JP2000114164A - 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents

走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Info

Publication number
JP2000114164A
JP2000114164A JP10303298A JP30329898A JP2000114164A JP 2000114164 A JP2000114164 A JP 2000114164A JP 10303298 A JP10303298 A JP 10303298A JP 30329898 A JP30329898 A JP 30329898A JP 2000114164 A JP2000114164 A JP 2000114164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning
illumination
exposure apparatus
light shielding
projection exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10303298A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanaga Shiozawa
崇永 塩澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP10303298A priority Critical patent/JP2000114164A/ja
Publication of JP2000114164A publication Critical patent/JP2000114164A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被走査面上を均一な光量分布としてレチクル
面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に高い光
学性能を有して走査投影することのできる走査型投影露
光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を得るこ
と。 【解決手段】 マスクと被露光基板を第１の方向に延び
た開口形状を有する露光ビームで該第１方向と交差する
第２の方向に走査することにより、該マスクのパターン
を該被露光基板上に順次投影露光する走査型投影露光装
置において、該被露光基板上での第２の方向に関する一
方の側の照明範囲を規定する少なくとも１枚の遮光部材
を備え、該遮光部材により規定される照明範囲のエッジ
部の方向と該第１の方向の角度を変更する変更手段を有
すること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型投影露光装置
及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、例えばＩ
ＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイ
スや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバ
イスを製造する工程のうち、リソグラフィー工程におい
て使用される走査型投影露光装置において、レチクル等
の第１物体面上のパターンをウエハ等の第２物体面上に
投影光学系により均一な光量分布で投影露光する場合に
好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイス
の高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う
半導体ウエハの微細加工技術の中心をなす投影露光装置
として、円弧状の露光域を持つ等倍のミラー光学系に対
してマスクと感光基板を走査しながら露光する等倍投影
露光装置（ミラープロジェクションアライナー）やマス
クのパターン像を屈折光学系により感光基板上に形成
し、感光基板をステップアンドリピート方式で露光する
縮小投影露光装置（ステッパー）等が提案されている。
【０００３】又、最近は半導体素子１個のチップパター
ンが大型化する傾向にあり、投影露光装置においてはマ
スク上のより大きな面積パターンを感光基板上に露光す
る大面積化が求められている。
【０００４】これらの要部に対して最近では、高解像力
が得られ、且つ画面サイズを拡大できるステップアンド
スキャン方式の走査型投影露光装置（露光装置）が種々
と提案されている。この走査型露光装置では、レチクル
面上のパターンをスリット状光束により照明し、該スリ
ット状光束により照明されたパターンを投影系（投影光
学系）を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写
している。
【０００５】この走査型投影露光装置としては、例えば
従来の反射投影光学系を用いた等倍の走査型露光装置を
改良し、投影光学系に屈折素子を組み込んで、反射素子
と屈折素子とを組み合わせたもの、或いは屈折素子のみ
で構成した縮小投影光学系を用いて、マスクステージと
感光基板のステージ（ウエハステージ）との両方を縮小
倍率で応じた速度比で同期走査する走査型露光装置等が
提案されている。
【０００６】一般に高解像度のパターンを得るにはウエ
ハ面上を均一な光量分布で走査露光する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図８（Ａ）はウエハ１
３内の複数の素子パターンを順次走査露光してゆく様子
を示しており、図中の斜線部はある時間での露光領域で
ある。この露光領域が矢印で示すようにスキャンとステ
ップを繰り返すことにより素子パターンが露光されてゆ
く。このような露光方法においては、図８（Ｂ）に拡大
して示す１ショット１３ａ（１回のスキャンにより露光
される範囲）内の露光ムラは図８（Ｃ）に示すとおりｘ
方向（走査方向と平行な方向）では大体均一であるが、
ｙ方向（走査方向と垂直な方向）ではスリット状光束自
体の光強度分布のムラやスリットの幅の場所による違い
による露光量のムラが生じてしまう。
【０００８】このようなスリット状の光束に対してマス
クとウエハとを相対的に走査することによってマスク上
のパターンをウエハ上に投影する走査型露光装置におい
ては、スリットの長さ方向（スリット状光束の走査方向
と垂直な方向）の露光ムラが半導体デバイスを製造する
際の不良率を上げている。
【０００９】走査露光時のウエハ上での露光ムラの補正
機能を備えた投影露光装置が特開昭６２−１９３１２５
号公報に開示されている。そこではスリットの幅を部分
的に変化させて各部分の露光量を調整する方法がある。
【００１０】図９は同公報におけるリング状の光束で走
査露光を行う走査型露光装置におけるスリット幅可変の
スリットの一例を示している。スリットを多数の遮光部
材により構成し、多数の遮光部材を各々独立に動かして
位置を調整することによりスリットの幅を部分的に変化
させている。この方法においては、露光ムラを小さく抑
えるためには非常に多数の可動の遮光部材が必要であ
り、複雑な機構になってしまう。
【００１１】特に１つの走査型露光装置でも照明ＮＡを
変えたり、スリット幅を変えたり様々な使い方をするた
めに照明ビーム内のビーム形状はその度に変更する必要
がある為、簡単な機構が望まれている。
【００１２】本発明は、露光ムラ、特に走査方向と垂直
な方向に発生する傾き露光ムラ（露光量分布のリニアな
変化）を正確にまた簡単に補正することができ、第１可
動ステージに載置した第１物体としてのレチクル面上の
パターンを投影光学系で第２可動ステージに載置した第
２物体としてのウエハ面上に均一な光量分布で高精度に
走査露光することができ、高集積度の半導体デバイスを
容易に製造することができる走査型投影露光装置及びそ
れを用いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型投影露光
装置は、 (1-1) マスクと被露光基板を第１の方向に延びた開口形
状を有する露光ビームで該第１方向と交差する第２の方
向に走査することにより、該マスクのパターンを該被露
光基板上に順次投影露光する走査型投影露光装置におい
て、該被露光基板上での第２の方向に関する一方の側の
照明範囲を規定する少なくとも１枚の遮光部材を備え、
該遮光部材により規定される照明範囲のエッジ部の方向
と該第１の方向の角度を変更する変更手段を有すること
を特徴としている。
【００１４】(1-2) マスクと被露光基板を第１の方向に
延びた開口形状を有する露光ビームで該第１方向と交差
する第２の方向に走査することにより該マスクのパター
ンを該被露光基板上に順次投影露光する走査型投影露光
装置において、該被露光基板上での第２の方向に関する
一方の側の照明範囲を規定するエッジ部を含む少なくと
も１枚の遮光部材を備え、該遮光部材を該第１の方向へ
位置を変更する位置変更手段を有することを特徴として
いる。
【００１５】(1-3) 第１可動ステージに載置した第１物
体面上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形
状の光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光
学系により第２可動ステージに載置した第２物体面上に
走査手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第
１，第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応
させた速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影
露光装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範
囲を制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有
し、該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲
を制限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の
該照明領域側のエッジ部が第１の方向に対して変化する
ようにしていることを特徴としている。
【００１６】(1-4) 第１可動ステージに載置した第１物
体面上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形
状の光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光
学系により第２可動ステージに載置した第２物体面上に
走査手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第
１，第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応
させた速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影
露光装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範
囲を制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有
し、該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲
を制限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の
該照明領域側のエッジ部と該第１の方向とのなす角度を
変化させていることを特徴としている。
【００１７】(1-5) 第１可動ステージに載置した第１物
体面上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形
状の光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光
学系により第２可動ステージに載置した第２物体面上に
走査手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第
１，第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応
させた速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影
露光装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範
囲を制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有
し、該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲
を制限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の
該照明領域側のエッジ部と他の遮光部材のエッジ部とで
形成される開口形状を変化させていることを特徴として
いる。
【００１８】特に、構成(1-1) 〜(1-5) のいずれか１項
で、 (1-5-1) 前記遮光部材のエッジ部の形状は近似的に２次
曲線であること。
【００１９】(1-5-2) 前記遮光部材は前記第２の方向へ
変移可能であること。等を特徴としている。
【００２０】本発明のデバイスの製造方法は、 (2-1) 構成(1-1) 〜(1-5) のいずれか１つの走査型投影
露光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行
った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に投影
露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバ
イスを製造していることを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の走査型露光装置の
実施形態１の構成概略図である。本実施形態は光源から
射出された光束を照明光学系を介してレチクル（マス
ク）にスリット光束で照射し、レチクル上に形成されて
いる回路パターンを投影レンズ（投影光学系）によって
感光体を塗布したウエハ上に走査しながら縮小投影して
焼き付けるステップアンドスキャン型の露光装置を示し
ており、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体デバイス，ＣＣＤ等の
撮像デバイス，磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に
好適なものである。
【００２２】図２〜図４は図１の一部分の拡大説明図で
ある。図中１は光源であり、水銀ランプやエキシマレー
ザー等で構成されており、紫外域の光を供給している。
２はビーム（光束）整形光学系であり、光源１からの光
束を所定の形状に整形してオプティカルインテグレータ
３の光入射面３ａへ入射させて２次光源形成面での対称
性や集光度を最適化している。オプティカルインテグレ
ータ３は複数の微小なレンズより成る蠅の目レンズ等で
構成されており、その光射出面３ｂの近傍に複数の２次
光源を形成する。
【００２３】４は照明絞りであり、光射出面３ｂ近傍に
配置している。照明絞り４の切替及び光束整形光学系２
の変更によって照明状態（輪帯照明，４重極照明，ＮＡ
等）を種々と変更している。
【００２４】５は照度分布可変レンズ（コンデンサーレ
ンズ）であり、後述するレチクル１１面上の照度分布を
変倍等によって変える光学作用を有している。
【００２５】又、コンデンサーレンズ５はオプティカル
インテグレータ３の光射出面３ｂ近傍の２次光源からの
光束で開口形状が可変の可動スリット（マスキングブレ
ード）７をケーラー照明している。
【００２６】可動スリット７を照明した光束は結像レン
ズ８，ミラー９，そして結像レンズ１０を介してレチク
ル（マスク）１１を照明する。可動スリット７は、レチ
クル１１と光学的に共役な位置、あるいはわずかにデフ
ォーカスした位置に配置されており、可動スリット７の
開口の形状によりレチクル１１の照明領域の形と寸法が
規定される。可動スリット７には、例えばボイスコイル
モータ（不図示）が設けられており、可動スリット７の
開口部の変更や可動スリット７を光軸方向に移動制御す
ることにより、レチクル１１面上の照明領域を制御して
いる。
【００２７】１７は照度モニタ（光量検出器）であり、
ハーフミラー６によって分割された露光光の一部の光量
を検出し、間接的にレチクル面１１上の照度を検出して
露光ムラ検出回路１８へ信号を出力する。
【００２８】ビーム整形光学系２，オプティカルインテ
グレータ３，コンデンサーレンズ５，可動スリット７，
結像レンズ８，１０、ミラー９等により、露光光をレチ
クル１１に供給する照明光学系を構成している。又、照
明光学系の中には不図示の減光手段があり、光源１から
の光束の光量を多段階に調整できる構成となっている。
【００２９】レチクル１１はレチクルステージ（第１可
動ステージ）に保持されており、レチクル面上には回路
パターンが形成されている。１２は投影レンズ（投影光
学系）であり、レチクル１１の回路パターンをウエハ１
３上に縮小投影する。ウエハ１３の表面には感光体であ
るレジストを塗布している。ウエハ１３はウエハチャッ
ク１４に保持され、３次元に変位するウエハステージ
（第２可動ステージ）１５に載置している。
【００３０】ウエハステージ１５上には照度モニタ（光
量検出器）１６を設置しており、これにより投影レンズ
１２を介して照明領域１００内の照明分布を検出してい
る。又、光量検出器１６は、ウエハステージ１５を移動
させることにより、光量検出器１７の出力結果を参照し
ながら照明領域１００内の照度分布を検出している。
【００３１】露光ムラ検出回路１８は光量検出器１６に
よる検出結果に基づきウエハ１３を露光するときに生じ
るであろう露光ムラを検出する。露光ムラ検出回路１８
からの出力が露光ムラ補正回路１９を介して照度分布可
変レンズ５と可変スリット７を利用して又は可変スリッ
ト７によって照明領域１００の露光ムラを最小限に抑え
る動作を行わせている。
【００３２】レチクル１１とウエハ１３とを投影光学系
１２の投影倍率に対応した速度比で同期をとりながら互
いに反対方向に矢印で示す方向（図１ではＸ方向）に移
動させて、レチクル１１面上のパターンをウエハ１３面
上に走査露光している。
【００３３】本実施形態の走査型露光装置は、マスクと
被露光基板を第１の方向に延びた断面形状を有する露光
ビームで当該第１方向と交差する第２の方向に走査する
ことにより、前記マスクのパターンを前記被露光基板上
に順次投影露光する走査型投影露光装置において、前記
被露光基板上での第２の方向に関する一方の側の照明範
囲を規定する少なくとも一枚の遮光部材を備え、前記遮
光部材により規定される照明範囲のエッジの方向と前記
第１の方向の角度を変更する変更手段を有している。
【００３４】若しくは該遮光部材を第１の方向へ位置を
変更する位置変更手段を有するようにしている。
【００３５】以下に図１の投影露光装置のレチクル１１
面又はウエハ１３面上における露光ムラ検出方法と露光
ムラの補正方法を図２以下を用いて説明する。
【００３６】露光ムラの検出は前述した通りウエハステ
ージ１５上に載置した露光量検出器１６を用いて行う。
ウエハ１３のショット上の照明領域１００の照度分布の
内、走査方向（Ｘ方向）の照度分布のムラは露光ムラに
対して影響が小さい。
【００３７】従ってここでは、走査方向と直交する方向
（スリット７の開口の長手方向に相当）（Ｙ方向）に関
する露光ムラを走査方向（Ｘ方向）の照度分布の積算値
の分布を測定することにより得ている。まず、走査方向
の照度分布の積算値を計測する為に、光量検出器１６に
入射する光を制限する為に図３に示す形状の絞り２０を
光量検出器１６面上に設けている。そして絞り２０の走
査方向の開口を照明領域１００より長くしている。
【００３８】そして、この絞り２０を介して光量検出器
１６に入る光束を光電的に検出するようにし、走査方向
と直交する方向（Ｙ方向）にこのスリット状絞り付きの
光量検出器１６を動かして検出を繰り返し、当該直交す
る方向に沿った各位置での照度分布積算値を検出する。
【００３９】走査方向と直交する方向（Ｙ方向）の傾き
露光ムラの補正は可変スリット７の各ブレード７ａ〜７
ｄを用いている。図１の可変スリット７は図２に示す通
り、４枚のブレード（遮光板）７ａ〜７ｄを備えてお
り、それぞれのブレードが光束を制限（もしくは大き
く）する方向（各エッジと直交する方向）に動き、照明
範囲を変えている。ここで、ブレード７ａはエッジ（エ
ッジ部）７ｔが２次曲線状になっており、図２（Ａ），
（Ｂ）に示すようにブレード７ａはＸ方向と直交するＹ
方向へも駆動可能となっている。
【００４０】このブレード７ａをＹ方向へモータ等の変
更手段を用いて駆動することにより、走査方向（Ｘ方
向）と直交する方向（Ｙ方向）の傾きムラを補正してい
る。即ち、エッジ部７ｔとＹ方向との傾きを変えてい
る。
【００４１】図５（Ａ）はブレード７ａが基準状態（例
えば図２（Ａ）に示す状態）の時の、走査方向と直交す
るＹ方向の積算光量分布を示している。図５（Ｂ）はブ
レード７ａを前記走査方向と直交するＹ方向に動かした
時の走査方向と直交するＹ方向の積算光量分を示してい
る。ブレード７ａは近似的に２次曲線のエッジ形状を持
っているため、図５（Ａ）と図５（Ｂ）の差分は図５
（Ｃ）に示すような、１次直線状の傾きになる。
【００４２】このように本実施形態ではブレード７ａを
前記走査方向と直交するＹ方向に動かすことにより、走
査方向と直交するＹ方向の傾きムラを変えている。
【００４３】ブレード７ａの２次曲線形状は補正したい
傾きムラの量により決定している。例えば、照明状態を
切り換える毎に大きく傾きムラを補正しなければならな
いときは、２次曲線のカーブの大きいものを選択し、直
交方向への僅かな駆動で傾きムラを補正できるようにす
る。２次曲線のカーブは、図２（Ａ）のように周辺が開
く形状でも良いし、逆に周辺が狭くなる形状でも良い。
【００４４】ブレード７ａが直線状（開口形状が長方
形）のときに走査方向と直交するＹ方向の積算光量ムラ
が、周辺部が低くなる傾向を持つときは周辺が開く形状
が望ましい。また周辺部が高くなる傾向を持つときは周
辺が狭くなる形状が望ましい。また、ブレード７ａの形
状を選択的に変えても良い。
【００４５】図４（Ａ），（Ｂ）は傾きムラを補正する
もう１つの実施形態である。ここでは４つのブレード７
ｅ〜７ｈのうちブレード７ｅの傾きを直接変えることに
より、傾き露光ムラを補正している。
【００４６】以上示したように、本実施形態では照射領
域を制限する複数のブレードのうち、１枚の遮光部材
（ブレード）を駆動するという簡単な機構で、走査型の
投影露光装置における走査方向と直交する方向の露光ム
ラ（特に傾きムラ）を良好に補正している。
【００４７】これによって高解像度のパターンを容易に
得ている。
【００４８】次に上記説明した投影露光装置を利用した
半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【００４９】図６は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、或いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローを示す。
【００５０】ステップ１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【００５１】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００５２】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００５３】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５４】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。
【００５５】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００５６】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジス
ト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジスト
を取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことに
よってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５７】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを容易に製
造することができる。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、各要素を
設定することにより、露光ムラ、特に走査方向と垂直な
方向に発生する傾き露光ムラ（露光量分布のリニアな変
化）を正確にまた簡単に補正することができ、第１可動
ステージに載置した第１物体としてのレチクル面上のパ
ターンを投影光学系で第２可動ステージに載置した第２
物体としてのウエハ面上に均一な光量分布で高精度に走
査露光することができ、高集積度の半導体デバイスを容
易に製造することができる走査型投影露光装置及びそれ
を用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１の要部概略図
【図２】図１の可変スリットの説明図
【図３】本発明における露光ムラの測定方法を示す説明
図
【図４】図１の可変スリットの構成、機能を示す説明図
【図５】図２の可変スリットにより傾き露光ムラの補正
を行うときの説明図
【図６】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図７】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図８】従来の走査露光の様子を示す説明図
【図９】従来の可変スリットの１列を示す図
【符号の説明】
１ 光源 ２ 光束整形光学系 ３ 蠅の目レンズ ４ 絞り ５ 照度分布可変レンズ ７ 可変スリット ７ａ〜７ｈ 可変スリット７を構成する各ブレード １１ レチクル １２ 投影光学系 １３ ウエハ １４ ウエハチャック １５ ウエハステージ １６，１７ 光量検出器

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスクと被露光基板を第１の方向に延び
    た開口形状を有する露光ビームで該第１方向と交差する
    第２の方向に走査することにより、該マスクのパターン
    を該被露光基板上に順次投影露光する走査型投影露光装
    置において、該被露光基板上での第２の方向に関する一
    方の側の照明範囲を規定する少なくとも１枚の遮光部材
    を備え、該遮光部材により規定される照明範囲のエッジ
    部の方向と該第１の方向の角度を変更する変更手段を有
    することを特徴とする走査型投影露光装置。
  2. 【請求項２】 マスクと被露光基板を第１の方向に延び
    た開口形状を有する露光ビームで該第１方向と交差する
    第２の方向に走査することにより該マスクのパターンを
    該被露光基板上に順次投影露光する走査型投影露光装置
    において、該被露光基板上での第２の方向に関する一方
    の側の照明範囲を規定するエッジ部を含む少なくとも１
    枚の遮光部材を備え、該遮光部材を該第１の方向へ位置
    を変更する位置変更手段を有することを特徴とする走査
    型投影露光装置。
  3. 【請求項３】 第１可動ステージに載置した第１物体面
    上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形状の
    光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学系
    により第２可動ステージに載置した第２物体面上に走査
    手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第１，
    第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
    た速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影露光
    装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範囲を
    制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有し、
    該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲を制
    限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の該照
    明領域側のエッジ部が第１の方向に対して変化するよう
    にしていることを特徴とする走査型投影露光装置。
  4. 【請求項４】 第１可動ステージに載置した第１物体面
    上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形状の
    光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学系
    により第２可動ステージに載置した第２物体面上に走査
    手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第１，
    第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
    た速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影露光
    装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範囲を
    制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有し、
    該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲を制
    限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の該照
    明領域側のエッジ部と該第１の方向とのなす角度を変化
    させていることを特徴とする走査型投影露光装置。
  5. 【請求項５】 第１可動ステージに載置した第１物体面
    上のパターンを照明系で第１の方向に延びた開口形状の
    光束で照明し、該第１物体面上のパターンを投影光学系
    により第２可動ステージに載置した第２物体面上に走査
    手段により第１の方向と直交する第２の方向に該第１，
    第２可動ステージを該投影光学系の投影倍率に対応させ
    た速度比で同期させて走査投影露光する走査型投影露光
    装置において、該照明系は該第１物体面上の照明範囲を
    制限する複数の遮光部材より成る可動スリットを有し、
    該複数の遮光部材のうちの該第２の方向の照明範囲を制
    限する１つの遮光部材を移動させて、該遮光部材の該照
    明領域側のエッジ部と他の遮光部材のエッジ部とで形成
    される開口形状を変化させていることを特徴とする走査
    型投影露光装置。
  6. 【請求項６】 前記遮光部材のエッジ部の形状は近似的
    に２次曲線であることを特徴とする請求項１から５のい
    ずれか１項の走査型投影露光装置。
  7. 【請求項７】 前記遮光部材は前記第２の方向へ変移可
    能であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１
    項の走査型投影露光装置。
  8. 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項記載の走
    査型投影露光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合
    わせを行った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面
    上に投影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介
    してデバイスを製造していることを特徴とするデバイス
    の製造方法。
JP10303298A 1998-10-09 1998-10-09 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 Pending JP2000114164A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10303298A JP2000114164A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10303298A JP2000114164A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000114164A true JP2000114164A (ja) 2000-04-21

Family

ID=17919281

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10303298A Pending JP2000114164A (ja) 1998-10-09 1998-10-09 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000114164A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002319530A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、及び露光方法
US6704090B2 (en) 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
JP2005012169A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2006134932A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nikon Corp 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US7224438B2 (en) * 2002-12-19 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing a device, device manufactured thereby, computer program and lithographic apparatus
JP2008153498A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
US6704090B2 (en) 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
SG113388A1 (en) * 2000-05-11 2005-08-29 Nikon Corp Exposure method and exposure apparatus
JP4548969B2 (ja) * 2001-04-20 2010-09-22 パナソニック株式会社 露光装置、及び露光方法
JP2002319530A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置、及び露光方法
US7224438B2 (en) * 2002-12-19 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing a device, device manufactured thereby, computer program and lithographic apparatus
JP2005012169A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7130024B2 (en) 2003-05-22 2006-10-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPWO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2007-05-31 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
WO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
US7889320B2 (en) 2003-11-13 2011-02-15 Nikon Corporation Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
JP4631707B2 (ja) * 2003-11-13 2011-02-16 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2006134932A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nikon Corp 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JP2008153498A (ja) * 2006-12-19 2008-07-03 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3093528B2 (ja) 走査型露光装置
JP3610175B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP3057998B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3599629B2 (ja) 照明光学系及び前記照明光学系を用いた露光装置
KR100485314B1 (ko) 투영노광장치와 이것을 사용한 디바이스제조방법
JP3817365B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP4392879B2 (ja) 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP3200244B2 (ja) 走査型露光装置
JP3762102B2 (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US7130024B2 (en) Exposure apparatus
JP3796294B2 (ja) 照明光学系及び露光装置
JP2001244183A (ja) 投影露光装置
JP2000114164A (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3710321B2 (ja) 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法
US6573977B1 (en) Exposure control method, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2005302825A (ja) 露光装置
JPH10106942A (ja) 走査型露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2010118403A (ja) 走査型露光装置、及びデバイスの製造方法
JPH0729816A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP5397596B2 (ja) フレア計測方法及び露光方法
JP2003318095A (ja) フレア計測方法及びフレア計測装置、露光方法及び露光装置、露光装置の調整方法
JP3223646B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP3167101B2 (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH1092729A (ja) 照明装置及びそれを用いた走査型投影露光装置
JP2006140393A (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法