JP3287725B2 - 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法とこれを用いたデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP3287725B2 JP3287725B2 JP06415895A JP6415895A JP3287725B2 JP 3287725 B2 JP3287725 B2 JP 3287725B2 JP 06415895 A JP06415895 A JP 06415895A JP 6415895 A JP6415895 A JP 6415895A JP 3287725 B2 JP3287725 B2 JP 3287725B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- scanning
- exposure
- magnification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2037—Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
- G03F7/2039—X-ray radiation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光な
どの放射光を用いて、マスクパターンをウエハに露光転
写する露光技術に関するものである。
どの放射光を用いて、マスクパターンをウエハに露光転
写する露光技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光を利用してマスクパターンをウ
エハに露光転写する光露光においては、ウエハを吸着保
持するウエハチャックの温度を変化させてウエハを伸縮
させることによって倍率補正を実施してきた。しかし、
より波長の短いＸ線を利用したプロキシミティ露光にお
いては、Ｘ線マスクの転写パターンが形成されたＸ線透
過膜が、ウエハに僅か数十μｍの距離をおいて保持され
ている上、Ｘ線マスクの比熱が小さいため、ウエハの温
度を変化させるとマスクの温度も容易に変化してマスク
の伸縮も避けられなくなる。
エハに露光転写する光露光においては、ウエハを吸着保
持するウエハチャックの温度を変化させてウエハを伸縮
させることによって倍率補正を実施してきた。しかし、
より波長の短いＸ線を利用したプロキシミティ露光にお
いては、Ｘ線マスクの転写パターンが形成されたＸ線透
過膜が、ウエハに僅か数十μｍの距離をおいて保持され
ている上、Ｘ線マスクの比熱が小さいため、ウエハの温
度を変化させるとマスクの温度も容易に変化してマスク
の伸縮も避けられなくなる。
【０００３】そこで、マスクとウエハの間隔（プロキシ
ミティギャップ）を相対的に変化させたり、ウエハ又は
マスクの温度を変化させることによって、転写倍率の補
正を行う方式が提案されている。
ミティギャップ）を相対的に変化させたり、ウエハ又は
マスクの温度を変化させることによって、転写倍率の補
正を行う方式が提案されている。
【０００４】ところで、シンクロトロン放射光を用いた
リソグラフィでは、以下の３タイプの露光方式が知られ
ている。 （１）Ｘ線ミラーを揺動（回動）してシートビーム状の
シンクロトロン放射光を偏向して走査露光を行う。 （２）照射が固定されたシートビームに対してマスク・
ウエハを一体的に移動させて走査露光を行う。 （３）照射が固定された発散ビームに対して所定の開口
をもったシャッタを移動させて走査露光を行う。
リソグラフィでは、以下の３タイプの露光方式が知られ
ている。 （１）Ｘ線ミラーを揺動（回動）してシートビーム状の
シンクロトロン放射光を偏向して走査露光を行う。 （２）照射が固定されたシートビームに対してマスク・
ウエハを一体的に移動させて走査露光を行う。 （３）照射が固定された発散ビームに対して所定の開口
をもったシャッタを移動させて走査露光を行う。
【０００５】ところが、いずれの方式においても、走査
方向（Ｙ方向）とこれと直交する方向（Ｘ方向）におい
て、ビームの発散角が異なるため、各方向で転写倍率が
異なってしまうという現象が生じる。さらに、集光光学
系を用いてＸ方向のシンクロトロン放射光を集光する場
合も、Ｘ方向とＹ方向でビームの発散角が異なり、各方
向の転写倍率が異なってしまう。
方向（Ｙ方向）とこれと直交する方向（Ｘ方向）におい
て、ビームの発散角が異なるため、各方向で転写倍率が
異なってしまうという現象が生じる。さらに、集光光学
系を用いてＸ方向のシンクロトロン放射光を集光する場
合も、Ｘ方向とＹ方向でビームの発散角が異なり、各方
向の転写倍率が異なってしまう。
【０００６】そのため、プロキシミティギャップや温度
を変えて倍率補正を行なったとしても、Ｘ方向とＹ方向
で補正倍率を独立しては行えないため、上記Ｘ方向とＹ
方向の倍率差を補正することができない。
を変えて倍率補正を行なったとしても、Ｘ方向とＹ方向
で補正倍率を独立しては行えないため、上記Ｘ方向とＹ
方向の倍率差を補正することができない。
【０００７】本発明は、上記従来の技術が有する課題を
解決すべくなされたもので、走査露光に好適な転写倍率
補正の手法を提供し、高精度な露光を可能にすることを
目的とする。本発明の更なる目的は、走査方向とこれを
直交する方向の倍率補正を任意に設定できる露光方法を
提供することである。
解決すべくなされたもので、走査露光に好適な転写倍率
補正の手法を提供し、高精度な露光を可能にすることを
目的とする。本発明の更なる目的は、走査方向とこれを
直交する方向の倍率補正を任意に設定できる露光方法を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
する本発明は、プロキシミティギャップを以ってマスク
とウエハとを対向させてマスクのパターンをウエハに転
写する方法であって、マスクとウエハのギャップを調整
するステップと、該マスクとウエハに対して、ビームを
相対的に走査するステップと、該走査ステップ中に該走
査に同期して、ウエハとマスクを走査方向に補正倍率に
対応して相対的に微小移動させるステップとを有するこ
とを特徴とするものである。これにより、走査方向のみ
独立して倍率補正することが出来る。
する本発明は、プロキシミティギャップを以ってマスク
とウエハとを対向させてマスクのパターンをウエハに転
写する方法であって、マスクとウエハのギャップを調整
するステップと、該マスクとウエハに対して、ビームを
相対的に走査するステップと、該走査ステップ中に該走
査に同期して、ウエハとマスクを走査方向に補正倍率に
対応して相対的に微小移動させるステップとを有するこ
とを特徴とするものである。これにより、走査方向のみ
独立して倍率補正することが出来る。
【０００９】
【実施例】具体的な実施例の説明に先立ち、まず原理的
な説明を行う。近接して配置されたマスク・ウエハに対
して、ビームを相対走査しながら露光する方式におい
て、走査に同期してマスクとウエハを相対的に走査方向
に微小移動させることで、ビームの走査方向のみを独立
して倍率補正することができる。また、これに先だっ
て、マスクとウエハの間のプロキシミティギャップを変
化させることによって、走査方向とこれと直交する方向
の両方向の倍率を同時に補正する。以上の２ステップの
組み合わせにより、結果として、マスクの縦と横の倍率
補正を独立に行うことができる。
な説明を行う。近接して配置されたマスク・ウエハに対
して、ビームを相対走査しながら露光する方式におい
て、走査に同期してマスクとウエハを相対的に走査方向
に微小移動させることで、ビームの走査方向のみを独立
して倍率補正することができる。また、これに先だっ
て、マスクとウエハの間のプロキシミティギャップを変
化させることによって、走査方向とこれと直交する方向
の両方向の倍率を同時に補正する。以上の２ステップの
組み合わせにより、結果として、マスクの縦と横の倍率
補正を独立に行うことができる。
【００１０】図１（ａ）は、シートビームであるスリッ
ト状のシンクロトロン放射光１が、Ｘ線マスク２上を図
中の矢印の方向に速度ＶSrで移動しながら、パターンＰ
1，Ｐ2をレジストが塗布されたウエハ３上に露光転写し
ている様子を示したものである。このとき、放射光の移
動に同期してＸ線マスク２を所定の速度Ｖmで移動させ
ることを特徴としている。放射光１がパターンＰ1を照
射するとウエハ上にＲ1が転写される。次いで放射光１
が移動してパターンＰ2上を照射すると、図１（ｂ）の
ようにウエハ上にＲ2が投影される。このとき、Ｒ1とＲ
2の間隔Ｌrはマスク上のパターンＰ1，Ｐ2の間隔Ｌ
mに、マスク移動量ΔＬを加えた値となっている。
ト状のシンクロトロン放射光１が、Ｘ線マスク２上を図
中の矢印の方向に速度ＶSrで移動しながら、パターンＰ
1，Ｐ2をレジストが塗布されたウエハ３上に露光転写し
ている様子を示したものである。このとき、放射光の移
動に同期してＸ線マスク２を所定の速度Ｖmで移動させ
ることを特徴としている。放射光１がパターンＰ1を照
射するとウエハ上にＲ1が転写される。次いで放射光１
が移動してパターンＰ2上を照射すると、図１（ｂ）の
ようにウエハ上にＲ2が投影される。このとき、Ｒ1とＲ
2の間隔Ｌrはマスク上のパターンＰ1，Ｐ2の間隔Ｌ
mに、マスク移動量ΔＬを加えた値となっている。
【００１１】ここで、倍率補正の拡大率ｍvは、 ｍv＝（Ｌm+ΔＬ）／Ｌm マスク移動量ΔＬは、 ΔＬ＝Ｖm／Ｖsr×（Ｌm／（１−Ｖm／Ｖsr）） であるが、Ｖm≪Ｖsrなので、 ΔＬ≒Ｖm／Ｖsr×Ｌm よって、拡大率ｍvは、以下の式のようになる。
【００１２】 ｍv＝１＋Ｖm／Ｖsr （１）
【００１３】なお、拡大ではなく縮小させたければ、マ
スク２を放射光の移動方向と反対方向に移動（Ｖmを
負）させれば良い。また、倍率補正はマスクとウエハが
相対的に移動すれば良いのであって、マスク２を移動さ
せる代わりに、ウエハ又はマスク・ウエハの両方を異な
る速度で移動させるようにしても良い。
スク２を放射光の移動方向と反対方向に移動（Ｖmを
負）させれば良い。また、倍率補正はマスクとウエハが
相対的に移動すれば良いのであって、マスク２を移動さ
せる代わりに、ウエハ又はマスク・ウエハの両方を異な
る速度で移動させるようにしても良い。
【００１４】一方、図２はプロキシミティギャップの変
化により倍率が変化する様子を説明するものである。図
２（ａ）に示すように、Ｘ線ミラー７が揺動してＹ方向
の照射領域の拡大を行うとき、マスクに照射されるシン
クロトロン放射光の発散角は、図２（ｂ）のように横方
向（Ｘ方向）と縦方向（Ｙ方向）が異なり、θx＝ｄx／
Ｌx， θy＝ｄy／Ｌyで表せる。ここで、ｄx，ｄyはそ
れぞれＸとＹ方向の露光領域、Ｌxは発光点とマスクま
での距離、ＬyはＸ線ミラーとマスクまでの距離であ
る。ここでプロキシミティギャップを変化させると、Ｘ
方向（放射光の走査方向と直角方向）のみならず、Ｙ方
向（放射光の走査方向）の倍率も同時に変化する。
化により倍率が変化する様子を説明するものである。図
２（ａ）に示すように、Ｘ線ミラー７が揺動してＹ方向
の照射領域の拡大を行うとき、マスクに照射されるシン
クロトロン放射光の発散角は、図２（ｂ）のように横方
向（Ｘ方向）と縦方向（Ｙ方向）が異なり、θx＝ｄx／
Ｌx， θy＝ｄy／Ｌyで表せる。ここで、ｄx，ｄyはそ
れぞれＸとＹ方向の露光領域、Ｌxは発光点とマスクま
での距離、ＬyはＸ線ミラーとマスクまでの距離であ
る。ここでプロキシミティギャップを変化させると、Ｘ
方向（放射光の走査方向と直角方向）のみならず、Ｙ方
向（放射光の走査方向）の倍率も同時に変化する。
【００１５】このような系でＸ方向に拡大率ｍx、Ｙ方
向に拡大率ｍyの倍率補正を実施するにはどうしたら良
いかを説明する。
向に拡大率ｍyの倍率補正を実施するにはどうしたら良
いかを説明する。
【００１６】まず、Ｘ方向の所望の倍率補正量を得るた
めにプロキシミティギャップを変化させる。このとき、
同時にＹ方向の倍率も変化するが、上述したようにＹ方
向のみを独立して倍率補正することができるので、後に
Ｙ方向のみを倍率補正する。以下、これを詳細に説明す
る。
めにプロキシミティギャップを変化させる。このとき、
同時にＹ方向の倍率も変化するが、上述したようにＹ方
向のみを独立して倍率補正することができるので、後に
Ｙ方向のみを倍率補正する。以下、これを詳細に説明す
る。
【００１７】最初に、Ｘ方向の倍率を補正するため、プ
ロキシミティギャップを、 Δｇ＝（ｍx−１）× Ｌx （２） だけ変化させる。このプロキシミティギャップ変化に伴
いＹ方向も、 ｍ′y＝１＋Δｇ／Ｌy （３） だけ変化する。ｍ′yとｍyは無関係なので、このままで
はＹ方向については、所望の補正量は得られない。
ロキシミティギャップを、 Δｇ＝（ｍx−１）× Ｌx （２） だけ変化させる。このプロキシミティギャップ変化に伴
いＹ方向も、 ｍ′y＝１＋Δｇ／Ｌy （３） だけ変化する。ｍ′yとｍyは無関係なので、このままで
はＹ方向については、所望の補正量は得られない。
【００１８】そこで、次に上述したように走査ビームの
移動に同期して、ウエハに対してマスクを相対移動させ
ることで、Ｙ方向だけ独立して倍率補正を実施する。
移動に同期して、ウエハに対してマスクを相対移動させ
ることで、Ｙ方向だけ独立して倍率補正を実施する。
【００１９】マスクの移動速度Ｖmは、式（１）と式
（３）から、 ｍy＝ｍ′y×ｍv ＝ｍ′y×（１＋Ｖm／Ｖsr） ＝（１＋Δｇ／Ｌy）×（１＋Ｖm／Ｖsr） （４） を満たすように決定すれば良い。この結果は、 Ｖm＝Ｖx×（ｍy／（１＋Δｇ／Ｌy）−１） （５） となる。
（３）から、 ｍy＝ｍ′y×ｍv ＝ｍ′y×（１＋Ｖm／Ｖsr） ＝（１＋Δｇ／Ｌy）×（１＋Ｖm／Ｖsr） （４） を満たすように決定すれば良い。この結果は、 Ｖm＝Ｖx×（ｍy／（１＋Δｇ／Ｌy）−１） （５） となる。
【００２０】ところで、露光中にウエハとＸ線マスクを
相対的に移動させて倍率補正を行うと、レジストの焼き
付け線幅に影響を与える。露光中の見掛け上のマスクパ
ターンの増加量ΔＷpは、シートビームの幅をＷsr，倍
率補正値ｍとして、 ΔＷp ＝ Ｗsr × （ｍ−１） と与えられる。
相対的に移動させて倍率補正を行うと、レジストの焼き
付け線幅に影響を与える。露光中の見掛け上のマスクパ
ターンの増加量ΔＷpは、シートビームの幅をＷsr，倍
率補正値ｍとして、 ΔＷp ＝ Ｗsr × （ｍ−１） と与えられる。
【００２１】例えば、幅０．２５μmのパターンを転写
しようとした場合、マスクパターン増加量をパターン幅
の１／５まで許容するとしてＷsr＝５mmとすると、補正
できる最大の補正倍率値は１０ppmとなる。逆に補正倍
率値をｍとすると、ビーム幅ＷsrはＷsr＝５．０E-5／
（ｍ−１）となる。走査ビーム幅は、走査ビームを規制
するアパーチャ幅を変えることでを設定することができ
る。
しようとした場合、マスクパターン増加量をパターン幅
の１／５まで許容するとしてＷsr＝５mmとすると、補正
できる最大の補正倍率値は１０ppmとなる。逆に補正倍
率値をｍとすると、ビーム幅ＷsrはＷsr＝５．０E-5／
（ｍ−１）となる。走査ビーム幅は、走査ビームを規制
するアパーチャ幅を変えることでを設定することができ
る。
【００２２】＜実施例１＞より具体的な実施例を以下説
明する。図３は第１の実施例の露光装置の説明図であ
り、シンクロトロンリングの発光点１１から放射された
シートビーム状の放射光１は、Ｘ線ミラー７に斜入射し
て反射される。Ｘ線ミラー７は制御装置６の指令に基づ
いて所定の速度で回動する。回動によるＸ線ミラー７へ
の視射角βの変化に伴なって、スリット状の放射光１は
マスク上を速度Ｖsで移動し、マスク上の露光領域全体
を走査することになる。これによりＸ線マスク２の転写
パターンはレジストが塗布されたウエハ３に投影され露
光転写される。Ｘ線マスク２はマスクステージ４に固定
されており、Ｙ方向とＺ方向に移動できるようになって
いる。またウエハ３はウエハステージ５上に取り付けら
れ、Ｘ方向とＹ方向に移動可能となっている。各ステー
ジの移動は制御装置６の指令によってなされる。
明する。図３は第１の実施例の露光装置の説明図であ
り、シンクロトロンリングの発光点１１から放射された
シートビーム状の放射光１は、Ｘ線ミラー７に斜入射し
て反射される。Ｘ線ミラー７は制御装置６の指令に基づ
いて所定の速度で回動する。回動によるＸ線ミラー７へ
の視射角βの変化に伴なって、スリット状の放射光１は
マスク上を速度Ｖsで移動し、マスク上の露光領域全体
を走査することになる。これによりＸ線マスク２の転写
パターンはレジストが塗布されたウエハ３に投影され露
光転写される。Ｘ線マスク２はマスクステージ４に固定
されており、Ｙ方向とＺ方向に移動できるようになって
いる。またウエハ３はウエハステージ５上に取り付けら
れ、Ｘ方向とＹ方向に移動可能となっている。各ステー
ジの移動は制御装置６の指令によってなされる。
【００２３】このような構成において、転写倍率の補正
は以下の手順で行う。
は以下の手順で行う。
【００２４】（１）倍率補正値の算出 まず、ウエハ３のプロセス歪を測定する。この歪みの測
定は、例えばウエハ上の複数のアライメントマーク間の
距離をアライメント光学系測定することで行うことがで
きる。
定は、例えばウエハ上の複数のアライメントマーク間の
距離をアライメント光学系測定することで行うことがで
きる。
【００２５】本来、Ｌwであるはずのウエハ上の２つの
パターン間の距離がＬ′wであり、プロセス歪Ｌ′w−Ｌ
wが許容値を越えていれば、倍率補正をする必要があ
る。このとき倍率補正値ｍはＬ′w／Ｌwとなる。
パターン間の距離がＬ′wであり、プロセス歪Ｌ′w−Ｌ
wが許容値を越えていれば、倍率補正をする必要があ
る。このとき倍率補正値ｍはＬ′w／Ｌwとなる。
【００２６】例えば、倍率補正値がＸ，Ｙ方向ともに同
じで、設計値Ｌが30.000mm、測定値が30.00003mmであっ
たとすると、ｍ＝ｍx＝ｍyでｍ−１＝1E-6となる。ま
た、発光点とマスク間の距離Ｌx＝５ｍ、Ｘ線ミラーと
マスク間の距離Ｌy＝２.５ｍ、設定プロキシミティギャ
ップ＝３０μmとする。
じで、設計値Ｌが30.000mm、測定値が30.00003mmであっ
たとすると、ｍ＝ｍx＝ｍyでｍ−１＝1E-6となる。ま
た、発光点とマスク間の距離Ｌx＝５ｍ、Ｘ線ミラーと
マスク間の距離Ｌy＝２.５ｍ、設定プロキシミティギャ
ップ＝３０μmとする。
【００２７】（２）Ｘ方向の倍率補正（プロキシミティ
ギャップの移動） Ｘ方向の倍率補正を、プロキシミティギャップを移動す
ることによって行う。ｍx−１＝1.0E-6，Ｌx＝５ｍを式
（２）に代入してΔｇ＝５μmとなる。
ギャップの移動） Ｘ方向の倍率補正を、プロキシミティギャップを移動す
ることによって行う。ｍx−１＝1.0E-6，Ｌx＝５ｍを式
（２）に代入してΔｇ＝５μmとなる。
【００２８】（３）マスク速度設定 放射光がマスク上を速度ＶS＝５０．０(mm/sec)で移動
し、かつ１回の走査で露光を行う場合、先の式（５）か
ら速度Ｖm＝−０．０５(μm/sec)が得られる。従って、
露光中に放射光の移動方向と反対方向に、マスクを速さ
０．０５(μm/sec)で移動させる。
し、かつ１回の走査で露光を行う場合、先の式（５）か
ら速度Ｖm＝−０．０５(μm/sec)が得られる。従って、
露光中に放射光の移動方向と反対方向に、マスクを速さ
０．０５(μm/sec)で移動させる。
【００２９】（４）Ｙ方向の倍率補正（マスク移動） 図４に示すように、マスク上のパターンＡm，Ｂmを、ウ
エハ上に事前に焼かれたパターンＡw，Ｂwに重ね焼きす
るものとする。マスクの下部とウエハの下部の位置合わ
せを行うと、マスク上のパターンＡmの転写位置とウエ
ハ上のパターンＡwとは合致するが、マスクの上部のパ
ターンＢmとウエハの上部マークＢwはプロキシミティギ
ャップ変化によっては補正できなかった量だけずれてし
まう。そこで、このずれを補正すべく、走査露光中に上
記求めたＶm＝-0.05(μm/sec)でマスクを移動するよう
にマスクステージ４を制御すればよい。
エハ上に事前に焼かれたパターンＡw，Ｂwに重ね焼きす
るものとする。マスクの下部とウエハの下部の位置合わ
せを行うと、マスク上のパターンＡmの転写位置とウエ
ハ上のパターンＡwとは合致するが、マスクの上部のパ
ターンＢmとウエハの上部マークＢwはプロキシミティギ
ャップ変化によっては補正できなかった量だけずれてし
まう。そこで、このずれを補正すべく、走査露光中に上
記求めたＶm＝-0.05(μm/sec)でマスクを移動するよう
にマスクステージ４を制御すればよい。
【００３０】なお本実施例では、走査露光中にマスクを
移動させる例を説明したが、要はマスクとウエハが露光
中に走査方向に相対的に移動すれば良いので、ウエハを
移動させるようにしても、あるいはマスク・ウエハの両
方を異なる速度で移動させるようにしても良い。
移動させる例を説明したが、要はマスクとウエハが露光
中に走査方向に相対的に移動すれば良いので、ウエハを
移動させるようにしても、あるいはマスク・ウエハの両
方を異なる速度で移動させるようにしても良い。
【００３１】また、放射光を複数回マスク上を往復移動
させて露光を行う場合には、放射光の移動方向が反転し
たら、それに合わせてマスクの移動方向も反転させる必
要がある。これは、Ｘ線ミラー駆動装置６がミラーの回
動とマスクステージ４の移動の両方を司ることで達成で
きる。
させて露光を行う場合には、放射光の移動方向が反転し
たら、それに合わせてマスクの移動方向も反転させる必
要がある。これは、Ｘ線ミラー駆動装置６がミラーの回
動とマスクステージ４の移動の両方を司ることで達成で
きる。
【００３２】＜実施例２＞次に、ウエハ・マスクを一体
的に移動して露光を行う露光装置の実施例を説明する。
これは図５に示すように、照射位置が固定されている薄
いシート状のシンクロトロン放射光１に対して、マスク
２とウエハ３を一体的に移動させることによって、実質
的にマスク上を放射光で走査し、マスクパターンをウエ
ハに露光転写するものである。
的に移動して露光を行う露光装置の実施例を説明する。
これは図５に示すように、照射位置が固定されている薄
いシート状のシンクロトロン放射光１に対して、マスク
２とウエハ３を一体的に移動させることによって、実質
的にマスク上を放射光で走査し、マスクパターンをウエ
ハに露光転写するものである。
【００３３】図５において、Ｘ方向に関してはプロキシ
ミティギャップを変化させることで倍率補正できるが、
Ｙ方向は走査されることで放射光のマスクへの入射角が
積分されてしまうので、Ｙ方向はプロキシミティギャッ
プを変化させても倍率は補正できない。これは、先の式
（４）のＬyが無限大であると考えればよい。
ミティギャップを変化させることで倍率補正できるが、
Ｙ方向は走査されることで放射光のマスクへの入射角が
積分されてしまうので、Ｙ方向はプロキシミティギャッ
プを変化させても倍率は補正できない。これは、先の式
（４）のＬyが無限大であると考えればよい。
【００３４】本実施例での倍率補正の手順は以下の通り
である。
である。
【００３５】（１）倍率補正値の算出 上記実施例１と同様、まず倍率補正値を測定する。その
結果、例えばＸ方向の倍率ｍxがｍx−１＝1.0E-6 ，Ｙ
方向の倍率ｍyがｍy−１＝2.0E-6と測定されたとする。
結果、例えばＸ方向の倍率ｍxがｍx−１＝1.0E-6 ，Ｙ
方向の倍率ｍyがｍy−１＝2.0E-6と測定されたとする。
【００３６】（２）Ｘ方向の倍率補正（プロキシミティ
ギャップの移動） Ｘ方向の倍率をプロキシミティギャップを移動して倍率
補正する。ｍx−１＝1.0E-6であるから、Ｌx＝５ｍとす
ると先の式（２）からΔｇ＝５μmとなる。
ギャップの移動） Ｘ方向の倍率をプロキシミティギャップを移動して倍率
補正する。ｍx−１＝1.0E-6であるから、Ｌx＝５ｍとす
ると先の式（２）からΔｇ＝５μmとなる。
【００３７】（３）Ｙ方向の倍率補正（マスク速度設定
とマスク移動） マスク・ウエハの移動速度がＶS＝５０．０(mm/sec)
で、かつ１回の走査で露光する場合、１／Ｌy＝０を先
の式（５）に代入して、Ｖm＝０．１０(μm/sec)が得ら
れる。従って、露光中にマスク及びウエハの移動方向と
同方向に、ウエハに対してマスクを０．１０(μm/sec)
で移動させればよい。
とマスク移動） マスク・ウエハの移動速度がＶS＝５０．０(mm/sec)
で、かつ１回の走査で露光する場合、１／Ｌy＝０を先
の式（５）に代入して、Ｖm＝０．１０(μm/sec)が得ら
れる。従って、露光中にマスク及びウエハの移動方向と
同方向に、ウエハに対してマスクを０．１０(μm/sec)
で移動させればよい。
【００３８】＜実施例３＞図６は集光光学系を有する露
光装置に本発明を適用した実施例である。この例では、
プロキシミティギャップに応じて倍率が変化するのは、
先の図３で説明した実施例１と同様であるが、Ｘ軸方向
ではΔｇに対して倍率の変化する方向が反対となる。す
なわち、図３の実施例では、プロキシミティギャップを
増大させると像は拡大するが、本実施例においては逆に
縮小する。そのため、集光しているＸ軸では、先の式
（２）のΔｇが−Δｇとなり、発散しているＹ軸ではΔ
ｇは変化しない。従って、Δｇ，Ｖmは以下のような式
となる。
光装置に本発明を適用した実施例である。この例では、
プロキシミティギャップに応じて倍率が変化するのは、
先の図３で説明した実施例１と同様であるが、Ｘ軸方向
ではΔｇに対して倍率の変化する方向が反対となる。す
なわち、図３の実施例では、プロキシミティギャップを
増大させると像は拡大するが、本実施例においては逆に
縮小する。そのため、集光しているＸ軸では、先の式
（２）のΔｇが−Δｇとなり、発散しているＹ軸ではΔ
ｇは変化しない。従って、Δｇ，Ｖmは以下のような式
となる。
【００３９】 Δｇ＝−（ｍx−１）×Ｌx （６） Ｖm＝Ｖx×（ｍy／（１＋Δｇ／Ｌy）−１） （７） これに従って、先の実施例１と同様にＸ，Ｙ方向の倍率
補正を行う。
補正を行う。
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【００４７】
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】
【００５２】＜実施例４＞ 次に、第４の実施例について図７を用いて説明する。本
実施例は、凸面ミラーによって拡大した放射光束を固定
してマスク及びウエハに指向させ、これに対して横切る
方向に、所定幅の開口を有する移動シャッタを走らせる
ことによって、実質的に走査露光を行なものである。
実施例は、凸面ミラーによって拡大した放射光束を固定
してマスク及びウエハに指向させ、これに対して横切る
方向に、所定幅の開口を有する移動シャッタを走らせる
ことによって、実質的に走査露光を行なものである。
【００５３】図７に示すように、発光点１１から放射さ
れた放射光１は、凸面ミラー２１によって拡大され、Ｘ
線マスク２に向けて指向される。ここで、凸面ミラー２
１によって拡大された放射光１２の強度分布は、拡大し
た方向（図中、Ｙ軸方向）に沿って概略ガウス分布状で
不均一である。また、Ｘ軸方向に関してはほぼ均一な強
度強度分布を有する。
れた放射光１は、凸面ミラー２１によって拡大され、Ｘ
線マスク２に向けて指向される。ここで、凸面ミラー２
１によって拡大された放射光１２の強度分布は、拡大し
た方向（図中、Ｙ軸方向）に沿って概略ガウス分布状で
不均一である。また、Ｘ軸方向に関してはほぼ均一な強
度強度分布を有する。
【００５４】このＹ軸方向の強度分布を解消して均一な
露光強度分布を得るためにシャッタ２２が設けられてい
る。シャッタ２２は、所定幅の開口２３をもったベルト
と、ベルトをＹ軸方向に移動させるための回転ドラムと
を有している。ベルトの移動速度を変化させ露光量域の
部位に応じて移動速度をコントロールして、各部位で露
光時間を変えることによって、露光量域全面で均一な露
光量を得ることができる。拡大された放射光１２は、マ
スク２に対して固定されているが、シャッタ２２の開口
２３がＹ軸方向に移動することによって、結果として放
射光がマスク面上を移動走査することになる。
露光強度分布を得るためにシャッタ２２が設けられてい
る。シャッタ２２は、所定幅の開口２３をもったベルト
と、ベルトをＹ軸方向に移動させるための回転ドラムと
を有している。ベルトの移動速度を変化させ露光量域の
部位に応じて移動速度をコントロールして、各部位で露
光時間を変えることによって、露光量域全面で均一な露
光量を得ることができる。拡大された放射光１２は、マ
スク２に対して固定されているが、シャッタ２２の開口
２３がＹ軸方向に移動することによって、結果として放
射光がマスク面上を移動走査することになる。
【００５５】放射光１２は、Ｘ軸方向に関しては、発光
点１１を点光源とする発散された放射光とみなすことが
でき、また、Ｙ軸方向に関しては、凸面ミラー２１を点
光源とする発散された放射光とみなすことができる。よ
って、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで転写倍率が異なってしま
う。
点１１を点光源とする発散された放射光とみなすことが
でき、また、Ｙ軸方向に関しては、凸面ミラー２１を点
光源とする発散された放射光とみなすことができる。よ
って、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで転写倍率が異なってしま
う。
【００５６】これを解消するために、シャッタ２２の開
口２３の移動に同期して、マスクステージ４を移動させ
てＹ軸方向の倍率補正を行う。また、Ｘ軸方向（及びＹ
軸方向）の倍率補正については先に説明した実施例と同
様に、ウエハ又はマスクの間のプロキシミティギャップ
の調整によって行うことができる。
口２３の移動に同期して、マスクステージ４を移動させ
てＹ軸方向の倍率補正を行う。また、Ｘ軸方向（及びＹ
軸方向）の倍率補正については先に説明した実施例と同
様に、ウエハ又はマスクの間のプロキシミティギャップ
の調整によって行うことができる。
【００５７】以下、Ｙ軸方向の倍率補正について説明す
る。
る。
【００５８】Ｙ軸方向の倍率補正は、シャッタの開口部
２３の移動速度（言い換えれば、ビームのスキャン速
度）をＶshとすると、式（９）から、マスク移動速度Ｖ
mは Ｖm＝（ｍy／ｍy′−１）Ｖsh （１１） として露光転写を行う。
２３の移動速度（言い換えれば、ビームのスキャン速
度）をＶshとすると、式（９）から、マスク移動速度Ｖ
mは Ｖm＝（ｍy／ｍy′−１）Ｖsh （１１） として露光転写を行う。
【００５９】シャッタの開口部２３の移動速度は、マス
ク面上に照射されているＸ線強度に依存し所定の速度プ
ロファイルに従って非等速で移動するので、式（１１）
の関係を保ったまま、シャッタの開口部の移動速度Ｖsh
に応じてマスク移動速度Ｖｍを変化させる。なお、シャ
ッタの速度変化が比較的小さい場合は、マスク移動速度
Ｖｍを一定値としてもよい。
ク面上に照射されているＸ線強度に依存し所定の速度プ
ロファイルに従って非等速で移動するので、式（１１）
の関係を保ったまま、シャッタの開口部の移動速度Ｖsh
に応じてマスク移動速度Ｖｍを変化させる。なお、シャ
ッタの速度変化が比較的小さい場合は、マスク移動速度
Ｖｍを一定値としてもよい。
【００６０】＜実施例５＞ 次に上記説明した露光装置や露光方法を利用したデバイ
スの製造方法の実施例を説明する。図７は微小デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステ
ップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
スの製造方法の実施例を説明する。図７は微小デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一
方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を
用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセ
ス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と
呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて
半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダ
イシング、ボンディング）、パッケージング工程（チッ
プ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステ
ップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、
耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半
導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）され
る。
【００６１】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置や露光方法
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実
施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高
集積度の半導体デバイスを製造することができる。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置や露光方法
によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光す
る。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像す
る。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実
施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高
集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、シンクロトロン放射光
などを用いた走査露光に好適な転写倍率補正を行うこと
ができ、高精度な露光が可能となる。
などを用いた走査露光に好適な転写倍率補正を行うこと
ができ、高精度な露光が可能となる。
【図１】本発明の原理を説明する図である。
【図２】プロキシミティ露光の発散角を説明する図であ
る。
る。
【図３】実施例の露光装置の説明図である。
【図４】実施例を動作を説明する図である。
【図５】別の実施例の露光装置の説明図である。
【図６】別の実施例の露光装置の説明図である。
【図７】別の実施例の露光装置の説明図である。
【図８】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図９】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
る。
１ 放射光 ２ Ｘ線マスク ３ ウエハ ４ マスクステージ ５ ウエハステージ ６ Ｘ線ミラー揺動装置 ７ Ｘ線ミラー １１ 発光点
Claims (7)
- 【請求項１】 プロキシミティギャップを以ってマスク
とウエハとを対向させてマスクのパターンをウエハに転
写する方法であって、マスクとウエハのギャップを調整
するステップと、該マスクとウエハに対して、ビームを
相対的に走査するステップと、該走査ステップ中に該走
査に同期して、ウエハとマスクを走査方向に補正倍率に
対応して相対的に微小移動させるステップとを有するこ
とを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 ビーム走査は、スキャニングミラーによ
ってビームを偏向することによって行うことを特徴とす
る請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 ビーム走査は、ビームに対してマスク及
びウエハを共に移動させることを特徴とする請求項１記
載の露光方法。 - 【請求項４】 ビーム走査は、ビームに対してシャッタ
を移動させることによって行うことを特徴とする請求項
１記載の露光方法。 - 【請求項５】 ビームはシンクロトロン放射光であるこ
とを特徴とする請求項１記載の露光方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかの露光方法を有
する工程によってデバイスを製造することを特徴とする
デバイス製造方法。 - 【請求項７】 プロキシミティギャップを以ってマスク
とウエハとを対向させてマスクのパターンをウエハに転
写する装置であって、マスクとウエハのギャップを調整
し、該マスクとウエハに対してビームを相対的に走査
し、該走査中に該走査に同期してウエハとマスクを走査
方向に補正倍率に対応して相対的に微小移動させること
を特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06415895A JP3287725B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-03-23 | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 |
| US08/455,154 US5604779A (en) | 1994-06-07 | 1995-05-31 | Optical exposure method and device formed by the method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-125104 | 1994-06-07 | ||
| JP12510494 | 1994-06-07 | ||
| JP06415895A JP3287725B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-03-23 | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855785A JPH0855785A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3287725B2 true JP3287725B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=26405292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06415895A Expired - Fee Related JP3287725B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-03-23 | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5604779A (ja) |
| JP (1) | JP3287725B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2695853C1 (ru) * | 2016-03-15 | 2019-07-29 | ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН | Способ получения листовой электротехнической стали с ориентированной структурой и технологическая линия по ее производству |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3666951B2 (ja) | 1995-10-06 | 2005-06-29 | キヤノン株式会社 | マーク検出方法、これを用いた位置合わせ方法、露光方法及び装置、ならびにデバイス生産方法 |
| US6144719A (en) * | 1996-01-22 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure device and device producing method |
| JPH1097976A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Canon Inc | 露光方法や露光用マスク、ならびにデバイス生産方法 |
| JP3634563B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 露光方法および装置並びにデバイス製造方法 |
| JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| JP3332872B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JP3387834B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2003-03-17 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP2002245947A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-08-30 | Canon Inc | 細線を有する基板及びその製造方法及び電子源基板及び画像表示装置 |
| US6950300B2 (en) * | 2003-05-06 | 2005-09-27 | Marvell World Trade Ltd. | Ultra low inductance multi layer ceramic capacitor |
| US8647797B2 (en) | 2009-08-11 | 2014-02-11 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Methos and device for keeping mask dimensions constant |
| EP2764327B1 (de) * | 2011-11-14 | 2017-01-18 | Ev Group E. Thallner GmbH | Ermittlung von formänderungen eines substrats |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4028547A (en) * | 1975-06-30 | 1977-06-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | X-ray photolithography |
| JPS62222634A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光方法 |
| EP0253283A3 (de) * | 1986-07-15 | 1988-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur Belichtung von Halbleiterscheiben mittels Synchrotronstrahlung in einem Lithographiegerät |
| DE68929356T2 (de) * | 1988-06-03 | 2002-05-23 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung |
| JPH02170410A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Hitachi Ltd | 放射線露光用マスクおよびこれを用いた放射線露光方法 |
| JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| DE69031897T2 (de) * | 1989-10-19 | 1998-05-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Röntgenbelichtungsvorrichtung |
| JP2766935B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| DE69126719T2 (de) * | 1990-03-09 | 1997-11-06 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Belichtungsvorrichtung |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP06415895A patent/JP3287725B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-31 US US08/455,154 patent/US5604779A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2695853C1 (ru) * | 2016-03-15 | 2019-07-29 | ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН | Способ получения листовой электротехнической стали с ориентированной структурой и технологическая линия по ее производству |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5604779A (en) | 1997-02-18 |
| JPH0855785A (ja) | 1996-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6462807B1 (en) | Projection exposure apparatus and method | |
| US5917580A (en) | Scan exposure method and apparatus | |
| US4864360A (en) | Exposure apparatus | |
| US6699628B2 (en) | Aligning method for a scanning projection exposure apparatus | |
| US20060158631A1 (en) | Method and apparatus for irradiating a microlithographic substrate | |
| JP3287725B2 (ja) | 露光方法とこれを用いたデバイス製造方法 | |
| JPH04196513A (ja) | 投影露光装置および走査露光方法 | |
| JP3060357B2 (ja) | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| US6583430B1 (en) | Electron beam exposure method and apparatus | |
| JP3101473B2 (ja) | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 | |
| JP2002353121A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP3335126B2 (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
| JP2001244183A (ja) | 投影露光装置 | |
| US20030034460A1 (en) | Mask pattern transfer method, mask pattern transfer apparatus using the method, and device manufacturing method | |
| US6337734B1 (en) | Exposure control method, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP3983488B2 (ja) | リソグラフィ投影装置のためのオブジェクト位置決め方法 | |
| JP2005191495A (ja) | 照明光学系、露光装置、デバイスの製造方法 | |
| US5459003A (en) | Exposure method for forming sloping sidewalls in photoresists | |
| JP3091821B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000114164A (ja) | 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| KR100383297B1 (ko) | 투영노광방법및장치 | |
| JP3787531B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPH1097976A (ja) | 露光方法や露光用マスク、ならびにデバイス生産方法 | |
| JPH1092727A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3320237B2 (ja) | 露光装置、露光方法ならびにデバイス生産方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020205 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080315 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |