JP3301907B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の
各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段
を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶
縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を
絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材
等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導
体素子を気密に収容することによって製品としての半導
体装置となり、配線導体の絶縁基体下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に接続することによって
半導体素子の各電極が外部電気回路基板に電気的に接続
されることとなる。
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに半導体素子の
各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段
を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶
縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を
絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材
等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導
体素子を気密に収容することによって製品としての半導
体装置となり、配線導体の絶縁基体下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に接続することによって
半導体素子の各電極が外部電気回路基板に電気的に接続
されることとなる。
【0003】尚、前記配線基板は一般に、セラミックグ
リーンシート積層法によって製作されており、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用してシート
状とすることによって複数のセラミックグリーンシート
を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペー
ストを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミッ
クグリーンシートを所定の順に上下に積層して生セラミ
ック成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元
雰囲気中約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
リーンシート積層法によって製作されており、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用してシート
状とすることによって複数のセラミックグリーンシート
を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当
な打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペー
ストを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミッ
クグリーンシートを所定の順に上下に積層して生セラミ
ック成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元
雰囲気中約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板においては、セラミック生成形体を焼成す
る際、セラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
し、得られる配線基板に反り等の変形や寸法のばらつき
が発生し、その結果、半導体素子の各電極と配線導体と
を、或いは配線導体と外部電気回路基板の配線導体とを
正確、且つ確実に電気的に接続することが困難であると
いう欠点を有していた。
来の配線基板においては、セラミック生成形体を焼成す
る際、セラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
し、得られる配線基板に反り等の変形や寸法のばらつき
が発生し、その結果、半導体素子の各電極と配線導体と
を、或いは配線導体と外部電気回路基板の配線導体とを
正確、且つ確実に電気的に接続することが困難であると
いう欠点を有していた。
【0005】また得られる配線基板は、絶縁基体を構成
する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスが硬く
て脆い性質を有するため、搬送工程や半導体装置製作の
自動ライン等において配線基板同士が、あるいは配線基
板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突す
ると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生し、その
結果、半導体素子を気密に収容することができず、半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなるという欠点も有していた。
する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスが硬く
て脆い性質を有するため、搬送工程や半導体装置製作の
自動ライン等において配線基板同士が、あるいは配線基
板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突す
ると絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生し、その
結果、半導体素子を気密に収容することができず、半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができなくなるという欠点も有していた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の絶縁基体に所定
パターンの配線導体を被着させた配線基板の製造方法
は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆体シート
に、熱硬化性樹脂前駆体と表面が融点300℃以下の低
融点金属で被覆された銅粉末もしくは銀粉末とを混合し
て成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、
前記前駆体シートを加熱して半硬化させる工程と、前記
