JP3271605B2 - プリント基板の半田付け不良検出装置 - Google Patents

プリント基板の半田付け不良検出装置

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板の半
田付け不良検出装置に関し、特にフラックス等の介在に
よる擬似半田付け不良(実際は正しく半田付け),フラ
ックス等の介在による真実の半田付け不良を識別するこ
とが可能なプリント基板の半田付け不良検出装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、プリント基板に電子部品を半田付
け実装する方法として、スルーホールに電子部品のリー
ド端子を挿入して半田付けする「挿入実装」と、リード
端子をプリント基板表面に半田付けする「表面実装」等
が知られており、量産時における実装状態のプリント基
板(実装基板)の検査にはインサーキットテスタを用い
るのが一般的である。
【0003】このインサーキットテスタの一種に、ピン
(プローブ)をモータ等で移動させて所望の検査位置に
接触させるタイプのフライングプローブピン装置があ
る。このフライングプローブピン装置を使用する際の状
況を、図面に基づいて説明する。
【0004】図11(A)は、表面実装タイプのIC1
03を、プリント基板101上に形成された回路パター
ン102に正しく半田付けした場合の側断面図である。
この場合には、電池102の一端(負極)をパターン1
02に接触させ、他端(正極)を、電流計111を介し
てピン112に接続し、ピン112の先端をICのリー
ド端子103aに接続すると、正しく半田付けされてい
るので、電流計111の針は振れる。113は保護抵抗
である。
【0005】しかし、図11(B)に示すように、ピン
112とリード端子103aとの間にフラックス120
aが介在したり、図11(C)に示すように、リード端
子103aと回路パターン102との間にフラックス1
20bが介在した場合には、前述の電流経路が形成され
ないので、測定結果がゼロになってしまう(電流計の針
が振れない)。
【0006】ここに、図11(B)の場合は半田付けそ
のもの(リード端子103aと回路パターン102の半
田付け)は正確に行われており、半田付け状態は本来
「合格」であり(擬似半田付け不良)、図11(C)の
場合はリード端子103aと回路パターン102の半田
付け状態はフラックス120bが介在するので「不合
格」である(真実の半田付け不良)。
【0007】以上のような、「擬似半田付け不良」と
「真実の半田付け不良」とを識別する手段として、従来
幾つかの提案がされている(例えば、特開平5−164
803号公報)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来技術では、予め、基板上の多数の測定点毎に比較する
ための判定基準を作成し、測定点毎に判断基準を設定し
て比較するので、測定点が多い場合にはテスト時間が長
くなる。また、従来技術では、電子部品そのものの不良
を検出することが不可能であった。
【0009】そこで本発明の課題は、テスト時間が短く
て済む、真実の半田付け不良(図11(C)参照)と擬
似半田付け不良(図11(B)参照)との識別が可能な
プリント基板の半田付け不良検出装置を提供することで
ある。また、別の課題は、電子部品そのものの不良を検
出することが可能なプリント基板搭載の電子部品不良検
出装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明は、プリント基板上に形成された金属パターン
に、電子部品の半田付け部を半田付けした際に生じた絶
縁物の介在による半田付け不良を検出するプリント基板
の半田付け不良検出装置であって、被測定用の電子部品
実装済みのプリント基板(被測定基板)に作動用電源を
供給する作動用電源供給手段と、前記被測定基板の電源
ラインまたは信号ラインに交流信号を重畳する交流信号
重畳手段と、前記被測定基板上の所定箇所に対して接触
する接触手段と、該接触手段を介して到来すべき信号を
検出する検出手段とを備えてなり、前記検出手段は、前
記半田付け部と金属パターンと接触手段とが同時に直接
接触した第1の接触態様と、前記半田付け部と金属パタ
ーンとが直接接触すると共に前記接触手段が前記絶縁物
を介して前記半田付け部または金属パターンに間接接触
する第2の接触態様と、前記接触手段と半田付け部とが
直接接触すると共に前記半田付け部と金属パターンとが
前記絶縁物を介して間接接触する第3の接触態様との、
夫々の接触態様を識別する接触態様識別手段を備えたこ
とを特徴とする。
【0011】 図11(B)および図1(B)に示す見
掛け上の半田付け不良(見掛け上の半田付け不良態様、
実際は正しく半田付けされている)と、図11(A)お
よび図1(A)に示す正しい半田付け(正しい半田付け
態様)または図11(C)および図1(C)に示す真実
の半田付け不良(真実の半田付け不良態様)とを識別す
ることができる。即ち、見掛け上の半田付け不良を、正
しい半田付けまたは真実の半田付け不良から、識別する
ことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、(1)原理説明
と、(2)実施例の説明に分け、図面に基づいて説明す
る。なお、既に説明済みの部分には同一符号を付し、重
複記載を省略する。
【0013】(1)原理説明 先ず、本発明の原理を説明する。図1(A),(B),
(C)は前記図11(A),(B),(C)(従来例)
におけるピン等の接触状況に対応した模式図、図2
(A),(B)は各種の信号波形図、図3は前記模式図
を構成する検波器に到来する信号波形の相違を示す図、
図4(A),(B)は電子部品そのものの不良の場合を
説明する図である。
【0014】図1(A)の説明…正しい半田付け 前記図11に示した夫々の状態において、IC103に
は直流電源が供給されているものと仮定する。この場合
には、図1(A)に示すように、IC103自身の本来
の信号源(信号出力ピン等から発する信号)SG1,S
G2からは夫々信号sg1,sg2が発生され(双方の
波形を図2(A)に例示する)、夫々「半田付け部」で
あるリード端子103aには信号sg1が乗り、「金属
パターン」である回路パターン102には信号sg2が
乗っている。
【0015】図1(A)には、更に、図11における各
種接触状態(接触の態様)を検出するための接触検出信
号sg0(波形を図2(A)に示す)を発生する「交流
信号重畳手段」である接触検出信号源SG0と、各種の
信号波形を識別する「検出手段」および「接触態様識別
手段」である検波器Dを追加する。そして、前記図11
(A)の場合は、従来例で説明した如く回路パターン1
02にリード端子103aが正しく半田付けされ、更に
「接触手段」であるピン(プローブ)112も正しくリ
ード端子103aに接触している。これら三者102,
103a,112が同時接触した状態(第1の接触態
様)を、図1(A)では符号U(状態U)で示す。
【0016】図1(A)の場合に、検波器Dには「sg
1+sg0」(図2(B))と「sg2+sg0」(図
2(B))の信号が入力する。即ち、検波器Dは、接触
検出信号源SG0からの信号成分(即ち、接触検出信号
sg0)を識別して検出することが可能となる。以上の
状況を一覧にして図3(A)に示す。
【0017】図1(B)の説明…擬似半田付け不良 同様に、図11(B)に対応するのが図1(B)であ
り、この場合は、回路パターン102とリード端子10
3aは正しく接触しているが、ピン112とリード端子
103aの間には「絶縁物」であるフラックス120a
が介在している(擬似半田付け不良)。この状態を符号
Vで示す。
【0018】図1(B)の場合には、フラックス120
aが介在するので、検波器Dには接触検出信号源SG0
からの接触検出信号sg0および信号源SG1,SG2
からの信号sg1,sg2は到来しない(第2の接触態
様)。以上の状況を図3(B)に示す。
【0019】図1(C)の説明…真実の半田付け不良 同様に、図11(C)に対応するのが図1(C)であ
り、この場合は、ピン112とリード端子103aは正
しく接触しているが、回路パターン102とリード端子
103aの間には「絶縁物」であるフラックス120b
が介在している。この状態を符号wで示す。
【0020】図1(C)の場合は回路パターン102と
リード端子103aの間にフラックス120bが介在す
るので、「真実の半田付け不良」である。しかし、リー
ド端子103aとピン112は接触しているので、接触
検出信号sg0および信号sg1は検波器Dに到来する
が、信号sg2は到来しない(第3の接触態様)。以上
の状況を図3(C)に示す。
【0021】図3(A),(B),(C)から明らか
なように、前記従来例で説明した三種類の接触態様(図
11(A),(B),(C))は夫々異なる組合せ信号
として検波器Dに到来するので、三種類の信号の差異を
識別する手段(接触態様識別手段)を設ければ、前記三
種類の接触態様を識別することが可能となる。
【0022】電子部品(IC)そのものが不良の場合 ICが正常な場合は、図4(A),図3(D)に示すよ
うに、ICのリード端子103a,回路パターン10
2,ピン112を介して「IC本来の信号sg1+接触
検出信号sg0」および「IC本来の信号sg2+接触
検出信号sg0」が検波器Dに到来する。しかし、IC
が異常な場合は、図4(B),図3(E)に示すよう
に、ICのリード端子103a,回路パターン102,
ピン112を介して「接触検出信号sg0のみ」が到来
する。この差異を「第2の検出手段」である検波器Dで
識別すればよい。
【0023】(2)実施例 次に、本発明の実施例を説明する。図5は本実施例のブ
ロック図、図6は図5に示した検波器4の構成図、図7
は具体的なICの各ピンの出力信号波形図、図8は各箇
所の波形図等である。
【0024】先ず前提条件として、図5において、被測
定基板(表面実装基板)1の電源ライン(H)−アース
(GND)間に、「作動用電源供給手段」である電圧V
ccの直流電源11を印加する。この電圧Vccの印加
により、被測定基板1に実装されたIC1(TTL、図
7(A)参照)は、図7(B)に示す波形の信号を発生
する。IC2は後段のオペアンプである。
【0025】図5に示すように、インサーキットテスタ
Tは、被測定基板1の予め指定された個所(測定点P、
例えば従来例の図11(A)における測定点P)の信
号を検出・測定するためのプローブ(ピン)2と、周波
数fでのクロックaを内部生成し接触検出信号sg0
(図8(A),(B)参照)を発生する信号発生器3
と、プローブ2が検出した信号に前記接触検出信号sg
0が乗っているか否かを検出する検波器4(原理説明に
おける検波器Dに相当)と、プローブ2が取り出した信
号から前記接触検出信号sg0を除去するローパスフィ
ルタ5と、信号を測定する測定器(後述する図10のス
テップS55の測定を行う。即ち、不良箇所解析のデー
タとなる測定を行う。但し、不良箇所解析は本発明とは
直接に関係が無いので、説明を省略する)6で構成され
る。7は、電源電圧Vccに信号発生器3の出力である
接触検出信号sg0を加算する加算器であり、「交流信
号重畳手段」の一部をなす。
【0026】信号発生器3としては、正確な高周波信号
(接触検出信号sg0)を任意時間だけ発生可能なシン
セサイザが好適である。接触検出信号sg0は、周波数
の方形波(クロック)aをFM変調した信号で構成
される(図8(A),(B)参照)。
【0027】次に、図6に基づいて前記検波器4を説明
する。検波器4は、接触検出信号sg0を抽出するロー
パスフィルタ41と、抽出した信号(抽出信号)dをF
M復調するFM復調回路42と、復調した方形波信号e
(図8(E)のFM復調された信号e)の1秒当りのパ
ルス数をカウントするカウンタ43と、カウンタ43の
値が予め設定した方形波のカウント数(=周波数f
と同じか否かを判定するコンパレータ44とを備えて構
成される。
【0028】次に、本実施例の動作について、図9,図
10を参照しつつ説明する。図9は本実施例全体の動作
を示すフローチャート、図10は検波器4の内部の動作
を示すフローチャートである。
【0029】先ず、被測定基板1をインサーキットテス
タTにセットし(ステップS1)、被測定基板1に直流
電圧Vccを供給する(ステップS2)。次いで、イン
サーキットテスタTの信号発生器3から接触検出信号s
g0(図8(B))を電源ラインLに印可し(ステップ
S3)、プローブ2を予め規定された測定点Pに接触さ
せて(図11(A),(B),(C)の各場合を全て含
めた接触)(ステップS4)、検出信号cを検出し、検
波器4により接触検出信号sg0の検出動作を行う(ス
テップS5)。
【0030】ここで、前記ステップS5の詳細動作を図
10に基づいて説明する。前述の如く検出信号cを検出
し、先ずローパスフィルタ41により被測定基板1の本
来の信号sg1,sg2をカット(除去)し(ステップ
S51)、FM復調回路42でFM復調して方形波信号
eを取り出す(ステップS52)。次いで、この方形波
信号eをカウンタ43により1秒間カウントし(ステッ
プS53)、カウント数nが予め定めたクロックaのカ
ウント数(=周波数f)と比較する(ステップS5
4)。
【0031】比較の結果、一致していれば(カウント数
=周波数f)、接触検出信号sg0を正常に検出した
のであり(ステップS55)、図3(A)又は図3
(C)のいずれかである。即ち、図11(A)(正しい
半田付け)又は図11(C)(真実の半田付け不良)の
いずれかである。また、比較の結果、一致していなけれ
ば、接触検出信号sg0を検出できないのであり(ステ
ップS56)、図3(B)に相当する。即ち、図11
(B)の「擬似半田付け不良」であり、リード端子10
3aとパターン102とは「正しく半田付け」されてい
る。
【0032】再び図9に戻り、未検出(前記ステップS
56)であれば(ステップS6:NO)、図3(B)に
相当し、図11(B)の「擬似半田付け不良」であり、
リード端子(ICピン)103aとプローブ(ピン)1
12とはオープンであるが、リード端子103aとパタ
ーン102とは「正しく半田付け」されている(ステッ
プS7)。
【0033】また、検出できた場合は(ステップS6:
YES)、図3(A)又は図3(C)に示した場合のい
ずれかであり、図11(A)(正しい半田付け)又は図
11(C)(真実の半田付け不良)のいずれかである。
この場合は前記測定器6(図5参照)により、不良箇所
解析のためのデータの測定を行う(ステップS8)。
【0034】なお、前記実施例では、被測定基板の電源
に信号発生器の出力を電源に印可しているが、信号ライ
ンまたはGNDラインに印加してもよい。
【0035】また、前記実施例では接触検出信号として
FM変調された方形波信号を用いていたが、例えば高周
波の正弦波でもよい。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、予
め、良品のときのデータを取る必要が無いため、対象製
品が変わってもインサーキットテスタを使用するための
準備に手間がかからない。また、プローブを2本使って
導通検査を実施しないので、プローブが1本しかないイ
ンサーキットテスタでも、擬似半田付けか否かを知るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図であって、(A)はリード
端子とピンと回路パターンが正しく接触した状態を示す
図、(B)はピンとリード端子との間にフラックスが介
在する状態図、(C)はピンとリード端子は正しく接触
しているが、リード端子と回路パターンの間にフラック
スが介在する状態図である。
【図2】(A)は各信号源の波形図、(B)は方形波に
接触検出信号が乗った状態を示す図である。
【図3】図1に示した各状態図(模式図)等における検
波器に到来する信号波形の相違を一覧表にして示す図で
ある。
【図4】電子部品そのものが不良である場合の模式図で
ある。
【図5】本発明の実施例のブロック図である。
【図6】同実施例における検波器のブロック図である。
【図7】同実施例に使用したICの外形図および各ピン
の出力波形図である。
【図8】同実施例における各部の信号波形図である。
【図9】同実施例のフローチャートである。
【図10】同フローチャートにおける検波器の動作を示
すフローチャートである。
【図11】従来例におけるリード端子と回路パターンと
ピン(プローブ)との接触態様を説明する図である。
【符号の説明】
D 検波器 SG0 接触検出信号源 sg0 接触検出信号 SG1,SG2 IC本来の信号源 sg1,sg2 IC本来の信号 U 第1の接触態様 V 第2の接触態様 W 第3の接触態様 102 回路パターン 103a リード端子 112 ピン(プローブ) 120a,120b フラックス

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント基板上に金属パターンにより形
    成された電源ラインおよび信号ラインの所定位置に、電
    源供給により繰り返し信号を発生する信号発生端子を備
    えた電子部品を半田付け実装した際に、測定用の導通接
    触端子と信号発生端子と信号ラインとの間における絶縁
    物の介在による半田付け不良を検出するプリント基板の
    半田付け不良検出装置であって、 前記信号ラインに、前記繰り返し信号とは別の交流信号
    を重畳する交流信号重畳手段と、 前記導通接触端子を介して到来すべき信号を検出する検
    出手段とを備え、 該検出手段は、前記信号発生端子と信号ラインとが導通
    接触すると共に前記導通接触端子が前記絶縁物を介して
    前記信号発生端子に非導通接触する見掛け上の半田付け
    不良態様と、 前記信号発生端子と信号ラインと導通接触端子とが同時
    に導通接触した正しい半田付け態様、または前記導通接
    触端子と信号発生端子とが導通接触すると共に前記信号
    発生端子と信号ラインとが前記絶縁物を介して非導通接
    触する真実の半田付け不良態様と、を識別する接触態様
    識別手段を備えたことを特徴とするプリント基板の半田
    付け不良検出装置。
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