JP3319378B2 - 圧電共振子の製造方法 - Google Patents
圧電共振子の製造方法Info
- Publication number
- JP3319378B2 JP3319378B2 JP05845498A JP5845498A JP3319378B2 JP 3319378 B2 JP3319378 B2 JP 3319378B2 JP 05845498 A JP05845498 A JP 05845498A JP 5845498 A JP5845498 A JP 5845498A JP 3319378 B2 JP3319378 B2 JP 3319378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- mother substrate
- piezoelectric resonator
- piezoelectric
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 115
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 52
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 37
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/178—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of a laminated structure of multiple piezoelectric layers with inner electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
- H03H2003/0414—Resonance frequency
- H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
- H03H2003/0428—Modification of the thickness of an element of an electrode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば発振子など
に用いられる圧電共振子の製造方法に関し、より詳細に
は、圧電体層を介して重なり合うように複数の励振電極
を形成してなるエネルギー閉込め型の圧電共振子の製造
方法に関する。
に用いられる圧電共振子の製造方法に関し、より詳細に
は、圧電体層を介して重なり合うように複数の励振電極
を形成してなるエネルギー閉込め型の圧電共振子の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エネルギー閉込め型の圧電共振子として
は、圧電板の両主面において部分的に第１，第２の励振
電極をそれぞれ形成し、第１，第２の励振電極が圧電板
を介して重なり合っている部分を励振部とした構造のも
のが知られている。また、例えば、特公平７−１０５６
８６号公報に開示されているように、少なくとも１つの
内部電極を有し、該内部電極と圧電体層を介して重なり
合うように圧電体表面にさらに励振電極を形成してなる
積層型のエネルギー閉込め型圧電共振子も知られてい
る。
は、圧電板の両主面において部分的に第１，第２の励振
電極をそれぞれ形成し、第１，第２の励振電極が圧電板
を介して重なり合っている部分を励振部とした構造のも
のが知られている。また、例えば、特公平７−１０５６
８６号公報に開示されているように、少なくとも１つの
内部電極を有し、該内部電極と圧電体層を介して重なり
合うように圧電体表面にさらに励振電極を形成してなる
積層型のエネルギー閉込め型圧電共振子も知られてい
る。
【０００３】ところで、これらの圧電共振子において
は、その共振周波数は、圧電体の厚みに依存する。従っ
て、異なる共振周波数の圧電共振子を得ようとした場
合、該共振周波数に応じた厚みの圧電体が用いられてい
た。
は、その共振周波数は、圧電体の厚みに依存する。従っ
て、異なる共振周波数の圧電共振子を得ようとした場
合、該共振周波数に応じた厚みの圧電体が用いられてい
た。
【０００４】もっとも、圧電共振子の共振特性は、励振
部を構成している励振電極間の重なり面積によって異な
る。従って、ある共振周波数において、良好な共振特性
を得ようとした場合、圧電体の厚みを決定した後に、励
振電極の重なり面積を最適な面積となるように構成しな
ければならない。他方、この最適な励振電極重なり面積
については、共振周波数によって異なる。
部を構成している励振電極間の重なり面積によって異な
る。従って、ある共振周波数において、良好な共振特性
を得ようとした場合、圧電体の厚みを決定した後に、励
振電極の重なり面積を最適な面積となるように構成しな
ければならない。他方、この最適な励振電極重なり面積
については、共振周波数によって異なる。
【０００５】従って、ある共振周波数において良好な共
振特性を実現するには、共振周波数に応じてある厚みの
圧電体を用意した後、該圧電体において上記最適な重な
り面積を実現するように励振電極を形成しなければなら
ない。
振特性を実現するには、共振周波数に応じてある厚みの
圧電体を用意した後、該圧電体において上記最適な重な
り面積を実現するように励振電極を形成しなければなら
ない。
【０００６】しかしながら、従来、これらの圧電共振子
の製造に際しては、圧電材料からなるマザー基板におい
て、複数の励振電極が同時に形成されているのが普通で
ある。これを図１３に示す従来の厚み滑り振動モードを
利用した圧電共振子７０の製造方法を例にとり説明す
る。
の製造に際しては、圧電材料からなるマザー基板におい
て、複数の励振電極が同時に形成されているのが普通で
ある。これを図１３に示す従来の厚み滑り振動モードを
利用した圧電共振子７０の製造方法を例にとり説明す
る。
【０００７】圧電共振子７０を得るにあたっては、先ず
圧電材料になるマザー基板の上面及び下面に帯状の電極
を所定間隔を隔てて形成する。上面の帯状の電極は、図
１３に示されている一方の励振電極７２ａ及び引出し電
極７２ｂを形成するために設けられており、下面に形成
されている帯状の電極は、下面に形成された励振電極７
２ｃ及び引出し電極７２ｄを形成するために設けられて
いる。
圧電材料になるマザー基板の上面及び下面に帯状の電極
を所定間隔を隔てて形成する。上面の帯状の電極は、図
１３に示されている一方の励振電極７２ａ及び引出し電
極７２ｂを形成するために設けられており、下面に形成
されている帯状の電極は、下面に形成された励振電極７
２ｃ及び引出し電極７２ｄを形成するために設けられて
いる。
【０００８】従って、上面の帯状電極と、下面の帯状電
極とが、励振電極７２ａ，７２ｃの重なり長Ｌに相当す
るようにマザー基板を介して重なり合わされている。次
に、マザー基板を励振電極７２ａと引出し電極７２ｂと
を結ぶ方向及び該方向と直交する方向に切断し、圧電共
振子７０を得る。
極とが、励振電極７２ａ，７２ｃの重なり長Ｌに相当す
るようにマザー基板を介して重なり合わされている。次
に、マザー基板を励振電極７２ａと引出し電極７２ｂと
を結ぶ方向及び該方向と直交する方向に切断し、圧電共
振子７０を得る。
【０００９】圧電共振子７０では、矢印Ｐ方向に分極さ
れた圧電体７１において、引出し電極７２ｂと引出し電
極７２ｄとが、励振部から逆方向に引き出されている。
すなわち、引出し電極７２ｂは端面７１ａに至るよう
に、引出し電極７２ｄは端面７１ｂに至るように形成さ
れている。
れた圧電体７１において、引出し電極７２ｂと引出し電
極７２ｄとが、励振部から逆方向に引き出されている。
すなわち、引出し電極７２ｂは端面７１ａに至るよう
に、引出し電極７２ｄは端面７１ｂに至るように形成さ
れている。
【００１０】すなわち、上記のように、従来のエネルギ
ー閉込め圧電共振子７０の製造に際しては、マザー基板
において、両面に複数の帯状の電極を同時に形成するの
が普通であった。
ー閉込め圧電共振子７０の製造に際しては、マザー基板
において、両面に複数の帯状の電極を同時に形成するの
が普通であった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、特定
の共振周波数において良好な共振特性を得るためには、
圧電共振子における励振電極間の重なり面積、すなわち
圧電共振子７０においては励振電極７２ａと励振電極７
２ｃとの重なり長Ｌは、最適な値としなければならなか
った。従って、様々な周波数の圧電共振子を得ようとし
た場合、帯状の電極をマザー基板に形成するに際し、各
共振周波数に応じた最適の電極重なり長Ｌを実現し得る
マスクを用意しなければならない。
の共振周波数において良好な共振特性を得るためには、
圧電共振子における励振電極間の重なり面積、すなわち
圧電共振子７０においては励振電極７２ａと励振電極７
２ｃとの重なり長Ｌは、最適な値としなければならなか
った。従って、様々な周波数の圧電共振子を得ようとし
た場合、帯状の電極をマザー基板に形成するに際し、各
共振周波数に応じた最適の電極重なり長Ｌを実現し得る
マスクを用意しなければならない。
【００１２】しかしながら、全ての共振周波数に応じて
様々なマスクを用意した場合、コストが非常に高くつく
ことになる。そこで、実際には、幾つかの周波数範囲に
分割し、一つの周波数範囲内では同じマスクを用い、マ
ザー基板に上記帯状の電極を形成していた。
様々なマスクを用意した場合、コストが非常に高くつく
ことになる。そこで、実際には、幾つかの周波数範囲に
分割し、一つの周波数範囲内では同じマスクを用い、マ
ザー基板に上記帯状の電極を形成していた。
【００１３】従って、従来のエネルギー閉込め型圧電共
振子では、その共振周波数に対して電極重なり長Ｌは必
ずしも最適な値とはならないことがあった。すなわち、
ある周波数範囲において、ある特定の共振周波数に応じ
て電極重なり長Ｌを設定した場合、該周波数範囲におけ
る他の共振周波数では、その共振周波数における最適な
電極重なり長とはならず、十分良好な共振特性を実現し
得ないことがあった。
振子では、その共振周波数に対して電極重なり長Ｌは必
ずしも最適な値とはならないことがあった。すなわち、
ある周波数範囲において、ある特定の共振周波数に応じ
て電極重なり長Ｌを設定した場合、該周波数範囲におけ
る他の共振周波数では、その共振周波数における最適な
電極重なり長とはならず、十分良好な共振特性を実現し
得ないことがあった。
【００１４】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、１種類の電極形成用マスクを用いて、最適な
電極重なり長を実現することができ、かつ様々な共振周
波数に応じて最適な電極重なり面積を実現し得る、従っ
て、良好な共振特性を有する圧電共振子を製造し得る方
法を提供することにある。
を解消し、１種類の電極形成用マスクを用いて、最適な
電極重なり長を実現することができ、かつ様々な共振周
波数に応じて最適な電極重なり面積を実現し得る、従っ
て、良好な共振特性を有する圧電共振子を製造し得る方
法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、圧電体と、励振部を構成するために圧電体層を介し
て重なり合うように形成された複数の励振電極と、各励
振電極に連ねられておりかつ圧電体端部まで引き出され
た複数の引出し電極とを備え、第１の電位に接続される
引出し電極と、第２の電位に接続される引出し電極とが
逆方向に延ばされている圧電共振子の製造方法であっ
て、前記励振電極と引出し電極とを結ぶ方向を第１の方
向としたときに、第１の方向と直交する第２の方向に延
ばされた複数の帯状の第１の電極が第１の方向において
所定の間隔を隔てて配置された第１のマザー基板を用意
する工程と、前記帯状の第１の電極の第１の方向におけ
る長さが目的とする共振周波数に応じた長さとなるよう
に、前記第１のマザー基板を第２の方向に切断し、第２
のマザー基板を得る工程と、第２のマザー基板の主面に
マスクを用いて、第２の電位に接続される励振電極及び
引出し電極が第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極
を形成する工程と、前記第２のマザー基板を第１の方向
に沿って切断し、複数の圧電共振子を得る工程とを備え
ることを特徴とする。
は、圧電体と、励振部を構成するために圧電体層を介し
て重なり合うように形成された複数の励振電極と、各励
振電極に連ねられておりかつ圧電体端部まで引き出され
た複数の引出し電極とを備え、第１の電位に接続される
引出し電極と、第２の電位に接続される引出し電極とが
逆方向に延ばされている圧電共振子の製造方法であっ
て、前記励振電極と引出し電極とを結ぶ方向を第１の方
向としたときに、第１の方向と直交する第２の方向に延
ばされた複数の帯状の第１の電極が第１の方向において
所定の間隔を隔てて配置された第１のマザー基板を用意
する工程と、前記帯状の第１の電極の第１の方向におけ
る長さが目的とする共振周波数に応じた長さとなるよう
に、前記第１のマザー基板を第２の方向に切断し、第２
のマザー基板を得る工程と、第２のマザー基板の主面に
マスクを用いて、第２の電位に接続される励振電極及び
引出し電極が第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極
を形成する工程と、前記第２のマザー基板を第１の方向
に沿って切断し、複数の圧電共振子を得る工程とを備え
ることを特徴とする。
【００１６】請求項２に記載の発明では、上記圧電体は
細長いスリップ状の形状を有し、その長さ方向が上記第
１の方向とされている。請求項３に記載の発明では、前
記第１のマザー基板において、前記第１の方向に直交す
る方向に延ばされた複数の帯状の第１の電極が、第１の
マザー基板の第１の主面に形成され、前記第２のマザー
基板の主面にマスクを用いて帯状の第２の電極を形成す
る工程において、該帯状の第２の電極が第２のマザー基
板の第２の主面に形成される。
細長いスリップ状の形状を有し、その長さ方向が上記第
１の方向とされている。請求項３に記載の発明では、前
記第１のマザー基板において、前記第１の方向に直交す
る方向に延ばされた複数の帯状の第１の電極が、第１の
マザー基板の第１の主面に形成され、前記第２のマザー
基板の主面にマスクを用いて帯状の第２の電極を形成す
る工程において、該帯状の第２の電極が第２のマザー基
板の第２の主面に形成される。
【００１７】請求項４に記載の発明では、前記第１のマ
ザー基板が厚み方向に分極処理されており、厚み縦振動
モードを利用した圧電共振子が得られる。請求項５に記
載の発明では、前記第１のマザー基板が前記第１の方向
に分極処理されており、滑りモードを利用した圧電共振
子が得られる。
ザー基板が厚み方向に分極処理されており、厚み縦振動
モードを利用した圧電共振子が得られる。請求項５に記
載の発明では、前記第１のマザー基板が前記第１の方向
に分極処理されており、滑りモードを利用した圧電共振
子が得られる。
【００１８】請求項６に記載の発明では、前記第１のマ
ザー基板において、前記第１の方向に直交する方向に延
ばされた帯状の第１の電極が、内部電極として形成され
ており、前記第２のマザー基板の主面にマスクを用いて
第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極を形成する工
程において、該帯状の第２の電極が、第２のマザー基板
の第１，第２の主面に形成され、それによって厚み縦振
動モードの高調波を利用した圧電共振子が得られる。
ザー基板において、前記第１の方向に直交する方向に延
ばされた帯状の第１の電極が、内部電極として形成され
ており、前記第２のマザー基板の主面にマスクを用いて
第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極を形成する工
程において、該帯状の第２の電極が、第２のマザー基板
の第１，第２の主面に形成され、それによって厚み縦振
動モードの高調波を利用した圧電共振子が得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
を挙げることにより、本発明を明らかにする。
【００２０】図１〜図４を参照して、本発明の第１の実
施例を説明する。先ず、図１に斜視図で示すマザー基板
１を用意する。マザー基板１は、例えばＰＺＴ系セラミ
ックスのような圧電セラミックスにより構成されてお
り、矩形の平面形状を有する。
施例を説明する。先ず、図１に斜視図で示すマザー基板
１を用意する。マザー基板１は、例えばＰＺＴ系セラミ
ックスのような圧電セラミックスにより構成されてお
り、矩形の平面形状を有する。
【００２１】マザー基板１は、矢印Ｐで示すように厚み
方向に分極処理されている。マザー基板１の第１の主面
すなわち上面１ａ上には、帯状の第１の電極２ａ〜２ｈ
が所定の間隔を隔てて平行に形成されている。この帯状
の第１の電極の延びる方向を第２の方向とし、第２の方
向と直交し、帯状の第１の電極同士を結ぶ方向を第１の
方向とする。この帯状の第１の電極２ａは、マザー基板
１の上面１ａ側にマスクを配置し、蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成法により導電性材料を付与することに
より形成することができる。帯状の第１の電極２ａ〜２
ｈを構成する導電性材料については、Ｎｉ、Ｃｕなどの
適宜の金属材料を用いることができる。
方向に分極処理されている。マザー基板１の第１の主面
すなわち上面１ａ上には、帯状の第１の電極２ａ〜２ｈ
が所定の間隔を隔てて平行に形成されている。この帯状
の第１の電極の延びる方向を第２の方向とし、第２の方
向と直交し、帯状の第１の電極同士を結ぶ方向を第１の
方向とする。この帯状の第１の電極２ａは、マザー基板
１の上面１ａ側にマスクを配置し、蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成法により導電性材料を付与することに
より形成することができる。帯状の第１の電極２ａ〜２
ｈを構成する導電性材料については、Ｎｉ、Ｃｕなどの
適宜の金属材料を用いることができる。
【００２２】次に、第１のマザー基板１を、図１の破線
Ａで示す切断位置で切断する。破線Ａは、第２の方向と
平行である。また、上記切断位置Ａ，Ａ間の距離は、後
述するように、目的とする共振周波数に応じて最終的に
得られる圧電共振子の電極重なり長Ｌを最適な長さとす
るように選ばれる。
Ａで示す切断位置で切断する。破線Ａは、第２の方向と
平行である。また、上記切断位置Ａ，Ａ間の距離は、後
述するように、目的とする共振周波数に応じて最終的に
得られる圧電共振子の電極重なり長Ｌを最適な長さとす
るように選ばれる。
【００２３】上記のようにして、切断位置Ａ，Ａ…で切
断されて、複数の第２のマザー基板３が得られる。次
に、図２に第１の方向に沿う断面図で示すように、第２
のマザー基板３の上面にマスク４を、下面にマスク５を
当接させて、第２のマザー基板３の下面３ｂに蒸着やス
パッタリングなどの薄膜形成法により導電性材料を付与
することにより帯状の第２の電極６ａを形成する。
断されて、複数の第２のマザー基板３が得られる。次
に、図２に第１の方向に沿う断面図で示すように、第２
のマザー基板３の上面にマスク４を、下面にマスク５を
当接させて、第２のマザー基板３の下面３ｂに蒸着やス
パッタリングなどの薄膜形成法により導電性材料を付与
することにより帯状の第２の電極６ａを形成する。
【００２４】上面３ａ上には電極材料が付着しないよう
に、マスク４は第２のマザー基板３の上面３ａの全面を
被覆するように構成されている。他方、マスク５は、窓
部５ａを有し、窓部５ａの形状に応じて帯状の第２の電
極６ａが形成される。第２の電極６ａを構成する材料に
ついては、第１の電極２ａ〜２ｈを構成した導電性材料
と同様の導電性材料を用いることができる。
に、マスク４は第２のマザー基板３の上面３ａの全面を
被覆するように構成されている。他方、マスク５は、窓
部５ａを有し、窓部５ａの形状に応じて帯状の第２の電
極６ａが形成される。第２の電極６ａを構成する材料に
ついては、第１の電極２ａ〜２ｈを構成した導電性材料
と同様の導電性材料を用いることができる。
【００２５】この帯状の第２の電極６ａは、図２の紙面
−紙背方向に延ばされており、すなわち第２の方向に延
ばされている。また、第２の電極６ａの幅、すなわち第
１の方向に沿う長さＸは、マスク５の窓部５ａの第１の
方向に沿う長さにより決定される。
−紙背方向に延ばされており、すなわち第２の方向に延
ばされている。また、第２の電極６ａの幅、すなわち第
１の方向に沿う長さＸは、マスク５の窓部５ａの第１の
方向に沿う長さにより決定される。
【００２６】次に、上述した第２のマザー基板３を、図
１のＣ−Ｃ線に対応する部分で切断し、すなわち第１の
方向に沿って切断し、複数の圧電共振子を得る。このよ
うにして得られた圧電共振子を、図４に断面図で示す。
圧電共振子７では、第２のマザー基板３を切断すること
により得られた細長いストリップ状の圧電体３Ａの上面
に電極２Ａが、下面に電極６Ａが形成されている。電極
２Ａは、帯状の第１の電極２ａがＣ−Ｃ線に沿って切断
されることにより形成されている。同様に、電極６Ａ
は、帯状の第２の電極６ａがＣ−Ｃ線に沿って切断され
ることにより構成されている。
１のＣ−Ｃ線に対応する部分で切断し、すなわち第１の
方向に沿って切断し、複数の圧電共振子を得る。このよ
うにして得られた圧電共振子を、図４に断面図で示す。
圧電共振子７では、第２のマザー基板３を切断すること
により得られた細長いストリップ状の圧電体３Ａの上面
に電極２Ａが、下面に電極６Ａが形成されている。電極
２Ａは、帯状の第１の電極２ａがＣ−Ｃ線に沿って切断
されることにより形成されている。同様に、電極６Ａ
は、帯状の第２の電極６ａがＣ−Ｃ線に沿って切断され
ることにより構成されている。
【００２７】電極２Ａ及び６Ａは、圧電体３Ａの長さ方
向中央部分において圧電体３Ａを介して重なり合ってい
る。この電極２Ａ，６Ａのうち、圧電体３Ａを介して重
なり合っている部分が励振部８を構成しており、該励振
部８を構成している電極部分が、それぞれ、本発明にお
ける第１の励振電極２Ａ1 及び第２の励振電極６Ａ1を
構成している。また、電極２Ａのうち、励振電極２Ａ1
から圧電体３Ａの一方端面３Ａ1 に向かって引き出され
ている部分が第１の引出し電極２Ａ2 を構成しており、
電極６Ａのうち、励振部８から圧電体３Ａの反対側の端
面３Ａ2 に向かって引き出されている電極部分が第２の
引出し電極６Ａ2 を構成している。
向中央部分において圧電体３Ａを介して重なり合ってい
る。この電極２Ａ，６Ａのうち、圧電体３Ａを介して重
なり合っている部分が励振部８を構成しており、該励振
部８を構成している電極部分が、それぞれ、本発明にお
ける第１の励振電極２Ａ1 及び第２の励振電極６Ａ1を
構成している。また、電極２Ａのうち、励振電極２Ａ1
から圧電体３Ａの一方端面３Ａ1 に向かって引き出され
ている部分が第１の引出し電極２Ａ2 を構成しており、
電極６Ａのうち、励振部８から圧電体３Ａの反対側の端
面３Ａ2 に向かって引き出されている電極部分が第２の
引出し電極６Ａ2 を構成している。
【００２８】ところで、圧電共振子７の共振周波数は、
圧電体３Ａの厚みに依存する。従って、例えば、上記圧
電共振子７よりも高い共振周波数の圧電共振子を得よう
とした場合には、図１に示したマザー基板１として、よ
り厚みの薄い圧電基板を用いればよい。この場合におい
ても、図２に示したマスク５と同じマスクを用いて、第
２のマザー基板３の下面に第２の励振電極及び引出し電
極を得るための帯状の第２の電極６ａを形成すればよ
い。これを、図１及び図３を参照して説明する。
圧電体３Ａの厚みに依存する。従って、例えば、上記圧
電共振子７よりも高い共振周波数の圧電共振子を得よう
とした場合には、図１に示したマザー基板１として、よ
り厚みの薄い圧電基板を用いればよい。この場合におい
ても、図２に示したマスク５と同じマスクを用いて、第
２のマザー基板３の下面に第２の励振電極及び引出し電
極を得るための帯状の第２の電極６ａを形成すればよ
い。これを、図１及び図３を参照して説明する。
【００２９】すなわち、より高い共振周波数を有する圧
電共振子を得ようとした場合、図１に示す第１のマザー
基板１の厚みを薄くすればよい。そして、上記マザー基
板１を切断して第２のマザー基板を得るにあたり、切断
位置Ａ，Ａ…を、実現しようとする共振周波数にとって
最適な電極重なり長Ｌが得られるように選択すればよ
い。例えば、より高い共振周波数の圧電共振子において
は電極重なり長Ｌをより小さくすればよいため、図１の
一点鎖線Ａ' ，Ａ' …で示す切断位置で切断すればよ
い。
電共振子を得ようとした場合、図１に示す第１のマザー
基板１の厚みを薄くすればよい。そして、上記マザー基
板１を切断して第２のマザー基板を得るにあたり、切断
位置Ａ，Ａ…を、実現しようとする共振周波数にとって
最適な電極重なり長Ｌが得られるように選択すればよ
い。例えば、より高い共振周波数の圧電共振子において
は電極重なり長Ｌをより小さくすればよいため、図１の
一点鎖線Ａ' ，Ａ' …で示す切断位置で切断すればよ
い。
【００３０】このようにして、図３に示す第２のマザー
基板１３を得ることができる。この第２のマザー基板１
３では、切断位置Ａ' ，Ａ' …において切断したため、
第１の主面１３ａ上において形成されている帯状の第１
の電極１２ｂの第１の方向に沿う長さは、図２に示した
帯状の第１の電極２ｂの第１の方向に沿う長さに比べて
短くされている。
基板１３を得ることができる。この第２のマザー基板１
３では、切断位置Ａ' ，Ａ' …において切断したため、
第１の主面１３ａ上において形成されている帯状の第１
の電極１２ｂの第１の方向に沿う長さは、図２に示した
帯状の第１の電極２ｂの第１の方向に沿う長さに比べて
短くされている。
【００３１】従って、図３に示すように、図２に示した
マスク５と同一のマスク５を用いて第２のマザー基板１
３の下面１３ｂ上に帯状の第２の電極６ａを形成すれば
よい。図３から明らかなように、上記電極１２ｂ，６ａ
の第１の方向に沿う重なり長Ｌは、図２に示した電極２
ｂ，６ａ間の第１の方向に沿う重なり長Ｌよりも短くさ
れることがわかる。従って、図３に示した第２のマザー
基板１３を、図１の一点鎖線Ｃ，Ｃ線に相当する部分で
切断することにより、より高い共振周波数においても良
好な共振特性を有する圧電共振子の得られることがわか
る。
マスク５と同一のマスク５を用いて第２のマザー基板１
３の下面１３ｂ上に帯状の第２の電極６ａを形成すれば
よい。図３から明らかなように、上記電極１２ｂ，６ａ
の第１の方向に沿う重なり長Ｌは、図２に示した電極２
ｂ，６ａ間の第１の方向に沿う重なり長Ｌよりも短くさ
れることがわかる。従って、図３に示した第２のマザー
基板１３を、図１の一点鎖線Ｃ，Ｃ線に相当する部分で
切断することにより、より高い共振周波数においても良
好な共振特性を有する圧電共振子の得られることがわか
る。
【００３２】上記のように、本実施例においては、第１
のマザー基板１を切断し第２のマザー基板３，１３を得
るにあたり、その切断位置Ａ，Ａ，Ａ' ，Ａ' を、最終
的に得られる圧電共振子における電極重なり長Ｌに応じ
て選択することにより、所望の電極重なり長Ｌを有する
圧電共振子を得ることができる。しかも、この場合、下
面に形成される第２の電極６ａとしては、共振周波数の
値に係わらず、変更する必要がないため、単一のマスク
５を用いて第２のマザー基板の下面に帯状の第２の電極
６ａを形成すればよいだけである。
のマザー基板１を切断し第２のマザー基板３，１３を得
るにあたり、その切断位置Ａ，Ａ，Ａ' ，Ａ' を、最終
的に得られる圧電共振子における電極重なり長Ｌに応じ
て選択することにより、所望の電極重なり長Ｌを有する
圧電共振子を得ることができる。しかも、この場合、下
面に形成される第２の電極６ａとしては、共振周波数の
値に係わらず、変更する必要がないため、単一のマスク
５を用いて第２のマザー基板の下面に帯状の第２の電極
６ａを形成すればよいだけである。
【００３３】よって、様々な共振周波数に対して最適な
電極重なり長Ｌを実現することができるだけでなく、第
２の主面に形成される第２の電極６ａのためのマスクと
して、１種類のマスク５のみを用意すればよい。
電極重なり長Ｌを実現することができるだけでなく、第
２の主面に形成される第２の電極６ａのためのマスクと
して、１種類のマスク５のみを用意すればよい。
【００３４】（第２の実施例）第１の実施例は、厚み方
向に分極処理された第１のマザー基板３を用い、厚み縦
振動モードを利用した圧電共振子７を得ていた。しかし
ながら、本発明に係る圧電共振子の製造方法は、厚み縦
振動モードを利用したものに限定されず、他の振動モー
ド、例えば厚み滑り振動モードを利用したものであって
もよい。
向に分極処理された第１のマザー基板３を用い、厚み縦
振動モードを利用した圧電共振子７を得ていた。しかし
ながら、本発明に係る圧電共振子の製造方法は、厚み縦
振動モードを利用したものに限定されず、他の振動モー
ド、例えば厚み滑り振動モードを利用したものであって
もよい。
【００３５】第２の実施例は、厚み滑りモードを利用し
たエネルギー閉込め型の圧電共振子の製造方法である。
先ず、図５に示すように、例えばＰＺＴ系圧電セラミッ
クスのような圧電材料からなる第１のマザー基板２１を
用意する。圧電基板２１は、矩形の平面形状を有し、矢
印Ｐで示すように、主面と平行な方向に分極されてい
る。マザー基板２１の第１の主面、すなわち上面２１ａ
上において、帯状の第１の電極２２ａ〜２２ｃが所定間
隔を隔てて平行に形成されている。
たエネルギー閉込め型の圧電共振子の製造方法である。
先ず、図５に示すように、例えばＰＺＴ系圧電セラミッ
クスのような圧電材料からなる第１のマザー基板２１を
用意する。圧電基板２１は、矩形の平面形状を有し、矢
印Ｐで示すように、主面と平行な方向に分極されてい
る。マザー基板２１の第１の主面、すなわち上面２１ａ
上において、帯状の第１の電極２２ａ〜２２ｃが所定間
隔を隔てて平行に形成されている。
【００３６】上記第１のマザー基板２１を、図５に破線
で示す切断位置Ｂ，Ｂに沿って切断することにより、第
２のマザー基板２３を得る。この場合、切断位置Ｂ，Ｂ
を、第１の実施例の場合と同様に所望とする共振周波数
に応じて選択すればよい。
で示す切断位置Ｂ，Ｂに沿って切断することにより、第
２のマザー基板２３を得る。この場合、切断位置Ｂ，Ｂ
を、第１の実施例の場合と同様に所望とする共振周波数
に応じて選択すればよい。
【００３７】このようにして、図６に示す第２のマザー
基板２３を得る。第２のマザー基板２３では、上面２３
ａ上に、帯状の第１の電極２２ｂが形成されている。従
って、上面２３ａ上にマスク４を当接し、下面２３ｂ上
にマスク５を当接し、導電性材料を蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成方法により付与し、帯状の第２の電極
６ａを形成する。第２の電極６ａを第２の主面としての
下面２３ｂ上に形成した後、第２のマザー基板２３を、
図５の一点鎖線Ｃ，Ｃ線に沿う部分に相当する部分で切
断し、厚み滑りモードを利用した圧電共振子を得る。
基板２３を得る。第２のマザー基板２３では、上面２３
ａ上に、帯状の第１の電極２２ｂが形成されている。従
って、上面２３ａ上にマスク４を当接し、下面２３ｂ上
にマスク５を当接し、導電性材料を蒸着やスパッタリン
グなどの薄膜形成方法により付与し、帯状の第２の電極
６ａを形成する。第２の電極６ａを第２の主面としての
下面２３ｂ上に形成した後、第２のマザー基板２３を、
図５の一点鎖線Ｃ，Ｃ線に沿う部分に相当する部分で切
断し、厚み滑りモードを利用した圧電共振子を得る。
【００３８】すなわち、上述した第１の実施例と、第１
のマザー基板２１の分極方向が異ならされていることを
除いては、第１の実施例と同様にして、図８に示す厚み
滑りモードを利用したエネルギー閉込め型の圧電共振子
２５を製造することができる。なお、図８において、２
３Ａは圧電体を、２２Ｂは電極を示し、励振電極２２Ｂ
1 と第１の引出し電極２２Ｂ2 とを有する。
のマザー基板２１の分極方向が異ならされていることを
除いては、第１の実施例と同様にして、図８に示す厚み
滑りモードを利用したエネルギー閉込め型の圧電共振子
２５を製造することができる。なお、図８において、２
３Ａは圧電体を、２２Ｂは電極を示し、励振電極２２Ｂ
1 と第１の引出し電極２２Ｂ2 とを有する。
【００３９】この場合においても、より高い共振周波数
の圧電共振子を得ようとした場合には、第１のマザー基
板２１として、より厚みの薄い圧電共振子を用い、切断
位置を、図５に示す切断位置Ｂ' ，Ｂ' にシフトすれば
よい。このようにして、図７に示す第２のマザー基板３
３を得ることができる。第２のマザー基板３３では、上
記切断位置の変更により、上面３３ａ上に形成されてい
る帯状の第１の電極３２ａの第１の方向に沿う長さが、
図６に示した第１の帯状の電極２２ａよりも第１の方向
に沿う長さよりも短くされている。
の圧電共振子を得ようとした場合には、第１のマザー基
板２１として、より厚みの薄い圧電共振子を用い、切断
位置を、図５に示す切断位置Ｂ' ，Ｂ' にシフトすれば
よい。このようにして、図７に示す第２のマザー基板３
３を得ることができる。第２のマザー基板３３では、上
記切断位置の変更により、上面３３ａ上に形成されてい
る帯状の第１の電極３２ａの第１の方向に沿う長さが、
図６に示した第１の帯状の電極２２ａよりも第１の方向
に沿う長さよりも短くされている。
【００４０】次に、下面３３ｂ上にマスク５を用いて帯
状の電極６ａを形成し、図５の一点鎖線Ｃ，Ｃに相当す
る部分で切断することにより、圧電共振子を得ることが
できる。
状の電極６ａを形成し、図５の一点鎖線Ｃ，Ｃに相当す
る部分で切断することにより、圧電共振子を得ることが
できる。
【００４１】この場合においても、同じマスク５を用
い、電極６ａを第２のマザー基板３３の下面３３ｂに形
成しているが、電極重なり長Ｌについては、上記切断位
置Ｂを切断位置Ｂ' に変更することにより最適な重なり
長に設定することができる。
い、電極６ａを第２のマザー基板３３の下面３３ｂに形
成しているが、電極重なり長Ｌについては、上記切断位
置Ｂを切断位置Ｂ' に変更することにより最適な重なり
長に設定することができる。
【００４２】従って、第２の実施例においても、共振周
波数を異ならせた場合、その共振周波数に応じた最適な
電極重なり長を有する圧電共振子を確実に得ることがで
きる。
波数を異ならせた場合、その共振周波数に応じた最適な
電極重なり長を有する圧電共振子を確実に得ることがで
きる。
【００４３】（第３の実施例）図９〜図１２を参照して
第３の実施例の圧電共振子の製造方法を説明する。先
ず、図９に示す第１のマザー基板４１を用意する。マザ
ー基板４１は、ＰＺＴ系圧電セラミックスのような圧電
材料よりなり、矩形板状の形状を有する。また、マザー
基板４１は、厚み方向に一様に分極処理されている。
第３の実施例の圧電共振子の製造方法を説明する。先
ず、図９に示す第１のマザー基板４１を用意する。マザ
ー基板４１は、ＰＺＴ系圧電セラミックスのような圧電
材料よりなり、矩形板状の形状を有する。また、マザー
基板４１は、厚み方向に一様に分極処理されている。
【００４４】マザー基板４１内には、中間高さ位置にお
いて、帯状の第１の電極として、複数の内部電極４２ａ
〜４２ｈが形成されている。内部電極４２ａ〜４２ｈ
は、最終的に得られる圧電共振子において励振電極と引
出し電極とを結ぶ第１の方向に直交する第２の方向に延
ばされた帯状の形状を有する。すなわち、内部電極４２
ａ〜４２ｈは、第１の実施例で第１のマザー基板１に形
成されていた帯状の第１の電極２ａ〜２ｈと同様の平面
形状を有するように構成されている。
いて、帯状の第１の電極として、複数の内部電極４２ａ
〜４２ｈが形成されている。内部電極４２ａ〜４２ｈ
は、最終的に得られる圧電共振子において励振電極と引
出し電極とを結ぶ第１の方向に直交する第２の方向に延
ばされた帯状の形状を有する。すなわち、内部電極４２
ａ〜４２ｈは、第１の実施例で第１のマザー基板１に形
成されていた帯状の第１の電極２ａ〜２ｈと同様の平面
形状を有するように構成されている。
【００４５】上記帯状の内部電極４２ａ〜４２ｈは、第
２の方向に延ばされているが、第１の方向においては、
所定の間隔を隔てて配置されている。内部電極４２ａ〜
４２ｈは、適宜の導電性材料により構成することがで
き、かつ内部電極４２ａ〜４２ｈを有する第１のマザー
基板４１は、例えば周知のセラミック積層一体焼成技術
を用いて得ることができる。
２の方向に延ばされているが、第１の方向においては、
所定の間隔を隔てて配置されている。内部電極４２ａ〜
４２ｈは、適宜の導電性材料により構成することがで
き、かつ内部電極４２ａ〜４２ｈを有する第１のマザー
基板４１は、例えば周知のセラミック積層一体焼成技術
を用いて得ることができる。
【００４６】第１のマザー基板４１において、破線Ｄで
示す切断位置に沿って第１のマザー基板４１を切断す
る。このようにして、第２のマザー基板４３を得る。切
断位置Ｄは、後述するように、所望とする電極重なり長
を得るように選択される。
示す切断位置に沿って第１のマザー基板４１を切断す
る。このようにして、第２のマザー基板４３を得る。切
断位置Ｄは、後述するように、所望とする電極重なり長
を得るように選択される。
【００４７】次に、図１０に断面図で示すように、第２
のマザー基板４３の第１の主面としての上面４３ａ及び
第２の主面としての下面４３ｂ上に、マスク４４，４５
を用いて蒸着またはスパッタリングなどにより導電性材
料を付与し、帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂを形成す
る。
のマザー基板４３の第１の主面としての上面４３ａ及び
第２の主面としての下面４３ｂ上に、マスク４４，４５
を用いて蒸着またはスパッタリングなどにより導電性材
料を付与し、帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂを形成す
る。
【００４８】マスク４４，４５は、窓部４４ａ，４５ａ
を有する。この場合、マスク４４，４５としては、同じ
形状のものを用いる。従って、第２のマザー基板４３の
上面４３ａ及び下面４３ｂ上に、帯状の第２の電極４６
ａ，４６ｂが形成されることになる。
を有する。この場合、マスク４４，４５としては、同じ
形状のものを用いる。従って、第２のマザー基板４３の
上面４３ａ及び下面４３ｂ上に、帯状の第２の電極４６
ａ，４６ｂが形成されることになる。
【００４９】上記第２の電極４６ａ，４６ｂは、図１０
の主面−主背方向、すなわち第２の方向に延びる帯状の
形状を有する。次に、第２のマザー基板４３を、図９の
一点鎖線Ｃ，Ｃに相当する部分で切断し、図１２に断面
図で示す圧電共振子４７を得る。圧電共振子４７では、
圧電体４８内に、内部電極４２Ｂが形成されている。内
部電極４２Ｂは、上述した帯状の内部電極４２ｂが切断
されて構成されている。
の主面−主背方向、すなわち第２の方向に延びる帯状の
形状を有する。次に、第２のマザー基板４３を、図９の
一点鎖線Ｃ，Ｃに相当する部分で切断し、図１２に断面
図で示す圧電共振子４７を得る。圧電共振子４７では、
圧電体４８内に、内部電極４２Ｂが形成されている。内
部電極４２Ｂは、上述した帯状の内部電極４２ｂが切断
されて構成されている。
【００５０】また、圧電体４８の上面及び下面には、上
記帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂが切断されて、電極
４６Ａ，４６Ｂが形成されている。電極４６Ａ，４６Ｂ
は、それぞれ、内部電極４２Ｂと厚み方向に重なり合っ
ている励振電極部４６Ａ1 ，４６Ｂ1 と、該励振電極４
６Ａ1 ，４６Ｂ1 に連ねられた引出し電極４６Ａ2 ，４
６Ｂ2 とを有する。なお、４９，５０は、それぞれ、接
続電極を示し、上記工程後に、適宜の導電膜形成方法で
形成される。
記帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂが切断されて、電極
４６Ａ，４６Ｂが形成されている。電極４６Ａ，４６Ｂ
は、それぞれ、内部電極４２Ｂと厚み方向に重なり合っ
ている励振電極部４６Ａ1 ，４６Ｂ1 と、該励振電極４
６Ａ1 ，４６Ｂ1 に連ねられた引出し電極４６Ａ2 ，４
６Ｂ2 とを有する。なお、４９，５０は、それぞれ、接
続電極を示し、上記工程後に、適宜の導電膜形成方法で
形成される。
【００５１】従って、圧電共振子４７では、励振電極４
６Ａ1 ，４６Ａ2 と、内部電極４２Ｂの励振電極部分４
２Ｂ1 との間に交流電圧を印加することにより、厚み縦
振動モードの３倍波を利用した圧電共振子として動作さ
せることができる。なお、４２Ｂ2 は引出し電極部を示
す。
６Ａ1 ，４６Ａ2 と、内部電極４２Ｂの励振電極部分４
２Ｂ1 との間に交流電圧を印加することにより、厚み縦
振動モードの３倍波を利用した圧電共振子として動作さ
せることができる。なお、４２Ｂ2 は引出し電極部を示
す。
【００５２】本実施例の製造方法においても、共振周波
数を低める場合には、第１のマザー基板４１の厚みを薄
くし、かつ良好な共振特性を得るには、最適の電極重な
り長Ｌを得るために、切断位置Ｄをずらせばよい。
数を低める場合には、第１のマザー基板４１の厚みを薄
くし、かつ良好な共振特性を得るには、最適の電極重な
り長Ｌを得るために、切断位置Ｄをずらせばよい。
【００５３】すなわち、図９に示すように、厚みの薄い
第２のマザー基板４３Ａを得るにあたり、図９に示す切
断位置Ｄよりも左側の切断位置Ｄ' で切断することによ
り、内部電極４２ｂの第１の方向における長さを短くす
ればよい。従って、図１１に示すように、上記図１０に
示したマスク４４，４５と同一のマスク４４，４５を用
いて帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂを形成することに
より、電極重なり長Ｌが小さくされた圧電共振子を得る
ことができる。
第２のマザー基板４３Ａを得るにあたり、図９に示す切
断位置Ｄよりも左側の切断位置Ｄ' で切断することによ
り、内部電極４２ｂの第１の方向における長さを短くす
ればよい。従って、図１１に示すように、上記図１０に
示したマスク４４，４５と同一のマスク４４，４５を用
いて帯状の第２の電極４６ａ，４６ｂを形成することに
より、電極重なり長Ｌが小さくされた圧電共振子を得る
ことができる。
【００５４】なお、第３の実施例では、１層の内部電極
のみが形成されていた圧電共振子を示したが、２層以上
の内部電極が配置されている厚み縦振動モードの高調波
を利用した圧電共振子にも本発明を適用することができ
る。
のみが形成されていた圧電共振子を示したが、２層以上
の内部電極が配置されている厚み縦振動モードの高調波
を利用した圧電共振子にも本発明を適用することができ
る。
【００５５】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る圧電共振子
の製造方法では、励振電極と引出し電極とを結ぶ方向を
第１の方向としたときに、第１の方向と直交する第２の
方向に延ばされた複数の帯状の第１の電極が第１の方向
において所定の間隔を隔てて配置された第１のマザー基
板を用意した後、上記帯状の第１の電極の第１の方向に
おける長さが目的とする共振周波数に応じた長さとなる
ように、第１のマザー基板を第２の方向に切断し、第２
のマザー基板を得、該第２のマザー基板の主面にマスク
を用いて第２の電位に接続される励振電極及び引出し電
極が第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極を形成
し、該第２のマザー基板を第１の方向に沿って切断する
ことにより、複数の圧電共振子が得られる。
の製造方法では、励振電極と引出し電極とを結ぶ方向を
第１の方向としたときに、第１の方向と直交する第２の
方向に延ばされた複数の帯状の第１の電極が第１の方向
において所定の間隔を隔てて配置された第１のマザー基
板を用意した後、上記帯状の第１の電極の第１の方向に
おける長さが目的とする共振周波数に応じた長さとなる
ように、第１のマザー基板を第２の方向に切断し、第２
のマザー基板を得、該第２のマザー基板の主面にマスク
を用いて第２の電位に接続される励振電極及び引出し電
極が第２の方向に連ねられた帯状の第２の電極を形成
し、該第２のマザー基板を第１の方向に沿って切断する
ことにより、複数の圧電共振子が得られる。
【００５６】従って、第２のマザー基板を得るにあたっ
ての切断工程において、切断位置を変更することによ
り、第１の電位に接続される帯状の第１の電極の第１の
方向の長さが決定される。すなわち、上記第２のマザー
基板を得る切断工程において、最終的に得られる圧電共
振子において、第１の電位に接続される励振電極の第１
の方向における長さが調整されるので、励振電極同士の
重なり長を最適な大きさに容易に調整することができる
ので、様々な周波数において良好な共振特性を確実に得
ることができる。
ての切断工程において、切断位置を変更することによ
り、第１の電位に接続される帯状の第１の電極の第１の
方向の長さが決定される。すなわち、上記第２のマザー
基板を得る切断工程において、最終的に得られる圧電共
振子において、第１の電位に接続される励振電極の第１
の方向における長さが調整されるので、励振電極同士の
重なり長を最適な大きさに容易に調整することができる
ので、様々な周波数において良好な共振特性を確実に得
ることができる。
【００５７】しかも、上記第２の電位に接続される励振
電極及び引出し電極が第２の方向に連ねられた帯状の第
２の電極を形成するに際しては、共振周波数を変更した
場合でも、同じマスクを用い得るため、使用するマスク
の種類を低減することができる。
電極及び引出し電極が第２の方向に連ねられた帯状の第
２の電極を形成するに際しては、共振周波数を変更した
場合でも、同じマスクを用い得るため、使用するマスク
の種類を低減することができる。
【００５８】請求項２に記載の発明では、圧電体が細長
いストリップ状の形状を有し、その長さ方向が第１の方
向とされているので、矩形の第１，第２のマザー基板を
用いることにより、複数の圧電共振子を容易に量産する
ことができる。
いストリップ状の形状を有し、その長さ方向が第１の方
向とされているので、矩形の第１，第２のマザー基板を
用いることにより、複数の圧電共振子を容易に量産する
ことができる。
【００５９】請求項３に記載の発明では、第１のマザー
基板において、第１の方向に延ばされた帯状の電極が、
第１のマザー基板の第１の主面に形成されており、第２
のマザー基板の主面にマスクを用いて上記帯状の第２の
電極が第２のマザー基板の第２の主面に形成される。従
って、例えば厚み縦振動モードや厚み滑り振動モードを
利用した単板型のエネルギー閉じ込め圧電共振子を得る
ことができる。
基板において、第１の方向に延ばされた帯状の電極が、
第１のマザー基板の第１の主面に形成されており、第２
のマザー基板の主面にマスクを用いて上記帯状の第２の
電極が第２のマザー基板の第２の主面に形成される。従
って、例えば厚み縦振動モードや厚み滑り振動モードを
利用した単板型のエネルギー閉じ込め圧電共振子を得る
ことができる。
【００６０】請求項６に記載の発明では、第１のマザー
基板において、第１の方向に直交する方向に延ばされた
帯状の第１の電極が内部電極として形成され、第２のマ
ザー基板にマスクを用いて帯状の第２の電極を形成する
にあたっては、第２のマザー基板の両主面にそれぞれ第
２の電極を形成するため、厚み縦振動モードの高調波を
利用したエネルギー閉込め型の圧電共振子を得ることが
できる。よって、小型であり、高い周波数領域で用い得
る圧電共振子を提供することができる。
基板において、第１の方向に直交する方向に延ばされた
帯状の第１の電極が内部電極として形成され、第２のマ
ザー基板にマスクを用いて帯状の第２の電極を形成する
にあたっては、第２のマザー基板の両主面にそれぞれ第
２の電極を形成するため、厚み縦振動モードの高調波を
利用したエネルギー閉込め型の圧電共振子を得ることが
できる。よって、小型であり、高い周波数領域で用い得
る圧電共振子を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例で用意される第１のマザ
ー基板を説明するための斜視図。
ー基板を説明するための斜視図。
【図２】第１のマザー基板から切断された第２のマザー
基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断面
図。
基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断面
図。
【図３】第１の実施例において、共振周波数が高い圧電
共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極を
形成する工程を説明するための断面図。
共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極を
形成する工程を説明するための断面図。
【図４】第１の実施例で得られる厚み縦振動モードを利
用した圧電共振子の断面図。
用した圧電共振子の断面図。
【図５】第２の実施例で用意される第２のマザー基板を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図６】第２のマザー基板から切断された第２のマザー
基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断面
図。
基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断面
図。
【図７】第２の実施例において、共振周波数が高い圧電
共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極を
形成する工程を説明するための断面図。
共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極を
形成する工程を説明するための断面図。
【図８】第２の実施例で得られる厚み縦振動モードを利
用した圧電共振子の断面図。
用した圧電共振子の断面図。
【図９】本発明の第３の実施例で用意される第１のマザ
ー基板を説明するための斜視図。
ー基板を説明するための斜視図。
【図１０】第３のマザー基板から切断された第２のマザ
ー基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断
面図。
ー基板の下面に電極を形成する工程を説明するための断
面図。
【図１１】第３の実施例において、共振周波数が高い圧
電共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極
を形成する工程を説明するための断面図。
電共振子を得るに際し、第２のマザー基板の下面に電極
を形成する工程を説明するための断面図。
【図１２】第３の実施例で得られる厚み縦圧電共振子を
説明するための斜視図。
説明するための斜視図。
【図１３】従来のエネルギー閉込め型圧電共振子の一例
を説明するための斜視図。
を説明するための斜視図。
１…第１のマザー基板 １ａ…第１の主面としての上面 １ｂ…第２の主面としての下面 ２ａ〜２ｈ…帯状の第１の電極 ２Ａ…電極 ２Ａ 1…第１の励振電極 ２Ａ 2…第１の引出し電極 ５…マスク ６ａ…帯状の第２の電極 ６Ａ…電極 ６Ａ1…第２の励振電極 ６Ａ2…第２の引出し電極 ７…圧電共振子 １３…第２のマザー基板 ２１…第１のマザー基板 ２１ａ…上面 ２１ｂ…下面 ２２ａ〜２２ｃ…帯状の第１の電極 ２３ａ…第１の主面としての上面 ２３ｂ…第２の主面としての下面 ４１…第１のマザー基板 ４２ａ〜４２ｈ…帯状の第１の電極としての内部電極 ４２Ｂ…内部電極 ４２Ｂ1…励振電極 ４２Ｂ2…引出し電極 ４３…第２のマザー基板 ４３ａ…第１の主面としての上面 ４３ｂ…第２の主面としての下面 ４４，４５…マスク ４６ａ，４６ｂ…帯状の第２の電極 ４６Ａ…電極 ４６Ａ1…励振電極 ４６Ａ2…引出し電極 ４６Ｂ…電極 ４６Ｂ1…励振電極 ４６Ｂ2…引出し電極 ４７…圧電共振子 ４８…圧電体 Ａ，Ａ' ，Ｂ，Ｂ' ，Ｄ，Ｄ' …切断位置
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電体と、励振部を構成するために圧電
体層を介して重なり合うように形成された複数の励振電
極と、各励振電極に連ねられておりかつ圧電体端部まで
引き出された複数の引出し電極とを備え、第１の電位に
接続される引出し電極と、第２の電位に接続される引出
し電極とが逆方向に延ばされている圧電共振子の製造方
法であって、 前記励振電極と引出し電極とを結ぶ方向を第１の方向と
したときに、第１の方向と直交する第２の方向に延ばさ
れた複数の帯状の第１の電極が第１の方向において所定
の間隔を隔てて配置された第１のマザー基板を用意する
工程と、 前記帯状の第１の電極の第１の方向における長さが目的
とする共振周波数に応じた長さとなるように、前記第１
のマザー基板を第２の方向に切断し、第２のマザー基板
を得る工程と、 第２のマザー基板の主面にマスクを用いて、第２の電位
に接続される励振電極及び引出し電極が第２の方向に連
ねられた帯状の第２の電極を形成する工程と、 前記第２のマザー基板を第１の方向に沿って切断し、複
数の圧電共振子を得る工程とを備えることを特徴とす
る、圧電共振子の製造方法。 - 【請求項２】 前記圧電体が細長いスリップ状の形状を
有し、該圧電体の長さ方向が前記第１の方向とされてい
る、請求項１に記載の圧電共振子の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１のマザー基板において、前記第
１の方向に直交する方向に延ばされた複数の帯状の第１
の電極が、第１のマザー基板の第１の主面に形成され、 前記第２のマザー基板の主面にマスクを用いて帯状の第
２の電極を形成する工程において、該帯状の第２の電極
を第２のマザー基板の第２の主面に形成することを特徴
とする、請求項１または２に記載の圧電共振子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記第１のマザー基板が厚み方向に分極
処理されており、厚み縦振動モードを利用した圧電共振
子を得ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに
記載の圧電共振子の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１のマザー基板が前記第１の方向
に分極処理されており、滑りモードを利用した圧電共振
子を得ることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに
記載の圧電共振子の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１のマザー基板において、前記第
１の方向に直交する方向に延ばされた帯状の第１の電極
が内部電極として形成されており、 前記第２のマザー基板の主面にマスクを用いて第２の方
向に連ねられた帯状の第２の電極を形成する工程におい
て、該帯状の第２の電極が、第２のマザー基板の第１，
第２の主面に形成され、 厚み縦振動モードの高調波を利用した圧電共振子を得る
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の圧電共振
子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05845498A JP3319378B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 圧電共振子の製造方法 |
| US09/264,096 US6014799A (en) | 1998-03-10 | 1999-03-08 | Method of manufacturing a piezoelectric resonator |
| DE19910368A DE19910368A1 (de) | 1998-03-10 | 1999-03-09 | Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Resonators |
| CN99103678.6A CN1130017C (zh) | 1998-03-10 | 1999-03-10 | 制造压电共振器的方法 |
| NL1011521A NL1011521C2 (nl) | 1998-03-10 | 1999-03-10 | Werkwijze voor het vervaardigen van een piezo-elektrische resonator. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05845498A JP3319378B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 圧電共振子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11261358A JPH11261358A (ja) | 1999-09-24 |
| JP3319378B2 true JP3319378B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=13084881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05845498A Expired - Lifetime JP3319378B2 (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | 圧電共振子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6014799A (ja) |
| JP (1) | JP3319378B2 (ja) |
| CN (1) | CN1130017C (ja) |
| DE (1) | DE19910368A1 (ja) |
| NL (1) | NL1011521C2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4223565B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2009-02-12 | エプソントヨコム株式会社 | Ａｔカット水晶振動子 |
| JP3461453B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2003-10-27 | 株式会社村田製作所 | 厚み縦圧電共振子及び圧電共振部品 |
| JP3446705B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2003-09-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子 |
| JP4539138B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子の製造方法 |
| JP4434082B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子の製造方法 |
| US7492241B2 (en) * | 2005-06-02 | 2009-02-17 | The Regents Of The University Of California | Contour-mode piezoelectric micromechanical resonators |
| CN104347794B (zh) * | 2014-09-09 | 2017-01-18 | 清华大学 | 一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0408306B1 (en) * | 1989-07-11 | 1996-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive actuator having at least one piezoelectric/electrostrictive film |
| JP3089851B2 (ja) * | 1992-09-16 | 2000-09-18 | 株式会社村田製作所 | チップ型圧電共振子の製造方法 |
| US5506463A (en) * | 1993-08-23 | 1996-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Packaged piezoelectric oscillator and method of making the same |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP05845498A patent/JP3319378B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-08 US US09/264,096 patent/US6014799A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-09 DE DE19910368A patent/DE19910368A1/de not_active Withdrawn
- 1999-03-10 CN CN99103678.6A patent/CN1130017C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-10 NL NL1011521A patent/NL1011521C2/nl not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1130017C (zh) | 2003-12-03 |
| DE19910368A1 (de) | 1999-09-23 |
| NL1011521A1 (nl) | 1999-09-13 |
| NL1011521C2 (nl) | 2003-06-24 |
| CN1232316A (zh) | 1999-10-20 |
| US6014799A (en) | 2000-01-18 |
| JPH11261358A (ja) | 1999-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7301260B2 (en) | Bulk acoustic wave device and method of manufacturing the same | |
| JP4128836B2 (ja) | 薄膜圧電共振子、それを用いたフィルタ及びデュプレクサ | |
| US10797679B2 (en) | Elastic wave device | |
| JP4872446B2 (ja) | バルク弾性波共振器、フィルタ回路、及びバルク弾性波共振器の製造方法 | |
| JP4324182B2 (ja) | 薄膜バルク音響共振器および表面音響波共振器が集積された集積フィルタおよびその製造方法 | |
| JPH01176110A (ja) | 電歪共振装置 | |
| JP2019208260A (ja) | 圧電薄膜素子の製造方法 | |
| JP3319378B2 (ja) | 圧電共振子の製造方法 | |
| EP0907244B1 (en) | Piezoelectric resonator and electronic component using the same resonator | |
| JP2000138554A (ja) | エネルギー閉じ込め型圧電共振子 | |
| JPH11112275A (ja) | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 | |
| US6040652A (en) | Piezoelectric resonator adapted to generate a harmonic wave in a thickness extensional vibration mode | |
| WO2022158249A1 (ja) | 弾性波装置、フィルタ装置及び弾性波装置の製造方法 | |
| JP2002152005A (ja) | 電子部品 | |
| KR100397724B1 (ko) | 두께 확장 진동 모드 압전 공진자, 사다리형 필터 및 압전공진부품 | |
| JPH01191508A (ja) | 電歪共振装置 | |
| JP2003069372A (ja) | 圧電装置、ラダー型フィルタ及び圧電装置の製造方法 | |
| JPH10126202A (ja) | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 | |
| US12047052B2 (en) | Acoustic wave device | |
| JPH10215140A (ja) | 圧電共振子およびそれを用いた電子部品 | |
| US20210351758A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JP7348794B2 (ja) | バルク弾性波共振器およびその製造方法 | |
| CN118232869A (zh) | 一种体声波谐振器 | |
| CN115714587A (zh) | 一种滤波器以及滤波器的制备方法 | |
| JPH07105685B2 (ja) | 圧電共振装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080621 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090621 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100621 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110621 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120621 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130621 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130621 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |