JP3262063B2 - 高電圧試験装置及び高電圧試験方法 - Google Patents
高電圧試験装置及び高電圧試験方法Info
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧試験装置及
び高電圧試験方法に関する。特に本発明は、高耐圧ダイ
オード等の半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッ
キング特性等を測定評価する試験装置及び試験方法に関
する。
び高電圧試験方法に関する。特に本発明は、高耐圧ダイ
オード等の半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッ
キング特性等を測定評価する試験装置及び試験方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型高耐圧ダイオード装置が知ら
れている。図８は樹脂封止型高耐圧ダイオード装置の一
部断面化した構成図である。樹脂封止型高耐圧ダイオー
ド装置１は高耐圧ダイオード素子２、複数本のリード３
Ａ、３Ｂ及び樹脂封止体４を備える。高耐圧ダイオード
素子２のアノード領域にはリード３Ａのインナーリード
部となるヘッダ部が電気的に接続され、カソード領域に
はリード３Ｂのヘッダ部が電気的に接続される。複数本
のリード３Ａ、３Ｂはそれぞれ棒状のピンで形成されて
おり、樹脂封止体４を中心としてその外部の両側にアウ
ターリード部として引き出される。樹脂封止体４はトラ
ンスファーモールド法により成型されており、この樹脂
封止体４には例えばエポキシ系樹脂が使用される。
れている。図８は樹脂封止型高耐圧ダイオード装置の一
部断面化した構成図である。樹脂封止型高耐圧ダイオー
ド装置１は高耐圧ダイオード素子２、複数本のリード３
Ａ、３Ｂ及び樹脂封止体４を備える。高耐圧ダイオード
素子２のアノード領域にはリード３Ａのインナーリード
部となるヘッダ部が電気的に接続され、カソード領域に
はリード３Ｂのヘッダ部が電気的に接続される。複数本
のリード３Ａ、３Ｂはそれぞれ棒状のピンで形成されて
おり、樹脂封止体４を中心としてその外部の両側にアウ
ターリード部として引き出される。樹脂封止体４はトラ
ンスファーモールド法により成型されており、この樹脂
封止体４には例えばエポキシ系樹脂が使用される。
【０００３】この種の樹脂封止型高耐圧ダイオード装置
１においては、高耐圧特性試験が実施され、製品として
の良否が判定される。高耐圧特性試験は高耐圧ダイオー
ド素子２の逆方向耐圧を測定する試験であり、リード３
Ａ、３Ｂ間に外部高耐圧試験装置から所定の逆方向電圧
が供給され、高耐圧ダイオード素子２の逆方向電流が測
定される。
１においては、高耐圧特性試験が実施され、製品として
の良否が判定される。高耐圧特性試験は高耐圧ダイオー
ド素子２の逆方向耐圧を測定する試験であり、リード３
Ａ、３Ｂ間に外部高耐圧試験装置から所定の逆方向電圧
が供給され、高耐圧ダイオード素子２の逆方向電流が測
定される。
【０００４】従来、外部高耐圧特性試験装置は絶縁性雰
囲気詳細には六フッ化硫黄（SF6）ガス雰囲気中で高耐
圧特性試験を行っている。SF6ガス雰囲気中で行われる
高耐圧特性試験においては、高耐圧ダイオード素子２の
リード３Ａ、３Ｂ間の樹脂封止体４表面に沿って発生す
る放電が防止でき、精度の高い高耐圧特性が測定できる
とともに、高耐圧ダイオード素子２の損傷が防止できる
特徴がある。さらに、SF6ガスは、熱的、化学的に安定
な無色無臭の気体であり、電気的絶縁用気体として極め
て優れている。
囲気詳細には六フッ化硫黄（SF6）ガス雰囲気中で高耐
圧特性試験を行っている。SF6ガス雰囲気中で行われる
高耐圧特性試験においては、高耐圧ダイオード素子２の
リード３Ａ、３Ｂ間の樹脂封止体４表面に沿って発生す
る放電が防止でき、精度の高い高耐圧特性が測定できる
とともに、高耐圧ダイオード素子２の損傷が防止できる
特徴がある。さらに、SF6ガスは、熱的、化学的に安定
な無色無臭の気体であり、電気的絶縁用気体として極め
て優れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術に係る高耐圧特性試験装置並びに高耐圧特性試験方法
においては、以下の点について配慮がなされていない。
術に係る高耐圧特性試験装置並びに高耐圧特性試験方法
においては、以下の点について配慮がなされていない。
【０００６】第１に、高耐圧特性試験装置においては、
大気中における放電の防止、大気中の絶縁破壊の防止、
被測定対象物の界面（表面）における絶縁破壊の防止、
界面におけるリーク電流の防止等のため、SF6ガスは必
須となっている。しかし、SF6ガス雰囲気を生成するた
めに少なくともSF6ガス供給系が必要になる。このた
め、高耐圧特性試験装置の構造が複雑になり、かつ大型
になる。
大気中における放電の防止、大気中の絶縁破壊の防止、
被測定対象物の界面（表面）における絶縁破壊の防止、
界面におけるリーク電流の防止等のため、SF6ガスは必
須となっている。しかし、SF6ガス雰囲気を生成するた
めに少なくともSF6ガス供給系が必要になる。このた
め、高耐圧特性試験装置の構造が複雑になり、かつ大型
になる。
【０００７】第２に、従来の高耐圧特性試験方法におい
て不可欠なSF6ガスは、地球温暖化現象を誘発し、また
オゾン層の破壊を誘発するおそれがあるガスである。環
境問題や人類の将来を考えれば、このようなSF6ガスの
使用は使用を避け、また制限すべきである。
て不可欠なSF6ガスは、地球温暖化現象を誘発し、また
オゾン層の破壊を誘発するおそれがあるガスである。環
境問題や人類の将来を考えれば、このようなSF6ガスの
使用は使用を避け、また制限すべきである。
【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明の目的は、構造を簡易化
しつつ小型化が実現できる、高電圧試験装置を提供する
ことである。
たものである。従って、本発明の目的は、構造を簡易化
しつつ小型化が実現できる、高電圧試験装置を提供する
ことである。
【０００９】本発明の他の目的は、高耐圧半導体装置の
逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性を測
定評価する高電圧試験装置を提供することである。
逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性を測
定評価する高電圧試験装置を提供することである。
【００１０】本発明のさらに他の目的は、絶縁性雰囲気
ガス、具体的にはSF6ガスを使用せずに、簡単な操作
で、且つランニングコストも低い高電圧試験方法を提供
することである。
ガス、具体的にはSF6ガスを使用せずに、簡単な操作
で、且つランニングコストも低い高電圧試験方法を提供
することである。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、SF6ガスを使
用せずに地球温暖化の防止やオゾン層の破壊の防止に好
適な高電圧試験方法を提供することである。
用せずに地球温暖化の防止やオゾン層の破壊の防止に好
適な高電圧試験方法を提供することである。
【００１２】本発明のさらに他の目的は、高耐圧半導体
装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特
性を測定評価する高電圧試験方法を提供することであ
る。
装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特
性を測定評価する高電圧試験方法を提供することであ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴は、被測定対象物の第１及び第
２のリード間の封止体表面に当接する絶縁遮蔽体と、こ
れらの第１及び第２のリード間に高電圧を印加する高電
圧供給部と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測
定する特性測定部とを少なくとも有する高電圧試験装置
であることである。第１及び第２のリードは、封止体外
部に引き出され、絶縁遮蔽体は、被測定対象物の封止体
表面に当接し、第１及び第２のリード間の放電経路を遮
断する。
に、本発明の第１の特徴は、被測定対象物の第１及び第
２のリード間の封止体表面に当接する絶縁遮蔽体と、こ
れらの第１及び第２のリード間に高電圧を印加する高電
圧供給部と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測
定する特性測定部とを少なくとも有する高電圧試験装置
であることである。第１及び第２のリードは、封止体外
部に引き出され、絶縁遮蔽体は、被測定対象物の封止体
表面に当接し、第１及び第２のリード間の放電経路を遮
断する。
【００１４】本発明の第１の特徴に係る高電圧試験装置
は、高耐圧ダイオード等の高耐圧半導体装置の逆方向耐
圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性を測定する特
性試験装置であることが好ましい。例えば、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード素子は、アノード領域に接続
された第１のリードとカソード領域に接続された第２の
リードとを有し、この第１及び第２のリードは封止体外
部に引き出される。第１及び第２のリード間には高耐圧
ダイオード素子の逆方向耐圧特性試験等を行う高電圧が
試験信号として供給される。
は、高耐圧ダイオード等の高耐圧半導体装置の逆方向耐
圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性を測定する特
性試験装置であることが好ましい。例えば、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード素子は、アノード領域に接続
された第１のリードとカソード領域に接続された第２の
リードとを有し、この第１及び第２のリードは封止体外
部に引き出される。第１及び第２のリード間には高耐圧
ダイオード素子の逆方向耐圧特性試験等を行う高電圧が
試験信号として供給される。
【００１５】絶縁遮蔽体は第１及び第２のリード間の封
止体表面を放電により伝わる逆方向電流等を遮断する。
絶縁遮蔽体は封止体との密着性が良好な材料で形成され
ることが好ましく、例えば絶縁性ゴム又は弾力性を有す
る絶縁性樹脂ラバーで形成することが実用的である。
止体表面を放電により伝わる逆方向電流等を遮断する。
絶縁遮蔽体は封止体との密着性が良好な材料で形成され
ることが好ましく、例えば絶縁性ゴム又は弾力性を有す
る絶縁性樹脂ラバーで形成することが実用的である。
【００１６】さらに、絶縁遮蔽体と封止体との間の密着
性を高めるために、絶縁遮蔽体には真空吸着機能を備え
ることが好ましい。さらに、封止体表面の放電経路自体
の発生を阻止するために、封止体表面にドライエアーを
吹き付ける機能を備えることが好ましい。
性を高めるために、絶縁遮蔽体には真空吸着機能を備え
ることが好ましい。さらに、封止体表面の放電経路自体
の発生を阻止するために、封止体表面にドライエアーを
吹き付ける機能を備えることが好ましい。
【００１７】このように構成される高電圧試験装置にお
いては、絶縁遮蔽体により半導体装置等の被測定対象物
の第１及び第２のリード間の放電経路が完全に遮断され
た状態で電気的特性の測定が行える。
いては、絶縁遮蔽体により半導体装置等の被測定対象物
の第１及び第２のリード間の放電経路が完全に遮断され
た状態で電気的特性の測定が行える。
【００１８】このため、絶縁性雰囲気、具体的にはSF6
ガス雰囲気を生成する必要がなくなるので、この絶縁性
雰囲気を生成するためのガス供給系がなくなり、高電圧
試験装置の構成が簡易になる。さらに、絶縁性雰囲気を
生成するためのガス供給系の廃止に伴い、高電圧試験装
置が小型化できる。
ガス雰囲気を生成する必要がなくなるので、この絶縁性
雰囲気を生成するためのガス供給系がなくなり、高電圧
試験装置の構成が簡易になる。さらに、絶縁性雰囲気を
生成するためのガス供給系の廃止に伴い、高電圧試験装
置が小型化できる。
【００１９】なお、被測定対象物には、第１及び第２の
リード以外の第３，第４、・・・・・・のリードがあってもか
まわない。それらの複数のリードの内から高電圧を印加
しようとする２つのリードを選び、その選ばれたリード
間の封止体表面に絶縁遮蔽体を当接すればよい。
リード以外の第３，第４、・・・・・・のリードがあってもか
まわない。それらの複数のリードの内から高電圧を印加
しようとする２つのリードを選び、その選ばれたリード
間の封止体表面に絶縁遮蔽体を当接すればよい。
【００２０】本発明の第２の特徴は、（イ）被測定対象
物の第１及び第２のリード間の封止体表面に絶縁遮蔽体
を当接するステップと、（ロ）この第１及び第２のリー
ド間に高電圧を印加するステップと、（ハ）第１及び第
２のリード間の電気的特性を測定するステップとを少な
くとも有する高電圧試験方法であることである。即ち、
本発明の第２の特徴は、高電圧試験方法に係わり、半導
体装置等の被測定対象物の封止体外部に引き出された複
数のリード間の封止体表面にリード間の放電経路を遮断
する絶縁遮蔽体を当接した状態で、複数のリード間に高
電圧を供給し、封止体内部の被測定対象物の電気的特性
を測定する。現実の測定においては、上記の高電圧を印
加するステップと電気的特性を測定するステップとが同
時であってもかまわないことは勿論である。
物の第１及び第２のリード間の封止体表面に絶縁遮蔽体
を当接するステップと、（ロ）この第１及び第２のリー
ド間に高電圧を印加するステップと、（ハ）第１及び第
２のリード間の電気的特性を測定するステップとを少な
くとも有する高電圧試験方法であることである。即ち、
本発明の第２の特徴は、高電圧試験方法に係わり、半導
体装置等の被測定対象物の封止体外部に引き出された複
数のリード間の封止体表面にリード間の放電経路を遮断
する絶縁遮蔽体を当接した状態で、複数のリード間に高
電圧を供給し、封止体内部の被測定対象物の電気的特性
を測定する。現実の測定においては、上記の高電圧を印
加するステップと電気的特性を測定するステップとが同
時であってもかまわないことは勿論である。
【００２１】本発明の第２の特徴に係る高電圧試験方法
においては、放電経路を絶縁遮蔽体により物理的に遮断
した状態で、半導体装置等の被測定対象物の電気的特性
試験が実施できる。すなわち、従来、電気的特性試験に
おいて必要とされていた絶縁性雰囲気、詳細にはSF6ガ
ス雰囲気の使用が廃止できる。従って、地球温暖化が防
止でき、またオゾン層の破壊が防止できる。
においては、放電経路を絶縁遮蔽体により物理的に遮断
した状態で、半導体装置等の被測定対象物の電気的特性
試験が実施できる。すなわち、従来、電気的特性試験に
おいて必要とされていた絶縁性雰囲気、詳細にはSF6ガ
ス雰囲気の使用が廃止できる。従って、地球温暖化が防
止でき、またオゾン層の破壊が防止できる。
【００２２】特に、本発明の第２の特徴によれば、高耐
圧半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特
性等の特性を簡単、且つ低コストで測定評価できる。
圧半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特
性等の特性を簡単、且つ低コストで測定評価できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきで
ある。
施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一
又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきで
ある。
【００２４】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る高電圧試験装置のシステム構成を示
す概略正面図、図２は高電圧試験装置の概略側面図であ
る。図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施の
形態に係る高電圧試験装置１０は、前述の図８に示す高
耐圧ダイオード装置（半導体装置）１を被測定対象物と
して高耐圧特性試験を行う。高電圧試験装置１０は、半
導体装置搬送部１１、搬送駆動部１２、高電圧供給部１
３、特性測定部１４、特性判定部１５、絶縁遮蔽体２０
及び遮蔽体駆動部２１を備え、構築される。
の実施の形態に係る高電圧試験装置のシステム構成を示
す概略正面図、図２は高電圧試験装置の概略側面図であ
る。図１及び図２に示すように、本発明の第１の実施の
形態に係る高電圧試験装置１０は、前述の図８に示す高
耐圧ダイオード装置（半導体装置）１を被測定対象物と
して高耐圧特性試験を行う。高電圧試験装置１０は、半
導体装置搬送部１１、搬送駆動部１２、高電圧供給部１
３、特性測定部１４、特性判定部１５、絶縁遮蔽体２０
及び遮蔽体駆動部２１を備え、構築される。
【００２５】高電圧試験装置１０の半導体装置搬送部１
１は、前述の図８に示す高耐圧ダイオード装置１の第１
のリード３Ａを収納し支持する溝１１Ｃが複数個規則的
に配設された搬送レール１１Ａと、第２のリード３Ｂを
収納し支持する溝１１Ｄが複数個規則的に配設された搬
送レール１１Ｂとを備える。搬送レール１１Ａ、１１Ｂ
は、図１に示すようにほぼ平行に配設され、図２に示す
ように図中横方向に帯状に伸びる。高耐圧ダイオード装
置１は、搬送レール１１Ａの溝１１Ｃに第１のリード３
Ａを支持しかつ搬送レール１１Ｂの溝１５Ｄに第２のリ
ード３Ｂを支持した両端支持状態において、図２中、矢
印Ａに示す長手方向に間欠的に搬送される。この搬送は
搬送駆動部１２により行われる。
１は、前述の図８に示す高耐圧ダイオード装置１の第１
のリード３Ａを収納し支持する溝１１Ｃが複数個規則的
に配設された搬送レール１１Ａと、第２のリード３Ｂを
収納し支持する溝１１Ｄが複数個規則的に配設された搬
送レール１１Ｂとを備える。搬送レール１１Ａ、１１Ｂ
は、図１に示すようにほぼ平行に配設され、図２に示す
ように図中横方向に帯状に伸びる。高耐圧ダイオード装
置１は、搬送レール１１Ａの溝１１Ｃに第１のリード３
Ａを支持しかつ搬送レール１１Ｂの溝１５Ｄに第２のリ
ード３Ｂを支持した両端支持状態において、図２中、矢
印Ａに示す長手方向に間欠的に搬送される。この搬送は
搬送駆動部１２により行われる。
【００２６】絶縁遮蔽体２０は半導体装置搬送部１１の
搬送経路途中の耐圧特性試験位置近傍に配設される。図
３は絶縁遮蔽体２０の斜視図である。図２及び図３に示
すように、絶縁遮蔽体２０は固定側絶縁遮蔽体２０Ａ及
び可動側絶縁遮蔽体２０Ｂを備える。固定側絶縁遮蔽体
２０Ａは、搬送経路よりも上側の位置（耐圧特性試験位
置に相当する）に配設され、装置筺体に固定状態で取り
付けられる。可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは、搬送経路の若
干下側の位置と、搬送経路よりも上側の位置で固定側絶
縁遮蔽体２０Ａと合致する位置との間の範囲において、
図１中、矢印Ｂ方向に上昇下降する。すなわち、可動側
絶縁遮蔽体２０Ｂは、搬送経路において被測定対象物と
なる高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４底表面に当
接し、そのまま上昇することにより固定側絶縁遮蔽体２
０Ａとの間で高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４を
挟持できる。また、逆に可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは下降
することにより固定側絶縁遮蔽体２０Ａとの間で挟持し
た高耐圧ダイオード装置１を搬送経路に戻すことができ
る。可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇下降は遮蔽体駆動部
２１により行われる。遮蔽体駆動部２１には機構が単純
な空気圧シリンダ、油圧シリンダのいずれかが実用的に
使用できる。なお、本発明においては、電磁ソレノイド
で遮蔽体駆動部２１を構築してもよいし、又電気モータ
と機械的メカニズムの上昇下降機構とを組み合わせて遮
蔽体駆動部２１を構築してもよい。
搬送経路途中の耐圧特性試験位置近傍に配設される。図
３は絶縁遮蔽体２０の斜視図である。図２及び図３に示
すように、絶縁遮蔽体２０は固定側絶縁遮蔽体２０Ａ及
び可動側絶縁遮蔽体２０Ｂを備える。固定側絶縁遮蔽体
２０Ａは、搬送経路よりも上側の位置（耐圧特性試験位
置に相当する）に配設され、装置筺体に固定状態で取り
付けられる。可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは、搬送経路の若
干下側の位置と、搬送経路よりも上側の位置で固定側絶
縁遮蔽体２０Ａと合致する位置との間の範囲において、
図１中、矢印Ｂ方向に上昇下降する。すなわち、可動側
絶縁遮蔽体２０Ｂは、搬送経路において被測定対象物と
なる高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４底表面に当
接し、そのまま上昇することにより固定側絶縁遮蔽体２
０Ａとの間で高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４を
挟持できる。また、逆に可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは下降
することにより固定側絶縁遮蔽体２０Ａとの間で挟持し
た高耐圧ダイオード装置１を搬送経路に戻すことができ
る。可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇下降は遮蔽体駆動部
２１により行われる。遮蔽体駆動部２１には機構が単純
な空気圧シリンダ、油圧シリンダのいずれかが実用的に
使用できる。なお、本発明においては、電磁ソレノイド
で遮蔽体駆動部２１を構築してもよいし、又電気モータ
と機械的メカニズムの上昇下降機構とを組み合わせて遮
蔽体駆動部２１を構築してもよい。
【００２７】被測定対象物となる高耐圧ダイオード装置
１の樹脂封止体４は、本発明の第１の実施の形態におい
ては、円柱形状で形成されている。そして、図３に示す
ように、固定側絶縁遮蔽体２０Ａ、可動側絶縁遮蔽体２
０Ｂは高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４に当接す
る部分に半円形状の当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが
配設された板状部材で形成される。固定側絶縁遮蔽体２
０Ａの当接部２０Ｃは、高耐圧ダイオード装置１の第１
のリード３Ａと第２のリード３Ｂとの間であって樹脂封
止体４の上側表面に当接し密着する。同様に、可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄは、高耐圧ダイオード装
置１の第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂリードとの
間であって樹脂封止体４の下側表面に当接し密着する。
固定側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃ及び可動側絶縁
遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄの双方により、高耐圧ダイ
オード装置１の樹脂封止体４の円周表面の全域は絶縁遮
蔽体２０で覆われ、リード３Ａと３Ｂとの間であって樹
脂封止体４の表面に発生する放電経路はほぼ完全に遮断
される。
１の樹脂封止体４は、本発明の第１の実施の形態におい
ては、円柱形状で形成されている。そして、図３に示す
ように、固定側絶縁遮蔽体２０Ａ、可動側絶縁遮蔽体２
０Ｂは高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４に当接す
る部分に半円形状の当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれが
配設された板状部材で形成される。固定側絶縁遮蔽体２
０Ａの当接部２０Ｃは、高耐圧ダイオード装置１の第１
のリード３Ａと第２のリード３Ｂとの間であって樹脂封
止体４の上側表面に当接し密着する。同様に、可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄは、高耐圧ダイオード装
置１の第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂリードとの
間であって樹脂封止体４の下側表面に当接し密着する。
固定側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃ及び可動側絶縁
遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄの双方により、高耐圧ダイ
オード装置１の樹脂封止体４の円周表面の全域は絶縁遮
蔽体２０で覆われ、リード３Ａと３Ｂとの間であって樹
脂封止体４の表面に発生する放電経路はほぼ完全に遮断
される。
【００２８】固定側絶縁遮蔽体２０Ａ、可動側絶縁遮蔽
体２０Ｂはいずれも絶縁性材料、具体的には少なくとも
当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれを絶縁性ゴム又は絶縁
性樹脂ラバーで形成することが好ましい。この種の絶縁
性材料は弾力性を有し、高耐圧ダイオード装置１の樹脂
封止体４表面の密着度が非常に高く、放電経路の遮断機
能がより一層向上できる。さらに、この種の弾力性を有
する絶縁性材料が使用される場合、高耐圧ダイオード装
置１の樹脂封止体４の半径よりも固定側絶縁遮蔽体２０
Ａの当接部２０Ｃ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの当接部２
０Ｄの半径は若干小さく設定されることにより、密着度
がより一層向上できる。
体２０Ｂはいずれも絶縁性材料、具体的には少なくとも
当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれを絶縁性ゴム又は絶縁
性樹脂ラバーで形成することが好ましい。この種の絶縁
性材料は弾力性を有し、高耐圧ダイオード装置１の樹脂
封止体４表面の密着度が非常に高く、放電経路の遮断機
能がより一層向上できる。さらに、この種の弾力性を有
する絶縁性材料が使用される場合、高耐圧ダイオード装
置１の樹脂封止体４の半径よりも固定側絶縁遮蔽体２０
Ａの当接部２０Ｃ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの当接部２
０Ｄの半径は若干小さく設定されることにより、密着度
がより一層向上できる。
【００２９】高電圧供給部１３は高耐圧ダイオード装置
１の第１のリード３Ａ、第２のリード３Ｂのそれぞれに
逆方向高電圧を供給する。高電圧供給部１３からの逆方
向高電圧は、高電圧供給部１３に接続された電圧印加端
子１３Ａを通して高耐圧ダイオード装置１の第１のリー
ド３Ａに、電圧印加端子１３Ｂを通して第２のリード１
３Ｂにそれぞれ供給される。電圧印加端子１３Ａ、１３
Ｂは、固定側絶縁遮蔽体２０Ａの両側に配設され、固定
側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃと可動側絶縁遮蔽体
２０Ｂの当接部２０Ｄとで高耐圧ダイオード素子２の樹
脂封止体４を挟持したときに第１のリード３Ａ、第２の
リード３Ｂのそれぞれに当接し電気的に接続される。
１の第１のリード３Ａ、第２のリード３Ｂのそれぞれに
逆方向高電圧を供給する。高電圧供給部１３からの逆方
向高電圧は、高電圧供給部１３に接続された電圧印加端
子１３Ａを通して高耐圧ダイオード装置１の第１のリー
ド３Ａに、電圧印加端子１３Ｂを通して第２のリード１
３Ｂにそれぞれ供給される。電圧印加端子１３Ａ、１３
Ｂは、固定側絶縁遮蔽体２０Ａの両側に配設され、固定
側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃと可動側絶縁遮蔽体
２０Ｂの当接部２０Ｄとで高耐圧ダイオード素子２の樹
脂封止体４を挟持したときに第１のリード３Ａ、第２の
リード３Ｂのそれぞれに当接し電気的に接続される。
【００３０】特性測定部１４は高電圧供給部１３により
高耐圧ダイオード装置１に試験信号（逆方向高電圧）を
供給した結果得られる逆方向電流を測定する。特性測定
部１４は電圧印加端子１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに接続
される。
高耐圧ダイオード装置１に試験信号（逆方向高電圧）を
供給した結果得られる逆方向電流を測定する。特性測定
部１４は電圧印加端子１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに接続
される。
【００３１】特性判定部１５は特性測定部１４により得
られた逆方向電流の測定結果に基づき高耐圧ダイオード
素子２の電気的特性の良否を判定する。特性判定部１５
には予め基礎研究によって得られた最適な逆方向電流値
が記憶部に記憶されている。さらに、特性判定部１５
は、特性測定部１４により測定された逆方向電流値が記
憶部に記憶された逆方向電流値の範囲内か否かを検討
し、範囲内であれば良品とする、範囲外であれば不良品
とする判定を行う。
られた逆方向電流の測定結果に基づき高耐圧ダイオード
素子２の電気的特性の良否を判定する。特性判定部１５
には予め基礎研究によって得られた最適な逆方向電流値
が記憶部に記憶されている。さらに、特性判定部１５
は、特性測定部１４により測定された逆方向電流値が記
憶部に記憶された逆方向電流値の範囲内か否かを検討
し、範囲内であれば良品とする、範囲外であれば不良品
とする判定を行う。
【００３２】次に、このように構成される高電圧試験装
置１０を使用した高電圧試験方法について説明する。高
電圧試験を行う高耐圧ダイオード装置１は、前述の図８
に示すように、複数枚のダイオードチップを積層した高
耐圧ダイオード素子２を備える。高耐圧ダイオード素子
２は円柱形状を有する樹脂封止体４で気密封止される。
樹脂封止体４の外部には実質的に同軸上で互いに反対方
向に第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂが引き出され
る。第１のリード３Ａのインナーリード部分であるヘッ
ダ部には高耐圧ダイオード素子２のアノード領域（又は
カソード領域）が電気的に接続される。第２のリード３
Ｂのインナーリード部分であるヘッダ部にはカソード領
域（又はアノード領域）が電気的に接続される。
置１０を使用した高電圧試験方法について説明する。高
電圧試験を行う高耐圧ダイオード装置１は、前述の図８
に示すように、複数枚のダイオードチップを積層した高
耐圧ダイオード素子２を備える。高耐圧ダイオード素子
２は円柱形状を有する樹脂封止体４で気密封止される。
樹脂封止体４の外部には実質的に同軸上で互いに反対方
向に第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂが引き出され
る。第１のリード３Ａのインナーリード部分であるヘッ
ダ部には高耐圧ダイオード素子２のアノード領域（又は
カソード領域）が電気的に接続される。第２のリード３
Ｂのインナーリード部分であるヘッダ部にはカソード領
域（又はアノード領域）が電気的に接続される。
【００３３】（１）まず、図１及び図２に示す高電圧試
験装置１０の半導体装置搬送部１１のロード側（図２
中、左側）に被測定対象物となる高耐圧ダイオード装置
１を供給する。半導体装置搬送部１１のロード側には複
数の高耐圧ダイオード装置１が連続的に供給される。半
導体装置搬送部１１においては、搬送レール１１Ａの溝
１１Ｃに高耐圧ダイオード装置１の第１のリード３Ａが
収納され支持されるとともに、搬送レール１１Ｂの溝１
１Ｄに第２のリード３Ｂが収納され支持される。つま
り、高耐圧ダイオード装置１は、両端支持状態で支持さ
れ、矢印Ａ方向に向かって（図２中、左側から右側に向
かって）搬送経路内を搬送される。搬送レール１１Ａの
溝１１Ｃ、搬送レール１１Ｂの溝１１Ｄはいずれも矢印
Ａ方向に等間隔で配設される。１個の高耐圧ダイオード
装置１の高電圧試験中においては半導体装置搬送部１１
による高耐圧ダイオード装置１の搬送が一時的に停止
し、高耐圧ダイオード装置１は搬送と停止とを交互に繰
り返す間欠的な搬送により搬送される。半導体装置搬送
部１１の搬送制御は搬送駆動部１２により行われる。
験装置１０の半導体装置搬送部１１のロード側（図２
中、左側）に被測定対象物となる高耐圧ダイオード装置
１を供給する。半導体装置搬送部１１のロード側には複
数の高耐圧ダイオード装置１が連続的に供給される。半
導体装置搬送部１１においては、搬送レール１１Ａの溝
１１Ｃに高耐圧ダイオード装置１の第１のリード３Ａが
収納され支持されるとともに、搬送レール１１Ｂの溝１
１Ｄに第２のリード３Ｂが収納され支持される。つま
り、高耐圧ダイオード装置１は、両端支持状態で支持さ
れ、矢印Ａ方向に向かって（図２中、左側から右側に向
かって）搬送経路内を搬送される。搬送レール１１Ａの
溝１１Ｃ、搬送レール１１Ｂの溝１１Ｄはいずれも矢印
Ａ方向に等間隔で配設される。１個の高耐圧ダイオード
装置１の高電圧試験中においては半導体装置搬送部１１
による高耐圧ダイオード装置１の搬送が一時的に停止
し、高耐圧ダイオード装置１は搬送と停止とを交互に繰
り返す間欠的な搬送により搬送される。半導体装置搬送
部１１の搬送制御は搬送駆動部１２により行われる。
【００３４】（２）搬送経路途中の高電圧試験位置直下
に高耐圧ダイオード装置１が搬送されると、半導体装置
搬送部１１による高耐圧ダイオード装置１の搬送が一時
的に停止する。この搬送停止に同期し、搬送経路下に待
機していた可動側絶縁遮蔽体２０Ｂが上昇を開始する。
可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの矢印Ｂ方向の上昇（及び下
降）制御は遮蔽体駆動部２１により行われる。可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの上昇により、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂ
の当接部２０Ｄ（図３参照）は、高耐圧ダイオード装置
１の樹脂封止体４下側表面に接触し、そのまま高耐圧ダ
イオード装置１を押し上げる。
に高耐圧ダイオード装置１が搬送されると、半導体装置
搬送部１１による高耐圧ダイオード装置１の搬送が一時
的に停止する。この搬送停止に同期し、搬送経路下に待
機していた可動側絶縁遮蔽体２０Ｂが上昇を開始する。
可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの矢印Ｂ方向の上昇（及び下
降）制御は遮蔽体駆動部２１により行われる。可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの上昇により、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂ
の当接部２０Ｄ（図３参照）は、高耐圧ダイオード装置
１の樹脂封止体４下側表面に接触し、そのまま高耐圧ダ
イオード装置１を押し上げる。
【００３５】（３）図４及び図５に示すように、高耐圧
ダイオード装置１の樹脂封止体４上側表面が固定側絶縁
遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃに接触し押し付けられるま
で、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇が行われる。可動側
絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇が完了すると、高耐圧ダイオー
ド装置１の樹脂封止体４の円周全域が固定側絶縁遮蔽体
２０Ａ及び可動側絶縁遮蔽体２０Ｂで覆われ、かつ樹脂
封止体４と当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれとの間は適
度な押付け力で密着する。従って、高耐圧ダイオード装
置１の第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂとの間にお
いて、樹脂封止体４の表面上の放電経路は完全に遮断さ
れる。
ダイオード装置１の樹脂封止体４上側表面が固定側絶縁
遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃに接触し押し付けられるま
で、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇が行われる。可動側
絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇が完了すると、高耐圧ダイオー
ド装置１の樹脂封止体４の円周全域が固定側絶縁遮蔽体
２０Ａ及び可動側絶縁遮蔽体２０Ｂで覆われ、かつ樹脂
封止体４と当接部２０Ｃ、２０Ｄのそれぞれとの間は適
度な押付け力で密着する。従って、高耐圧ダイオード装
置１の第１のリード３Ａと第２のリード３Ｂとの間にお
いて、樹脂封止体４の表面上の放電経路は完全に遮断さ
れる。
【００３６】さらに、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの上昇が
完了した時点、すなわち放電経路が遮断された時点で、
高耐圧ダイオード装置１は耐圧特性試験位置にセットさ
れ、第１のリード３Ａは電圧印加端子１３Ａに当接し電
気的に接続されるとともに、第２のリード３Ｂは電圧印
加端子１３Ｂに当接し電気的に接続される。
完了した時点、すなわち放電経路が遮断された時点で、
高耐圧ダイオード装置１は耐圧特性試験位置にセットさ
れ、第１のリード３Ａは電圧印加端子１３Ａに当接し電
気的に接続されるとともに、第２のリード３Ｂは電圧印
加端子１３Ｂに当接し電気的に接続される。
【００３７】（４）高耐圧ダイオード装置１の高耐圧特
性試験が行われる。高電圧供給部１３から電圧印加端子
１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに逆方向高電圧が供給され、
この逆方向高電圧は高耐圧ダイオード装置１に供給され
る。即ち、高耐圧ダイオード素子２のカソード領域側が
アノード領域側よりも高い電位となる逆方向高電圧が試
験信号として使用される。この逆方向高電圧が高耐圧ダ
イオード装置１に供給された結果、高耐圧ダイオード素
子２には逆方向電流が流れる。
性試験が行われる。高電圧供給部１３から電圧印加端子
１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに逆方向高電圧が供給され、
この逆方向高電圧は高耐圧ダイオード装置１に供給され
る。即ち、高耐圧ダイオード素子２のカソード領域側が
アノード領域側よりも高い電位となる逆方向高電圧が試
験信号として使用される。この逆方向高電圧が高耐圧ダ
イオード装置１に供給された結果、高耐圧ダイオード素
子２には逆方向電流が流れる。
【００３８】（５）この逆方向電流は特性測定部１４に
おいて測定され、この特性測定部１４の測定結果に基づ
き特性判定部１５において最適な高耐圧特性であるか否
かが判定される。
おいて測定され、この特性測定部１４の測定結果に基づ
き特性判定部１５において最適な高耐圧特性であるか否
かが判定される。
【００３９】（６）高耐圧特性試験が終了すると、可動
側絶縁遮蔽体２０Ｂが下降し高耐圧ダイオード装置１が
再び搬送経路に戻される。この搬送経路に戻された高耐
圧ダイオード装置１は半導体装置搬送部１１のアンロー
ド側に搬送される。この高耐圧ダイオード装置１の搬送
中、又は搬送後に、高耐圧特性試験で不良品と判定され
た高耐圧ダイオード装置１は取り除かれる。
側絶縁遮蔽体２０Ｂが下降し高耐圧ダイオード装置１が
再び搬送経路に戻される。この搬送経路に戻された高耐
圧ダイオード装置１は半導体装置搬送部１１のアンロー
ド側に搬送される。この高耐圧ダイオード装置１の搬送
中、又は搬送後に、高耐圧特性試験で不良品と判定され
た高耐圧ダイオード装置１は取り除かれる。
【００４０】このように構成される高電圧試験装置１０
においては、絶縁遮蔽体２０により高耐圧ダイオード装
置１の第１及び第２のリード３Ａ、３Ｂ間の放電経路が
完全に遮断された状態で高耐圧特性の測定が行える。す
なわち、絶縁性雰囲気、具体的にはSF6ガス雰囲気を生
成する必要がなくなるので、この絶縁性雰囲気を生成す
るためのガス供給系がなくなり、高電圧試験装置１０の
構成が簡易になる。さらに、絶縁性雰囲気を生成するた
めのガス供給系の廃止に伴い、高電圧試験装置１０が小
型化できる。
においては、絶縁遮蔽体２０により高耐圧ダイオード装
置１の第１及び第２のリード３Ａ、３Ｂ間の放電経路が
完全に遮断された状態で高耐圧特性の測定が行える。す
なわち、絶縁性雰囲気、具体的にはSF6ガス雰囲気を生
成する必要がなくなるので、この絶縁性雰囲気を生成す
るためのガス供給系がなくなり、高電圧試験装置１０の
構成が簡易になる。さらに、絶縁性雰囲気を生成するた
めのガス供給系の廃止に伴い、高電圧試験装置１０が小
型化できる。
【００４１】さらに、本発明の第１の実施の形態に係る
高電圧試験方法においては、放電経路を絶縁遮蔽体２０
により物理的に遮断した状態で、高耐圧ダイオード装置
１の高耐圧特性試験が実施できる。すなわち、従来、高
耐圧特性試験において必要とされていた絶縁性雰囲気、
詳細にはSF6ガス雰囲気の使用が廃止できる。従って、
地球温暖化が防止でき、またオゾン層の破壊が防止でき
る。
高電圧試験方法においては、放電経路を絶縁遮蔽体２０
により物理的に遮断した状態で、高耐圧ダイオード装置
１の高耐圧特性試験が実施できる。すなわち、従来、高
耐圧特性試験において必要とされていた絶縁性雰囲気、
詳細にはSF6ガス雰囲気の使用が廃止できる。従って、
地球温暖化が防止でき、またオゾン層の破壊が防止でき
る。
【００４２】このように、本発明の第１の実施の形態に
係る高電圧試験方法によれば、高耐圧ダイオード装置、
高耐圧トランジスタ装置、あるいは高耐圧サイリスタ装
置等種々の被測定対象物の逆方向耐圧特性や逆方向ブロ
ッキング特性等を簡単且つ正確に測定評価でき、そのラ
ンニングコストも低い。
係る高電圧試験方法によれば、高耐圧ダイオード装置、
高耐圧トランジスタ装置、あるいは高耐圧サイリスタ装
置等種々の被測定対象物の逆方向耐圧特性や逆方向ブロ
ッキング特性等を簡単且つ正確に測定評価でき、そのラ
ンニングコストも低い。
【００４３】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態は、前述の第１の実施の形態に係る高電圧試験装
置１０において、被測定対象物（高耐圧ダイオード装
置）１の樹脂封止体４の表面又はその近傍に発生する放
電経路の遮断性能をさらに向上させる場合を説明する。
の形態は、前述の第１の実施の形態に係る高電圧試験装
置１０において、被測定対象物（高耐圧ダイオード装
置）１の樹脂封止体４の表面又はその近傍に発生する放
電経路の遮断性能をさらに向上させる場合を説明する。
【００４４】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る
高電圧試験装置１０のシステム構成の要部を示す概略図
である。図６に示す高電圧試験装置１０は、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード装置１の第１リード３Ａ及び
第２のリード３Ｂ間の封止体４の表面に当接する絶縁遮
蔽体２０と、これらの第１リード３Ａ及び第２のリード
３Ｂ間に高電圧を印加する高電圧供給部（図示省略）
と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部（図示省略）とを少なくとも有している。そし
て、絶縁遮蔽体２０の固定側絶縁遮蔽体２０Ａに吸引孔
２０Ｅ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂに吸引孔２０Ｆがそれ
ぞれ配設されている。吸引孔２０Ｅ、２０Ｆはいずれも
吸引機能を生成する真空装置２５に連接される。
高電圧試験装置１０のシステム構成の要部を示す概略図
である。図６に示す高電圧試験装置１０は、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード装置１の第１リード３Ａ及び
第２のリード３Ｂ間の封止体４の表面に当接する絶縁遮
蔽体２０と、これらの第１リード３Ａ及び第２のリード
３Ｂ間に高電圧を印加する高電圧供給部（図示省略）
と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部（図示省略）とを少なくとも有している。そし
て、絶縁遮蔽体２０の固定側絶縁遮蔽体２０Ａに吸引孔
２０Ｅ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂに吸引孔２０Ｆがそれ
ぞれ配設されている。吸引孔２０Ｅ、２０Ｆはいずれも
吸引機能を生成する真空装置２５に連接される。
【００４５】このように構成される高電圧試験装置１０
においては、高耐圧特性試験の際に、真空装置２５から
吸引孔２０Ｅを通して得られる吸引力により固定側絶縁
遮蔽体２０Ａの当接部（２０Ｃ、図３参照）と高耐圧ダ
イオード装置１の樹脂封止体４との間の密着性が向上さ
れる。同様に、真空装置２５から吸引孔２０Ｆを通して
得られる吸引力により可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの当接部
（２０Ｄ、図３参照）と高耐圧ダイオード装置１の樹脂
封止体４との間の密着性が向上される。従って、高耐圧
ダイオード装置１のリード３Ａ、３Ｂ間であって樹脂封
止体４の表面に生成される放電経路の遮断性能が向上で
きる。
においては、高耐圧特性試験の際に、真空装置２５から
吸引孔２０Ｅを通して得られる吸引力により固定側絶縁
遮蔽体２０Ａの当接部（２０Ｃ、図３参照）と高耐圧ダ
イオード装置１の樹脂封止体４との間の密着性が向上さ
れる。同様に、真空装置２５から吸引孔２０Ｆを通して
得られる吸引力により可動側絶縁遮蔽体２０Ｂの当接部
（２０Ｄ、図３参照）と高耐圧ダイオード装置１の樹脂
封止体４との間の密着性が向上される。従って、高耐圧
ダイオード装置１のリード３Ａ、３Ｂ間であって樹脂封
止体４の表面に生成される放電経路の遮断性能が向上で
きる。
【００４６】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態は、前述の第２の実施の形態と同様に、被測定対
象物（高耐圧ダイオード装置）１の樹脂封止体４の表面
又はその近傍に発生する放電経路の遮断性能をさらに向
上させるための技術を説明する。
の形態は、前述の第２の実施の形態と同様に、被測定対
象物（高耐圧ダイオード装置）１の樹脂封止体４の表面
又はその近傍に発生する放電経路の遮断性能をさらに向
上させるための技術を説明する。
【００４７】図７は、本発明の第３の実施の形態に係る
高電圧試験装置１０のシステム構成の要部を示す概略図
である。図７に示す高電圧試験装置１０は、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード装置１の第１リード３Ａ及び
第２のリード３Ｂ間の封止体４の表面に当接する絶縁遮
蔽体２０と、これらの第１リード３Ａ及び第２のリード
３Ｂ間に高電圧を印加する高電圧供給部（図示省略）
と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部（図示省略）とを少なくとも有している。そし
て、この高電圧試験装置１０は、絶縁遮蔽体２０の固定
側絶縁遮蔽体２０Ａに吹出孔２Ｇ、可動側絶縁遮蔽体２
０Ｂに吹出孔２０Ｈがそれぞれ配設されている。吹出孔
２０Ｇ、２０Ｈはいずれもドライエアー（乾燥空気）を
吹き出すドライエアー吹出装置２６に連接されている。
高電圧試験装置１０のシステム構成の要部を示す概略図
である。図７に示す高電圧試験装置１０は、被測定対象
物となる高耐圧ダイオード装置１の第１リード３Ａ及び
第２のリード３Ｂ間の封止体４の表面に当接する絶縁遮
蔽体２０と、これらの第１リード３Ａ及び第２のリード
３Ｂ間に高電圧を印加する高電圧供給部（図示省略）
と、第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部（図示省略）とを少なくとも有している。そし
て、この高電圧試験装置１０は、絶縁遮蔽体２０の固定
側絶縁遮蔽体２０Ａに吹出孔２Ｇ、可動側絶縁遮蔽体２
０Ｂに吹出孔２０Ｈがそれぞれ配設されている。吹出孔
２０Ｇ、２０Ｈはいずれもドライエアー（乾燥空気）を
吹き出すドライエアー吹出装置２６に連接されている。
【００４８】このように構成される高電圧試験装置１０
においては、高耐圧特性試験の際に、ドライエアー吹出
装置２６から吹出孔２０Ｇを通して高耐圧ダイオード装
置１の樹脂封止体４上側表面にドライエアーが吹き付け
られる。同様に、ドライエアー吹出装置２６から吹出孔
２０Ｈを通して高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４
下側表面にドライエアーが吹き付けられる。ドライエア
ーの吹き付けは、空気中の絶縁性を向上し、また樹脂封
止体４の表面状態を放電経路を発生しにくい方向に改質
できる。従って、高耐圧ダイオード装置１の第１リード
３Ａ及び第２のリード３Ｂ間であって樹脂封止体４表面
に生成される放電経路の遮断性能が向上できる。
においては、高耐圧特性試験の際に、ドライエアー吹出
装置２６から吹出孔２０Ｇを通して高耐圧ダイオード装
置１の樹脂封止体４上側表面にドライエアーが吹き付け
られる。同様に、ドライエアー吹出装置２６から吹出孔
２０Ｈを通して高耐圧ダイオード装置１の樹脂封止体４
下側表面にドライエアーが吹き付けられる。ドライエア
ーの吹き付けは、空気中の絶縁性を向上し、また樹脂封
止体４の表面状態を放電経路を発生しにくい方向に改質
できる。従って、高耐圧ダイオード装置１の第１リード
３Ａ及び第２のリード３Ｂ間であって樹脂封止体４表面
に生成される放電経路の遮断性能が向上できる。
【００４９】（その他の実施の形態）上記のように、本
発明は第１乃至第３の実施の形態によって記載したが、
この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定す
るものであると理解すべきではない。この開示から当業
者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明
らかとなろう。
発明は第１乃至第３の実施の形態によって記載したが、
この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定す
るものであると理解すべきではない。この開示から当業
者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明
らかとなろう。
【００５０】たとえば、前述の実施の形態に限定され
ず、以下の変形を行える。
ず、以下の変形を行える。
【００５１】（１）第１乃至第３の実施の形態のそれぞ
れに係る高電圧試験装置１０において、絶縁遮蔽体２０
の固定側絶縁遮蔽体２０Ａは、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂ
と同様に可動式にしてもよい。
れに係る高電圧試験装置１０において、絶縁遮蔽体２０
の固定側絶縁遮蔽体２０Ａは、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂ
と同様に可動式にしてもよい。
【００５２】（２）第１乃至第３の実施の形態のそれぞ
れに係る高電圧試験装置１０において、絶縁遮蔽体２０
の固定側絶縁遮蔽体２０Ａ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは
いずれも絶縁性ガラス系板材で形成してもよい。この場
合、固定側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃ、可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄは被測定対象物（高耐圧
ダイオード装置）１の樹脂封止体４の半径とほぼ同一半
径を有する半円形状で形成される。
れに係る高電圧試験装置１０において、絶縁遮蔽体２０
の固定側絶縁遮蔽体２０Ａ、可動側絶縁遮蔽体２０Ｂは
いずれも絶縁性ガラス系板材で形成してもよい。この場
合、固定側絶縁遮蔽体２０Ａの当接部２０Ｃ、可動側絶
縁遮蔽体２０Ｂの当接部２０Ｄは被測定対象物（高耐圧
ダイオード装置）１の樹脂封止体４の半径とほぼ同一半
径を有する半円形状で形成される。
【００５３】（３）第１乃至第３の実施の形態のそれぞ
れに係る高電圧試験装置１０において、高電圧供給部１
３、特性測定部１４、特性判定部１５のいずれか１つの
ユニットが外部ユニットとして連結されていてもよい。
れに係る高電圧試験装置１０において、高電圧供給部１
３、特性測定部１４、特性判定部１５のいずれか１つの
ユニットが外部ユニットとして連結されていてもよい。
【００５４】（４）第２の実施の形態に係る高電圧試験
装置１０において、絶縁遮蔽体２０にいずれか一方の吸
引孔２０Ｅ又は２０Ｆだけが形成されてもよい。
装置１０において、絶縁遮蔽体２０にいずれか一方の吸
引孔２０Ｅ又は２０Ｆだけが形成されてもよい。
【００５５】（５）本発明は、樹脂封止体４外部にほぼ
平行に引き出されたリード３Ａ及び３Ｂを有する高耐圧
ダイオードに適用できる。
平行に引き出されたリード３Ａ及び３Ｂを有する高耐圧
ダイオードに適用できる。
【００５６】（６）さらに、本発明は、高耐圧ダイオー
ド以外の高耐圧トランジスタ、高耐圧ＩＧＢＴ，高耐圧
ＧＴＯ，高耐圧ＳＩサイリスタ、その他の高耐圧サイリ
スタ等の種々の高耐圧半導体装置を被測定対象物とする
ことが出来る。すなわち、本発明の被測定対象物には、
第１及び第２のリード以外の第３，第４、・・・・・・のリー
ドがあってもかまわず、トランジスタ等の３端子デバイ
ス、サイリスタ等の４端子デバイス、あるいはパワーＩ
Ｃ等の多端子デバイスでもかまわない。それらの複数の
リードの内から高電圧を印加しようとする２つのリード
を選び、その選ばれたリード間の封止体表面に絶縁遮蔽
体を当接すればよいのである。このように、端子数に制
限されず、高電圧の試験信号を供給する必要がある広範
な被測定対象物に対する高電圧試験装置、高電圧試験方
法に適用できる。
ド以外の高耐圧トランジスタ、高耐圧ＩＧＢＴ，高耐圧
ＧＴＯ，高耐圧ＳＩサイリスタ、その他の高耐圧サイリ
スタ等の種々の高耐圧半導体装置を被測定対象物とする
ことが出来る。すなわち、本発明の被測定対象物には、
第１及び第２のリード以外の第３，第４、・・・・・・のリー
ドがあってもかまわず、トランジスタ等の３端子デバイ
ス、サイリスタ等の４端子デバイス、あるいはパワーＩ
Ｃ等の多端子デバイスでもかまわない。それらの複数の
リードの内から高電圧を印加しようとする２つのリード
を選び、その選ばれたリード間の封止体表面に絶縁遮蔽
体を当接すればよいのである。このように、端子数に制
限されず、高電圧の試験信号を供給する必要がある広範
な被測定対象物に対する高電圧試験装置、高電圧試験方
法に適用できる。
【００５７】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。
ない様々な実施の形態等を包含するということを理解す
べきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な
特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定さ
れるものである。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、高電圧試験装置の構造
を簡易化しつつ小型化が実現できる。また、本発明によ
れば、高耐圧半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロ
ッキング特性等を、簡単な操作と低いランニングコスト
で測定評価できる高電圧試験装置を提供できる。
を簡易化しつつ小型化が実現できる。また、本発明によ
れば、高耐圧半導体装置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロ
ッキング特性等を、簡単な操作と低いランニングコスト
で測定評価できる高電圧試験装置を提供できる。
【００５９】さらに、本発明によれば、地球温暖化の防
止やオゾン層の破壊の防止に好適で、環境問題に対応し
た高電圧試験装置を提供できる。
止やオゾン層の破壊の防止に好適で、環境問題に対応し
た高電圧試験装置を提供できる。
【００６０】さらに、本発明によれば、SF6ガスを使用
せず、操作やメインテナンスの容易な高電圧試験方法を
提供できる。
せず、操作やメインテナンスの容易な高電圧試験方法を
提供できる。
【００６１】さらに、本発明によれば、地球温暖化の防
止やオゾン層の破壊の防止に好適で、環境問題に対応し
た高電圧試験方法を提供できる。
止やオゾン層の破壊の防止に好適で、環境問題に対応し
た高電圧試験方法を提供できる。
【００６２】さらに、本発明によれば、高耐圧半導体装
置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性
を、簡単、且つ正確に測定評価できる高電圧試験方法を
提供できる。
置の逆方向耐圧特性や逆方向ブロッキング特性等の特性
を、簡単、且つ正確に測定評価できる高電圧試験方法を
提供できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る高電圧試験装
置のシステム構成を示す概略正面図である。
置のシステム構成を示す概略正面図である。
【図２】高電圧試験装置の概略側面図である。
【図３】高電圧試験装置の絶縁遮蔽体の斜視図である。
【図４】高電圧試験工程における高電圧試験装置のシス
テム構成を示す概略正面図である。
テム構成を示す概略正面図である。
【図５】高電圧試験工程における高電圧試験装置の概略
側面図である。
側面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る高電圧試験装
置のシステム構成の要部を示す概略図である。
置のシステム構成の要部を示す概略図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る高電圧試験装
置のシステム構成の要部を示す概略図である。
置のシステム構成の要部を示す概略図である。
【図８】本発明、並びに従来技術に係る樹脂封止型高耐
圧ダイオード装置の一部断面化した構成図である。
圧ダイオード装置の一部断面化した構成図である。
１ 高耐圧ダイオード装置（被測定対象物） ２ 高耐圧ダイオード素子 ３Ａ 第１のリード ３Ｂ 第２のリード ４ 樹脂封止体 １０ 耐圧特性試験装置（高電圧試験装置） １１ 半導体装置搬送部 １１Ａ，１１Ｂ 搬送レール １１Ｃ，１１Ｄ 溝 １２ 搬送駆動部 １３ 高電圧供給部 １３Ａ，１３Ｂ 電圧印加端子 １４ 特性測定部 １５ 特性判定部 ２０ 絶縁遮蔽体 ２０Ａ 固定側絶縁遮蔽体 ２０Ｂ 可動側絶縁遮蔽体 ２０Ｃ，２０Ｄ 当接部 ２１ 遮蔽体駆動部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 31/26 G01R 31/12 H01L 21/66
Claims (4)
- 【請求項１】 第１及び第２のリード、該第１及び第２
のリード間の封止体とからなる被測定対象物の前記封止
体の表面の一部に当接する固定側当接部、該固定側当接
部に開口部を有する固定側吸引孔とを有する固定側絶縁
遮蔽体と、 前記封止体の表面の他の一部に当接する可動側当接部、
該可動側当接部に開口部を有する可動側吸引孔とを有す
る可動側絶縁遮蔽体と、 前記固定側吸引孔及び可動側吸引孔とに連接された真空
装置と、 前記第１及び第２のリード間に高電圧を印加する高電圧
供給部と、 前記第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部とを少なくとも有することを特徴とする高電圧
試験装置。 - 【請求項２】 第１及び第２のリード、該第１及び第２
のリード間の封止体とからなる被測定対象物の前記封止
体の表面の一部に当接する固定側当接部、該固定側当接
部に開口部を有する固定側吹出孔とを有する固定側絶縁
遮蔽体と、 前記封止体の表面の他の一部に当接する可動側当接部、
該可動側当接部に開口部を有する可動側吹出孔とを有す
る可動側絶縁遮蔽体と、 前記固定側吹出孔及び可動側吹出孔とに連接されたドラ
イエアー吹出装置と、 前記第１及び第２のリード間に高電圧を印加する高電圧
供給部と、 前記第１及び第２のリード間の電気的特性を測定する特
性測定部とを少なくとも有することを特徴とする高電圧
試験装置。 - 【請求項３】 第１及び第２のリード、該第１及び第２
のリード間の封止体とからなる被測定対象物の前記封止
体の表面の一部に可動側絶縁遮蔽体の可動側当接部を当
接するステップと、 該可動側絶縁遮蔽体を、前記封止体の表面の他の一部が
固定側絶縁遮蔽体の固定側当接部に当接するまで上昇さ
せるステップと、 前記可動側絶縁遮蔽体の可動側当接部に開口部を有する
可動側吸引孔、及び前記固定側絶縁遮蔽体の固定側当接
部に開口部を有する固定側吸引孔を介して前記被測定対
象物を真空吸着するステップと、 前記第１及び第２のリード間に高電圧を印加するステッ
プと、 前記第１及び第２のリード間の電気的特性を測定するス
テップとを少なくとも有することを特徴とする高電圧試
験方法。 - 【請求項４】 第１及び第２のリード、該第１及び第２
のリード間の封止体とからなる被測定対象物の前記封止
体の表面の一部に可動側絶縁遮蔽体の可動側当接部を当
接するステップと、 該可動側絶縁遮蔽体を、前記封止体の表面の他の一部が
固定側絶縁遮蔽体の固定側当接部に当接するまで上昇さ
せるステップと、 前記可動側絶縁遮蔽体の可動側当接部に開口部を有する
可動側吹出孔、及び前記固定側絶縁遮蔽体の固定側当接
部に開口部を有する固定側吹出孔を介して前記被測定対
象物の前記封止体の表面にドライエアーを吹き付けるス
テップと、 前記第１及び第２のリード間に高電圧を印加するステッ
プと、 前記第１及び第２のリード間の電気的特性を測定するス
テップとを少なくとも有することを特徴とする高電圧試
験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07458698A JP3262063B2 (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 高電圧試験装置及び高電圧試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07458698A JP3262063B2 (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 高電圧試験装置及び高電圧試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271387A JPH11271387A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3262063B2 true JP3262063B2 (ja) | 2002-03-04 |
Family
ID=13551424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07458698A Expired - Fee Related JP3262063B2 (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 高電圧試験装置及び高電圧試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3262063B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754733B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-06-22 | Texas Instruments Incorporated | Shared memory architecture for increased bandwidth in a printer controller |
| AT412175B (de) * | 2002-04-12 | 2004-10-25 | Rainer Dr Gaggl | Vorrichtung zur vermeidung von funkenüberschlägen bei der hochspannungsprüfung von halbleiter-bauelementen |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5375745B2 (ja) | 2010-06-02 | 2013-12-25 | 富士電機株式会社 | 試験装置および試験方法 |
| JP5771564B2 (ja) * | 2012-06-11 | 2015-09-02 | 株式会社エクシム | 電気試験装置及び電気試験方法 |
| JP6339345B2 (ja) | 2013-10-31 | 2018-06-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体評価装置および半導体評価方法 |
| JP6213369B2 (ja) | 2014-05-13 | 2017-10-18 | 三菱電機株式会社 | 測定装置 |
| JP6779668B2 (ja) * | 2016-05-31 | 2020-11-04 | ソーラーフロンティア株式会社 | 絶縁検査装置 |
| CN106353652B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-07-18 | 上海电力设计院有限公司 | 高压电气设备耐压试验辅助平台 |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP07458698A patent/JP3262063B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6754733B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-06-22 | Texas Instruments Incorporated | Shared memory architecture for increased bandwidth in a printer controller |
| AT412175B (de) * | 2002-04-12 | 2004-10-25 | Rainer Dr Gaggl | Vorrichtung zur vermeidung von funkenüberschlägen bei der hochspannungsprüfung von halbleiter-bauelementen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11271387A (ja) | 1999-10-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |