感度調整が面倒であった。また、後者の方式では、真
ん中のスリットに対応した受光出力を減算のために分離
抽出しなければならないため、受光面をスリットと同等
かそれよりも僅かに大きい面積でしか形成することがで
きず、十分な出力が得られないという問題があった。
の３スリット法によるエッジ検出装置のうち、前者の方
式では、３スリットの相対位置の調整や３つの受光素子
の感度調整が面倒であった。また、後者の方式では、真
ん中のスリットに対応した受光出力を減算のために分離
抽出しなければならないため、受光面をスリットと同等
かそれよりも僅かに大きい面積でしか形成することがで
きず、十分な出力が得られないという問題があった。
【０００６】この発明は、上述した従来の３スリット法
を更に改良し、調整がより容易で、受光感度も高めるこ
とができるエッジ検出装置を提供することを目的として
いる。
を更に改良し、調整がより容易で、受光感度も高めるこ
とができるエッジ検出装置を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、平行な目盛
り線が複数本配列形成されたスケールの目盛り線エッジ
を光学的に検出する装置であって、前記スケールの目盛
り線のエッジ像を拡大する対物レンズと、この対物レン
ズにより拡大されたエッジ像を形成する光を２つに分岐
させるビームスプリッタと、このビームスプリッタで分
岐された一方の光を目盛り線エッジと平行な第１及び第
２のスリットを介して検出する受光面を持つ第１の受光
手段と、前記ビームスプリッタで分岐された他方の光を
目盛り線エッジと平行な第３のスリットを介して検出す
る受光面を持つ第２の受光手段と、前記第１及び第２の
受光手段の出力からエッジ検出信号を生成する演算手段
とを備え、前記エッジ像を基準として前記第１及び第３
のスリットが、前記第２のスリットの両側の均等位置に
配置されていることを特徴としている。
り線が複数本配列形成されたスケールの目盛り線エッジ
を光学的に検出する装置であって、前記スケールの目盛
り線のエッジ像を拡大する対物レンズと、この対物レン
ズにより拡大されたエッジ像を形成する光を２つに分岐
させるビームスプリッタと、このビームスプリッタで分
岐された一方の光を目盛り線エッジと平行な第１及び第
２のスリットを介して検出する受光面を持つ第１の受光
手段と、前記ビームスプリッタで分岐された他方の光を
目盛り線エッジと平行な第３のスリットを介して検出す
る受光面を持つ第２の受光手段と、前記第１及び第２の
受光手段の出力からエッジ検出信号を生成する演算手段
とを備え、前記エッジ像を基準として前記第１及び第３
のスリットが、前記第２のスリットの両側の均等位置に
配置されていることを特徴としている。
【０００８】前記第１及び第２のスリットを介した光を
受光する前記第１の受光手段の出力をａ＋ｃ、前記第３
のスリットを介した光を受光する前記第２の受光手段の
出力をｂ、前記第１の受光手段の出力振幅が前記第２の
受光手段の出力振幅の２倍であるとしたとき、前記演算
手段は、エッジ検出信号ｓを、ｓ＝ａ＋ｃ−ｍｂによっ
て生成するものである。
受光する前記第１の受光手段の出力をａ＋ｃ、前記第３
のスリットを介した光を受光する前記第２の受光手段の
出力をｂ、前記第１の受光手段の出力振幅が前記第２の
受光手段の出力振幅の２倍であるとしたとき、前記演算
手段は、エッジ検出信号ｓを、ｓ＝ａ＋ｃ−ｍｂによっ
て生成するものである。
【０００９】３スリット法では、３つのスリットのうち
両端に配置されたスリットを介した受光出力が加算さ
れ、これから真ん中のスリットを介した受光出力が減算
される。この発明では、両側の第１及び第２のスリット
を介した光が、同一の受光手段（第１の受光手段）で受
光され、一度に加算出力が得られる。これにより、第１
及び第２のスリットを介した光は、別々の受光素子で独
立に受光する必要がないので、受光手段としてフォトマ
ルチプライヤ（光電子倍増管）のように感度の高い素子
を使用することができ、その感度調整も一本化すること
ができる。これと同時に、この発明によれば、第１及び
第２のスリットが同一の受光面上に配置されるので、こ
れら第１及び第２のスリットの相対位置を、正確に位置
決めすることができる。そして、ビームスプリッタが１
つであることと併せ、この発明によれば、３つのスリッ
トの位置関係の調整が極めて容易になる。
両端に配置されたスリットを介した受光出力が加算さ
れ、これから真ん中のスリットを介した受光出力が減算
される。この発明では、両側の第１及び第２のスリット
を介した光が、同一の受光手段（第１の受光手段）で受
光され、一度に加算出力が得られる。これにより、第１
及び第２のスリットを介した光は、別々の受光素子で独
立に受光する必要がないので、受光手段としてフォトマ
ルチプライヤ（光電子倍増管）のように感度の高い素子
を使用することができ、その感度調整も一本化すること
ができる。これと同時に、この発明によれば、第１及び
第２のスリットが同一の受光面上に配置されるので、こ
れら第１及び第２のスリットの相対位置を、正確に位置
決めすることができる。そして、ビームスプリッタが１
つであることと併せ、この発明によれば、３つのスリッ
トの位置関係の調整が極めて容易になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例に係
るエッジ検出装置の構成を示す図ある。標準スケール１
には、平行な目盛り線が多数配列形成されている。この
標準スケール１は例えば、ガラスに金属膜を蒸着した目
盛りが形成されたもの、又は金属に彫刻した目盛りが形
成されたものである。
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例に係
るエッジ検出装置の構成を示す図ある。標準スケール１
には、平行な目盛り線が多数配列形成されている。この
標準スケール１は例えば、ガラスに金属膜を蒸着した目
盛りが形成されたもの、又は金属に彫刻した目盛りが形
成されたものである。
【００１１】この標準スケール１の目盛り線の例えば裏
面から図示しない光源より光が照射される。その透過照
明によるエッジ像は対物レンズ２で拡大され、ビームス
プリッタ３に入射される。このビームスプリッタ３は、
一部の光を透過し、残りの光を反射する。ビームスプリ
ッタ３の透過光は第１の受光素子４で受光され、ビーム
スプリッタ３の反射光は第２の受光素子５で受光され
る。受光素子４の受光面の前面には、スリット６ａ，６
ｃが形成されたスリット板７が配置され、受光素子５の
受光面の前面には、スリット６ｂが形成されたスリット
板８が配置されている。受光素子４，５の出力は、それ
ぞれアンプ９，１０で増幅された後、演算部１１に供給
される。演算部１１は、これらの受光出力からエッジ検
出信号を生成すると共に、生成されたエッジ検出信号か
らエッジ位置を検出する。
面から図示しない光源より光が照射される。その透過照
明によるエッジ像は対物レンズ２で拡大され、ビームス
プリッタ３に入射される。このビームスプリッタ３は、
一部の光を透過し、残りの光を反射する。ビームスプリ
ッタ３の透過光は第１の受光素子４で受光され、ビーム
スプリッタ３の反射光は第２の受光素子５で受光され
る。受光素子４の受光面の前面には、スリット６ａ，６
ｃが形成されたスリット板７が配置され、受光素子５の
受光面の前面には、スリット６ｂが形成されたスリット
板８が配置されている。受光素子４，５の出力は、それ
ぞれアンプ９，１０で増幅された後、演算部１１に供給
される。演算部１１は、これらの受光出力からエッジ検
出信号を生成すると共に、生成されたエッジ検出信号か
らエッジ位置を検出する。
【００１２】図２（ａ）はスリット６ａ，６ｃの詳細
を、また同図（ｂ）はスリット６ｂの詳細をそれぞれ示
している。スリット６ａ，６ｃは、等しい幅Ｗ１で形成
され、受光面の中心から両側に均等に距離Ｄだけ離れた
位置に配置されている。また、スリット６ｂは、受光面
の中心位置に配置され、その幅がＷ２となっている。こ
こでＷ１＝Ｗ２、ビームスプリッタ３の透過／反射比が
５０％／５０％であれば、受光素子４からの出力振幅
は、受光素子５からの出力振幅の２倍となる。
を、また同図（ｂ）はスリット６ｂの詳細をそれぞれ示
している。スリット６ａ，６ｃは、等しい幅Ｗ１で形成
され、受光面の中心から両側に均等に距離Ｄだけ離れた
位置に配置されている。また、スリット６ｂは、受光面
の中心位置に配置され、その幅がＷ２となっている。こ
こでＷ１＝Ｗ２、ビームスプリッタ３の透過／反射比が
５０％／５０％であれば、受光素子４からの出力振幅
は、受光素子５からの出力振幅の２倍となる。
【００１３】図３は、この実施例でのエッジ検出原理を
分かり易く示したものである。ここで各スリット６ａ，
６ｂ，６ｃは、同図（Ｄ）のように、スリット６ｂを中
心として、その両側に均等距離Ｄをおいてスリット６
ａ，６ｃが配置され、標準スケール１をその目盛り線と
直交する図中矢印で示す方向に移動させたときに、目盛
り線エッジ２１の像が、スリット６ａ，６ｂ，６ｃを順
に介して第１の受光素子４，第２の受光素子５，第１の
受光素子４の順で受光されるように、目盛り線エッジ２
１と平行に配置されている。目盛り線エッジ２１の右側
斜線部は暗部、左側が明部を示している。
分かり易く示したものである。ここで各スリット６ａ，
６ｂ，６ｃは、同図（Ｄ）のように、スリット６ｂを中
心として、その両側に均等距離Ｄをおいてスリット６
ａ，６ｃが配置され、標準スケール１をその目盛り線と
直交する図中矢印で示す方向に移動させたときに、目盛
り線エッジ２１の像が、スリット６ａ，６ｂ，６ｃを順
に介して第１の受光素子４，第２の受光素子５，第１の
受光素子４の順で受光されるように、目盛り線エッジ２
１と平行に配置されている。目盛り線エッジ２１の右側
斜線部は暗部、左側が明部を示している。
【００１４】ここで、図示のようにスケール１の目盛り
線の拡大像のエッジ２１が移動したとき、スリット６
ａ，６ｂ，６ｃをそれぞれ介した光が受光素子４，５に
受光されることにより得られる出力をそれぞれａ，ｂ，
ｃとすると、第１の受光素子４からの出力信号はａ＋ｃ
となるので、同図（Ｅ）に示すように、目盛り線エッジ
２１がスリット６ａ→６ｂ→６ｃの順に移動するのに従
ってそのレベルが段階的に大きくなるような出力とな
る。また、第２の受光素子４からの出力信号ｂは、同図
（Ｆ）に示すように、スリット６ｂの通過を境にして高
レベルに変化する。演算部１１では、エッジ検出信号ｓ
を、
線の拡大像のエッジ２１が移動したとき、スリット６
ａ，６ｂ，６ｃをそれぞれ介した光が受光素子４，５に
受光されることにより得られる出力をそれぞれａ，ｂ，
ｃとすると、第１の受光素子４からの出力信号はａ＋ｃ
となるので、同図（Ｅ）に示すように、目盛り線エッジ
２１がスリット６ａ→６ｂ→６ｃの順に移動するのに従
ってそのレベルが段階的に大きくなるような出力とな
る。また、第２の受光素子４からの出力信号ｂは、同図
（Ｆ）に示すように、スリット６ｂの通過を境にして高
レベルに変化する。演算部１１では、エッジ検出信号ｓ
を、
【００１５】
【数１】ｓ＝ａ＋ｃ−２ｂ
【００１６】なる演算によって求める。求められるエッ
ジ検出信号ｓは、同図（Ｇ）のように、スリット６ｂの
中央が０で、その前後が一定の傾きで急峻に変化する信
号となる。このエッジ検出信号ｓのゼロクロス点を検出
することにより、目盛り線エッジ２１の正確な位置を検
出することができる。
ジ検出信号ｓは、同図（Ｇ）のように、スリット６ｂの
中央が０で、その前後が一定の傾きで急峻に変化する信
号となる。このエッジ検出信号ｓのゼロクロス点を検出
することにより、目盛り線エッジ２１の正確な位置を検
出することができる。
【００１７】なお、以上は、ビームスプリッタ３の透過
／反射比が５０％／５０％であり、且つ受光素子４，５
の受光感度及びアンプ９，１０のゲインがそれぞれ等し
いことが前提となっている。もし、ビームスプリッタ３
の透過／反射比を３３．３３％／６６．６７％とする
と、エッジ検出信号ｓは、ｓ＝ａ＋ｃ−ｂにより求めら
れる。一般的には、（信号ａ＋ｃの振幅）／（信号ｂの
振幅）＝ｍとしたとき、
／反射比が５０％／５０％であり、且つ受光素子４，５
の受光感度及びアンプ９，１０のゲインがそれぞれ等し
いことが前提となっている。もし、ビームスプリッタ３
の透過／反射比を３３．３３％／６６．６７％とする
と、エッジ検出信号ｓは、ｓ＝ａ＋ｃ−ｂにより求めら
れる。一般的には、（信号ａ＋ｃの振幅）／（信号ｂの
振幅）＝ｍとしたとき、
【００１８】
【数２】ｓ＝ａ＋ｃ−ｍｂ
【００１９】により、エッジ検出信号ｓが求められる。
また、上記実施例では、図４（ａ）に示すように、スリ
ット６ａ，６ｃの幅Ｗ１とスリット６ｂの幅Ｗ２とが等
しいことを条件としたが、図４（ｂ）のように、スリッ
ト６ｂの幅Ｗ２をスリット６ａ，６ｃの幅Ｗ１よりも狭
くすると、その分検出信号ｓのゼロクロスの立ち上がり
を急峻にすることができ、エッジ検出精度が向上する。
ｍとＷ１，Ｗ２との関係は、ｍ＝２Ｗ１／Ｗ２となる。
また、上記実施例では、図４（ａ）に示すように、スリ
ット６ａ，６ｃの幅Ｗ１とスリット６ｂの幅Ｗ２とが等
しいことを条件としたが、図４（ｂ）のように、スリッ
ト６ｂの幅Ｗ２をスリット６ａ，６ｃの幅Ｗ１よりも狭
くすると、その分検出信号ｓのゼロクロスの立ち上がり
を急峻にすることができ、エッジ検出精度が向上する。
ｍとＷ１，Ｗ２との関係は、ｍ＝２Ｗ１／Ｗ２となる。
【００２０】第１及び第２のスリット６ａ，６ｃの相対
位置は、固定でもよいし、図５に示すように、２枚のス
リット板７ａ，７ｂをスライド可能に配置することによ
り調整可能としてもよい。調整可能とする場合には、ス
ケールの目盛り線の間隔に応じて最適な間隔を選択する
ことができるという利点がある。
位置は、固定でもよいし、図５に示すように、２枚のス
リット板７ａ，７ｂをスライド可能に配置することによ
り調整可能としてもよい。調整可能とする場合には、ス
ケールの目盛り線の間隔に応じて最適な間隔を選択する
ことができるという利点がある。
【００２１】目盛り線の幅及び間隔が狭くなり、レンズ
の分解能に近づいてくると、目盛り線像の強度分布が重
なって、エッジ像のコントラストが低下してくる。この
ような場合には、スリット間隔をレンズの強度分布の周
期と一致させることにより、検出感度を向上させること
ができる。図６は、これを説明したものである。例えば
スケール１の目盛り幅が０．８μｍ／０．８μｍ（周期
１．６μｍ）位になると、幅自体が光の波長やレンズの
分解能に近づいてくるため、同図（Ｂ），（Ｃ），
（Ｄ）に示すように、明暗の境がはっきりしなくなって
くる。そこで、スリット間隔２Ｄをスケール１の目盛り
周期と一致するように設定すると、（Ｆ），（Ｇ）のよ
うに受光素子４，５自体の出力変化に差がなくても、セ
ンサ出力ｓは、（Ｈ）のように、急峻な変化を示す信号
となる。
の分解能に近づいてくると、目盛り線像の強度分布が重
なって、エッジ像のコントラストが低下してくる。この
ような場合には、スリット間隔をレンズの強度分布の周
期と一致させることにより、検出感度を向上させること
ができる。図６は、これを説明したものである。例えば
スケール１の目盛り幅が０．８μｍ／０．８μｍ（周期
１．６μｍ）位になると、幅自体が光の波長やレンズの
分解能に近づいてくるため、同図（Ｂ），（Ｃ），
（Ｄ）に示すように、明暗の境がはっきりしなくなって
くる。そこで、スリット間隔２Ｄをスケール１の目盛り
周期と一致するように設定すると、（Ｆ），（Ｇ）のよ
うに受光素子４，５自体の出力変化に差がなくても、セ
ンサ出力ｓは、（Ｈ）のように、急峻な変化を示す信号
となる。
【００２２】以上のように構成することにより、従来の
３スリット法では、３つのシングルスリットを独立に調
整する機構が必要であったが、両端の２つのスリットを
同じ受光面に配置することで、ダブルスリットに構成す
ることができ、このダブルスリットの真ん中に中央のシ
ングルスリットを配置するように調整するだけでよく、
調整機構が少なくなり、部品点数が軽減でき、コスト低
減を図ることができる。また、この発明によれば、ダブ
ルスリットを介した光が加算されるので、これら光を分
離する必要がなく、この結果、シングルスリット側も含
めて、受光手段として受光面が広いフォトマルチプライ
ヤ等を使用することができる。フォトマルチプライヤ
は、通常のシリコンに比べて１万倍程度の感度を有して
おり、極めて精度の良いエッジ検出が可能になる。更
に、ダブルスリット側の感度調整を１本化することがで
きる。
３スリット法では、３つのシングルスリットを独立に調
整する機構が必要であったが、両端の２つのスリットを
同じ受光面に配置することで、ダブルスリットに構成す
ることができ、このダブルスリットの真ん中に中央のシ
ングルスリットを配置するように調整するだけでよく、
調整機構が少なくなり、部品点数が軽減でき、コスト低
減を図ることができる。また、この発明によれば、ダブ
ルスリットを介した光が加算されるので、これら光を分
離する必要がなく、この結果、シングルスリット側も含
めて、受光手段として受光面が広いフォトマルチプライ
ヤ等を使用することができる。フォトマルチプライヤ
は、通常のシリコンに比べて１万倍程度の感度を有して
おり、極めて精度の良いエッジ検出が可能になる。更
に、ダブルスリット側の感度調整を１本化することがで
きる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によるエッジ
検出装置によれば、第１及び第２のスリットが同一の受
光面上に配置されるので、これら第１及び第２のスリッ
トの相対位置を、正確に位置決めすることができる。そ
して、ビームスプリッタが１つであることと併せ、この
発明によれば、３つのスリットの位置関係の調整が極め
て容易になるという効果を奏する。
検出装置によれば、第１及び第２のスリットが同一の受
光面上に配置されるので、これら第１及び第２のスリッ
トの相対位置を、正確に位置決めすることができる。そ
して、ビームスプリッタが１つであることと併せ、この
発明によれば、３つのスリットの位置関係の調整が極め
て容易になるという効果を奏する。
【図１】 この発明の一実施例に係るエッジ検出装置の
構成を示す。
構成を示す。
【図２】 同実施例の受光素子とスリットの配置関係を
示す。
示す。
【図３】 同実施例のエッジ検出原理を説明する図であ
る。
る。
【図４】 この発明の他の実施例に係るエッジ検出装置
のスリット配置を示す。
のスリット配置を示す。
【図５】 この発明の更に他の実施例に係るエッジ検出
装置のスリット板の構成を示す。
装置のスリット板の構成を示す。
【図６】 この発明の更に他の実施例のエッジ検出原理
を説明する図である。
を説明する図である。
１…標準スケール、２…対物レンズ、３…ビームスプリ
ッタ、４…第１の受光素子、５…第２の受光素子、６
ａ，６ｂ，６ｃ…スリット、９，１０…アンプ、１１…
演算部。
ッタ、４…第１の受光素子、５…第２の受光素子、６
ａ，６ｂ，６ｃ…スリット、９，１０…アンプ、１１…
演算部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−145621（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−253306（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−159136（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−332944（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102
Claims (2)
- 【請求項１】 平行な目盛り線が複数本配列形成された
スケールの目盛り線エッジを光学的に検出する装置であ
って、 前記スケールの目盛り線のエッジ像を拡大する対物レン
ズと、 この対物レンズにより拡大されたエッジ像を形成する光
を２つに分岐させるビームスプリッタと、 このビームスプリッタで分岐された一方の光を目盛り線
エッジと平行な第１及び第２のスリットを介して検出す
る受光面を持つ第１の受光手段と、 前記ビームスプリッタで分岐された他方の光を目盛り線
エッジと平行な第３のスリットを介して検出する受光面
を持つ第２の受光手段と、 前記第１及び第２の受光手段の出力からエッジ検出信号
を生成する演算手段とを備え、 前記エッジ像を基準として前記第１及び第２のスリット
が、前記第３のスリットの両側の均等位置に配置されて
いることを特徴とするエッジ検出装置。 - 【請求項２】 前記第１及び第２のスリットを介した光
を受光する前記第１の受光手段の出力をａ＋ｃ、前記第
３のスリットを介した光を受光する前記第２の受光手段
の出力をｂ、前記第１の受光手段の出力振幅が前記第２
の受光手段の出力振幅のｍ倍であるとしたとき、 前記演算手段は、エッジ検出信号ｓを、 ｓ＝ａ＋ｃ−ｍｂ によって生成するものであることを特徴とする請求項１
記載のエッジ検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35020898A JP3319720B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | エッジ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35020898A JP3319720B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | エッジ検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000171210A JP2000171210A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3319720B2 true JP3319720B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=18408957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35020898A Expired - Fee Related JP3319720B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | エッジ検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319720B2 (ja) |
-
1998
- 1998-12-09 JP JP35020898A patent/JP3319720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000171210A (ja) | 2000-06-23 |
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