JP3301172B2 - 露光パターンの分割方法及び露光方法 - Google Patents
露光パターンの分割方法及び露光方法Info
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- JP3301172B2 JP3301172B2 JP20103293A JP20103293A JP3301172B2 JP 3301172 B2 JP3301172 B2 JP 3301172B2 JP 20103293 A JP20103293 A JP 20103293A JP 20103293 A JP20103293 A JP 20103293A JP 3301172 B2 JP3301172 B2 JP 3301172B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
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- G—PHYSICS
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は露光パターン(デバイス
パターン)の分割方法に関し、例えば大型の液晶基板に
マスクのパターンを露光転写する際の露光パターンの分
割方法に適用して好適なものである。
パターン)の分割方法に関し、例えば大型の液晶基板に
マスクのパターンを露光転写する際の露光パターンの分
割方法に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、マスク(レチクル)に形成された
パターンを投影レンズを介して露光基板上に露光する露
光装置としては、図12に示すように矢印X及びYで示
す方向に移動し得るXYステージ5上に載置された露光
基板Pに対して、マスクMに形成されたパターンを投影
レンズ4を介して露光することにより、当該マスクMの
パターンを露光基板P上に露光転写するようになされて
いる。
パターンを投影レンズを介して露光基板上に露光する露
光装置としては、図12に示すように矢印X及びYで示
す方向に移動し得るXYステージ5上に載置された露光
基板Pに対して、マスクMに形成されたパターンを投影
レンズ4を介して露光することにより、当該マスクMの
パターンを露光基板P上に露光転写するようになされて
いる。
【0003】この種の露光装置1においては、大型の露
光基板に対して当該露光基板の全露光パターンを一括で
露光できない場合、露光基板の全露光パターンをいくつ
かの単位パターンに分割してそれぞれの単位パターンを
互いに繋ぎ露光する必要がある。
光基板に対して当該露光基板の全露光パターンを一括で
露光できない場合、露光基板の全露光パターンをいくつ
かの単位パターンに分割してそれぞれの単位パターンを
互いに繋ぎ露光する必要がある。
【0004】すなわち図13は露光基板P上の露光パタ
ーンを示し、当該露光基板Pの全面に当該パターンを露
光する場合の全露光パターンPAには例えば回路パター
ンを形成してなる画素部P1と当該画素部P1の端子等
を形成してなる周辺部P2とによつて構成されている。
ーンを示し、当該露光基板Pの全面に当該パターンを露
光する場合の全露光パターンPAには例えば回路パター
ンを形成してなる画素部P1と当該画素部P1の端子等
を形成してなる周辺部P2とによつて構成されている。
【0005】この露光基板P上に露光される全露光パタ
ーンPAをマスクMの大きさ等に応じて例えば4つの単
位パターンPMに分割し、それぞれの単位パターンPM
を単数又は複数のマスクMに形成して、各単位パターン
PMごとに互いに繋ぎ露光することにより、全露光パタ
ーンPAを形成することができる。
ーンPAをマスクMの大きさ等に応じて例えば4つの単
位パターンPMに分割し、それぞれの単位パターンPM
を単数又は複数のマスクMに形成して、各単位パターン
PMごとに互いに繋ぎ露光することにより、全露光パタ
ーンPAを形成することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところがかかる方法に
よつて露光基板P上に全露光パターンPAを露光転写し
ようとすると、全露光パターンPAを単位パターンPM
に分割する分割方法が複数考えられることにより、当該
複数の分割方法から露光処理時間及び使用するマスクM
の枚数等が最も適切な方法を試行錯誤を繰り返して選択
するといつた煩雑な作業を回避し得ない問題があつた。
よつて露光基板P上に全露光パターンPAを露光転写し
ようとすると、全露光パターンPAを単位パターンPM
に分割する分割方法が複数考えられることにより、当該
複数の分割方法から露光処理時間及び使用するマスクM
の枚数等が最も適切な方法を試行錯誤を繰り返して選択
するといつた煩雑な作業を回避し得ない問題があつた。
【0007】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得るこ
とができる露光パターンの分割方法を提案しようとする
ものである。
で、一段と簡易な方法によつて適切な分割方法を得るこ
とができる露光パターンの分割方法を提案しようとする
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、露光基板P上に露光転写しようと
する露光パターンPAを分割してなる複数種類の単位パ
ターンPMのそれぞれを単数又は複数のマスクM上に形
成し、マスクMに形成された単位パターンPMのそれぞ
れを投影レンズ4を介してステージ5上に載置された露
光基板Pに対して互いに繋ぎ露光することにより、露光
基板P上に単位パターンPMの集合でなる露光パターン
PAを形成する露光装置1の露光パターンPAの分割方
法において、露光基板Pの大きさを表すパラメータD
X、DYとマスクMの大きさを表すパラメータMX、M
Yと露光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ5の
最大移動量を表すパラメータとに基づいて露光パターン
PAを分割するようにする。
め本発明においては、露光基板P上に露光転写しようと
する露光パターンPAを分割してなる複数種類の単位パ
ターンPMのそれぞれを単数又は複数のマスクM上に形
成し、マスクMに形成された単位パターンPMのそれぞ
れを投影レンズ4を介してステージ5上に載置された露
光基板Pに対して互いに繋ぎ露光することにより、露光
基板P上に単位パターンPMの集合でなる露光パターン
PAを形成する露光装置1の露光パターンPAの分割方
法において、露光基板Pの大きさを表すパラメータD
X、DYとマスクMの大きさを表すパラメータMX、M
Yと露光光の光軸に対して垂直な面内でのステージ5の
最大移動量を表すパラメータとに基づいて露光パターン
PAを分割するようにする。
【0009】また本発明においては、露光パターンの分
割方法は、露光基板Pの大きさを表すパラメータDX、
DYとマスクMの大きさを表すパラメータMX、MYと
に基づいて露光パターンPAを分割するか否かを決定
し、マスクMの大きさを表すパラメータMX、MYとス
テージ5の最大移動量を表すパラメータとに基づいて露
光パターンPAの分割数を決定するようにする。
割方法は、露光基板Pの大きさを表すパラメータDX、
DYとマスクMの大きさを表すパラメータMX、MYと
に基づいて露光パターンPAを分割するか否かを決定
し、マスクMの大きさを表すパラメータMX、MYとス
テージ5の最大移動量を表すパラメータとに基づいて露
光パターンPAの分割数を決定するようにする。
【0010】また本発明においては、露光パターンの分
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要する時間が最も短
い分割方法を選択するようにする。
割方法は、複数のパラメータに基づいて決定された複数
の分割方法のうち、露光処理工程に要する時間が最も短
い分割方法を選択するようにする。
【0011】さらに本発明においては、複数のパラメー
タに基づいて決定された複数の分割方法のうち、露光処
理工程に要するマスクMの枚数が最も少ない分割方法を
選択するようにする。さらに本発明においては、移動可
能なステージ5に載置された基板PにパターンPAを露
光する露光方法において、パターンPAの大きさと、基
板Pの大きさと、ステージ5の移動量とに基づいて、パ
ターンPAを分割する第1のステツプと、分割されたパ
ターンPMを基板5に繋ぎ合わせて露光する第2のステ
ツプとを備えるようにする。さらに本発明においては、
パターンPAの分割は、分割されるパターンPMの数を
少なくするように行われるようにする。さらに本発明に
おいては、パターンPAの分割は、パターンPAのうち
の共通パターンAを抽出するステツプSP15を含むよ
うにする。
タに基づいて決定された複数の分割方法のうち、露光処
理工程に要するマスクMの枚数が最も少ない分割方法を
選択するようにする。さらに本発明においては、移動可
能なステージ5に載置された基板PにパターンPAを露
光する露光方法において、パターンPAの大きさと、基
板Pの大きさと、ステージ5の移動量とに基づいて、パ
ターンPAを分割する第1のステツプと、分割されたパ
ターンPMを基板5に繋ぎ合わせて露光する第2のステ
ツプとを備えるようにする。さらに本発明においては、
パターンPAの分割は、分割されるパターンPMの数を
少なくするように行われるようにする。さらに本発明に
おいては、パターンPAの分割は、パターンPAのうち
の共通パターンAを抽出するステツプSP15を含むよ
うにする。
【0012】
【作用】請求項1から請求項4までに記載の発明では、
露光基板Pの大きさを表すパラメータDX、DYとマス
クMの大きさを表すパラメータMX、MYと露光光の光
軸に対して垂直な面内でのステージ5の最大移動量を表
すパラメータとでなる制限要因に基づいて露光パターン
PAを分割することにより、一段と簡単に適切な分割方
法を得ることができる。また請求項5に記載の発明で
は、パターンPAの大きさと、基板Pの大きさと、ステ
ージ5の移動量との基づいて、パターンPAを分割する
ステツプと、分割されたパターンPMを基板5につなぎ
合わせて露光するステツプとを含んでいる。さらに請求
項6記載の発では、パターンPAを分割する際に分割さ
れるパターンPMの数を少なくしている。さらに請求項
7記載の発明では、パターンPAを分割する際に共通パ
ターンAを抽出している。
露光基板Pの大きさを表すパラメータDX、DYとマス
クMの大きさを表すパラメータMX、MYと露光光の光
軸に対して垂直な面内でのステージ5の最大移動量を表
すパラメータとでなる制限要因に基づいて露光パターン
PAを分割することにより、一段と簡単に適切な分割方
法を得ることができる。また請求項5に記載の発明で
は、パターンPAの大きさと、基板Pの大きさと、ステ
ージ5の移動量との基づいて、パターンPAを分割する
ステツプと、分割されたパターンPMを基板5につなぎ
合わせて露光するステツプとを含んでいる。さらに請求
項6記載の発では、パターンPAを分割する際に分割さ
れるパターンPMの数を少なくしている。さらに請求項
7記載の発明では、パターンPAを分割する際に共通パ
ターンAを抽出している。
【0013】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【0014】図1において10は全体として露光装置1
(図12)における露光パターンの分割演算を実行する
処理装置を示し、例えばキーボード等でなる入力部12
において入力されたユーザパラメータを演算処理部11
に送出し、当該演算処理部11において露光パターンの
分割数、分割方法等が演算処理され、当該処理結果が例
えばモニタ等でなる出力部13に送出される。
(図12)における露光パターンの分割演算を実行する
処理装置を示し、例えばキーボード等でなる入力部12
において入力されたユーザパラメータを演算処理部11
に送出し、当該演算処理部11において露光パターンの
分割数、分割方法等が演算処理され、当該処理結果が例
えばモニタ等でなる出力部13に送出される。
【0015】ここで図2は演算処理部11において実行
される露光パターンの分割処理手順を示し、演算処理部
11はステツプSP1から当該処理手順に入り、ステツ
プSP12において入力部12からユーザパラメータが
入力されるのを待ち受ける。
される露光パターンの分割処理手順を示し、演算処理部
11はステツプSP1から当該処理手順に入り、ステツ
プSP12において入力部12からユーザパラメータが
入力されるのを待ち受ける。
【0016】ここでユーザパラメータとしては、露光基
板の大きさ、マスクの大きさ、マスクの枚数及びXYス
テージのX及びY方向への最大移動量があり、これらの
パラメータが露光パターンを分割するにあたつての制限
要因となる。
板の大きさ、マスクの大きさ、マスクの枚数及びXYス
テージのX及びY方向への最大移動量があり、これらの
パラメータが露光パターンを分割するにあたつての制限
要因となる。
【0017】従つて演算処理部11はステツプSP12
において当該制限要因が入力されると、続くステツプS
P13に移つて上記制限要因に基づいて露光基板上に露
光される全露光パターンを分割するか否かを決定する。
において当該制限要因が入力されると、続くステツプS
P13に移つて上記制限要因に基づいて露光基板上に露
光される全露光パターンを分割するか否かを決定する。
【0018】すなわち図13との対応部分に同一符号を
付して示す図3においてDX及びDYはそれぞれ露光基
板Pの大きさを示し、この大きさが図4に示すマスクM
の大きさMX及びMYに対して、MX≧DXかつMY≧
DYが成り立つとき、演算処理部11は露光基板(デバ
イス)Pに対する全露光パターンPAを分割せずに一括
露光することができると判断することによつて当該ステ
ツプSP13において肯定結果を得、続くステツプSP
14に移つてマスクパターンを決定した後、ステツプS
P24に移つて当該処理手順を終了する。但しこの場
合、露光基板Pの全面に対して全露光パターンPAを露
光転写することとする。
付して示す図3においてDX及びDYはそれぞれ露光基
板Pの大きさを示し、この大きさが図4に示すマスクM
の大きさMX及びMYに対して、MX≧DXかつMY≧
DYが成り立つとき、演算処理部11は露光基板(デバ
イス)Pに対する全露光パターンPAを分割せずに一括
露光することができると判断することによつて当該ステ
ツプSP13において肯定結果を得、続くステツプSP
14に移つてマスクパターンを決定した後、ステツプS
P24に移つて当該処理手順を終了する。但しこの場
合、露光基板Pの全面に対して全露光パターンPAを露
光転写することとする。
【0019】またこれに対して露光基板Pの大きさDX
及びDYと、マスクの大きさMX及びMYとの間にMX
<DX及びMY<DYの関係が成り立つとき、このこと
はマスクのパターンを露光基板Pに対して一括露光し得
ないことを表しており、このとき演算処理部11はステ
ツプSP15に移つて画素を共通化するか否かをユーザ
の入力によつて決定する。
及びDYと、マスクの大きさMX及びMYとの間にMX
<DX及びMY<DYの関係が成り立つとき、このこと
はマスクのパターンを露光基板Pに対して一括露光し得
ないことを表しており、このとき演算処理部11はステ
ツプSP15に移つて画素を共通化するか否かをユーザ
の入力によつて決定する。
【0020】ここで画素の共通化とは、露光基板P上に
露光転写される全露光パターンPAの中の画素部P1に
ついて同一のパターン部分ごとに分割し、当該分割して
なる単位パターンをマスクに形成することをいう。従つ
て画素を共通化する場合、使用するマスクの枚数を少な
くすることができ、ユーザがマスクの枚数を少なくする
ことを優先した場合、演算処理部11は当該ステツプS
P15において肯定結果を得、続くステツプSP16に
おいて画素部P1の分割方法を演算する。
露光転写される全露光パターンPAの中の画素部P1に
ついて同一のパターン部分ごとに分割し、当該分割して
なる単位パターンをマスクに形成することをいう。従つ
て画素を共通化する場合、使用するマスクの枚数を少な
くすることができ、ユーザがマスクの枚数を少なくする
ことを優先した場合、演算処理部11は当該ステツプS
P15において肯定結果を得、続くステツプSP16に
おいて画素部P1の分割方法を演算する。
【0021】すなわち図5において露光基板Pに対する
全露光パターンPAの画素部P1において単位パターン
Aがそれぞれ複数配列されるとすると、単位パターンの
大きさをgX及びgYとしてMX≧gXかつMY≧gY
を満たすようにa・gX×b・gY=GX×GYとなる
自然数a及びbが決定され、画素部P1においてa×b
個の分割が決定される。
全露光パターンPAの画素部P1において単位パターン
Aがそれぞれ複数配列されるとすると、単位パターンの
大きさをgX及びgYとしてMX≧gXかつMY≧gY
を満たすようにa・gX×b・gY=GX×GYとなる
自然数a及びbが決定され、画素部P1においてa×b
個の分割が決定される。
【0022】また演算処理部11は続くステツプSP1
7において当該決定された画素部P1の分割に従つて周
辺部P2の分割が行われる。このとき周辺部P2の分割
は、予めユーザの入力によつて制限されたマスクの枚数
内に配置されるようにその大きさが決定され、例えば図
6に示すように、3枚のマスクM1〜M3にそれぞれ単
位パターンA、周辺部のパターンB1〜B4及びC1、
C2がそれぞれ形成される。
7において当該決定された画素部P1の分割に従つて周
辺部P2の分割が行われる。このとき周辺部P2の分割
は、予めユーザの入力によつて制限されたマスクの枚数
内に配置されるようにその大きさが決定され、例えば図
6に示すように、3枚のマスクM1〜M3にそれぞれ単
位パターンA、周辺部のパターンB1〜B4及びC1、
C2がそれぞれ形成される。
【0023】但しこの場合の分割数は、露光基板Pが載
置されるXYステージ5(図12)のXY方向への最大
移動量によつて全露光パターンPAの最大分割数が決ま
るため、当該最大分割数以内の分割数に制限される。ま
た、XYステージの最大移動量によつては、特に周辺部
のパターンを形成することが困難になる場合がある。こ
のためステージの最大移動量を考慮して、マスク上での
パターンの配置を決めれば良い。
置されるXYステージ5(図12)のXY方向への最大
移動量によつて全露光パターンPAの最大分割数が決ま
るため、当該最大分割数以内の分割数に制限される。ま
た、XYステージの最大移動量によつては、特に周辺部
のパターンを形成することが困難になる場合がある。こ
のためステージの最大移動量を考慮して、マスク上での
パターンの配置を決めれば良い。
【0024】従つてこのように制限された最大分割数及
び指定マスク枚数以内でパターンを形成する方法がステ
ツプSP17において演算されると、当該パターン及び
マスク枚数がステツプSP18において最終的に確立さ
れ、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
び指定マスク枚数以内でパターンを形成する方法がステ
ツプSP17において演算されると、当該パターン及び
マスク枚数がステツプSP18において最終的に確立さ
れ、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
【0025】これに対してユーザが予め入力部12によ
つて露光処理時間を短時間化することを優先する指示を
入力している場合、演算処理部11は露光基板Pの全露
光パターンPAについて、画素部P1の共通化を行わず
にできるだけ少ない分割数で分割することによつて露光
回数を少なくするような演算を実行するようになされて
いる。従つてこの場合演算処理部11はステツプSP1
5において否定結果を得、ステツプSP19に移つて露
光基板Pの全露光パターンPAを2分割することによつ
て露光し得るか否かを分割された単位パターンの大きさ
及びマスクの大きさに基づいて判断する。
つて露光処理時間を短時間化することを優先する指示を
入力している場合、演算処理部11は露光基板Pの全露
光パターンPAについて、画素部P1の共通化を行わず
にできるだけ少ない分割数で分割することによつて露光
回数を少なくするような演算を実行するようになされて
いる。従つてこの場合演算処理部11はステツプSP1
5において否定結果を得、ステツプSP19に移つて露
光基板Pの全露光パターンPAを2分割することによつ
て露光し得るか否かを分割された単位パターンの大きさ
及びマスクの大きさに基づいて判断する。
【0026】ここで図7は露光基板Pに露光転写する全
露光パターンPAを2分割した状態を示し、2分割して
なる単位パターンPM1の大きさd2X及びd2Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d2XかつM
Y≧d2Yを満たすとき、演算処理部11は2分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP19に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて2
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンPAを2分割した状態を示し、2分割して
なる単位パターンPM1の大きさd2X及びd2Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d2XかつM
Y≧d2Yを満たすとき、演算処理部11は2分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP19に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて2
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
【0027】これに対してステツプSP19において否
定結果が得られると、このことは2分割してなる単位パ
ターンPM1がマスクよりも大きく、2分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP20に移つて露光基板Pの全露
光パターンPAを3分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
定結果が得られると、このことは2分割してなる単位パ
ターンPM1がマスクよりも大きく、2分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP20に移つて露光基板Pの全露
光パターンPAを3分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
【0028】ここで図8は露光基板Pに露光転写する全
露光パターンPAを3分割した状態を示し、3分割して
なる単位パターンPM2の大きさd3X及びd3Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d3XかつM
Y≧d3Yを満たすとき、演算処理部11は3分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP20に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて3
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンPAを3分割した状態を示し、3分割して
なる単位パターンPM2の大きさd3X及びd3Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d3XかつM
Y≧d3Yを満たすとき、演算処理部11は3分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP20に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて3
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
【0029】これに対してステツプSP20において否
定結果が得られると、このことは3分割してなる単位パ
ターンPM2がマスクよりも大きく、3分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP21に移つて露光基板Pの全露
光パターンPAを4分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
定結果が得られると、このことは3分割してなる単位パ
ターンPM2がマスクよりも大きく、3分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP21に移つて露光基板Pの全露
光パターンPAを4分割することによつて露光し得るか
否かを分割された単位パターンの大きさ及びマスクの大
きさに基づいて判断する。
【0030】ここで図9は露光基板Pに露光転写する全
露光パターンPAを4分割した状態を示し、4分割して
なる単位パターンPM3の大きさd4X及びd4Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d4XかつM
Y≧d4Yを満たすとき、演算処理部11は4分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP21に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて4
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
露光パターンPAを4分割した状態を示し、4分割して
なる単位パターンPM3の大きさd4X及びd4Yがマ
スクの大きさMX及びMYに対してMX≧d4XかつM
Y≧d4Yを満たすとき、演算処理部11は4分割によ
る露光が可能であると判断し、当該ステツプSP21に
おいて肯定結果を得、続くステツプSP23に移つて4
分割によるマスクパターン及びマスク枚数の確立を行つ
た後、ステツプSP24において当該処理手順を終了す
る。
【0031】これに対してステツプSP21において否
定結果が得られると、このことは4分割してなる単位パ
ターンPM3がマスクよりも大きく、4分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP22に移つて露光基板(デバイ
ス)Pに露光転写される全露光パターンPAを図10に
示すようなマトリクス状に分割する。
定結果が得られると、このことは4分割してなる単位パ
ターンPM3がマスクよりも大きく、4分割による露光
が不可能であることを表しており、このとき演算処理部
11は続くステツプSP22に移つて露光基板(デバイ
ス)Pに露光転写される全露光パターンPAを図10に
示すようなマトリクス状に分割する。
【0032】この分割方法は、例えば上述した図5の例
のような方法を用いることにより、当該全露光パターン
PAを細分割する。図5のように画素部P1の共通部分
ごとに単位パターンを形成すると、理論上無限に大きな
画面を構成することができる。但しこの場合の分割数
は、露光基板Pが載置されるXYステージ5(図12)
のXY方向への最大移動量によつて全露光パターンPA
の最大分割数が決まるため、当該最大分割数以内の分割
数に制限される。
のような方法を用いることにより、当該全露光パターン
PAを細分割する。図5のように画素部P1の共通部分
ごとに単位パターンを形成すると、理論上無限に大きな
画面を構成することができる。但しこの場合の分割数
は、露光基板Pが載置されるXYステージ5(図12)
のXY方向への最大移動量によつて全露光パターンPA
の最大分割数が決まるため、当該最大分割数以内の分割
数に制限される。
【0033】かくして当該ステツプSP22においてマ
トリクスによる分割方法が決定されると、ステツプSP
23において当該分割方法に基づくマスクパターン及び
マスク枚数が決定され、ステツプSP24において当該
処理手順を終了する。
トリクスによる分割方法が決定されると、ステツプSP
23において当該分割方法に基づくマスクパターン及び
マスク枚数が決定され、ステツプSP24において当該
処理手順を終了する。
【0034】このように露光基板P上に露光パターンP
Aを露光転写しようとする際に、露光基板Pの大きさ、
マスクMの大きさ、マスクの使用枚数等の制限要因を入
力すると共に、マスクの枚数を少なくすることを優先す
るか又は露光処理時間を短時間化することを優先するか
といつた優先順位をユーザが入力することにより、演算
処理部11において最も適切な露光パターンの分割方法
が決定される。
Aを露光転写しようとする際に、露光基板Pの大きさ、
マスクMの大きさ、マスクの使用枚数等の制限要因を入
力すると共に、マスクの枚数を少なくすることを優先す
るか又は露光処理時間を短時間化することを優先するか
といつた優先順位をユーザが入力することにより、演算
処理部11において最も適切な露光パターンの分割方法
が決定される。
【0035】従つて以上の構成によれば、種々の分割方
法に基づいて実際にマスクを作成してその露光処理時間
又は必要なマスク枚数を見つけるといつた試行錯誤を繰
り返すことなく、適切な分割方法を決定することができ
る。
法に基づいて実際にマスクを作成してその露光処理時間
又は必要なマスク枚数を見つけるといつた試行錯誤を繰
り返すことなく、適切な分割方法を決定することができ
る。
【0036】なお上述の実施例においては、露光基板P
に露光転写する全露光パターンPの画素部分P1に同一
パターンの繰り返しがある場合、例えば図5に示すよう
に、当該同一パターンごとに3種類の単位パターンをマ
スクMに形成するようにした場合に比べ、例えば図5に
示すように画素部P1が全て同一のパターンAの繰り返
しで形成されている場合は、当該同一のパターンAを共
通化することにより、マスク枚数を一段と少なくするこ
とができる。
に露光転写する全露光パターンPの画素部分P1に同一
パターンの繰り返しがある場合、例えば図5に示すよう
に、当該同一パターンごとに3種類の単位パターンをマ
スクMに形成するようにした場合に比べ、例えば図5に
示すように画素部P1が全て同一のパターンAの繰り返
しで形成されている場合は、当該同一のパターンAを共
通化することにより、マスク枚数を一段と少なくするこ
とができる。
【0037】この場合図11に示すように、単位パター
ンAを形成したマスクM11と周辺部P2を分割してな
る単位パターンB1、B2、B3、B4を形成したマス
ク12と周辺部P2を分割してなる単位パターンC1、
C2を形成したマスクM13を用いるようにすれば良
い。
ンAを形成したマスクM11と周辺部P2を分割してな
る単位パターンB1、B2、B3、B4を形成したマス
ク12と周辺部P2を分割してなる単位パターンC1、
C2を形成したマスクM13を用いるようにすれば良
い。
【0038】
【発明の効果】上述のように請求項1から請求項4まで
に記載の発明によれば、露光基板の大きさとマスクの大
きさとステージの最大移動量とによつて露光パターンの
分割数及び分割パターンを決定するようにしたことによ
り、適切な分割方法を一段と簡単に決定することができ
る露光パターンの分割方法を実現し得る。また請求項5
に記載の発明によれば、パターンをつなぎ合わせて大型
の基板に所望のパターンを露光することができる。さら
に請求項6に記載の発明によれば、分割パターンの数を
少なくしているので、露光処理時間を短縮することがで
きる。さらに請求項7に記載の発明よれば、基板に共通
パターンを用いてつなぎ合わせて露光をすることができ
る。
に記載の発明によれば、露光基板の大きさとマスクの大
きさとステージの最大移動量とによつて露光パターンの
分割数及び分割パターンを決定するようにしたことによ
り、適切な分割方法を一段と簡単に決定することができ
る露光パターンの分割方法を実現し得る。また請求項5
に記載の発明によれば、パターンをつなぎ合わせて大型
の基板に所望のパターンを露光することができる。さら
に請求項6に記載の発明によれば、分割パターンの数を
少なくしているので、露光処理時間を短縮することがで
きる。さらに請求項7に記載の発明よれば、基板に共通
パターンを用いてつなぎ合わせて露光をすることができ
る。
【図1】本発明による露光パターンの分割処理装置を示
すブロツク図である。
すブロツク図である。
【図2】本発明による露光パターンの分割処理手順を示
すフローチヤートである。
すフローチヤートである。
【図3】全露光パターンの大きさを示す略線図である。
【図4】マスクの大きさを示す略線図である。
【図5】画素部の共通化による露光パターンの分割状態
を示す略線図である。
を示す略線図である。
【図6】画素部の共通化によるマスクパターンを示す略
線図である。
線図である。
【図7】露光パターンの2分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図8】露光パターンの3分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図9】露光パターンの4分割状態を示す略線図であ
る。
る。
【図10】マトリツクス状の露光パターンの分割状態を
示す略線図である。
示す略線図である。
【図11】同一パターンごとの分割によるマスクパター
ンを示す略線図である。
ンを示す略線図である。
【図12】露光装置の構成を示す略線的側面図である。
【図13】露光基板の露光パターンを示す略線図であ
る。
る。
1……露光装置、4……投影レンズ、5……XYステー
ジ、10……分割処理装置、11……演算処理部、12
……入力部、13……出力部、M……マスク、P……露
光基板。
ジ、10……分割処理装置、11……演算処理部、12
……入力部、13……出力部、M……マスク、P……露
光基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 G03F 1/08
Claims (7)
- 【請求項1】露光基板上に露光転写しようとする露光パ
ターンを分割してなる複数種類の単位パターンのそれぞ
れを単数又は複数のマスク上に形成し、前記マスクに形
成された前記単位パターンのそれぞれを投影レンズを介
してステージ上に載置された前記露光基板に対して互い
に繋ぎ露光することにより、前記露光基板上に前記単位
パターンの集合でなる前記露光パターンを形成する露光
装置の前記露光パターンの分割方法において、 前記感光基板の大きさを表すパラメータと前記マスクの
大きさを表すパラメータと露光光の光軸に対して垂直な
面内での前記ステージの最大移動量を表すパラメータと
に基づいて前記露光パターンを分割するようにしたこと
を特徴とする露光パターンの分割方法。 - 【請求項2】前記露光基板の大きさを表すパラメータと
前記マスクの大きさを表すパラメータとに基づいて前記
露光パターンを分割するか否かを決定し、 前記マスクの大きさを表すパラメータと前記ステージの
最大移動量を表すパラメータとに基づいて前記露光パタ
ーンの分割数を決定するようにしたことを特徴とする請
求項1に記載の露光パターンの分割方法。 - 【請求項3】前記複数のパラメータに基づいて決定され
た複数の分割方法のうち、露光処理工程に要する時間が
最も短い分割方法を選択するようにしたことを特徴とす
る請求項1に記載の露光パターンの分割方法。 - 【請求項4】前記複数のパラメータに基づいて決定され
た複数の分割方法のうち、露光処理工程に要する前記マ
スクの枚数が最も少ない分割方法を選択するようにした
ことを特徴とする請求項1に記載の露光パターンの分割
方法。 - 【請求項5】 移動可能なステージに載置された基板にパ
ターンを露光する露光方法において、 前記パターンの大きさと、前記基板の大きさと、前記ス
テージの移動量とに基づいて、前記パターンを分割する
ステツプと、 前記分割されたパターンを前記基板に繋ぎ合わせて露光
するステツプと を備えることを特徴とする露光方法。 - 【請求項6】 前記パターンの分割は、前記分割されるパ
ターンの数を少なくするように行われる ことを特徴とす
る請求項5に記載の露光方法。 - 【請求項7】 前記パターンを分割は、前記パターンのう
ちの共通パターンを抽出するステツプを含む ことを特徴
とする請求項5に記載の露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20103293A JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20103293A JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0737801A JPH0737801A (ja) | 1995-02-07 |
JP3301172B2 true JP3301172B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=16434316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20103293A Expired - Lifetime JP3301172B2 (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 露光パターンの分割方法及び露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3301172B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW449672B (en) * | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
JP3881314B2 (ja) | 2003-01-10 | 2007-02-14 | 株式会社日本Aeパワーシステムズ | 開閉装置用油圧操作装置 |
CN1745405A (zh) | 2003-01-30 | 2006-03-08 | 东芝松下显示技术有限公司 | 显示器、接线板及其制造方法 |
JP2006072100A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Adtec Engineeng Co Ltd | 投影露光装置 |
US7703060B2 (en) * | 2007-02-23 | 2010-04-20 | International Business Machines Corporation | Stitched IC layout methods, systems and program product |
JP2012114270A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体チップの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP20103293A patent/JP3301172B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737801A (ja) | 1995-02-07 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020326 |
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