金属ペーストが印刷された半硬化の前駆体シートを複数
枚上下に積層するとともにこれを熱処理し、銅粉末もし
くは銀粉末を低融点金属で接合させるとともに、前記前
駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体と前記金属ペーストの
熱硬化性樹脂前駆体とを熱硬化させて一体化させる工程
と、から成ることを特徴とするものである。
パターンの配線導体を被着させた配線基板の製造方法
は、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆体シート
に、熱硬化性樹脂前駆体と表面が融点300℃以下の低
融点金属で被覆された銅粉末もしくは銀粉末とを混合し
て成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程と、
前記前駆体シートを加熱して半硬化させる工程と、前記
金属ペーストが印刷された半硬化の前駆体シートを複数
枚上下に積層するとともにこれを熱処理し、銅粉末もし
くは銀粉末を低融点金属で接合させるとともに、前記前
駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体と前記金属ペーストの
熱硬化性樹脂前駆体とを熱硬化させて一体化させる工程
と、から成ることを特徴とするものである。
【0007】また、本発明の製造方法は、前記金属ペー
ストの熱硬化性樹脂前駆体が導電性であることを特徴と
するものである。
ストの熱硬化性樹脂前駆体が導電性であることを特徴と
するものである。
【0008】更に、本発明の製造方法は、前記金属ペー
スト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オ
キシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれら
の金属塩のうちの少なくとも1種が含有されていること
を特徴とするものである。
スト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オ
キシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれら
の金属塩のうちの少なくとも1種が含有されていること
を特徴とするものである。
【0009】また更に、本発明の製造方法は、前記金属
ペースト中に無溶剤型希釈剤が含有されていることを特
徴とするものである。
ペースト中に無溶剤型希釈剤が含有されていることを特
徴とするものである。
【0010】本発明の配線基板の製造方法によれば、配
線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成り、金属ペーストが所定パ
ターンに印刷された半硬化の前駆体シートを複数枚上下
に積層するとともにこれを熱処理して熱硬化させること
によって形成しており、絶縁基体を得る際に焼成工程が
ないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法
のばらつきが発生することはない。
線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と無
機絶縁物粉末とを混合して成り、金属ペーストが所定パ
ターンに印刷された半硬化の前駆体シートを複数枚上下
に積層するとともにこれを熱処理して熱硬化させること
によって形成しており、絶縁基体を得る際に焼成工程が
ないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸法
のばらつきが発生することはない。
【0011】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
【0012】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
【0013】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【0014】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【0015】更に、本発明の製造方法によって得られる
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
【0016】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【0017】図1は、本発明の製造方法によって製作さ
れる配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合の一実施例を示し、1は絶縁
基体、2は配線導体である。
れる配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合の一実施例を示し、1は絶縁
基体、2は配線導体である。
【0018】前記絶縁基体1は、三枚の絶縁基板1a、
1b、1cを積層することによって形成されており、そ
の上面中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1dの底面には半導体素子3が樹脂等の接
着剤を介して接着固定される。
1b、1cを積層することによって形成されており、そ
の上面中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1dの底面には半導体素子3が樹脂等の接
着剤を介して接着固定される。
【0019】前記絶縁基体1を構成する絶縁基板1a、
1b、1cは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオラ
イト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂,ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂で結
合することによって形成されており、絶縁基体1を構成
する三枚の絶縁基板1a、1b、1cはその各々が無機
絶縁物粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂で結合すること
によって形成されていることから絶縁基体1に外力が印
加されても該外力によって絶縁基体1に欠けや割れ、ク
ラック等が発生することはない。
1b、1cは、例えば酸化珪素、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオラ
イト等の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹
脂,ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂で結
合することによって形成されており、絶縁基体1を構成
する三枚の絶縁基板1a、1b、1cはその各々が無機
絶縁物粉末を靭性に優れる熱硬化性樹脂で結合すること
によって形成されていることから絶縁基体1に外力が印
加されても該外力によって絶縁基体1に欠けや割れ、ク
ラック等が発生することはない。
【0020】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体1を構成する三枚の絶縁基板1
a、1b、1cは、無機絶縁物粉末の含有量が60重量
%未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3
の熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作
動時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両
者に印加されると、両者間に両者の熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によ
って半導体素子3が絶縁基体1から剥離したり、半導体
素子3に割れや欠け等が発生する危険性がある。また9
5重量%を超えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完
全に結合させることができず、所定の絶縁基板1a、1
b、1cを得ることが困難となる。従って、前記絶縁基
体1を構成する絶縁基板1a、1b、1cは、その各々
の内部に含有される無機絶縁物粉末の量を60乃至95
重量%の範囲としておくことが好ましい。
結合して成る絶縁基体1を構成する三枚の絶縁基板1
a、1b、1cは、無機絶縁物粉末の含有量が60重量
%未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3
の熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作
動時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両
者に印加されると、両者間に両者の熱膨張係数の相違に
起因する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によ
って半導体素子3が絶縁基体1から剥離したり、半導体
素子3に割れや欠け等が発生する危険性がある。また9
5重量%を超えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完
全に結合させることができず、所定の絶縁基板1a、1
b、1cを得ることが困難となる。従って、前記絶縁基
体1を構成する絶縁基板1a、1b、1cは、その各々
の内部に含有される無機絶縁物粉末の量を60乃至95
重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0021】また前記絶縁基体1は、その凹部1d周辺
から下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該
配線導体2は銅もしくは銀粉末を融点が300℃以下の
低融点金属、例えば半田で接合させたものを熱硬化性樹
脂を介し絶縁基体1に接着させて形成されている。
から下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該
配線導体2は銅もしくは銀粉末を融点が300℃以下の
低融点金属、例えば半田で接合させたものを熱硬化性樹
脂を介し絶縁基体1に接着させて形成されている。
【0022】前記配線導体2は、内部に収容する半導体
素子3の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用
を為し、絶縁基体1の凹部1d周辺に位置する部位には
半導体素子3の各電極がボンディングワイヤ4を介して
電気的に接続され、また絶縁基体1の下面に導出された
部位は外部電気回路に電気的に接続される。
素子3の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用
を為し、絶縁基体1の凹部1d周辺に位置する部位には
半導体素子3の各電極がボンディングワイヤ4を介して
電気的に接続され、また絶縁基体1の下面に導出された
部位は外部電気回路に電気的に接続される。
【0023】前記配線導体2はまた銅粉末もしくは銀粉
末を融点が300℃以下の低融点金属で接合することに
よって形成されており、銅粉末もしくは銀粉末間の電気
的接続を確実として配線導体2の電気抵抗を低抵抗とな
すことができる。
末を融点が300℃以下の低融点金属で接合することに
よって形成されており、銅粉末もしくは銀粉末間の電気
的接続を確実として配線導体2の電気抵抗を低抵抗とな
すことができる。
【0024】尚、前記配線導体2は、その露出する表面
にニッケル、金等の耐食性に優れ、かつ良導電性の金属
をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層着
させておくと配線導体2の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに配線導体2とボンディングワイヤ4
とを強固に電気的に接続させることができる。従って前
記配線導体2は、その露出する表面にニッケルや金等の
耐食性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により
1.0乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが
好ましい。
にニッケル、金等の耐食性に優れ、かつ良導電性の金属
をメッキ法により1.0乃至20.0μmの厚みに層着
させておくと配線導体2の酸化腐食を有効に防止するこ
とができるとともに配線導体2とボンディングワイヤ4
とを強固に電気的に接続させることができる。従って前
記配線導体2は、その露出する表面にニッケルや金等の
耐食性に優れ、且つ良導電性の金属をメッキ法により
1.0乃至20.0μmの厚みに層着させておくことが
好ましい。
【0025】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体1の凹部1d底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤
を介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極を
ボンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接
続し、最後に前記絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等か
ら成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5と
から成る容器内部に半導体素子3を気密に収容すること
により製品としての半導体装置が完成する。
基体1の凹部1d底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤
を介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極を
ボンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接
続し、最後に前記絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等か
ら成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5と
から成る容器内部に半導体素子3を気密に収容すること
により製品としての半導体装置が完成する。
【0026】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について図2に基づき説明
する。
用される配線基板の製造方法について図2に基づき説明
する。
【0027】先ず、図2(a)に示すように三枚の前駆
体シート11a、11b、11cを準備する。
体シート11a、11b、11cを準備する。
【0028】前記三枚の前駆体シート11a、11b、
11cは、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオライト等の無
機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂,ポリフ
ェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂前駆体で結合す
ることによって形成されており、例えば、粒径が0.1
μm〜100μm程度の酸化珪素粉末にビスフェノール
A型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシ
ジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミ
ン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤
等の硬化剤を添加混合してペースト状となし、しかる
後、このペーストをシート状になすとともに約25〜1
00℃の温度で1〜60分間加熱し、半硬化させること
によって製作される。
11cは、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニ
ウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、ゼオライト等の無
機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂,ポリフ
ェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂前駆体で結合す
ることによって形成されており、例えば、粒径が0.1
μm〜100μm程度の酸化珪素粉末にビスフェノール
A型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシ
ジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミ
ン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤
等の硬化剤を添加混合してペースト状となし、しかる
後、このペーストをシート状になすとともに約25〜1
00℃の温度で1〜60分間加熱し、半硬化させること
によって製作される。
【0029】次に図2(b)に示すように前記三枚の前
駆体シート11a、11b、11cのうち二枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
dとなる開口A、A’を、二枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
駆体シート11a、11b、11cのうち二枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
dとなる開口A、A’を、二枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
【0030】前記開口A、A’及び貫通孔B、B’は、
前駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパン
チング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、1
1cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成
される。
前駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパン
チング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、1
1cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成
される。
【0031】次に図2(c)に示すように、前記前駆体
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2となる金属ペースト12を従来周知のスクリ
ーン印刷法及び充填法を採用して所定パターンに印刷塗
布する。
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2となる金属ペースト12を従来周知のスクリ
ーン印刷法及び充填法を採用して所定パターンに印刷塗
布する。
【0032】前記配線導体2となる金属ペースト12と
しては、例えば、粒径が0.1〜20μm程度の表面が
融点300℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末
もしくは銀粉末と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミゾ
ール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合
し、ペースト状となしたものが使用される。
しては、例えば、粒径が0.1〜20μm程度の表面が
融点300℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末
もしくは銀粉末と、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミゾ
ール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合
し、ペースト状となしたものが使用される。
【0033】尚、前記金属ペースト12の銅粉末もしく
は銀粉末の表面を被覆する融点300℃以下の低融点金
属としては、例えば錫−鉛から成る半田が使用されてお
り、且つ前記金属ペースト12に含有される表面が融点
300℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末もし
くは銀粉末は、その平均粒径が0.1μm未満となると
銅粉末もしくは銀粉末が凝集して均一な分散が得られな
くなり、また50μmを超えると配線導体2の幅を一般
的に要求される50μm〜200μmの範囲に印刷形成
するのが困難となる傾向にある。従って、前記金属ペー
スト12に含有される表面が融点300℃以下の低融点
金属で被覆されている銅粉末もしくは銀粉末はその平均
粒径を0.1μm乃至50μmの範囲としておくことが
好ましい。
は銀粉末の表面を被覆する融点300℃以下の低融点金
属としては、例えば錫−鉛から成る半田が使用されてお
り、且つ前記金属ペースト12に含有される表面が融点
300℃以下の低融点金属で被覆されている銅粉末もし
くは銀粉末は、その平均粒径が0.1μm未満となると
銅粉末もしくは銀粉末が凝集して均一な分散が得られな
くなり、また50μmを超えると配線導体2の幅を一般
的に要求される50μm〜200μmの範囲に印刷形成
するのが困難となる傾向にある。従って、前記金属ペー
スト12に含有される表面が融点300℃以下の低融点
金属で被覆されている銅粉末もしくは銀粉末はその平均
粒径を0.1μm乃至50μmの範囲としておくことが
好ましい。
【0034】そして最後に前記三枚の半硬化された前駆
体シート11a、11b、11cを上下に積層するとと
もにこれを約300℃の温度で約10秒〜24時間加熱
し、前駆体シート11b、11cに所定パターンに印刷
塗布された金属ペースト12の銅粉末もしくは銀粉末の
表面を被覆している低融点金属を溶融させ、該溶融した
低融点金属で銅粉末もしくは銀粉末を接合させるととも
に前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹脂
前駆体と金属ペースト12の熱硬化性樹脂前駆体とを完
全に熱硬化させ、一体化させることによって図1に示す
ような絶縁基体1に配線導体2を被着させた配線基板が
完成する。この場合、熱処理温度が300℃であること
から前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹
脂を熱分解させることなく低融点金属を溶融させ、銅粉
末もしくは銀粉末を低融点金属で接合させることができ
る。また前記前駆体シート11a、11b、11c及び
金属ペースト12は、熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法のばらつき
が発生することも有効に防止されて半導体素子と配線導
体とを正確に接続することが可能となる。
体シート11a、11b、11cを上下に積層するとと
もにこれを約300℃の温度で約10秒〜24時間加熱
し、前駆体シート11b、11cに所定パターンに印刷
塗布された金属ペースト12の銅粉末もしくは銀粉末の
表面を被覆している低融点金属を溶融させ、該溶融した
低融点金属で銅粉末もしくは銀粉末を接合させるととも
に前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹脂
前駆体と金属ペースト12の熱硬化性樹脂前駆体とを完
全に熱硬化させ、一体化させることによって図1に示す
ような絶縁基体1に配線導体2を被着させた配線基板が
完成する。この場合、熱処理温度が300℃であること
から前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹
脂を熱分解させることなく低融点金属を溶融させ、銅粉
末もしくは銀粉末を低融点金属で接合させることができ
る。また前記前駆体シート11a、11b、11c及び
金属ペースト12は、熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法のばらつき
が発生することも有効に防止されて半導体素子と配線導
体とを正確に接続することが可能となる。
【0035】更に金属ペースト12を熱処理することに
よって形成される配線導体2は融点が300℃以下の低
融点金属で銅粉末もしくは銀粉末間を接合していること
から銅粉末もしくは銀粉末間の電気的接続が確実とな
り、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。
よって形成される配線導体2は融点が300℃以下の低
融点金属で銅粉末もしくは銀粉末間を接合していること
から銅粉末もしくは銀粉末間の電気的接続が確実とな
り、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。
【0036】また更に、前記配線導体2となる金属ペー
スト12はビスフェノールA型エポキシ樹脂やノボラッ
ク型エポキシ樹脂等に替えて導電性ポリピロール樹脂や
ポリパラフェニレン樹脂、ポリアニリン樹脂等の導電性
樹脂を使用すると、金属ペースト12を熱処理し、銅粉
末もしくは銀粉末間を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面
を被覆している融点が300℃以下の低融点金属で接合
するとともに熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させて配線導
体2となす際、低融点金属による銅粉末もしくは銀粉末
間の接合に一部不完全なところがあったとしてもその不
完全な部分は導電性の樹脂による電気的接続で補充さ
れ、その結果、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接続がよ
り確実となり、配線導体2の電気抵抗をより低抵抗とな
すことができる。
スト12はビスフェノールA型エポキシ樹脂やノボラッ
ク型エポキシ樹脂等に替えて導電性ポリピロール樹脂や
ポリパラフェニレン樹脂、ポリアニリン樹脂等の導電性
樹脂を使用すると、金属ペースト12を熱処理し、銅粉
末もしくは銀粉末間を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面
を被覆している融点が300℃以下の低融点金属で接合
するとともに熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させて配線導
体2となす際、低融点金属による銅粉末もしくは銀粉末
間の接合に一部不完全なところがあったとしてもその不
完全な部分は導電性の樹脂による電気的接続で補充さ
れ、その結果、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接続がよ
り確実となり、配線導体2の電気抵抗をより低抵抗とな
すことができる。
【0037】更にまた、前記配線導体2となる金属ペー
スト12はその内部に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペースト12を熱処理して配線導体2を
形成する際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆してい
る低融点金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結
果、銅粉末もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合
が良好となり、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができる。尚、この場合、脂肪酸またはその金属塩、
金属キレート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカ
ルボン酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種は
その含有量が金属ペースト12の全重量に対し1.0重
量%を超えると、該脂肪酸またはその金属塩、金属キレ
ート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸
及びそれらの金属塩が配線導体2中に大量に残留して配
線導体2の電気抵抗が高いものとなる危険性があり、ま
た0.01重量%未満となると低融点金属の溶融、流れ
出しを速く起こすことができず、銅粉末もしくは銀粉末
間の低融点金属を介しての接合を良好とすることが困難
となる危険性がある。
スト12はその内部に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペースト12を熱処理して配線導体2を
形成する際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆してい
る低融点金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結
果、銅粉末もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合
が良好となり、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができる。尚、この場合、脂肪酸またはその金属塩、
金属キレート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカ
ルボン酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種は
その含有量が金属ペースト12の全重量に対し1.0重
量%を超えると、該脂肪酸またはその金属塩、金属キレ
ート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン酸
及びそれらの金属塩が配線導体2中に大量に残留して配
線導体2の電気抵抗が高いものとなる危険性があり、ま
た0.01重量%未満となると低融点金属の溶融、流れ
出しを速く起こすことができず、銅粉末もしくは銀粉末
間の低融点金属を介しての接合を良好とすることが困難
となる危険性がある。
【0038】従って、金属ペースト12中に含有される
脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オキシジカ
ルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれらの金属塩
のうちの少なくとも1種はその含有量が金属ペースト1
2の全重量に対し0.01重量%乃至1.0重量%の範
囲としておくことが好ましい。
脂肪酸またはその金属塩、金属キレート剤、オキシジカ
ルボン酸またはアミノジカルボン酸及びそれらの金属塩
のうちの少なくとも1種はその含有量が金属ペースト1
2の全重量に対し0.01重量%乃至1.0重量%の範
囲としておくことが好ましい。
【0039】前記配線導体2となる金属ペースト12は
またその内部に無溶剤型希釈剤、具体的にはO−トルイ
ジンやアニリン等のグリシジルアミンを含有させておく
と、金属ペースト12を熱処理し、銅粉末もしくは銀粉
末を低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前
駆体を熱硬化させて配線導体2となす際、熱硬化性樹脂
前駆体の粘度を下げ、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被
覆している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合が良好と
なり、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。この無溶剤型希釈剤は金属ペースト12の全重量に
対し10重量%を超えると配線導体2の強度が低いもの
となるとともに配線導体2と絶縁基板1b、1cとの密
着性が悪いものとなり、配線導体2が絶縁基板1b、1
cから剥離してしまう危険性があり、また0.1重量%
未満となると、金属ペースト12の粘度を十分に低下さ
せることができず、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆
している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合を良好とす
ることが困難となる危険性がある。従って、金属ペース
ト12中に含有される無溶剤型希釈剤は金属ペースト1
2の全重量に対し0.1重量%乃至10重量%の範囲と
しておくことが好ましい。
またその内部に無溶剤型希釈剤、具体的にはO−トルイ
ジンやアニリン等のグリシジルアミンを含有させておく
と、金属ペースト12を熱処理し、銅粉末もしくは銀粉
末を低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前
駆体を熱硬化させて配線導体2となす際、熱硬化性樹脂
前駆体の粘度を下げ、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被
覆している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合が良好と
なり、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすことができ
る。この無溶剤型希釈剤は金属ペースト12の全重量に
対し10重量%を超えると配線導体2の強度が低いもの
となるとともに配線導体2と絶縁基板1b、1cとの密
着性が悪いものとなり、配線導体2が絶縁基板1b、1
cから剥離してしまう危険性があり、また0.1重量%
未満となると、金属ペースト12の粘度を十分に低下さ
せることができず、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆
している低融点金属の溶融、流動を容易として銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介しての接合を良好とす
ることが困難となる危険性がある。従って、金属ペース
ト12中に含有される無溶剤型希釈剤は金属ペースト1
2の全重量に対し0.1重量%乃至10重量%の範囲と
しておくことが好ましい。
【0040】また前記配線導体2となる金属ペースト1
2は銅粉末もしくは銀粉末と、融点が300℃以下の低
融点金属の合計重量が金属ペースト12の全重量に対
し、70重量%未満となると銅粉末もしくは銀粉末と低
融点金属との接合が不完全となる危険性があり、また9
5重量%を超えると熱硬化性樹脂で配線導体2を絶縁基
体1に強固に接着させるのが困難となるとともに配線導
体2が脆弱となる傾向にある。従って、前記金属ペース
ト12に含有される銅粉末もしくは銀粉末と、低融点金
属の合計重量は金属ペースト12の全重量に対し70重
量%乃至95重量%の範囲としておくことが好ましい。
2は銅粉末もしくは銀粉末と、融点が300℃以下の低
融点金属の合計重量が金属ペースト12の全重量に対
し、70重量%未満となると銅粉末もしくは銀粉末と低
融点金属との接合が不完全となる危険性があり、また9
5重量%を超えると熱硬化性樹脂で配線導体2を絶縁基
体1に強固に接着させるのが困難となるとともに配線導
体2が脆弱となる傾向にある。従って、前記金属ペース
ト12に含有される銅粉末もしくは銀粉末と、低融点金
属の合計重量は金属ペースト12の全重量に対し70重
量%乃至95重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0041】更に前記金属ペースト12に含有される銅
粉末もしくは銀粉末と、融点が300℃以下の低融点金
属は、銅粉末もしくは銀粉末の量が該銅粉末もしくは銀
粉末と融点が300℃以下の低融点金属の合計重量に対
し20重量%未満となると銅粉末もしくは銀粉末に対し
て低融点金属が多くなり、低融点金属同士が溶融し合っ
て銅粉末もしくは銀粉末を取り込んだ一体化が困難とな
って配線導体2の電気抵抗値が高くなる傾向にあり、ま
た80重量%を超えると銅粉末もしくは銀粉末を接合さ
せる低融点金属の量が相対的に少なくなり、銅粉末もし
くは銀粉末を完全に接合させることができず、配線導体
2の電気抵抗値が高くなってしまう傾向にある。従っ
て、前記配線導体2となる金属ペースト12に含有され
る銅粉末もしくは銀粉末は、該銅粉末もしくは銀粉末と
融点が300℃以下の低融点金属の合計重量に対し20
重量%乃至80重量%の範囲としておくことが好まし
い。
粉末もしくは銀粉末と、融点が300℃以下の低融点金
属は、銅粉末もしくは銀粉末の量が該銅粉末もしくは銀
粉末と融点が300℃以下の低融点金属の合計重量に対
し20重量%未満となると銅粉末もしくは銀粉末に対し
て低融点金属が多くなり、低融点金属同士が溶融し合っ
て銅粉末もしくは銀粉末を取り込んだ一体化が困難とな
って配線導体2の電気抵抗値が高くなる傾向にあり、ま
た80重量%を超えると銅粉末もしくは銀粉末を接合さ
せる低融点金属の量が相対的に少なくなり、銅粉末もし
くは銀粉末を完全に接合させることができず、配線導体
2の電気抵抗値が高くなってしまう傾向にある。従っ
て、前記配線導体2となる金属ペースト12に含有され
る銅粉末もしくは銀粉末は、該銅粉末もしくは銀粉末と
融点が300℃以下の低融点金属の合計重量に対し20
重量%乃至80重量%の範囲としておくことが好まし
い。
【0042】尚、本発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例で
は、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明し
たが、例えば混成集積回路等他の用途に使用される配線
基板に適用してもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例で
は、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明し
たが、例えば混成集積回路等他の用途に使用される配線
基板に適用してもよい。
【0043】また、上述の実施例では、三枚の前駆体シ
ートを積層することによって配線基板を製作したが、二
枚、あるいは四枚以上の前駆体シートを使用して配線基
板を製作してもよい。
ートを積層することによって配線基板を製作したが、二
枚、あるいは四枚以上の前駆体シートを使用して配線基
板を製作してもよい。
【0044】
【発明の効果】本発明の配線基板の製造方法によれば、
配線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と
無機絶縁物粉末とを混合して成り、金属ペーストが所定
パターンに印刷された半硬化の前駆体シートを複数枚上
下に積層するとともにこれを熱処理して熱硬化させるこ
とによって形成しており、絶縁基体を得る際に焼成工程
がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸
法のばらつきが発生することはない。
配線導体が被着される絶縁基体を熱硬化性樹脂前駆体と
無機絶縁物粉末とを混合して成り、金属ペーストが所定
パターンに印刷された半硬化の前駆体シートを複数枚上
下に積層するとともにこれを熱処理して熱硬化させるこ
とによって形成しており、絶縁基体を得る際に焼成工程
がないことから焼成に伴う不均一な収縮による変形や寸
法のばらつきが発生することはない。
【0045】また、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
ば、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末
を、該銅粉末もしくは銀粉末の表面に被着している低融
点金属で接合させることによって配線導体を形成してお
り、銅粉末もしくは銀粉末間の接合が低融点金属で確実
となり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となす
ことができる。
【0046】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
ば、金属ペーストに使用される熱硬化性樹脂前駆体を導
電性としておくと銅粉末もしくは銀粉末を低融点金属で
接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させ
て配線導体となす際、銅粉末もしくは銀粉末の電気的接
続がより確実となり、配線導体の電気抵抗をより低抵抗
となすことができる。
【0047】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
ば、金属ペースト中に脂肪酸またはその金属塩、金属キ
レート剤、オキシジカルボン酸またはアミノジカルボン
酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも1種を含有さ
せておくと金属ペーストを熱処理して配線導体となす
際、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆している低融点
金属の溶融、流れ出しが速く起こり、その結果、銅粉末
もしくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【0048】更に、本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
ば、金属ペースト中に無溶剤型希釈剤を含有させておく
と、金属ペーストを熱処理し、銅粉末もしくは銀粉末を
低融点金属で接合させるとともに、熱硬化性樹脂前駆体
を熱硬化させて配線導体となす際、熱硬化性樹脂前駆体
の粘度が下がり、銅粉末もしくは銀粉末の表面を被覆し
ている低融点金属の溶融、流動が容易となって銅粉末も
しくは銀粉末間の低融点金属を介して接合が良好とな
り、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすことができる。
【0049】更に、本発明の製造方法によって得られる
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
配線基板は、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靱性に優れる
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されているこ
とから配線基板同士あるいは配線基板と半導体装置製作
自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁基体に欠け
や割れ、クラック等が発生することはない。
【図1】本発明の製造方法によって製作される配線基板
を半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施
例を示す断面図である。
を半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施
例を示す断面図である。
【図2】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
図である。
図である。
1・・・絶縁基体 2・・・配線導体 11・・・前駆体シート 12・・・金属ペースト
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−61395(JP,A) 特開 平7−9609(JP,A) 特開 平4−348935(JP,A) 特開 平5−28829(JP,A) 特開 昭57−113505(JP,A) 特開 昭58−121504(JP,A) 特開 平1−294303(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/02,1/03,1/09 H05K 3/12,3/46 H01L 23/12 - 23/15 H01B 1/00 - 1/24
Claims (4)
- 【請求項1】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆
体シートに、熱硬化性樹脂前駆体と表面が融点300℃
以下の低融点金属で被覆された銅粉末もしくは銀粉末と
を混合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する
工程と、前記前駆体シートを加熱して半硬化させる工程
と、前記金属ペーストが印刷された半硬化の前駆体シー
トを複数枚上下に積層するとともにこれを熱処理し、銅
粉末もしくは銀粉末を低融点金属で接合させるととも
に、前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体と前記金属
ペーストの熱硬化性樹脂前駆体とを熱硬化させて一体化
させる工程と、から成ることを特徴とする絶縁基体に所
定パターンの配線導体を被着させた配線基板の製造方
法。 - 【請求項2】前記金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体が
導電性であることを特徴とする請求項1に記載の配線基
板の製造方法。 - 【請求項3】前記金属ペースト中に脂肪酸またはその金
属塩、金属キレート剤、オキシジカルボン酸またはアミ
ノジカルボン酸及びそれらの金属塩のうちの少なくとも
1種が含有されていることを特徴とする請求項1もしく
は請求項2に記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項4】前記金属ペースト中に無溶剤型希釈剤が含
有されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3の
いずれかに記載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3608096A JP3301907B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 配線基板の製造方法 |
US08/717,119 US5837356A (en) | 1995-09-22 | 1996-09-20 | Wiring board and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3608096A JP3301907B2 (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09232727A JPH09232727A (ja) | 1997-09-05 |
JP3301907B2 true JP3301907B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=12459769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3608096A Expired - Fee Related JP3301907B2 (ja) | 1995-09-22 | 1996-02-23 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3301907B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4908194B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2012-04-04 | 日本航空電子工業株式会社 | 導電性インクとそれを用いた印刷配線基板とその製造方法 |
JP5087384B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2012-12-05 | 三菱製紙株式会社 | 導電性部材の製造方法および導電性部材 |
WO2021193736A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペースト |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP3608096A patent/JP3301907B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH09232727A (ja) | 1997-09-05 |
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